JP2002023370A - 酸解離性有機基含有スチレン系重合体および感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する吸収が極めて小さく、特に化
学増幅型レジストに好適な感放射線性樹脂組成物におけ
る樹脂成分として有用な重合体、並びに微細なパターン
サイズにおいてもパターンの矩形性を確保でき、かつ各
種の放射線に対して高感度（低露光エネルギー量）であ
り、しかもＰＥＤの変動によりパターンが線幅の変化を
生じたりＴ型形状になったりすることがなく、かつ解像
性能にも優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射
線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 重合体は、下記式（１）で表される繰返
し単位を必須単位とし、感放射線性樹脂組成物は、
（Ａ）前記重合体並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含
有する。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は酸の存在下で解離して酸性
官能基を生じる炭素数２０以下の酸性解離性有機基を示
し、Ｒ² は水素原子またはメチル基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に感放射線性樹
脂組成物の樹脂成分として有用な重合体、並びに当該重
合体を含有し、ＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦ
エキシマレーザー等に代表される遠紫外線、電子線等の
荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線の如き各種
の放射線を用いる微細加工に有用な感放射線性樹脂組成
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子に代表される半導体デバイ
スの製造に使用されるレジストの材料として、ＫｒＦエ
キシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等の遠
紫外線、電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線
等のＸ線等の放射線の照射（以下、「露光」という。）
により酸を発生する感放射線性酸発生剤を使用し、その
酸の触媒作用により感度を向上させた「化学増幅型レジ
スト」が提案されている。従来、このような化学増幅型
レジストに特有の問題として、露光から露光後の加熱処
理までの引き置き時間（以下、「ＰＥＤ」という。）の
変動により、レジストパターンの線幅が変化したりある
いはＴ型形状になったりするなどの問題点が指摘されて
いたが、近年に至り、ヒドロキシスチレン系繰返し単
位、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルからなる繰返し単位
および露光後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性
を低下させる繰返し単位からなる重合体を用いる感放射
線性樹脂組成物（特開平７―２０９８６８号公報参照）
を始めとして、半導体デバイスへの適用に耐え得る化学
増幅型レジストが種々提案されてきた。しかしながら、
今日における半導体デバイスの微細化の進行に伴い、化
学増幅型レジストにおいては、パターンの矩形性を保ち
つつ感度を高める観点から、使用される感放射線性樹脂
組成物の主体成分である樹脂の放射線に対する吸収が無
視できなくなってきており、従来の化学増幅型レジスト
では、今後要求されるとみられるより微細なパターンサ
イズの半導体デバイスの製造に適用することが困難とな
ってきた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける前記状況に鑑みてなされたものであり、その課題
は、放射線に対する吸収が極めて小さく、特に化学増幅
型レジストに好適な感放射線性樹脂組成物における樹脂
成分として有用な重合体、並びに当該重合体を含有し、
レジスト被膜の上部と下部との実効露光量の差を低減で
きて、微細なパターンサイズにおいてもパターンの矩形
性を確保でき、かつエキシマレーザー等の遠紫外線、電
子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線の
如き各種の放射線に対して高感度（低露光エネルギー
量）である化学増幅型レジストとして有用な感放射線性
樹脂組成物を提供することにある。さらに、本発明の他
の課題は、ＰＥＤの変動によりパターンが線幅の変化を
生じたりＴ型形状になったりすることがなく、かつ解像
性能にも優れた感放射線性樹脂組成物を提供することに
ある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、第一に、下記式（１）で表される繰返し単位を必
須単位とし、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量が
１，０００〜５００，０００である重合体、

【０００５】

【化２】 〔式（１）において、Ｒ¹ は酸の存在下で解離して酸性
官能基を生じる炭素数２０以下の酸性解離性有機基を示
し、Ｒ² は水素原子またはメチル基を示す。〕により達
成される。

【０００６】本発明によると、前記課題は、第二に、
（Ａ）前記式（１）で表される繰返し単位を必須単位と
し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）
によるポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜
５００，０００である重合体、並びに（Ｂ）感放射線性
酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組
成物、により達成される。以下、本発明を詳細に説明す
る。

【０００７】（Ａ）重合体 本発明における重合体は、前記式（１）で表される繰返
し単位（以下、「繰返し単位（１）」という。）を必須
単位とする重合体（以下、「（Ａ）重合体」という。）
からなる。式（１）において、Ｒ¹ の酸の存在下で解離
して酸性官能基を生じる炭素数２０以下の酸解離性有機
基（以下、単に「酸解離性有機基」という。）として
は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカ
ルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２―メチルプ
ロポキシカルボニル基、１―メチルプロポキシカルボニ
ル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシ
カルボニル基、ｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−
ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−１−エチル
プロポキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニ
ル基、１，１−ジメチルペンチルオキシカルボニル基、
１，１−ジメチル−３−メチルブトキシカルボニル基、
ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカ
ルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、シクロペ
ンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカル
ボニル基、１−メチルシクロヘキシルオキシカルボニル
基、４―ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル
基、シクロヘプチルオキシカルボニル基、シクロオクチ
ルオキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシ
ルプロポキシカルボニル基等の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル
基、４―ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、１―ナフ
チルオキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル
基；ベンジルオキシカルボニル基、４―ｔ−ブチルベン
ジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル
基、４―ｔ−ブチルフェネチルオキシカルボニル基、１
−メチル−１−フェニルエトキシカルボニル基、１−フ
ェニル−１−（４’−メチルフェニル）エトキシカルボ
ニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；

【０００８】１―メトキシエトキシカルボニル基、１―
エトキシエトキシカルボニル基、１―ｎ−プロポキシエ
トキシカルボニル基、１―ｉ−プロポキシエトキシカル
ボニル基、１―ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１
―（２’―メチルプロポキシ）エトキシカルボニル基、
１―（１’―メチルプロポキシ）エトキシカルボニル
基、１―ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１―シク
ロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１―（４’―
ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル
基等の直鎖状、分岐状もしくは環状の１―アルコキシエ
トキシカルボニル基；１―フェノキシエトキシカルボニ
ル基、１―（４’―ｔ−ブチルフェノキシ）エトキシカ
ルボニル基、１―（１’―ナフチルオキシ）エトキシカ
ルボニル基等の１―アリーロキシエトキシカルボニル
基；１―ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１―
（４’―ｔ−ブチルベンジルオキシ）エトキシカルボニ
ル基、１―フェネチルオキシエトキシカルボニル基、１
―（４’―ｔ−ブチルフェネチルオキシ）エトキシカル
ボニル基等の１―アラルキルオキシエトキシカルボニル
基；

【０００９】メトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｉ−プロポ
キシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシ
カルボニルメトキシカルボニル基、１―メチルプロポキ
シカルボニルメトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、４―ｔ−ブチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニルメトキシカルボニル基等の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルメト
キシカルボニル基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブト
キシカルボニルメチル基、２―メチルプロポキシカルボ
ニルメチル基、１―メチルプロポキシカルボニルメチル
基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、シクロヘキシル
オキシカルボニルメチル基、４―ｔ−ブチルシクロヘキ
シルオキシカルボニルメチル基等の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルコキシカルボニルメチル基；フェノキシ
カルボニルメチル基、４―ｔ−ブチルフェノキシカルボ
ニルメチル基、１―ナフチルオキシカルボニルメチル基
等のアリーロキシカルボニルメチル基；ベンジルオキシ
カルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルベンジルオキシカ
ルボニルメチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル
基、４―ｔ−ブチルフェネチルオキシカルボニルメチル
基等のアラルキルオキシカルボニルメチル基；

【００１０】２―メトキシカルボニルエチル基、２―エ
トキシカルボニルエチル基、２―ｎ−プロポキシカルボ
ニルエチル基、２―ｉ−プロポキシカルボニルエチル
基、２―ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、２―（２’
―メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２―（１’
―メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２―ｔ−ブ
トキシカルボニルエチル基、２―シクロヘキシルオキシ
カルボニルエチル基、２―（４’―ｔ−ブチルシクロヘ
キシルオキシカルボニル）エチル基等の直鎖状、分岐状
もしくは環状の２―アルコキシカルボニルエチル基；２
―フェノキシカルボニルエチル基、２―（４’―ｔ−ブ
チルフェノキシカルボニル）エチル基、２―（１’―ナ
フチルオキシカルボニル）エチル基等の２―アリーロキ
シカルボニルエチル基；２―ベンジルオキシカルボニル
エチル基、２―（４’―ｔ−ブチルベンジルオキシカル
ボニル）エチル基、２―フェネチルオキシカルボニルエ
チル基、２―（４’―ｔ−ブチルフェネチルオキシカル
ボニル）エチル基等の２―アラルキルオキシカルボニル
エチル基や、１−メチル−１−ｎ−ブトキシプロポキシ
カルボニル基、１−フェニルシクロヘキシルオキシカル
ボニル基、（シクロヘキシル）（フェノキシ）メトキシ
カルボニル基、１−フェニル−１−シクロヘキシルオキ
シエトキシカルボニル基、（シクロヘキシル）（フェニ
ル）（メトキシ）メトキシカルボニル基、２−テトラヒ
ドロフラニルオキシカルボニル基、２−（２−メチルテ
トラヒドロフラニル）オキシカルボニル基、２−テトラ
ヒドロピラニルオキシカルボニル基、２−（２，５−ジ
メチルテトラヒドロピラニル）オキシカルボニル基、２
−（２−フェニルテトラヒドロピラニル）オキシカルボ
ニル基等を挙げることができる。

【００１１】繰返し単位（１）における酸解離性有機基
は、エチレン基を介して式（１）中のベンゼン環に、基
−Ｃ（Ｒ²)ＣＨ₂ −に対してｏ−位、ｍ−位またはｐ−
位に結合することができるが、これらの結合位置のう
ち、特にｐ−位が好ましい。 （Ａ）重合体中の繰返し単位（１）の含有量は、通常、
５〜８０重量％である。

【００１２】繰返し単位（１）を与える単量体は、下記
式（２）で表される化合物（以下、「化合物（２）」と
いう。）からなる。

【００１３】

【化３】 〔式（２）において、Ｒ¹ およびＲ² は式（１）におけ
るそれぞれＲ¹ およびＲ² と同義である。〕

【００１４】化合物（２）の好ましい具体例としては、
例えば、下記式（２−１）〜（２−20）で表される化合
物等を挙げることができる。

【００１５】

【化４】

【００１６】

【化５】

【００１７】

【化６】

【００１８】

【化７】

【００１９】

【化８】

【００２０】

【化９】

【００２１】

【化１０】

【００２２】

【化１１】

【００２３】

【化１２】

【００２４】

【化１３】

【００２５】化合物（２）は、例えば、下記（ｉ）、
（ii）等の方法により合成することができる。 （ｉ） 下記式（３）で表される化合物（例えば、ｔ−
ブチルブロモアセテート等の酢酸エステル）とトリアル
キルホスフィンとを反応させて、下記式（４）で表され
る第１の四級ホスホニウム塩を生成し、得られた四級ホ
スホニウム塩を塩基と反応させて、下記式（５）で表さ
れるリンイリドを生成し、さらに得られたリンイリドを
下記式（６）で表されるスチレン誘導体と反応させて、
下記式（７）で表される第２の四級ホスホニウム塩を生
成し、これを加水分解して化合物（２）を得る方法。 （ii） ビニルフェニルプロピオン酸メチルまたはビニ
ルフェニルプロピオン酸エチルを加水分解して、ビニル
フェニルプロピオン酸を生成し、得られたビニルフェニ
ルプロピオン酸をエステル化して、化合物（２）を得る
方法。

【００２６】

【化１４】

【００２７】

【化１５】

【００２８】

【化１６】

【００２９】〔式（３）〜（５）において、Ｒ¹ は式
（１）におけるＲ¹ と同義であり、Ａは脱離性基（例え
ば、ハロゲン原子、スルホニル基等）を示し、Ｘ¹ 、Ｘ
² およびＸ³ は相互に独立に、置換されていてもよい炭
素数１〜８のアルキル基を示す。〕

【００３０】

【化１７】

【００３１】

【化１８】

【００３２】〔式（６）〜（７）において、Ｒ¹ および
Ｒ² は式（１）におけるそれぞれＲ¹およびＲ² と同義
であり、Ｂは脱離性基（例えば、ハロゲン原子、スルホ
ニル基等）を示し、Ｘ¹ 、Ｘ² およびＸ³ は式（４）〜
（５）におけるそれぞれＸ¹ 、Ｘ² およびＸ³ と同義で
ある。〕

【００３３】（Ａ）重合体は、繰返し単位（１）以外
に、１個の重合性不飽和結合を有する単官能単量体に由
来する単位（以下、「他の繰返し単位（α）」とい
う。）および／または２個以上の重合性不飽和結合を有
する多官能単量体に由来する単位（以下、「他の繰返し
単位（β）」という。）を有することができる。他の繰
返し単位（α）を与える単量体としては、例えば、スチ
レン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−
メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン等の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキル置換で置換されていてもよい
スチレン系単量体類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒ
ドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒド
ロキシ−α−メチルスチレン等のヒドロキシル基で置換
されたスチレン系単量体類；ｏ−メトキシスチレン、ｍ
−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ｔ−
ブトキシスチレン、ｍ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−ｔ
−ブトキシスチレン、ｐ−シクロヘキシルオキシスチレ
ン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基で
置換されたスチレン系単量体類；ｐ−（１−メトキシエ
トキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレン、
ｐ−（１−ｉ−プロポキシエトキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ
−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチ
ルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシル
オキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチル
オキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシル
オキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ
エトキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメト
キシ）エトキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは
環状の１−アルコキシエトキシ基で置換されたスチレン
系単量体または１−アラルキルオキシエトキシ基で置換
されたスチレン系単量体類；

【００３４】ｐ−（１−メトキシプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−エトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブト
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチル
オキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチ
ルメトキシ）プロポキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状
もしくは環状の１−アルコキシプロポキシ基で置換され
たスチレン系単量体または１−アラルキルオキシプロポ
キシ基で置換されたスチレン系単量体類；ｐ−（１−メ
トキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エ
トキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−プロポキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｉ−プロポキシ−１−メチルエトキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ−１−メチルエトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシ−１−メチルエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシ−１−メ
チルエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキ
シ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロ
ペンチルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−
（１−シクロヘキシルオキシ−１−メチルエトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキ
シ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）
−１−メチルエトキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状も
しくは環状の１−アルコキシ−１−メチルエトキシ基で
置換されたスチレン系単量体または１−アラルキルオキ
シ−１−メチルエトキシ基で置換されたスチレン系単量
体類；

【００３５】ｐ−（１−メトキシブトキシ）スチレン、
ｐ−（１−エトキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−プロポキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロ
ポキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシブ
トキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシブトキシ）
スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシブトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシブトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−ベンジルオキシブトキシ）スチレン、
ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）ブトキシ｝スチ
レン等の直鎖状、分岐状もしくは環状の１−アルコキシ
ブトキシ基で置換されたスチレン系単量体または１−ア
ラルキルオキシブトキシ基で置換されたスチレン系単量
体類；ｐ−（１−メトキシ−２−メチルプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−エトキシ−２−メチルプロポキシ）
スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシ−２−メチルプロ
ポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−２−メ
チルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ−
２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブト
キシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−ペンチルオキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、
ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−２−メチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ−２−
メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１
−ベンジルオキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、
ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）−２−メチルプ
ロポキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状の
１−アルコキシ−２−メチルプロポキシ基で置換された
スチレン系単量体または１−アラルキルオキシ−２−メ
チルプロポキシ基で置換されたスチレン系単量体類；

【００３６】ｐ−（１−メトキシ−１−メチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−１−メチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシ−１−メチ
ルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−
１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブト
キシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ
−ブトキシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−ペンチルオキシ−１−メチルプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−１−メチルプ
ロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ
−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロ
ヘキシルオキシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ベンジルオキシ−１−メチルプロポキシ）スチ
レン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）−１−メ
チルプロポキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは
環状の１−アルコキシ−１−メチルプロポキシ基で置換
されたスチレン系単量体または１−アラルキルオキシ−
１−メチルプロポキシ基で置換されたスチレン系単量体
類；ｐ−（１−メトキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ
−（１−エトキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｎ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｔ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−ペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−
（１−シクロペンチルオキシペンチルオキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシペンチルオキシ）
スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキシペンチルオキシ）
スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）ペン
チルオキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状
の１−アルコキシペンチルオキシ基で置換されたスチレ
ン系単量体または１−アラルキルオキシペンチルオキシ
基で置換されたスチレン系単量体類；

【００３７】ｐ−（１−メトキシ−１−メチルブトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−１−メチルブトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシ−１−メチル
ブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−１−
メチルブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ−
１−メチルブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキ
シ−１−メチルブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペ
ンチルオキシ−１−メチルブトキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−ヘキシルオキシ−１−メチルブトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ−１−メチルブ
トキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシ−
１−メチルブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオ
キシ−１−メチルブトキシ）スチレン、ｐ−｛１−
（１’−ナフチルメトキシ）−１−メチルブトキシ｝ス
チレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状の１−アルコキ
シ−１−メチルブトキシ基で置換されたスチレン系単量
体または１−アラルキルオキシ−１−メチルブトキシ基
で置換されたスチレン系単量体類；ｐ−（１−メトキシ
−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
エトキシ−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−プロポキシ−１，２−ジメチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−１，２−ジ
メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ
−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｔ−ブトキシ−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシ−１，２−ジメチル
プロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ
−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
シクロペンチルオキシ−１，２−ジメチルプロポキシ）
スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシ−１，２−
ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオ
キシ−１，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−
｛１−（１’−ナフチルメトキシ）−１，２−ジメチル
プロポキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状
の１−アルコキシ−１，２−ジメチルプロポキシ基で置
換されたスチレン系単量体または１−アラルキルオキシ
−１，２−ジメチルプロポキシ基で置換されたスチレン
系単量体類；

【００３８】ｐ−（１−メトキシ−２，２−ジメチルプ
ロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−２，２−ジ
メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキ
シ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｉ−プロポキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチ
レン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ−２，２−ジメチルプロ
ポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシ−２，２−
ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチ
ルオキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−２，２−ジメチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ−
２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シ
クロヘキシルオキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ−２，２−ジメチル
プロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメ
トキシ）−２，２−ジメチルプロポキシ｝スチレン等の
直鎖状、分岐状もしくは環状の１−アルコキシ−２，２
−ジメチルプロポキシ基で置換されたスチレン系単量体
または１−アラルキルオキシ−２，２−ジメチルプロポ
キシ基で置換されたスチレン系単量体類；ｐ−（１−メ
トキシ−１−メチルペンチルオキシ）スチレン、ｐ−
（１−エトキシ−１−メチルペンチルオキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシ−１−メチルペンチルオ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−１−メチ
ルペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ
−１−メチルペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ
−ブトキシ−１−メチルペンチルオキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−ペンチルオキシ−１−メチルペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−１−メ
チルペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペン
チルオキシ−１−メチルペンチルオキシ）スチレン、ｐ
−（１−シクロヘキシルオキシ−１−メチルペンチルオ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ−１−メチ
ルペンチルオキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフ
チルメトキシ）−１−メチルペンチルオキシ｝スチレン
等の直鎖状、分岐状もしくは環状の１−アルコキシ−１
−メチルペンチルオキシ基で置換されたスチレン系単量
体または１−アラルキルオキシ−１−メチルペンチルオ
キシ基で置換されたスチレン系単量体類；

【００３９】ｐ−（１−メトキシ−１，２，２−トリメ
チルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−１，
２，２−トリメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｎ−プロポキシ−１，２，２−トリメチルプロポキシ）
スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−１，２，２−ト
リメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキ
シ−１，２，２−トリメチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｔ−ブトキシ−１，２，２−トリメチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシ−１，
２，２−トリメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｎ−ヘキシルオキシ−１，２，２−トリメチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ−１，
２，２−トリメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
シクロヘキシルオキシ−１，２，２−トリメチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ−１，２，
２−トリメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−
（１’−ナフチルメトキシ）−１，２，２−トリメチル
プロポキシ｝スチレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状
の１−アルコキシ−１，２，２−トリメチルプロポキシ
基で置換されたスチレン系単量体または１−アラルキル
オキシ−１，２，２−トリメチルプロポキシ基で置換さ
れたスチレン系単量体類；

【００４０】ｐ−メトキシカルボニルオキシスチレン、
ｐ−エトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−ｎ−プロ
ピルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−ｉ−プロピ
ルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−ｎ−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン、ｐ−２−メチルプロポキシ
カルボニルオキシスチレン、ｐ−１−メチルプロポキシ
カルボニルオキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレン、ｐ−シクロヘキシルオキシカルボニ
ルオキシスチレン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシカルボニルオキシ基で置換されたスチレン系単
量体類；ｐ−メトキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ
−エトキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−ｎ−プロ
ピルオキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−ｉ−プロ
ピルオキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−ｎ−ブト
キシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−２−メチルプロ
ポキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−１−メチルプ
ロポキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキ
シカルボニルメトキシスチレン、ｐ−シクロヘキシルオ
キシカルボニルメトキシスチレン等の直鎖状、分岐状も
しくは環状のアルコキシカルボニルメトキシ基で置換さ
れたスチレン系単量体類や、４−ビニルフェニルプロピ
オン酸、３−（４’−ビニルフェニル）−１−プロパノ
ール等のビニル芳香族化合物のほか、

【００４１】（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル
酸、クロトン酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン
酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸等の不飽和カル
ボン酸あるいはそれらの酸無水物類；前記不飽和カルボ
ン酸のメチルエステル、エチルエステル、ｎ−プロピル
エステル、ｉ−プロピルエステル、ｎ−ブチルエステ
ル、２―メチルプロピルエステル、１―メチルプロピル
エステル、ｔ−ブチルエステル、ｎ−ペンチルエステ
ル、ｎ−ヘキシルエステル、シクロヘキシルエステル、
２−ヒドロキシエチルエステル、２−ヒドロキシプロピ
ルエステル、３−ヒドロキシプロピルエステル、２，２
−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルエステル、ベンジ
ルエステル、イソボロニルエステル、トリシクロデカニ
ルエステル、１−アダマンチルエステル、２−メチル−
２−アダマンチルエステル、２−エチル−２−アダマン
チルエステル、２−ｎ−プロピルアダマンチルエステ
ル、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルエステル、２−
メチル−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルエステル、
２−エチル−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルエステ
ル、２−ｎ−プロピル−３−ヒドロキシ−１−アダマン
チルエステル、２−ｉ−プロピル−１−アダマンチルエ
ステル、８−ヒドロキシテトラシクロドデカン−３−メ
チルエステル、９−ヒドロキシテトラシクロドデカン−
３−メチルエステル等のエステル類；（メタ）アクリロ
ニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコ
ンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等
の不飽和ニトリル類；（メタ）アクリルアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、
マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シト
ラコンアミド、イタコンアミド、Ｎ−（メタ）アクリロ
イルモルファリン等の不飽和アミド類；マレイミド、Ｎ
−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド
等の不飽和イミド類；（メタ）アリルアルコール等の不
飽和アルコール類や、Ｎ−ビニルアニリン、ビニルピリ
ジン類、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニル
ピロリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルカル
バゾール等を挙げることができる。

【００４２】これらの単官能単量体のうち、スチレン、
ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチル
スチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−（１−メト
キシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキシエトキシ）ス
チレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）エトキ
シ）｝スチレン、ｐ−（１−メトキシプロポキシ）スチ
レン、ｐ−（１−エトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−ベンジルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１
−（１’−ナフチルメトキシ）プロポキシ）｝スチレ
ン、ｐ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）スチレ
ン、４−ビニルフェニルプロピオン酸、３−（４’−ビ
ニルフェニル）−１−プロパノール、（メタ）アクリル
酸、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、２−（メタ）アク
リロイルオキシ−２−メチルアダマンタン、２−（メ
タ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン、１
−（メタ）アクリロイルオキシ−３−ヒドロキシアダマ
ンタン、３−（メタ）アクリロイルオキシメチル−８−
ヒドロキシテトラシクロドデカン、３−（メタ）アクリ
ロイルオキシメチル−９−ヒドロキシテトラシクロドデ
カン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−アクリロ
イルモルファリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、
Ｎ−ビニルピロリドン等が好ましい。前記単官能性単量
体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することが
できる。 （Ａ）重合体における他の繰返し単位（α）の含有量
は、通常、８０重量％以下、好ましくは５〜７０重量％
である。

【００４３】また、他の繰返し単位（β）を与える多官
能単量体としては、例えば、２価以上の多価アルコー
ル、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール等の
分子中に２個以上の水酸基を有する化合物と（メタ）ア
クリル酸とのエステル類；エポキシ樹脂に代表される分
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物と（メタ）
アクリル酸との付加物類；分子中に２個以上のアミノ基
を有する化合物と（メタ）アクリル酸との縮合物類等を
挙げることができ、具体的には、エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリ
メチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタ
エリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレ
ート、ビスフェノールＡのエチレングリコール付加物あ
るいはプロピルグリコール付加物のジ（メタ）アクリレ
ートのほか、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの
（メタ）アクリル酸二付加物等のエポキシ（メタ）アク
リレート類、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリル
アミド等を挙げることができる。

【００４４】これらの多官能単量体のうち、特に、エチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレ
ート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの（メ
タ）アクリル酸二付加物等が好ましい。前記多官能単量
体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することが
できる。 （Ａ）重合体が他の繰返し単位（β）を有することによ
り、適度の架橋構造が導入されて、重合体分子鎖の運動
性が小さくなり、それにより熱変形を抑制して、耐熱性
などを改良することができる。また、多官能単量体によ
り導入される架橋構造が酸解離性を有する場合は、直鎖
状樹脂の場合や架橋構造が酸解離性をもたない場合と比
べて、露光による分子量低下が大きくなり、露光部と未
露光部との現像液に対する溶解速度差が増大する結果、
解像度をより向上させることもできる。 （Ａ）重合体における他の繰返し単位（β）の含有量
は、通常、１０重量％以下、好ましくは７重量％以下、
さらに好ましくは６重量％以下である。

【００４５】（Ａ）重合体は、例えば、繰返し単位
（１）に対応する単量体を、場合により他の繰返し単位
（α）および／または他の繰返し単位（β）に対応する
単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜に選定
して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重合、懸濁
重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法、好ましくは溶液
重合法により重合することによって製造することができ
る。 （Ａ）重合体を製造する重合に使用される好ましいラジ
カル重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリ
ル、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピ
オネート）等を挙げることができる。また、反応媒体は
適宜選定できるが、例えば、酢酸ｎ−ブチル、テトラヒ
ドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテル
等を用いることができる。 （Ａ）重合体を製造する際の重合条件は、反応温度が、
通常、５０〜９０℃、好ましくは６０〜８５℃であり、
反応時間が、通常、３〜１０時間である。

【００４６】（Ａ）重合体のゲルパーミエーションクロ
マトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平
均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、１，０００〜
５００，０００である。但し、（Ａ）重合体の具体的な
Ｍｗは、多官能性単量体による架橋構造の有無により変
わる。即ち、多官能性単量体による架橋構造をもたない
（Ａ）重合体のＭｗは、１，０００〜１００，０００で
あり、好ましくは３，０００〜４０，０００、さらに好
ましくは３，０００〜３０，０００である。この場合、
（Ａ）重合体のＭｗが１，０００未満であると、レジス
トとしての感度および耐熱性が低下し、一方１００，０
００を超えると、現像液に対する溶解性が低下する。多
官能性単量体による架橋構造をもたない（Ａ）重合体の
Ｍｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰ
Ｃ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍ
ｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１．０
〜５．０、好ましくは１．０〜４．０、さらに好ましく
は１．０〜３．０である。また、多官能性単量体による
架橋構造を有する（Ａ）重合体のＭｗは、３，０００〜
５００，０００であり、好ましくは５，０００〜４０
０，０００、さらに好ましくは８，０００〜３００，０
００である。この場合、（Ａ）重合体のＭｗが３，００
０未満であると、レジストとしての感度および耐熱性が
低下し、一方５００，０００を超えると、レジストとし
ての現像性が低下する。多官能性単量体による架橋構造
を有する（Ａ）重合体のＭｗ／Ｍｎは、通常、１．５〜
２０．０、好ましくは１．５〜１５．０である。

【００４７】（Ａ）重合体は、放射線に対する吸収が極
めて小さく、特に化学増幅型レジストに好適な感放射線
性樹脂組成物における樹脂成分として有用であり、当該
感放射線性樹脂組成物は、レジスト被膜の上部と下部と
の実効露光量の差を低減できて、微細なパターンサイズ
においてもパターンの矩形性を保持でき、かつ高感度
（低露光エネルギー量）であるという優れた特性を有す
るものとなる。

【００４８】（Ｂ）感放射線性酸発生剤 本発明の感放射線性樹脂組成物は、前記（Ａ）重合体、
並びに露光により酸を発生する（Ｂ）感放射線性酸発生
剤（以下、「（Ｂ）酸発生剤」という。）を含有するこ
とを特徴とする。 （Ｂ）酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ス
ルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホ
ンイミド化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、
ジスルホニルメタン化合物等を挙げることができる。

【００４９】以下、これらの（Ｂ）酸発生剤の例を示
す。 オニウム塩：オニウム塩としては、例えば、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩（但し、テトラヒドロチオフェ
ニウム塩を含む。）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム
塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることが
できる。オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ
−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００５０】ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−
トルイル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）
ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨー
ドニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（３，
４−ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨー
ドニウムベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチル
フェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−
オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【００５１】ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニ
ル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネー
ト、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０
−カンファースルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ
−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフェ
ニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（３
−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨード
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェ
ニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３−
ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【００５２】４−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨー
ドニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４
−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムピレンスル
ホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムベン
ゼンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、４−メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、４−メトキシフェニル
・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンス
ルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨード
ニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−クロロ
フェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、

【００５３】ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメ
チルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（４−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベン
ゼンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−ト
リフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタン
スルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（１−
ナフチル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（１
−ナフチル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（１−ナフチル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジ（１−ナフチル）ヨードニウム１０−カンファー
スルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムｎ−オ
クタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（１
−ナフチル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパ
ーフルオロベンゼンスルホネート、

【００５４】ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビフェ
ニレンヨードニウムピレンスルホネート、ビフェニレン
ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、ビフェニ
レンヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、２−クロロ
ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレンスルホ
ネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−クロ
ロビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００５５】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウム１−ナフタレンスルホネート、トリフェニルスル
ホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−
ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジ
フェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム４−トリフルオロメタンベンゼンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００５６】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブ
トキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブト
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシル
ベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフ
ェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンス
ルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスル
ホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベ
ンゼンスルホネート、

【００５７】トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−メトキ
シフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４
−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネー
ト、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホ
ネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウム１
０−カンファースルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（４−メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・
ｐ−トルイルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホ
ニウムピレンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−
メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムベンゼ
ンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−ト
ルイルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム
ｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）
・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ
−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【００５８】フェニル・テトラメチレンスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムピレンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレン
スルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニル
・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラ
メチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムピレン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ
−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テ
トラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、４−
ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフル
オロベンゼンスルホネート、

【００５９】フェニル・ビフェニレンスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
フェニル・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスル
ホニウムピレンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェ
ニル・ビフェニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、フェニル・ビフェニレンスルホニウムベンゼンス
ルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、フェニル・ビフェニレンス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・ビフ
ェニレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル
・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−
フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、（４−フェニルチ
オフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、（４−フェニルチオフェニ
ル）・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、（４−フェニル
チオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエン
スルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェ
ニルスルホニウムベンゼンスルホネート、（４−フェニ
ルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム１０−カン
ファースルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・
ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４
−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４−フ
ェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００６０】４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（トリフルオロメタンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４，４’
−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ
（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビ
ス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｐ
−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニ
ルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジ（パーフルオロベンゼンスルホ
ネート）、

【００６１】４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−メトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシ−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−ｎ−プロポキシ−１−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メ
トキシメトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシメ
トキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−（１’−メトキシエ
トキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−（２’−メトキシ
エトキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシカルボ
ニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシカルボ
ニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｉ−プロ
ポキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｎ
−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−（２’−テトラヒドロピラニルオ
キシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−ベンジルオキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、１−（ナフチルアセトメチル）テト
ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト等を挙げることができる。

【００６２】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイ
ントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタ
ンスルホネート）、ピロガロールトリス（ノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート）、ピロガロールトリス（メ
タンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエ
トキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロー
ルベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ
−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイント
リフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾ
インｎ−ドデカンスルホネート等を挙げることができ
る。 スルホンイミド化合物：スルホンイミド化合物として
は、例えば、下記式（８）

【００６３】

【化１９】 〔式（８）において、Ｒ³ は直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基等
の２価の基を示し、Ｒ⁴ は直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、アリール基、直鎖状、分岐状もしくは環
状のハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基
等の１価の基を示す。〕

【００６４】で表される化合物を挙げることができる。
スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファース
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンフ
ァースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カ
ンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファ
ースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミ
ド、

【００６５】Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジ
フェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、

【００６６】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（４ートリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
ナフチルイミド、

【００６７】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１−ナフタレ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナ
フタレンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド、

【００６８】Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニ
ルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレ
イミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカ
ルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ベンゼ
ンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ベンゼン
スルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ベンゼンスル
ホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ベンゼン
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼン
スルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド等を挙げることができる。 ジスルホニルジアゾメタン化合物：ジスルホニルジア
ゾメタン化合物としては、例えば、下記式（９）

【００６９】

【化２０】 〔式（９）において、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は相互に独立に直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、アリール基、
直鎖状、分岐状もしくは環状のハロゲン置換アルキル
基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。）で
表される化合物を挙げることができる。

【００７０】ジスルホニルジアゾメタン化合物の具体例
としては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，
４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチ
ルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、シクロヘキシルスルホニルｐ−トルエンスルホニル
ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル１−
（１',１’−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサスピ
ロ [５．５] ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（１，４−ジオキサスピロ [４．５] デカン−
７−スルホニル）ジアゾメタン等を挙げることができ
る。 ジスルホニルメタン化合物：ジスルホニルメタン化合
物としては、例えば、下記式（１０）

【００７１】

【化２１】

【００７２】〔式（１０）において、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は
相互に独立に１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化
水素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基
またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、Ｖ
およびＷは相互に独立にアリール基、水素原子、１価の
直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素基またはヘテロ
原子を有する１価の他の有機基を示し、かつＶおよびＷ
の少なくとも一方がアリール基であるか、あるいはＶと
Ｗが相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有す
る単環または多環を形成しているか、あるいはＶとＷが
相互に連結して下記式

【００７３】

【化２２】

【００７４】（但し、Ｖ’およびＷ’は相互に独立に水
素原子、ハロゲン原子、直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル
基を示すか、あるいは同一のもしくは異なる炭素原子に
結合したＶ’とＷ’が相互に連結して炭素単環構造を形
成しており、複数存在するＶ’およびＷ’は相互に同一
でも異なってもよく、ｎは２〜１０の整数である。）で
表される基を形成している。〕で表される化合物を挙げ
ることができる。

【００７５】これらの（Ｂ）酸発生剤のうち、オニウ
ム塩、スルホンイミド化合物、ジスルホニルメタン
化合物等が好ましく、特に、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、Ｎ−（トリフルオ
ロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ビス
（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−７−スル
ホニル）ジアゾメタン等が好ましい。前記（Ｂ）酸発生
剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することが
できる。本発明において、（Ｂ）酸発生剤の使用量は、
（Ａ）重合体１００重量部当り、通常、０．１〜２０重
量部、好ましくは０．５〜１５重量部である。

【００７６】酸拡散制御剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光により（Ｂ）
酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における拡散現
象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑
制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ま
しい。このような酸拡散制御剤を使用することにより、
組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとして解像
度がより向上するとともに、ＰＥＤの変動によるレジス
トパターンの線幅変化をさらに抑えることができ、プロ
セス安定性に極めて優れたものとなる。酸拡散制御剤と
しては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処
理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好まし
い。このような含窒素有機化合物としては、例えば、下
記式（１１）

【００７７】

【化２３】

【００７８】〔式（１１）において、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰および
Ｒ¹¹は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
し、これらの基は例えば水酸基等の官能基により置換さ
れていてもよい。〕で表される化合物（以下、「含窒素
化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２
個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（I
I）」という。）、窒素原子を３個以上有するポリアミ
ノ重合体（以下、「含窒素化合物（III)」という。）、
アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合
物等を挙げることができる。

【００７９】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類；ジ−ｎ−ブ
チルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシ
ルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチル
アミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミ
ン、メチル・シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシル
アミン等のジアルキルアミン類；トリエチルアミン、ト
リ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ト
リ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、
トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミ
ン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミ
ン、ジメチル・シクロヘキシルアミン、メチル・ジシク
ロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ
アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−
メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニ
リン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナ
フチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができ
る。含窒素化合物（II）としては、例えば、エチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ'−テトラメチルエチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシ
プロピル）エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジ
アミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４’−アミノ
フェニル）プロパン、２−（３’−アミノフェニル）−
２−（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（４’−
アミノフェニル）−２−（３’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１’
−（４^''−アミノフェニル）−１^' −メチルエチル］ベ
ンゼン、１，３−ビス［１^'−（４^''−アミノフェニ
ル）−１^' −メチルエチル］ベンゼン、ビス（２−ジメ
チルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミ
ノエチル）エーテル等を挙げることができる。

【００８０】含窒素化合物（III)としては、例えば、ポ
リエチレンイミン、ポリアリルアミン、Ｎ−２−ジメチ
ルアミノエチルアクリルアミドの（共）重合体等を挙げ
ることができる。前記アミド基含有化合物としては、例
えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオ
ンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロ
リドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物とし
ては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチル
ウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テ
トラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−
ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含
窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベ
ンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチ
ル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイ
ミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチル
ピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、
４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェ
ニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、
２，２':６',２''−ターピリジン、ニコチン、ニコチン
酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリ
ン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラ
ゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジ
ン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、
ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジ
アザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることが
できる。

【００８１】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（Ｉ）、含窒素化合物（II）、含窒素複素環化合
物等が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。酸拡散制御剤
の配合量は、（Ａ）重合体１００重量部当り、通常、１
５重量部以下、好ましくは０．００１〜１０重量部、さ
らに好ましくは０．００５〜５重量部である。この場
合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量部を超えると、レ
ジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向が
ある。なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１重量部
未満であると、プロセス条件によっては、レジストとし
てのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがあ
る。

【００８２】他の添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、組成物の塗布性や
ストリエーション、レジストとしての現像性等を改良す
る作用を示す界面活性剤を配合することができる。この
ような界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンｎ−オクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチ
レンｎ−ノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリ
コールジラウレート、ポリエチレングリコールジステア
レート等を挙げることができ、また市販品としては、例
えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，ＥＦ３５２
（トーケムプロダクツ社製）、メガファックス Ｆ１７
１、Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロ
ラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、ＫＰ
３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７
５、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）等を挙げること
ができる。前記界面活性剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。界面活性剤の配合量
は、（Ａ）重合体１００重量部当り、通常、２重量部以
下である。また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、
放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを
（Ｂ）酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加
させる作用を示し、レジストの見掛けの感度を向上させ
る効果を有する増感剤を配合することができる。好まし
い増感剤の例としては、ベンゾフェノン類、ローズベン
ガル類、アントラセン類等を挙げることができる。増感
剤の配合量は、（Ａ）重合体１００重量部当り、通常、
５０重量部以下である。また、染料および／または顔料
を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、
露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配
合することにより、基板との接着性を改善することがで
きる。さらに、前記以外の添加剤として、４−ヒドロキ
シ−４’−メチルカルコン等のハレーション防止剤や、
形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することもで
きる。

【００８３】溶剤 本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
全固形分の濃度が、通常、１〜５０重量％、好ましくは
５〜４０重量％になるように、溶剤に均一に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことにより、組成物溶液として調製される。前記組成物
溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等
のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコー
ルモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレングリコール
モノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチ
ルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、
プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロ
ピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレ
ングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等の
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸
ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸ｎ−アミル、ぎ
酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ
−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ
−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン酸ｉ−プロピ
ル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−ブチル
等の脂肪族カルボン酸エステル類；

【００８４】ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−
メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸
エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキ
シプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチ
ル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブ
チルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセ
テート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、アセ
ト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、
ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、２−
ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘ
プタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケト
ン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ
−ブチロラクン等のラクトン類等を挙げることができ
る。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して
使用することができる。

【００８５】レジストパターンの形成 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述したようにして調製された組成物
溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗
布手段によって、例えば、シリコンウェハー、アルミニ
ウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することに
より、レジスト被膜を形成し、場合により予め７０℃〜
１６０℃程度の温度で加熱処理（以下、「ＰＢ」とい
う。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露
光する。露光に使用される放射線としては、（Ｂ）酸発
生剤の種類に応じて、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー
（波長１９３ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）等で代表される遠紫外線、電子線等
の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線等を適宜
選択して使用する。また、露光量等の露光条件は、感放
射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じ
て、適宜選定される。本発明においては、高精度の微細
パターンを安定して形成するために、露光後に、７０〜
１６０℃の温度で３０秒以上加熱処理（以下、「ＰＥ
Ｂ」という。）を行なうことが好ましい。この場合、Ｐ
ＥＢの温度が７０℃未満では、基板の種類による感度の
ばらつきが広くなるおそれがある。

【００８６】その後、アルカリ現像液に用い、通常、１
０〜５０℃で１０〜２００秒、好ましくは１５〜３０℃
で１５〜１００秒、さらに好ましくは２０〜２５℃で１
５〜９０秒の条件で現像することにより、所定のレジス
トパターンを形成させる。前記アルカリ現像液として
は、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モ
ノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類、モノ−、
ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類、複素環式ア
ミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、
コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７
−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．
０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の１種以上を、
通常、１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％、さら
に好ましくは１〜３重量％の濃度となるよう溶解したア
ルカリ性水溶液が使用される。また、前記アルカリ性水
溶液からなる現像液には、例えばメタノール、エタノー
ル等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加すること
もできる。なお、アルカリ現像液による現像後は、通
常、水洗して乾燥する。レジストパターンの形成に際し
ては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き
出すため、予め基板上に有機系あるいは無機系の反射防
止膜を形成しておくことができ、また環境雰囲気中に含
まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジスト
被膜上に保護膜を設けることができ、あるいはこれらの
技術を併用することもできる。

【００８７】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。

【実施例】合成例１ 容量１リットルの三ツ口フラスコに、トリ−ｎ−ブチル
ホスフィン４７ｇ（０．２３モル）およびテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）９０ミリリットルを加えて、窒素気流
下、室温で攪拌しながら、ｔ−ブチルブロモアセテート
４４．８ｇ（０．２３モル）を滴下して、１２時間攪拌
した。その後、反応容器を氷冷し、ＴＨＦ１００ミリリ
ットルに溶解したｔ−ブトキシカリウム３０ｇ（０．２
７モル）を滴下して、４５分間攪拌したのち、反応溶液
を常温に戻して、２，４，６−トリス（３’，５’−ジ
−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンジル）メシチレン
（重合禁止剤）０．５ｇを添加した。その後、ｐ−クロ
ロメシチレン４０ｇ（０．２６モル）を滴下し、４０℃
で１２時間攪拌したのち、１０重量％炭酸カリウム水溶
液１４０ｇを添加し、４０℃で８時間攪拌して加水分解
を行った。その後、反応溶液中のＴＨＦを減圧留去し
て、反応生成物をｎ−ヘキサンで抽出したのち、飽和食
塩水で洗浄し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーによって精製して、前記式（２−１）で表される化
合物のうち、Ｒ² が水素原子で２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルエチル基の結合位置がｐ−位の化合物（４−ビニル
フェニルプロピオン酸ｔ−ブチル）３８ｇ（収率７１
％）を得た。

【００８８】合成例２ （ａ）４−ビニルフェニルプロピオン酸の合成 容量１リットルの三ツ口フラスコに、４−ビニルフェニ
ルプロピオン酸エチル２０ｇ（０．１モル）を加えて、
ＴＨＦ１００ミリリットルを加えてよく溶解させたの
ち、２，４，６−トリス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル
−４’−ヒドロキシベンジル）メシチレン（重合禁止
剤）０．３ｇを添加した。その後、室温で攪拌しなが
ら、１．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００ミリリット
ルを滴下し、５０℃で１．５時間攪拌した。その後、反
応溶液中のＴＨＦを減圧留去して、反応生成物をｎ−ヘ
キサン１００ミリリットルで２回抽出したのち、攪拌し
ながら３７重量％濃塩酸１５ミリリットルを滴下して、
白色沈殿物を得た。その後、この沈殿物をろ別して、冷
水で充分に洗浄したのち、５０℃で１２時間真空乾燥し
て、４−ビニルフェニルプロピオン酸１２ｇ（収率６８
％）を得た。

【００８９】（ｂ）４−ビニルフェニルプロピオン酸
２’−テトラヒドロピラニルの合成 冷却管を装着した容量２００ミリリットルの三ツ口フラ
スコに、（ａ）で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸
１７．６ｇ（０．１モル）、２，４，６−トリス
（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベン
ジル）メシチレン（重合禁止剤）０．５ｇおよび３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン２０ミリリットルを加え、６
０℃で１０時間攪拌した。その後、反応溶液を室温に戻
し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製
して、上記式（２−17）で表される化合物のうち、Ｒ²
が水素原子で２−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ
カルボニル）エチル基の結合位置がｐ−位の化合物（４
−ビニルフェニルプロピオン酸２’−テトラヒドロピラ
ニル）１４ｇ（収率５４％）を得た。

【００９０】実施例１ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例１で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ
−ブチル１５ｇ、１−アクリロイルオキシ−３−ヒドロ
キシアダマンタン１５ｇ、ｐ−アセトキシスチレン２０
ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン０．３４ｇ、アゾビスイ
ソブチロニトリル１．６８ｇおよびプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル５０ｇを加えて、窒素気流下、７
５℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶液を冷却し
て大量のメタノール中に注ぎ、沈殿した重合体をデカン
テーションにより分離したのち、トリエチルアミン１５
ｇを添加して反応させて、ｐ−アセトキシスチレン単位
中のアセトキシ基を加水分解した。得られた重合体の組
成は、４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ−ブチル／１
−アクリロイルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン／
ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（共重合重量比＝３０
／３０／４０）であり、Ｍｗが１４，０００で、収率７
０％であった。この重合体を、重合体（Ａ−１）とす
る。

【００９１】実施例２ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例１で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ
−ブチル１５ｇ、１−アクリロイルオキシ−３−ヒドロ
キシアダマンタン１５ｇ、合成例２（ａ）で得た４−ビ
ニルフェニルプロピオン酸２０ｇ、ｔ−ドデシルメルカ
プタン０．３２ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．６
１ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル５
０ｇを加えて、窒素気流下、７５℃で７時間重合した。
重合終了後、反応溶液を冷却して大量のメタノール中に
注ぎ、沈殿した重合体をデカンテーションにより分離し
た。得られた重合体の組成は、４−ビニルフェニルプロ
ピオン酸ｔ−ブチル／１−アクリロイルオキシ−３−ヒ
ドロキシアダマンタン／４−ビニルフェニルプロピオン
酸共重合体（共重合重量比＝３０／３０／４０）であ
り、Ｍｗが１４，０００で、収率７８％であった。この
重合体を、重合体（Ａ−２）とする。

【００９２】実施例３ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例１で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ
−ブチル２０ｇ、３−アクリロイルオキシメチル−８−
ヒドロキシテトラシクロドデカン１０ｇ、ｐ−アセトキ
シスチレン２０ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン０．３２
ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．６２ｇおよびプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル５０ｇを加えて、
窒素気流下、７５℃で７時間重合した。重合終了後、反
応溶液を冷却して大量のメタノール中に注ぎ、沈殿した
重合体をデカンテーションにより分離したのち、トリエ
チルアミン１５ｇを添加して反応させて、ｐ−アセトキ
シスチレン単位中のアセトキシ基を加水分解した。得ら
れた重合体の組成は、４−ビニルフェニルプロピオン酸
ｔ−ブチル／３−アクリロイルオキシメチル−８−ヒド
ロキシテトラシクロドデカン／ｐ−ヒドロキシスチレン
共重合体（共重合重量比＝４０／２０／４０）であり、
Ｍｗが１４，０００で、収率６８％であった。この重合
体を、重合体（Ａ−３）とする。

【００９３】実施例４ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例２（ｂ）で得た４−ビニルフェニルプロピオ
ン酸２’−テトラヒドロピラニル１５ｇ、１−アクリロ
イルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン１５ｇ、ｐ−
アセトキシスチレン２０ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン
０．３３ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．６３ｇお
よびプロピレングリコールモノメチルエーテル５０ｇを
加えて、窒素気流下、７５℃で７時間重合した。重合終
了後、反応溶液を冷却して大量のメタノール中に注ぎ、
沈殿した重合体をデカンテーションにより分離したの
ち、トリエチルアミン１５ｇを添加して反応させて、ｐ
−アセトキシスチレン単位中のアセトキシ基を加水分解
した。得られた重合体の組成は、４−ビニルフェニルプ
ロピオン酸２’−テトラヒドロピラニル／１−アクリロ
イルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン／ｐ−ヒドロ
キシスチレン共重合体（共重合重量比＝３０／３０／４
０）であり、Ｍｗが１４，０００で、収率７２％であっ
た。この重合体を、重合体（Ａ−４）とする。

【００９４】実施例５ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例２（ｂ）で得た４−ビニルフェニルプロピオ
ン酸２’−テトラヒドロピラニル１５ｇ、１−アクリロ
イルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン１５ｇ、合成
例２（ａ）で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸２０
ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン０．３１ｇ、アゾビスイ
ソブチロニトリル１．５７ｇおよびプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル５０ｇを加えて、窒素気流下、７
５℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶液を冷却し
て大量のメタノール中に注ぎ、沈殿した重合体をデカン
テーションにより分離した。得られた重合体の組成は、
４−ビニルフェニルプロピオン酸２’−テトラヒドロピ
ラニル／１−アクリロイルオキシ−３−ヒドロキシアダ
マンタン／４−ビニルフェニルプロピオン酸共重合体
（共重合重量比＝３０／３０／４０）であり、Ｍｗが１
４，０００で、収率８０％であった。この重合体を、重
合体（Ａ−５）とする。

【００９５】実施例６ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例２（ｂ）で得た４−ビニルフェニルプロピオ
ン酸２’−テトラヒドロピラニル２０ｇ、３−アクリロ
イルオキシメチル−８−ヒドロキシテトラシクロドデカ
ン１０ｇ、ｐ−アセトキシスチレン２０ｇ、ｔ−ドデシ
ルメルカプタン０．３１ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル１．５６ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル５０ｇを加えて、窒素気流下、７５℃で７時間重
合した。重合終了後、反応溶液を冷却して大量のメタノ
ール中に注ぎ、沈殿した重合体をデカンテーションによ
り分離したのち、トリエチルアミン１５ｇを添加して反
応させて、ｐ−アセトキシスチレン単位中のアセトキシ
基を加水分解した。得られた重合体の組成は、４−ビニ
ルフェニルプロピオン酸２’−テトラヒドロピラニル／
３−アクリロイルオキシメチル−８−ヒドロキシテトラ
シクロドデカン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（共
重合重量比＝４０／２０／４０）であり、Ｍｗが１４，
０００で、収率６７％であった。この重合体を、重合体
（Ａ−６）とする。

【００９６】実施例７ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例１で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ
−ブチル１２．５ｇ、１−アクリロイルオキシ−３−ヒ
ドロキシアダマンタン１２．５ｇ、合成例２（ａ）で得
た４−ビニルフェニルプロピオン酸２２．５ｇ、２，５
−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジアクリレート
２．５ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン０．９７ｇ、アゾ
ビスイソブチロニトリル１．６２ｇおよびプロピレング
リコールモノメチルエーテル６０ｇを加えて、窒素気流
下、７５℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶液を
冷却して大量のメタノール中に注ぎ、沈殿した重合体を
デカンテーションにより分離した。得られた重合体の組
成は、４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ−ブチル／１
−アクリロイルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン／
４−ビニルフェニルプロピオン酸／２，５−ジメチル−
２，５−ヘキサンジオールジアクリレート共重合体（共
重合重量比＝２５／２５／４５／５）であり、Ｍｗが３
０，０００で、収率８１％であった。この重合体を、重
合体（Ａ−７）とする。

【００９７】実施例８ 窒素置換した容量３００ミリリットルのナスフラスコ
に、合成例１で得た４−ビニルフェニルプロピオン酸ｔ
−ブチル１２．５ｇ、１−アクリロイルオキシ−３−ヒ
ドロキシアダマンタン１２．５ｇ、合成例２（ａ）で得
た４−ビニルフェニルプロピオン酸２２．５ｇ、トリシ
クロデカンジメタノールジアクリレート２．５ｇ、ｔ−
ドデシルメルカプタン０．９７ｇ、アゾビスイソブチロ
ニトリル１．６１ｇおよびプロピレングリコールモノメ
チルエーテル６０ｇを加えて、窒素気流下、７５℃で７
時間重合した。重合終了後、反応溶液を冷却して大量の
メタノール中に注ぎ、沈殿した重合体をデカンテーショ
ンにより分離した。得られた重合体の組成は、４−ビニ
ルフェニルプロピオン酸ｔ−ブチル／１−アクリロイル
オキシ−３−ヒドロキシアダマンタン／４−ビニルフェ
ニルプロピオン酸／トリシクロデカンジメタノールジア
クリレート２．５ｇ共重合体（共重合重量比＝２５／２
５／４５／５）であり、Ｍｗが３０，０００で、収率７
８％であった。この重合体を、重合体（Ａ−８）とす
る。

【００９８】実施例９〜１８、比較例１ 表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのテフロン
（登録商標）製メンブレンフィルターでろ過して、組成
物溶液を調製した。次いで、各組成物溶液を、シリコン
ウエハー上に回転塗布したのち、表２に示す温度と時間
にてＰＢを行って、膜厚０．５μｍのレジスト被膜を形
成した。その後、このレジスト被膜に、（株）ニコン製
ＫｒＦエキシマレーザーステッパー（商品名ＮＳＲ−２
２０５ ＥＸ１２Ａ、開口数０．５５）を用いて、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）をマスクパター
ンを介し、露光量を変えて露光した。また一部の実施例
では、ＫｒＦエキシマレーザーに替えて、簡易型の電子
線直描装置（加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて、電子線を
マスクパターンを介し、露光量を変えて露光した。露光
後、表２に示す温度と時間にてＰＥＢを行った。その
後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用
いて現像したのち、水で３０秒間洗浄し、乾燥して、レ
ジストパターンを形成した。各実施例および比較例の評
価結果を、表３に示す。

【００９９】ここで、Ｍｗの測定および各レジストの評
価は、下記の要領で実施した。Ｍｗ 東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ ２
本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ １本）
を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラ
ヒドロフラン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロ
マトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。感度 設計線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、１対１の線幅に形成
する露光量を最適露光量とし、この最適露光量で評価し
た。解像度 設計線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、最適露光量で露光し
たときに解像されるレジストパターンの最小寸法を解像
度とした。放射線透過率 組成物溶液を円形石英版にスピンコートしたのち、ＰＢ
を行って形成したレジスト被膜の波長２４８ｎｍにおけ
る透過率を、紫外線吸光度法により測定した。このとき
のレジスト被膜の膜厚を蝕進式膜厚測定装置により測定
し、測定された透過率を膜厚５０μｍに規格化して、放
射線透過率とした。ＰＥＤ安定性 露光直後にＰＥＢを行って現像した場合の最適露光量で
露光した試料を、雰囲気中のアンモニア濃度を５ｐｐｂ
に制御したチャンバー内に２時間引き置いたのち、ＰＥ
Ｂを行い、現像して、設計線幅０．２２μｍのライン・
アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形成したと
き、パターン上部の線幅（Ｌtop)を走査型電子顕微鏡に
て測定して、下記基準で評価した。 ０．２２×０．８５＜Ｌtop ＜０．２２×１．１：良好 ０．２２×０．８５≧Ｌtop ：細り不良 ０．２２×１．１ ≦Ｌtop ：太り不良

【０１００】各実施例および比較例で用いた重合体（Ａ
−１）〜（Ａ−７）以外の各成分は、下記の通りであ
る。他の重合体 ａ−１：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル
酸ｔ−ブチル共重合体（共重合重量比＝６０／２０／２
０、Ｍｗ＝１４，０００）（Ｂ）酸発生剤 Ｂ−１：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート Ｂ−２：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシイミド Ｂ−３：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
１０−カンファースルホネート Ｂ−４：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Ｂ−５：ビス（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカ
ン−７−スルホニル）ジアゾメタン酸拡散制御剤 Ｃ−１：Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロキ
シプロピル）エチレンジアミン Ｃ−２：２−フェニルベンズイミダゾール Ｃ−３：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｃ−４：２，２':６',２''−ターピリジン Ｃ−５：４−フェニルピリジン溶剤 Ｄ−１：乳酸エチル Ｄ−２：３−エトキシプロピン酸エチル Ｄ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート Ｄ−４：２−ヘプタノン

【０１０１】

【表１】

【０１０２】

【表２】

【０１０３】

【表３】

【０１０４】

【発明の効果】本発明の前記式（１）で表される繰返し
単位を必須単位とする重合体は、放射線に対する吸収が
極めて小さく、特に化学増幅型レジストに好適な感放射
線性樹脂組成物における樹脂成分として有用である。ま
た、当該重合体を含有する本発明の感放射線性樹脂組成
物は、レジスト被膜の上部と下部との実効露光量の差を
低減できて、微細なパターンサイズにおいてもパターン
の矩形性を確保でき、かつＫｒＦエキシマレーザーある
いはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線、
電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線
の如き各種の放射線に対して高感度（低露光エネルギー
量）であり、しかもＰＥＤの変動によりパターンが線幅
の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、
かつ解像性能にも優れている。したがって、本発明の感
放射線性樹脂組成物は、特に、今後更に微細化が進行す
ると予想される半導体デバイスを製造するための化学増
幅型レジストとして極めて好適に使用することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 英一 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 塩谷 健夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J002 BC121 EB106 EV216 EV246 EV266 FD146 FD206 GP03 4J100 AB07P BA02P BA04P BA15P BC04P BC43P BC53P CA01 CA04 JA37

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１）で表される繰返し単位を必
   須単位とし、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
   （ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量が
   １，０００〜５００，０００である重合体。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は酸の存在下で解離して酸性
   官能基を生じる炭素数２０以下の酸性解離性有機基を示
   し、Ｒ² は水素原子またはメチル基を示す。〕
2. 【請求項２】 （Ａ）請求項１記載の重合体、並びに
   （Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
   感放射線性樹脂組成物。