JP2002033251A - 半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法 - Google Patents
半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法Info
- Publication number
- JP2002033251A JP2002033251A JP2001155467A JP2001155467A JP2002033251A JP 2002033251 A JP2002033251 A JP 2002033251A JP 2001155467 A JP2001155467 A JP 2001155467A JP 2001155467 A JP2001155467 A JP 2001155467A JP 2002033251 A JP2002033251 A JP 2002033251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- adhesive
- cleaning
- processing apparatus
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 搬送過程でウェハな接触する部分より広い領
域に粘着性の物質を固着したウェハを、ウェハ処理装置
内に搬送することにより、装置の稼働率を落とさずに異
物の除去効果を向上させるウェハ処理装置のクリーニン
グに用いる基板、その製造方法、および再生方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】 半導体製造装置内に、粘着性の物質を固
着した基板を空搬送することにより、搬送系および処理
ユニットの異物を吸着する。かかる基板としては、ウェ
ハ表面に粘着性物質を塗布するかあるいは両面粘着テー
プを貼着して製造することができる。また、この基板表
面の粘着性物質を剥離した後、再度粘着性物質を固着す
ることにより再生することができる。
域に粘着性の物質を固着したウェハを、ウェハ処理装置
内に搬送することにより、装置の稼働率を落とさずに異
物の除去効果を向上させるウェハ処理装置のクリーニン
グに用いる基板、その製造方法、および再生方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】 半導体製造装置内に、粘着性の物質を固
着した基板を空搬送することにより、搬送系および処理
ユニットの異物を吸着する。かかる基板としては、ウェ
ハ表面に粘着性物質を塗布するかあるいは両面粘着テー
プを貼着して製造することができる。また、この基板表
面の粘着性物質を剥離した後、再度粘着性物質を固着す
ることにより再生することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、装置のクリーニン
グに関し、例えば半導体製造装置及び半導体検査装置
等、基板処理装置のクリーニングに用いるクリーニング
用基板、その製造方法、及び再生方法に関するものであ
る。
グに関し、例えば半導体製造装置及び半導体検査装置
等、基板処理装置のクリーニングに用いるクリーニング
用基板、その製造方法、及び再生方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】基板処理装置は、各処理部の間が図８の
様な（Ａ）ベルト式，（Ｂ）ローラ式，（Ｃ）メカニカ
ル式等の搬送系で連結されており、各搬送系は基板を、
物理的に接触することにより搬送する。その際、基板に
異物が付着していると、その異物が搬送系を構成してい
るベルト８０１や搬送アーム８０６に付着し、異物が溜
まって発塵の原因になる。そして、後続の基板に対する
逆汚染つまり再付着する事があり、それが高い清浄度を
必要とされる基板であった場合に、歩留り上致命的な欠
陥を生じさせる原因にもなりかねなかった。この悪影響
を避けるために、搬送系や各処理部を定期的にメンテナ
ンスつまり洗浄処理を施すが、その間装置が停止する
為、稼働率を下げる原因となっていた。特に、真空チャ
ンバー内にこの様な搬送系を有している装置において
は、真空系を立ち下げてから分解・洗浄する必要がある
為、メンテナンスが非常に繁雑であり、洗浄処理は稼働
率を大幅に下げる要因となっていた。
様な（Ａ）ベルト式，（Ｂ）ローラ式，（Ｃ）メカニカ
ル式等の搬送系で連結されており、各搬送系は基板を、
物理的に接触することにより搬送する。その際、基板に
異物が付着していると、その異物が搬送系を構成してい
るベルト８０１や搬送アーム８０６に付着し、異物が溜
まって発塵の原因になる。そして、後続の基板に対する
逆汚染つまり再付着する事があり、それが高い清浄度を
必要とされる基板であった場合に、歩留り上致命的な欠
陥を生じさせる原因にもなりかねなかった。この悪影響
を避けるために、搬送系や各処理部を定期的にメンテナ
ンスつまり洗浄処理を施すが、その間装置が停止する
為、稼働率を下げる原因となっていた。特に、真空チャ
ンバー内にこの様な搬送系を有している装置において
は、真空系を立ち下げてから分解・洗浄する必要がある
為、メンテナンスが非常に繁雑であり、洗浄処理は稼働
率を大幅に下げる要因となっていた。
【０００３】また、このメンテナンスの頻度と労力を減
らす為に、処理基板の合間にダミーの基板を空搬送して
搬送系や各処理部に付着した異物を付着させて除去する
方法があるが、十分に異物の除去効果があるとは言えな
かった。
らす為に、処理基板の合間にダミーの基板を空搬送して
搬送系や各処理部に付着した異物を付着させて除去する
方法があるが、十分に異物の除去効果があるとは言えな
かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に、従来の基
板処理装置のクリーニング方法では、搬送系や各処理部
を定期的にメンテナンスつまり洗浄処理を施す為に、装
置の稼働率を下げる原因となっていた。また、ダミーの
基板を空搬送する方法に於いては、異物の除去効果が十
分とは言えなかった。本発明は、装置の稼働率を落とさ
ずに、且つ異物の除去効果を向上させる基板処理装置の
クリーニング方法を提供する事を目的としている。
板処理装置のクリーニング方法では、搬送系や各処理部
を定期的にメンテナンスつまり洗浄処理を施す為に、装
置の稼働率を下げる原因となっていた。また、ダミーの
基板を空搬送する方法に於いては、異物の除去効果が十
分とは言えなかった。本発明は、装置の稼働率を落とさ
ずに、且つ異物の除去効果を向上させる基板処理装置の
クリーニング方法を提供する事を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決すべくなされたもので、粘着性の物質を固着した基板
を搬送する事により基板処理装置内のクリーニングを行
なう際に用いられるクリーニング用基板、その製造方法
及び再生方法である。すなわち第１の本発明は、基板の
表面，裏面，側面の内の少なくとも一面であって、該基
板を搬送する半導体処理装置に接する該基板の一部分
に、粘着性の物質を固着したことを特徴とする半導体基
板処理装置クリーニング用基板である。また第２の本発
明は、基板本体の表面，裏面，側面の内の少なくとも一
面に、粘着性の物質層を形成したことを特徴とする半導
体基板処理装置クリーニング用基板の製造方法である。
さらに第３の本発明は、基板の表面，裏面，側面の内の
少なくとも一面に粘着性の物質を固着した半導体基板処
理装置クリーニング用基板の再生方法において、該粘着
性の物質を剥離した後、新たな粘着性の物質を基板の表
面，裏面，側面の内の少なくとも一面に固着することを
特徴とする半導体基板処理装置クリーニング用基板の再
生方法である。
決すべくなされたもので、粘着性の物質を固着した基板
を搬送する事により基板処理装置内のクリーニングを行
なう際に用いられるクリーニング用基板、その製造方法
及び再生方法である。すなわち第１の本発明は、基板の
表面，裏面，側面の内の少なくとも一面であって、該基
板を搬送する半導体処理装置に接する該基板の一部分
に、粘着性の物質を固着したことを特徴とする半導体基
板処理装置クリーニング用基板である。また第２の本発
明は、基板本体の表面，裏面，側面の内の少なくとも一
面に、粘着性の物質層を形成したことを特徴とする半導
体基板処理装置クリーニング用基板の製造方法である。
さらに第３の本発明は、基板の表面，裏面，側面の内の
少なくとも一面に粘着性の物質を固着した半導体基板処
理装置クリーニング用基板の再生方法において、該粘着
性の物質を剥離した後、新たな粘着性の物質を基板の表
面，裏面，側面の内の少なくとも一面に固着することを
特徴とする半導体基板処理装置クリーニング用基板の再
生方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図１乃至７を参照して本発
明に係る半導体基板処理装置のクリーニング方法の実施
例を、基板がウエハである場合を例に詳細に説明する。
図１及び図２に粘着性の物質を固着したウエハの構造体
の一例を示す。ウエハ上異物の付着は、ウエハと装置内
搬送経路の接触する部分に偏っているがその分布は多少
の広がりがある。従って、半導体ウエハの主面，裏面，
側面の搬送過程で接触する部分を包括する様な広い範囲
に、各々粘着性の物質（ここでは両面粘着テープ）を貼
り付ける。ここでの搬送過程で接触する部分とは、図８
の様なベルト式，ローラ式，メカニカル式等の搬送系に
おけるウエハとの接触部分や、ウエハ保持用のツメまた
はクランプ，ウエハのストッパー，ウエハチャック等が
ある。図１は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリ
ーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構
造体の一例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離
した状態における斜視図、（Ｂ）は断面図である。半導
体ウエハ１０３の主面，裏面，側面の搬送過程で接触す
る部分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質
（ここでは両面粘着テープ）１０１， １０４，１０５
を貼り付けている。この粘着性のテープを固着したダミ
ーウエハの異物除去能力は、搬送系や処理部の接触部分
の異物付着を行うにつれその清浄度が劣化する為、何等
かの方法で異物除去能力を回復する必要がある。ここで
は、テープを貼り換える事を異物能力の回復手段とす
る。その為、粘着テープ１０１に非粘着性の突起状薄膜
である両面粘着テープ剥離用非粘着部１０２を固着す
る。テープの貼り換えは、非粘着性の薄膜１０２を引っ
張ることにより粘着テープ１０１をウエハ１０３から引
き剥がし、新しい粘着テープ１０１を貼り付けることに
より、再利用が可能となる。上記粘着性の物質の着脱は
手で行なってもよいし、治具か装置で行なっても構わな
い。図２は本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニ
ングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第２の
実施例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した
状態における斜視図、（Ｂ）は断面図である。半導体ウ
エハ２０３の主面，裏面，側面の搬送過程で接触する部
分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質（ここ
では両面粘着テープ）２０１，２０４，２０５を貼り付
けている。図１の場合は、搬送過程において例えばツメ
と接触するといった様に、ウエハ裏面のテープによる被
膜がドーナッツ状に必要となる場合を示しているのに対
し、図２の場合は、搬送過程においてウエハチャック等
と接触するといった様に、裏面全体がテープによる被膜
を必要とする場合を示している。この際、上記の様に、
装置の搬送系及び各処理部におけるウエハに接触する部
分の異物を、確実に吸着除去する為に、ウエハがテープ
によって覆われる範囲は、この接触部を包括する様な広
い範囲にする。この範囲は装置により異なり、ウエハ主
面に貼り付ける両面粘着テープの範囲の例を図３に示
す。図３は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリー
ニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第３
の実施例の上面図であり、（Ａ）は周辺全周クランプ等
ウエハ周辺のドーナッツ状の部分に粘着テープを必要と
する場合（Ｂ）は周辺のつめ状クランプ等ウエハ周辺の
散在する領域に粘着テープを必要とする場合を示してい
る。また、図４は本発明に係る半導体基板処理装置のク
リーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの
第４の実施例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウ
エハ全体の断面図、（Ｂ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図で
ある。図４（Ｂ）は、粘着剤４０２，支持体４０５，粘
着剤４０４の３層構造の両面粘着テープをウエハ４０３
の両面に貼り付けたものである。支持体の材料として
は、アセテートフィルム（マットフィニッシュ；住友ス
リーエム），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；フ
ジカラー），ふっ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレ
ン）スカイブドテープ等があり、粘着剤としては真空プ
ロセスで不活性が必要とされる場合はシリコン系粘着剤
が適当であるが、常温・常圧プロセスでガスの発生をあ
る程度許容する場合はアクリル系粘着剤を使用する事も
可能である。尚、図４に示す両面体をウエハに貼り付け
る場合、基板側の粘着テープの剥離強度（ｆ１）が最表
面側の剥離強度（ｆ２）と同等か大きい事つまりｆ１≧
ｆ２である事が必要となる。その理由は、ｆ２の方がｆ
１よりも大きい場合、搬送過程で両面テープ自身が剥離
を起こして接触部に付着する危険性が高く、異物除去と
いう目的に反するばかりか逆に搬送過程を汚染する事に
なる為である。以上の例では、両面粘着テープを用いた
が、粘着性の薄膜であれば、他のものであっても構わな
い。次に他の実施例として粘着剤をウエハに塗布により
形成する場合の一例を図５に示す。図５は本発明に係る
半導体基板処理装置のクリーニングに用いる粘着性の物
質を塗布により固着したウエハの一例の断面図を示した
ものであり、（Ａ）はウエハ全体の断面図、（Ｂ）
（Ｃ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図で、（Ｂ）は塗布層が
一層、（Ｃ）は塗布層が２層の場合であり、ウエハの両
面に対し、アクリル系またはシリコン系の粘着剤を形成
するものである。図５（Ｃ）の様に２層以上の粘着剤に
より粘着層を形成する理由は、粘着性の物質による搬送
過程の汚染に対する危険性を回避する為には、上記と同
様に剥離強度がｆ１≧ｆ２（ｆ１：基板側の粘着剤の剥
離強度，ｆ２：最表面側の粘着剤の剥離強度）の関係を
満たす様に各層の材料を選択する必要がある為。また、
異物除去能力の回復の手段としては、例えばＯ２アッシ
ャーや硫酸過水処理により粘着剤を剥離し、再塗布す
る。
明に係る半導体基板処理装置のクリーニング方法の実施
例を、基板がウエハである場合を例に詳細に説明する。
図１及び図２に粘着性の物質を固着したウエハの構造体
の一例を示す。ウエハ上異物の付着は、ウエハと装置内
搬送経路の接触する部分に偏っているがその分布は多少
の広がりがある。従って、半導体ウエハの主面，裏面，
側面の搬送過程で接触する部分を包括する様な広い範囲
に、各々粘着性の物質（ここでは両面粘着テープ）を貼
り付ける。ここでの搬送過程で接触する部分とは、図８
の様なベルト式，ローラ式，メカニカル式等の搬送系に
おけるウエハとの接触部分や、ウエハ保持用のツメまた
はクランプ，ウエハのストッパー，ウエハチャック等が
ある。図１は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリ
ーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構
造体の一例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離
した状態における斜視図、（Ｂ）は断面図である。半導
体ウエハ１０３の主面，裏面，側面の搬送過程で接触す
る部分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質
（ここでは両面粘着テープ）１０１， １０４，１０５
を貼り付けている。この粘着性のテープを固着したダミ
ーウエハの異物除去能力は、搬送系や処理部の接触部分
の異物付着を行うにつれその清浄度が劣化する為、何等
かの方法で異物除去能力を回復する必要がある。ここで
は、テープを貼り換える事を異物能力の回復手段とす
る。その為、粘着テープ１０１に非粘着性の突起状薄膜
である両面粘着テープ剥離用非粘着部１０２を固着す
る。テープの貼り換えは、非粘着性の薄膜１０２を引っ
張ることにより粘着テープ１０１をウエハ１０３から引
き剥がし、新しい粘着テープ１０１を貼り付けることに
より、再利用が可能となる。上記粘着性の物質の着脱は
手で行なってもよいし、治具か装置で行なっても構わな
い。図２は本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニ
ングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第２の
実施例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した
状態における斜視図、（Ｂ）は断面図である。半導体ウ
エハ２０３の主面，裏面，側面の搬送過程で接触する部
分を包括する様な広い範囲に、各々粘着性の物質（ここ
では両面粘着テープ）２０１，２０４，２０５を貼り付
けている。図１の場合は、搬送過程において例えばツメ
と接触するといった様に、ウエハ裏面のテープによる被
膜がドーナッツ状に必要となる場合を示しているのに対
し、図２の場合は、搬送過程においてウエハチャック等
と接触するといった様に、裏面全体がテープによる被膜
を必要とする場合を示している。この際、上記の様に、
装置の搬送系及び各処理部におけるウエハに接触する部
分の異物を、確実に吸着除去する為に、ウエハがテープ
によって覆われる範囲は、この接触部を包括する様な広
い範囲にする。この範囲は装置により異なり、ウエハ主
面に貼り付ける両面粘着テープの範囲の例を図３に示
す。図３は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリー
ニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第３
の実施例の上面図であり、（Ａ）は周辺全周クランプ等
ウエハ周辺のドーナッツ状の部分に粘着テープを必要と
する場合（Ｂ）は周辺のつめ状クランプ等ウエハ周辺の
散在する領域に粘着テープを必要とする場合を示してい
る。また、図４は本発明に係る半導体基板処理装置のク
リーニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの
第４の実施例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウ
エハ全体の断面図、（Ｂ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図で
ある。図４（Ｂ）は、粘着剤４０２，支持体４０５，粘
着剤４０４の３層構造の両面粘着テープをウエハ４０３
の両面に貼り付けたものである。支持体の材料として
は、アセテートフィルム（マットフィニッシュ；住友ス
リーエム），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；フ
ジカラー），ふっ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレ
ン）スカイブドテープ等があり、粘着剤としては真空プ
ロセスで不活性が必要とされる場合はシリコン系粘着剤
が適当であるが、常温・常圧プロセスでガスの発生をあ
る程度許容する場合はアクリル系粘着剤を使用する事も
可能である。尚、図４に示す両面体をウエハに貼り付け
る場合、基板側の粘着テープの剥離強度（ｆ１）が最表
面側の剥離強度（ｆ２）と同等か大きい事つまりｆ１≧
ｆ２である事が必要となる。その理由は、ｆ２の方がｆ
１よりも大きい場合、搬送過程で両面テープ自身が剥離
を起こして接触部に付着する危険性が高く、異物除去と
いう目的に反するばかりか逆に搬送過程を汚染する事に
なる為である。以上の例では、両面粘着テープを用いた
が、粘着性の薄膜であれば、他のものであっても構わな
い。次に他の実施例として粘着剤をウエハに塗布により
形成する場合の一例を図５に示す。図５は本発明に係る
半導体基板処理装置のクリーニングに用いる粘着性の物
質を塗布により固着したウエハの一例の断面図を示した
ものであり、（Ａ）はウエハ全体の断面図、（Ｂ）
（Ｃ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図で、（Ｂ）は塗布層が
一層、（Ｃ）は塗布層が２層の場合であり、ウエハの両
面に対し、アクリル系またはシリコン系の粘着剤を形成
するものである。図５（Ｃ）の様に２層以上の粘着剤に
より粘着層を形成する理由は、粘着性の物質による搬送
過程の汚染に対する危険性を回避する為には、上記と同
様に剥離強度がｆ１≧ｆ２（ｆ１：基板側の粘着剤の剥
離強度，ｆ２：最表面側の粘着剤の剥離強度）の関係を
満たす様に各層の材料を選択する必要がある為。また、
異物除去能力の回復の手段としては、例えばＯ２アッシ
ャーや硫酸過水処理により粘着剤を剥離し、再塗布す
る。
【０００７】次に、図６を参照して本発明に係る半導体
ウエハ処理装置のクリーニング方法の実施例を詳細に説
明する。半導体基板処理装置は、処理ウエハ６０３の搬
送の繰り返しにより搬送過程でウエハ６０３と接触する
部分、つまり搬送経路やウエハ保持用のツメやブレード
のツメ或いはウエハチャック（静電チャック）上にダス
トが溜り発塵の原因になる為、上記粘着性の物質を固着
したウエハ６０３を処理ウエハの合間にウエハ処理装置
の搬送系に空搬送する。処理を行うウエハ６０３をウエ
ハカセット６０１に載せた状態でカセットチャンバー６
０２内のカセットホルダー６０７にセットする。カセッ
トチャンバー６０２が真空に引かれウエハローディング
チャンバー６０５との差圧が一定値以下になったところ
でカセットチャンバー６０２とウエハローディングチャ
ンバー６０５を隔てているゲートバルブ６０６が開きウ
エハカセット６０１はカセットホルダー６０７とともに
ウエハローディングチャンバー６０５へ移送される。移
送完了後ゲートバルブ６０６を閉じる。次にエッチング
チャンバー６０８とウエハローディングチャンバー６０
５を隔てているゲートバルブを開いてウエハカセット６
０１にセットされているウエハ６０３を一枚づつエッチ
ングチャンバー６０８内に搬送する。以下図７を用いて
ウエハローディングチャンバー６０５からエッチングチ
ャンバー６０８へのウエハ６０３の受け渡し搬送の過程
を説明する。図７（Ａ）のブレード７０６によりウエハ
カセット７０１から持ち上げられたウエハ７０３は、図
７（Ｂ）に示した様に、搬送用アーム７０５のウエハ保
持用のツメ７０２により保持され、しかるのちブレード
７０６は元の位置に下がる。次に図７（Ｃ）に示した様
に、ウエハ７０３はゲートバルブ７０８が開かれた後、
搬送用アーム７０５によりウエハチャック（静電チャッ
ク）７０４の直上まで運ばれ、この位置までウエハチャ
ック７０４が移動することによりウエハはウエハチャッ
ク７０４にチャッキングされ、ウエハチャック７０４は
後退する。その後、図７（Ｄ）に示した様に、搬送アー
ム７０５はウエハ７０３との接触回避の為ウエハローデ
ィングチャンバー６０５へ移動する。しかるのちにゲー
トバルブ７０８を閉じ、ウエハのエッチングを開始す
る。処理後の受け渡し搬送は上記の逆の動作により、ウ
エハチャック７０４からウエハカセット７０１までウエ
ハ７０３を搬送する。粘着性物質を固着したダミーウエ
ハ搬送処理の頻度に関しては、処理間隔を時間で管理し
ても良いし、また処理ロット数で管理しても良い。ま
た、クリーニング処理のみの為に搬送しても良い。ま
た、枚数については、他工程から受ける汚染の程度及び
次の空搬送迄の間に処理されるウエハに必要とされる清
浄度のレベルにより決められる。従って、ウエハ数枚毎
に織り込む事も考えられる。この様に、粘着性の物質を
固着したウエハの搬送は、任意の時間に任意の枚数行う
ことが出来る。
ウエハ処理装置のクリーニング方法の実施例を詳細に説
明する。半導体基板処理装置は、処理ウエハ６０３の搬
送の繰り返しにより搬送過程でウエハ６０３と接触する
部分、つまり搬送経路やウエハ保持用のツメやブレード
のツメ或いはウエハチャック（静電チャック）上にダス
トが溜り発塵の原因になる為、上記粘着性の物質を固着
したウエハ６０３を処理ウエハの合間にウエハ処理装置
の搬送系に空搬送する。処理を行うウエハ６０３をウエ
ハカセット６０１に載せた状態でカセットチャンバー６
０２内のカセットホルダー６０７にセットする。カセッ
トチャンバー６０２が真空に引かれウエハローディング
チャンバー６０５との差圧が一定値以下になったところ
でカセットチャンバー６０２とウエハローディングチャ
ンバー６０５を隔てているゲートバルブ６０６が開きウ
エハカセット６０１はカセットホルダー６０７とともに
ウエハローディングチャンバー６０５へ移送される。移
送完了後ゲートバルブ６０６を閉じる。次にエッチング
チャンバー６０８とウエハローディングチャンバー６０
５を隔てているゲートバルブを開いてウエハカセット６
０１にセットされているウエハ６０３を一枚づつエッチ
ングチャンバー６０８内に搬送する。以下図７を用いて
ウエハローディングチャンバー６０５からエッチングチ
ャンバー６０８へのウエハ６０３の受け渡し搬送の過程
を説明する。図７（Ａ）のブレード７０６によりウエハ
カセット７０１から持ち上げられたウエハ７０３は、図
７（Ｂ）に示した様に、搬送用アーム７０５のウエハ保
持用のツメ７０２により保持され、しかるのちブレード
７０６は元の位置に下がる。次に図７（Ｃ）に示した様
に、ウエハ７０３はゲートバルブ７０８が開かれた後、
搬送用アーム７０５によりウエハチャック（静電チャッ
ク）７０４の直上まで運ばれ、この位置までウエハチャ
ック７０４が移動することによりウエハはウエハチャッ
ク７０４にチャッキングされ、ウエハチャック７０４は
後退する。その後、図７（Ｄ）に示した様に、搬送アー
ム７０５はウエハ７０３との接触回避の為ウエハローデ
ィングチャンバー６０５へ移動する。しかるのちにゲー
トバルブ７０８を閉じ、ウエハのエッチングを開始す
る。処理後の受け渡し搬送は上記の逆の動作により、ウ
エハチャック７０４からウエハカセット７０１までウエ
ハ７０３を搬送する。粘着性物質を固着したダミーウエ
ハ搬送処理の頻度に関しては、処理間隔を時間で管理し
ても良いし、また処理ロット数で管理しても良い。ま
た、クリーニング処理のみの為に搬送しても良い。ま
た、枚数については、他工程から受ける汚染の程度及び
次の空搬送迄の間に処理されるウエハに必要とされる清
浄度のレベルにより決められる。従って、ウエハ数枚毎
に織り込む事も考えられる。この様に、粘着性の物質を
固着したウエハの搬送は、任意の時間に任意の枚数行う
ことが出来る。
【０００８】尚、上記は真空チャンバーを有する処理装
置の場合を上げたが、大気下における処理装置にも適用
できることは言うまでもない。また枚葉式かバッチ式ど
ちらの形態にも適用することが出来るし、フォトマスク
或いはレティクル等ウエハ以外の基板を搬送する装置に
も適用できる。また、基板に貼り付ける粘着性物質は、
上記においては粘着性及びガスの発生を考慮して上記の
様な選択をしたが、装置及び処理基板の必要に応じて耐
熱性，耐水性，耐薬品性，帯油性等、様々な条件が考え
られる為、支持体を含め使用目的に適合した素材を選択
すべきことは言うまでもない。
置の場合を上げたが、大気下における処理装置にも適用
できることは言うまでもない。また枚葉式かバッチ式ど
ちらの形態にも適用することが出来るし、フォトマスク
或いはレティクル等ウエハ以外の基板を搬送する装置に
も適用できる。また、基板に貼り付ける粘着性物質は、
上記においては粘着性及びガスの発生を考慮して上記の
様な選択をしたが、装置及び処理基板の必要に応じて耐
熱性，耐水性，耐薬品性，帯油性等、様々な条件が考え
られる為、支持体を含め使用目的に適合した素材を選択
すべきことは言うまでもない。
【０００９】
【発明の効果】上述した様に本発明によれば、ウエハ処
理装置の搬送系及び各処理部における、ウエハに接触す
る部分の異物を確実に吸着除去出来る。またその結果、
従来行われていたメンテナンスを人が行なう方法に対し
ては、ウエハの搬送経路のセミオートクリーニング，イ
ンサイチュクリーニングが、高い清浄度レベルで達成さ
れる為、オペレーターの負担つまり頻度と労力を大幅に
省き、且つ稼働率を向上する事が可能となる。これは、
特に真空系を使った装置に対して真空系を立ち下げてか
ら分解・洗浄する必要性等の作業性の差から効果度が高
く、将来的には、装置又はユニットの局所クリーン化を
行う際にも、同様の理由で高い効果度が得られる。ま
た、この方法は任意のウエハ枚数間隔でローディングす
る事が可能であり、ダミーウエハのローディングの頻度
を高める事により、搬送経路のコンタミネーションコン
トロールのリアルタイム制御が可能となる。また従来の
ダミーウエハを空搬送する方法に対しては、使用するダ
ミーウエハの枚数の大幅な削減が可能となる為、前記ウ
エハ処理装置の稼働率を向上する事が出来る。また本発
明によれば、装置内清浄度の信頼性が向上する為、安定
した製品歩留りを得ることが出来る。
理装置の搬送系及び各処理部における、ウエハに接触す
る部分の異物を確実に吸着除去出来る。またその結果、
従来行われていたメンテナンスを人が行なう方法に対し
ては、ウエハの搬送経路のセミオートクリーニング，イ
ンサイチュクリーニングが、高い清浄度レベルで達成さ
れる為、オペレーターの負担つまり頻度と労力を大幅に
省き、且つ稼働率を向上する事が可能となる。これは、
特に真空系を使った装置に対して真空系を立ち下げてか
ら分解・洗浄する必要性等の作業性の差から効果度が高
く、将来的には、装置又はユニットの局所クリーン化を
行う際にも、同様の理由で高い効果度が得られる。ま
た、この方法は任意のウエハ枚数間隔でローディングす
る事が可能であり、ダミーウエハのローディングの頻度
を高める事により、搬送経路のコンタミネーションコン
トロールのリアルタイム制御が可能となる。また従来の
ダミーウエハを空搬送する方法に対しては、使用するダ
ミーウエハの枚数の大幅な削減が可能となる為、前記ウ
エハ処理装置の稼働率を向上する事が出来る。また本発
明によれば、装置内清浄度の信頼性が向上する為、安定
した製品歩留りを得ることが出来る。
【００１０】また、本発明においてはダミーウエハに固
着される粘着性の物質に非粘着性の突起状薄膜を固着す
る事により、粘着性の物質を容易に剥がす事が出来る
為、再度の貼り付けが可能となり、粘着性の物質を固着
したダミーウエハの再生利用が可能となる。
着される粘着性の物質に非粘着性の突起状薄膜を固着す
る事により、粘着性の物質を容易に剥がす事が出来る
為、再度の貼り付けが可能となり、粘着性の物質を固着
したダミーウエハの再生利用が可能となる。
【図１】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構造体の
一例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した状
態における斜視図、（Ｂ）は断面図ある。
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの構造体の
一例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した状
態における斜視図、（Ｂ）は断面図ある。
【図２】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第２の実
施例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した状
態における斜視図、（Ｂ）は断面図ある。
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第２の実
施例を示したものであり、（Ａ）は各要素を分離した状
態における斜視図、（Ｂ）は断面図ある。
【図３】は、本発明に係る半導体基板処理装置のクリー
ニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第３
の実施例の上面図であり、（Ａ）はウエハ周辺のドーナ
ッツ状部分に（Ｂ）はウエハ周辺の散在する領域に、各
々粘着テープを必要とする場合を示している。
ニングに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第３
の実施例の上面図であり、（Ａ）はウエハ周辺のドーナ
ッツ状部分に（Ｂ）はウエハ周辺の散在する領域に、各
々粘着テープを必要とする場合を示している。
【図４】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第４の実
施例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウエハ全体
の断面図、（Ｂ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図である。
グに用いる粘着性のテープを固着したウエハの第４の実
施例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウエハ全体
の断面図、（Ｂ）は（Ａ）ａ部の拡大断面図である。
【図５】本発明に係る半導体基板処理装置のクリーニン
グに用いる粘着性の物質を塗布により固着したウエハの
一例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウエハ全体
の断面図、（Ｂ）（Ｃ）は（Ａ）ａ部の断面図で、
（Ｂ）は塗布層が一層、（Ｃ）は塗布層が２層の場合で
ある。
グに用いる粘着性の物質を塗布により固着したウエハの
一例の断面図を示したものであり、（Ａ）はウエハ全体
の断面図、（Ｂ）（Ｃ）は（Ａ）ａ部の断面図で、
（Ｂ）は塗布層が一層、（Ｃ）は塗布層が２層の場合で
ある。
【図６】本発明の一実施例に則した半導体基板処理装置
のクリーニングを行う装置概略構成における断面図であ
る。
のクリーニングを行う装置概略構成における断面図であ
る。
【図７】本発明の一実施例に則した半導体基板処理装置
のクリーニングを行う装置のウエハ搬送にかかわる内部
構造図であり、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）はウエハがロ
ーディングされる過程におけるシーケンス経過毎の状態
を示している。
のクリーニングを行う装置のウエハ搬送にかかわる内部
構造図であり、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）はウエハがロ
ーディングされる過程におけるシーケンス経過毎の状態
を示している。
【図８】従来の一般的なウエハ搬送系の斜視図である。
１０１ ２０１ ３０１ ４０１ ５０１：ウエハ主面
に貼り付ける両面粘着テープ １０２ ２０２：両面粘着テープ剥離用非粘着部 １０３ ２０３ ４０３ ５０３ ６０３ ７０３：半
導体ウエハ １０４ ２０４：ウエハ裏面に貼り付ける両面粘着テー
プ １０５ ２０５：ウエハ側面に貼り付ける両面粘着テー
プ ３０１：ウエハ表面のテープ貼り付け範囲 ３０２：ウエハ端部 ４０１：両面テープ ４０２ ５０２：粘着剤１ ４０４ ５０４：粘着剤２ ４０５ ５０５：支持体 ６０１ ７０１：ウエハカセット ６０２：カセットチャンバー ６０４ ７０４：ウエハチャック ６０５：ウエハローディングチャンバー ６０６ ７０８：ゲートバルブ ６０７：カセットホルダー ６０８：エッチングチャンバー ７０２：ウエハ保持用ツメ ７０５：ウエハ搬送アーム ７０６：ウエハ搬送用ブレード ７０７：ウエハ搬送用ブレードのツメ ７０９：チャンバー壁 ８０１：ベルト ８０２：プーリー ８０４：駆動モーター ８０５：ローラー ８０６：搬送アーム ８０７：ウエハ接触面 ８０８：バキューム穴 ８０９：スライドボックス ８１０：スライドステージ
に貼り付ける両面粘着テープ １０２ ２０２：両面粘着テープ剥離用非粘着部 １０３ ２０３ ４０３ ５０３ ６０３ ７０３：半
導体ウエハ １０４ ２０４：ウエハ裏面に貼り付ける両面粘着テー
プ １０５ ２０５：ウエハ側面に貼り付ける両面粘着テー
プ ３０１：ウエハ表面のテープ貼り付け範囲 ３０２：ウエハ端部 ４０１：両面テープ ４０２ ５０２：粘着剤１ ４０４ ５０４：粘着剤２ ４０５ ５０５：支持体 ６０１ ７０１：ウエハカセット ６０２：カセットチャンバー ６０４ ７０４：ウエハチャック ６０５：ウエハローディングチャンバー ６０６ ７０８：ゲートバルブ ６０７：カセットホルダー ６０８：エッチングチャンバー ７０２：ウエハ保持用ツメ ７０５：ウエハ搬送アーム ７０６：ウエハ搬送用ブレード ７０７：ウエハ搬送用ブレードのツメ ７０９：チャンバー壁 ８０１：ベルト ８０２：プーリー ８０４：駆動モーター ８０５：ローラー ８０６：搬送アーム ８０７：ウエハ接触面 ８０８：バキューム穴 ８０９：スライドボックス ８１０：スライドステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 DA06 KA09 LA15 5F004 AA15 BC06 CA09 5F031 CA11 DA01 FA01 FA07 FA14 FA19 GA12 GA47 HA16 HA45 MA32 NA05 NA07 PA26 5F045 AF19 EB05 EN04
Claims (20)
- 【請求項１】基板の表面，裏面，側面の内の少なくとも
一面であって、該基板を搬送する半導体処理装置に接す
る該基板の一部分に、粘着性の物質を固着したことを特
徴とする半導体基板処理装置クリーニング用基板。 - 【請求項２】前記粘着性の物質は、粘着性を有するテー
プ状の薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体基板処理装置クリーニング用基板。 - 【請求項３】前記粘着性を有するテープ状の薄膜が、非
粘着性の突起状部を具備していることを特徴とする請求
項２に記載の半導体基板処理装置クリーニング用基板。 - 【請求項４】前記テープ状の薄膜の基板側の剥離強度
が、表面側の剥離強度よりも大きい事を特徴とする請求
項２または請求項３に記載の半導体基板処理装置クリー
ニング用基板。 - 【請求項５】前記粘着性の物質は、粘着剤を塗布したも
のであることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板
処理装置クリーニング用基板。 - 【請求項６】前記粘着剤は、剥離強度の異なる少なくと
も２種類以上の粘着剤を塗布した積層構造であることを
特徴とする請求項５に記載の半導体基板処理装置クリー
ニング用基板。 - 【請求項７】前記積層構造の粘着剤は、基板側の粘着剤
の剥離強度が表面側の粘着剤の剥離強度よりも大きい事
を特徴とする請求項６に記載の半導体基板処理装置クリ
ーニング用基板。 - 【請求項８】ダミーウエハの表面，裏面，側面の内の少
なくとも一面に、粘着性の物質を固着した事を特徴とす
る半導体基板処理装置クリーニング用基板。 - 【請求項９】基板本体の表面，裏面，側面の内の少なく
とも一面に、粘着性の物質層を形成することを特徴とす
る半導体基板処理装置クリーニング用基板の製造方法。 - 【請求項１０】上記基板の少なくとも本体の底面周辺部
に粘着性の物質層が形成され、かつ上面中央部には該粘
着性の物質層が形成されていないことを特徴とする請求
項９に記載の半導体基板処理装置クリーニング用基板の
製造方法。 - 【請求項１１】前記粘着性の物質層が、合成樹脂薄膜か
らなる支持体の両表面に粘着剤層を形成したテープ状の
薄膜であることを特徴とする請求項９または請求項１０
に記載の半導体基板処理装置クリーニング用基板の製造
方法。 - 【請求項１２】前記テープ状の薄膜が、前記支持体に非
粘着性の突起部を形成したものであることを特徴とする
請求項１１に記載の半導体基板処理装置クリーニング用
基板の製造方法。 - 【請求項１３】前記テープ状の薄膜の基板本体側粘着剤
層の剥離強度が、表面側の粘着剤層の剥離強度よりも大
きいことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記
載の半導体基板処理装置クリーニング用基板の製造方
法。 - 【請求項１４】前記基体本体の表面，裏面，側面の内の
少なくとも一面に、粘着剤層を形成することを特徴とす
る請求項９に記載の半導体基板処理装置クリーニング用
基板の製造方法。 - 【請求項１５】前記粘着剤は、剥離強度の異なる少なく
とも２種類以上の粘着剤を塗布した積層構造であること
を特徴とする請求項１４に記載の半導体基板処理装置ク
リーニング用基板の製造方法。 - 【請求項１６】前記粘着剤は、基板側の粘着剤の剥離強
度が表面側の粘着剤の剥離強度よりも大きいことを特徴
とする請求項１５に記載の半導体基板処理装置クリーニ
ング用基板の製造方法。 - 【請求項１７】基板の表面，裏面，側面の内の少なくと
も一面に粘着性の物質を固着した半導体基板処理装置ク
リーニング用基板の再生方法であって、該粘着性の物質
を剥離した後、新たな粘着性の物質を基板の表面，裏
面，側面の内の少なくとも一面に固着することを特徴と
する半導体基板処理装置クリーニング用基板の再生方
法。 - 【請求項１８】両面粘着テープを基板本体の表面、裏
面、側面の内の少なくとも一面に貼着したクリーニング
用基板の再生方法であって、搬送過程で接触する部分に
対する粘着力が低下した両面粘着テープを基板から剥離
した後、該基板の剥離部分に新たな両面粘着テープを貼
着することを特徴とする半導体基板処理装置クリーニン
グ用基板の再生方法。 - 【請求項１９】非粘着部を形成した両面粘着テープを基
板本体の表面、裏面、側面の内の少なくとも一面に貼着
したクリーニング用基板の再生方法であって、搬送過程
で接触する部分に対する粘着力が低下した両面粘着テー
プを該非粘着部を把持して基板から剥離した後、該基板
の剥離部分に非粘着部を形成した両面粘着テープを貼着
することを特徴とする半導体基板処理装置クリーニング
用基板の再生方法。 - 【請求項２０】粘着剤を少なくとも基板本体の表面、裏
面、側面の内の少なくとも一面に塗着したクリーニング
用基板の再生方法であって、搬送過程で接触する部分に
対する粘着力が低下した粘着剤を、アッシャーもしくは
硫酸過水処理により剥離した後、該基板の当該剥離部に
粘着剤を塗着することを特徴とする半導体基板処理装置
クリーニング用基板の再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155467A JP2002033251A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155467A JP2002033251A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31153596A Division JPH10154686A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033251A true JP2002033251A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18999652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001155467A Abandoned JP2002033251A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417684B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2004-02-11 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 제조장비의 척 표면 이물질 제거장치 |
| US8460783B2 (en) | 2002-06-19 | 2013-06-11 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these |
-
2001
- 2001-05-24 JP JP2001155467A patent/JP2002033251A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417684B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2004-02-11 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 제조장비의 척 표면 이물질 제거장치 |
| US8460783B2 (en) | 2002-06-19 | 2013-06-11 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10154686A (ja) | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 | |
| US5897743A (en) | Jig for peeling a bonded wafer | |
| US5268065A (en) | Method for thinning a semiconductor wafer | |
| KR101066510B1 (ko) | 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치 | |
| US8460783B2 (en) | Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these | |
| US7348216B2 (en) | Rework process for removing residual UV adhesive from C4 wafer surfaces | |
| KR100811958B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 처리 방법 및 양면 접착 시트 | |
| EP0513859B1 (en) | Method of producing films and jig for producing the same | |
| KR20030052964A (ko) | 펠리클 및 펠리클 부착 마스크의 제조 방법 | |
| JP2002033251A (ja) | 半導体処理装置クリーニング用基板、半導体処理装置クリーニング用基板の製造方法および半導体処理装置クリーニング用基板の再生方法 | |
| JP6573531B2 (ja) | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体 | |
| JP2002047466A (ja) | 半導体基板処理装置のクリーニング用両面粘着テープ | |
| US20070054115A1 (en) | Method for cleaning particulate foreign matter from the surfaces of semiconductor wafers | |
| JPH1167626A (ja) | レジスト除去方法および装置 | |
| JPH08115896A (ja) | 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 | |
| JP2003209034A (ja) | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2000260671A (ja) | ダスト吸着用ウエハ及び半導体装置内のクリーニング方法 | |
| JPS6190434A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JP3981246B2 (ja) | クリーニングシ―ト、クリーニング機能付き搬送部材、及びこれらを用いた基板処理装置のクリーニング方法 | |
| JP3425267B2 (ja) | 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ | |
| JP2005268483A (ja) | クリーニング機能付き搬送部材の作製方法および作製装置と基板処理装置のクリーニング方法 | |
| JPH10321488A (ja) | 粘着剤付き基板 | |
| JP2001210708A (ja) | 基板の搬送方法及び基板搬送用のトレー | |
| JPH07318878A (ja) | 液晶表示装置の製法およびその製造装置 | |
| JP6611565B2 (ja) | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050726 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |