JP2002063854A - Shadow mask - Google Patents

Shadow mask

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JP2002063854A
JP2002063854A JP2000246611A JP2000246611A JP2002063854A JP 2002063854 A JP2002063854 A JP 2002063854A JP 2000246611 A JP2000246611 A JP 2000246611A JP 2000246611 A JP2000246611 A JP 2000246611A JP 2002063854 A JP2002063854 A JP 2002063854A
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JP
Japan
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shadow mask
hole
front side
opening area
center
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Withdrawn
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JP2000246611A
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Japanese (ja)
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Yoshinori Hirobe
吉紀 広部
Takuya Ogio
卓也 荻尾
Akira Makita
明 牧田
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an impact resistance of a shadow mask used for a flat picture tube by making the area of a hole opened on a front side change, coping with the location where a through-hole is formed. SOLUTION: For the shadow mask 1 having through-holes 2a, 2b formed with back side hole parts 4a, 4b into which electron beam is emitted, and front side hole parts 3a, 3b from which electron beam is traveling outside, forming beam spots into a prescribed shape on a surface to be irradiated, the opening area of front side hole part 3b of the through-hole 2b located at peripheral part of the shadow mask is made smaller than the opening area of front side hole part 3a of the through-hole 2a located at the middle part of the shadow mask. This shadow mask 1 is effective, especially when it is used for flat picture tube.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管用のシ
ャドウマスクに関し、更に詳しくは、特にフラット型ブ
ラウン管に好ましく使用される衝撃強度に優れたシャド
ウマスクに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask for a cathode ray tube, and more particularly to a shadow mask excellent in impact strength which is preferably used for a flat type cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、一般的なシャドウマスク51の
断面形態の一例である。シャドウマスク51は、ブラウ
ン管内に装着され、磁気シールドのためおよびブラウン
管の蛍光面に円形のビームスポットを形成させるために
使用される。このようなシャドウマスク51には、所定
の形状の貫通孔が所定のパターンで形成されている。そ
の貫通孔の形成は、金属薄板をエッチング加工すること
によって行われる。
2. Description of the Related Art FIG. 5 shows an example of a sectional form of a general shadow mask 51. As shown in FIG. The shadow mask 51 is mounted in a cathode ray tube, and is used for a magnetic shield and for forming a circular beam spot on a fluorescent screen of the cathode ray tube. In such a shadow mask 51, through holes having a predetermined shape are formed in a predetermined pattern. The through holes are formed by etching a thin metal plate.

【0003】貫通孔は、電子ビームが入射する側の裏側
孔部と、電子ビームが出射する側の表側孔部とから形成
される。その表側孔部は、裏側孔部よりも大きな面積で
形成されている。また、表側孔部の面積および裏側孔部
の面積は、シャドウマスク51の各部でほぼ同じ大きさ
で形成されている。
[0003] The through hole is formed by a back side hole on the side where the electron beam is incident and a front side hole on the side where the electron beam is emitted. The front side hole is formed with a larger area than the back side hole. The area of the front side hole and the area of the back side hole are substantially the same in each part of the shadow mask 51.

【0004】具体的には、図5に示すように、シャドウ
マスク51の中央部に設けられた貫通孔52aと、シャ
ドウマスク51の周辺部に設けられた貫通孔52bと
は、裏側孔部54a、54bに対する表側孔部53a、
53bの形成位置が異なっている。しかしながら、その
表側孔部53a、53bそれぞれの開孔面積は、その形
成位置に関わらずほぼ同じ大きさで形成されている。ま
た、裏側孔部54a、54bそれぞれの開孔面積も、そ
の形成位置に関わらずほぼ同じ大きさで形成されてい
る。さらに、周辺部の貫通孔52bにおいては、その表
側孔部54bの外周側側壁55bで電子ビームが遮光さ
れないように、表側孔部53bの開孔面積が中央部の表
面孔部53aの開孔面積よりもやや大きめに形成される
という実例もある。
More specifically, as shown in FIG. 5, a through-hole 52a provided in the center of the shadow mask 51 and a through-hole 52b provided in the periphery of the shadow mask 51 have a back side hole 54a. , 54b for the front side holes 53a,
The formation position of 53b is different. However, the opening area of each of the front side holes 53a and 53b is substantially the same regardless of the formation position. Also, the opening area of each of the back side holes 54a and 54b is formed to have substantially the same size regardless of the formation position. Further, in the through hole 52b in the peripheral portion, the opening area of the front side hole portion 53b is set to be smaller than the opening area of the surface hole portion 53a in the central portion so that the electron beam is not blocked by the outer peripheral side wall 55b of the front side hole portion 54b. In some cases, it is formed slightly larger.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】こうしたタイプのシャ
ドウマスクを、表示面側が曲面形状になっている一般的
なブラウン管に使用した場合、ブラウン管に落下衝撃等
が加わってもあまり大きな問題は生じていなかった。
When such a type of shadow mask is used for a general cathode ray tube having a curved display surface, no significant problem occurs even if a drop impact or the like is applied to the cathode ray tube. Was.

【0006】しかしながら、そのシャドウマスクを、表
示面側が平らで蛍光面側のアールが一般的なブラウン管
よりも大きいフラット型のブラウン管に使用すると、落
下衝撃等によってシャドウマスクの中央部分が凹むおそ
れがあることが確認された(図6を参照。)。
However, if the shadow mask is used for a flat cathode-ray tube whose display surface is flat and the radius of the phosphor screen is larger than that of a general cathode-ray tube, the central portion of the shadow mask may be dented due to a drop impact or the like. This was confirmed (see FIG. 6).

【0007】本発明は、上記問題を解決すべくなされた
ものであって、特にフラット型ブラウン管に使用された
後のシャドウマスクの衝撃強度を向上させることを目的
とし、表側孔部の開孔面積を貫通孔の形成位置に応じて
変化させたシャドウマスクを提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to improve the impact strength of a shadow mask after being used in a flat-type cathode-ray tube. Is changed in accordance with the formation position of the through-hole.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、電子
ビームが入射する側の裏側孔部と、該電子ビームが出射
する側の表側孔部とから形成される貫通孔を配列してな
り、被照射面に所定形状のビームスポットを形成するシ
ャドウマスクにおいて、該シャドウマスクの周辺部に設
けられた貫通孔の表側孔部の開孔面積が、該シャドウマ
スクの中央部に設けられた貫通孔の表側孔部の開孔面積
よりも小さいことに特徴を有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an array of through holes formed by a back side hole on a side where an electron beam is incident and a front side hole on a side where the electron beam is emitted. In the shadow mask that forms a beam spot of a predetermined shape on the surface to be irradiated, the opening area of the front side hole of the through hole provided in the periphery of the shadow mask is provided in the center of the shadow mask. It is characterized in that it is smaller than the opening area of the front side hole of the through hole.

【0009】この発明によれば、シャドウマスクの周辺
部に設けられた貫通孔の表側孔部の開孔面積が、シャド
ウマスクの中央部に設けられた貫通孔の表側孔部の開孔
面積よりも小さいので、このシャドウマスクの周辺部
は、シャドウマスクの中央部よりもエッチングされてい
ない金属部分が多くなる。そのため、シャドウマスクの
中央部はその周辺部よりも相対的に軽くなり、しかもそ
の中央部は相対的に重くなった高強度の周辺部で支えら
れるので、シャドウマスクがブラウン管に装着された後
に落下衝撃等の応力が加わってもシャドウマスクに凹み
等の変形が起こらない。
According to the present invention, the opening area of the front side hole of the through hole provided in the periphery of the shadow mask is larger than the opening area of the front side hole of the through hole provided in the center of the shadow mask. Therefore, the metal portion that is not etched is larger in the peripheral portion of the shadow mask than in the central portion of the shadow mask. Therefore, the central part of the shadow mask is relatively lighter than its peripheral part, and the central part is supported by the relatively heavy, high-strength peripheral part. Even when a stress such as an impact is applied, the shadow mask is not deformed such as a dent.

【0010】請求項2の発明は、請求項1に記載のシャ
ドウマスクにおいて、前記貫通孔の表側孔部の開孔面積
が、シャドウマスクの中心からの距離に応じて所定の変
化率で連続的または段階的に変化することに特徴を有す
る。
According to a second aspect of the present invention, in the shadow mask according to the first aspect, the opening area of the front side hole of the through hole is continuously changed at a predetermined rate according to the distance from the center of the shadow mask. Alternatively, it is characterized in that it changes stepwise.

【0011】この発明によれば、貫通孔の表側孔部の開
孔面積が、シャドウマスクの中心からの距離に応じて所
定の変化率で連続的または段階的に小さくなるように変
化するので、そのシャドウマスクは同心円状の強度分布
となり、シャドウマスクの強度を中心から周辺部に向か
って徐々に強くすることができる。こうしたシャドウマ
スクは、その強度バランスが規則的となるので、ブラウ
ン管に装着された後に落下衝撃等の応力が加わってもシ
ャドウマスクに凹み等の変形が起こらない。
According to the present invention, the opening area of the front side hole portion of the through hole changes continuously or stepwise at a predetermined rate according to the distance from the center of the shadow mask. The shadow mask has a concentric intensity distribution, and the intensity of the shadow mask can be gradually increased from the center toward the periphery. Since such a shadow mask has a regular intensity balance, even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask is not deformed such as a dent.

【0012】請求項3の発明は、請求項1に記載のシャ
ドウマスクにおいて、前記シャドウマスクの外周に設け
られた貫通孔がその全周に渡って同一の開孔面積で形成
されており、該貫通孔と、シャドウマスクの中心の貫通
孔との間に位置する貫通孔の表側孔部の開孔面積が、所
定の変化率で連続的または段階的に変化することに特徴
を有する。
According to a third aspect of the present invention, in the shadow mask according to the first aspect, a through hole provided in an outer periphery of the shadow mask is formed with the same opening area over the entire periphery. It is characterized in that the opening area of the front side hole of the through hole located between the through hole and the through hole at the center of the shadow mask changes continuously or stepwise at a predetermined change rate.

【0013】この発明によれば、シャドウマスクの外周
に設けられた貫通孔がその全周に渡って同一の開孔面積
で形成されているので、同じ強度の貫通孔を外周に有す
るシャドウマスクとすることができる。さらに、外周の
貫通孔とシャドウマスクの中心の貫通孔との間に位置す
る貫通孔は、その表側孔部の開孔面積が所定の変化率で
連続的または段階的に小さくなるように変化するので、
そのシャドウマスクの強度を外周部から中心部に向かっ
て徐々に変化させることができる。こうしたシャドウマ
スクは、その強度バランスが極めて規則的になるので、
ブラウン管に装着した後に落下衝撃等の応力が加わって
もシャドウマスクに変形が起こらない。
According to the present invention, since the through-holes formed on the outer periphery of the shadow mask are formed with the same opening area over the entire periphery, the shadow mask having the same strength of the through-hole on the outer periphery can be provided. can do. Further, the through-hole located between the through-hole on the outer periphery and the through-hole at the center of the shadow mask changes such that the opening area of the front side hole portion decreases continuously or stepwise at a predetermined change rate. So
The strength of the shadow mask can be gradually changed from the outer periphery toward the center. Such shadow masks have a very regular intensity balance,
Even if a stress such as a drop impact is applied after being mounted on the cathode ray tube, the shadow mask is not deformed.

【0014】請求項4の発明は、請求項1乃至請求項3
の何れかに記載のシャドウマスクにおいて、フラット型
ブラウン管に使用されることに特徴を有する。
The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1 to 3.
The shadow mask according to any one of the above, is characterized in that the shadow mask is used for a flat type cathode ray tube.

【0015】この発明によれば、蛍光面側のアールが大
きいフラット型のブラウン管に使用した場合に、落下衝
撃等の応力が加わってもシャドウマスクに変形が起こら
ない。
According to the present invention, when used in a flat cathode-ray tube having a large radius on the fluorescent screen side, the shadow mask is not deformed even when a stress such as a drop impact is applied.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しつつ説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明のシャドウマスク1の一例
を示す断面図であり、(a)はシャドウマスク1の中心
に形成された貫通孔2aの断面形状を示し、(b)はシ
ャドウマスク1の外周に形成された貫通孔2bをシャド
ウマスク1の中心から延びる仮想線で切断した場合の断
面形状で示している。図2は、シャドウマスク1の各部
に形成される貫通孔の形状およびその位置関係を説明す
る模式的な正面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a shadow mask 1 according to the present invention. FIG. 1A shows a sectional shape of a through hole 2a formed at the center of the shadow mask 1, and FIG. 1 shows a cross-sectional shape when the through hole 2b formed on the outer periphery of the shadow mask 1 is cut by a virtual line extending from the center of the shadow mask 1. FIG. 2 is a schematic front view illustrating the shape and positional relationship of the through holes formed in each part of the shadow mask 1.

【0018】本発明のシャドウマスク1は、金属薄板を
エッチング加工することにより、所定の形状の貫通孔を
所定のパターンで形成したものである。そのパターン
は、通常、貫通孔を略最密充填構造またはそれに近似す
る構造で配列してなるものである。こうした形状のシャ
ドウマスク1は、ブラウン管に装着されて、磁気シール
ドのため、およびブラウン管の蛍光面に所定形状のビー
ムスポットを形成するために使用される。ビームスポッ
トの形状は、円形、または略長方形からなるスロット形
の何れでもよく、何れの場合にも本発明を適用できる。
なお、以下においては、便宜的に、円形のビームスポッ
トを形成するシャドウマスクを例に挙げて説明する。
In the shadow mask 1 of the present invention, a through hole of a predetermined shape is formed in a predetermined pattern by etching a thin metal plate. The pattern is usually formed by arranging through holes in a substantially close-packed structure or a structure similar thereto. The shadow mask 1 having such a shape is mounted on a cathode ray tube, and is used for a magnetic shield and for forming a beam spot of a predetermined shape on a phosphor screen of the cathode ray tube. The shape of the beam spot may be any of a circular shape or a substantially rectangular slot shape, and the present invention can be applied to any case.
In the following, for convenience, a shadow mask that forms a circular beam spot will be described as an example.

【0019】貫通孔2a、2bは、図1に示すように、
電子ビームが入射する側の裏側孔部4a、4bと、ブラ
ウン管の蛍光面側に位置して電子ビームが出射する側の
表側孔部3a、3bとから形成される。表側孔部3a、
3bは、裏側孔部4a、4bよりも大きな面積で形成さ
れる。こうした貫通孔2a、2bは、電子ビームの一部
を裏側孔部4a、4bの端部9や側壁10により遮光す
ることができ、円形のビームスポットをブラウン管の蛍
光面上の所定の位置に所定の大きさで形成させることが
できる。
The through holes 2a and 2b are formed as shown in FIG.
Back holes 4a and 4b on the electron beam incident side and front side holes 3a and 3b on the fluorescent screen side of the cathode ray tube and on the side from which the electron beam is emitted are formed. Front side hole 3a,
3b is formed with an area larger than the back side holes 4a and 4b. These through holes 2a and 2b can shield a part of the electron beam from the end portions 9 and the side walls 10 of the back side holes 4a and 4b, and can place a circular beam spot at a predetermined position on the fluorescent screen of the cathode ray tube. Can be formed.

【0020】貫通孔2a、2bの表側孔部3a、3bと
裏側孔部4a、4bとの位置関係は、図2に示すよう
に、シャドウマスク1の周辺部21と中央部22とで異
なっている。さらに、周辺部21における表側孔部3
a、3bと裏側孔部4a、4bとの位置関係は、X軸、
Y軸および対角軸の各部で異なっている。周辺部21で
のこうした相違は、電子ビームが表側孔部3bの外周側
側壁5bで遮光されることを防いだものである。こうし
た位置関係にすることによって、円形のビームスポット
をブラウン管の蛍光面上の所定の位置に所定の大きさで
形成することができる。
The positional relationship between the front side holes 3a, 3b of the through holes 2a, 2b and the back side holes 4a, 4b differs between the peripheral portion 21 and the central portion 22 of the shadow mask 1, as shown in FIG. I have. Furthermore, the front side hole 3 in the peripheral portion 21
a, 3b and the back side holes 4a, 4b are in the X axis,
It is different in each part of the Y axis and the diagonal axis. Such a difference in the peripheral part 21 prevents the electron beam from being blocked by the outer peripheral side wall 5b of the front side hole part 3b. With such a positional relationship, a circular beam spot can be formed at a predetermined position on the phosphor screen of the CRT with a predetermined size.

【0021】具体的には、シャドウマスク1の中央部2
2においては、シャドウマスク1に向かって電子ビーム
がほぼ真っ直ぐに照射されるので、裏側孔部4aの中心
位置と表側孔部3aの中心位置はほぼ同じであればよ
い。しかしながら、シャドウマスク1の周辺部21にお
いては、シャドウマスク1に向かって電子ビームが斜め
に照射されるので、裏側孔部4bの中心位置と表側孔部
3bの中心位置は、図2に示すように、その貫通孔2b
が形成される位置によって変化させる必要がある。つま
り、表面孔部3bは、貫通孔2bを形成する位置が周辺
部21側に行くにしたがって、裏側孔部4bに比べて外
側にシフトするように形成される。
More specifically, the central portion 2 of the shadow mask 1
In 2, the electron beam is irradiated almost straight toward the shadow mask 1, so that the center position of the back side hole 4a and the center position of the front side hole 3a may be almost the same. However, in the peripheral portion 21 of the shadow mask 1, since the electron beam is irradiated obliquely toward the shadow mask 1, the center position of the back side hole 4b and the center position of the front side hole 3b are as shown in FIG. The through hole 2b
Needs to be changed depending on the position where is formed. That is, the surface hole 3b is formed so that the position where the through hole 2b is formed is shifted outward as compared with the rear hole 4b as the position toward the peripheral portion 21 is approached.

【0022】このとき、表側孔部3bの形状は、必要以
上の電子ビームを遮光しないように、中央部22から周
辺部21に行くに従って円形の開孔形状から徐々に偏平
し、楕円形または楕円形に近似する開孔形状へと遷移す
るように形成することもできる(図7を参照。)。
At this time, the shape of the front side hole portion 3b is gradually flattened from a circular opening shape as going from the central portion 22 to the peripheral portion 21 so as not to shield an electron beam more than necessary, and an elliptical shape or an elliptical shape. It can also be formed so as to transition to an opening shape approximating the shape (see FIG. 7).

【0023】次に、貫通孔の表側孔部の開孔面積につい
て説明する。
Next, the opening area of the front side hole of the through hole will be described.

【0024】本発明においては、シャドウマスク1の周
辺部21に設けられた貫通孔2bの表側孔部3bの開孔
面積Tを、その中央部22に設けられた貫通孔2aの表
側孔部3aの開孔面積Sよりも小さくすることによって
所期の目的を達成する。ここで、シャドウマスク1の中
央部22とは、図2に示すように、シャドウマスク1の
中心を含む部分であり、シャドウマスク1の周辺部21
とは、外周部分を含んだA〜Hに例示される部分であ
る。
In the present invention, the opening area T of the front side hole portion 3b of the through hole 2b provided in the peripheral portion 21 of the shadow mask 1 is set to the front side hole portion 3a of the through hole 2a provided in the central portion 22 thereof. The intended purpose is achieved by making the opening area S smaller than the opening area S. Here, the central portion 22 of the shadow mask 1 is a portion including the center of the shadow mask 1 as shown in FIG.
Are portions exemplified by A to H including the outer peripheral portion.

【0025】中央部22における表側孔部3aの開孔面
積Sと、周辺部21における表側孔部3bの開孔面積T
との関係は、シャドウマスク1が装着されるブラウン管
の大きさ、ブラウン管の蛍光面側のアールの大きさ、シ
ャドウマスク1の厚さ、円形またはスロット形状等から
なる貫通孔の形状、支持部材によって支持されるシャド
ウマスクの装着形態、プレス成形時の加工条件、落下衝
撃等の大きさ、等々によって任意に設計される。例え
ば、中央部22における表側孔部3aの開孔面積Sを1
00とした場合、周辺部21における表側孔部3bの開
孔面積Tを80〜96の範囲とすることが好ましい。こ
のとき、より好ましくは84〜92、さらに好ましくは
86〜90である。
The opening area S of the front side hole 3a in the central part 22 and the opening area T of the front side hole 3b in the peripheral part 21 are shown.
Depends on the size of the cathode ray tube on which the shadow mask 1 is mounted, the size of the radius on the fluorescent screen side of the cathode ray tube, the thickness of the shadow mask 1, the shape of the through hole formed in a circular or slot shape, and the supporting member. It is arbitrarily designed depending on the mounting form of the shadow mask to be supported, processing conditions at the time of press molding, the magnitude of a drop impact, and the like. For example, the opening area S of the front side hole 3a in the central portion 22 is 1
When it is set to 00, the opening area T of the front side hole portion 3b in the peripheral portion 21 is preferably in the range of 80 to 96. At this time, it is more preferably 84 to 92, and still more preferably 86 to 90.

【0026】こうした関係を有するシャドウマスク1
は、中央部22よりも周辺部21のほうがエッチングさ
れていない金属部分が多くなる。そのため、シャドウマ
スク1の中央部22は周辺部21よりも相対的に軽くな
り、しかもその中央部22は相対的に重くなった高強度
の周辺部21で支えられることになる。その結果、ブラ
ウン管に装着された後に落下衝撃等の応力が加わって
も、シャドウマスク1に凹み等の変形が起こらない。
The shadow mask 1 having such a relationship
The peripheral portion 21 has more unetched metal portions than the central portion 22. Therefore, the central portion 22 of the shadow mask 1 is relatively lighter than the peripheral portion 21, and the central portion 22 is supported by the relatively heavy high-strength peripheral portion 21. As a result, even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask 1 is not deformed such as a dent.

【0027】周辺部21における表側孔部3bの開孔面
積Tは、表側孔部3bの側壁のエッチング量を少なくす
ることによって調整される。具体的には、エッチングマ
スクパターンの変更やエッチング条件の調整によって、
シャドウマスク1の中心側の側壁6bをその表面孔部3
bの中心に向かわせることができる。こうすることによ
り、その開孔面積Tをより減少させることができる(図
1および図7を参照。)。また、同様の手段により、貫
通孔2bとシャドウマスク1の中心とを結んだ仮想線に
直交する側の側壁6c、6dをその表面孔部3bの中心
に向かわせて、開孔面積Tをより減少させることもでき
る(図7を参照。)。本発明においては、そうした調整
を、同時にまたは別個に採用することができる。
The opening area T of the front side hole 3b in the peripheral portion 21 is adjusted by reducing the etching amount of the side wall of the front side hole 3b. Specifically, by changing the etching mask pattern or adjusting the etching conditions,
The side wall 6b on the center side of the shadow mask 1 is
b. By doing so, the opening area T can be further reduced (see FIGS. 1 and 7). Further, by the same means, the side walls 6c and 6d on the side orthogonal to the imaginary line connecting the through hole 2b and the center of the shadow mask 1 are directed toward the center of the surface hole 3b, and the opening area T is further increased. It can also be reduced (see FIG. 7). In the present invention, such adjustments can be employed simultaneously or separately.

【0028】これらの内、上述の側壁6bをその表面孔
部3bの中心に向かわせる場合において、表面孔部3b
の端部7bの座標位置と貫通孔2bの稜線部8bの座標
位置との間の長さVを必要以上に短くすると、その稜線
部8bの位置精度が悪くなる。その結果、貫通孔2bの
孔径がばらつくことがある。従って、その長さVは、こ
うした点を考慮して設定することが好ましい。
When the side wall 6b is directed toward the center of the surface hole 3b, the surface hole 3b
If the length V between the coordinate position of the end 7b and the coordinate position of the ridge 8b of the through-hole 2b is shortened more than necessary, the positional accuracy of the ridge 8b deteriorates. As a result, the hole diameter of the through hole 2b may vary. Therefore, the length V is preferably set in consideration of such points.

【0029】一方、上述の側壁6c、6dをその表面孔
部3bの中心に向かわせる場合においても、表面孔部3
bの端部7c、7dの座標位置と貫通孔2bの稜線部8
c、8dの座標位置との間の長さWを必要以上に短くす
ると、その稜線部8c、8dの位置精度が悪くなる。そ
の結果、貫通孔2bの大きさがばらついたり、貫通孔2
bを通過する電子ビームが必要以上に遮光されることが
ある。従って、その長さWは、こうした点を考慮して設
定することが好ましい。
On the other hand, even when the side walls 6c and 6d are directed toward the center of the surface hole 3b, the surface hole 3
b, the coordinate positions of the ends 7c and 7d and the ridge 8 of the through hole 2b
If the length W between the coordinate positions c and 8d is shortened more than necessary, the positional accuracy of the ridge portions 8c and 8d deteriorates. As a result, the size of the through hole 2b varies,
The electron beam passing through b may be shielded more than necessary. Therefore, it is preferable to set the length W in consideration of these points.

【0030】こうしたことから、上述した開孔面積Sを
100とした場合の開孔面積Tの範囲の上限値の意義
は、ブラウン管に装着した後に落下衝撃等の応力が加わ
っても、シャドウマスクに変形が起こらない開孔面積S
の限界値を規定するものである。また、その下限値の意
義は、電子ビームの通過に支障がない程度に中心側側壁
をシャドウマスク1の外周方向にシフトさせることがで
きる開孔面積Tの限界値を規定するものである。
From the above, the significance of the upper limit of the range of the opening area T when the above-described opening area S is set to 100 is that even if a stress such as a drop impact is applied to the shadow mask after being attached to the cathode ray tube, the shadow mask is not affected. Open area S where deformation does not occur
Is defined. Further, the meaning of the lower limit value defines the limit value of the opening area T at which the center side wall can be shifted in the outer circumferential direction of the shadow mask 1 so as not to hinder the passage of the electron beam.

【0031】さらに、中央部22における表側孔部3a
の開孔面積Sと、周辺部21における表側孔部3bの開
孔面積Tとの関係については、以下の2つの態様を採用
することもできる。図3および図4は、シャドウマスク
の開孔面積を連続的または段階的に変化させた態様の一
例を説明する模式的な正面図である。
Further, the front side hole 3a in the central portion 22
With respect to the relationship between the opening area S and the opening area T of the front side hole portion 3b in the peripheral portion 21, the following two modes can be adopted. 3 and 4 are schematic front views illustrating an example in which the opening area of the shadow mask is changed continuously or stepwise.

【0032】第一の態様は、図3に示すように、貫通孔
の表側孔部の開孔面積が、シャドウマスク31の中心か
らの距離に応じて所定の変化率で連続的または段階的に
変化する態様である。
In the first mode, as shown in FIG. 3, the opening area of the front side hole portion of the through hole is continuously or stepwise at a predetermined change rate according to the distance from the center of the shadow mask 31. It is a changing aspect.

【0033】この態様において、シャドウマスク31の
中心からの距離を同じくする同心円上またはその同心円
近傍の貫通孔は、その表側孔部の開孔面積が同じにな
る。シャドウマスク31の中心からの距離に応じて変化
する開孔面積の変化率は、一次的(一次式)であっても
二次的(二次式)であってもよく特に限定されない。な
お、17インチ用のシャドウマスクの場合の好ましい変
化率は、シャドウマスクの中心の貫通孔の開孔面積A
(mm2 )との関係で表すと、シャドウマスクの中心か
らの距離R(mm)に応じて、開孔面積(mm2 )は、
A−1.06659×10-7×R2 となる。ここで、R
は中心からの距離(mm)である。なお、17インチ用
以外のシャドウマスクにおいてもこれと同様の傾向で開
孔面積が変化する。
In this embodiment, the through-holes on or near the concentric circle having the same distance from the center of the shadow mask 31 have the same opening area of the front side hole. The rate of change of the opening area that changes according to the distance from the center of the shadow mask 31 may be linear (primary expression) or secondary (secondary expression), and is not particularly limited. The preferable rate of change in the case of a 17-inch shadow mask is the opening area A of the through hole at the center of the shadow mask.
Expressed in relation to (mm 2), in accordance with the distance R (mm) from the center of the shadow mask, open area (mm 2) is
A-1.06659 × 10 −7 × R 2 . Where R
Is the distance (mm) from the center. The opening area of the shadow mask other than the 17-inch shadow mask changes in the same tendency.

【0034】こうした態様のシャドウマスク31は、同
心円状の強度分布となる。そのため、シャドウマスク3
1の強度バランスは極めて規則的になり、シャドウマス
ク31の強度を中心から外周に向かって徐々に強くする
ことができる。このシャドウマスク31は、ブラウン管
に装着された後に落下衝撃等の応力が加わっても、凹み
等の変形が起こらない。
The shadow mask 31 in such an embodiment has a concentric intensity distribution. Therefore, shadow mask 3
The intensity balance of 1 becomes extremely regular, and the intensity of the shadow mask 31 can be gradually increased from the center toward the outer periphery. The shadow mask 31 is not deformed such as a dent even if stress such as a drop impact is applied after the shadow mask 31 is mounted on the cathode ray tube.

【0035】第二の態様は、図4に示すように、シャド
ウマスク41の外周に設けられた貫通孔が、その全周に
渡って同一の開孔面積で形成されている態様である。そ
して、その貫通孔と、シャドウマスク41の中心の貫通
孔との間に位置する貫通孔の表側孔部の開孔面積が、所
定の変化率で連続的または段階的に変化する。
In the second embodiment, as shown in FIG. 4, the through holes provided on the outer periphery of the shadow mask 41 are formed with the same opening area over the entire periphery. Then, the opening area of the front side hole portion of the through hole located between the through hole and the center through hole of the shadow mask 41 changes continuously or stepwise at a predetermined change rate.

【0036】この態様において、同一の開孔面積からな
る外周部分の貫通孔から中心の貫通孔に向かって変化す
る変化率は、一次的(一次式)であっても二次的(二次
式)であってもよく特に限定されない。なお、17イン
チ用のシャドウマスクの場合の好ましい変化率を、シャ
ドウマスクの中心の貫通孔の開孔面積A(mm2 )との
関係で表すと、シャドウマスクの中心からの位置を特定
する平面座標(x、y)位置での開孔面積(mm2
は、A−1.96884×10-10×x2 −3.660
68×10-10×y2 +1.62342×10-14×(x
×y)2 となる。ここで、平面座標(x、y)は中心か
らの座標長さ(mm)である。なお、17インチ用以外
のシャドウマスクにおいてもこれと同様の傾向で開孔面
積が変化する。
In this embodiment, the rate of change from the through-hole in the outer peripheral portion having the same opening area toward the center through-hole can be linear (primary) or secondary (secondary). ) May be used without any particular limitation. When a preferable rate of change in the case of a 17-inch shadow mask is expressed in relation to the opening area A (mm 2 ) of the through hole at the center of the shadow mask, a plane for specifying the position from the center of the shadow mask. Hole area (mm 2 ) at coordinates (x, y)
Is A-1.96884 × 10 −10 × x 2 −3.660.
68 × 10 −10 × y 2 + 1.62342 × 10 −14 × (x
× y) It becomes 2 . Here, the plane coordinates (x, y) are the coordinate length (mm) from the center. The opening area of the shadow mask other than the 17-inch shadow mask changes in the same tendency.

【0037】こうした態様のシャドウマスク41は、そ
の強度バランスが極めて規則的になり、シャドウマスク
41の強度を、シャドウマスク41の中心から同一強度
で形成された外周部分に向かって徐々に強くすることが
できる。このシャドウマスク41は、ブラウン管に装着
された後に落下衝撃等の応力が加わっても、凹み等の変
形が起こらない。
The intensity balance of the shadow mask 41 in such an embodiment becomes extremely regular, and the intensity of the shadow mask 41 is gradually increased from the center of the shadow mask 41 toward the outer peripheral portion formed with the same intensity. Can be. The shadow mask 41 does not deform, such as a dent, even when stress such as a drop impact is applied after being mounted on the cathode ray tube.

【0038】次に、本発明のシャドウマスクをブラウン
管内に装着した態様について説明する。図6は、シャド
ウマスクをフラット型のブラウン管63に装着した態様
を示す説明図である。なお、図6において、実線は、落
下衝撃等が加わった後の本発明のシャドウマスク61を
表し、破線は、落下衝撃等が加わった後の従来タイプの
シャドウマスク62を表している。
Next, an embodiment in which the shadow mask of the present invention is mounted in a cathode ray tube will be described. FIG. 6 is an explanatory view showing a mode in which the shadow mask is mounted on the flat type cathode ray tube 63. In FIG. 6, a solid line represents the shadow mask 61 of the present invention after a drop impact or the like is applied, and a broken line represents a conventional shadow mask 62 after a drop impact or the like is applied.

【0039】本発明のシャドウマスク61は、一般的な
ブラウン管よりも表示面側が平らで蛍光面側のアールが
大きいフラット型のブラウン管31に好ましく使用する
ことができる。そして、落下衝撃等が加わった後であっ
ても、シャドウマスク61の中央部分が凹む等の変形が
起こらない。
The shadow mask 61 of the present invention can be preferably used for a flat-type cathode-ray tube 31 having a flat display surface side and a larger radius on the phosphor screen side than a general cathode-ray tube. Then, even after a drop impact or the like is applied, deformation such as a depression of the central portion of the shadow mask 61 does not occur.

【0040】次に、上述したシャドウマスクの製造方法
の一例について説明する。なお、言うまでもなく、本発
明のシャドウマスクは、下記の製造方法に限定されな
い。
Next, an example of a method for manufacturing the above-described shadow mask will be described. Needless to say, the shadow mask of the present invention is not limited to the following manufacturing method.

【0041】シャドウマスク1は、従来公知の方法で形
成することができる。通常、フォトエッチングの各工程
で行われ、連続したインライン装置で製造される。例え
ば、金属薄板の両面に水溶性コロイド系フォトレジスト
等を塗布し、乾燥する。その後、その表面には、上述し
たような表側孔部の形状パターンを形成したフォトマス
クを密着させ、裏面には、裏側孔部の形状パターンを形
成したフォトマスクを密着させ、高圧水銀等の紫外線に
よって露光し、水で現像する。なお、表側孔部のパター
ンを形成したフォトマスクと、裏側孔部のパターンを形
成したフォトマスクの位置関係およびその形状は、得ら
れるシャドウマスクに形成された表側孔部と裏側孔部と
の位置関係およびそれらの大きさに考慮して設計され、
配置される。レジスト膜画像で周囲がカバーされた金属
の露出部分は、各部のエッチング進行速度の相違に基づ
いて、上述したような各々の形状で形成される。なお、
エッチング加工は、熱処理等された後、両面側から塩化
第2鉄溶液をスプレー等して行われる。その後、水洗
い、剥離等の後工程を連続的に行うことによってシャド
ウマスクが製造される。
The shadow mask 1 can be formed by a conventionally known method. Usually, it is performed in each step of photo etching, and is manufactured by a continuous in-line device. For example, a water-soluble colloid-based photoresist or the like is applied to both surfaces of a thin metal plate and dried. Thereafter, a photomask having the above-described front side hole shape pattern is adhered to the surface thereof, and a photomask having the back side hole shape pattern is closely adhered to the back surface thereof. And develop with water. The positional relationship between the photomask on which the pattern of the front side hole is formed and the photomask on which the pattern of the rear side hole is formed and the shape thereof are determined by the positions of the front side hole and the rear side hole formed on the obtained shadow mask. Designed in consideration of the relationship and their size,
Be placed. The exposed portion of the metal whose periphery is covered by the resist film image is formed in each of the shapes described above based on the difference in the etching progress rate of each portion. In addition,
The etching process is performed by spraying a ferric chloride solution from both sides after heat treatment or the like. Thereafter, a shadow mask is manufactured by continuously performing post-processes such as washing and peeling.

【0042】[0042]

【実施例】以下に、実施例と比較例を示し、本発明をさ
らに具体的に説明する。
The present invention will be described more specifically below with reference to examples and comparative examples.

【0043】(実施例1)厚さ0.13mmのFe−N
i合金からなる17インチブラウン管用のシャドウマス
ク1を、上述した一般的なシャドウマスクの製造方法に
よって製造した。
(Example 1) Fe-N having a thickness of 0.13 mm
A shadow mask 1 for a 17-inch cathode ray tube made of an i-alloy was manufactured by the above-described general shadow mask manufacturing method.

【0044】このシャドウマスクは、ブラウン管の蛍光
面に円形のビームスポットを形成するタイプのシャドウ
マスクであり、表1に示すように、形成される貫通孔2
a、2bの密度を2498個/cm2 とし、シャドウマ
スク1の各部における裏側孔部4a、4bの開孔面積を
約0.00887mm2 とした。また、表側孔部3a、
3bの開孔面積については、シャドウマスク1の中心で
は約0.03398mm2 とし、シャドウマスクのE、
F、G、Hの各部の外周では約0.02955mm2
した。さらに、シャドウマスクの中心と外周との間に形
成された貫通孔の表側孔部の開孔面積は、中心からの距
離に応じて一次式の関係で連続的に小さくなるように変
化させた。
This shadow mask is a shadow mask of a type that forms a circular beam spot on the fluorescent screen of a cathode ray tube.
The density of a and 2b was 2498 / cm 2, and the opening area of the back side holes 4a and 4b in each part of the shadow mask 1 was about 0.00887 mm 2 . Also, the front side hole 3a,
The opening area of 3b is about 0.03398 mm 2 at the center of the shadow mask 1, and E,
The outer circumference of each part of F, G and H was about 0.02955 mm 2 . Further, the opening area of the front side hole portion of the through hole formed between the center and the outer periphery of the shadow mask was changed so as to be continuously reduced in a linear relationship according to the distance from the center.

【0045】得られたシャドウマスクは、中心の表側孔
部3aの開孔面積Sを100とした場合に、E、F、
G、Hの各部の外周の表側孔部3bの開孔面積Tは8
6.97となり、中心のものよりも小さくなっている。
こうした表側孔部3bを備える貫通孔2bにおいては、
その表側孔部3bを構成する側壁6bが表側孔部3bの
中心に向うように形成されている。そして、その表側孔
部3bを備える貫通孔2bは、中心の表側孔部3aを備
える貫通孔2aに比べて、金属量が1個当たりの約0.
002165μg多くなっている。
The obtained shadow mask has E, F, and F, assuming that the opening area S of the central front side hole 3a is 100.
The opening area T of the front side hole 3b on the outer periphery of each part of G and H is 8
6.97, which is smaller than the central one.
In the through hole 2b provided with such a front side hole 3b,
The side wall 6b constituting the front side hole 3b is formed so as to face the center of the front side hole 3b. The through-hole 2b provided with the front side hole 3b has a metal amount of about 0.1 / per metal compared to the through-hole 2a provided with the central front side hole 3a.
002165 μg more.

【0046】このシャドウマスクをフラット形ブラウン
管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝撃荷
重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマスクに
は、凹み等の変形は見られなかった。
The shadow mask was mounted on a flat cathode ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode ray tube. No deformation such as a dent was observed in the shadow mask mounted in the cathode ray tube.

【0047】(実施例2)厚さ0.13mmのFe−N
i合金からなる19インチブラウン管用のシャドウマス
ク1を、実施例1と同様に製造した。
(Example 2) Fe-N having a thickness of 0.13 mm
A shadow mask 1 for a 19-inch cathode ray tube made of i-alloy was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0048】このシャドウマスクは、表1に示すよう
に、形成される貫通孔2a、2bの密度を1768個/
cm2 とし、シャドウマスク1の各部における裏側孔部
4a、4bの開孔面積を約0.01011mm2 とし
た。また、表側孔部3a、3bの開孔面積については、
シャドウマスク1の中心では約0.03398mm2
し、シャドウマスクの外周ではその全周に渡って約0.
03024mm2 とした。さらに、シャドウマスクの中
心と外周との間に形成された貫通孔の表側孔部の開孔面
積は、中心と外周との間が一次式の関係で連続的に小さ
くなるように変化させた。
In this shadow mask, as shown in Table 1, the density of the through holes 2a and 2b formed was 1768 /
cm 2, and the opening area of the back side holes 4a and 4b in each part of the shadow mask 1 was about 0.01011 mm 2 . Also, regarding the opening area of the front side holes 3a and 3b,
The center of the shadow mask 1 is about 0.03398 mm 2, and the outer circumference of the shadow mask is about 0.3 mm over the entire circumference.
03024 mm 2 . Further, the opening area of the front side hole portion of the through hole formed between the center and the outer periphery of the shadow mask was changed so that the distance between the center and the outer periphery was continuously reduced in a linear relationship.

【0049】得られたシャドウマスクは、中心の表側孔
部3aの開孔面積Sを100とした場合に、その全周に
形成された表側孔部3bの開孔面積Tは88.99とな
り、中心のものよりも小さくなっている。こうした表側
孔部3bを備える貫通孔2bにおいては、その表側孔部
3bを構成する側壁6bが表側孔部3bの中心に向うよ
うに形成されている。そして、その表側孔部3bを備え
る貫通孔2bは、中心の表側孔部3aを備える貫通孔2
aに比べて、金属量が1個当たりの約0.001829
μg多くなっている。
In the shadow mask obtained, when the opening area S of the central front side hole 3a is 100, the opening area T of the front side hole 3b formed on the entire periphery thereof is 88.99, It is smaller than the center one. In the through hole 2b having the front side hole 3b, the side wall 6b constituting the front side hole 3b is formed so as to face the center of the front side hole 3b. The through hole 2b having the front side hole 3b is the same as the through hole 2b having the center front side hole 3a.
compared to a, the amount of metal is about 0.001829 per piece
μg more.

【0050】このシャドウマスクをフラット形ブラウン
管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝撃荷
重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマスクに
は、凹み等の変形は見られなかった。
This shadow mask was mounted on a flat cathode ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode ray tube. No deformation such as a dent was observed in the shadow mask mounted in the cathode ray tube.

【0051】(比較例1〜3)17インチ〜21インチ
のブラウン管用のシャドウマスクについて、表1に示す
ように形成した。このとき、比較例1、2については、
シャドウマスクの中心から外周に行くにしたがって、表
側孔部の開孔面積を大きくしている。また、比較例3に
ついては、シャドウマスク全域に渡って、表側孔部の開
孔面積を同じにしている。
(Comparative Examples 1 to 3) Shadow masks for cathode ray tubes of 17 inches to 21 inches were formed as shown in Table 1. At this time, for Comparative Examples 1 and 2,
The opening area of the front side hole is increased from the center of the shadow mask toward the outer periphery. Further, in Comparative Example 3, the opening area of the front side hole is the same over the entire shadow mask.

【0052】これらのシャドウマスクをフラット形ブラ
ウン管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝
撃荷重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマス
クには、その中央部に図6に示すような凹みが見られ
た。
These shadow masks were mounted on a flat cathode-ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode-ray tube. The shadow mask mounted in the cathode ray tube had a dent at the center as shown in FIG.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシャドウ
マスクによれば、中央部よりも周辺部のほうがエッチン
グされていない金属部分が多くなるので、シャドウマス
クの中央部は周辺部よりも相対的に軽くなり、しかもそ
の中央部は相対的の重くなった高強度の周辺部で支えら
れるので、落下衝撃等によって応力が加わっても中央部
に凹みが起こらない。
As described above, according to the shadow mask of the present invention, the unetched metal portion is more in the peripheral portion than in the central portion. In addition, since the central portion is supported by the relatively heavy peripheral portion having high strength, no dent occurs in the central portion even when stress is applied due to a drop impact or the like.

【0055】また、貫通孔の表面孔部の開孔面積を、シ
ャドウマスクの中心と外周との間で連続的または断続的
に変化させることによって、シャドウマスクの強度バラ
ンスを極めて規則的にすることができる。その結果、シ
ャドウマスクの強度を中心から外周に向かって徐々に強
くすることができ、ブラウン管に装着した後に落下衝撃
等の応力が加わってもシャドウマスクに変形が起こらな
い。
Further, the intensity balance of the shadow mask is made extremely regular by changing the opening area of the surface hole of the through hole continuously or intermittently between the center and the outer periphery of the shadow mask. Can be. As a result, the strength of the shadow mask can be gradually increased from the center toward the outer periphery, and the shadow mask is not deformed even when a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のシャドウマスクの一例を示す断面図で
あり、(a)はシャドウマスクの中心に形成された貫通
孔の断面形状であり、(b)はシャドウマスクの外周に
形成された貫通孔をシャドウマスクの中心から延びる仮
想線で切断した場合の断面形状である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a shadow mask according to the present invention, in which (a) is a cross-sectional shape of a through hole formed at the center of the shadow mask, and (b) is formed on the outer periphery of the shadow mask. This is a cross-sectional shape when the through hole is cut by a virtual line extending from the center of the shadow mask.

【図2】シャドウマスクの各部に形成される貫通孔の形
状およびその位置関係を説明する模式的な正面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic front view illustrating a shape and a positional relationship of a through hole formed in each part of the shadow mask.

【図3】シャドウマスクの開孔面積を連続的または断続
的に変化させた態様の一例を説明する模式的な正面図で
ある。
FIG. 3 is a schematic front view illustrating an example in which the opening area of a shadow mask is changed continuously or intermittently.

【図4】シャドウマスクの開孔面積を連続的または断続
的に変化させた態様の他の一例を説明する模式的な正面
図である。
FIG. 4 is a schematic front view illustrating another example in which the opening area of the shadow mask is changed continuously or intermittently.

【図5】一般的なシャドウマスクの断面形態の一例を示
す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing an example of a sectional form of a general shadow mask.

【図6】シャドウマスクをフラット型のブラウン管に装
着した態様を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a mode in which a shadow mask is mounted on a flat type cathode ray tube.

【図7】各部分に形成された貫通孔を正面から見た形状
の一例を示す正面図である。
FIG. 7 is a front view showing an example of a shape of a through hole formed in each part when viewed from the front.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、31、41、51、61、62 シャドウマスク 2a、2b、52a、52b 貫通孔 3a、3b、53a、53b 表側孔部 4a、4b、54a、54b 裏側孔部 5b、55b 外周側側壁 6b、6c、6d 側壁 7b 表面孔部の端部 8b、8c、8d 稜線部 9 裏側孔部の端部 10 裏側孔部の側壁 21 周辺部 22 中央部 63 フラット型のブラウン管 T、S 表側孔部の開孔面積 V、W 端部の座標位置と稜線部の座標位置との間の長
1, 31, 41, 51, 61, 62 Shadow masks 2a, 2b, 52a, 52b Through holes 3a, 3b, 53a, 53b Front side holes 4a, 4b, 54a, 54b Back side holes 5b, 55b Outer side wall 6b, 6c, 6d Side wall 7b Edge of surface hole 8b, 8c, 8d Edge 9 Edge of back side hole 10 Side wall of back side hole 21 Peripheral part 22 Central part 63 Flat type cathode ray tube T, S Opening of front side hole Hole area V, W Length between coordinate position of edge and coordinate position of ridge

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧田 明 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 5C031 EE02 EF02 EF06 EG01 EH06 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Akira Makita 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai-Nippon Printing Co., Ltd. F-term (reference) 5C031 EE02 EF02 EF06 EG01 EH06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子ビームが入射する側の裏側孔部と、
該電子ビームが出射する側の表側孔部とから形成される
貫通孔を配列してなり、被照射面に所定形状のビームス
ポットを形成するシャドウマスクにおいて、 該シャドウマスクの周辺部に設けられた貫通孔の表側孔
部の開孔面積が、該シャドウマスクの中央部に設けられ
た貫通孔の表側孔部の開孔面積よりも小さいことを特徴
とするシャドウマスク。
A back hole on a side where an electron beam is incident;
A through-hole formed from a front side hole on the side from which the electron beam is emitted is arranged, and a shadow mask for forming a beam spot of a predetermined shape on an irradiated surface is provided at a peripheral portion of the shadow mask. A shadow mask, wherein the opening area of the front side hole of the through hole is smaller than the opening area of the front side hole of the through hole provided at the center of the shadow mask.
【請求項2】 前記貫通孔の表側孔部の開孔面積が、シ
ャドウマスクの中心からの距離に応じて所定の変化率で
連続的または段階的に変化することを特徴とする請求項
1に記載のシャドウマスク。
2. The method according to claim 1, wherein the opening area of the front side hole of the through hole changes continuously or stepwise at a predetermined change rate according to the distance from the center of the shadow mask. The described shadow mask.
【請求項3】 前記シャドウマスクの外周に設けられた
貫通孔がその全周に渡って同一の開孔面積で形成されて
おり、該貫通孔と、シャドウマスクの中心の貫通孔との
間に位置する貫通孔の表側孔部の開孔面積が、所定の変
化率で連続的または段階的に変化することを特徴とする
請求項1に記載のシャドウマスク。
3. A through hole provided on the outer periphery of the shadow mask is formed with the same opening area over the entire periphery thereof, and between the through hole and the through hole at the center of the shadow mask. The shadow mask according to claim 1, wherein the opening area of the front side hole of the located through hole changes continuously or stepwise at a predetermined change rate.
【請求項4】 フラット型ブラウン管に使用されること
を特徴とする請求項1乃至請求項3に記載のシャドウマ
スク。
4. The shadow mask according to claim 1, wherein the shadow mask is used for a flat type cathode ray tube.
JP2000246611A 2000-08-16 2000-08-16 Shadow mask Withdrawn JP2002063854A (en)

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