JPH0765738A - Color picture tube - Google Patents

Color picture tube

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Publication number
JPH0765738A
JPH0765738A JP21002393A JP21002393A JPH0765738A JP H0765738 A JPH0765738 A JP H0765738A JP 21002393 A JP21002393 A JP 21002393A JP 21002393 A JP21002393 A JP 21002393A JP H0765738 A JPH0765738 A JP H0765738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
opening
shadow mask
ridge line
electron gun
Prior art date
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Pending
Application number
JP21002393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhisa Otake
康久 大竹
Seiji Sago
誠司 佐合
Nobuo Kita
信夫 喜多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP21002393A priority Critical patent/JPH0765738A/en
Publication of JPH0765738A publication Critical patent/JPH0765738A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To allow only a desired electron beam to pass through an opening by forming an angle formed by a straight line along a ridge line from an opening end on an electron gun side toward the thickness direction of a shadow mask and the axis of an opening larger than a specific angle. CONSTITUTION:An angle alpha formed by a straight line 35 along a ridge line from a small hole end 321 toward a ridge line mating portion 34 and the axis 36 of an opening is set larger than an angle gamma formed by a straight line 38 connecting a large hole end 311 to a contact point 39 near the mating portion 34 and the axis 36 of the opening. An electron beam 33 passing from a small hole 32 side of the opening toward the large hole 31 side reaches a fluorescent screen 42 without collision against a side wall of the opening, and further, a passing quantity can be secured. A diameter of the beam 33 passing through the electron beam opening is substantially identical to the dimension of the small hole of the opening. Consequently, control of the dimension of the opening of the beam 33 allows the diameter of the beam 33 reaching the fluorescent screen 42 to be controlled. Even if a reflection electron beam is generated inside the opening, it cannot reach the fluorescent screen 42, thus obtaining a screen of high quality.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、シャドウマスク型カ
ラー受像管に係わり、特にそのシャドウマスクの電子ビ
ーム開孔の形状に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask type color picture tube, and more particularly to the shape of electron beam apertures in the shadow mask.

【0002】[0002]

【従来の技術】シャドウマスク型カラー受像管は図4に
示すように、ガラスからなる外囲器は、実質的に矩形状
のフェースプレート部411 と、これにつながるスカート
部412と、フェースプレート部411 に対向配置される円
筒状のネック部414 と、スカート部412 とネック部414
を連接するファンネル部413 とから構成されている。そ
して、フェースプレート部411 の内面には赤、青及び緑
に発光する蛍光体が規則的に配列された蛍光面42が形成
されており、一方、ネック部414 内には赤、青及び緑に
対応する複数の電子ビーム45G 、45R 及び45B を射出す
る電子銃45が配設されている。また、蛍光面42に所定の
間隔で近接対向して規則的に配列された多数の電子ビー
ム開孔431 を有するシャドウマスク43が配設されてい
る。このシャドウマスク43はマスクフレーム432 に接合
され、マスクホルダー433 を介してスカート部412 のス
タッドピン434 に係り止めされている。そして、シャド
ウマスク43の電子ビーム開孔431 の断面形状は、蛍光面
42側の表面開孔(以降、大孔と称す)は電子銃45側の表
面開孔(以降、小孔と称す)よりも大きく形成されてお
り、電子ビームがシャドウマスクの周辺部ほど斜めに入
射する時の一定の電子ビーム量を確保している(図示せ
ず)。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a shadow mask type color picture tube has an envelope made of glass, which has a substantially rectangular face plate portion 411, a skirt portion 412 connected thereto, and a face plate portion. A cylindrical neck portion 414, which is arranged to face 411, a skirt portion 412, and a neck portion 414.
And a funnel portion 413 that connects the two. A phosphor screen 42 in which phosphors that emit red, blue and green are regularly arranged is formed on the inner surface of the face plate portion 411, while red, blue and green are formed in the neck portion 414. An electron gun 45 for emitting a plurality of corresponding electron beams 45G, 45R and 45B is arranged. Further, a shadow mask 43 having a large number of electron beam apertures 431 regularly arranged so as to closely face and face the fluorescent screen 42 at a predetermined interval is provided. The shadow mask 43 is joined to the mask frame 432, and is fixed to the stud pin 434 of the skirt portion 412 via the mask holder 433. The cross-sectional shape of the electron beam aperture 431 of the shadow mask 43 is the phosphor screen.
The surface opening on the 42 side (hereinafter referred to as a large hole) is formed larger than the surface opening on the electron gun 45 side (hereinafter referred to as a small hole), and the electron beam is obliquely inclined toward the periphery of the shadow mask. A certain amount of electron beam at the time of incidence is secured (not shown).

【0003】このような構成のカラー受像管において、
電子銃45から射出された3本の電子ビーム45G 、45R 及
び45B は制御加速され、ファンネル部413 の外部に配設
された偏向装置46の磁界により偏向作用を受けながら蛍
光面42へ向かって進行する。そして、3本の電子ビーム
はシャドウマスク43の一つの電子ビーム開孔431 で集中
するように制御され、ここから蛍光面までの距離の間に
再び離散し、それぞれ対応する蛍光体に正しく射突して
カラー映像を映出する。
In a color picture tube having such a structure,
The three electron beams 45G, 45R and 45B emitted from the electron gun 45 are controlled and accelerated, and proceed toward the fluorescent screen 42 while being deflected by the magnetic field of the deflecting device 46 disposed outside the funnel portion 413. To do. Then, the three electron beams are controlled so as to be concentrated in one electron beam opening 431 of the shadow mask 43, and are dispersed again in the distance from here to the phosphor screen, and are correctly projected to the corresponding phosphors. And display a color image.

【0004】以上のように、カラー受像管のシャドウマ
スクは、パララックスの原理を利用して電子ビーム開孔
と幾何学的に1対1の関係にある各色蛍光体のみに正し
く射突するように電子ビームを通過させる機能を有して
おり、色選別電極とも呼ばれる重要な構成要素である。
As described above, the shadow mask of the color picture tube uses the principle of parallax so as to correctly project only the phosphors of each color having a one-to-one relationship with the aperture of the electron beam geometrically. It has an electron beam passing function and is an important component called a color selection electrode.

【0005】このシャドウマスクの電子ビーム開孔には
円形状と矩形状のものが用いられている。この内、実質
的に矩形状の電子ビーム開孔の長辺は前記実質的に矩形
状のフェースプレートの短辺(垂直軸)と実質的に平行
な多数の垂直配列からなり、この垂直配列の電子ビーム
開孔の隣合う短辺はフェースプレートの長辺(水平軸)
S実質的に平行なブリッジ部を介して配列されている。
そして、このような矩形状の電子ビーム開孔を有するシ
ャドウマスクはブリッジ部の垂直方向の幅は可能な限り
小さく設定されており、その水平軸方向の引っ張り強度
は垂直方向の引っ張り強度よりも大きい構造とされてい
る。
Circular and rectangular holes are used for the electron beam aperture of this shadow mask. The long side of the substantially rectangular electron beam aperture is composed of a number of vertical arrays that are substantially parallel to the short side (vertical axis) of the substantially rectangular face plate. The adjacent short side of the electron beam aperture is the long side of the face plate (horizontal axis).
S Substantially parallel bridges are arranged.
In the shadow mask having such a rectangular electron beam aperture, the width of the bridge portion in the vertical direction is set as small as possible, and the tensile strength in the horizontal axis direction is larger than the tensile strength in the vertical direction. It is considered as a structure.

【0006】このような電子ビーム開孔の内、文字や図
形を高精細に表示するディスプレイ管用としては円形状
のものが、テレビジョン用として用いられる民生用管と
しては矩形状のものが用いられる。また、近年の傾向と
して、パソコン、オフコン、EWSの端末としてのディ
スプレイ管の需要には目覚ましいものがあり、一方民生
用管としてはハイビジョン放送用を含み大型化が主流と
なっている。
Of these electron beam apertures, circular ones are used for display tubes for displaying characters and figures with high precision, and rectangular ones are used for consumer tubes used for televisions. . Further, as a recent trend, there is a remarkable demand for display tubes as terminals for personal computers, office computers, and EWS, while consumer tubes, including those for high-definition broadcasting, are becoming larger in size.

【0007】そして、いずれの場合も従来と異なるの
は、人間工学的な見地から、外光反射が少なく歪みの少
ない画像が求められる。このために、より平坦な画面を
有するフラットスクェア管は必須のものとなっている。
これに伴って、蛍光面と相対的な関係を有するシャドウ
マスクも、より平坦化、即ちその曲率半径が大きなもの
が必要となる。
In any case, what is different from the conventional method is that an image with less external light reflection and less distortion is required from the viewpoint of ergonomics. For this reason, a flat square tube having a flatter screen is indispensable.
Along with this, the shadow mask having a relative relationship with the phosphor screen also needs to be flattened, that is, have a large radius of curvature.

【0008】従って、より平坦化されたシャドウマスク
は、従来のシャドウマスクに比して全体的にシャドウマ
スクへの電子ビームの入射角度は必然的に大きくなり、
特に周辺部では著しい。この結果、従来のシャドウマス
クに比して、入射した電子ビームの一部は電子ビーム開
孔の孔縁または孔壁に射突する割合が増加し、電子ビー
ム形状が歪む、いわゆるビーム欠けを生じ、輝度やホワ
イトユニフォミティを低下させる。また、電子ビーム開
孔の孔縁または孔壁に射突し反射する電子ビームは、目
的外の蛍光体を発光させコントラストの低下をもたら
す。
Therefore, in a more flattened shadow mask, the angle of incidence of the electron beam on the shadow mask inevitably becomes large as compared with the conventional shadow mask.
Especially in the peripheral area. As a result, as compared with the conventional shadow mask, a part of the incident electron beam is more likely to hit the hole edge or hole wall of the electron beam aperture, and the electron beam shape is distorted, so-called beam chipping occurs. , Reduce brightness and white uniformity. In addition, the electron beam that strikes and reflects the hole edge or hole wall of the electron beam aperture causes the unintended phosphor to emit light, resulting in a reduction in contrast.

【0009】このような問題は、シャドウマスク材の板
厚が厚いほど、また高解像度用として電子ビーム開孔の
ピッチが小さいものほど生じ易くなる。しかしながら、
従来管と同一サイズ、同一ピッチであっても、フラット
スクェア管のように電子ビーム開孔への入射角が大きく
なるに従って顕在化し、カラー受像管の品位を低下させ
ることになる。
Such a problem is more likely to occur as the plate thickness of the shadow mask material is thicker and the pitch of the electron beam apertures is smaller for high resolution. However,
Even if the tube has the same size and pitch as the conventional tube, it becomes apparent as the incident angle to the electron beam aperture increases like a flat square tube, and the quality of the color picture tube deteriorates.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
る一手段として、矩形状の電子ビーム開孔を有するシャ
ドウマスクに対しては、特開昭50−142160号公報及び特
開昭57−57449 号公報においては、図5(A)に示すよ
うに、シャドウマスクの電子銃側の小孔52の開孔中心に
対して蛍光面側の大孔51の開孔中心を電子ビーム53が抜
ける方向にずらした、いわゆるオフセンターマスクが提
案されている。
As a means for solving these problems, Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 50-142160 and 57-57449 disclose a shadow mask having a rectangular electron beam aperture. In the publication, as shown in FIG. 5 (A), the direction in which the electron beam 53 passes through the center of the large hole 51 on the phosphor screen side with respect to the center of the small hole 52 on the electron gun side of the shadow mask. A so-called off-center mask that has been shifted is proposed.

【0011】このようなオフセンターマスクとすること
によって、入射する電子ビームが開孔側壁や大孔端511
に射突してビーム欠けを生ずる恐れは回避される。しか
し、電子ビーム開孔のビーム通過量、即ち通過電子ビー
ムの幅は、図5(A)に示すように、入射電子ビームの
左側は小孔52の電子ビーム入射側の左側の小孔端521で
決まる。一方、入射電子ビームの右側は開口の大孔51と
小孔52の稜線に沿う直線53で決まる。即ち、大孔51側の
大孔端511 からシャドウマスクの板厚方向に向う稜線と
小孔52の小孔端521 からシャドウマスクの板厚方向に向
う稜線と板厚内で合致する稜線合致部54を有している
が、大孔51側の右側の大孔端511 とこの稜線合致部54の
近傍の接点59で接する直線とで決定される。従って、実
際の通過電子ビームの幅は小孔52の開孔径よりも小さく
なる。
By using such an off-center mask, the incident electron beam can be transmitted through the side wall of the aperture and the end 511 of the large aperture.
The risk of hitting the beam and causing a beam drop is avoided. However, as shown in FIG. 5A, the beam passing amount of the electron beam aperture, that is, the width of the passing electron beam is as shown in FIG. 5A, the left side of the incident electron beam is the small hole end 521 on the left side of the small hole 52 on the electron beam incident side. Depends on. On the other hand, the right side of the incident electron beam is determined by the straight line 53 along the ridgeline of the large hole 51 and the small hole 52 of the opening. That is, a ridge line matching portion within the plate thickness that matches the ridge line from the large hole end 511 on the large hole 51 side toward the thickness direction of the shadow mask and the ridge line from the small hole end 521 of the small hole 52 toward the shadow mask plate thickness direction within the plate thickness. Although it has 54, it is determined by the large hole end 511 on the right side of the large hole 51 side and the straight line which is in contact with the contact point 59 in the vicinity of the ridge line matching portion 54. Therefore, the width of the actual passing electron beam is smaller than the aperture diameter of the small hole 52.

【0012】また、稜線合致部54の位置、即ちシャドウ
マスクの小孔52側表面から稜線合致部54までの距離が変
動すると、通過電子ビームの幅も変動することになり、
蛍光面での電子ビームのランディング余裕度の少ないカ
ラー受像管ではホワイトユニフォミティの低下を引き起
こす。さらに、電子ビームの入射角が従来管よりもより
大きなフラットスクェア管においては、図5(B)に示
すように、小孔52の小孔端521 から稜線合致部54までの
稜線541 に電子ビーム53が射突して反射する割合が増加
する。このような反射電子ビーム531 は何等制御されて
いないので、所定の蛍光体以外の蛍光体に射突して発光
させ、画面全体の黒レベルが低下してコントラストを大
幅に低下させる。その結果、昼光の下での視認と同じ状
況となり、カラーテレビとしての画像品位は低下する。
尚、図5はシャドウマスクの水平軸方向に沿う電子ビー
ム開孔の断面開孔形状を示す。
Further, if the position of the ridge matching portion 54, that is, the distance from the surface of the shadow mask on the small hole 52 side to the ridge matching portion 54 changes, the width of the passing electron beam also changes,
In a color picture tube with a small electron beam landing margin on the phosphor screen, white uniformity is reduced. Further, in a flat square tube having an incident angle of the electron beam larger than that of the conventional tube, as shown in FIG. 5B, the electron beam is applied to the ridgeline 541 from the small hole end 521 of the small hole 52 to the ridgeline matching portion 54. The rate at which 53 hits and reflects increases. Since the reflected electron beam 531 is not controlled at all, it causes a fluorescent substance other than a predetermined fluorescent substance to be emitted to emit light, which lowers the black level of the entire screen and significantly reduces the contrast. As a result, the situation is the same as when viewed under daylight, and the image quality as a color television is degraded.
Note that FIG. 5 shows the cross-sectional aperture shape of the electron beam aperture along the horizontal axis direction of the shadow mask.

【0013】このように、電子ビームが電子ビーム開孔
の開孔側壁や大孔端511 に射突してビーム欠けが発生し
ないよう、大孔と小孔の開孔中心を必要量に応じて水平
方向及び垂直方向にずらしたとしても、シャドウマスク
がより平坦で電子ビームの入射角度が大きなカラー受像
管では不所望の反射電子ビームの発生を避けることがで
きない。蛍光面側に反射した反射電子ビームは、不必要
な蛍光体部をも発光させる結果、蛍光面の黒しずみを悪
くし、コントラストを低下させる。
As described above, in order to prevent the electron beam from striking the side wall of the electron beam aperture and the large hole end 511 to cause beam chipping, the aperture centers of the large hole and the small hole are adjusted according to the required amount. Even if the shadow mask is shifted in the horizontal direction and the vertical direction, it is inevitable to generate an unwanted reflected electron beam in a color picture tube in which the shadow mask is flatter and the incident angle of the electron beam is large. The reflected electron beam reflected on the phosphor screen side also causes unnecessary phosphor parts to emit light, resulting in worsening of black spots on the phosphor screen and deterioration of contrast.

【0014】この発明は、以上の問題に鑑みてなされた
ものであり、電子ビーム欠けを発生させることなく所望
の電子ビームのみ電子ビーム開孔を通過させるととも
に、開孔側壁に電子ビームが射突して反射しても反射電
子ビームが不必要な蛍光体を発光させることのないカラ
ー受像管を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems. Only a desired electron beam is allowed to pass through an electron beam aperture without causing electron beam chipping, and the electron beam is projected onto the side wall of the aperture. It is an object of the present invention to provide a color picture tube in which a reflected electron beam does not cause unnecessary phosphors to emit light even when reflected.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明は、実質的に矩
形状のフェースプレートの内面に形成された蛍光面と、
この蛍光面に対向配置された電子銃と、前記蛍光面と前
記電子銃の間にあって前記蛍光面に近接対向して配置さ
れ規則的に配列された実質的に矩形状の多数の電子ビー
ム開孔を有し、前記実質的に矩形状の電子ビーム開孔の
長辺は前記実質的に矩形状のフェースプレートの短辺と
実質的に平行に配置されるとともに前記電子ビーム開孔
の隣合う短辺はブリッジ部を介して垂直に配列され、前
記電子ビーム開孔の前記蛍光面側の開孔は前記電子銃側
の開孔よりも大なる面積からなるシャドウマスクとを少
なくとも備えたカラー受像管において、前記シャドウマ
スクの前記蛍光面側の開孔端から前記シャドウマスクの
板厚方向に向う稜線は前記電子銃側の開孔端から前記シ
ャドウマスクの板厚方向に向う稜線と板厚内で合致する
稜線合致部を有し、前記電子銃側の開孔端から前記シャ
ドウマスクの板厚方向に向う稜線に沿って引かれる直線
と前記開口の中心軸との成す角度は前記電子ビームの入
射軌道と前記開口の中心軸との成す角度よりも大きいカ
ラー受像管であり、また、前記シャドウマスクの前記蛍
光面側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に沿
う稜線は前記電子銃側の開孔端から前記シャドウマスク
の板厚方向に沿う稜線と板厚内で合致する稜線合致部を
有し、前記電子銃側の開孔端から前記シャドウマスクの
板厚方向に向う稜線に沿って引かれる直線と前記開口の
中心軸との成す角度は前記蛍光面側の開孔端と前記稜線
合致部近傍とを結ぶ直線と前記開口の中心軸との成す角
度よりも大きいカラー受像管であり、さらには、前記電
子銃側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に向
う稜線に沿って引かれる直線と、前記蛍光面側の開孔端
と前記稜線合致部近傍とを結ぶ直線との交点は、前記シ
ャドウマスクの板厚に対して前記電子銃側表面から1/3
以内にあるカラー受像管であり、または、前記蛍光面側
の開孔端と前記稜線合致部近傍とを結ぶ直線の前記稜線
合致部近傍の接点は、前記電子銃側の開孔端から前記シ
ャドウマスクの板厚方向に向う稜線に沿って引かれる直
線と前記蛍光面側の開孔端と前記稜線合致部近傍とを結
ぶ直線との交点よりも電子銃側の開孔端側に位置するカ
ラー受像管である。
According to the present invention, a phosphor screen formed on the inner surface of a substantially rectangular face plate,
An electron gun arranged to face the fluorescent screen, and a plurality of substantially rectangular electron beam apertures arranged between the fluorescent screen and the electron gun and closely arranged to face the fluorescent screen and arranged regularly. And a long side of the substantially rectangular electron beam aperture is disposed substantially parallel to a short side of the substantially rectangular face plate, and a short side adjacent to the electron beam aperture. A color picture tube having at least sides arranged vertically through a bridge portion, and a hole on the side of the fluorescent screen of the electron beam hole having a shadow mask having a larger area than the hole on the side of the electron gun. In, in the plate thickness direction and the ridge line from the aperture end of the shadow mask toward the plate thickness direction of the shadow mask in the plate thickness direction of the shadow mask in the plate thickness direction of the shadow mask It has ridge line mating parts that match The angle formed by the center axis of the opening and the straight line drawn along the ridge line extending in the plate thickness direction of the shadow mask from the hole end on the electron gun side is defined by the incidence trajectory of the electron beam and the center axis of the opening. A color picture tube that is larger than the angle formed, and a ridge line along the plate thickness direction of the shadow mask from the aperture end on the phosphor screen side of the shadow mask is from the aperture end on the electron gun side of the shadow mask. A straight line that has a ridge line matching portion that matches the ridge line along the plate thickness direction within the plate thickness, and is drawn along the ridge line facing the plate thickness direction of the shadow mask from the hole end on the electron gun side and the center of the opening An angle formed by the axis is larger than an angle formed by the central axis of the opening and a straight line connecting the aperture end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridge line matching portion, and further, the electron gun side. From the open end of the The straight line drawn along the ridge line facing the plate thickness direction of the black and the intersection of the straight line connecting the aperture end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridge line matching portion is the electron with respect to the plate thickness of the shadow mask. 1/3 from the gun side surface
A color picture tube within, or a contact point near the ridge matching portion of a straight line connecting the opening end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridge matching portion is the shadow from the opening end on the electron gun side. A collar located closer to the aperture end on the electron gun side than an intersection of a straight line drawn along a ridge line facing the plate thickness direction of the mask and a straight line connecting the aperture end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridge line matching portion. It is a picture tube.

【0016】[0016]

【作用】シャドウマスク全面に亘って入射する電子ビー
ムが、電子ビーム開孔で不所望のけられ(欠け)を発生
することなく、且つ蛍光面に反射電子ビームが到達しな
いようにするためには、電子ビームを面ではなく線で切
ればよい。即ち、電子ビームが通過する側の開孔断面に
おいて、大孔と小孔から板厚方向へ向う稜線が合致する
稜線合致部にて電子ビームは切られ、小孔端から稜線合
致部までの稜線で形成される開孔壁部は、その稜線に沿
う線と開孔の中心軸との成す角度が電子ビームの入射軌
道と開孔の中心軸との成す角度よりも大きくなるように
構成されている。さらに、この稜線に沿う傾きは、電子
ビームの射突による反射電子ビームが発生しても反射電
子ビームが蛍光面に到達しないような傾きを有していれ
ばよい。
In order to prevent the electron beam incident on the entire surface of the shadow mask from being undesirably shattered (broken) at the electron beam aperture and preventing the reflected electron beam from reaching the fluorescent screen. , It suffices to cut the electron beam by a line instead of a plane. In other words, in the cross section of the opening on the side where the electron beam passes, the electron beam is cut at the ridge line matching part where the ridge lines facing from the large hole and the small hole in the plate thickness direction match, and the ridge line from the small hole end to the ridge line matching part. The aperture wall formed by is configured such that the angle formed by the line along the ridgeline and the central axis of the aperture is larger than the angle formed by the incident beam of the electron beam and the central axis of the aperture. There is. Further, the inclination along the ridgeline may be such that the reflected electron beam does not reach the fluorescent screen even if the reflected electron beam is generated by the electron beam impingement.

【0017】また、開孔断面の稜線に沿う線、即ち、大
孔開孔端と稜線合致部の近傍の接点とを結ぶ直線と開孔
の中心軸との成す角度が電子ビームの入射軌道と開孔の
中心軸との成す角度よりも大きくなるように構成されて
いる。
Further, a line along the ridgeline of the cross section of the hole, that is, a straight line connecting the end of the large hole and the contact point near the ridge line coincides with the central axis of the hole, and the angle of incidence of the electron beam. It is configured to be larger than the angle formed by the central axis of the opening.

【0018】このような構成とすることにより、電子ビ
ーム開孔を通過する電子ビームはビーム欠けを生ずるこ
とがなく、また電子ビームが開孔側壁に射突して反射電
子ビームが発生することがなく、仮に反射電子ビームが
発生しても反射電子ビームが蛍光面に到達しないように
することができる。
With this structure, the electron beam passing through the electron beam aperture will not be chipped, and the electron beam will hit the side wall of the aperture to generate a reflected electron beam. Even if a reflected electron beam is generated, it is possible to prevent the reflected electron beam from reaching the phosphor screen.

【0019】[0019]

【実施例】以下に図面を参照して、この発明の一実施例
について詳細に説明する。尚、この実施例におけるカラ
ー受像管の構成は、シャドウマスクの電子ビーム開孔部
以外は従来のカラー受像管と同様であり、カラー受像管
の全体構成についての説明は省略し、要部についてのみ
以下に説明する。図1は、この実施例のシャドウマスク
の中央部における電子ビーム開孔の断面形状を、図2は
同じくシャドウマスクの周辺部における電子ビーム開孔
の断面形状をそれぞれ示す。尚、図1及び図2はとも
に、左側はシャドウマスクの水平軸方向に沿う電子ビー
ム開孔の断面開孔形状を示し、右側はシャドウマスクの
垂直軸方向に沿う隣合う電子ビーム開孔のブリッジ部の
断面形状をそれぞれ示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The configuration of the color picture tube in this embodiment is the same as that of the conventional color picture tube except the electron beam aperture of the shadow mask, and the description of the overall construction of the color picture tube is omitted. This will be described below. FIG. 1 shows the sectional shape of the electron beam aperture in the central portion of the shadow mask of this embodiment, and FIG. 2 shows the sectional shape of the electron beam aperture in the peripheral portion of the shadow mask. 1 and 2, the left side shows the sectional aperture shape of the electron beam aperture along the horizontal axis direction of the shadow mask, and the right side shows the bridge of adjacent electron beam apertures along the vertical axis direction of the shadow mask. The cross-sectional shape of each part is shown.

【0020】図1に示すシャドウマスクの電子ビーム開
孔は、0.13mmの板厚の金属薄板に0.3mm ピッチの孔ピッ
チで形成され、蛍光面側の大孔11は直径が0.28mmであ
り、電子銃側の小孔12は直径が0.14mmとなるように形成
されている。シャドウマスクの中央部における電子ビー
ム開孔では、通過する電子ビーム13は当然のことながら
シャドウマスク面に対して実質的に垂直である。
The electron beam apertures of the shadow mask shown in FIG. 1 are formed in a thin metal plate having a thickness of 0.13 mm at a hole pitch of 0.3 mm pitch, and the large holes 11 on the phosphor screen side have a diameter of 0.28 mm. The electron gun side small hole 12 is formed to have a diameter of 0.14 mm. At the electron beam aperture in the center of the shadow mask, the passing electron beam 13 is of course substantially perpendicular to the shadow mask plane.

【0021】これに対して、シャドウマスクの周辺部に
おける電子ビーム開孔の状態を図2に示す。小孔22側の
形状が電子ビーム23が抜ける幅を実質的に決めることに
なるが、小孔端221 に対する大孔端211 との差を、紙面
では中心線より右側の電子ビーム22の傾斜して抜ける大
孔21側方向をΔ1 、紙面では中心線より左側の電子ビー
ム22の傾斜して入射する小孔22側方向をΔ2 とする。シ
ャドウマスクの中央近傍では図2(A)に示すように、
Δ1 はΔ2 と同等であるのに対し、シャドウマスクの周
辺部ほど図2(B)に示すように、Δ1 はΔ2 よりも大
きくなるように構成されている。一方、ブリッジ方向
は、大孔21側の中心軸と小孔22側の中心軸は同じ軸上で
はなくΔbだけずれている。
On the other hand, FIG. 2 shows the state of electron beam apertures in the peripheral portion of the shadow mask. The shape of the small hole 22 side substantially determines the width through which the electron beam 23 escapes, but the difference between the small hole end 221 and the large hole end 211 is that the electron beam 22 on the right side of the center line in the drawing is inclined. Let Δ1 be the direction of the large hole 21 side that exits through, and Δ2 be the direction of the small hole 22 side where the electron beam 22 on the left side of the center line inclines and is incident. In the vicinity of the center of the shadow mask, as shown in FIG.
Although Δ1 is equal to Δ2, Δ1 is configured to be larger than Δ2 in the peripheral portion of the shadow mask as shown in FIG. 2B. On the other hand, in the bridge direction, the central axis on the large hole 21 side and the central axis on the small hole 22 side are not on the same axis, but are deviated by Δb.

【0022】さらに、図3(A)に示すように、大孔31
の大孔端311 から板厚方向への稜線と小孔32の小孔端32
1 からの稜線は稜線合致部34で合致し、小孔端321 から
稜線合致部34への稜線に沿う直線35と開孔の中心軸36と
の成す角度αは、電子ビーム33の入射軌道と開孔の中心
軸36との成す角度βよりも大きくなるように構成されて
いる。また、図3(B)に示すように、小孔端321 から
稜線合致部34への稜線に沿う直線35と開孔の中心軸36と
の成す角度αは、大孔端311 と稜線合致部34の近傍の接
点39とを結ぶ直線38と開孔の中心軸36との成す角度γよ
りも大きくなるように構成されている。
Further, as shown in FIG.
Ridge line from the large hole end 311 in the plate thickness direction to the small hole end 32 of the small hole 32
The ridgeline from 1 is matched at the ridgeline matching portion 34, and the angle α formed by the straight line 35 along the ridgeline from the small hole end 321 to the ridgeline matching portion 34 and the central axis 36 of the aperture is the same as the incident trajectory of the electron beam 33. It is configured to be larger than the angle β formed with the central axis 36 of the opening. Further, as shown in FIG. 3B, the angle α formed by the straight line 35 along the ridge line from the small hole end 321 to the ridge line matching portion 34 and the central axis 36 of the opening is equal to the large hole end 311 and the ridge line matching portion. The angle γ formed by the straight line 38 connecting the contact point 39 near 34 and the central axis 36 of the aperture is larger than the angle γ.

【0023】このような構成とすることによって、開孔
の小孔側から入射し大孔側へ抜ける電子ビームは開孔の
側壁に射突することなく蛍光面に到達するとともに、そ
の通過量も確保される。即ち、電子ビーム開孔を通過す
る電子ビーム径は実質的には開孔の小孔寸法と同じとな
るので、電子ビームの開孔寸法を制御すれば蛍光面に到
達する電子ビーム径も制御することが可能となる。ま
た、稜線に電子ビーム33が射突したとしてもその反射ビ
ームが蛍光面に到達することはない。
With such a structure, the electron beam that enters from the small hole side of the opening and escapes to the large hole side reaches the fluorescent screen without hitting the side wall of the opening, and the amount of passage therethrough. Reserved. That is, since the electron beam diameter passing through the electron beam aperture is substantially the same as the small hole size of the aperture, controlling the aperture size of the electron beam also controls the electron beam diameter reaching the phosphor screen. It becomes possible. Further, even if the electron beam 33 strikes the ridge, the reflected beam does not reach the phosphor screen.

【0024】また、図3に示すように、小孔端321 から
稜線合致部34への稜線に沿う直線35と、大孔端311 と稜
線合致部34の近傍の接点39とを結ぶ直線38との交点37か
ら小孔32側表面までの距離tはシャドウマスク強度の点
からは大きな方がよい。さらに、大孔端311 と稜線合致
部34の近傍の接点39とを結ぶ直線38の接点39の位置は上
記tよりも小孔32側表面に近い方がよい。
Further, as shown in FIG. 3, a straight line 35 extending from the small hole end 321 to the ridge line matching portion 34 and a straight line 38 connecting the large hole end 311 and the contact point 39 near the ridge line matching portion 34. The distance t from the intersection 37 to the surface of the small hole 32 side is preferably large from the viewpoint of shadow mask strength. Further, the position of the contact point 39 of the straight line 38 connecting the large hole end 311 and the contact point 39 in the vicinity of the ridge line matching portion 34 should be closer to the surface of the small hole 32 side than the above t.

【0025】しかし、エッチングによる開孔穿設の点か
ら見ると、tを大きくするためには小孔32側からのエッ
チング量を増やす必要がある。エッチング量を増やすと
サイドエッチ量も必然的に増加するため、その分だけ焼
き付けパターン寸法を小さくしなければならず、これは
パターンのむら品位の低下をもたらす。また、小孔のエ
ッチング量を増やすためには小孔へ供給するエッチング
液量を増加させる必要がある。通常、小孔側は水平に搬
送するマスク材の上側に位置するが、スプレーノズルを
揺動しマスク材上のエッチング液や液の当たりを均一に
保持していても、液量の増加に伴って不均一な液溜まり
が生じマスクむらを引き起こす。従って、tの大きさは
均一エッチングが比較的容易に維持できる観点からマス
ク肉厚の1/3 以下が好ましい。
However, from the viewpoint of forming holes by etching, it is necessary to increase the etching amount from the small hole 32 side in order to increase t. When the etching amount is increased, the side etching amount is inevitably increased. Therefore, the size of the pattern to be baked must be reduced by that amount, which causes uneven pattern quality. Further, in order to increase the etching amount of the small holes, it is necessary to increase the amount of etching liquid supplied to the small holes. Normally, the small hole side is located above the mask material that is conveyed horizontally, but even if the spray nozzle is oscillated and the etching solution on the mask material and the contact of the solution are held evenly, the amount of solution increases as the amount of solution increases. As a result, a non-uniform liquid pool occurs, causing uneven masking. Therefore, the size of t is preferably 1/3 or less of the mask thickness from the viewpoint that uniform etching can be maintained relatively easily.

【0026】以上の構造を有するシャドウマスクの製造
方法について以下に説明する。まず、所望の板厚のマス
ク材をアルカリ溶液などで脱脂洗浄後、マスク材の両面
にレジスト膜を被着形成する。その後、レジスト膜を形
成したマスク材の両面に目的の大小孔開孔パターンを各
々密着配置し、紫外線光源にて開孔パターン潜像をレジ
スト膜に形成する。開孔パターンの作成は、例えば米国
ガーバー社製のフォトプロッターを用いて行う。
A method of manufacturing the shadow mask having the above structure will be described below. First, a mask material having a desired plate thickness is degreased and washed with an alkaline solution or the like, and then resist films are formed on both surfaces of the mask material. After that, the target large and small hole opening patterns are closely arranged on both surfaces of the mask material on which the resist film is formed, and an opening pattern latent image is formed on the resist film by an ultraviolet light source. The formation of the opening pattern is performed using, for example, a photo plotter manufactured by Gerber, Inc. in the United States.

【0027】電子ビームの入射角はマスク中央部に比較
して周辺部の方が斜めから入射する分大きくなるが、マ
スクの種類によっては図2に示すように必要なΔ1 を取
るため各大孔及び小孔の合わせ状態がマスク周辺部に行
くに従ってずれていく物もある。また、開孔ピッチが小
さくなるに従って大孔径も小さくなり、取り得るΔ1も
小さくなるため、ずらし量を大きく取らねばならないマ
スクもある。さらに、マスク板厚が厚くなるに従って必
要とするΔ1 が大きくなり、ずらし量を大きく取らねば
ならないマスクもある。これらのシャドウマスクを作成
するために用いられるマスク開孔パターンはパターンの
各位置に依って必要な大孔パターンに対する小孔パター
ン、または小孔パターンに対して大孔パターンを合わせ
た際、大小孔同志の中心軸がずれた状態にある。当然、
マスクによってはマスク全面に亘り大小孔の合わせずれ
を生じなくても良いものもある。
The incident angle of the electron beam is larger in the peripheral portion than in the central portion of the mask because it is obliquely incident, but depending on the type of mask, as shown in FIG. Also, there are some things in which the alignment state of the small holes shifts toward the periphery of the mask. Further, as the opening pitch becomes smaller, the large hole diameter also becomes smaller, and the possible Δ1 also becomes smaller. Therefore, in some masks, a large shift amount must be taken. Furthermore, in some masks, the required Δ1 increases as the mask plate thickness increases, and a large shift amount must be taken. The mask opening pattern used to create these shadow masks is a small hole pattern for a large hole pattern required depending on each position of the pattern, or a large hole pattern when a large hole pattern is matched with a small hole pattern. The center axes of the comrades are misaligned. Of course,
Some masks do not require misalignment of large and small holes over the entire surface of the mask.

【0028】次いで、約40℃の温水をレジスト膜にスプ
レーすることにより未露光のレジスト膜を溶解除去し、
この後のエッチングにて開孔を形成すべき部分のマスク
材を露出させる。以上の現像終了後、レジスト膜の耐エ
ッチング性を向上させるため約200 ℃の温度で熱処理を
行う。その後、マスク材が鉄を主成分とするものであれ
ば、高温の塩化第2鉄溶液をスプレーすることによりレ
ジスト膜の存在しない開孔対応部をエッチングし、目的
の寸法及び断面形状を有する開孔を穿設する。エッチン
グ終了後、レジスト膜を除去し洗浄乾燥して目的のマス
クが得られる。
Then, the unexposed resist film is dissolved and removed by spraying warm water of about 40 ° C. onto the resist film,
By the subsequent etching, the mask material in the portion where the opening is to be formed is exposed. After the above development, heat treatment is performed at a temperature of about 200 ° C. to improve the etching resistance of the resist film. After that, if the mask material is mainly composed of iron, a hot ferric chloride solution is sprayed to etch the opening-corresponding portion where the resist film does not exist, and the opening having the target size and cross-sectional shape is formed. Drill holes. After the etching is completed, the resist film is removed, and the film is washed and dried to obtain a target mask.

【0029】大小開孔端から板厚方向への稜線と、その
稜線が合致する稜線合致部からなる開孔断面を目的の形
状とするためのエッチング方法として最も重要なこと
は、大小開孔側からのエッチングの条件を制御すること
である。その方法について以下に説明する。
The most important thing as an etching method for making the cross section of the opening consisting of the ridge line from the end of the large and small holes in the plate thickness direction and the ridge line matching portion where the ridge line coincides is the large and small hole side. It is to control the etching conditions from. The method will be described below.

【0030】第1の方法は、小孔が上で大孔が下の状態
に保持されたシャドウマスク材を水平に搬送しながら両
面からエッチングを行う場合、小孔に対して大孔から吹
き付けるエッチング液の液量を多くするか、または衝撃
力が強い条件にて行う。このためには、一定の圧力にて
吐出する液量の多いスプレー用ノズルを大孔側に使用す
ればよい。または大孔と小孔とも同じスプレー用ノズル
を使用する場合、大孔側のスプレー圧を小孔側のスプレ
ー圧よりも高めればよい。このようにすることによっ
て、大孔側から吹き付けられるエッチング液が大小孔が
合致した稜線部と小孔部とで形成される肉厚部分を削り
取っていく作用をする。開孔寸法は、サイドエッチング
で生じたレジスト膜の庇部がエッチングの進行を抑制す
るので大きくなりにくい。従って、開孔寸法の変動を少
なくした状態で目的とする開孔断面形状が得られる。
In the first method, when etching is performed from both sides while horizontally transporting the shadow mask material in which the small holes are held up and the large holes are held down, the etching is performed by spraying the small holes through the large holes. Increase the amount of liquid or perform it under the condition that the impact force is strong. For this purpose, a spray nozzle with a large amount of liquid discharged at a constant pressure may be used on the large hole side. Alternatively, when the same spray nozzle is used for both the large hole and the small hole, the spray pressure on the large hole side may be higher than the spray pressure on the small hole side. By doing so, the etching liquid sprayed from the large hole side works to scrape off the thick portion formed by the ridge line portion and the small hole portion where the large and small holes coincide. The opening size is unlikely to increase because the eaves of the resist film generated by side etching suppresses the progress of etching. Therefore, the target opening cross-sectional shape can be obtained in a state in which the fluctuation of the opening size is reduced.

【0031】第2の方法は、小孔部側をエッチング液が
かからないように保護した状態か、または小孔部側にエ
ッチング保護膜を被着した状態で、まず大孔側からのみ
マスク板厚の半分以上エッチングする。次いで、両側か
ら目的の開孔寸法が得られるまでエッチングを行う。両
側からのエッチング条件は上記の第1の方法の条件を用
いるとよい。このようなエッチングによれば、最初のエ
ッチングによってマスク材の実質的な板厚は減少して、
結果的には薄板をエッチングするに等しいことになるの
で、小孔のエッチング時間が短い分だけサイドエッチン
グ量が少なくてすむ。従って、レジストパターン寸法を
大きくできる分だけパターン品位が向上することと、エ
ッチング時間の短い分だけサイドエッチングのばらつき
が減少することにより、結果として開孔寸法のばらつき
の少ないシャドウマスクが得られる。一方、大孔からの
エッチング時間が極めて長くなる分だけ大小孔が合致し
た稜線部と、ビームの走行部とで形成される部分の肉厚
を削り取って薄くすることができるので目的とする開孔
断面形状が得られる。
In the second method, the mask plate thickness is first applied only from the large hole side while the small hole side is protected from being exposed to the etching solution or the small hole side is covered with an etching protective film. More than half of the etching. Then, etching is performed from both sides until the desired aperture size is obtained. As the etching conditions from both sides, the conditions of the above first method may be used. According to such etching, the substantial thickness of the mask material is reduced by the first etching,
As a result, since it is equivalent to etching a thin plate, the side etching amount can be reduced because the etching time of the small holes is short. Therefore, the pattern quality is improved as much as the resist pattern size can be increased, and the side etching variation is reduced as the etching time is shortened. As a result, a shadow mask with less variation in aperture size can be obtained. On the other hand, as the etching time from the large hole becomes extremely long, the wall thickness of the portion formed by the ridge line part where the large and small holes match and the beam traveling part can be shaved off to make it thin A cross-sectional shape is obtained.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、シャドウ
マスクの開孔に入射する電子ビームは開孔側壁に射突す
ることによるビーム欠けを生ずることがなく、また、開
孔内で反射電子ビームが発生しても蛍光面に到達するこ
とはない。従って、このようなシャドウマスクを用いた
カラー受像管は黒しずみが良く、ホワイトユニフォミテ
ィの優れた良質の画面を提供することができる。また、
シャドウマスクの開孔の寸法変動が極めて少ないため、
むら品位の良く蛍光面の品位を向上したカラー受像管と
することができる。
As described above, according to the present invention, the electron beam incident on the aperture of the shadow mask does not cause beam chipping due to the collision with the side wall of the aperture, and is reflected within the aperture. Even if an electron beam is generated, it does not reach the fluorescent screen. Therefore, a color picture tube using such a shadow mask has a good black spot and can provide a high quality screen with excellent white uniformity. Also,
Since the dimensional variation of the aperture of the shadow mask is extremely small,
It is possible to obtain a color picture tube having good unevenness and improved quality of the fluorescent screen.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例としてのシャドウマスクの中
央部における電子ビーム開孔の形状を示す断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a shape of an electron beam aperture in a central portion of a shadow mask as one embodiment of the present invention.

【図2】(A)及び(B)は本発明の一実施例としての
シャドウマスクの周辺部における電子ビーム開孔の形状
をそれぞれ示す断面図。
2A and 2B are cross-sectional views showing the shape of electron beam apertures in the peripheral portion of a shadow mask as an embodiment of the present invention.

【図3】(A)及び(B)は図2の電子ビーム開孔への
電子ビーム入射の状態を説明するための断面図。
3 (A) and 3 (B) are cross-sectional views for explaining the state of electron beam incidence on the electron beam aperture of FIG.

【図4】カラー受像管の全体構成を示す概略断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the overall configuration of a color picture tube.

【図5】(A)及び(B)は図3に対応する従来の電子
ビーム開孔への電子ビーム入射の状態を説明するための
断面図。
5A and 5B are cross-sectional views for explaining a state of electron beam incidence on a conventional electron beam aperture corresponding to FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31…大孔、32…小孔、33…電子ビーム、34…稜線合致
部、35…稜線に沿う線、36…開孔中心軸、37…交点、31
1 …大孔端、321 …小孔端、42…蛍光面、43…シャドウ
マスク、45…電子銃。
31 ... Large hole, 32 ... Small hole, 33 ... Electron beam, 34 ... Ridge line matching part, 35 ... Line along ridge line, 36 ... Center axis of aperture, 37 ... Intersection point, 31
1 ... Large hole end, 321 ... Small hole end, 42 ... Fluorescent screen, 43 ... Shadow mask, 45 ... Electron gun.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実質的に矩形状のフェースプレートの内
面に形成された蛍光面と、この蛍光面に対向配置された
電子銃と、前記蛍光面と前記電子銃の間にあって前記蛍
光面に近接対向して配置され規則的に配列された実質的
に矩形状の多数の電子ビーム開孔を有し、前記実質的に
矩形状の電子ビーム開孔の長辺は前記実質的に矩形状の
フェースプレートの短辺と実質的に平行に配置されると
ともに前記電子ビーム開孔の隣合う短辺はブリッジ部を
介して垂直に配列され、前記電子ビーム開孔の前記蛍光
面側の開孔は前記電子銃側の開孔よりも大なる面積から
なるシャドウマスクとを少なくとも備えたカラー受像管
において、前記シャドウマスクの前記蛍光面側の開孔端
から前記シャドウマスクの板厚方向に向う稜線は前記電
子銃側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に向
う稜線と板厚内で合致する稜線合致部を有し、前記電子
銃側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に向う
稜線に沿って引かれる直線と前記開口の中心軸との成す
角度は前記電子ビームの入射軌道と前記開口の中心軸と
の成す角度よりも大きいことを特徴とするカラー受像
管。
1. A fluorescent screen formed on the inner surface of a substantially rectangular face plate, an electron gun arranged to face the fluorescent screen, and between the fluorescent screen and the electron gun and close to the fluorescent screen. A plurality of substantially rectangular electron beam apertures arranged facing each other and regularly arranged, the long sides of the substantially rectangular electron beam apertures being the substantially rectangular face. The short sides adjacent to the electron beam apertures are arranged substantially parallel to the short sides of the plate, and the adjacent short sides are vertically arranged via a bridge portion, and the apertures on the phosphor screen side of the electron beam apertures are the above-mentioned. In a color picture tube having at least a shadow mask having an area larger than the aperture on the electron gun side, the ridge line extending from the aperture end on the fluorescent screen side of the shadow mask in the plate thickness direction of the shadow mask is as described above. From the hole end on the electron gun side A ridge line that matches the ridge line in the plate thickness direction of the shadow mask and a ridge line matching portion that matches within the plate thickness, and a straight line drawn along the ridge line in the plate thickness direction of the shadow mask from the hole end on the electron gun side; A color picture tube characterized in that an angle formed by a central axis of the opening is larger than an angle formed by an incident trajectory of the electron beam and a central axis of the opening.
【請求項2】 実質的に矩形状のフェースプレートの内
面に形成された蛍光面と、この蛍光面に対向配置された
電子銃と、前記蛍光面と前記電子銃の間にあって前記蛍
光面に近接対向して配置され規則的に配列された実質的
に矩形状の多数の電子ビーム開孔を有し、前記実質的に
矩形状の電子ビーム開孔の長辺は前記実質的に矩形状の
フェースプレートの短辺と実質的に平行に配置されると
ともに前記電子ビーム開孔の隣合う短辺はブリッジ部を
介して垂直に配列され、前記電子ビーム開孔の前記蛍光
面側の開孔は前記電子銃側の開孔よりも大なる面積から
なるシャドウマスクとを少なくとも備えたカラー受像管
において、前記シャドウマスクの前記蛍光面側の開孔端
から前記シャドウマスクの板厚方向に沿う稜線は前記電
子銃側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に沿
う稜線と板厚内で合致する稜線合致部を有し、前記電子
銃側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に向う
稜線に沿って引かれる直線と前記開口の中心軸との成す
角度は前記蛍光面側の開孔端と前記稜線合致部近傍とを
結ぶ直線と前記開口の中心軸との成す角度よりも大きい
ことを特徴とするカラー受像管。
2. A fluorescent screen formed on the inner surface of a substantially rectangular face plate, an electron gun arranged to face the fluorescent screen, and between the fluorescent screen and the electron gun and close to the fluorescent screen. A plurality of substantially rectangular electron beam apertures arranged facing each other and regularly arranged, the long sides of the substantially rectangular electron beam apertures being the substantially rectangular face. The short sides adjacent to the electron beam apertures are arranged substantially parallel to the short sides of the plate, and the adjacent short sides are vertically arranged via a bridge portion, and the apertures on the phosphor screen side of the electron beam apertures are the above-mentioned. In a color picture tube having at least a shadow mask having an area larger than the opening on the electron gun side, a ridge line extending in the plate thickness direction of the shadow mask from the opening end on the fluorescent screen side of the shadow mask is From the hole end on the electron gun side A ridge line along the plate thickness direction of the shadow mask and a ridge line matching portion that matches within the plate thickness, and a straight line drawn along the ridge line from the hole end on the electron gun side toward the plate thickness direction of the shadow mask The color picture tube characterized in that the angle formed by the central axis of the opening is larger than the angle formed by the central axis of the opening and a straight line connecting the opening end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridge line matching portion.
【請求項3】 請求項1または2記載のカラー受像管に
おいて、前記電子銃側の開孔端から前記シャドウマスク
の板厚方向に向う稜線に沿って引かれる直線と、前記蛍
光面側の開孔端と前記稜線合致部近傍とを結ぶ直線との
交点は、前記シャドウマスクの板厚に対して前記電子銃
側表面から1/3 以内にあることを特徴とするカラー受像
管。
3. The color picture tube according to claim 1 or 2, wherein a straight line drawn from an end of the hole on the side of the electron gun along a ridge line extending in a plate thickness direction of the shadow mask and an opening on the side of the phosphor screen. A color picture tube characterized in that an intersection of a straight line connecting the hole end and the vicinity of the ridge line matching portion is within 1/3 of the electron gun side surface with respect to the thickness of the shadow mask.
【請求項4】 請求項1または2記載のカラー受像管に
おいて、前記蛍光面側の開孔端と前記稜線合致部近傍と
を結ぶ直線の前記稜線合致部近傍の接点は、前記電子銃
側の開孔端から前記シャドウマスクの板厚方向に向う稜
線に沿って引かれる直線と前記蛍光面側の開孔端と前記
稜線合致部近傍とを結ぶ直線との交点よりも電子銃側の
開孔端側に位置することを特徴とするカラー受像管。
4. The color picture tube according to claim 1, wherein a contact point near the ridge line matching portion of a straight line connecting the aperture end on the phosphor screen side and the ridge line matching portion is on the electron gun side. An opening on the electron gun side of the intersection of a straight line drawn from the opening end along the ridgeline facing the thickness direction of the shadow mask and a straight line connecting the opening end on the phosphor screen side and the vicinity of the ridgeline matching portion A color picture tube characterized by being located on the edge side.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6175185B1 (en) 1997-02-26 2001-01-16 Nec Corporation Shadow mask for cathode ray tube having non-symmetrical through-holes

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