JPH07192644A - Shadow mask for color cathode-ray tube and manufacture thereof - Google Patents

Shadow mask for color cathode-ray tube and manufacture thereof

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JPH07192644A
JPH07192644A JP6280115A JP28011594A JPH07192644A JP H07192644 A JPH07192644 A JP H07192644A JP 6280115 A JP6280115 A JP 6280115A JP 28011594 A JP28011594 A JP 28011594A JP H07192644 A JPH07192644 A JP H07192644A
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electron beam
hole
shadow mask
circular
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雅人 望月
Hidekazu Akiyoshi
英一 穐吉
Nobuo Kita
信夫 喜多
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a shadow mask having sufficient mechanical strength with no collision of an electron beam against a side wall by forming a large hole in one face side into a peanut shape with an electron beam deflecting direction serving as the major diameter, and forming a small hole in the other face side into a circular shape. CONSTITUTION:In a shadow mask for a color cathode-ray tube wherein many electron beam passing holes are provided with a prescribed arranging pitch in a plate-shaped member, the electron beam passing hole is constituted of a large hole 25 formed in one face side of the plate-shaped member and a small hole 24 formed in the other face side. Further in the large hole 25, in accordance with approaching the periphery from the center of the shadow mask, a deflecting direction of an electron beam is formed into a major diameter, and further this major diameter is increased larger, in accordance with a deflecting angle of the electron beam, into peanut shape, oval shape, potbelly shape, etc. On the other hand, the small hole 24 is formed in a circular shape of positioning its center on a major axis of the large hole 25. This large hole 25 is formed by double-punch etching by using a resist film to displace the center position of a circular dot from the one face side of the plate-shaped member.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、カラーブラウン管用
シャドウマスクに係り、特にディスプレー用カラーブラ
ウン管に有効なカラーブラウン管用シャドウマスクおよ
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask for a color cathode ray tube, and more particularly to a shadow mask for a color cathode ray tube which is effective for a color cathode ray tube for a display and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、カラーブラウン管は、図10に
示すように、パネル1およびこのパネル1に一体に接合
されたファンネル2からなる外囲器を有し、そのパネル
1の内面に、青、緑、赤に発光する3色蛍光体層からな
る蛍光体スクリーン3が形成され、この蛍光体スクリー
ン3と所定間隔離れて、その内側にシャドウマスク4が
配置されている。一方、ファンネル2のネック5内に、
3電子ビーム6を放出する電子銃7が配設されている。
そして、この電子銃7から放出される3電子ビーム6を
ファンネル2の外側に装着された偏向装置8の発生する
磁界により偏向し、シャドウマスク4を介して蛍光体ス
クリーン3を水平、垂直走査することにより、カラー画
像を表示する構造に形成されている。
2. Description of the Related Art Generally, as shown in FIG. 10, a color cathode ray tube has an envelope made up of a panel 1 and a funnel 2 integrally joined to the panel 1, and the inside of the panel 1 has a blue, A phosphor screen 3 including a three-color phosphor layer that emits green and red is formed, and a shadow mask 4 is arranged inside the phosphor screen 3 at a predetermined distance. On the other hand, inside the neck 5 of the funnel 2,
An electron gun 7 that emits three electron beams 6 is arranged.
Then, the three electron beams 6 emitted from the electron gun 7 are deflected by the magnetic field generated by the deflecting device 8 mounted outside the funnel 2, and the phosphor screen 3 is horizontally and vertically scanned through the shadow mask 4. As a result, a structure for displaying a color image is formed.

【0003】上記シャドウマスク4は、3電子ビーム6
が3色蛍光体層に正しくランディングするように選別す
るためのものであり、図11に示すように、マスク本体
10とこのマスク本体10の周辺部に取付けられたマス
クフレーム11とからなる。そのマスク本体10は、多
数の電子ビーム通過孔が所定の配列ピツチで形成された
有効面を有し、シャドウマスク4は、この有効面が蛍光
体スクリーンと所定間隔離れて対向するようにパネル1
の内側に配置されている。
The shadow mask 4 has three electron beams 6
Is for selecting so as to properly land on the three-color phosphor layer, and comprises a mask body 10 and a mask frame 11 attached to the peripheral portion of the mask body 10 as shown in FIG. The mask body 10 has an effective surface in which a large number of electron beam passage holes are formed in a predetermined arrangement pitch, and the shadow mask 4 has a panel 1 so that the effective surface faces the phosphor screen at a predetermined distance.
Is located inside.

【0004】このようなカラーブラウン管のうち、特に
ディスプレー用カラーブラウン管については、シャドウ
マスク4の電子ビーム通過孔は円形状に形成され、これ
に対応して、蛍光体スクリーン3の3色蛍光体層は、円
形のドット状に形成されている。図12にそのシャドウ
マスクの電子ビーム通過孔の断面形状を示す。一般にシ
ャドウマスクの電子ビーム通過孔13は、蛍光体スクリ
ーンと対向する一方の面側に形成された大孔14と他方
の面側(電子銃側)に形成された小孔15が連通した傾
斜側壁をもつ連通孔からなり、その大孔14と小孔15
との連通部が実質的に電子ビーム通過孔13の孔径、形
状を決定するものとなっている。
Among such color cathode ray tubes, particularly in the color cathode ray tube for display, the electron beam passage hole of the shadow mask 4 is formed in a circular shape, and correspondingly, the three-color phosphor layer of the phosphor screen 3 is formed. Are formed in a circular dot shape. FIG. 12 shows the sectional shape of the electron beam passage hole of the shadow mask. In general, the electron beam passage hole 13 of the shadow mask is an inclined side wall in which a large hole 14 formed on one surface side facing the phosphor screen and a small hole 15 formed on the other surface side (electron gun side) communicate with each other. A large hole 14 and a small hole 15
The communicating portion with and substantially determines the hole diameter and shape of the electron beam passage hole 13.

【0005】このようなシャドウマスクを有するカラー
ブラウン管では、画面の中央に入射する電子ビーム6
は、シャドウマスク4の中央の電子ビーム通過孔13を
垂直に横切るが、画面の周辺部になるにしたがって、電
子ビーム6は、シャドウマスク4の周辺部の電子ビーム
通過孔13を斜めに横切るようになる。
In a color cathode ray tube having such a shadow mask, the electron beam 6 incident on the center of the screen is
Crosses the electron beam passage hole 13 in the center of the shadow mask 4 vertically, but the electron beam 6 obliquely crosses the electron beam passage hole 13 in the periphery of the shadow mask 4 as it goes to the peripheral portion of the screen. become.

【0006】この電子ビーム通過孔13を横切る電子ビ
ーム6がその側壁に衝突して蛍光体スクリーン方向に反
射することのないように、電子ビーム通過孔13は、図
11に点A0 で示したシャドウマスク4の中央では、図
13(a)および(b)に示すように、大孔14と小孔
15とが同軸であるが、図11に点AH で示した水平軸
(H軸)上の周辺部では、図13(c)および(d)に
示すように、小孔15に対して大孔14が水平方向の外
側に偏心している。また図11に点AV で示した垂直軸
(V軸)上の周辺部では、図13(e)に示すように、
小孔15に対して大孔14が垂直方向の外側に、また図
11に点AD で示した対角軸(D軸)上の周辺部では、
図13(f)に示すように、小孔15に対して大孔14
が対角方向の外側に偏心している。つまり、シャドウマ
スクの電子ビーム通過孔は、電子ビームが電子ビーム通
過孔の側壁に衝突して蛍光体スクリーン方向に反射する
ことのないように、小孔15に対して大孔14が電子ビ
ームの偏向方向に偏心している。
In order to prevent the electron beam 6 traversing the electron beam passage hole 13 from colliding with the side wall of the electron beam passage hole 13 and being reflected toward the phosphor screen, the electron beam passage hole 13 is provided with a shadow indicated by a point A0 in FIG. At the center of the mask 4, as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b), the large hole 14 and the small hole 15 are coaxial, but on the horizontal axis (H axis) shown by the point AH in FIG. In the peripheral portion, as shown in FIGS. 13C and 13D, the large hole 14 is eccentric to the small hole 15 outward in the horizontal direction. Further, in the peripheral portion on the vertical axis (V axis) indicated by the point AV in FIG. 11, as shown in FIG.
With respect to the small hole 15, the large hole 14 is located outside in the vertical direction, and in the peripheral portion on the diagonal axis (D axis) indicated by the point AD in FIG.
As shown in FIG. 13 (f), the large hole 14
Is eccentric to the outside in the diagonal direction. That is, in the electron beam passage hole of the shadow mask, the large hole 14 is made smaller than the small hole 15 so that the electron beam does not collide with the side wall of the electron beam passage hole and is reflected in the phosphor screen direction. It is eccentric in the deflection direction.

【0007】ところで、ディスプレー用カラーブラウン
管については、近年、高精細化、高輝度化、フラット化
などにより、シャドウマスクの電子ビーム通過孔を横切
る電子ビームの角度が一段と大きくなり、それにともな
い、小孔に対する大孔のより大きな偏心、あるいは大孔
をより大きくする必要が生じている。
With respect to color cathode ray tubes for displays, the angle of the electron beam crossing the electron beam passage hole of the shadow mask has become much larger in recent years due to higher definition, higher brightness and flatness. Larger eccentricity of the large hole with respect to or the larger hole needs to be made larger.

【0008】しかしシャドウマスクの電子ビーム通過孔
は、フォトエッチング法により形成され、エッチング
は、板状部材の板厚方向に大きく進行するするため、小
孔に対する大孔の偏心量が大きくなると、図14に示す
ように、実質的に電子ビーム通過孔の孔径、形状を決定
する大孔14と小孔15の連通部16が円形とならず、
また連通部の形状が安定せず、孔形状不良が多発するよ
うになる。また図15に示すように、大孔14を大きく
すると、隣接電子ビーム通過孔の大孔14間の間隔bが
狭くなり、シャドウマスクの機械的強度が低下する。そ
の結果、変形や、耐衝撃、耐振動特性が劣化し、実用に
耐えられなくなる。
However, since the electron beam passage hole of the shadow mask is formed by the photo-etching method and the etching greatly progresses in the plate thickness direction of the plate member, if the eccentric amount of the large hole with respect to the small hole becomes large, As shown in 14, the communication portion 16 of the large hole 14 and the small hole 15 that substantially determines the hole diameter and shape of the electron beam passage hole is not circular,
In addition, the shape of the communicating portion is not stable, and defective hole shapes frequently occur. Further, as shown in FIG. 15, when the large holes 14 are made large, the distance b between the large holes 14 of the adjacent electron beam passage holes becomes narrow, and the mechanical strength of the shadow mask is lowered. As a result, deformation, impact resistance, and vibration resistance are deteriorated, making it unusable for practical use.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにカラーブ
ラウン管においては、画面の中央に入射する電子ビーム
は、シャドウマスクの中央の電子ビーム通過孔を垂直に
横切るが、画面の周辺部に近づくしたがって電子ビーム
は、周辺部の電子ビーム通過孔を斜めに横切るようにな
る。そのため、シャドウマスクの電子ビーム通過孔は、
電子ビームがその側壁に衝突して蛍光体スクリーン方向
に反射することのないように、シャドウマスクの中央で
は、一方の面側の大孔と他方の面側の小孔とが同軸に形
成されているが、周辺部に近づくしたがって、小孔に対
して大孔が偏向方向の外側に大きく偏心させている。こ
の小孔に対する大孔の偏心は、特に近年、高精細化、高
輝度化、フラット化したディスプレー用カラーブラウン
管では、シャドウマスクの電子ビーム通過孔を横切る電
子ビームの角度がさらに大きくなるため、それにともな
い、小孔に対する大孔のより大きな偏心、あるいは大孔
をより大きくする必要が生じている。
As described above, in the color cathode ray tube, the electron beam incident on the center of the screen vertically crosses the electron beam passage hole in the center of the shadow mask, but approaches the peripheral portion of the screen. The electron beam obliquely crosses the electron beam passage hole in the peripheral portion. Therefore, the electron beam passage hole of the shadow mask is
In the center of the shadow mask, a large hole on one surface side and a small hole on the other surface side are formed coaxially so that the electron beam does not collide with the side wall and reflect in the phosphor screen direction. However, the large holes are largely eccentric with respect to the small holes outward in the deflection direction. The eccentricity of the large hole with respect to the small hole is particularly large in recent years in a color cathode-ray tube for display with high definition, high brightness, and flatness, because the angle of the electron beam that crosses the electron beam passage hole of the shadow mask is further increased. Along with this, it is necessary to make the large holes more eccentric with respect to the smaller holes or to make the large holes larger.

【0010】しかし小孔に対する大孔の偏心量が大きく
なると、シャドウマスクの電子ビーム通過孔を形成する
エッチングが板状部材の板厚方向に大きく進行するする
ため、実質的に電子ビーム通過孔の孔径、形状を決定す
る大孔と小孔との連通部が円形とならず、また連通部の
形状が安定せず、孔形状不良が多発するようになる。ま
た大孔を大きくすると、隣接電子ビーム通過孔の大孔間
の間隔が狭くなり、シャドウマスクの機械的強度が低下
して、実用に耐えられなくなるなどの問題が生ずる。
However, when the amount of eccentricity of the large hole with respect to the small hole becomes large, the etching for forming the electron beam passage hole of the shadow mask greatly advances in the plate thickness direction of the plate member, so that the electron beam passage hole is substantially formed. The communication part between the large hole and the small hole, which determines the hole diameter and shape, is not circular, and the shape of the communication part is not stable, resulting in frequent hole shape defects. Further, if the large holes are made large, the distance between the large holes of the adjacent electron beam passage holes becomes narrower, and the mechanical strength of the shadow mask is lowered, so that there is a problem that it cannot be practically used.

【0011】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、実質的に電子ビーム通過孔の形状
を決定する大孔と小孔との連通部が円形をなし、かつ電
子ビーム通過孔を斜めに横切る電子ビームが電子ビーム
通過孔の側壁に衝突せず、しかも十分に機械的強度を保
持するシャドウマスクを得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the communication portion between the large hole and the small hole that substantially determines the shape of the electron beam passage hole is circular, and the electron beam is also formed. An object of the present invention is to obtain a shadow mask in which an electron beam that obliquely crosses a passage hole does not collide with a side wall of the electron beam passage hole, and yet the mechanical strength is sufficiently maintained.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】板状部材に所定の配列ピ
ッチで形成された多数の電子ビーム通過孔が板状部材の
一方の面側に形成された大孔と他方の面側に形成された
小孔とからなるカラーブラウン管用シャドウマスクにお
いて、電子ビーム通過孔を、大孔がシャドウマスクの中
央から周辺に近づくにしたがって電子ビームの偏向方向
を長径としかつこの長径が電子ビームの偏向角にしたが
って大きくなるピーナッツ形状または小判形状またはだ
るま形状をなし、小孔が円形状をなし、この小孔の中心
が大孔の長軸上に位置する形状とした。
A large number of electron beam passage holes formed in a plate member at a predetermined arrangement pitch are formed in a large hole formed on one surface side of the plate member and on the other surface side. In the shadow mask for a color cathode-ray tube consisting of a small hole and an electron beam passing hole, the deflection direction of the electron beam is made longer as the large hole approaches the periphery from the center of the shadow mask, and this longer diameter becomes the deflection angle of the electron beam. Therefore, a peanut shape, an oval shape, or a daruma shape, which is large, is formed, a small hole has a circular shape, and the center of this small hole is located on the major axis of the large hole.

【0013】また、そのピーナッツ形状または小判形状
またはだるま形状をなす電子ビーム通過孔を、重なり合
った少なくとも2つの円形孔からなり、この電子ビーム
通過孔の小孔が2つの円形孔のうちシャドウマスクの中
央側に位置する円形孔の大孔と同軸に形成した。
Further, the peanut-shaped, oval-shaped or daruma-shaped electron beam passage hole is composed of at least two circular holes which are overlapped, and the small hole of the electron beam passage hole is one of the two circular holes of the shadow mask. It was formed coaxially with the large circular hole located on the center side.

【0014】また、板状部材の両面に感光膜を塗布形成
し、この両面の感光膜をそれぞれ大孔用パターンの形成
された第1フォトマスクおよび小孔用パターンの形成さ
れた第2フォトマスクを介して露光し現像して両面の感
光膜にそれぞれ各フォトマスクのパターンに対応するパ
ターンからなるレジスト膜を形成し、このレジスト膜の
形成された板状部材を両面からエッチングしてこの板状
部材の一方の面側に大孔、他方の面側に小孔を形成して
電子ビーム通過孔を形成するカラーブラウン管用シャド
ウマスクの製造方法において、第1フォトマスクの大孔
用パターンを、電子ビームの偏向方向に電子ビームの偏
向角に対応する間隔だけ円形ドットの中心位置をずらし
て2度打ちし、互いの円形ドットが部分的に重なり合う
かまたは離間したパターンとし、第2フォトマスクの小
孔用パターンを円形とし、これら第1、第2フォトマス
クを用いて板状部材に電子ビーム通過孔を形成するよう
にした。
Photosensitive films are formed on both surfaces of the plate-like member by coating, and the photosensitive films on both surfaces are respectively formed with a first photomask having a pattern for large holes and a second photomask having a pattern for small holes. Through exposure and development to form a resist film having a pattern corresponding to the pattern of each photomask on both sides of the photosensitive film, and etching the plate-shaped member on which this resist film is formed from both sides In a method of manufacturing a shadow mask for a color cathode-ray tube in which a large hole is formed on one surface side of a member and a small hole is formed on the other surface side to form an electron beam passage hole, the large hole pattern of the first photomask is formed by The center positions of the circular dots are shifted by an interval corresponding to the deflection angle of the electron beam in the beam deflection direction, and the circular dots are hit twice, so that the circular dots partially overlap or are separated from each other. And turn the small hole patterns of the second photomask is circular, these first and to form the electron beam apertures in the plate-like member by using a second photomask.

【0015】また、そのカラーブラウン管用シャドウマ
スクの製造方法において、第1フォトマスクの大孔用パ
ターンを、電子ビームの偏向方向に電子ビームの偏向角
に対応する間隔だけ円形ドットの中心位置を2度打ちし
てピーナッツ形状に形成した。
Further, in the method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube, in the large hole pattern of the first photomask, the center positions of the circular dots are set to 2 at intervals corresponding to the deflection angle of the electron beam in the deflection direction of the electron beam. It was beaten to form a peanut shape.

【0016】さらに、第1フォトマスクの大孔用パター
ンを、電子ビームの偏向方向に電子ビームの偏向角に対
応する間隔だけ相対的に径大な円形ドットと相対的に径
小の円形ドットとを離間して2度打ちしてただるま形状
に形成した。
Further, the large hole pattern of the first photomask is composed of circular dots having a relatively large diameter and circular dots having a relatively small diameter in the deflection direction of the electron beam by an interval corresponding to the deflection angle of the electron beam. Were spaced apart and struck twice to form a free-standing shape.

【0017】さらにまた、第2フォトマスクの小孔用パ
ターンを、第1フォトマスクの大孔用パターンの2度打
ちされる円形ドットのうち、第1フォトマスクの中央側
の円形ドットと同軸の円形に形成した。
Furthermore, the small hole pattern of the second photomask is coaxial with the circular dot on the center side of the first photomask among the circular dots that are twice hit in the large hole pattern of the first photomask. It was formed into a circular shape.

【0018】[0018]

【作用】上記形状に電子ビーム通過孔を形成すると、実
質的に電子ビーム通過孔の孔径、形状を決定する大孔と
小孔との連通部を円形とし、かつ電子ビーム通過孔を斜
めに横切る電子ビームが電子ビーム通過孔の側壁に衝突
して生ずる蛍光体スクリーン方向への反射を防止し、し
かも隣接電子ビーム通過孔の大孔間の間隔を狭くするこ
とがなく、したがってシャドウマスクの機械的強度の低
下を防止することができる。
When the electron beam passage hole is formed in the above-described shape, the communication portion between the large hole and the small hole, which substantially determines the diameter and shape of the electron beam passage hole, is made circular, and the electron beam passage hole is diagonally crossed. The electron beam is prevented from reflecting toward the phosphor screen when it collides with the side wall of the electron beam passage hole, and the space between the large holes of the adjacent electron beam passage holes is not narrowed. It is possible to prevent a decrease in strength.

【0019】また、上記方法により電子ビーム通過孔を
形成すると、実質的に電子ビーム通過孔の孔径、形状を
決定する大孔と小孔との連通部を円形とし、かつ電子ビ
ーム通過孔を斜めに横切る電子ビームが電子ビーム通過
孔の側壁に衝突して生ずる蛍光体スクリーン方向への反
射を防止し、しかも隣接電子ビーム通過孔の大孔との間
隔を狭くすることなく、十分な機械的強度をもつシャド
ウマスクを安定に製造することができる。
When the electron beam passage hole is formed by the above method, the communication portion between the large hole and the small hole, which substantially determines the diameter and shape of the electron beam passage hole, is circular, and the electron beam passage hole is slanted. Sufficient mechanical strength is achieved by preventing the reflection of the electron beam that crosses the electron beam through the side wall of the electron beam passage hole toward the phosphor screen, and without narrowing the gap between the adjacent electron beam passage hole and the large hole. It is possible to stably manufacture a shadow mask having

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0021】図1にその一実施例であるカラーブラウン
管用シャドウマスクを示す。このシャドウマスクは、マ
スク本体20とこのマスク本体20の周辺部に形成され
たスカート部に取付けられたマスクフレーム21とから
なり、マスク本体20の蛍光体スクリーンと対向する有
効面22に、多数の電子ビーム通過孔が所定の配列ピッ
チで形成されている。
FIG. 1 shows a shadow mask for a color cathode ray tube which is an embodiment of the present invention. This shadow mask is composed of a mask body 20 and a mask frame 21 attached to a skirt portion formed in the peripheral portion of the mask body 20, and a large number of masks are formed on an effective surface 22 of the mask body 20 facing the phosphor screen. The electron beam passage holes are formed at a predetermined arrangement pitch.

【0022】上記各電子ビーム通過孔は、蛍光体スクリ
ーンと対向する一方の面側に形成された大孔と他方の面
側に形成された小孔が連通した連通孔からなる。特にこ
の例のシャドウマスクにおいては、図2に示すように、
小孔24は、有効面の全面にわたり円形状である。一
方、大孔25は、有効面上の位置によって異なり、シャ
ドウマスクの中央では円形状であるが、中央から周辺に
近づくにしたがって電子ビームの偏向方向を長径とし、
この長径が電子ビームの偏向角にしたがって大きくなる
ピーナッツ形状をなす。そして小孔24の中心軸がこの
大孔25の長軸上に位置する形状に形成されている。特
に図示例では、小孔24の中心軸がピーナッツ形状をな
す大孔25の偏向方向内側、すなわちシャドウマスクの
中央側の円形孔の中心軸と一致する位置に形成されてい
る。
Each of the electron beam passage holes is a communication hole in which a large hole formed on one surface side facing the phosphor screen and a small hole formed on the other surface side communicate with each other. Particularly in the shadow mask of this example, as shown in FIG.
The small hole 24 has a circular shape over the entire effective surface. On the other hand, the large hole 25 differs depending on the position on the effective surface, and has a circular shape at the center of the shadow mask.
The major axis has a peanut shape in which it increases with the deflection angle of the electron beam. The central axis of the small hole 24 is formed so as to be located on the major axis of the large hole 25. In the illustrated example, in particular, the central axis of the small hole 24 is formed inside the peanut-shaped large hole 25 in the deflection direction, that is, at a position that coincides with the central axis of the circular hole on the center side of the shadow mask.

【0023】すなわち、図2(a)および(b)に示し
たように、大孔25は、図1に点A0 で示したマスク本
体20の中央では、その中心軸Cl が小孔24の中心軸
Csと一致した円形状であるが、水平軸(H軸)上で
は、水平方向周辺に近づくにしたがって水平方向を長径
とし、その長径が電子ビームの水平偏向の偏向角にした
がって大きくなり、図1に点AH で示したマスク本体2
0の水平軸上の周辺部の電子ビーム通過孔について図2
(c)および(d)に示したように、2つのほぼ同一大
きさの円形孔が水平方向にずれたピーナッツ形状をな
す。そして小孔24は、その中心軸Cs が大孔25の偏
向方向内側の円形孔の中心軸と一致する位置に形成さ
れ、この小孔24の中心軸Cs に対して大孔25の中心
軸Cl は、水平方向すなわち大孔25の長径方向にずれ
ている。
That is, as shown in FIGS. 2A and 2B, the large hole 25 has a central axis Cl at the center of the small hole 24 at the center of the mask body 20 shown by the point A0 in FIG. Although it has a circular shape that coincides with the axis Cs, on the horizontal axis (H axis), the horizontal direction has a major axis as it approaches the horizontal periphery, and the major axis increases according to the deflection angle of the horizontal deflection of the electron beam. Mask body 2 indicated by point AH on 1
0 around the electron beam passage hole on the horizontal axis of FIG.
As shown in (c) and (d), two circular holes of substantially the same size form a peanut shape which is horizontally displaced. The small hole 24 is formed at a position where the central axis Cs of the small hole 24 coincides with the central axis of the circular hole inside the large hole 25 in the deflection direction, and the central axis Cl of the large hole 25 with respect to the central axis Cs of the small hole 24. Are shifted in the horizontal direction, that is, in the major axis direction of the large hole 25.

【0024】また垂直軸(V軸)上では、垂直方向周辺
に近づくにしたがって垂直方向を長径とし、その長径が
電子ビームの垂直偏向の偏向角にしたがって大きくな
り、図1に点AV で示したマスク本体20の垂直軸の周
辺部の電子ビーム通過孔については、図2(e)に示し
たように、2つのほぼ同一大きさの円形孔が垂直方向に
ずれたピーナッツ形状をなす。そして上記水平軸上の場
合と同様に、小孔24は、その中心軸が大孔25の偏向
方向内側の円形孔の中心軸と一致する位置に形成され、
この小孔24の中心軸に対して大孔25の中心軸は、垂
直方向すなわち大孔25の長径方向にずれている。
On the vertical axis (V axis), the longer axis becomes the longer axis as it approaches the periphery in the vertical direction, and the longer axis becomes larger in accordance with the deflection angle of the vertical deflection of the electron beam, as shown by point AV in FIG. As for the electron beam passage hole around the vertical axis of the mask body 20, as shown in FIG. 2E, two circular holes of substantially the same size have a peanut shape in which they are vertically displaced. Then, similarly to the case on the horizontal axis, the small hole 24 is formed at a position where the central axis thereof coincides with the central axis of the circular hole inside the large hole 25 in the deflection direction,
The central axis of the large hole 25 is deviated from the central axis of the small hole 24 in the vertical direction, that is, in the major axis direction of the large hole 25.

【0025】また対角軸(D軸)上では、同様に対角方
向周辺に近づくにしたがって対角方向を長径とし、その
長径が電子ビームの水平、垂直偏向の偏向角にしたがっ
て大きくなり、図1に点AD で示したマスク本体20の
対角軸の周辺部の電子ビーム通過孔については、図2
(f)に示したように、2つのほぼ同一大きさの円形孔
が対角方向にずれたピーナッツ形状をなす。そして小孔
24は、その中心軸が大孔25の偏向方向内側の円形孔
の中心軸と一致する位置に形成され、この小孔24の中
心軸に対して大孔25の中心軸は、対角方向すなわち大
孔25の長径方向にずれている。
Similarly, on the diagonal axis (D axis), the diagonal direction is made longer along the diagonal direction, and the longer diameter becomes larger according to the deflection angle of horizontal and vertical deflection of the electron beam. As for the electron beam passage hole in the peripheral portion of the diagonal axis of the mask body 20 indicated by point AD in FIG.
As shown in (f), two circular holes of approximately the same size form a peanut shape that is diagonally offset. The small hole 24 is formed at a position where the central axis of the small hole 24 coincides with the central axis of a circular hole inside the large hole 25 in the deflection direction, and the central axis of the large hole 25 is opposite to the central axis of the small hole 24. It is displaced in the angular direction, that is, in the major axis direction of the large hole 25.

【0026】このようなシャドウマスクの電子ビーム通
過孔は、従来のシャドウマスクと同様にフォトエッチン
グ法により形成される。
The electron beam passage hole of such a shadow mask is formed by the photo-etching method like the conventional shadow mask.

【0027】すなわち、図3(a)に示すように、金属
板からなる板状部材27の両面に感光剤を塗布し乾燥し
て感光膜28を形成する。つぎに同(b)に示すよう
に、その両面の感光膜28に後述する大孔用パターンお
よび小孔用パターンの形成された第1、第2フォトマス
ク29a ,29b からなる一対のネガ原版を密着して露
光し、両面の感光膜28に各フォトマスク29a ,29
b のパターンを焼付ける。つぎに上記両面の感光膜28
を温水で現像して未感光部を除去し、同(c)に示すよ
うに、板状部材27の両面に各フォトマスクのパターン
に対応して、電子ビーム通過孔形成部分を露出部とする
レジスト膜30a ,30b を形成する。その後、このレ
ジスト膜30a ,30b の形成された板状部材27のレ
ジスト膜30a の形成された一方の面に保護フィルム
(図示せず)を貼着して、レジスト膜30b の形成され
た他方の面をエッチングし、同(d)に示すように、他
方の面に小孔24を形成する。つぎにこの小孔24の形
成された他方の面に腐蝕防止剤(図示せず)を塗布し、
さらに上記一方の面に貼着されている保護フィルムを剥
離して、この一方の面をエッチングし、同(e)に示す
ように、一方の面に上記小孔24に連通する大孔25を
形成する。その後、板状部材27の両面に残存するレジ
スト膜30a ,30b を剥離して、平坦なフラットマス
クを得る。
That is, as shown in FIG. 3A, a photosensitive film 28 is formed by applying a photosensitizer on both sides of a plate-like member 27 made of a metal plate and drying it. Next, as shown in (b), a pair of negative master plates composed of first and second photomasks 29a and 29b having a pattern for large holes and a pattern for small holes, which will be described later, are formed on the photosensitive film 28 on both surfaces thereof. Exposure is performed in close contact with each other, and photomasks 29a, 29 are formed on the photosensitive films 28 on both sides.
Bake pattern b. Next, the photosensitive film 28 on both sides
Is developed with warm water to remove the unexposed portion, and as shown in FIG. 7C, the electron beam passage hole forming portion is exposed on both surfaces of the plate member 27 corresponding to the pattern of each photomask. Resist films 30a and 30b are formed. Thereafter, a protective film (not shown) is attached to one surface of the plate-shaped member 27 on which the resist films 30a and 30b are formed, on which the resist film 30a is formed, and the other surface on which the resist film 30b is formed. The surface is etched to form small holes 24 on the other surface as shown in FIG. Next, a corrosion inhibitor (not shown) is applied to the other surface where the small holes 24 are formed,
Further, the protective film attached to the one surface is peeled off, and the one surface is etched to form a large hole 25 communicating with the small hole 24 on the one surface, as shown in (e). Form. After that, the resist films 30a and 30b remaining on both surfaces of the plate member 27 are peeled off to obtain a flat flat mask.

【0028】マスク本体は、その後、この平坦なフラッ
トマスクを所定形状にプレス成形することにより製造さ
れる。
Thereafter, the mask body is manufactured by press-molding this flat flat mask into a predetermined shape.

【0029】なお、上記製造方法は、板状部材を片面づ
つエッチングするいわゆる2段エッチング法であるが、
このシャドウマスクは、板状部材の両面を同時にエッチ
ングする同時エッチング法でも製造することができる。
The above-mentioned manufacturing method is a so-called two-step etching method in which the plate member is etched one surface at a time.
This shadow mask can also be manufactured by a simultaneous etching method in which both surfaces of the plate member are simultaneously etched.

【0030】つぎに、上記一対のネガ原版の第1、第2
フォトマスク29a ,29b の製作法について説明す
る。
Next, the first and second negative master plates of the above pair of negative master plates.
A method of manufacturing the photomasks 29a and 29b will be described.

【0031】この一対のネガ原版の各フォトマスク29
a ,29b は、それぞれフォトプロッターにより製作さ
れる。その第2フォトマスク29b の小孔用パターンに
ついては、従来のフォトマスクの小孔用パターンと同様
に、シャドウマスクのデザインに応じてサイドエッチン
グ量を加味した大きさの小孔用円形ドットを所定ピッチ
でプロットすることにより製作される。
Photomasks 29 of the pair of negative master plates
Each of a and 29b is manufactured by a photoplotter. As for the small hole pattern of the second photomask 29b, similar to the small hole pattern of the conventional photomask, the small hole circular dot having a size considering the side etching amount is predetermined according to the design of the shadow mask. Produced by plotting on pitch.

【0032】第1フォトマスク29a については、同じ
くサイドエッチング量を加味した大きさの大孔用円形ド
ツトを2度プロット(重ね打ち)することにより製作さ
れる。すなわち、図4(a)に示すように、第1フォト
マスクの中央の大孔用パターン32a は、小孔用フォト
マスクの中央の小孔用パターン32b と一致する位置に
大孔用円形ドツトを1度プロットすることにより得られ
るが、中央以外の大孔用パターンについては、小孔用フ
ォトマスクの小孔用円形パターンと一致する位置に、第
1ドットをプロットし、ついで電子ビームの偏向方向に
電子ビームの偏向角にしたがって所定量ずらして第2ド
ットを重ね打ちすることにより製作される。図4
(b)、(c)、(d)は、それぞれ図2(c)、
(e)、(f)に示した水平軸、垂直軸、対角軸上周辺
部の電子ビーム通過孔に対応するパターンを示したもの
である。これら大孔用パターン32a は、電子ビームの
偏向方向を長径とするピーナッツ形状に形成され、その
大孔用パターン32a の2個の円形ドットの中心を通る
長径の方向および長さは、プロットする位置により異な
っている。
The first photomask 29a is manufactured by twice plotting (overlapping) a circular hole dot for a large hole having a size in which the side etching amount is also taken into consideration. That is, as shown in FIG. 4 (a), the large hole pattern 32a at the center of the first photomask has a large hole circular dot at a position corresponding to the small hole pattern 32b at the center of the small hole photomask. It can be obtained by plotting once, but for the pattern for large holes other than the center, the first dot is plotted at the position corresponding to the circular pattern for small holes of the photomask for small holes, and then the deflection direction of the electron beam. It is manufactured by overlapping and striking the second dot with a predetermined shift according to the deflection angle of the electron beam. Figure 4
2B, 2C, and 2D are shown in FIGS.
7E and 7F show patterns corresponding to the electron beam passage holes in the peripheral portions on the horizontal axis, vertical axis, and diagonal axis shown in FIGS. These large hole patterns 32a are formed in a peanut shape having a major axis in the deflection direction of the electron beam, and the major axis direction and the length passing through the centers of the two circular dots of the large hole pattern 32a are plotted positions. Depends on.

【0033】なお、図4では、大孔用パターン32a と
小孔用パターン32b とが1つの図面に描かれている
が、これは、パターンの相対位置を示したものであり、
実際は、別々に形成されている。
In FIG. 4, the large hole pattern 32a and the small hole pattern 32b are drawn in one drawing, but this shows the relative positions of the patterns.
In reality, they are formed separately.

【0034】上記第1フォトマスクの製作については、
プロットする円形ドットの径Dxy、第1ドツトの中心と
第2ドットの中心とのずれ量Δxyは、それぞれ第1ドツ
トをプロットする位置座標(マスク本体の電子ビーム通
過孔の位置座標)x,yによって変化し、 Dxy=D0 −A・f(x,y) Δxy=Δ00+B・g(x,y) で表されるものとなっている。ただし、D0 はフォトマ
スクの中央の大孔用ドットの径、Δ00はフォトマスクの
中央での第1ドツトと第2ドットとのずれ量であり、こ
の例のフォトマスクでは、 Δ00=0 g(x,y)=g(0,0)=0 である。
Regarding the production of the first photomask,
The diameter Dxy of the circular dot to be plotted and the deviation amount Δxy between the center of the first dot and the center of the second dot are the position coordinates (position coordinates of the electron beam passage hole of the mask body) for plotting the first dot, respectively. It is changed by Dxy = D0-A · f (x, y) Δxy = Δ00 + B · g (x, y). However, D0 is the diameter of the large hole dot in the center of the photomask, and Δ00 is the amount of deviation between the first dot and the second dot in the center of the photomask. In the photomask of this example, Δ00 = 0 g ( x, y) = g (0,0) = 0.

【0035】一具体例として、図4(a)乃至(d)に
示したように、小孔用フォトマスクの小孔用ドツトの径
ds を、 ds =90μm とし、大孔用フォトマスクの中央における大孔用ドツト
の径dclを、 dcl=160μm とし、水平軸周辺における大孔用ドツトの長径(水平方
向径)および短径(垂直方向径)dHl、dHs、垂直軸周
辺における長径(垂直方向径)および短径(水平方向
径)dVl、dVs、対角軸周辺における長径(対角方向
径)および短径dDl、dDsを、それぞれ dHl=170μm dHs=115μm dVl=170μm dVs=125μm dDl=170μm dDs=110μm とした場合、図2(a)乃至(f)に示したマスク本体
の中央の大孔径をDc 、水平軸上の周辺部における大孔
の長径(水平方向径)および短径(垂直方向径)DHl、
DHs、垂直軸上の周辺部における長径(垂直方向径)お
よび短径(水平方向径)DVl、DVs、対角軸上の周辺部
における長径(対角方向径)および短径DDl、DDsが、
それぞれ Dc =250μm DHl=260μm DHs=205μm DVl=250μm DVs=210μm DDl=260μm DDs=205μm となり、実質的に電子ビーム通過孔の孔形状を決定する
大孔と小孔との連通部の孔径が有効面全面にわたり直径
125μm の円形であるシャドウマスクを製造すること
ができた。
As a specific example, as shown in FIGS. 4A to 4D, the diameter ds of the small hole dot of the small hole photomask is set to ds = 90 μm, and the center of the large hole photomask is set. The diameter dcl of the large hole dot in is set to dcl = 160 μm, and the long diameter (horizontal diameter) and short diameter (vertical diameter) dHl, dHs of the large hole dot around the horizontal axis, the long diameter around the vertical axis (vertical direction) Diameter) and minor diameter (horizontal diameter) dVl, dVs, major diameter (diagonal diameter) and minor diameter dDl, dDs around the diagonal axis are dHl = 170 μm dHs = 115 μm dVl = 170 μm dVs = 125 μm dDl = 170 μm When dDs = 110 μm, the central large hole diameter of the mask body shown in FIGS. 2A to 2F is Dc, and the large diameter (horizontal diameter) and the short diameter (vertical diameter) of the large holes in the peripheral portion on the horizontal axis. Direction diameter) DHl,
DHs, the long diameter (vertical diameter) and short diameter (horizontal diameter) DVl, DVs in the peripheral portion on the vertical axis, and the long diameter (diagonal diameter) and short diameter DDl, DDs in the peripheral portion on the diagonal axis,
Dc = 250 μm DHl = 260 μm DHs = 205 μm DVl = 250 μm DVs = 210 μm DDl = 260 μm DDs = 205 μm, and the diameter of the large and small holes that determine the shape of the electron beam passage hole is effective. A circular shadow mask having a diameter of 125 μm could be manufactured over the entire surface.

【0036】ところで、上記のようにシャドウマスクの
電子ビーム通過孔を、シャドウマスクの中央から周辺に
近づくにしたがって電子ビームの偏向方向を長径とし、
かつその長径が電子ビームの偏向角にしたがって大きく
なるピーナッツ形状の大孔25とこの大孔25の長径上
に中心が位置する小孔24とで構成すると、実質的に電
子ビーム通過孔の孔形状を決定する大孔25と小孔24
との連通部の孔形状を円形とし、かつ偏向により電子ビ
ーム通過孔を斜めに横切る電子ビームの電子ビーム通過
孔側壁への衝突をなくすことができる。また図5に示す
ように、マスク本体の周辺部での大孔25の短径方向に
隣接する大孔25間の間隔bを、図15に示した従来の
シャドウマスクでの間隔bにくらべて大きくすることが
でき、シャドウマスクの機械的強度を十分な大きさにす
ることができる。
By the way, as described above, the electron beam passage hole of the shadow mask is made to have a major axis in the deflection direction of the electron beam as it approaches the periphery from the center of the shadow mask,
Further, when the peanut-shaped large hole 25 whose major axis increases in accordance with the deflection angle of the electron beam and the small hole 24 whose center is located on the major axis of this large hole 25, the hole shape of the electron beam passage hole is substantially formed. Large hole 25 and small hole 24 that determine
It is possible to make the hole shape of the communicating portion with and circular and to prevent the collision of the electron beam crossing the electron beam passage hole obliquely by the deflection with the side wall of the electron beam passage hole. Further, as shown in FIG. 5, the distance b between the large holes 25 adjacent to each other in the minor axis direction in the peripheral portion of the mask body is smaller than the distance b in the conventional shadow mask shown in FIG. The mechanical strength of the shadow mask can be made sufficiently large.

【0037】すなわち、このシャドウマスクを所定形状
に成形し、カラーブラウン管に組込んで評価した結果、
成形工程での成形性、成形品位がともに良好であり、カ
ラーブラウン管組立工程での変形がなく、画面全面にわ
たり変形による色純度の劣化をおこさないカラーブラウ
ン管とすることができた。またカラーブラウン管に加わ
る衝撃や振動に対しても変形せず、良好な画像品位を保
持することができた。さらに画面周辺部においても、電
子ビーム通過孔側壁での反射による画面品位の劣化がお
こらないカラーブラウン管とすることができた。
That is, as a result of molding this shadow mask into a predetermined shape and incorporating it into a color cathode ray tube and evaluating it,
Both the moldability in the molding process and the molding quality were good, and there was no deformation in the color CRT assembly process, and it was possible to obtain a color CRT that does not cause deterioration in color purity due to deformation over the entire screen. In addition, the image quality could be maintained without being deformed by the impact and vibration applied to the color cathode ray tube. Further, even in the peripheral area of the screen, a color cathode-ray tube can be obtained in which the screen quality is not deteriorated due to the reflection on the side wall of the electron beam passage hole.

【0038】また、板状部材の両面に形成した感光膜を
露光するとき、電子ビームの偏向方向に電子ビームの偏
向角にしたがって円形ドットをずらして2度重ね打ちし
て大孔用パターンをピーナッツ形状とした第1フォトマ
スク29a と小孔用パターンを円形とした第2フォトマ
スク29b を用いると、実質的に電子ビーム通過孔の孔
形状を決定する大孔と小孔との連通部の孔形状を円形と
し、かつ電子ビーム通過孔を斜めに横切る電子ビームが
電子ビーム通過孔の側壁に衝突して生ずる蛍光体スクリ
ーン方向への反射を防止し、しかも隣接電子ビーム通過
孔の大孔25間の間隔bを広くでき、十分な機械的強度
をもつシャドウマスクを容易かつ安定に製造することが
できるなどの効果が得られる。
When the photosensitive films formed on both sides of the plate-like member are exposed, circular dots are shifted according to the deflection angle of the electron beam in the deflection direction of the electron beam, and the circular dots are overprinted twice to form a large hole pattern with peanuts. By using the first photomask 29a having a shape and the second photomask 29b having a small hole pattern as a circle, the hole at the communicating portion between the large hole and the small hole that substantially determines the hole shape of the electron beam passage hole. The electron beam passing through the electron beam passage hole having a circular shape is prevented from reflecting toward the phosphor screen when the electron beam obliquely crosses the side wall of the electron beam passage hole, and between the large holes 25 of the adjacent electron beam passage holes. The effect of being able to widen the distance b and to easily and stably manufacture a shadow mask having sufficient mechanical strength is obtained.

【0039】なお、上記実施例では、シャドウマスクの
大孔をピーナッツ形状としたが、この大孔の形状は、大
孔用フォトマスクの2個のドットのずれ量が小さい場合
やシャドウマスクを製作するときのエッチング量が多い
ときは、小判形状となる。
Although the large holes of the shadow mask are peanut-shaped in the above-mentioned embodiment, the large holes have a small displacement between two dots of the large-hole photomask, and the shadow mask is manufactured. When the etching amount is large, the shape becomes oval.

【0040】また、上記実施例では、蛍光体スクリーン
と対向する一方の面側の大孔を電子ビームの偏向方向に
ずれた2つのほぼ同一大きさの円形孔で構成したが、図
6に異なる大孔形状を示す。すなわち、この例のシャド
ウマスクの電子ビム通過孔は、一方の面側の大孔25を
相対的に径大な円形孔34とこの円形孔34に対して電
子ビームの偏向方向外側にずれた相対的に径小の円形孔
35とからなるだるま形状とし、この大孔25の長軸上
に他方の面側の小孔24が位置する形状に形成したもの
である。特に図示例では、小孔24の中心軸が大孔25
の径大な円形孔34の中心軸と一致する位置に形成され
ている。
Further, in the above-described embodiment, the large hole on one surface side facing the phosphor screen is composed of two circular holes of substantially the same size which are displaced in the deflection direction of the electron beam, but different from FIG. A large hole shape is shown. That is, the electron beam passage hole of the shadow mask of this example has a circular hole 34 having a relatively large diameter with respect to the large hole 25 on one surface side, and a relative relative to the circular hole 34, which is displaced outward in the deflection direction of the electron beam. And a circular hole 35 having a small diameter, so that the small hole 24 on the other surface side is located on the major axis of the large hole 25. Particularly in the illustrated example, the central axis of the small hole 24 is the large hole 25.
Is formed at a position coinciding with the central axis of the large circular hole 34.

【0041】このシャドウマスクの電子ビーム通過孔
も、図6(a)および(b)に示したように、大孔25
は、マスク本体の中央では、その中心軸Cl が小孔24
の中心軸Cs と一致した円形状であるが、水平軸上で
は、水平方向周辺に近づくにしたがって水平方向を長径
とし、その長径が電子ビームの水平偏向の偏向角にした
がって大きくなり、マスク本体の水平軸上の周辺部の電
子ビーム通過孔については、図6(c)および(d)に
示したように、相対的に径大な円形孔34に対して相対
的に径小な円形孔35が水平方向ずれただるま形状をな
す。そして小孔24は、その中心軸Cs が大孔25の偏
向方向内側の相対的に径大な円形孔34の中心軸と一致
する位置に形成され、この小孔24の中心軸Cs に対し
て大孔25の中心軸Cl は、水平方向すなわちこの大孔
25の長径方向にずれている。
The electron beam passage hole of this shadow mask also has a large hole 25 as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).
In the center of the mask body, the central axis Cl is a small hole 24.
Although it has a circular shape that coincides with the central axis Cs of the mask, on the horizontal axis, the horizontal direction has a major axis as it approaches the horizontal periphery, and the major axis increases with the deflection angle of the horizontal deflection of the electron beam. As for the electron beam passage hole in the peripheral portion on the horizontal axis, as shown in FIGS. 6C and 6D, a circular hole 35 having a relatively small diameter with respect to a circular hole 34 having a relatively large diameter is used. Has a horizontal misalignment. The small hole 24 is formed at a position where the central axis Cs of the small hole 24 coincides with the central axis of the circular hole 34 having a relatively large diameter on the inner side of the large hole 25 in the deflection direction, and with respect to the central axis Cs of the small hole 24. The central axis Cl of the large hole 25 is displaced in the horizontal direction, that is, the major axis direction of the large hole 25.

【0042】また垂直軸上では、垂直方向周辺に近づく
にしたがって垂直方向を長径とし、その長径が電子ビー
ムの垂直偏向の偏向角にしたがって大きくなり、マスク
本体の垂直軸の周辺部の電子ビーム通過孔については、
図6(e)に示したように、相対的に径大な円形孔34
に対して相対的に径小な円形孔35が垂直方向ずれただ
るま形状をなす。そして上記水平軸上の場合と同様に、
小孔24は、その中心軸が大孔25の偏向方向内側の相
対的に径大な円形孔34の中心軸と一致する位置に形成
され、この小孔24の中心軸に対して大孔25の中心軸
は、垂直方向すなわち大孔25の長径方向にずれてい
る。
On the vertical axis, the vertical direction has a longer diameter as it approaches the periphery of the vertical direction, and the longer diameter increases with the deflection angle of vertical deflection of the electron beam, and the electron beam passes around the periphery of the vertical axis of the mask body. For holes,
As shown in FIG. 6E, a circular hole 34 having a relatively large diameter is formed.
The circular hole 35 having a relatively small diameter has a vertical offset shape. And like the case on the horizontal axis,
The small hole 24 is formed at a position where its central axis coincides with the central axis of a relatively large circular hole 34 on the inner side of the large hole 25 in the deflection direction. The central axis of is shifted in the vertical direction, that is, in the major axis direction of the large hole 25.

【0043】また対角軸上では、同様に対角方向周辺に
近づくにしたがって対角方向を長径とし、その長径が電
子ビームの水平、垂直偏向の偏向角にしたがって大きく
なり、マスク本体の対角軸の周辺部の電子ビーム通過孔
については、図6(f)に示したように、相対的に径大
な円形孔34に対して相対的に径小な円形孔35が対角
方向ずれただるま形状をなす。そして小孔24は、その
中心軸が大孔25の偏向方向内側の相対的に径大な円形
孔34の中心軸と一致する位置に形成され、この小孔2
4の中心軸に対して大孔25の中心軸は、対角方向すな
わち大孔25の長径方向にずれている。
Similarly, on the diagonal axis, the diagonal direction is made longer as it approaches the periphery of the diagonal direction, and the longer diameter becomes larger according to the deflection angle of horizontal and vertical deflection of the electron beam, and the diagonal of the mask main body is obtained. As for the electron beam passage hole in the peripheral portion of the shaft, as shown in FIG. 6F, the relatively small circular hole 35 is diagonally displaced from the relatively large circular hole 34. Make a Daruma shape. The small hole 24 is formed at a position where its central axis coincides with the central axis of a relatively large circular hole 34 inside the large hole 25 in the deflection direction.
The central axis of the large hole 25 is displaced from the central axis of 4 in the diagonal direction, that is, in the major axis direction of the large hole 25.

【0044】このようなシャドウマスクの電子ビーム通
過孔は、前記実施例のシャドウマスクと同様にフォトエ
ッチング法により、板状部材の一方の面に形成される大
孔25に対応する大孔用パターンの形成された第1フォ
トマスク、および板状部材の他方の面に形成される小孔
24に対応する小孔用パターンの形成された第2フォト
マスクを用いて形成される。
The electron beam passage hole of such a shadow mask has a large hole pattern corresponding to the large hole 25 formed on one surface of the plate member by the photo-etching method similarly to the shadow mask of the above-mentioned embodiment. Is formed using the first photomask having the above-described structure and the second photomask having the pattern for small holes corresponding to the small holes 24 formed on the other surface of the plate-shaped member.

【0045】そのフォトマスクは、第2フォトマスクに
ついては、従来のフォトマスクの小孔用パターンと同様
に、シャドウマスクのデザインに応じてサイドエッチン
グ量を加味した大きさの小孔用円形ドットを所定ピッチ
でプロットすることにより製作される。第1フォトマス
クについては、同じくサイドエッチング量を加味した大
きさの相対的に径大な円形ドツトと相対的に径小の円形
ドツトを重ね打ちすることにより製作される。
As for the second photomask, the photomask has circular dots for small holes having a size considering the side etching amount according to the design of the shadow mask, similar to the pattern for small holes of the conventional photomask. It is manufactured by plotting at a predetermined pitch. The first photomask is manufactured by stacking a circular dot having a relatively large diameter and a circular dot having a relatively small diameter in the same size in consideration of the side etching amount.

【0046】すなわち、図7(a)に示すように、第1
フォトマスクの中央の大孔用パターン32a は、小孔用
フォトマスクの中央の小孔用パターンと一致する位置に
相対的に径大な円形ドツト36a を1度プロットするこ
とにより得られるが、中央以外の大孔用パターンについ
ては、小孔用フォトマスクの小孔用円形パターンと一致
する位置に、相対的に径大な円形ドツト36a (第1ド
ット)をプロットし、ついで電子ビームの偏向方向に電
子ビームの偏向角に対応した間隔ずらして相対的に径小
の円形ドツト36b (第2ドットを)重ね打ちすること
により製作される。図7(b)、(c)、(d)は、そ
れぞれ図6(c)、(e)、(f)に示した水平軸、垂
直軸、対角軸上周辺部の電子ビーム通過孔に対応するパ
ターンを示したものである。これら大孔用パターン32
a は、電子ビームの偏向方向に大小2個の円形ドット3
6a ,36b が離間して形成され、その大孔用パターン
32a の2個の円形ドット36a ,36b の中心を通る
長径は、プロットする位置により異なる。また円形ドッ
ト36a の中心は、図示しない小孔用円形パターンの円
形ドットの中心と一致する位置となっている。
That is, as shown in FIG. 7A, the first
The large hole pattern 32a at the center of the photomask is obtained by once plotting a circular dot 36a having a relatively large diameter at a position corresponding to the central hole pattern at the small hole photomask. For other large hole patterns, a circular dot 36a (first dot) having a relatively large diameter is plotted at a position corresponding to the small hole circular pattern of the small hole photomask, and then the electron beam deflection direction is plotted. It is manufactured by repeatedly striking circular dots 36b (second dots) having a relatively small diameter with a gap corresponding to the deflection angle of the electron beam. 7 (b), (c), and (d) show the electron beam passage holes at the peripheral portions on the horizontal axis, the vertical axis, and the diagonal axis shown in FIGS. 6 (c), (e), and (f), respectively. The corresponding patterns are shown. These large hole patterns 32
a is a large and small circular dot 3 in the deflection direction of the electron beam
6a and 36b are formed separately, and the major axis passing through the centers of the two circular dots 36a and 36b of the large hole pattern 32a varies depending on the plotted position. Further, the center of the circular dot 36a is located at the same position as the center of the circular dot of the circular pattern for small holes (not shown).

【0047】なお、この相対的に径大な円形ドツト36
a に対する相対的に径小の円形ドツト36b のずれ量お
よび角度は、図8に示すように、径大な円形ドツト36
a と径小の円形ドツト36b との間隔Lを偏向角に応じ
て調整し、かつ径大な円形ドツト36a を中心にして径
小の円形ドツト36b を電子ビームの偏向方向と一致す
る角度回転することにより得られる。
The circular dot 36 having a relatively large diameter is used.
As shown in FIG. 8, the deviation amount and the angle of the circular dot 36b having a relatively small diameter with respect to a are as follows.
The distance L between a and the small-diameter circular dot 36b is adjusted according to the deflection angle, and the small-diameter circular dot 36b is rotated about the large-diameter circular dot 36a by an angle corresponding to the deflection direction of the electron beam. It is obtained by

【0048】ところで、上記のようにシャドウマスクの
電子ビーム通過孔を、シャドウマスクの中央から周辺に
近づくにしたがって電子ビームの偏向方向を長径とし、
かつその長径が電子ビームの偏向角にしたがって大きく
なるだるま形状の大孔25とこの大孔25の長径上に中
心が位置する小孔24とで構成すると、前記実施例より
も、実質的に電子ビーム通過孔の孔形状を決定する大孔
25と小孔24との連通部を良好な円形にすることがで
き、かつ偏向により電子ビーム通過孔を斜めに横切る電
子ビームの電子ビーム通過孔側壁への衝突を有効になく
すことができる。しかも図9に示すように、マスク本体
の周辺部での大孔25の隣接する大孔25間の間隔も、
相対的に径小の円形孔35間の間隔がcと、図5に示し
た前記実施例のシャドウマスクでの間隔bにくらべて大
きくすることができ、シャドウマスクの機械的強度をよ
り大きさにすることができる。その結果、シャドウマス
クの変形による色純度の劣化をおこさず、また衝撃や振
動に対しても変形せず、良好な画像品位を保持するカラ
ーブラウン管とすることができる。
By the way, as described above, the electron beam passage hole of the shadow mask is made to have a major axis in the deflection direction of the electron beam from the center of the shadow mask toward the periphery.
Moreover, when the large hole 25 having a daruma shape whose major axis increases according to the deflection angle of the electron beam and the small hole 24 whose center is located on the major axis of the major hole 25, the electron is substantially larger than that in the above embodiment. The communication portion between the large hole 25 and the small hole 24 that determines the hole shape of the beam passage hole can be made into a good circular shape, and the electron beam passage hole side wall of the electron beam that obliquely crosses the electron beam passage hole by deflection can be formed. The collision of can be effectively eliminated. Moreover, as shown in FIG. 9, the distance between the large holes 25 adjacent to each other in the peripheral portion of the mask body is also
The distance between the circular holes 35 having a relatively small diameter can be made larger than the distance b in the shadow mask of the embodiment shown in FIG. 5 and the mechanical strength of the shadow mask can be increased. Can be As a result, it is possible to obtain a color CRT that does not cause deterioration in color purity due to the deformation of the shadow mask, does not undergo deformation by impact or vibration, and maintains good image quality.

【0049】[0049]

【発明の効果】板状部材の一方の面側に形成された大孔
と他方の面側に形成された小孔とからなる電子ビーム通
過孔を、大孔がシャドウマスクの中央から周辺に近づく
にしたがって電子ビームの偏向方向を長径としこの長径
が電子ビームの偏向角にしたがって大きくなるピーナッ
ツ形状または小判形状またはだるま形状をなし、小孔が
円形状をなし、この小孔の中心が大孔の長軸上に位置す
る形状に形成すると、実質的に電子ビーム通過孔の孔形
状を決定する大孔と小孔との連通部を円形とすることが
でき、また電子ビーム通過孔を斜めに横切る電子ビーム
が電子ビーム通過孔の側壁に衝突して生ずる蛍光体スク
リーン方向への反射を防止でき、かつ隣接電子ビーム通
過孔の大孔との間隔を広くすることができ、したがって
シャドウマスクの機械的強度の低下を防止することがで
きる。
EFFECTS OF THE INVENTION An electron beam passage hole consisting of a large hole formed on one surface side of a plate member and a small hole formed on the other surface side of the plate member is moved from the center of the shadow mask to the periphery thereof. According to the direction of deflection of the electron beam as a major axis, this major axis has a peanut shape or an oval shape or a daruma shape that increases according to the deflection angle of the electron beam, the small hole has a circular shape, and the center of this small hole is the large hole. When formed in a shape positioned on the long axis, the communication part between the large hole and the small hole that substantially determines the hole shape of the electron beam passage hole can be made circular, and the electron beam passage hole can be diagonally crossed. It is possible to prevent reflection in the direction of the phosphor screen caused by the electron beam colliding with the side wall of the electron beam passage hole, and it is possible to widen the distance between the adjacent electron beam passage hole and the large hole. It is possible to prevent a reduction in 械的 strength.

【0050】また、シャドウマスクを製作するとき、電
子ビームの偏向方向に電子ビームの偏向角にしたがって
ほぼ同一大きさの円形ドットをずらして2度重ね打ちし
て大孔用パターンを、ピーナッツ形状とするか、あるい
は相対的に径大なドットと相対的に径小のドットとをず
らして2度打ちして大孔用パターンをだるま形状とした
第1フォトマスクと小孔用パターンを円形とした第2フ
ォトマスクを用いて板状部材に電子ビーム通過孔を形成
すると、実質的に電子ビーム通過孔の孔形状を決定する
大孔と小孔との連通部を円形とし、電子ビーム通過孔を
斜めに横切る電子ビームが電子ビーム通過孔の側壁に衝
突して生ずる蛍光体スクリーン方向への反射を防止し、
かつ隣接電子ビーム通過孔の大孔との間隔を広くするこ
とができ、十分な機械的強度をもつシャドウマスクを安
定に製造することができる。
When the shadow mask is manufactured, circular dots having substantially the same size are shifted in the deflection direction of the electron beam according to the deflection angle of the electron beam, and the dots are overlapped twice to form a large hole pattern into a peanut shape. Alternatively, the relatively large dots and the relatively small dots are staggered and hit twice to make the large hole pattern a duller-shaped first photomask and the small hole pattern have a circular shape. When the electron beam passage hole is formed in the plate-like member using the second photomask, the communication portion between the large hole and the small hole, which substantially determines the hole shape of the electron beam passage hole, is circular, and the electron beam passage hole is formed. Prevents reflection in the phosphor screen direction caused by the electron beam crossing diagonally colliding with the side wall of the electron beam passage hole,
Moreover, the distance between the adjacent electron beam passage hole and the large hole can be widened, and a shadow mask having sufficient mechanical strength can be stably manufactured.

【0051】特に大孔用パターンをだるま形状とした第
1フォトマスクと小孔用パターンを円形とした第2フォ
トマスクを用いると、大孔とと小孔との連通部が良好な
円形となり、かつ十分な機械的強度をもつシャドウマス
クを極めて安定に製造することができる。
Particularly, when the first photomask in which the pattern for large holes has a duller shape and the second photomask in which the pattern for small holes has a circular shape are used, the communicating portion between the large holes and the small holes becomes a good circle, In addition, a shadow mask having sufficient mechanical strength can be manufactured extremely stably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明のシャドウマスクを説明するための平
面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a shadow mask of the present invention.

【図2】図2(a)はその電子ビーム通過孔の一方の面
側の大孔がピーナッツ形状をなすマスク本体の中央の電
子ビーム通過孔を示す平面図、図2(b)はその断面
図、図2(c)は水平軸上の周辺部における電子ビーム
通過孔を示す平面図、図2(d)はその断面図、図2
(e)は垂直軸上の周辺部における電子ビーム通過孔を
示す平面図、図2(f)は対角軸上の周辺部における電
子ビーム通過孔を示す平面図である。
2 (a) is a plan view showing a central electron beam passage hole of a mask body in which a large hole on one surface side of the electron beam passage hole has a peanut shape, and FIG. 2 (b) is a sectional view thereof. 2 (c) is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the horizontal axis, and FIG. 2 (d) is a sectional view thereof.
2E is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the vertical axis, and FIG. 2F is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the diagonal axis.

【図3】図3(a)乃至(e)はそれぞれ上記シャドウ
マスクの製造方法を説明するための図である。
FIG. 3A to FIG. 3E are views for explaining a method for manufacturing the shadow mask.

【図4】図4(a)はマスク本体の製造に用いられるフ
ォトマスクの中央のパターンを示す図、図4(b)は水
平軸上の周辺部のパターンを示す図、図4(c)は垂直
軸上の周辺部のパターンを示す図、図4(d)は対角軸
上の周辺部のパターンを示す図である。
FIG. 4 (a) is a diagram showing a central pattern of a photomask used for manufacturing a mask body, FIG. 4 (b) is a diagram showing a peripheral pattern on a horizontal axis, and FIG. 4 (c). FIG. 4A is a diagram showing a peripheral portion pattern on a vertical axis, and FIG. 4D is a diagram showing a peripheral portion pattern on a diagonal axis.

【図5】上記大孔がピーナッツ形状をなすシャドウマス
クの電子ビーム通過孔の間隔を説明するための図であ
る。
FIG. 5 is a diagram for explaining a distance between electron beam passage holes of a shadow mask in which the large holes have a peanut shape.

【図6】図6(a)はシャドウマスクの電子ビーム通過
孔の一方の面側の大孔がだるま形状をなすマスク本体の
中央の電子ビーム通過孔を示す平面図、図6(b)はそ
の断面図、図6(c)は水平軸上の周辺部における電子
ビーム通過孔を示す平面図、図6(d)はその断面図、
図6(e)は垂直軸上の周辺部における電子ビーム通過
孔を示す平面図、図6(f)は対角軸上の周辺部におけ
る電子ビーム通過孔を示す平面図である。
FIG. 6A is a plan view showing an electron beam passage hole in the center of a mask body in which a large hole on one surface side of the electron beam passage hole of a shadow mask has a dulled shape; FIG. 6C is a cross-sectional view, FIG. 6C is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the horizontal axis, and FIG. 6D is a cross-sectional view thereof.
6 (e) is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the vertical axis, and FIG. 6 (f) is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the diagonal axis.

【図7】図6に示したシャドウマスクの電子ビーム通過
孔を形成するための大孔用パターンを示し、図7(a)
はそのマスク本体の製造に用いられるフォトマスクの中
央のパターンを示す図、図7(b)は水平軸上の周辺部
のパターンを示す図、図7(c)は垂直軸上の周辺部の
パターンを示す図、図7(d)は対角軸上の周辺部のパ
ターンを示す図である。
FIG. 7 shows a large hole pattern for forming electron beam passage holes of the shadow mask shown in FIG. 6, and FIG.
Is a diagram showing a central pattern of a photomask used for manufacturing the mask main body, FIG. 7B is a diagram showing a peripheral portion pattern on the horizontal axis, and FIG. 7C is a peripheral portion pattern on the vertical axis. FIG. 7D is a diagram showing the pattern, and FIG. 7D is a diagram showing the pattern of the peripheral portion on the diagonal axis.

【図8】上記フォトマスクの製作方法を説明するための
図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing the photomask.

【図9】上記大孔がだるま形状をなすシャドウマスクの
電子ビーム通過孔の間隔を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a distance between electron beam passage holes of a shadow mask in which the large holes have a dulled shape.

【図10】カラブラウン管の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a color Braun tube.

【図11】図11(a)はそのシャドウマスクの構成を
示す平面図、図11(b)はその断面図である。
11A is a plan view showing the configuration of the shadow mask, and FIG. 11B is a sectional view thereof.

【図12】その電子ビーム通過孔の基本形状を示す断面
図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a basic shape of the electron beam passage hole.

【図13】図13(a)は従来のシャドウマスクのマス
ク本体の中央の電子ビーム通過孔を示す平面図、図13
(b)はその断面図、図13(c)は水平軸上の周辺部
における電子ビーム通過孔を示す平面図、図13(d)
はその断面図、図13(e)は垂直軸上の周辺部におけ
る電子ビーム通過孔を示す平面図、図13(f)は対角
軸上の周辺部における電子ビーム通過孔を示す平面図で
ある。
13A is a plan view showing an electron beam passage hole in the center of a mask body of a conventional shadow mask, FIG.
13B is a sectional view thereof, FIG. 13C is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the horizontal axis, and FIG.
Is a sectional view, FIG. 13 (e) is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the vertical axis, and FIG. 13 (f) is a plan view showing electron beam passage holes in the peripheral portion on the diagonal axis. is there.

【図14】上記従来のシャドウマスクの電子ビーム通過
孔の大孔と小孔との連通部の形状を示す図である。
FIG. 14 is a view showing a shape of a communicating portion between a large hole and a small hole of an electron beam passage hole of the conventional shadow mask.

【図15】上記従来のシャドウマスクの電子ビーム通過
孔の間隔を説明するための図である。
FIG. 15 is a diagram for explaining an interval between electron beam passage holes of the conventional shadow mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20…マスク本体 22…有効面 24…小孔 25…大孔 27…板状部材 28…感光膜 29a …第1フォトマスク 29b …第2フォトマスク 30a ,30b …レジスト膜 32a …大孔用パターン 32b …小孔用パターン 34…相対的に径大な円形孔 35…相対的に径小な円形孔 20 ... Mask main body 22 ... Effective surface 24 ... Small hole 25 ... Large hole 27 ... Plate member 28 ... Photosensitive film 29a ... First photomask 29b ... Second photomask 30a, 30b ... Resist film 32a ... Large hole pattern 32b ... Small hole pattern 34 ... Relatively large circular hole 35 ... Relatively small circular hole

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 板状部材に所定の配列ピッチで形成され
た多数の電子ビーム通過孔が上記板状部材の一方の面側
に形成された大孔と他方の面側に形成された小孔とから
なるカラーブラウン管用シャドウマスクにおいて、 上記電子ビーム通過孔は、大孔がシャドウマスクの中央
から周辺に近づくにしたがって電子ビームの偏向方向を
長径としかつこの長径が電子ビームの偏向角にしたがっ
て大きくなるピーナッツ形状または小判形状またはだる
ま形状をなし、上記小孔が円形状をなし、この小孔の中
心が上記大孔の長軸上に位置する形状に形成されている
ことを特徴とするカラーブラウン管用シャドウマスク。
1. A large hole formed on one surface side of the plate member and a plurality of small holes formed on the other surface side of the plate member having a large number of electron beam passage holes formed at a predetermined arrangement pitch in the plate member. In the shadow mask for a color cathode-ray tube consisting of and, the electron beam passage hole is such that the direction of deflection of the electron beam becomes longer as the large hole approaches the periphery from the center of the shadow mask, and this longer diameter becomes larger according to the deflection angle of the electron beam. A color cathode-ray tube characterized by having a peanut shape, an oval shape or a daruma shape, wherein the small hole has a circular shape, and the center of the small hole is formed on the major axis of the large hole. Shadow mask.
【請求項2】 請求項1記載のカラーブラウン管用シャ
ドウマスクにおいて、 ピーナッツ形状または小判形状またはだるま形状をなす
電子ビーム通過孔は重なり合った少なくとも2つの円形
孔からなり、この電子ビーム通過孔の小孔が上記2つの
円形孔のうちシャドウマスクの中央側に位置する円形孔
の大孔と同軸に形成されていることを特徴とするカラー
ブラウン管用シャドウマスク。
2. The shadow mask for a color cathode ray tube according to claim 1, wherein the peanut-shaped, oval-shaped, or daruma-shaped electron beam passage hole comprises at least two overlapping circular holes, and the electron beam passage hole has a small hole. Is formed coaxially with the large hole of the circular holes located on the center side of the shadow mask among the two circular holes.
【請求項3】 板状部材の両面に感光膜を塗布形成し、
この両面の感光膜をそれぞれ大孔用パターンの形成され
た第1フォトマスクおよび小孔用パターンの形成された
第2フォトマスクを介して露光し現像して上記両面の感
光膜にそれぞれ上記各フォトマスクのパターンに対応す
るパターンからなるレジスト膜を形成し、このレジスト
膜の形成された板状部材を両面からエッチングしてこの
板状部材の一方の面側に大孔、他方の面側に小孔を形成
して電子ビーム通過孔を形成するカラーブラウン管用シ
ャドウマスクの製造方法において、 上記第1フォトマスクの大孔用パターンを、電子ビーム
の偏向方向に電子ビームの偏向角に対応する間隔だけ円
形ドットの中心位置をずらして2度打ちし、互いの円形
ドットが部分的に重なり合うかまたは離間したパターン
とし、上記第2フォトマスクの小孔用パターンを円形と
し、これら第1、第2フォトマスクを用いて上記板状部
材に上記電子ビーム通過孔を形成することを特徴とする
カラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法。
3. A photosensitive film is applied and formed on both surfaces of the plate member,
The photosensitive films on both sides are exposed and developed through a first photomask on which a pattern for large holes is formed and a second photomask on which a pattern for small holes is formed. A resist film consisting of a pattern corresponding to the mask pattern is formed, and the plate-shaped member on which the resist film is formed is etched from both sides to form a large hole on one side of this plate-shaped member and a small hole on the other side. In the method of manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube in which a hole is formed to form an electron beam passage hole, the large hole pattern of the first photomask is formed in a direction corresponding to a deflection angle of the electron beam in a deflection direction of the electron beam. For the small holes of the second photomask, the center positions of the circular dots are shifted twice and the circular dots are hit twice to form a pattern in which the circular dots partially overlap or are separated from each other. A method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube, wherein the pattern is circular and the electron beam passage holes are formed in the plate-like member using the first and second photomasks.
【請求項4】 請求項3記載のカラーブラウン管用シャ
ドウマスクの製造方法において、 第1フォトマスクの大孔用パターンを、電子ビームの偏
向方向に電子ビームの偏向角に対応する間隔だけ円形ド
ットの中心位置を2度打ちしてピーナッツ形状に形成す
ることを特徴とするカラーブラウン管用シャドウマスク
の製造方法。
4. The method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube according to claim 3, wherein the large hole pattern of the first photomask is formed of circular dots at intervals corresponding to the deflection angle of the electron beam in the deflection direction of the electron beam. A method for producing a shadow mask for a color cathode-ray tube, comprising forming a peanut shape by hitting the center position twice.
【請求項5】 請求項3記載のカラーブラウン管用シャ
ドウマスクの製造方法において、 第1フォトマスクの大孔用パターンを、電子ビームの偏
向方向に電子ビームの偏向角に対応する間隔だけ相対的
に径大な円形ドットと相対的に径小の円形ドットとを離
間して2度打ちしてただるま形状に形成することを特徴
とするカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法。
5. The method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube according to claim 3, wherein the large hole pattern of the first photomask is relatively arranged in the deflection direction of the electron beam by an interval corresponding to the deflection angle of the electron beam. A method for producing a shadow mask for a color cathode-ray tube, comprising forming circular dots having a large diameter and circular dots having a relatively small diameter separately and striking them twice to form a free-form shape.
【請求項6】 請求項3ないし請求項5のいずれかに記
載のカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法にお
いて、 第2フォトマスクの小孔用パターンを、第1フォトマス
クの大孔用パターンの2度打ちされる円形ドットのう
ち、上記第1フォトマスクの中央側の円形ドットと同軸
の円形に形成することを特徴とするカラーブラウン管用
シャドウマスクの製造方法。
6. The method for manufacturing a shadow mask for a color cathode-ray tube according to claim 3, wherein the small hole pattern of the second photomask is the large hole pattern of the first photomask. A method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube, comprising forming circular dots coaxial with the circular dots on the center side of the first photomask among the circular dots to be beaten.
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