JP2002043882A - バラントランス - Google Patents
バラントランスInfo
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- JP2002043882A JP2002043882A JP2000231517A JP2000231517A JP2002043882A JP 2002043882 A JP2002043882 A JP 2002043882A JP 2000231517 A JP2000231517 A JP 2000231517A JP 2000231517 A JP2000231517 A JP 2000231517A JP 2002043882 A JP2002043882 A JP 2002043882A
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- Japan
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- coil
- insulating layer
- conductor pattern
- terminal
- coil conductor
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 小型で使用周波数帯が広く、且つマイグレー
ションの発生を防止出来るバラントラスを提供する。 【解決手段】 不平衡端子１１とダミー端子１４間に
は、同じターン数のコイルＬ１とコイルＬ２が直列に接
続され、平衡用端子１２および１３間には、同じターン
数を有するコイルＬ３とコイルＬ４が接続され、両コイ
ルの接続点がアースされる。また、不平衡用端子１１と
アース間には、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続され
る。そして、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁結合し、コ
イルＬ２とコイルＬ４が電磁結合する。コイルＬ１，Ｌ
２等は誘電体絶縁層等の上にプリントされた導体パター
ンを、複数層重ねてスルーホールにより連結して構成す
る。
ションの発生を防止出来るバラントラスを提供する。 【解決手段】 不平衡端子１１とダミー端子１４間に
は、同じターン数のコイルＬ１とコイルＬ２が直列に接
続され、平衡用端子１２および１３間には、同じターン
数を有するコイルＬ３とコイルＬ４が接続され、両コイ
ルの接続点がアースされる。また、不平衡用端子１１と
アース間には、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続され
る。そして、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁結合し、コ
イルＬ２とコイルＬ４が電磁結合する。コイルＬ１，Ｌ
２等は誘電体絶縁層等の上にプリントされた導体パター
ンを、複数層重ねてスルーホールにより連結して構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
において、伝送線路のインピーダンスを変換するための
インピーダンス変換器や、平衡伝送線路の信号及び不平
衡伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器な
いし位相変換器などに用いられるバラントランスに関す
る。
において、伝送線路のインピーダンスを変換するための
インピーダンス変換器や、平衡伝送線路の信号及び不平
衡伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器な
いし位相変換器などに用いられるバラントランスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のバラントランスには、図１１に示
す様に、第１のストリップラインＳ１と第２のストリッ
プラインＳ２を接続すると共に、第１のストリップライ
ンＳ１に第３のストリップラインＳ３を、第２のストリ
ップラインＳ２に第４のストリップラインＳ４をそれぞ
れ電磁気的に結合させ、第１のストリップラインＳ１を
不平衡用端子１１１に、第３のストリップラインＳ３の
一端を平衡用端子１１２に、第４のストリップラインＳ
４の一端を平衡用端子１１３に接続し、第３のストリッ
プラインＳ３の他端と第４のストリップラインＳ４の他
端をアースしたものがある。この様な従来のバラントラ
ンスは、それぞれのストリップラインを使用する周波数
の１／４波長の長さにする必要があるために、形状が大
型化するという問題があった。
す様に、第１のストリップラインＳ１と第２のストリッ
プラインＳ２を接続すると共に、第１のストリップライ
ンＳ１に第３のストリップラインＳ３を、第２のストリ
ップラインＳ２に第４のストリップラインＳ４をそれぞ
れ電磁気的に結合させ、第１のストリップラインＳ１を
不平衡用端子１１１に、第３のストリップラインＳ３の
一端を平衡用端子１１２に、第４のストリップラインＳ
４の一端を平衡用端子１１３に接続し、第３のストリッ
プラインＳ３の他端と第４のストリップラインＳ４の他
端をアースしたものがある。この様な従来のバラントラ
ンスは、それぞれのストリップラインを使用する周波数
の１／４波長の長さにする必要があるために、形状が大
型化するという問題があった。
【０００３】また、従来の別のバラントランスには、図
１２、１３に示す様に、第１のコイル用導体パターン１
３３と第２のコイル用導体パターン１３４が形成された
絶縁層１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ、１３１ｅをアー
ス用電極が形成された絶縁層１３１ａ上に順次積層し、
絶縁層間の第１のコイル用導体パターン同士及び第２の
コイル用導体パターン同士を接続して同一ターン数の第
１のコイルＬ６と第２のコイルＬ７が形成され、第３の
コイル用導体パターン１３５と第４のコイル用導体パタ
ーン１３６が形成された絶縁層１３１ｆ、１３１ｇ、１
３１ｈ、１３１ｉを順次積層し、絶縁層間の第３のコイ
ル用導体パターン同士及び第４のコイル用導体パターン
同士を接続して同一ターン数の第３のコイルＬ７と第４
のコイルＬ８が形成され、第１のコイルと第２のコイル
を絶縁層１３１ｆを介して第３のコイルと第４のコイル
に対向させて第１のコイルＬ６と第３のコイルＬ８間に
容量Ｃ５を、第２のコイルＬ７と第４のコイルＬ９間に
容量Ｃ６をそれぞれ形成し、第１のコイルＬ６と第２の
コイルＬ７が不平衡用端子１２１とダミー端子１２４間
に、第３のコイルＬ８と第４のコイルＬ９が１対の平衡
用端子１２２、１２３間に接続され、第３のコイルＬ８
と第４のコイルＬ９の接続点がアースされたものがあ
る。このバラントランスは、不平衡用端子に不平衡伝送
線路が、平衡用端子に平衡伝送線路が接続される。そし
て、このバラントランスによって、不平衡伝送線路の信
号が平衡伝送線路の２つの信号線路間に取り出され、平
衡伝送線路の２つの信号線路間の信号が不平衡伝送線路
に取り出される。
１２、１３に示す様に、第１のコイル用導体パターン１
３３と第２のコイル用導体パターン１３４が形成された
絶縁層１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ、１３１ｅをアー
ス用電極が形成された絶縁層１３１ａ上に順次積層し、
絶縁層間の第１のコイル用導体パターン同士及び第２の
コイル用導体パターン同士を接続して同一ターン数の第
１のコイルＬ６と第２のコイルＬ７が形成され、第３の
コイル用導体パターン１３５と第４のコイル用導体パタ
ーン１３６が形成された絶縁層１３１ｆ、１３１ｇ、１
３１ｈ、１３１ｉを順次積層し、絶縁層間の第３のコイ
ル用導体パターン同士及び第４のコイル用導体パターン
同士を接続して同一ターン数の第３のコイルＬ７と第４
のコイルＬ８が形成され、第１のコイルと第２のコイル
を絶縁層１３１ｆを介して第３のコイルと第４のコイル
に対向させて第１のコイルＬ６と第３のコイルＬ８間に
容量Ｃ５を、第２のコイルＬ７と第４のコイルＬ９間に
容量Ｃ６をそれぞれ形成し、第１のコイルＬ６と第２の
コイルＬ７が不平衡用端子１２１とダミー端子１２４間
に、第３のコイルＬ８と第４のコイルＬ９が１対の平衡
用端子１２２、１２３間に接続され、第３のコイルＬ８
と第４のコイルＬ９の接続点がアースされたものがあ
る。このバラントランスは、不平衡用端子に不平衡伝送
線路が、平衡用端子に平衡伝送線路が接続される。そし
て、このバラントランスによって、不平衡伝送線路の信
号が平衡伝送線路の２つの信号線路間に取り出され、平
衡伝送線路の２つの信号線路間の信号が不平衡伝送線路
に取り出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種のバラントラン
スは、一般的に使用周波数帯域において一方の平衡用端
子から出力される信号と他方の平衡用端子から出力され
る信号の位相差が１７０〜１９０の範囲内で、不平衡用
端子にもどってきた信号の減衰量、すなわち、不平衡用
端子におけるリターンロスが１０ｄＢ以上あることが望
まれている。図１２、図１３に示した従来のバラントラ
ンスは、コイル用導体パターンの線幅を７５μｍにし、
コイルＬ６、Ｌ７とコイルＬ８、Ｌ９の巻数比を不平衡
用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が１：４にな
るように調整したところ、その形状が２．０×１．２５
×１．２５ｍｍとなり、図１４、図１５、図１６に示す
ような特性が得られた。なお、図１４、図１５において
横軸は周波数、縦軸は減衰量、１４１は平衡端子１２２
から出力された信号の特性、１４２はリターンロスの特
性、１５１は平衡端子１２３から出力された信号の特
性、１５２はリターンロスの特性を示し、図１６におい
て横軸は周波数、縦軸は位相、１６１は位相特性を示し
ている。このバラントランスは、１２１０〜２３３０Ｍ
Ｈｚにおいて前述の条件を満たしており、この１２１０
ＭＨｚから２３３０ＭＨｚまでが使用できる周波数帯域
で、その帯域幅が１１２０ＭＨｚとなる。この種のバラ
ントランスが実装される移動体通信機器としては、ＧＳ
Ｍ、ＤＣＳ、Ｗ−ＬＡＮ、Ｗ−ＣＤＭＡ等さまざまなも
のがあり、その使用周波数帯域もさまざまで下限は８０
０ＭＨｚ程度から上限は２５００ＭＨｚ程度までと広範
囲にわたっている。しかしながら、従来のバラントラン
スは、使用できる周波数帯域幅を前述の全てのものに対
応できるように広げようとするとコイル全体のターン数
を大幅に増やす必要があるので、形状が大きくなって小
型化が進んでいるこれらの移動体通信機器に実装できな
くなる。従って、従来のバラントランスは、使用される
周波数帯域に応じて設計し直さなければならず、設計・
製造が複雑になると共に、製品の管理が煩雑になるとい
う問題があった。
スは、一般的に使用周波数帯域において一方の平衡用端
子から出力される信号と他方の平衡用端子から出力され
る信号の位相差が１７０〜１９０の範囲内で、不平衡用
端子にもどってきた信号の減衰量、すなわち、不平衡用
端子におけるリターンロスが１０ｄＢ以上あることが望
まれている。図１２、図１３に示した従来のバラントラ
ンスは、コイル用導体パターンの線幅を７５μｍにし、
コイルＬ６、Ｌ７とコイルＬ８、Ｌ９の巻数比を不平衡
用端子と平衡用端子間のインピーダンス比が１：４にな
るように調整したところ、その形状が２．０×１．２５
×１．２５ｍｍとなり、図１４、図１５、図１６に示す
ような特性が得られた。なお、図１４、図１５において
横軸は周波数、縦軸は減衰量、１４１は平衡端子１２２
から出力された信号の特性、１４２はリターンロスの特
性、１５１は平衡端子１２３から出力された信号の特
性、１５２はリターンロスの特性を示し、図１６におい
て横軸は周波数、縦軸は位相、１６１は位相特性を示し
ている。このバラントランスは、１２１０〜２３３０Ｍ
Ｈｚにおいて前述の条件を満たしており、この１２１０
ＭＨｚから２３３０ＭＨｚまでが使用できる周波数帯域
で、その帯域幅が１１２０ＭＨｚとなる。この種のバラ
ントランスが実装される移動体通信機器としては、ＧＳ
Ｍ、ＤＣＳ、Ｗ−ＬＡＮ、Ｗ−ＣＤＭＡ等さまざまなも
のがあり、その使用周波数帯域もさまざまで下限は８０
０ＭＨｚ程度から上限は２５００ＭＨｚ程度までと広範
囲にわたっている。しかしながら、従来のバラントラン
スは、使用できる周波数帯域幅を前述の全てのものに対
応できるように広げようとするとコイル全体のターン数
を大幅に増やす必要があるので、形状が大きくなって小
型化が進んでいるこれらの移動体通信機器に実装できな
くなる。従って、従来のバラントランスは、使用される
周波数帯域に応じて設計し直さなければならず、設計・
製造が複雑になると共に、製品の管理が煩雑になるとい
う問題があった。
【０００５】また、従来のバラントランスは、図１７に
示す様に第３のコイルＬ８と第４のコイルＬ９の接続点
に直流バイアスを供給して使用された場合、絶縁層１３
１ｅ上の導体パターン１３３、１３４と絶縁層１３１ｆ
上の導体パターン１３５、１３６間の電位差が大きくな
り、マイグレーションが発生するという問題があった。
示す様に第３のコイルＬ８と第４のコイルＬ９の接続点
に直流バイアスを供給して使用された場合、絶縁層１３
１ｅ上の導体パターン１３３、１３４と絶縁層１３１ｆ
上の導体パターン１３５、１３６間の電位差が大きくな
り、マイグレーションが発生するという問題があった。
【０００６】本発明は、形状を大きくすることなく使用
周波数帯域幅を広くできると共に、第３のコイルと第４
のコイルの接続点に直流バイアスが供給されてもマイグ
レーションが発生するのを防止できるバラントランスを
提供することを目的とする。
周波数帯域幅を広くできると共に、第３のコイルと第４
のコイルの接続点に直流バイアスが供給されてもマイグ
レーションが発生するのを防止できるバラントランスを
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のバラントランス
は、不平衡用端子とアース間に第５のコイルと容量を並
列に接続することにより前述の課題を解決するものであ
る。すなわち、表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第
２のコイル用導体パターン同士を接続して同じターン数
を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される共
に、第１のコイルと第２のコイルが不平衡用端子とダミ
ー端子間に接続され、表面に第３のコイル用導体パター
ンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第
２の絶縁層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士
及び第４のコイル用導体パターン同士を接続して同じタ
ーン数を有する第３のコイルと第４のコイルが形成さ
れ、第１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ第２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結合する
ように第１のコイルと第２のコイルを第２の絶縁層を介
して第３のコイルと第４のコイルに対向させ、第３のコ
イルと第４のコイルが１対の平衡用端子間に接続される
と共に、第３のコイルと第４のコイルの接続点がアース
され、不平衡用端子とアース間に第５のコイルと容量が
並列に接続される。また、本発明のバラントランスは、
表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導
体パターンが形成された複数の第１の絶縁層を積層し、
第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコイル用導
体パターン同士を接続して同じターン数を有する第１の
コイルと第２のコイルが形成される共に、第１のコイル
と第２のコイルが不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れ、表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル
用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層
し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、第３の
コイルの一端が第１の平衡用端子に、第４のコイルの一
端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、第１のコイ
ルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイ
ルと第４のコイルが電磁気的に結合するように第１のコ
イルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３のコイ
ルと第４のコイルに対向させ、表面に第５のコイル用導
体パターンが形成された第３の絶縁層を積層し、第５の
コイル用導体パターンを接続するか、又は、第３の絶縁
層の表面に第５のコイル用導体パターンを形成して第５
のコイルが形成されると共に、第５のコイルの一端が不
平衡用端子に接続され、第５のコイルに絶縁層を介して
アース電極を対向させてアース電極と第５のコイル用導
体パターン間に容量が形成され、第３のコイルの他端、
第４のコイルの他端及び、第５のコイルの他端がアース
電極に接続される。
は、不平衡用端子とアース間に第５のコイルと容量を並
列に接続することにより前述の課題を解決するものであ
る。すなわち、表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第
２のコイル用導体パターン同士を接続して同じターン数
を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される共
に、第１のコイルと第２のコイルが不平衡用端子とダミ
ー端子間に接続され、表面に第３のコイル用導体パター
ンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第
２の絶縁層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士
及び第４のコイル用導体パターン同士を接続して同じタ
ーン数を有する第３のコイルと第４のコイルが形成さ
れ、第１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ第２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結合する
ように第１のコイルと第２のコイルを第２の絶縁層を介
して第３のコイルと第４のコイルに対向させ、第３のコ
イルと第４のコイルが１対の平衡用端子間に接続される
と共に、第３のコイルと第４のコイルの接続点がアース
され、不平衡用端子とアース間に第５のコイルと容量が
並列に接続される。また、本発明のバラントランスは、
表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導
体パターンが形成された複数の第１の絶縁層を積層し、
第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコイル用導
体パターン同士を接続して同じターン数を有する第１の
コイルと第２のコイルが形成される共に、第１のコイル
と第２のコイルが不平衡用端子とダミー端子間に接続さ
れ、表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル
用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層
し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、第３の
コイルの一端が第１の平衡用端子に、第４のコイルの一
端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、第１のコイ
ルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２のコイ
ルと第４のコイルが電磁気的に結合するように第１のコ
イルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３のコイ
ルと第４のコイルに対向させ、表面に第５のコイル用導
体パターンが形成された第３の絶縁層を積層し、第５の
コイル用導体パターンを接続するか、又は、第３の絶縁
層の表面に第５のコイル用導体パターンを形成して第５
のコイルが形成されると共に、第５のコイルの一端が不
平衡用端子に接続され、第５のコイルに絶縁層を介して
アース電極を対向させてアース電極と第５のコイル用導
体パターン間に容量が形成され、第３のコイルの他端、
第４のコイルの他端及び、第５のコイルの他端がアース
電極に接続される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のバラントランスは、表面
に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パ
ターンが形成された複数の第１の絶縁層、表面に第３の
コイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが
形成された複数の第２の絶縁層、表面に第５のコイル用
導体パターンが形成された第３の絶縁層を備える。この
複数の第１の絶縁層を積層し、第１のコイル用導体パタ
ーン同士及び第２のコイル用導体パターン同士を接続す
ることにより同じターン数の第１のコイルと第２のコイ
ルが形成される。また、複数の第２の絶縁層を積層し、
第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル用導
体パターン同士を接続することにより同じターン数の第
３のコイルと第４のコイルが形成される。この第１のコ
イルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３のコイ
ルと第４のコイルに対向させることにより、第１のコイ
ルと第３のコイルを電磁気的に結合させ、かつ第２のコ
イルと第４のコイルを電磁気的に結合させる。また、１
層の第３の絶縁層の表面に第５のコイル用導体パターン
を形成し、第５のコイル用導体パターンの両端を第３の
絶縁層の側面まで引き出す、又は、表面に第５のコイル
用導体パターンが形成された第３の絶縁層を複数積層し
て第５のコイル用導体パターンを接続することにより第
５のコイルが形成される。この第５のコイルは、積層方
向の上下両側に絶縁層を介して積層されたアース電極に
よって挟まれる。そして、第１のコイルと第２のコイル
が不平衡用端子とダミー端子間に接続される。また、第
３のコイルと第４のコイルは、第３のコイルの一端が第
１の平衡用端子に、第４のコイルの一端が第２の平衡用
端子に、第３のコイルの他端と第４のコイルの他端がア
ース電極にそれぞれ接続される。さらに、第５のコイル
は、一端が不平衡用端子に、他端がアース電極にそれぞ
れ接続され、第５のコイル用導体パターンとアース電極
間に形成された容量が第５のコイルと並列に接続され
る。
に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パ
ターンが形成された複数の第１の絶縁層、表面に第３の
コイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが
形成された複数の第２の絶縁層、表面に第５のコイル用
導体パターンが形成された第３の絶縁層を備える。この
複数の第１の絶縁層を積層し、第１のコイル用導体パタ
ーン同士及び第２のコイル用導体パターン同士を接続す
ることにより同じターン数の第１のコイルと第２のコイ
ルが形成される。また、複数の第２の絶縁層を積層し、
第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル用導
体パターン同士を接続することにより同じターン数の第
３のコイルと第４のコイルが形成される。この第１のコ
イルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３のコイ
ルと第４のコイルに対向させることにより、第１のコイ
ルと第３のコイルを電磁気的に結合させ、かつ第２のコ
イルと第４のコイルを電磁気的に結合させる。また、１
層の第３の絶縁層の表面に第５のコイル用導体パターン
を形成し、第５のコイル用導体パターンの両端を第３の
絶縁層の側面まで引き出す、又は、表面に第５のコイル
用導体パターンが形成された第３の絶縁層を複数積層し
て第５のコイル用導体パターンを接続することにより第
５のコイルが形成される。この第５のコイルは、積層方
向の上下両側に絶縁層を介して積層されたアース電極に
よって挟まれる。そして、第１のコイルと第２のコイル
が不平衡用端子とダミー端子間に接続される。また、第
３のコイルと第４のコイルは、第３のコイルの一端が第
１の平衡用端子に、第４のコイルの一端が第２の平衡用
端子に、第３のコイルの他端と第４のコイルの他端がア
ース電極にそれぞれ接続される。さらに、第５のコイル
は、一端が不平衡用端子に、他端がアース電極にそれぞ
れ接続され、第５のコイル用導体パターンとアース電極
間に形成された容量が第５のコイルと並列に接続され
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明のバラントランスを図１乃至図
１０を参照して説明する。図１は本発明のバラントラン
スの回路図、図２は本発明のバラントランスの第１の実
施例を示す分解斜視図である。図１において、１１は不
平衡用端子、１２、１３は平衡用端子、１４はダミー端
子である。不平衡用端子１１とダミー端子１４間には、
同じターン数を有するコイルＬ１とコイルＬ２が直列に
接続される。また、平衡用端子１２と平衡用端子１３間
には、同じターン数を有するコイルＬ３とコイルＬ４が
接続される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、接続点が
アースされる。また、不平衡用端子１１とアース間に
は、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続される。そし
て、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁気的に結合し、コイ
ルＬ２とコイルＬ４が電磁気的に結合する。なお、Ｃ１
はコイルＬ１とコイルＬ３間に生じる浮遊容量、Ｃ２は
コイルＬ２とコイルＬ４間に生じる浮遊容量、Ｃ３はコ
イルＬ３とコイルＬ４が容量結合することにより形成さ
れる容量である。このバラントランスは、不平衡用端子
１１に不平衡線路が接続され、平衡用端子１２、１３に
平衡伝送線路が接続される。不平衡線路から入力された
信号は、コイルＬ１からコイルＬ３に伝達されると共
に、コイルＬ２からコイルＬ４に伝達される。このと
き、コイルＬ１とコイルＬ２は同じターン数を有するの
で、コイルＬ３とコイルＬ４に伝達される信号の大きさ
は等しくなる。このコイルＬ３とコイルＬ４に伝達され
た信号は、平衡用端子１２、１３から出力される。この
とき、コイルＬ３とコイルＬ４は同じターン数を有する
ので、平衡用端子１２から出力される信号の大きさと平
衡用端子１３から出力される信号の大きさが等しくな
る。また、平衡伝送線路から入力された信号は、コイル
Ｌ３とコイルＬ４からそれぞれコイルＬ１とコイルＬ２
に伝達される。このコイルＬ１とコイルＬ２に伝達され
た信号は、合成されて出力される。
１０を参照して説明する。図１は本発明のバラントラン
スの回路図、図２は本発明のバラントランスの第１の実
施例を示す分解斜視図である。図１において、１１は不
平衡用端子、１２、１３は平衡用端子、１４はダミー端
子である。不平衡用端子１１とダミー端子１４間には、
同じターン数を有するコイルＬ１とコイルＬ２が直列に
接続される。また、平衡用端子１２と平衡用端子１３間
には、同じターン数を有するコイルＬ３とコイルＬ４が
接続される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、接続点が
アースされる。また、不平衡用端子１１とアース間に
は、コイルＬ５と容量Ｃ４が並列に接続される。そし
て、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁気的に結合し、コイ
ルＬ２とコイルＬ４が電磁気的に結合する。なお、Ｃ１
はコイルＬ１とコイルＬ３間に生じる浮遊容量、Ｃ２は
コイルＬ２とコイルＬ４間に生じる浮遊容量、Ｃ３はコ
イルＬ３とコイルＬ４が容量結合することにより形成さ
れる容量である。このバラントランスは、不平衡用端子
１１に不平衡線路が接続され、平衡用端子１２、１３に
平衡伝送線路が接続される。不平衡線路から入力された
信号は、コイルＬ１からコイルＬ３に伝達されると共
に、コイルＬ２からコイルＬ４に伝達される。このと
き、コイルＬ１とコイルＬ２は同じターン数を有するの
で、コイルＬ３とコイルＬ４に伝達される信号の大きさ
は等しくなる。このコイルＬ３とコイルＬ４に伝達され
た信号は、平衡用端子１２、１３から出力される。この
とき、コイルＬ３とコイルＬ４は同じターン数を有する
ので、平衡用端子１２から出力される信号の大きさと平
衡用端子１３から出力される信号の大きさが等しくな
る。また、平衡伝送線路から入力された信号は、コイル
Ｌ３とコイルＬ４からそれぞれコイルＬ１とコイルＬ２
に伝達される。このコイルＬ１とコイルＬ２に伝達され
た信号は、合成されて出力される。
【００１０】この様な回路構成のバラントランスは、図
２の様に絶縁層と導体層を交互に積層して絶縁層の積層
体内に回路素子が形成される。絶縁層２１ａ、２１ｂ、
２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ、２１ｇ、２１ｈ、２
１ｉ、２１ｊ、２１ｋ、２１ｌ、２１ｍ、２１ｎは、誘
電体材料又は磁性体材料で形成される。絶縁層２１ａの
表面には、アース用電極２２が形成される。このアース
用電極２２は絶縁層２１ａの対向する側面まで引き出さ
れる。絶縁層２１ｂと絶縁層２１ｃの表面には、それぞ
れ渦巻状のコイル用導体パターン２３が形成される。こ
のコイル用導体パターン２３は、スルーホールを介して
絶縁層２１ｂの導体パターン２３と絶縁層２１ｃの導体
パターン２３が接続されてコイルＬ５が形成される。絶
縁層２１ｄの表面には、アース用電極２４が形成され
る。このアース用電極２４は絶縁層２１ｄの対向する側
面まで引き出される。絶縁層２１ｅ、絶縁層２１ｆ、絶
縁層２１ｇ、絶縁層２１ｈの表面には、それぞれコイル
用導体パターン２５、２６が互いに線対称になるように
形成される。このコイル用導体パターン２５、２６は、
スルーホールを介して絶縁層２１ｅから絶縁層２１ｈま
での導体パターン２５をらせん状に接続してコイルＬ１
が形成され、スルーホールを介して絶縁層２１ｅから絶
縁層２１ｈまでの導体パターン２６をらせん状に接続し
てコイルＬ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ
２は、同じターン数になる様に形成され、絶縁層２１ｅ
の導体パターン２５と導体パターン２６が接続されるこ
とにより互いに接続される。そして、絶縁層２１ｈ上の
導体パターン２５の一端と導体パターン２６の一端が絶
縁層２１ｈの互いに対向する側面の対向する位置に引き
出される。絶縁層２１ｉ、絶縁層２１ｊ、絶縁層２１
ｋ、絶縁層２１ｌの表面には、それぞれコイル用導体パ
ターン２７、２８が互いに線対称になるように形成され
る。このとき、絶縁層２１ｉのコイル用導体パターン２
７、２８は、絶縁層２１ｈのコイル用導体パターン２
５、２６と対向する位置に形成される。このコイル用導
体パターン２７、２８は、スルーホールを介して絶縁層
２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パターン２７をらせ
ん状に接続してコイルＬ３が形成され、スルーホールを
介して絶縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パター
ン２８をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。
このコイルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様
に形成され、絶縁層２１ｉの導体パターン２７の一端と
導体パターン２８の一端が対向する側面の対向する位置
に引き出される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２
７の他端と導体パターン２８の他端が絶縁層２１ｌの互
いに対向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁
層２１ｍの表面には、容量結合用電極２９が形成され
る。この容量結合用電極２９は、絶縁層２１ｍを介して
コイルＬ３とコイルＬ４に跨るように形成される。絶縁
層２１ａから絶縁層２１ｍまで順次積層し、保護用の絶
縁層２１ｎで覆われた積層体の側面には、図３に示す様
に端子電極３１、３２、３３、３４、３５、３６が形成
される。そして、絶縁層２１ｈの導体パターン２５の一
端が端子電極３１に、絶縁層２１ｈの導体パターン２６
の一端が端子電極３４に接続されることによりコイルＬ
１とコイルＬ２が不平衡用端子１１とダミー端子１４間
に接続される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２７
の一端が端子電極３３に、絶縁層２１ｌの導体パターン
２８の一端が端子電極３６に接続されることによりコイ
ルＬ３の一端が平衡用端子１２にコイルＬ４の一端が平
衡用端子１３に接続される。さらに、絶縁層２１ｉの導
体パターン２７の他端が端子電極３２に、絶縁層２１ｉ
の導体パターン２８の他端が端子電極３５に、アース用
電極２２、２４が端子電極３２と３５に接続されること
によりコイルＬ３の他端とコイルＬ４の他端がアース用
電極２２、２４に接続される。またさらに、絶縁層２１
ｂの導体パターン２３の一端が端子電極３１に、絶縁層
２１ｃの導体パターン２３の他端が端子電極３５に接続
されることにより、コイルＬ５の一端が不平衡用端子１
１に、コイルＬ５の他端がアース電極に接続され、導体
パターン２３とアース電極２２、２４間に形成された浮
遊容量によって容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続され
る。このように形成されたバラントランスは、絶縁層２
１ｉを介してコイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４が対
向しているのでコイルＬ１とコイルＬ３間に浮遊容量Ｃ
１が、コイルＬ２とコイルＬ４間に浮遊容量Ｃ２がそれ
ぞれ発生する。
２の様に絶縁層と導体層を交互に積層して絶縁層の積層
体内に回路素子が形成される。絶縁層２１ａ、２１ｂ、
２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ、２１ｇ、２１ｈ、２
１ｉ、２１ｊ、２１ｋ、２１ｌ、２１ｍ、２１ｎは、誘
電体材料又は磁性体材料で形成される。絶縁層２１ａの
表面には、アース用電極２２が形成される。このアース
用電極２２は絶縁層２１ａの対向する側面まで引き出さ
れる。絶縁層２１ｂと絶縁層２１ｃの表面には、それぞ
れ渦巻状のコイル用導体パターン２３が形成される。こ
のコイル用導体パターン２３は、スルーホールを介して
絶縁層２１ｂの導体パターン２３と絶縁層２１ｃの導体
パターン２３が接続されてコイルＬ５が形成される。絶
縁層２１ｄの表面には、アース用電極２４が形成され
る。このアース用電極２４は絶縁層２１ｄの対向する側
面まで引き出される。絶縁層２１ｅ、絶縁層２１ｆ、絶
縁層２１ｇ、絶縁層２１ｈの表面には、それぞれコイル
用導体パターン２５、２６が互いに線対称になるように
形成される。このコイル用導体パターン２５、２６は、
スルーホールを介して絶縁層２１ｅから絶縁層２１ｈま
での導体パターン２５をらせん状に接続してコイルＬ１
が形成され、スルーホールを介して絶縁層２１ｅから絶
縁層２１ｈまでの導体パターン２６をらせん状に接続し
てコイルＬ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ
２は、同じターン数になる様に形成され、絶縁層２１ｅ
の導体パターン２５と導体パターン２６が接続されるこ
とにより互いに接続される。そして、絶縁層２１ｈ上の
導体パターン２５の一端と導体パターン２６の一端が絶
縁層２１ｈの互いに対向する側面の対向する位置に引き
出される。絶縁層２１ｉ、絶縁層２１ｊ、絶縁層２１
ｋ、絶縁層２１ｌの表面には、それぞれコイル用導体パ
ターン２７、２８が互いに線対称になるように形成され
る。このとき、絶縁層２１ｉのコイル用導体パターン２
７、２８は、絶縁層２１ｈのコイル用導体パターン２
５、２６と対向する位置に形成される。このコイル用導
体パターン２７、２８は、スルーホールを介して絶縁層
２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パターン２７をらせ
ん状に接続してコイルＬ３が形成され、スルーホールを
介して絶縁層２１ｉから絶縁層２１ｌまでの導体パター
ン２８をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。
このコイルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様
に形成され、絶縁層２１ｉの導体パターン２７の一端と
導体パターン２８の一端が対向する側面の対向する位置
に引き出される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２
７の他端と導体パターン２８の他端が絶縁層２１ｌの互
いに対向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁
層２１ｍの表面には、容量結合用電極２９が形成され
る。この容量結合用電極２９は、絶縁層２１ｍを介して
コイルＬ３とコイルＬ４に跨るように形成される。絶縁
層２１ａから絶縁層２１ｍまで順次積層し、保護用の絶
縁層２１ｎで覆われた積層体の側面には、図３に示す様
に端子電極３１、３２、３３、３４、３５、３６が形成
される。そして、絶縁層２１ｈの導体パターン２５の一
端が端子電極３１に、絶縁層２１ｈの導体パターン２６
の一端が端子電極３４に接続されることによりコイルＬ
１とコイルＬ２が不平衡用端子１１とダミー端子１４間
に接続される。また、絶縁層２１ｌの導体パターン２７
の一端が端子電極３３に、絶縁層２１ｌの導体パターン
２８の一端が端子電極３６に接続されることによりコイ
ルＬ３の一端が平衡用端子１２にコイルＬ４の一端が平
衡用端子１３に接続される。さらに、絶縁層２１ｉの導
体パターン２７の他端が端子電極３２に、絶縁層２１ｉ
の導体パターン２８の他端が端子電極３５に、アース用
電極２２、２４が端子電極３２と３５に接続されること
によりコイルＬ３の他端とコイルＬ４の他端がアース用
電極２２、２４に接続される。またさらに、絶縁層２１
ｂの導体パターン２３の一端が端子電極３１に、絶縁層
２１ｃの導体パターン２３の他端が端子電極３５に接続
されることにより、コイルＬ５の一端が不平衡用端子１
１に、コイルＬ５の他端がアース電極に接続され、導体
パターン２３とアース電極２２、２４間に形成された浮
遊容量によって容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続され
る。このように形成されたバラントランスは、絶縁層２
１ｉを介してコイルＬ１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４が対
向しているのでコイルＬ１とコイルＬ３間に浮遊容量Ｃ
１が、コイルＬ２とコイルＬ４間に浮遊容量Ｃ２がそれ
ぞれ発生する。
【００１１】この様なバラントランスにおいて、コイル
用導体パターン２３、２５、２６、２７、２８の線幅を
７５μｍにし、不平衡用端子１１と平衡用端子１２、１
３間のインピーダンス比が１：４になるようにコイルＬ
１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を調節したとこ
ろ、その形状が２．０×１．２５×１．２５ｍｍとな
り、図４〜図６の様な特性が得られた。なお、図４、図
５において横軸は周波数、縦軸は減衰量、４１は平衡端
子１２から出力された信号の特性、４２はリターンロス
の特性、５１は平衡端子１３から出力された信号の特
性、５２はリターンロスの特性を示し、図６において横
軸は周波数、縦軸は位相、６１は位相特性を示してい
る。このバラントランスは、不平衡用端子とアース間に
並列に接続されたコイルＬ５と容量Ｃ４により、図４の
リターンロスの特性４２と図５のリターンロスの特性５
２に示す様に９８５ＭＨｚ近傍に減衰極を形成し、この
減衰極により９００〜１２００ＭＨｚにおける不平衡用
端子にもどってきた信号を大きく減衰している。従っ
て、このバラントランスは、一方の平衡用端子から出力
される信号と他方の平衡用端子から出力される信号の位
相差が１７０〜１９０の範囲内で、不平衡用端子にもど
ってきた信号の減衰量、すなわち、不平衡用端子におけ
るリターンロスが１０ｄＢ以上ある周波数が９００〜２
２６０ＭＨｚとなり、この９００ＭＨｚから２２６０Ｍ
Ｈｚまでが使用できる周波数帯域で、その帯域幅が１３
６０ＭＨｚとなる。
用導体パターン２３、２５、２６、２７、２８の線幅を
７５μｍにし、不平衡用端子１１と平衡用端子１２、１
３間のインピーダンス比が１：４になるようにコイルＬ
１、Ｌ２とコイルＬ３、Ｌ４の巻数比を調節したとこ
ろ、その形状が２．０×１．２５×１．２５ｍｍとな
り、図４〜図６の様な特性が得られた。なお、図４、図
５において横軸は周波数、縦軸は減衰量、４１は平衡端
子１２から出力された信号の特性、４２はリターンロス
の特性、５１は平衡端子１３から出力された信号の特
性、５２はリターンロスの特性を示し、図６において横
軸は周波数、縦軸は位相、６１は位相特性を示してい
る。このバラントランスは、不平衡用端子とアース間に
並列に接続されたコイルＬ５と容量Ｃ４により、図４の
リターンロスの特性４２と図５のリターンロスの特性５
２に示す様に９８５ＭＨｚ近傍に減衰極を形成し、この
減衰極により９００〜１２００ＭＨｚにおける不平衡用
端子にもどってきた信号を大きく減衰している。従っ
て、このバラントランスは、一方の平衡用端子から出力
される信号と他方の平衡用端子から出力される信号の位
相差が１７０〜１９０の範囲内で、不平衡用端子にもど
ってきた信号の減衰量、すなわち、不平衡用端子におけ
るリターンロスが１０ｄＢ以上ある周波数が９００〜２
２６０ＭＨｚとなり、この９００ＭＨｚから２２６０Ｍ
Ｈｚまでが使用できる周波数帯域で、その帯域幅が１３
６０ＭＨｚとなる。
【００１２】図７は、本発明のバラントランスの第２の
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層７１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極７２が形成される。絶縁層７１ｂの表面には、コ
イル用導体パターン７３が形成される。コイル用導体パ
ターン７３の両端は、絶縁層７１ｂの対向する側面に引
き出されてコイルＬ５が形成される。絶縁層７１ｃの表
面には、引き出し端が対向する側面まで引き出されたア
ース用電極７４が形成される。絶縁層７１ｄ、絶縁層７
１ｅ、絶縁層７１ｆ、絶縁層７１ｇの表面には、それぞ
れコイル用導体パターン７５、７６が互いに線対称にな
るように形成され、絶縁層７１ｄから絶縁層７１ｇまで
の導体パターン７５をスルーホールを介してらせん状に
接続してコイルＬ１が形成され、絶縁層７１ｄから絶縁
層７１ｇまでの導体パターン７６をスルーホールを介し
てらせん状に接続してコイルＬ２が形成される。このコ
イルＬ１とコイルＬ２は、同じターン数になる様に形成
され、絶縁層７１ｄの導体パターン７５と導体パターン
７６が接続されることにより互いに接続され、絶縁層７
１ｇ上の導体パターン７５の一端と導体パターン７６の
一端が絶縁層７１ｇの互いに対向する側面の対向する位
置に引き出される。絶縁層７１ｈ、絶縁層７１ｉ、絶縁
層７１ｊ、絶縁層７１ｋの表面には、それぞれコイル用
導体パターン７７、７８が互いに線対称になるように形
成される。このとき、絶縁層７１ｈのコイル用導体パタ
ーン７７、７８は、絶縁層７１ｇのコイル用導体パター
ン７５、７６と対向する位置に形成される。このコイル
用導体パターン７７、７８は、絶縁層７１ｈから絶縁層
７１ｋまでの導体パターン７７をスルーホールを介して
らせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁層７１
ｈから絶縁層７１ｋまでの導体パターン７８をスルーホ
ールを介してらせん状に接続してコイルＬ４が形成され
る。このコイルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数にな
る様に形成され、絶縁層７１ｈの導体パターン７７の一
端と導体パターン７８の一端が対向する側面の対向する
位置に引き出される。また、絶縁層７１ｋの導体パター
ン７７の他端と導体パターン７８の他端が絶縁層７１ｋ
の互いに対向する側面の対向する位置に引き出される。
絶縁層７１ｌの表面には、容量結合用電極７９が絶縁層
７１ｌを介してコイルＬ３とコイルＬ４に跨るように形
成される。絶縁層７１ａから絶縁層７１ｌまで順次積層
し、保護用の絶縁層７１ｍで覆われた積層体の側面には
６つの端子電極が形成される。そして、コイルＬ１、コ
イルＬ２、コイルＬ３、コイルＬ４、コイルＬ５が図１
の回路を構成するように接続され、導体パターン７３と
アース電極７２、７４間に形成された浮遊容量によって
容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続される。
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層７１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極７２が形成される。絶縁層７１ｂの表面には、コ
イル用導体パターン７３が形成される。コイル用導体パ
ターン７３の両端は、絶縁層７１ｂの対向する側面に引
き出されてコイルＬ５が形成される。絶縁層７１ｃの表
面には、引き出し端が対向する側面まで引き出されたア
ース用電極７４が形成される。絶縁層７１ｄ、絶縁層７
１ｅ、絶縁層７１ｆ、絶縁層７１ｇの表面には、それぞ
れコイル用導体パターン７５、７６が互いに線対称にな
るように形成され、絶縁層７１ｄから絶縁層７１ｇまで
の導体パターン７５をスルーホールを介してらせん状に
接続してコイルＬ１が形成され、絶縁層７１ｄから絶縁
層７１ｇまでの導体パターン７６をスルーホールを介し
てらせん状に接続してコイルＬ２が形成される。このコ
イルＬ１とコイルＬ２は、同じターン数になる様に形成
され、絶縁層７１ｄの導体パターン７５と導体パターン
７６が接続されることにより互いに接続され、絶縁層７
１ｇ上の導体パターン７５の一端と導体パターン７６の
一端が絶縁層７１ｇの互いに対向する側面の対向する位
置に引き出される。絶縁層７１ｈ、絶縁層７１ｉ、絶縁
層７１ｊ、絶縁層７１ｋの表面には、それぞれコイル用
導体パターン７７、７８が互いに線対称になるように形
成される。このとき、絶縁層７１ｈのコイル用導体パタ
ーン７７、７８は、絶縁層７１ｇのコイル用導体パター
ン７５、７６と対向する位置に形成される。このコイル
用導体パターン７７、７８は、絶縁層７１ｈから絶縁層
７１ｋまでの導体パターン７７をスルーホールを介して
らせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁層７１
ｈから絶縁層７１ｋまでの導体パターン７８をスルーホ
ールを介してらせん状に接続してコイルＬ４が形成され
る。このコイルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数にな
る様に形成され、絶縁層７１ｈの導体パターン７７の一
端と導体パターン７８の一端が対向する側面の対向する
位置に引き出される。また、絶縁層７１ｋの導体パター
ン７７の他端と導体パターン７８の他端が絶縁層７１ｋ
の互いに対向する側面の対向する位置に引き出される。
絶縁層７１ｌの表面には、容量結合用電極７９が絶縁層
７１ｌを介してコイルＬ３とコイルＬ４に跨るように形
成される。絶縁層７１ａから絶縁層７１ｌまで順次積層
し、保護用の絶縁層７１ｍで覆われた積層体の側面には
６つの端子電極が形成される。そして、コイルＬ１、コ
イルＬ２、コイルＬ３、コイルＬ４、コイルＬ５が図１
の回路を構成するように接続され、導体パターン７３と
アース電極７２、７４間に形成された浮遊容量によって
容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続される。
【００１３】図８は、本発明のバラントランスの第３の
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層８１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極８２が形成される。絶縁層８１ｂの表面には、ア
ース用電極８２と対向する位置に容量用電極８４が形成
される。絶縁層８１ｃと絶縁層８１ｄの表面には、それ
ぞれループ状のコイル用導体パターン８３が形成され
る。このコイル用導体パターン８３は、スルーホールを
介して絶縁層８１ｃの導体パターン８３と絶縁層８１ｄ
の導体パターン８３が接続されてコイルＬ５が形成され
る。絶縁層８１ｅから絶縁層８１ｈの表面には、互いに
線対称のコイル用導体パターン８５、８６が形成され、
導体パターン８５をらせん状に接続してコイルＬ１が形
成され、導体パターン８６をらせん状に接続してコイル
Ｌ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、絶
縁層８１ｅの導体パターン８５と導体パターン８６が接
続されることにより互いに接続され、絶縁層８１ｈ上の
導体パターン８５の一端と導体パターン８６の一端が絶
縁層８１ｈの互いに対向する側面の対向する位置に引き
出される。絶縁層８１ｉから絶縁層８１ｌの表面には、
互いに線対称のコイル用導体パターン８７、８８が形成
される。このとき、絶縁層８１ｉのコイル用導体パター
ン８７、８８は、絶縁層８１ｈのコイル用導体パターン
８５、８６と対向する位置に形成される。このコイル用
導体パターン８７、８８は、導体パターン８７をらせん
状に接続してコイルＬ３が形成され、導体パターン８８
をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。このコ
イルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様に形成
され、絶縁層８１ｉの導体パターン８７の一端と導体パ
ターン８８の一端が対向する側面の対向する位置に引き
出される。また、絶縁層８１ｌの導体パターン８７の他
端と導体パターン８８の他端が絶縁層８１ｌの互いに対
向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁層８１
ｍの表面には、コイルＬ３とコイルＬ４に跨るように容
量結合用電極８９が形成される。絶縁層８１ａから絶縁
層８１ｍまで順次積層し、保護用の絶縁層８１ｈで覆わ
れた積層体の側面には端子電極が形成される。
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層８１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極８２が形成される。絶縁層８１ｂの表面には、ア
ース用電極８２と対向する位置に容量用電極８４が形成
される。絶縁層８１ｃと絶縁層８１ｄの表面には、それ
ぞれループ状のコイル用導体パターン８３が形成され
る。このコイル用導体パターン８３は、スルーホールを
介して絶縁層８１ｃの導体パターン８３と絶縁層８１ｄ
の導体パターン８３が接続されてコイルＬ５が形成され
る。絶縁層８１ｅから絶縁層８１ｈの表面には、互いに
線対称のコイル用導体パターン８５、８６が形成され、
導体パターン８５をらせん状に接続してコイルＬ１が形
成され、導体パターン８６をらせん状に接続してコイル
Ｌ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、絶
縁層８１ｅの導体パターン８５と導体パターン８６が接
続されることにより互いに接続され、絶縁層８１ｈ上の
導体パターン８５の一端と導体パターン８６の一端が絶
縁層８１ｈの互いに対向する側面の対向する位置に引き
出される。絶縁層８１ｉから絶縁層８１ｌの表面には、
互いに線対称のコイル用導体パターン８７、８８が形成
される。このとき、絶縁層８１ｉのコイル用導体パター
ン８７、８８は、絶縁層８１ｈのコイル用導体パターン
８５、８６と対向する位置に形成される。このコイル用
導体パターン８７、８８は、導体パターン８７をらせん
状に接続してコイルＬ３が形成され、導体パターン８８
をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。このコ
イルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様に形成
され、絶縁層８１ｉの導体パターン８７の一端と導体パ
ターン８８の一端が対向する側面の対向する位置に引き
出される。また、絶縁層８１ｌの導体パターン８７の他
端と導体パターン８８の他端が絶縁層８１ｌの互いに対
向する側面の対向する位置に引き出される。絶縁層８１
ｍの表面には、コイルＬ３とコイルＬ４に跨るように容
量結合用電極８９が形成される。絶縁層８１ａから絶縁
層８１ｍまで順次積層し、保護用の絶縁層８１ｈで覆わ
れた積層体の側面には端子電極が形成される。
【００１４】図９は、本発明のバラントランスの第４の
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層９１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極９２が形成される。絶縁層９１ｂと絶縁層９１ｃ
の表面には、それぞれ渦巻状のコイル用導体パターン９
３が形成され、スルーホールを介して接続されてコイル
Ｌ５が形成される。絶縁層９１ｄの表面には、引き出し
端が対向する側面まで引き出されたアース用電極９４が
形成される。絶縁層９１ｅと絶縁層９１ｆの表面には、
それぞれ互いに線対称のコイル用導体パターン９５とコ
イル用導体パターン９６が形成され、絶縁層９１ｅの導
体パターン９５と絶縁層９１ｆの導体パターン９５とを
らせん状に接続してコイルＬ１が形成され、絶縁層９１
ｅの導体パターン９６と絶縁層９１ｆの導体パターン９
６とをらせん状に接続してコイルＬ２が形成される。こ
のコイルＬ１とコイルＬ２は、同一ターン数になるよう
に形成され、絶縁層９１ｅの導体パターン９５と導体パ
ターン９６が接続されることにより互いに接続される。
そして、絶縁層９１ｆの導体パターン９５の一端と導体
パターン９６の一端が絶縁層９１ｆの同じ側面まで引き
出される。絶縁層９１ｇと絶縁層９１ｈの表面には、そ
れぞれ互いに線対称のコイル用導体パターン９７とコイ
ル用導体パターン９８が形成される。このとき、絶縁層
９１ｇの導体パターン９７、９８は、絶縁層９１ｆの導
体パターン９５、９６と対向する位置に形成される。こ
のコイル用導体パターン９７、９８は、絶縁層９１ｇの
導体パターン９７と絶縁層９１ｈの導体パターン９７を
らせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁層９１
ｇの導体パターン９８と絶縁層９１ｈの導体パターン９
８をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。この
コイルＬ３とコイルＬ４は、同一ターン数になるように
形成され、絶縁層９１ｇの導体パターン９７と導体パタ
ーン９８が接続されることにより互いに接続される。こ
の絶縁層９１ｇの導体パターン９７と導体パターン９８
の共通接続端は、アース用電極９２、９４が引き出され
た一方の側面まで引き出される。また、絶縁層９１ｈの
導体パターン９７の一端と導体パターン９８の一端が絶
縁層９１ｈの同じ側面まで引き出される引き出される。
絶縁層９１ｉの表面には、コイルＬ３とコイルＬ４に跨
るように容量結合用電極９９が形成される。絶縁層９１
ａから絶縁層９１ｉまで順次積層し、保護用の絶縁層９
１ｊで覆われた積層体の側面には、図３に示す様に端子
電極３１、３２、３３、３４、３５、３６が形成され
る。そして、絶縁層９１ｆの導体パターン９５の一端が
端子電極３１に、絶縁層９１ｆの導体パターン９６の一
端が端子電極３３に接続されることによりコイルＬ１と
コイルＬ２が不平衡用端子１１とダミー端子１４間に接
続される。また、絶縁層９１ｈの導体パターン９７の一
端が端子電極３４に、絶縁層９１ｈの導体パターン９８
の一端が端子電極３６に接続されることによりコイルＬ
３とコイルＬ４が平衡用端子１２と平衡用端子１３間に
接続される。さらに、絶縁層９１ｇの導体パターン９７
と導体パターン９８の共通接続端が端子電極３５に、ア
ース用電極９２、９４が端子電極３５に接続されること
によりコイルＬ３の他端とコイルＬ４の他端がアース用
電極９２、９４に接続される。またさらに、絶縁層９１
ｂの導体パターン９３の一端が端子電極３１に、絶縁層
９１ｃの導体パターン９３の他端が端子電極３５に、ア
ース用電極９２、９４が端子電極３５に接続されること
により、コイルＬ５の一端が不平衡用端子１１に、コイ
ルＬ５の他端がアース電極に接続され、導体パターン９
３とアース電極９２、９４間に形成された浮遊容量によ
って容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続される。
実施例を示す分解斜視図である。絶縁層９１ａの表面に
は、引き出し端が対向する側面まで引き出されたアース
用電極９２が形成される。絶縁層９１ｂと絶縁層９１ｃ
の表面には、それぞれ渦巻状のコイル用導体パターン９
３が形成され、スルーホールを介して接続されてコイル
Ｌ５が形成される。絶縁層９１ｄの表面には、引き出し
端が対向する側面まで引き出されたアース用電極９４が
形成される。絶縁層９１ｅと絶縁層９１ｆの表面には、
それぞれ互いに線対称のコイル用導体パターン９５とコ
イル用導体パターン９６が形成され、絶縁層９１ｅの導
体パターン９５と絶縁層９１ｆの導体パターン９５とを
らせん状に接続してコイルＬ１が形成され、絶縁層９１
ｅの導体パターン９６と絶縁層９１ｆの導体パターン９
６とをらせん状に接続してコイルＬ２が形成される。こ
のコイルＬ１とコイルＬ２は、同一ターン数になるよう
に形成され、絶縁層９１ｅの導体パターン９５と導体パ
ターン９６が接続されることにより互いに接続される。
そして、絶縁層９１ｆの導体パターン９５の一端と導体
パターン９６の一端が絶縁層９１ｆの同じ側面まで引き
出される。絶縁層９１ｇと絶縁層９１ｈの表面には、そ
れぞれ互いに線対称のコイル用導体パターン９７とコイ
ル用導体パターン９８が形成される。このとき、絶縁層
９１ｇの導体パターン９７、９８は、絶縁層９１ｆの導
体パターン９５、９６と対向する位置に形成される。こ
のコイル用導体パターン９７、９８は、絶縁層９１ｇの
導体パターン９７と絶縁層９１ｈの導体パターン９７を
らせん状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁層９１
ｇの導体パターン９８と絶縁層９１ｈの導体パターン９
８をらせん状に接続してコイルＬ４が形成される。この
コイルＬ３とコイルＬ４は、同一ターン数になるように
形成され、絶縁層９１ｇの導体パターン９７と導体パタ
ーン９８が接続されることにより互いに接続される。こ
の絶縁層９１ｇの導体パターン９７と導体パターン９８
の共通接続端は、アース用電極９２、９４が引き出され
た一方の側面まで引き出される。また、絶縁層９１ｈの
導体パターン９７の一端と導体パターン９８の一端が絶
縁層９１ｈの同じ側面まで引き出される引き出される。
絶縁層９１ｉの表面には、コイルＬ３とコイルＬ４に跨
るように容量結合用電極９９が形成される。絶縁層９１
ａから絶縁層９１ｉまで順次積層し、保護用の絶縁層９
１ｊで覆われた積層体の側面には、図３に示す様に端子
電極３１、３２、３３、３４、３５、３６が形成され
る。そして、絶縁層９１ｆの導体パターン９５の一端が
端子電極３１に、絶縁層９１ｆの導体パターン９６の一
端が端子電極３３に接続されることによりコイルＬ１と
コイルＬ２が不平衡用端子１１とダミー端子１４間に接
続される。また、絶縁層９１ｈの導体パターン９７の一
端が端子電極３４に、絶縁層９１ｈの導体パターン９８
の一端が端子電極３６に接続されることによりコイルＬ
３とコイルＬ４が平衡用端子１２と平衡用端子１３間に
接続される。さらに、絶縁層９１ｇの導体パターン９７
と導体パターン９８の共通接続端が端子電極３５に、ア
ース用電極９２、９４が端子電極３５に接続されること
によりコイルＬ３の他端とコイルＬ４の他端がアース用
電極９２、９４に接続される。またさらに、絶縁層９１
ｂの導体パターン９３の一端が端子電極３１に、絶縁層
９１ｃの導体パターン９３の他端が端子電極３５に、ア
ース用電極９２、９４が端子電極３５に接続されること
により、コイルＬ５の一端が不平衡用端子１１に、コイ
ルＬ５の他端がアース電極に接続され、導体パターン９
３とアース電極９２、９４間に形成された浮遊容量によ
って容量Ｃ４がコイルＬ５と並列に接続される。
【００１５】これらの様に形成された本発明のバラント
ランスは、不平衡用端子１１とアース間に第５のコイル
Ｌ５と容量Ｃ４が並列に接続されているので、第３のコ
イルと第４のコイルの接続点に直流バイアスが供給され
た場合でも、図１０に示す様に第５のコイルＬ５と容量
Ｃ４によって第１のコイルと第２のコイルにも直流バイ
アスが供給されて第１のコイルの一端と第２のコイルの
一端の電位を、第３のコイルの他端と第４のコイルの他
端の電位と同じレベルまで上げることができる。
ランスは、不平衡用端子１１とアース間に第５のコイル
Ｌ５と容量Ｃ４が並列に接続されているので、第３のコ
イルと第４のコイルの接続点に直流バイアスが供給され
た場合でも、図１０に示す様に第５のコイルＬ５と容量
Ｃ４によって第１のコイルと第２のコイルにも直流バイ
アスが供給されて第１のコイルの一端と第２のコイルの
一端の電位を、第３のコイルの他端と第４のコイルの他
端の電位と同じレベルまで上げることができる。
【００１６】以上、本発明のバラントランスの実施例を
述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。例えば、第１の実施例と第２の実施例と第３の実
施例では、第５のコイルが積層方向の上下両側が１対の
アース用電極によって挟まれているが、第５のコイルの
積層方向の上下一方にアース用電極を絶縁層を介して第
５のコイルと対向する様に積層してもよい。また、第２
の実施例において、第５のコイルは第３の絶縁層の表面
にループ状又は直線状の導体パターンを形成し、その両
端を第３の絶縁層の側面まで引き出して形成されてもよ
い。さらに、第１の実施例から第４の実施例において、
第３のコイルの他端と第４のコイルの他端は、スルーホ
ールを介してアース用電極に接続されてもよい。またさ
らに、第１の実施例から第４の実施例において、第５の
コイルの他端は、スルーホールを介してアース用電極に
接続されてもよい。
述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。例えば、第１の実施例と第２の実施例と第３の実
施例では、第５のコイルが積層方向の上下両側が１対の
アース用電極によって挟まれているが、第５のコイルの
積層方向の上下一方にアース用電極を絶縁層を介して第
５のコイルと対向する様に積層してもよい。また、第２
の実施例において、第５のコイルは第３の絶縁層の表面
にループ状又は直線状の導体パターンを形成し、その両
端を第３の絶縁層の側面まで引き出して形成されてもよ
い。さらに、第１の実施例から第４の実施例において、
第３のコイルの他端と第４のコイルの他端は、スルーホ
ールを介してアース用電極に接続されてもよい。またさ
らに、第１の実施例から第４の実施例において、第５の
コイルの他端は、スルーホールを介してアース用電極に
接続されてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のバラントラ
ンスは、表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコ
イル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁層を
積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコ
イル用導体パターン同士を接続して同じターン数を有す
る第１のコイルと第２のコイルが形成される共に、第１
のコイルと第２のコイルが不平衡用端子とダミー端子間
に接続され、表面に第３のコイル用導体パターンと第４
のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁
層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４
のコイル用導体パターン同士を接続して同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルが形成され、第１の
コイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２の
コイルと第４のコイルが電磁気的に結合するように第１
のコイルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３の
コイルと第４のコイルに対向させ、第３のコイルと第４
のコイルが１対の平衡用端子間に接続されると共に、第
３のコイルと第４のコイルの接続点がアースされ、不平
衡用端子とアース間に第５のコイルと容量が並列に接続
されるので、不平衡用端子におけるリターンロスの特性
に減衰極を形成して不平衡用端子にもどってきた信号の
減衰量が１０ｄＢ以上ある周波数の幅を従来よりも広く
できると共に、第１、第２のコイルの一端と第３、第４
のコイルの他端間の電位差をなくすことができる。従っ
て、本発明のバラントランスは、形状を大きくすること
なく従来よりも使用周波数帯域幅を２４０ＭＨｚ広くで
きると共に、第３のコイルと第４のコイルの接続点に直
流バイアスが供給されてもマイグレーションが発生する
のを防止できる。
ンスは、表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコ
イル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁層を
積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコ
イル用導体パターン同士を接続して同じターン数を有す
る第１のコイルと第２のコイルが形成される共に、第１
のコイルと第２のコイルが不平衡用端子とダミー端子間
に接続され、表面に第３のコイル用導体パターンと第４
のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁
層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４
のコイル用導体パターン同士を接続して同じターン数を
有する第３のコイルと第４のコイルが形成され、第１の
コイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、かつ第２の
コイルと第４のコイルが電磁気的に結合するように第１
のコイルと第２のコイルを第２の絶縁層を介して第３の
コイルと第４のコイルに対向させ、第３のコイルと第４
のコイルが１対の平衡用端子間に接続されると共に、第
３のコイルと第４のコイルの接続点がアースされ、不平
衡用端子とアース間に第５のコイルと容量が並列に接続
されるので、不平衡用端子におけるリターンロスの特性
に減衰極を形成して不平衡用端子にもどってきた信号の
減衰量が１０ｄＢ以上ある周波数の幅を従来よりも広く
できると共に、第１、第２のコイルの一端と第３、第４
のコイルの他端間の電位差をなくすことができる。従っ
て、本発明のバラントランスは、形状を大きくすること
なく従来よりも使用周波数帯域幅を２４０ＭＨｚ広くで
きると共に、第３のコイルと第４のコイルの接続点に直
流バイアスが供給されてもマイグレーションが発生する
のを防止できる。
【図１】 本発明のバラントランスの回路図である。
【図２】 本発明のバラントランスの第１の実施例を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図３】 本発明のバラントランスの第１の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】 本発明のバラントランスの平衡用端子１２か
ら出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図で
ある。
ら出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図で
ある。
【図５】 本発明のバラントランスの平衡用端子１３か
ら出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図で
ある。
ら出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図で
ある。
【図６】 本発明のバラントランスの位相特性を示す特
性図である。
性図である。
【図７】 本発明のバラントランスの第２の実施例を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図８】 本発明のバラントランスの第３の実施例を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図９】 本発明のバラントランスの第４の実施例を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図１０】 本発明のバラントランスのアースから直流
バイアスを供給した場合の回路図である。
バイアスを供給した場合の回路図である。
【図１１】 従来のバラントランスの回路図である。
【図１２】 従来の別のバラントランスの回路図であ
る。
る。
【図１３】 従来のバラントランスを示す分解斜視図で
ある。
ある。
【図１４】 従来のバラントランスの平衡用端子１２２
から出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図
である。
から出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図
である。
【図１５】 従来のバラントランスの平衡用端子１２３
から出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図
である。
から出力された信号の特性とリターンロスを示す特性図
である。
【図１６】 従来のバラントランスの位相特性を示す特
性図である。
性図である。
【図１７】 従来のバラントランスのアースから直流バ
イアスを供給した場合の回路図である。
イアスを供給した場合の回路図である。
１１ 不平衡用端子 １２、１３ 平衡用端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 5/10 Ｈ０１Ｆ 31/00 Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び
該第２のコイル用導体パターン同士を接続して同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される
共に、該第１のコイルと該第２のコイルが不平衡用端子
とダミー端子間に接続され、 表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導
体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、
該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成され、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶
縁層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向さ
せ、 該第３のコイルと該第４のコイルが１対の平衡用端子間
に接続されると共に、該第３のコイルと該第４のコイル
の接続点がアースされ、 該不平衡用端子とアース間に第５のコイルと容量が並列
に接続されたことを特徴とするバラントランス。 - 【請求項２】 表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び
該第２のコイル用導体パターン同士を接続して同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される
共に、該第１のコイルと該第２のコイルが不平衡用端子
とダミー端子間に接続され、 表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導
体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、
該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、該第３
のコイルの一端が第１の平衡用端子に、該第４のコイル
の一端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶
縁層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向さ
せ、 表面に第５のコイル用導体パターンが形成された第３の
絶縁層を積層し、第５のコイル用導体パターンを接続し
て第５のコイルが形成されると共に、該第５のコイルの
一端が不平衡用端子に接続され、 該第５のコイルに絶縁層を介してアース電極を対向させ
て該アース電極と該第５のコイル用導体パターン間に容
量が形成され、 該第３のコイルの他端、該第４のコイルの他端及び、該
第５のコイルの他端が該アース電極に接続されたことを
特徴とするバラントランス。 - 【請求項３】 表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び
該第２のコイル用導体パターン同士を接続して同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される
共に、該第１のコイルと該第２のコイルが不平衡用端子
とダミー端子間に接続され、 表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導
体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、
該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、該第３
のコイルの一端が第１の平衡用端子に、該第４のコイル
の一端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶
縁層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向さ
せ、 第３の絶縁層の表面に第５のコイル用導体パターンを形
成して第５のコイルが形成されると共に、該第５のコイ
ルの一端が不平衡用端子に接続され、 該第５のコイルに絶縁層を介してアース電極を対向させ
て該アース電極と該第５のコイル用導体パターン間に容
量が形成され、 該第３のコイルの他端、該第４のコイルの他端及び、該
第５のコイルの他端が該アース電極に接続されたことを
特徴とするバラントランス。 - 【請求項４】 表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び
該第２のコイル用導体パターン同士を接続して同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される
共に、該第１のコイルと該第２のコイルが不平衡用端子
とダミー端子間に接続され、 表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導
体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、
該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、該第３
のコイルの一端が第１の平衡用端子に、該第４のコイル
の一端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶
縁層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向さ
せ、 表面に第５のコイル用導体パターンが形成された第３の
絶縁層を積層し、第５のコイル用導体パターンを接続し
て第５のコイルが形成されると共に、該第５のコイルの
一端が不平衡用端子に接続され、 容量用電極とアース電極を第４の絶縁層を介して対向さ
せて容量が形成され、該第３のコイルの他端、該第４の
コイルの他端及び、該第５のコイルの他端が該アース電
極に接続されたことを特徴とするバラントランス。 - 【請求項５】 表面に第１のコイル用導体パターンと第
２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶
縁層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び
該第２のコイル用導体パターン同士を接続して同じター
ン数を有する第１のコイルと第２のコイルが形成される
共に、該第１のコイルと該第２のコイルが不平衡用端子
とダミー端子間に接続され、 表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導
体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、
該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル
用導体パターン同士を接続して同じターン数を有する第
３のコイルと第４のコイルが形成されると共に、該第３
のコイルの一端が第１の平衡用端子に、該第４のコイル
の一端が第２の平衡用端子にそれぞれ接続され、 該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、
かつ該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合
するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶
縁層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向さ
せ、 第３の絶縁層の表面に第５のコイル用導体パターンを形
成して第５のコイルが形成されると共に、該第５のコイ
ルの一端が不平衡用端子に接続され、 容量用電極とアース電極を第４の絶縁層を介して対向さ
せて容量が形成され、該第３のコイルの他端、該第４の
コイルの他端及び、該第５のコイルの他端が該アース電
極に接続されたことを特徴とするバラントランス。 - 【請求項６】 前記第３のコイルの他端と前記第４のコ
イルの他端が第２の絶縁層上で共通に接続された請求項
２、３、４、５のいずれかに記載のバラントランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231517A JP2002043882A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | バラントランス |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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ID=18724345
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1429458A2 (fr) * | 2002-12-13 | 2004-06-16 | STMicroelectronics S.A. | Transformateur à changement de mode sélectif en fréquences |
| JP2005079273A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｃ複合部品 |
| JP2005244000A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Toko Inc | バラントランス |
| JP2006269653A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Tdk Corp | 積層型電子部品 |
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-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000231517A patent/JP2002043882A/ja active Pending
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| KR101647839B1 (ko) | 2008-12-10 | 2016-08-11 | 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디. | Ｌｃ 공진기로 구현된 밸런스 밴드-패스 필터를 갖는 반도체 장치 |
| GB2486758A (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Avago Technologies Wireless Ip | Combined balun and impedance matching circuit |
| US8633781B2 (en) | 2010-12-21 | 2014-01-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Combined balun and impedance matching circuit |
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