JP2002018713A - 研磨布のドレッシング方法 - Google Patents
研磨布のドレッシング方法Info
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】粗研磨化合物半導体ウエハのメカノケミカル研
磨に供した研磨布の多孔質層内に凝集、付着している研
磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗
研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果的に除
去することができ、それにより研磨布の使用寿命の延
長、鏡面研磨化合物半導体ウエハの品質及び生産性を顕
著に向上することができる研磨布のドレッシング方法を
提供すること。 【解決手段】研磨布を貼った定盤を一定方向に回転させ
ておき、且つその状態で前記研磨布全体上に純水を供給
しながらブラシを押し付けて表面を擦った後、前記研磨
布の表面を吸引ノズルにより吸引することを特徴とする
研磨布のドレッシング方法にある。
磨に供した研磨布の多孔質層内に凝集、付着している研
磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗
研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果的に除
去することができ、それにより研磨布の使用寿命の延
長、鏡面研磨化合物半導体ウエハの品質及び生産性を顕
著に向上することができる研磨布のドレッシング方法を
提供すること。 【解決手段】研磨布を貼った定盤を一定方向に回転させ
ておき、且つその状態で前記研磨布全体上に純水を供給
しながらブラシを押し付けて表面を擦った後、前記研磨
布の表面を吸引ノズルにより吸引することを特徴とする
研磨布のドレッシング方法にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨布のドレッシン
グ方法に関するものである。更に詳述すれば本発明は鏡
面研磨装置により粗研磨半導体ウエハをメカノケミカル
研磨したときに用いた研磨布のドレッシング方法に関す
るものである。
グ方法に関するものである。更に詳述すれば本発明は鏡
面研磨装置により粗研磨半導体ウエハをメカノケミカル
研磨したときに用いた研磨布のドレッシング方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体ウエハはショットキーゲー
ト電界トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トラン
ジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）、種々な受発光デバイス等の半導体デバイ
スのベースウエハ材として広く用いられている。
ト電界トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トラン
ジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）、種々な受発光デバイス等の半導体デバイ
スのベースウエハ材として広く用いられている。
【０００３】これらの半導体デバイスの能動層は鏡面研
磨化合物半導体ウエハの表面上に分子線エピタキシャル
成長（ＭＢＥ法）、有機金属気層エピタキシャル成長
（ＭＯＶＰＥ法）等により作成される。
磨化合物半導体ウエハの表面上に分子線エピタキシャル
成長（ＭＢＥ法）、有機金属気層エピタキシャル成長
（ＭＯＶＰＥ法）等により作成される。
【０００４】一般に、鏡面研磨化合物半導体ウエハの製
造手順は次のように行われている。
造手順は次のように行われている。
【０００５】 化合物半導体単結晶体インゴットの製
造 まず、化合物半導体単結晶体インゴットを製造する。
造 まず、化合物半導体単結晶体インゴットを製造する。
【０００６】 化合物半導体単結晶体インゴットのス
ライス作業 次に、上記で得られた化合物半導体単結晶体インゴッ
トをスライス装置に装着し、スライスすることによりス
ライス化合物半導体ウエハとする。
ライス作業 次に、上記で得られた化合物半導体単結晶体インゴッ
トをスライス装置に装着し、スライスすることによりス
ライス化合物半導体ウエハとする。
【０００７】 スライス化合物半導体ウエハの粗研磨 次に、上記で得られたスライス化合物半導体ウエハを
粗研磨装置に装着し、それから＃８００〜＃３０００の
アルミナ砥粒を用いて粗研磨することにより粗研磨化合
物半導体ウエハとする。
粗研磨装置に装着し、それから＃８００〜＃３０００の
アルミナ砥粒を用いて粗研磨することにより粗研磨化合
物半導体ウエハとする。
【０００８】ここで得られた粗研磨化合物半導体ウエハ
は平坦性が高められている。
は平坦性が高められている。
【０００９】 粗研磨化合物半導体ウエハの鏡面研磨 次に、表面平坦度を高精度に仕上げられた貼付ブレード
を用意し、それを鏡面研磨装置に装着する。
を用意し、それを鏡面研磨装置に装着する。
【００１０】次に、その貼付ブレード上に上記で得ら
れた粗研磨化合物半導体ウエハをワックス等を用いて貼
り付ける。
れた粗研磨化合物半導体ウエハをワックス等を用いて貼
り付ける。
【００１１】次に、この貼付ブレード上に貼り付けた粗
研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカル研磨し、鏡面
研磨化合物半導体ウエハとする。
研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカル研磨し、鏡面
研磨化合物半導体ウエハとする。
【００１２】ここにおいてメカノケミカル研磨には次の
ようなものを用いる。
ようなものを用いる。
【００１３】ａ．研磨液…次亜塩素酸系水溶液、臭素〜
メタノール溶液、コロイダルシリカ ｂ．研磨布…表面に多孔質層を有する研磨布 鏡面研磨化合物半導体ウエハの脱脂、洗浄 次に、上記で得られた鏡面研磨化合物半導体ウエハは
脱脂処理、洗浄処理、極く僅かなエッチング作用を有す
るエッチング洗浄液によるエッチング洗浄、超純水によ
る超純水洗浄を順次行う。
メタノール溶液、コロイダルシリカ ｂ．研磨布…表面に多孔質層を有する研磨布 鏡面研磨化合物半導体ウエハの脱脂、洗浄 次に、上記で得られた鏡面研磨化合物半導体ウエハは
脱脂処理、洗浄処理、極く僅かなエッチング作用を有す
るエッチング洗浄液によるエッチング洗浄、超純水によ
る超純水洗浄を順次行う。
【００１４】 超純水洗浄化合物半導体ウエハの乾燥 次に、上記で得られた超純水洗浄化合物半導体ウエハ
をイソプロピルアルコール蒸気乾燥装置内又はスピン乾
燥装置内へ装着する。
をイソプロピルアルコール蒸気乾燥装置内又はスピン乾
燥装置内へ装着する。
【００１５】次に、これらの乾燥装置にて所定時間乾燥
することにより鏡面研磨化合物半導体ウエハの乾燥完成
品となる。
することにより鏡面研磨化合物半導体ウエハの乾燥完成
品となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】さて、鏡面研磨装置に
より多数枚の粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカ
ル研磨作業したときにその鏡面研磨装置の研磨布には研
磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗
研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等が凝集、付着
し、その結果研磨布の多孔質層は目詰まりを起すことに
なる。
より多数枚の粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカ
ル研磨作業したときにその鏡面研磨装置の研磨布には研
磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗
研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等が凝集、付着
し、その結果研磨布の多孔質層は目詰まりを起すことに
なる。
【００１７】このように多孔質層内に研磨剤、粗研磨化
合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導
体ウエハとの反応生成物等が多数凝集、付着した研磨布
を用いて粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカル研
磨作業を継続したときには、その鏡面研磨により得られ
た化合物半導体ウエハの表面に研磨傷不良（以下、スク
ラッチ不良という）が多発することになる。
合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導
体ウエハとの反応生成物等が多数凝集、付着した研磨布
を用いて粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカル研
磨作業を継続したときには、その鏡面研磨により得られ
た化合物半導体ウエハの表面に研磨傷不良（以下、スク
ラッチ不良という）が多発することになる。
【００１８】そこで、このようなスクラッチ不良を無く
すために研磨布は一定時間使用したらドレッシンクする
ようになっている。
すために研磨布は一定時間使用したらドレッシンクする
ようになっている。
【００１９】従来のドレッシンク方法は、まず研磨布を
貼った定盤を一定方向に回転させておき、その状態で研
磨布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表
面を擦る。このブラシの擦りにより研磨布の多孔質層内
に凝集、付着している研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエ
ハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導体ウエハとの反
応生成物等は掻き出される。
貼った定盤を一定方向に回転させておき、その状態で研
磨布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表
面を擦る。このブラシの擦りにより研磨布の多孔質層内
に凝集、付着している研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエ
ハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導体ウエハとの反
応生成物等は掻き出される。
【００２０】しかし、従来のドレッシッング方法による
ドレッシッングでは、その目詰まりを完全に解消するこ
とができないことが多く、そのため使用中の研磨布を新
品の研磨布に交換する頻度が大きかった。
ドレッシッングでは、その目詰まりを完全に解消するこ
とができないことが多く、そのため使用中の研磨布を新
品の研磨布に交換する頻度が大きかった。
【００２１】本発明はかかる点に立って為されたもので
あって、その目的とするところは前記した従来技術の欠
点を解消し、粗研磨化合物半導体ウエハのメカノケミカ
ル研磨に供した研磨布の多孔質層内に凝集、付着してい
る研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤
と粗研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果的
に除去することができ、それにより研磨布の使用寿命の
延長、鏡面研磨化合物半導体ウエハの品質及び生産性を
顕著に向上することができる研磨布のドレッシング方法
を提供することにある。
あって、その目的とするところは前記した従来技術の欠
点を解消し、粗研磨化合物半導体ウエハのメカノケミカ
ル研磨に供した研磨布の多孔質層内に凝集、付着してい
る研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤
と粗研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果的
に除去することができ、それにより研磨布の使用寿命の
延長、鏡面研磨化合物半導体ウエハの品質及び生産性を
顕著に向上することができる研磨布のドレッシング方法
を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、研磨布を貼った定盤を一定方向に回転させてお
き、且つその状態で前記研磨布全体上に純水を供給しな
がらブラシを押し付けて表面を擦った後、前記研磨布の
表面を吸引ノズルにより吸引することを特徴とする研磨
布のドレッシング方法にある。
ろは、研磨布を貼った定盤を一定方向に回転させてお
き、且つその状態で前記研磨布全体上に純水を供給しな
がらブラシを押し付けて表面を擦った後、前記研磨布の
表面を吸引ノズルにより吸引することを特徴とする研磨
布のドレッシング方法にある。
【００２３】本発明において用いる吸引ノズルとしては
円形吸引ノズル若しくは楕円形吸引ノズルであることが
好ましい。
円形吸引ノズル若しくは楕円形吸引ノズルであることが
好ましい。
【００２４】本発明において用いるブラシとしては非回
転式ブラシであっても、また回転式ブラシであっても構
わない。
転式ブラシであっても、また回転式ブラシであっても構
わない。
【００２５】本発明において吸引ノズルによる吸引は、
吸引ノズルを研磨布の半径方向へ移動することを繰り返
すことによって該研磨布の全面の吸引を行うことが好ま
しい。
吸引ノズルを研磨布の半径方向へ移動することを繰り返
すことによって該研磨布の全面の吸引を行うことが好ま
しい。
【００２６】本発明において研磨布としてはポリウレタ
ン製研磨布であることが好ましい。そしてより好ましい
研磨布としては、スウェードタイプのポリウレタン製研
磨布である。
ン製研磨布であることが好ましい。そしてより好ましい
研磨布としては、スウェードタイプのポリウレタン製研
磨布である。
【００２７】本発明においてドレッシングに供する研磨
布としては、粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカ
ル研磨したものであることが好ましい。その粗研磨化合
物半導体ウエハとしては粗研磨ＧａＡｓウエハ若しくは
粗研磨ＩｎＰウエハであることが好ましい。
布としては、粗研磨化合物半導体ウエハをメカノケミカ
ル研磨したものであることが好ましい。その粗研磨化合
物半導体ウエハとしては粗研磨ＧａＡｓウエハ若しくは
粗研磨ＩｎＰウエハであることが好ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の研磨布のドレッシ
ング方法の一実施例について説明する。
ング方法の一実施例について説明する。
【００２９】研磨布のドレッシング方法の実施例及び従
来のドレッシング方法の比較例に用いる粗研磨化合物半
導体ウエハとして外径φ４″の粗研磨ＧａＡｓウエハを
多数枚用意した。
来のドレッシング方法の比較例に用いる粗研磨化合物半
導体ウエハとして外径φ４″の粗研磨ＧａＡｓウエハを
多数枚用意した。
【００３０】（実施例１） 第１回の「メカノケミカル研磨→ドレッシング」 まず、上記で用意した粗研磨ＧａＡｓウエハより５枚の
粗研磨ＧａＡｓウエハを採取し、これらを鏡面研磨装置
の直径３６０mmの貼付ブレード上にワックスを用いて貼
り付けた。
粗研磨ＧａＡｓウエハを採取し、これらを鏡面研磨装置
の直径３６０mmの貼付ブレード上にワックスを用いて貼
り付けた。
【００３１】次に、これら５枚の粗研磨ＧａＡｓウエハ
を研磨液として次亜塩素酸系水溶液、研磨布として新品
のポリウレタン製研磨布を用いて５分間メカノケミカル
研磨した。
を研磨液として次亜塩素酸系水溶液、研磨布として新品
のポリウレタン製研磨布を用いて５分間メカノケミカル
研磨した。
【００３２】次に、この５分間メカノケミカル研磨して
得られた鏡面研磨ＧａＡｓウエハを脱脂処理、洗浄処
理、エッチング洗浄、超純水洗浄、乾燥処理することに
より、鏡面研磨ＧａＡｓウエハの乾燥完成品を得た。
得られた鏡面研磨ＧａＡｓウエハを脱脂処理、洗浄処
理、エッチング洗浄、超純水洗浄、乾燥処理することに
より、鏡面研磨ＧａＡｓウエハの乾燥完成品を得た。
【００３３】次に、この乾燥完成品の鏡面研磨ＧａＡｓ
ウエハへ集光器により強力光を照射し、それから定法に
よりスクラッチ不良検査を行った。
ウエハへ集光器により強力光を照射し、それから定法に
よりスクラッチ不良検査を行った。
【００３４】次に、鏡面研磨に供した研磨布が貼り付け
られている定盤を一定方向に回転させ、その状態で研磨
布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表面
を擦すった。
られている定盤を一定方向に回転させ、その状態で研磨
布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表面
を擦すった。
【００３５】次に、このドレッシングした研磨布表面に
吸引装置の吸引ノズルを押し付け、それから吸引装置を
稼動させて研磨布表面を強力に吸引することによりドレ
ッシングを完了させた。
吸引装置の吸引ノズルを押し付け、それから吸引装置を
稼動させて研磨布表面を強力に吸引することによりドレ
ッシングを完了させた。
【００３６】 第２回の「メカノケミカル研磨→ドレ
ッシング」 同様にして、第２回の「メカノケミカル研磨→ドレッシ
ング」を行った。
ッシング」 同様にして、第２回の「メカノケミカル研磨→ドレッシ
ング」を行った。
【００３７】 第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研
磨→ドレッシング」 同様にして、第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研磨→
ドレッシング」を行った。
磨→ドレッシング」 同様にして、第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研磨→
ドレッシング」を行った。
【００３８】（比較例１）比較例１はドレッシングを除
いて実施例１と同様である。
いて実施例１と同様である。
【００３９】また、比較例１に用いたポリウレタン製研
磨布は同じロットナンバーのものを用いた。
磨布は同じロットナンバーのものを用いた。
【００４０】まず、上記で用意した粗研磨ＧａＡｓウエ
ハより５枚の粗研磨ＧａＡｓウエハを採取し、これらを
鏡面研磨装置の直径３６０mmの貼付ブレード上にワック
スを用いて貼り付けた。
ハより５枚の粗研磨ＧａＡｓウエハを採取し、これらを
鏡面研磨装置の直径３６０mmの貼付ブレード上にワック
スを用いて貼り付けた。
【００４１】次に、これら５枚の粗研磨ＧａＡｓウエハ
を研磨液として次亜塩素酸系水溶液、研磨布として新品
の研磨布を用いて５分間メカノケミカル研磨した。
を研磨液として次亜塩素酸系水溶液、研磨布として新品
の研磨布を用いて５分間メカノケミカル研磨した。
【００４２】次に、この５分間メカノケミカル研磨して
得られた鏡面研磨ＧａＡｓウエハを脱脂処理、洗浄処
理、エッチング洗浄、超純水洗浄、乾燥処理することに
より、鏡面研磨ＧａＡｓウエハの乾燥完成品を得た。
得られた鏡面研磨ＧａＡｓウエハを脱脂処理、洗浄処
理、エッチング洗浄、超純水洗浄、乾燥処理することに
より、鏡面研磨ＧａＡｓウエハの乾燥完成品を得た。
【００４３】次に、この乾燥完成品の鏡面研磨ＧａＡｓ
ウエハに集光器により強力光を照射し、それから定法に
よりスクラッチ不良検査を行った。
ウエハに集光器により強力光を照射し、それから定法に
よりスクラッチ不良検査を行った。
【００４４】次に、鏡面研磨に供した研磨布が貼り付け
られている定盤を一定方向に回転させ、その状態で研磨
布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表面
を擦すった。
られている定盤を一定方向に回転させ、その状態で研磨
布全体上に純水を供給しながらブラシを押し付けて表面
を擦すった。
【００４５】 第２回の「メカノケミカル研磨→ドレ
ッシング」 同様にして、第２回の「メカノケミカル研磨→ドレッシ
ング」を行った。
ッシング」 同様にして、第２回の「メカノケミカル研磨→ドレッシ
ング」を行った。
【００４６】 第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研
磨→ドレッシング」 同様にして、第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研磨→
ドレッシング」を行った。
磨→ドレッシング」 同様にして、第３回〜第ｎ回の「メカノケミカル研磨→
ドレッシング」を行った。
【００４７】（スクラッチ不良検査結果）図１は鏡面研
磨回数とスクラッチ発生率との関係を示したものであ
る。
磨回数とスクラッチ発生率との関係を示したものであ
る。
【００４８】図１から分かるように３０回以上鏡面研
磨、ドレッシングに供した研磨布では付着している研磨
剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研
磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を完全に除去す
ることができなく、その結果そのドレッシングした研磨
布を用いてメカノケミカル研磨して得られる鏡面研磨Ｇ
ａＡｓウエハの乾燥完成品の表面にはスクラッチ不良が
避けられなかった。特に、従来のドレッシング方法では
３０回以上のとき、その回数増加と共にスクラッチ不良
発生率が急激に増加した。
磨、ドレッシングに供した研磨布では付着している研磨
剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研
磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を完全に除去す
ることができなく、その結果そのドレッシングした研磨
布を用いてメカノケミカル研磨して得られる鏡面研磨Ｇ
ａＡｓウエハの乾燥完成品の表面にはスクラッチ不良が
避けられなかった。特に、従来のドレッシング方法では
３０回以上のとき、その回数増加と共にスクラッチ不良
発生率が急激に増加した。
【００４９】これに対して実施例１の研磨布のドレッシ
ング方法によりドレッシングした研磨布では、付着して
いた研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨
剤と粗研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果
的に除去することができた。それによりメカノケミカル
研磨とドレッシングとを８０回も繰り返した研磨布を用
いてメカノケミカル研磨した鏡面研磨ＧａＡｓウエハの
乾燥完成品の表面スクラッチ不良発生率を極めて小さく
抑えることができた。
ング方法によりドレッシングした研磨布では、付着して
いた研磨剤、粗研磨化合物半導体ウエハの研磨屑、研磨
剤と粗研磨化合物半導体ウエハとの反応生成物等を効果
的に除去することができた。それによりメカノケミカル
研磨とドレッシングとを８０回も繰り返した研磨布を用
いてメカノケミカル研磨した鏡面研磨ＧａＡｓウエハの
乾燥完成品の表面スクラッチ不良発生率を極めて小さく
抑えることができた。
【００５０】これらにより研磨布の使用寿命は顕著に高
まると共に研磨布の交換頻度を大幅に低減することがで
き、更に鏡面研磨ＧａＡｓウエハの品質と生産性も格段
に向上することができた。
まると共に研磨布の交換頻度を大幅に低減することがで
き、更に鏡面研磨ＧａＡｓウエハの品質と生産性も格段
に向上することができた。
【００５１】
【発明の効果】本発明の研磨布のドレッシング方法によ
れば、メカノケミカル研磨で付着した研磨剤、粗研磨化
合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導
体ウエハとの反応生成物等を効果的に除去することがで
き、その結果研磨布の使用寿命を顕著に高めることがで
きると共に研磨布の交換頻度を大幅に低減でき、更に鏡
面研磨ＧａＡｓウエハの品質と生産性も格段に向上する
ことができるものであり、工業上有用である。
れば、メカノケミカル研磨で付着した研磨剤、粗研磨化
合物半導体ウエハの研磨屑、研磨剤と粗研磨化合物半導
体ウエハとの反応生成物等を効果的に除去することがで
き、その結果研磨布の使用寿命を顕著に高めることがで
きると共に研磨布の交換頻度を大幅に低減でき、更に鏡
面研磨ＧａＡｓウエハの品質と生産性も格段に向上する
ことができるものであり、工業上有用である。
【図１】鏡面研磨回数とスクラッチ発生率との関係を示
したものである。
したものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｍ
Claims (10)
- 【請求項１】研磨布を貼った定盤を一定方向に回転させ
ておき、且つその状態で前記研磨布全体上に純水を供給
しながらブラシを押し付けて表面を擦った後、前記研磨
布の表面を吸引ノズルにより吸引することを特徴とする
研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項２】用いる吸引ノズルが、円形吸引ノズルであ
ることを特徴とする請求項１記載の研磨布のドレッシン
グ方法。 - 【請求項３】用いる吸引ノズルが、楕円形吸引ノズルで
あることを特徴とする請求項１記載の研磨布のドレッシ
ング方法。 - 【請求項４】用いるブラシが、非回転式ブラシであるこ
とを特徴とする請求項１記載の研磨布のドレッシング方
法。 - 【請求項５】用いるブラシが、回転式ブラシであること
を特徴とする請求項１記載の研磨布のドレッシング方
法。 - 【請求項６】吸引ノズルによる吸引を、該吸引ノズルを
研磨布の半径方向へ移動しながら行うことを特徴とする
請求項１記載の研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項７】研磨布が、ポリウレタン製研磨布であるこ
とを特徴とする請求項１記載の研磨布のドレッシング方
法。 - 【請求項８】研磨布が、スェードタイプのポリウレタン
製研磨布であることを特徴とする請求項１記載の研磨布
のドレッシング方法。 - 【請求項９】研磨布が、粗研磨化合物半導体ウエハをメ
カノケミカル研磨に供したものであることを特徴とする
請求項１記載の研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項１０】粗研磨化合物半導体ウエハが、粗研磨Ｇ
ａＡｓウエハ若しくは粗研磨ＩｎＰウエハであることを
特徴とする請求項９記載の研磨布のドレッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211956A JP2002018713A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 研磨布のドレッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211956A JP2002018713A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 研磨布のドレッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008088563A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Teijin Cordley Ltd | 研磨布の製造方法 |
| US7570428B2 (en) | 2004-07-07 | 2009-08-04 | Olympus Corporation | Multilayer minus filter and fluorescence microscope |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000211956A patent/JP2002018713A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7570428B2 (en) | 2004-07-07 | 2009-08-04 | Olympus Corporation | Multilayer minus filter and fluorescence microscope |
| JP2008088563A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Teijin Cordley Ltd | 研磨布の製造方法 |
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