JP2002033352A - ボンディング装置 - Google Patents
ボンディング装置Info
- Publication number
- JP2002033352A JP2002033352A JP2000215531A JP2000215531A JP2002033352A JP 2002033352 A JP2002033352 A JP 2002033352A JP 2000215531 A JP2000215531 A JP 2000215531A JP 2000215531 A JP2000215531 A JP 2000215531A JP 2002033352 A JP2002033352 A JP 2002033352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- semiconductor element
- heater block
- electrode
- tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の電極とインナーリードとを熱圧
着する場合、半導体素子のサイズに応じた圧着面を有す
るボンディングツールの交換時に、多大な交換時間を要
し、ボンディング装置の稼働率低下の大きな要因となっ
ていた。 【解決手段】 ステージ１に保持された半導体素子２の
電極と、電極に対応するＴＣＰテープ３に形成されたイ
ンナーリード４とを位置合わせして接続するボンディン
グ装置において、半導体素子２の品種交換前後に、それ
ぞれの半導体素子２の品種に対応させて、加圧部９ｃか
ら加圧部９ｄへの変更を真空吸着による着脱作業により
行い、半導体素子の品種切り替え時間を大幅に短縮する
ことでボンディング装置の稼働率向上を達成する。
着する場合、半導体素子のサイズに応じた圧着面を有す
るボンディングツールの交換時に、多大な交換時間を要
し、ボンディング装置の稼働率低下の大きな要因となっ
ていた。 【解決手段】 ステージ１に保持された半導体素子２の
電極と、電極に対応するＴＣＰテープ３に形成されたイ
ンナーリード４とを位置合わせして接続するボンディン
グ装置において、半導体素子２の品種交換前後に、それ
ぞれの半導体素子２の品種に対応させて、加圧部９ｃか
ら加圧部９ｄへの変更を真空吸着による着脱作業により
行い、半導体素子の品種切り替え時間を大幅に短縮する
ことでボンディング装置の稼働率向上を達成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ
Ｏｎ Ｆｉｌｍ）等の半導体パッケージの組立工程にお
いて、半導体素子の電極とその電極の配置に対応する基
板に形成されたインナーリードとを位置決めし、重ね合
わせて複数本どうしを一括で熱圧着にて接続するインナ
ーリードボンダー（ＩＬＢ）と称されるボンディング装
置に関するものである。
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ
Ｏｎ Ｆｉｌｍ）等の半導体パッケージの組立工程にお
いて、半導体素子の電極とその電極の配置に対応する基
板に形成されたインナーリードとを位置決めし、重ね合
わせて複数本どうしを一括で熱圧着にて接続するインナ
ーリードボンダー（ＩＬＢ）と称されるボンディング装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、半導体部品の小型化、薄型化が進んでいる。それに
ともなって、薄いテープ状の基板に半導体素子をフリッ
プチップ方式により実装した形態の半導体装置が要望さ
れている。この半導体装置の組立工程ではボンディング
装置を用いて、半導体素子の電極とそれに対応したリー
ドが形成された基板とを位置合わせして接続している。
に、半導体部品の小型化、薄型化が進んでいる。それに
ともなって、薄いテープ状の基板に半導体素子をフリッ
プチップ方式により実装した形態の半導体装置が要望さ
れている。この半導体装置の組立工程ではボンディング
装置を用いて、半導体素子の電極とそれに対応したリー
ドが形成された基板とを位置合わせして接続している。
【０００３】以下、従来の半導体素子の電極と基板に形
成されたインナーリードとを接続するボンディング装置
について説明する。
成されたインナーリードとを接続するボンディング装置
について説明する。
【０００４】図４は、従来のボンディング装置を示す断
面図である。
面図である。
【０００５】図４に示すように、半導体装置の組立工程
において、ボンディング装置に具備されたボンディング
ツールを用いて、ステージ１に保持された半導体素子２
と、半導体素子２の各電極（図示せず）に対応し、ＴＣ
Ｐテープ３上に形成された各インナーリード４とを位置
決めして同時に熱圧着する。
において、ボンディング装置に具備されたボンディング
ツールを用いて、ステージ１に保持された半導体素子２
と、半導体素子２の各電極（図示せず）に対応し、ＴＣ
Ｐテープ３上に形成された各インナーリード４とを位置
決めして同時に熱圧着する。
【０００６】従来のボンディングツールは、ヒータ５が
内蔵されたヒータブロック部６とツール先端部７とから
なり、ヒータブロック部６とツール先端部７とは、ろう
付けにより一体化されているのが一般的であった。また
ツール先端部７は、ＴＣＰテープ３に形成されたインナ
ーリード４に実装される半導体素子２のサイズおよび電
極の配置に合わせて選択される。
内蔵されたヒータブロック部６とツール先端部７とから
なり、ヒータブロック部６とツール先端部７とは、ろう
付けにより一体化されているのが一般的であった。また
ツール先端部７は、ＴＣＰテープ３に形成されたインナ
ーリード４に実装される半導体素子２のサイズおよび電
極の配置に合わせて選択される。
【０００７】なお、ヒータブロック部６はＳＵＳ、Ｎｉ
系の耐熱金属、ツール先端部７はダイヤモンド等の高硬
度で耐磨耗性に優れた材料が用いられることが多い。
系の耐熱金属、ツール先端部７はダイヤモンド等の高硬
度で耐磨耗性に優れた材料が用いられることが多い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の基板への
実装工程においては、半導体素子のサイズおよび電極の
配置に応じた圧着面を有するボンディングツールを使用
して熱圧着しなければならない。そのために品種毎にボ
ンディングツールを交換する必要がある。
実装工程においては、半導体素子のサイズおよび電極の
配置に応じた圧着面を有するボンディングツールを使用
して熱圧着しなければならない。そのために品種毎にボ
ンディングツールを交換する必要がある。
【０００９】そこで、品種切り替え時のボンディングツ
ール交換作業の際には、交換前のボンディングツールを
ボンディング温度（約５００℃）から常温まで冷却し、
ボンディングツールの交換作業を行った後、交換後のボ
ンディングツールをボンディング温度まで昇温させる必
要がある。すなわち、ボンディング装置全体を温度基準
で定常状態にするためには、一般的なＴＣＰ組み立て用
のインナーリードボンダで約１〜２時間を要し、ボンデ
ィング装置の稼働率低下の大きな要因となっている。
ール交換作業の際には、交換前のボンディングツールを
ボンディング温度（約５００℃）から常温まで冷却し、
ボンディングツールの交換作業を行った後、交換後のボ
ンディングツールをボンディング温度まで昇温させる必
要がある。すなわち、ボンディング装置全体を温度基準
で定常状態にするためには、一般的なＴＣＰ組み立て用
のインナーリードボンダで約１〜２時間を要し、ボンデ
ィング装置の稼働率低下の大きな要因となっている。
【００１０】本発明では、半導体素子の品種切換え時に
おけるボンディングツールの交換時間を短縮し、ボンデ
ィング装置の稼働率の向上を達成するボンディング装置
を提供するものである。
おけるボンディングツールの交換時間を短縮し、ボンデ
ィング装置の稼働率の向上を達成するボンディング装置
を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のボンディング装置は、ボンディング
ステージに保持された半導体素子の電極と、前記電極に
対応する基板に形成されたインナーリードとを位置合わ
せして接続するボンディング装置であって、前記電極の
複数本と前記インナーリードの複数本とを同時に熱圧着
するボンディングツールを有し、前記ボンディングツー
ルはヒータブロック部と加圧部とからなり、前記ヒータ
ブロック部と前記加圧部とは着脱する機構を有してい
る。
るために、本発明のボンディング装置は、ボンディング
ステージに保持された半導体素子の電極と、前記電極に
対応する基板に形成されたインナーリードとを位置合わ
せして接続するボンディング装置であって、前記電極の
複数本と前記インナーリードの複数本とを同時に熱圧着
するボンディングツールを有し、前記ボンディングツー
ルはヒータブロック部と加圧部とからなり、前記ヒータ
ブロック部と前記加圧部とは着脱する機構を有してい
る。
【００１２】このように、ボンディングツールのヒータ
ブロック部と加圧部とを分離できる構造とすることによ
り、半導体素子の品種切り替え時に、ヒータブロック部
を含めたボンディングツール本体を交換する必要がなく
なり、加圧部のみを交換すれば品種切り替え作業が完了
することから、品種切り替え時間を短縮することが可能
となり、ボンディング装置の稼働率向上を達成すること
ができる。
ブロック部と加圧部とを分離できる構造とすることによ
り、半導体素子の品種切り替え時に、ヒータブロック部
を含めたボンディングツール本体を交換する必要がなく
なり、加圧部のみを交換すれば品種切り替え作業が完了
することから、品種切り替え時間を短縮することが可能
となり、ボンディング装置の稼働率向上を達成すること
ができる。
【００１３】また、ヒータブロック部と加圧部とは、真
空吸着による着脱手段を有している。
空吸着による着脱手段を有している。
【００１４】このように、真空吸着による着脱手段を用
いて加圧部とヒータブロック部とを着脱することによ
り、半導体素子の品種切り替え時に加圧部を交換するこ
とが容易になるので、品種切り替え時間を短縮すること
ができ、ボンディング装置の稼働率向上を達成すること
ができる。
いて加圧部とヒータブロック部とを着脱することによ
り、半導体素子の品種切り替え時に加圧部を交換するこ
とが容易になるので、品種切り替え時間を短縮すること
ができ、ボンディング装置の稼働率向上を達成すること
ができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のボンディング装置
を用いたボンディングツールの一実施形態について図面
を参照しながら説明する。なお、従来例と同一の符号は
同一の構成要件を現している。
を用いたボンディングツールの一実施形態について図面
を参照しながら説明する。なお、従来例と同一の符号は
同一の構成要件を現している。
【００１６】まず、半導体素子の品種を変更する場合の
加圧部の交換方法について説明する。
加圧部の交換方法について説明する。
【００１７】図１（ａ）は、半導体素子の品種を変更す
る前のボンディングツールを示す断面図で、図１（ｂ）
は半導体素子の品種を変更した後のボンディングツール
を示す断面図である。半導体素子の品種の変更前後で
は、加圧部のツール先端部の形状が、それぞれの半導体
素子に対応して図１（ａ）から図１（ｂ）の状態に変わ
っている。
る前のボンディングツールを示す断面図で、図１（ｂ）
は半導体素子の品種を変更した後のボンディングツール
を示す断面図である。半導体素子の品種の変更前後で
は、加圧部のツール先端部の形状が、それぞれの半導体
素子に対応して図１（ａ）から図１（ｂ）の状態に変わ
っている。
【００１８】図１（ａ）に示すように、ヒータブロック
部６に、凸状のツール先端部８ａを有する加圧部９ａが
真空吸着による着脱手段により保持されているが、真空
スイッチの断続により真空経路１０の気圧を調整して加
圧部９ａが着脱可能な構造となっており、半導体素子の
品種交換の際は、ヒータブロック部６の温度を低下させ
ることなくボンディング時の温度に保った状態で、真空
スイッチを切ることにより加圧部９ａを取り外すことが
できる。ここで、半導体素子の品種を変更するにともな
って、真空スイッチを切ることにより加圧部９ａを取り
外す。
部６に、凸状のツール先端部８ａを有する加圧部９ａが
真空吸着による着脱手段により保持されているが、真空
スイッチの断続により真空経路１０の気圧を調整して加
圧部９ａが着脱可能な構造となっており、半導体素子の
品種交換の際は、ヒータブロック部６の温度を低下させ
ることなくボンディング時の温度に保った状態で、真空
スイッチを切ることにより加圧部９ａを取り外すことが
できる。ここで、半導体素子の品種を変更するにともな
って、真空スイッチを切ることにより加圧部９ａを取り
外す。
【００１９】次に図１（ｂ）に示すように、真空スイッ
チを入れて真空経路１０を真空状態にすることにより、
品種切り替え後の半導体素子のサイズおよび電極配置に
対応したツール先端部８ｂを有する加圧部９ｂを、ヒー
タブロック部６に吸着させる。
チを入れて真空経路１０を真空状態にすることにより、
品種切り替え後の半導体素子のサイズおよび電極配置に
対応したツール先端部８ｂを有する加圧部９ｂを、ヒー
タブロック部６に吸着させる。
【００２０】このような各半導体素子に対応した加圧部
９ａ（９ｂ）の着脱作業を、真空吸着による着脱手段に
よって行うことにより、半導体素子の品種切換の際に、
約１〜２時間を要するヒータブロック部６の昇降温のた
めの作業が不要となり、ボンディング装置の稼働率の向
上が実現できる。
９ａ（９ｂ）の着脱作業を、真空吸着による着脱手段に
よって行うことにより、半導体素子の品種切換の際に、
約１〜２時間を要するヒータブロック部６の昇降温のた
めの作業が不要となり、ボンディング装置の稼働率の向
上が実現できる。
【００２１】なお、半導体素子の電極とインナーリード
との高精度な接続を実現するために、インナーリードと
接触するツール先端部８ａ（８ｂ）の平坦度の確保が重
要であり、特にツール先端部８ａ（８ｂ）によりインナ
ーリードを押圧して、半導体素子の電極と接続する高温
時（５００[℃]）には、ツール先端部８ａ（８ｂ）の平
坦度として±１[μｍ]以内が必要である。
との高精度な接続を実現するために、インナーリードと
接触するツール先端部８ａ（８ｂ）の平坦度の確保が重
要であり、特にツール先端部８ａ（８ｂ）によりインナ
ーリードを押圧して、半導体素子の電極と接続する高温
時（５００[℃]）には、ツール先端部８ａ（８ｂ）の平
坦度として±１[μｍ]以内が必要である。
【００２２】ツール先端部８ａ（８ｂ）の表面は、イン
ナーリードと繰り返し押圧されながら接触するので、材
料としては対磨耗性に優れた高硬度のダイヤモンドが一
般的に使用される。ところがダイヤモンドの平坦度は温
度により変化し、常温で平坦度が±１[μｍ]以内であっ
ても、温度が変わると平坦度が±１[μｍ]を実現できな
いこともある。したがって、半導体素子の電極とインナ
ーリードとの接続時のボンディング温度（５００[℃]）
で平坦度を確保するためには、加圧部９ａ（９ｂ）をヒ
ータブロック部６に接続し、ボンディング温度にまで加
熱した状態でツール先端部８ａ（８ｂ）を研磨加工する
必要がある。また、ツール先端部８ａ（８ｂ）の平坦度
の検査方法として、加工後のツール先端部８ａ（８ｂ）
の表面を干渉縞法により測定する方法が高精度で有効で
あり、目標の平坦度を達成するまでツール先端部８ａ
（８ｂ）の研磨加工および測定を繰り返す。
ナーリードと繰り返し押圧されながら接触するので、材
料としては対磨耗性に優れた高硬度のダイヤモンドが一
般的に使用される。ところがダイヤモンドの平坦度は温
度により変化し、常温で平坦度が±１[μｍ]以内であっ
ても、温度が変わると平坦度が±１[μｍ]を実現できな
いこともある。したがって、半導体素子の電極とインナ
ーリードとの接続時のボンディング温度（５００[℃]）
で平坦度を確保するためには、加圧部９ａ（９ｂ）をヒ
ータブロック部６に接続し、ボンディング温度にまで加
熱した状態でツール先端部８ａ（８ｂ）を研磨加工する
必要がある。また、ツール先端部８ａ（８ｂ）の平坦度
の検査方法として、加工後のツール先端部８ａ（８ｂ）
の表面を干渉縞法により測定する方法が高精度で有効で
あり、目標の平坦度を達成するまでツール先端部８ａ
（８ｂ）の研磨加工および測定を繰り返す。
【００２３】なお、ツール先端部８ａ（８ｂ）に使用さ
れるダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも気相合成ダ
イヤモンドでもよく、これらのダイヤモンドの使用によ
り、ボンディング回数として２０〜３０万回の寿命を確
保することができる。
れるダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも気相合成ダ
イヤモンドでもよく、これらのダイヤモンドの使用によ
り、ボンディング回数として２０〜３０万回の寿命を確
保することができる。
【００２４】次に、本実施形態のボンディング装置を用
いたボンディング方法について説明する。
いたボンディング方法について説明する。
【００２５】図２は、ＴＣＰ組立ラインにおけるボンデ
ィング装置を示した断面図である。
ィング装置を示した断面図である。
【００２６】図２（ａ）に示すように、ボンディング装
置を用いてダイシング済のウェハーから１つずつ順に半
導体素子２を取り出し、ステージ１上に搬送した後、真
空による吸着手段を用いてステージ１上に固定した半導
体素子２の電極と長尺状のＴＣＰテープ３に等ピッチ間
隔で形成されたインナーリード４とを位置決めし重ね合
わせた後、ヒータブロック部６および加圧部９ｃを下降
させ熱圧着を行う。その後は、ＴＣＰテープ３を半導体
素子２の実装ピッチ間隔で搬送し、同様にして半導体素
子２が実装されていないＴＣＰテープ３上のインナーリ
ード４を半導体素子２の電極と位置合わせする。
置を用いてダイシング済のウェハーから１つずつ順に半
導体素子２を取り出し、ステージ１上に搬送した後、真
空による吸着手段を用いてステージ１上に固定した半導
体素子２の電極と長尺状のＴＣＰテープ３に等ピッチ間
隔で形成されたインナーリード４とを位置決めし重ね合
わせた後、ヒータブロック部６および加圧部９ｃを下降
させ熱圧着を行う。その後は、ＴＣＰテープ３を半導体
素子２の実装ピッチ間隔で搬送し、同様にして半導体素
子２が実装されていないＴＣＰテープ３上のインナーリ
ード４を半導体素子２の電極と位置合わせする。
【００２７】このボンディング装置では、ヒータブロッ
ク部６と加圧部９ｃが着脱する構造であるが、半導体素
子２の電極とインナーリード４との位置合わせおよび熱
圧着時は、真空吸着による着脱手段により接続固定され
ている。そして半導体素子２の品種切換（ツール交換）
の際には、半導体素子２をステージ１上から搬出すると
ともに、ヒータブロック部６をボンディング温度（約５
００[℃]）に保持したまま真空スイッチを切ることによ
り加圧部９ｃをヒータブロック部６から分離させる。
ク部６と加圧部９ｃが着脱する構造であるが、半導体素
子２の電極とインナーリード４との位置合わせおよび熱
圧着時は、真空吸着による着脱手段により接続固定され
ている。そして半導体素子２の品種切換（ツール交換）
の際には、半導体素子２をステージ１上から搬出すると
ともに、ヒータブロック部６をボンディング温度（約５
００[℃]）に保持したまま真空スイッチを切ることによ
り加圧部９ｃをヒータブロック部６から分離させる。
【００２８】次に図２（ｂ）に示すように、別品種の半
導体素子２をステージ１上に搬送するとともに、この品
種の半導体素子２に対応した加圧部９ｄを真空吸着によ
る着脱手段によりヒータブロック部６に固定保持する。
このような加圧部の交換作業は、加圧部９ｄをあらかじ
めボンディング装置内に設置しておいて自動的に交換し
てもよいし、加圧部９ｄを保持する治具を用いて作業者
が行ってもよく、真空による吸着手段に限定されるもの
ではない。
導体素子２をステージ１上に搬送するとともに、この品
種の半導体素子２に対応した加圧部９ｄを真空吸着によ
る着脱手段によりヒータブロック部６に固定保持する。
このような加圧部の交換作業は、加圧部９ｄをあらかじ
めボンディング装置内に設置しておいて自動的に交換し
てもよいし、加圧部９ｄを保持する治具を用いて作業者
が行ってもよく、真空による吸着手段に限定されるもの
ではない。
【００２９】次に他の実施形態について説明する。
【００３０】図３は、ダイヤモンド板をヒータブロック
部の下面にろう付けしたボンディングツールの断面図で
ある。
部の下面にろう付けしたボンディングツールの断面図で
ある。
【００３１】図３に示すように、ヒータブロック部６の
加圧部９ｅとの接触面に、真空経路１０の対向部に穴加
工して、表面に精密研磨加工を施した薄板状のダイヤモ
ンド板１１をろう付けし、加圧部９ｅとダイヤモンド板
１１を真空吸着による着脱手段を用いて密着させること
で、さらに高精度なツール先端部８ｃの平坦度を実現す
ることができる。
加圧部９ｅとの接触面に、真空経路１０の対向部に穴加
工して、表面に精密研磨加工を施した薄板状のダイヤモ
ンド板１１をろう付けし、加圧部９ｅとダイヤモンド板
１１を真空吸着による着脱手段を用いて密着させること
で、さらに高精度なツール先端部８ｃの平坦度を実現す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上、本発明のボンディング装置によ
り、半導体素子の品種切り替え時に、ヒータブロック部
を含めたボンディングツールを交換する必要がなくな
り、加圧部のみを交換すれば品種切り替え作業が完了す
ることから、品種切り替え時間を短縮することが可能と
なり、ボンディング装置の稼働率向上を達成することが
できる。
り、半導体素子の品種切り替え時に、ヒータブロック部
を含めたボンディングツールを交換する必要がなくな
り、加圧部のみを交換すれば品種切り替え作業が完了す
ることから、品種切り替え時間を短縮することが可能と
なり、ボンディング装置の稼働率向上を達成することが
できる。
【００３３】また、真空吸着による着脱手段を用いて加
圧部とヒータブロック部とを着脱することにより、半導
体素子の品種切り替え時に加圧部を交換することが容易
になるので、品種切り替え時間を短縮することができ、
ボンディング装置の稼働率向上を実現することができ
る。
圧部とヒータブロック部とを着脱することにより、半導
体素子の品種切り替え時に加圧部を交換することが容易
になるので、品種切り替え時間を短縮することができ、
ボンディング装置の稼働率向上を実現することができ
る。
【図１】本発明の一実施形態のボンディング装置のボン
ディングツールを示す断面図
ディングツールを示す断面図
【図２】本発明の一実施形態のボンディング装置を示す
断面図
断面図
【図３】本発明の一実施形態のボンディング装置のボン
ディングツールを示す断面図
ディングツールを示す断面図
【図４】従来のボンディング装置を示す断面図
１ ステージ ２ 半導体素子 ３ ＴＣＰテープ ４ インナ−リード ５ ヒータ ６ ヒータブロック部 ７ ツール先端部 ８ａ，８ｂ，８ｃ ツール先端部 ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ 加圧部 １０ 真空経路 １１ ダイヤモンド板
Claims (2)
- 【請求項１】 ボンディングステージに保持された半導
体素子の電極と、前記電極に対応する基板に形成された
インナーリードとを位置合わせして接続するボンディン
グ装置であって、前記電極の複数本と前記インナーリー
ドの複数本とを同時に熱圧着するボンディングツールを
有し、前記ボンディングツールはヒータブロック部と加
圧部とからなり、前記ヒータブロック部と前記加圧部と
は着脱する機構を有したことを特徴とするボンディング
装置。 - 【請求項２】 ヒータブロック部と加圧部とは、真空吸
着による着脱手段を有していることを特徴とする請求項
１に記載のボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215531A JP2002033352A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215531A JP2002033352A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033352A true JP2002033352A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18710941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000215531A Pending JP2002033352A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7992619B2 (en) | 2005-09-08 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hot pressing tool and hot pressing apparatus having the same |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215531A patent/JP2002033352A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7992619B2 (en) | 2005-09-08 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hot pressing tool and hot pressing apparatus having the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8962470B2 (en) | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP4821091B2 (ja) | ウェハの接合装置 | |
| JP2002033352A (ja) | ボンディング装置 | |
| JP4385895B2 (ja) | ボンディング装置 | |
| JPH1167795A (ja) | 半導体チップ搭載装置及び半導体チップ搭載方法並びに半導体装置 | |
| JPH10284535A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体部品 | |
| JP2003347360A (ja) | ボンディングステージ | |
| JP4589265B2 (ja) | 半導体接合方法 | |
| TW201611141A (zh) | 用以製造基材配接器的方法、基材配接器及用於提供與半導體元件接觸的目的之方法 | |
| US3640444A (en) | Apparatus for compliant bonding | |
| US20020125303A1 (en) | Bonding method and apparatus | |
| JP5625209B2 (ja) | 交換用プローブ | |
| JP2002118149A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JPS61255032A (ja) | 半導体集積回路素子交換方法 | |
| JP6999841B1 (ja) | ボンディング方法およびボンディング装置使用方法 | |
| JP2812304B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置のリペア方法 | |
| JP3249078B2 (ja) | 半導体ウェハの取出し装置 | |
| JP2003017532A (ja) | ボンディングツール並びにボンディングステージ及びボンディングツール用先端部並びにボンディングステージ用ステージ部 | |
| JP3836414B2 (ja) | 半導体装置の製造装置、ヒートコマ及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3607587B2 (ja) | 磁気ヘッド製造装置および当該装置に用いられる搬送システム | |
| JP2000049180A (ja) | 電子部品及び回路モジュールの製造方法、バンプ形成方法、並びに、平坦化チャック | |
| JP2004172356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007232740A (ja) | プローブカードの製造方法 | |
| JP2002022549A (ja) | インナーリードボンダーの温度測定方法 | |
| JP3117825B2 (ja) | バンプ配列用基板 |