JP3184579B2 - Shadow mask, master for baking shadow mask, and method of manufacturing the same - Google Patents
Shadow mask, master for baking shadow mask, and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、カラー受像管のシャ
ドウマスクに係り、特に輝度およびホワイトユニフォー
ミティに優れたほぼ矩形状の開孔を有するシャドウマス
ク、このシャドウマスクの製造に用いられるシャドウマ
スク焼付け用原版およびこの原版の製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask for a color picture tube, and more particularly to a shadow mask having a substantially rectangular opening having excellent brightness and white uniformity, and a shadow mask used for manufacturing the shadow mask. The present invention relates to a printing master and a method of manufacturing the printing master .
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にカラー受像管は、第17図に示す
ように、球面状のパネル1 およびこのパネル1 に一体に
接合された漏斗状のファンネル2からなる外囲器を有
し、そのパネル1 の内面に3色蛍光体層からなる蛍光体
スクリーン3 が形成され、この蛍光体スクリーン3 の内
側に、蛍光体スクリーン3 と対向して所定パターンに配
列された多数の開孔を有するシャドウマスク4 が配置さ
れている。そして、ファンネル2 のネック部5 内に配置
された電子銃6 から放出される3電子ビーム7 をファン
ネル2 の外側に装着された偏向ヨーク8 の発生する磁界
により偏向し、その3電子ビーム7 をシャドウマスク4
により3色蛍光体層の所望の位置に正しくランディング
するように選別して、上記蛍光体スクリーン3 を水平、
垂直走査することにより、この蛍光体スクリーン3 上に
カラー画像を表示する構造に形成されている。2. Description of the Related Art Generally, a color picture tube has an envelope comprising a spherical panel 1 and a funnel-shaped funnel 2 integrally joined to the panel 1, as shown in FIG. A phosphor screen 3 composed of a three-color phosphor layer is formed on the inner surface of the substrate 1 and a shadow mask having a large number of openings arranged in a predetermined pattern facing the phosphor screen 3 inside the phosphor screen 3. 4 is located. Then, the three electron beams 7 emitted from the electron gun 6 arranged in the neck part 5 of the funnel 2 are deflected by the magnetic field generated by the deflection yoke 8 mounted outside the funnel 2, and the three electron beams 7 are deflected. Shadow mask 4
The phosphor screen 3 is selected so that the phosphor screen 3 can be properly landed at a desired position of the three-color phosphor layer.
The structure is such that a color image is displayed on the phosphor screen 3 by vertical scanning.
【0003】上記のようなシャドウマスク4 の開孔形状
としては、従来より円形の開孔にしたものと矩形の開孔
にしたものとが知られている。その円形の開孔を有する
シャドウマスク(円形孔シャドウマスク)は、主として
ディスプレー管に用いられ、一方、矩形の開孔を有すシ
ャドウマスク(矩形孔シャドウマスク)は、主として家
庭用テレビなどの民生用に用いられている。[0003] As the opening shape of the shadow mask 4 as described above, there are conventionally known ones having a circular opening and those having a rectangular opening. Shadow masks having circular openings (circular hole shadow masks) are mainly used for display tubes, while shadow masks having rectangular openings (rectangular hole shadow masks) are mainly used for consumer televisions such as home televisions. It is used for
【0004】従来その矩形孔シャドウマスクの開孔は、
図18に示すように、四隅部に丸みをもつたほぼ矩形状
に形成されている。そしてこの開孔10は、その長手軸が
シャドウマスクの中心を通る垂直軸方向と一致するよう
に形成され、特にその垂直軸方向には、狭幅のブリッジ
部11を介して複数配置され、その垂直軸方向の複数の開
孔からなる垂直列を水平軸方向に所定ピッチで複数列並
列配置されたパターンに配置されている。Conventionally, the opening of the rectangular hole shadow mask is as follows.
As shown in FIG. 18, it is formed in a substantially rectangular shape with rounded corners. And this opening 10 is formed such that its longitudinal axis coincides with the vertical axis direction passing through the center of the shadow mask, and particularly in the vertical axis direction, a plurality of the apertures 10 are arranged via a narrow bridge portion 11. A vertical column including a plurality of apertures in the vertical axis direction is arranged in a pattern in which a plurality of rows are arranged in parallel at a predetermined pitch in the horizontal axis direction.
【0005】なお、このようなシャドウマスクについて
は、これと対向する蛍光体スクリーンの3色蛍光体層
は、垂直軸方向に延在するストライプ状の3色蛍光体層
で構成されている。[0005] In such a shadow mask, the three-color phosphor layer of the phosphor screen facing the shadow mask is constituted by a stripe-shaped three-color phosphor layer extending in the vertical axis direction.
【0006】従来、上述したパターンに配列された開孔
を有するシャドウマスクは、フォトエッチング法により
製造されている。すなわち、マスク素材板の両面に感光
剤を塗布して感光剤被膜を形成し、この両面の感光剤被
膜に、形成しようとする開孔に対応するパターンの形成
された一対のシャドウマスク焼付け用原版を密着して焼
付け(露光)、現像して、この一対のシャドウマスク焼
付け用原版のパターンに対応するレジストパターンを形
成する。その後、このレジストパターンの形成されたマ
スク素材板を両面からエッチングすることにより製造さ
れる。Conventionally, a shadow mask having openings arranged in the above-described pattern has been manufactured by a photoetching method. That is, a photosensitive agent film is formed by applying a photosensitive agent on both sides of a mask material plate, and a pair of masters for baking a shadow mask in which a pattern corresponding to an opening to be formed is formed on the photosensitive agent film on both sides. Are exposed to each other and developed to form a resist pattern corresponding to the pattern of the pair of original masks for shadow mask printing. Thereafter, the mask material plate on which the resist pattern is formed is manufactured by etching from both sides.
【0007】この方法により製造されるシャドウマスク
の開孔は、感光剤被膜にパターンを焼付ける一対のシャ
ドウマスク焼付け用原版のパターンを四隅部に丸みのな
い正確な矩形としても、製造されるシャドウマスクの開
孔は、焼付け現像後のだれやエッチング速度の相違など
により、図18に示したように、マスク素材板の一方の
面に四隅部に丸みをもつたほぼ矩形状の大孔13が形成さ
れ、他方の面にこの大孔13に連通して四隅部に丸みをも
つたほぼ矩形状の小孔14が形成され、これら大孔13と小
孔14とが連通する境界部に内側に張出した張出部15が形
成される。開孔10の寸法は、この張出部15により規定さ
れ、四隅部に丸みをもつたほぼ矩形状となる。The aperture of the shadow mask manufactured by this method can be used to form a shadow mask manufactured by printing a pattern on a photosensitive agent coating, even if the pattern of a pair of masters for printing a shadow mask is an accurate rectangle having no rounded corners. As shown in FIG. 18, a substantially rectangular large hole 13 with rounded corners at four corners is formed on one surface of the mask material plate due to dripping after baking development and a difference in etching rate. A substantially rectangular small hole 14 having rounded corners at four corners is formed on the other surface in communication with the large hole 13, and is formed inside a boundary portion where the large hole 13 and the small hole 14 communicate. An overhang 15 is formed. The size of the opening 10 is defined by the overhang portion 15, and has a substantially rectangular shape with rounded corners.
【0008】通常シャドウマスク4 は、上記小孔14を電
子銃側とし、大孔13を蛍光体スクリーン側としてパネル
内側に配置される。そのため、図19に示すように、蛍
光体スクリーン中央部の3色蛍光体層をランディングす
る電子ビーム7 は、破線で示すようにシャドウマスクの
中央部の開孔10をほぼ垂直に通過して蛍光体スクリーン
に達する。しかし蛍光体スクリーンの周辺部の3色蛍光
体層をランディングする電子ビーム7 は、大きく偏向さ
れ、実線で示すように開孔10を斜めに横切って蛍光体ス
クリーンに達するようになる。このように電子ビーム7
が開孔10を斜めに横切ると、その一部は、大孔13の開口
縁部(蛍光体スクリーン側の開口縁部)あるいは開孔10
の内壁に衝突して蛍光体スクリーンに到達せず、開孔10
の形状に対応して形成される3色蛍光体層上の発光領域
は、矩形とならず、欠けができ、輝度やホワイトユニフ
ォーミティが劣化する。また開孔10の内壁に衝突して反
射した電子ビームが他色蛍光体層を発光させて、色純度
やコントラストの劣化させるという問題がある。Normally, the shadow mask 4 is disposed inside the panel with the small holes 14 facing the electron gun and the large holes 13 facing the phosphor screen. Therefore, as shown in FIG. 19, the electron beam 7 landing on the three-color phosphor layer at the center of the phosphor screen passes through the opening 10 at the center of the shadow mask almost vertically as shown by a broken line, and Reach the body screen. However, the electron beam 7 landing on the three-color phosphor layer at the periphery of the phosphor screen is largely deflected, and crosses the opening 10 obliquely and reaches the phosphor screen as shown by the solid line. Thus the electron beam 7
Crosses the opening 10 at an angle, a part of the opening 10 becomes the opening edge of the large hole 13 (the opening edge on the phosphor screen side) or the opening 10.
Collides with the inner wall of the
The light-emitting area on the three-color phosphor layer formed in accordance with the shape of (3) is not rectangular, but can be chipped, and the luminance and white uniformity deteriorate. Further, there is a problem that the electron beam colliding with the inner wall of the aperture 10 and reflected causes the other color phosphor layer to emit light, thereby deteriorating color purity and contrast.
【0009】特に大孔13と小孔14との境界部に張出部15
をもつ形状の開孔10では、焼付け現像後のレジストのだ
れやエッチング速度の相違などにより、四隅部の丸みの
大きさが変化し、かつその開孔10の短辺部16と長辺部17
(図18参照)とで張出部15のシャドウマスクの板厚方
向の位置が異なるようになる。通常この張出部15の位置
は、短辺部の張出部が長辺部の張出部よりも蛍光体スク
リーン側(大孔13の開口縁側)となり、図20に示す展
開図で線18で示したように、一般的には短辺部と長辺部
との境界部である四隅部近傍にこれら張出部による段差
部ができる。つまり開孔10の四隅部には、長辺部の張出
部よりも蛍光体スクリーン側に位置する張出部が形成さ
れる。したがってこのような張出部をもつ開孔10を電子
ビームが斜めに横切ると、図21に開孔10とともに示す
ように、電子ビームは、開孔10の四隅部のうち、シャド
ウマスクの周辺部に近い外側の隅部でより大きく遮蔽さ
れ、3色蛍光体層上の発光領域20に大きな欠け21がで
き、輝度やホワイトユニフォーミティなどの劣化をいち
じるしくする。In particular, a projecting portion 15 is provided at the boundary between the large hole 13 and the small hole 14.
In the opening 10 having a shape with round holes, the roundness of the four corners changes due to dripping of the resist after baking development and a difference in etching rate, and the short side 16 and the long side 17
18 (see FIG. 18), the position of the overhang 15 in the thickness direction of the shadow mask is different. Usually, the position of the overhang 15 is such that the overhang of the short side is closer to the phosphor screen (the opening edge of the large hole 13) than the overhang of the long side, and the line 18 in the developed view shown in FIG. As shown in the above, generally, a stepped portion due to these overhangs is formed near the four corners, which is the boundary between the short side and the long side. That is, at the four corners of the opening 10, overhangs are formed which are located closer to the phosphor screen than overhangs at the long sides. Accordingly, when the electron beam obliquely crosses the opening 10 having such an overhang, as shown in FIG. 21 together with the opening 10, the electron beam is applied to the periphery of the shadow mask in the four corners of the opening 10. The light emitting region 20 on the three-color phosphor layer has a large notch 21 at the outer corner close to the three-color phosphor layer, thereby greatly deteriorating the luminance and the white uniformity.
【0010】このような問題は、特にパネルの曲率半径
を大きくして平面に近づけたフラットスクエア管の場合
に生じやすい。すなわち、一般にシャドウマスクの曲率
半径は、パネルの曲率半径が大きくなると、それに対応
して大きくなる。このように曲率半径が大きくなると、
シャドウマスクは、機械的強度が低下するため、その機
械的強度の低下を防止するためにシャドウマスクの板厚
を厚くする必要がある。したがって、このようなフラッ
トスクエア管のシャドウマスクについては、通常のカラ
ー受像管と同じ偏向角で偏向しても、電子ビームは、シ
ャドウマスクの開孔をより斜めに横切ることとなる。そ
のため、電子ビームは、開孔の蛍光体スクリーン側の開
孔縁部や開孔内壁に衝突しやすくなり、輝度やホワイト
ユニフォーミティなどの劣化をより一段といちじるしく
する。 [0010] Such a problem tends to occur particularly in the case of a flat square tube in which the radius of curvature of the panel is increased and the panel approaches a flat surface. That is, in general, the radius of curvature of the shadow mask increases correspondingly as the radius of curvature of the panel increases. When the radius of curvature increases,
Since the mechanical strength of the shadow mask decreases, it is necessary to increase the thickness of the shadow mask in order to prevent the mechanical strength from decreasing. Therefore, in such a flat square tube shadow mask, even if the electron beam is deflected at the same deflection angle as that of a normal color picture tube, the electron beam crosses the aperture of the shadow mask more obliquely. Therefore, the electron beam of the phosphor screen side of the aperture opening
It is easy to collide with the edge of the hole or the inner wall of the hole, and the deterioration of brightness, white uniformity, etc. is more marked
I do.
【0011】上記開孔10を斜めに横切る電子ビーム7 の
衝突に基づく発光領域20の欠け21を防止するために、従
来よりシャドウマスク中央部では、図22に示すよう
に、大孔13と小孔14の中心軸を一致させて開孔10を大孔
13の中心に形成し、水平軸方向の周辺部に近づくにした
がって、図23に示すように、小孔14に対して大孔13を
外側にずらし、また対角軸方向には、周辺部に近づくに
したがって、図24に示すように、小孔14に対して大孔
13を対角軸方向の外側にずらしたオフセンター形シャド
ウマスクが知られている。In order to prevent the chipping 21 of the light emitting region 20 due to the collision of the electron beam 7 obliquely crossing the opening 10, a large hole 13 and a small hole 13 are conventionally formed at the center of the shadow mask as shown in FIG. Open hole 10 with large hole by aligning the center axis of hole 14
As shown in FIG. 23, the large hole 13 is shifted outward with respect to the small hole 14 as it approaches the peripheral portion in the horizontal axis direction. As approaching, as shown in FIG.
An off-center shadow mask in which 13 is shifted outward in the diagonal axis direction is known.
【0012】しかし上記のように小孔14に対する大孔13
のずれ量を大きくすると、開孔形状が歪む。特に通常の
カラー受像管のパネルにくらべて曲率半径を大きくして
平面化したフラットスクエア管では、そのパネルに対応
してシャドウマスクの曲率半径も大きくなり、カラー受
像管の大形化とともにその機械的強度が大幅に低下する
ため、板厚の厚いシャドウマスクが使用される。その結
果、このようなシャドウマスクでは、図25に板厚t1
の通常のシャドウマスクに対して板厚t2 として示すよ
うに、通常のシャドウマスクでは衝突しない開孔を斜め
に横切る電子ビーム7 も衝突するようになる。また上記
斜めに横切る電子ビーム7 の経路方向から見える開孔の
幅が狭くなり、蛍光体層上の発光領域が小さくなって輝
度低下をおこす。このような電子ビーム7 の不所望な衝
突および輝度低下をなくすためには、開孔10に対する大
孔13のずれ量ΔWを大きくすればよいが、大孔13のずれ
量ΔWを大きくすると、張出部15の高さ位置が開孔10の
左右で異なりすぎて、開孔10の形状が一層歪むという問
題がおこる。However, as described above, the large hole 13 with respect to the small hole 14
When the amount of deviation is large, the shape of the opening is distorted. In particular, flat square tubes, which have a flattened radius of curvature larger than that of a normal color picture tube panel, have a larger radius of curvature of the shadow mask corresponding to the panel, and as the color picture tube becomes larger, Since the target strength is greatly reduced, a thick shadow mask is used. As a result, in such a shadow mask, as shown in FIG.
As shown by the plate thickness t2 with respect to the normal shadow mask, the electron beam 7 obliquely crosses the opening which does not collide with the normal shadow mask. Further, the width of the aperture viewed from the direction of the path of the electron beam 7 crossing obliquely becomes narrow, and the light emitting area on the phosphor layer becomes small, resulting in a decrease in luminance. In order to eliminate such an undesired collision of the electron beam 7 and a decrease in brightness, it is sufficient to increase the shift ΔW of the large hole 13 with respect to the opening 10. There is a problem that the height position of the protrusion 15 is too different between the left and right sides of the opening 10, and the shape of the opening 10 is further distorted.
【0013】上記ほぼ矩形状開孔をもつシャドウマスク
の問題点を解決する手段として、特公昭63−4933
6号公報には、図26に示すように、開孔10の四隅部の
丸みを軽減するために、大孔13および小孔14の四隅部を
外方に突出させて糸巻状としたシャドウマスクが示され
ている。特に同公報に記載の実施例には、開孔10の幅方
向における大孔13と小孔14との寸法差と、開孔10の長さ
方向における大孔13と小孔14との寸法差とを等しくした
ものが示されている。As means for solving the problem of the shadow mask having a substantially rectangular opening, Japanese Patent Publication No. 63-4933 is known.
No. 6, as shown in FIG. 26, in order to reduce the roundness of the four corners of the opening 10, the four corners of the large hole 13 and the small hole 14 are projected outward to form a pin-shaped shadow mask. It is shown. Particularly, in the embodiment described in the publication, the dimensional difference between the large hole 13 and the small hole 14 in the width direction of the opening 10 and the dimensional difference between the large hole 13 and the small hole 14 in the length direction of the opening 10 are described. Are shown equal.
【0014】しかし、このようなシャドウマスクにおい
て、開孔10の幅方向の大孔13での電子ビーム7の遮蔽を
防止するためには、大孔13の開口縁(蛍光体スクリーン
側開口縁)でのブリッジ部15の幅寸法wHを大きくしなけ
ればならず、結果として張出部15での実質的なブリッジ
部11の幅寸法wBが大きくなり、輝度低下をまねく。逆に
ブリッジ部11の実質的な幅寸法wBを小さくするために
は、大孔13の開口縁でのブリッジ部11の幅寸法wHを小さ
くしなければならず、その結果、大孔13の開口縁部また
は張出部15での電子ビーム7の遮蔽が大きくなり、輝度
およびホワイトユニフォーミティの劣化をまねくことと
なる。また、このようなシャドウマスクにおいて、図2
7に示すように、開孔10の幅方向における大孔13と小孔
14との寸法差が開孔10の長さ方向における大孔13と小孔
14との寸法差より大きい一般的なシャドウマスクと類似
の構造にすると、前記したように短辺部16と長辺部17と
の境界部である四隅部に、短辺部16の張出部15と長辺部
17の張出部15とで形成されるきわめて大きな段差部がで
きる(図15参照)。この場合、開孔10の形状は、真上
から見て矩形であっても、この開孔10を斜めに横切る電
子ビーム7は、開孔10の隅部のうち、シャドウマスク外
周部方向の外側の隅部の段差部で遮蔽され、3色蛍光体
層上の発光領域に欠けができ、結果として輝度やホワイ
トユニフォーミティなどの劣化をまねく。However, in such a shadow mask, in order to prevent the electron beam 7 from being blocked by the large hole 13 in the width direction of the opening 10, the opening edge of the large hole 13 (the opening edge on the phosphor screen side). In this case, the width wH of the bridge 15 must be increased, and as a result, the substantial width wB of the bridge 11 at the overhang 15 increases, leading to a reduction in luminance. Conversely, in order to reduce the substantial width dimension wB of the bridge portion 11, the width dimension wH of the bridge portion 11 at the opening edge of the large hole 13 must be reduced. The shielding of the electron beam 7 at the edge portion or the overhang portion 15 becomes large, which leads to deterioration of luminance and white uniformity. In such a shadow mask, FIG.
As shown in FIG. 7, a large hole 13 and a small hole in the width direction of the opening 10 are provided.
The large hole 13 and the small hole in the length direction of the opening 10 are different from the size of the hole 14.
When a structure similar to a general shadow mask larger than the dimensional difference from 14 is used, as described above, at the four corners that are the boundary between the short side 16 and the long side 17, the overhang of the short side 16 is provided. 15 and the long side
An extremely large step formed by the overhang 15 of the 17 is formed (see FIG. 15). In this case, even if the shape of the opening 10 is rectangular when viewed from directly above, the electron beam 7 obliquely crossing the opening 10 is one of the corners of the opening 10 outside the shadow mask outer peripheral direction. And the light emitting area on the three-color phosphor layer is chipped, resulting in deterioration of luminance and white uniformity.
【0015】また、特開平1−175148号公報に
は、図28に示すように、大孔13の隅部を外側に膨出さ
せて、開孔10の隅部での電子ビームの遮蔽を防止するよ
うにしたシャドウマスクが示されている。しかし、この
ようなシャドウマスクは、上記特公昭63−49336
号公報のシャドウマスクと大孔13の形状が異なるのみ
で、基本的には図26に示したシャドウマスクと同じで
あり、同様の問題を生ずる。また、実開昭50−122
553号公報には、開孔の短辺中央部を内側に膨出させ
て、拡散による電子ビームの端部の丸み(蛍光体層上の
発光領域の隅部の欠け)を消し、電子ビームの形状を矩
形にするようにしたシャドウマスクが示されている。し
かし、このようなシャドウマスクの場合、大孔および小
孔の各開口縁に所定の幅寸法のブリッジ部を残存させ
て、所定の開孔を形成しようとすると、ブリッジ部の幅
寸法がいちじるしく太くなり、輝度低下をまねく。逆に
その輝度低下を防止しようとすると、ブリッジ部の幅寸
法がいちじるしく細くなり、そのブリッジ部を介して配
列された複数個の開孔からなる垂直列方向の機械的強度
が低下する。そのため、シャドウマスクを所定形状にプ
レス成形するときに、局部的な伸びや変形が発生して、
所望のシャドウマスクが得られなくなる。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-175148, as shown in FIG. 28, the corner of the large hole 13 is bulged outward to prevent the electron beam from being blocked at the corner of the opening 10. A shadow mask is shown. However, such a shadow mask is disclosed in JP-B-63-49336.
26 is basically the same as the shadow mask shown in FIG. 26 except that the shape of the large hole 13 is different from that of the shadow mask of the publication, and the same problem occurs. In addition, 50-122
No. 553 discloses that the central portion of the short side of the opening is bulged inward to eliminate the roundness of the end of the electron beam due to diffusion (the chipping of the corner of the light emitting region on the phosphor layer), A shadow mask having a rectangular shape is shown. However, in the case of such a shadow mask, when the bridge portion having a predetermined width is left at each opening edge of the large hole and the small hole to form a predetermined opening, the width of the bridge portion is extremely large. And lowers the brightness. Conversely, if an attempt is made to prevent such a decrease in luminance, the width of the bridge portion becomes extremely thin, and the mechanical strength in the vertical column direction comprising a plurality of apertures arranged via the bridge portion decreases. Therefore, when the shadow mask is press-formed into a predetermined shape, local elongation or deformation occurs,
A desired shadow mask cannot be obtained.
【0016】さらに、特開平1−320738号公報に
は、図29に示すように、大孔13をほぼ矩形状とし、シ
ャドウマスクの外周部に近い小孔の外側の隅部を外方に
膨出させて、開孔10の外側の隅部を外方に膨出させるこ
とにより、上記開孔10を斜めに横切る電子ビームの大孔
13の開口縁部や開孔内壁での衝突を防止して、3色蛍光
体層上の発光領域の欠けを防止しようとしたシャドウマ
スクが示されている。さらにこのような開孔10を形成す
るシャドウマスク焼付け用原版のパターンとして、特開
平2−86027号公報には、図30に示すように、小
孔に対応するパターンを多重露光により、矩形の主パタ
ーン23と矩形の補助パターン24とで構成したものが示さ
れている。Further, as shown in FIG. 29, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-320736, the large hole 13 is made substantially rectangular, and the outer corner of the small hole near the outer periphery of the shadow mask is expanded outward. And bulging the outer corners of the opening 10 outward, thereby forming a large hole of the electron beam obliquely crossing the opening 10.
13 shows a shadow mask which is designed to prevent collision at the edge of the opening of 13 or on the inner wall of the opening to prevent chipping of the light emitting area on the three-color phosphor layer. Further, as a pattern of an original mask for baking a shadow mask for forming such openings 10, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-86027 discloses a pattern corresponding to a small hole by multiple exposure as shown in FIG. A pattern composed of a pattern 23 and a rectangular auxiliary pattern 24 is shown.
【0017】このようなシャドウマスクは、発光領域の
欠けによるホワイトユニフォーミティの劣化について
は、かなり改善できるが、開孔10の隅部の丸みを小さく
することができず、結果として輝度を十分に改善するこ
とができない。また電子ビームのランディング余裕度が
小さい蛍光体スクリーンの周辺部で、上記開孔10の膨出
部分を通過する電子ビームが他色蛍光体層をランディン
グして、色純度を低下させやすい。Such a shadow mask can considerably reduce the deterioration of the white uniformity due to the lack of the light-emitting area, but cannot reduce the roundness of the corners of the opening 10 and, as a result, sufficiently increase the luminance. Can't improve. Further, at the peripheral portion of the phosphor screen having a small electron beam landing margin, the electron beam passing through the bulging portion of the opening 10 lands on the phosphor layer of another color, so that the color purity is easily reduced.
【0018】さらにまた、特開平2−40840号公報
には、図31に示すように、小孔14の四隅部を外方に膨
出させるとともに、小孔14の短辺部26の内壁を傾斜させ
ることにより、開孔10の四隅部の丸みを小さくするよう
にしたシャドウマスクが示されている。しかし、このよ
うなシャドウマスクは、開孔10の短辺部27が円弧状とな
って直線性部が失われる。その結果、開孔面積が減少
し、十分な輝度が得られなくなる。また大孔13が通常の
ほぼ矩形状開孔の場合と同じであるため、開孔10の四隅
部を外方に膨出させにくいなどの問題がある。Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-40840 discloses that, as shown in FIG. 31, the four corners of the small hole 14 are bulged outward and the inner wall of the short side portion 26 of the small hole 14 is inclined. By doing so, a shadow mask is shown in which the roundness of the four corners of the opening 10 is reduced. However, in such a shadow mask, the short side portion 27 of the opening 10 has an arc shape, and the linearity portion is lost. As a result, the aperture area decreases and sufficient luminance cannot be obtained. Further, since the large hole 13 is the same as a normal substantially rectangular opening, there is a problem that it is difficult for the four corners of the opening 10 to bulge outward.
【0019】また、特開昭55−159545号公報に
は、図32(a)に示すように、開孔10の四隅部を外方
に膨出させるため、同(b)に示すように、シャドウマ
スク焼付け用原版のパターンをI字状にしたものが示さ
れている。このような原版を用いて形成されるシャドウ
マスクの開孔10は、外側隅部が外側に膨出することによ
り、開孔10を斜めに横切る電子ビームの衝突に基づくホ
ワイトユニフォーミティの劣化については、ある程度改
善できる。しかし大孔をほぼ矩形状として、小孔の隅部
を外側に膨出させて開孔10を形成するため、開孔10の四
隅部の丸みを小さくすることができず、輝度の低下を十
分に改善することができない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-159545 discloses that, as shown in FIG. 32A, the four corners of the opening 10 bulge outward, as shown in FIG. An I-shaped pattern of the master for shadow mask printing is shown. The opening 10 of the shadow mask formed by using such an original plate has an outer corner bulging outward, so that the deterioration of the white uniformity due to the collision of the electron beam obliquely across the opening 10 is described. Can be improved to some extent. However, since the large hole is substantially rectangular, the corners of the small hole are bulged outward to form the opening 10, so that the roundness of the four corners of the opening 10 cannot be reduced, and the reduction in luminance is sufficiently reduced. Can not be improved.
【0020】さらに、特開昭56−156636号公報
には、開孔の四隅部の丸みを小さくするため、図33に
示すように、シャドウマスク焼付け用原版のパターン28
を数十ミクロン鋭角に突出した突出部29をもつ形状にし
たものが示されている。このような原版を用いて形成さ
れるシャドウマスクの開孔は、四隅部の丸みが小さい矩
形状とすることはできる。しかし開孔を斜めに横切る電
子ビームが衝突しやすい外側隅部に膨出が形成されな
い。そのため、この開孔では、発光領域の欠けを防止す
ることができず、ホワイトユニフォーミティの劣化がお
こる。Further, in order to reduce the roundness of the four corners of the opening, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-156636 discloses a pattern 28 of an original mask for printing a shadow mask as shown in FIG.
Was in a shape having a protruding portion 29 that protrudes in tens of microns acute
Is shown thing was. Such apertures of the shadow mask formed by using the precursor can be a roundness of the four corners is small rectangular shape. However, no bulge is formed at the outer corner where an electron beam obliquely crossing the opening is likely to collide. Therefore, in this opening, it is not possible to prevent the light emitting region from being chipped, and the white uniformity is deteriorated.
【0021】[0021]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ほぼ矩
形状の開孔を有し、この矩形状の開孔の長手軸がシャド
ウマスクの中心を通る垂直軸方向と一致するように形成
され、特に垂直軸方向には、狭幅のブリッジ部を介して
複数配置され、その垂直軸方向の複数の開孔からなる垂
直列を水平軸方向に所定ピッチで複数列並列配置された
矩形状開孔を有するシャドウマスクは、その開孔を通っ
て3色蛍光体層をランディングする電子ビームが偏向の
増大にともなって開孔を斜めに横切るため、開孔を通る
電子ビームの一部が蛍光体スクリーン側開孔縁や開孔内
壁に衝突して蛍光体スクリーンに到達せず、発光領域に
欠けができ、輝度やホワイトユニフォーミティを劣化さ
せる。また開孔内壁に衝突して反射した電子ビームが他
色蛍光体層を発光させ、色純度やコントラストの劣化さ
せるなどの問題がある。As described above, a substantially rectangular opening is formed, and the longitudinal axis of the rectangular opening is formed so as to coincide with the direction of a vertical axis passing through the center of the shadow mask. In particular, in the vertical axis direction, a plurality of rectangular openings are arranged through a narrow bridge portion, and a plurality of vertical columns formed of a plurality of openings in the vertical axis direction are arranged in parallel at a predetermined pitch in the horizontal axis direction. In a shadow mask having holes, an electron beam landing on the three-color phosphor layer through the opening obliquely crosses the opening with an increase in deflection. The light does not reach the phosphor screen by colliding with the opening edge on the screen side or the inner wall of the opening, resulting in chipping of the light emitting area, deteriorating luminance and white uniformity. There is also a problem that the electron beam colliding with the inner wall of the aperture and reflected causes the other color phosphor layer to emit light, thereby deteriorating color purity and contrast.
【0022】このような問題を解決するため、特公昭6
3−49336号公報、特開平1−175148号公
報、実開昭50−122553号公報、特開平1−32
0738号公報、特開平2−40840号公報などに
は、矩形状の開孔の隅部を外方に膨出させたシャドウマ
スクが示されている。また特開平2−86027号公
報、特開昭55−159545号公報、特開昭56−1
56636号公報などには、その隅部が外方に膨出した
矩形状の開孔を製造するためのシャドウマスク焼付け用
原版が示されている。In order to solve such a problem, Japanese Patent Publication No. Sho 6
JP-A-3-49336, JP-A-1-175148, JP-A-50-122553, JP-A-1-32
JP-A-0738 and JP-A-2-40840 disclose shadow masks in which the corners of a rectangular opening are bulged outward. JP-A-2-86027, JP-A-55-159545, and JP-A-56-1
No. 56636 discloses a master for baking a shadow mask for producing a rectangular opening whose corners bulge outward.
【0023】しかし、上記矩形状の開孔の隅部を外方に
膨出させたシャドウマスクおよびシャドウマスク焼付け
用原版を用いて製造されるシャドウマスクは、いずれも
輝度、ホワイトユニフォーミティなどをある程度改善で
きるが、十分に改善することができないという問題があ
る。However, the shadow mask in which the corners of the rectangular opening are bulged outward and the shadow mask manufactured by using the original mask for baking the mask have a certain degree of luminance, white uniformity, and the like. There is a problem that it can be improved but cannot be sufficiently improved.
【0024】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、電子ビームが偏向の増大にともなってシャ
ドウマスクのほぼ矩形状の開孔を斜めに横切るために、
その電子ビームの一部が開孔の蛍光体スクリーン側の開
口縁部や開孔内壁に衝突し、蛍光体スクリーンに到達し
ないために生ずる輝度やホワイトユニフォーミティの劣
化を防止するシャドウマスク、シャドウマスク焼付け用
原版およびこのシャドウマスク焼付け用原版の製造方法
を得ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and since the electron beam obliquely crosses a substantially rectangular opening of the shadow mask with an increase in deflection,
A part of the electron beam collides with the opening edge of the aperture on the phosphor screen side or the inner wall of the aperture, and a shadow mask or shadow mask that prevents deterioration of brightness and white uniformity caused by not reaching the phosphor screen. An object of the present invention is to obtain a printing master and a method of manufacturing the shadow mask printing master.
【0025】[0025]
【課題を解決するための手段】ほぼ矩形状に形成され、
中心を通る垂直軸および中心を通る水平軸を有し、所定
のパターンに配列された多数のほぼ矩形状開孔を有する
シャドウマスクにおいて、その開孔の各々が垂直軸とほ
ぼ平行な長手軸を有し、これら開孔が複数の開孔を垂直
軸と平行に並べてなる垂直列を水平軸方向に所定のピッ
チで複数並んで形成されるように配列し、各垂直列内の
隣合う開孔をブリッジ部により垂直方向に離間し、垂直
軸上の開孔以外の開孔が垂直軸から離間した一対の外側
隅部と、垂直軸側に位置した一対の内側隅部と、その外
側隅部からそれぞれ水平軸方向外方へ膨出した一対の膨
出部とを有し、この膨出部が垂直軸から離間した開孔ほ
ど徐々に膨出量が大きくなるように形成した。Means for Solving the Problems: It is formed in a substantially rectangular shape,
In a shadow mask having a vertical axis passing through the center and a horizontal axis passing through the center, and having a large number of substantially rectangular openings arranged in a predetermined pattern, each of the openings defines a longitudinal axis substantially parallel to the vertical axis. These openings are arranged so that a plurality of vertical rows formed by arranging a plurality of openings parallel to the vertical axis are formed in a plurality at a predetermined pitch in the horizontal axis direction, and adjacent openings in each vertical row are formed. Are vertically separated by a bridge portion, a pair of outer corners in which openings other than the opening on the vertical axis are separated from the vertical axis, a pair of inner corners located on the vertical axis side, and the outer corners And a pair of swelling portions swelling outward in the horizontal axis direction, respectively, and the swelling portion is formed so that the swelling amount gradually increases as the opening is further away from the vertical axis.
【0026】また、上記シャドウマスクにおいて、各開
孔はブリッジ部により規定された両端縁を有し、この両
端縁が水平軸方向に延び、この両端縁が開孔の中心部に
おける水平軸方向の幅よりも長い直線状とした。In the above-mentioned shadow mask, each opening has both end edges defined by a bridge portion, and both end edges extend in the horizontal axis direction, and both end edges extend in the horizontal axis direction at the center of the opening. It was a straight line longer than the width.
【0027】また、ほぼ矩形状に形成され、中心を通る
垂直軸および中心を通る水平軸を有し、所定のパターン
に配列された多数のほぼ矩形状開孔を有するシャドウマ
スクにおいて、その開孔の各々が垂直軸とほぼ平行な長
手軸を有し、これら開孔が複数の開孔を垂直軸と平行に
並べてなる垂直列を水平軸方向に所定のピッチで複数並
んで形成されるように配列し、各垂直列内の隣合う開孔
をブリッジ部により垂直軸方向に離間し、垂直軸上の各
開孔が四隅部から水平軸方向外方へ膨出した膨出部を有
して上下左右対称形状に形成され、垂直軸上の開孔以外
の開孔が垂直軸から離間した一対の外側隅部と、垂直軸
側に位置した一対の内側隅部と、外側隅部からそれぞれ
水平軸方向外方へ膨出した一対の第1の膨出部と、内側
隅部からそれぞれ水平軸方向外方へ膨出した一対の第2
の膨出部とを有し、第1の膨出部を垂直軸から離間した
開孔ほど徐々に膨出量が大きくなるように形成し、第2
の膨出部を垂直軸から離間した開孔ほど徐々に膨出量が
小さくなるように形成した。Further, in a shadow mask which is formed in a substantially rectangular shape, has a vertical axis passing through the center and a horizontal axis passing through the center, and has a large number of substantially rectangular openings arranged in a predetermined pattern. Each has a longitudinal axis substantially parallel to the vertical axis, and these apertures are formed by arranging a plurality of vertical rows formed by arranging a plurality of apertures parallel to the vertical axis at a predetermined pitch in the horizontal axis direction. Arrange, adjacent holes in each vertical row are separated in the vertical axis direction by a bridge portion, and each hole on the vertical axis has a bulging portion bulging outward from the four corners in the horizontal axis direction. A pair of outer corners formed vertically and horizontally symmetrically, with openings other than the opening on the vertical axis separated from the vertical axis, a pair of inner corners located on the vertical axis side, and horizontal from the outer corner respectively A pair of first bulging parts bulging outward in the axial direction, and a pair of first bulging parts, Second pair of bulges into Flat Shaft outward
The first bulging portion is formed such that the bulging amount gradually increases as the opening is more distant from the vertical axis.
The swelling portion was formed such that the swelling amount gradually decreased as the opening distanced from the vertical axis.
【0028】さらに、複数のほぼ矩形状の開孔がブリッ
ジ部により垂直軸方向に離間して並べられてなる垂直列
が、水平軸方向に所定のピッチで複数並んで形成されて
なるシャドウマスクであり、その複数の各開孔がシャド
ウマスクの一方の面に開口した大孔とシャドウマスクの
他方の面に開口した小孔とを有するシャドウマスクの製
造に用いられるマスク素材板の表面に大孔および小孔に
対応するパターンを焼付けるためのシャドウマスク焼付
け用原版において、その大孔に対応する多数の大孔パタ
ーンを有し、マスク素材板の一方の面に対設される大孔
原版と、小孔に対応する多数の小孔パターンを有し、マ
スク素材板の他方の面に対設される小孔原版とからな
り、その大孔パターンおよび小孔パターンがそれぞれ矩
形状の主パターンと、この主パターンの隅部から外方に
突出した矩形状の突出パターンとを有するものとした。Further, a shadow mask is formed by forming a plurality of vertical rows in which a plurality of substantially rectangular apertures are spaced apart in the vertical axis direction by a bridge portion and arranged at a predetermined pitch in the horizontal axis direction. There is a large hole in the surface of a mask material plate used for manufacturing a shadow mask having a plurality of holes each having a large hole opened on one surface of the shadow mask and a small hole opened on the other surface of the shadow mask. And a shadow mask baking master for baking a pattern corresponding to the small holes, having a large number of large hole patterns corresponding to the large holes, and a large hole original plate opposed to one surface of the mask material plate. Having a large number of small hole patterns corresponding to the small holes, and consisting of a small hole master opposed to the other surface of the mask material plate, the large hole pattern and the small hole pattern each having a rectangular main pattern. It was assumed to have a rectangular protrusion patterns protruding outward from the corners of the main pattern.
【0029】さらにまた、座標位置に応じて平面形状の
異なるほぼ矩形状の複数の開孔を有し、この複数の各開
孔がシャドウマスクの一方の面に開口した大孔とシャド
ウマスクの他方の面に開口した小孔とを有するシャドウ
マスクの製造に用いられるマスク素材板の表面に大孔お
よび小孔に対応するパターンを焼付けるためのシャドウ
マスク焼付け用原版であり、その大孔パターンおよび小
孔パターンがそれぞれ矩形状の主パターンと、この主パ
ターンの隅部から外方に突出した矩形状の突出パターン
とを有するシャドウマスク焼付け用原版の製造方法にお
いて、ネガ原版に矩形状の主パターンを露光する工程
と、この主パターンの隅部に外方に突出した矩形状の突
出パターンを多重露光して主パターンに合成する工程と
を備え、かつこの合成する工程がネガ原版の座標位置に
応じて突出パターンの幅、突出長さ、突出角度および主
パターンに対する突出位置を変化させる工程を含むよう
にした。Furthermore, a plurality of substantially rectangular openings having different plane shapes depending on the coordinate position are provided, each of the plurality of openings being open on one surface of the shadow mask and the other of the shadow mask. A mask for baking a pattern corresponding to large holes and small holes on the surface of a mask material plate used for manufacturing a shadow mask having small holes opened on the surface of the mask, and a large hole pattern and In a method for manufacturing a shadow mask printing master having a rectangular main pattern having a small hole pattern and a rectangular protrusion pattern protruding outward from a corner of the main pattern, a rectangular main pattern is formed on a negative master. And a step of multiple-exposing a rectangular projecting pattern projecting outward at the corners of the main pattern and synthesizing it into a main pattern. The step of is to include the width of the protrusion pattern according to the coordinate position of the negative original, protruding length, the projecting angle and the step of changing the protruding position relative to the main pattern.
【0030】[0030]
【作用】上記のように、垂直軸上の開孔以外の開孔の垂
直軸から離間した一対の外側隅部に水平軸方向の外方へ
膨出した一対の膨出部を設け、その膨出部を垂直軸から
離間した開孔ほど徐々に大きくなるようにすると、偏向
の増大にともなって開孔を斜めに横切る電子ビームの経
路方向から開孔を眺めたときの開孔の形状をほぼ正しい
矩形状とすることができる。それにより、従来開孔を斜
めに横切る電子ビームの一部が蛍光体スクリーン側開口
縁部や開孔内壁に衝突して蛍光体スクリーンに到達しな
いために生じた蛍光体層上の発光領域の欠けをなくすこ
とができ、従来の矩形孔シャドウマスクの輝度およびホ
ワイトユニフォーミティの劣化をなくすことができる。As described above, a pair of bulging portions bulging outward in the horizontal axis direction are provided at a pair of outer corners apart from the vertical axis of the hole other than the hole on the vertical axis. If the opening is made gradually larger as the opening is more distant from the vertical axis, the shape of the opening when the opening is viewed from the direction of the electron beam path obliquely crossing the opening will increase with the increase in deflection. The shape can be a correct rectangle. As a result, a portion of the electron beam that crosses the opening diagonally hits the opening edge of the phosphor screen side or the inner wall of the opening and does not reach the phosphor screen. Can be eliminated, and deterioration of the brightness and white uniformity of the conventional rectangular hole shadow mask can be eliminated.
【0031】特に開孔の水平軸方向に延びる両端縁が開
孔の中心部における水平軸方向の幅よりも長い直線状と
したシャドウマスクについては、偏向の増大にともなっ
て開孔を斜めに横切る電子ビームの経路方向から開孔を
眺めたときの開孔形状をより正しい所望の矩形状とする
ことができる。Particularly, in the case of a shadow mask in which both edges extending in the horizontal axis direction of the opening are linear and longer than the width in the horizontal axis direction at the center of the opening, the shadow diagonally crosses the opening as the deflection increases. The shape of the opening when the opening is viewed from the path direction of the electron beam can be made a more correct desired rectangular shape.
【0032】また、垂直軸上の開孔を四隅部から水平軸
方向外方へ膨出した膨出部を有する上下左右対称形状と
し、垂直軸上の開孔以外の開孔の垂直軸から離間した一
対の外側隅部に水平軸方向の外方へ膨出した一対の第1
の膨出部を設け、垂直軸側に位置した一対の内側隅部に
水平軸方向の外方へ膨出した一対の第2の膨出部を設
け、その第1の膨出部の膨出量を垂直軸から離間した開
孔ほど大きくし、第2の膨出部の膨出量を垂直軸から離
間した開孔ほど徐々に小さくすると、偏向の増大にとも
なって開孔を斜めに横切る電子ビームの経路方向から眺
めたときの開孔形状をほぼ正しい矩形状として、従来開
孔を斜めに横切る電子ビームの一部が蛍光体スクリーン
側開口縁部や開孔内壁に衝突して蛍光体スクリーンに到
達しないために生じた蛍光体層上の発光領域の欠けをな
くすことができ、従来の矩形孔シャドウマスクの輝度お
よびホワイトユニフォーミティの劣化をなくすことがで
きる。しかも蛍光体スクリーンの中央部は周辺部にくら
べて蛍光体層に対する電子ビームのランディング余裕度
が大きいので、垂直軸上の開孔を四隅部が左右に膨出し
た上下左右対称形状としたことにより、色ずれを生ずる
ことなく蛍光体スクリーンの中央部の輝度を向上させる
ことができる。The openings on the vertical axis are symmetrical in the vertical and horizontal directions having bulging portions bulging outward from the four corners in the horizontal axis direction, and are separated from the vertical axis of the openings other than the openings on the vertical axis. A pair of first bulging outwards in the horizontal axis direction at a pair of outer corners
And a pair of second bulges bulging outward in the horizontal axis direction are provided at a pair of inner corners located on the vertical axis side, and the bulge of the first bulge is provided. If the amount of the second bulge is gradually increased as the aperture becomes more distant from the vertical axis, the amount of electrons that crosses the aperture diagonally as the deflection increases. The shape of the aperture when viewed from the beam path direction is almost a rectangular shape, and a part of the electron beam obliquely crossing the conventional aperture hits the opening edge of the phosphor screen side or the inner wall of the aperture and the phosphor screen Of the light-emitting region on the phosphor layer, which is caused by not reaching the pixel, and the deterioration of the luminance and the white uniformity of the conventional rectangular hole shadow mask can be eliminated. In addition, the central part of the phosphor screen has a larger landing margin of the electron beam with respect to the phosphor layer than the peripheral part, so the aperture on the vertical axis is made up and down and left and right symmetrical with four corners bulging left and right. In addition, the luminance at the center of the phosphor screen can be improved without causing color shift.
【0033】さらに、シャドウマスク焼付け用原版にお
いて、その大孔パターンおよび小孔パターンを矩形状の
主パターンとその主パターンの隅部から外方に突出した
矩形状の突出パターンとで構成すると、シャドウマスク
の開孔の隅部を所望量膨出させることができ、このシャ
ドウマスクを成形してカラー受像管に組込むことによ
り、蛍光体スクリーンの全域にわたり発光領域を欠けの
ないほぼ矩形状とすることができる。Further, in the original mask for baking a shadow mask, when the large hole pattern and the small hole pattern are composed of a rectangular main pattern and a rectangular protruding pattern which protrudes outward from a corner of the main pattern, the shadow is reduced. A desired amount of the corners of the opening of the mask can be bulged. By shaping this shadow mask and incorporating it into a color picture tube, the light-emitting area can be made substantially rectangular without chipping over the entire area of the phosphor screen. Can be.
【0034】さらにまた、矩形主パターンとこの主パタ
ーンの隅部から外方に矩形状に突出する突出パターンと
を多重露光により合成すると、容易に所要形状のパター
ンとすることができる。Furthermore, when a rectangular main pattern and a protruding pattern which protrudes outward from a corner of the main pattern in a rectangular shape are synthesized by multiple exposure, a pattern having a required shape can be easily obtained.
【0035】[0035]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings based on embodiments.
【0036】図4にその一実施例である矩形孔シャドウ
マスクの開孔の配列パターンを示す。このシャドウマス
クは、正面から見た場合に矩形状に形成され、シャドウ
マスクの中心を通る垂直軸(Y軸)および水平軸(X
軸)を有している。このシャドウマスクは、ほぼ矩形状
開孔30を多数有し、これら開孔30の長手軸がシャドウマ
スクの垂直軸方向と一致するように形成されている。ま
た開孔30は、シャドウマスクの垂直軸に狭幅のブリッジ
部31を介して複数配置され、その垂直軸方向の開孔の垂
直列32がシャドウマスクの水平軸方向に所定ピッチで複
数列並列配置されたパターンに形成されている。FIG. 4 shows an arrangement pattern of apertures of a rectangular aperture shadow mask according to one embodiment. The shadow mask is formed in a rectangular shape when viewed from the front, and has a vertical axis (Y axis) and a horizontal axis (X axis) passing through the center of the shadow mask.
Axis). This shadow mask has a large number of substantially rectangular openings 30, and the longitudinal axes of these openings 30 are formed so as to coincide with the vertical axis direction of the shadow mask. A plurality of apertures 30 are arranged on the vertical axis of the shadow mask via a bridge portion 31 having a narrow width, and a plurality of vertical rows 32 of apertures in the vertical axis direction are arranged in parallel at a predetermined pitch in the horizontal axis direction of the shadow mask. It is formed in an arranged pattern.
【0037】このシャドウマスクの開孔30は、フォトエ
ッチング法により形成され、カラー受像管に組込んだと
き、蛍光体スクリーンと対向する面に開口した大孔と、
反対の電子銃側の面に開口した小孔とを有し、その大孔
と小孔とが合致した境界部に開孔30の寸法、形状を規定
する内側に張出した張出部をもつ形状に形成されてい
る。The opening 30 of the shadow mask is formed by a photo-etching method, and when incorporated in a color picture tube, a large opening is formed on the surface facing the phosphor screen.
A shape with a small hole opened on the surface on the side opposite to the electron gun, and with an overhanging portion that protrudes inward defining the size and shape of the opening 30 at the boundary where the large hole and the small hole match Is formed.
【0038】上記開孔30の平面形状は、シャドウマスク
上の座標位置により異なる。図1に示すように、x=0
のシャドウマスク中心を通る垂直軸およびその近傍の開
孔30については、大孔34の四隅部36L および小孔35の四
隅部36S がほぼ同一量左右外方に膨出している。それに
ともなって開孔30の四隅部36も左右外方に膨出し、左右
外方に膨出したほぼ同一量の膨出部37を有する上下左右
対称の形状に形成されている。The planar shape of the opening 30 differs depending on the coordinate position on the shadow mask. As shown in FIG.
Regarding the vertical axis passing through the center of the shadow mask and the opening 30 near the vertical axis, the four corners 36L of the large hole 34 and the four corners 36S of the small hole 35 bulge outward by the same amount to the left and right. Accordingly, the four corners 36 of the opening 30 also bulge left and right, and are formed in a vertically symmetrical shape having substantially the same amount of bulges 37 bulging left and right.
【0039】また、シャドウマスクの水平軸上では、x
=0のシャドウマスクの中心から外周部に近づくにした
がって、大孔34のシャドウマスク外周部側の2つの隅部
36Lおよび小孔35のシャドウマスク外周部側の2つの隅
部36S、すなわち外側の各隅部36L,36Sの左右外方への
膨出量が増大している。それにともなって開孔30は、外
側の隅部36に左右外方にほぼ同一大きさ膨出した上下一
対の膨出部37を有し、これら膨出部37がシャドウマスク
の外周部に近い開孔30ほど、膨出量が大きくなるように
形成されている。また大孔34および小孔35のシャドウマ
スク中心側の2つの隅部36L,36S、すなわち内側の隅部
36L,36Sの膨出量は、シャドウマスクの中心で最大とな
るように設定され、シャドウマスクの外周部に向かう開
孔30ほど、次第に小さくなるように形成され、シャドウ
マスクの中心から最も離間した最外周部の開孔30では、
図2に示すように、その内側の隅部36の膨出がほとんど
ない状態にまで減少した上下対称左右非対称の形状に形
成されている。On the horizontal axis of the shadow mask , x
= 0, the two corners of the large hole 34 on the shadow mask outer peripheral side as approaching the outer peripheral portion from the center of the shadow mask.
The bulging amounts of the two corners 36S on the outer peripheral side of the shadow mask 36L and the small holes 35, that is, the outer corners 36L and 36S to the left and right are increased. Along with this, the opening 30 has a pair of upper and lower bulges 37 bulging out to the left and right at substantially the same size at the outer corners 36, and these bulges 37 are close to the outer periphery of the shadow mask. The hole 30 is formed such that the swelling amount increases as the hole 30 increases. The two corners 36L and 36S of the large hole 34 and the small hole 35 on the center side of the shadow mask, ie, the inner corners
The swelling of 36L and 36S is maximum at the center of the shadow mask.
To the outer periphery of the shadow mask.
Hole 30 is formed so that it becomes smaller gradually, shadow
In the outermost opening 30 farthest from the center of the mask,
As shown in FIG. 2, the bulging of the inner corner 36 is almost
It is formed in an up-down symmetric left-right asymmetrical shape that has been reduced to a state where there is no such thing.
【0040】さらに、中間軸上たとえば対角軸(D軸)
(図4参照)上では、x=0のシャドウマスクの中心か
ら外周部に近い開孔30ほど、大孔34および小孔35の外側
の隅部36L,36Sのうち、シャドウマスクの中心から遠い
側、すなわちシャドウマスクの垂直軸から遠い外側の隅
部36La,36Lb,36Sa,36Sbのうち、水平軸から遠い外側
の隅部36La,36Saがシャドウマスクの水平軸に近い外側
の隅部36Lb,36Sbより外方に大きく膨出している。それ
にともなって開孔30の外側の隅部36のうち、シャドウマ
スクの中心から遠い外側の隅部36は、近い外側の隅部36
より外方に大きく膨出しており、開孔30の外側隅部に
は、上下一対の膨出部37が形成されている。また大孔34
および小孔35のシャドウマスクの中心側の隅部36L,36
S、すなわち内側の隅部36L,36Sの膨出量は、シャドウ
マスクの垂直軸で最大となるように設定され、シャドウ
マスクの垂直軸から順次離間していく開孔30ほど次第に
小さくなり、シャドウマスクの中心から最も離間した対
角軸上の最外周部の開孔30では、図3に示すように、内
側の隅部36の膨出がほとんどない状態にまで減少し外側
の隅部36La,36Lb,36Sa,36Sbの膨出量が上下非対称と
なって上下左右非対称の形状に形成されている。Further, on an intermediate axis, for example, a diagonal axis (D axis)
(See FIG. 4) In the above , the opening 30 closer to the outer peripheral portion from the center of the shadow mask of x = 0 is farther from the center of the shadow mask among the outer corners 36L and 36S of the large hole 34 and the small hole 35. Of the outer corners 36La, 36Lb, 36Sa, and 36Sb farther from the vertical axis of the shadow mask, outer corners 36La and 36Sa far from the horizontal axis are outer corners 36Lb and 36Sb closer to the horizontal axis of the shadow mask. It bulges outward more. Accordingly, of the outer corners 36 of the opening 30, the outer corner 36 far from the center of the shadow mask is closer to the outer corner 36.
It bulges outward more greatly, and a pair of upper and lower bulges 37 is formed at the outer corner of the opening 30. Large hole 34
Corners 36L, 36 of the shadow mask on the center side of the shadow mask
The swelling amount of S, that is, the inner corners 36L and 36S is set to be maximum on the vertical axis of the shadow mask, and
Opening 30 gradually separated from the vertical axis of the mask gradually
Smaller and the furthest away from the center of the shadow mask
At the outermost opening 30 on the square axis, as shown in FIG.
Outer side corners 36 reduced to almost no bulge
Of the corners 36La, 36Lb, 36Sa, 36Sb of the
Going on are formed in the shape of vertically asymmetrical.
【0041】このようにこのシャドウマスクの開孔30
は、シャドウマスクの中心から水平軸方向に離間して位
置する開孔30ほど、外側の2つの隅部の膨出量が増大
し、さらにシャドウマスクの水平軸から垂直軸方向に離
間して位置する開孔30ほど、水平軸側の外側の隅部に比
較して水平軸から離間している側の隅部の膨出量が増大
するように形成されている。As described above, the opening 30 of the shadow mask is formed.
The larger the opening 30 located in the horizontal axis direction from the center of the shadow mask, the larger the amount of swelling of the two outer corners increases, and the more the opening 30 is located in the vertical axis direction from the horizontal axis of the shadow mask. The opening 30 is formed such that the bulging amount of the corner portion on the side farther from the horizontal axis is larger than the outer corner portion on the horizontal axis side.
【0042】このシャドウマスクの座標位置により形状
の異なる開孔30の分布は、水平軸および垂直軸に関して
対称であり、水平軸および垂直軸により区分された4つ
の領域で同じ分布となっている。The distribution of the openings 30 having different shapes depending on the coordinate position of the shadow mask is symmetric with respect to the horizontal axis and the vertical axis, and has the same distribution in the four regions divided by the horizontal axis and the vertical axis.
【0043】なお、上記各開孔30の形状、特にその膨出
部37の大きさは、カラー受像管の品種、大きさ、シャド
ウマスクの板厚、開孔30の大きさなどにより異なる。し
かし、概してその膨出部37の膨出量(膨出長さ)は、開
孔30の中心における幅寸法(水平軸方向の長さ)の30%
以下にするとよい。The shape of each of the apertures 30, particularly the size of the bulging portion 37, varies depending on the type and size of the color picture tube, the thickness of the shadow mask, the size of the aperture 30, and the like. However, in general, the bulging amount (bulging length) of the bulging portion 37 is 30% of the width dimension (length in the horizontal axis direction) at the center of the opening 30.
It is better to do the following.
【0044】また、図2(a)に示したように膨出部37
は、開孔30のブリッジ31に隣接した側縁のうち、その直
線部の幅Dが開孔30の中心部の幅dとほぼ同じかまたは
それよりも大きくなるように形成されている。そのた
め、開孔30の隅部36が丸くなっているにもかかわらず、
十分な輝度が得られるようになっている。Further, as shown in FIG.
Is formed such that the width D of the straight portion of the side edge of the opening 30 adjacent to the bridge 31 is substantially equal to or larger than the width d of the center portion of the opening 30. Therefore, despite the fact that the corner 36 of the opening 30 is rounded,
A sufficient luminance can be obtained.
【0045】上記のように開孔30を形成することによ
り、従来のシャドウマスクにくらべて、シャドウマスク
の中央部に対応する蛍光体スクリーンの中央部における
輝度を向上させることができる。同時に蛍光体スクリー
ンの外周部の発光領域の欠けをほぼ完全になくして、従
来蛍光体スクリーンの外周部に発生した発光領域の欠け
に基づく輝度およびホワイトユニフォーミティの劣化を
十分に改善することができる。By forming the openings 30 as described above, it is possible to improve the brightness at the center of the phosphor screen corresponding to the center of the shadow mask, as compared with the conventional shadow mask. At the same time, the chipping of the light emitting area on the outer peripheral part of the phosphor screen is almost completely eliminated, and the deterioration of the brightness and white uniformity based on the chipping of the light emitting area generated on the outer peripheral part of the conventional phosphor screen can be sufficiently improved. .
【0046】すなわち、通常矩形開孔を有するシャドウ
マスクが組込まれるカラー受像管の蛍光体スクリーン
は、上記シャドウマスクの開孔列に対応して垂直軸方向
に延在するストライプ状の3色蛍光体層で構成されるた
め、3色蛍光体層に対する電子ビームのランディングず
れは、画面全域にわたり、垂直軸方向にはほとんど問題
とならない。しかし水平方向のランディングずれは大き
な問題となる。しかし、通常蛍光体スクリーンの中央部
における水平軸方向のランディング余裕度は十分に大き
くなっているので、上記のようにシャドウマスクの中央
部における開孔30の四隅部36に左右外方に膨出した膨出
部37を設けて、発光領域が広くなるようにしても、他色
蛍光体層をランディングすることにより生ずる色ずれを
防止することができる。That is, the phosphor screen of a color picture tube into which a shadow mask having a rectangular opening is usually incorporated is a striped three-color phosphor extending in the vertical axis direction corresponding to the row of openings of the shadow mask. Since the layers are composed of layers, the landing deviation of the electron beam with respect to the three-color phosphor layer has almost no problem in the vertical axis direction over the entire screen. However, horizontal landing deviation is a serious problem. However, since the landing margin in the horizontal axis direction at the central portion of the phosphor screen is usually sufficiently large, it protrudes left and right outward at the four corners 36 of the opening 30 at the central portion of the shadow mask as described above. Even if the bulging portion 37 is provided to increase the light emitting area, it is possible to prevent a color shift caused by landing the phosphor layer of another color.
【0047】一方、蛍光体スクリーンの水平軸方向の外
周部については、偏向にともなって電子ビームは、シャ
ドウマスクの水平軸方向の周辺部の開孔30を斜めに横切
って蛍光体層をランディングし、その電子ビームの傾斜
角が偏向の増大にともなって増大する。この蛍光体スク
リーンの水平軸方向の外周部の蛍光体層をランディング
する電子ビームが通過するシャドウマスクの水平軸方向
の周辺部の開孔30は、図3(a)に示したように外側に
隅部36に膨出部37が形成されて、上下対称左右非対称と
なっている。つまりこの開孔30は、図5(a)および
(b)に示すように、正面から見た場合は、上下対称左
右非対称であるが、この開孔30を電子ビームの経路方向
から眺めると、シャドウマスクの外周部側である外側に
形成された膨出部は見えなくなり、開孔30の隅部36が見
掛け上、鋭角化して丸みが小さくなる。また図1(c)
および(d)に示したように大孔34と小孔35とが合致し
た境界部に形成される張出部39のシャドウマスク板厚方
向の位置が開孔30の長辺部と短辺部とで異なり、開孔30
の四隅部近傍に長辺部と短辺部の張出部39による段差部
ができる。そのため、図5(a)および(b)からわか
るように、電子ビームの経路方向から見た場合、小孔の
内壁40は、張出部により波打って見えるようになるが、
電子ビームの経路方向からの開孔30の形状は、小孔の開
口縁41により規制されるようになる。その結果、蛍光体
層上の発光領域43を欠けがなくかつ四隅部の丸みの小さ
い矩形に近づけることができる。On the other hand, with respect to the outer peripheral portion in the horizontal axis direction of the phosphor screen, the electron beam lands obliquely across the opening 30 in the peripheral portion in the horizontal axis direction of the shadow mask due to the deflection and lands on the phosphor layer. The tilt angle of the electron beam increases with an increase in deflection. The aperture 30 in the peripheral portion in the horizontal axis direction of the shadow mask through which the electron beam passing through the phosphor layer in the outer peripheral portion in the horizontal axis direction of the phosphor screen passes outward as shown in FIG. A bulging portion 37 is formed at the corner portion 36, so that the bulging portion 37 is vertically symmetric and left and right asymmetric. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, when viewed from the front, the aperture 30 is vertically symmetrical and left-right asymmetric. However, when the aperture 30 is viewed from the direction of the electron beam path, The bulge formed on the outer side, which is the outer peripheral side of the shadow mask, becomes invisible, and the corners 36 of the opening 30 are apparently sharpened and rounded. FIG. 1 (c)
As shown in (d), the position of the overhang portion 39 formed at the boundary where the large hole 34 and the small hole 35 coincide with each other in the shadow mask plate thickness direction is the long side portion and the short side portion of the opening 30. Differs from aperture 30
In the vicinity of the four corners, there is a step due to the protruding portion 39 of the long side and the short side. Therefore, as can be seen from FIGS. 5A and 5B, when viewed from the path direction of the electron beam, the inner wall 40 of the small hole looks wavy due to the overhang portion.
The shape of the hole 30 from the path direction of the electron beam is regulated by the opening edge 41 of the small hole. As a result, the light emitting region 43 on the phosphor layer can be approximated to a rectangle with no rounding and four rounded corners.
【0048】また、水平軸からシャドウマスクの垂直軸
方向の外周部側に離間して位置する開孔30については、
上記のように大孔34と小孔35との境界部に形成される張
出部の位置が長辺部と短辺部とで異なり、開孔の四隅部
にそれらの段差部ができる。しかしこの開孔30を図3に
示したように上下対称左右非対称形状にすることによ
り、この開孔30を電子ビームの経路方向から眺めたと
き、シャドウマスクの外周部側である外側に形成された
膨出部37は見えず、かつ張出部の開孔隅部での段差の影
響をなくして、隅部が見掛け上鋭角化して丸みが小さく
なる。一方、開孔30の内側は、張出部の開孔隅部での段
差のために、図2に示した上下対称左右非対称の開孔30
と同様に小孔35の内壁が波打って見えるようになるが、
電子ビームの経路方向からの開孔形状は、小孔の開口縁
により規制されるようになる。その結果、蛍光体層上の
発光領域を欠けがなくかつ四隅部の丸みの小さい矩形に
近づけることができる。The opening 30 located away from the horizontal axis on the outer peripheral side in the vertical axis direction of the shadow mask is:
As described above, the position of the overhang formed at the boundary between the large hole 34 and the small hole 35 is different between the long side and the short side, and these steps are formed at the four corners of the opening. However, by forming the opening 30 into a vertically symmetric left and right asymmetric shape as shown in FIG. 3, when the opening 30 is viewed from the path direction of the electron beam, the opening 30 is formed on the outer peripheral side of the shadow mask. The swollen portion 37 is not visible, and the influence of the step at the corner of the opening of the overhang portion is eliminated, so that the corner becomes apparently acute and the roundness is reduced. On the other hand, the inside of the opening 30 has a vertically symmetric left-right asymmetric opening 30 shown in FIG. 2 due to a step at the opening corner of the overhang.
The inner wall of the small hole 35 looks wavy like
The opening shape of the electron beam from the path direction is regulated by the opening edge of the small hole. As a result, the light emitting region on the phosphor layer can be made close to a rectangle with no rounding and four rounded corners.
【0049】これに対し、もしシャドウマスクの水平軸
上および中間軸上の開孔を図1に示した垂直軸上および
その近傍の開孔30と同様に四隅部に外方に膨出した膨出
部をもつ上下左右対称形状に形成したと仮定すると、こ
の場合、図6に示すように、この開孔30a を斜めに横切
る電子ビームの経路方向から眺めた場合、外側の膨出部
は見えなくなり、シャドウマスクの水平軸上および中間
軸上の開孔同様に問題はない。しかし開孔30a の内側の
膨出部37が現れ、開孔30a が顕著に変形して見えるよう
になる。その結果、蛍光体スクリーン上の発光領域43も
膨出部44をもつ形に変形し、その膨出部44が他色蛍光体
層を発光させて色ずれを生じ、ホワイトユニフォーミテ
ィを劣化させる。また、3色蛍光体層間にストライプ状
光吸収層を有する蛍光体スクリーンに対しては、その光
吸収層を直線状に形成することができなくなり、外観む
らを生ずるなどの問題が発生する。On the other hand, if the apertures on the horizontal axis and the intermediate axis of the shadow mask are outwardly bulged at the four corners similarly to the apertures 30 on and near the vertical axis shown in FIG. Assuming that the bulge is formed in a vertically symmetrical shape with protrusions, in this case, as shown in FIG. 6, when viewed from the path of the electron beam obliquely crossing the aperture 30a, the outer bulge is not visible. There is no problem as well as the opening on the horizontal axis and the intermediate axis of the shadow mask. However, a bulging portion 37 inside the opening 30a appears, and the opening 30a becomes noticeably deformed. As a result, the light emitting region 43 on the phosphor screen is also deformed into a shape having the swelling portion 44, and the swelling portion 44 causes the other color phosphor layer to emit light, causing a color shift and deteriorating the white uniformity. Further, for a phosphor screen having a stripe-shaped light absorbing layer between the three-color phosphor layers, the light absorbing layer cannot be formed in a straight line, causing problems such as uneven appearance.
【0050】したがって上記のように構成されたシャド
ウマスクによれば、座標位置により開孔30の形状、特に
膨出部37の膨出量を変化させることにより、従来発生し
た画面外周部での発光領域の欠けをなくして、輝度やホ
ワイトユニフォーミティの劣化を防止でき、かつ画面中
央部の輝度を色ずれを生ずることなく高めることができ
る。したがって、この例のシャドウマスクは、通常のカ
ラー受像管の矩形孔シャドウマスクは勿論、この通常の
カラー受像管のシャドウマスクにくらべて板厚が厚くか
つ曲率半径が大きく、同じ偏向角でもより斜めに開孔を
横切るフラットスクエア管のシャドウマスクに適用し
て、大きな効果が得られる。Therefore, according to the shadow mask configured as described above, by changing the shape of the opening 30, particularly the swelling amount of the swelling portion 37, depending on the coordinate position, the light emission at the outer peripheral portion of the screen, which has conventionally occurred, is obtained. By eliminating the lack of the area, it is possible to prevent the luminance and the white uniformity from deteriorating, and it is possible to increase the luminance at the center of the screen without causing color shift. Therefore, the shadow mask of this example is thicker and has a larger radius of curvature than the shadow mask of the ordinary color picture tube, as well as the rectangular hole shadow mask of the ordinary color picture tube. When applied to a flat square pipe shadow mask that crosses the opening, a great effect can be obtained.
【0051】上記構成のシャドウマスクの開孔30は、フ
ォトエッチング法により形成される。すなわち、マスク
素材板の両面に感光剤を塗布して感光剤被膜を形成し、
この両面の感光剤被膜に、形成しようとする開孔に対応
するパターンの形成された一対のシャドウマスク焼付け
用原版を密着して、その原版のパターンを焼付け(露
光)、現像して、この一対のシャドウマスク焼付け用原
版のパターンに対応したマスク素材板の露出部をもつレ
ジストパターンを形成する。その後、このレジストパタ
ーンの形成されたマスク素材板を両面からエッチングす
ることにより形成される。The openings 30 of the shadow mask having the above structure are formed by a photo-etching method. That is, a photosensitive agent is applied to both sides of the mask material plate to form a photosensitive agent coating,
A pair of masters for printing a shadow mask having a pattern corresponding to the opening to be formed are brought into close contact with the photosensitive agent coatings on both sides, and the pattern of the master is printed (exposed), developed, and developed. A resist pattern having an exposed portion of a mask material plate corresponding to the pattern of the original mask for baking a shadow mask is formed. Thereafter, the mask material plate on which the resist pattern is formed is etched by etching from both sides.
【0052】つぎに、上記シャドウマスク焼付け用原版
およびその製造方法について説明する。Next, the above-mentioned master for shadow mask baking and a method of manufacturing the same will be described.
【0053】図7(a)および(b)に示すように、シ
ャドウマスク焼付け用原版は、マスク素材の一方の面に
小孔を形成するための小孔用原版46a と、マスク素材の
他方の面に大孔を形成するための大孔用原版46b とから
なる。この一対の小孔用および大孔用原版46a ,46b
は、それぞれ矩形開孔を有するシャドウマスクのほぼ矩
形状の開孔に対応する後述する小孔パターン47a および
大孔用パターン47b を有し、これらパターン47a ,47b
がそれぞれ原版46a ,46b の垂直軸方向(Y軸方向)に
狭幅のブリッジ部48a ,48b を介して複数配列され、こ
の垂直軸方向の配列が水平軸方向(X軸方向)に所定ピ
ッチ複数列配列されている。As shown in FIGS. 7A and 7B, the original mask for baking a shadow mask is composed of an original plate 46a for forming small holes on one surface of the mask material and the other side of the mask material. A large hole original plate 46b for forming a large hole in the surface. The pair of small-hole and large-hole masters 46a, 46b
Has a small hole pattern 47a and a large hole pattern 47b, which will be described later, corresponding to substantially rectangular openings of a shadow mask having rectangular openings, respectively.
Are arranged in the vertical direction (Y-axis direction) of the original plates 46a and 46b via bridge portions 48a and 48b having a narrow width, and the arrangement in the vertical axis direction has a predetermined pitch in the horizontal axis direction (X-axis direction). They are arranged in columns.
【0054】上記小孔パターン47a は、図8(a)に示
すように、矩形主パターン50a と、この主パターン50a
の四隅部に矩形状に突出形成された突出パターン51a1,
51a2,51a3,4514とにより構成されている。同様に大孔
用パターン47b は、同(b)に示すように、矩形主パタ
ーン50b と、この主パターン50b の四隅部に矩形状に突
出形成された突出パターン51b1,51b2,51b3,51b4とに
より構成されている。これら突出パターン51a1,51a2,
51a3,51a4および51b1,51b2,51b3,51b4は、幅、突出
長さ、突出角度、突出位置が規制される。すなわち、図
9(a)ないし(d)に小孔および大孔パターンの主パ
ターンを50、突出パターンを51として示すように、突出
パターン51の幅Wについては、小孔および大孔パターン
とも、10μm以下では、マスク素材に塗布形成される感
光剤被膜、たとえば牛乳カゼインと重クロム酸塩からな
る感光剤被膜の解像度の不足から所定形状の突出パター
ン51が形成されず、所要の開孔が得られない。また 100
μm 以上では、開孔の隅部の丸みが大きくなりすぎ、矩
形に近い発光領域が得られなくなる。そのため、突出パ
ターン51の幅Wは、 10μm ≦W≦100μm 好ましくは 20μm ≦W≦80μm の範囲に設定される。As shown in FIG. 8A, the small hole pattern 47a includes a rectangular main pattern 50a and the main pattern 50a.
Protruding patterns 51a1, which are formed to protrude in a rectangular shape at the four corners of
51a2, 51a3, and 4514. Similarly, the large hole pattern 47b is made up of a rectangular main pattern 50b and protruding patterns 51b1, 51b2, 51b3, 51b4 which are formed in four corners of the main pattern 50b as shown in FIG. It is configured. These protruding patterns 51a1, 51a2,
51a3, 51a4 and 51b1, 51b2, 51b3, 51b4 are restricted in width, protrusion length, protrusion angle, and protrusion position. That is, as shown in FIGS. 9A to 9D, the main pattern of the small hole and large hole patterns is indicated by 50, and the protruding pattern is indicated by 51. When the thickness is less than 10 μm, the projection pattern 51 having a predetermined shape is not formed due to the lack of resolution of the photosensitive agent coating applied to the mask material, for example, the photosensitive agent coating composed of milk casein and dichromate, and a required aperture is obtained. I can't. Also 100
Above μm, the roundness of the corner of the opening becomes too large, making it impossible to obtain a light emitting region close to a rectangle. Therefore, the width W of the protruding pattern 51 is set in the range of 10 μm ≦ W ≦ 100 μm, preferably 20 μm ≦ W ≦ 80 μm.
【0055】また、突出長さについては、小孔および大
孔パターンとも、マスク素材の板厚をTとするとき、垂
直軸方向の突出長さLy が0.5T以上になると、所望
のエッチング時間内における板厚方向のエッチング量が
突出パターン51の先端部および主パターン50近傍の部分
に比較して、突出パターン51の中間部では少なく、小孔
および大孔の隅部を膨出させることはできるものの、開
孔の隅部を膨出させることができなくなる。そのため、
垂直軸方向の突出長Ly は、 0≦Ly ≦0.5T 好ましくは 0.1T≦Ly ≦0.4T の範囲に設定される。なお、水平軸方向の突出長さLX
は、垂直軸方向の突出長さLy が決まれば、必然的に決
まる。Regarding the protruding length, when the thickness of the mask material is T and the protruding length Ly in the vertical axis direction is 0.5 T or more in both the small hole and large hole patterns, a desired etching time is obtained. The etching amount in the plate thickness direction in the inside is smaller in the middle part of the protruding pattern 51 than in the tip part of the protruding pattern 51 and the part near the main pattern 50, and it is possible to bulge the corners of the small holes and the large holes. Although it is possible, the corner of the opening cannot be bulged. for that reason,
The projection length Ly in the vertical axis direction is set in the range of 0 ≦ Ly ≦ 0.5T, preferably 0.1T ≦ Ly ≦ 0.4T. The protrusion length LX in the horizontal axis direction
Is inevitably determined if the projection length Ly in the vertical axis direction is determined.
【0056】また、突出角度については、原版の水平軸
となす角度θが90°以上になると、開孔の隅部の膨出
方向が目的とする方向から外れ、かつ開孔の隅部の丸み
が大きくなりすぎ、蛍光体スクリーン上に矩形に近い発
光領域が得られなくなる。そのため、突出角度θは、 0°≦θ≦90° 好ましくは 10°≦θ≦80° の範囲に設定される。Regarding the protruding angle, when the angle θ formed with the horizontal axis of the original plate is 90 ° or more, the bulging direction of the corner of the opening deviates from the intended direction, and the corner of the opening is rounded. Becomes too large, so that a light emitting area close to a rectangle cannot be obtained on the phosphor screen. Therefore, the protrusion angle θ is set in the range of 0 ° ≦ θ ≦ 90 °, preferably 10 ° ≦ θ ≦ 80 °.
【0057】さらに、突出位置については、矩形主パタ
ーン50の幅をHとし、矩形主パターン50の長辺52から突
出パターン51の中心軸が主パターン50側の短辺54と交わ
る点までの距離をPとするとき、Pが(1/2)H以上
になると、突出パターン51が主パターン44の内側に入り
すぎて、所定形状の開孔が得られなくなるため、 0≦P≦(1/2)H 好ましくは 0≦P≦(3/8)H の範囲に設定される。Regarding the protruding position, the width of the rectangular main pattern 50 is defined as H, and the distance from the long side 52 of the rectangular main pattern 50 to the point where the center axis of the protruding pattern 51 intersects the short side 54 on the main pattern 50 side. When P is equal to or more than (1/2) H, since the protruding pattern 51 enters the inside of the main pattern 44 too much to form a hole of a predetermined shape, 0 ≦ P ≦ (1 / 2) H Preferably, it is set in the range of 0 ≦ P ≦ (3/8) H.
【0058】上記ような決定される小孔および大孔パタ
ーンとして、図8には、突出パターン51a1,51a2,51a
3,51a4および51b1,51b2,51b3,51b4を主パターン50a
,50b の水平軸(X軸)に関してして上下対称、垂直
軸(Y軸)に関して左右非対称に配置したものを示し
た。しかし前述したシャドウマスクの開孔の形成に使用
されるシャドウマスク焼付け用原版では、各主パターン
50a ,50b に対して、その突出パターン51a1,51a2,51
a3,51a4および51b1,51b2,51b3,51b4を上下左右対
称、上下対称左右非対称、上下左右非対称に配置したパ
ターンで構成され、それらがシャドウマスク焼付け用原
版の水平軸および垂直軸により4分割された各領域ごと
に最適の分布で配置され、かつその分布がシャドウマス
ク焼付け用原版の水平軸および垂直軸に関して対称とな
っている。As the small hole and large hole patterns determined as described above, FIG. 8 shows the protruding patterns 51a1, 51a2, 51a.
3, 51a4 and 51b1, 51b2, 51b3, 51b4 are used as the main pattern 50a.
, 50b are arranged vertically symmetrical with respect to the horizontal axis (X axis) and asymmetrically arranged left and right with respect to the vertical axis (Y axis). However, in the master for baking a shadow mask used for forming the opening of the shadow mask described above, each main pattern is used.
With respect to 50a, 50b, the protruding patterns 51a1, 51a2, 51
a3, 51a4 and 51b1, 51b2, 51b3, 51b4 are arranged vertically and horizontally symmetrically, vertically symmetrically left and right asymmetrically, and vertically and horizontally asymmetrically. An optimal distribution is arranged for each area, and the distribution is symmetrical with respect to the horizontal axis and the vertical axis of the shadow mask printing master.
【0059】すなわちこのシャドウマスク焼付け用原版
の一例では、小孔パターンおよび大孔パターンは、シャ
ドウマスク焼付け用原版の中心を通る垂直軸上およびそ
の近傍では、主パターンの四隅部から上下左右対称に突
出した突出パターンを有している。そして原版の中心か
ら水平軸に沿って外周部に近づくにしたがって、偏向の
増大にともなってシャドウマスクの開孔を斜めに横切る
電子ビームの衝突に基づく蛍光体スクリーン上の発光領
域の欠けを防止するため、外側の突出パターンを内側の
突出パターンよりも大きく突出させた上下対称左右非対
称となっている。That is, in this example of the shadow mask printing master, the small hole pattern and the large hole pattern are vertically and horizontally symmetrical from the four corners of the main pattern on and near a vertical axis passing through the center of the shadow mask printing master. It has a protruding protruding pattern. Then, as the distance from the center of the original plate to the outer peripheral portion along the horizontal axis increases, the chipping of the light emitting area on the phosphor screen due to the collision of the electron beam obliquely across the opening of the shadow mask due to the increase in deflection is prevented. Therefore, the outer protruding pattern is vertically symmetrical left and right asymmetric, in which the outer protruding pattern is made larger than the inner protruding pattern.
【0060】また、シャドウマスク焼付け用原版の中間
軸上、たとえば対角軸上に位置するパターンについて
は、原版の中心より遠い外側の突出パターンを原版の中
心に近い内側の突出パターンよりも大きく突出させた上
下対称左右非対称となっている。For a pattern located on the intermediate axis, for example, a diagonal axis of the master for shadow mask printing, the outer protruding pattern farther from the center of the original protrudes more than the inner protruding pattern closer to the center of the original. It is vertically symmetric left and right asymmetric.
【0061】具体例として、25インチ形カラー受像管
のシャドウマスク焼付け用原版について示すと、この原
版では、小孔用原版の矩形主パターンは、長さが0.8
7mm、幅が原版の中央部で0.11mm、原版の水平軸方
向の外周部で0.15mmに形成されている。一方、大孔
用原版の矩形主パターンは、長さが0.75mm、幅が原
版の中央部で0.33mm、原版の水平軸方向の外周部で
0.525mmに形成されている。そしてその各主パター
ンの四隅部に表1に示す突出パターンが形成されてい
る。As a specific example, a master for printing a shadow mask of a 25-inch color picture tube will be described. In this master, the rectangular main pattern of the master for small holes has a length of 0.8 mm.
The width of the original is 0.11 mm at the center and 0.15 mm at the outer periphery in the horizontal axis direction of the original. On the other hand, the rectangular main pattern of the master for large holes has a length of 0.75 mm, a width of 0.33 mm at the center of the master, and a width of 0.525 mm at the outer periphery in the horizontal axis direction of the master. Projection patterns shown in Table 1 are formed at the four corners of each main pattern.
【0062】[0062]
【表1】 [Table 1]
【0063】なお、表1において、位置を示すC、V、
H、Dは、それぞれシャドウマスク焼付け用原版の中
心、垂直軸端部、水平軸端部、対角軸端部を表してい
る。In Table 1, C, V,
H and D represent the center, the vertical axis end, the horizontal axis end, and the diagonal axis end of the shadow mask printing master, respectively.
【0064】図10は、小孔パターン47a と大孔パター
ン47b とを正しく重ね合せた場合のシャドウマスク焼付
け用原版の中心、垂直軸端部、水平軸端部、対角軸端部
のそれぞれ位置における小孔パターン47a と大孔パター
ン47b との重なり状態を示したものである。FIG. 10 shows the positions of the center, the vertical axis end, the horizontal axis end, and the diagonal axis end of the shadow mask printing master when the small hole pattern 47a and the large hole pattern 47b are correctly overlapped. 5 shows an overlapping state of the small hole pattern 47a and the large hole pattern 47b.
【0065】このようなシャドウマスク焼付け用原版
は、矩形パターンを作画可能な描画機(たとえば米国ガ
ーバー社製フォトプロッター)を用いて描画される。す
なわち、小孔用原版については、図11に示すように製
造される。まず同(a)に示すように、ネガ原版に長さ
sL 、幅sw の矩形主パターン50a を露光する。つぎに
同(b)に示すように、その主パターン50a の第1隅部
に幅sw1の突出パターン51a1が主パターン50a の長さ方
向にsb1、幅方向にsa1突出するように水平軸に対して
角度sk1で露光する。ついで同(c)に示すように、主
パターン50a の第2隅部に幅sw2の突出パターン51a2が
主パターン50a の長さ方向にsb2、幅方向にsa2突出す
るように水平軸に対して角度sk2で露光する。ついで同
(d)に示すように、主パターン50a の第3隅部に幅s
w3の突出パターン51a3が主パターン50a の長さ方向にs
b3、幅方向にsa3突出するように水平軸に対して角度s
k3で露光する。さらに同(e)に示すように、主パター
ン50a の第4隅部に幅sw4の突出パターン51a4が主パタ
ーン50a の長さ方向にsb4、幅方向にsa4突出するよう
に水平軸に対して角度sk4で露光する。これにより1個
の小孔パターンの潜像が形成される。この主パターン50
a およびこの主パターン50a に対する突出パターン51a
1,51a2,51a3,51a4の露光を、ネガ原版全域にわたり
繰返しおこなったのち、現像することにより所要の小孔
用原版が製造される。Such an original mask for baking a shadow mask is drawn using a drawing machine (for example, a photo plotter manufactured by Gerber, USA) capable of drawing a rectangular pattern. That is, the original for small holes is manufactured as shown in FIG. First, as shown in FIG. 3A, a negative master is exposed to a rectangular main pattern 50a having a length sL and a width sw. Next, as shown in (b), a protruding pattern 51a1 having a width sw1 is protruded at the first corner of the main pattern 50a from the horizontal axis so as to protrude sb1 in the length direction of the main pattern 50a and sa1 in the width direction. To expose at an angle sk1. Next, as shown in (c), the projecting pattern 51a2 having a width sw2 is formed at the second corner of the main pattern 50a at an angle with respect to the horizontal axis so as to project sb2 in the length direction of the main pattern 50a and sa2 in the width direction. Exposure at sk2. Next, as shown in (d), the width s is set at the third corner of the main pattern 50a.
The protrusion pattern 51a3 of w3 is s in the length direction of the main pattern 50a.
b3, angle s with respect to the horizontal axis to protrude sa3 in the width direction
Exposure at k3. Further, as shown in (e), the projecting pattern 51a4 having a width sw4 is formed at the fourth corner of the main pattern 50a at an angle to the horizontal axis so as to project sb4 in the length direction of the main pattern 50a and sa4 in the width direction. Exposure at sk4. As a result, a latent image of one small hole pattern is formed. This main pattern 50
a and the protruding pattern 51a to this main pattern 50a
Exposure of 1, 51a2, 51a3, and 51a4 is repeated over the entire area of the negative master, and then development is performed to produce a required master for small holes.
【0066】また、大孔用原版についても同様の方法に
より製造される。すなわち、図12(a)に示すよう
に、まずネガ原版に長さLL 、幅Lw の矩形主パターン
50b を露光する。つぎに同(b)に示すように、その主
パターン50b の第1隅部に幅Lw1の突出パターン51b1が
主パターン50b の長さ方向にLb1、幅方向にLa1突出す
るように水平軸に対して角度Lk1で露光する。ついで同
(c)に示すように、主パターン50b の第2隅部に幅L
w2の突出パターン51b2が主パターン50b の長さ方向にL
b2、幅方向にLa2突出するように水平軸に対して角度L
k2で露光する。ついで同(d)に示すように、主パター
ン50b の第3隅部に幅Lw3の突出パターン51b3が主パタ
ーン50b の長さ方向にLb3、幅方向にLa3突出するよう
に水平軸に対して角度Lk3で露光する。さらに同(e)
に示すように、主パターン50b の第4隅部に幅Lw4の突
出パターン51b4が主パターン50b の長さ方向にLb4、幅
方向にLa4突出するように水平軸に対して角度Lk4で露
光する。このような主パターン50b の露光およびこの主
パターン50b に対する突出パターン51a1,51b2,51b3,
51b4の露光を、ネガ原版全域にわたり繰返しおこなった
のち、現像することにより所要の大孔用原版が製造され
る。The large hole original plate is also manufactured by the same method. That is, as shown in FIG. 12A, first, a rectangular main pattern having a length LL and a width Lw is formed on a negative master.
Expose 50b. Next, as shown in (b), a protruding pattern 51b1 having a width Lw1 is formed at a first corner of the main pattern 50b with respect to the horizontal axis so as to protrude Lb1 in the length direction of the main pattern 50b and La1 in the width direction. To expose at an angle Lk1. Next, as shown in (c), the width L is set at the second corner of the main pattern 50b.
The protruding pattern 51b2 of w2 is L in the length direction of the main pattern 50b.
b2, an angle L with respect to the horizontal axis so as to protrude La2 in the width direction
Exposure at k2. Next, as shown in (d), the projecting pattern 51b3 having a width Lw3 is formed at the third corner of the main pattern 50b at an angle with respect to the horizontal axis so as to project Lb3 in the length direction of the main pattern 50b and La3 in the width direction. Exposure is performed with Lk3. (E)
As shown in (1), the main pattern 50b is exposed at an angle Lk4 with respect to the horizontal axis so that the protruding pattern 51b4 having a width Lw4 protrudes Lb4 in the length direction and La4 in the width direction at the fourth corner of the main pattern 50b. Exposure of such a main pattern 50b and protruding patterns 51a1, 51b2, 51b3,
After the exposure of 51b4 is repeated over the whole area of the negative master, the necessary large-hole master is manufactured by developing.
【0067】以上のように製造されたシャドウマスク焼
付け用原版を用いると、図1ないし図4に示したように
シャドウマスクの座標位置に応じて膨出部37の膨出量が
異なるシャドウマスクを製造することができる。When the original mask for baking a shadow mask manufactured as described above is used, a shadow mask in which the bulging portion 37 protrudes differently depending on the coordinate position of the shadow mask as shown in FIGS. Can be manufactured.
【0068】また、上記シャドウマスク焼付け用原版の
製造方法によれば、所要のシャドウマスク焼付け用原版
を容易に製造することができる。Further, according to the method of manufacturing a master for baking a shadow mask, a required master for baking a shadow mask can be easily manufactured.
【0069】つぎに、他の実施例について説明する。Next, another embodiment will be described.
【0070】シャドウマスクについて、前記実施例で
は、シャドウマスクの垂直軸上およびその近傍に位置す
る開孔を、その四隅部に膨出部を有する構成としたが、
図13に示すように、大孔34、小孔35および開孔30を四
隅部に膨出部をもたない矩形状としてもよい。このよう
な開孔30を形成する場合も、シャドウマスク焼付け用原
版については、形成される開孔30の四隅部が丸くならな
いように大孔パターンおよび小孔パターンは、主パター
ンの四隅部から突出した突出パターンを有するものが用
いられる。In the above embodiment, the shadow mask has a configuration in which the openings located on the vertical axis of the shadow mask and in the vicinity thereof have bulging portions at the four corners.
As shown in FIG. 13, the large hole 34, the small hole 35, and the opening 30 may be formed in a rectangular shape without bulging portions at four corners. Even when such openings 30 are formed, the large hole pattern and the small hole pattern of the shadow mask printing master project from the four corners of the main pattern so that the four corners of the formed openings 30 are not rounded. One having a projected pattern is used.
【0071】また、前記実施例では、水平軸から離間し
た開孔ほど、外側の隅部のうち、水平軸から離間した一
方の隅部を水平軸に近い他方の隅部よりも、膨出量の多
い上下左右非対称形状とした。しかしカラー受像管の品
種によっては、水平軸からの距離を考慮せず、シャドウ
マスクの中心から水平軸方向の距離のみを考慮して、開
孔の隅部の膨出量を変化させるようにしてもよい。すな
わちシャドウマスクの水平軸を横切る垂直列のすべての
開孔の形状を水平軸方向に並列する各垂直列の水平軸上
の開孔の形状と同じ形状としてよい。Further, in the above-described embodiment, one of the outer corners, which is farther away from the horizontal axis, has a larger bulging amount than the other corner which is closer to the horizontal axis. It has an asymmetric shape with many vertical and horizontal sides. However, depending on the type of color picture tube, the amount of swelling at the corner of the aperture is changed without considering the distance from the horizontal axis but only the distance in the horizontal axis direction from the center of the shadow mask. Is also good. That is, the shape of all apertures in a vertical row crossing the horizontal axis of the shadow mask may be the same as the shape of the aperture on the horizontal axis of each vertical row parallel in the horizontal axis direction.
【0072】また、前記実施例では、大孔の短辺および
長辺の中央部分を直線状として、隅部を膨出したシャド
ウマスクについて述べたが、この大孔の形状としては、
図14に示すように、その短辺53の中央部分を開孔30方
向に膨出させた形状としてもよい。また図15に示すよ
うに、短辺53の中央部分を開孔30方向に膨出させるとと
もに、開孔30の膨出部37形成側に対応する長辺54の中央
部分を開孔30方向に膨出させた形状としてもよい。Further, in the above-described embodiment, the shadow mask in which the central portion of the short side and the long side of the large hole is linear and the corner portion is bulged has been described.
As shown in FIG. 14, the central portion of the short side 53 may have a shape bulging in the direction of the opening 30. As shown in FIG. 15, the central portion of the short side 53 is swelled in the direction of the opening 30, and the central portion of the long side 54 corresponding to the side of the opening 30 where the bulging portion 37 is formed is oriented in the direction of the opening 30. It may be a swelled shape.
【0073】さらに、シャドウマスク焼付け用原版につ
いては、前記実施例では、1個の主パターンの四隅部に
突出パターンを合成して所要の小孔および大孔パターン
の潜像を形成し、これを繰返すことにより小孔および大
孔原版を製造した。しかしシャドウマスク焼付け用原版
の製造方法としては、図16(a)に示すように、あら
かじめすべての主パターン50a ,50b を露光し、つぎに
同(b)に示すように、そのすべての主パターン50a ,
50bの第1隅部に突出パターン51a1あるいは51b1(図示
せず)を露光する。ついで同(c)ないし同(d)に示
すように、順次その主パターン50a ,50b の第2ないし
第4隅部に突出パターン51a2〜51a4、あるいは51b2〜51
b4(図示せず)を露光する方法でも製造することができ
る。Further, with respect to the original master for shadow mask printing, in the above-mentioned embodiment, the latent images of the required small hole and large hole patterns are formed by synthesizing the protruding patterns at the four corners of one main pattern. By repeating the process, small-hole and large-hole masters were produced. However, as a method of manufacturing an original master for shadow mask baking, as shown in FIG. 16A, all the main patterns 50a and 50b are exposed in advance, and then, as shown in FIG. 50a,
A projection pattern 51a1 or 51b1 (not shown) is exposed on the first corner of 50b. Then, as shown in (c) to (d), the protruding patterns 51a2 to 51a4 or 51b2 to 51b are sequentially formed at the second to fourth corners of the main patterns 50a and 50b.
It can also be manufactured by a method of exposing b4 (not shown).
【0074】さらに、前記実施例では、小孔原版と大孔
原版とをマスク素材に正しく重ね合せたとき、シャドウ
マスクの中心から垂直軸方向および水平軸方向の外周部
に離間するにしたがって、小孔に対して大孔が外側にず
れたオフセンター形のシャドウマスクの製造するための
シャドウマスク焼付け用原版について説明したが、この
発明は、すべての小孔パターンと大孔パターンとが完全
に同軸となる一対のシャドウマスク焼付け用原版にも適
用することができる。Further, in the above embodiment, when the small-hole original plate and the large-hole original plate are correctly superimposed on the mask material, the smaller the smaller the distance from the center of the shadow mask toward the outer peripheral portion in the vertical axis direction and the horizontal axis direction, the smaller the smaller the original. Although an original mask for baking a shadow mask for manufacturing an off-center type shadow mask in which the large holes are shifted to the outside with respect to the holes has been described, the present invention provides that all small hole patterns and large hole patterns are completely coaxial. The invention can also be applied to a pair of shadow mask baking originals.
【0075】[0075]
【発明の効果】所定のパターンに配列された多数のほぼ
矩形状開孔を有するシャドウマスクにおいて、シャドウ
マスクの座標位置に応じてその開孔形状、特にその水平
軸方向外方へ膨出した膨出部の膨出量を水平軸方向にシ
ャドウマスクの中心から外周部に離間するほど、開孔の
外側の膨出部の膨出量を大きくすると、偏向の増大にと
もなって開孔を斜めに横切る電子ビームの経路方向から
開孔を眺めたときの開孔形状を正しいほぼ矩形状とする
ことができ、それにより従来開孔を斜めに横切る電子ビ
ームの一部が蛍光体スクリーン側開口縁部や開孔内壁に
衝突して蛍光体スクリーンに到達しないために生じた蛍
光体層上の発光領域の欠けをなくすことができ、従来の
矩形孔シャドウマスクの輝度およびホワイトユニフォー
ミティの劣化をなくすことができる。As described above, in a shadow mask having a large number of substantially rectangular openings arranged in a predetermined pattern, the shape of the opening, in particular, the expansion bulging outward in the horizontal axis direction according to the coordinate position of the shadow mask. As the amount of bulge of the protruding portion increases in the horizontal axis direction from the center of the shadow mask to the outer peripheral portion, the amount of bulge of the bulge outside the hole increases. When the aperture is viewed from the path direction of the traversing electron beam, the shape of the aperture can be made correct and substantially rectangular, so that a part of the electron beam obliquely traversing the aperture conventionally has a phosphor screen side opening edge. The luminous area on the phosphor layer, which is caused by not reaching the phosphor screen by colliding with the inner wall of the aperture, can be eliminated, and the brightness and white uniformity of the conventional rectangular hole shadow mask do not deteriorate. Succoth can.
【0076】特に開孔の水平軸方向に延びる両端縁が開
孔の中心部における水平方向の幅よりも長い直線状とし
たシャドウマスクについては、偏向の増大にともなって
開孔を斜めに横切る電子ビームの経路方向から開孔を眺
めたときの開孔形状をより正しい所望の矩形状とするこ
とができる。それにより蛍光体層上の発光領域の形状を
より良好にして、輝度およびホワイトユニフォーミティ
を一層向上させることができる。Particularly, in the case of a shadow mask in which both edges extending in the horizontal axis direction of the aperture are linear and longer than the horizontal width at the center of the aperture, the electrons obliquely cross the aperture with increasing deflection. The shape of the opening when the opening is viewed from the beam path direction can be made a more correct desired rectangular shape. Thereby, the shape of the light emitting region on the phosphor layer can be made better, and the luminance and white uniformity can be further improved.
【0077】また、シャドウマスクの中心を通る垂直軸
上の開孔を四隅部から水平軸方向外方へ膨出した膨出部
を有する上下左右対称形状とし、垂直軸上の開孔以外の
開孔の垂直軸から離間した一対の外側隅部から水平軸方
向外方へ膨出した一対の第1の膨出部の膨出量を垂直軸
から離間した開孔ほど大きくし、垂直軸側に位置した一
対の内側隅部に水平軸方向外方へ膨出した一対の第2の
膨出部の膨出量を垂直軸から離間した開孔ほど徐々に小
さくすると、偏向の増大にともなって開孔を斜めに横切
る電子ビームの経路方向から開孔を眺めたときの開孔形
状を正しいほぼ矩形状として、従来開孔を斜めに横切る
電子ビームの一部が蛍光体スクリーン側開口縁部や開孔
内壁に衝突して蛍光体スクリーンに到達しないために生
じた蛍光体層上の発光領域の欠けをなくすことができ、
従来の矩形開孔を有するシャドウマスクの輝度およびホ
ワイトユニフォーミティの劣化をなくすことができる。
しかも蛍光体スクリーン中央部は周辺部にくらべて蛍光
体層に対する電子ビームのランディング余裕度が大きく
なり、色ずれを生ずることなく蛍光体スクリーン中央部
の輝度を向上させることができる。The openings on the vertical axis passing through the center of the shadow mask are symmetrical in the vertical and horizontal directions with bulges bulging outward from the four corners in the horizontal axis direction. The bulging amount of the pair of first bulging portions bulging outward in the horizontal axis direction from the pair of outer corners distant from the vertical axis of the hole is increased as the opening distance from the vertical axis increases, and When the amount of swelling of the pair of second swelling portions swelling outward in the horizontal axis direction at the pair of inner corners located gradually decreases as the opening becomes more distant from the vertical axis, the opening increases as the deflection increases. When the opening is viewed from the direction of the electron beam obliquely crossing the hole, the shape of the opening when viewed from the direction of the hole is corrected to a substantially rectangular shape. Above the phosphor layer caused by hitting the inner wall of the hole and not reaching the phosphor screen It is possible to eliminate the lack of light area,
The brightness and white uniformity of a conventional shadow mask having a rectangular opening can be prevented from deteriorating.
Moreover, the landing margin of the electron beam with respect to the phosphor layer is larger in the central portion of the phosphor screen than in the peripheral portion, and the luminance of the central portion of the phosphor screen can be improved without causing color shift.
【0078】さらに、シャドウマスク焼付け用原版にお
いて、その大孔パターンおよび小孔パターンを矩形状の
主パターンとその主パターンの隅部から外方に突出した
矩形状の突出パターンとで構成すると、シャドウマスク
の開孔の隅部を所望量膨出させることができ、このシャ
ドウマスクを成形してカラー受像管に組込むことによ
り、蛍光体スクリーンの全域にわたり発光領域を欠けの
ないほぼ矩形状とすることができる。Further, in the original mask for baking a shadow mask, when the large hole pattern and the small hole pattern are composed of a rectangular main pattern and a rectangular projecting pattern protruding outward from a corner of the main pattern, the shadow is formed. A desired amount of the corners of the opening of the mask can be bulged. By shaping this shadow mask and incorporating it into a color picture tube, the light-emitting area can be made substantially rectangular without chipping over the entire area of the phosphor screen. Can be.
【0079】さらにまた、矩形主パターンとこの主パタ
ーンの隅部から外方に矩形状に突出する突出パターンと
を多重露光により合成して形成すると、容易に所要形状
のパターンとすることができる。Furthermore, when a rectangular main pattern and a protruding pattern protruding outward in a rectangular shape from a corner of the main pattern are synthesized and formed by multiple exposure, a pattern having a required shape can be easily formed.
【図1】図1(a)はこの発明の一実施例に係るシャド
ウマスクの垂直軸上の大孔の形状を示す平面図、図1
(b)は垂直軸上の小孔の形状を示す平面図、図1
(c)はその図1(a)における大孔のC−C断面図、
図1(d)は図1(a)における大孔のD−D断面図で
ある。FIG. 1A is a plan view showing a shape of a large hole on a vertical axis of a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
(B) is a plan view showing the shape of the small hole on the vertical axis, FIG.
(C) is a cross-sectional view of the large hole in FIG.
FIG. 1D is a DD sectional view of the large hole in FIG.
【図2】図2(a)は同じくこの発明の一実施例に係る
シャドウマスクの水平軸上の大孔の形状を示す平面図、
図2(b)はシャドウマスクの水平軸上の小孔の形状を
示す平面図である。FIG. 2A is a plan view showing a shape of a large hole on a horizontal axis of a shadow mask according to one embodiment of the present invention;
FIG. 2B is a plan view showing the shape of a small hole on the horizontal axis of the shadow mask.
【図3】図3(a)は同じくこの発明の一実施例に係る
シャドウマスクの対角軸上の大孔の形状を示す平面図、
図3(b)はシャドウマスクの対角軸上の小孔の形状を
示す平面図である。FIG. 3A is a plan view showing a shape of a large hole on a diagonal axis of the shadow mask according to the embodiment of the present invention;
FIG. 3B is a plan view showing the shape of a small hole on the diagonal axis of the shadow mask.
【図4】矩形孔シャドウマスクのほぼ矩形状開孔の配列
パターンを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an arrangement pattern of substantially rectangular openings of a rectangular hole shadow mask.
【図5】図5(a)および(b)はそれぞれ水平軸方向
の周辺部の開孔をこの開孔を斜めに横切る電子ビームの
経路方向上から眺めたときの開孔の形状と蛍光体層上の
発光領域との関係を説明するための図である。FIGS. 5 (a) and 5 (b) show the shape of the opening and the phosphor when viewed from above the opening in the peripheral portion in the horizontal axis direction along the path of the electron beam obliquely crossing the opening. FIG. 4 is a diagram for explaining a relationship with a light emitting region on a layer.
【図6】四隅部に膨出部をもつ開孔を斜めに横切る電子
ビームの経路方向から眺めたときの開孔形状と蛍光体層
上の発光領域との関係を説明するための図である。FIG. 6 is a view for explaining the relationship between the shape of the aperture and the light emitting area on the phosphor layer when viewed from the path direction of the electron beam obliquely crossing the aperture having bulges at the four corners. .
【図7】図7(a)はこの発明の一実施例に係るシャド
ウマスク焼付け用原版の小孔用原版の小孔パターンの配
列を示す図、図7(b)はシャドウマスク焼付け用原版
の大孔用原版の大孔パターンの配列を示す図である。FIG. 7A is a diagram showing an arrangement of small hole patterns of a small hole original plate of a shadow mask printing original plate according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a figure which shows arrangement | positioning of the large hole pattern of the master for large holes.
【図8】図8(a)はこの発明の一実施例に係るシャド
ウマスク焼付け用原版の小孔パターンの形状を示す図、
図8(b)はシャドウマスク焼付け用原版の大孔パター
ンの形状を示す図である。FIG. 8A is a view showing a shape of a small hole pattern of a shadow mask printing master according to one embodiment of the present invention;
FIG. 8B is a diagram showing the shape of the large hole pattern of the shadow mask printing original plate.
【図9】図9(a)ないし(d)はそれぞれ小孔パター
ンおよび大孔パターンの突出パターンの幅、突出長さ、
突出角度および主パターンに対する突出位置を説明する
ための図である。9 (a) to 9 (d) show the width and length of the small hole pattern and the large hole pattern, respectively.
FIG. 4 is a diagram for explaining a protruding angle and a protruding position with respect to a main pattern.
【図10】図10(a)はシャドウマスク焼付け用原版
の中心において小孔パターンと大孔パターンとを合致さ
せた状態を示す図、図10(b)はシャドウマスク焼付
け用原版の垂直軸端部における小孔パターンと大孔パタ
ーンとを合致させた状態を示す図、図10(c)はシャ
ドウマスク焼付け用原版の水平軸端部における小孔パタ
ーンと大孔パターンとを合致させた状態を示す図、図1
0(d)はシャドウマスク焼付け用原版の対角軸端部に
おける小孔パターンと大孔パターンとを合致させた状態
を示す図である。10 (a) is a view showing a state where a small hole pattern and a large hole pattern are matched at the center of the master for shadow mask printing, and FIG. 10 (b) is a vertical axis end of the master for shadow mask printing. FIG. 10C is a view showing a state where the small hole pattern and the large hole pattern in the portion match each other, and FIG. 10C shows a state where the small hole pattern and the large hole pattern at the end of the horizontal axis of the shadow mask printing original plate are matched. FIG. 1, FIG.
0 (d) is a diagram showing a state where the small hole pattern and the large hole pattern at the diagonal axis end of the shadow mask printing master are matched.
【図11】図11(a)ないし(e)はそれぞれシャド
ウマスク焼付け用原版の小孔パターンの形成方法を説明
するための図である。FIGS. 11A to 11E are views for explaining a method of forming a small hole pattern of a master for shadow mask printing.
【図12】図12(a)ないし(e)はそれぞれシャド
ウマスク焼付け用原版の大孔ターンの形成方法を説明す
るための図である。12 (a) to 12 (e) are views for explaining a method of forming a large hole turn of a master for baking a shadow mask.
【図13】図13(a)はこの発明の他の実施例に係る
異なるシャドウマスク焼付け用原版を説明するために示
した四隅部に膨出部をもたないシャドウマスクの開孔の
大孔を示す平面図、図13(b)は四隅部に膨出部をも
たないシャドウマスクの開孔の小孔を示す平面図であ
る。FIG. 13 (a) is a view for explaining a different original mask for baking a shadow mask according to another embodiment of the present invention. FIG. 13B is a plan view showing small holes of the opening of the shadow mask having no bulges at the four corners.
【図14】この発明の他の実施例に係る異なるシャドウ
マスクの開孔を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing openings of different shadow masks according to another embodiment of the present invention.
【図15】この発明の他の実施例に係るさらに異なるシ
ャドウマスクの開孔を示す平面図である。FIG. 15 is a plan view showing openings of still another shadow mask according to another embodiment of the present invention.
【図16】図16(a)ないし(e)はそれぞれこの発
明の他の実施例に係るシャドウマスク焼付け用原版の小
孔パターンおよび大孔パターンの他の形成方法を説明す
るための図である。FIGS. 16 (a) to 16 (e) are views for explaining another method of forming a small hole pattern and a large hole pattern of a shadow mask printing original plate according to another embodiment of the present invention. .
【図17】カラー受像管の全体の構成を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing the overall configuration of a color picture tube.
【図18】図18(a)は従来のカラー受像管のシャド
ウマスクのほぼ矩形状の開孔を示す平面図、図18
(b)は図18(a)における開孔のB−B断面図、図
18(c)は図18(a)における開孔のC−C断面図
である。18 (a) is a plan view showing a substantially rectangular opening of a shadow mask of a conventional color picture tube; FIG.
18B is a sectional view taken along line BB of the opening in FIG. 18A, and FIG. 18C is a sectional view taken along line C-C of the opening in FIG.
【図19】図18に示した従来の開孔とこの開孔を斜め
に横切る電子ビームとの関係を説明するための図であ
る。FIG. 19 is a view for explaining the relationship between the conventional aperture shown in FIG. 18 and an electron beam obliquely crossing the aperture.
【図20】従来のシャドウマスクのほぼ矩形状の開孔の
大孔と小孔との境界部に形成される張出部を説明するた
めの展開図である。FIG. 20 is a development view for explaining an overhang portion formed at a boundary between a large hole and a small hole of a substantially rectangular opening of a conventional shadow mask.
【図21】従来のシャドウマスクのほぼ矩形状の開孔と
この開孔を斜めに横切る電子ビームにより蛍光体層上に
形成される発光領域との関係を説明するための図であ
る。FIG. 21 is a view for explaining a relationship between a substantially rectangular opening of a conventional shadow mask and a light emitting region formed on a phosphor layer by an electron beam obliquely crossing the opening.
【図22】図22(a)は従来のオフセンター形シャド
ウマスクの中央部の開孔形状を示す平面図、図22
(b)はそのB−B断面図である。FIG. 22 (a) is a plan view showing the shape of an opening at the center of a conventional off-center type shadow mask; FIG.
(B) is the BB sectional view.
【図23】図23(a)は従来のオフセンター形シャド
ウマスクの水平軸方向の外周部の開孔を示す平面図、図
23(b)はそのB−B断面図である。FIG. 23 (a) is a plan view showing an opening in the outer peripheral portion in the horizontal axis direction of a conventional off-center type shadow mask, and FIG. 23 (b) is a BB cross-sectional view thereof.
【図24】図24(a)は従来のオフセンター形シャド
ウマスクの対角軸方向の外周部の開孔を示す平面図、図
24(b)はそのB−B断面図、図24(e)はそのC
−C断面図である。FIG. 24 (a) is a plan view showing a hole at an outer peripheral portion in a diagonal axis direction of a conventional off-center type shadow mask, FIG. 24 (b) is a BB cross-sectional view thereof, and FIG. ) Is the C
It is -C sectional drawing.
【図25】従来のフラットスクエア管用シャドウマスク
の開孔とこの開孔を斜めに横切る電子ビームとの関係を
説明するための図である。FIG. 25 is a view for explaining a relationship between an opening of a conventional shadow mask for a flat square tube and an electron beam obliquely crossing the opening.
【図26】図26(a)は従来のシャドウマスクのほぼ
矩形状の開孔の問題点を解決するために改良されたシャ
ドウマスクの開孔を示す平面図、図26(b)は図26
(a)における開孔のB−B断面図、図26(c)は図
26(a)における開孔のC−C断面図である。26 (a) is a plan view showing an aperture of a shadow mask improved to solve the problem of a substantially rectangular aperture of a conventional shadow mask, and FIG. 26 (b) is a plan view of FIG.
26A is a sectional view taken along line BB of the opening in FIG. 26A, and FIG. 26C is a sectional view taken along line CC of the opening in FIG.
【図27】図27(a)は図26に示したシャドウマス
クの問題点を解決するためのほぼ矩形状の開孔の平面
図、図27(b)は図27(a)におけるB−B断面
図、図27(c)は図27(a)におけるC−C断面図
である。27 (a) is a plan view of a substantially rectangular opening for solving the problem of the shadow mask shown in FIG. 26, and FIG. 27 (b) is BB in FIG. 27 (a). FIG. 27C is a cross-sectional view taken along a line CC in FIG. 27A.
【図28】図28(a)および(b)はそれぞれ従来の
シャドウマスクのほぼ矩形状の開孔の問題点を解決する
ために改良されたシャドウマスクの開孔を示す平面図で
ある。FIGS. 28 (a) and (b) are plan views each showing an opening of a shadow mask improved to solve the problem of the substantially rectangular opening of the conventional shadow mask.
【図29】図29は従来のシャドウマスクのほぼ矩形状
の開孔の問題点を解決するために改良された異なるシャ
ドウマスクの開孔を示す平面図である。FIG. 29 is a plan view showing apertures of different shadow masks which have been improved to solve the problem of the substantially rectangular apertures of the conventional shadow mask.
【図30】従来のシャドウマスクのほぼ矩形状の開孔の
問題点を解決するために改良されたシャドウマスクの開
孔を形成するシャドウマスク焼付け用原版のパターンを
示す図である。FIG. 30 is a view showing a pattern of an original mask for baking a shadow mask for forming openings of a shadow mask improved to solve the problem of the substantially rectangular openings of the conventional shadow mask.
【図31】従来のシャドウマスクのほぼ矩形状の開孔の
問題点を解決するために改良されたさらに異なるシャド
ウマスクの開孔を示す平面図である。FIG. 31 is a plan view showing still another opening of a shadow mask improved to solve the problem of the substantially rectangular opening of the conventional shadow mask.
【図32】図32(a)は従来のシャドウマスクのほぼ
矩形状の開孔の問題点を解決するために改良されたさら
に異なる他のシャドウマスクの開孔形状を示す図、図3
2(b)はその開孔を形成するシャドウマスク焼付け用
原版のパターンを示す図である。FIG. 32 (a) is a view showing another different opening shape of a shadow mask improved to solve the problem of the substantially rectangular opening of the conventional shadow mask, and FIG. 3;
FIG. 2 (b) is a view showing a pattern of an original mask for baking a shadow mask which forms the opening.
【図33】従来のシャドウマスクのほぼ矩形状の開孔の
問題点を解決するために改良されたさらに異さらに他の
シャドウマスク焼付け用原版のパターンを示す図であ
る。FIG. 33 is a view showing a pattern of still another original mask for baking a shadow mask which is improved to solve the problem of the substantially rectangular opening of the conventional shadow mask.
30…開孔 31…ブリッジ 32…垂直列 34…大孔 35…小孔 36…隅部 36L …大孔の四隅部 36S …小孔の四隅部 37…膨出部 39…張出部 46a …小孔用原版 46b …大孔用原版 47a …小孔パターン 47b …大孔パターン 50a ,50b …矩形主パターン 51a1,50a2,51a3,50a4…突出パターン 51b1,50b2,51b3,50b4…突出パターン 30 ... opening 31 ... bridge 32 ... vertical row 34 ... large hole 35 ... small hole 36 ... corner 36L ... four corners of the big hole 36S ... four corners of the small hole 37 ... bulging part 39 ... projection part 46a ... small Hole master 46b… Large hole master 47a… Small hole pattern 47b… Large hole pattern 50a, 50b… Rectangular main pattern 51a1,50a2,51a3,50a4… Projection pattern 51b1,50b2,51b3,50b4… Projection pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−320427 (32)優先日 平成2年11月22日(1990.11.22) (33)優先権主張国 日本(JP) (56)参考文献 特開 平1−320738(JP,A) 実開 昭55−138757(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 29/07 H01J 9/14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 2-320427 (32) Priority date November 22, 1990 (November 22, 1990) (33) Priority claim country Japan (JP) (56) References JP-A-1-320738 (JP, A) JP-A-55-138757 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 29/07 H01J 9 / 14
Claims (5)
軸および中心を通る水平軸を有し、所定のパターンに配
列された多数のほぼ矩形状の板厚の中間部で形成された
開孔を有するシャドウマスクにおいて、 上記開孔の各々は上記垂直軸とほぼ平行な長手軸を有
し、これら開孔は複数の開孔を上記垂直軸と平行に並べ
てなる垂直列が上記水平軸方向に所定のピッチで複数並
んで形成されるように配列され、各垂直列内の隣合う開
孔がブリッジ部により垂直軸方向に離間され、上記垂直
軸上の開孔以外の開孔が上記垂直軸から離間した一対の
外側隅部と、上記垂直軸側に位置した一対の内側隅部
と、上記外側隅部からそれぞれ水平軸方向外方へ膨出し
た一対の膨出部とを有し、この膨出部が上記垂直軸から
離間した開孔ほど徐々に膨出量が大きくなるように形成
されていることを特徴とするシャドウマスク。1. A substantially rectangular plate having a vertical axis passing through the center and a horizontal axis passing through the center, and formed by a plurality of substantially rectangular plate- like intermediate portions arranged in a predetermined pattern. In a shadow mask having openings, each of the openings has a longitudinal axis substantially parallel to the vertical axis, and the openings are formed by a vertical row in which a plurality of openings are arranged in parallel with the vertical axis. A plurality of openings other than the openings on the vertical axis are arranged in such a manner that a plurality of openings are arranged side by side at a predetermined pitch in the horizontal axis direction. A pair of outer corners in which the hole is separated from the vertical axis, a pair of inner corners located on the vertical axis side, and a pair of bulges each bulging outward in the horizontal axis direction from the outer corner. The swelling amount gradually increases as the swelling portion becomes more distant from the vertical axis. A shadow mask characterized by being formed so as to be sharp.
端縁を有し、この両端縁が水平軸方向に延び、この両端
縁が開孔の中心部における水平軸方向の幅よりも長い直
線状となっていることを特徴とする請求項1記載のシャ
ドウマスク。2. Each of the openings has both ends defined by a bridge portion, the both ends extending in the horizontal axis direction, and both ends are longer than the width in the horizontal axis direction at the center of the opening. The shadow mask according to claim 1, wherein the shadow mask has a shape.
軸および中心を通る水平軸を有し、所定のパターンに配
列された多数のほぼ矩形状の板厚の中間部で形成された
開孔を有するシャドウマスクにおいて、 上記開孔の各々は上記垂直軸とほぼ平行な長手軸を有
し、これら開孔は複数の開孔を上記垂直軸と平行に並べ
てなる垂直列が上記水平軸方向に所定のピッチで複数並
んで形成されるように配列され、各垂直列内の隣合う開
孔がブリッジ部により垂直軸方向に離間され、上記垂直
軸上の各開孔が四隅部から水平軸方向外方へ膨出した膨
出部を有して上下左右対称形状に形成され、上記垂直軸
上の開孔以外の開孔が上記垂直軸から離間した一対の外
側隅部と、上記垂直軸側に位置した一対の内側隅部と、
上記外側隅部からそれぞれ水平軸方向外方へ膨出した一
対の第1の膨出部と、上記内側隅部からそれぞれ水平軸
方向外方へ膨出した一対の第2の膨出部とを有し、上記
第1の膨出部が上記垂直軸から離間した開孔ほど徐々に
膨出量が大きくなるように形成され、上記第2の膨出部
が上記垂直軸から離間した開孔ほど徐々に膨出量が小さ
くなるように形成されていることを特徴とするシャドウ
マスク。3. It is formed in a substantially rectangular shape, has a vertical axis passing through the center and a horizontal axis passing through the center, and is formed by a large number of substantially rectangular plate thickness middle portions arranged in a predetermined pattern. In a shadow mask having openings, each of the openings has a longitudinal axis substantially parallel to the vertical axis, and the openings are formed by a vertical row in which a plurality of openings are arranged in parallel with the vertical axis. A plurality of holes are arranged so as to be formed side by side at a predetermined pitch in the horizontal axis direction, adjacent holes in each vertical column are separated in the vertical axis direction by a bridge portion, and each hole on the vertical axis is four corners. A pair of outer corners formed in a vertically symmetrical shape having a swelling portion swelling outward in the horizontal axis direction from the portion, and an opening other than the opening on the vertical axis separated from the vertical axis. A pair of inner corners located on the vertical axis side,
A pair of first bulges each bulging outward in the horizontal axis direction from the outer corner, and a pair of second bulges each bulging outward in the horizontal axis direction from the inner corner. The first swelling portion is formed so that the swelling amount gradually increases as the opening distances away from the vertical axis, and the second swelling portion increases as the opening distances away from the vertical axis. A shadow mask characterized in that the swelling amount is gradually reduced.
より垂直軸方向に離間して並べられてなる垂直列が、水
平軸方向に所定のピッチで複数並んで形成されてなるシ
ャドウマスクであり、上記複数の各開孔がシャドウマス
クの一方の面に開口した大孔とシャドウマスクの他方の
面に開口した小孔とを有するシャドウマスクの製造に用
いられるマスク素材板の表面に上記大孔および小孔に対
応するパターンを焼付けるためのシャドウマスク焼付け
用原版において、 上記大孔に対応する多数の大孔パターンを有し、上記マ
スク素材板の一方の面に対設される大孔原版と、上記小
孔に対応する多数の小孔パターンを有し、上記マスク素
材板の他方の面に対設される小孔原版とからなり、上記
大孔パターンおよび小孔パターンがそれぞれ矩形状の主
パターンと、この主パターンの隅部から外方に突出した
矩形状の突出パターンとを有することを特徴とする請求
項1乃至3のいずれか1つに記載のシャドウマスクを作
成するためのシャドウマスク焼付け用原版。4. A shadow mask formed by forming a plurality of vertical rows in which a plurality of substantially rectangular openings are spaced apart in the vertical axis direction by a bridge portion and arranged at a predetermined pitch in the horizontal axis direction. A plurality of openings each having a large hole opened on one side of the shadow mask and a small hole opened on the other side of the shadow mask. An original mask for baking a shadow mask for printing a pattern corresponding to a hole and a small hole, wherein the large hole pattern has a large number of large hole patterns corresponding to the large holes and is provided on one surface of the mask material plate. An original plate, comprising a plurality of small hole patterns corresponding to the small holes, a small hole original plate opposed to the other surface of the mask material plate, wherein the large hole pattern and the small hole pattern are each rectangular; Lord of According to the turn, characterized in that it has a rectangular protrusion patterns protruding outward from the corners of the main pattern
Create the shadow mask according to any one of Items 1 to 3.
A master for baking shadow masks.
矩形状の複数の開孔を有し、この複数の各開孔がシャド
ウマスクの一方の面に開口した大孔とシャドウマスクの
他方の面に開口した小孔とを有するシャドウマスクの製
造に用いられるマスク素材板の表面に上記大孔および小
孔に対応するパターンを焼付けるためのシャドウマスク
焼付け用原版であり、上記大孔パターンおよび小孔パタ
ーンがそれぞれ矩形状の主パターンと、この主パターン
の隅部から外方に突出した矩形状の突出パターンとを有
するシャドウマスク焼付け用原版の製造方法において、 ネガ原版に上記矩形状の主パターンを露光する工程と、
この主パターンの隅部に外方に突出した矩形状の突出パ
ターンを多重露光して上記主パターンに合成する工程と
を備え、かつこの合成する工程が上記ネガ原版の座標位
置に応じて上記突出パターンの幅、突出長さ、突出角度
および上記主パターンに対する突出位置を変化させる工
程を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1
つに記載のシャドウマスクを作成するためのシャドウマ
スク焼付け用原版の製造方法。5. A plurality of substantially rectangular openings having different planar shapes depending on coordinate positions, each of which has a large opening opened on one surface of the shadow mask and the other opening of the shadow mask. A shadow mask baking master for baking a pattern corresponding to the large holes and small holes on the surface of a mask material plate used for manufacturing a shadow mask having small holes opened on the surface, the large hole pattern and In a method for manufacturing a shadow mask printing master having a rectangular main pattern having a small hole pattern and a rectangular protrusion pattern protruding outward from a corner of the main pattern, the negative master includes the rectangular main pattern. Exposing the pattern;
A step of multiple-exposing a rectangular projecting pattern projecting outward at a corner of the main pattern and synthesizing the main pattern with the main pattern, and the synthesizing step is performed according to the coordinate position of the negative master. 4. The method according to claim 1 , further comprising a step of changing a width, a protruding length, a protruding angle, and a protruding position of the pattern with respect to the main pattern.
A method for producing a master for baking a shadow mask for producing the shadow mask according to any one of the first to third aspects .
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