JP2002033572A - バンプの形成方法及びその装置 - Google Patents
バンプの形成方法及びその装置Info
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Abstract
状のバンプの形成しうるバンプの形成方法及びその装置
を提供する。 【解決手段】帯状の絶縁フィルム30上に形成された配
線パターン31のランド32上にバンプを形成する際
に、絶縁フィルム30の配線パターン31を陰極側に接
続した状態で原反3を所定の方向に搬送して配線パター
ン31を間欠的にめっき液10に浸漬させる。配線パタ
ーン31の各浸漬部位において原反3の搬送方向Aに対
して側方にずらした位置に配置した陽極体6a〜6dを
用いて電解めっきを行う。
Description
ル配線板の接続端子であるバンプの形成方法に関し、特
にめっきによってバンプを形成する技術に関する。
フレキシブル配線板に関する技術が進展しており、その
ためフレキシブル配線板を量産することが望まれてい
る。一般に、この種のフレキシブル配線板には、配線パ
ターンに接続用のバンプが設けられる。従来、フレキシ
ブル配線板において接続用のバンプを形成する方法とし
ては、めっきによる方法が知られている。
ってバンプを形成するには、配線パターンが形成された
めっき対象物(ワーク)をめっき液に浸し、めっき液中
に配置された陽極体との間に所定の電圧を印加する必要
がある。
ンプを形成する際に、陽極体に近いバンプほど多くの電
流が流れるため、バンプの高さと形状にばらつきが生
じ、フレキシブル配線板の接続信頼性が低下するという
問題がある。
する距離の等しい形状の陽極体を用いてめっきを行うこ
とも考えられるが、その場合には、陽極体における電流
密度が低下して電流が流れなくなる(不動態化)という
という問題がある。
解決するためになされたもので、複数のバンプを形成す
る際に均一な高さ及び形状のバンプの形成しうるバンプ
の形成方法及びその装置を提供することを目的とする。
になされた請求項1記載の発明は、帯状の絶縁フィルム
上に形成された導体パターン上にバンプを形成する方法
であって、前記絶縁フィルムの導体パターンを陰極側に
接続した状態で当該めっき対象物を所定の方向に搬送し
て前記導体パターンを間欠的にめっき液に浸漬させ、前
記導体パターンの各浸漬部位において当該めっき対象物
の搬送方向に対して側方にずらした位置に配置した陽極
体を用いて電解めっきを行うことを特徴とするバンプの
形成方法である。
の搬送方向に対して側方にずらした位置に配置した陽極
体を用いて電解めっきを行うようにしたことから、めっ
き工程終了後各バンプ形成部において析出する陽極物質
の量を等しくすることができ、これにより各バンプの高
さと形状を均一化することが可能になる。
って容易に実施することができるものである。すなわ
ち、請求項2記載の発明は、帯状の絶縁フィルム上に、
所定の接続端子部を有し電気的に接続された導体パター
ンが形成され、前記絶縁フィルムの前記導体パターンの
接続端子部に対応する部分に開口部が形成されているこ
とを特徴とするフレキシブル配線板用原反である。
き液が収容されるめっき浴槽と、前記めっき浴槽内に所
定の間隔をおいて配置される複数の浸漬搬送ロールを有
する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送されるめっ
き対象物に対して電気的に接続されるように構成された
陰極と、前記めっき浴槽内に所定の間隔をおいて配置さ
れ、当該めっき対象物の搬送方向に対して側方へずらし
て配置された複数の陽極体とを備えたことを特徴とする
バンプ形成装置である。
パターンが形成されたフレキシブル配線板において均一
なバンプを効率良く形成することが可能になる。
数、形状、形成するバンプの位置、数等に応じて適宜変
更することができる。
求項3記載の発明において、陽極体のそれぞれを当該め
っき対象物の搬送方向に対して側方へずらして配置する
こともできる。
項3又は4のいずれか1項記載の発明において、陽極体
を全体としてめっき対象物に対して均等に対向配置すれ
ば、より各バンプの高さと形状の均一化を図ることが可
能になる。
至5のいずれか1項記載の発明において、搬送手段が、
めっき浴槽の上方に配置した液上搬送ロールを有するこ
とを特徴とする。
き対象物を複数回に分けてめっき液に浸漬することがで
きるため、小さな設置面積で効率良くバンプの形成を行
うことができる。
載の発明において、搬送手段が、めっき浴槽の上方に所
定の間隔をおいて配置した複数の液上搬送ロールを有す
ることを特徴とする。
設置面積で効率良くバンプの形成を行うことができる。
に、めっき対象物として、請求項2記載のフレキシブル
配線板用原反を用い、請求項3乃至請求項7のいずれか
1項のバンプ形成装置を用いてバンプを形成するように
構成すれば、配線パターンが形成されたフレキシブル配
線板において均一なバンプを効率良く連続的に形成する
ことができる。
を参照して詳細に説明する。
ムの概略構成を示す正面図である。図1に示すように、
本実施の形態のバンプ形成システム1は、所定のめっき
液10を収容可能なめっき浴槽20を有するバンプ形成
装置2と、このバンプ形成装置2によってバンプが形成
される、めっき対象物であるフレキシブル配線板用原反
(いわゆるワーク、以下単に「原反」という。)3とか
ら構成される。
0は、複数(本実施の形態では4つ)のめっき室21a
〜21dに分割されている。
するための搬送手段4を有している。本実施の形態の場
合、この搬送手段4は、めっき浴槽20の各めっき室2
1a〜21dに所定の間隔をおいて配設された浸漬搬送
ロール40a〜40dと、めっき浴槽20の上方に所定
の間隔をおいて配設された液上搬送ロール41a〜41
hとから構成されている。
0dと液上搬送ロール41a〜41hに原反3が掛け渡
されることにより原反3が所定の方向(矢印A方向)に
搬送され、間欠的にめっき液10に浸漬されるようにな
っている。
うち所定のもの(例えば、液上搬送ロール41b)は、
その表面が金属からなり、めっき用電源5に接続される
ことによって陰極としての機能を有している(以下「陰
極ロール」という。)。
〜21dには、陽極体6a〜6dが設けられている。こ
れら陽極体6a〜6dの配置については後述する。
示す平面図である。本実施の形態の原反3は、例えば、
ポリイミドからなる絶縁フィルム30上に、例えば銅
(Cu)からなる配線パターン(導体パターン)31が
形成されたものである。
定の部位には、バンプを形成するためのランド(接続端
子部)32が設けられている。そして、絶縁フィルム3
0には、配線パターン31のランド32に対応する部分
に開口部30aが設けられている。
は、例えば、所定の接続部31a及び31bを介して電
気的に接続されている。そして、この配線パターン31
の例えば接続部31bは、搬送手段4によって搬送され
る際に陰極ロール41bに対して電気的に接続されるよ
うになっている。
例を示す概略構成図、図4は、陽極体の配置の他の例を
示す概略構成図である。図3に示すように、本発明にお
いては、複数の陽極体6a〜6dを、原反3の搬送方向
Aに対して側方、すなわち、矢印A方向に対して直交す
る方向(矢印B方向)へずらして配置するようにしてい
る。
dを前段のめっき室21aから後段のめっき室21dに
おいて順次同じ距離だけずらすとともに、これら4つの
陽極体6a〜6dが全体として原反3の各ランド32に
対して均等に対向配置されている。
6dのずらす順序は図3に示す例とは異なるが、本例に
おいても、4つの陽極体6a〜6dは、全体として原反
3の各ランド32に対して均等に対向配置されている。
の搬送方向Aに対して側方にずらした位置に配置した陽
極体6a〜6dを用いて電解めっきを行うようにしたこ
とから、めっき工程終了後、原反3の各ランド32にお
いて析出する陽極物質の量を等しくすることができ、こ
れにより各バンプの高さと形状を均一化することができ
る。
成装置2によれば、配線パターン31が形成された原反
3において均一なバンプを効率良く形成することができ
る。
〜6dを全体として原反3のランド32に対して均等に
対向配置すれば、より各バンプの高さと形状の均一化を
図ることができる。
によれば、原反3を複数回に分けて間欠的にめっき液1
0に浸漬することができるため、小さな設置面積で効率
良くバンプの形成を行うことができる。
ステム1によれば、配線パターンが形成された原反3に
おいて均一なバンプを効率良く連続的に形成することが
できるものである。
の他の実施の形態の概略構成を示す正面図であり、以
下、上記実施の形態と対応する部分については同一の符
号を付しその詳細な説明を省略する。
形成システム1Aのバンプ形成装置2Aにあっては、め
っき浴槽20の各めっき室21a〜21d内に、それぞ
れ2つの陽極体6a〜6dが所定の間隔をおいて配設さ
れている。
の形態と同様に、原反3の搬送方向Aに対して側方にず
らして配置されている。
ール41a〜41hのすべてが陰極ロールとして構成さ
れ、めっき用電源5に接続されている。
れば、上記実施の形態と同様に、各バンプの高さと形状
を均一化することができる。
21a〜21d内に2つの陽極体6a〜6dを設けたこ
とから、より効率良くバンプを形成することができるも
のである。その他の構成及び作用効果については上記実
施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
陽極体の配置は、陽極体の数、形状、形成するバンプの
位置、数等に応じて適宜変更することができる。
いても、形成するバンプに応じて適宜変更することがで
きる。
に説明する。 <実施例> (原反ロールの作成)まず、幅250mmの連続長尺状
のポリイミドからなる絶縁フィルム上に、銅(Cu)か
らなる導体パターンを形成し、長手方向に2cmの間隔
をおいて幅方向に12列のランドを形成した。これら各
ランドは、この導体パターンを介して陰極ロールに接続
されるようになっている。
に、ポリイミドからなるカバーフィルムを積層し、さら
に、ランド上のカバーフィルムを削除して一辺が50μ
mの正方形状の開口部を形成し、目的とするフレキシブ
ル配線板用原反を得た。
すバンプ形成装置に装着し、0.5m/分の速度で搬送
させて、導体パターンのランド上にバンプを形成した。
めっき室を18個設け、合計36個の陽極体を配置し
た。
ぞれずらし、もとの陽極体から数えて7つ目の陽極体が
もとの位置に戻るように配置した。
バンプについて、一列あたり任意の3箇所、計36個の
バンプの高さを測定し、その偏差を計算した。
30.22μm、最高38.93μmで、その偏差は、
2.58であった。
5に示すバンプ形成装置において陽極体をずらさず幅方
向に対してほぼ中央の位置に配置し、実施例と同一の方
法によってバンプを形成した。
m、最高57.51μmで、その偏差も6.90とばら
つきが大きかった。
のバンプを形成する際に均一な高さ及び形状のバンプの
形成することができる。
の概略構成を示す正面図である。
面図である。
構成図である。
略構成図である。
形態の概略構成を示す正面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】帯状の絶縁フィルム上に形成された導体パ
ターン上にバンプを形成する方法であって、 前記絶縁フィルムの導体パターンを陰極側に接続した状
態で当該めっき対象物を所定の方向に搬送して前記導体
パターンを間欠的にめっき液に浸漬させ、前記導体パタ
ーンの各浸漬部位において当該めっき対象物の搬送方向
に対して側方にずらした位置に配置した陽極体を用いて
電解めっきを行うことを特徴とするバンプの形成方法。 - 【請求項2】帯状の絶縁フィルム上に、所定の接続端子
部を有し電気的に接続された導体パターンが形成され、
前記絶縁フィルムの前記導体パターンの接続端子部に対
応する部分に開口部が形成されていることを特徴とする
フレキシブル配線板用原反。 - 【請求項3】所定のめっき液が収容されるめっき浴槽
と、 前記めっき浴槽内に所定の間隔をおいて配置される複数
の浸漬搬送ロールを有する搬送手段と、 前記搬送手段によって搬送されるめっき対象物に対して
電気的に接続されるように構成された陰極と、 前記めっき浴槽内に所定の間隔をおいて配置され、当該
めっき対象物の搬送方向に対して側方へずらして配置さ
れた複数の陽極体とを備えたことを特徴とするバンプ形
成装置。 - 【請求項4】陽極体のそれぞれが当該めっき対象物の搬
送方向に対して側方へずらして配置されていることを特
徴とする請求項3記載のバンプ形成装置。 - 【請求項5】陽極体が全体としてめっき対象物に対して
均等に対向配置されていることを特徴とする請求項3又
は4のいずれか1項記載のバンプ形成装置。 - 【請求項6】搬送手段が、めっき浴槽の上方に配置した
液上搬送ロールを有することを特徴とする請求項3乃至
5のいずれか1項記載のバンプ形成装置。 - 【請求項7】搬送手段が、めっき浴槽の上方に所定の間
隔をおいて配置した複数の液上搬送ロールを有すること
を特徴とする請求項6記載のバンプ形成装置。 - 【請求項8】めっき対象物として、請求項2記載のフレ
キシブル配線板用原反を用い、請求項3乃至請求項7の
いずれか1項のバンプ形成装置を用いてバンプを形成す
るように構成されていることを特徴とするバンプ形成シ
ステム。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000215636A JP4399092B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | バンプ形成装置、バンプ形成システム及びバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP2002033572A true JP2002033572A (ja) | 2002-01-31 |
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JP (1) | JP4399092B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013129913A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板処理装置 |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215636A patent/JP4399092B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013129913A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板処理装置 |
US9487880B2 (en) | 2011-11-25 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible substrate processing apparatus |
JP2017082332A (ja) * | 2011-11-25 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 還元処理方法 |
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