JP2002043457A - 放熱用絶縁基板及び半導体装置 - Google Patents
放熱用絶縁基板及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2002043457A JP2002043457A JP2000225292A JP2000225292A JP2002043457A JP 2002043457 A JP2002043457 A JP 2002043457A JP 2000225292 A JP2000225292 A JP 2000225292A JP 2000225292 A JP2000225292 A JP 2000225292A JP 2002043457 A JP2002043457 A JP 2002043457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- conductor layer
- thickness
- base material
- insulating base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板下の半田材でのボイドの残留を低減
することができ、絶縁基材又は半田材に生じる熱ストレ
スを抑制することができる、安価な放熱用絶縁基板を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板６においては、アルミナ又は窒
化アルミニウムからなる絶縁基材２のおもて面に、銅箔
からなる回路側導体層３がロウ付けされ、絶縁基材２の
裏面に、銅箔からなる裏面導体層４がロウ付けされてい
る。ここで、回路側導体層３の厚みｔ1と裏面導体層４
厚みｔ2とは等しく、かつ両導体層３、４の厚みｔ1、ｔ
2と絶縁基材２の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔ、ｔ2／Ｔが０.
３以上かつ０.５以下の範囲内に設定され、これによ
り、絶縁基板６下の半田材でのボイドの残留が低減さ
れ、絶縁基材６又は半田材に生じる熱ストレスが抑制さ
れ、かつその製造コストが低減されるようになってい
る。
することができ、絶縁基材又は半田材に生じる熱ストレ
スを抑制することができる、安価な放熱用絶縁基板を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板６においては、アルミナ又は窒
化アルミニウムからなる絶縁基材２のおもて面に、銅箔
からなる回路側導体層３がロウ付けされ、絶縁基材２の
裏面に、銅箔からなる裏面導体層４がロウ付けされてい
る。ここで、回路側導体層３の厚みｔ1と裏面導体層４
厚みｔ2とは等しく、かつ両導体層３、４の厚みｔ1、ｔ
2と絶縁基材２の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔ、ｔ2／Ｔが０.
３以上かつ０.５以下の範囲内に設定され、これによ
り、絶縁基板６下の半田材でのボイドの残留が低減さ
れ、絶縁基材６又は半田材に生じる熱ストレスが抑制さ
れ、かつその製造コストが低減されるようになってい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一方の広がり面に
半導体素子を搭載し、他方の広がり面にヒートシンクと
して機能する金属板が半田接合されるようになっている
放熱用絶縁基板と、該放熱用絶縁基板を用いた半導体装
置とに関するものである。
半導体素子を搭載し、他方の広がり面にヒートシンクと
して機能する金属板が半田接合されるようになっている
放熱用絶縁基板と、該放熱用絶縁基板を用いた半導体装
置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置においては、絶縁基
板上に半導体素子が搭載されているが、かかる半導体素
子の発熱が大きい場合は、該熱の外部への放出を促進す
る必要がある。具体的には、例えば、絶縁基板の一方の
広がり面に半導体素子を搭載する一方、他方の広がり面
にヒートシンクとして機能する金属板を半田接合するな
どして、放熱が促進されるようになっている。
板上に半導体素子が搭載されているが、かかる半導体素
子の発熱が大きい場合は、該熱の外部への放出を促進す
る必要がある。具体的には、例えば、絶縁基板の一方の
広がり面に半導体素子を搭載する一方、他方の広がり面
にヒートシンクとして機能する金属板を半田接合するな
どして、放熱が促進されるようになっている。
【０００３】図５は、このようにして放熱が促進される
ようになっている半導体装置で用いられる従来の絶縁基
板の一例を示している。図５に示すように、この従来の
絶縁基板１０６においては、平板状の絶縁基材１０２の
一方の広がり面（以下、「おもて面」という。）に回路
側導体層１０３が固着され、他方の広がり面（以下、
「裏面」という。）に裏面導体層１０４が固着されてい
る。なお、例えば特開平９−５１０４９号公報にも開示
されているように、絶縁基材１０２はセラミック材料等
で形成され、両導体層１０３、１０４は銅等で形成され
る。そして、かかる絶縁基板１０６においては、従来
は、製造技術上の事情等により、回路側導体層１０３の
厚みｔ1が裏面導体層１０４の厚みｔ2より大きく設定さ
れている。
ようになっている半導体装置で用いられる従来の絶縁基
板の一例を示している。図５に示すように、この従来の
絶縁基板１０６においては、平板状の絶縁基材１０２の
一方の広がり面（以下、「おもて面」という。）に回路
側導体層１０３が固着され、他方の広がり面（以下、
「裏面」という。）に裏面導体層１０４が固着されてい
る。なお、例えば特開平９−５１０４９号公報にも開示
されているように、絶縁基材１０２はセラミック材料等
で形成され、両導体層１０３、１０４は銅等で形成され
る。そして、かかる絶縁基板１０６においては、従来
は、製造技術上の事情等により、回路側導体層１０３の
厚みｔ1が裏面導体層１０４の厚みｔ2より大きく設定さ
れている。
【０００４】このため、図６に示すように、半田材１０
５を用いて絶縁基板１０６を、ヒートシンクとして機能
する金属板１０１に半田接合する際に、絶縁基材１０２
ないしは絶縁基板１０６には、おもて面側に凸状となる
湾曲ないしは反りが生じる。これは、半田接合時の温度
上昇により、厚みの大きい回路側導体層１０３には、厚
みの小さい裏面導体層１０４よりも強い熱ストレス（熱
応力）が生じるからである。このように、絶縁基材１０
２ないしは絶縁基板１０６に、おもて面側に凸状となる
湾曲ないしは反りが生じると、半田接合時に半田材１０
５内に生じたボイド１０７（気泡）が絶縁基板下で半田
材１０５内に閉じ込められ、外部に排出されなくなり、
冷却後も半田材１０５内に残留する。
５を用いて絶縁基板１０６を、ヒートシンクとして機能
する金属板１０１に半田接合する際に、絶縁基材１０２
ないしは絶縁基板１０６には、おもて面側に凸状となる
湾曲ないしは反りが生じる。これは、半田接合時の温度
上昇により、厚みの大きい回路側導体層１０３には、厚
みの小さい裏面導体層１０４よりも強い熱ストレス（熱
応力）が生じるからである。このように、絶縁基材１０
２ないしは絶縁基板１０６に、おもて面側に凸状となる
湾曲ないしは反りが生じると、半田接合時に半田材１０
５内に生じたボイド１０７（気泡）が絶縁基板下で半田
材１０５内に閉じ込められ、外部に排出されなくなり、
冷却後も半田材１０５内に残留する。
【０００５】このように半田材１０５内にボイド１０７
が残留すると、半田材１０５の熱抵抗が増加し、該絶縁
基板１０６を用いた半導体装置の熱放散性が低下すると
いった問題が生じる。また、絶縁基板１０６と金属板１
０１との接合強度が低下するといった問題も生じる。
が残留すると、半田材１０５の熱抵抗が増加し、該絶縁
基板１０６を用いた半導体装置の熱放散性が低下すると
いった問題が生じる。また、絶縁基板１０６と金属板１
０１との接合強度が低下するといった問題も生じる。
【０００６】かくして、特開平１０−１５４７７４号公
報には、図７に示すように、裏面導体層１０４の厚みｔ
2を回路側導体層１０３の厚みｔ1よりも大きくして半田
接合時に絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０６が裏面
側に凸状となるようにし、あるいは、裏面導体層１０４
を熱膨張係数の大きい材料（熱膨張係数α2）で形成す
る一方、回路側導体層１０３を熱膨張係数の小さい材料
（熱膨張係数α1（＜α2））で形成して、熱膨張差によ
り半田接合時に絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０６
が裏面側に凸状となるようにした半導体モジュールが開
示されている。
報には、図７に示すように、裏面導体層１０４の厚みｔ
2を回路側導体層１０３の厚みｔ1よりも大きくして半田
接合時に絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０６が裏面
側に凸状となるようにし、あるいは、裏面導体層１０４
を熱膨張係数の大きい材料（熱膨張係数α2）で形成す
る一方、回路側導体層１０３を熱膨張係数の小さい材料
（熱膨張係数α1（＜α2））で形成して、熱膨張差によ
り半田接合時に絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０６
が裏面側に凸状となるようにした半導体モジュールが開
示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−１５４７７４号公報に開示された半導体モジュー
ルでは、半田接合時にボイド（気泡）の外部への排出が
促進され、半田材内でのボイドの残留は低減ないしは防
止されるものの、絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０
６、あるいはその下側の半田材に強い熱ストレスが生
じ、絶縁基材１０２にクラックが発生するおそれがある
といった問題がある。また、回路側導体層１０３と裏面
導体層１０４とを、熱膨張係数が異なる異種材料で形成
する場合は、両導体層１０３、１０４と絶縁基材１０２
との貼り合わせ工程が複雑化するので、絶縁基板１０６
ないしはこれを用いた半導体モジュールのコストアップ
を招くといった問題がある。
１０−１５４７７４号公報に開示された半導体モジュー
ルでは、半田接合時にボイド（気泡）の外部への排出が
促進され、半田材内でのボイドの残留は低減ないしは防
止されるものの、絶縁基材１０２ないしは絶縁基板１０
６、あるいはその下側の半田材に強い熱ストレスが生
じ、絶縁基材１０２にクラックが発生するおそれがある
といった問題がある。また、回路側導体層１０３と裏面
導体層１０４とを、熱膨張係数が異なる異種材料で形成
する場合は、両導体層１０３、１０４と絶縁基材１０２
との貼り合わせ工程が複雑化するので、絶縁基板１０６
ないしはこれを用いた半導体モジュールのコストアップ
を招くといった問題がある。
【０００８】また、特開平１０−２７０６１２号公報に
も、図８に示すように、裏面導体層１０４の厚みｔ2を
回路側導体層１０３の厚みｔ1よりも大きくし、半田材
１０５を用いて金属板１０１に半田接合する際に裏面側
に凸状となるようにした絶縁基板１０６（放熱板接合用
基板）が開示されている。しかしながら、この従来の絶
縁基板１０６でも、前記の特開平１０−１５４７７４号
公報に開示された半導体モジュールの場合と同様に、半
田材１０５内でのボイド１０７の残留の低減ないしは防
止には効果的であるものの、絶縁基板１０６あるいはそ
の下側の半田材１０５に強い熱ストレスが生じ、絶縁基
材１０２にクラックが発生するおそれがある。
も、図８に示すように、裏面導体層１０４の厚みｔ2を
回路側導体層１０３の厚みｔ1よりも大きくし、半田材
１０５を用いて金属板１０１に半田接合する際に裏面側
に凸状となるようにした絶縁基板１０６（放熱板接合用
基板）が開示されている。しかしながら、この従来の絶
縁基板１０６でも、前記の特開平１０−１５４７７４号
公報に開示された半導体モジュールの場合と同様に、半
田材１０５内でのボイド１０７の残留の低減ないしは防
止には効果的であるものの、絶縁基板１０６あるいはそ
の下側の半田材１０５に強い熱ストレスが生じ、絶縁基
材１０２にクラックが発生するおそれがある。
【０００９】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたものであって、絶縁基板下の半田材でのボイ
ドの残留を低減ないしは防止することができるととも
に、絶縁基材ないしは半田材に生じる熱ストレスを可及
的に抑制することができる、従来よりも安価な放熱用絶
縁基板ないしは半導体装置を提供することを解決すべき
課題とする。
になされたものであって、絶縁基板下の半田材でのボイ
ドの残留を低減ないしは防止することができるととも
に、絶縁基材ないしは半田材に生じる熱ストレスを可及
的に抑制することができる、従来よりも安価な放熱用絶
縁基板ないしは半導体装置を提供することを解決すべき
課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明の第１の態様にかかる放熱用絶縁基板
は、（ｉ）板状の絶縁基材と、（ii）絶縁基材の一方の
広がり面（おもて面）に固着された、半導体素子との接
合用の第１の導体層と、（iii）絶縁基材の他方の広が
り面（裏面）に固着された、ヒートシンクとして機能す
る金属板との接合用の第２の導体層とを備えている放熱
用絶縁基板において、（iv）第１の導体層の厚みｔ1と
絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔと、第２の導体層の
厚みｔ2と絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ2／Ｔとが、それ
ぞれ、０.３以上かつ０.５以下の範囲内に設定されてい
る（０.３≦ｔ1／Ｔ≦０.５、０.３≦ｔ2／Ｔ≦０.５）
ことを特徴とするものである。なお、比率ｔ1／Ｔ及び
比率ｔ2／Ｔのうちの一方のみを０.３以上かつ０.５以
下の範囲内に設定するようにしてもよい。
になされた本発明の第１の態様にかかる放熱用絶縁基板
は、（ｉ）板状の絶縁基材と、（ii）絶縁基材の一方の
広がり面（おもて面）に固着された、半導体素子との接
合用の第１の導体層と、（iii）絶縁基材の他方の広が
り面（裏面）に固着された、ヒートシンクとして機能す
る金属板との接合用の第２の導体層とを備えている放熱
用絶縁基板において、（iv）第１の導体層の厚みｔ1と
絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔと、第２の導体層の
厚みｔ2と絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ2／Ｔとが、それ
ぞれ、０.３以上かつ０.５以下の範囲内に設定されてい
る（０.３≦ｔ1／Ｔ≦０.５、０.３≦ｔ2／Ｔ≦０.５）
ことを特徴とするものである。なお、比率ｔ1／Ｔ及び
比率ｔ2／Ｔのうちの一方のみを０.３以上かつ０.５以
下の範囲内に設定するようにしてもよい。
【００１１】本発明の第２の態様にかかる放熱用絶縁基
板は、第１の態様にかかる放熱用絶縁基板において、第
１の導体層の厚みｔ1と第２の導体層の厚みｔ2とがほぼ
同一である（ｔ1＝ｔ2ないしはｔ1≒ｔ2）ことを特徴と
するものである。なお、第１の導体層はパターン化され
て断続形状を呈し、第２の導体層は連続形状を呈してい
るのが好ましい。
板は、第１の態様にかかる放熱用絶縁基板において、第
１の導体層の厚みｔ1と第２の導体層の厚みｔ2とがほぼ
同一である（ｔ1＝ｔ2ないしはｔ1≒ｔ2）ことを特徴と
するものである。なお、第１の導体層はパターン化され
て断続形状を呈し、第２の導体層は連続形状を呈してい
るのが好ましい。
【００１２】本発明の第３の態様にかかる放熱用絶縁基
板は、第２の態様にかかる放熱用絶縁基板において、絶
縁基材の厚みＴが０.６３５ｍｍであり、第１及び第２
の導体層の厚みｔ1及びｔ2が、それぞれ、０.２ｍｍ、
０.２５ｍｍ又は０.３ｍｍであることを特徴とするもの
である。なお、厚みｔ1及びｔ2については、これらが
０.２５ｍｍである場合は、±０.０３ｍｍ程度のばらつ
きは許容しうる。
板は、第２の態様にかかる放熱用絶縁基板において、絶
縁基材の厚みＴが０.６３５ｍｍであり、第１及び第２
の導体層の厚みｔ1及びｔ2が、それぞれ、０.２ｍｍ、
０.２５ｍｍ又は０.３ｍｍであることを特徴とするもの
である。なお、厚みｔ1及びｔ2については、これらが
０.２５ｍｍである場合は、±０.０３ｍｍ程度のばらつ
きは許容しうる。
【００１３】本発明の第４の態様にかかる放熱用絶縁基
板は、本発明の第３の態様にかかる放熱用絶縁基板にお
いて、絶縁基材が、アルミナ又は窒化アルミニウムを主
成分とするセラミック材料（セラミック基板）で形成さ
れていることを特徴とするものである。
板は、本発明の第３の態様にかかる放熱用絶縁基板にお
いて、絶縁基材が、アルミナ又は窒化アルミニウムを主
成分とするセラミック材料（セラミック基板）で形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の第５の態様にかかる半導体装置
は、（ｉ）本発明の第１〜第４の態様のいずれか１つに
かかる放熱用絶縁基板と、（ii）放熱用絶縁基板の第１
の導体層に接合された半導体素子と、（iii）放熱用絶
縁基板の第２の導体層に半田材を用いて半田接合され
た、ヒートシンクとして機能する金属板とを備えている
ことを特徴とするものである。
は、（ｉ）本発明の第１〜第４の態様のいずれか１つに
かかる放熱用絶縁基板と、（ii）放熱用絶縁基板の第１
の導体層に接合された半導体素子と、（iii）放熱用絶
縁基板の第２の導体層に半田材を用いて半田接合され
た、ヒートシンクとして機能する金属板とを備えている
ことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。図１に示すように、本発明にかかる半導
体装置用の絶縁基板６（放熱用絶縁基板）においては、
平板状の絶縁基材２のおもて面（一方の広がり面）に、
半導体素子（図示せず）との接合用の回路側導体層３
（第１の導体層）が固着されている。他方、絶縁基材２
の裏面（他方の広がり面）には、該半導体装置のヒート
シンクとして機能する金属板１（図２参照）との半田接
合用の裏面導体層４（第２の導体層）が固着されてい
る。なお、本発明にかかる半導体装置は、実質的に、こ
の絶縁基板６と、回路側導体層３に接合された半導体素
子（図示せず）と、裏面導体層４に半田材５を用いて半
田接合された金属板１とで構成されている。
的に説明する。図１に示すように、本発明にかかる半導
体装置用の絶縁基板６（放熱用絶縁基板）においては、
平板状の絶縁基材２のおもて面（一方の広がり面）に、
半導体素子（図示せず）との接合用の回路側導体層３
（第１の導体層）が固着されている。他方、絶縁基材２
の裏面（他方の広がり面）には、該半導体装置のヒート
シンクとして機能する金属板１（図２参照）との半田接
合用の裏面導体層４（第２の導体層）が固着されてい
る。なお、本発明にかかる半導体装置は、実質的に、こ
の絶縁基板６と、回路側導体層３に接合された半導体素
子（図示せず）と、裏面導体層４に半田材５を用いて半
田接合された金属板１とで構成されている。
【００１６】この絶縁基板６においては、絶縁基材２
は、好ましく、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分
とするセラミック材料（セラミック基板）で形成されて
いる。なお、絶縁基材２は、このようなセラミック材料
以外の絶縁材料で形成されることができるのはもちろん
である。また、回路側導体層３及び裏面導体層４は、そ
れぞれ、銅箔（Ｃｕ箔）で形成され、ロー付け材（図示
せず）を用いて絶縁基材２のおもて面及び裏面にロー付
け接合（固着）されている。ここで、両導体層３、４の
表面には、それぞれ、絶縁基材２、半導体素子（図示せ
ず）又は半田材５（図２参照）との接合性を高めるため
に、ニッケルめっき（Ｎｉめっき）が施されている。ま
た、回路側導体層３は、パターンを形成しているため、
断続形状を呈している。
は、好ましく、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分
とするセラミック材料（セラミック基板）で形成されて
いる。なお、絶縁基材２は、このようなセラミック材料
以外の絶縁材料で形成されることができるのはもちろん
である。また、回路側導体層３及び裏面導体層４は、そ
れぞれ、銅箔（Ｃｕ箔）で形成され、ロー付け材（図示
せず）を用いて絶縁基材２のおもて面及び裏面にロー付
け接合（固着）されている。ここで、両導体層３、４の
表面には、それぞれ、絶縁基材２、半導体素子（図示せ
ず）又は半田材５（図２参照）との接合性を高めるため
に、ニッケルめっき（Ｎｉめっき）が施されている。ま
た、回路側導体層３は、パターンを形成しているため、
断続形状を呈している。
【００１７】この絶縁基板６においては、回路側導体層
３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2とは同一とされて
いる（ｔ1＝ｔ2）。かつ、両導体層３、４の厚みｔ1、
ｔ2の、絶縁基材２の厚みＴに対する比率ｔ1／Ｔ、ｔ2
／Ｔは、それぞれ、０.３〜０.５の範囲内に設定されて
いる。なお、絶縁基材２及び両導体層３、４の厚みＴ、
ｔ1、ｔ2をこのように設定する理由は、後で詳しく説明
する。具体的には、絶縁基材２及び両導体層３、４の厚
みは、例えば次のような値に設定される。 絶縁基材厚み Ｔ ：０.６３５mm 回路側導体層厚みｔ1：０.２５mm（又は、０.２０mm、
０.３０mm） 裏面導体層厚み ｔ2：０.２５mm（又は、０.２０mm、
０.３０mm）
３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2とは同一とされて
いる（ｔ1＝ｔ2）。かつ、両導体層３、４の厚みｔ1、
ｔ2の、絶縁基材２の厚みＴに対する比率ｔ1／Ｔ、ｔ2
／Ｔは、それぞれ、０.３〜０.５の範囲内に設定されて
いる。なお、絶縁基材２及び両導体層３、４の厚みＴ、
ｔ1、ｔ2をこのように設定する理由は、後で詳しく説明
する。具体的には、絶縁基材２及び両導体層３、４の厚
みは、例えば次のような値に設定される。 絶縁基材厚み Ｔ ：０.６３５mm 回路側導体層厚みｔ1：０.２５mm（又は、０.２０mm、
０.３０mm） 裏面導体層厚み ｔ2：０.２５mm（又は、０.２０mm、
０.３０mm）
【００１８】図２は、図１に示す絶縁基板６（放熱用絶
縁基板）を、例えば銅等で形成されヒートシンクとして
機能する金属板１に、半田材５を用いて半田接合する際
の状況を模式的に示す図である。図２に示すように、半
田接合時には、絶縁基材２ないしは絶縁基板６は、その
温度上昇により、裏面側に凸状となるように、すなわち
金属板側に向かって膨出する形状に湾曲する（反る）。
このため、半田材５が加熱・溶融されているときに、半
田材５中にフラックスやガス等のボイド成分が発生して
も、このボイド成分はその浮力により、絶縁基板６の周
辺部（図２中では、左右の端部）に移動させられ、自然
に半田材外に放出される。したがって、絶縁基板６下の
半田材５（半田層）でのボイドの残留が大幅に低減さ
れ、あるいは防止される。
縁基板）を、例えば銅等で形成されヒートシンクとして
機能する金属板１に、半田材５を用いて半田接合する際
の状況を模式的に示す図である。図２に示すように、半
田接合時には、絶縁基材２ないしは絶縁基板６は、その
温度上昇により、裏面側に凸状となるように、すなわち
金属板側に向かって膨出する形状に湾曲する（反る）。
このため、半田材５が加熱・溶融されているときに、半
田材５中にフラックスやガス等のボイド成分が発生して
も、このボイド成分はその浮力により、絶縁基板６の周
辺部（図２中では、左右の端部）に移動させられ、自然
に半田材外に放出される。したがって、絶縁基板６下の
半田材５（半田層）でのボイドの残留が大幅に低減さ
れ、あるいは防止される。
【００１９】このように、半田接合時に絶縁基材２ない
しは絶縁基板６が裏面側に凸状となるのは、およそ次の
ような理由による。すなわち、前記のとおり、半導体素
子との結合用の回路側導体層３は、パターンを形成して
いるため、断続形状を呈している。これに対して、金属
板１との接合用の裏面導体層４は、パターンを形成して
いないので、連続形状を呈している。また、回路側導体
層３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2は同一である。
したがって、連続形状を呈している裏面導体層４の方
が、断続形状を呈している回路側導体層３よりも体積が
大きい。
しは絶縁基板６が裏面側に凸状となるのは、およそ次の
ような理由による。すなわち、前記のとおり、半導体素
子との結合用の回路側導体層３は、パターンを形成して
いるため、断続形状を呈している。これに対して、金属
板１との接合用の裏面導体層４は、パターンを形成して
いないので、連続形状を呈している。また、回路側導体
層３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2は同一である。
したがって、連続形状を呈している裏面導体層４の方
が、断続形状を呈している回路側導体層３よりも体積が
大きい。
【００２０】このため、半田接合時に絶縁基板６が温度
上昇すると、体積が大きい裏面導体層４は、回路側導体
層３に比べて、広がり面方向（図２においては、左右方
向）の熱膨張ないしは熱ストレス（熱応力）が大きくな
る。その結果、絶縁基材２の裏面側にはこれを広がり面
方向に伸長させる力が作用し、おもて面側にはこれを広
がり面方向に収縮させる力が作用し、これにより絶縁基
材２ひいては絶縁基板６に、裏面側が凸状となる湾曲な
いしは反りが生じることになる。
上昇すると、体積が大きい裏面導体層４は、回路側導体
層３に比べて、広がり面方向（図２においては、左右方
向）の熱膨張ないしは熱ストレス（熱応力）が大きくな
る。その結果、絶縁基材２の裏面側にはこれを広がり面
方向に伸長させる力が作用し、おもて面側にはこれを広
がり面方向に収縮させる力が作用し、これにより絶縁基
材２ひいては絶縁基板６に、裏面側が凸状となる湾曲な
いしは反りが生じることになる。
【００２１】以下、絶縁基板６において、回路側導体層
３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2とを同一に設定す
る理由を説明する。図３は、回路側導体層３の厚みｔ1
と裏面導体層４の厚みｔ2の比率ｔ1／ｔ2が、半田接合
時において絶縁基材２内に生じる熱ストレス（熱応力）
又は半田材５（半田層）内に生じる熱ストレス（熱応
力）に与える影響度を、応力解析により求めた結果を示
すグラフである。
３の厚みｔ1と裏面導体層４の厚みｔ2とを同一に設定す
る理由を説明する。図３は、回路側導体層３の厚みｔ1
と裏面導体層４の厚みｔ2の比率ｔ1／ｔ2が、半田接合
時において絶縁基材２内に生じる熱ストレス（熱応力）
又は半田材５（半田層）内に生じる熱ストレス（熱応
力）に与える影響度を、応力解析により求めた結果を示
すグラフである。
【００２２】図３から明らかなとおり、絶縁基材２の裏
面側（金属板側）に生じる熱ストレス（以下、「裏面側
熱ストレス」という。）は、比率ｔ1／ｔ2の増加に伴っ
て単調に減少する。他方、絶縁基材２のおもて面側（回
路側）に生じる熱ストレス（以下、「おもて面側熱スト
レス」という。）は、比率ｔ1／ｔ2の増加に伴って単調
に増加する。そして、絶縁基材２の裏面側熱ストレスと
おもて面側ストレスとは、比率ｔ1／ｔ2がほぼ１（すな
わち、ｔ1≒ｔ2）のところで等しくなっている。したが
って、比率ｔ1／ｔ2をほぼ１に設定すれば、絶縁基材２
内に生じる熱ストレスをバランスよく低減させ、ないし
は均一化させることができ、絶縁基材１の耐クラック性
を高めて、該絶縁基材２内にクラックが発生するのを有
効に防止することができる。
面側（金属板側）に生じる熱ストレス（以下、「裏面側
熱ストレス」という。）は、比率ｔ1／ｔ2の増加に伴っ
て単調に減少する。他方、絶縁基材２のおもて面側（回
路側）に生じる熱ストレス（以下、「おもて面側熱スト
レス」という。）は、比率ｔ1／ｔ2の増加に伴って単調
に増加する。そして、絶縁基材２の裏面側熱ストレスと
おもて面側ストレスとは、比率ｔ1／ｔ2がほぼ１（すな
わち、ｔ1≒ｔ2）のところで等しくなっている。したが
って、比率ｔ1／ｔ2をほぼ１に設定すれば、絶縁基材２
内に生じる熱ストレスをバランスよく低減させ、ないし
は均一化させることができ、絶縁基材１の耐クラック性
を高めて、該絶縁基材２内にクラックが発生するのを有
効に防止することができる。
【００２３】また、半田材５に生じる熱ストレスは、比
率ｔ1／ｔ2の増加に伴って単調に増加するが、比率ｔ1
／ｔ2がほぼ１のときには比較的小さい。したがって、
比率ｔ 1／ｔ2をほぼ１に設定した場合、絶縁基材２内に
生じる熱ストレスをバランスよく低減させることがで
き、かつ半田材５内に生じる熱ストレスも比較的に小さ
くすることができる。このような応力解析結果に基づ
き、この実施の形態にかかる絶縁基板６ないしは半導体
装置では、回路側導体層３の厚みｔ1と裏面導体層４の
厚みｔ2とを同一にしている。
率ｔ1／ｔ2の増加に伴って単調に増加するが、比率ｔ1
／ｔ2がほぼ１のときには比較的小さい。したがって、
比率ｔ 1／ｔ2をほぼ１に設定した場合、絶縁基材２内に
生じる熱ストレスをバランスよく低減させることがで
き、かつ半田材５内に生じる熱ストレスも比較的に小さ
くすることができる。このような応力解析結果に基づ
き、この実施の形態にかかる絶縁基板６ないしは半導体
装置では、回路側導体層３の厚みｔ1と裏面導体層４の
厚みｔ2とを同一にしている。
【００２４】また、回路側導体層３の厚みｔ1と裏面導
体層４の厚みｔ2とを等しくした場合、材料準備プロセ
ス、あるいは材料管理回路パターン形式プロセスにおけ
る生産性が向上するので、絶縁基板６ひいてはこれを用
いた半導体装置を安価に生産するできるといったメリッ
トもある。
体層４の厚みｔ2とを等しくした場合、材料準備プロセ
ス、あるいは材料管理回路パターン形式プロセスにおけ
る生産性が向上するので、絶縁基板６ひいてはこれを用
いた半導体装置を安価に生産するできるといったメリッ
トもある。
【００２５】以下、絶縁基板６において、両導体層３、
４の厚みｔ1、ｔ2の、絶縁基材２の厚みＴに対する比率
ｔ1／Ｔ、ｔ2／Ｔを、０.３〜０.５の範囲内に設定する
理由を説明する。図４は、回路側導体層３の厚みｔ1の
絶縁基材２に対する比率ｔ1／Ｔが、半田接合時におい
て絶縁基材２内に生じる熱ストレス（熱応力）に与える
影響度を実験により求めた結果を示すグラフである。
４の厚みｔ1、ｔ2の、絶縁基材２の厚みＴに対する比率
ｔ1／Ｔ、ｔ2／Ｔを、０.３〜０.５の範囲内に設定する
理由を説明する。図４は、回路側導体層３の厚みｔ1の
絶縁基材２に対する比率ｔ1／Ｔが、半田接合時におい
て絶縁基材２内に生じる熱ストレス（熱応力）に与える
影響度を実験により求めた結果を示すグラフである。
【００２６】図４から明らかなとおり、絶縁基材２に生
じる熱ストレスは、比率ｔ1／Ｔの増加に伴って単調に
増加する。したがって、単に絶縁基材２内に生じる熱ス
トレスを低減することだけが目的であれば、比率ｔ1／
Ｔは小さければ小さいほど好ましいといえる。しかしな
がら、比率ｔ1／Ｔがあまり小さいと、回路導体の電流
容量が不足するといった不具合が生じる。かくして、パ
ッケージサイズを考慮すれば、回路導体の電流容量を確
保するといった観点から、比率ｔ1／Ｔは、０.３以上で
あるのが望ましい。
じる熱ストレスは、比率ｔ1／Ｔの増加に伴って単調に
増加する。したがって、単に絶縁基材２内に生じる熱ス
トレスを低減することだけが目的であれば、比率ｔ1／
Ｔは小さければ小さいほど好ましいといえる。しかしな
がら、比率ｔ1／Ｔがあまり小さいと、回路導体の電流
容量が不足するといった不具合が生じる。かくして、パ
ッケージサイズを考慮すれば、回路導体の電流容量を確
保するといった観点から、比率ｔ1／Ｔは、０.３以上で
あるのが望ましい。
【００２７】また、図４に示す結果によれば、比率ｔ1
／Ｔが０.５以上になると、絶縁基材２内に生じる熱ス
トレスが急激に増加する。このような事実に鑑みれば、
回路導体の電流容量の確保と絶縁基材２内での熱ストレ
スの低減とを両立させるために、比率ｔ1／Ｔを０.３〜
０.５の範囲内に設定する（０.３≦ｔ1／Ｔ≦０.５）の
が望ましいといえる。なお、裏面導体層４についても、
回路側導体層３の場合と同様の理由により、比率ｔ2／
Ｔを０.３〜０.５の範囲内に設定するのが望ましい。
／Ｔが０.５以上になると、絶縁基材２内に生じる熱ス
トレスが急激に増加する。このような事実に鑑みれば、
回路導体の電流容量の確保と絶縁基材２内での熱ストレ
スの低減とを両立させるために、比率ｔ1／Ｔを０.３〜
０.５の範囲内に設定する（０.３≦ｔ1／Ｔ≦０.５）の
が望ましいといえる。なお、裏面導体層４についても、
回路側導体層３の場合と同様の理由により、比率ｔ2／
Ｔを０.３〜０.５の範囲内に設定するのが望ましい。
【００２８】このように、この実施の形態にかかる絶縁
基板６ないしはこれを用いた半導体装置では、両導体層
３、４の厚みｔ1、ｔ2が同一とされ、かつ比率ｔ1／
Ｔ、ｔ2／Ｔ（あるいは、いずれか一方のみ）が０.３〜
０.５の範囲内に設定されているので、絶縁基板６下の
半田材５でのボイドの残留を低減ないしは防止すること
ができるとともに、絶縁基材２ないしは半田材５に生じ
る熱ストレスを可及的に抑制することができ、かつその
製造コストを低減することができる。
基板６ないしはこれを用いた半導体装置では、両導体層
３、４の厚みｔ1、ｔ2が同一とされ、かつ比率ｔ1／
Ｔ、ｔ2／Ｔ（あるいは、いずれか一方のみ）が０.３〜
０.５の範囲内に設定されているので、絶縁基板６下の
半田材５でのボイドの残留を低減ないしは防止すること
ができるとともに、絶縁基材２ないしは半田材５に生じ
る熱ストレスを可及的に抑制することができ、かつその
製造コストを低減することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の第１の態様にかかる放熱用絶縁
基板によれば、第１の導体層の厚みｔ 1と絶縁基材の厚
みＴとの比率ｔ1／Ｔと、第２の導体層の厚みｔ2と絶縁
基材の厚みＴとの比率ｔ2／Ｔとが、０.３以上０.５以
下の範囲内に設定されるので、回路導体の電流容量が確
保されるとともに、絶縁基材内に発生する熱ストレスが
低減される。このため、放熱用絶縁基板の性能を維持し
つつ、その耐クラック性ひいては信頼性を高めることが
できる。
基板によれば、第１の導体層の厚みｔ 1と絶縁基材の厚
みＴとの比率ｔ1／Ｔと、第２の導体層の厚みｔ2と絶縁
基材の厚みＴとの比率ｔ2／Ｔとが、０.３以上０.５以
下の範囲内に設定されるので、回路導体の電流容量が確
保されるとともに、絶縁基材内に発生する熱ストレスが
低減される。このため、放熱用絶縁基板の性能を維持し
つつ、その耐クラック性ひいては信頼性を高めることが
できる。
【００３０】本発明の第２の態様にかかる放熱用絶縁基
板によれば、基本的には、第１の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、第１の
導体層の厚みｔ1と第２の導体層の厚みｔ2とがほぼ同一
であるので、該放熱用絶縁基板と金属板とを半田接合す
る際に、該放熱用絶縁基板に、回路側（おもて面側）に
凸状となる湾曲ないしは反りが発生しない。このため、
半田材内にボイドが残留するのを低減ないしは防止する
ことができる。また、材料準備プロセス、あるいは材料
管理回路パターン形式プロセスにおける生産性が向上す
るので、該放熱用絶縁基板を安価に生産することができ
る。
板によれば、基本的には、第１の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、第１の
導体層の厚みｔ1と第２の導体層の厚みｔ2とがほぼ同一
であるので、該放熱用絶縁基板と金属板とを半田接合す
る際に、該放熱用絶縁基板に、回路側（おもて面側）に
凸状となる湾曲ないしは反りが発生しない。このため、
半田材内にボイドが残留するのを低減ないしは防止する
ことができる。また、材料準備プロセス、あるいは材料
管理回路パターン形式プロセスにおける生産性が向上す
るので、該放熱用絶縁基板を安価に生産することができ
る。
【００３１】本発明の第３の態様にかかる放熱用絶縁基
板によれば、基本的には、第２の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、絶縁基
材の厚みＴが０.６３５ｍｍであり、両導体層の厚み
ｔ1、ｔ2が、０.２ｍｍ、０.２５ｍｍ又は０.３ｍｍで
あるので、該放熱用絶縁基板の熱ストレス低減効果及び
ボイド低減効果が一層顕著となる。
板によれば、基本的には、第２の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、絶縁基
材の厚みＴが０.６３５ｍｍであり、両導体層の厚み
ｔ1、ｔ2が、０.２ｍｍ、０.２５ｍｍ又は０.３ｍｍで
あるので、該放熱用絶縁基板の熱ストレス低減効果及び
ボイド低減効果が一層顕著となる。
【００３２】本発明の第４の態様にかかる放熱用絶縁基
板によれば、基本的には、第３の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、絶縁基
材が、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分とするセ
ラミック材料で形成されているので、該放熱用絶縁基板
の耐熱性ないしは耐クラック性が高められる。
板によれば、基本的には、第３の態様にかかる放熱用絶
縁基板の場合と同様の効果が得られる。さらに、絶縁基
材が、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分とするセ
ラミック材料で形成されているので、該放熱用絶縁基板
の耐熱性ないしは耐クラック性が高められる。
【００３３】本発明の第５の態様にかかる半導体装置に
よれば、本発明の第１〜第４の態様のいずれか１つにか
かる放熱用絶縁基板が用いられているので、回路導体の
電流容量が確保されるとともに、絶縁基材内に発生する
熱ストレスが低減され、該半導体装置の性能を維持しつ
つ、その耐クラック性を高めることができる。あるい
は、半田材内にボイドが残留するのを低減ないしは防止
することができ、また生産性の向上により該半導体装置
を安価に生産することができる。
よれば、本発明の第１〜第４の態様のいずれか１つにか
かる放熱用絶縁基板が用いられているので、回路導体の
電流容量が確保されるとともに、絶縁基材内に発生する
熱ストレスが低減され、該半導体装置の性能を維持しつ
つ、その耐クラック性を高めることができる。あるい
は、半田材内にボイドが残留するのを低減ないしは防止
することができ、また生産性の向上により該半導体装置
を安価に生産することができる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかる絶縁基板（放熱
用絶縁基板）の側面断面図である。
用絶縁基板）の側面断面図である。
【図２】 図１に示す絶縁基板を金属板に半田接合する
際における、絶縁基板及び金属板の側面断面図である。
際における、絶縁基板及び金属板の側面断面図である。
【図３】 絶縁基材と半田材とに生じる熱ストレスの、
回路側導体層の厚みｔ1と裏面導体層の厚みｔ2との比率
ｔ1／ｔ2に対する依存性を示すグラフである。
回路側導体層の厚みｔ1と裏面導体層の厚みｔ2との比率
ｔ1／ｔ2に対する依存性を示すグラフである。
【図４】 絶縁基材に生じる熱ストレスの、回路側導体
層の厚みｔ1と絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔに対す
る依存性を示すグラフである。
層の厚みｔ1と絶縁基材の厚みＴとの比率ｔ1／Ｔに対す
る依存性を示すグラフである。
【図５】 回路側導体層の厚みｔ1が裏面導体層の厚み
ｔ2より大きい、従来の絶縁基板の側面断面図である。
ｔ2より大きい、従来の絶縁基板の側面断面図である。
【図６】 図５に示す従来の絶縁基板を金属板に半田接
合する際における、絶縁基板及び金属板の側面断面図で
ある。
合する際における、絶縁基板及び金属板の側面断面図で
ある。
【図７】 回路側導体層の厚みｔ1が裏面導体層の厚み
ｔ2より小さい、従来の絶縁基板の側面断面図である。
ｔ2より小さい、従来の絶縁基板の側面断面図である。
【図８】 回路側導体層の厚みｔ1が裏面導体層の厚み
ｔ2より小さい、もう１つの従来の絶縁基板及びこれに
半田接合される金属板の側面断面図である。
ｔ2より小さい、もう１つの従来の絶縁基板及びこれに
半田接合される金属板の側面断面図である。
１ 金属板、 ２ 絶縁基材、 ３ 回路側導体層、
４ 裏面導体層、 ５半田材、 ６ 絶縁基板、 １０
１ 金属板、 １０２ 絶縁基材、 １０３回路側導体
層、 １０４ 裏面導体層、 １０５ 半田材、 １０
６ 絶縁基板、 １０７ ボイド。
４ 裏面導体層、 ５半田材、 ６ 絶縁基板、 １０
１ 金属板、 １０２ 絶縁基材、 １０３回路側導体
層、 １０４ 裏面導体層、 １０５ 半田材、 １０
６ 絶縁基板、 １０７ ボイド。
フロントページの続き (72)発明者 永田 広信 福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号 福菱セミコンエンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 5E322 AA11 AB02 AB09 5E338 AA02 AA18 BB71 CC01 CD11 CD23 EE02 EE28
Claims (5)
- 【請求項１】 板状の絶縁基材と、 前記絶縁基材の一方の広がり面に固着された、半導体素
子との接合用の第１の導体層と、 前記絶縁基材の他方の広がり面に固着された、ヒートシ
ンクとして機能する金属板との接合用の第２の導体層と
を備えている放熱用絶縁基板であって、 前記第１の導体層の厚みｔ1と前記絶縁基材の厚みＴと
の比率ｔ1／Ｔと、前記第２の導体層の厚みｔ2と前記絶
縁基材の厚みＴとの比率ｔ2／Ｔとが、それぞれ、０.３
以上かつ０.５以下の範囲内に設定されていることを特
徴とする放熱用絶縁基板。 - 【請求項２】 前記第１の導体層の厚みｔ1と前記第２
の導体層の厚みｔ2とがほぼ同一であることを特徴とす
る請求項１に記載の放熱用絶縁基板。 - 【請求項３】 前記絶縁基材の厚みＴが０.６３５ｍｍ
であり、前記第１及び第２の導体層の厚みｔ1及びｔ
2が、それぞれ、０.２ｍｍ、０.２５ｍｍ又は０.３ｍｍ
であることを特徴とする請求項２に記載の放熱用絶縁基
板。 - 【請求項４】 前記絶縁基材が、アルミナ又は窒化アル
ミニウムを主成分とするセラミック材料で形成されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の放熱用絶縁基板。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１つに記載の放
熱用絶縁基板と、前記放熱用絶縁基板の第１の導体層に
接合された半導体素子と、前記放熱用絶縁基板の第２の
導体層に半田材を用いて半田接合された、ヒートシンク
として機能する金属板とを備えていることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225292A JP2002043457A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放熱用絶縁基板及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225292A JP2002043457A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放熱用絶縁基板及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043457A true JP2002043457A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18719088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000225292A Pending JP2002043457A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放熱用絶縁基板及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043457A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245437A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板およびパワーモジュール並びにパワーモジュールの製造方法 |
| JP2010050415A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| JP2015050347A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225292A patent/JP2002043457A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245437A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板およびパワーモジュール並びにパワーモジュールの製造方法 |
| JP2010050415A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| JP2015050347A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4134537B2 (ja) | パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール | |
| JP2009135392A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール | |
| JP6146242B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP5151080B2 (ja) | 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
| JP2006269966A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP5884291B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット | |
| JP2004356625A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04144157A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003204020A (ja) | 半導体装置 | |
| JP6330951B2 (ja) | パワーモジュール用基板製造のための接合体 | |
| JP2002064169A (ja) | 放熱構造体 | |
| JP5720694B2 (ja) | 半導体装置、放熱部材、および、半導体装置の製造方法 | |
| JP2002043457A (ja) | 放熱用絶縁基板及び半導体装置 | |
| JP2003174114A (ja) | 半導体回路基板および半導体装置 | |
| JP5045613B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
| JP2000269392A (ja) | 半導体モジュール及び放熱用絶縁板 | |
| JP3938079B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP6565735B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにパワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP2001298136A (ja) | ヒートシンク及び該ヒートシンク付き配線基板 | |
| KR102039791B1 (ko) | 반도체칩 실장방법 및 반도체칩 패키지 | |
| JPH0831990A (ja) | 放熱フィン | |
| JP2001135789A (ja) | 積層セラミック基板及びこれを用いたパワーモジュール用基板 | |
| JP2003258167A (ja) | 構造物 | |
| JP4146736B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004296493A (ja) | 放熱体及びパワーモジュール並びに放熱体の製造方法及びパワーモジュールの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070904 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071009 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071204 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071219 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080328 |