JP2002057366A - フォトインタラプタ - Google Patents

フォトインタラプタ

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JP2002057366A
JP2002057366A JP2000275685A JP2000275685A JP2002057366A JP 2002057366 A JP2002057366 A JP 2002057366A JP 2000275685 A JP2000275685 A JP 2000275685A JP 2000275685 A JP2000275685 A JP 2000275685A JP 2002057366 A JP2002057366 A JP 2002057366A
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正巳 韮澤
Yoshihiro Tachibana
誉大 立花
Suguru Horinouchi
英 堀之内
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造が簡易で安価な、防塵性に優れた高分解
能なフォトインタラプタを提供する。 【解決手段】 被検出物体の通路１１を挟むように、互
いに対向して発光素子１５及び受光素子１６を配設し、
該発光素子及び受光素子をそれぞれ覆う透光性材料から
成るケース１２とを含んでいるフォトインタラプタにお
いて、少なくとも受光素子側のケース凸部１２ｂの内側
にキャップ状のスリット金具１３を収納配置して、光路
を横切る領域にスリットが備わるようにしたことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被検出物の有無や位
置を光によって非接触で検出するフォトインタラプタ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、プリンタ等の紙送り機構におけ
る紙の位置検出や光学式エンコーダを構成するセンサと
して、非接触で被検出物の有無を検出することができる
フォトインタラプタが広く用いられている。発光素子か
ら受光素子への光路中に被検出物が入った場合には、前
記光路が遮断されることにより受光素子の検出信号が変
化して被検出物の存在が検出されることから、この検出
信号の変化をスイッチング信号として利用する。
【０００３】被検出物の位置や有無の検出精度を向上さ
せるには高分解能なフォトインタラプタが必要であり、
そのためには光路を絞るためのスリットの精度を高めな
ければならないが、一般的なフォトインタラプタにおい
ては被検出物体の通路を挟むように、互いに対向配置さ
れた発光素子及び受光素子をそれぞれ覆うケースはプラ
スチックのモールドで形成されており、精度の高いスリ
ットを得ることが非常に困難であった。
【０００４】そこで、前記スリットの精度を向上させる
手段として、スリット金具をフォトインタラプタの被検
出物体の通路となる投光部と受光部間の配置凹部に収納
配置する方法が特開平６−３１７７５６号公報に開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た配置凹部にスリット金具を収納配置する方法では、前
記スリット金具が被検出物体の通路を狭めることになり
フォトインタラプタの小型化の妨げとなる。またスリッ
トが外部に露出しているため塵埃等がスリットに蓄積し
てしまいスリットの精度を確保できなくなり、最悪時に
は光路を塞いでしまう等の課題があった。
【０００６】この発明は以上の点に鑑み、信頼性が高く
小型で高分解能なフォトインタラプタを簡単な構造で低
コストに提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的のため
に、本発明では被検出物体の通路を挟むように、互いに
対向配置された発光素子及び受光素子と、前記発光素子
及び受光素子をそれぞれ覆うと共に、発光素子から受光
素子への光路を外部に露出させるように構成した透光性
材料から成るケースとを含んでいるフォトインタラプタ
において、光路を横切る領域にスリットが備わるよう
に、少なくとも受光素子側の前記ケース内にキャップ状
のスリット金具を収納配置したことを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の好
適な実施の形態を説明する。図１は本発明による一実施
形態を示したフォトインタラプタの概略断面図である。
フォトインタラプタ１０は被検出物体の通路１１を挟む
ように、互いに対向配置された発光素子１５及び受光素
子１６と、発光素子１５及び受光素子１６をそれぞれ覆
う透過性材料からなるケース１２と、スリット金具１３
とを含んでいる。
【０００９】受光素子１６を覆うケース１２の凸部１２
ｂの内側にスリット金具１３が収納配置されており、発
光素子１５及び受光素子１６は互いに光軸が一致するよ
うに光軸合わせされて、ケース１２内に備えられた基板
１４上に実装され、該発光素子からの光が被検出物体の
通路１１を横切ってスリット金具１３のスリット部１３
ａで光路が絞られて該受光素子１６に入射するようにな
っている。
【００１０】図２はスリット金具１３の拡大斜視図であ
り、厚さが１００μｍ程度のステンレス板をエッチング
又はプレス加工により打ち抜いた後、折曲加工されて形
成されており、スリット部１３ａの幅を高精度で１００
μｍ〜５００μｍとすることが容易である。
【００１１】図２におけるスリット金具１３のスリット
部１３ａは垂直方向に開口した例を示したものだが、被
検出物体が凹形状である通路１１に対して一定の奥行き
方向まで横切ったことを検出する用途には、スリット部
１３ａを水平方向に開口させた方が望ましい。従って、
被検出物体が通路１１を横切る角度等に合わせて任意の
角度にスリット部１３ａを開口させても構わない。
【００１２】図３は更に高精度、高分解能を実現するた
めに、スリット金具１３を受光素子側だけでなく発光素
子１５側にも収納配置した例を示したものである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光素子及び受光素子を覆うケースにはスリットが不要
で、発光素子及び受光素子を密閉していることから、ケ
ース内に被検出物や塵埃等が侵入することが防止される
と共に、塵埃等がスリットに蓄積してスリットの精度を
確保できなくなり、最悪時には光路を塞いでしまう等の
不具合を防止することが可能となる。
【００１４】また、スリット金具は薄い板厚の金属製な
ので、高精度で幅の狭いスリットを容易に形成すること
ができ、熱などにより変形することもなく高分解能なフ
ォトインタラプタを実現できる。
【００１５】さらに、ケースにはスリットが不要で開口
部がないので、モールド金型を単純化できると共に、ケ
ースを共通化することができ、スリット金具のスリット
開口部形状を変更するだけで、異なった用途への対応が
容易に実現できコストが低減できる。
【００１６】くわえて、スリット金具は折曲加工されて
キャップ状に形成されているので、ケース内へ押入する
ことで所定の位置に容易に係止させることができ、平板
状のスリット金具を使用した場合に必要なケースへ固定
するための接着工程等が不要となる。
【００１７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるフォトインタラプタを
示す側面断面図である。
【図２】図１の光路を制限するスリット金具の斜視図で
ある。
【符号の説明】
１０ フォトインタラプタ １１ 被検出物体の通路 １２ 透光性ケース １２ａ 発光側ケース凸部 １２ｂ 受光側ケース凸部 １３ スリット金具 １３ａ スリット金具のスリット部 １４ 基板 １５ 発光素子 １６ 受光素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１０月６日（２０００．１０．
６）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】受光素子１６を覆うケース１２の凸部１２ｂの
内側にスリット金具１３が収納配置された本発明の一実
施例によるフォトインタラプタを示す側面断面図であ
る。（実施例１）
【図２】光路を制限するスリット金具の斜視図である。
【図３】受光素子１６を覆うケース１２の凸部１２ｂの
内側及び発光素子１５を覆うケース１２の凸部１２ａの
内側にスリット金具１３が収納配置された本発明の一実
施例によるフォトインタラプタを示す側面断面図であ
る。（実施例２）
【符号の説明】 １０ フォトインタラプタ １１ 被検出物体の通路 １２ 透光性ケース １２ａ 発光側ケース凸部 １２ｂ 受光側ケース凸部 １３ スリット金具 １３ａ スリット金具のスリット部 １４ 基板 １５ 発光素子 １６ 受光素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被検出物体の通路を挟むように、互いに対
    向配置された発光素子及び受光素子と、前記発光素子及
    び受光素子をそれぞれ覆うと共に、発光素子から受光素
    子への光路を外部に露出させるように構成した透光性材
    料から成るケースとを含んでいるフォトインタラプタに
    おいて、光路を横切る領域にスリットが備わるように、
    少なくとも受光素子側の前記ケース内にキャップ状のス
    リット金具を収納配置したことを特徴とする透過型フォ
    トインタラプタ。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283179A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Toshiba Corp 光結合素子
JPH04324686A (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 Sharp Corp 光半導体装置
JPH053330A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Hitachi Ltd 光送受信モジユール
JPH09196738A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Nippon Arefu:Kk 帯電防止型フォトセンサ

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