JP2002040401A

JP2002040401A - 液晶表示装置及びその製造方法並びに画像表示応用機器

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Publication number: JP2002040401A
Application number: JP2000230595A
Authority: JP
Inventors: Junya Yamamoto; 純也山本; Hiroaki Mizuno; 浩明水野; Yasuhiro Hosokawa; 育宏細川; Yuji Satani; 裕司佐谷; Naomi Kaneko; 尚美金子
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2000-07-31
Publication date: 2002-02-06

Abstract

(57)【要約】【課題】透明電極の低抵抗化のために、透明電極の膜
厚を大きくすると、基板の反りに加えて透明電極にクラ
ックが発生するので、これを防止すること。【解決手段】樹脂成形の基板１の一方の面に熱膨張係
数が７．０×１０^-6／℃以下の無機膜２を形成する。基
板１の他方の面にＩＴＯ膜３からなる透明電極を形成す
る。このような構成の基板間に液晶層を狭持して液晶表
示装置を作成する。こうすると、温度環境が変化しても
液晶層のセル厚が変化せず、薄型化及び軽量化された液
晶表示装置が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、少なくとも一方の基板
がプラスチック基板で構成される液晶表示装置及びその
製造方法並びに画像表示応用機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置において、液晶層を一定厚
みに保持することと、電極を形成するために、透明基板
としてガラス基板が一般に用いられる。ガラス基板に対
して透明電極の一つであるＩＴＯ（インジウムチンオキ
サイド）膜を形成する方法としてスパッタリング法があ
る。この方法でＩＴＯ膜を形成する場合、ガラス基板に
は１００℃以上の熱がかかるのが一般的である。

【０００３】同様に基板を加熱してＩＴＯ膜を成膜する
方法を、プラスチック基板に適用した場合、透明電極が
形成されるプラスチック基板は、透明電極形成の加熱時
と形成後の室温時において、プラスチック基板と透明電
極の熱膨張の差により、透明電極の形成側が凸状になる
よう反りが発生する。

【０００４】ガラス基板の熱膨張係数はガラスの種類に
より異なるが、ソーダガラスの場合は４．０×１０^-6／
℃である。ＩＴＯ膜の熱膨張係数は、組成比や成膜法等
により変化するが、スパッタリング法で成膜した場合、
６．０×１０^-7／℃から２．０×１０^-6／℃である。こ
のように透明電極とガラス基板はそれらの熱膨張係数の
差がほとんどないため、透明電極の形成前後の基板温度
差による基板反りは殆ど発生しない。

【０００５】一方、プラスチック基板として用いられる
一般的な有機材料の熱膨張係数を考える。例えばポリカ
ーボネートは２×１０^-5／℃、ポリエチレンテレフタレ
ートは１．８×１０^-5／℃、ポリエーテルスルフォンは
４．８×１０^-5／℃、アクリル樹脂は２×１０^-5／℃で
あり、ＩＴＯやガラスよりも大きい。

【０００６】従ってスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜
を形成するときには、プラスチック基板が加熱されるの
で、プラスチック基板は透明電極よりも大きく膨張す
る。そしてＩＴＯ膜の形成後に室温に戻すと、プラスチ
ック基板はＩＴＯ膜よりも大きく収縮する。一般的に液
晶表示装置に用いられるプラスチック基板の膜厚は０．
５ｍｍ以下であり、その場合はプラスチック基板のＩＴ
Ｏ膜の形成側に凸状の反りが発生してしまう。

【０００７】また、室温で基板に透明電極を形成する方
法としてイオンプレーティング法がある。この方法でプ
ラスチック基板にＩＴＯ膜を形成した場合、室温では基
板に反りは見られない。

【０００８】しかしながら液晶表示装置の製造工程に
は、基板洗浄後の乾燥、配向膜形成、カラーフィルター
形成、オーバーコート膜形成といった加熱工程がある。
従って室温で透明電極を成膜したプラスチック基板であ
っても、上記加熱工程にてプラスチック基板と透明電極
とに熱膨張差が生じ、透明電極側が凹状となる反りが発
生してしまう。

【０００９】例えば、寸法が３００×３００ｍｍ² 、膜
厚が０．４ｍｍのポリカーボネート基板にスパッタリン
グ法にて１２０℃でＩＴＯ膜を形成し、その後基板を２
０℃にした場合、ポリカーボネート基板の寸法変化は１
辺あたり０．６ｍｍとなる。一方、ＩＴＯ膜の熱膨張係
数が２．０×１０^-6／℃である場合、ＩＴＯ膜の寸法変
化は０．０６ｍｍである。従って、ポリカーボネート基
板とＩＴＯ膜の寸法変化の差は０．５４ｍｍにもなり、
ＩＴＯ膜を形成したポリカーボネート基板はＩＴＯ膜側
が凸状になるよう大きく反る。また、熱膨張係数が６．
０×１０^-7／℃のＩＴＯ膜を形成した場合、ＩＴＯ膜の
寸法変化は０．０１８ｍｍであり、ポリカーボネート基
板とＩＴＯ膜の寸法変化の差は０．４２ｍｍと大きく、
このＩＴＯ膜を形成したポリカーボネート基板もＩＴＯ
膜側が凸状になるよう大きく反る。また、２０℃でＩＴ
Ｏ膜を形成したポリカーボネート基板を１２０℃に加熱
した場合は、ＩＴＯ膜の寸法変化がプラスチック基板に
対して小さいことにより、ＩＴＯ膜側が凹状になるよう
反りが発生する。

【００１０】このように、室温から基板耐熱温度までの
間では、熱によるプラスチック基板の寸法変化が大きく
なることにより、透明電極を形成したプラスチック基板
に反りが発生することが分かっている。

【００１１】プラスチック基板を用いた液晶表示装置
は、携帯電話を主用途として製造されており、１／８０
デューティ以下で駆動するＳＴＮ方式のものが多い。そ
の場合、透明電極の抵抗値は５０Ω／□程度であれば十
分であった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし近年、プラスチ
ック基板を用いた液晶表示装置では、携帯電話の大画面
化、階調表示、カラー表示により、透明電極パターンの
高精細化、低抵抗化の要求がある。透明電極を低抵抗化
する方法として、その膜厚を大きくするのが一般的であ
る。抵抗値が５０Ω／□であれば、透明電極の膜厚は
０．１０μｍ前後であれば十分であった。しかし、階調
表示やカラー表示を行うには、透明電極の抵抗値は３０
Ω／□以下は必要である。抵抗値を３０Ω／□にするに
は約０．１５μｍ前後、２０Ω／□以下にするには０．
２２μｍ以上の膜厚が必要である。

【００１３】前述したように、液晶表示装置の製造工程
には、基板洗浄後の乾燥、配向膜形成、カラーフィルタ
ー形成、オーバーコート膜形成といった加熱工程があ
る。透明電極の膜厚が大きくなると、この加熱時に透明
電極の形成側が凸状となったプラスチック基板は一旦平
滑になったり、透明電極の形成時の環境温度よりも高温
時には透明電極の形成側が凹状になる。そして室温に戻
すと、再び透明電極の形成側が凸状になる。透明電極が
このよな熱履歴による応力を緩和できなくなると、透明
電極にクラックが発生する。

【００１４】また、透明電極を室温形成したプラスチッ
ク基板の場合は、加熱時に透明電極側が凹状に反り、加
熱工程を繰り返すことにより透明電極にクラックが発生
する。

【００１５】このように、プラスチック基板を用いた液
晶表示装置では、透明電極を厚膜化した場合、透明電極
にクラックが発生し、このような透明電極を用いて作成
した液晶表示装置は、透明電極の断線による表示不良が
発生するという問題があった。

【００１６】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、プラスチック基板を用いても
透明電極にクラックが発生せず、透明電極の断線による
表示不良が発生しない液晶表示装置を実現することと、
このような液晶表示装置の製造方法を確立すること、及
び上記の液晶表示装置を用いた画像表示応用機器を提供
することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、一方の面に透明電極が形成された２枚の基板を対向
配置し、前記２枚の基板の少なくとも一方にプラスチッ
ク基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる液
晶表示装置において、透明電極が形成されたプラスチッ
ク基板の他方の面に無機膜からなる層を形成したことを
特徴とする。

【００１８】本願の請求項２の発明は、一方の面に透明
電極が形成された２枚の基板を対向配置し、前記２枚の
基板の少なくとも一方にプラスチック基板を用い、前記
両基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置におい
て、透明電極が形成されたプラスチック基板の他方の面
に、熱膨張係数が７．０×１０^-6／℃以下の無機膜から
なる層を形成したことを特徴とする。

【００１９】本願の請求項３の発明は、請求項１又は２
の液晶表示装置において、前記無機膜は、酸化珪素、窒
化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タ
ンタルのいずれかを含む膜であることを特徴とする。

【００２０】本願の請求項４の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項の液晶表示装置において、前記無機膜は、
０．０２μｍ〜０．５０μｍの膜厚であることを特徴と
する。

【００２１】本願の請求項５の発明は、請求項１又は２
の液晶表示装置において、前記プラスチック基板は、ア
クリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹
脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテル
スルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリシリコン
系樹脂のうち、いずれかで形成されることを特徴とす
る。

【００２２】本願の請求項６の発明は、２枚の基板を対
向配置し、前記２枚の基板の少なくとも一方にプラスチ
ック基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる
液晶表示装置の製造方法において、前記プラスチック基
板の片面に透明電極を形成し、前記プラスチック基板の
他面に無機膜を形成したことを特徴とする。

【００２３】本願の請求項７の発明は、２枚の基板を対
向配置し、前記２枚の基板の少なくとも一方にプラスチ
ック基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる
液晶表示装置の製造方法において、前記プラスチック基
板の片面に透明電極を形成し、前記プラスチック基板の
他面に、熱膨張係数が７．０×１０^-6／℃以下の無機膜
を形成したことを特徴とする。

【００２４】本願の請求項８の発明は、請求項６又は７
の液晶表示装置の製造方法において、前記無機膜は、酸
化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、酸化タンタルのいずれかを含む膜であることを特徴
とする。

【００２５】本願の請求項９の発明は、請求項６〜８の
いずれか１項の液晶表示装置の製造方法において、前記
無機膜は、０．０２μｍ〜０．５０μｍの膜厚であるこ
とを特徴とする。

【００２６】本願の請求項１０の発明は、請求項６又は
７の液晶表示装置の製造方法において、前記プラスチッ
ク基板は、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、
エポキシ系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、
ポリエーテルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、
ポリシリコン系樹脂のうち、いずれかで形成されること
を特徴とする。

【００２７】本願の請求項１１の発明は、請求項１〜５
のいずれか１項記載の液晶表示装置を有することを特徴
とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態におけ
る液晶表示装置及びその製造方法について説明する。本
実施の形態の液晶表示装置は、透明電極パターンが形成
された２枚の基板を対向配置し、この２枚の基板の少な
くとも一方にプラスチック基板を用い、当該基板間に液
晶層を狭持したものである。特にプラスチック基板の片
面に透明電極パターンを形成すると共に、プラスチック
基板の透明電極が形成されていない他方の面に、熱膨張
係数が７．０×１０^-6／℃以下の無機膜からなる層を形
成することが好ましい。

【００２９】上記の無機膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸
化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タンタルのい
ずれかを含む少なくとも一層からなるものとする。また
この無機膜の膜厚は０．０２μｍ〜０．５０μｍである
ことが好ましい。

【００３０】また上記のプラスチック基板は、アクリル
系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルスルフ
ォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリシリコン系樹脂
のいずれかを含む少なくとも一層の構成からなるものと
する。

【００３１】また上下２枚の基板のどちらもプラスチッ
ク基板を用いたが、これに限ることなく、一方がプラス
チック基板で、他方がガラス基板という異種基板を用い
ることもできる。無機膜の形成方法として、スパッタリ
ング法又はイオンプレーティング法を主として用いる
が、蒸着法、レーザー照射成膜法、塗工成膜法、またそ
の他の成膜法を用いても同様な特性が得られる。基板保
護膜としてアクリル系樹脂膜を基板両面に形成するが、
どちらか一方の面に形成ても同様の特性が得られる。

【００３２】液晶表示装置を用いた携帯用の画像表示応
用機器は、薄型化、軽量化、堅牢性が要求されている。
特に携帯電話のような画像表示応用機器では、薄型化及
び軽量化が商品としての重要な評価対象となっている。
プラスチック基板の厚みを現行の０．４ｍｍから、０．
２ｍｍ以下のものにすることもできる。この場合、機器
の外形に合わせて湾曲した表示パネルも実現できる。ま
たプラスチック基板であれば、表示パネル面に対して鋭
利な器物が当たっても、表示パネル自身が割れるという
事態を避けることができる。このような特性を有する液
晶表示装置は、携帯電話の需要において大きなものがあ
る。

【００３３】

【実施例】以上のような構成を有する液晶表示装置にお
いて、基板の作成方法を中心にして評価結果と共に具体
的に説明する。

【００３４】（実施例１）図１は実施例１におけるプラ
スチック基板の断面図である。基材として厚さ４００μ
ｍのアクリル系の基板１を用いる。この基板１の一方の
面に、イオンプレーティング法により酸化珪素からなる
無機膜２を４０℃で０．２０μｍの厚さに成膜した。こ
の酸化珪素の熱膨張係数は１．０×１０^-6／℃である。
さらに酸化珪素膜２を形成していない他方の面にイオン
プレーティング法により、ＩＴＯ膜３を４０℃で０．１
６μｍの厚さに形成した。こうして１５０×１５０ｍｍ
² 角のプラスチック基板を作成した。

【００３５】（比較例１）比較例１として、従来のよう
に基板の一方の面にのみに透明電極が形成されたプラス
チック基板を実施例１と同様の条件で作成した。尚、基
板の他方の面には酸化珪素からなる無機膜を形成しなか
った。

【００３６】（比較結果）実施例１で得られたプラスチ
ック基板を２０℃から１５０℃になるまで１０分間で加
熱し、１５０℃で３０分間保持した。この後、環境温度
２０℃の場所で３０分間冷却した。このような試験を３
回繰り返し、得られたサンプルのＩＴＯ表面を光学顕微
鏡を用いて観察した。１００×１００ｍｍ² 中の範囲内
の２０ヶ所を観察し、ＩＴＯのクラックの有無について
評価した。

【００３７】その結果、比較例１の基板では、平均で
２．５個／ｍｍ² の割合でクラックが観察されたが、実
施例１の基板ではクラックは観察されなかった。またこ
のサンプルでのＩＴＯの抵抗変化率を測定した。抵抗変
化率は（試験後の抵抗）／（試験前の抵抗）で表した。
その結果、比較例１の抵抗変化率は７．８となり、良好
な結果は得られなかった。これに対して実施例１の抵抗
変化率は１．０であり、試験前後の変化は無く、良好な
結果が得られた。

【００３８】（液晶表示装置の製造）次にプラスチック
基板を用いた液晶表示装置の製造方法について説明す
る。本実施例１のプラスチック基板の透明電極を、フォ
トリソグラフィーでパターンニングし、液晶表示装置と
しての透明電極パターンを形成した。そして透明電極パ
ターン上に配向膜を印刷形成した後、２５０°ツイスト
のＳＴＮモードの液晶を実現するように、レーヨン布を
用いた回転ラビングにより配向処理を行った。対向基板
も同様にして作成した。

【００３９】ガラスファイバを１．０ｗｔ％混入した紫
外線硬化性シール樹脂を用意し、一方の基板の周囲部分
にこの紫外線硬化性シール樹脂を印刷した。他方の基板
上には、所定の径の樹脂ビーズを２００個／ｍｍ² の割
合で散布した。そして両基板を貼り合わせ、紫外線照射
によりシール樹脂を硬化した。その後、ｎ＝０．１４の
エステル系ネマチック液晶に所定の量のカイラル剤を混
ぜた混合液晶を真空注入し、紫外線硬化樹脂で封口し
た。そして紫外線照射により硬化後、熱処理して液晶セ
ルを形成し、液晶表示装置を試作した。

【００４０】そして、本実施例１の基板を用いた液晶表
示装置について、ＩＴＯの断線による表示不良の有無と
閾値むらとについて目視で評価した。比較例１の基板を
用いた液晶表示装置についても、実施例１の基板を用い
たものと同様にして試作した。そして実施例１と比較例
１とを評価した。その結果、比較例１の基板を用い液晶
表示装置では表示不良が発生していたが、実施例１の基
板を用い液晶表示装置では、断線による表示不良、及び
基板反りによる閾値むらは発生せず、良好な結果が得ら
れた。

【００４１】（比較例２）次に比較例２の基板について
説明する。基材として厚さ４００μｍのアクリル系の基
板を用意し、この基板の一方の面に、スパッタリング法
によりＡｌ（アルミニウム）からなる無機膜を１２０℃
で０．１０μｍの厚さに成膜した。このＡｌの熱膨張係
数は９．０×１０^-6／℃であった。更にＡｌ膜を形成し
ていない基板の他方の面にスパッタリング法により、Ｉ
ＴＯ膜を１２０℃で０．２４μｍの厚さに形成した。こ
うして１５０×１５０ｍｍ² 角のプラスチック基板を作
成した。

【００４２】次に比較例２のプラスチック基板を２０℃
から１５０℃になるまで１０分間加熱した。そして１５
０℃で３０分間保持した後、環境温度２０℃の場所で３
０分冷却した。このような試験を３回繰り返し、サンプ
ルのＩＴＯ表面を光学顕微鏡を用いて１００×１００ｍ
ｍ² 中の範囲内の２０ヶ所を観察し、ＩＴＯのクラック
の有無について評価した。

【００４３】その結果、比較例２の基板では、平均で
１．２個／ｍｍ² の割合でクラックが観察され、良好な
結果は得られなかった。またこのサンプルのＩＴＯの抵
抗変化率を測定した。抵抗変化率は（試験後の抵抗）／
（試験前の抵抗）で表した。その結果、比較例２の抵抗
変化率は３．２であり、良好な結果は得られなかった。

【００４４】以上の実施例１、比較例１、比較例２の結
果より、無機膜は熱膨張係数が７．０×１０^-6／℃以下
であれば、良好な結果が得られることが判った。

【００４５】（実施例２）次に実施例２における基板に
ついて説明する。図２は実施例２におけるプラスチック
基板の断面図である。基材として厚さ４００μm のポリ
カーボネートの基板４を用いる。この基板の一方の面
に、イオンプレーティング法により酸化珪素からなる無
機膜２を４０℃で０．２０μｍの厚さに成膜した。この
酸化珪素の熱膨張係数は１．０×１０^-6／℃であった。
更に酸化珪素膜２を形成したプラスチック基板の両面
に、基板保護膜としてアクリル系樹脂膜５をスピンコー
ティング法により５μｍの厚さに成膜した。更に無機膜
２を形成していない他方の面にイオンプレーティング法
により、ＩＴＯ膜３を４０℃で０．１６μｍの厚さに形
成した。こうして、１５０×１５０ｍｍ² 角のプラスチ
ック基板を作成した。

【００４６】そして本実施例２のプラスチック基板を２
０℃から１５０℃になるまで１０分間で加熱し、１５０
℃で３０分間保持した。そしてこの基板を環境温度２０
℃の場所で３０分冷却した。このような試験を３回繰り
返し、サンプルのＩＴＯ表面を光学顕微鏡を用いて１０
０×１００ｍｍ² 中の範囲内の２０ヶ所を観察した。そ
して、ＩＴＯのクラックの有無について評価した。

【００４７】その結果、実施例２の基板ではクラックは
観察されず、良好な結果が得られた。またこのサンプル
のＩＴＯの抵抗変化率を測定した。抵抗変化率は（試験
後の抵抗）／（試験前の抵抗）で表した。その結果、実
施例２の抵抗変化率は１．０であり、試験前後の変化は
無く、良好な結果が得られた。

【００４８】このような基板を用いて、実施例１と同様
の方法で液晶表示装置を試作した。そして、本実施例２
の液晶表示装置について、ＩＴＯの断線による表示不良
の有無と閾値むらとについて目視で評価した。その結
果、実施例２では断線による表示不良、及び基板反りに
よる閾値むらは発生せず、良好な結果が得られた。

【００４９】（実施例３）次に実施例３における基板に
ついて説明する。基材として、厚さ４００μm のエポキ
シ系基板を用意し、この基板の一方の面に、スパッタリ
ング法により酸化アルミニウムからなる無機膜を１２０
℃で所定の厚さに成膜した。この酸化アルミニウムの熱
膨張係数は７．０×１０^-6／℃であった。更に酸化アル
ミニウム膜を形成していない基板の他方の面に、スパッ
タリング法によりＩＴＯ膜を１２０℃で所定の厚さに成
膜した。こうして１５０×１５０ｍｍ² 角のプラスチッ
ク基板を作成した。

【００５０】そして本実施例３のプラスチック基板を２
０℃から１５０℃になるまで１０分間で加熱した。そし
て１５０℃で３０分間保持した後、環境温度２０℃の場
所で３０分冷却した。このような試験を３回繰り返し、
サンプルのＩＴＯ表面を光学顕微鏡を用いて１００×１
００ｍｍ² 中の範囲内の２０ヶ所を観察した。そしてＩ
ＴＯのクラックの有無について評価した。またこのサン
プルのＩＴＯの抵抗変化を測定した。

【００５１】（比較例３）比較例３として厚さ４００μ
ｍのソーダガラス基板に、実施例３と同条件で所定の厚
さに無機膜とＩＴＯを成膜し、基板を作成した。そして
比較例３の基板を用い、プラスチック基板の場合と同様
に加熱冷却試験を行い、実施例３との比較材とした。抵
抗比は（試験後のプラスチック基板の抵抗値）／（試験
後のガラス基板の抵抗値）とした。

【００５２】次に、実施例３のプラスチック基板を用い
て、実施例１と同様にして液晶表示装置を試作した。比
較例３のガラス基板でも実施例３と同様にして液晶表示
装置を試作した。そして、本実施例３と比較例３の液晶
表示装置について、ＩＴＯの断線による表示不良の有無
と、閾値むらについて目視で評価した。実施例３及び比
較例３の結果をまとめて図３及び図４に示した。図３は
ＩＴＯの膜厚が０．０８μｍ、０．１６μｍの場合にお
ける実施例３の評価結果を示し、図４はＩＴＯの膜厚が
０．２４μｍの場合における実施例３の評価結果と、比
較例３における各評価結果とを示している。

【００５３】これらの図より、酸化アルミニウムの膜厚
が０．５５μｍではＩＴＯの膜厚に依存することなく、
酸化アルミニウムにクラックが発生した。また酸化アル
ミニウムの膜厚が０．０２μｍ以上であれば、ＩＴＯの
膜厚に依存することなくＩＴＯのクラック及び抵抗値の
変化はなく、良好な結果が得られた。また液晶表示装置
を試作しての評価でも、酸化アルミニウムの膜厚が０．
０２μｍ以上の場合は、ＩＴＯの断線による表示不良や
閾値むらは観察されなかった。これらの結果より酸化ア
ルミニウムの膜厚は０．０２μｍから０．５０μｍの場
合、良好な結果が得られることが判った。

【００５４】尚、窒化珪素の熱膨張係数は３．４×１０
^-6／℃、窒化アルミニウムの熱膨張係数は４．５×１０
^-6／℃、酸化タンタルの熱膨張係数は２．０×１０^-6／
℃〜６．０×１０^-6／℃である。以上の実施例におい
て、無機膜として、酸化アルミニウム膜、酸化珪素膜を
用いたが、これに限ることなく窒化珪素、窒化アルミニ
ウム、酸化タンタルのいずれかを含む無機膜を用いても
同様の効果を得ることが確認された。

【００５５】尚、以上の実施例において、プラスチック
基板としてアクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ系樹脂を用いたが、これに限ることなく、例えば
フェノキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリエチレンテ
レフタレート系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂、
ポリエチレン系樹脂、ポリシリコン系樹脂のうち、いず
れかのプラスチック基板を用いても、同様の効果が得ら
れることが確認された。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、透明電極
を形成したプラスチック基板の他方の面に、熱膨張係数
が所定値以下の無機膜を形成することにより、透明電極
を厚膜化した場合においても、透明電極にクラックが発
生しにくくなる。このためプラスチック基板を用い、階
調表示、カラー表示が可能な液晶表示装置を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の液晶表示装置に用いられる
プラスチック基板の断面図

【図２】本発明の実施例２の液晶表示装置に用いられる
プラスチック基板の断面図

【図３】ＩＴＯの膜厚と無機膜の膜厚とをパラメータと
する液晶表示装置の評価を示す図（その１）

【図４】ＩＴＯの膜厚と無機膜の膜厚とをパラメータと
する液晶表示装置の評価を示す図（その２）

【符号の説明】

１アクリル系の基板２酸化珪素膜３ＩＴＯ膜４ポリカーボネートの基板５アクリル系樹脂膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者細川育宏大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者佐谷裕司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者金子尚美大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H090 HA08 HB03X HB04X HC01 HC13 HC18 HD05 JB03 JC19 KA08 LA03 LA15 5C094 AA04 AA24 AA32 AA36 AA42 AA43 BA43 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB02 EC04 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA08 JA20 5G435 AA07 AA14 AA17 BB12 HH02 HH12 HH14 HH18 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の面に透明電極が形成された２枚の
基板を対向配置し、前記２枚の基板の少なくとも一方に
プラスチック基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持
してなる液晶表示装置において、透明電極が形成されたプラスチック基板の他方の面に無
機膜からなる層を形成したことを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】一方の面に透明電極が形成された２枚の
基板を対向配置し、前記２枚の基板の少なくとも一方に
プラスチック基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持
してなる液晶表示装置において、透明電極が形成されたプラスチック基板の他方の面に、
熱膨張係数が７．０×１０^-6／℃以下の無機膜からなる
層を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】前記無機膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、酸化タンタルのいずれかを含む膜であることを特
徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記無機膜は、０．０２μｍ〜０．５０μｍの膜厚であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記プラスチック基板は、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系
樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテ
ルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリシリコ
ン系樹脂のうち、いずれかで形成されることを特徴とす
る請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項６】２枚の基板を対向配置し、前記２枚の基
板の少なくとも一方にプラスチック基板を用い、前記両
基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置の製造方法
において、前記プラスチック基板の片面に透明電極を形成し、前記プラスチック基板の他面に無機膜を形成したことを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】２枚の基板を対向配置し、前記２枚の基
板の少なくとも一方にプラスチック基板を用い、前記両
基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置の製造方法
において、前記プラスチック基板の片面に透明電極を形成し、前記プラスチック基板の他面に、熱膨張係数が７．０×
１０^-6／℃以下の無機膜を形成したことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
【請求項８】前記無機膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、酸化タンタルのいずれかを含む膜であることを特
徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方
法。
【請求項９】前記無機膜は、０．０２μｍ〜０．５０μｍの膜厚であることを特徴と
する請求項６〜８のいずれか１項記載の液晶表示装置の
製造方法。
【請求項１０】前記プラスチック基板は、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系
樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテ
ルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリシリコ
ン系樹脂のうち、いずれかで形成されることを特徴とす
る請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】請求項１〜５のいずれか１項記載の液
晶表示装置を有することを特徴とする画像表示応用機
器。