JP2002072918A - 素子基板およびその検査方法並びに検査装置 - Google Patents
素子基板およびその検査方法並びに検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ素子を形成する前に、各画素の画素電極
に所定の電圧を印加することができるかどうかを形成さ
れた半導体素子を破壊することなく確認できる検査方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 素子基板の画素部に形成された半導体素
子が動作するかどうかの検査を非破壊で行うために、電
解液に素子基板および対向検出電極を浸し、素子基板上
の画素電極および対向検出電極の間に流れる電流値を測
定することにより素子基板の良否を判別する。
に所定の電圧を印加することができるかどうかを形成さ
れた半導体素子を破壊することなく確認できる検査方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 素子基板の画素部に形成された半導体素
子が動作するかどうかの検査を非破壊で行うために、電
解液に素子基板および対向検出電極を浸し、素子基板上
の画素電極および対向検出電極の間に流れる電流値を測
定することにより素子基板の良否を判別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された
自発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が
正常に動作するかを検査する方法に関する。特に半導体
素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いたＥＬ表示装置
において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作
するかどうかを検査する方法に関する。
ルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された
自発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が
正常に動作するかを検査する方法に関する。特に半導体
素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いたＥＬ表示装置
において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作
するかどうかを検査する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板上に半導体素子を形成する技
術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置
（自発光装置）への応用開発が進められている。特に、
ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファス
シリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビ
リティともいう）が高いので、高速動作が可能である。
そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。
術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置
（自発光装置）への応用開発が進められている。特に、
ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファス
シリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビ
リティともいう）が高いので、高速動作が可能である。
そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。
【０００３】さらに、自発光型素子としてＥＬ素子を有
したアクティブマトリクス型の自発光装置（ＥＬ表示装
置）の研究が活発化している。ＥＬ表示装置は有機ＥＬ
ディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
したアクティブマトリクス型の自発光装置（ＥＬ表示装
置）の研究が活発化している。ＥＬ表示装置は有機ＥＬ
ディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００４】ＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）間に
ＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常積
層構造となっている。代表的にはコダック・イーストマ
ン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光
層／電子輸送層」という積層構造があげられる。この構
造は非常に発光効率が高く、現在研究開発が進められて
いるＥＬ表示装置は、ほとんどこの構造を採用してい
る。
ＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常積
層構造となっている。代表的にはコダック・イーストマ
ン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光
層／電子輸送層」という積層構造があげられる。この構
造は非常に発光効率が高く、現在研究開発が進められて
いるＥＬ表示装置は、ほとんどこの構造を採用してい
る。
【０００５】また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または、正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層す
る構造でもよい。発光層に対して蛍光性色素等をドーピ
ングしてもよい。
送層／発光層／電子輸送層、または、正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層す
る構造でもよい。発光層に対して蛍光性色素等をドーピ
ングしてもよい。
【０００６】ＥＬ素子が有するＥＬ層は、熱、光、水
分、酸素等によって劣化が促進されることから、一般的
にアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の作製におい
て、画素部に配線や半導体素子を形成した後にＥＬ素子
が形成される。
分、酸素等によって劣化が促進されることから、一般的
にアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の作製におい
て、画素部に配線や半導体素子を形成した後にＥＬ素子
が形成される。
【０００７】そして、ＥＬ素子が形成された後、ＥＬ素
子が設けられた基板（ＥＬパネル）とカバー剤とをＥＬ
素子が外気に曝されないように張り合わせてシール剤な
どにより封止（パッケージング）する。
子が設けられた基板（ＥＬパネル）とカバー剤とをＥＬ
素子が外気に曝されないように張り合わせてシール剤な
どにより封止（パッケージング）する。
【０００８】なお、本明細書中において、陰極と陽極と
の間に設けられるすべての層を総称してＥＬ層と呼んで
いる。よって上述した正孔注入層、発光層、電子輸送
層、電子注入層などはすべてＥＬ層に含まれる。そして
上記構造でなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をか
け、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こ
って発光する。陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光
素子をＥＬ素子と呼ぶ。
の間に設けられるすべての層を総称してＥＬ層と呼んで
いる。よって上述した正孔注入層、発光層、電子輸送
層、電子注入層などはすべてＥＬ層に含まれる。そして
上記構造でなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をか
け、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こ
って発光する。陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光
素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０００９】また、半導体素子が形成された基板を素子
基板と呼ぶ。なお、半導体素子としてはトランジスタ、
特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ（Meta
l Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜トランジ
スタ（Thin film transistor:ＴＦＴ）が挙げられる。
従って、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板や
ＴＦＴが形成された基板は素子基板に含まれる。
基板と呼ぶ。なお、半導体素子としてはトランジスタ、
特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ（Meta
l Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜トランジ
スタ（Thin film transistor:ＴＦＴ）が挙げられる。
従って、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板や
ＴＦＴが形成された基板は素子基板に含まれる。
【００１０】なお、本明細書の素子基板の画素内には、
二つのＴＦＴが形成されており、一方はスイッチング用
素子として機能するＴＦＴ（以下、スイッチング用ＴＦ
Ｔという）、もう一方はＥＬ素子へ流す電流量を制御す
る電流制御用素子として機能するＴＦＴ（以下、電流制
御用ＴＦＴという）という。また、素子基板から電流を
受け取る電極のことを対向検出電極と呼ぶことにする。
二つのＴＦＴが形成されており、一方はスイッチング用
素子として機能するＴＦＴ（以下、スイッチング用ＴＦ
Ｔという）、もう一方はＥＬ素子へ流す電流量を制御す
る電流制御用素子として機能するＴＦＴ（以下、電流制
御用ＴＦＴという）という。また、素子基板から電流を
受け取る電極のことを対向検出電極と呼ぶことにする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
型のＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の一対の電極から
ＥＬ層にかける所定の電圧は、各画素に設けられたＴＦ
Ｔによって制御される。そのため、画素部が有するＴＦ
Ｔがスイッチング素子として機能しない、または配線が
断線またはショートするなど、何らかの不具合が生じる
と、ＥＬ素子が有するＥＬ層に所定の電圧をかけること
ができなくなる。その場合、画素は所望の階調を表示す
ることができなくなってしまう。
型のＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の一対の電極から
ＥＬ層にかける所定の電圧は、各画素に設けられたＴＦ
Ｔによって制御される。そのため、画素部が有するＴＦ
Ｔがスイッチング素子として機能しない、または配線が
断線またはショートするなど、何らかの不具合が生じる
と、ＥＬ素子が有するＥＬ層に所定の電圧をかけること
ができなくなる。その場合、画素は所望の階調を表示す
ることができなくなってしまう。
【００１２】しかし、このように画素部においてＥＬ素
子の発光を制御する配線やＴＦＴに何らかの不具合が生
じていても、ＥＬ表示装置を完成させて実際に表示を行
うまで、その不具合の存在を確認することが難しい。そ
のため実際には製品にならない不具合を有している画素
部であってもＥＬ素子を完成させ、パッケージングし、
コネクターを取り付けてＥＬ表示装置として完成させて
いる。
子の発光を制御する配線やＴＦＴに何らかの不具合が生
じていても、ＥＬ表示装置を完成させて実際に表示を行
うまで、その不具合の存在を確認することが難しい。そ
のため実際には製品にならない不具合を有している画素
部であってもＥＬ素子を完成させ、パッケージングし、
コネクターを取り付けてＥＬ表示装置として完成させて
いる。
【００１３】製品にならないＴＦＴにもＥＬ素子を形成
するということは、形成工程、パッケージングする工
程、コネクターを取り付ける工程が無駄になり、さらに
高価なＥＬ材料も無駄になるため、歩留まりが悪くな
り、コストを抑えることもできない。また多面取りの基
板を用いてＥＬパネルを形成する場合でも、パッケージ
ングしコネクターを取り付ける工程が無駄になり、同様
に時間とコストを抑えることができない。
するということは、形成工程、パッケージングする工
程、コネクターを取り付ける工程が無駄になり、さらに
高価なＥＬ材料も無駄になるため、歩留まりが悪くな
り、コストを抑えることもできない。また多面取りの基
板を用いてＥＬパネルを形成する場合でも、パッケージ
ングしコネクターを取り付ける工程が無駄になり、同様
に時間とコストを抑えることができない。
【００１４】アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置に
先行して量産化されているアクティブマトリクス型の液
晶表示装置では、２つの基板間に液晶を封入して液晶表
示装置を完成させる前に、画素部において配線やＴＦＴ
を形成した後、各画素が有するコンデンサに電荷を蓄積
し、その電荷量を各画素に測定することで、画素部に不
具合が生じていないかどうかを確認している。
先行して量産化されているアクティブマトリクス型の液
晶表示装置では、２つの基板間に液晶を封入して液晶表
示装置を完成させる前に、画素部において配線やＴＦＴ
を形成した後、各画素が有するコンデンサに電荷を蓄積
し、その電荷量を各画素に測定することで、画素部に不
具合が生じていないかどうかを確認している。
【００１５】しかしアクティブマトリクス型のＥＬ表示
装置の場合、一般的に各画素に半導体素子が２つ以上設
けられていることが多い。そしてＥＬ素子が有する一方
の電極（画素電極）とコンデンサとが、半導体素子を間
に介して接続されている場合がある。この場合、コンデ
ンサに蓄積した電荷量を測定しても、コンデンサと画素
電極との間に接続されている配線および半導体素子に不
具合があるかどうかを確認することが難しい。
装置の場合、一般的に各画素に半導体素子が２つ以上設
けられていることが多い。そしてＥＬ素子が有する一方
の電極（画素電極）とコンデンサとが、半導体素子を間
に介して接続されている場合がある。この場合、コンデ
ンサに蓄積した電荷量を測定しても、コンデンサと画素
電極との間に接続されている配線および半導体素子に不
具合があるかどうかを確認することが難しい。
【００１６】アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の
量産化に向けて、ＥＬ表示装置を完成させる前に、画素
部において配線および半導体素子に不具合が生じていな
いか、言いかえると、各画素のＥＬ素子の画素電極に所
定の電圧を印加することができるかどうかを形成された
半導体素子を破壊することなく確認できる検査方法が求
められている。
量産化に向けて、ＥＬ表示装置を完成させる前に、画素
部において配線および半導体素子に不具合が生じていな
いか、言いかえると、各画素のＥＬ素子の画素電極に所
定の電圧を印加することができるかどうかを形成された
半導体素子を破壊することなく確認できる検査方法が求
められている。
【００１７】
【発明を解決するための手段】本発明で開示する検査方
法は、素子基板の画素に形成された半導体素子が動作す
るかどうかの検査を非破壊で行うために、電解液と対向
検出電極とを検査用の端子として用いている。なお、本
明細書において電解液とは、電解質を溶媒に溶かして得
られた電気伝導性を有する液体のことを指す。例えば、
アンモニア水などがあげられる。
法は、素子基板の画素に形成された半導体素子が動作す
るかどうかの検査を非破壊で行うために、電解液と対向
検出電極とを検査用の端子として用いている。なお、本
明細書において電解液とは、電解質を溶媒に溶かして得
られた電気伝導性を有する液体のことを指す。例えば、
アンモニア水などがあげられる。
【００１８】まず、電解液に浸した対向検出電極に向か
い合わせて素子基板を設置する。素子基板は、画素部に
形成される配線のうち、全ての電源供給線を同じ電位に
保った状態で、ゲート信号線を順に選択してソース信号
線に同じ電位を有する信号を順に入力し、全ての画素を
順に選択する。なお本明細書において画素が選択される
とは、画素に形成されたゲート信号線が選択されている
状態で、該画素に形成されたソース信号線にビデオ信号
が入力されることを意味する。
い合わせて素子基板を設置する。素子基板は、画素部に
形成される配線のうち、全ての電源供給線を同じ電位に
保った状態で、ゲート信号線を順に選択してソース信号
線に同じ電位を有する信号を順に入力し、全ての画素を
順に選択する。なお本明細書において画素が選択される
とは、画素に形成されたゲート信号線が選択されている
状態で、該画素に形成されたソース信号線にビデオ信号
が入力されることを意味する。
【００１９】対向検出電極は、素子基板の画素に入力し
た電位とは異なる電圧をかけて、信号が入力された素子
基板のある画素と、対向検出電極間に、電位差を生じさ
せる。
た電位とは異なる電圧をかけて、信号が入力された素子
基板のある画素と、対向検出電極間に、電位差を生じさ
せる。
【００２０】電流制御用ＴＦＴおよびスイッチング用Ｔ
ＦＴが正常に動作していれば、選択された画素と対向検
出電極との間で電解液中に存在する陰イオンまたは陽イ
オンがやりとりされる電気的な通路が生じ、素子基板上
の選択された画素と対向検出電極とが電気的に接続され
る。
ＦＴが正常に動作していれば、選択された画素と対向検
出電極との間で電解液中に存在する陰イオンまたは陽イ
オンがやりとりされる電気的な通路が生じ、素子基板上
の選択された画素と対向検出電極とが電気的に接続され
る。
【００２１】このとき流れる電流は、対向検出電極に接
続された電流計で測定することができる。すなわち、こ
こで測定した電流値は、素子基板の選択された画素に入
力されたビデオ信号によるものである。そして、測定し
た電流の値がある一定の範囲内に納まっているかどうか
を評価することで、各画素に形成された配線および半導
体素子に不具合が生じていないかどうかを検査すること
ができる。
続された電流計で測定することができる。すなわち、こ
こで測定した電流値は、素子基板の選択された画素に入
力されたビデオ信号によるものである。そして、測定し
た電流の値がある一定の範囲内に納まっているかどうか
を評価することで、各画素に形成された配線および半導
体素子に不具合が生じていないかどうかを検査すること
ができる。
【００２２】ある画素が選択されているときに画素電極
に流れる電流値が一定の範囲からはずれている場合は、
該画素に形成された半導体素子がスイッチング素子とし
て機能していない、または、配線が断線またはショート
するなどの不具合が生じているものとみなすことができ
る。逆にある画素が選択されているときに画素電極に流
れる電流値が一定の範囲に納まっている場合、該画素に
形成された半導体素子および配線は正常に機能している
ものとみなすことができる。
に流れる電流値が一定の範囲からはずれている場合は、
該画素に形成された半導体素子がスイッチング素子とし
て機能していない、または、配線が断線またはショート
するなどの不具合が生じているものとみなすことができ
る。逆にある画素が選択されているときに画素電極に流
れる電流値が一定の範囲に納まっている場合、該画素に
形成された半導体素子および配線は正常に機能している
ものとみなすことができる。
【００２３】なお、半導体素子および配線が正常に機能
していとみなすことができる電流値の範囲は、実施者が
適宜設定することができる。また検査した結果、不具合
が生じている画素（不良画素）の数が画素部にｎ個以上
存在している場合、該素子基板は不良品とみなされる。
なお不良品とみなす不良画素の数ｎは、実施者が適宜設
定することができる。
していとみなすことができる電流値の範囲は、実施者が
適宜設定することができる。また検査した結果、不具合
が生じている画素（不良画素）の数が画素部にｎ個以上
存在している場合、該素子基板は不良品とみなされる。
なお不良品とみなす不良画素の数ｎは、実施者が適宜設
定することができる。
【００２４】本発明の検査方法によって、素子基板をＥ
Ｌ表示装置として完成させ実際に表示を行わなくても、
ＥＬパネルが良品か不良品かの区別をつけることが可能
になり、不良製品のために割く無駄な時間と無駄なＥＬ
材料を減らすことができ、歩留まりの向上、製造コスト
の低減につながる。
Ｌ表示装置として完成させ実際に表示を行わなくても、
ＥＬパネルが良品か不良品かの区別をつけることが可能
になり、不良製品のために割く無駄な時間と無駄なＥＬ
材料を減らすことができ、歩留まりの向上、製造コスト
の低減につながる。
【００２５】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の素子基板
を検査する方法について図１を用いて説明する。なお、
本発明では、素子基板の構造を特に限定することはなく
図６（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構造を用いてもよい。
さらに、本発明で用いる自発光装置の駆動回路も公知の
ものを用いればよい。
を検査する方法について図１を用いて説明する。なお、
本発明では、素子基板の構造を特に限定することはなく
図６（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構造を用いてもよい。
さらに、本発明で用いる自発光装置の駆動回路も公知の
ものを用いればよい。
【００２６】本発明では、素子基板１０６と対向検出電
極１０５を図１（Ａ）に示すように向かい合わせ、電解
液で満たされた水槽につける。なお、本実施形態では電
解液としてアンモニア水を用いている。
極１０５を図１（Ａ）に示すように向かい合わせ、電解
液で満たされた水槽につける。なお、本実施形態では電
解液としてアンモニア水を用いている。
【００２７】素子基板１０６は、画素がマトリクス状に
複数形成されて画素部を形成している。なお、本明細書
では、図６で示すように画素ひとつひとつにＸ−Ｙ座標
（アドレスともいう）（Ｘ，Ｙ）を設けている。例え
ば、素子基板に信号を出力する手段１０４によって選択
された（１，１）で示される画素にソース側駆動回路か
らのビデオ信号（電流）が入力されると、素子基板上の
画素電極には、ソース側駆動回路から入力されたビデオ
信号が伝わる。
複数形成されて画素部を形成している。なお、本明細書
では、図６で示すように画素ひとつひとつにＸ−Ｙ座標
（アドレスともいう）（Ｘ，Ｙ）を設けている。例え
ば、素子基板に信号を出力する手段１０４によって選択
された（１，１）で示される画素にソース側駆動回路か
らのビデオ信号（電流）が入力されると、素子基板上の
画素電極には、ソース側駆動回路から入力されたビデオ
信号が伝わる。
【００２８】なお、素子基板１０６にマトリクス状に形
成された画素１０７の拡大図を図１（Ｂ）に示す。電流
制御用ＴＦＴおよびスイッチング用ＴＦＴの動作確認検
査を行う素子基板１０６は、絶縁膜上に駆動用ＴＦＴお
よび画素ＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用
ＴＦＴ）が形成されている。
成された画素１０７の拡大図を図１（Ｂ）に示す。電流
制御用ＴＦＴおよびスイッチング用ＴＦＴの動作確認検
査を行う素子基板１０６は、絶縁膜上に駆動用ＴＦＴお
よび画素ＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用
ＴＦＴ）が形成されている。
【００２９】図１（Ｂ）において、１１０はスイッチン
グ用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ１１０のゲー
ト電極は、ゲート信号線１１１に接続されている。スイ
ッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域
は、一方がソース信号線１１２に、もう一方が電流制御
用ＴＦＴ１１３のゲート電極、各画素に形成されたコン
デンサ１１４にそれぞれ接続されている。
グ用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ１１０のゲー
ト電極は、ゲート信号線１１１に接続されている。スイ
ッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域
は、一方がソース信号線１１２に、もう一方が電流制御
用ＴＦＴ１１３のゲート電極、各画素に形成されたコン
デンサ１１４にそれぞれ接続されている。
【００３０】コンデンサ１１４はスイッチング用ＴＦＴ
１１０が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用
ＴＦＴ１１３のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間
の電位差）を保持するために設けられている。なお、こ
こではコンデンサ１１４を設ける構成を示したが、この
構成に限定されず、コンデンサ１１４を設けない構成に
しても良い。
１１０が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用
ＴＦＴ１１３のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間
の電位差）を保持するために設けられている。なお、こ
こではコンデンサ１１４を設ける構成を示したが、この
構成に限定されず、コンデンサ１１４を設けない構成に
しても良い。
【００３１】また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領
域とドレイン領域は、一方が電流供給線１１５に接続さ
れ、もう一方は画素電極から電解質に存在する陰イオン
または陽イオンによる電気的な通路を介して、対向検出
電極１０５に接続される。なお、電流供給線１１５はコ
ンデンサ１１４に接続されている。
域とドレイン領域は、一方が電流供給線１１５に接続さ
れ、もう一方は画素電極から電解質に存在する陰イオン
または陽イオンによる電気的な通路を介して、対向検出
電極１０５に接続される。なお、電流供給線１１５はコ
ンデンサ１１４に接続されている。
【００３２】電流供給線１１２は電源電位が与えられて
おり、また、電源電位は、外付けのＩＣ等により設けら
れた電源によって与えられる。
おり、また、電源電位は、外付けのＩＣ等により設けら
れた電源によって与えられる。
【００３３】スイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用
ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型
ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流
制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が
後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、
電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであることが望ましい。
ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型
ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流
制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が
後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、
電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであることが望ましい。
【００３４】対向検出電極１０５には、電解液によって
腐食しない金属、例えば白金（Pt）、パラジウム（P
d）、チタン（Ti）等の金属板を用いればよい。また
は、ガラス基板上に画素電極として用いるような材料か
らなる金属膜を成膜した基板を用いてもよい。対向検出
電極１０５は、対向検出電極に信号を出力する手段１０
２によって電圧が与えられる。
腐食しない金属、例えば白金（Pt）、パラジウム（P
d）、チタン（Ti）等の金属板を用いればよい。また
は、ガラス基板上に画素電極として用いるような材料か
らなる金属膜を成膜した基板を用いてもよい。対向検出
電極１０５は、対向検出電極に信号を出力する手段１０
２によって電圧が与えられる。
【００３５】素子基板１０６のあるひとつの画素が素子
基板に信号を出力する手段１０４により選択され、信号
入力されたとき、画素に形成された電流制御用ＴＦＴ１
１３およびスイッチング用ＴＦＴ１１０が正常に動作す
ると、電解液中の陰イオンまたは陽イオンが移動する反
応が起こり、素子基板１０６と対向検出電極１０５とが
電気的に接続された状態になり、電流が流れて、その電
流値を電流計１０３によって測定し、検査システム全体
を制御する手段で測定したデータの管理をすればよい。
基板に信号を出力する手段１０４により選択され、信号
入力されたとき、画素に形成された電流制御用ＴＦＴ１
１３およびスイッチング用ＴＦＴ１１０が正常に動作す
ると、電解液中の陰イオンまたは陽イオンが移動する反
応が起こり、素子基板１０６と対向検出電極１０５とが
電気的に接続された状態になり、電流が流れて、その電
流値を電流計１０３によって測定し、検査システム全体
を制御する手段で測定したデータの管理をすればよい。
【００３６】ビデオ信号がアナログ及びデジタルのいず
れの場合においても「黒」の情報を有していた場合、素
子基板１０６に形成された電流制御用ＴＦＴ１１３はオ
フの状態となっている。よって画素電極には電源電位は
与えられない。その結果、「黒」の情報を有するビデオ
信号が入力された画素から対向検出電極１０５および電
流計１０３に電流は流れない。
れの場合においても「黒」の情報を有していた場合、素
子基板１０６に形成された電流制御用ＴＦＴ１１３はオ
フの状態となっている。よって画素電極には電源電位は
与えられない。その結果、「黒」の情報を有するビデオ
信号が入力された画素から対向検出電極１０５および電
流計１０３に電流は流れない。
【００３７】逆に、「白」の情報を有していた場合、電
流制御用ＴＦＴ１１３はオンの状態となっている。よっ
て画素電極には電源電位が与えられる。その結果、
「白」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から
対向検出電極１０５および電流計１０３に電流が流れ
る。
流制御用ＴＦＴ１１３はオンの状態となっている。よっ
て画素電極には電源電位が与えられる。その結果、
「白」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から
対向検出電極１０５および電流計１０３に電流が流れ
る。
【００３８】上記は、スイッチング用ＴＦＴ１１０及び
電流制御用ＴＦＴ１１３のいずれも正常に機能している
場合である。しかし、これらのいずれかが不良であった
場合には、流れるべき電流が流れない、または流れるは
ずのない電流が流れてしまうという不具合が生じる。
電流制御用ＴＦＴ１１３のいずれも正常に機能している
場合である。しかし、これらのいずれかが不良であった
場合には、流れるべき電流が流れない、または流れるは
ずのない電流が流れてしまうという不具合が生じる。
【００３９】そこで、本発明では、予め正常に機能する
ＴＦＴを有する画素により、ビデオ信号が「黒」の時の
電流値及び「白」の時の電流値を測定しておき参照デー
タとするのがよい。
ＴＦＴを有する画素により、ビデオ信号が「黒」の時の
電流値及び「白」の時の電流値を測定しておき参照デー
タとするのがよい。
【００４０】さらに本発明では、データの評価には、ビ
デオ信号が白の時と黒の時にそれぞれ流れる電流値の比
（白黒の比）を用いた。図３には、測定した結果を規格
化した白黒の比で示した一例を示す。この規格化におい
ては、参照データを用いて十分に白黒の比（コントラス
ト）がとれるものを１とした。この表は、縦軸に白黒の
比を取り、横軸に画素の座標を取る。また、白黒の比に
基準を設け、ここでは、白黒の比が０．２以上１．０以
下であるときには、良品であるとする。つまり、図３の
斜線領域が良品基準内となる。
デオ信号が白の時と黒の時にそれぞれ流れる電流値の比
（白黒の比）を用いた。図３には、測定した結果を規格
化した白黒の比で示した一例を示す。この規格化におい
ては、参照データを用いて十分に白黒の比（コントラス
ト）がとれるものを１とした。この表は、縦軸に白黒の
比を取り、横軸に画素の座標を取る。また、白黒の比に
基準を設け、ここでは、白黒の比が０．２以上１．０以
下であるときには、良品であるとする。つまり、図３の
斜線領域が良品基準内となる。
【００４１】しかし、座標（１,３）のように白黒の比
が基準値よりも低くなっている場合には、不良品と判断
し、それ以降の工程からはずすことになる。なお、白黒
の比の良品基準は、求められる水準に応じて設定すれば
よい。
が基準値よりも低くなっている場合には、不良品と判断
し、それ以降の工程からはずすことになる。なお、白黒
の比の良品基準は、求められる水準に応じて設定すれば
よい。
【００４２】（実施形態２）実施形態１とは異なる素子
基板の検査方法について図４を用いて説明する。なお、
本発明では、素子基板の構造を限定することはなく図２
（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構造を用いてよい。さら
に、本発明で用いる自発光装置の駆動回路も公知のもの
を用いればよい。
基板の検査方法について図４を用いて説明する。なお、
本発明では、素子基板の構造を限定することはなく図２
（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構造を用いてよい。さら
に、本発明で用いる自発光装置の駆動回路も公知のもの
を用いればよい。
【００４３】素子基板１０６と対向検出電極２０２を図
４（Ａ）に示すように向かい合わせ、電解液が入った槽
に浸す。電解液中には、陰イオン及び陽イオンが存在し
ている。
４（Ａ）に示すように向かい合わせ、電解液が入った槽
に浸す。電解液中には、陰イオン及び陽イオンが存在し
ている。
【００４４】素子基板１０６中には、画素がマトリクス
状に複数形成されている。そして、例えば素子基板に信
号を出力する手段１０４によって画素１０７が選択さ
れ、ソース側駆動回路からのビデオ信号（電流）が入力
されると、素子基板上の画素１０７の画素電極には、ソ
ース側駆動回路から入力されたビデオ信号が伝わる。
状に複数形成されている。そして、例えば素子基板に信
号を出力する手段１０４によって画素１０７が選択さ
れ、ソース側駆動回路からのビデオ信号（電流）が入力
されると、素子基板上の画素１０７の画素電極には、ソ
ース側駆動回路から入力されたビデオ信号が伝わる。
【００４５】対向検出電極２０２は、本実施形態の一例
であり、図５（Ｂ）に示したような形状に限られること
はない。
であり、図５（Ｂ）に示したような形状に限られること
はない。
【００４６】対向検出電極２０２にマトリクス状に形成
されている単位検出領域２０３の拡大図を図４（Ｃ）に
示す。単位検出領域２０３には検査用ＴＦＴ２２０が形
成されており、ゲート電極は、ゲート信号線２２１に接
続されている。また、検査用ＴＦＴ２２０のドレイン領
域は、ドレイン配線２２２に接続され、ドレイン配線２
２２は、外部で電流計１０３に接続されている。
されている単位検出領域２０３の拡大図を図４（Ｃ）に
示す。単位検出領域２０３には検査用ＴＦＴ２２０が形
成されており、ゲート電極は、ゲート信号線２２１に接
続されている。また、検査用ＴＦＴ２２０のドレイン領
域は、ドレイン配線２２２に接続され、ドレイン配線２
２２は、外部で電流計１０３に接続されている。
【００４７】画素１０７の電流供給線１１２には電源電
位が与えられており、また、電源電位は、素子基板に信
号を出力する手段１０４で与えられる。
位が与えられており、また、電源電位は、素子基板に信
号を出力する手段１０４で与えられる。
【００４８】スイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用
ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型
ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流
制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が
後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、
電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであることが望ましい。
ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型
ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流
制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が
後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、
電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであることが望ましい。
【００４９】またスイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制
御用ＴＦＴ１１３は、シングルゲート構造ではなく、ダ
ブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲー
ト構造を有していても良い。
御用ＴＦＴ１１３は、シングルゲート構造ではなく、ダ
ブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲー
ト構造を有していても良い。
【００５０】対向検出電極２０２を用いて検査する素子
基板の回路図を図５に示す。なお、図１（Ｂ）に示す画
素１０７がマトリクス状に形成されているのが図５
（Ａ）に示す画素部である。図５（Ａ）には、ソース信
号線（Ｓ1〜Ｓx）、電流供給線（Ｖ1〜Ｖx）及びゲート
信号線（Ｇ1〜Ｇy）が画素部に設けられている。
基板の回路図を図５に示す。なお、図１（Ｂ）に示す画
素１０７がマトリクス状に形成されているのが図５
（Ａ）に示す画素部である。図５（Ａ）には、ソース信
号線（Ｓ1〜Ｓx）、電流供給線（Ｖ1〜Ｖx）及びゲート
信号線（Ｇ1〜Ｇy）が画素部に設けられている。
【００５１】ここでは、ソース信号線（Ｓ1〜Ｓx）と、
電流供給線（Ｖ1〜Ｖx）と、ゲート信号線（Ｇ1〜Ｇy）
とを１つずつ備えた領域が画素１０７である。
電流供給線（Ｖ1〜Ｖx）と、ゲート信号線（Ｇ1〜Ｇy）
とを１つずつ備えた領域が画素１０７である。
【００５２】図５（Ｂ）は、本発明の対向検出電極２０
２にマトリクス状に形成されている単位検出領域２０３
を示している。ゲート信号線（Ｇ1〜Ｇx）が単位検出領
域２０３に設けられている。また、単位検出領域２０３
における検査用ＴＦＴ２２０のドレイン領域は、ドレイ
ン配線に接続され、いずれも外部の電流計１０３に接続
される電流線に接続される。
２にマトリクス状に形成されている単位検出領域２０３
を示している。ゲート信号線（Ｇ1〜Ｇx）が単位検出領
域２０３に設けられている。また、単位検出領域２０３
における検査用ＴＦＴ２２０のドレイン領域は、ドレイ
ン配線に接続され、いずれも外部の電流計１０３に接続
される電流線に接続される。
【００５３】次に素子基板１０６上の画素におけるスイ
ッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１５を
本発明の検査法を用いて評価する方法について図４を用
いて説明する。
ッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１５を
本発明の検査法を用いて評価する方法について図４を用
いて説明する。
【００５４】図６は、素子基板上の画素部に形成された
画素一つ一つをそれぞれＸ−Ｙ座標（アドレスともい
う）（Ｘ,Ｙ）で示したものである。つまりここでは、
紙面の横方向にＸ列の画素が形成されており、紙面の縦
方向にＹ行の画素が形成されていることを示している。
なお、素子基板の画素と対向検出電極の単位検出領域
は、入力する信号出力する手段で、互いに同じアドレス
が選択されるように制御されている。
画素一つ一つをそれぞれＸ−Ｙ座標（アドレスともい
う）（Ｘ,Ｙ）で示したものである。つまりここでは、
紙面の横方向にＸ列の画素が形成されており、紙面の縦
方向にＹ行の画素が形成されていることを示している。
なお、素子基板の画素と対向検出電極の単位検出領域
は、入力する信号出力する手段で、互いに同じアドレス
が選択されるように制御されている。
【００５５】そして、例えばアドレスが（Ｘ1，Ｙ1）の
画素のゲート電極が選択されると選択された画素にソー
ス信号線駆動回路と電気的に接続されるソース信号線か
らビデオ信号が入力される。このとき、ビデオ信号は電
気的な通路を通り、対向検出電極２０２もアドレスが
（Ｘ1,Ｙ1）の単位検出領域２０３中にある検査用ＴＦ
Ｔ２２０に入力された後、ドレイン配線２２２を通り、
外部に接続された電流計に入力される。ここで、電流計
により、ビデオ信号を測定することができる。なお、電
流計１０３は、基板上に形成させることも可能である。
画素のゲート電極が選択されると選択された画素にソー
ス信号線駆動回路と電気的に接続されるソース信号線か
らビデオ信号が入力される。このとき、ビデオ信号は電
気的な通路を通り、対向検出電極２０２もアドレスが
（Ｘ1,Ｙ1）の単位検出領域２０３中にある検査用ＴＦ
Ｔ２２０に入力された後、ドレイン配線２２２を通り、
外部に接続された電流計に入力される。ここで、電流計
により、ビデオ信号を測定することができる。なお、電
流計１０３は、基板上に形成させることも可能である。
【００５６】以上に示した方法を用いて、各画素の特性
を評価することにより、不具合のある半導体素子をＥＬ
素子を形成する前に発見することができる。これにより
不良品については、以降のＥＬ素子形成といった製造プ
ロセスからはずすことができる。更に不良の程度によっ
ては、修復することで以降の製造プロセスに復活させる
ことも可能である。以上の結果、不良品を最終工程まで
通すことにより生じる時間のロスとコストの低減及び歩
留まりの向上に寄与することができる。
を評価することにより、不具合のある半導体素子をＥＬ
素子を形成する前に発見することができる。これにより
不良品については、以降のＥＬ素子形成といった製造プ
ロセスからはずすことができる。更に不良の程度によっ
ては、修復することで以降の製造プロセスに復活させる
ことも可能である。以上の結果、不良品を最終工程まで
通すことにより生じる時間のロスとコストの低減及び歩
留まりの向上に寄与することができる。
【００５７】
【実施例】（実施例１）本実施例では、素子基板と対向
検出電極とを電解液に浸けるかわりに、素子基板上に高
い粘性および導電性を有する溶液（本明細書では、以
下、導電性溶液という）を塗布して、対向検出電極とで
挟み、素子基板から対向検出電極へ導電性溶液を介して
流れた電流を検知するという方法を図８に示す。
検出電極とを電解液に浸けるかわりに、素子基板上に高
い粘性および導電性を有する溶液（本明細書では、以
下、導電性溶液という）を塗布して、対向検出電極とで
挟み、素子基板から対向検出電極へ導電性溶液を介して
流れた電流を検知するという方法を図８に示す。
【００５８】素子基板に導電性溶液を塗布する方法とし
ては、スプレーによって塗布するスプレー法素子基
板を導電性溶液にさっと浸けるディップ法ディスペン
サー（液晶表示装置を作製する際に、液晶が注入された
パネルの液晶注入口を塞ぐための紫外線硬化型又は熱硬
化型の封止剤をガスの圧力により吐出させる装置）を用
いて塗布するディスペンサー法印刷機により塗布する
印刷法といった方法が考えられる。
ては、スプレーによって塗布するスプレー法素子基
板を導電性溶液にさっと浸けるディップ法ディスペン
サー（液晶表示装置を作製する際に、液晶が注入された
パネルの液晶注入口を塞ぐための紫外線硬化型又は熱硬
化型の封止剤をガスの圧力により吐出させる装置）を用
いて塗布するディスペンサー法印刷機により塗布する
印刷法といった方法が考えられる。
【００５９】なお、導電性溶液としては、エチレングリ
コール、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ピリジンま
たは液状のフッ素化炭素を用いるとよい。
コール、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ピリジンま
たは液状のフッ素化炭素を用いるとよい。
【００６０】また、いずれの塗布方法も所定の場所（画
素部）に導電性溶液が塗布されるようにマスクを使用し
て、導電性溶液がドライバー回路やＦＰＣ等にかからな
いように塗布する。
素部）に導電性溶液が塗布されるようにマスクを使用し
て、導電性溶液がドライバー回路やＦＰＣ等にかからな
いように塗布する。
【００６１】素子基板の画素電極に接して導電性溶液が
塗布されたら、素子基板と導電性溶液を挟むように対向
検出電極を設置する。
塗布されたら、素子基板と導電性溶液を挟むように対向
検出電極を設置する。
【００６２】素子基板にマトリクス状に形成された画素
のひとつが、素子基板に信号を出力する手段１０４によ
って選択され、正常に半導体素子が動作した場合、導電
性溶液を介して素子基板の画素電極から対向検出電極へ
電気的な接続が生じて、この時流れた電流を電流計１０
３で測定すればよい。
のひとつが、素子基板に信号を出力する手段１０４によ
って選択され、正常に半導体素子が動作した場合、導電
性溶液を介して素子基板の画素電極から対向検出電極へ
電気的な接続が生じて、この時流れた電流を電流計１０
３で測定すればよい。
【００６３】本実施例のように、素子基板と対向検出電
極との間に導電性溶液をはさむことで、素子基板にキズ
をつけることなく電流制御用ＴＦＴおよびスイッチング
用ＴＦＴの動作確認をすることができ、かつ、間に挟ん
だ導電性溶液は、簡単に洗い落とすことができるため、
検査にかかる手間が少なくてすむ。
極との間に導電性溶液をはさむことで、素子基板にキズ
をつけることなく電流制御用ＴＦＴおよびスイッチング
用ＴＦＴの動作確認をすることができ、かつ、間に挟ん
だ導電性溶液は、簡単に洗い落とすことができるため、
検査にかかる手間が少なくてすむ。
【００６４】なお、本実施例は、素子基板の構造を特に
限定することはなく図２（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構
造を用いてよい。さらに、本発明で用いる自発光装置の
駆動回路も公知のものを用いればよい。
限定することはなく図２（Ａ）〜（Ｃ）に示したどの構
造を用いてよい。さらに、本発明で用いる自発光装置の
駆動回路も公知のものを用いればよい。
【００６５】（実施例２）実施形態１、２で用いた画素
とは異なる構造について図７を用いて説明する。
とは異なる構造について図７を用いて説明する。
【００６６】画素部１００１において、ソース信号線駆
動回路に接続されたソース信号線（Ｓ1〜Ｓx）、ＦＰＣ
を介して自発光装置の外部の電源に接続された電源供給
線（Ｖ1〜Ｖx）、書き込み用ゲート信号線駆動回路に接
続された書き込み用ゲート信号線（第１のゲート信号
線）（Ｇａ1〜Ｇａy）、消去用ゲート信号線駆動回路に
接続された消去用ゲート信号線（第２のゲート信号線）
（Ｇｅ1〜Ｇｅy）が画素部１００１に設けられている。
動回路に接続されたソース信号線（Ｓ1〜Ｓx）、ＦＰＣ
を介して自発光装置の外部の電源に接続された電源供給
線（Ｖ1〜Ｖx）、書き込み用ゲート信号線駆動回路に接
続された書き込み用ゲート信号線（第１のゲート信号
線）（Ｇａ1〜Ｇａy）、消去用ゲート信号線駆動回路に
接続された消去用ゲート信号線（第２のゲート信号線）
（Ｇｅ1〜Ｇｅy）が画素部１００１に設けられている。
【００６７】ソース信号線（Ｓ1〜Ｓx）と、電源供給線
（Ｖ1〜Ｖx）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ1〜Ｇ
ａy）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ1〜Ｇｅy）とを備
えた領域が画素１００５である。画素部１００１にはマ
トリクス状に複数の画素１００５が配列されることにな
る。
（Ｖ1〜Ｖx）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ1〜Ｇ
ａy）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ1〜Ｇｅy）とを備
えた領域が画素１００５である。画素部１００１にはマ
トリクス状に複数の画素１００５が配列されることにな
る。
【００６８】本実施例の構成は、実施形態１、２および
実施例１の構成と組み合わせて実施することが可能であ
る。
実施例１の構成と組み合わせて実施することが可能であ
る。
【００６９】（実施例３）本実施例では、本発明の検査
方法をパスした素子基板にＥＬ素子を形成し、表示パネ
ルとしてＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターを接続し、実際
に製品として出荷することができる形体にした場合につ
いて説明する。
方法をパスした素子基板にＥＬ素子を形成し、表示パネ
ルとしてＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターを接続し、実際
に製品として出荷することができる形体にした場合につ
いて説明する。
【００７０】１８０１は本発明の検査方法をパスした素
子基板の画素部であり、複数の画素が設けられている。
画素部１８０１と、画素部１８０１が有する配線を外部
へ接続するコネクターとを有するモジュールを本明細書
では表示パネル１８０６と呼ぶ。
子基板の画素部であり、複数の画素が設けられている。
画素部１８０１と、画素部１８０１が有する配線を外部
へ接続するコネクターとを有するモジュールを本明細書
では表示パネル１８０６と呼ぶ。
【００７１】１８０２はソース信号線駆動回路、１８０
３はゲート信号線駆動回路である。ゲート信号線駆動回
路１８０３から出力された選択信号によって、ソース信
号線駆動回路１８０２から出力されたビデオ信号が画素
部１８０１の指定された画素に入力される。ビデオ信号
はデジタルでもアナログでもどちらでも良い。またソー
ス信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８
０３はいくつ設けられていても良い。
３はゲート信号線駆動回路である。ゲート信号線駆動回
路１８０３から出力された選択信号によって、ソース信
号線駆動回路１８０２から出力されたビデオ信号が画素
部１８０１の指定された画素に入力される。ビデオ信号
はデジタルでもアナログでもどちらでも良い。またソー
ス信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８
０３はいくつ設けられていても良い。
【００７２】ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート
信号線駆動回路１８０３からなる駆動回路と、画素部１
８０１と、画素部１８０１が有する配線及び駆動回路が
有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジ
ュールを、本明細書では駆動回路付表示パネル１８０７
と呼ぶ。駆動回路付表示パネル１８０７は表示パネル１
８０６に駆動回路を付けたものである。
信号線駆動回路１８０３からなる駆動回路と、画素部１
８０１と、画素部１８０１が有する配線及び駆動回路が
有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジ
ュールを、本明細書では駆動回路付表示パネル１８０７
と呼ぶ。駆動回路付表示パネル１８０７は表示パネル１
８０６に駆動回路を付けたものである。
【００７３】駆動回路付表示パネル１８０７は、駆動回
路と画素部１８０１とが別の基板上に設けられＦＰＣや
ＴＡＢ等のコネクターにより接続されている場合と、駆
動回路と画素部１８０１とが同じ基板上に設けられてい
る場合とがある。本明細書では、前者を駆動回路外付け
型駆動回路付表示パネルと呼び、後者を駆動回路一体形
成型駆動回路付表示パネルと呼ぶ。
路と画素部１８０１とが別の基板上に設けられＦＰＣや
ＴＡＢ等のコネクターにより接続されている場合と、駆
動回路と画素部１８０１とが同じ基板上に設けられてい
る場合とがある。本明細書では、前者を駆動回路外付け
型駆動回路付表示パネルと呼び、後者を駆動回路一体形
成型駆動回路付表示パネルと呼ぶ。
【００７４】図９（Ａ）に駆動回路外付け型駆動回路付
表示パネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１
８０１が設けられており、画素部１８０１が有する配線
はＦＰＣ１８１１を介して、外付用基板１８１０上に設
けられたソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線
駆動回路１８０３とに接続されている。そして外部接続
用ＦＰＣ１８１２により、ソース信号線駆動回路１８０
２及びゲート信号線駆動回路１８０３と、画素部１８０
１とが有する配線が外部へ接続されている。
表示パネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１
８０１が設けられており、画素部１８０１が有する配線
はＦＰＣ１８１１を介して、外付用基板１８１０上に設
けられたソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線
駆動回路１８０３とに接続されている。そして外部接続
用ＦＰＣ１８１２により、ソース信号線駆動回路１８０
２及びゲート信号線駆動回路１８０３と、画素部１８０
１とが有する配線が外部へ接続されている。
【００７５】図９（Ｂ）に駆動回路一体形成型駆動回路
付表示パネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部
１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信
号線駆動回路１８０３が設けられている。画素部１８０
１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆
動回路１８０３が有する配線は外部接続用ＦＰＣ１８１
２を介して、外部へ接続されている。
付表示パネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部
１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信
号線駆動回路１８０３が設けられている。画素部１８０
１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆
動回路１８０３が有する配線は外部接続用ＦＰＣ１８１
２を介して、外部へ接続されている。
【００７６】図１０において、１８０４はコントローラ
ーであり、駆動回路を駆動し、画素部に１８０１に画像
を表示させるための機能を有している。例えば、外部か
ら入力された画像情報を有する信号をソース信号線駆動
回路１８０２に入力したり、駆動回路が駆動するための
信号（例えばクロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ））を生成したり、駆動回路や画素部１８０
１に電位を供給するための電源としての機能を有してい
る。
ーであり、駆動回路を駆動し、画素部に１８０１に画像
を表示させるための機能を有している。例えば、外部か
ら入力された画像情報を有する信号をソース信号線駆動
回路１８０２に入力したり、駆動回路が駆動するための
信号（例えばクロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ））を生成したり、駆動回路や画素部１８０
１に電位を供給するための電源としての機能を有してい
る。
【００７７】駆動回路と、画素部１８０１と、コントロ
ーラー１８０４と、画素部１８０１、駆動回路、及びコ
ントローラーがそれぞれ有する配線を外部へ接続するコ
ネクターとを有するモジュールを、本明細書ではコント
ローラー及び駆動回路付表示パネル１８０８と呼ぶ。コ
ントローラー及び駆動回路付表示パネル１８０８は、表
示パネル１８０６に駆動回路及びコントローラーを付け
たものである。
ーラー１８０４と、画素部１８０１、駆動回路、及びコ
ントローラーがそれぞれ有する配線を外部へ接続するコ
ネクターとを有するモジュールを、本明細書ではコント
ローラー及び駆動回路付表示パネル１８０８と呼ぶ。コ
ントローラー及び駆動回路付表示パネル１８０８は、表
示パネル１８０６に駆動回路及びコントローラーを付け
たものである。
【００７８】１８０５はマイコンであり、コントローラ
ーの駆動を制御している。マイコン１８０５と、駆動回
路と、画素部１８０１と、コントローラー１８０４と、
画素部１８０１、駆動回路、及びコントローラーがそれ
ぞれ有する配線を外部へ接続するコネクターとを有する
モジュールを、本明細書ではマイコン及びコントローラ
ー及び駆動回路付表示パネル１８０９と呼ぶ。マイコン
及びコントローラー及び駆動回路付表示パネル１８０９
は、表示パネル１８０６に駆動回路及びコントローラー
を付けたものである。
ーの駆動を制御している。マイコン１８０５と、駆動回
路と、画素部１８０１と、コントローラー１８０４と、
画素部１８０１、駆動回路、及びコントローラーがそれ
ぞれ有する配線を外部へ接続するコネクターとを有する
モジュールを、本明細書ではマイコン及びコントローラ
ー及び駆動回路付表示パネル１８０９と呼ぶ。マイコン
及びコントローラー及び駆動回路付表示パネル１８０９
は、表示パネル１８０６に駆動回路及びコントローラー
を付けたものである。
【００７９】なお実際には、表示パネル１８０６、駆動
回路付表示パネル１８０７、コントローラー及び駆動回
路付表示パネル１８０８またはマイコン及びコントロー
ラー及び駆動回路付表示パネル１８０９の形体で製品と
して出荷される。本明細書において、表示パネル１８０
６、駆動回路付表示パネル１８０７、コントローラー及
び駆動回路付表示パネル１８０８及びマイコン及びコン
トローラー及び駆動回路付表示パネル１８０９を全て表
示用モジュールと呼ぶ。
回路付表示パネル１８０７、コントローラー及び駆動回
路付表示パネル１８０８またはマイコン及びコントロー
ラー及び駆動回路付表示パネル１８０９の形体で製品と
して出荷される。本明細書において、表示パネル１８０
６、駆動回路付表示パネル１８０７、コントローラー及
び駆動回路付表示パネル１８０８及びマイコン及びコン
トローラー及び駆動回路付表示パネル１８０９を全て表
示用モジュールと呼ぶ。
【００８０】なお、本実施例で示す表示パネルは、実施
形態１、２および実施例１に示した検査方法により検査
を行った素子基板を適用すればよい。
形態１、２および実施例１に示した検査方法により検査
を行った素子基板を適用すればよい。
【００８１】（実施例４）自発光装置は、自発光型であ
るため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性
に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具
の表示部に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を
大画面で鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には
４０インチ以上）の発光装置（自発光装置を筐体に組み
込んだ装置）の表示部として本発明の検査法をパスした
素子基板を用いて作製された自発光装置を用いるとよ
い。
るため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性
に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具
の表示部に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を
大画面で鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には
４０インチ以上）の発光装置（自発光装置を筐体に組み
込んだ装置）の表示部として本発明の検査法をパスした
素子基板を用いて作製された自発光装置を用いるとよ
い。
【００８２】なお、自発光装置には、パソコン用ディス
プレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディ
スプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれ
る。また、その他にも様々な電気器具の表示部として本
発明の検査方法を用いて自発光装置を用いることができ
る。
プレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディ
スプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれ
る。また、その他にも様々な電気器具の表示部として本
発明の検査方法を用いて自発光装置を用いることができ
る。
【００８３】その様な本発明の電気器具としては、ビデ
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコン
ポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた
画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（Ｄ
ＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるデ
ィスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜
め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さ
が重要視されるため、自発光装置を用いることが望まし
い。それら電気器具の具体例を図１１、図１２に示す。
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコン
ポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた
画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（Ｄ
ＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるデ
ィスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜
め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さ
が重要視されるため、自発光装置を用いることが望まし
い。それら電気器具の具体例を図１１、図１２に示す。
【００８４】図１１（Ａ）は自発光装置であり、筐体２
００１、支持台２００２、表示部２００３等を含む。本
発明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された
自発光装置は表示部２００３に用いることができる。自
発光装置は自発光型であるためバックライトが必要な
く、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることがで
きる。
００１、支持台２００２、表示部２００３等を含む。本
発明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された
自発光装置は表示部２００３に用いることができる。自
発光装置は自発光型であるためバックライトが必要な
く、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることがで
きる。
【００８５】図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６等を含む。本発明の検査方法をパスした素子基板を用
いて作製された自発光装置は表示部２１０２に用いるこ
とができる。
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６等を含む。本発明の検査方法をパスした素子基板を用
いて作製された自発光装置は表示部２１０２に用いるこ
とができる。
【００８６】図１１（Ｃ）は頭部取り付け型の電気光学
装置の一部（右片側）であり、本体２２０１、信号ケー
ブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、スクリーン部
２２０４、光学系２２０５、表示部２２０６等を含む。
本発明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製され
た自発光装置は表示部２２０６に用いることができる。
装置の一部（右片側）であり、本体２２０１、信号ケー
ブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、スクリーン部
２２０４、光学系２２０５、表示部２２０６等を含む。
本発明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製され
た自発光装置は表示部２２０６に用いることができる。
【００８７】図１１（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３
０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５等
を含む。表示部（ａ）２３０４は主として画像情報を表
示し、表示部（ｂ）２３０５は主として文字情報を表示
するが、本発明の検査方法をパスした素子基板を用いて
作製された自発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）２
３０４、２３０５に用いることができる。なお、記録媒
体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含
まれる。
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３
０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５等
を含む。表示部（ａ）２３０４は主として画像情報を表
示し、表示部（ｂ）２３０５は主として文字情報を表示
するが、本発明の検査方法をパスした素子基板を用いて
作製された自発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）２
３０４、２３０５に用いることができる。なお、記録媒
体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含
まれる。
【００８８】図１１（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２４０
１、表示部２４０２、アーム部２４０３を含む。本発明
の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された自発
光装置は表示部２４０２に用いることができる。
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２４０
１、表示部２４０２、アーム部２４０３を含む。本発明
の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された自発
光装置は表示部２４０２に用いることができる。
【００８９】図１１（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４等を含む。本発明の検査方法をパス
した素子基板を用いて作製された自発光装置は表示部２
５０３に用いることができる。
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４等を含む。本発明の検査方法をパス
した素子基板を用いて作製された自発光装置は表示部２
５０３に用いることができる。
【００９０】なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
【００９１】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、自発光装置は動画表示に好まし
い。
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、自発光装置は動画表示に好まし
い。
【００９２】また、自発光装置は発光している部分が電
力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情
報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、
特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とす
る表示部に自発光装置を用いる場合には、非発光部分を
背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動す
ることが望ましい。
力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情
報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、
特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とす
る表示部に自発光装置を用いる場合には、非発光部分を
背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動す
ることが望ましい。
【００９３】ここで図１２（Ａ）は携帯電話であり、３
００１は表示用パネル、３００２は操作用パネルであ
る。表示用パネル３００１と操作用パネル３００２とは
接続部３００３において接続されている。接続部３００
３における、表示用パネル３００１の表示部３００４が
設けられている面と操作用パネル３００２の操作キー３
００６が設けられている面との角度θは、任意に変える
ことができる。さらに、音声出力部３００５、操作キー
３００６、電源スイッチ３００７、音声入力部３００８
を有している。本発明の検査方法をパスした素子基板を
用いて作製された発光装置は、表示部３００４に適用す
ることができる。なお、表示部３００４は黒色の背景に
白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑え
ることができる。また、周囲が暗い場合、印加する電圧
を下げて、輝度を下げれば低消費電力化により有効であ
る。
００１は表示用パネル、３００２は操作用パネルであ
る。表示用パネル３００１と操作用パネル３００２とは
接続部３００３において接続されている。接続部３００
３における、表示用パネル３００１の表示部３００４が
設けられている面と操作用パネル３００２の操作キー３
００６が設けられている面との角度θは、任意に変える
ことができる。さらに、音声出力部３００５、操作キー
３００６、電源スイッチ３００７、音声入力部３００８
を有している。本発明の検査方法をパスした素子基板を
用いて作製された発光装置は、表示部３００４に適用す
ることができる。なお、表示部３００４は黒色の背景に
白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑え
ることができる。また、周囲が暗い場合、印加する電圧
を下げて、輝度を下げれば低消費電力化により有効であ
る。
【００９４】また、図１２（Ｂ）は音響再生装置、具体
的にはカーオーディオであり、本体２７０１、表示部２
７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発
明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された発
光装置は表示部２７０２に用いることができる。また、
本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭
用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部２７０
２は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力
を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特
に有効である。
的にはカーオーディオであり、本体２７０１、表示部２
７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発
明の検査方法をパスした素子基板を用いて作製された発
光装置は表示部２７０２に用いることができる。また、
本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭
用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部２７０
２は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力
を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特
に有効である。
【００９５】図１２（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体３５０１、表示部（Ａ）３５０２、接眼部３５０３、
操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテ
リー３５０６を含む。本発明の検査方法をパスした素子
基板を用いて作製された発光装置は、表示部（Ａ）３５
０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出来る。
また、表示部（Ｂ）３５０５を、主に操作用パネルとし
て用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えることが出来る。
体３５０１、表示部（Ａ）３５０２、接眼部３５０３、
操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテ
リー３５０６を含む。本発明の検査方法をパスした素子
基板を用いて作製された発光装置は、表示部（Ａ）３５
０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出来る。
また、表示部（Ｂ）３５０５を、主に操作用パネルとし
て用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えることが出来る。
【００９６】また、本実施例にて示した携帯型電子機器
においては、消費電力を低減するための方法としては、
外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使
用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加
するなどといった方法が挙げられる。
においては、消費電力を低減するための方法としては、
外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使
用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加
するなどといった方法が挙げられる。
【００９７】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施形態１、２および
実施例１に示した検査方法を用いて検査された素子基板
を適用すれば良い。
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施形態１、２および
実施例１に示した検査方法を用いて検査された素子基板
を適用すれば良い。
【００９８】
【発明の効果】本発明の検査方法によれば、ＥＬパネル
をＥＬ表示装置として完成させ実際に表示を行わなくて
も、ＥＬパネルが良品か不良品かの区別をつけることが
可能になり、不良品を検査工程以降の製造プロセスから
はずすことができる。そのため、不具合のある製品の製
造に割く時間のロスと製造コストの低減及び歩留まりの
向上に寄与することができる。
をＥＬ表示装置として完成させ実際に表示を行わなくて
も、ＥＬパネルが良品か不良品かの区別をつけることが
可能になり、不良品を検査工程以降の製造プロセスから
はずすことができる。そのため、不具合のある製品の製
造に割く時間のロスと製造コストの低減及び歩留まりの
向上に寄与することができる。
【図１】 本発明の検査装置および検査システムを示
す図。
す図。
【図２】 本発明の検査システムで動作確認を行う素
子基板の例を示す図。
子基板の例を示す図。
【図３】 本発明の検査方法を示す図。
【図４】 本発明の検査装置および検査システムを示
す図。
す図。
【図５】 本発明の素子基板及び対向検出電極の画素
構造の一例を示す図。
構造の一例を示す図。
【図６】 本発明により検査する素子基板の画素を示
す図。
す図。
【図７】 本発明により検査する素子基板の回路を示
す図。
す図。
【図８】 本発明の素子基板の検査方法を示す図。
【図９】 本発明により検査する素子基板を示す図。
【図１０】 本発明により検査する素子基板を示す図。
【図１１】 本発明により検査された素子基板を用いた
電気器具を示す図。
電気器具を示す図。
【図１２】 本発明により検査された素子基板を用いた
電気器具を示す図。
電気器具を示す図。
Claims (13)
- 【請求項１】電解液に浸した素子基板上の画素電極およ
び対向検出電極の間に電圧を加えることにより、該電解
液を介して前記画素電極および前記対向検出電極の間に
流れる電流を測定し、その電流値によって前記素子基板
の良否を判別することを特徴とする素子基板の検査方
法。 - 【請求項２】電解液に浸した素子基板上の画素電極およ
び該画素電極に一対一で対応する位置にある対向検出電
極の間に電圧を加えることにより、該電解液を介して前
記画素電極および前記対向検出電極の間に流れる電流を
測定し、その電流値によって前記素子基板の良否を判別
することを特徴とする素子基板の検査方法。 - 【請求項３】電解液に浸した素子基板上の画素電極およ
び対向検出電極を信号を出力する手段によって選択し、
選択された画素電極および対向検出電極に電圧を印加
し、該電解液を介して選択された画素電極および対向検
出電極の間に流れる電流を電流計で測定し、その電流値
によって前記素子基板の良否を判別することを特徴とす
る素子基板の検査方法。 - 【請求項４】素子基板の画素電極に導電性溶液を塗布
し、前記導電性溶液を前記素子基板および対向検出電極
で挟み、前記導電性溶液を介して前記画素電極および前
記対向検出電極の間に流れる電流を測定し、その電流値
によって前記素子基板の良否を判別することを特徴とす
る素子基板の検査方法。 - 【請求項５】素子基板の画素電極にスプレー法、ディッ
プ法、ディスペンサー法または印刷法から選ばれたいず
れかの方法で導電性溶液を塗布し、前記導電性溶液を前
記素子基板および対向検出電極で挟み、前記導電性溶液
を介して前記画素電極および前記対向検出電極の間に流
れる電流を測定し、その電流値によって前記素子基板の
良否を判別することを特徴とする素子基板の検査方法。 - 【請求項６】請求項４または請求項５において、前記導
電性溶液は、エチレングリコール、Ｎ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）、ピリジンまたは液状のフッ素化炭素とい
った溶媒に粘性を持たせた物質であることを特徴とする
素子基板の検査方法。 - 【請求項７】電解液に浸した対向検出電極と、 前記対向検出電極に信号を出力する手段と、 電流計と、 素子基板に信号を出力する手段と、 前記対向検出電極に信号を出力する手段および前記素子
基板に信号を出力する手段を制御する手段と、を含むこ
とを特徴とする素子基板の検査装置。 - 【請求項８】請求項７において、前記対向検出電極は、
白金（Pt）、パラジウム（Pd）、チタン（Ti）であるこ
とを特徴とする素子基板の検査装置。 - 【請求項９】請求項７において、前記対向検出電極は、
単位検出領域がマトリクス状に形成されていることを特
徴とする素子基板の検査装置。 - 【請求項１０】請求項７において、前記素子基板は、半
導体素子が形成された画素がマトリクス状に設けられて
いることを特徴とする素子基板の検査装置。 - 【請求項１１】請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
記載された検査方法により判別されたことを特徴とする
素子基板。 - 【請求項１２】請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
記載された検査方法により判別された素子基板を含むこ
とを特徴とする表示用モジュール。 - 【請求項１３】請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
記載された検査方法により判別された素子基板を含む表
示用モジュールを有することを特徴とする電気器具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170104A JP4869499B2 (ja) | 2000-06-06 | 2001-06-05 | 素子基板の検査方法 |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115690A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | 富士通株式会社 | 表示素子のライン欠陥検査方法 |
| JPH02140794A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Toshiba Corp | 液晶ディスプレイの欠陥検査方法 |
| JPH08110365A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Furontetsuku:Kk | 薄膜トランジスタの検査装置および検査方法 |
| JPH10308439A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-17 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック回路の断線検知方法 |
| JPH11274260A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体素子検査装置及び半導体素子検査方法 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115690A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | 富士通株式会社 | 表示素子のライン欠陥検査方法 |
| JPH02140794A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Toshiba Corp | 液晶ディスプレイの欠陥検査方法 |
| JPH08110365A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Furontetsuku:Kk | 薄膜トランジスタの検査装置および検査方法 |
| JPH10308439A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-17 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック回路の断線検知方法 |
| JPH11274260A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体素子検査装置及び半導体素子検査方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7091738B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-08-15 | International Business Machines Corporation | Inspection system for active matrix panel, inspection method for active matrix panel and manufacturing method for active matrix OLED panel |
| US7282943B2 (en) | 2003-11-13 | 2007-10-16 | International Business Machines Corporation | Inspection device for inspecting TFT |
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