JP2002060930A - 蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】蒸着開始から蒸着終了まで常に一定の成膜レー
トで蒸着を行うことのできる蒸着装置及び蒸着方法を提
供する。 【解決手段】蒸着室１内に、蒸着源２と、蒸着流３の流
路中に蒸着対象物４を保持する蒸着対象物保持具５と、
蒸着流３の流路中に配され、蒸着対象物４上の成膜レー
トを測定する膜厚モニター６と、蒸着対象物４をその直
前で蒸着流から遮蔽しうる第１シャッター７と、膜厚モ
ニター６を蒸着流３から遮蔽しうる第２シャッター８
と、膜厚モニター６による蒸着対象物４上の成膜レート
の測定結果に基づいて蒸着源２を成膜レートが一定に保
たれるよう自動制御する成膜レート制御手段９とを設
け、蒸着開始時の膜厚モニター６における成膜レートが
安定したものになってから蒸着対象物４に対する蒸着を
開始し、蒸着対象物４に対する蒸着が開始された後は成
膜レート制御手段９により蒸着源２が常に成膜レートが
一定に保たれよう自動制御するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着装置及び蒸着
方法に関し、特に、半導体レーザや光変調器、あるいは
光スイッチといった光半導体素子の製造において、光半
導体の端面への反射膜のコーティングに最適な蒸着装置
及び蒸着方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光半導体の一つである半導体レーザチッ
プの元となるレーザバー３０の一例を図３に示す。半導
体レーザチップ３１は、レーザ発振のための活性層３２
と、その両側に設けられた共振器端面３３，３４と、こ
れら各共振器端面３３，３４の外面に設けられた電流注
入用電極３５，３６とを有しており、通常、共振器端面
３３，３４は反射率の制御及び結晶母体の保護（主とし
て酸化防止）のため、アルミナやアモルファスシリコン
等の誘電体膜３７，３８で被覆されている。誘電体膜に
は、設定した反射率の値によって、符号３７で示される
ような単層膜のものや、符号３８で示されるような多層
膜のものがある。このような誘電体膜３７，３８の形成
方法として、これまで真空蒸着法や真空スパッタリング
法などが用いられている。誘電体膜３７，３８は半導体
レーザチップ単位で形成されるのではなく、レーザバー
３０単位で形成され、半導体レーザチップは、誘電体膜
３７，３８形成後レーザバー３０をへき開により細かく
分割することで得られる。

【０００３】図６は、上記誘電体膜３７，３８を真空蒸
着法で成膜する場合に使用される従来の蒸着装置の概略
構成を示す図である。この蒸着装置は、蒸着室５１内
に、蒸着源５２と、この蒸着源５２から放出される蒸着
流５３の流路中に蒸着対象物としてのレーザバー３０を
保持する蒸着対象物保持具５４と、蒸着流５３の流路中
に配され、レーザバー３０上の成膜レートを測定する膜
厚モニター５５と、蒸着源５２から蒸着流５３を放出さ
せたり或いは遮断したりするシャッター５６とを備えた
ものである。なお、図中の符号５７は、蒸着源５２に向
けて電子線５８を照射する電子銃、符号５９は、蒸着室
５１内を高真空にするための真空排気部をそれぞれ示
す。

【０００４】このような構成の蒸着装置を用いてレーザ
バー３０上に誘電体膜を成膜する手順について説明す
る。

【０００５】まず、レーザバー３０を蒸着室５１内に入
れ、成膜される一方の共振器端面３３（３４）を蒸着源
５２に向けて蒸着対象物保持具５４にセットする。

【０００６】次に、真空排気部５９から蒸着室５１内の
真空排気を開始し、真空度が所定の真空度である１０^-6
Torrに達した時点で電子銃５７の電子線５８を蒸着源５
２に照射し、蒸着源５２を蒸着開始温度にまで加熱して
一旦溶解し、ガス出し（プリメルト）を行うとともに、
レーザバー３０及びその周辺のガス出しのための加熱を
開始する。

【０００７】上記プリメルト及び加熱によって蒸着室５
１内の真空度が一旦悪くなるが、真空度が再び１０^-6To
rr台に回復した時点でシャッター５６を開放し蒸着源５
２から蒸着流５３を放出させて成膜を開始する。

【０００８】成膜が開始されると、レーザバー３０と膜
厚モニター５５は同時に蒸着源５２からの蒸着流５３に
晒されることになるので、膜厚モニター５５によって成
膜レートを測定しながら、成膜レートが例えば１０Å／
秒となるように電子銃５７から出射される電子線５８の
強度を調整する。

【０００９】やがてレーザバー３０の共振器端面３３
（３４）上に所定の膜厚の誘電体膜が形成されたなら
ば、その時点でシャッター５６を閉じて蒸着源５２から
の蒸着流５３を遮断するとともに、電子銃５７をオフに
する。これで成膜を終了する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、膜厚モニタ
ー５５は、一般に水晶振動子で構成されており、水晶固
有の振動数がこれに付着する蒸着物の量に応じて変化す
る性質を利用して、振動数の変化から膜厚を算出するよ
うにしている。膜厚を正確に測定するためには、水晶振
動子の振動数に温度依存性があることから、水晶振動子
自体の温度が一定であることが重要である。

【００１１】ところが、上記従来の蒸着装置にあって
は、蒸着源５２からの蒸着流５３を遮断しているシャッ
ター５６を開放した瞬間から膜厚モニター５５は蒸着流
５３に晒されると同時に蒸着源５２からの輻射熱を受け
るため、蒸着開始直後は膜厚モニター５５の温度が不安
定となり、その結果成膜レートの測定が不安定になる。
このため電子銃５７の電子線５８の強度も不安定なもの
になることから、図７に示すように、蒸着開始直後は安
定した成膜がされず、しばらくして膜厚モニター５５の
温度が安定しだしてからはじめて安定した成膜が始まる
といった特性を有していた。

【００１２】このような特性を有する蒸着装置を使用し
て半導体レーザの蒸着を行った場合、次のような不具合
が生じることになる。すなわち、蒸着開始直後の成膜レ
ートが不安定であって、特にその不安定さ故に電子銃５
７の電子線５８の強度が瞬間的に強くなった場合、蒸着
源５２から運動エネルギーの大きな蒸着物や迷走電子
（電子線５８が蒸着源５２に当たった後反跳して蒸着室
５１内を飛び回る電子）が蒸着対象物であるレーザバー
の端面に当たり、これによって端面が損傷し、その結果
レーザ素子の劣化や信頼性の低下といった不具合が生じ
ることになる。

【００１３】そこでこのような問題を解決するために
は、蒸着対象物３０と膜厚モニター５５とが蒸着開始直
後から同時に蒸着流５３に晒されないようにし、膜厚モ
ニター５５による成膜レートの測定が安定してから蒸着
対象物の成膜が開始されるようにする必要がある。

【００１４】この点について他の従来例をみると、例え
ば特開昭５８−２２３７８号公報には、図８に示すよう
に、サイドモニター８１と中央モニター８２とを備え、
まずサイドモニター８１で成膜レートが安定するのを確
認してから、蒸着対象物と中央モニター８２とを同時に
蒸着することが開示されている。

【００１５】しかしながら、この従来例では、蒸着対象
物と中央モニター８２の蒸着が同時に開始されることか
ら、蒸着開始直後の中央モニター８２の温度が蒸着源か
らの輻射熱によって一定せず、このため成膜レートが不
安定になるといった問題があり、先の従来例と同じ問題
点を有している。

【００１６】また、特開平８−７８７９１号公報には、
蒸着源と蒸着対象物との間に２つ以上のシャッターを設
け、蒸着源の直上のシャッタを開放した直後の成膜条件
のずれを補正し、最適の成膜条件に制御された状態での
成膜を行いうる薄膜形成装置が開示されている。

【００１７】しかしながら、この従来例にあっては、膜
厚モニターから出力される信号を処理して成膜レートが
一定になるように、例えば電子銃から出射される電子線
強度の設定等蒸着源の設定を自動調整するための成膜レ
ート制御手段を備えておらず、特に蒸着対象物直下のシ
ャッターを開放した後に成膜レートをどのようにして一
定に保つのかといった点が開示されていない。

【００１８】本発明は上記従来の問題点を解消すべく創
案されたもっであって、蒸着開始から蒸着終了まで常に
一定の成膜レートで蒸着を行うことのできる蒸着装置及
び蒸着方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る蒸着装置は、蒸着室内に、蒸着源と、
この蒸着源から放出される蒸着流の流路中に蒸着対象物
を保持する蒸着対象物保持具と、蒸着流の流路中に配さ
れ、蒸着対象物上の成膜レートを測定する膜厚モニター
とを備えた蒸着装置において、蒸着対象物をその直前で
蒸着流から遮蔽しうる第１シャッターと、膜厚モニター
を蒸着流から遮蔽しうる第２シャッターと、蒸着源と膜
厚モニターとの間に介装され、膜厚モニターによる蒸着
対象物上の成膜レートの測定結果に基づいて蒸着源を成
膜レートが一定に保たれるよう自動制御する成膜レート
制御手段と、が設けられたことを特徴とする。

【００２０】この特定事項により、蒸着開始時の膜厚モ
ニターにおける成膜レートが安定したものになってから
蒸着対象物に対する蒸着を開始することができるととも
に、蒸着対象物に対する蒸着が開始された後は成膜レー
ト制御手段により蒸着源が常に成膜レートが一定に保た
れよう自動制御することができ、蒸着対象物に対して蒸
着開始から蒸着終了まで常に一定の成膜レートで蒸着を
行うことができる。

【００２１】上記蒸着装置において、第２シャッターは
膜厚モニターの直前に配されていてもよい。

【００２２】この特定事項により、第２シャッターを蒸
着源の直上に設ける場合に比べて、第２シャッターに付
着した蒸着物が蒸着源に落下して蒸着源を汚染し、成膜
品質を低下させるといったおそれを排除することができ
る。

【００２３】本発明の蒸着方法は、蒸着源から放出され
る蒸着流の流路中に蒸着対象物と膜厚モニターとを配
し、この膜厚モニターで蒸着対象物上の成膜レートを測
定しながら蒸着対象物上に蒸着材料を照射して成膜する
蒸着方法において、蒸着対象物を蒸着流から遮蔽して蒸
着材料が蒸着対象物に照射されないようにする一方、膜
厚モニターにのみ蒸着材料を照射してこの膜厚モニター
により蒸着開始から所定時間経過するまでの期間の成膜
レートを測定する成膜レート事前測定工程と、この成膜
レート事前測定工程による測定によって成膜レートが一
定になったことが確認されてから蒸着対象物の蒸着流か
らの遮蔽を解除して蒸着材料を蒸着対象物に照射すると
ともに、蒸着源と膜厚モニターとの間に介装した成膜レ
ート制御手段により、蒸着源を、膜厚モニターによる蒸
着対象物上の成膜レートの測定結果に基づいて成膜レー
トが一定に保たれるよう自動制御しつつ蒸着対象物上に
成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とするもので
ある。

【００２４】この特定事項により、蒸着開始時の膜厚モ
ニターにおける成膜レートが安定したものになってから
蒸着対象物に対する蒸着を開始することができるととも
に、蒸着対象物に対する蒸着が開始された後は成膜レー
ト制御手段により蒸着源が常に成膜レートが一定に保た
れよう自動制御することができ、蒸着対象物に対して蒸
着開始から蒸着終了まで常に一定の成膜レートで蒸着を
行うことができる。

【００２５】上記蒸着方法において、成膜レート事前測
定工程を実施する前に、蒸着源の温度を蒸着開始温度に
しておいてもよい。

【００２６】この特定事項により、膜厚モニターによる
成膜レートの測定がより早く安定する。

【００２７】また、上記の蒸着装置を用いて上記の蒸着
方法を行う場合は、蒸着源の温度を蒸着開始温度にして
から第２シャッターを開放し、蒸着材料を膜厚モニター
に照射する工程と、膜厚モニターにより成膜レートをそ
の値が一定になるまで測定する工程と、成膜レートが一
定になった後第１シャッターを開放し、蒸着材料を蒸着
対象物に照射するとともに、成膜レート制御手段によ
り、蒸着源を、膜厚モニターによる蒸着対象物上の成膜
レートの測定結果に基づいて成膜レートが一定に保たれ
るよう自動制御しつつ蒸着対象物上に成膜する成膜工程
と、を備えたものとすればよい。

【００２８】この特定事項によっても、蒸着開始時の膜
厚モニターにおける成膜レートが安定したものになって
から蒸着対象物に対する蒸着を開始することができると
ともに、蒸着対象物に対する蒸着が開始された後は成膜
レート制御手段により蒸着源が常に成膜レートが一定に
保たれよう自動制御することができ、蒸着対象物に対し
て蒸着開始から蒸着終了まで常に一定の成膜レートで蒸
着を行うことができる。

【００２９】

【実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。図１は、本発明に係る蒸着装置の
概略構成を示す図である。

【００３０】この蒸着装置は、蒸着室１内に、蒸着源２
と、この蒸着源２から放出される蒸着流３の流路中に蒸
着対象物４を保持する蒸着対象物保持具５と、蒸着流３
の流路中に配され、蒸着対象物４上の成膜レートを測定
する膜厚モニター６とを備えている。さらに蒸着室１内
には、蒸着対象物４をその直前で蒸着流３から遮蔽しう
る第１シャッター７と、膜厚モニター６を蒸着流３から
遮蔽しうる第２シャッター８と、蒸着源２と膜厚モニタ
ー６との間に介装され、膜厚モニター６による蒸着対象
物４上の成膜レートの測定結果に基づいて蒸着源２を成
膜レートが一定に保たれるよう自動制御する成膜レート
制御手段９とが設けられている。なお、図中の符号１０
は、蒸着源２に向けて電子線１１を照射する電子銃、符
号１２は、蒸着室１内を高真空にするための真空排気部
をそれぞれ示す。

【００３１】蒸着対象物保持具５と膜厚モニター６とは
同レベルとなるように設けられており、両者の配設位置
の相違に起因する校正作業が不要となるよう図られてい
る。なお、両者の位置関係はこれに限定されるものでは
なく、例えば膜厚モニター６は蒸着対象物保持具５より
も蒸着源２寄りに配されていてもよい。

【００３２】第１シャッター７は、蒸着対象物保持具５
と蒸着源２との間であって、蒸着対象物保持具５の近傍
に設けられており、上述したように、蒸着対象物４をそ
の直前で蒸着流３から遮蔽する。この第１シャッター７
は回転式のものであるが、この形式のものに限るもので
はない。

【００３３】第２シャッター８は、蒸着源２の直上に設
けられており、上述したように、膜厚モニター６を蒸着
流３から遮蔽する。この第２シャッター８も第１シャッ
ター７と同様回転式のものであるが、この形式のものに
限るものではない。

【００３４】本発明に係る蒸着装置は上記した実施の形
態のものに限るものではなく、例えば図２に示すような
装置であってもよい。図２は、本発明の他の実施の形態
を示す概略構成図である。

【００３５】本例と前記の例とは、第２シャッター８の
配設位置が異なる以外、他の構成は両者同一である。し
たがって、同一構成要素には同一符号を付しその説明を
省略する。

【００３６】本例において、第２シャッター８は、膜厚
モニター６の近傍に設けられている。この構成では、第
２シャッター８は、前記の例、すなわち蒸着源２の直上
に設ける場合に比べて、第２シャッター８に付着した蒸
着物が蒸着源２に落下して蒸着源２を汚染し、成膜品質
を低下させるといったおそれを排除することができる。

【００３７】次に、本発明に係る蒸着方法を上記した蒸
着装置で実施する場合について説明する。

【００３８】まず、蒸着対象物４を蒸着室１内に入れ、
成膜を行う面を蒸着源２に向けて蒸着対象物保持具５に
セットする。

【００３９】次に、第１シャッター７及び第２シャッタ
ー８とも閉じた状態で、真空排気部１２から蒸着室１内
の真空排気を開始し、真空度が所定の真空度である１０
^-6Torrに達した時点で電子銃１０の電子線１１を蒸着源
２に照射し、蒸着源２を蒸着開始温度にまで加熱して一
旦溶解し、ガス出し（プリメルト）を行う。

【００４０】上記プリメルト及び加熱によって蒸着室１
内の真空度が一旦悪くなるが、真空度が再び１０^-6Torr
台に回復した時点で第２シャッター８を開放し蒸着源２
から放出される蒸着流３を膜厚モニター６に照射する。

【００４１】なお、ここでは第２シャッター８の開放
を、蒸着源２の温度が蒸着開始温度にまで達してから行
っているが、その前に行ってもよい。

【００４２】この時点では、まだ第１シャッター７は閉
じているため、蒸着対象物４は蒸着流３に晒されず、蒸
着対象物４での成膜は開始されていない。

【００４３】その後、膜厚モニター６における成膜レー
トが一定になったことを確認したならば、第１シャッタ
ー７を開放する。これにより蒸着対象物上での成膜が開
始される。

【００４４】成膜が開始されると、膜厚モニター６によ
って成膜レートを測定しながら、その測定結果に基づい
て成膜レート制御手段９により蒸着源２を成膜レートが
一定に保たれるよう自動制御する。

【００４５】やがて蒸着対象物４上に所定の厚みの膜が
形成されたならば、その時点で第１シャッター７を閉じ
て蒸着源２からの蒸着対象物４に対する蒸着流３を遮断
するとともに、第２シャッター８も閉じ、電子銃１０を
オフにする。これで成膜を終了する。（実施例）次に本
発明の実施例について説明する。

【００４６】蒸着対象物として次の手順で製造した半導
体レーザバーを用いた。

【００４７】まず、図４( ａ) に示すように、ＭＯＣＶ
Ｄにてｎ型ＧａＡｓ基板４０１上に厚さ０．５μのｎ型
ＧａＡｓバッファ層４０２、厚さ１．７μのｎ型Ａｌ
_0.5 Ｇａ_0.5 Ａｓクラッド層４０３、厚さ０．０４３μ
のＡｌ_0.14Ｇａ_0.86Ａｓ活性層４０４、厚さ０．２３５
μのｐ型Ａｌ_0.5 Ｇａ_0.5 Ａｓ第１クラッド層４０５、
厚さ３０Åのｐ型ＧａＡｓエッチストップ層４０６、厚
さ１．２μのｐ型Ａｌ_{0. 5} Ｇａ_0.5 Ａｓ第２クラッド層
４０７、厚さ０．７５μのｐ型ＧａＡｓ第１キャップ層
４０８を順次成長させた。

【００４８】次に、公知のフォトエッチング技術及びウ
ェットエッチング技術を用いてリッジ部４０９が形成さ
れたウェハを得た（図４( ｂ) 参照）。

【００４９】続いて、このウェハを再びＭＯＣＶＤ装置
に入れ、厚さ０．６μのＡｌ_0.7 Ｇａ_0.3 Ａｓｎ型第１
電流ブロック層４１０、厚さ０．３μのＧａＡｓｎ型第
２電流ブロック層４１１、厚さ１．０５μのｐ型ＧａＡ
ｓ第２キャップ層４１２を成長させた（図４( ｃ) 参
照) 。

【００５０】次に、ブロック層エピタキシャル時に同時
にリッジ上に形成された不要な部分を公知のフォトエッ
チング技術及びウェットエッチング技術によりエッチン
グした( 図５( ａ) 参照) 。

【００５１】そして、ＬＰＥにて厚さ５０μのｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層４１３を成長させた（図５( ｂ) 参
照) 。

【００５２】このようにして得られたウェハのＧａＡｓ
基板側を約１００μまで薄くし、ｐ電極４１４とｎ電極
４１５を形成し（図５（ｃ）参照）、リッジストライプ
の方向に垂直幅３７５μ間隔でウェハをへき開してレー
ザバーを得た。

【００５３】以上のようにして得られたレーザバーの２
つの共振器端面の一方には単層（アルミナ一層（厚さλ
／４、λはレーザ発振波長７８００Å））、他方には３
層（アルミナ（厚さλ／４）、アモルファスシリコン
（厚さλ／４）、アルミナ（厚さλ／２））の誘電体膜
を形成することとし、単層の方から成膜を実施した。

【００５４】まず、図１に示す蒸着装置の蒸着室１内に
上記のレーザバー３０を入れ、成膜する共振器端面を蒸
着源２に向けて蒸着対象物保持具５にセットし、真空排
気部１２により蒸着室１内の真空排気を開始した。

【００５５】蒸着室１内の真空度が６×１０^-6Torrに達
した時点で、電子銃１０から電子線１１を蒸着源２( こ
こではアルミナ) に照射し、蒸着開始温度まで加熱して
一旦溶解し、ガス出し( プリメルト) を行った。これと
同時に蒸着対象物保持具５及びその周辺をガス出しのた
めに加熱し２７０℃で温度を一定にした。

【００５６】上記加熱により蒸着室１内の真空度が一旦
悪くなるので、真空度が５×１０^-6Torr台に回復するま
で待ってから蒸着源２直上の第２シャッター８を開い
た。

【００５７】第２シャッター８を開くと同時に膜厚モニ
ター６により成膜レートを測定したところ、第２シャッ
ター８を開いた直後の７秒間は設定成長レート１０Å／
秒に対して最大約２０％の成長レートのふらつきが見ら
れた。しかしながら、この時点では蒸着物は膜厚モニタ
ー６に蒸着され始めるが、第１シャッター７は閉じられ
ているのでレーザバー３０は蒸着流３に晒されず蒸着は
行われない。

【００５８】第２シャッター８を開いてから１５秒経過
した後、第１シャッター７を開放してレーザバー３０に
対する蒸着を開始した。この時点では成膜レートのふら
つきは既に約１％以下になっていた。

【００５９】このあと、膜厚モニター６からの信号を成
膜レート制御手段９にて処理して電子銃１０から出射さ
れる電子線１１の強度を自動調整することにより、成膜
中は成長レートのふらつきが約１％以下を保った。

【００６０】やがて膜厚モニター６で膜厚がλ／４とな
ったところで第１シャッター７及び第２シャッター８を
閉じ、電子銃１０をオフにして最初の成膜を終了した。

【００６１】次に、蒸着室１内の真空を解除し、レーザ
バー３０を蒸着対象物保持具５から一旦外して、今度は
３層の誘電体膜を成膜する方の共振器端面を蒸着源２の
方向に向けて再び蒸着対象物保持具５にレーザバー３０
をセットした。

【００６２】以下、上記した単層の誘電体膜を成膜する
時と同様の工程により、アルミナ（厚さλ／４）、アモ
ルファスシリコン（厚さλ／４）、アルミナ（厚さλ／
２）の順に一層ずつ順次成膜を実施し、最終的に３層の
誘電体膜を成膜した。なお、アモルファスシリコンにつ
いては設定成長レートは１Å／秒に設定した以外、他は
アルミナの場合と同様とした。

【００６３】以上のようにしてレーザバーの共振器端面
に誘電体膜を成膜した後、このレーザバーをへき開し半
導体レーザを得た。

【００６４】従来の蒸着方法で作製した半導体レーザと
本実施例で得た半導体レーザとを５．６φパッケージに
実装して温度６００℃、光出力３５ｍＷで長期エージン
グテストを行った。

【００６５】上記テストの結果、ＭＴＴＦは、従来の蒸
着方法で作製した半導体レーザで２８４７０時間であっ
たのに対し、本実施例で得た半導体レーザでは３８５１
０時間であり、本発明の蒸着装置及び蒸着方法によれば
レーザ素子としての劣化率の減少及び信頼性の向上が得
られる効果が得られることを本実施例により実証でき
た。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
蒸着対象物に対して蒸着開始から蒸着終了まで常に一定
の成膜レートで蒸着を行うことができる。したがって、
蒸着対象物上に成膜される膜質は安定したものとなり、
且つ成膜による蒸着対象物の端面の損傷は最小限に抑え
られるので、蒸着対象物の信頼性を向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の蒸着装置の実施の形態を示す概略構成
図である。

【図２】本発明の蒸着装置の他の実施の形態を示す概略
構成図である。

【図３】蒸着対象物の一例であるレーザバーを示す斜視
図である。

【図４】レーザバーの作製工程を説明する工程図であ
る。

【図５】レーザバーの作製工程を説明する工程図であ
る。

【図６】従来の蒸着装置を示す概略構成図である。

【図７】成膜レートの初期変動を説明するための図であ
る。

【図８】他の従来例を示す平面図及び正面図である。

【符号の説明】

１ 蒸着室 ２ 蒸着源 ３ 蒸着流 ４ 蒸着対象物 ５ 蒸着対象物保持具 ６ 膜厚モニター ７ 第１シャッター ８ 第２シャッター ９ 成膜レート制御手段

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸着室内に、蒸着源と、この蒸着源から
   放出される蒸着流の流路中に蒸着対象物を保持する蒸着
   対象物保持具と、前記蒸着流の流路中に配され、前記蒸
   着対象物上の成膜レートを測定する膜厚モニターとを備
   えた蒸着装置において、 蒸着対象物をその直前で蒸着流から遮蔽しうる第１シャ
   ッターと、 膜厚モニターを蒸着流から遮蔽しうる第２シャッター
   と、 蒸着源と膜厚モニターとの間に介装され、膜厚モニター
   による蒸着対象物上の成膜レートの測定結果に基づいて
   蒸着源を成膜レートが一定に保たれるよう自動制御する
   成膜レート制御手段と、が設けられたことを特徴とする
   蒸着装置。
2. 【請求項２】 第２シャッターは膜厚モニターの直前に
   配されたことを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
3. 【請求項３】 蒸着源から放出される蒸着流の流路中に
   蒸着対象物と膜厚モニターとを配し、この膜厚モニター
   で蒸着対象物上の成膜レートを測定しながら蒸着対象物
   上に蒸着材料を照射して成膜する蒸着方法において、 蒸着対象物を蒸着流から遮蔽して蒸着材料が蒸着対象物
   に照射されないようにする一方、膜厚モニターにのみ蒸
   着材料を照射してこの膜厚モニターにより蒸着開始から
   所定時間経過するまでの期間の成膜レートを測定する成
   膜レート事前測定工程と、 この成膜レート事前測定工程による測定によって成膜レ
   ートが一定になったことが確認されてから蒸着対象物の
   蒸着流からの遮蔽を解除して蒸着材料を蒸着対象物に照
   射するとともに、蒸着源と膜厚モニターとの間に介装し
   た成膜レート制御手段により、蒸着源を、膜厚モニター
   による蒸着対象物上の成膜レートの測定結果に基づいて
   成膜レートが一定に保たれるよう自動制御しつつ蒸着対
   象物上に成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とす
   る蒸着方法。
4. 【請求項４】 成膜レート事前測定工程を実施する前
   に、蒸着源の温度を蒸着開始温度にしておくことを特徴
   とする請求項３に記載の蒸着方法。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の蒸着装置を用いた蒸着
   方法であって、 蒸着源の温度を蒸着開始温度にしてから第２シャッター
   を開放し、蒸着材料を膜厚モニターに照射する工程と、 膜厚モニターにより成膜レートをその値が一定になるま
   で測定する工程と、 成膜レートが一定になった後第１シャッターを開放し、
   蒸着材料を蒸着対象物に照射するとともに、成膜レート
   制御手段により、蒸着源を、膜厚モニターによる蒸着対
   象物上の成膜レートの測定結果に基づいて成膜レートが
   一定に保たれるよう自動制御しつつ蒸着対象物上に成膜
   する成膜工程と、を備えたことを特徴とする蒸着方法。