JP2002046274A - インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 - Google Patents
インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置Info
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- JP2002046274A JP2002046274A JP2000236886A JP2000236886A JP2002046274A JP 2002046274 A JP2002046274 A JP 2002046274A JP 2000236886 A JP2000236886 A JP 2000236886A JP 2000236886 A JP2000236886 A JP 2000236886A JP 2002046274 A JP2002046274 A JP 2002046274A
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- recording head
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな電力を供給して駆動した際の、ＭＩＭ
素子への悪影響を低減する。 【解決手段】 基板２３上に、絶縁性薄膜２４が形成さ
れた下電極５が形成されており、その上に、上面が水平
な第２の絶縁層２４が形成されており、さらにその上
に、上電極６が形成されている。これらによって、対向
する下電極５と上電極６との間に絶縁性薄膜２４および
第２の絶縁層９１が挟まれたＭＩＭ素子１が形成されて
いる。ＭＩＭ素子１は、下電極５と上電極６との両電極
が、ＭＩＭ素子１の周辺で段差のない、平板状である。
これにより、大きな電力を供給した時に、ＭＩＭ素子１
周辺部に局所的な発熱が生じないようになっており、局
所的な発熱によるＭＩＭ素子１への悪影響を低減でき
る。
素子への悪影響を低減する。 【解決手段】 基板２３上に、絶縁性薄膜２４が形成さ
れた下電極５が形成されており、その上に、上面が水平
な第２の絶縁層２４が形成されており、さらにその上
に、上電極６が形成されている。これらによって、対向
する下電極５と上電極６との間に絶縁性薄膜２４および
第２の絶縁層９１が挟まれたＭＩＭ素子１が形成されて
いる。ＭＩＭ素子１は、下電極５と上電極６との両電極
が、ＭＩＭ素子１の周辺で段差のない、平板状である。
これにより、大きな電力を供給した時に、ＭＩＭ素子１
周辺部に局所的な発熱が生じないようになっており、局
所的な発熱によるＭＩＭ素子１への悪影響を低減でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットプ
リンタ、特に、発泡現象を利用してインクを吐出させる
バブルジェット（登録商標）プリンタなどに用いられる
インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装
置に関する。
リンタ、特に、発泡現象を利用してインクを吐出させる
バブルジェット（登録商標）プリンタなどに用いられる
インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】バブルジェット記録方式とは、発熱体を
用いて流路内の液体を局所的に加熱することにより気泡
を発生させ、発泡時に発生する高い圧力を利用して、液
滴を微細な吐出口から押し出して吐出させ、記録紙など
の被記録媒体に付着させて記録を行う記録方式である。
バブルジェット記録方式の記録に用いられるインクジェ
ット記録ヘッドは、一般に微細な吐出口と流路、および
流路内に設けられた発熱体とを備えている。
用いて流路内の液体を局所的に加熱することにより気泡
を発生させ、発泡時に発生する高い圧力を利用して、液
滴を微細な吐出口から押し出して吐出させ、記録紙など
の被記録媒体に付着させて記録を行う記録方式である。
バブルジェット記録方式の記録に用いられるインクジェ
ット記録ヘッドは、一般に微細な吐出口と流路、および
流路内に設けられた発熱体とを備えている。
【０００３】このようなインクジェット記録ヘッドを用
いてより高精彩な画像記録を行うためには、微小な液滴
を高密度に吐出させる技術が要求される。そのため、微
細な流路と微細な発熱源を形成することが基本的に重要
となる。それゆえ、バブルジェット記録方式のインクジ
ェット記録ヘッドに関しては、その構造の単純性を活か
し、フォトリソグラフィー技術を駆使して高密度ヘッド
を作成する方法が提案されている（例えば、特開平０８
−１５６２９号公報などを参照）。また、微小な液滴を
吐出可能なように液滴の吐出量を調整するため、端部に
比べ中央部の発熱量が大きい発熱体が提案されている
（特開昭６２−２０１２５４号公報参照）。
いてより高精彩な画像記録を行うためには、微小な液滴
を高密度に吐出させる技術が要求される。そのため、微
細な流路と微細な発熱源を形成することが基本的に重要
となる。それゆえ、バブルジェット記録方式のインクジ
ェット記録ヘッドに関しては、その構造の単純性を活か
し、フォトリソグラフィー技術を駆使して高密度ヘッド
を作成する方法が提案されている（例えば、特開平０８
−１５６２９号公報などを参照）。また、微小な液滴を
吐出可能なように液滴の吐出量を調整するため、端部に
比べ中央部の発熱量が大きい発熱体が提案されている
（特開昭６２−２０１２５４号公報参照）。
【０００４】インクジェット記録ヘッドに用いられる発
熱体としては、通常、厚さ０．０５μｍ程度の窒化タン
タル薄膜抵抗体が用いられ、これに通電した時に発生す
るジュール熱で液体の発泡を行う。このような抵抗発熱
体には、通常、キャビテーションによる抵抗発熱体表面
の損傷を防止するために、０．８μｍ程度のＳｉＮなど
の絶縁体を介して厚さ０．２μｍ程度のＴａなどの金属
からなる耐キャビテーション層が配置されている。
熱体としては、通常、厚さ０．０５μｍ程度の窒化タン
タル薄膜抵抗体が用いられ、これに通電した時に発生す
るジュール熱で液体の発泡を行う。このような抵抗発熱
体には、通常、キャビテーションによる抵抗発熱体表面
の損傷を防止するために、０．８μｍ程度のＳｉＮなど
の絶縁体を介して厚さ０．２μｍ程度のＴａなどの金属
からなる耐キャビテーション層が配置されている。
【０００５】また、特開昭６４―２０１５１号公報に
は、基板上に、複数の縦配線と複数の横配線とを設け、
両者の複数の交点部分に、順方向の通電により発熱する
整流素子を設けたことを特徴とした、マトリクス状に並
べて配置された吐出口を有する、いわゆるマルチノズル
インクジェット記録ヘッドが開示されている。また、特
開昭５７―３６６７９号公報には、基板上に、順方向の
通電により発熱可能であり、逆方向には通電できないダ
イオードを複数個マトリクス状に配列し、このダイオー
ドを発熱体としたインクジェット記録ヘッドが開示され
ている。
は、基板上に、複数の縦配線と複数の横配線とを設け、
両者の複数の交点部分に、順方向の通電により発熱する
整流素子を設けたことを特徴とした、マトリクス状に並
べて配置された吐出口を有する、いわゆるマルチノズル
インクジェット記録ヘッドが開示されている。また、特
開昭５７―３６６７９号公報には、基板上に、順方向の
通電により発熱可能であり、逆方向には通電できないダ
イオードを複数個マトリクス状に配列し、このダイオー
ドを発熱体としたインクジェット記録ヘッドが開示され
ている。
【０００６】また、特開平０５―１８５５９４号公報に
は、ヘッド基板にダイオードと、それに接続され、マト
リクス状に配置された、発熱体としての電気熱変換素子
とを設けて、この電気熱変換素子を選択的に駆動できる
構成としたり、同一基板上にシフトレジスタ部、ラッチ
部、論理回路などからなるロジック回路と、それに接続
された電気熱変換素子とを形成して選択駆動できる構成
としたインクジェット記録ヘッドが開示されている。
は、ヘッド基板にダイオードと、それに接続され、マト
リクス状に配置された、発熱体としての電気熱変換素子
とを設けて、この電気熱変換素子を選択的に駆動できる
構成としたり、同一基板上にシフトレジスタ部、ラッチ
部、論理回路などからなるロジック回路と、それに接続
された電気熱変換素子とを形成して選択駆動できる構成
としたインクジェット記録ヘッドが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のインクジェット
記録ヘッドの多くは、発熱素子とダイオードやロジック
回路部などとを半導体プロセス（例えば、イオン注入な
どの方法）によってシリコン基板上に同時に作り込んで
製造するように構成されている。このような半導体プロ
セスを用いた製造方法では、比較的吐出口の数が少ない
インクジェット記録ヘッドを製造する場合には、コンパ
クトな構成のものを、単一の工程で製造できるという利
点がある。しかし、例えば記録紙の紙幅いっぱいの長さ
を有する、いわゆるフルマルチヘッドでは、その長さは
１２inch(約３０ｃｍ)あり、このような広範囲に、半導
体プロセスにより一体的に必要な素子を形成しようとす
ると、通常のシリコンウェハーを使うことが難しくな
る。したがって、フルマルチヘッドを半導体プロセスを
用いて製造しようとした場合には、製造コストが高くな
ってしまう危惧がある。
記録ヘッドの多くは、発熱素子とダイオードやロジック
回路部などとを半導体プロセス（例えば、イオン注入な
どの方法）によってシリコン基板上に同時に作り込んで
製造するように構成されている。このような半導体プロ
セスを用いた製造方法では、比較的吐出口の数が少ない
インクジェット記録ヘッドを製造する場合には、コンパ
クトな構成のものを、単一の工程で製造できるという利
点がある。しかし、例えば記録紙の紙幅いっぱいの長さ
を有する、いわゆるフルマルチヘッドでは、その長さは
１２inch(約３０ｃｍ)あり、このような広範囲に、半導
体プロセスにより一体的に必要な素子を形成しようとす
ると、通常のシリコンウェハーを使うことが難しくな
る。したがって、フルマルチヘッドを半導体プロセスを
用いて製造しようとした場合には、製造コストが高くな
ってしまう危惧がある。
【０００８】そこで、従来用いられているような半導体
プロセスを用いることなく製造可能な非線形素子を用い
て、マトリクス状に配置された発熱素子を選択的に駆動
する回路を構成することができれば、フルマルチヘッド
のような長尺なインクジェット記録ヘッドを低コストで
提供できる可能性がある。
プロセスを用いることなく製造可能な非線形素子を用い
て、マトリクス状に配置された発熱素子を選択的に駆動
する回路を構成することができれば、フルマルチヘッド
のような長尺なインクジェット記録ヘッドを低コストで
提供できる可能性がある。
【０００９】非線型素子としては、従来から液晶用に用
いられているＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子が
知られている。これは、極性に依らず、低い電圧を印加
した時の抵抗値が、高い電圧を印加した時の抵抗値に比
べて高い値を示すＭＩＭ型の電気特性を有する非線形素
子である。
いられているＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子が
知られている。これは、極性に依らず、低い電圧を印加
した時の抵抗値が、高い電圧を印加した時の抵抗値に比
べて高い値を示すＭＩＭ型の電気特性を有する非線形素
子である。
【００１０】図９に、従来のマトリクス状に並べて形成
されたＭＩＭ素子８０１の模式図を示す。図９（ａ）は
ＭＩＭ素子１の部分の断面図を示しており、図９（ｂ）
は平面図を示している。このＭＩＭ素子８０１は、上面
に下部層８２２が形成された基板８２３上に、下電極８
０７を縦に並べて複数形成し、その後その表面に絶縁性
薄膜８２４を形成し、その上に上電極８０６を横に並べ
て複数形成することで製造できる。このようにしてＭＩ
Ｍ素子８０１が、両電極の交点にマトリクス状に並んで
複数形成されている。上電極８０６は、下電極８０５に
交差して、その上に重ねて形成されており、したがっ
て、ＭＩＭ素子８０１周辺部分に段差を有して屈曲して
いる。
されたＭＩＭ素子８０１の模式図を示す。図９（ａ）は
ＭＩＭ素子１の部分の断面図を示しており、図９（ｂ）
は平面図を示している。このＭＩＭ素子８０１は、上面
に下部層８２２が形成された基板８２３上に、下電極８
０７を縦に並べて複数形成し、その後その表面に絶縁性
薄膜８２４を形成し、その上に上電極８０６を横に並べ
て複数形成することで製造できる。このようにしてＭＩ
Ｍ素子８０１が、両電極の交点にマトリクス状に並んで
複数形成されている。上電極８０６は、下電極８０５に
交差して、その上に重ねて形成されており、したがっ
て、ＭＩＭ素子８０１周辺部分に段差を有して屈曲して
いる。
【００１１】このＭＩＭ素子８０１を液晶に用いる場
合、通常１Ｗ／ｍ2程度の電力密度を生じる電力が供給
される。これに対して、バブルジェット記録方式のイン
クジェット記録ヘッドにおいて、発熱素子には約０．１
ＧＷ／ｍ2以上の電力密度を生じる電力を供給する必要
がある。そこで、 ＭＩＭ素子８０１を発熱素子の選択
駆動に用いる場合には、従来は供給されることがなかっ
た多量の電力をＭＩＭ素子８０１に、またはＭＩＭ素子
８０１を介して供給する必要がある。
合、通常１Ｗ／ｍ2程度の電力密度を生じる電力が供給
される。これに対して、バブルジェット記録方式のイン
クジェット記録ヘッドにおいて、発熱素子には約０．１
ＧＷ／ｍ2以上の電力密度を生じる電力を供給する必要
がある。そこで、 ＭＩＭ素子８０１を発熱素子の選択
駆動に用いる場合には、従来は供給されることがなかっ
た多量の電力をＭＩＭ素子８０１に、またはＭＩＭ素子
８０１を介して供給する必要がある。
【００１２】このような多量の電力を、従来の、図９に
示すようなＭＩＭ素子８０１に供給した場合、上電極８
０６に段差があることによって生じるエッジ部で抵抗が
高くなるなど、ＭＩＭ素子８０１周辺部の抵抗にばらつ
きが生じることがあり、その場合、局所的に電流が集中
して局所的な発熱が生じる危惧がある。このような局所
的な発熱が生じると、ＭＩＭ素子８０１を構成する部材
に悪影響が生じたり、ＭＩＭ素子８０１の電気特性が変
動したりするなど、ＭＩＭ素子８０１に悪影響が生じる
危惧がある。
示すようなＭＩＭ素子８０１に供給した場合、上電極８
０６に段差があることによって生じるエッジ部で抵抗が
高くなるなど、ＭＩＭ素子８０１周辺部の抵抗にばらつ
きが生じることがあり、その場合、局所的に電流が集中
して局所的な発熱が生じる危惧がある。このような局所
的な発熱が生じると、ＭＩＭ素子８０１を構成する部材
に悪影響が生じたり、ＭＩＭ素子８０１の電気特性が変
動したりするなど、ＭＩＭ素子８０１に悪影響が生じる
危惧がある。
【００１３】そこで本発明の目的は、バブルジェット記
録方式のインクジェット記録ヘッドの、マトリクス状に
配置した発熱素子の選択駆動用の非線形素子について、
大きな電力密度を生じる電力を供給した際に、ＭＩＭ素
子周辺の段差部やエッジ部での局所的な発熱によって生
じる、非線形素子への悪影響を低減することにある。
録方式のインクジェット記録ヘッドの、マトリクス状に
配置した発熱素子の選択駆動用の非線形素子について、
大きな電力密度を生じる電力を供給した際に、ＭＩＭ素
子周辺の段差部やエッジ部での局所的な発熱によって生
じる、非線形素子への悪影響を低減することにある。
【００１４】また、本発明の他の目的は、非線形素子を
マトリクス状に配置した発熱素子の選択駆動用の回路に
用いることにより、長尺なインクジェットヘッドを低コ
ストで提供できるようにすることにある。
マトリクス状に配置した発熱素子の選択駆動用の回路に
用いることにより、長尺なインクジェットヘッドを低コ
ストで提供できるようにすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
め、本発明によるインクジェット記録ヘッドは、インク
を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発
熱手段と、発熱手段を駆動するための、ＭＩＭ型電流電
圧特性を有する非線形素子であって、絶縁性薄膜と絶縁
性薄膜を挟持する第１の電極および第２の電極とを持つ
非線形素子とを有し、第１の電極と第２の電極の双方
が、少なくとも非線形素子内および非線形素子の周辺部
で、段差のない、実質的に平板状であることを特徴とす
る。
め、本発明によるインクジェット記録ヘッドは、インク
を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発
熱手段と、発熱手段を駆動するための、ＭＩＭ型電流電
圧特性を有する非線形素子であって、絶縁性薄膜と絶縁
性薄膜を挟持する第１の電極および第２の電極とを持つ
非線形素子とを有し、第１の電極と第２の電極の双方
が、少なくとも非線形素子内および非線形素子の周辺部
で、段差のない、実質的に平板状であることを特徴とす
る。
【００１６】ＭＩＭ型の電気特性を有する非線形素子を
用いることにより、縦電極と横電極との交点に両電極に
接続してこの非線形素子を配置した、比較的簡素な構成
の回路で、マトリクス状に並んだ発熱手段の選択駆動を
行うことができる。すなわち、このような構成の回路で
は、複数の縦電極の内の１つと複数の横電極の内の１つ
とに互いに逆極性の電圧を印加することで、この縦電極
と横電極との交点の発熱手段のみに電流を流して、この
発熱手段を選択的に駆動することができる。
用いることにより、縦電極と横電極との交点に両電極に
接続してこの非線形素子を配置した、比較的簡素な構成
の回路で、マトリクス状に並んだ発熱手段の選択駆動を
行うことができる。すなわち、このような構成の回路で
は、複数の縦電極の内の１つと複数の横電極の内の１つ
とに互いに逆極性の電圧を印加することで、この縦電極
と横電極との交点の発熱手段のみに電流を流して、この
発熱手段を選択的に駆動することができる。
【００１７】このような非線形素子を構成する第１の電
極または第２の電極が、非線形素子の周囲で段差がある
構造を有している場合には、段差があることによって生
じるエッジ部で抵抗が高くなるなど、非線形素子周辺部
の抵抗にばらつきが生じることがあり、その場合、局所
的に電流が集中して局所的な発熱が生じる危惧がある。
そこで、第１の電極と第２の電極の双方を、少なくとも
非線形素子内および非線形素子の周辺部で、段差のな
い、実質的に平板状にすることにより、局所的な発熱を
防止でき、局所的な発熱により非線形素子を構成する部
材に悪影響が生じたり、非線形素子の電気特性に変動が
生じるなど、非線形素子に悪影響が生じることを防止で
きる。
極または第２の電極が、非線形素子の周囲で段差がある
構造を有している場合には、段差があることによって生
じるエッジ部で抵抗が高くなるなど、非線形素子周辺部
の抵抗にばらつきが生じることがあり、その場合、局所
的に電流が集中して局所的な発熱が生じる危惧がある。
そこで、第１の電極と第２の電極の双方を、少なくとも
非線形素子内および非線形素子の周辺部で、段差のな
い、実質的に平板状にすることにより、局所的な発熱を
防止でき、局所的な発熱により非線形素子を構成する部
材に悪影響が生じたり、非線形素子の電気特性に変動が
生じるなど、非線形素子に悪影響が生じることを防止で
きる。
【００１８】このような非線形素子としては、基板上に
配置された下電極と、下電極上に配置された絶縁層と、
絶縁層上に配置された上電極とを有するＭＩＭ素子を好
適に用いることができ、この絶縁層を、少なくともＭＩ
Ｍ素子の周囲で、実質的に水平な上面を有する構造にす
ることにより、下電極と上電極との両電極共、 ＭＩＭ
素子の周囲で段差の無い真っ直ぐな構造にすることがで
きる。
配置された下電極と、下電極上に配置された絶縁層と、
絶縁層上に配置された上電極とを有するＭＩＭ素子を好
適に用いることができ、この絶縁層を、少なくともＭＩ
Ｍ素子の周囲で、実質的に水平な上面を有する構造にす
ることにより、下電極と上電極との両電極共、 ＭＩＭ
素子の周囲で段差の無い真っ直ぐな構造にすることがで
きる。
【００１９】絶縁層を、流動性を有する材料からなる部
材を塗布しそれを焼成して形成すれば、材料の流動性に
より絶縁層上面を高精度に水平にすることができる。
材を塗布しそれを焼成して形成すれば、材料の流動性に
より絶縁層上面を高精度に水平にすることができる。
【００２０】さらに、下電極の表面に、下電極を陽極酸
化して得られる絶縁性薄膜を形成することにより、上電
極と下電極との間を、両電極間のショートが発生しない
ように、前述の絶縁層と絶縁性薄膜とによって良好に隔
てるようにできる。
化して得られる絶縁性薄膜を形成することにより、上電
極と下電極との間を、両電極間のショートが発生しない
ように、前述の絶縁層と絶縁性薄膜とによって良好に隔
てるようにできる。
【００２１】非線形素子は、それ自体を発熱手段として
用いることができる素子であり、非線形素子を発熱手段
として用いることにより、その周辺にその他の電力を消
費する素子を配置する必要が無いため、投入エネルギー
を発泡用のエネルギーとして効率的に利用できる。
用いることができる素子であり、非線形素子を発熱手段
として用いることにより、その周辺にその他の電力を消
費する素子を配置する必要が無いため、投入エネルギー
を発泡用のエネルギーとして効率的に利用できる。
【００２２】また、発熱手段としては、非線形素子に直
列接続されている抵抗発熱体を設けてもよい。この場
合、特に、前述のように非線形素子がＭＩＭ素子であ
り、前述のような絶縁層を有する構成である場合、抵抗
発熱体を絶縁層上に上電極に接続して配置した構成とす
ることができる。このような構成とした場合、絶縁層が
抵抗発熱体の蓄熱層として機能し、したがって、抵抗発
熱体付近を効果的に昇温させ、吐出液体を効率的に発泡
させることができる。また、抵抗発熱体と基板との間に
絶縁層が配置されるので、抵抗発熱体の発熱による基板
の昇温を抑制し、基板上に配置されたＭＩＭ素子の加熱
を抑制して、加熱による悪影響を低減できる。
列接続されている抵抗発熱体を設けてもよい。この場
合、特に、前述のように非線形素子がＭＩＭ素子であ
り、前述のような絶縁層を有する構成である場合、抵抗
発熱体を絶縁層上に上電極に接続して配置した構成とす
ることができる。このような構成とした場合、絶縁層が
抵抗発熱体の蓄熱層として機能し、したがって、抵抗発
熱体付近を効果的に昇温させ、吐出液体を効率的に発泡
させることができる。また、抵抗発熱体と基板との間に
絶縁層が配置されるので、抵抗発熱体の発熱による基板
の昇温を抑制し、基板上に配置されたＭＩＭ素子の加熱
を抑制して、加熱による悪影響を低減できる。
【００２３】または、抵抗発熱体を基板上に下電極に接
続して配置し、絶縁層によって抵抗発熱体上を覆った構
成としてもよい。この場合、絶縁層が抵抗発熱体の保護
層として機能するので、新たに保護層を設ける必要がな
い。さらに、絶縁層上面の、抵抗発熱体の上方の位置に
は、抵抗発熱体の駆動時に気泡が形成されるので、ここ
に耐キャビテーション膜を配置することにより、キャビ
テーションによる絶縁層への悪影響を低減することがで
きる。耐キャビテーション膜は上電極と共に一体的に形
成するようにでき、このようにすることで、製造コスト
を高くすることなくキャビテーション膜を構成できる。
続して配置し、絶縁層によって抵抗発熱体上を覆った構
成としてもよい。この場合、絶縁層が抵抗発熱体の保護
層として機能するので、新たに保護層を設ける必要がな
い。さらに、絶縁層上面の、抵抗発熱体の上方の位置に
は、抵抗発熱体の駆動時に気泡が形成されるので、ここ
に耐キャビテーション膜を配置することにより、キャビ
テーションによる絶縁層への悪影響を低減することがで
きる。耐キャビテーション膜は上電極と共に一体的に形
成するようにでき、このようにすることで、製造コスト
を高くすることなくキャビテーション膜を構成できる。
【００２４】本発明によるインクジェット記録ヘッドに
用いられるＭＩＭ型電流電圧特性を有する非線形素子
は、前述のようにマトリクス状に並んで配置された発熱
手段を選択的に駆動するのに好適に用いることができ
る。そこで本発明は、発熱手段に電圧を印加するための
マトリクス回路を有し、マトリクス回路が、マトリクス
電極を有するインクジェット記録ヘッドに好適に適用で
きる。そして非線形素子をマトリクス電極の交点に配置
することで、マトリクス状に並んで配置された発熱手段
を好適に選択駆動するようにできる。
用いられるＭＩＭ型電流電圧特性を有する非線形素子
は、前述のようにマトリクス状に並んで配置された発熱
手段を選択的に駆動するのに好適に用いることができ
る。そこで本発明は、発熱手段に電圧を印加するための
マトリクス回路を有し、マトリクス回路が、マトリクス
電極を有するインクジェット記録ヘッドに好適に適用で
きる。そして非線形素子をマトリクス電極の交点に配置
することで、マトリクス状に並んで配置された発熱手段
を好適に選択駆動するようにできる。
【００２５】本発明は、熱エネルギーによりインクに膜
沸騰を生起させて、インクを吐出するインクジェット記
録ヘッドに好適に適用できる。
沸騰を生起させて、インクを吐出するインクジェット記
録ヘッドに好適に適用できる。
【００２６】本発明によるインクジェット記録装置は、
記録媒体の被記録面に対向して、インクを吐出するイン
ク吐出口が設けられている前述のようなインクジェット
記録ヘッドと、記録媒体の搬送手段とを少なくとも具備
することを特徴とする。
記録媒体の被記録面に対向して、インクを吐出するイン
ク吐出口が設けられている前述のようなインクジェット
記録ヘッドと、記録媒体の搬送手段とを少なくとも具備
することを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００２８】（実施例１）図１〜３に本発明の実施例１
のインクジェット記録ヘッドの模式図を示す。図１は、
ＭＩＭ素子１付近の部分断面図を示している。図２は、
部分的な平面図を示している。図３は、ＭＩＭ素子１の
部分の模式的回路図を示している。なお、図２には、吐
出口形成部材５２については一部のみを示している。図
３には、吐出液滴９を記載して、ＭＩＭ素子１が吐出液
滴９を吐出させるために発熱を生じる素子であることを
示している。
のインクジェット記録ヘッドの模式図を示す。図１は、
ＭＩＭ素子１付近の部分断面図を示している。図２は、
部分的な平面図を示している。図３は、ＭＩＭ素子１の
部分の模式的回路図を示している。なお、図２には、吐
出口形成部材５２については一部のみを示している。図
３には、吐出液滴９を記載して、ＭＩＭ素子１が吐出液
滴９を吐出させるために発熱を生じる素子であることを
示している。
【００２９】このインクジェット記録ヘッドには、上面
に下部層２２が形成された基板２３上に、極めて薄い絶
縁性薄膜２４で被覆された下電極（縦電極）５が縦に複
数並んで配置されている。下電極５が配置された基板２
３上には、絶縁層９１が配置されている。絶縁層９１の
上面は、実質的に水平になっている。絶縁層９１上に
は、上電極（横電極）６が横に複数並んで配置されてい
る。上電極６の上面には保護層６０１が形成されてい
る。このようにして、下電極５と上電極６とが交差する
位置には、下電極５と上電極６と両者の間に配置された
絶縁性薄膜２４および絶縁層９１とから構成されるＭＩ
Ｍ素子１が形成されている。
に下部層２２が形成された基板２３上に、極めて薄い絶
縁性薄膜２４で被覆された下電極（縦電極）５が縦に複
数並んで配置されている。下電極５が配置された基板２
３上には、絶縁層９１が配置されている。絶縁層９１の
上面は、実質的に水平になっている。絶縁層９１上に
は、上電極（横電極）６が横に複数並んで配置されてい
る。上電極６の上面には保護層６０１が形成されてい
る。このようにして、下電極５と上電極６とが交差する
位置には、下電極５と上電極６と両者の間に配置された
絶縁性薄膜２４および絶縁層９１とから構成されるＭＩ
Ｍ素子１が形成されている。
【００３０】このようにＭＩＭ素子１がマトリクス状に
形成された基板２３には、不図示の吐出液体供給系から
供給される吐出液体を基板２３上に導く吐出液体供給孔
５４が、各ＭＩＭ素子１の近くに開口されている。基板
２３上には、複数の穴と溝とを有する吐出口形成部材５
２が配置されており、これらの穴と溝とによって、吐出
液体供給孔５４から供給された吐出液体を各ＭＩＭ素子
１付近に導く流路３１と、各ＭＩＭ素子１の上方に開口
した吐出口５３とが形成されている。
形成された基板２３には、不図示の吐出液体供給系から
供給される吐出液体を基板２３上に導く吐出液体供給孔
５４が、各ＭＩＭ素子１の近くに開口されている。基板
２３上には、複数の穴と溝とを有する吐出口形成部材５
２が配置されており、これらの穴と溝とによって、吐出
液体供給孔５４から供給された吐出液体を各ＭＩＭ素子
１付近に導く流路３１と、各ＭＩＭ素子１の上方に開口
した吐出口５３とが形成されている。
【００３１】次に、このインクジェット記録ヘッドの動
作について説明する。
作について説明する。
【００３２】まず、不図示の吐出液体供給手段から、吐
出液体供給孔５４を介して吐出液体を導入し、流路３１
内に満たす。この状態で、不図示の電圧印加手段により
下電極５と上電極６との間に所定の電圧を印加すると、
ＭＩＭ素子１に電流が流れ、ＭＩＭ素子１が発熱する。
ＭＩＭ素子１の発熱により、ＭＩＭ素子１上方の液体が
加熱されて発泡し、この際発生する圧力により、吐出口
５３から吐出液体が押し出され、吐出液滴９が吐出され
る。この吐出液滴９を被記録媒体に付着させることによ
り、記録が行われる。
出液体供給孔５４を介して吐出液体を導入し、流路３１
内に満たす。この状態で、不図示の電圧印加手段により
下電極５と上電極６との間に所定の電圧を印加すると、
ＭＩＭ素子１に電流が流れ、ＭＩＭ素子１が発熱する。
ＭＩＭ素子１の発熱により、ＭＩＭ素子１上方の液体が
加熱されて発泡し、この際発生する圧力により、吐出口
５３から吐出液体が押し出され、吐出液滴９が吐出され
る。この吐出液滴９を被記録媒体に付着させることによ
り、記録が行われる。
【００３３】ＭＩＭ素子１は、極性に依らず、高電圧で
は低い抵抗値を示し、低電圧では高い抵抗値を示す、Ｍ
ＩＭ型の電気特性を有する非線形素子である。そこで、
下電極５の１つ、例えばｊ番目の電極Ｙjに＋Ｖ0／２の
電圧を印加し、上電極６の１つ、例えばｉ番目の電極Ｘ
iに−Ｖ0／２の電圧を印加することにより、マトリクス
状に配置されたＭＩＭ素子１のうち、電極ＸiとＹjの交
点に位置するものに、十分に発熱させる電流を生じさせ
る電圧Ｖ0を印加して選択的に駆動することができる。
この際、電極ＸiまたはＹjを構成要素とするその他のＭ
ＩＭ素子１には、 前述の電圧Ｖ0よりも小さい電圧Ｖ0
／２が加わるが、前述のように、ＭＩＭ素子１は低い電
圧を加えた時の抵抗が大きいので、これらにはほとんど
電流が流れず発熱しない。
は低い抵抗値を示し、低電圧では高い抵抗値を示す、Ｍ
ＩＭ型の電気特性を有する非線形素子である。そこで、
下電極５の１つ、例えばｊ番目の電極Ｙjに＋Ｖ0／２の
電圧を印加し、上電極６の１つ、例えばｉ番目の電極Ｘ
iに−Ｖ0／２の電圧を印加することにより、マトリクス
状に配置されたＭＩＭ素子１のうち、電極ＸiとＹjの交
点に位置するものに、十分に発熱させる電流を生じさせ
る電圧Ｖ0を印加して選択的に駆動することができる。
この際、電極ＸiまたはＹjを構成要素とするその他のＭ
ＩＭ素子１には、 前述の電圧Ｖ0よりも小さい電圧Ｖ0
／２が加わるが、前述のように、ＭＩＭ素子１は低い電
圧を加えた時の抵抗が大きいので、これらにはほとんど
電流が流れず発熱しない。
【００３４】このように、良好に選択駆動を行えるよう
にするのに好ましいＭＩＭ型の電気特性を図４に示す。
同図に示すように、ＭＩＭ素子１の電気特性は、吐出液
体を発泡させるのに必要な熱エネルギーを発生する際に
発熱素子に流れる電流の絶対値Ｉ0を与えるＭＩＭ素子
１への印加電圧＋Ｖ1と−Ｖ2との絶対値の比（Ｖ1／
Ｖ 2）が０．５以上２以下の値であり、かつ、＋Ｖ1／
2、−Ｖ2／2の電圧を印加した時にＭＩＭ素子１に流れ
る電流の絶対値がＩ0/10以下であることが好ましい。こ
のようなＭＩＭ型の電気特性を有する素子の代表的なも
のとしては、ＭＩＭ素子の他、バリスタなどがある。
にするのに好ましいＭＩＭ型の電気特性を図４に示す。
同図に示すように、ＭＩＭ素子１の電気特性は、吐出液
体を発泡させるのに必要な熱エネルギーを発生する際に
発熱素子に流れる電流の絶対値Ｉ0を与えるＭＩＭ素子
１への印加電圧＋Ｖ1と−Ｖ2との絶対値の比（Ｖ1／
Ｖ 2）が０．５以上２以下の値であり、かつ、＋Ｖ1／
2、−Ｖ2／2の電圧を印加した時にＭＩＭ素子１に流れ
る電流の絶対値がＩ0/10以下であることが好ましい。こ
のようなＭＩＭ型の電気特性を有する素子の代表的なも
のとしては、ＭＩＭ素子の他、バリスタなどがある。
【００３５】本実施例において、マトリクス状に並んだ
ＭＩＭ素子１の選択駆動は、上電極６を情報側電極とし
て、これに画像情報に対応して電圧を印加し、下電極５
を走査側電極として、これに走査用の電圧を印加して行
う。すなわち、まず画像情報に対応してＹ1列で画素を
形成すべき位置のＸiの上電極６に電圧を印加し、同時
にＹ1の下電極５に電圧を印加する。これによりＹ1列の
ＭＩＭ素子１のうち、選択されたものを駆動して吐出液
滴９を吐出させ、すなわち画像情報に応じて、吐出液滴
９を吐出させる必要がある吐出口５３から吐出液滴９を
吐出させ、残りの吐出口５３からは吐出させないように
選択駆動し、この列の記録を行う。次に、Ｙ2列につい
て、同様に選択駆動を行う。これを繰り返して、全ての
ＭＩＭ素子１を対象にして選択的に駆動を行う。
ＭＩＭ素子１の選択駆動は、上電極６を情報側電極とし
て、これに画像情報に対応して電圧を印加し、下電極５
を走査側電極として、これに走査用の電圧を印加して行
う。すなわち、まず画像情報に対応してＹ1列で画素を
形成すべき位置のＸiの上電極６に電圧を印加し、同時
にＹ1の下電極５に電圧を印加する。これによりＹ1列の
ＭＩＭ素子１のうち、選択されたものを駆動して吐出液
滴９を吐出させ、すなわち画像情報に応じて、吐出液滴
９を吐出させる必要がある吐出口５３から吐出液滴９を
吐出させ、残りの吐出口５３からは吐出させないように
選択駆動し、この列の記録を行う。次に、Ｙ2列につい
て、同様に選択駆動を行う。これを繰り返して、全ての
ＭＩＭ素子１を対象にして選択的に駆動を行う。
【００３６】本実施例のインクジェット記録ヘッドで
は、このように下電極５と上電極６とに選択的に電圧を
印加することで、マトリクス状に並んだＭＩＭ素子１を
選択的に駆動できる。そのため、選択駆動の制御をする
ドライバ部分をマトリクス状のＭＩＭ素子１配置部分、
すなわち発熱素子群の部分から分離して設けることがで
き、インクジェット記録ヘッド内にドライバ部分を作り
込まなくても済むので、ヘッドの構成を簡素にできる。
また、ＭＩＭ素子１は、Ｓｉ基板を用いた半導体プロセ
スによらずに製造できるので、本実施例のインクジェッ
ト記録ヘッドは、フルマルチヘッドのような長尺なヘッ
ドであっても、安価な非Ｓｉ基板を用いて容易に大量生
産することができ、低コストで製造できる。
は、このように下電極５と上電極６とに選択的に電圧を
印加することで、マトリクス状に並んだＭＩＭ素子１を
選択的に駆動できる。そのため、選択駆動の制御をする
ドライバ部分をマトリクス状のＭＩＭ素子１配置部分、
すなわち発熱素子群の部分から分離して設けることがで
き、インクジェット記録ヘッド内にドライバ部分を作り
込まなくても済むので、ヘッドの構成を簡素にできる。
また、ＭＩＭ素子１は、Ｓｉ基板を用いた半導体プロセ
スによらずに製造できるので、本実施例のインクジェッ
ト記録ヘッドは、フルマルチヘッドのような長尺なヘッ
ドであっても、安価な非Ｓｉ基板を用いて容易に大量生
産することができ、低コストで製造できる。
【００３７】次に本実施例のインクジェット記録ヘッド
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００３８】基板２３としては、結晶軸＜１１１＞、厚
さ約０．６２５ｍｍのＳｉ基板を用いた。この基板２３
上に下部層２２として、厚さ約２．７５μｍのＳｉ熱酸
化膜を形成した。次に、下部層２２上に、下電極５とし
て、厚さ約３００ｎｍのＴａ薄膜を、約１０-2Ｔｏｒｒ
（１．３Ｐａ）程度のＡｒガス雰囲気中でＲＦ（高周
波）スパッタ法により形成した。次に、この下電極５
を、約０．８重量％のクエン酸水溶液中でメッシュ状白
金電極を陰極として用いて陽極酸化法によって酸化し、
絶縁性薄膜２４として、表面に厚さ約２０ｎｍのＴａ2
Ｏ5薄膜を形成した。次に、この上に、絶縁層９１とし
て、厚さ約３００ｎｍの非感光性のポリイミド前駆体を
含む有機材料をスピンコートし、これを約３００℃で１
０分間焼成してポリイミド膜を形成した。この際、ポリ
イミド前駆体を含む有機質材料としては、流動性を有す
るものを用い、その流動性により上面が実質的に水平に
なるようにした。したがって、ＭＩＭ素子１となる部
分、すなわち下電極５の上面での絶縁層９１の厚みは約
１２ｎｍである。次に、上電極６として、厚さ約２３nm
のタンタル薄膜を、下電極５と同様にＲＦスパッタ法に
よって形成した。次に、上電極６上に、０．８μｍのＳ
ｉＮ薄膜と２３０ｎｍのＴａ薄膜の積層体の構成の保護
層６０１を形成した。このように、下電極５を陽極酸化
して絶縁性薄膜２４を形成し、その上に、上電極６を交
差して形成することで、マトリクス状に並んだ複数のＭ
ＩＭ素子１を容易に製造できる。
さ約０．６２５ｍｍのＳｉ基板を用いた。この基板２３
上に下部層２２として、厚さ約２．７５μｍのＳｉ熱酸
化膜を形成した。次に、下部層２２上に、下電極５とし
て、厚さ約３００ｎｍのＴａ薄膜を、約１０-2Ｔｏｒｒ
（１．３Ｐａ）程度のＡｒガス雰囲気中でＲＦ（高周
波）スパッタ法により形成した。次に、この下電極５
を、約０．８重量％のクエン酸水溶液中でメッシュ状白
金電極を陰極として用いて陽極酸化法によって酸化し、
絶縁性薄膜２４として、表面に厚さ約２０ｎｍのＴａ2
Ｏ5薄膜を形成した。次に、この上に、絶縁層９１とし
て、厚さ約３００ｎｍの非感光性のポリイミド前駆体を
含む有機材料をスピンコートし、これを約３００℃で１
０分間焼成してポリイミド膜を形成した。この際、ポリ
イミド前駆体を含む有機質材料としては、流動性を有す
るものを用い、その流動性により上面が実質的に水平に
なるようにした。したがって、ＭＩＭ素子１となる部
分、すなわち下電極５の上面での絶縁層９１の厚みは約
１２ｎｍである。次に、上電極６として、厚さ約２３nm
のタンタル薄膜を、下電極５と同様にＲＦスパッタ法に
よって形成した。次に、上電極６上に、０．８μｍのＳ
ｉＮ薄膜と２３０ｎｍのＴａ薄膜の積層体の構成の保護
層６０１を形成した。このように、下電極５を陽極酸化
して絶縁性薄膜２４を形成し、その上に、上電極６を交
差して形成することで、マトリクス状に並んだ複数のＭ
ＩＭ素子１を容易に製造できる。
【００３９】ＭＩＭ素子１は、平面形状が実質的に正方
形であり、その大きさは約６５．０８μｍ×約６５．０
８μｍである。したがって、ＭＩＭ素子１の面積は約４
２３５μｍ2であり、下電極５と上電極６との間に約３
３．５Vの電圧を印加した時の素子抵抗は約２６５Ωで
あった。すなわち、約３３．５Vの電圧を印加した時、
ＭＩＭ素子１に約１２６ｍＡの電流が流れ、ＭＩＭ素子
１内には電力密度１ＧＷ／ｍ2の電界が形成された。こ
の時のＭＩＭ素子の消費電力は約４．２３５Wであり、
この電力が熱に変換され、吐出液体を良好に加熱し発泡
させることができた。
形であり、その大きさは約６５．０８μｍ×約６５．０
８μｍである。したがって、ＭＩＭ素子１の面積は約４
２３５μｍ2であり、下電極５と上電極６との間に約３
３．５Vの電圧を印加した時の素子抵抗は約２６５Ωで
あった。すなわち、約３３．５Vの電圧を印加した時、
ＭＩＭ素子１に約１２６ｍＡの電流が流れ、ＭＩＭ素子
１内には電力密度１ＧＷ／ｍ2の電界が形成された。こ
の時のＭＩＭ素子の消費電力は約４．２３５Wであり、
この電力が熱に変換され、吐出液体を良好に加熱し発泡
させることができた。
【００４０】本実施例のインクジェット記録ヘッドのＭ
ＩＭ素子１は、それを構成する上電極６が、ＭＩＭ素子
１の周辺で段差が無い平板状の構造を有していることを
特徴とする。すなわち、下電極５が形成された基板２３
上に、上面が実質的に水平な絶縁層９１を形成し、その
上面に上電極５を形成することにより、ＭＩＭ素子１を
構成する下電極５と上電極６との両電極共、ＭＩＭ素子
１周辺部で実質的に平坦な平板状の構造にしている。こ
のような構造にすることで、従来のＭＩＭ素子に見られ
るような、電極の段差部やエッジ部に生じる局所的な発
熱を防止でき、局所的な発熱によって生じる、ＭＩＭ素
子の構成部材への悪影響や、ＭＩＭ素子の電気特性の変
動を防止できる。そこで、このＭＩＭ素子１には、悪影
響を生じることなく比較的高い電力を供給することがで
きるので、小さなＭＩＭ素子１に高い電力を供給して比
較的狭い範囲で多量の熱を発生させ、吐出液体を良好に
発泡させることができる。
ＩＭ素子１は、それを構成する上電極６が、ＭＩＭ素子
１の周辺で段差が無い平板状の構造を有していることを
特徴とする。すなわち、下電極５が形成された基板２３
上に、上面が実質的に水平な絶縁層９１を形成し、その
上面に上電極５を形成することにより、ＭＩＭ素子１を
構成する下電極５と上電極６との両電極共、ＭＩＭ素子
１周辺部で実質的に平坦な平板状の構造にしている。こ
のような構造にすることで、従来のＭＩＭ素子に見られ
るような、電極の段差部やエッジ部に生じる局所的な発
熱を防止でき、局所的な発熱によって生じる、ＭＩＭ素
子の構成部材への悪影響や、ＭＩＭ素子の電気特性の変
動を防止できる。そこで、このＭＩＭ素子１には、悪影
響を生じることなく比較的高い電力を供給することがで
きるので、小さなＭＩＭ素子１に高い電力を供給して比
較的狭い範囲で多量の熱を発生させ、吐出液体を良好に
発泡させることができる。
【００４１】この際、絶縁層９１を、流動性を有する材
料を用いそれを焼成して形成することにより、形成時に
形成材料の流動性によって、上面が高精度に水平になる
ようにでき、上電極６を高精度に真っ直ぐ水平に形成す
ることができる。
料を用いそれを焼成して形成することにより、形成時に
形成材料の流動性によって、上面が高精度に水平になる
ようにでき、上電極６を高精度に真っ直ぐ水平に形成す
ることができる。
【００４２】また、本実施例のインクジェット記録ヘッ
ドのＭＩＭ素子１には、下電極５と上電極６との対向電
極間の絶縁層として、絶縁性薄膜２４と絶縁層９１との
複合層を設けており、両電極間のショートを良好に防止
できる。また、本実施例では、ＭＩＭ素子１を発熱手段
として用いており、その周辺にその他の電力を消費する
素子を配置する必要無いので、投入エネルギーを発泡用
のエネルギーとして効率的に利用できる。
ドのＭＩＭ素子１には、下電極５と上電極６との対向電
極間の絶縁層として、絶縁性薄膜２４と絶縁層９１との
複合層を設けており、両電極間のショートを良好に防止
できる。また、本実施例では、ＭＩＭ素子１を発熱手段
として用いており、その周辺にその他の電力を消費する
素子を配置する必要無いので、投入エネルギーを発泡用
のエネルギーとして効率的に利用できる。
【００４３】（実施例２）図５，６に、本発明の実施例
２のインクジェット記録ヘッドの模式図を示す。図５
は、ＭＩＭ素子１付近の部分断面図を示している。図６
は、ＭＩＭ素子１の部分の模式的回路図を示している。
なお図７には、吐出液滴９を記載して、抵抗発熱体２が
吐出液滴９を吐出させるために発熱を生じる素子である
ことを示している。これらの図において、実施例１と同
様のものについては、同一の符号を付し説明を省略す
る。
２のインクジェット記録ヘッドの模式図を示す。図５
は、ＭＩＭ素子１付近の部分断面図を示している。図６
は、ＭＩＭ素子１の部分の模式的回路図を示している。
なお図７には、吐出液滴９を記載して、抵抗発熱体２が
吐出液滴９を吐出させるために発熱を生じる素子である
ことを示している。これらの図において、実施例１と同
様のものについては、同一の符号を付し説明を省略す
る。
【００４４】本実施例のインクジェット記録ヘッドは、
実施例１とほぼ同様の構成を有するＭＩＭ素子１に直列
接続された抵抗発熱体２を吐出液体を発泡させる発熱手
段としたものである。
実施例１とほぼ同様の構成を有するＭＩＭ素子１に直列
接続された抵抗発熱体２を吐出液体を発泡させる発熱手
段としたものである。
【００４５】抵抗発熱体２は、絶縁層９１上に配置され
ており、ＭＩＭ素子１部分から延びている上電極６ｂに
接続されている。抵抗発熱体２の、上電極６ｂが接続さ
れた部分の反対側には、情報電極７が接続されている。
平面的に見ると、情報側電極７は、ここから下電極５に
平行な方向に延びている部分と、この部分が接続されて
いる、上電極６ｂが延びる方向に並んだ各抵抗発熱体２
について共通の、上電極６ｂが延びる方向に延びている
部分とをさらに有している（不図示）。
ており、ＭＩＭ素子１部分から延びている上電極６ｂに
接続されている。抵抗発熱体２の、上電極６ｂが接続さ
れた部分の反対側には、情報電極７が接続されている。
平面的に見ると、情報側電極７は、ここから下電極５に
平行な方向に延びている部分と、この部分が接続されて
いる、上電極６ｂが延びる方向に並んだ各抵抗発熱体２
について共通の、上電極６ｂが延びる方向に延びている
部分とをさらに有している（不図示）。
【００４６】基板２３には、各抵抗発熱体２の近くに吐
出液体供給孔５４ｂが開口されている。基板２３上に
は、複数の穴と溝を有する吐出口形成部材５２ｂが配置
されており、これによって、抵抗発熱体２の上方の位置
に開口した吐出口５３ｂと、吐出液体供給孔５４ｂから
吐出口５３ｂに連通する流路３１ｂとが形成されてい
る。抵抗発熱体２上には保護層６１１が形成されてい
る。
出液体供給孔５４ｂが開口されている。基板２３上に
は、複数の穴と溝を有する吐出口形成部材５２ｂが配置
されており、これによって、抵抗発熱体２の上方の位置
に開口した吐出口５３ｂと、吐出液体供給孔５４ｂから
吐出口５３ｂに連通する流路３１ｂとが形成されてい
る。抵抗発熱体２上には保護層６１１が形成されてい
る。
【００４７】本実施例の、マトリクス状に並んだ抵抗発
熱体２は、情報側電極７と下電極５とに電圧を印加して
選択的に駆動することができる。すなわち、電圧が印加
された情報側電極７と下電極５とに接続された抵抗発熱
体２に、ＭＩＭ素子１を介して電流が流れ、この抵抗発
熱体２が選択的に駆動される。この際、接続された情報
側電極７と下電極５との片方にのみ電圧が印加された抵
抗発熱体２には、この抵抗発熱体２に接続されたＭＩＭ
素子１に小さな電圧しか加わらないためにほとんど電流
が流れず、駆動されない。本実施例では、情報側電極７
に画像情報に対応して電圧を印加し、下電極５を走査側
電極として、これに走査用の電圧を印加して選択駆動を
行うようにした。
熱体２は、情報側電極７と下電極５とに電圧を印加して
選択的に駆動することができる。すなわち、電圧が印加
された情報側電極７と下電極５とに接続された抵抗発熱
体２に、ＭＩＭ素子１を介して電流が流れ、この抵抗発
熱体２が選択的に駆動される。この際、接続された情報
側電極７と下電極５との片方にのみ電圧が印加された抵
抗発熱体２には、この抵抗発熱体２に接続されたＭＩＭ
素子１に小さな電圧しか加わらないためにほとんど電流
が流れず、駆動されない。本実施例では、情報側電極７
に画像情報に対応して電圧を印加し、下電極５を走査側
電極として、これに走査用の電圧を印加して選択駆動を
行うようにした。
【００４８】次に本実施例のインクジェット記録ヘッド
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００４９】基板２３としては、結晶軸＜１１１＞、厚
さ約０．６２５μｍのＳｉ基板を用いた。この基板２３
上に下部層２２として、厚さ約２．０μｍのＳｉ熱酸化
膜を形成した。次に、絶縁層２２上に、下電極５とし
て、厚さ約３００ｎｍのＴａ薄膜を、約１０-2Ｔｏｒｒ
（１．３Ｐａ）程度のＡｒガス雰囲気中でＲＦ（高周
波）スパッタ法により形成した。次に、この下電極５
を、約０．８重量％のクエン酸水溶液中でメッシュ状白
金電極を陰極として用いて陽極酸化法によって酸化し、
絶縁性薄膜２４として、厚さ約３２ｎｍのＴａ2Ｏ5薄膜
を形成した。次に、絶縁層９１として、厚さ約３００μ
ｍの非感光性のポリイミド前駆体を含む有機材料をスピ
ンコートし、これを約３００℃で１０分間焼成してポリ
イミド膜を形成した。この際、ポリイミド前駆体を含む
有機質材料としては、流動性を有するものを用い、その
流動性により上面が実質的に水平になるようにした。し
たがって、ＭＩＭ素子１となる部分、すなわち下電極５
の上面での絶縁層９１の厚みは約１２ｎｍである。次
に、上電極６ｂおよび情報側電極７として、厚さ約２３
nmのタンタル薄膜を、下電極５と同様にＲＦスパッタ法
によって形成した。次に、抵抗発熱体２として、厚さ約
０．０５μｍの窒化タンタル薄膜を形成した。次に抵抗
発熱体２上に、０．８μｍのＳｉＮ薄膜と２３０ｎｍの
Ｔａ薄膜との積層体の構成の保護層６１１を形成した。
このように、下電極５を陽極酸化して絶縁性薄膜２４を
形成し、その上に、上電極６ｂを交差して形成すること
で、マトリクス状に並んだ複数のＭＩＭ素子１を容易に
製造できる。
さ約０．６２５μｍのＳｉ基板を用いた。この基板２３
上に下部層２２として、厚さ約２．０μｍのＳｉ熱酸化
膜を形成した。次に、絶縁層２２上に、下電極５とし
て、厚さ約３００ｎｍのＴａ薄膜を、約１０-2Ｔｏｒｒ
（１．３Ｐａ）程度のＡｒガス雰囲気中でＲＦ（高周
波）スパッタ法により形成した。次に、この下電極５
を、約０．８重量％のクエン酸水溶液中でメッシュ状白
金電極を陰極として用いて陽極酸化法によって酸化し、
絶縁性薄膜２４として、厚さ約３２ｎｍのＴａ2Ｏ5薄膜
を形成した。次に、絶縁層９１として、厚さ約３００μ
ｍの非感光性のポリイミド前駆体を含む有機材料をスピ
ンコートし、これを約３００℃で１０分間焼成してポリ
イミド膜を形成した。この際、ポリイミド前駆体を含む
有機質材料としては、流動性を有するものを用い、その
流動性により上面が実質的に水平になるようにした。し
たがって、ＭＩＭ素子１となる部分、すなわち下電極５
の上面での絶縁層９１の厚みは約１２ｎｍである。次
に、上電極６ｂおよび情報側電極７として、厚さ約２３
nmのタンタル薄膜を、下電極５と同様にＲＦスパッタ法
によって形成した。次に、抵抗発熱体２として、厚さ約
０．０５μｍの窒化タンタル薄膜を形成した。次に抵抗
発熱体２上に、０．８μｍのＳｉＮ薄膜と２３０ｎｍの
Ｔａ薄膜との積層体の構成の保護層６１１を形成した。
このように、下電極５を陽極酸化して絶縁性薄膜２４を
形成し、その上に、上電極６ｂを交差して形成すること
で、マトリクス状に並んだ複数のＭＩＭ素子１を容易に
製造できる。
【００５０】本実施例において、抵抗発熱体２は実質的
に正方形とし、その大きさは２５μｍ×２５μｍ、面積
約６２５μｍ2とした。抵抗発熱体２の素子抵抗は５３
Ωであった。ＭＩＭ素子１は実質的に長方形とし、その
大きさは８４．５μｍ×２００００μｍ、面積約１６９
００００μｍ2とした。このように、本実施例では、Ｍ
ＩＭ素子１の、不要な温度上昇を小さく抑えられるよう
に、その面積を大きなものにした。 ＭＩＭ素子１の面
積は、抵抗発熱体２の面積の約２７０４倍である。下電
極５と上電極６ｂとの間に６．７Ｖの電圧を加えたとき
の、 ＭＩＭ素子１の素子抵抗は５３Ωであった。
に正方形とし、その大きさは２５μｍ×２５μｍ、面積
約６２５μｍ2とした。抵抗発熱体２の素子抵抗は５３
Ωであった。ＭＩＭ素子１は実質的に長方形とし、その
大きさは８４．５μｍ×２００００μｍ、面積約１６９
００００μｍ2とした。このように、本実施例では、Ｍ
ＩＭ素子１の、不要な温度上昇を小さく抑えられるよう
に、その面積を大きなものにした。 ＭＩＭ素子１の面
積は、抵抗発熱体２の面積の約２７０４倍である。下電
極５と上電極６ｂとの間に６．７Ｖの電圧を加えたとき
の、 ＭＩＭ素子１の素子抵抗は５３Ωであった。
【００５１】そこで、本実施例では、下電極５と情報側
電極７との間に約１３．４Ｖの電圧を印加することによ
り、ＭＩＭ素子１と抵抗発熱体２とのそれぞれに約６．
７Vづつの電圧が印加され、約１２６ｍＡの電流を流し
て抵抗発熱体２を発熱させることができる。
電極７との間に約１３．４Ｖの電圧を印加することによ
り、ＭＩＭ素子１と抵抗発熱体２とのそれぞれに約６．
７Vづつの電圧が印加され、約１２６ｍＡの電流を流し
て抵抗発熱体２を発熱させることができる。
【００５２】この時、ＭＩＭ素子１と抵抗発熱体２とで
消費される電力は約０．８４７Wであり、この消費電力
が熱に変換される。ＭＩＭ素子１に生じる電界の電力密
度は約０．５ＭＷ／ｍ2、抵抗発熱体部２に生じる電界
の電力密度は約１．３５５ＧＷ／ｍ2である。これによ
り、抵抗発熱体２の部分では、吐出液体を加熱し、発泡
させるのに十分な発熱を生じさせることができる。一
方、ＭＩＭ素子１の部分でも発熱が生じるが、その単位
面積あたりの発熱量は抵抗発熱体２の単位面積あたりの
発熱量の約２７０４分の１と小さなものであり、温度上
昇を小さく抑えることができる。
消費される電力は約０．８４７Wであり、この消費電力
が熱に変換される。ＭＩＭ素子１に生じる電界の電力密
度は約０．５ＭＷ／ｍ2、抵抗発熱体部２に生じる電界
の電力密度は約１．３５５ＧＷ／ｍ2である。これによ
り、抵抗発熱体２の部分では、吐出液体を加熱し、発泡
させるのに十分な発熱を生じさせることができる。一
方、ＭＩＭ素子１の部分でも発熱が生じるが、その単位
面積あたりの発熱量は抵抗発熱体２の単位面積あたりの
発熱量の約２７０４分の１と小さなものであり、温度上
昇を小さく抑えることができる。
【００５３】本実施例では、ＭＩＭ素子１を発熱体とし
て用いるのではなく、マトリクス状に並んだ抵抗発熱体
２の選択駆動回路に用いた構成のインクジェット記録ヘ
ッドを示した。このような構成のインクジェット記録ヘ
ッドについても、その構成を、以上説明したように比較
的簡素なものとでき、また、半導体プロセスによらずに
製造できるので、実施例１と同様に、フルマルチヘッド
のような長尺なヘッドであっても、非Ｓｉ基板を用いて
容易に大量生産し、低コストで製造できる利点がある。
て用いるのではなく、マトリクス状に並んだ抵抗発熱体
２の選択駆動回路に用いた構成のインクジェット記録ヘ
ッドを示した。このような構成のインクジェット記録ヘ
ッドについても、その構成を、以上説明したように比較
的簡素なものとでき、また、半導体プロセスによらずに
製造できるので、実施例１と同様に、フルマルチヘッド
のような長尺なヘッドであっても、非Ｓｉ基板を用いて
容易に大量生産し、低コストで製造できる利点がある。
【００５４】また、本実施例に用いられているＭＩＭ素
子１についても、 ＭＩＭ素子１を構成する下電極５と
上電極６との両電極共、 ＭＩＭ素子１周辺部で実質的
に真っ直ぐに延び、段差の無い構造になっており、局所
的な発熱の発生を抑制して、ＭＩＭ素子１に悪影響が生
じることを抑制できる。
子１についても、 ＭＩＭ素子１を構成する下電極５と
上電極６との両電極共、 ＭＩＭ素子１周辺部で実質的
に真っ直ぐに延び、段差の無い構造になっており、局所
的な発熱の発生を抑制して、ＭＩＭ素子１に悪影響が生
じることを抑制できる。
【００５５】また、抵抗発熱体２が絶縁層９１に接して
配置されているため、抵抗発熱体２を駆動した際に生じ
る熱の一部が絶縁層９１内に蓄えられる。すなわち、絶
縁層９１が抵抗発熱体２の蓄熱層として機能し、抵抗発
熱体２付近を効果的に昇温させ、吐出液体を効率的に発
泡させることができる効果がある。本実施例の構成で
は、新たに蓄熱層を設ける必要がないので、製造コスト
を高くすることはない。
配置されているため、抵抗発熱体２を駆動した際に生じ
る熱の一部が絶縁層９１内に蓄えられる。すなわち、絶
縁層９１が抵抗発熱体２の蓄熱層として機能し、抵抗発
熱体２付近を効果的に昇温させ、吐出液体を効率的に発
泡させることができる効果がある。本実施例の構成で
は、新たに蓄熱層を設ける必要がないので、製造コスト
を高くすることはない。
【００５６】また、抵抗発熱体２と基板２３との間の間
隔が、絶縁層９１が介在することで広くなっており、抵
抗発熱体２で生じる熱の、基板２３への伝達を抑制し、
基板２３の昇温を抑制できる。これによって、ＭＩＭ素
子１で生じる不要な熱を効率的に基板２３に逃がすよう
にでき、ＭＩＭ素子１が昇温することによって電気特性
にばらつきが生じたり、 ＭＩＭ素子１の構成部材に悪
影響が生じたりすることを抑制できる。
隔が、絶縁層９１が介在することで広くなっており、抵
抗発熱体２で生じる熱の、基板２３への伝達を抑制し、
基板２３の昇温を抑制できる。これによって、ＭＩＭ素
子１で生じる不要な熱を効率的に基板２３に逃がすよう
にでき、ＭＩＭ素子１が昇温することによって電気特性
にばらつきが生じたり、 ＭＩＭ素子１の構成部材に悪
影響が生じたりすることを抑制できる。
【００５７】（実施例３）図７に、本発明の実施例４の
インクジェット記録ヘッドの模式的断面図を示す。同図
において、実施例１，２と同様のものについては、同一
の符号を付し説明を省略する。
インクジェット記録ヘッドの模式的断面図を示す。同図
において、実施例１，２と同様のものについては、同一
の符号を付し説明を省略する。
【００５８】このインクジェット記録ヘッドでは、基板
２３上に形成された下電極５ｃが抵抗発熱体２まで延び
ている。情報側電極７ｃは、下電極５ｃと対向するよう
に基板２３上に形成されており、抵抗発熱体２は、基板
２３上に、下電極５ｃと情報側電極７ｃとの間に、両者
に接触するように形成されている。下電極５ｃの、抵抗
発熱体２との接続部には、絶縁性薄膜２４が形成されて
いない部分があり、下電極５ｃは、絶縁性薄膜２４を介
さずに抵抗発熱体２に接続されている。情報側電極７ｃ
は、上電極６ｃに交差する方向に延び、この方向に並ん
だ各抵抗発熱体２に接続された共通接続部分となってい
る。本実施例では、マトリクス状に並んだ抵抗発熱体２
は、上電極６ｃを走査側電極として、上電極６ｃと情報
側電極７ｃとに電圧を印加することにより選択的に駆動
される。絶縁層９１は、これら下電極５ｃと抵抗発熱体
２と情報側電極７ｃとを覆うように形成されている。
２３上に形成された下電極５ｃが抵抗発熱体２まで延び
ている。情報側電極７ｃは、下電極５ｃと対向するよう
に基板２３上に形成されており、抵抗発熱体２は、基板
２３上に、下電極５ｃと情報側電極７ｃとの間に、両者
に接触するように形成されている。下電極５ｃの、抵抗
発熱体２との接続部には、絶縁性薄膜２４が形成されて
いない部分があり、下電極５ｃは、絶縁性薄膜２４を介
さずに抵抗発熱体２に接続されている。情報側電極７ｃ
は、上電極６ｃに交差する方向に延び、この方向に並ん
だ各抵抗発熱体２に接続された共通接続部分となってい
る。本実施例では、マトリクス状に並んだ抵抗発熱体２
は、上電極６ｃを走査側電極として、上電極６ｃと情報
側電極７ｃとに電圧を印加することにより選択的に駆動
される。絶縁層９１は、これら下電極５ｃと抵抗発熱体
２と情報側電極７ｃとを覆うように形成されている。
【００５９】絶縁層９１の、抵抗発熱体２の上に位置す
る部分には、抵抗発熱体２の発熱によって気泡が生じ
る。そこで本実施例では、この部分にＴａ膜からなる耐
キャビテーション膜９２を形成し、絶縁層９１へのキャ
ビテーションによる悪影響を防止するようにした。この
耐キャビテーション膜９２は、上電極６ｃと一括して形
成でき、製造コストを高くすることなく構成できる。
る部分には、抵抗発熱体２の発熱によって気泡が生じ
る。そこで本実施例では、この部分にＴａ膜からなる耐
キャビテーション膜９２を形成し、絶縁層９１へのキャ
ビテーションによる悪影響を防止するようにした。この
耐キャビテーション膜９２は、上電極６ｃと一括して形
成でき、製造コストを高くすることなく構成できる。
【００６０】本実施例の構成では、絶縁層９１が抵抗発
熱体２の保護層として機能する。したがって、抵抗発熱
体２の保護層を新たに設ける必要がないので、製造コス
トを高くすることなく、保護層を有する構成にできる。
熱体２の保護層として機能する。したがって、抵抗発熱
体２の保護層を新たに設ける必要がないので、製造コス
トを高くすることなく、保護層を有する構成にできる。
【００６１】（その他の実施例）次に、上述した各実施
例で示したインクジェット記録ヘッドを搭載したインク
ジェット記録装置の一例の模式図を図８に示す。
例で示したインクジェット記録ヘッドを搭載したインク
ジェット記録装置の一例の模式図を図８に示す。
【００６２】このインクジェット記録装置は、駆動回路
４０３により駆動制御される紙送りローラ４０５で被記
録媒体である紙４０６を搬送する構成となっている。ま
た、制御部４０４により制御されるインクジェット記録
ヘッド４０７は、その各吐出口が、搬送されてくる紙４
０６に対向するように設けられており、制御部４０４か
らの信号に応じて各吐出口からインクを吐出し、紙４０
６上に画像を形成する。インクジェット記録ヘッド４０
７へのインクはインクタンク４０２から供給される。
４０３により駆動制御される紙送りローラ４０５で被記
録媒体である紙４０６を搬送する構成となっている。ま
た、制御部４０４により制御されるインクジェット記録
ヘッド４０７は、その各吐出口が、搬送されてくる紙４
０６に対向するように設けられており、制御部４０４か
らの信号に応じて各吐出口からインクを吐出し、紙４０
６上に画像を形成する。インクジェット記録ヘッド４０
７へのインクはインクタンク４０２から供給される。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インクジェット記録ヘッドの発熱体、または発熱体の選
択駆動用回路に用いられる、ＭＩＭ型の電気特性を有す
る非線形素子、特にＭＩＭ素子について、絶縁性薄膜を
挟んで対向して配置された電極が、非線形素子の周辺付
近で、段差のない、実質的に平坦な平板状に形成するこ
とで、ＭＩＭ素子の局所的な発熱の発生を抑制して、Ｍ
ＩＭ素子の構成部材に悪影響が生じたり、ＭＩＭ素子の
電気特性に変動が生じるなど、ＭＩＭ素子に悪影響が生
じることを抑制できる。
インクジェット記録ヘッドの発熱体、または発熱体の選
択駆動用回路に用いられる、ＭＩＭ型の電気特性を有す
る非線形素子、特にＭＩＭ素子について、絶縁性薄膜を
挟んで対向して配置された電極が、非線形素子の周辺付
近で、段差のない、実質的に平坦な平板状に形成するこ
とで、ＭＩＭ素子の局所的な発熱の発生を抑制して、Ｍ
ＩＭ素子の構成部材に悪影響が生じたり、ＭＩＭ素子の
電気特性に変動が生じるなど、ＭＩＭ素子に悪影響が生
じることを抑制できる。
【００６４】また、ＭＩＭ素子を用いることにより、マ
トリクス状に並んで配置された発熱体を選択駆動可能
な、簡素な構成のインクジェット記録ヘッドを容易に構
成でき、また、ＭＩＭ素子は半導体プロセスを用いない
で容易に製造できるので、比較的長尺なインクジェット
記録ヘッドを、安価な非Ｓｉ基板を用いて低コストで製
造できる。
トリクス状に並んで配置された発熱体を選択駆動可能
な、簡素な構成のインクジェット記録ヘッドを容易に構
成でき、また、ＭＩＭ素子は半導体プロセスを用いない
で容易に製造できるので、比較的長尺なインクジェット
記録ヘッドを、安価な非Ｓｉ基板を用いて低コストで製
造できる。
【図１】本発明の実施例１のインクジェット記録ヘッド
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
【図２】図１のインクジェット記録ヘッドの模式的平面
図である。
図である。
【図３】図１のインクジェット記録ヘッドの模式的回路
図である。
図である。
【図４】好ましいＭＩＭ型電気特性を示すグラフであ
る。
る。
【図５】実施例２のインクジェット記録ヘッドの模式的
断面図である。
断面図である。
【図６】図５のインクジェット記録ヘッドの模式的回路
図である。
図である。
【図７】実施例３のインクジェット記録ヘッドの模式的
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明のインクジェット記録ヘッドを搭載し
た、本発明のインクジェット記録装置の一例を示す模式
図である。
た、本発明のインクジェット記録装置の一例を示す模式
図である。
【図９】従来のＭＩＭ素子を示す模式図である。
１、８０１ ＭＩＭ素子 ２ 抵抗発熱体 ５，５ｃ，８０５ 下側電極 ６，６ｂ，６ｃ、８０６ 上側電極、 ７，７ｃ 情報側電極 ９ 吐出液滴 ２２ 下部層 ２３，８２３ 基板 ２４、８２４ 絶縁性薄膜 ３１，３１ｂ 流路 ５２，５２ｂ 吐出口形成部材 ５３，５３ｂ 吐出口 ５４，５４ｂ 吐出液体供給孔 ９１ 絶縁層 ９２ 耐キャビテーション膜 ４０２ インクタンク ４０３ 駆動回路 ４０４ 制御部 ４０５ 紙送りローラ ４０６ 紙 ４０７ インクジェット記録ヘッド ６０１，６１１ 保護層 ８２２ 下部層
Claims (13)
- 【請求項１】 インクを吐出するために利用される熱エ
ネルギーを発生する発熱手段と、 該発熱手段を駆動するための、ＭＩＭ型電流電圧特性を
有する非線形素子であって、絶縁性薄膜と該絶縁性薄膜
を挟持する第１の電極および第２の電極とを持つ非線形
素子とを有し、 該第１の電極と該第２の電極の双方が、少なくとも前記
非線形素子内および前記非線形素子の周辺部で、段差の
ない、実質的に平板状であるインクジェット記録ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記非線形素子の前記第１の電極および
前記第２の電極が、それぞれ上電極および下電極であ
り、該下電極は基板上に配置され、該下電極上には絶縁
層が配置され、前記上電極は該絶縁層上に配置されてお
り、前記非線形素子が前記上電極と前記下電極と前記絶
縁層とを有するＭＩＭ素子であり、 前記絶縁層の上面が、少なくとも前記ＭＩＭ素子の周囲
で実質的に水平である、請求項１に記載のインクジェッ
ト記録ヘッド。 - 【請求項３】 前記絶縁層が、流動性を有する材料から
なる部材を塗布しそれを焼成して形成した層である、請
求項１または２に記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項４】 前記下電極の表面に、該下電極を陽極酸
化して得られる絶縁性薄膜が形成されている、請求項１
〜３のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッ
ド。 - 【請求項５】 前記発熱手段が前記非線形素子である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のインクジェット記
録ヘッド。 - 【請求項６】 前記発熱手段が、前記非線形素子に直列
接続されている抵抗発熱体である、請求項１〜４のいず
れか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項７】 前記絶縁層上に配置されており、前記上
電極に接続されている抵抗発熱体を前記発熱手段として
有する、請求項２〜４のいずれか１項に記載のインクジ
ェット記録ヘッド。 - 【請求項８】 前記基板上に配置されており、前記下電
極に接続されている抵抗発熱体を前記発熱手段として有
し、前記絶縁層が前記抵抗発熱体上を覆っている、請求
項２〜４のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘ
ッド。 - 【請求項９】 前記絶縁層上面の、前記抵抗発熱体の上
方の位置に耐キャビテーション膜を有する請求項８に記
載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項１０】 前記発熱手段に電圧を印加するための
マトリクス回路をさらに有し、該マトリクス回路が、マ
トリクス電極を有する、請求項１〜９のいずれか１項に
記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項１１】 前記非線形素子が、前記マトリクス電
極の交点に位置する、請求項１０に記載のインクジェッ
ト記録ヘッド。 - 【請求項１２】 前記熱エネルギーによりインクに膜沸
騰を生起させて、インクを吐出する、請求項１〜１１の
いずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項１３】 記録媒体の被記録面に対向して、イン
クを吐出するインク吐出口が設けられている、請求項１
〜１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッ
ドと、記録媒体の搬送手段とを少なくとも具備すること
を特徴とするインクジェット記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236886A JP2002046274A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236886A JP2002046274A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002046274A true JP2002046274A (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18728852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000236886A Pending JP2002046274A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002046274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736490B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and non-linear electrical element |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000236886A patent/JP2002046274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736490B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and non-linear electrical element |
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