JP2002059364A - 平面研磨装置 - Google Patents
平面研磨装置Info
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Abstract
研磨クロスの厚みを測定し、定盤を途中で停止させるこ
となくウエハの仕上げ厚みや平坦度を正確に作りこむこ
とができる平面研磨装置を提供する。 【解決手段】 研磨定盤10に計測用観察窓14を設
け、板状ワークピース13を透過する波長を光源とする
共焦点光学系を当該定盤10に固定し、その計測スポッ
トを上下に移動させ、片側から、ワークピース裏面、ワ
ークピース表面、スラリ液表面の3点の位置の計測をす
ることによって、ワークピース13の厚さ及びスラリ液
の厚さを精密に検出するようにする。
Description
気ディスク基板、ガラス基板その他の板状ワークピース
を研磨加工するための平面研磨装置に関するものであ
り、特に、シリコンウエハの研磨中にウエハの厚みを計
測し、当該シリコンウエハを所望の厚みまで精度良く研
磨することができる装置に関する。
板等には、表面の平面度や平坦度だけでなく、仕上り厚
さについても非常に高い精度が要求される。この要求を
満たすため、それらの製造過程では、ラッピング装置や
ポリシング装置などの平面研磨装置を用いてラッピング
加工やポリッシング加工が行われている。
工を行うためのラッピング装置やポリッシング装置は、
その中でもバッチ処理を行うものについては一般に、円
盤状をなす上下の定盤と、これらの定盤の外周側及び内
周側に配設されたインターナルギア及びサンギアと、下
定盤上に円周方向に等間隔で配設されて前記インターナ
ルギア及びサンギアに噛合する複数の薄板状のキャリア
と、を有し、各キャリアの保持孔に保持された板状ワー
クピースを上下の定盤間に挟み、各キャリアをインター
ナルギア及びサンギアで遊星運動させると共に、上下の
定盤を互いに逆方向に回転させることにより、前記板状
ワークピースを研磨加工するようになっている。このと
き定盤と板状ワークピースとの間には、流体研磨剤たる
スラリ液が供給される。
ハ研磨装置において、ラッピング装置とポリッシング装
置の違いは、ラッピング装置が研磨クロスを使用しない
のに対し、ポリッシング装置は上下の定盤の内側に研磨
クロスを擁し、これによってシリコンウエハの研磨を行
うことであるが、特にポリッシング装置においては、キ
ャリアとウエハの相対的な厚み差を管理し、研磨の終端
を判定することがウエハの平坦性を確保する上で重要で
ある。また、クロスの厚みを管理して安定した研磨効果
を得ることにより、製造歩留まりを向上することができ
る。
しながら研磨を行うことによって高精度な研磨を実現す
る従来技術としては、特公平2−60467公報に開示
されているような研磨装置があり、この装置によれば、
加工中の上下の定盤間の間隔を測定し、それを所定仕上
り寸法と比較して両者が等しくなったときにラッピング
操作を停止するようにしている。
研磨装置では、定盤の摩耗やラップ材の介在等による影
響を受け、板状ワークピースを所望の厚さに精度良く研
磨加工することができないという問題があった。そして
それを解決するために、特開平5−309559号公報
に開示されている研磨装置では、上下の研磨定盤間のキ
ャリア及びウエハを定盤より突出させるようにし、レー
ザービームを使用した2つの距離計測器をウエハを挟む
ように配置して、エアを噴射して付着物を除去しながら
厚みを計測するようにしている。
公報に開示されている研磨装置では、次のような問題が
あった。まず、ウエハを研磨盤から露出させる必要があ
ることから、ウエハへの汚染物質の付着が懸念されるこ
とに加え、エア噴射によって飛散するスラリ液が周辺機
器や人体、ウエハ自身へ付着してしまうという問題があ
る。そして、それを防止するためにカバーを設置するな
どの対策が必要となるが、いずれにしても半導体製作工
程上のクリーン度確保の観点からすれば望ましいもので
あると言うことはできない。
示されている研磨装置ではウエハとキャリアの区別が困
難であるため、ウエハのみの厚みを正確に測定すること
が難しく、また、研磨クロスの厚みが計測できないの
で、クロス(研磨クロス)の劣化を的確に把握すること
ができないという問題もある。
たものであり、その目的は、研磨中(定盤回転中)にウ
エハの厚みおよびクロスの厚みを測定し、定盤を途中で
停止させることなくウエハの仕上げ厚みや平坦度を正確
に作りこむことができる平面研磨装置を提供することに
ある。
するために、本発明に係る平面研磨装置においては、研
磨定盤に計測用観察窓を設け、板状ワークピースを透過
する波長を光源とする共焦点光学系を当該定盤に固定
し、その計測スポットを上下に移動させ、片側から、ワ
ークピース裏面、ワークピース表面、スラリ液表面の3
点の位置の計測をすることによって、ワークピース厚み
及びスラリ液厚みを精密に検出するようにしたことを特
徴とする。
は、研磨定盤に計測用観察窓を設け、シリコンを透過す
る波長(波長1μm〜2μmの赤外線)を光源とする共
焦点光学系を定盤に固定し、計測スポットを上下に移動
させ、片側から、ウエハ裏面、ウエハ表面、スラリ液表
面の3点の位置を計測することになる。
という構成を採用することにより、スラリ液が飛散して
共焦点光学系その他へ付着することが防止されている。
そして、ウエハ表面と観察窓の間に常にスラリ液が安定
して充填されるようにすることによって、計測エリアに
おいて研磨中常に安定したスラリ液の厚みが得られ、計
測が安定する。
09559号公報に開示されている研磨装置のようにウ
エハをオーバーハングさせる必要がないので、ウエハ自
体の露出汚染の問題が解消される。また、キャリア部分
では赤外線がキャリアを透過せず、キャリア表面とスラ
リ液表面の2つの計測値しか得られないことから、ウエ
ハを計測した場合のデータと容易に区別がつくことにな
り、ウエハのみのデータを処理して精度の良い計測を行
うことが可能になることに加え、研磨クロスの研磨中の
厚みも同時に計測できるようになる。
ような平面研磨装置を提供する。
ハ、磁気ディスク基板、ガラス基板その他の板状ワーク
ピースの両面を同時に研磨加工するための平面研磨装置
であって、前記流体研磨剤を介在させて前記板状ワーク
ピースを挟み込み、当該挟み込まれた板状ワークピース
の表面を研磨加工するために水平運動をする一対の定盤
と、この上下定盤の間に配置され、前記板状ワークピー
スを保持すると共に前記上下定盤に対して相対的に水平
運動をするキャリアと、前記板状ワークピースに対して
透過する波長を光源とし、前記一対の定盤内において前
記板状ワークピースの厚み方向に移動可能な焦点を形成
すると共にその共焦点ピンホールを前記一対の定盤外に
備える共焦点光学計測装置と、を備え、前記一対の定盤
の少なくとも一方には、前記透過光を透過する観察窓が
設けられている平面研磨装置。
共焦点が形成される位置に対応して設けられた小さな穴
(ピンホール)若しくは細い隙間(スリット)のことを
意味する。「一対の定盤」は、一般には上下の定盤(上
定盤と下定盤)で構成されている。「流体研磨剤」と
は、いわゆるスラリ液のような流動状の研磨剤を意味
し、それ自身が板状ワークピース(ウエハ)のエッチン
グを行う能力を有していても有していなくてもよい。ま
た、液体を分散媒体として固体粒子から成る研磨剤がそ
の中に分散されたようなものであってもよい。本明細書
で言う「研磨加工」には、いわゆるポリッシングのよう
な精密研磨の他に、それよりも粗いいわゆるラッピング
や所定の研削加工等も含まれる。
ピースとの間には研磨クロスが配置され、前記観察窓と
前記板状ワークピースの間の研磨クロスには、前記観察
窓に対応する位置に、当該研磨クロスの所定範囲が除去
されて形成された窓穴が設けられている(1)記載の平
面研磨装置。
置の研磨クロスを、観察窓に対応する形状(例えば、円
形形状)に切り抜いたり、或いは繰り抜いたりすること
によって形成することができる。そして、このような窓
穴は、前記光源からの透過光を円滑に透過させるととも
に、一定量の流体研磨剤(スラリ)を貯留する機能を備
える。
ロスの表面に配置されている(2)記載の平面研磨装
置。
ロスの表面には、流体研磨剤(スラリ)が研磨クロス全
体にくまなく行き渡るように、流体研磨剤(スラリ)供
給用の溝が最初から形成されているが、この溝が窓穴に
通じるように設計されることにより、当該窓穴に流体研
磨剤(スラリ)が適宜供給されることとなり、一定量の
流体研磨剤(スラリ)を貯留する機能の担保の万全を図
ることができるようになる。
する供給路を備える(2)または(3)記載の平面研磨
装置。
ウエハである(1)から(4)いずれか記載の平面研磨
装置。
明に係る平面研磨装置の実施形態を示したブロック図で
ある。この図1に示されるように、本発明に係る平面研
磨装置においては、共焦点光学計測装置1が上定盤10
に固定され、観察窓14を通して、「観察窓14とスラ
リ液12の界面」、「ウエハ13の表面」、並びに「ウ
エハ13の裏面」の3点の位置を計測する。赤外光源2
から出射した光3は、ハーフミラー4を透過し、コリメ
ートレンズ5で平行光になる。
計測スポット7を上下に振動させ、対物レンズ6の位置
に対応する赤外線受光器9の出力を計測する。計測スポ
ット7は観察窓14とスラリ液12の界面、ウエハ13
の表面、および、ウエハ13の裏面など、計測対象の屈
折率の異なる界面で強く反射するため、ちょうどそれら
の界面と計測スポット7が一致したところで反射光が検
出されることとなり、コリメートレンズ5と対物レンズ
6の間の距離に対する受光強度のピークの関係から、図
2に示されるように、ウエハ厚みやクロス厚みを計測す
ることができることとなる。
置においては、キャリア17が回転してキャリア17自
身が計測されるような位置関係となった場合には、赤外
光源2の光はキャリア17を透過することができないの
で、「観察窓14とスラリ液12の界面」および「キャ
リア17の表面」の2つのピークしか観測されないこと
となる。従って、特開平5−309559号公報に開示
されている研磨装置とは異なり、本発明に係る平面研磨
装置においては、ピークの本数を見ることにより、ウエ
ハ13を計測しているのか、それともキャリア17を計
測しているのか、ということを容易に区別することがで
きることとなり、この判別結果に基づいてウエハのみの
厚みを正確に計測することができる。
装置は、図1に示されるように、共焦点光学計測装置1
が上定盤10に固定され、観察窓14を通して、「観察
窓14とスラリ液12の界面」、「ウエハ13の表
面」、並びに「ウエハ13の裏面」の3点の位置を計測
する。この場合において、共焦点光学計測装置1は、波
長1μmから2μm間にスペクトルを持つ赤外光源2を
備える。これは、シリコンが1μm以下の波長の光は透
過しない一方で、ハーフミラー4、コリーメートレンズ
5、及び対物レンズ6に一般的に使われるガラス材は2
μm以上の波長の光を透過しない、という事情によるも
のである。なお、赤外光源2としては、例えば1.3μ
mあるいは1.5μmの半導体レーザー光源が好適であ
る。
の構成として、ハーフミラー4によって光路変更された
反射光が共焦点を形成する位置にピンホール8を配置
し、当該ピンホール8の向こう側に当該ピンホール8を
通過してきた反射光を受光する赤外線受光器(赤外線セ
ンサ)9を備え付けたものを有している。また、この装
置においては、対物レンズ6が上下方向に平行移動す
る。なお、対物レンズ6の上下移動手段は、例えば、同
様の共焦点光学計測装置であるキーエンス社LT801
0の音叉によるものなどが計測スピードの点で望まし
い。
ージャケット16が配置されており、研磨時に発生する
熱の吸収を行うようにしている。
発明に係る平面研磨装置によれば、赤外光源2から出射
した光3は、ハーフミラー4を透過し、コリメートレン
ズ5で平行光になる。そして、対物レンズ6を上下させ
ることで計測スポット7を上下に振動させ、対物レンズ
6の位置に対応する赤外線受光器9の出力を計測する。
スラリ液12の界面、ウエハ13の表面、および、ウエ
ハ13の裏面など、計測対象の屈折率の異なる界面で強
く反射するため、丁度それらの界面と計測スポット7が
一致したところで、反射光が対物レンズ6、コリメート
レンズ5を経由し、ハーフミラー4で反射して更にピン
ホール8を通過して、赤外線受光器9に受光される。言
い換えれば、共焦点光学系においては、計測スポット7
と界面が一致しない場合には、界面で反射した光はピン
ホール8で蹴られてしまうので、反射光は赤外線受光器
9に受光されない。従って、対物レンズ6を上下方向に
平行移動させた場合には、コリメートレンズ5と対物レ
ンズ6の間の距離に対応する赤外線受光器9の出力は図
2のようになる。
ラリ液12の界面」、「ウエハ13の表面」、並びに
「ウエハ13の裏面位置」を基にしてウエハ13の厚み
を計算するのであるが、その場合には、観察窓14、ス
ラリ液12、ウエハー13の屈折率の影響と、観察窓1
4、スラリ液12の厚みを考慮する必要がある。
観察窓14は、観察窓固定ねじ19で固定され、上定盤
10に対しOリングシール15を施して設置している。
そして、観察窓14の下側(ウエハ13側)には、当該
観察窓14の下側に一定量のスラリ液12を保持するた
めの窓穴11Xaが配置されている。本実施の形態にお
いて、この窓穴11Xaは観察窓14の下部の研磨クロ
ス11を所定の範囲を円形に切り抜いて形成し、この窓
穴11Xaの部分に一定量のスラリ液12が貯留される
ようにしている。また、光源2から照射された赤外線
は、この窓穴11Xaの部分を通過する。
の研磨クロス11の厚みを考慮し、観察窓14の下面と
ウエハが接触しないように観察窓14下面の突出量を設
定しておく必要がある。また、窓穴11Xaにおけるス
ラリ液12の一定量の貯留を確保し、同時に、当該部分
に気泡が入ってこないようにするために、窓穴11Xa
が形成されるクロス11の表面に溝11Xbを設けて、
ここから十分な量のスラリ液が円滑に供給されるように
してもよい(図3)。なお、これと同様の目的を達成す
るために、より積極的な構成として、窓穴11Xaの付
近に出口を備えるスラリ液供給路10aを上定盤10内
に設けるようにしてもよい(図4)。
は、共焦点光学計測装置1は、上下どちらの定盤に設置
してもよい。ここで、共焦点光学計測装置1を回転する
定盤に取り付ける場合には、図7に示すように、計測装
置1への電源を供給する手段として、計測装置1と共に
上定盤10上にバッテリー22を設置するようにする実
施形態(図7左側)や、定盤回転軸20に組み込んだ回
転電極21による電力供給を行う実施形態(図7中央)
などが考えられる。なお、計測装置1による計測データ
は、無線ユニット23によって無線でデータ処理装置2
4に転送するようにすると好適である(図7右側)。ま
た、上定盤10上にバッテリー22や無線ユニット23
を取り付けた場合には、それらを防護するためのカバー
25を設置するのが好ましい。
おいては、上定盤10を回転させながら対物レンズ6を
上下させ、観察窓14とスラリ液12の界面、ウエハ1
3の表面、および、ウエハ13裏面の3点の位置を計測
することによって、ウエハ等の厚み計測を行う。対物レ
ンズ6の上限振動周波数は、ウエハ13の移動速度を考
慮した上で、十分な速さを有することが望ましい。例え
ば、一つのケースとして、ウエハの移動速度が1000
mm/sであった場合には、対物レンズ6の上限振動周
波数を500Hzとしたときには、1回の計測でウエハ
が移動する距離は2mmとなるということを考慮する必
要がある。
ては、図2に示されるように、観察窓14とスラリ液1
2の界面、ウエハ13の表面、および、ウエハ13裏面
の3点の位置は、赤外線センサ9の受光強度における3
つのピークとして表れる。ここで、これらの3つのピー
クは、対物レンズ6の移動位置に対応して表れるので、
対物レンズ6の移動位置(即ち、コリメートレンズ5と
対物レンズ6の間の距離)から、ウエハ13の厚みやス
ラリ液12(研磨クロス11)の厚みを算出することが
できる。なお、本装置によって逐次計測されたデータに
ついては、必要に応じて積分処理をし、平均の厚みを求
めるようにしてもよい。
リア16の部分が観察窓14の下に位置することとなっ
て、当該観察窓14からはキャリア自身が計測されると
いうな位置関係となっているような場合には、キャリア
16については赤外線を透過しないために、センサ9の
出力は、図5に示されるように、2つのピークしか観測
されないようになる。従って、赤外線受光器(赤外線セ
ンサ)9によって検出されるピークの数を判別すること
によって、キャリア16の部分を計測しているのかそれ
ともウエハ13の部分を計測しているのかということを
容易に区別することができる。このため、本発明に係る
平面研磨装置によれば、キャリア16の部分とウエハ1
3の部分を明確に区別して、ウエハ13のみの厚みを的
確に計測し、それを正確に知ることができる。
研磨装置においては、観察窓14とスラリ液12の界面
からウエハ13の表面までの距離は、実質的には研磨ク
ロス11の研磨時の厚みを測定しているのと等価である
ので、この厚みの経年的な変化を計測することによっ
て、研磨クロス11の消耗を定量的に知ることができ
る。そして例えば、定められた厚み以下に研磨クロス1
1が磨耗してしまった場合には、研磨クロス11の寿命
と断定し、クロス交換を実施するのが望ましい。
の反射率が高い場合には、図8(a)及び(b)並びに
図9に示されるように、ウエハ裏面付近の受光ピーク
は、ウエハ裏面での反射と研磨クロス11のクロス材表
面26での反射との区別がつきにくくなる場合があり、
ウエハ厚みの計測値の誤差を生じる可能性がある。この
場合においては、研磨クロス表面26の位置は、微視的
に見れば、場所毎にウエハ裏面と密着している場合とウ
エハ裏面との間にミクロンオーダーの隙間をもっている
場合とが存在するので、このような場合には、ウエハ厚
みのデータを予め決められた回数取得し、その最小値を
有効なウエハ厚みのデータとして処理することにより、
クロス材表面の反射によって生じる誤差を最小にするこ
とができるようになる。
をラッピング装置(ラップ研削盤)などの研磨クロス1
1を用いない板状ワークピース基盤の研磨装置へ適用す
る場合には、図6に示す様に、観察窓14を上定盤10
の表面より後退させて設置する等の構成を採用すること
により、観察窓14とウエハの間にスラリ液12が絶え
ず安定して充填された状態にしておくようにするとよ
い。
ス基板など光を透過する特性を持つ板状基盤の研磨工程
において、外部装置を汚染しない状態で、研磨中にその
厚みを計測し、管理する用途に適用することができる。
においては、研磨中(定盤回転中)にウエハ等の板状ワ
ークピースの厚みおよび研磨クロスの厚みを測定し、定
盤を途中で停止させることなくウエハ等の板状ワークピ
ースの仕上げ厚み、および平坦度を正確に作り込むこと
ができる。また、研磨クロスの厚みを的確に計測するこ
とができ、これによって研磨クロス劣化の判定を適切に
行うことができるようになる。
置においては、研磨中にウエハ等の板状ワークピースの
厚みを計測し、仕上げ厚みになったら研磨を終了するの
で、確実に仕上げ厚みを管理することができ、研磨取り
しろの過不足や平坦度の劣化を低減させることができ
る。
たブロック図である。
スラリ液12の界面」、「ウエハ13の表面」、並びに
「ウエハ13の裏面」の3点の位置を計測する際の原理
を説明するための図であり、対物レンズ6を移動させた
場合に、対物レンズ6の位置に応じて変化する赤外線受
光器9の受光量を図示したものである。
の断面図である。
部分が観察窓14の下に位置することとなって、当該観
察窓14からキャリア自身が計測されている場合の赤外
線受光器9の受光量の変化を示す図である。
どの研磨クロス11を用いない板状ワークピース基盤の
研磨装置へ適用した場合の実施形態を示すブロック図で
ある。
伝送方法等を説明するためのブロック図である。
が高い場合の誤差の補正の原理を説明するための一部断
面図である。
ロス材の反射率が高い場合の誤差の補正の原理を説明す
るための図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 流体研磨剤を使用して半導体ウエハ、磁
気ディスク基板、ガラス基板その他の板状ワークピース
の両面を同時に研磨加工するための平面研磨装置であっ
て、 前記流体研磨剤を介在させて前記板状ワークピースを挟
み込み、当該挟み込まれた板状ワークピースの表面を研
磨加工するために水平運動をする一対の定盤と、 この上下定盤の間に配置され、前記板状ワークピースを
保持すると共に前記上下定盤に対して相対的に水平運動
をするキャリアと、 前記板状ワークピースに対して透過する波長を光源と
し、前記一対の定盤内において前記板状ワークピースの
厚み方向に移動可能な焦点を形成すると共にその共焦点
ピンホールを前記一対の定盤外に備える共焦点光学計測
装置と、 を備え、 前記一対の定盤の少なくとも一方には、前記透過光を透
過する観察窓が設けられている平面研磨装置。 - 【請求項2】 前記一対の定盤と前記板状ワークピース
との間には研磨クロスが配置され、前記観察窓と前記板
状ワークピースの間の研磨クロスには、前記観察窓に対
応する位置に、当該研磨クロスの所定範囲が除去されて
形成された窓穴が設けられている請求項1記載の平面研
磨装置。 - 【請求項3】 前記窓穴に通じる溝が前記研磨クロスの
表面に配置されている請求項2記載の平面研磨装置。 - 【請求項4】 前記窓穴に前記流体研磨剤を供給する供
給路を備える請求項2または3記載の平面研磨装置。 - 【請求項5】 前記板状ワークピースはシリコンウエハ
である請求項1から4いずれか記載の平面研磨装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000253032A JP4324933B2 (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | 平面研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000253032A JP4324933B2 (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | 平面研磨装置 |
Publications (2)
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---|---|
JP2002059364A true JP2002059364A (ja) | 2002-02-26 |
JP4324933B2 JP4324933B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=18742188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347532A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
EP1760423A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Method of inspecting optical recording medium |
JP2008227393A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの両面研磨装置 |
JP2009529139A (ja) * | 2006-03-07 | 2009-08-13 | センサリー アナリティクス | 被覆厚さの表面測定が可能な移動式装置 |
DE112009001875T5 (de) | 2008-07-31 | 2011-06-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Waferpolierverfahren und Doppelseitenpoliervorrichtung |
KR20130119363A (ko) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 스피드파무 가부시기가이샤 | 연마 장치의 계측용 창 구조 |
WO2016114458A1 (ko) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
DE102007061248B4 (de) * | 2006-12-20 | 2016-08-04 | Disco Corp. | Messinstrument und Laserstrahlmaschine für Wafer |
KR20170117878A (ko) | 2016-04-14 | 2017-10-24 | 스피드팸 가부시키가이샤 | 평면 연마 장치 |
CN108714845A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-10-30 | 贵州大学 | 一种角磨机切割平整装置 |
CN111750786A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 厚度量测设备、抛光系统及抛光物料管理方法 |
US11460577B2 (en) | 2017-11-09 | 2022-10-04 | Precitec Optronik Gmbh | Distance measuring device |
-
2000
- 2000-08-23 JP JP2000253032A patent/JP4324933B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347532A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
EP1760423A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Method of inspecting optical recording medium |
JP2009529139A (ja) * | 2006-03-07 | 2009-08-13 | センサリー アナリティクス | 被覆厚さの表面測定が可能な移動式装置 |
DE102007061248B4 (de) * | 2006-12-20 | 2016-08-04 | Disco Corp. | Messinstrument und Laserstrahlmaschine für Wafer |
JP2008227393A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの両面研磨装置 |
DE112009001875T5 (de) | 2008-07-31 | 2011-06-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Waferpolierverfahren und Doppelseitenpoliervorrichtung |
US8834230B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and double-side polishing apparatus |
US9108289B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-08-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Double-side polishing apparatus |
DE112009001875B4 (de) | 2008-07-31 | 2023-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Waferpolierverfahren und Doppelseitenpoliervorrichtung |
KR20130119363A (ko) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 스피드파무 가부시기가이샤 | 연마 장치의 계측용 창 구조 |
KR20160088635A (ko) * | 2015-01-16 | 2016-07-26 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
KR101660900B1 (ko) * | 2015-01-16 | 2016-10-10 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
CN107210211A (zh) * | 2015-01-16 | 2017-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法 |
JP2018506182A (ja) * | 2015-01-16 | 2018-03-01 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー研磨装置及びこれを用いたウエハー研磨方法 |
US10259097B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-04-16 | Sk Siltron Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus and wafer polishing method using same |
CN107210211B (zh) * | 2015-01-16 | 2020-05-22 | 爱思开矽得荣株式会社 | 晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法 |
WO2016114458A1 (ko) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
KR20170117878A (ko) | 2016-04-14 | 2017-10-24 | 스피드팸 가부시키가이샤 | 평면 연마 장치 |
US11460577B2 (en) | 2017-11-09 | 2022-10-04 | Precitec Optronik Gmbh | Distance measuring device |
CN108714845A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-10-30 | 贵州大学 | 一种角磨机切割平整装置 |
CN111750786A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 厚度量测设备、抛光系统及抛光物料管理方法 |
CN111750786B (zh) * | 2020-07-06 | 2022-03-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 厚度量测设备、抛光系统及抛光物料管理方法 |
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