JP2002074748A - 光記録媒体の構造とその製造方法 - Google Patents

光記録媒体の構造とその製造方法

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威翔 王
Binkei Ko
敏慧 黄
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Raitoku Kagi Kofun Yugenkoshi
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録層と誘電層との間の相互拡散現象を回避
して、記録再現性の劣化という現象を有効に防止し、記
録マークの変形を防止してジッターを減少させることが
できる光記録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 下から上に向かって順番に、透明基板
と、透明基板上に配置される第１誘電層と、第１誘電層
上に配置される第１緩衝層と、第１緩衝層上に配置され
る記録層と、記録層上に配置される第２緩衝層と、第２
緩衝層上に配置される第２誘電層と、第２誘電層上に配
置される光補償層と、光補償層上に配置される反射層と
を具備する光記録媒体であって、第１および第２緩衝層
によって記録層と第１および第２誘電層との間の相互拡
散を防止し、光補償層によって記録層の熱敏感性を増強
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大容量データを保
存する記録媒体に関し、特に、光記録媒体(Optical Rec
ording Medium)の構造とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディア(Multimedia)応用データ
の普及に伴って、多くのデータが大容量の文字、音声、
画像を含むようになったため、データ保存媒体の開発が
保存密度ならびにアクセス速度(Access Rate)の向上に
集中している。光ディスク(Compact Disk = CD)は、保
存密度が高く、体積が小さく、保存期間が長く、コスト
が低く、互換性が高く、エラーレートが低いという長所
を備えているので、現在、携帯可能なデータ記録媒体の
主流となっている。各種の光ディスクのうち、その応用
がますます広範なものとなっているのは、書き換え可能
な(Rewritable)光ディスクであり、その記録原理は、レ
ーザービームで記録材料を局部照射して、特定位置の記
録材料の光学特性を変更するとともに、それによりデー
タ値を読み取るものである。
【０００３】例えば、相変化(Phase Transition)型書き
換え可能光ディスクは、記録材料の結晶態と非結晶態と
において特定波長のレーザービームに対する反射光量が
異なることを利用して記録を行っている。相変化型書き
換え可能光ディスクは、レーザービームの出力パワーを
変調する(Modulate)ことで記録の消去と書き換え(Rewri
ting)とを同時に行うものであるから、データを高速で
記録できるという長所を備えている。
【０００４】図１に従来技術にかかる相変化型光ディス
ク１０の断面図を示す。この相変化型光ディスク１０
は、下から上に向かって順番に、透明基板１２と、第１
誘電層１４と、記録層１６と、第２誘電層１８と、反射
層２０と、保護層２２とを具備している。第１誘電層１
４と第２誘電層１８は、酸化シリコン(ＳｉＯx)または
硫化亜鉛−二酸化シリコン(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)などの材
料から構成されている。記録層１６は、ゲルマニウム(g
ermanium = Ge)およびテルル(tellurium = Te)ならびに
アンチモン(antimony = Sb)を含有する合金系の材料か
ら構成されている。
【０００５】一般に、記録層１６を形成するゲルマニウ
ムとテルルとアンチモンとの化学量論合成体(Stochiome
tric Composition)は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である。しかし
ながら、この材料を使用する場合、レーザービームの波
長が小さくなると、非結晶態の光学定数と結晶態の光学
定数との差異が小さくなる、つまり反射率などの光学特
性の差異が小さくなって、信号の判読が困難になる恐れ
がある。そこで、記号の判読に便利なように、最近では
化学量論合成体のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5材料の使用に代えて
ＧｅとＴｅの比率が高い材料で記録層１６を形成するよ
うになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＧｅとＴｅの
比率が高い材料を採用すれば信号の変調度を向上させる
ことができるものの、記録の再現性は、化学量論合成体
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5から離れることによって劣ったものと
なる。その主たる原因としては、データ書き換え時に高
温が必要になり、何回も書き換えを行った後に、第２誘
電層１８と第１誘電層１４の組成成分である硫黄原子が
記録層１６中に拡散進入するとともに、記録層１６の組
成成分であるゲルマニウムとテルルとアンチモンが第２
誘電層１８および第１誘電層１４中に拡散進入すること
を挙げることができる。
【０００７】また、記録層１６上の結晶領域と非結晶領
域(データ記録を行う記録マーク)の光に対する吸収係数
(coefficient of absorption)が異なるので、記録層１
６の記録マーク(recording mark)が書き換え時に変形す
るとともに、信号のジッター(jitter)を増大させて、デ
ータの判読を更に困難なものとしていた。従って、レー
ザービームの波長短縮により記録密度を向上させると同
時に、記録材料の化学組成を変更してデータ値を判読し
やすいものとする時、記録層１６と第１および第２誘電
層１４，１８との間の相互拡散をいかに回避するかとい
うことと、書き換え時に記録マークの変形を防止し、記
録された信号の再現性を確保することとが解決すべき課
題となっていた。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上述したような
従来技術における記録信号の再現性が劣化するという課
題を解決することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、所望
の目的を達成するために、本発明にかかる光記録媒体の
構造は、透明基板と、透明基板上に配置される第１誘電
層と、第１誘電層上に配置される第１緩衝層と、第１緩
衝層上に配置される記録層と、記録層上に配置される第
２緩衝層と、第２緩衝層上に配置される第２誘電層と、
第２誘電層上に配置される光補償層と、光補償層上に配
置される反射層とから構成される。尚、必要に応じて、
反射層上に保護層を設けても良い。
【００１０】また、本発明にかかる光記録媒体の製造方
法は、透明基板を提供するステップと、透明基板上に第
１誘電層を形成するステップと、スパッタリングを用い
て第１誘電層上に第１緩衝層を形成するステップと、ス
パッタリングにより第１緩衝層上に記録層を形成するス
テップと、スパッタリングを用いて記録層上に第２緩衝
層を形成するステップと、第２緩衝層上に第２誘電層を
形成するステップと、第２誘電層上に光補償層を形成す
るステップと、光補償層上に反射層を形成するステップ
とを具備するものである。尚、必要に応じて、反射層上
に保護層を形成するステップを実施しても良い。
【００１１】
【作用】上記した構成において、本発明にかかる光記録
媒体の製造とその製造方法は、第１および第２緩衝層に
よって記録層中の少なくとも１つの元素が第１および第
２誘電層へ拡散進入することを防止するとともに、第１
誘電層中の少なくとも１つの元素が記録層へ拡散進入す
ること、および第２誘電層中の少なくとも１つの元素が
記録層へ拡散進入することを防止することができる。ま
た、光補償層の形成によって、記録層の光学読み書きヘ
ッドがアクセスする時の熱敏感性を増強することができ
る。さらに、透明基板上に螺旋状の案内溝を形成して、
読み書きするレーザービームを案内することができる。
記録層を例えば相変化材料で構成すれば、結晶態と非結
晶態との間で可逆変化(Reversible Transition)させる
ことができる。
【００１２】上述したように、本発明は、２つの緩衝層
で記録層を挟み込むことにより、記録層と第１および第
２緩衝層との相互拡散を回避するとともに、記録層の組
成成分が変化することを防止する。従って、より短い波
長のレーザービームの使用が増加するにつれて、化学量
論合成体でない材料を記録層として採用しなければなら
ない時に、本発明は、記録層と第１および第２緩衝層と
の相互拡散による記録再現性の劣化を有効に回避するこ
とができる。また、本発明は、光補償層を利用して、光
学ピックアップが書き換えを行う時の記録層の熱敏感性
を増強して、結晶領域の光吸収量を非結晶領域の光吸収
量より大きいものとして、記録マークが書き換えにより
変形することを防止するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
にかかる好適な実施例を詳細に説明する。
【００１４】本発明の実施例にかかる光記録媒体３０の
断面図を図２に示す。この光記録媒体３０は、下から順
に、透明基板３２と、第１誘電層３４と、第１緩衝層３
６と、記録層３８と、第２緩衝層４０と、第２誘電層４
２と、光補償層４３と、反射層４４と、保護層４６とで
構成され、光記録媒体３０の製造プロセスは、上記した
順番で各層を形成するものである。
【００１５】透明基板３２の厚さは約０．６ｍｍであ
り、第１誘電層３４の厚さは４０ｎｍ(ナノメートル)よ
り大きく、第１緩衝層３６の厚さは３ｎｍから２５ｎｍ
の範囲であり、記録層３８の厚さは７ｎｍから２５ｎｍ
の範囲であり、第２緩衝層４０の厚さは３ｎｍから１０
ｎｍの範囲であり、第２誘電層４２の厚さは１０ｎｍか
ら４０ｎｍの範囲であり、光補償層４３の厚さは１０ｎ
ｍより大きく、反射層４４の厚さは４０ｎｍより大き
い。
【００１６】透明基板３２の材質としては、例えばポリ
カーボネートを使用することができる。透明基板３２上
には複数の案内溝４８ (図２下方を参照)を形成して、
レーザービームを誘導するものとしている。透明基板３
２を上方から見れば、案内溝４８は螺旋状となってお
り、透明基板３２の中心が螺旋の中心となっている(図
示せず)。
【００１７】第１誘電層３４と第２誘電層４２は、窒化
シリコン、酸化シリコン、硫化シリコンまたは酸化チタ
ン(ＴｉＯx)などの絶縁材料から構成される。第１誘電
層３４および第２誘電層４２を形成する方法としては、
スパッタリング法(Sputtering)あるいは蒸着法(Evapora
tion)がある。
【００１８】記録層３８は、相変化材料から構成され、
結晶態と非結晶態との間で可逆変化するとともに、この
相変化材料が結晶態である時の光反射率(Reflection Ra
tio)が非結晶態時の光反射率より大きいものである。こ
の相変化材料の材質としては、テルル、ゲルマニウム、
アンチモンの合金系、あるいはインジウム(indium =I
n)、銀(Silver = Ag)、テルル、ゲルマニウム、アンチ
モンの合金系とすることができる。記録層３８の形成方
法としては、スパッタリング法もしくは蒸着法がある。
【００１９】光補償層４３の材質は、ゲルマニウム(Ge)
と金属の合金とし、金属としてはアルミニウム(Al)、チ
タン(titanium = Ti)、バナジウム(vanadium = V)、マ
ンガン(manganese = Mn)、クロム(chromium = Cr)、亜
鉛(zinc = Zn)、ジリコニウム(zirconium = Zr)、ニオ
ブ(niobium = Nb)、モリブデン(molybdenum = Mo)、パ
ラジウム(palladium = Pd)、銀(silver = Ag)、カドミ
ウム(cadmium = Cd)、ハフニウム(hafnium = Hf)、タン
タル(tantalum = Ta)、タングステン(tungsten =W)、鉄
(iron = Fe)、コバルト(cobalt = Co)、ニッケル(nicke
l = Ni)、イットリウム(ytterbium = Yb)、ランタン(la
nthanum = La)、金(gold = Au)からなるグループから１
つを選択することができる。金属がクロム(Cr)である場
合、その合金中の含有量(モル％)を１０〜３０％の範囲
とすることが好ましい。光補償層４３によって光学ピッ
クアップが書き換えを行う時の記録層３８の熱敏感性を
増強することができ、結晶領域の光吸収量を非結晶領域
(データを記録する記録マークを代表)の光吸収量より大
きくして、記録マークの書き換えによる変形を回避する
ことができる。
【００２０】反射層４４は、アルミニウム(aluminum =
Al)、銅(copper = Cu)、金(gold =Au)、銀、プラチナ(p
latinum = Pt)のいずれかの金属から構成、あるいは、
これらの金属のうち１種類以上を含む合金材料から構成
することができる。
【００２１】上述した第１緩衝層３６および第２緩衝層
４０は、直流スパッタリング(DC-sputtering)により窒
素ガス(nitrogen gas)雰囲気中で形成することができ
る。スパッタリング用のターゲットとしては、純ゲルマ
ニウム、またはゲルマニウム・アルミニウム合金を使用
することが好ましい。ゲルマニウム・アルミニウム合金
を使用する場合は、アルミニウム元素およびゲルマニウ
ム元素の重量比を０(ゼロ)より大きく、かつ１５：８５
以下とすることが特に好ましい。すなわち、アルミニウ
ムとゲルマニウムの合計重量を１００％(＝１５+８５)
とした場合、アルミニウムの量を１５％以下とすること
が好ましい。
【００２２】また、第１緩衝層３６および第２緩衝層４
０は、ゲルマニウムと特定の金属から合成したターゲッ
トを窒素ガス雰囲気中でスパッタリングして形成しても
良い。前記特定の金属としては、アルミニウム(Al)、チ
タン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(C
r)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、カドミウム(Cd)、
ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、鉄
(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、イットリウム(Y
b)、ランタン(La)、金(Au)よりなるグループから選択さ
れる一種とすることができる。
【００２３】ターゲットが純ゲルマニウムである場合、
窒素ガス雰囲気でのスパッタリングにより得られるもの
は、窒素とゲルマニウムが合成された材料である。ター
ゲットがゲルマニウムと前記特定の金属との合金である
場合には、窒素ガス雰囲気でのスパッタリングによって
窒素とゲルマニウムと前記特定の金属とから合成された
材料である。このように、第１緩衝層３６および第２緩
衝層４０は、主としてゲルマニウム元素から構成される
とともに、硫黄元素あるいは硫化物を含有しないため、
記録層３８と第１緩衝層３６および第２緩衝層４０との
間で相互拡散現象が発生しない。しかも、第１緩衝層３
６および第２緩衝層４０の主要組成であるゲルマニウム
元素が記録層３８にも存在するので、第１緩衝層３６お
よび第２緩衝層４０と記録層３８との接合性が良好なも
のとなり、亀裂が発生しにくいものとなる。
【００２４】以上に述べたように、本発明の実施例にか
かる光記録媒体３０の構造においては、第１緩衝層３６
ならびに第２緩衝層４０によって、記録層３８の組成成
分が第１誘電層３４および第２誘電層４２へ拡散進入す
ることを防止することができるとともに、第１誘電層３
４および第２誘電層４２の硫黄原子または酸素原子が記
録層３８へ拡散進入することを防止することができる。
従って、より短い波長のレーザービームの使用が増加す
るにつれて、記録層３８の組成成分を変更しなければな
らなくなった時、本発明にかかる光記録媒体３０の構造
によって、記録層３８と第１誘電層３４および第２誘電
層４２との相互拡散による記録再現性の劣化という現象
を有効に回避することができる。また、光補償層４３に
よって、結晶領域の光吸収量を非結晶領域(記録マーク)
の光吸収量よりも大きくすることができるので、書き換
えによる記録マークの変形を防止して、信号のジッター
(jitter)を減少させることができるため、信号の判読に
有利なものとなる。
【００２５】以上のごとく、本発明を好適な実施例によ
り説明したが、もとより、本発明を限定するためのもの
ではなく、当業者であれば容易に理解できるように、本
発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに
修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護
の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を
基準として定めなければならない。
【００２６】
【発明の効果】上記構成により、本発明にかかる光記録
媒体の構造とその製造方法は、記録層と第１および第２
誘電層との相互拡散による記録再現性の劣化という現象
を有効に防止することができるとともに、光補償層によ
り結晶領域の光吸収量を非結晶領域(記録マーク)の光吸
収量より大きくすることができるので、書き換えによる
記録マークの変形を防止して、信号のジッターを減少さ
せることができるため、信号の判読に有利なものとな
る。従って、産業上の利用価値が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術にかかる光記録媒体を示す断面図であ
る。
【図２】本発明にかかる光記録媒体の構造とその製造方
法を示す断面図である。
【符号の説明】
３０ 光記録媒体 ３２ 透明基板 ３４ 第１誘電層 ３６ 第１緩衝層 ３８ 記録層 ４０ 第２緩衝層 ４２ 第２誘電層 ４３ 光補償層 ４４ 反射層 ４６ 保護層 ４８ 案内溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｌ ５３４Ｍ ５３８ ５３８Ａ ５３８Ｅ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板と、前記透明基板上に配置され
    る第１誘電層と、前記第１誘電層上に配置される第１緩
    衝層と、前記第１緩衝層上に配置される記録層と、前記
    記録層上に配置される第２緩衝層と、前記第２緩衝層上
    に配置される第２誘電層と、前記第２誘電層上に配置さ
    れる光補償層と、前記光補償層上に配置される反射層と
    を具備し、前記第１緩衝層は、前記記録層の少なくとも
    １つの元素の前記第１誘電層への拡散進入、および前記
    第１誘電層の少なくとも１つの元素の前記記録層への拡
    散進入を防止し、前記第２緩衝層は、前記記録層の少な
    くとも１つの元素の前記第２誘電層への拡散進入、およ
    び前記第２誘電層の少なくとも１つの元素の前記記録層
    への拡散進入を防止することを特徴とする光記録媒体の
    構造。
  2. 【請求項２】 上記第１および第２緩衝層が、窒素とゲ
    ルマニウムの合成体であることを特徴とする請求項１に
    記載の光記録媒体の構造。
  3. 【請求項３】 上記第１および第２緩衝層が、窒素とゲ
    ルマニウムとアルミニウムの合成体であることを特徴と
    する請求項１に記載の光記録媒体の構造。
  4. 【請求項４】 上記した窒素とゲルマニウムとアルミニ
    ウムの合成体が、アルミニウムとゲルマニウムとの重量
    比を０(ゼロ)より大きく、かつ１５：８５以下とするも
    のであることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体
    の構造。
  5. 【請求項５】 上記第１および第２緩衝層が、窒素とゲ
    ルマニウムと金属とから合成され、前記金属はアルミニ
    ウム(Al)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(M
    n)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ
    (Nb)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、カド
    ミウム(Cd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングス
    テン(W)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、イッ
    トリウム(Yb)、ランタン(La)、金(Au)よりなるグループ
    から選択される一種であることを特徴とする請求項１に
    記載の光記録媒体の構造。
  6. 【請求項６】 上記透明基板が、螺旋状に案内溝を設け
    て、前記透明基板の中心を螺旋の中心とするものである
    ことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の構造。
  7. 【請求項７】 上記記録層が、相変化材料から構成され
    るものであって、結晶態と非結晶態との間で可逆変化
    し、かつ前記結晶態時の光反射率が前記非結晶態時の光
    反射率より大きいものであることを特徴とする請求項１
    に記載の光記録媒体の構造。
  8. 【請求項８】 上記相変化材料が、テルル(Te)とゲルマ
    ニウムとアンチモン(Sb)との合金系、もしくはインジウ
    ム(In)と銀(Ag)とアンチモンとゲルマニウムとテルルと
    の合金系であることを特徴とする請求項７に記載の光記
    録媒体の構造。
  9. 【請求項９】 上記第１および第２誘電層が、窒化シリ
    コンまたは酸化シリコンあるいは硫化シリコンもしくは
    酸化チタンから構成されるものであることを特徴とする
    請求項１に記載の光記録媒体の構造。
  10. 【請求項１０】 上記光補償層が、ゲルマニウム(Ge)と
    金属とから合成される合金材料であって、前記金属はア
    ルミニウム(Al)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガ
    ン(Mn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニ
    オブ(Nb)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、
    カドミウム(Cd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タン
    グステン(W)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、
    イットリウム(Yb)、ランタン(La)、金(Au)よりなるグル
    ープから選択される一種であることを特徴とする請求項
    １に記載の光記録媒体の構造。
  11. 【請求項１１】 上記金属が、クロム(Cr)であり、かつ
    前記金属の上記合金材料中の含有量(モル％)は１０〜３
    ０％の範囲であることを特徴とする請求項１０に記載の
    光記録媒体の構造。
  12. 【請求項１２】 上記反射層が、アルミニウム(Al)、銅
    (Cu)、金(Au)、銀、プラチナ(Pt)のうち、いずれかの金
    属より構成、あるいは前記金属のうち１種類以上を含む
    合金から構成されるものであることを特徴とする請求項
    １に記載の光記録媒体の構造。
  13. 【請求項１３】 上記反射層が、更に、その上に保護層
    を備えるものであることを特徴とする請求項１に記載の
    光記録媒体の構造。
  14. 【請求項１４】 透明基板を提供するステップと、前記
    透明基板上に第１誘電層を形成するステップと、スパッ
    タリングを用いて前記第１誘電層上に第１緩衝層を形成
    するステップと、スパッタリングにより前記第１緩衝層
    上に記録層を形成するステップと、スパッタリングを用
    いて前記記録層上に第２緩衝層を形成するステップと、
    前記第２緩衝層上に第２誘電層を形成するステップと、
    前記第２誘電層上に光補償層を形成するステップと、前
    記光補償層上に反射層を形成するステップとを具備し、
    前記第１緩衝層は、前記記録層の少なくとも１つの元素
    の前記第１誘電層への拡散進入、および前記第１誘電層
    の少なくとも１つの元素の前記記録層への拡散進入を防
    止するために形成され、前記第２緩衝層は、前記記録層
    中の少なくとも１つの元素の前記第２誘電層への拡散進
    入、および前記第２誘電層の少なくとも１つの元素の前
    記記録層への拡散進入を防止するために形成されること
    を特徴とする光記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 上記第１および第２緩衝層の形成方法
    が、純ゲルマニウムターゲットを用いて窒素雰囲気でス
    パッタリングを行うものであることを特徴とする請求項
    １４に記載の光記録媒体の製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記第１および第２緩衝層の形成方法
    が、ゲルマニウム・アルミニウム合金ターゲットを用い
    て窒素雰囲気でスパッタリングを行うものであることを
    特徴とする請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記ゲルマニウム・アルミニウム合金
    ターゲット中のアルミニウム元素とゲルマニウム元素と
    の重量比が、０(ゼロ)より大きく、かつ１５：８５以下
    とするものである請求項１６記載の光記録媒体の製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 上記第１および第２緩衝層の形成方法
    が、合金ターゲットを用いて窒素雰囲気でスパッタリン
    グを行うものであって、前記合金ターゲットをゲルマニ
    ウムと金属とから合成し、前記金属はアルミニウム(A
    l)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロ
    ム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モ
    リブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、カドミウム(C
    d)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン
    (W)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、イットリ
    ウム(Yb)、ランタン(La)、金(Au)よりなるグループから
    選択される一種であることを特徴とする請求項１４に記
    載の光記録媒体の製造方法。
  19. 【請求項１９】 上記第１および第２緩衝層が、直流ス
    パッタリング(DC-sputtering)で形成されることを特徴
    とする請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法。
  20. 【請求項２０】 上記記録層が、相変化材料で構成され
    るものであって、結晶態と非結晶態との間で可逆変化
    し、かつ前記結晶態時の光反射率が前記非結晶態時の光
    反射率より大きいものであることを特徴とする請求項１
    ４に記載の光記録媒体の製造方法。
  21. 【請求項２１】 上記相変化材料が、テルル(Te)とゲル
    マニウムとアンチモン(Sb)との合金系、あるいはインジ
    ウム(In)と銀(Ag)とアンチモンとゲルマニウムとテルル
    との合金系であることを特徴とする請求項２０に記載の
    光記録媒体の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記透明基板が、螺旋状に案内溝を設
    けて、前記透明基板の中心を螺旋の中心とするものであ
    ることを特徴とする請求項１４に記載の光記録媒体の製
    造方法。
  23. 【請求項２３】 上記第１および第２誘電層が、窒化シ
    リコンまたは酸化シリコンあるいは硫化シリコンもしく
    は酸化チタンから構成されることを特徴とする請求項１
    ４に記載の光記録媒体の製造方法。
  24. 【請求項２４】 上記光補償層が、ゲルマニウム(Ge)と
    金属とから合成される合金材料であって、前記金属はア
    ルミニウム(Al)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガ
    ン(Mn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニ
    オブ(Nb)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、
    カドミウム(Cd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タン
    グステン(W)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、
    イットリウム(Yb)、ランタン(La)、金(Au)よりなるグル
    ープから選択される一種であることを特徴とする請求項
    １４に記載の光記録媒体の製造方法。
  25. 【請求項２５】 上記金属が、クロム(Cr)であり、かつ
    前記金属の上記合金材料中の含有量(モル％)は１０〜３
    ０％の範囲であることを特徴とする請求項２４に記載の
    光記録媒体の製造方法。
  26. 【請求項２６】 上記反射層が、アルミニウム、銅、
    金、銀、プラチナのうち、いずれかの金属より構成、あ
    るいは前記金属のうち１種類以上を含む合金から構成さ
    れることを特徴とする請求項１４に記載の光記録媒体の
    製造方法。
  27. 【請求項２７】 上記した製造方法が、更に、上記反射
    層上に保護層を形成するステップを含むことを特徴とす
    る請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法。
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