JP2002047575A - Automatic analyser and controller of electroless composite plating liquid - Google Patents

Automatic analyser and controller of electroless composite plating liquid

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JP2002047575A
JP2002047575A JP2001148561A JP2001148561A JP2002047575A JP 2002047575 A JP2002047575 A JP 2002047575A JP 2001148561 A JP2001148561 A JP 2001148561A JP 2001148561 A JP2001148561 A JP 2001148561A JP 2002047575 A JP2002047575 A JP 2002047575A
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宏治 門田
Kazunori Yoshikawa
一紀 吉川
Shinji Tachibana
真司 立花
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily, reliably and automatically analyze the metal ion concentration in an electroless composite plating liquid. SOLUTION: This automatic analyzer and controller for automatically analyzing the electroless composite plating liquid, and automatically controlling the plating liquid in an appropriate composition and/or use condition comprises a mechanism for measuring the transmissivity or the absorbance by at least two different wavelengths after the plating liquid is automatically introduced in an analysis cell for a method of measuring the concentration in the plating liquid of the metal component in the plating liquid by an absorptiometry and a mechanism for calculating the intended concentration from the measured value by an arithmetic operation, and displaying the result.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、無電解複合めっき
液の自動分析・管理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for automatically analyzing and managing an electroless composite plating solution.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】めっき
品質に対する要求は年々高度化しており、めっき液の適
切な管理は生産現場の大きな負担となっているが、他方
では、価格競争に伴うコスト削減努力の一環としてめっ
き処理の自動化が進んでおり、この結果として、めっき
液の自動管理装置は必要不可欠となりつつある。
2. Description of the Related Art The requirements for plating quality are increasing year by year, and proper management of plating solutions is a heavy burden on production sites. On the other hand, costs associated with price competition are high. As a part of the reduction efforts, the automation of the plating process is progressing, and as a result, an automatic plating solution management device is becoming indispensable.

【0003】特に近年のめっき産業において、無電解め
っき、特に無電解ニッケルめっきの需要は非常に多く、
広範な用途に用いられているが、この無電解めっきは電
気めっきに比べて非常に高い分析頻度が必要で、同時に
補給頻度も極めて高いため、早くから自動分析と自動補
給を組み合わせた液管理装置が開発され、実用化されて
いる。そして、無電解めっき設備の重要な要素として幅
広いユーザーに既に浸透している。
Particularly in the recent plating industry, the demand for electroless plating, particularly electroless nickel plating, is very high.
Although used for a wide range of applications, this electroless plating requires a very high analysis frequency compared to electroplating, and at the same time replenishment frequency is extremely high. Developed and put into practical use. And it has already penetrated a wide range of users as an important element of electroless plating equipment.

【0004】上述の装置に関する内容は、「めっき浴の
自動管理」(表面技術、Vol.34,No.6,19
83)や「無電解めっき浴の自動管理」(実務表面技
術、Vol.31,No.10,1984)などの文献
で解説されている。
[0004] The content of the above-mentioned apparatus is described in "Automatic Management of Plating Bath" (Surface Technology, Vol. 34, No. 6, 19).
83) and "Automatic Management of Electroless Plating Bath" (Practical Surface Technology, Vol. 31, No. 10, 1984).

【0005】めっき液には様々な成分が配合されている
が、自動液管理装置で分析する成分としては、例えば、
補給の目安とする成分やめっき品質を確保する上で最重
要な成分など、極く限定された成分のみを分析している
ことが多く、全成分を分析するのは皆無と言える。
[0005] Various components are blended in the plating solution. As components to be analyzed by the automatic solution management device, for example,
It is often the case that only very limited components such as components for replenishment and components most important for ensuring plating quality are analyzed, and it can be said that there is no analysis of all components.

【0006】もしも自動液管理装置では分析していない
が、定期的に分析する必要があるような成分が存在する
場合には、手分析を行い、必要があれば調整を行うこと
になるが、現実には、殆どの成分が全く分析及び管理は
されていない。
[0006] If the automatic liquid management device does not analyze, but there is a component that needs to be analyzed periodically, a manual analysis is performed and adjustment is performed if necessary. In reality, most components are not analyzed or controlled at all.

【0007】具体的に、無電解ニッケルめっき液の自動
液管理装置においても、分析される成分としてはNi濃
度とpHの二成分であることが多い。特に、無電解ニッ
ケルめっきではNi濃度の管理は最重要である。無電解
ニッケルめっきを行うと、Ni成分は消耗して徐々に濃
度が低下するので、Ni濃度を既定値に維持するために
Ni成分を逐次補給するが、このNi成分の補給量を目
安にその他の成分も比例的に補給して使用するのが一般
的な液管理手段となっている。言い換えると、全ての成
分を理想的に管理するための基準としてNi濃度が利用
されているわけで、液管理におけるNi濃度の分析精度
は非常に重要だと言える。
Specifically, in the automatic liquid management system for the electroless nickel plating solution, the analyzed components are often two components of Ni concentration and pH. In particular, in the electroless nickel plating, the management of the Ni concentration is the most important. When the electroless nickel plating is performed, the Ni component is consumed and the concentration gradually decreases. Therefore, the Ni component is sequentially replenished to maintain the Ni concentration at a predetermined value. It is a general liquid management means to use the components of the formula (1) proportionally. In other words, the Ni concentration is used as a standard for ideally managing all components, and it can be said that the analysis accuracy of the Ni concentration in liquid management is very important.

【0008】Ni濃度の分析方法としてはキレート滴定
法や吸光分析法が一般的であるが、現在、無電解ニッケ
ルめっきの自動液管理装置では吸光分析法が一般化して
いる。吸光分析法は、機器分析による組成分析の手段と
しては歴史的に非常に古く、溶液の色を比較することで
濃度を測定する比色法から、単色光に近い極めて狭い範
囲の波長の光を用いて吸光度を測定する分光光度法まで
様々な手法がある。その原理や解析手法などは、「機器
分析ガイドブック」(社団法人日本分析化学会編、丸善
(株)発行、平成8年7月10日)や「定量分析の実験
と計算」(高木誠司著、共立出版(株)発行、初版、昭
和36年11月5日)などで詳しく述べられている。具
体的に無電解ニッケルめっき液中のNi濃度を吸光分析
法で定量分析する場合には、可視光領域の緑色系の波長
における光の吸収度合いを測定している。
As a method of analyzing the Ni concentration, a chelate titration method and an absorption spectrometry are generally used. At present, however, the absorption spectrometry has been popularized in an automatic liquid management apparatus for electroless nickel plating. Absorption spectroscopy has historically been very old as a means of composition analysis by instrumental analysis. There are various methods up to the spectrophotometric method of measuring the absorbance using the method. The principle and analysis method are described in "Guidebook for Instrumental Analysis" (edited by The Japan Society for Analytical Chemistry, published by Maruzen Co., Ltd., July 10, 1996) and "Experiment and Calculation of Quantitative Analysis" (by Seiji Takagi) , Published by Kyoritsu Shuppan Co., Ltd., first edition, November 5, 1961). Specifically, when quantitatively analyzing the Ni concentration in the electroless nickel plating solution by an absorption spectrometry, the degree of light absorption at a green wavelength in the visible light region is measured.

【0009】無電解ニッケルめっき液には各種錯化剤が
配合されており、Ni成分はNi錯イオンとして存在
し、そのNi錯体は緑色系の波長範囲の光を強く吸収
し、この波長範囲での吸光度とNi濃度には良好な比例
関係が存在する。この特徴を利用して高精度に定量分析
が行われる。特定の波長範囲で測定を行うためには光を
分光する必要があるが、装置の多くは、干渉フィルター
で光を選択する手法を採用している。この他に、回折格
子やプリズムなどを用いたモノクロメーターを使って単
色光に極めて近い波長を得る方法もあるが、機構的に複
雑になり、比較的高価になること、また、従来の液管理
装置に要求されるNi濃度の分析精度において、それほ
ど高い分光度合いは必要なかったことから、殆ど使われ
ていない。
The electroless nickel plating solution contains various complexing agents. The Ni component exists as Ni complex ions, and the Ni complex strongly absorbs light in the green wavelength range. There is a good proportional relationship between the absorbance and the Ni concentration. Utilizing this feature, quantitative analysis is performed with high accuracy. In order to perform measurement in a specific wavelength range, it is necessary to split light, but many apparatuses employ a method of selecting light with an interference filter. In addition, there is a method to obtain a wavelength very close to monochromatic light by using a monochromator using a diffraction grating or a prism, etc., but it is mechanically complicated and relatively expensive. Since the analysis accuracy of the Ni concentration required for the apparatus does not require a high degree of spectroscopy, it is hardly used.

【0010】無電解めっきに限定せずに、自動液管理装
置や液分析方法として吸光分析法を用いる事例は非常に
多く、特許調査においても多数の出願が認められる。し
かし、無電解複合めっき液の自動液管理装置における測
定方法に関する提案事例は殆ど認められない。
[0010] There are many cases in which absorption spectroscopy is used as an automatic liquid management device or liquid analysis method without being limited to electroless plating, and many applications have been found in patent searches. However, there are almost no proposals regarding a method of measuring an electroless composite plating solution in an automatic liquid management device.

【0011】上述したように、既に無電解めっき液の自
動液管理装置は実用化され、普及しているが、無電解複
合めっき液を管理する目的で、既存の液管理装置を流用
した場合、様々な問題が発生する。まず、無電解ニッケ
ルめっき液の場合、既存の装置ではNi濃度の測定方法
に吸光分析法を用いている場合が多い。その際、測定す
る光の波長はNi錯体に起因する光の吸収がある波長で
測定が行われる。その多くは、可視光領域(VIS,波
長範囲400〜750nm)における一つの波長におけ
る測定で行われている。
As described above, the automatic liquid management device for the electroless plating solution has already been put to practical use and spread, but when the existing solution management device is diverted for the purpose of managing the electroless composite plating solution, Various problems occur. First, in the case of an electroless nickel plating solution, existing devices often use an absorption spectroscopy method for measuring the Ni concentration. At that time, the wavelength of the light to be measured is measured at a wavelength at which light absorption caused by the Ni complex is absorbed. Most of them are measured by one wavelength in the visible light region (VIS, wavelength range of 400 to 750 nm).

【0012】しかし、複合めっき液を測定する場合に
は、入射する光は、直進して透過・吸収される光だけで
なく、懸濁粒子によって反射される光や回折・散乱され
る光が発生する。この懸濁粒子による反射光や回折・散
乱光は、見かけ上は透過光の減少となり、目的成分によ
る吸光により透過光が減少したものとは区別できず、結
果的に目的成分が多く存在するように誤認してしまう。
また、この懸濁粒子の影響度合いは懸濁粒子の種類、粒
度分布、濃度などで変化し、また、めっき液の様々な要
因でも変化し得る。例えば、めっき液を特定した場合に
は、懸濁粒子の影響は比較的安定するので一定値を濁度
による透過率の減少として見込んでおくことで、比較的
精度よく成分濃度を測定することも可能である。しか
し、無電解めっき液は使い込むことで組成が大きく変動
するため、その影響を補正する必要があり、一定値で濁
度の影響を見込んでおくことには限界がある。
However, when measuring the composite plating solution, the incident light includes not only light that travels straight and is transmitted and absorbed, but also light that is reflected by suspended particles and light that is diffracted and scattered. I do. The reflected light, diffracted and scattered light by these suspended particles is apparently a decrease in transmitted light, and cannot be distinguished from a decrease in transmitted light due to absorption by the target component, and as a result, a large amount of the target component is present. Misunderstood.
Further, the degree of influence of the suspended particles varies depending on the type, particle size distribution, concentration, etc. of the suspended particles, and may also vary depending on various factors of the plating solution. For example, when a plating solution is specified, the effect of suspended particles is relatively stable, so that a constant value is expected as a decrease in transmittance due to turbidity, so that component concentrations can be measured relatively accurately. It is possible. However, since the composition of the electroless plating solution changes greatly when it is used, it is necessary to correct the effect, and there is a limit in considering the effect of turbidity at a constant value.

【0013】また、特異な不良が発生した場合、例え
ば、微粒子が特異的な飛び込み成分で分散不良を起こし
た場合は、濁度が著しく変化して目的成分の分析結果に
大きな誤差を生じる。また、同様の不具合として、めっ
き液のサンプリング機構が不調で、均一に微粒子が分散
しためっき液が採取できない状況が発生した場合にも、
重大で致命的な分析誤差が発生する懸念がある。
In addition, when a specific defect occurs, for example, when fine particles cause a poor dispersion due to a specific dive component, the turbidity significantly changes and a large error occurs in the analysis result of the target component. Also, as a similar problem, when a situation occurs in which the plating solution sampling mechanism is malfunctioning and a plating solution in which fine particles are uniformly dispersed cannot be collected.
There is a concern that serious and fatal analysis errors may occur.

【0014】従来装置における分析手法のままでは、必
要とする精度と信頼性を確保することは、実質的に不可
能であると言える。このように無電解複合めっき液の分
析における問題を解決する手段には幾つかあるが、それ
ぞれ欠点がある。
It can be said that it is substantially impossible to secure the required accuracy and reliability by using the analysis method of the conventional apparatus. As described above, there are several means for solving the problems in the analysis of the electroless composite plating solution, but each has a drawback.

【0015】例えば、めっき液に分散する微粒子をフィ
ルターレーションや沈降、遠心分離などで分離してから
測定する方法は、分離を連続的又は断続的に行うための
機構に困難さやコストデメリットが伴うほか、分析に伴
いめっき液が浪費されることから液調整がかなり難しく
なる。また、分析方法をキレート滴定法で分析する方法
もあるが、装置がかなり複雑化し、加えて、精度確保に
はかなり精密で信頼性の高いサンプリング装置が必要に
なる。しかも、分析による廃液が多量に発生したり、指
示薬や滴定液などの分析用の消耗薬品が必要であるな
ど、吸光分析法と比較してマイナス因子がかなり多くあ
る。
For example, a method of measuring fine particles dispersed in a plating solution after separating them by filtration, sedimentation, or centrifugal separation involves difficulties and cost disadvantages in a mechanism for performing the separation continuously or intermittently. In addition, since the plating solution is wasted in the analysis, the solution adjustment becomes considerably difficult. In addition, there is a method in which the analysis is performed by a chelate titration method. However, the apparatus is considerably complicated, and in addition, a highly accurate and highly reliable sampling apparatus is required to secure the accuracy. In addition, there are considerably more negative factors compared with the absorption spectrometry, such as the generation of a large amount of waste liquid due to analysis, and the need for analytical consumables such as indicators and titrants.

【0016】従来の一般的な無電解めっき液の自動分析
・管理装置のように、めっき液を分析用に加工したり、
浪費することなく、極力そのままで測定し、めっき槽に
戻す循環サイクルとすることが理想的な方法と言える。
The plating solution can be processed for analysis like a conventional general electroless plating solution automatic analysis and management device.
It can be said that an ideal method is to use a circulation cycle in which measurement is performed as it is without wasting as much as possible and the measurement is returned to the plating tank.

【0017】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、無電解複合めっき液、特に無電解複合ニッケルめっ
き液中のNi濃度を分析する手法において、フッ素樹脂
(PTFE、FEP、PFA、TFEオリゴマーな
ど)、フッ化黒鉛(CFx)、グラファイト、アルミナ
(Al23)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(B
N)などに代表される懸濁粒子が存在するため分析精度
が低下する問題を解決し、実用上十分な分析精度を確保
することができ、しかも安価な無電解複合めっき液の自
動分析・管理装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is directed to a method for analyzing the concentration of Ni in an electroless composite plating solution, particularly an electroless composite nickel plating solution, using a fluororesin (PTFE, FEP, PFA, TFE oligomer). Fluorinated graphite (CF x ), graphite, alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), boron nitride (B
N) solves the problem of reduced analysis accuracy due to the presence of suspended particles, and can secure practically sufficient analysis accuracy, and also automatically analyzes and manages inexpensive electroless composite plating solutions It is intended to provide a device.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、無電解めっき液に、フッ素樹脂微粒子をは
じめ、フッ化黒鉛、グラファイト、アルミナ、炭化ケイ
素、窒化ホウ素などの微粒子を分散させた無電解複合め
っき液を自動分析し、更に、その分析結果に基づいて自
動で補給や液調整を行う自動分析・管理装置において、
必要な分析精度を確保するための分析方法及び装置上の
各種工夫を提供するもので、上述したように、無電解複
合めっき液中の析出金属イオンの濃度を吸光光度法によ
り定量分析する上で障害となっている主な要因は、共析
させるためにめっき液中に分散させている微粒子による
濁りである。この問題を解決する方法として、特徴的な
二つ以上の測定波長で吸光度測定を行い、得られた値を
連立方程式により演算処理することで目的とする析出金
属イオン濃度を必要な精度で導き出すことができるこ
と、更にこの方法に基づいて自動分析・管理装置を作り
上げる中で、測定誤差を生ずる様々な問題が生じたが、
この対策として特徴的なめっき液のサンプリング機構や
測定条件、装置の動作条件などの工夫を行うことにより
問題を解決できるとの知見が得られたことから、本発明
をなすに至った。
According to the present invention, in order to achieve the above object, fine particles such as fluorine resin fine particles, graphite fluoride, graphite, alumina, silicon carbide, and boron nitride are dispersed in an electroless plating solution. In the automatic analysis and management device that automatically analyzes the electroless composite plating solution that has been made and further replenishes and adjusts the solution automatically based on the analysis result,
It provides various methods on the analysis method and apparatus to ensure the necessary analysis accuracy, and as described above, for quantitatively analyzing the concentration of precipitated metal ions in the electroless composite plating solution by an absorption spectrophotometric method. The main obstacle is the turbidity of the fine particles dispersed in the plating solution for eutectoid deposition. As a method to solve this problem, absorbance is measured at two or more characteristic measurement wavelengths, and the obtained value is calculated using simultaneous equations to derive the target deposited metal ion concentration with the required accuracy. In developing an automatic analyzer / management device based on this method, there were various problems that caused measurement errors.
As a result, it has been found that the problem can be solved by devising a characteristic plating solution sampling mechanism, a measuring condition, an operating condition of the apparatus, and the like, and the present invention has been accomplished.

【0019】従って、本発明は、下記の無電解複合めっ
き液の自動分析・管理装置を提供する。 請求項1:無電解複合めっき液を自動分析し、適切な液
組成及び/又は使用条件に自動管理する装置において、
めっき液中の金属成分の液中濃度を吸光光度法により測
定する手法として、自動でめっき液を分析セル内に導入
した後、少なくとも二つ以上の異なる波長で透過率又は
吸光度を測定する機構と、その測定値から目的とする濃
度を演算処理により算出して結果を表示する機構とを備
えていることを特徴とする無電解複合めっき液の自動分
析・管理装置。 請求項2:測定波長の少なくとも一つの波長が半値幅1
〜100nm以下に分光されていることを特徴とする請
求項1記載の自動分析・管理装置。 請求項3:測定波長の組み合わせが、少なくとも一つの
測定波長として250〜350nm又は450〜550
nmの波長範囲を選択し、この波長と重複しないその他
の測定波長として、その少なくとも一つの測定波長とし
て350〜450nm又は550〜800nmの波長範
囲を選択した組み合わせであることを特徴とする請求項
1又は2記載の自動分析・管理装置。 請求項4:分析セル内にめっき液を自動で導入した後、
透過率又は吸光度の測定を開始するまでに15秒以上の
静置時間を確保するように測定タイムテーブルが設定さ
れていることを特徴とする請求項1,2又は3記載の自
動分析・管理装置。 請求項5:定期的に分析セル内に純水を導入して分析セ
ル内を洗浄すると共に、セル内にこの純水を満たした状
態で設定している測定波長において透過率又は吸光度の
測定を行う機能を有し、その後同様の純水での測定を行
うまでの時間内に実施されるめっき液での透過率又は吸
光度の測定値に対してこれらの測定値を100%透過率
又は吸光度ゼロの基準値として用いることを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか1項記載の自動分析・管理装
置。 請求項6:分析セルにめっき液を導入するサンプリング
経路の途中に、サンプリング配管の断面積よりも2倍以
上の断面積を有する垂直方向に長いめっき液滞留部分を
有し、そのめっき液滞留部分の入口を上部に設け、出口
を下部に設けることにより、めっき液に抱き込まれてき
た微細な泡を分析セル内に持ち込まないためのトラップ
機構を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のい
ずれか1項記載の自動分析・管理装置。 請求項7:無電解複合めっき液が無電解複合ニッケルめ
っき液であり、このめっき液中のニッケル成分を測定す
るようにした請求項1乃至6のいずれか1項記載の自動
分析・管理装置。
Therefore, the present invention provides the following automatic analyzer and controller for electroless composite plating solution. Claim 1: In an apparatus for automatically analyzing an electroless composite plating solution and automatically managing to an appropriate solution composition and / or use conditions,
As a method of measuring the concentration of the metal component in the plating solution by the absorption spectrophotometry, a mechanism for automatically measuring the transmittance or the absorbance at at least two or more different wavelengths after automatically introducing the plating solution into the analysis cell. A mechanism for calculating a target concentration from the measured value by arithmetic processing and displaying the result, and an automatic analysis and management device for the electroless composite plating solution. In another embodiment, at least one of the measured wavelengths has a half width of 1.
2. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein the spectrum is separated to a wavelength of 100 nm or less. Claim 3: The combination of measurement wavelengths is at least one measurement wavelength of 250 to 350 nm or 450 to 550.
2. A combination in which a wavelength range of nm is selected and a wavelength range of 350 to 450 nm or 550 to 800 nm is selected as at least one measurement wavelength as another measurement wavelength not overlapping with this wavelength. Or the automatic analysis / management device according to 2. Claim 4: After the plating solution is automatically introduced into the analysis cell,
4. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein the measurement timetable is set so as to secure a standing time of 15 seconds or more before starting measurement of transmittance or absorbance. . Claim 5: Periodically introducing pure water into the analysis cell to wash the inside of the analysis cell, and measuring transmittance or absorbance at a measurement wavelength set in a state where the cell is filled with the pure water. It has a function to perform these measurements, and then compares these measured values with 100% transmittance or zero absorbance with respect to the measured values of the transmittance or absorbance of the plating solution performed within the time until the same measurement with pure water is performed thereafter. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein the automatic analysis / management apparatus is used as a reference value. In a sixth aspect of the present invention, there is provided a vertically long plating solution retaining portion having a cross-sectional area twice or more as large as the cross-sectional area of the sampling pipe in a sampling path for introducing the plating solution into the analysis cell, and the plating solution retaining portion. A trap mechanism for preventing fine bubbles embodied in the plating solution from being brought into the analysis cell by providing an inlet at an upper portion and an outlet at a lower portion. 6. The automatic analysis / management apparatus according to any one of items 5 to 5. In a preferred embodiment, the electroless composite plating solution is an electroless composite nickel plating solution, and the nickel component in the plating solution is measured.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態及び実施例】本発明の無電解複合め
っき液の自動分析・管理装置は、めっき液中の金属成分
の液中濃度を吸光光度法により測定する手法として、自
動でめっき液を分析セル内に導入した後、少なくとも二
つ以上の異なる波長で透過率又は吸光度を測定する機構
と、その測定値から目的とする濃度を演算処理により算
出して結果を表示する機構とを備えているものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The apparatus for automatically analyzing and controlling an electroless composite plating solution according to the present invention is a method for automatically measuring the concentration of a metal component in a plating solution by an absorption spectrophotometry. After introducing into the analysis cell, a mechanism for measuring the transmittance or absorbance at at least two or more different wavelengths, and a mechanism for calculating the target concentration from the measured value by arithmetic processing and displaying the result Is what it is.

【0021】ここで、本発明が対象とする無電解複合め
っき液としては、無電解めっき液に水不溶性の複合材粒
子を分散させたもので、無電解めっき液としては、次亜
りん酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等のホウ素系
還元剤などを還元剤に用いた無電解ニッケルめっき液、
無電解ニッケル−コバルトめっき液、無電解コバルトめ
っき液、無電解銅めっき液などを例示することができ
る。また、複合材としては、フッ素樹脂(PTFE、F
EP、PFA、TFEオリゴマーなど)、フッ化黒鉛
(CFx)、グラファイト、アルミナ(Al23)、炭
化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(BN)などが例示さ
れる。このような無電解複合めっき液として、公知の液
組成のもの、市販浴を用いることができる。
The electroless composite plating solution to which the present invention is applied is a dispersion of water-insoluble composite material particles in the electroless plating solution, and the electroless plating solution is sodium hypophosphite. , An electroless nickel plating solution using a boron-based reducing agent such as dimethylamine borane as a reducing agent,
Examples include an electroless nickel-cobalt plating solution, an electroless cobalt plating solution, and an electroless copper plating solution. Further, as a composite material, a fluororesin (PTFE, F
Examples thereof include EP, PFA, and TFE oligomers), graphite fluoride (CF x ), graphite, alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), and boron nitride (BN). As such an electroless composite plating solution, those having a known composition and a commercially available bath can be used.

【0022】この場合、特に本発明は、無電解複合ニッ
ケルめっき液中のニッケル成分の測定に好適に採用され
る。ここで、測定に供される無電解複合ニッケルめっき
液組成は、限定されるものではないが、一例を挙げる
と、Niイオン濃度が1〜10g/L、特に3〜7g/
L、フッ素樹脂等の複合材粒子が30g/L以下、特に
10g/L以下で含まれるものが好適に用いられる。な
お、複合材粒子の含有量の下限値は特に制限されない
が、通常0.5g/L以上、特に1g/L以上である。
その還元剤は次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩で
あることが好ましく、その濃度が5〜50g/L、特に
10〜30g/Lであり、まためっきの進行により次亜
リン酸塩が酸化することによって生じる亜リン酸ナトリ
ウム等の亜リン酸塩が0〜300g/L、特に0〜20
0g/Lの広い範囲で蓄積した無電解複合ニッケルめっ
き液に対して本発明法は有効に採用される。なお、この
無電解複合ニッケルめっき液のpHは、通常3〜9、特
に4〜8である。
In this case, the present invention is particularly suitably employed for measuring the nickel component in the electroless composite nickel plating solution. Here, the composition of the electroless composite nickel plating solution to be subjected to the measurement is not limited. For example, the Ni ion concentration is 1 to 10 g / L, particularly 3 to 7 g / L.
Those containing 30 g / L or less, especially 10 g / L or less of composite material particles such as L and fluororesin are preferably used. In addition, the lower limit of the content of the composite material particles is not particularly limited, but is usually 0.5 g / L or more, particularly 1 g / L or more.
The reducing agent is preferably a hypophosphite such as sodium hypophosphite, the concentration of which is 5 to 50 g / L, particularly 10 to 30 g / L. Phosphites, such as sodium phosphite, generated by oxidation of
The method of the present invention can be effectively applied to the electroless composite nickel plating solution accumulated in a wide range of 0 g / L. The pH of the electroless composite nickel plating solution is usually 3 to 9, particularly 4 to 8.

【0023】本発明においては、上記無電解複合めっき
液中の金属成分、例えば無電解複合ニッケルめっき液の
場合であればNi成分を分析するに際し、二つ以上の互
いに異なる波長で透過率又は吸光度を測定する。即ち、
無電解複合ニッケルめっき液の場合であれば、吸光度を
測定する光の波長として、Ni濃度を測定する波長(例
えば660nm)とそれよりも短い波長領域の特定範囲
の波長(例えば520nm)での測定を組み合わせた方
法を採用する。
In the present invention, when analyzing a metal component in the electroless composite plating solution, for example, a Ni component in the case of an electroless composite nickel plating solution, transmittance or absorbance at two or more different wavelengths is analyzed. Is measured. That is,
In the case of an electroless composite nickel plating solution, measurement is performed at a wavelength (for example, 660 nm) for measuring the Ni concentration and a wavelength within a specific range (for example, 520 nm) of a shorter wavelength region as the wavelength of the light for measuring the absorbance. Is adopted.

【0024】以下、還元剤として次亜りん酸ナトリウ
ム、複合材粒子としてポリテトラフルオロエチレン(P
TFE)粒子を用いた無電解複合ニッケルめっき液(無
電解Ni−P/PTFE複合めっき液)を代表例とし
て、二つ以上の波長で測定する方法とその効果について
説明する。
Hereinafter, sodium hypophosphite is used as a reducing agent, and polytetrafluoroethylene (P
A method of measuring at two or more wavelengths and its effect will be described by taking a non-electrolytic composite nickel plating solution (TFE) particles using electroless (Ni-P / PTFE composite plating solution) as a representative example.

【0025】図1〜3は、無電解Ni−P/PTFE複
合めっき液として、上村工業(株)から市販されている
商標名「ニムフロン」という無電解Ni−P/PTFE
複合めっき薬品を用いて、Ni濃度やPTFE濃度を意
図的に変更したサンプル液を作成し、それを吸光光度法
で測定した際に得られた吸収パターンの代表例である。
FIGS. 1 to 3 show electroless Ni-P / PTFE having a trade name of "Nimflon" commercially available from Uemura Kogyo KK as an electroless Ni-P / PTFE composite plating solution.
This is a representative example of an absorption pattern obtained when a sample solution in which the Ni concentration or the PTFE concentration is intentionally changed using a composite plating chemical is measured and measured by an absorptiometry.

【0026】図1では、PTFE粒子をめっき液に与え
るための薬品である「ニムフロンF」というスラリー状
にしたPTFE溶液(固形分濃度約66wt%)を加え
ないめっき液において、Ni濃度を段階的に変更しため
っき液で得られた吸収パターンをまとめたものである。
ここにおいて、Ni濃度の増加と共に350〜450n
m及び550〜800nmの波長範囲で吸光度が比例的
に増加している。
In FIG. 1, the Ni concentration of the plating solution without adding a slurry of PTFE solution (solid content: about 66 wt%) called “Nimflon F”, which is a chemical for giving PTFE particles to the plating solution, is gradually increased. 9 is a summary of the absorption patterns obtained with the plating solution changed to.
Here, 350-450 n with increasing Ni concentration.
m and the absorbance are proportionally increased in the wavelength range of 550 to 800 nm.

【0027】一方、図2は、Ni濃度0g/Lとして、
ニムフロンF(スラリー状PTFE溶液)を段階的に濃
度変更しためっき液で得られた吸収パターンをまとめた
ものである。PTFE濃度の増加と共に測定した全ての
波長範囲において吸光度が比例的に増加しており、特に
特徴的なのは短い波長になるにつれて吸光度の増加傾向
が加速度的に増加していることである。
On the other hand, FIG. 2 shows the case where the Ni concentration is 0 g / L.
It is a compilation of absorption patterns obtained with a plating solution in which Nimflon F (a slurry-like PTFE solution) is stepwise changed in concentration. Absorbance increases proportionately in all wavelength ranges measured with increasing PTFE concentration, and the characteristic feature is that the increasing tendency of absorbance increases at shorter wavelengths.

【0028】図3は、Ni濃度5g/Lで一定として図
2の場合と同じく、ニムフロンF(スラリー状PTFE
溶液)を段階的に変更しためっき液で得られた吸収パタ
ーンをまとめたものである。図1で見られたようにNi
に起因する吸収が350〜450nm及び550〜80
0nmの波長範囲で認められるが、PTFE濃度の増加
と共に測定した全ての波長範囲において吸光度が比例的
に増加しており、短い波長になるにつれて吸光度が加速
度的に増加する特徴的な傾向も認められた。
FIG. 3 shows a case in which Nimflon F (slurry PTFE) is used as in FIG.
2) is a collection of absorption patterns obtained with a plating solution in which the solution is changed stepwise. As seen in FIG.
Absorptions of 350 to 450 nm and 550 to 80
Although the absorbance is observed in the wavelength range of 0 nm, the absorbance is proportionally increased in all the wavelength ranges measured with the increase of the PTFE concentration, and a characteristic tendency that the absorbance is acceleratedly increased as the wavelength becomes shorter is also observed. Was.

【0029】この図3の吸収パターンは、Ni濃度5g
/Lの無電解めっき液の吸収パターンにPTFE濃度変
化に伴う図2にあるような吸収パターンを合算した吸収
パターンとして理解することができる。このことをより
正確に把握するため、例として、400nmと520n
mにおいて測定された吸光度について、Ni濃度又はニ
ムフロンF濃度(又はPTFE濃度)に対しての関係で
まとめたものが図4〜7である。これにより、吸光度の
変化はNi濃度及びPTFE濃度の双方に対して極めて
良好な比例関係があり、所謂、任意のNi濃度と粒子濃
度における吸光度はめっき液中の金属イオン濃度及び分
散粒子による濁度の合算として理解できることが確認さ
れた。そして、このことから事前に双方の特徴を把握す
るための測定(検量線作成)を行っておけば濁度の悪影
響を回避して、目的とするNi濃度が測定可能となるこ
とが示唆された。
The absorption pattern shown in FIG.
It can be understood as an absorption pattern obtained by adding the absorption pattern as shown in FIG. 2 with the PTFE concentration change to the absorption pattern of the / L electroless plating solution. In order to grasp this more accurately, for example, 400 nm and 520 n
4 to 7 summarize the absorbance measured at m in relation to the Ni concentration or Nimflon F concentration (or PTFE concentration). As a result, the change in absorbance has a very good proportional relationship to both the Ni concentration and the PTFE concentration, and the so-called absorbance at any Ni concentration and particle concentration is determined by the metal ion concentration in the plating solution and the turbidity due to the dispersed particles. It was confirmed that it could be understood as the sum of From this, it was suggested that if measurement (calibration curve creation) for grasping both characteristics was performed in advance, the adverse effect of turbidity could be avoided and the target Ni concentration could be measured. .

【0030】しかし、無電解複合めっきにおいて、分散
粒子の濃度やその濁度は事前の設定条件以外の要因、例
えば、めっき液を使い込むことやサンプリングの状況な
どの様々な要因で変動するため、測定時においてある程
度の正確さで随時把握して演算処理に反映させなければ
誤差が大きくなる。この方法として、二つ以上の波長条
件において測定された結果をもとに、二つの未知の値で
あるNi濃度と分散粒子の存在に由来する濁度を連立方
程式を解くことで導き出すという本発明の基礎となる方
法が必要となるわけである。
However, in the electroless composite plating, the concentration of the dispersed particles and the turbidity thereof vary depending on factors other than the preset conditions, for example, various factors such as the use of a plating solution and sampling conditions. Unless it is grasped at any time with a certain degree of accuracy and reflected in the arithmetic processing, an error increases. As a method of the present invention, two unknown values, Ni concentration and turbidity derived from the presence of dispersed particles, are derived by solving simultaneous equations based on the results measured under two or more wavelength conditions. A method that is the basis for

【0031】そこで、図1〜7の測定結果を用いて、様
々な測定波長の組み合わせによる検量線を作成し、任意
のめっき液を想定した際の誤差の発生度合いを検討し
た。その結果、Ni濃度の変動や濁度の変動に対して必
要な精度でNi濃度を算出することができる組み合わせ
として、まず、二つの測定波長で測定を行う方法として
は、第1波長として、Niの吸収がある350〜450
nm又は550〜800nmの波長範囲、より好ましく
は370〜430nm又は600〜770nm、最も好
ましくは390〜410nm又は640〜740nmの
波長範囲の中の任意の波長での測定と、第1波長とは重
複しない第2波長として250〜350nm又は450
〜550nmの波長範囲、より好ましくは275〜33
5nm又は480〜535nm、最も好ましくは300
〜320nm又は500〜535nmの波長範囲の中の
任意の波長での測定を組み合わせることが、誤差の発生
を小さくできる波長の組み合わせであることがわかっ
た。
Then, using the measurement results of FIGS. 1 to 7, a calibration curve was prepared by combining various measurement wavelengths, and the degree of occurrence of an error when an arbitrary plating solution was assumed was examined. As a result, as a combination capable of calculating the Ni concentration with the required accuracy with respect to the fluctuation of the Ni concentration and the fluctuation of the turbidity, first, as a method of measuring at two measurement wavelengths, the first wavelength is Ni 350-450 with absorption
measurement at any wavelength in the wavelength range of 370-430 nm or 600-770 nm, more preferably 390-410 nm or 640-740 nm, and the first wavelength overlaps with the first wavelength. 250 to 350 nm or 450 as the second wavelength
550 nm, more preferably 275-33.
5 nm or 480-535 nm, most preferably 300
It has been found that combining measurement at an arbitrary wavelength within the wavelength range of 320320 nm or 500-535 nm is a combination of wavelengths that can reduce the occurrence of errors.

【0032】ここで、本発明においては、無電解複合め
っき液の金属イオン、例えばニッケルイオン濃度を一定
とし、複合材、例えばPTFE濃度の異なる複数種(好
ましくは3種以上、より好ましくは4種以上)のめっき
液について、第1波長WL1の吸光度A1と第2波長WL
2の吸光度A2をそれぞれ測定し、吸光度A1とA2との関
係から下記の関係式を求める(なお、A1>A2とす
る)。 y=αx+β x:第1波長の吸光度 y:第2波長の吸光度 α,β:係数
Here, in the present invention, the concentration of metal ions, for example, nickel ions, of the electroless composite plating solution is kept constant, and a plurality of composite materials, for example, PTFE having different PTFE concentrations (preferably 3 or more, more preferably 4 types) are used. the plating solution described above), and absorbance a 1 of the first wavelength WL 1 second wavelength WL
2 of absorbance A 2 were measured to determine the following relationship from the relationship between the absorbance A 1 and A 2 (It is assumed that A 1> A 2). y = αx + β x: Absorbance at the first wavelength y: Absorbance at the second wavelength α, β: Coefficient

【0033】一方、上記無電解複合めっき液の金属イオ
ン、例えばニッケルイオン濃度を変化させ、複合材、例
えばPTFE濃度も種々変化させた複数種(好ましくは
3種以上、より好ましくは6種以上)のめっき液につい
て、同様に吸光度A1及びA2を測定し、K値と金属イオ
ン濃度との関係から下記の関係式を求める。 M=γK−δ M:金属イオン濃度 K:第1波長の吸光度−α×第2波長の吸光度 γ,δ:係数
On the other hand, a plurality of types (preferably three or more, more preferably six or more) in which the concentration of metal ions, for example, nickel ions, of the electroless composite plating solution is changed and the concentration of composite materials, for example, PTFE, are also variously changed. Similarly, the absorbances A 1 and A 2 are measured for the plating solution of, and the following relational expression is obtained from the relation between the K value and the metal ion concentration. M = γK−δ M: Metal ion concentration K: Absorbance at the first wavelength−α × Absorbance at the second wavelength γ, δ: Coefficient

【0034】このようにして得られるK値と金属イオン
濃度との関係式から、第1及び第2波長の吸光度を測定
することにより、金属イオン濃度が求められるものであ
る。
From the relational expression between the K value and the metal ion concentration thus obtained, the metal ion concentration is determined by measuring the absorbance at the first and second wavelengths.

【0035】合金系の複合めっき液の場合、さらに第1
の金属イオンに対しこれと合金化する第2の金属イオン
を加えた関係式を予め求めておくことで、これら金属イ
オン濃度が求められる。例えば第3の波長を設定し、第
2の金属イオンによる吸光度への影響を加えた関係式と
して求めることができる。
In the case of an alloy-based composite plating solution, the first
By previously calculating a relational expression in which a second metal ion to be alloyed with this metal ion is added to these metal ions, the concentration of these metal ions can be obtained. For example, the third wavelength can be set, and can be obtained as a relational expression in which the influence on the absorbance by the second metal ion is added.

【0036】また、銅やコバルトの複合めっき液の場合
は、ニッケルのときと同様に、銅やコバルトについて吸
収のある波長と銅やコバルトについて吸収のない波長と
を適宜選択することで、金属イオン濃度を精度良く分析
できる。銅の場合、2価の銅イオンに変換することが好
ましい。
In the case of a composite plating solution of copper or cobalt, as in the case of nickel, by appropriately selecting a wavelength that absorbs copper or cobalt and a wavelength that does not absorb copper or cobalt, the metal ion The concentration can be analyzed with high accuracy. In the case of copper, conversion to bivalent copper ions is preferred.

【0037】また、実際に装置を実用化する際に特定の
波長で測定するために分光が必要となるが、その方法と
して干渉フィルターを用いるのが最も安価でシンプルな
装置構造とすることができる。しかし、干渉フィルター
を用いて分光を行う方法では分光精度が問題となり、分
光された光はある程度波長に幅が生じる。これは干渉フ
ィルターの波長の半値幅として表現され、品質の一つで
ある。この半値幅が狭いものほど高価なフィルターとな
ることから、安価な装置を提供しようとすると半値幅の
比較的広い干渉フィルターを選択できるかどうかが重要
となる。そこで、本発明を実用化する上で、十分な分析
精度を確保するために必要な干渉フィルターの品質とし
て、半値幅がどの程度影響するかについても検討した。
その結果、先に述べた二つの測定波長の範囲の中で、最
も好ましい波長範囲の任意の波長を中心値とする干渉フ
ィルターを想定すれば、半値幅100nm以下であれば
分析誤差は許容できることがわかったが、好ましくは半
値幅50nm以下、最も好ましくは20nm以下である
こともわかった。
Further, when the device is actually put into practical use, spectroscopy is required for measuring at a specific wavelength, and the use of an interference filter as the method can provide the most inexpensive and simple device structure. . However, in the method of performing spectroscopy using an interference filter, the spectral accuracy becomes a problem, and the spectrally separated light has a certain wavelength range. This is expressed as the half width of the wavelength of the interference filter, and is one of the qualities. Since a filter having a smaller half width is more expensive, it is important to select an interference filter having a relatively wide half width in order to provide an inexpensive device. Therefore, to put the present invention into practical use, the extent to which the half-value width affects the quality of the interference filter necessary to secure sufficient analysis accuracy was also examined.
As a result, assuming an interference filter having a center value at an arbitrary wavelength in the most preferable wavelength range among the two measurement wavelength ranges described above, an analysis error may be acceptable if the half width is 100 nm or less. It has been found that the half width is preferably 50 nm or less, and most preferably 20 nm or less.

【0038】また、後述する装置の吸光度測定ユニット
を使って実証テストを進めた中で、1nm未満の極めて
狭い半値幅の干渉フィルターを用いた場合は、十分な光
量が確保できなかった。この対策には、必然的に受光部
の性能アップや光源の光量アップなどコストがかかるこ
とから、干渉フィルターの半値幅を無用に狭くするのは
フィルター自身のコストアップ以外でも装置コストを引
き上げる要因となることが明らかとなった。半値幅の下
限値としては1nm以上が適当で、より好ましくは5n
m以上、最も好ましくは10nm以上と判断されたもの
である。
Further, during the demonstration test using the absorbance measurement unit of the apparatus described later, when an interference filter having an extremely narrow half-width of less than 1 nm was used, a sufficient amount of light could not be secured. This measure inevitably involves costs such as an increase in the performance of the light-receiving unit and an increase in the amount of light from the light source. It became clear that it became. The lower limit of the half width is suitably 1 nm or more, more preferably 5n.
m, most preferably 10 nm or more.

【0039】次に、本発明装置の一例につき図8及び図
9を参照して説明する。
Next, an example of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0040】図8,9において、Aは演算処理や各種動
作指示を司る制御部、Bは濃度測定部であり、この測定
部Bで測定された無電解複合めっき液の分析値が上記制
御部Aに伝達され、この分析値を演算し、それに応じた
所定の動作指示がめっき装置に与えられるものである。
In FIGS. 8 and 9, A is a control unit for performing arithmetic processing and various operation instructions, and B is a concentration measurement unit. The analysis value of the electroless composite plating solution measured by this measurement unit B is used for the control unit. A, the analysis value is calculated, and a predetermined operation instruction corresponding to the analysis value is given to the plating apparatus.

【0041】なお、上記制御部Aには、コンピュータが
内蔵され、これにより上述したように演算処理や各種動
作指示などを行うほか、分析結果や装置の動作状況など
が随時表示される表示機構を有し、また装置の動作条件
の設定や手動操作なども含めて制御条件設定をこの部分
で行うことができるようになっている。更に、この制御
部に通信ポートを介してパソコンを接続すると、専用ソ
フトで分析結果のデータ処理や動作環境から動作指示な
ど主な制御を全てパソコンから行うことも可能にし得る
ものであり、各種補給ユニットやめっき温度を制御する
温度調節器との通信などを、複数同時に制御する通信ラ
インなどを接続することもできる。
The control section A has a built-in computer, which performs arithmetic processing and various operation instructions as described above, and also has a display mechanism for displaying the analysis results and the operation status of the apparatus as needed. In addition, the control condition setting including the setting of the operation condition of the apparatus and the manual operation can be performed in this portion. Furthermore, if a personal computer is connected to this control unit via a communication port, it is possible to perform all main control such as data processing of analysis results and operation instructions from the operating environment using a dedicated software. A communication line or the like for controlling a plurality of units and communication with a temperature controller for controlling the plating temperature at the same time can also be connected.

【0042】上記測定部Bは、図9に示したように、吸
光度測定ユニット10及びpHセル12を具備する。p
Hセル12までの配管は内径3mmであり、pHセル1
2の内径は14mmとなっている。このpHセル12に
は、KCl飽和溶液を供給・貯蔵するカラム14が連結
されており、また温度センサー16を備える。この温度
センサー16のある箇所から吸光度セル10aを通らず
に配管されるチューブの内径は、吸光度セル10aへの
チューブ内径よりも大きくし、泡を含んだめっき液は吸
光度セル10aへ流通しにくくなっている。なお、上記
吸光度測定ユニット10には、図示していないが、吸光
度セル10aを挟んで一方には受光部、反対側には、セ
ル10a側から順に二次絞り、干渉フィルター、一次絞
り、光源ランプの順で配置された構造となっており、更
に、干渉フィルターは2種類を自動で精度よく自動切り
換えが可能なように、低速モーターの軸から扇状に2枚
のフィルターを極力短い軸で固定した状態で配置されて
おり、モーターが正転及び逆転することで光路内の所定
の位置にいずれか一方のフィルターを移動させて停止す
るような仕組みを備えている。
The measuring section B has an absorbance measuring unit 10 and a pH cell 12, as shown in FIG. p
The pipe to the H cell 12 has an inner diameter of 3 mm, and the pH cell 1
2 has an inner diameter of 14 mm. The pH cell 12 is connected to a column 14 for supplying and storing a saturated solution of KCl, and has a temperature sensor 16. The inner diameter of the tube that is piped from a certain location of the temperature sensor 16 without passing through the absorbance cell 10a is larger than the inner diameter of the tube to the absorbance cell 10a, and the plating solution containing bubbles is less likely to flow to the absorbance cell 10a. ing. Although not shown, the absorbance measurement unit 10 has a light receiving portion on one side of the absorbance cell 10a, and a secondary diaphragm, an interference filter, a primary diaphragm, a light source lamp on the opposite side in order from the cell 10a side. In addition, two filters are fixed in a fan shape from the axis of the low-speed motor with the axis as short as possible so that the two types of interference filters can be automatically and accurately switched automatically. It is arranged in a state, and has a mechanism in which one of the filters is moved to a predetermined position in the optical path and stopped by the forward and reverse rotation of the motor.

【0043】また、図9において、18はサンプリング
ポンプ、V1〜V8はそれぞれ電磁弁であり、電磁弁は
V1には純水供給部が、V2には第1サンプル供給部
が、V3には第2サンプル供給部が、V4にはpH4標
準溶液供給部が、V5にはpH7標準溶液供給部がそれ
ぞれ接続されていると共に、電磁弁V6はドレーンと、
V7は第1サンプル排出部と、V8は第2サンプル排出
部とそれぞれ接続されている。そして、上記電磁弁V1
〜V5及びV6〜V8を適宜開閉し、例えばV2,V7
を開き、他は閉じ、サンプリングポンプ18を作動させ
ると、第1サンプルが、第1めっき槽からV2を通りp
Hセル12内に流入、流通し、第1サンプルのpHが測
定されると共に、吸光度測定ユニット10に流入、流通
し、V7より第1めっき槽内へ流通する。サンプリング
ポンプ18を停止した後、660nmで吸光度を測定
し、その後吸光度ユニット10の干渉フィルターを切り
換えて、520nmで吸光度測定する。吸光度を測定し
終わった後、V2を閉じてサンプリングポンプ18を所
定時間作動させると、図示にないKCL飽和溶液がpH
セル12、吸光度測定ユニット10内に流入、流通し、
V7を閉じV6を開いてドレーンへ排出する。これらの
動作を適宜間隔で行う。
In FIG. 9, reference numeral 18 denotes a sampling pump, and V1 to V8 denote solenoid valves, respectively. The solenoid valves are a pure water supply unit for V1, a first sample supply unit for V2, and a first sample supply unit for V3. A two-sample supply unit, a pH4 standard solution supply unit is connected to V4, a pH7 standard solution supply unit is connected to V5, and a solenoid valve V6 is connected to a drain.
V7 is connected to the first sample discharging unit, and V8 is connected to the second sample discharging unit. Then, the solenoid valve V1
To V5 and V6 to V8 are appropriately opened and closed, for example, V2, V7
Is opened, and the other is closed. When the sampling pump 18 is operated, the first sample passes through V2 from the first plating tank to p.
It flows into and circulates into the H cell 12, measures the pH of the first sample, flows into and circulates into the absorbance measuring unit 10, and circulates from V7 into the first plating tank. After stopping the sampling pump 18, the absorbance is measured at 660 nm, and then the interference filter of the absorbance unit 10 is switched to measure the absorbance at 520 nm. After the measurement of the absorbance is completed, V2 is closed and the sampling pump 18 is operated for a predetermined time.
The cell 12 flows into and flows into the absorbance measurement unit 10,
V7 is closed and V6 is opened to drain to drain. These operations are performed at appropriate intervals.

【0044】また、上記分析作動後、定期的に校正、洗
浄を行う。pH電極の校正は、上記KCL飽和溶液の導
入後、V4を開き、サンプリングポンプ18を作動し
て、pH4標準液をpHセル12、吸光度測定ユニット
10に流通させ、ドレーンヘ排出後、V4を閉じ、V5
を開き、同様にpH7標準液を流通、排出させる。その
後、上記分析動作を行う。また、洗浄工程は、上記KC
L飽和溶液の導入後、V5を閉じ、V1を開き、純水を
pHセル12に流入、流通し、吸光度測定ユニット10
内へ流入、流通させドレーンヘ排出すると共に、純水で
の吸光度を上記と同様にして2つの波長について測定す
る。
After the above analysis operation, calibration and cleaning are performed periodically. For the calibration of the pH electrode, after introducing the above KCL saturated solution, V4 is opened, the sampling pump 18 is operated, the pH4 standard solution is allowed to flow through the pH cell 12 and the absorbance measurement unit 10, and after draining to the drain, V4 is closed. V5
Is opened and the pH 7 standard solution is circulated and discharged in the same manner. Thereafter, the analysis operation is performed. Further, the cleaning step is performed in the above KC.
After the introduction of the L-saturated solution, V5 is closed, V1 is opened, and pure water flows into and flows through the pH cell 12, and the absorbance measurement unit 10
While flowing into the inside and letting it flow through the drain, the absorbance in pure water is measured for the two wavelengths in the same manner as described above.

【0045】次に、この装置を用いて様々な実証試験を
行った結果を述べる。
Next, results of various verification tests performed using this apparatus will be described.

【0046】まず、測定波長であるが、過去の一般的な
無電解ニッケルめっき液の自動分析、管理装置では測定
波長は600〜800nmの任意の波長を用いているこ
とが多い。この理由は、光源及び受光部の性能におい
て、可視光範囲が比較的長めの波長の方が十分な受光量
が確保し易い傾向にあるためで、まず、本発明者は一つ
の測定波長として660nmの波長を選択した。更に、
二つ目の測定波長には先の基礎検討と同様に520nm
の殆どNi濃度に起因する吸収がない波長を選択し、こ
の二つの測定波長での検討を行った。
First, regarding the measurement wavelength, an automatic analysis and management apparatus of the past general electroless nickel plating solution often uses an arbitrary wavelength of 600 to 800 nm. The reason for this is that, in the performance of the light source and the light receiving unit, a wavelength having a relatively long visible light range tends to secure a sufficient amount of received light. Was selected. Furthermore,
The second measurement wavelength is set to 520 nm as in the previous basic study.
The wavelength which has almost no absorption due to the Ni concentration was selected, and the examination was conducted at these two measurement wavelengths.

【0047】初めに、この装置における検量線の作成
を、上述の図1〜7に示したものと同じような内容で、
無電解Ni−P/PTFE複合めっきの数種類のタイプ
のめっき液に対して実施した。その一例として、上記と
同様にニムフロンめっき液での結果を表1と図10,1
1、更にベース液組成が異なるニムフロンFULめっき
液(上村工業(株)製)での結果を表2と図12,13
に示す。
First, the creation of a calibration curve in this apparatus is performed in the same manner as shown in FIGS.
The test was carried out for several types of electroless Ni-P / PTFE composite plating solutions. As an example, Table 1 and FIGS.
1. Further, the results of Nimflon FUL plating solutions (manufactured by Uemura Kogyo KK) having different base solution compositions are shown in Table 2 and FIGS.
Shown in

【0048】[0048]

【表1】 [Table 1]

【0049】[0049]

【表2】 [Table 2]

【0050】ここで、図10及び図12は、それぞれニ
ムフロン及びニムフロンFULめっき液において、Ni
濃度を一定とし、PTFE濃度を変化させたサンプル
(サンプルNo.5〜9)での、波長660nmの吸光
度(ABS)と波長520nmの吸光度(ABS)との
関係を示すもので、それぞれ 図10:y=0.7116x+0.2338、R2
0.9964 図12:y=0.6765x+0.2364、R2
0.9905 の関係が与えられる。
Here, FIGS. 10 and 12 show Nimflon and Nimflon FUL plating solutions, respectively.
FIG. 10 shows the relationship between the absorbance (ABS) at a wavelength of 660 nm and the absorbance (ABS) at a wavelength of 520 nm in the samples in which the concentration was constant and the PTFE concentration was changed (Sample Nos. 5 to 9). y = 0.7116x + 0.2338, R 2 =
0.9964 FIG. 12: y = 0.765x + 0.2364, R 2 =
0.9905 is given.

【0051】一方、図11及び図13は、それぞれ各サ
ンプルNo.1〜9でのK値とNi濃度との関係を示し
たものである。この場合、K値は、 K値=ABS(660)−α×ABS(520) (但し、ABS(660):波長660nmでの吸光
度、 ABS(520):波長520nmでの吸光度、 α:上記図10,12から得られる関係式xの係数、即
ち図10のニムフロンの場合は0.7116、図12の
ニムフロンFULの場合は0.6765)で示される。
従って、図11,13からそれぞれ 図11:Ni=27.652×[ABS(660)−
0.7116×ABS(520)]−1.4267、R
2=0.9989 図13:Ni=22.857×[ABS(660)−
0.6765×ABS(520)]−0.811、R2
=0.9983 の関係式が与えられる。
On the other hand, FIG. 11 and FIG. 9 shows the relationship between the K value and the Ni concentration in 1 to 9; In this case, the K value is: K value = ABS (660) −α × ABS (520) (However, ABS (660): absorbance at a wavelength of 660 nm, ABS (520): absorbance at a wavelength of 520 nm, α: the above figure) Coefficients of the relational expression x obtained from 10 and 12, ie, 0.7116 for Nimflon in FIG. 10 and 0.6765 for Nimflon FUL in FIG.
Therefore, from FIGS. 11 and 13, FIG. 11: Ni = 27.652 × [ABS (660) −
0.7116 × ABS (520)]-1.4267, R
2 = 0.9989 FIG. 13: Ni = 22.857 × [ABS (660) −
0.6765 × ABS (520)] - 0.811, R 2
= 0.9983 is given.

【0052】この図11,13から得られる関係式は、
ニムフロン及びニムフロンFULにおいて、それぞれ実
際にNi濃度及びPTFE濃度が未知のサンプル液にお
いて、二つの測定波長で吸光度を測定した際に得られる
二つの吸光度、660nmでの吸光度(ABS660)
と520nmでの吸光度(ABS520)の値を用い
て、Ni濃度を求める検量線となる方程式であり、装置
にて演算処理させる際に用いる計算式である。ここで例
示した2種類の無電解Ni−P/PTFE複合めっき液
では、先の基礎的な検討結果と同様にNi濃度及びPT
FE濃度に対して良好な比例関係が存在し、最終計算式
で導かれたNi濃度は、別途、滴定分析で求めた値との
差は最大でも0.04g/Lであり、極めて高い精度と
なっていることが確認された。
The relational expressions obtained from FIGS.
In the case of Nimflon and Nimflon FUL, in a sample solution in which the Ni concentration and the PTFE concentration are actually unknown, respectively, two absorbances obtained when absorbance is measured at two measurement wavelengths, and an absorbance at 660 nm (ABS660)
This is an equation used as a calibration curve for obtaining the Ni concentration using the values of the absorbance at 520 nm (ABS 520). In the two types of electroless Ni-P / PTFE composite plating solutions exemplified here, the Ni concentration and the PT
There is a good proportional relationship with the FE concentration, and the difference between the Ni concentration derived from the final calculation formula and the value separately obtained by titration analysis is at most 0.04 g / L, which is extremely high accuracy and It was confirmed that it had become.

【0053】参考までに、もしも従来の一般的な無電解
めっき用の装置と同じように、一つの波長、ここでは6
60nmでの吸光度測定からNi濃度を計算した場合、
濁度による影響でどの程度誤差が生じるかをシミュレー
ションしてみたところ、最大では0.8g/L程度の誤
差が生じる可能性を示唆していた。二つの測定波長を用
いることで単純に計算すると約20倍も分析精度が向上
することを示しており、効果が非常に高いことが確認さ
れた。
For reference, if a single wavelength, here 6 wavelengths, is used as in the case of a conventional general electroless plating apparatus.
When the Ni concentration is calculated from the absorbance measurement at 60 nm,
A simulation of how much error occurs due to the effect of turbidity indicated that there was a possibility that an error of about 0.8 g / L might occur at the maximum. A simple calculation using two measurement wavelengths shows that the analysis accuracy is improved by about 20 times, confirming that the effect is extremely high.

【0054】次に、上記装置を用い、上記関係式を使っ
て、実際に無電解複合めっき液を自動で分析・管理させ
る試験を行った結果について述べる。代表例として、無
電解Ni−P/PTFE複合めっきであるニムフロンF
ULめっき液(なお、PTFE濃度は4.0g/Lであ
り、なお、得られる無電解めっき皮膜中のPTFE含有
量は25vol%であった。)を用い、建浴時より連続
的にNiイオン(硫酸ニッケル)、次亜りん酸ナトリウ
ム、PTFEを補給してこれら成分の濃度をほぼ一定に
保持すると共に、水酸化ナトリウムを補給してpHをほ
ぼ一定に保持しつつ、MTO(ターン数、1ターンとは
めっき浴1L当りNi2+が4.46g消費乃至は析出し
た時期を示し、無電解ニッケルめっき液の老化度を示す
指標である)までランニングを行い、適宜間隔毎にNi
濃度分析を行った。なお、めっき液容量は50Lであっ
た。結果を表3、図14〜17に示す。例えば、図16
の場合であれば、直線式のxの係数、即ち0.1165
をNi濃度標準値4.5(g/l)で割った値を1ター
ンの補正係数とすることができ、 1+(0.1165÷4.5)=1.026 を1ターンの装置のNi濃度に乗じた値を補正後のNi
濃度とすることができる。
Next, a description will be given of the result of a test in which the electroless composite plating solution is actually automatically analyzed and managed using the above-described apparatus and the above relational expression. A typical example is Nimflon F which is an electroless Ni-P / PTFE composite plating.
Using a UL plating solution (the PTFE concentration was 4.0 g / L, and the PTFE content in the obtained electroless plating film was 25 vol%), Ni ions were continuously provided from the time of building bath. (Nickel sulfate), sodium hypophosphite, and PTFE to keep the concentration of these components almost constant, and to replenish sodium hydroxide to keep the pH almost constant, while keeping the MTO (turn number, 1 The turn indicates the time when 4.46 g of Ni 2+ is consumed or precipitated per liter of the plating bath, and is an index indicating the aging degree of the electroless nickel plating solution).
A concentration analysis was performed. The plating solution capacity was 50 L. The results are shown in Table 3 and FIGS. For example, FIG.
, The coefficient of x in the linear equation, ie, 0.1165
Divided by the Ni concentration standard value 4.5 (g / l) can be used as a one-turn correction coefficient, and 1+ (0.1165 ÷ 4.5) = 1.026 is calculated as Ni of the one-turn device. Ni after correcting the value multiplied by the concentration
Concentration.

【0055】[0055]

【表3】 [Table 3]

【0056】表3には分析結果の代表的な数値をまとめ
ており、その結果について、図14にはNi濃度に関す
る結果、図15にはpHに関する結果をまとめている。
ランニング中のめっき液のNi濃度を手分析で求めた値
と上記装置の分析で補正なしとして示した値にはそれほ
ど大きな誤差はなかった。ところが、ランニングが進む
と共に誤差は無視できないレベルまで大きくなっていく
傾向であった。この原因は、無電解複合ニッケルめっき
液が使い込まれると共にめっき液中には老化蓄積成分と
して亜りん酸塩や硫酸塩が蓄積していくことでNi錯イ
オンに起因する吸光度合いが徐々に小さくなるために生
じる誤差である。ここで例示したパターンとは逆に、吸
光度合いが徐々に大きくなるタイプの無電解複合めっき
液もあるが、その場合は、老化蓄積物による吸光度合い
の低下を上回る程度で錯化剤が補給によって増加してい
くようなタイプの無電解めっき液であるためで、この部
分は市販の無電解めっき液であれば、そのめっき液の癖
を事前に把握しておいて、分析値に対して適切な補正を
行えば解決できる。実際にここで例示したニムフロンF
ULめっき液でも、比例的な補正係数に若干の加算も加
えた一定の補正を実施すると、図14の補正後の値は手
分析値に概ね重なる良好な精度が得られる。
Table 3 summarizes typical numerical values of the analysis results. FIG. 14 summarizes the results regarding the Ni concentration and FIG. 15 summarizes the results regarding the pH.
There was no significant error between the value obtained by manual analysis of the Ni concentration of the plating solution during running and the value indicated as no correction in the analysis of the above apparatus. However, as the running progressed, the error tended to increase to a level that could not be ignored. The cause is that the absorption degree caused by Ni complex ions gradually decreases due to the accumulation of phosphites and sulfates as aging accumulation components in the plating solution while the electroless composite nickel plating solution is used. This is the error that occurs. Contrary to the pattern exemplified here, there is also a type of electroless composite plating solution in which the degree of absorption gradually increases, but in that case, the complexing agent is supplied by replenishing the complexing agent to an extent exceeding the decrease in the degree of absorption due to aging accumulation. This is the type of electroless plating solution that is increasing, so if this part is a commercially available electroless plating solution, the habit of the plating solution should be grasped in advance and appropriate for the analysis value. This can be solved by making appropriate corrections. Nimflon F actually illustrated here
With the UL plating solution, if a certain correction is performed by adding a small addition to the proportional correction coefficient, a good accuracy is obtained in which the corrected value in FIG. 14 substantially overlaps the manual analysis value.

【0057】補正係数の算出は図16に示したように、
ターン数に対してNi濃度標準値(例えば4.5g/
l)から誤差(即ち、補正なし装置の分析値−手分析
値)を引いた値をプロットしたグラフについて比例関係
が存在し、その直線式から補正係数を導き出すことでき
る。
The calculation of the correction coefficient is as shown in FIG.
The Ni concentration standard value (for example, 4.5 g /
There is a proportional relationship in a graph plotting a value obtained by subtracting the error (i.e., the analysis value of the device without correction-the manual analysis value) from 1), and the correction coefficient can be derived from the linear equation.

【0058】一方、めっき液の管理項目として重要なp
Hの値でも装置による一定した誤差が生じるが、図15
に示したように約1.4ターン頃までは補正を行わなか
ったので、手分析値と分析装置での値には約0.06の
誤差があったが、これを補正した後は誤差は許容できる
レベルまで小さくなっている。
On the other hand, p which is an important management item of the plating solution
Although a constant error occurs due to the apparatus at the value of H, FIG.
As shown in the above, since the correction was not performed until about 1.4 turns, there was an error of about 0.06 between the hand analysis value and the value obtained by the analyzer, but after correcting this, the error becomes Reduced to an acceptable level.

【0059】なお、図17に示した結果は、装置におい
て測定された主として濁度に起因して変化する520n
mの測定波長において測定された透過率についてターン
との関係でまとめたものである。実際は、めっき液中に
はターンの進行と共に補給によりPTFE粒子の量は徐
々に増加している。このことは、透過率が徐々に低下す
ることを予想させるが、実際には透過率は徐々に上昇し
て濁りが小さくなる傾向を示す。この原因も先にも述べ
た老化物の蓄積による変化である。この値の変化は約
2.6ターンまでで4%近い大きな透過率の変動となっ
て現れている。もしもこの変動を無視して一つの波長で
の測定を行っていたと仮定すると、この変動に伴う誤差
は約1.0g/Lほどの誤差に繋がる可能性がある。二
つの波長での測定だけでなく、従来から市販されている
一般的な無電解めっき用の装置にある既存の各種ターン
補正機能については、ベース液が無電解めっき液で共通
している以上は必ず必要であることがこの結果から理解
することができる。
The results shown in FIG. 17 indicate that 520n which mainly changes due to turbidity measured in the apparatus.
It is a summary of transmittance measured at a measurement wavelength of m in relation to turns. Actually, the amount of PTFE particles in the plating solution is gradually increased by the replenishment as the turn progresses. Although this suggests that the transmittance gradually decreases, actually, the transmittance gradually increases and the turbidity tends to decrease. This is also due to the change due to the accumulation of aging as described above. This change in value appears as a large change in transmittance close to 4% up to about 2.6 turns. If it is assumed that the measurement is performed at one wavelength ignoring this variation, the error due to this variation may lead to an error of about 1.0 g / L. Not only measurement at two wavelengths, but also various existing turn correction functions in conventional electroless plating equipment that are commercially available, as long as the base solution is common to electroless plating solutions It can be understood from this result that it is absolutely necessary.

【0060】一方、各種めっき液でランニングを行う中
で特異な不具合が発生する場合がある。その不具合と
は、Ni濃度の分析値が突然異常に高い値を示すもの
で、当初は原因がなかなか特定できなかったが、原因の
調査・検討を進めた結果、以下の要因が不具合を引き起
こしていることが明らかになった。 (1)サンプリングしためっき液中に包含されて吸光セ
ル内に輸送されてきた泡が、サンプリング停止後、吸光
度測定までの短い時間内で十分に分離できなかったため
に吸光度の測定中に値が変動し易かったため、結果的に
分析精度の悪化を招いた。このような不具合が発生し易
くなる要因としては、複合めっき液の種類やめっき液の
老化がある。 (2)薬剤の補給位置とめっき液のサンプリング位置が
近かったために補給した薬品が十分拡散均一化しないま
まサンプリングが行われ、結果として、分析値が異常に
高くなった。 (3)干渉フィルターの切り換え機構の安定性が不足し
ており、装置に対するちょっとした振動又は衝撃で誤差
が発生した。
On the other hand, peculiar troubles may occur during running with various plating solutions. The problem is that the analysis value of Ni concentration suddenly shows an abnormally high value. At first, the cause could not be easily identified, but as a result of investigating and examining the cause, the following factors caused the problem. It became clear that there was. (1) The value fluctuates during the measurement of the absorbance because the bubbles contained in the sampled plating solution and transported into the absorption cell could not be sufficiently separated within a short time from the stop of sampling to the measurement of the absorbance. As a result, the analysis accuracy was deteriorated. Factors that tend to cause such inconvenience include the type of composite plating solution and aging of the plating solution. (2) Since the chemical supply position was close to the plating solution sampling position, sampling was performed without sufficient diffusion and uniformity of the supplied chemical, resulting in an abnormally high analytical value. (3) The stability of the switching mechanism of the interference filter is insufficient, and a slight vibration or impact on the device causes an error.

【0061】そして、これら不具合の原因に対して、以
下のような対策が有効である。 (1)吸光セルヘの泡の持ち込みを極力抑制するため
に、装置配管内でめっき液が吸光セルに至るまでの適当
な場所において、サンプリング配管の断面積よりも2倍
以上の断面積を有する垂直方向に長いめっき液滞留部分
からなる泡が分離し易くなるようなトラップ部分を設け
る。具体的には、めっき液がpHセルへ流入する入口を
pHセルの上部に設置する一方、出口は下部に設ける。
pHセルではサンプリングチューブよりも断面積がかな
り大きくなっているので流速が極端に低下するため、こ
の部分で、大きめの泡はpHセルの上部へと逃げること
ができ、一方、pHセル下部では泡が比較的減少した状
態となるので、その下手側に位置する吸光セルには泡の
少ないめっき液が供給され易くなる。 (2)吸光セル内に入り込んだ泡の影響を極力除いて吸
光測定を行うために、めっき液のサンプリングを停止し
てから、吸光測定の開始までの時間を15秒以上とす
る。なお、「サンプリングを停止してから」とは、例え
ば図9の装置では第1又は第2サンプルをサンプリング
ポンプ18により、吸光度測定ユニット10内へ流入さ
せた後、サンプリングポンプ18を停止してからという
ことを意味する。 (3)薬品を自動補給する位置から極力遠くにサンプリ
ング位置を設定する。 (4)干渉フィルター切り換え機構の動作制御と機械強
度が増すような改造を行い、停止位置の変動や振動・衝
撃の影響の抑制を行う。
The following measures are effective against the causes of these problems. (1) In order to minimize the introduction of bubbles into the absorption cell, a vertical section having a cross-sectional area that is twice or more the cross-sectional area of the sampling pipe at an appropriate place in the apparatus piping until the plating solution reaches the absorption cell. A trap portion is provided so that bubbles formed by a plating solution stagnation portion that is long in the direction are easily separated. Specifically, an inlet through which the plating solution flows into the pH cell is provided above the pH cell, while an outlet is provided below.
Since the cross-sectional area of the pH cell is much larger than that of the sampling tube, the flow velocity is extremely reduced, so that large bubbles can escape to the upper part of the pH cell at this part, while bubbles are generated at the lower part of the pH cell. Is relatively reduced, so that the plating solution with less bubbles is easily supplied to the absorption cell located on the lower side thereof. (2) In order to perform absorption measurement while minimizing the influence of bubbles entering the absorption cell, the time from the stop of sampling of the plating solution to the start of absorption measurement is 15 seconds or more. Note that “after stopping sampling” means, for example, that after the first or second sample is caused to flow into the absorbance measurement unit 10 by the sampling pump 18 in the apparatus of FIG. Means that (3) Set the sampling position as far as possible from the position where the medicine is automatically supplied. (4) Modification to increase the mechanical strength and control the operation of the interference filter switching mechanism to suppress the fluctuation of the stop position and the effects of vibration and impact.

【0062】これらの改良により、異常な分析値は殆ど
発生しなくなる。特に改善策(2)のサンプリング停止
から吸光度測定開始まで静止時間延長は効果的で、15
秒以上の静置時間を確保すれば、ほぼ問題のない程度ま
で変動は抑制されたが、より好ましくは30秒以上、最
も好ましくは60秒以上である。この静置時間は極力長
めに設定するのが理想的であると言えるが、めっき液の
分析頻度に対するニーズとしては、短ければ120秒程
度から存在するため、無用に長時間静置することはでき
ない。
By these improvements, abnormal analysis values hardly occur. In particular, it is effective to extend the resting time from the stop of sampling to the start of absorbance measurement in the improvement (2).
If a stationary time of at least 2 seconds is secured, the fluctuation is suppressed to a level that does not cause any problem, but it is more preferably at least 30 seconds, most preferably at least 60 seconds. It can be said that this standing time is ideally set to be as long as possible. However, the need for the analysis frequency of the plating solution is as short as about 120 seconds. .

【0063】この他、複合めっき液の自動分析・管理装
置を構築する上で課題となる特有の問題としては、吸収
セルヘの分散粒子の付着汚染である。セルの汚染はめっ
き液中の分散粒子と同様に透過率又は吸光度が変動する
要因である。本発明の複数の測定波長で分析すること
は、この問題に改善効果を与えるが、一般的な無電解め
っき液とは比較できないレベルで吸光セルへ分散粒子の
付着汚染が起こる。この問題を解決するためには、比較
的高頻度で洗浄を実施することが望ましいが、装置に組
み込まれた吸光セルを洗浄するには、装置からセルを取
り外すなどの手間が非常にかかり、なおかつ、付着した
汚れはかなり取れ難い傾向があるため、超音波洗浄、酸
性(塩酸や硝酸など)又は塩基性(苛性ソーダやアンモ
ニアなど)の溶液や洗剤の併用及びエタノールなどの有
機溶媒などを用いた洗浄などが必要となる。装置では、
セルの取り外しを容易にするなどの設計上の工夫も行っ
ているが、自動分析・管理装置に吸収セル内面の自動洗
浄のために超音波装置や上述の各種洗浄液を送り込む機
構を組み込むことはコスト的にマイナスが大きく、装置
の構造も複雑となり、酸、アルカリ、有機溶媒等の廃液
発生などはユーザーへの大きな負担となり、結論として
は実質的に不可能と言える。
In addition to the above, a specific problem which is a problem when constructing an automatic analyzer / management apparatus for a composite plating solution is adhesion of dispersed particles to an absorption cell. Cell contamination is a factor that causes the transmittance or absorbance to fluctuate similarly to the dispersed particles in the plating solution. Although the analysis at a plurality of measurement wavelengths according to the present invention has an effect of improving this problem, the contamination of dispersed particles adheres to the absorption cell at a level that cannot be compared with a general electroless plating solution. In order to solve this problem, it is desirable to carry out cleaning at a relatively high frequency.However, cleaning the absorption cell incorporated in the device requires much time and effort such as removing the cell from the device, and Since the adhered dirt tends to be difficult to remove, ultrasonic cleaning, cleaning using an acidic (hydrochloric acid, nitric acid, etc.) or basic (caustic soda, ammonia, etc.) solution or detergent, and using an organic solvent such as ethanol etc. Is required. In the device,
Although some design improvements have been made, such as making the cell easier to remove, it is costly to incorporate an ultrasonic device or a mechanism to feed the above various cleaning solutions into the automatic analysis and management device for automatic cleaning of the inner surface of the absorption cell. Therefore, the structure of the apparatus becomes complicated, and the generation of waste liquids such as acids, alkalis, and organic solvents imposes a heavy burden on the user.

【0064】上述したように、複数の測定波長を用いて
分析することは、分析対象のめっき液における濁度が分
析毎に変動する可能性があるために必要不可欠である。
しかし、吸光セルの汚れについては比較的緩やかに変化
する場合が多く、その際の問題の多くは基準となる純水
における透過率100%又は吸光度ゼロの基準が変化す
ることによる誤差だけであり、ある程度は二つ以上の測
定波長で測定していることで補正されてしまう。このた
めには、一つの吸収セルを用いて測定することが必要
で、例えば測定波長毎に吸光セルを設けるような吸光度
測定ユニットを設計した場合を想定すると、純水での基
準値測定後に汚れの差が生じるとその後の分析値に大き
な誤差が生じてしまう。従って、定期的に純水を用いた
透過率100%又は吸光度ゼロの基準値を測定すること
は重要であり、一つのセルを用いた上記例の装置ではこ
の問題は十分緩和されているものである。
As described above, the analysis using a plurality of measurement wavelengths is indispensable because the turbidity of the plating solution to be analyzed may vary from one analysis to another.
However, the dirt on the light absorption cell often changes relatively slowly, and most of the problems at that time are only errors due to a change in the reference of 100% transmittance or zero absorbance in pure water as a reference, To some extent, it is corrected by measuring at two or more measurement wavelengths. For this purpose, it is necessary to perform measurement using a single absorption cell.For example, assuming a case where an absorbance measurement unit is designed such that an absorption cell is provided for each measurement wavelength, contamination may occur after the reference value measurement with pure water. Causes a large error in subsequent analysis values. Therefore, it is important to regularly measure a reference value of 100% transmittance or zero absorbance using pure water, and this problem is sufficiently mitigated in the above-described apparatus using one cell. is there.

【0065】例えば、「純水での透過率/100×分析
サンプルの透過率」として、次に行うめっき液の分析結
果を演算することで、吸光セルの汚れにより生じる誤差
を緩和することができる。また、吸光セルの汚れが分析
結果に影響がでるような看過できないまでになるのを防
ぐため、前回の純水での透過率の測定から純水での透過
率が所定以上(例えば、1%以上)に変動した場合に
は、警報を発し、吸光セルの洗浄又は交換を促すように
することができる。
For example, by calculating “the transmittance of pure water / 100 × the transmittance of the analysis sample” and the result of the analysis of the plating solution to be performed next, it is possible to reduce the error caused by the contamination of the absorption cell. . In addition, in order to prevent the contamination of the light absorption cell from affecting the analysis result so as not to be overlooked, the transmittance in the pure water is not less than a predetermined value (for example, 1%) from the previous measurement of the transmittance in the pure water. In the case of the above-mentioned fluctuation, an alarm is issued and the washing or replacement of the absorption cell can be prompted.

【0066】なお、図18,19は、本装置を組み込ん
だめっき装置の一例を示す。即ち、図18は、主として
定量ポンプを用いて主成分の薬液を補給するように構成
した例であり、定量ポンプ形式のメリットとしては、設
備コストが比較的安価で補給量を動作時間で制御できる
ので、毎回の分析結果に対して、補給量を任意に自動調
整することが可能であることなどが挙げられる。一方、
図19は、主成分の薬液をカラムにより行うようにした
例で、定量ポンプよりも補給量の秤量安定性が高いこと
が利点である。
FIGS. 18 and 19 show an example of a plating apparatus incorporating the present apparatus. That is, FIG. 18 shows an example in which the main component is replenished mainly using a metering pump. Advantages of the metering pump type are that the equipment cost is relatively inexpensive and the replenishing amount can be controlled by the operation time. Therefore, it is possible to arbitrarily and automatically adjust the replenishing amount for each analysis result. on the other hand,
FIG. 19 shows an example in which the chemical solution of the main component is carried out by a column, which is advantageous in that the weighing stability of the replenishing amount is higher than that of the metering pump.

【0067】ここで、図18において、20はめっき槽
であり、オーバーフロー槽22が付設されている。ま
た、24は定量ポンプ、26は補給剤(ニッケル塩、還
元剤、錯化剤等)タンク、28はアルカリ供給タンク、
30は複合材供給カラムであり、補給剤、アルカリ、複
合材がオーバーフロー槽に供給され、これがめっき槽内
のめっき液に流入されるものである。また、図19にお
いて、32は定量ポンプ、34は補給カラムであって、
主補給剤をカラムを用いて補給する以外は図18の場合
と同様である。
Here, in FIG. 18, reference numeral 20 denotes a plating tank to which an overflow tank 22 is additionally provided. 24 is a metering pump, 26 is a replenisher (nickel salt, reducing agent, complexing agent, etc.) tank, 28 is an alkali supply tank,
Numeral 30 denotes a composite material supply column, in which a replenisher, an alkali, and a composite material are supplied to an overflow tank, which flows into a plating solution in the plating tank. In FIG. 19, 32 is a metering pump, 34 is a supply column,
It is the same as the case of FIG. 18 except that the main replenisher is supplied using the column.

【0068】一方、図18,19において、36は冷却
機構であり、ここで室温まで冷却されためっき液が自動
分析・管理装置1に供給され、上述したように分析が行
われるものである。なお、図中、38は純水タンク、4
0はpH4標準液タンク、42はpH7標準液タンクで
ある。
On the other hand, in FIGS. 18 and 19, reference numeral 36 denotes a cooling mechanism, in which the plating solution cooled to room temperature is supplied to the automatic analyzer / management apparatus 1 and the analysis is performed as described above. In the figure, 38 is a pure water tank, 4
0 is a pH 4 standard solution tank, and 42 is a pH 7 standard solution tank.

【0069】前述のように、濃度測定部Bの分析値を受
けて、制御部Aが分析結果を演算する。この分析結果に
応じて、制御部Aによって定量ポンプ24、複合材供給
カラム30の作動制御が行われる。例えば、分析結果か
らめっき液中の金属濃度が不足していることがわかる
と、補給剤タンクの定量ポンプ24を予め設定されてい
た時間作動し停止させる。あるいは、補給剤タンクの定
量ポンプ24を作動し、以降の分析結果で金属濃度の不
足が解消されたことがわかると、上記定量ポンプ24を
停止してもよい。pH調整用のアルカリ供給タンクの定
量ポンプ24の作動も同様にできる。複合材供給カラム
の制御は、例えば上記補給剤の定量ポンプ24の作動回
数が所定回数となった場合に1回作動させる、又は、上
記補給剤の定量ポンプ24の作動時間からめっき液中へ
補給された金属量を算出して、補給された金属量が所定
量となった場合に1回作動させることで、所定量をめっ
き液中に補給する。
As described above, upon receiving the analysis value of the concentration measuring section B, the control section A calculates the analysis result. The control unit A controls the operation of the metering pump 24 and the composite material supply column 30 according to the analysis result. For example, when the analysis result indicates that the metal concentration in the plating solution is insufficient, the metering pump 24 of the replenisher tank is operated and stopped for a preset time. Alternatively, the metering pump 24 of the replenisher tank may be operated, and when the subsequent analysis result indicates that the shortage of the metal concentration has been resolved, the metering pump 24 may be stopped. The operation of the metering pump 24 of the alkali supply tank for pH adjustment can be similarly performed. The control of the composite material supply column is performed, for example, once when the number of actuations of the replenishing agent quantitative pump 24 reaches a predetermined number, or replenished into the plating solution from the operating time of the replenishing agent quantitative pump 24. By calculating the supplied metal amount and operating once when the replenished metal amount reaches the predetermined amount, the predetermined amount is supplied to the plating solution.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明によれば、無電解複合めっき液中
の金属イオン濃度を容易かつ確実に自動分析することが
できる。
According to the present invention, the metal ion concentration in the electroless composite plating solution can be easily and reliably analyzed automatically.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】PTFEを含まない無電解ニッケルめっき液に
おいて、Ni濃度を0〜5g/Lに変化させた場合の測
定波長と吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between measured wavelength and absorbance when the Ni concentration is changed from 0 to 5 g / L in an electroless nickel plating solution containing no PTFE.

【図2】PTFEを複合材粒子とし、金属成分を含まな
い無電解めっき液(Ni濃度0g/L)において、PT
FE濃度を0〜10g/Lに変化させた場合の測定波長
と吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 2 shows a PTFE composite material particle containing no metal component and an electroless plating solution (Ni concentration 0 g / L).
It is a graph which shows the relationship between a measurement wavelength and absorbance when changing FE density | concentration from 0 to 10 g / L.

【図3】PTFEを複合材粒子とする無電解複合ニッケ
ルめっき液において、Ni濃度を5g/Lの一定とし、
PTFE濃度を0〜10g/Lに変化させた場合の測定
波長と吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 3 In an electroless composite nickel plating solution using PTFE as composite material particles, the Ni concentration is kept constant at 5 g / L.
It is a graph which shows the relationship between a measurement wavelength and absorbance at the time of changing a PTFE density | concentration from 0 to 10 g / L.

【図4】PTFEを複合材粒子とする無電解複合ニッケ
ルめっき液において、PTFE濃度を0〜10g/Lに
変化させた場合の、波長400nmでのNi濃度と吸光
度との関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the Ni concentration and the absorbance at a wavelength of 400 nm when the PTFE concentration is changed from 0 to 10 g / L in an electroless composite nickel plating solution using PTFE as composite material particles. .

【図5】PTFEを複合材粒子とする無電解複合ニッケ
ルめっき液において、Ni濃度を0〜5g/Lに変化さ
せた場合の、波長400nmでのPTFE濃度と吸光度
との関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the PTFE concentration and the absorbance at a wavelength of 400 nm when the Ni concentration is changed from 0 to 5 g / L in an electroless composite nickel plating solution using PTFE as composite material particles. .

【図6】PTFEを複合材粒子とする無電解複合ニッケ
ルめっき液において、PTFE濃度を0〜10g/Lに
変化させた場合の、波長520nmでのNi濃度と吸光
度との関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the Ni concentration at a wavelength of 520 nm and the absorbance when the PTFE concentration is changed from 0 to 10 g / L in an electroless composite nickel plating solution containing PTFE as composite material particles. .

【図7】PTFEを複合材粒子とする無電解複合ニッケ
ルめっき液において、Ni濃度を0〜5g/Lに変化さ
せた場合の、波長520nmでのPTFE濃度と吸光度
との関係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the PTFE concentration and the absorbance at a wavelength of 520 nm when the Ni concentration is changed from 0 to 5 g / L in an electroless composite nickel plating solution using PTFE as composite material particles. .

【図8】本発明の一実施例に係る自動分析・管理装置の
概略正面図である。
FIG. 8 is a schematic front view of an automatic analysis and management device according to one embodiment of the present invention.

【図9】同装置の測定部の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a measurement unit of the device.

【図10】同装置を用い、Ni濃度を一定とし、PTF
E濃度を変化させた無電解複合ニッケルめっき液につい
て測定した波長660nmの吸光度と波長520nmと
の関係を示すグラフである。
FIG. 10 shows a PTF using the same apparatus, with a constant Ni concentration.
5 is a graph showing the relationship between the absorbance at a wavelength of 660 nm and the wavelength of 520 nm measured for an electroless composite nickel plating solution having a different E concentration.

【図11】同無電解複合ニッケルめっき液についてのK
値とNi濃度との関係を示すグラフである。
FIG. 11 shows K for the electroless composite nickel plating solution.
4 is a graph showing a relationship between a value and a Ni concentration.

【図12】同装置を用い、Ni濃度を一定とし、PTF
E濃度を変化させた別の無電解複合ニッケルめっき液に
ついて測定した波長660nmの吸光度と波長520n
mとの関係を示すグラフである。
FIG. 12 shows a PTF using the same apparatus with a constant Ni concentration.
Absorbance at a wavelength of 660 nm measured for another electroless composite nickel plating solution having a different E concentration and a wavelength of 520 n
It is a graph which shows the relationship with m.

【図13】同無電解複合ニッケルめっき液についてのK
値とNi濃度との関係を示すグラフである。
FIG. 13 shows K for the electroless composite nickel plating solution.
4 is a graph showing a relationship between a value and a Ni concentration.

【図14】無電解複合ニッケルめっきを連続的に行った
場合におけるターン数(MTO)とNi濃度測定値との
関係を示すグラフである。
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the number of turns (MTO) and the measured Ni concentration when electroless composite nickel plating is performed continuously.

【図15】無電解複合ニッケルめっきを連続的に行った
場合におけるターン数とpH測定値との関係を示すグラ
フである。
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the number of turns and the measured pH value when electroless composite nickel plating is performed continuously.

【図16】ターン補正係数を算出するためのグラフで、
ターン数とNi濃度標準値−誤差値との関係を示す。
FIG. 16 is a graph for calculating a turn correction coefficient,
The relationship between the number of turns and the standard value of Ni concentration-error value is shown.

【図17】無電解複合ニッケルめっきを連続的に行った
場合におけるターン数と520nmで測定した濁度値と
の関係を示すグラフである。
FIG. 17 is a graph showing the relationship between the number of turns and the turbidity value measured at 520 nm when electroless composite nickel plating is continuously performed.

【図18】本発明装置を組み込んだ無電解複合めっき装
置の一例を示す概略図である。
FIG. 18 is a schematic view showing an example of an electroless composite plating apparatus incorporating the apparatus of the present invention.

【図19】本発明装置を組み込んだ無電解複合めっき装
置の他の例を示す概略図である。
FIG. 19 is a schematic view showing another example of an electroless composite plating apparatus incorporating the apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 吸光度測定ユニット 10a 吸光セル 12 pHセル 14 カラム 16 温度センサー 18 サンプリングポンプ Reference Signs List 10 Absorbance measurement unit 10a Absorbance cell 12 pH cell 14 Column 16 Temperature sensor 18 Sampling pump

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01N 21/27 G01N 21/27 Z 21/33 21/33 21/35 21/35 Z (72)発明者 吉川 一紀 大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 立花 真司 大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工 業株式会社中央研究所内 Fターム(参考) 2G057 AA01 AB01 AB02 AB03 AB06 AC01 AD17 BA07 JA02 2G059 AA01 BB04 CC03 DD12 DD13 DD16 EE01 EE02 HH01 HH02 HH03 JJ03 MM01 MM12 MM14 NN07 PP02 PP04 PP06 4K022 BA06 BA14 BA32 BA34 DB28──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G01N 21/27 G01N 21/27 Z 21/33 21/33 21/35 21/35 Z (72) Inventor Kazunori Yoshikawa 1-5-1, Hirakata Exit, Osaka Pref., Uemura Industry Co., Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Shinji Tachibana 1-5-1, Exit 1, Hirakata City, Osaka Pref. Reference) 2G057 AA01 AB01 AB02 AB03 AB06 AC01 AD17 BA07 JA02 2G059 AA01 BB04 CC03 DD12 DD13 DD16 EE01 EE02 HH01 HH02 HH03 JJ03 MM01 MM12 MM14 NN07 PP02 PP04 PP06 4K022 BA06 BA14 BA32 BA34 DB28

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 無電解複合めっき液を自動分析し、適切
な液組成及び/又は使用条件に自動管理する装置におい
て、めっき液中の金属成分の液中濃度を吸光光度法によ
り測定する手法として、自動でめっき液を分析セル内に
導入した後、少なくとも二つ以上の異なる波長で透過率
又は吸光度を測定する機構と、その測定値から目的とす
る濃度を演算処理により算出して結果を表示する機構と
を備えていることを特徴とする無電解複合めっき液の自
動分析・管理装置。
An apparatus for automatically analyzing an electroless composite plating solution and automatically controlling the composition of the electroless plating solution to an appropriate solution composition and / or use condition, as a method of measuring the concentration of a metal component in the plating solution by an absorption spectrophotometry. Automatically introduces the plating solution into the analysis cell, then measures the transmittance or absorbance at at least two or more different wavelengths, calculates the target concentration from the measured value by arithmetic processing and displays the result An automatic analysis and management device for an electroless composite plating solution, comprising:
【請求項2】 測定波長の少なくとも一つの波長が半値
幅1〜100nm以下に分光されていることを特徴とす
る請求項1記載の自動分析・管理装置。
2. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein at least one of the measurement wavelengths is split into a half width of 1 to 100 nm or less.
【請求項3】 測定波長の組み合わせが、少なくとも一
つの測定波長として250〜350nm又は450〜5
50nmの波長範囲を選択し、この波長と重複しないそ
の他の測定波長として、その少なくとも一つの測定波長
として350〜450nm又は550〜800nmの波
長範囲を選択した組み合わせであることを特徴とする請
求項1又は2記載の自動分析・管理装置。
3. The combination of the measurement wavelengths is 250 to 350 nm or 450 to 5 as at least one measurement wavelength.
2. A combination in which a wavelength range of 50 nm is selected, and a wavelength range of 350 to 450 nm or 550 to 800 nm is selected as at least one measurement wavelength as another measurement wavelength not overlapping with this wavelength. Or the automatic analysis / management device according to 2.
【請求項4】 分析セル内にめっき液を自動で導入した
後、透過率又は吸光度の測定を開始するまでに15秒以
上の静置時間を確保するように測定タイムテーブルが設
定されていることを特徴とする請求項1,2又は3記載
の自動分析・管理装置。
4. A measurement time table is set so that a standing time of at least 15 seconds is secured before the measurement of transmittance or absorbance is started after the plating solution is automatically introduced into the analysis cell. 4. The automatic analysis / management device according to claim 1, wherein:
【請求項5】 定期的に分析セル内に純水を導入して分
析セル内を洗浄すると共に、セル内にこの純水を満たし
た状態で設定している測定波長において透過率又は吸光
度の測定を行う機能を有し、その後同様の純水での測定
を行うまでの時間内に実施されるめっき液での透過率又
は吸光度の測定値に対してこれらの測定値を100%透
過率又は吸光度ゼロの基準値として用いることを特徴と
する請求項1乃至4のいずれか1項記載の自動分析・管
理装置。
5. Periodically introducing pure water into the analysis cell to wash the inside of the analysis cell, and measuring transmittance or absorbance at a measurement wavelength set in a state where the pure water is filled in the cell. 100% transmittance or absorbance with respect to the measured value of transmittance or absorbance of the plating solution that is carried out within the time until the same measurement with pure water is performed. 5. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein the automatic analysis / management apparatus is used as a reference value of zero.
【請求項6】 分析セルにめっき液を導入するサンプリ
ング経路の途中に、サンプリング配管の断面積よりも2
倍以上の断面積を有する垂直方向に長いめっき液滞留部
分を有し、そのめっき液滞留部分の入口を上部に設け、
出口を下部に設けることにより、めっき液に抱き込まれ
てきた微細な泡を分析セル内に持ち込まないためのトラ
ップ機構を備えていることを特徴とする請求項1乃至5
のいずれか1項記載の自動分析・管理装置。
6. A cross-sectional area of a sampling pipe which is smaller than a cross-sectional area of a sampling pipe in a sampling path for introducing a plating solution into an analysis cell.
It has a vertically long plating solution stagnation portion having a cross-sectional area of twice or more, and an inlet for the plating solution stagnation portion is provided at an upper portion,
6. A trap mechanism for providing an outlet at a lower portion to prevent fine bubbles entrapped in the plating solution from being brought into the analysis cell.
The automatic analysis and management device according to any one of claims 1 to 7.
【請求項7】 無電解複合めっき液が無電解複合ニッケ
ルめっき液であり、このめっき液中のニッケル成分を測
定するようにした請求項1乃至6のいずれか1項記載の
自動分析・管理装置。
7. The automatic analysis / management apparatus according to claim 1, wherein the electroless composite plating solution is an electroless composite nickel plating solution, and a nickel component in the plating solution is measured. .
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294205A (en) * 2003-03-26 2004-10-21 Kurabo Ind Ltd Measuring method and measuring device of metal content in acid solution
JP2008032719A (en) * 2006-07-31 2008-02-14 Applied Materials Inc Raman spectroscopy as integrated chemical measurement
JP2011122987A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Sharp Corp Metal concentration measuring method, and automatic management device for metal concentration
CN102879356A (en) * 2012-09-28 2013-01-16 邢台钢铁线材精制有限责任公司 Method for measuring concentration of passivation tank liquid for galvanization
JP2016095282A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社堀場製作所 Absorption spectrometry apparatus and analytical curve creating method
JP2020186962A (en) * 2019-05-13 2020-11-19 株式会社ダイセル Method of analyzing and controlling nano diamond particle concentration in composite plating solution
WO2021059754A1 (en) * 2019-09-26 2021-04-01 三菱重工業株式会社 Concentration monitoring system, concentration management system, and concentration monitoring method

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63121668A (en) * 1986-08-25 1988-05-25 フイルトロ−ル・コ−ポレイシヨン Means for detecting and adjusting concentration of metal salt of electroless plating bath
JPH03104856A (en) * 1989-09-18 1991-05-01 Toyota Motor Corp Formation of film on porous substrate
JPH0641764A (en) * 1992-07-23 1994-02-15 Ishihara Chem Co Ltd Automatic control method for electroless plating bath
JPH06265510A (en) * 1993-03-15 1994-09-22 Ebara Corp Automatic analyzing method for solder plating liquid
JPH0815266A (en) * 1994-06-28 1996-01-19 Nippon Tectron Co Ltd Degassing apparatus
JPH0875740A (en) * 1994-08-31 1996-03-22 Shimadzu Corp Immunological nephelometry
JPH08334463A (en) * 1995-06-08 1996-12-17 Kao Corp Pipe inside turbidity evaluation device
JPH09101311A (en) * 1995-10-05 1997-04-15 Hitachi Ltd Automatic chemical analyzer
JPH10142143A (en) * 1996-11-11 1998-05-29 Chuo Seisakusho Ltd Nickel concentration measuring method of nonelectrolytic nickel plating solution
JPH10142144A (en) * 1996-11-13 1998-05-29 Chuo Seisakusho Ltd Metal ion concentration measuring method of nonelectrolytic plating solution
JPH10267935A (en) * 1997-03-25 1998-10-09 Olympus Optical Co Ltd Cuvette correction method
JPH11246978A (en) * 1998-03-02 1999-09-14 Ebara Corp Plating device for substrate
JPH11340186A (en) * 1999-04-23 1999-12-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Semiconductor treating device
JP2000061448A (en) * 1998-06-11 2000-02-29 Japan Organo Co Ltd Method for controlling concentration of chemicals for water treatment

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2512828Y2 (en) * 1990-02-08 1996-10-02 日本テクトロン株式会社 Water treatment mechanism in automatic analyzer

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63121668A (en) * 1986-08-25 1988-05-25 フイルトロ−ル・コ−ポレイシヨン Means for detecting and adjusting concentration of metal salt of electroless plating bath
JPH03104856A (en) * 1989-09-18 1991-05-01 Toyota Motor Corp Formation of film on porous substrate
JPH0641764A (en) * 1992-07-23 1994-02-15 Ishihara Chem Co Ltd Automatic control method for electroless plating bath
JPH06265510A (en) * 1993-03-15 1994-09-22 Ebara Corp Automatic analyzing method for solder plating liquid
JPH0815266A (en) * 1994-06-28 1996-01-19 Nippon Tectron Co Ltd Degassing apparatus
JPH0875740A (en) * 1994-08-31 1996-03-22 Shimadzu Corp Immunological nephelometry
JPH08334463A (en) * 1995-06-08 1996-12-17 Kao Corp Pipe inside turbidity evaluation device
JPH09101311A (en) * 1995-10-05 1997-04-15 Hitachi Ltd Automatic chemical analyzer
JPH10142143A (en) * 1996-11-11 1998-05-29 Chuo Seisakusho Ltd Nickel concentration measuring method of nonelectrolytic nickel plating solution
JPH10142144A (en) * 1996-11-13 1998-05-29 Chuo Seisakusho Ltd Metal ion concentration measuring method of nonelectrolytic plating solution
JPH10267935A (en) * 1997-03-25 1998-10-09 Olympus Optical Co Ltd Cuvette correction method
JPH11246978A (en) * 1998-03-02 1999-09-14 Ebara Corp Plating device for substrate
JP2000061448A (en) * 1998-06-11 2000-02-29 Japan Organo Co Ltd Method for controlling concentration of chemicals for water treatment
JPH11340186A (en) * 1999-04-23 1999-12-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Semiconductor treating device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294205A (en) * 2003-03-26 2004-10-21 Kurabo Ind Ltd Measuring method and measuring device of metal content in acid solution
JP2008032719A (en) * 2006-07-31 2008-02-14 Applied Materials Inc Raman spectroscopy as integrated chemical measurement
JP2011122987A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Sharp Corp Metal concentration measuring method, and automatic management device for metal concentration
CN102879356A (en) * 2012-09-28 2013-01-16 邢台钢铁线材精制有限责任公司 Method for measuring concentration of passivation tank liquid for galvanization
JP2016095282A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社堀場製作所 Absorption spectrometry apparatus and analytical curve creating method
JP2020186962A (en) * 2019-05-13 2020-11-19 株式会社ダイセル Method of analyzing and controlling nano diamond particle concentration in composite plating solution
WO2021059754A1 (en) * 2019-09-26 2021-04-01 三菱重工業株式会社 Concentration monitoring system, concentration management system, and concentration monitoring method

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