JP2002025029A - 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録された情報を安定に保持でき、そ
の情報を高出力且つ低ノイズで再生できる磁気記録媒
体、その製造方法及び磁気記憶装置を提供する。 【解決手段】 磁気記録媒体１００は基板１上に磁束ガ
イド層２及び磁気記録層３を備える。磁束ガイド層２
に、温度変化に対して反強磁性と強磁性との間で一次相
転移する磁性材料を用いる。情報記録時または再生時に
磁束ガイド層２が強磁性を示すようにする。これにより
磁気記録層３に微小情報ビットを記録でき、その微小情
報ビットを高出力且つ低ノイズで再生できる。また情報
を保持する間は磁束ガイド層２が反強磁性を示すように
する。これにより微小情報ビットを安定して存在させる
ことができる。かかる磁気記録媒体１００を磁気記憶装
置に組み込むことにより大容量磁気記憶装置を実現でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に好適
な磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置に関
し、更に詳細には、記録時または再生時に熱を適用する
ような記録再生方式に好適な新規な磁気記録媒体、その
製造方法及び磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの補助記憶装置の一つとし
て、磁気記憶装置（ハードディスク装置）が知られてい
る。磁気記憶装置では磁気を利用して情報が記録され、
かかる磁気記録では、記録方式として、面内磁気記録方
式と垂直磁気記録方式がある。現時点においては前者の
面内磁気記録方式が一般的に用いられている。面内磁気
記録方式では、磁気記録ヘッドを用いて、磁気記録媒体
面に平行に且つ磁極のＮ極とＮ極、Ｓ極とＳ極を互いに
突き合わせる方向に、情報ビット（情報磁区）の磁化を
配向させて記録を行なう。

【０００３】面内磁気記録において記録密度を向上する
ためには、情報記録層に形成する情報ビットを微小化す
ることが必要である。しかし、情報ビットを微小化する
と、互いに隣接する情報ビットが接近するために、隣接
する情報ビットからの反磁場の影響を受けて情報ビット
が不安定となる。情報ビットが不安定にならないよう
に、反磁場の影響を小さくするには、記録媒体の磁気記
録層の膜厚を薄くするとともに、磁気記録層の膜面内方
向の保磁力を増大させる必要がある。

【０００４】しかしながら、情報ビットの安定性を重視
するあまり、磁気記録層の膜面内方向の保磁力を上げす
ぎると、現状の磁気記録ヘッドの発生可能な磁界強度を
超えてしまうため、磁気記録層に情報ビットを形成する
ことが困難となるという問題が生じる。

【０００５】一方、垂直記録方式では、磁気ヘッドを用
いて、垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体に膜面に対
して垂直に且つ隣り合う情報ビットの磁化方向が反平行
となるように磁気記録層に情報ビットを形成して磁気記
録を行なう。例えば、消去状態として、磁気記録層の媒
体膜表面側がＳ極になり、基板側がＮ極になるように予
め磁気記録層を一様に磁化し、この磁化方向（以下消去
方向とする）とは逆方向（以下、記録方向とする）に、
すなわち膜表面側がＮ極、基板側がＳ極となるように情
報ビット（記録ビットとする）を形成する。この場合、
消去方向の情報ビット（消去ビットとする）と記録方向
の情報ビット（記録ビット）との磁化の向きが反平行で
あるため、消去ビットと記録ビットの磁気モーメント同
士が引き合い、高記録密度ほど情報ビットが安定に存在
することになる。すなわち磁気記録層には、熱的安定性
に優れ熱ゆらぎに強い情報ビットが形成される。また、
磁気記録層に記録される情報ビットは、面内記録のよう
な反磁場の影響を受けないので、磁気記録層を極端に薄
膜化したり、保磁力を高める必要もない。それゆえ現状
の磁気記録ヘッドの発生可能な磁界強度で磁気記録層に
情報ビットを形成することができる。

【０００６】このように、垂直磁気記録方式は、上記の
ような面内磁気記録方式での問題点を回避することが可
能であり、高密度磁気記録を実現するための一つの手段
と考えられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】垂直磁気記録方式で
は、使用する磁気ヘッドと磁気記録媒体の組み合わせに
より、主に次の２種類の記録方式に分類することができ
る。一方の記録方式は、２層垂直磁気記録媒体に単磁極
ヘッドを用いて記録する方式であり、他方の記録方式は
単層垂直磁気記録媒体に薄膜ヘッドを用いて記録する方
式である。以下、この２種類の記録方式について説明す
る。なお、磁性材料からなる層（磁性層）を２層有する
垂直磁気記録媒体を２層垂直磁気記録媒体と称し、１層
（単層）のみ有する垂直磁気記録媒体を単層垂直磁気記
録媒体と称する。

【０００８】前者の記録方式において、２層垂直磁気記
録媒体は、基板と磁気記録層との間に軟磁性体から構成
された裏打ち層を磁気記録層に接して備えた構造を有す
る。この方式では、記録時に、単磁極ヘッドと裏打ち層
との間で磁気回路が形成され、単磁極ヘッドからの磁場
が磁気記録層に対して膜面垂直方向のみに印加される。
また、単磁極ヘッドと裏打ち層との間で磁気的カップリ
ングが生じるので、磁気記録層には、単磁極ヘッドから
の磁場が収束された状態で印加される。それゆえ、単磁
極ヘッドの主磁極を微細に加工することにより、磁気記
録層に、主磁極の寸法に応じた微小な磁区（情報ビッ
ト）を形成することが可能である。また、裏打ち層によ
り磁気記録層の裏面に磁極が現れないことから、媒体表
面側において、情報ビットから漏洩する磁束が増大す
る。このため、情報再生時に、高い再生信号出力を得る
ことができる。

【０００９】しかしながら、この記録方式は、磁気記録
媒体から検出される再生信号のノイズが大きいという問
題がある。かかるノイズは裏打ち層に起因することが知
られている。裏打ち層には、磁気記録層の情報ビットと
磁気結合することによって形成された磁壁が存在してい
る。かかる裏打ち層内の磁壁は、裏打ち層が軟磁性体か
ら構成されているために、意図しない外部からの磁場
（外乱磁場）の影響を受けて、裏打ち層中で容易に移動
してしまう。そのため、情報再生時に、再生磁気ヘッド
が、この磁壁移動に基づく信号を検出してしまいノイズ
が発生していた。また、単磁極ヘッドを動作させていな
いときでも、単磁極ヘッドと裏打ち層との間では磁気回
路が形成されているために、裏打ち層によって吸い込ま
れた外乱磁場が単磁極ヘッドの副磁極を通じて単磁極ヘ
ッドの主磁極に集中してしまう。そのため、単磁極ヘッ
ドの主磁極の直下に位置する情報ビットの磁化方向が変
化してしまうという問題もある。

【００１０】一方、単層垂直磁気記録媒体に薄膜ヘッド
を用いて記録する方式は、磁気記録層に形成される隣り
合う情報ビット（消去ビットと記録ビット）の磁気モー
メント同士が互いに磁気的に強く引き合って、情報ビッ
トが安定に存在している。また、単層垂直磁気記録媒体
は、２層垂直磁気記録媒体と異なり軟磁性体から形成さ
れた裏打ち層がないために、意図しない外部磁場（外乱
磁場）の影響を受けにくく、情報ビットの磁化方向が変
化しにくい。また、軟磁性体から構成される裏打ち層に
起因するノイズも発生しないことから２層垂直磁気記録
媒体に比べて低ノイズである。しかしながら、この方式
では、磁気記録層に記録された情報ビットを再生したと
きに、再生信号が小さいという問題を有する。これは、
磁気記録層に形成される隣接する情報ビット同士（消去
ビットと記録ビット）の磁束が閉じているために、情報
ビットから生じる漏洩磁界が小さいからである。

【００１１】本発明は、上述の従来技術の不都合を解消
するためになされたものであり、その目的は、磁気記録
層に微小な情報ビットを形成することができるととも
に、形成された微小な記録ビットを安定に保持できる磁
気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。本
発明の別の目的は、磁気記録媒体の磁気記録層に形成さ
れた情報ビットが微小であっても、その情報ビットを高
信号出力で且つ低ノイズで再生することができる磁気記
録媒体及びそれを備える磁気記憶装置を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に従
えば、磁気記録媒体の磁化が温度変化に対して一次相転
移を起こすことを特徴とする磁気記録媒体が提供され
る。

【００１３】本発明の磁気記録媒体は、温度変化させた
ときに、媒体の磁化が一次相転移を起こすように構成さ
れている。ここで、「磁気記録媒体の磁化」とは、磁気
記録媒体を構成する磁性層が１層だけの場合は該磁性層
の磁化を意味し、磁気記録媒体が複数の磁性層を有する
場合は各磁性層の磁化の総和を意味するものとする。ま
た、磁気記録媒体の磁化が一次相転移を起こすとは、磁
気記録媒体の磁化の大きさが温度の変化に対して履歴
（ヒステリシス）を示すことを意味する。すなわち、磁
気記録媒体について磁化測定を行なって、温度に対する
磁気記録媒体の磁化の変化をグラフで表したときに、例
えば図６に示すようなヒステリシス曲線を描く。本発明
の磁気記録媒体が、例えば、基板と磁気記録層を備える
場合において、磁気記録媒体の磁化の温度変化に対して
このようなヒステリシス曲線を示すようにするには、例
えば、低温から高温に温度変化させたときに所定の温度
領域（以下、一次相転移温度と称する）にて反強磁性か
ら強磁性に一次相転移を起こすような磁束ガイド層を基
板と磁気記録層との間に磁気記録層に接するように設け
れば良い。磁束ガイド層が、温度変化に対してかかる一
次相転移を起こすことにより、一次相転移温度にて磁気
記録媒体に磁化のヒステリシス現象が現れることにな
る。また、かかる磁束ガイド層の磁気特性を利用して、
例えば、情報の記録時または再生時に、磁気記録媒体を
一次相転移温度よりも高い温度状態にして磁束ガイド層
を強磁性状態にすると、磁束ガイド層を、従来技術の欄
において記載した２層垂直磁気記録媒体の裏打ち層とし
て作用させることができる。これにより、本発明の磁気
記録媒体は、記録再生時に２層垂直磁気記録媒体と同等
の機能を示すことになるので、情報記録時には磁気記録
層に微小な情報ビットを形成することができるととも
に、情報再生時には微小情報ビットからの漏洩磁界を増
大させ、超高密度記録された情報を高再生信号出力で再
生することができる。また、情報の記録再生を行なわな
い情報保持時に磁気記録媒体を一次相転移温度よりも低
い温度状態にして磁束ガイド層を反強磁性状態にする
と、磁束ガイド層は裏打ち層としての作用を示さなくな
る。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、情報保持時に
は、従来技術の欄に記載した単層垂直磁気記録媒体と同
等の機能を示すようになるので、磁気記録層に記録され
た微小な情報ビットを長期にわたって安定して存在させ
ることができる。

【００１４】ここに、図６の磁化の温度変化曲線におい
て、ヒステリシス現象を起こす温度よりも低い温度領域
では、磁束ガイド層は反強磁性状態となっているので、
磁気記録媒体から検出される磁化は磁気記録層の磁化の
みとなっている。一方、ヒステリシス現象を起こす温度
よりも高い温度領域では、磁束ガイド層が強磁性状態に
なっているために、磁気記録媒体から検出される磁化は
磁気記録層の磁化と磁束ガイド層の磁化との足し合わせ
になっている。

【００１５】本発明の磁気記録媒体は、情報の記録時及
び／または再生時に、情報の記録または再生が行なわれ
る所定の領域を加熱することが望ましい。記録及び／ま
たは再生時に、磁気記録媒体を加熱することにより、磁
束ガイド層は加熱された領域のみ反強磁性から強磁性に
相転移して磁化が出現し、２層垂直磁気記録媒体の軟磁
性材料から構成される裏打ち層の磁気特性と同様な磁気
特性を示すことになる。すなわち、本発明の磁気記録媒
体は、記録及び／または再生時に、従来の２層垂直磁気
記録媒体と同様の機能を備えることになる。したがっ
て、情報記録時には、磁束ガイド層が磁気ヘッドと磁気
的にカップリングして磁気回路が形成され、微小な情報
ビットを磁気記録層に形成することが可能となる。ま
た、情報再生時には、磁束ガイド層の加熱領域のみが強
磁性を示して磁気記録層と磁気的に結合するので、磁気
記録層の基板と反対側において情報ビットから漏洩する
磁束が増大する。したがって、媒体から高い再生信号出
力が得られる。また、磁束ガイド層の加熱領域以外の領
域は反強磁性を示すので、従来の２層垂直磁気記録媒体
の裏打ち層で発生していたような磁壁移動はなく、それ
に基づくノイズの発生もない。それゆえ低ノイズで情報
を再生することができる。

【００１６】一方、記録した情報を保持しておく状態
（加熱を行なわない状態）では、磁束ガイド層は磁化が
消失して強磁性的な性質を示さない。すなわち、記録再
生時以外の状態において、磁気記録媒体は、磁気的にカ
ップリングする層を持たない単層垂直磁気記録媒体に相
当することになる。それゆえ、磁気記録層に形成された
微小な情報ビットは安定して存在する。

【００１７】このように、本発明の磁気記録媒体は、従
来の２層垂直磁気記録媒体と単層垂直磁気記録媒体の長
所を備えるとともに、それら従来の磁気記録媒体が有す
る問題を同時に解決している。

【００１８】ところで、前述したように、本発明の磁気
記録媒体は、磁化の温度変化曲線が図６に示すようなヒ
ステリシスを示す。すなわち、媒体の磁化Ｍは、図６に
示すように、低温側（温度Ｔ１の領域）から高温側に向
かって単調に減少した後、温度Ｔ３にて急激な増加に転
じ、温度Ｔ４にて再び緩やかな減少に転じる。ここでＴ
３＜Ｔ４である。逆に、高温側から低温側に向かって温
度を下げていくと、磁気記録媒体の磁化Ｍは緩やかに上
昇した後、所定温度Ｔ５にて急激な減少に転じ、温度Ｔ
６にて再び緩やかに上昇する。ここでＴ６＜Ｔ５であ
る。温度Ｔにおける磁気記録媒体の磁化をＭ（Ｔ）で表
すと、 Ｍ（Ｔ３）＜Ｍ（Ｔ４） Ｍ（Ｔ６）＜Ｍ（Ｔ５） の関係を満足している。

【００１９】ここに、温度Ｔ７及びＴ８を、次式： Ｍ（Ｔ７）＝｛Ｍ（Ｔ３）＋Ｍ（Ｔ４）｝／２ Ｍ（Ｔ８）＝｛Ｍ（Ｔ５）＋Ｍ（Ｔ６）｝／２ を満足するように定義すると、温度Ｔ７及びＴ８の差｜
Ｔ７−Ｔ８｜が５℃よりも大きいことが望ましい。その
理由を以下に説明する。

【００２０】磁束ガイド層は、次の二つの特性を有する
ことが望まれる。第１の特性は、記録または再生時に強
磁性状態となった磁束ガイド層に起因するノイズが低い
ことである。第２の特性は、記録または再生の対象とな
る記録ビットとは異なる記録ビットに悪影響を及ぼさな
いように、磁束ガイド層の反強磁性から強磁性に一次層
転移を起こす領域ができる限り小さいことである。とこ
ろで、例えば、記録再生用ヘッドと加熱用レーザーとが
同一のスライダーに搭載されている場合、記録再生用ヘ
ッドの磁界印加位置または信号検出位置と加熱用レーザ
ーからの光スポットの位置とを媒体上で一致させること
は困難であり、μｍオーダーでずれが生じる。それゆ
え、記録または再生の対象となる記録ビット近傍を加熱
用レーザーで加熱しても、記録再生用ヘッドが記録ビッ
ト位置に到達するまでに僅かに時間的な遅れが生じ、記
録ビット近傍の温度が低下して強磁性から反強磁性に相
転移してしまう。上述のように、Ｔ７−Ｔ８＞５℃にす
ることにより、加熱された記録ビット近傍を強磁性から
反強磁性に相転移しにくくすることができる。すなわ
ち、記録再生用ヘッドが加熱された領域に到達するまで
に僅かに時間的な遅れが生じても、加熱領域は強磁性の
磁気的性質を維持しているので安定して記録または再生
を行うことができる。

【００２１】また、本発明においては、図６のヒステリ
シス曲線において、ヒステリシス現象が起こる温度領域
の磁化の立ち上がり及び立ち下りが急峻であることが好
ましい。すなわち、図において、Ｔ３とＴ４との差及び
Ｔ５とＴ６との差が小さいことが好ましい。それらの温
度差は２０℃以下であることが好ましく、特に５℃以下
であることが一層好ましい。

【００２２】ここに、磁気ディスク装置の動作保証温度
の最大値は５０℃前後であり、環境温度（使用温度）が
５０℃程度であっても動作するように保証されている。
したがって、磁気記録媒体に情報の記録再生を行なわな
い状態で、磁気記録媒体の温度が最大５０℃程度にまで
上昇することが考えられる。本発明の磁気記録媒体にお
いては、動作保証温度の最大値よりも低い温度におい
て、磁束ガイド層が反強磁性となることが好ましい。ま
た、情報の記録時または再生時に、記録再生の対象とな
る情報ビットが形成されている部分の磁気記録層を昇温
したときに、その部分の磁束ガイド層が強磁性に一次相
転移することが好ましい。

【００２３】本発明において磁束ガイド層はＦｅとＲｈ
を主成分とする磁性材料から構成することが望ましい。
磁性体の一種であるＦｅＲｈ合金は、ＦｅとＲｈの元素
比がほぼ１対１のバルク材料として構成された場合に、
熱処理等を行なうと、ＦｅとＲｈとが互いにオーダー
（秩序化配列）状態になる。かかるオーダー状態のＦｅ
Ｒｈ合金は、温度の上昇に伴って反強磁性状態から強磁
性状態に一次相転移を起こすことが知られている。かか
る一次相転移が生じる温度は、温度を上昇させた昇温過
程では７０℃近傍であり、かかる温度でＦｅＲｈ合金は
反強磁性から強磁性に磁気転移する。温度を下降させた
降温過程では、昇温時よりも低い６０℃近傍で強磁性か
ら反強磁性に磁気転移する。かかる材料を用いて磁束ガ
イド層を構成することにより、磁気記録媒体の磁化は温
度変化に対してヒステリシスを示す。

【００２４】本発明において磁束ガイド層の膜厚ｔ１
は、磁気記録層の膜厚をｔ２としたきに、ｔ２≦ｔ１≦
１０×ｔ２の関係を満足するように選択されることが好
ましい。その理由は以下のとおりである。情報記録時に
は、磁気ヘッドにより印加された磁場は、磁気記録層内
を通過した後、外部に漏洩することなく磁束ガイド層内
を通過することが望ましい。磁束ガイド層の膜厚を、磁
気記録層の膜厚以上の厚さにすることにより、磁気ヘッ
ドからの磁場を外部に殆ど漏洩させることなく磁束ガイ
ド層内を通過させることができる。一方、磁束ガイド層
を厚くし過ぎると磁束ガイド層の表面の凹凸が増大す
る。かかる磁束ガイド層表面の凹凸は、磁束ガイド層上
に形成される磁気記録層に反映され、磁気記録層に凹凸
が形成されてしまう。磁気記録層に形成される凹凸は磁
気特性の劣化の原因となる。これを防止するには磁束ガ
イド層の膜厚が磁気記録層の膜厚の１０倍以下であれば
よい。補助磁性層の膜厚を、かかる膜厚にすれば、磁束
ガイド層表面の凹凸を磁気記録層の磁気特性の劣化が生
じない程度の凹凸にすることができる。

【００２５】本発明の磁気記録媒体において、磁気記録
層は面内磁化膜及び垂直磁化膜の何れも使用し得る。磁
気記録層は、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金及びそれに
Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂなどの元素を添加したＣｏ−Ｃｏ
−Ｐｔ合金からなる磁化膜や、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜のよう
な人工格子垂直磁化膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類
−遷移金属材料からなるアモルファス磁化膜、Ｆｅ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｐｔのような規則合金型永久磁石材料などか
らなる磁化膜にし得る。

【００２６】本発明の第２の態様に従えば、本発明の第
１の態様に従う磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を加熱
するための加熱装置とを有する磁気記憶装置が提供され
る。

【００２７】本発明の磁気記憶装置は、上述したよう
な、温度に対して磁気特性が一次相転移する磁性材料、
例えば、ＦｅＲｈ合金磁性材料から構成される磁束ガイ
ド層を有する磁気記録媒体を備える。また、かかる磁気
記録媒体を加熱するための加熱装置を備える。

【００２８】本発明の磁気記憶装置では、装置内部の温
度範囲内で、磁気記録媒体の磁束ガイド層は反強磁性を
示すことが好ましい。これにより、磁束ガイド層が磁気
記録層と相互作用することがないので、磁気記録層に形
成されている微小記録ビットは安定して存在する。そし
て、記録時及び／または再生時には、加熱装置により、
磁気記録媒体の記録ビット近傍を１００℃以上、好適に
は１２０℃〜２００℃の温度に局部的に加熱することが
好ましい。加熱温度が１００℃よりも低いと、加熱した
記録ビット近傍の熱が周囲に逃げることによって記録及
び／または再生を行っている間に温度が低下して一次相
転移を起こす恐れがあり、良好に記録及び／または再生
を行うことができなくなる恐れがある。また、加熱温度
が２００℃よりも高いと、加熱部分が冷却するまで時間
がかかり、記録及び／または再生を行った後においても
磁束ガイド層が強磁性の性質を示してしまう恐れがあ
る。かかる加熱装置による加熱により磁束ガイド層は反
強磁性から強磁性に一次相転移を起こす。それゆえ、情
報記録時においては、磁束ガイド層と磁気ヘッドとが磁
気的に結合して、磁気ヘッドからの磁場が収束されて印
加され、磁気記録層に微細な記録ビットが形成される。
また、情報再生時においては、磁束ガイド層と磁気記録
層との交換結合により磁束が閉じるので、磁気記録層の
磁束ガイド層側と反対の側から漏洩する磁束が増大す
る。これにより再生用磁気ヘッドの再生信号強度が増大
する。

【００２９】本発明の磁気記憶装置の加熱装置には、例
えば、半導体レーザーを用いることができる。かかる半
導体レーザーは例えばスライダーに搭載することができ
る。半導体レーザーの波長は、６８０ｎｍ〜４００ｎｍ
が好適である。特に高密度記録の観点からすると短波長
のレーザー光を用いることがより一層望ましい。レーザ
ー光の波長を短くすると、微小な光スポットを形成する
ことができ、これにより加熱領域のサイズを小さくする
ことができるので、微小な記録ビットを記録層に形成す
ることができる。

【００３０】本発明の第３の態様に従えば、基板上に、
温度変化に対して一次相転移を示す磁性材料からなる磁
束ガイド層及び磁気記録層を備える磁気記録媒体の製造
方法であって、上記磁束ガイド層を、当該磁束ガイド層
を構成する磁性材料が秩序化配列するように形成するこ
とを特徴とする製造方法が提供される。

【００３１】本発明の製造方法において、磁束ガイド層
には、例えば、Ｆｅ及びＲｈを主成分とする磁性材料を
用いることができる。かかるＦｅ及びＲｈを主成分とす
る磁性材料には、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどの元素が
５％程度含まれていても良い。

【００３２】本発明の製造方法において、磁束ガイド層
の形成には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法や、
イオンビームスパッタ法、電子サイクロトロン共鳴（Ｅ
ＣＲ）スパッタ法などの成膜法を用いることが好まし
い。また、磁束ガイド層を構成する磁性材料の原子また
は分子を秩序化配列する方法には、例えば、３００℃〜
５００℃に基板の温度を上げて成膜する方法を用いるこ
とができる。これにより、基板上に堆積される原子の運
動エネルギーが増大し、原子がオーダー状態（秩序化配
列）となる。また、磁束ガイド層の成膜後に４００℃〜
７００℃で加熱処理する方法も用いても良い。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて実施例により説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。以下の説明において、同じ性能特性を
有するものについては同一の符号を付した。

【００３４】

【実施例】図１に、本発明に従う垂直磁気記録媒体の概
略構成図を示す。垂直磁気記録媒体１００は、基板１上
に磁束ガイド層２、磁気記録層３及び保護膜４を順に備
える。かかる構造を有する磁気記録媒体１００の製造方
法を以下に説明する。

【００３５】まず、洗浄した直径２．５インチ（約６．
３５ｃｍ）の磁気ディスク用ガラス基板１を用意し、か
かる基板１をスパッタリング成膜装置（不図示）に設置
した。成膜装置の導入室を予め１×１０^−７Ｔｏｒｒ
（約１３３×１０^−７Ｐａ）未満の真空度まで排気した
後、基板１を加熱ステージに移動して５００℃まで加熱
し、定常温度で１時間放置した。かかる基板１の加熱処
理において加熱温度５００℃は後述する実験により決定
した。

【００３６】次いで、加熱処理された基板１上に、磁束
ガイド層２としてＦｅＲｈ膜を膜厚５０ｎｍで成膜し
た。ＦｅＲｈ膜の形成には、ＤＣマグネトロンスパッタ
法を使用し、成膜時のＡｒガス圧を２ｍＴｏｒｒ（約２
６６ｍＰａ）とした。かかるガス圧は、成膜装置でプラ
ズマが安定して立つ最低のガス圧である。これは、Ｆｅ
Ｒｈ合金がオーダー相を形成する必要があり、スパッタ
粒子の平均自由行程が長く、他の粒子に散乱されにくく
する必要があるからである。また、ＦｅＲｈ膜の成膜レ
ートが１ｎｍ／秒となるようにターゲットに印加する電
力を制御した。かかる成膜レートは、スパッタされた粒
子が基板面である程度移動できる時間を確保するため
に、後述の磁気記録層の成膜レートよりも遅い値とし
た。

【００３７】次いで、１０^−８Ｔｏｒｒ（約１３３×１
０^−８Ｐａ）以下の真空中で、基板温度が３００℃に低
下するまで放置した後、磁気記録層３としてＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ磁性膜を膜厚５０ｎｍで形成した。Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ磁性膜の成膜には、ＤＣマグネトロンスパッタ法を
用い、Ａｒガス圧を３ｍＴｏｒｒ（約３９９ｍＰａ）と
した。また、磁気記録層の成膜では、成膜レートが４ｎ
ｍ／秒となるようにターゲットに印加する電力を制御し
た。

【００３８】上述のＦｅＲｈ膜及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁
性膜の成膜では、ともに純度３Ｎの合金ターゲットを使
用した。各合金薄膜の組成は、予め、それぞれの単層膜
を作成し、ＩＣＰＳ法（Inductively Coupled Plasma S
pectroscopy）を用いて決定した。ＦｅＲｈ膜の組成は
Ｆｅ−５１ａｔ．％Ｒｈであり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性
膜の組成はＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ
であった。

【００３９】次いで、磁気記録層３上に保護膜４として
Ｃ（カーボン）膜を膜厚５ｎｍにて形成した。こうし
て、図１に示す積層構造を有する磁気記録媒体１００を
製造した。こうして得られた磁気記録媒体１００は、テ
ープバニッシュが行なわれたのち、保護層上に潤滑剤が
塗布され、後述する磁気記憶装置に組み込まれる。

【００４０】〔基板の加熱処理温度を決定するための予
備実験〕ここで、上記磁気記録媒体の製造工程において
基板の加熱処理の温度を決定するために次のような実験
を行なった。

【００４１】まず、予備実験用に、基板上にＦｅＲｈ単
層膜を有する試料を複数作製した。かかる試料の作製で
は、基板の加熱温度を室温から５００℃の範囲で変化さ
せて、種々の温度で加熱された基板上にＦｅＲｈ単層膜
を形成した。ここでＦｅＲｈ単層膜の形成条件は、上述
の磁気記録媒体を製造する際の条件と同様とした。

【００４２】次いで、それぞれの試料について、磁化の
温度変化を試料振動型磁束計（ＶＳＭ）を用いて測定し
た。測定の温度範囲は−１９６℃（７７Ｋ）〜２２７℃
（５００Ｋ）とした。図３に、基板の加熱温度を、室
温、２００℃、４００℃及び５００℃に設定してそれぞ
れ作製した試料の磁化の温度変化を示す。

【００４３】図３において、室温及び２００℃の基板温
度で作製した試料は、測定温度範囲において自発磁化を
有することから、強磁性成分を有していることがわか
る。両試料を昇温したときには、磁化は３０℃近傍から
徐々に上昇し、約１２０℃まで磁化の増加が続く。ま
た、両試料を冷却したときには、磁化は９０℃近傍から
徐々に低下し、０℃近傍で最小となる。両試料ともに、
温度に対する磁化の変化が昇温時と降温時でヒステリシ
スを有することから、ＦｅＲｈ薄膜の一部分はオーダー
相（秩序化配列相）になっていると考えられる。しか
し、低温側でも強磁性的性質を有していることから、デ
ィスオーダー相（非秩序化配列相）も存在していると考
えられる。また、このようなオーダー相とディスオーダ
ー相が混在していることから、図３に示すように、一次
相転移を起こす温度領域（ヒステリシスを示す温度領
域）が広くなっていると考えられる。

【００４４】図３に示すように、４００℃及び５００℃
に基板温度を上げて作製した試料では、磁化の値は低温
側で小さく、一次相転移を起こす温度領域の幅も狭い。
また、磁化は、一次相転移を起こす温度領域で極めて急
峻に変化している。特に、基板温度を５００℃にして作
製した試料は、磁化の値が、５０℃よりも低い温度領域
においてほぼゼロになっており、一次相転移を起こす温
度領域の幅は約１５℃と狭い。また、磁化が増加に転じ
る温度と、増加から減少に転じる温度との差は３℃程度
と極めて狭く、磁化が急激に変化していることがわか
る。このことから、ＦｅＲｈ薄膜の大部分が、オーダー
状態になっていると考えられる。この結果をもとに、上
述の磁気記録媒体１００の製造工程における基板の加熱
温度を５００℃に決定した。

【００４５】つぎに、比較のために、従来の磁気記録媒
体として、２層垂直磁気記録媒体と単層垂直磁気記録媒
体の２種類の磁気記録媒体を作製した。以下に、２層垂
直磁気記録媒体と単層垂直磁気記録媒体の製造方法を順
に説明する。

【００４６】〔２層垂直磁気記録媒体の作製〕図２
（Ｂ）に、従来の２層垂直磁気記録媒体の概略断面構造
を示す。２層垂直磁気記録媒体２００は、上述の磁気記
録媒体１００の磁束ガイド層３の代わりに、ＦｅＮｉ軟
磁性材料からなる裏打ち層５を形成した以外は、磁気記
録媒体１００と同一構造を有する（図１参照）。ここ
で、基板１、磁気記録層３及び保護膜４は、磁気記録媒
体１００と同一である。以下、かかる２層垂直磁気記録
媒体２００の製造方法について述べる。

【００４７】まず、洗浄した直径２．５インチ（約６．
３５ｃｍ）の磁気ディスク用ガラス基板１を用意し、か
かる基板１をスパッタリング成膜装置（不図示）に設置
した。成膜装置の導入室を予め１×１０^−７Ｔｏｒｒ
（約１３３×１０^−７Ｐａ）未満の真空度まで排気した
後、基板１を加熱ステージに移動して２００℃まで加熱
し、定常温度で１時間放置した。加熱した基板１上に、
裏打ち層５としてＦｅＮｉ軟磁性膜を膜厚５０ｎｍで形
成した。ＦｅＮｉ膜の形成には、ＲＦマグネトロンスパ
ッタ法を使用し、成膜時のＡｒガス圧を２ｍＴｏｒｒ
（約２６６ｍＰａ）とした。また、ＦｅＮｉ膜の成膜レ
ートは、１ｎｍ／秒となるようにターゲットに印加する
電力を制御した。

【００４８】次いで、裏打ち層５を形成した基板を１０
^−８Ｔｏｒｒ（約１３３×１０^−８Ｐａ）以下の真空中
で再加熱し、基板温度が３００℃に達した時点から３０
分間放置した後、この裏打ち層５上に磁気記録層３とし
てＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ磁性膜を
膜厚５０ｎｍで形成した。磁気記録層３の成膜には、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタ法を用い、Ａｒガス圧を３ｍＴ
ｏｒｒ（約３９９ｍＰａ）とした。また、磁気記録層の
成膜レートが４ｎｍ／秒となるようにターゲットに印加
する電力を制御した。

【００４９】次いで、磁気記録層３上に保護膜４として
カーボン（Ｃ）膜を膜厚５ｎｍにて形成した。こうし
て、図２（Ａ）に示す積層構造を有する２層垂直磁気記
録媒体２００を作製した。

【００５０】〔単層垂直磁気記録媒体の作製〕図２
（Ｂ）に、従来の単層垂直磁気記録媒体の概略断面構造
を示す。単層垂直磁気媒体３００は、上述の磁気記録媒
体１００の磁束ガイド層３の代わりに、Ｔｉからなる配
向制御層６を形成した以外は、磁気記録媒体１００と同
一構造を有する（図１参照）。ここで、基板１、磁気記
録層３及び保護膜４は、磁気記録媒体１００と同一であ
る。かかる単層垂直磁気記録媒体３００を、以下の製造
方法により作製した。

【００５１】まず、洗浄した直径２．５インチ（約６．
３５ｃｍ）の磁気ディスク用ガラス基板１を用意し、か
かる基板１をスパッタリング成膜装置（不図示）に設置
した。成膜装置の導入室を予め１×１０^−７Ｔｏｒｒ
（約１３３×１０^−７Ｐａ）未満の真空度まで排気した
後、基板１を加熱ステージに移動して３００℃まで加熱
し、定常温度で１時間放置した。基板上に、配向制御層
６としてＴｉ膜を膜厚５０ｎｍで成膜した。配向制御層
６の形成には、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を使
用し、成膜時のＡｒガス圧を３ｍＴｏｒｒ（約３９９ｍ
Ｐａ）とした。また、成膜レートが５ｎｍ／秒となるよ
うにターゲットに印加する電力を制御した。

【００５２】次いで、配向制御層６を形成した後、配向
制御層６上に磁気記録層３としてＣｏ−２０ａｔ．％Ｃ
ｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ磁性膜を膜厚５０ｎｍで形成し
た。磁気記録層３の成膜には、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法を使用し、Ａｒガス圧を３ｍＴｏｒｒ（約３９９ｍ
Ｐａ）とした。また、成膜レートが４ｎｍ／秒となるよ
うにターゲットに印加する電力を制御した。

【００５３】次いで、磁気記録層３上に保護膜４として
カーボン（Ｃ）膜を膜厚５ｎｍで形成した。こうして図
２（Ｂ）に示す積層構造を有する単層垂直磁気記録媒体
３００を作製した。

【００５４】〔記録再生特性、膜構造及び磁気特性の評
価〕つぎに、本発明の磁気記録媒体１００及び従来の磁
気記録媒体２００並びに３００の各媒体について、記録
再生特性、膜構造及び磁気特性の評価を行なった。かか
る評価では、後述する記録再生特性の評価を行った後、
各媒体を小片に切り出して膜構造や磁気特性の評価を行
なった。

【００５５】まず、磁気記録媒体の膜構造の評価につい
て説明する。各磁気記録媒体の膜構造の測定にはＸ線回
折法を用いた。θ−２θＸ線回折測定の結果、各磁気記
録媒体において、２θ＝４３．５°近傍に磁気記録層か
らの六方稠密結晶構造の（００．２）面反射が観測され
た。このことから、各磁気記録媒体の磁気記録層は、ｃ
軸が膜面垂直方向に向いた垂直磁化膜であることがわか
る。また、Ｘ線スペクトルのピークの幅を比較したとこ
ろ、単層垂直磁気記録媒体３００のピークが、他の磁気
記録媒体１００及び２００に比べてシャープであった。
これは、単層垂直磁気記録媒体は、本発明の磁気記録媒
体１００及び２層垂直磁気記録媒体に比べてｃ軸配向が
良いことを表している。

【００５６】つぎに、本発明の磁気記録媒体１００の磁
気特性を調べた。まず、磁気記録媒体１００を小片に切
り出し、かかる小片の磁化の温度変化を、ＶＳＭを用い
て測定した。図４に、−１９６°（７７Ｋ）〜２２７℃
（５００Ｋ）の温度範囲で測定した結果を示す。磁化の
値は、温度上昇に伴い徐々に減少しているが、７０℃近
傍で急激に磁化の値が増加し、７５℃近傍にて再び減少
している。また、逆に２２７℃から温度を下げると、５
５℃近傍で急激に磁化が減少し、５０℃近傍にて再び増
加する。これは、５５℃〜７０℃の温度領域で磁化が一
次相転移していることを示している。

【００５７】つぎに、磁気記録媒体１００に、テープバ
ニッシュを行なったのち、保護膜上に潤滑剤を塗布し、
図７及び図８に示すような磁気記憶装置２００に組み込
んで、記録再生特性の評価を行った。図７は磁気記憶装
置２００の上面の図であり、図８は、磁気記憶装置２０
０の図７における破線Ａ−Ａ'方向の断面図である。磁
気記憶装置２００は、主に、磁気記録媒体５１、ヘッド
５３及びヘッド用駆動系５４を備える。ヘッド５３は、
図９に示すように、スライダー９０上に磁気ヘッド９１
及び加熱装置としての半導体レーザー９２が搭載されて
構成されている。このヘッド５３はヘッド用駆動系５４
により制御される。複数の磁気記録媒体５１はスピンド
ル５２により同軸回転される。磁気ヘッド９１は、記録
用磁気ヘッド及び再生用磁気ヘッドが一体化されて構成
される。記録用磁気ヘッドには、主磁極９３のトラック
幅が０．７μｍ、厚さ０．３μｍの単磁極ヘッドを用い
た。また、再生用磁気ヘッドには、トラック幅０．５μ
ｍ、シールド間隔０．１５μｍの磁気抵抗効果型ヘッド
を用いた。また、半導体レーザー９２は、磁気記録媒体
を局所的に加熱することができ、波長６７０ｎｍの赤色
半導体レーザーを用い、レーザー出力は０．５ｍＷとし
た。本発明において、半導体レーザーによる磁気記録媒
体の加熱は、記録再生の対象となるビット近傍の磁束ガ
イド層を反強磁性から強磁性に相転移させることを目的
としているので、加熱領域の中心と記録再生の対象とし
ている記録ビットの中心位置が一致している必要はな
く、加熱領域内に記録ビットが含まれれば良い。

【００５８】スライダー５３の浮上量は、磁気記録媒体
の保護膜面から０．０２μｍの高さであり、スライダー
に対する媒体の相対速度が４ｍ／ｓとなるように媒体を
回転駆動した。かかる磁気記憶装置により、磁気記録媒
体１００の記録再生特性の評価を行なった。

【００５９】一方、従来の磁気記録媒体の記録再生特性
の評価は、つぎのようにして行った。まず、２層垂直磁
気記録媒体２００の記録再生特性の評価では、２層垂直
磁気記録媒体２００を上記磁気記憶装置に組み込み、磁
気記録媒体１００の記録再生特性の評価と同一の方法に
より評価した。ただし、記録再生時に、レーザーにより
媒体を加熱する必要がないことから、レーザーの電源を
切った状態で記録再生特性の評価を行った。

【００６０】単層垂直磁気記録媒体３００の記録再生特
性の評価においては、記録ビットの書き込みに、トラッ
ク幅０．７μｍ、ギャップ長０．１８μｍの面内記録用
薄膜ヘッドを用いた。一方、記録した情報の再生には、
トラック幅０．５μｍの磁気抵抗効果型ヘッドを用い
た。記録時の面内記録用薄膜ヘッドの浮上量及び再生時
の磁気抵抗効果型ヘッドの浮上量は、ともに媒体の保護
膜面から０．０２μｍであり、スライダーに対する媒体
の相対速度が１１ｍ／ｓとなるように媒体を回転駆動し
た。

【００６１】記録再生特性の評価では、上述の評価条件
に従って、各磁気記録媒体に種々の記録密度で情報を記
録し、かかる情報を再生用磁気ヘッドで再生し、ヘッド
出力を測定した。図５に、記録密度に対するヘッド出力
の依存性を示す。図中、ヘッド出力には規格化した値を
用い、以下、規格化ヘッド出力と称する。

【００６２】本発明の磁気記録媒体１００では、記録密
度の上昇に伴い規格化ヘッド出力が徐々に減少してい
る。規格化ヘッド出力が０．５となる記録密度は２７５
ＦＣＩであった。一方、従来の２層垂直磁気記録媒体２
００の再生出力は、本発明の磁気記録媒体１００とほぼ
同様の記録密度依存性を示し、規格化ヘッド出力が０．
５となる記録密度は２７０ｋＦＣＩであった。また、再
生用磁気ヘッドから出力された信号強度も、本発明の磁
気記録媒体１００と従来の２層垂直磁気記録媒体２００
において、ほぼ同じ値を示していた。再生時のノイズ
も、本発明の磁気記録媒体１００と従来の２層垂直磁気
記録媒体２００と間には、ほとんど差異はなかった。

【００６３】一方、単層垂直磁気記録媒体３００では、
規格化ヘッド出力が０．５となる記録密度が２３０ｋＦ
ＣＩであり、本発明の磁気記録媒体１００と従来の２層
垂直磁気記録媒体２００に比べて低い値であった。ま
た、規格化ヘッド出力も、他の媒体に比べて３０％以上
小さな値であった。したがって、記録再生特性について
は、本発明の磁気記録媒体１００は、従来の２層垂直磁
気記録媒体と同等の性能を有していることを示してい
る。

【００６４】つぎに、磁気記録媒体に記録されたビット
の安定性を調べるために、以下のような実験を行った。
まず、各磁気記録媒体１００、２００及び３００のトラ
ックに２５０ｋＦＣＩの連続信号を記録し、再生用磁気
ヘッドを用いて記録直後の再生信号強度を測定した。次
いで、連続信号を記録したトラック上に記録用磁気ヘッ
ドを浮上させ、外部から１００Ｏｅ（約７．９ｋＡ／
ｍ）の磁場を印加した状態で１時間放置した。１時間経
過後、再生用磁気ヘッドにより連続信号を再生して再生
出力を再度測定し、記録直後の信号強度と比較した。

【００６５】かかる実験の結果、従来の２層垂直磁気記
録媒体１００では、外部からの磁場の印加後に、再生信
号出力が１５％低下しており、ノイズも２３％増加して
いた。一方、本発明の磁気記録媒体１００及び単層垂直
磁気記録媒体３００では、外部からの磁場の印加前後に
おいて、再生信号出力の低下は観察されず、実験誤差の
範囲で一致していた。このことから、本発明の磁気記録
媒体は、磁場の外乱に対して単層垂直磁気記録媒体と同
等の性能を有していることがわかる。すなわち、本発明
の磁気記録媒体は、記録した記録ビットを、意図しない
外部からの磁界の印加のもとでも安定して存在させるこ
とができる。

【００６６】以上、本発明の磁気記録媒体について実施
例により具体的に説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。上記実施例では、記録ヘッドと再生ヘ
ッドを各々独立のスライダーに搭載したヘッドを用いた
が、記録ヘッドと再生ヘッドと一体的に形成した複合ヘ
ッドを用いても良い。

【００６７】また、磁気記録媒体の加熱装置として、ス
ライダーに直接半導体レーザーを搭載した加熱装置を用
いたが、光ファイバー等の光導波路を用いてスライダー
の外部からレーザー光を導いて磁気記録媒体を加熱して
も良い。

【００６８】また、上記実施例の磁気記録媒体の製造工
程において、磁束ガイド層としてのＦｅＲｈ薄膜にオー
ダー相を形成するために、基板温度を上げて、基板上に
堆積するＦｅ原子及びＲｈ原子の運動エネルギーを増加
させる方法を用いたが、イオンビームスパッタ法や電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタ法などのよう
に、成膜時の粒子の持つエネルギーが高い成膜法を用い
て基板上に磁束ガイド層を性膜しても良い。また、磁束
ガイド層としてのＦｅＲｈ薄膜を成膜したのち、熱処理
を行なうことにより、ＦｅＲｈ薄膜にオーダー相を形成
させても良い。

【００６９】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、情報を保持す
るような温度環境下において、例えば、磁性を示す層は
磁気記録層であり、単層垂直磁気記録媒体と同様の構造
であるので、記録した情報は長期にわたって安定して保
持される。また、情報記録時または再生時に加熱される
と、磁束ガイド層の加熱領域において磁化が出現して、
２層垂直磁気記録媒体と同様の構造を示すことになるの
で、磁気記録層に微小な情報ビット（微小磁区）を形成
することができるとともに、記録された情報を高出力且
つ低ノイズで再生することができる。

【００７０】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、例え
ば、基板を加熱した状態で磁束ガイド層を形成したり、
磁束ガイド層の形成後に加熱処理することにより、磁束
ガイド層を構成する材料を秩序化配列することができ
る。それゆえ、磁束ガイド層を構成する材料に例えばＦ
ｅＲｈを用いることにより、反強磁性から強磁性に良好
に一次相転移する磁束ガイド層を得ることができるの
で、本発明の磁気記録媒体を製造する方法として極めて
好適である。

【００７１】本発明の磁気記憶装置は、高密度記録され
た情報を高出力で再生することができ、記録した情報を
長期間安定して保持することができる。それゆえ、大容
量磁気記憶装置として極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う磁気記録媒体の断面構造を模式的
に示す図である。

【図２】従来の磁気記録媒体の断面構造を模式的に示す
図であり、図２（Ａ）は２層垂直磁気記録媒体の断面構
造であり、図２（Ｂ）は単層垂直磁気記録媒体の断面構
図である。

【図３】種々の温度で加熱した基板を用いて成膜された
ＦｅＲｈ合金薄膜の磁化の温度変化の様子を示すグラフ
である。

【図４】本発明の磁気記録媒体の磁化の温度変化を示す
グラフである。

【図５】磁気記録媒体に記録されている情報を再生ヘッ
ドで再生したときの記録密度に対する規格化ヘッド出力
の変化を示すグラフである。

【図６】本発明の磁気記録媒体の磁化のヒステリシス現
象について説明するための模式的な図である。

【図７】本発明の磁気記録装置の上面の概略構成図であ
る。

【図８】図７の磁気記録装置のＡ−Ａ’方向における概
略断面図である。

【図９】図７の磁気記録装置のヘッド近傍の概略断面図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 磁束ガイド層 ３ 磁気記録層 ４ 保護膜 ５ 裏打ち層 ６ 配向制御層 １００ 磁気記録媒体 ２００ ２層垂直磁気記録媒体 ３００ 単層垂直磁気記録媒体 ４００ 磁気記憶装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 康一郎 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 竹内 輝明 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 BB08 DA08 5D112 AA05 AA11 BB02 FA04 GB01 5E049 AA01 AA04 AA09 AC00 AC05 BA06

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体の磁化が温度変化に対して
   一次相転移を起こすことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 情報の記録時及び／または再生時に加熱
   されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 上記磁気記録媒体の磁化が温度変化に対
   してヒステリシスを示すことを特徴とする請求項１また
   は２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 上記磁気記録媒体の磁化の温度変化にお
   いて、上記ヒステリシスを示す温度領域よりも低い温度
   領域の温度をＴ１とし、ヒステリシスを示す温度領域よ
   りも高い温度領域の温度をＴ２とし、温度Ｔにおける磁
   気記録媒体の磁化の大きさをＭ（Ｔ）で表したときに、 Ｍ（Ｔ１）＜Ｍ（Ｔ２） の関係を満たす温度Ｔ１及びＴ２が存在することを特徴
   とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 上記磁気記録媒体の磁化が温度に対して
   ヒステリシスを示す温度領域において、上記磁気記録媒
   体を昇温したときに、上記磁化が減少から増加に転じる
   温度をＴ３、増加から減少に転じる温度をＴ４としたと
   きに、温度Ｔ３及びＴ４が、 Ｔ３＜Ｔ４ の関係を満足し、温度Ｔにおける磁気記録媒体の磁化の
   大きさをＭ（Ｔ）で表したときに、 Ｍ（Ｔ３）＜Ｍ（Ｔ４） の関係を満足することを特徴とする請求項３または４に
   記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 上記磁気記録媒体の磁化が温度に対して
   ヒステリシスを示す温度領域において、上記磁気記録媒
   体を加熱した後、冷却したときに、上記磁化が増加から
   減少に転じる温度をＴ５、減少から増加に転じる温度を
   Ｔ６としたときに、温度Ｔ５及びＴ６が、 Ｔ６＜Ｔ５ の関係を満足し、温度Ｔにおける磁気記録媒体の磁化の
   大きさをＭ（Ｔ）で表したときに、 Ｍ（Ｔ６）＜Ｍ（Ｔ５） の関係を満足することを特徴とする請求項３〜５のいず
   れか一項に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 上記磁気記録媒体の磁化が温度に対して
   ヒステリシスを示す温度領域において、上記磁気記録媒
   体を昇温したときに、磁化が減少から増加に転じる温度
   をＴ３、増加から減少に転じる温度をＴ４とし、昇温し
   た磁気記録媒体を冷却したときに、磁化が増加から減少
   に転じる温度をＴ５、減少から増加に転じる温度をＴ６
   とし、温度Ｔにおける磁気記録媒体の磁化の大きさをＭ
   （Ｔ）で表したときに、温度Ｔ７がＭ（Ｔ７）＝｛Ｍ
   （Ｔ３）＋Ｍ（Ｔ４）｝／２で定義され、温度Ｔ８がＭ
   （Ｔ８）＝｛Ｍ（Ｔ５）＋Ｍ（Ｔ６）｝／２で定義され
   るとき、温度Ｔ７及びＴ８が、 Ｔ７−Ｔ８＞５℃ を満足することを特徴とする請求項３〜６のいずれか一
   項に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 上記磁気記録媒体は、基板と磁気記録層
   とを備え、 上記基板と磁気記録層との間に、更に、Ｆｅ及びＲｈを
   主成分とする磁束ガイド層を備えることを特徴とする請
   求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 上記磁束ガイド層は、反強磁性と強磁性
   との間の一次相転移を起こすことを特徴とする請求項８
   に記載の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 上記磁束ガイド層の膜厚をｔ１とし、
    上記磁気記録層の膜厚をｔ２としたときに、関係式：ｔ
    ２≦ｔ１≦１０×ｔ２を満足することを特徴とする８ま
    たは９に記載の磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
    の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を加熱するための加
    熱装置とを有する磁気記憶装置。
12. 【請求項１２】 上記加熱装置は、レーザー光源を備え
    ることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
13. 【請求項１３】 上記加熱装置は、情報の記録及び再生
    の少なくとも一方を行なうときに、磁気記録媒体の所定
    領域を、磁気記録媒体が一次相転移を起こす温度よりも
    高い温度に加熱することを特徴とする請求項１０または
    １１に記載の磁気記憶装置。
14. 【請求項１４】 基板上に、温度変化に対して一次相転
    移を示す磁性材料からなる磁束ガイド層及び磁気記録層
    を備える磁気記録媒体の製造方法であって、上記磁束ガ
    イド層を、当該磁束ガイド層を構成する磁性材料が秩序
    化配列するように形成することを特徴とする製造方法。
15. 【請求項１５】 上記磁性材料は、Ｆｅ及びＲｈを主成
    分とすることを特徴とする請求項１４に記載の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 上記磁束ガイド層の形成後に加熱処理
    を行なうことを特徴とする請求項１４または１５に記載
    の製造方法。
17. 【請求項１７】 上記加熱処理の温度が４００℃〜７０
    ０℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１６に記載
    の製造方法。
18. 【請求項１８】 上記基板を加熱しながら磁束ガイド層
    を形成することを特徴とする請求項１４または１５に記
    載の製造方法。
19. 【請求項１９】 上記基板を、３００℃〜５００℃の範
    囲内の温度で加熱することを特徴とする請求項１８に記
    載の製造方法。