JP2002050068A

JP2002050068A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2002050068A
Application number: JP2001112341A
Authority: JP
Inventors: Koki Kojima; 光喜小島; Shogo Horinouchi; 昇吾堀之内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-05-24
Filing date: 2001-04-11
Publication date: 2002-02-15

Abstract

(57)【要約】【課題】チルトマージンの拡大と、組み立て・調整精
度、工数を削減可能な光ピックアップ装置、および光デ
ィスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】対物レンズと液晶素子２５とを組み合わ
せた光ピックアップ装置であって、液晶素子２５は、低
密度用光ディスク用光束径内の中心部分に配置された第
２、第３領域２，４と、その外周部で第２、第３領域
２，４を内包するように配置された第４、第５領域３，
５と、その外周部で低密度用光ディスク用光束径と高密
度用光ディスク用光束径との間に配置された第６、第７
領域６，７と、高密度用光ディスク用光束径のほぼ外周
部分に配置された第８、第９領域８，９と、残余の領域
であって直径を含む第１領域１との９領域に分割し、各
領域へ異なる５つの電極パターンとして印加電圧を構成
し、直径方向を補正すべきチルト方向に配置したことを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度光ディス
ク、コンパクトディスク等の異なる記録密度の記録媒体
を再生しあるいは媒体に記録する光ディスク装置、なら
びに光ディスク装置に使用する液晶素子を用いた光ピッ
クアップ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のＤＶＤの光ピックアップ装置に用
いられている液晶素子を説明する。図８は従来の液晶素
子の電極パターンの構成図である。電極パターンは３つ
の分割領域から構成されており、図中の領域を基準と
して、との領域に極性が逆で絶対値の等しい電圧を
印可することにより、液晶素子の領域の透過光を基準
として領域の透過光と領域の透過光に位相差が発生
する。

【０００３】次に図９は図８の液晶素子を搭載した光ピ
ックアップ装置の構成図である。図９において、構成要
素はそれぞれ、１５は半導体レーザ、１６はビームスプ
リッタ（ＢＳと略記する）、１７はコリメータレンズ、
１８は立ち上げミラー、１９は液晶素子、２０は対物レ
ンズ、２１は検出レンズ、２２は検出器である。１５は
波長６５０ｎｍの半導体レーザであって、半導体レーザ
から放射された光は、ＢＳ１６を透過した後コリメータ
レンズ１７を透過して変換されて平行光となる。平行光
は立ち上げミラー１８の表面で全反射し、液晶素子１９
を透過する。このとき前述の通り、領域の透過光と
領域の透過光に領域の透過光に対する位相差が発生す
る。さらに対物レンズ２０によって集光され、光ディス
クに光学スポットを結ぶ。

【０００４】次に、光ディスクからの反射光は前述と逆
の経路でＢＳ１６に入射する。このとき、液晶素子１９
を透過することによって再び前述の位相差が発生する。
その後、ＢＳ１６で反射された光は検出レンズ２１で再
び集光されて検出器２２によって受光される。

【０００５】このように、３つの領域からなる電極パタ
ーンの液晶素子１９をコリメータレンズ１７と対物レン
ズ２１の光路中に配置したＤＶＤ用光ピックアップ装置
により、光ディスクのチルト補正ができるようになって
いる。

【０００６】ここで、チルトとは、光ディスクの情報記
録面（より正確には記録層）に対して、対物レンズ２０
によって集光された光が垂直に入射していない（光軸が
傾斜した）状態を表す。また、このようなチルトした状
態の光学系に対して何らかの制御を加えて、理想的な垂
直入射の状態にすることをチルト補正と略称することと
する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上に
説明した従来の電極パターンの液晶素子では、ＤＶＤ用
ディスクに使用するものであった。しかし、異なる記録
密度の光ディスクを記録再生する光ピックアップ装置で
は、一方の光ディスクのチルト補正しかできず、他方の
記録密度の光ディスクのチルト補正ができないと言う課
題を有していた。本発明は、異なる記録密度の光ディス
ク各々のチルト補正をすることができ、光ディスクに対
するチルトマージン拡大と、組み立て・調整精度の低減
および組み立て・調整の工数削減が可能な光ピックアッ
プ装置、およびそれを用いた光ディスク装置を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は以上の課題を解
決するためになされたもので、対物レンズと液晶素子と
を組み合わせて異なる記録密度の光ディスクを記録・再
生する光ピックアップ装置であって、液晶素子は合わせ
て５つの領域を有し、それぞれの領域は、低密度光ディ
スク用小光束径のうち半円の中心部分にそれぞれ配置さ
れた第２領域と第３領域と、第２領域と第３領域との外
周部であって小光束径のほぼ半円部分に前記第２、第３
領域をそれぞれ内包するように配置された第４領域と第
５領域と、第２領域から第５領域の残余の領域であって
直径を含む第１領域とに分割され、第１領域に含まれる
直径の方向は補正しようとするチルト方向と同じ方向に
配置されていることを特徴とする光ピックアップ装置で
ある。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１から請求項１２
に記載の発明は、対物レンズと液晶素子とを組み合わせ
て異なる記録密度の光ディスクを記録・再生する光ピッ
クアップ装置であって、液晶素子は複数の領域を有し、
それぞれの領域は、低密度光ディスク用小光束径のうち
半円の中心部分にそれぞれ配置された２つの領域と、そ
れらの領域の外周部であって小光束径のほぼ半円部分に
それらの領域をそれぞれ内包するように配置された異な
る２つの領域と、残余の領域であって直径を含む領域と
に分割され、直径を含む領域の直径の方向は補正しよう
とするチルト方向と同じ方向に配置されていることを特
徴とする光ピックアップ装置である。

【００１０】以上の構成によって異なる記録密度の光デ
ィスク両方のチルト補正をすることができ、光ディスク
に対するチルトマージン拡大と、さらに組み立て・調整
精度の低減および組み立て・調整の工数削減が可能な光
ピックアップ装置を提供することができる。

【００１１】本発明の請求項１３に記載の発明は、請求
項１から請求項１２のいずれか１に記載の光ピックアッ
プ装置を用いたことを特徴とする光ディスク装置であ
り、本発明の光ピックアップ装置を用いた光ディスク装
置のディスク対応機能の向上とコストの削減に貢献する
ことができる。

【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図を
用いて説明する。

【００１３】（実施の形態１）まず、本発明の実施の形
態１について図を参照しながら説明する。図１は本発明
の液晶素子を搭載した光ピックアップ装置の構成図であ
る。さらに、図１（ａ）は全体構成図である。図１
（ａ）において、５１は低密度光ディスク（例えば長波
長ＣＤ）、５２は高密度光ディスク（例えば短波長ＤＶ
Ｄ）である。図中、トラックのイメージを円弧５３で模
式的に表す。さらに、円弧５３の接線方向は低密度光デ
ィスク（例えば長波長ＣＤ）５１、高密度光ディスク
（例えば短波長ＤＶＤ）５２のタンジェンシャル方向で
あって、矢印Ｔで表す。また、低密度光ディスク（例え
ば長波長ＣＤ）５１、高密度光ディスク（例えば短波長
ＤＶＤ）５２の半径方向（ラジアル方向）を矢印Ｒで表
す。

【００１４】２５は以下に詳細に説明する液晶素子であ
る。２７は短波長光学ユニットで、２８は長波長光学ユ
ニットである。各々の光学ユニット２７、２８は半導体
レーザからなる光源と、受光素子および光学部材からな
り、光源の射出光の波長が相違する。２６はビームスプ
リッタ（ＢＳ）である。本発明の実施の形態１における
構成にあっては短波長の光を反射し、長波長の光を透過
する機能を有する。

【００１５】なお、光学ユニット２７、２８の射出光が
ＢＳ２６によりコリメータレンズ１７に入射されるよう
に光学ユニット２７、２８を配置するならば、光学ユニ
ット２７、２８の配置位置は図１の関係に限定されるも
のではない。また液晶素子２５はＢＳ２６から対物レン
ズ２０に至る間の光路中であればどこに配置してもよ
い。

【００１６】なお、これらの光学ユニット２７、２８と
ＢＳ２６については、特開平１０−１５４３４４に詳細
に技術開示なされており、本発明の主題とするところで
はないので、詳細な説明は割愛する。また、コリメータ
レンズ１７、立ち上げミラー１８、および、対物レンズ
２０については従来の技術で説明したものと同一であ
る。

【００１７】図１（ｂ）は図１（ａ）の他の光源を用い
た例を説明する図である。図１（ｂ）において、２９は
２波長光学ユニットであって、異なる波長の２つの半導
体レーザを内包した２つの光源と、受光素子および光学
部材からなる。低密度光ディスク（例えば長波長ＣＤ）
５１の記録・再生においては長波長の半導体レーザを、
高密度光ディスク（例えば短波長ＤＶＤ）５２の記録・
再生においては短波長の半導体レーザを使用する。図１
（ａ）に比べ、ＢＳ２６を省略可能であるから、より簡
単な構成を実現することができる。また、液晶素子２５
の配置条件は図１（ａ）の場合と同様である。

【００１８】図１（ｃ）は図１（ａ）の他の光源を用い
た例を説明する図である。図１（ｃ）において、２９は
前述の２波長光学ユニットである。図１（ｃ）におい
て、３４は反射ミラーであって、短波長の光を反射し、
その反射光がビーム整形プリズム３５に所望の角度で入
射するように配置されている。３５はビーム整形プリズ
ムであって、入射面３５ａ、反射面３５ｂを有してい
る。３６はビームスプリッタ（ＢＳ）である。図１
（ｃ）における構成にあっては長波長の光を反射し、短
波長の光を透過する機能を有する。

【００１９】以上の構成において、長波長の射出光（光
学経路を点線で表す）はＢＳ３６で反射して、立ち上げ
ミラー１８、液晶素子２５、および対物レンズ２０を経
て、低密度光ディスク（例えば長波長ＣＤ）５１に入射
する。反射光は逆の順を経て、２波長光学ユニット２９
によって検出される。他方、短波長の射出光（一点鎖線
で表す）はＢＳ３６を透過して反射ミラー３４で反射す
る。さらに、ビーム整形プリズム３５の入射面３５ａに
入射して屈折する。さらに、屈折光は反射面３５ｂで反
射して再び入射面３５ａで屈折してビーム整形プリズム
３５から射出する。さらに、ＢＳ３６を透過して、立ち
上げミラー１８、液晶素子２５、および対物レンズ２０
を経て、高密度光ディスク（例えば短波長ＤＶＤ）５２
に入射する。

【００２０】反射光は逆の順を経て、２波長光学ユニッ
ト２９によって検出される。この時、図１（ｃ）に示す
光源の配置を低密度光ディスク（例えば長波長ＣＤ）５
１、高密度光ディスク（例えば短波長ＤＶＤ）５２の面
と平行に配置すると、２波長光学ユニット２９の短波長
射出光はその半径方向（ラジアル方向）の強度分布をよ
り均一にビーム整形される効果がある。また、液晶素子
２５の配置条件は図１（ａ）の場合と同様である。

【００２１】図２は、本発明の実施の形態１における液
晶素子の電極パターンの構成図である。図２において、
実線の円は液晶素子を透過する高密度光ディスク（例え
ば短波長ＤＶＤ）の光束径を、内側の破線の円は液晶素
子を透過する低密度光ディスク（例えば長波長ＣＤ）の
光束径を示している。１は基準電圧の領域で、低密度光
ディスクの光束径の内側には２、３、４、５の４つの領
域を、低密度光ディスクの光束径の外側には６、７、
８、９の４つの領域をそれぞれ有している。

【００２２】低密度光ディスクの光束径の内側の２と３
の領域と４と５の領域はそれぞれ光束径の中心線を跨い
で対向するように配置され、２の領域の周囲に３の領域
が、４の領域の周囲に５の領域がそれぞれ構成されてい
る。低密度光ディスクの光束径の外側の４つの領域６、
７、８、９は補正するディスクのチルト方向と同じ方向
に並んで配置されている。つまり、図２の場合は横軸Ｒ
方向に並んでいるから、この液晶素子２５は、図１にお
けるラジアル方向Ｒのチルト補正をすることができるも
のである。

【００２３】以上のような電極パターンの領域を有する
液晶素子を用いて光ディスクのチルト補正の内容につい
て説明する。１の領域に印可する電圧を基準として、２
と３と６と９の領域と４と５と７と８の領域には逆極性
の電圧を印可する。また２と９と４と８の領域に印可す
る電圧の絶対値を等しく、また３と６と５と７の領域に
印可する電圧を等しくするとともに２と９と４と８の領
域に印可する電圧を３と６と５と７の領域に印可する電
圧より高く制御する。

【００２４】次に、液晶素子の領域と印加電圧との関係
を説明する。図３は、図２の液晶素子２５の印加電圧を
説明する図である。図３において、液晶素子２５は図２
と同一であるから、領域の配置と符号とについては説明
の重複を省略する。さらに、印加電圧は全体の電圧Ｖ
（ＡＣ実効値電圧）を４段階に分割してＶ１からＶ４を
生成し、各分割電圧の端子をそれぞれＡからＥとする。
以上の各分割電圧を、端子Ａの電圧は領域２と９へ、端
子Ｂの電圧は領域３と６へ、端子Ｃの電圧は基準の電圧
として領域１へ、端子Ｄの電圧は領域５と７へ、端子Ｅ
の電圧は領域４と８へ、それぞれ印加する。図３は、こ
うして接続した状態を領域符号に代えて示したものであ
る。

【００２５】加えて、全体の電圧Ｖ（ＡＣ実効値電圧）
は、透過光に対して印加電圧に応じて液晶素子全体がリ
ニアに位相変化を起こさせる電圧範囲に設定する。従っ
て、全体の電圧Ｖを例えば５Ｖに設定して、上述のよう
に、端子Ｃを基準電圧として使用すると、端子Ｃの電圧
は全体の電圧の中点となり、端子ＡＣ間電圧と端子ＣＤ
間電圧とは絶対値が等しく逆極性の電圧となる。また、
さらに好ましくは、各端子間の相対電圧は、端子ＡＢ間
をＶ１、以下同様に、Ｖ２からＶ４とすると、Ｖ１＝−Ｖ４＝（１／２）Ｖ２＝−（１／２）Ｖ３と、設定する。

【００２６】上記設定条件は全体の電圧Ｖを一定とし
て、抵抗値を変化させて各端子間の相対電圧Ｖ１からＶ
４を変化させる例を示した。あるいは、全体の電圧Ｖを
可変にして（例えば、０Ｖから５Ｖ）位相変化をさせる
制御方法としても良く、中性点を設けて全体の電圧Ｖの
位相を変化さても良い。さらにまた、これらの方式を組
み合わせても良い。

【００２７】このとき各領域の透過光には印加した電圧
に応じた位相差が発生し、光ディスクのチルトにより発
生する波面収差を低減し、チルト補正を行っている。高
密度光ディスクのチルトは９つの全領域での透過光の位
相差の発生により、また低密度光ディスクのチルトは低
密度光ディスクの光束径の内側の１、２、３、４、５の
領域の透過光の位相差により補正できる。なお印可電圧
量は、光ディスクのチルト量に応じて比例制御を行う。

【００２８】つまり、液晶素子の屈折率が印加電圧に比
例して変化（増加）することを利用して、光学系に生じ
たチルトを逆補正するように液晶素子に印可する電圧を
チルト量に応じて比例制御を行う。増加した屈折率は等
価的に光路長の増加となるから、印加電圧をチルト量に
応じて比例制御することによって光学系に生じたチルト
を逆補正することが可能となるのである。

【００２９】図４は、液晶素子による光ディスクのチル
ト補正を行った波面収差を表す図である。図４におい
て、チルト補正の一例としてＤＶＤディスクのチルト量
０.６度による波面収差分布と本発明による液晶素子で
のチルト補正後の波面収差分布を示す。点線のカーブは
チルト量０.６度を補正しない場合の波面収差分布であ
る。

【００３０】他方、実線は本発明によるチルト補正（位
相補正）の効果を表す。なお、横軸は対物レンズの中心
を０ｍｍとして、中心から外周に向かって半径方向に移
動することを表している。縦軸は位相差であって、理想
は位相差０ｎｍの平坦カーブである。図に示すように、
対物レンズの中央部分と周辺部分とで著しい位相差の改
善効果が見られる。

【００３１】図５は、本発明の一実施の形態における液
晶素子の構造を示す図である。図５において、１０は液
晶で、ガラス基板１１とガラス基板１２により挟み込ま
れた構造である。勿論、ガラス基板１１、１２は図２に
示す電極パターンを形成し、各電極パターには図３に示
す電圧を印加することは、以上に説明した通りである。

【００３２】なお、補正するチルト方向に応じて液晶の
電極パターンを互いに直交して貼り合わせて２層構成と
してもよい。たとえば、トラッキング方向（ディスクの
半径方向）とタンジェンシャル方向（トラックの接線方
向）とを組み合せることにより、全方向のチルト補正が
可能となる。

【００３３】こうして、異なる記録密度を持った異なる
光ディスクのチルト補正をすることができる。特に、高
密度光ディスクにあっては記録再生性能にチルトの影響
を強く受けるから、液晶素子を用いてチルト補正をする
ことによって、光ディスクに対するチルトマージンを拡
大することができる。

【００３４】さらに、光学系や光学系を支持する機構系
の組み立て・調整精度をチルト補正をすることによって
補正することができるから、組み立て・調整精度の低減
および組み立て・調整の工数削減が可能な光ピックアッ
プ装置を提供することができる。従って、本発明の光ピ
ックアップ装置を用いた光ディスク装置は異なる記録密
度の光ディスクに対応する機能を向上することができ、
併せてコストの削減に貢献することができる。

【００３５】（実施の形態２）次に、実施の形態２につ
いて図６を用いて説明する。図６は、本発明の実施の形
態２による液晶素子の電極パターンの構成図である。図
６において、基準電圧の領域１と低密度光ディスクの光
束径の内側の４つの領域２、３、４、５は実施の形態１
と同様であるから同一の符号を付し説明を省略する。低
密度光ディスクの光束径の外側には３１、３２の２つの
領域を有している。図中の実線の円は液晶素子を透過す
る高密度光ディスク（例えばＤＶＤ）の光束径を、破線
の円は液晶素子を透過する低密度光ディスク（例えばＣ
Ｄ）の光束径を示している。３１および３２の領域は３
および５の領域とそれぞれ基準電圧の領域１を介して同
値の電圧を印可する領域である。以上の領域構成に対す
る電圧の印加とそのチルト補正の作用については、前述
の実施の形態１に説明した内容と同様であるから省略す
る。

【００３６】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３について図７を用いて説明する。図７は本発明の実
施の形態３による液晶素子の電極パターンの構成図であ
る。図７において、実線の円は液晶素子を透過する高密
度光ディスク（例えばＤＶＤ）の光束径を、破線の円は
液晶素子を透過する低密度光ディスク（例えばＣＤ）の
光束径を示している。基準電圧の領域１と低密度光ディ
スクの光束径の内側の４つの領域２、３、４、５の５つ
の領域から構成される。以上の領域構成に対する電圧の
印加とそのチルト補正の作用については、前述の実施の
形態１に説明した内容と同様であるから省略する。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、異なる
記録密度の光ディスク両方のチルト補正をすることがで
き、光ディスクに対するチルトマージン拡大と、さらに
組み立て・調整精度の低減および組み立て・調整の工数
削減が可能な光ピックアップ装置を提供することができ
る。こうして、本発明の光ピックアップ装置を用いた光
ディスク装置のディスク対応機能の向上とコストの削減
に貢献することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子を搭載した光ピックアップ装
置の構成図

【図２】本発明の実施の形態１による液晶素子の電極パ
ターンの構成図

【図３】図２の液晶素子の印加電圧を説明する図

【図４】液晶素子による光ディスクのチルト補正を行っ
た波面収差を表す図

【図５】本発明の一実施の形態における液晶素子の構造
を示す図

【図６】本発明の実施の形態２による液晶素子の電極パ
ターンの構成図

【図７】本発明の実施の形態３による液晶素子の電極パ
ターンの構成図

【図８】従来の液晶素子の電極パターンの構成図

【図９】図８の液晶素子を搭載した光ピックアップ装置
の構成図

【符号の説明】

１、２、３、４、５、６、７、８、９、３１、３２領
域１０液晶１０ａ、１０ｂ、１０ｃ液晶電極パターン１１、１２、１３ガラス基板１５半導体レーザ１６、２６、３６ビームスプリッタ（ＢＳ）１７コリメータレンズ１８立ち上げミラー１９、２５液晶素子２０対物レンズ２１検出レンズ２２検出器２７短波長光学ユニット２８長波長光学ユニット２９２波長光学ユニット３４反射ミラー３５ビーム成形プリズム５１低密度光ディスク（例えば長波長ＣＤ）５２高密度光ディスク（例えば短波長ＤＶＤ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D118 AA06 AA13 AA26 BA01 CA05 CD04 5D119 AA17 AA38 AA41 BA01 EC01 EC45 JA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対物レンズと液晶素子とを組み合わせて異
なる記録密度の光ディスクを記録・再生する光ピックア
ップ装置であって、前記液晶素子は合わせて５つの領域
を有し、それぞれの領域は、低密度光ディスク用小光束
径のうち半円の中心部分にそれぞれ配置された第２領域
と第３領域と、前記第２領域と前記第３領域との外周部
であって前記小光束径のほぼ半円部分に前記第２、第３
領域をそれぞれ内包するように配置された第４領域と第
５領域と、前記第２領域から前記第５領域の残余の領域
であって直径を含む第１領域とに分割され、前記第１領
域に含まれる直径の方向は補正しようとするチルト方向
と同じ方向に配置されていることを特徴とする光ピック
アップ装置。
【請求項２】前記前記第２領域と前記第３領域、および
前記第４領域と前記第５領域のそれぞれは前記第１領域
に含まれる直径の方向に対して対象に配置されているこ
とを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】基準電圧と、前記基準電圧に対して所定の
電位差を有する第１電圧と、前記第１電圧に対して絶対
値が等しく逆極性の第２電圧と、前記第１電圧よりも絶
対値の大きな第３電圧と、前記第３電圧に対して絶対値
が等しく逆極性の第４電圧とを生成する電圧印加手段を
有し、前記基準電圧を前記第１領域へ印加し、前記第１
電圧を前記第４領域へ印加し、前記第２電圧を前記第５
領域へ印加し、前記第３電圧を前記第２領域へ印加し、
前記第４電圧を前記第３領域へ印加することを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】前記液晶素子を２枚用いて前記第１領域に
含まれる直径の方向を互いに互いに直交する方向に貼り
合わせて構成したことを特徴とする請求項１から請求項
３のいずれか１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】対物レンズと液晶素子とを組み合わせて異
なる記録密度の光ディスクを記録・再生する光ピックア
ップ装置であって、前記液晶素子は合わせて７つの領域
を有し、それぞれの領域は、低密度光ディスク用小光束
径のうち半円の中心部分にそれぞれ配置された第２領域
と第３領域と、前記第２領域と前記第３領域との外周部
であって前記小光束径のほぼ半円部分に前記第２、第３
領域をそれぞれ内包するように配置された第４領域と第
５領域と、前記第４領域と前記第５領域との外周部であ
って、前記小光束径の外周部と高密度光ディスク用大光
束径との間のほぼ半周部分に配置された第６領域と第７
領域と、前記第２領域から前記第７領域の残余の領域で
あって直径を含む第１領域とに分割され、前記第１領域
に含まれる直径の方向は補正しようとするチルト方向と
同じ方向に配置されていることを特徴とする光ピックア
ップ装置。
【請求項６】前記前記第２領域と前記第３領域、前記第
４領域と前記第５領域、および前記第６領域と前記第７
領域のそれぞれは前記第１領域に含まれる直径の方向に
対して対象に配置されていることを特徴とする請求項５
記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】基準電圧と、前記基準電圧に対して所定の
電位差を有する第１電圧と、前記第１電圧に対して絶対
値が等しく逆極性の第２電圧と、前記第１電圧よりも絶
対値の大きな第３電圧と、前記第３電圧に対して絶対値
が等しく逆極性の第４電圧とを生成する電圧印加手段を
有し、前記基準電圧を前記第１領域へ印加し、前記第１
電圧を前記第４領域と前記第６領域とに印加し、前記第
２電圧を前記第５領域と前記第７領域とに印加し、前記
第３電圧を前記第２領域へ印加し、前記第４電圧を前記
第３領域へ印加することを特徴とする請求項５または請
求項６記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】前記液晶素子を２枚用いて前記第１領域に
含まれる直径の方向を互いに互いに直交する方向に貼り
合わせて構成したことを特徴とする請求項５から請求項
７のいずれか１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】対物レンズと液晶素子とを組み合わせて異
なる記録密度の光ディスクを記録・再生する光ピックア
ップ装置であって、前記液晶素子は合わせて９領域を有
し、それぞれの領域は、低密度光ディスク用小光束径の
うち半円の中心部分にそれぞれ配置された第２領域と第
３領域と、前記第２領域と前記第３領域との外周部であ
って前記小光束径のほぼ半円部分に前記第２、第３領域
をそれぞれ内包するように配置された第４領域と第５領
域と、前記第４領域と前記第５領域との外周部であっ
て、前記小光束径の外周部と高密度光ディスク用大光束
径との間のほぼ半周部分に配置された第６領域と第７領
域と、前記大光束径を含む領域のほぼ半周部分に配置さ
れた第８領域と第９領域と、前記第２領域から前記第９
領域の残余の領域であって直径を含む第１領域とに分割
され、前記第１領域に含まれる直径の方向は補正しよう
とするチルト方向と同じ方向に配置されていることを特
徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１０】前記前記第２領域と前記第３領域、前記
第４領域と前記第５領域、前記第６領域と前記第７領
域、および前記第８領域と前記第９領域のそれぞれは前
記第１領域に含まれる直径の方向に対して対象に配置さ
れていることを特徴とする請求項９記載の光ピックアッ
プ装置。
【請求項１１】基準電圧と、前記基準電圧に対して所定
の電位差を有する第１電圧と、前記第１電圧に対して絶
対値が等しく逆極性の第２電圧と、前記第１電圧よりも
絶対値の大きな第３電圧と、前記第３電圧に対して絶対
値が等しく逆極性の第４電圧とを生成する電圧印加手段
を有し、前記基準電圧を前記第１領域へ印加し、前記第
１電圧を前記第４領域と前記第６領域とに印加し、前記
第２電圧を前記第５領域と前記第７領域とに印加し、前
記第３電圧を前記第２領域と前記第９領域とに印加し、
前記第４電圧を前記第３領域と前記第８領域とに印加す
ることを特徴とする請求項９または請求項１０記載の光
ピックアップ装置。
【請求項１２】前記液晶素子を２枚用いて前記第１領域
に含まれる直径の方向を互いに互いに直交する方向に貼
り合わせて構成したことを特徴とする請求項９から請求
項１１のいずれか１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１３】請求項１から請求項１２のいずれか１に
記載の光ピックアップ装置を用いたことを特徴とする光
ディスク装置。