JP2002093340A - Shadow mask - Google Patents

Shadow mask

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JP2002093340A
JP2002093340A JP2000283501A JP2000283501A JP2002093340A JP 2002093340 A JP2002093340 A JP 2002093340A JP 2000283501 A JP2000283501 A JP 2000283501A JP 2000283501 A JP2000283501 A JP 2000283501A JP 2002093340 A JP2002093340 A JP 2002093340A
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JP
Japan
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shadow mask
front side
side hole
opening width
hole
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JP2000283501A
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Japanese (ja)
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Yoshinori Hirobe
吉紀 広部
Takuya Ogio
卓也 荻尾
Akira Makita
明 牧田
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shadow mask of which, the opening width of front side hole parts are made to change corresponding to the position where the through hole is formed, for improving the shock resistant strength of the shadow mask after used for a flat-shaped cathode ray tube. SOLUTION: The shadow mask is formed by arranging through holes 2a, 2b having back side hole parts 4a, 4b formed at the side that electron beam comes in, and front side hole parts 3a, 3b formed at the side that electron beam goes out, and forms beam spots with prescribed shape on an irradiated surface. For the front side hole part 3b formed at the peripheral part of the shadow mask in elliptic shape, the opening width T in the direction P perpendicular to an imaginary line extending from the center of the shadow mask is formed smaller than the opening width S of the front side hole part 3a formed at the center of the shadow mask, and the opening width T of the front side opening 3b is made less than 1.46 times the wall thickness of the shadow mask.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管用のシ
ャドウマスクに関し、更に詳しくは、特にフラット型ブ
ラウン管に好ましく使用される衝撃強度に優れたシャド
ウマスクに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask for a cathode ray tube, and more particularly to a shadow mask excellent in impact strength which is preferably used for a flat type cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は、一般的なシャドウマスク51の
断面形態の一例である。シャドウマスク51は、ブラウ
ン管内に装着され、ブラウン管の蛍光面に円形のビーム
スポットを形成させるために使用される。このようなシ
ャドウマスク51には、所定の形状の貫通孔が所定のパ
ターンで形成されている。その貫通孔の形成は、金属薄
板をエッチング加工することによって行われる。
2. Description of the Related Art FIG. 8 shows an example of a cross section of a general shadow mask 51. As shown in FIG. The shadow mask 51 is mounted in a cathode ray tube and is used to form a circular beam spot on a fluorescent screen of the cathode ray tube. In such a shadow mask 51, through holes having a predetermined shape are formed in a predetermined pattern. The through holes are formed by etching a thin metal plate.

【0003】貫通孔は、電子ビームが入射する側の裏側
孔部と、電子ビームが出射する側の表側孔部とから形成
される。その表側孔部は、裏側孔部よりも大きな面積で
形成されている。また、表側孔部の面積および裏側孔部
の面積は、シャドウマスク51の各部でほぼ同じ大きさ
で形成されている。
[0003] The through hole is formed by a back side hole on the side where the electron beam is incident and a front side hole on the side where the electron beam is emitted. The front side hole is formed with a larger area than the back side hole. The area of the front side hole and the area of the back side hole are substantially the same in each part of the shadow mask 51.

【0004】具体的には、図8に示すように、シャドウ
マスク51の中央部に設けられた貫通孔52aと、シャ
ドウマスク51の周辺部に設けられた貫通孔52bと
は、裏側孔部54a、54bに対する表側孔部53a、
53bの形成位置が異なっている。しかしながら、その
表側孔部53a、53bそれぞれの開孔寸法や開孔面積
は、その形成位置に関わらずほぼ同じ大きさで形成され
ている。また、裏側孔部54a、54bそれぞれの開孔
寸法や開孔面積も、その形成位置に関わらずほぼ同じ大
きさで形成されている。さらに、周辺部の貫通孔52b
においては、その表側孔部54bの側壁であってシャド
ウマスク51の外周側の側壁55bにかかる部分で電子
ビームが遮光されないように、表側孔部53bの開孔寸
法や開孔面積が中央部の表側孔部53aの開孔寸法や開
孔面積よりもやや大きめに形成されるという実例もあ
る。
More specifically, as shown in FIG. 8, a through-hole 52a provided in the center of the shadow mask 51 and a through-hole 52b provided in the periphery of the shadow mask 51 have a back side hole 54a. , 54b for the front side holes 53a,
The formation position of 53b is different. However, the opening size and the opening area of each of the front side holes 53a and 53b are substantially the same size regardless of the formation position. Also, the opening dimensions and the opening areas of the back side holes 54a and 54b are formed to have substantially the same size regardless of the formation position. Furthermore, the peripheral through-hole 52b
In order to prevent the electron beam from being shielded from the side wall 55b of the shadow mask 51 on the side wall of the front side hole portion 54b, the opening size and the opening area of the front side hole portion 53b are set at the central portion. There is an actual example in which the opening size and the opening area of the front side hole portion 53a are formed slightly larger than the opening size and the opening area.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】こうしたタイプのシャ
ドウマスクを、表示面側が曲面形状になっている一般的
なブラウン管に使用した場合、ブラウン管に落下衝撃等
が加わってもあまり大きな問題は生じていなかった。
When such a type of shadow mask is used for a general cathode ray tube having a curved display surface, no significant problem occurs even if a drop impact or the like is applied to the cathode ray tube. Was.

【0006】しかしながら、そのシャドウマスクを、表
示面側が平らで蛍光面側のアールが一般的なブラウン管
よりも大きいフラット型のブラウン管に使用すると、落
下衝撃等によってシャドウマスクの中央部分が凹むおそ
れがあることが確認された(図7の破線部を参照。)。
However, if the shadow mask is used for a flat cathode-ray tube whose display surface is flat and the radius of the phosphor screen is larger than that of a general cathode-ray tube, the central portion of the shadow mask may be dented due to a drop impact or the like. This was confirmed (see the broken line in FIG. 7).

【0007】本発明は、上記問題を解決すべくなされた
ものであって、特にフラット型ブラウン管に使用された
後のシャドウマスクの衝撃強度を向上させることを目的
とし、表側孔部の開孔寸法を貫通孔の形成位置に応じて
変化させたシャドウマスクを提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to improve the impact strength of a shadow mask after being used in a flat-type cathode ray tube. Is changed in accordance with the formation position of the through-hole.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、電子
ビームが入射する側の裏側孔部と、該電子ビームが出射
する側の表側孔部とから形成される貫通孔を配列してな
り、被照射面に所定形状のビームスポットを形成するシ
ャドウマスクにおいて、該シャドウマスクの周辺部に形
成された表側孔部は、該シャドウマスクの中心から延び
る仮想線と直交する方向の開孔幅が該シャドウマスクの
中心に形成された表側孔部の開孔幅よりも小さく形成さ
れてなる略楕円形状であることに特徴を有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an array of through holes formed by a back side hole on a side where an electron beam is incident and a front side hole on a side where the electron beam is emitted. In a shadow mask that forms a beam spot of a predetermined shape on the irradiated surface, the front side hole formed in the periphery of the shadow mask has an opening width in a direction orthogonal to a virtual line extending from the center of the shadow mask. Has a substantially elliptical shape formed smaller than the opening width of the front side hole formed in the center of the shadow mask.

【0009】この発明によれば、シャドウマスクの周辺
部に形成された表側孔部は、シャドウマスクの中心から
延びる仮想線と直交する方向の開孔幅がそのシャドウマ
スクの中心に形成された表側孔部の開孔幅よりも小さく
形成されてなる略楕円形状となっている。このように形
成されたシャドウマスクの周辺部は、中央部よりもエッ
チングされていない金属部分が多くなる。そのため、シ
ャドウマスクの中央部はその周辺部よりも相対的に軽く
なり、しかもその中央部は相対的に重くなった高強度の
周辺部で支えられるので、シャドウマスクがブラウン管
に装着された後に落下衝撃等の応力が加わってもシャド
ウマスクに凹み等の変形が起こらない。
According to the present invention, the front side hole formed in the peripheral portion of the shadow mask has an opening width in a direction orthogonal to an imaginary line extending from the center of the shadow mask, the front side formed at the center of the shadow mask. It has a substantially elliptical shape formed smaller than the opening width of the hole. In the peripheral portion of the shadow mask thus formed, the metal portion that has not been etched is larger than in the central portion. Therefore, the central part of the shadow mask is relatively lighter than its peripheral part, and the central part is supported by the relatively heavy, high-strength peripheral part. Even when a stress such as an impact is applied, the shadow mask is not deformed such as a dent.

【0010】請求項2の発明は、請求項1に記載のシャ
ドウマスクにおいて、前記周辺部に形成された表側孔部
の開孔幅が、前記シャドウマスクの板厚の1.46倍以
下であることに特徴を有する。
According to a second aspect of the present invention, in the shadow mask of the first aspect, the opening width of the front side hole formed in the peripheral portion is 1.46 times or less the plate thickness of the shadow mask. It has a special feature.

【0011】この発明によれば、周辺部に形成された表
側孔部の開孔幅をシャドウマスクの板厚の1.46倍以
下とした。この範囲の開孔幅を有するシャドウマスク
は、ブラウン管に装着された後に落下衝撃等の応力が加
わっても凹み等の変形が起こらない。
According to the present invention, the opening width of the front side hole formed in the peripheral portion is set to 1.46 times or less the thickness of the shadow mask. A shadow mask having an opening width in this range does not undergo deformation such as dents even when stress such as a drop impact is applied after being mounted on a cathode ray tube.

【0012】請求項3の発明は、請求項1または請求項
2に記載のシャドウマスクにおいて、前記周辺部に形成
された表側孔部を含むシャドウマスク全域の表側孔部の
開孔幅が、前記シャドウマスクの中心からの距離に応じ
て所定の変化率で連続的または段階的に変化することに
特徴を有する。
According to a third aspect of the present invention, in the shadow mask according to the first or second aspect, the opening width of the front side hole portion of the entire shadow mask including the front side hole portion formed in the peripheral portion is set to the width. It is characterized in that it changes continuously or stepwise at a predetermined change rate according to the distance from the center of the shadow mask.

【0013】この発明によれば、周辺部に形成された表
側孔部を含むシャドウマスク全域の表側孔部の開孔幅
が、シャドウマスクの中心からの距離に応じて所定の変
化率で連続的または段階的に小さくなるように変化する
ので、そのシャドウマスクは同心円状の強度分布とな
り、シャドウマスクの強度を中心から周辺部に向かって
徐々に強くすることができる。こうしたシャドウマスク
は、その強度バランスが規則的となるので、ブラウン管
に装着された後に落下衝撃等の応力が加わってもシャド
ウマスクに凹み等の変形が起こらない。
According to the present invention, the opening width of the front side hole portion over the entire shadow mask including the front side hole portion formed in the peripheral portion is continuously changed at a predetermined rate according to the distance from the center of the shadow mask. Alternatively, since the shadow mask changes so as to be gradually reduced, the shadow mask has a concentric intensity distribution, and the intensity of the shadow mask can be gradually increased from the center toward the peripheral portion. Since such a shadow mask has a regular intensity balance, even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask is not deformed such as a dent.

【0014】請求項4の発明は、請求項1または請求項
2に記載のシャドウマスクにおいて、前記周辺部に形成
された表側孔部を含むシャドウマスク全域の表側孔部の
開孔幅は、前記シャドウマスクの最外周の表側孔部にお
いて同一であり、その表側孔部と該シャドウマスクの中
心の表側孔部との間に位置する表側孔部の開孔幅が、所
定の変化率で連続的または段階的に変化することに特徴
を有する。
According to a fourth aspect of the present invention, in the shadow mask according to the first or second aspect, the opening width of the front side hole portion of the entire shadow mask including the front side hole portion formed in the peripheral portion is as described above. The opening width of the front-side hole located between the front-side hole and the center front-side hole of the shadow mask is the same at the outermost front-side hole of the shadow mask. Alternatively, it is characterized in that it changes stepwise.

【0015】この発明によれば、シャドウマスクの最外
周の表側孔部の開孔幅が同一であるので、シャドウマス
クの最外周が同程度の強度になるように形成することが
できる。さらに、最外周の表側孔部とシャドウマスクの
中心の表側孔部との間に位置する表側孔部の開孔幅が所
定の変化率で連続的または段階的に変化するので、シャ
ドウマスクの強度を最外周から中心に向かって徐々に変
化させることができる。こうしたシャドウマスクは、そ
の強度バランスが極めて規則的になるので、ブラウン管
に装着した後に落下衝撃等の応力が加わってもシャドウ
マスクに変形が起こらない。
According to the present invention, since the opening width of the front side hole portion at the outermost periphery of the shadow mask is the same, the shadow mask can be formed so that the outermost periphery has the same strength. Further, the opening width of the front side hole located between the outermost outer side hole and the center front side hole of the shadow mask changes continuously or stepwise at a predetermined change rate. Can be gradually changed from the outermost periphery toward the center. Such a shadow mask has an extremely regular strength balance, so that even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask is not deformed.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しつつ説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明のシャドウマスク1に形成
された貫通孔2の一例を示す正面図であり、(a)はシ
ャドウマスク1の中心に形成された貫通孔であり、
(b)はシャドウマスク1の外周に形成された貫通孔で
ある。図2は、図1に示す各部の貫通孔2a、2bの一
例を示す断面図であり、図3は、図1に示す各部の貫通
孔2a、2cの他の一例を示す断面図である。また、図
4は、シャドウマスク1の各部に形成される貫通孔の位
置関係を説明する模式的な正面図である。
FIG. 1 is a front view showing an example of a through hole 2 formed in a shadow mask 1 of the present invention. FIG. 1A shows a through hole formed in the center of the shadow mask 1.
(B) is a through hole formed on the outer periphery of the shadow mask 1. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the through holes 2a and 2b of each section shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the through holes 2a and 2c of each section shown in FIG. FIG. 4 is a schematic front view illustrating the positional relationship of the through holes formed in each part of the shadow mask 1.

【0018】本発明のシャドウマスク1は、金属薄板を
エッチング加工することにより、所定の形状の貫通孔を
所定のパターンで形成したものである。そのパターン
は、通常、貫通孔を略最密充填構造またはそれに近似す
る構造で配列してなるものである。こうした形状のシャ
ドウマスク1は、ブラウン管に装着されて、磁気シール
ドのため、およびブラウン管の蛍光面に所定形状のビー
ムスポットを形成するために使用される。ビームスポッ
トの形状は、円形、または略長方形からなるスロット形
の何れでもよく、何れの場合にも本発明の技術思想を適
用できる。なお、以下においては、便宜的に、円形のビ
ームスポットを形成するシャドウマスクを例に挙げて説
明する。
In the shadow mask 1 of the present invention, a through hole of a predetermined shape is formed in a predetermined pattern by etching a thin metal plate. The pattern is usually formed by arranging through holes in a substantially close-packed structure or a structure similar thereto. The shadow mask 1 having such a shape is mounted on a cathode ray tube, and is used for a magnetic shield and for forming a beam spot of a predetermined shape on a phosphor screen of the cathode ray tube. The shape of the beam spot may be a circular shape or a substantially rectangular slot shape, and the technical idea of the present invention can be applied to any case. In the following, for convenience, a shadow mask that forms a circular beam spot will be described as an example.

【0019】先ず、貫通孔の形状について説明する。First, the shape of the through hole will be described.

【0020】貫通孔2a、2bは、図1と図2に示すよ
うに、電子ビームが入射する側の裏側孔部4a、4b
と、ブラウン管の蛍光面側に位置して電子ビームが出射
する側の表側孔部3a、3bとから形成される。表側孔
部3a、3bは、裏側孔部4a、4bよりも大きな面積
で形成される。こうした貫通孔2a、2bは、電子ビー
ムの一部を裏側孔部4a、4bの端部9や側壁10によ
り遮光することができ、円形のビームスポットをブラウ
ン管の蛍光面上の所定の位置に所定の大きさで形成させ
ることができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the through holes 2a and 2b are formed on the back side holes 4a and 4b on the side where the electron beam is incident.
And the front side holes 3a and 3b located on the fluorescent screen side of the cathode ray tube and emitting the electron beam. The front side holes 3a and 3b are formed with a larger area than the back side holes 4a and 4b. These through holes 2a and 2b can shield a part of the electron beam from the end portions 9 and the side walls 10 of the back side holes 4a and 4b, and can place a circular beam spot at a predetermined position on the fluorescent screen of the cathode ray tube. Can be formed.

【0021】貫通孔2a、2bを構成する表側孔部3
a、3bと裏側孔部4a、4bとの位置関係は、図1と
図2に示すように、図4に示すシャドウマスク1の周辺
部21と中央部22とでは異なっている。さらに、同じ
周辺部21であっても、表側孔部3a、3bと裏側孔部
4a、4bとの位置関係は、X軸、Y軸および対角軸の
各部で異なっている。こうした相違は、電子ビームが表
側孔部3bの側壁であってシャドウマスク外周側の側壁
5bにかかる部分で遮光されるのを防いだものであり、
そのような位置関係にすることによって、円形のビーム
スポットをブラウン管の蛍光面上の所定の位置に所定の
大きさで形成することができる。ここで、シャドウマス
ク1の中央部22とは、図4に示すように、シャドウマ
スク1の中心を含む部分である。また、シャドウマスク
1の周辺部21とは、外周部分を含んだA〜Hに例示さ
れる部分であり、ここでは、最外周の貫通孔から10m
m程度内側に入った部分を含む範囲を指している。
Front side hole 3 forming through holes 2a, 2b
As shown in FIGS. 1 and 2, the positional relationship between the a and 3b and the back side holes 4a and 4b is different between the peripheral portion 21 and the central portion 22 of the shadow mask 1 shown in FIG. Further, even in the same peripheral portion 21, the positional relationship between the front side holes 3a, 3b and the back side holes 4a, 4b is different between the X axis, the Y axis, and the diagonal axis. Such a difference is that the electron beam is prevented from being shielded from light on the side wall 5b on the outer peripheral side of the shadow mask on the side wall of the front side hole 3b.
With such a positional relationship, a circular beam spot can be formed at a predetermined position on the phosphor screen of the cathode ray tube with a predetermined size. Here, the central portion 22 of the shadow mask 1 is a portion including the center of the shadow mask 1, as shown in FIG. Further, the peripheral portion 21 of the shadow mask 1 is a portion exemplified by A to H including the outer peripheral portion, and here, 10 m from the outermost through hole.
It indicates a range including a part which is inside by about m.

【0022】具体的には、シャドウマスク1の中央部2
2においては、シャドウマスク1に向かって電子ビーム
がほぼ真っ直ぐに照射されるので、裏側孔部4aの中心
位置と表側孔部3aの中心位置はほぼ同じであればよ
い。一方、シャドウマスク1の周辺部21においては、
シャドウマスク1に向かって電子ビームが斜めに照射さ
れるので、裏側孔部4bの中心位置と表側孔部3bの中
心位置は、その貫通孔2bが形成される位置A〜H(図
4を参照。)によって変化させる必要がある。つまり、
貫通孔2bがシャドウマスクの中心からどの方向に形成
されるかによって、その貫通孔2bの表側孔部3bは、
裏側孔部4bに対してシャドウマスク外周側にシフトす
るように形成される。さらに、貫通孔2bを形成する位
置が中心部22から周辺部21側に行くにしたがって、
その貫通孔2bの表側孔部3bは、裏側孔部4bに比べ
て徐々にシャドウマスク外周側にシフトするように形成
される。このとき、その表側孔部3bの形状は、中央部
22から周辺部21に行くに従って、円形形状から楕円
形または楕円形に近似する開孔形状へと徐々に遷移する
ように偏平した「略楕円形状」であることが好ましい。
こうすることによって、貫通孔2bの表側孔部3bが、
電子ビームを必要以上に遮光するのを防ぐことができ
る。
Specifically, the central portion 2 of the shadow mask 1
In 2, the electron beam is irradiated almost straight toward the shadow mask 1, so that the center position of the back side hole 4a and the center position of the front side hole 3a may be almost the same. On the other hand, in the peripheral portion 21 of the shadow mask 1,
Since the electron beam is obliquely irradiated toward the shadow mask 1, the center position of the back side hole 4b and the center position of the front side hole 3b are determined by the positions A to H (see FIG. 4) where the through holes 2b are formed. )). That is,
Depending on the direction in which the through hole 2b is formed from the center of the shadow mask, the front side hole portion 3b of the through hole 2b
It is formed so as to shift toward the outer peripheral side of the shadow mask with respect to the back side hole 4b. Further, as the position where the through hole 2b is formed goes from the central part 22 to the peripheral part 21 side,
The front side hole 3b of the through hole 2b is formed so as to be gradually shifted toward the outer periphery of the shadow mask as compared with the back side hole 4b. At this time, the shape of the front side hole portion 3b is flattened so as to gradually transition from a circular shape to an elliptical shape or an opening shape approximating to an elliptical shape as going from the central portion 22 to the peripheral portion 21. Shape "is preferred.
By doing so, the front side hole portion 3b of the through hole 2b is
It is possible to prevent the electron beam from being shielded more than necessary.

【0023】次に、表側孔部の開孔幅について説明す
る。
Next, the opening width of the front side hole will be described.

【0024】本発明においては、シャドウマスク1の周
辺部21に形成された表側孔部3bを、シャドウマスク
1の中心から延びる仮想線と直交する方向Pの開孔幅T
がシャドウマスク1の中心に形成された表側孔部3aの
開孔幅Sよりも小さく形成されてなる略楕円形状にする
ことによって所期の目的を達成する。
In the present invention, the front side hole 3b formed in the peripheral portion 21 of the shadow mask 1 is formed with an opening width T in a direction P orthogonal to an imaginary line extending from the center of the shadow mask 1.
The desired object is achieved by forming a substantially elliptical shape in which is formed smaller than the opening width S of the front side hole portion 3a formed at the center of the shadow mask 1.

【0025】周辺部21における表側孔部3bの開孔幅
Tと、中心に形成された表側孔部3aの開孔幅Sとの関
係は、シャドウマスク1が装着されるブラウン管の大き
さ、ブラウン管の蛍光面側のアールの大きさ、シャドウ
マスク1の厚さ、円形またはスロット形状等からなる貫
通孔の形状、支持部材によって支持されるシャドウマス
クの装着形態、プレス成形時の加工条件、落下衝撃等の
大きさ、等々によって任意に設計される。
The relationship between the opening width T of the front side hole 3b in the peripheral portion 21 and the opening width S of the front side hole 3a formed at the center depends on the size of the CRT on which the shadow mask 1 is mounted, the CRT. Size of the fluorescent screen side, the thickness of the shadow mask 1, the shape of the through hole having a circular or slot shape, the mounting form of the shadow mask supported by the support member, the processing conditions during press molding, the drop impact It is arbitrarily designed depending on the size, etc.

【0026】特に、本発明においては、周辺部21にお
ける表側孔部3bの開孔幅Tが、シャドウマスクの板厚
の1.46倍以下であることが好ましい。このとき、よ
り好ましくは1.40倍以下、さらに好ましくは1.3
6倍以下である。
In particular, in the present invention, the opening width T of the front side hole portion 3b in the peripheral portion 21 is preferably not more than 1.46 times the plate thickness of the shadow mask. At this time, it is more preferably 1.40 times or less, and still more preferably 1.3 times.
6 times or less.

【0027】このような範囲の開孔幅Tを有する周辺部
21の貫通孔は、表側孔部3bの空間体積が減少するこ
ととなる。表側孔部3bの空間体積のこうした減少は、
周辺部21の貫通孔全体における空間体積を減少させる
こととなるので、周辺部21の貫通孔は、中央部22の
貫通孔2aよりもエッチングされていない金属部分が相
対的に多くなる。そのため、シャドウマスク1の中央部
22は周辺部21よりも相対的に軽くなり、しかもその
中央部22は相対的に重くなった高強度の周辺部21で
支えられることになる。その結果、ブラウン管に装着さ
れた後に落下衝撃等の応力が加わっても、シャドウマス
ク1に凹み等の変形が起こらない。
The through-hole of the peripheral portion 21 having the opening width T in such a range reduces the spatial volume of the front side hole 3b. Such a decrease in the space volume of the front side hole 3b is as follows.
Since the space volume in the entire through hole of the peripheral portion 21 is reduced, the metal portion of the through hole of the peripheral portion 21 that is not etched is relatively larger than that of the through hole 2a of the central portion 22. Therefore, the central portion 22 of the shadow mask 1 is relatively lighter than the peripheral portion 21, and the central portion 22 is supported by the relatively heavy high-strength peripheral portion 21. As a result, even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask 1 is not deformed such as a dent.

【0028】開孔幅Tの大きさは、エッチングマスクパ
ターンやエッチング条件を変更することによって、上述
した好ましい範囲に調整することができる。
The size of the opening width T can be adjusted to the above-mentioned preferable range by changing the etching mask pattern and the etching conditions.

【0029】このとき、例えば、周辺部21における表
側孔部3bの開孔幅Tをシャドウマスクの板厚の1.4
6倍以下にする場合において、表側孔部3bの端部7
c、7dの座標位置と貫通孔2bの稜線部8c、8dの
座標位置との間の長さWを必要以上に短くすると、その
稜線部8c、8dの位置精度が悪くなる。その結果とし
て、貫通孔2bの大きさがばらついたり、貫通孔2bを
通過する電子ビームが必要以上に遮光されることがあ
る。その長さWおよびその長さWを含む開孔幅Tは、こ
うした点を考慮して設定することが好ましい。なお、
「稜線部8e」とは、裏側孔部4bの側壁10eと表側
孔部3bの側壁5bとによって形成される部分である。
At this time, for example, the opening width T of the front side hole portion 3b in the peripheral portion 21 is set to be 1.4 times the plate thickness of the shadow mask.
In the case where the size is 6 times or less, the end 7 of the front side hole 3b is used.
If the length W between the coordinate positions of c and 7d and the coordinate positions of the ridge portions 8c and 8d of the through hole 2b is shortened more than necessary, the positional accuracy of the ridge portions 8c and 8d deteriorates. As a result, the size of the through hole 2b may vary, or the electron beam passing through the through hole 2b may be shielded more than necessary. The length W and the opening width T including the length W are preferably set in consideration of such points. In addition,
The “ridge line portion 8e” is a portion formed by the side wall 10e of the back side hole 4b and the side wall 5b of the front side hole 3b.

【0030】開孔幅Tをシャドウマスクの板厚の1.4
6倍以下に規定したのは、ブラウン管に装着した後に落
下衝撃等の応力が加わってもシャドウマスクに変形が起
こらないようにするためである。一方、開孔幅Tの下限
値については、貫通孔2bの大きさがばらついたり、貫
通孔2bを通過する電子ビームが必要以上に遮光される
ことがないようにするためである。そして、開孔幅Tを
シャドウマスクの板厚との対比において具体的に規定す
れば、その板厚さの1.20倍以上、好ましくは1.2
4倍以上、さらに好ましくは1.26倍以上である。な
お、この値は、厳密にはシャドウマスクの規格、例えば
シャドウマスクのサイズ、貫通孔の大きさや形状等によ
って若干影響されるが、17インチ用から21インチ用
のシャドウマスクにおいては、開孔幅Tを上記範囲に設
定することが好ましい。
The opening width T is set to 1.4 of the thickness of the shadow mask.
The reason why the size is set to 6 times or less is to prevent the shadow mask from being deformed even when a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube. On the other hand, the lower limit of the opening width T is to prevent the size of the through-hole 2b from being varied and the electron beam passing through the through-hole 2b from being unnecessarily blocked. If the opening width T is specifically defined in comparison with the plate thickness of the shadow mask, it is 1.20 times or more, preferably 1.2 times, the plate thickness.
It is 4 times or more, more preferably 1.26 times or more. Strictly speaking, this value is slightly affected by the shadow mask standard, for example, the size of the shadow mask, the size and shape of the through-hole, and the like. It is preferable to set T in the above range.

【0031】さらに、本発明のシャドウマスクにおいて
は、開孔幅Tを小さくする方法に加えて、図3に示すよ
うに、シャドウマスク1の中心側の側壁6bをその表側
孔部3bの中心に向かわせることによって、その表側孔
部3bの金属部分を相対的に多くすることができるの
で、周辺部21の強度アップに都合がよい(図2と図3
とを比較参照。)。なお、上述の側壁6bをその表側孔
部3bの中心に向かわせる際、表側孔部3bの端部7b
の座標位置と貫通孔2bの稜線部8bの座標位置との間
の長さVを必要以上に短くすると、その稜線部8bの位
置精度が悪くなり、貫通孔2bの孔径がばらつくことが
ある。従って、その長さVはこうした点を考慮して設定
されるが、実際の製造上、外観品質が維持される長さV
の下限は約10μmである。
Further, in the shadow mask of the present invention, in addition to the method of reducing the opening width T, as shown in FIG. 3, the center side wall 6b of the shadow mask 1 is positioned at the center of the front side hole 3b. By facing, the metal portion of the front side hole 3b can be relatively increased, which is convenient for increasing the strength of the peripheral portion 21 (FIGS. 2 and 3).
See and compare. ). When the above-mentioned side wall 6b is directed toward the center of the front side hole 3b, the end 7b of the front side hole 3b is set.
If the length V between the coordinate position of the ridge line portion 8b and the coordinate position of the ridge line portion 8b of the through hole 2b is shortened more than necessary, the positional accuracy of the ridge line portion 8b will be deteriorated, and the hole diameter of the through hole 2b may vary. Therefore, the length V is set in consideration of these points, but in actual production, the length V at which the appearance quality is maintained.
Is about 10 μm.

【0032】なお、表側孔部3bの端部7eの座標位置
と貫通孔2bの稜線部8eの座標位置との間の長さU
は、その貫通孔2bが形成される座標位置に基づいた電
子ビームが入射する角度と、断面高さ(裏側孔部4bの
端部9から稜線部8eまでの高さ)と、板厚tとによっ
て自動的に決定される設計事項である。
The length U between the coordinate position of the end 7e of the front side hole 3b and the coordinate position of the ridge 8e of the through hole 2b.
Are the angle at which the electron beam is incident based on the coordinate position where the through hole 2b is formed, the sectional height (the height from the end 9 of the back side hole 4b to the ridge 8e), the plate thickness t, and the like. It is a design item that is automatically determined by

【0033】次に、開孔幅を連続的または段階的に変化
させる態様について説明する。
Next, an embodiment in which the opening width is changed continuously or stepwise will be described.

【0034】シャドウマスクに形成された表側孔部は、
その開孔幅がシャドウマスク上の各部において連続的ま
たは段階的に変化するように形成されていることが好ま
しく、以下の2つの態様を採用することができる。
The front side hole formed in the shadow mask is
It is preferable that the opening width is formed so as to change continuously or stepwise at each part on the shadow mask, and the following two modes can be adopted.

【0035】図5と図6は、表側孔部の開孔幅を連続的
または段階的に変化させた態様の一例を説明する模式的
な正面図である。
FIGS. 5 and 6 are schematic front views illustrating an example in which the opening width of the front side hole is changed continuously or stepwise.

【0036】第一の態様は、図5に示すように、貫通孔
の表側孔部の開孔幅Tが、シャドウマスク31の中心か
らの距離に応じて所定の変化率で連続的または段階的に
変化する態様である。
In the first mode, as shown in FIG. 5, the opening width T of the front side hole of the through hole is continuously or stepwise at a predetermined change rate according to the distance from the center of the shadow mask 31. It is an aspect which changes to.

【0037】この態様において、シャドウマスク31の
中心からの距離を同じくする同心円上またはその同心円
近傍の貫通孔は、その表側孔部の開孔幅Tが同じにな
る。シャドウマスク31の中心からの距離に応じて変化
する開孔幅Tの変化率は、一次的(一次式)であっても
二次的(二次式)であってもよく特に限定されない。例
えば、17インチ用のシャドウマスクの場合においてそ
の好ましい変化率をシャドウマスクの板厚t(mm)と
の関係で表すと、その開孔幅T(mm)は、(α−0.
000183×R)×0.130÷tの関係となる。こ
こで、αはシャドウマスクの中心に形成された表側孔部
の開孔幅(mm)であり、Rは中心からの距離(mm)
である。なお、このとき、最外周から10mm内側に入
り込んだ領域として規定する周辺部21における表側孔
部の開孔幅Tは、板厚の1.46倍以下となるように調
整することが好ましい。以上の関係は、17インチ用以
外のシャドウマスクにおいても同じであり、同様の傾向
で開孔幅を変化させ、設定することが好ましい。
In this embodiment, the through-holes on or near the concentric circles having the same distance from the center of the shadow mask 31 have the same opening width T of the front side hole. The rate of change of the aperture width T that changes according to the distance from the center of the shadow mask 31 may be linear (primary equation) or secondary (secondary equation), and is not particularly limited. For example, in the case of a 17-inch shadow mask, when the preferable change rate is expressed in relation to the thickness t (mm) of the shadow mask, the opening width T (mm) is (α-0.
000183 × R) × 0.130 ÷ t. Here, α is the opening width (mm) of the front side hole formed at the center of the shadow mask, and R is the distance (mm) from the center.
It is. At this time, it is preferable to adjust the opening width T of the front side hole portion in the peripheral portion 21 defined as a region that enters 10 mm inside from the outermost periphery so as to be 1.46 times or less the plate thickness. The above relationship is the same for shadow masks other than those for 17 inches, and it is preferable to change and set the opening width with the same tendency.

【0038】こうした態様のシャドウマスク31は、同
心円状の強度分布となる。そのため、シャドウマスク3
1の強度バランスは極めて規則的になり、シャドウマス
ク31の強度を中心から外周に向かって徐々に強くする
ことができる。このシャドウマスク31は、ブラウン管
に装着された後に落下衝撃等の応力が加わっても、凹み
等の変形が起こらない。
The shadow mask 31 of such an embodiment has a concentric intensity distribution. Therefore, shadow mask 3
The intensity balance of 1 becomes extremely regular, and the intensity of the shadow mask 31 can be gradually increased from the center toward the outer periphery. The shadow mask 31 is not deformed such as a dent even if stress such as a drop impact is applied after the shadow mask 31 is mounted on the cathode ray tube.

【0039】第二の態様は、図6に示すように、貫通孔
の表側孔部の開孔幅Tが、その最外周の表側孔部におい
て同一幅で形成されている態様である。そして、その表
側孔部と、シャドウマスク41の中心における表側孔部
との間に形成されている表側孔部の開孔幅Tが、所定の
変化率で連続的または段階的に変化する。
In the second mode, as shown in FIG. 6, the opening width T of the front side hole portion of the through hole is formed to be the same in the outermost outer side surface hole portion. Then, the opening width T of the front side hole formed between the front side hole and the front side hole at the center of the shadow mask 41 changes continuously or stepwise at a predetermined change rate.

【0040】この態様においては、表側孔部の開孔幅T
は、同一の開孔幅からなる最外周の貫通孔から中心の貫
通孔に向かって変化し、その変化率は、一次的(一次
式)であっても二次的(二次式)であってもよく特に限
定されない。例えば、17インチ用のシャドウマスクの
場合においてその好ましい変化率をシャドウマスクの板
厚t(mm)との関係で表すと、シャドウマスクの中心
からの位置を特定する平面座標(x、y)位置での開孔
幅T(mm)は、{(α−1.570×10-6×x2
2.727×10-6×y2 +1.361×10-10×
(x×y)2 }×0.130÷tの関係となる。ここ
で、αはシャドウマスクの中心に形成された表側孔部の
開孔幅(mm)であり、平面座標(x、y)は中心から
の座標長さ(mm)である。なお、このとき、最外周か
ら10mm内側に入り込んだ領域として規定する周辺部
21における表側孔部の開孔幅Tは、板厚の1.46倍
以下となるように調整することが好ましい。以上の関係
は、17インチ用以外のシャドウマスクにおいても同じ
であり、同様の傾向で開孔幅を変化させ、設定すること
が好ましいこうした態様のシャドウマスク41は、その
強度バランスが極めて規則的になり、シャドウマスク4
1の強度を、シャドウマスク41の中心から同一強度で
形成された外周部分に向かって徐々に強くすることがで
きる。このシャドウマスク41は、ブラウン管に装着さ
れた後に落下衝撃等の応力が加わっても、凹み等の変形
が起こらない。この第二の態様は、上述した第一の態様
よりも、本発明のシャドウマスクにさらに好ましく適用
できる。
In this embodiment, the opening width T of the front side hole is
Changes from the outermost through hole having the same opening width toward the center through hole, and the rate of change is linear (primary expression) or secondary (secondary expression). There is no particular limitation. For example, when a preferable change rate of a 17-inch shadow mask is expressed in relation to the thickness t (mm) of the shadow mask, the plane coordinates (x, y) for specifying the position from the center of the shadow mask Is the opening width T (mm) of (α-1.570 × 10 −6 × x 2
2.727 × 10 -6 × y 2 + 1.361 × 10 -10 ×
(X × y) 2 } × 0.130 ÷ t. Here, α is the opening width (mm) of the front side hole formed at the center of the shadow mask, and the plane coordinates (x, y) are the coordinate length (mm) from the center. At this time, it is preferable to adjust the opening width T of the front side hole portion in the peripheral portion 21 defined as a region that enters 10 mm inside from the outermost periphery so as to be 1.46 times or less the plate thickness. The above relationship is the same for shadow masks other than those for 17 inches, and it is preferable that the aperture width be changed and set in a similar tendency. Nari, shadow mask 4
1 can be gradually increased from the center of the shadow mask 41 toward the outer peripheral portion formed with the same intensity. The shadow mask 41 does not deform, such as a dent, even when stress such as a drop impact is applied after being mounted on the cathode ray tube. This second aspect can be more preferably applied to the shadow mask of the present invention than the first aspect described above.

【0041】次に、本発明のシャドウマスクをブラウン
管内に装着した態様について説明する。図7は、シャド
ウマスクをフラット型のブラウン管63に装着した態様
を示す説明図である。なお、図7において、実線は、落
下衝撃等が加わった後の本発明のシャドウマスク61を
表し、破線は、落下衝撃等が加わった後に凹みが発生し
た従来タイプのシャドウマスク62を表している。
Next, an embodiment in which the shadow mask of the present invention is mounted in a cathode ray tube will be described. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a mode in which a shadow mask is mounted on a flat-type cathode ray tube 63. In FIG. 7, a solid line represents the shadow mask 61 of the present invention after a drop impact or the like is applied, and a broken line represents a conventional shadow mask 62 in which a dent occurs after the drop impact or the like is applied. .

【0042】本発明のシャドウマスク61は、一般的な
ブラウン管よりも表示面側が平らで蛍光面側のアールが
大きいフラット型のブラウン管31に好ましく使用する
ことができる。そして、落下衝撃等が加わった後であっ
ても、シャドウマスク61の中央部分が凹む等の変形が
起こらない。
The shadow mask 61 of the present invention can be preferably used for a flat-type cathode-ray tube 31 having a flat display surface side and a larger radius on the phosphor screen side than a general cathode-ray tube. Then, even after a drop impact or the like is applied, deformation such as a depression of the central portion of the shadow mask 61 does not occur.

【0043】次に、上述したシャドウマスクの製造方法
の一例について説明する。なお、言うまでもなく、本発
明のシャドウマスクは、下記の製造方法に限定されな
い。
Next, an example of a method for manufacturing the above-described shadow mask will be described. Needless to say, the shadow mask of the present invention is not limited to the following manufacturing method.

【0044】シャドウマスク1は、従来公知の方法で形
成することができる。通常、フォトエッチングの各工程
で行われ、連続したインライン装置で製造される。例え
ば、金属薄板の両面に水溶性コロイド系フォトレジスト
等を塗布し、乾燥する。その後、その表面には、上述し
たような表側孔部の形状パターンを形成したフォトマス
クを密着させ、裏面には、裏側孔部の形状パターンを形
成したフォトマスクを密着させ、高圧水銀等の紫外線に
よって露光し、水で現像する。なお、表側孔部のパター
ンを形成したフォトマスクと、裏側孔部のパターンを形
成したフォトマスクの位置関係およびその形状は、得ら
れるシャドウマスクに形成された表側孔部と裏側孔部と
の位置関係およびそれらの大きさに考慮して設計され、
配置される。レジスト膜画像で周囲がカバーされた金属
の露出部分は、各部のエッチング進行速度の相違に基づ
いて、上述したような各々の形状で形成される。なお、
エッチング加工は、熱処理等された後、両面側から塩化
第二鉄溶液をスプレー等して行われる。その後、水洗
い、剥離等の後工程を連続的に行うことによってシャド
ウマスクが製造される。
The shadow mask 1 can be formed by a conventionally known method. Usually, it is performed in each step of photo etching, and is manufactured by a continuous in-line device. For example, a water-soluble colloid-based photoresist or the like is applied to both surfaces of a thin metal plate and dried. Thereafter, a photomask having the above-described front side hole shape pattern is adhered to the surface thereof, and a photomask having the back side hole shape pattern is closely adhered to the back surface thereof. And develop with water. The positional relationship between the photomask on which the pattern of the front side hole is formed and the photomask on which the pattern of the rear side hole is formed and the shape thereof are determined by the positions of the front side hole and the rear side hole formed on the obtained shadow mask. Designed in consideration of the relationship and their size,
Be placed. The exposed portion of the metal whose periphery is covered by the resist film image is formed in each of the shapes described above based on the difference in the etching progress rate of each portion. In addition,
The etching process is performed by spraying a ferric chloride solution from both sides after heat treatment or the like. Thereafter, a shadow mask is manufactured by continuously performing post-processes such as washing and peeling.

【0045】[0045]

【実施例】以下に、実施例と比較例を示し、本発明をさ
らに具体的に説明する。
The present invention will be described more specifically below with reference to examples and comparative examples.

【0046】(実施例1)厚さt0.13mmのFe−
Ni合金からなる17インチブラウン管用のシャドウマ
スク1を、上述したシャドウマスクの製造方法によって
製造した。
(Example 1) Fe-
The shadow mask 1 for a 17-inch cathode ray tube made of a Ni alloy was manufactured by the above-described shadow mask manufacturing method.

【0047】このシャドウマスクは、ブラウン管の蛍光
面に円形のビームスポットを形成するタイプのシャドウ
マスクであり、表1に示すように、形成した貫通孔2
a、2bの密度を2498個/cm2 とし、シャドウマ
スク1の各部における裏側孔部4a、4bの開孔面積を
約0.00887mm2 とし、表側孔部3a、3bの開
孔面積については、シャドウマスク1の中心では約0.
03398mm2 とし、シャドウマスクの最外周ではそ
の全週に渡って約0.02955mm2 とした。
This shadow mask is of a type in which a circular beam spot is formed on the fluorescent screen of the cathode ray tube.
The density of a, 2b is 2498 / cm 2 , the opening area of the back side holes 4a, 4b in each part of the shadow mask 1 is about 0.00887 mm 2, and the opening area of the front side holes 3a, 3b is: At the center of the shadow mask 1, about 0.
03398 mm 2, and about 0.02955 mm 2 at the outermost periphery of the shadow mask over the entire week.

【0048】このシャドウマスクの表側孔部3a、3b
の開孔幅Tについては、シャドウマスク1の最外周で約
0.175mmとし、板厚tの1.35倍とした。そし
て、シャドウマスクの中心と最外周との間に形成された
貫通孔の表側孔部の開孔幅Tは、中心からの距離に応じ
て二次式の関係で連続的に小さくなるように変化させ
た。具体的には、−0.000001019×R2 の関
係式で変化させた。このとき、その最外周から内側に1
0mm入り込んだ領域(A〜Hの各部)の開孔幅Tを、
板厚tの1.35倍〜1.40倍の範囲内とした。
The front side holes 3a, 3b of this shadow mask
Is about 0.175 mm at the outermost periphery of the shadow mask 1 and 1.35 times the plate thickness t. Then, the opening width T of the front side hole portion of the through hole formed between the center of the shadow mask and the outermost periphery changes so as to continuously decrease in a quadratic relation according to the distance from the center. I let it. Specifically, it was changed by a relational expression of -0.0000001019 × R 2 . At this time, 1
The opening width T of the area (each part of A to H) into which 0 mm has entered
The thickness was set within a range of 1.35 times to 1.40 times the thickness t.

【0049】このとき、その表側孔部3bを備える貫通
孔2bは、中心の表側孔部3aを備える貫通孔2aに比
べて、金属量が1個当たりの約3μg多くなっている。
At this time, the through hole 2b provided with the front side hole 3b has a metal amount about 3 μg larger per unit than the through hole 2a provided with the central front side hole 3a.

【0050】このシャドウマスクをフラット形ブラウン
管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝撃荷
重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマスクに
は、凹み等の変形は見られなかった。
This shadow mask was mounted on a flat cathode ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode ray tube. No deformation such as a dent was observed in the shadow mask mounted in the cathode ray tube.

【0051】(実施例2)厚さt0.13mmのFe−
Ni合金からなる19インチブラウン管用のシャドウマ
スク1を、実施例1と同様に製造した。
(Example 2) Fe-Fe of thickness t0.13 mm
A shadow mask 1 for a 19-inch cathode ray tube made of a Ni alloy was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0052】このシャドウマスクは、表1に示すよう
に、形成される貫通孔2a、2bの密度を1768個/
cm2 とし、シャドウマスク1の各部における裏側孔部
4a、4bの開孔面積を約0.00887mm2 とし、
表側孔部3a、3bの開孔面積については、シャドウマ
スク1の中心では約0.03398mm2 とし、シャド
ウマスクの最外周ではその全周に渡って約0.0302
4mm2 とした。
In this shadow mask, as shown in Table 1, the density of the through holes 2a and 2b formed was 1768 / hole.
cm 2, and the opening area of the back side holes 4 a and 4 b in each part of the shadow mask 1 is about 0.00887 mm 2 ,
The opening area of the front side holes 3a and 3b is about 0.03398 mm 2 at the center of the shadow mask 1 and about 0.0302 over the entire outer circumference of the shadow mask.
4 mm 2 .

【0053】このシャドウマスクの表側孔部3a、3b
の開孔幅Tについては、シャドウマスク1の最外周で約
0.175mmとし、板厚tの1.35倍とした。そし
て、シャドウマスクの中心と最外周との間に形成された
貫通孔の表側孔部の開孔幅Tは、中心からの距離に応じ
て二次式の関係で連続的に小さくなるように変化させ
た。具体的には、−0.000000748×R2 の関
係式で変化させた。このとき、その最外周から内側に1
0mm入り込んだ領域(A〜Hの各部)の開孔幅Tを、
板厚tの1.35倍〜1.40倍の範囲内とした。
The front side holes 3a, 3b of this shadow mask
Is about 0.175 mm at the outermost periphery of the shadow mask 1 and 1.35 times the plate thickness t. Then, the opening width T of the front side hole portion of the through hole formed between the center of the shadow mask and the outermost periphery changes so as to continuously decrease in a quadratic relation according to the distance from the center. I let it. Specifically, it was changed by the relational expression of -0.000000748 × R 2 . At this time, 1
The opening width T of the area (each part of A to H) into which 0 mm has entered
The thickness was set within a range of 1.35 times to 1.40 times the thickness t.

【0054】このとき、その表側孔部3bを備える貫通
孔2bは、中心の表側孔部3aを備える貫通孔2aに比
べて、金属量が1個当たりの約2.5μg多くなってい
る。
At this time, the through-hole 2b provided with the front side hole 3b has a larger amount of metal by about 2.5 μg per piece than the through-hole 2a provided with the central front side hole 3a.

【0055】このシャドウマスクをフラット形ブラウン
管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝撃荷
重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマスクに
は、凹み等の変形は見られなかった。
The shadow mask was mounted on a flat cathode-ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode-ray tube. No deformation such as a dent was observed in the shadow mask mounted in the cathode ray tube.

【0056】(比較例1〜3)17インチ〜21インチ
のブラウン管用のシャドウマスクについて、実施例1に
準じて表1に示すように形成した。
(Comparative Examples 1 to 3) Shadow masks for cathode ray tubes of 17 inches to 21 inches were formed as shown in Table 1 according to Example 1.

【0057】これらのシャドウマスクをフラット形ブラ
ウン管に装着し、その後、ブラウン管に30G以上の衝
撃荷重を加えた。ブラウン管内に装着したシャドウマス
クには、その中央部に図6に示すような凹みが見られ
た。
These shadow masks were mounted on a flat cathode-ray tube, and thereafter, an impact load of 30 G or more was applied to the cathode-ray tube. The shadow mask mounted in the cathode ray tube had a dent at the center as shown in FIG.

【0058】[0058]

【表1】 [Table 1]

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシャドウ
マスクによれば、中央部よりも周辺部の方がエッチング
されていない金属部分が多くなるので、シャドウマスク
の中央部はその周辺部よりも相対的に軽くなり、しかも
その中央部は相対的に重くなった高強度の周辺部で支え
られるので、シャドウマスクがブラウン管に装着された
後に落下衝撃等の応力が加わってもシャドウマスクに凹
み等の変形が起こらない。
As described above, according to the shadow mask of the present invention, the metal portion which is not etched in the peripheral portion is larger than that in the central portion, so that the central portion of the shadow mask is higher than the peripheral portion. Is relatively light, and its central part is supported by the relatively heavy, high-strength peripheral part, so even if stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the CRT, it will dent into the shadow mask. No deformation such as occurs.

【0060】また、周辺部に形成された表側孔部の開孔
幅をシャドウマスクの板厚に対して所定の範囲に規定
し、さらに、表側孔部の開孔幅Tを、シャドウマスクの
中心と外周との間で連続的または段階的に変化させるこ
とによって、シャドウマスクの強度バランスを極めて規
則的にすることができる。その結果、ブラウン管に装着
した後に落下衝撃等の応力が加わってもシャドウマスク
に変形が起こらない。
Further, the opening width of the front side hole formed in the peripheral portion is defined within a predetermined range with respect to the thickness of the shadow mask, and the opening width T of the front side hole is set at the center of the shadow mask. The intensity balance of the shadow mask can be made extremely regular by changing continuously or stepwise between the outer periphery and the outer periphery. As a result, even if a stress such as a drop impact is applied after the shadow mask is mounted on the cathode ray tube, the shadow mask is not deformed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のシャドウマスクに形成された貫通孔の
一例を示す正面図であり、(a)はシャドウマスクの中
心に形成された貫通孔であり、(b)はシャドウマスク
の外周に形成された貫通孔である。
FIG. 1 is a front view showing an example of a through-hole formed in a shadow mask of the present invention. FIG. 1 (a) is a through-hole formed at the center of the shadow mask, and FIG. It is a formed through hole.

【図2】本発明のシャドウマスクに形成された貫通孔の
一例を示す断面図であり、(a)はシャドウマスクの中
心に形成された貫通孔であり、(b)はシャドウマスク
の外周に形成された貫通孔をシャドウマスクの中心から
延びる仮想線で切断したものである。
FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating an example of a through hole formed in a shadow mask of the present invention. FIG. 2A is a through hole formed in the center of the shadow mask, and FIG. The formed through hole is cut by a virtual line extending from the center of the shadow mask.

【図3】本発明のシャドウマスクに形成された貫通孔の
他の一例を示す断面図であり、(a)はシャドウマスク
の中心に形成された貫通孔であり、(b)はシャドウマ
スクの外周に形成された貫通孔をシャドウマスクの中心
から延びる仮想線で切断したものである。
3A and 3B are cross-sectional views illustrating another example of a through hole formed in the shadow mask of the present invention, wherein FIG. 3A is a through hole formed at the center of the shadow mask, and FIG. The through hole formed in the outer periphery is cut by a virtual line extending from the center of the shadow mask.

【図4】シャドウマスクの各部に形成される貫通孔の位
置関係を説明する模式的な正面図である。
FIG. 4 is a schematic front view illustrating the positional relationship of through holes formed in each part of the shadow mask.

【図5】シャドウマスクの開孔幅を連続的または段階的
に変化させた態様の一例を説明する模式的な正面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic front view illustrating an example in which the opening width of the shadow mask is changed continuously or stepwise.

【図6】シャドウマスクの開孔幅を連続的または段階的
に変化させた態様の他の一例を説明する模式的な正面図
である。
FIG. 6 is a schematic front view illustrating another example in which the aperture width of the shadow mask is changed continuously or stepwise.

【図7】シャドウマスクをフラット型のブラウン管に装
着した態様を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a mode in which a shadow mask is mounted on a flat type cathode ray tube.

【図8】一般的なシャドウマスクの断面形態の一例を示
す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of a cross-sectional form of a general shadow mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、31、41、51、61、62 シャドウマスク 2a、2b、52a、52b 貫通孔 3a、3b、53a、53b 表側孔部 4a、4b、54a、54b 裏側孔部 5b、55b 外周側側壁 6b、6c、6d 側壁 7b、7e 表側孔部の端部 8b、8c、8d、8e 稜線部 9 裏側孔部の端部 10 裏側孔部の側壁 21 周辺部 22 中央部 63 フラット型のブラウン管 P シャドウマスクの中心から延びる仮想線と直交する
方向 T P方向の開孔幅 S シャドウマスクの中心に形成された表側孔部の開孔
幅 V、W 端部の座標位置と稜線部の座標位置との間の長
1, 31, 41, 51, 61, 62 Shadow masks 2a, 2b, 52a, 52b Through holes 3a, 3b, 53a, 53b Front side holes 4a, 4b, 54a, 54b Back side holes 5b, 55b Outer side wall 6b, 6c, 6d Side wall 7b, 7e Edge of front side hole 8b, 8c, 8d, 8e Ridge line 9 End of back side hole 10 Side wall of back side hole 21 Peripheral part 22 Central part 63 Flat type cathode ray tube P shadow mask Direction perpendicular to the virtual line extending from the center TP Opening width in the P direction S Opening width of the front side hole formed at the center of the shadow mask V, W Between the coordinate position of the edge and the coordinate position of the ridgeline length

フロントページの続き (72)発明者 牧田 明 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 5C031 EE02 EF02 EF03 EG02 EH06Continuation of the front page (72) Inventor Akira Makita 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd. F term (reference) 5C031 EE02 EF02 EF03 EG02 EH06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子ビームが入射する側の裏側孔部と、
該電子ビームが出射する側の表側孔部とから形成される
貫通孔を配列してなり、被照射面に所定形状のビームス
ポットを形成するシャドウマスクにおいて、 該シャドウマスクの周辺部に形成された表側孔部は、該
シャドウマスクの中心から延びる仮想線と直交する方向
の開孔幅が該シャドウマスクの中心に形成された表側孔
部の開孔幅よりも小さく形成されてなる略楕円形状であ
ることを特徴とするシャドウマスク。
A back hole on a side where an electron beam is incident;
A through-hole formed from a front-side hole on the side from which the electron beam is emitted is arranged, and a shadow mask that forms a beam spot of a predetermined shape on an irradiated surface is formed around the shadow mask. The front side hole has a substantially elliptical shape in which an opening width in a direction orthogonal to a virtual line extending from the center of the shadow mask is formed smaller than the opening width of the front side hole formed in the center of the shadow mask. A shadow mask, characterized in that:
【請求項2】 前記周辺部に形成された表側孔部の開孔
幅が、前記シャドウマスクの板厚の1.46倍以下であ
ることを特徴とする請求項1に記載のシャドウマスク。
2. The shadow mask according to claim 1, wherein an opening width of the front side hole formed in the peripheral portion is 1.46 times or less a plate thickness of the shadow mask.
【請求項3】 前記周辺部に形成された表側孔部を含む
シャドウマスク全域の表側孔部の開孔幅が、前記シャド
ウマスクの中心からの距離に応じて所定の変化率で連続
的または段階的に変化することを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載のシャドウマスク。
3. An opening width of a front side hole portion of the entire shadow mask including a front side hole portion formed in the peripheral portion is continuously or stepwise at a predetermined change rate according to a distance from a center of the shadow mask. The shadow mask according to claim 1, wherein the shadow mask changes.
【請求項4】 前記周辺部に形成された表側孔部を含む
シャドウマスク全域の表側孔部の開孔幅は、前記シャド
ウマスクの最外周の表側孔部において同一であり、その
表側孔部と該シャドウマスクの中心の表側孔部との間に
位置する表側孔部の開孔幅が、所定の変化率で連続的ま
たは段階的に変化することを特徴とする請求項1または
請求項2に記載のシャドウマスク。
4. An opening width of a front side hole portion of the entire shadow mask including a front side hole portion formed in the peripheral portion is the same at an outermost periphery of the shadow mask. 3. The shadow mask according to claim 1, wherein an opening width of the front side hole located between the center of the shadow mask and the front side hole changes continuously or stepwise at a predetermined change rate. The described shadow mask.
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