JP2002018701A - 基板研磨方法および基板研磨装置 - Google Patents

基板研磨方法および基板研磨装置

Info

Publication number
JP2002018701A
JP2002018701A JP2000210733A JP2000210733A JP2002018701A JP 2002018701 A JP2002018701 A JP 2002018701A JP 2000210733 A JP2000210733 A JP 2000210733A JP 2000210733 A JP2000210733 A JP 2000210733A JP 2002018701 A JP2002018701 A JP 2002018701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
load
polishing
loads
large number
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000210733A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidenori Nakagawa
英則 中川
Junji Takashita
順治 高下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000210733A priority Critical patent/JP2002018701A/ja
Publication of JP2002018701A publication Critical patent/JP2002018701A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板全面を均等に加圧することができるとと
もに研磨進行に伴なって生じる研磨むらに合わせて加圧
力に分布をつけて研磨むらを補正しながら研磨除去する
ことを可能にし、研磨圧力を制御するための特別な駆動
手段を必要とせず、大型化や複雑化することなく基板の
大型化に対応できる。 【解決手段】 基板1と定盤4に貼着された研磨シート
3を加圧しながら相対運動させて、基板1上に生成され
た膜を研磨する際に、基板裏面側の荷重保持部材6に保
持される多数の荷重5によって基板1を加圧する。膜厚
測定機11により測定される基板1の膜厚むらに応じ
て、該膜厚むらを除去することができる荷重分布の配置
を荷重分布演算装置12により算出して決定し、該荷重
分布の配置に基づいて重さの異なる各種の荷重5(5
a、5b…)を組み合わせて荷重保持部材6に配列し、
研磨むらを除去するような研磨圧力として研磨を行な
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスや半導体等
の基板を平坦に研磨する基板研磨方法および基板研磨装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の高集積化の要求が高まる
とともに化学機械研磨(CMP)による平坦化技術が注
目されている。この化学機械研磨(CMP)により、リ
ソグラフィーの原理的な限界点まで広げるために必要な
デバイス表面の平坦化や、多層配線のための埋め込み構
造が可能となる。
【0003】従来の化学機械研磨(CMP)装置は、図
8に図示するように、基板101を着脱自在に保持する
基板保持具102と、研磨シート103を貼り付けた定
盤104と、研磨シート103上に研磨液109を供給
するノズル108を備え、定盤104に貼り付けた研磨
シート103上に基板101を配置し、基板保持具10
2により基板101をその裏面から加圧しつつ基板10
1を回転させるとともに、定盤104を回転軸を介して
回転させ、基板101の被研磨面を研磨シート103に
擦り付け、そして、ノズル108から研磨液109を研
磨シート103上に滴下しつつ化学機械研磨を行なうも
のであり、研磨液の化学的作用と砥粒の物理的作用を利
用して基板上の金属配線上に生成された絶縁膜を平坦化
させている。
【0004】この種の化学機械研磨(CMP)において
は、基板の被研磨面と研磨シートの接触状態がそのまま
研磨量に影響するため、基板の被研磨面を平坦に研磨す
るには基板の被研磨面全面を均一な圧力で研磨シートに
押し付ける必要がある。そのため、基板裏面全面に均一
な接触圧力を得るための手段として種々の工夫がなされ
ている。例えば、特開平09−141550号公報に
は、基板または基板保持部品で密閉されるような圧力容
器を有する研磨ヘッドにより、基板裏面または基板保持
部品を圧力容器内の流体圧で加圧し基板の被研磨面を研
磨シートに均一に押し付ける基板加圧方法が開示されて
いる。
【0005】また、特開平09−260316号公報に
は、基板の被研磨面と研磨シートとの接触圧力を検出し
つつ単一もしくは多数のアクチュエータなどの加圧体の
押し付ける力を研磨圧力が均一になるように制御して基
板を加圧する方法が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開平09−141550号公報に開示された方法で
は、装置に流体をシールする機構や流体の制御手段、流
体供給装置を必要とするなど、装置が複雑となり大型に
なってしまい、また、前述した特開平09−26031
6号公報に開示された方法では、アクチュエータを駆動
させるため、装置が大型となってしまうという問題点が
あり、さらに、基板が大型化すると、基板全面の接触圧
力を制御するためにアクチュエータの数を増やさないと
いけないため、さらに装置が大型となり、基板の大型化
に対応することが難しい。また、加圧体の間隔を小さく
すれば細かい圧力制御が可能となるけれども、加圧体の
数を増やさないといけないため、これも装置を大型化し
てしまう。
【0007】ところで、化学機械研磨(CMP)におい
ては、基板の被研磨面を均一に研磨除去するためには、
基板全面を均一に加圧することが必要であるが、さら
に、基板の被研磨面と研磨シートの接触圧力を均一に維
持して研磨するとしても、研磨が進行すると定盤の平面
度や基板の運動条件などによって研磨むらが生じる場合
があり、このように研磨進行後に被研磨面内に研磨むら
が生じた場合に、研磨むらの形状に合わせて加圧力に分
布をつけ、研磨むらを補正しながら研磨することが必要
になる。
【0008】しかしながら、前述した従来の加圧方法で
は、研磨進行後に研磨除去量にむらが生じた場合に、こ
の研磨むらをなくするようにむら形状に合わせて研磨除
去するような加圧を行なうことができないという問題点
があった。
【0009】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
未解決な課題に鑑みてなされたものであって、従来のよ
うに加圧力を制御するための装置を大型、複雑にするこ
となく、基板の大型化に対応でき、基板の被研磨面全面
を均等に加圧することができるとともに、研磨進行後に
研磨むらが生じても、研磨むらの形状に合わせて加圧力
に分布をつけて研磨むらを補正しながら研磨することが
容易にできる基板研磨方法および基板研磨装置を提供す
ることを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板研磨方法は、研磨シートを貼り付け
た定盤を回転させるとともに、基板をその裏面側から加
圧して研磨シートに押し付けながら回転させて、基板上
に生成された膜を研磨し、基板上の膜を平坦化する基板
研磨方法において、基板の裏面側に所定の間隔をもって
一様に配列される多数の荷重によって基板を加圧するよ
うにし、該多数の荷重は重さの異なる複数種類の荷重の
組み合わせを変えることによって基板を加圧する研磨圧
力に分布をつけることができるように構成されているこ
とを特徴とする。
【0011】本発明の基板研磨方法において、複数種類
の荷重は、それぞれ、基板に比して十分小さい断面形状
を有し、高さを異ならせることによって重さを異にする
ように形成されていることが好ましい。
【0012】本発明の基板研磨方法においては、基板上
に生成された膜の膜厚むらの分布に応じて該膜厚むらを
除去することができる荷重分布を算出して荷重分布の配
置を決定し、算出され決定された荷重分布の配置に基づ
いて重さの異なる各種類の荷重を基板裏面上にそれぞれ
配置することが好ましい。
【0013】本発明の基板研磨方法において、基板裏面
上に配置される荷重は、基板研磨部の外に重さの異なる
種類毎に配列された多数の荷重から、算出され決定され
た荷重分布の配置に基づいて重さの異なる各種類毎に必
要とする位置の荷重を選択的に取り出して搬送され配置
されることが好ましい。
【0014】本発明の基板研磨方法において、基板裏面
上に配置される荷重は、荷重を着脱自在に保持する荷重
保持穴を所定の間隔をもって多数形成した荷重保持部材
により保持されることが好ましい。
【0015】本発明の基板研磨方法においては、基板の
被研磨面を研磨シートに押し付けながら相対的に回転さ
せて研磨する際に研磨シート上に研磨液を供給すること
が好ましい。
【0016】また、本発明の基板研磨装置は、研磨シー
トを貼り付けた定盤を回転させるとともに、基板をその
裏面側から加圧して研磨シートに押し付けながら回転さ
せて、基板上に生成された膜を研磨し、基板上の膜を平
坦化する基板研磨装置において、基板の裏面側に所定の
間隔をもって一様に配列されて基板を個々に加圧する多
数の荷重を備え、該多数の荷重は、重さの異なる複数種
類の荷重の組み合わせを変えることによって基板を加圧
する研磨圧力に分布をつけることができるように構成さ
れていることを特徴とする。
【0017】本発明の基板研磨装置において、複数種類
の荷重は、それぞれ、基板に比して十分小さい断面形状
を有し、高さを異ならせることによって重さを異にする
ように形成されていることが好ましい。
【0018】本発明の基板研磨装置においては、基板上
に生成された膜の膜厚むらを測定する膜厚測定機と、該
膜厚測定機により測定される膜厚むらの分布に応じて該
膜厚むらを除去することができる荷重分布を算出して荷
重分布の配置を決定する荷重分布演算装置と、該荷重分
布演算装置により決定される荷重分布の配置に基づいて
重さの異なる複数種類の荷重毎に必要とする位置の荷重
をそれぞれ選択的に基板裏面上に搬送し配置する荷重ハ
ンドリング装置とを具備することが好ましい。
【0019】本発明の基板研磨装置において、荷重ハン
ドリング装置は、基板の裏面側に所定の間隔をもって一
様に配列される多数の荷重にそれぞれ対応するように設
けられた多数のハンドリング吸着部を有し、該荷重ハン
ドリング装置は、荷重分布演算装置により決定される荷
重分布の配置に基づいて、予め複数の種類毎に配列され
た多数の荷重のうち各種類の荷重の必要とする位置の荷
重を選択的にハンドリング吸着部にて吸着し該荷重を基
板裏面上に搬送して配置することが好ましい。
【0020】本発明の基板研磨装置においては、多数の
荷重を所定の間隔をもって一様に着脱自在に収納保持す
る荷重保持穴を多数形成した荷重保持部材が基板裏面側
に載置されているが好ましく、また、基板を収納しうる
穴を有するリテーナーの上面に荷重保持部材を載置し、
該荷重保持部材に保持される多数の荷重がリテーナーの
穴内に収納される基板に当接して基板を加圧することが
好ましい。
【0021】本発明の基板研磨装置においては、荷重は
基板裏面に接触して加圧する部分が曲面に形成されてい
ることが好ましく、また、荷重と基板との間に板状の弾
性体を介在させることが好ましい。
【0022】
【作用】本発明の基板研磨方法および基板研磨装置によ
れば、被研磨体としての基板の裏面側に配列する多数の
荷重の自重によって、基板を研磨シートに押し付ける研
磨圧力を制御することができ、同一重さの荷重を多数配
列することにより基板全面にわたり均等に加圧すること
ができ、さらに、基板の膜厚むらに応じて荷重分布の配
置を変えることにより、研磨の進行に伴なって生じる研
磨むらに合わせて研磨むらを除去するような研磨圧力を
得ることができ、より平面度の高い研磨面を得ることが
可能となる。
【0023】さらに、基板の研磨むら等の膜厚むらの分
布に応じて該膜厚むらを除去することができる荷重分布
を算出し重さの異なる各種の荷重の組み合わせ配置を決
める荷重分布演算装置と算出され決定された荷重分布の
配置に基づいて重さの異なる複数種類の荷重毎に該当す
る荷重を基板裏面上にそれぞれ選択的に載置する荷重ハ
ンドリング装置により、各種荷重の配置およびその変更
を容易に行なうことができ、研磨途中における基板の研
磨むら等の分布に応じて荷重の組み合わせ配置を適宜変
更することができ、基板の研磨むらを効率よく研磨除去
することを可能にする。
【0024】基板を研磨シートに押し付ける研磨圧力を
多数の荷重のそれぞれの自重のみで制御することができ
るために、基板を加圧するための特別な駆動手段を必要
とせず、研磨ヘッドの大型化や複雑化を避けることがで
き、さらに、基板の大型化にも容易に対応することがで
き、基板の形状に合わせて加圧範囲を設定することが容
易となる。
【0025】基板を収納保持するリテーナーを用いるこ
とにより、研磨シートが基板の下にもぐり込む際に生じ
る圧力むらや研磨シートの変形をリテーナーの下で発生
させることにより、基板の下ではむらの少ない研磨圧力
を得ることができ、また、荷重の加圧する部分を曲面と
することにより基板を点接触で加圧し、一つの荷重の下
の加圧面内に圧力むらが生じることがなく、基板に均一
な加圧力を与えることができる。さらに、荷重と基板の
間に板状の弾性体を挟むことによって一つの荷重の加圧
分布範囲を広げることにより、より凹凸の少ない研磨除
去が得られる。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【0027】図1は本発明に係る基板研磨装置の概略構
成図であり、図2は本発明に係る基板研磨装置における
基板研磨ヘッドの一形態を備えた研磨機の概略構成図で
あり、図3は基板に生じている研磨むらを除去するよう
な荷重の配置を決定する方法を説明するために図であ
り、図4は基板の研磨むらに対応して異なる種類の荷重
をそれぞれ基板上に搬送し配置する態様を説明するため
の模式図である。
【0028】先ず、本発明に係る基板研磨装置における
研磨機の構成について図2を参照して説明する。研磨機
10は、被研磨体である大面積のガラスや半導体ウエハ
等の基板1を着脱自在に保持する基板保持器2と基板1
をその裏面から加圧する多数の荷重5を保持する荷重保
持部材6を有する基板研磨ヘッドと、基板1の被研磨面
を研磨する研磨シート3を貼り付けた定盤4と、研磨シ
ート3上に研磨液9を供給するノズル8を備えており、
基板保持器2および定盤4をそれぞれ回転駆動する回転
駆動手段(不図示)が設けられている。基板1を保持す
る基板保持器2は、基板1を受け入れるための穴が開け
られ、その穴は、基板1の縦および横の寸法よりそれぞ
れ0.5mm程度大きいクリアランスがつけられてい
る。荷重5を保持する荷重保持部材6は、基板1と略同
形状の大きさであって、多数の荷重5をそれぞれ着脱自
在に保持する多数の荷重保持穴7が全面にわたって形成
されており、基板保持器2の内部で基板1の裏面側に配
置される。荷重保持部材6の荷重保持穴7に収納配置さ
れる荷重5は、その断面形状は基板1に比べて十分小さ
く、直径10mmの円より小さく形成することが望まし
く、また、荷重5は、基板1を一様に加圧することがで
きるように、基板1の全面にわたって等間隔に配置さ
れ、各荷重5の配置間隔は12mmより小さいことが好
ましい。すなわち、荷重5を着脱自在に収納し保持する
荷重保持穴7は、荷重5の断面形状と同形状に形成さ
れ、各荷重5の配置間隔を等間隔で12mmより小さく
なるように配列され、基板1の全面にわたって一様に配
列される。これにより、荷重保持部材6に保持される多
数の荷重5は、それぞれ基板1の裏面に当接し、荷重5
の自重のみによって基板1を研磨シート3に対して押し
付け加圧する作用をする。研磨シート3は、耐薬品性、
耐摩耗性、弾性回復力に優れたポリエステル繊維不織布
や発泡ポリウレタンシート等で形成され、定盤4に貼り
付けられている。
【0029】基板1を研磨する際には、基板1は、定盤
4の上に貼り付けられた研磨シート3の上に載置され、
荷重保持部材6に保持された多数の荷重5が基板1の裏
面に当接する状態で基板保持器2内に保持され、多数の
荷重5の重さにより定盤4上の研磨シート3に押し付け
られる。そして、定盤4を図示しない回転駆動装置によ
り回転させるとともに基板保持器2を図示しない回転駆
動装置により回転させて、基板1および研磨シート3を
相対移動させる。同時にノズル8から研磨液9を研磨シ
ート3上に滴下させながら、基板1の研磨を行なう。こ
のとき、荷重5および荷重保持部材6は、基板1を保持
する基板保持器2とともに回転する。
【0030】次に、上述の研磨機を備える本発明に係る
基板研磨装置について図1を用いて説明する。
【0031】図1において、10は被研磨体であるガラ
スや半導体等の基板1の被研磨面を研磨する研磨機であ
り、11は基板1の被研磨面の膜厚を測定する膜厚測定
機であり、12は膜厚測定機11で測定された被研磨面
の膜厚に応じてその膜厚形状のむらを補正するための荷
重分布を算出して荷重分布の配置を決定する手段を備え
た荷重分布演算装置であり、13は重さが異なる複数種
類の荷重5(5a、5b……)を種類毎に多数配列して
おく荷重待機テーブルであり、重さが異なる複数種類の
荷重5(5a、5b……)は、すべて同じ断面形状で、
高さを相違させることによってその重さを異なるものと
し、各種類毎に同数個配列する。これらの荷重5の各種
類毎の配列は、研磨機10における荷重保持部材6に形
成された荷重保持穴7の配列および配列間隔(すなわ
ち、基板1の裏面に配置される荷重5の配列および配列
間隔)と同様の形態とする。14は荷重分布演算装置1
2で決定された荷重配置のデータにしたがって各種類毎
に多数の荷重5のうち必要な位置の荷重5のみを吸着す
るなどしてハンドリングする荷重ハンドリング装置であ
り、15は荷重ハンドリング装置14によりハンドリン
グされた荷重5を研磨機10の定盤4上で待機している
基板1の上に搬送する荷重搬送装置である。
【0032】次に、研磨むらが生じている基板に対して
研磨むらを除去するような荷重の配置を決定する方法に
ついて図3を参照して説明する。
【0033】図3において、1は基板であり、1aは基
板1の被研磨面に生じている研磨むらの形状で、この研
磨むら形状1aは高さ方向に拡大して示してある。5は
荷重であり、その高さ(長さ)に応じて重さが異なるも
のであり、重さを異にする荷重の種類数はあらかじめ設
定され、図3に示す例では4種類(5a、5b、5c、
5d)準備されている。重さが異なる各種類の荷重の1
個当たりの研磨除去量はそれぞれ予め実験等により知る
ことができ、各種類の荷重の重さに基づく研磨除去量の
差を求めることができる。これにしたがって研磨むら形
状1aの膜厚を各種類の荷重のそれぞれに対応させて区
分する。例えば、研磨むら形状1aの膜厚高さに合わせ
て基板1の研磨基準面に平行な等高線を複数設定して、
各研磨むらの膜厚に応じた範囲に区分する。図3に示す
例では、荷重5として、重さが異なる4種類の荷重(5
a、5b、5c、5d)が準備されており、研磨むら形
状1aの膜厚高さを高さ方向に4つの段階に分けるよう
に、研磨基準面W−Wからそれぞれx、y、zの高さを
もつ3本の等高線X−X、Y−Y、Z−Zを想定する。
ここで、各等高線の間隔(すなわち、x、y−x、z−
y)は、重さが異なる各種類の荷重5の重さの差に関係
づけられている。そこで、最も膜厚の大きいAの範囲
(z以上の膜厚となっている範囲)には、最も重い荷重
5dを配置する。次に膜厚の大きいBの範囲(z以下で
y以上の膜厚となっている範囲)には、yとzの比率と
荷重5dと荷重5cの重さの関係が等しくなるように設
定されている荷重5cを配置する。同様の関係により、
C、Dの範囲にも膜厚に応じた荷重5b、5aをそれぞ
れ配置する。これらの荷重配置は、膜厚測定機11によ
り測定される基板1の研磨むらのデータに基づいて荷重
分布演算装置12で算出され決定される。このように基
板1の裏面側に配置される各種類の荷重5(5a、5
b、5c、5d)はそれぞれの自重のみが基板1に対す
る研磨圧力として作用する。このように重さの異なる荷
重5(5a、5b……)を組み合わせた荷重配置によ
り、基板1の被研磨面に研磨むらに応じた研磨圧力を発
生させ、この状態で研磨を行なうことにより研磨むらを
除去することが可能となる。
【0034】次に、荷重ハンドリング装置14の作動に
ついて図4を用いて説明する。荷重ハンドリング装置1
4は、研磨機10における荷重保持部材6に形成した荷
重保持穴7の配列(すなわち、荷重5の配列)と同様の
形態で設けられたハンドリング部14aを有し、必要な
位置の荷重のみをハンドリングすることができるよう
に、荷重分布演算装置12から送られてくる荷重配置デ
ータに基づいて各ハンドリング部14aのON/OFF
を制御するように構成されている。各ハンドリング部1
4aは、荷重5を吸着保持するためのエア吸着装置ある
いは電磁石で構成される吸着部を有し、一つの吸着部に
つき一つの荷重5の上面を吸着保持する。荷重5が1個
当たり約10gであるとすると、吸着部は100g以上
のものを安定して保持するだけの吸着力を持つものであ
ることが好ましい。
【0035】荷重分布演算装置12により算出され決定
された荷重配置のデータが転送された荷重ハンドリング
装置14は、図4に図示するように、その荷重配置デー
タに基づいて、荷重待機テーブル13上に各種類毎に配
置されている多数の荷重5のうち必要な位置の荷重5の
みをハンドリング部14aの吸着部に吸着し、これを荷
重搬送装置15により研磨機10の定盤4上で待機して
いる研磨むらが予め測定された基板1の上に搬送し、基
板1上の荷重保持部材6の荷重保持穴7に移載し収納す
る。この際、荷重待機テーブル13から搬送される荷重
5は、基板1に確実に載置されてから荷重ハンドリング
装置14のハンドリング部14aから離されるようにす
るために、荷重5を基板1上に移載する際に、荷重5と
荷重ハンドリング装置14が干渉しないようにするた
め、図4の(a)〜(d)に示すように、先ず、最も重
さの小さい(最も高さの低い)荷重5aを移載し、次に
重さの小さい荷重5bというように順次搬送移載し、最
後に最も重さの大きい(最も高さの高い)荷重5dを搬
送移載することが好ましい。
【0036】図4の(a)において、荷重ハンドリング
装置14は、荷重待機テーブル13上の最も重さの小さ
い(最も高さの低い)荷重5aの上に位置付けられ、荷
重分布演算装置12により決定された荷重配置のデータ
に基づいて、最も重さの小さい多数の荷重5aから必要
な位置の荷重5a(図においては右側の3個の荷重5
a)をハンドリングするように該当するハンドリング部
14aを作動させる。このハンドリング部14aの作動
により該当箇所の荷重5aを吸着し、これらを上昇さ
せ、定盤4上で待機している基板1の上に搬送し、そし
て基板1上に移載し配置する。荷重5aの基板1上への
移載配置後、荷重ハンドリング装置14は荷重待機テー
ブル13上に戻り、次に重さの小さい荷重5bの上に位
置付けられ、荷重配置のデータに基づいて多数の荷重5
bから必要な位置の荷重5bをハンドリングして同様に
基板1の上に搬送しそして移載し配置する。これを荷重
の種類の数だけ繰り返し行なう。(なお、図3において
は、図を明瞭化するために基板1上の荷重保持部材6は
省略してある。)
【0037】このようにして、研磨むらが生じている基
板に対して、図3に示すように、研磨むらを除去するよ
うに重さの異なる荷重5(5a、5b……)を組み合わ
せて配置することができ、基板1の被研磨面に研磨むら
に応じた研磨圧力を発生させることができる。この状態
で図2に示す研磨機10により研磨することで、研磨む
らを除去することが可能となる。
【0038】次に、本発明の実施の形態について具体例
を用いてさらに説明する。
【0039】基板1は、350×280×1mmのサイ
ズのガラスであり、ガラス上に金属配線が生成され、さ
らにその上に絶縁膜が生成されており、この絶縁膜を平
坦化するために平坦化研磨を行なうものとする。
【0040】基板1を研磨する研磨シート3は、ポリウ
レタンの2層構造で構成され、上層は硬くて厚さ1m
m、下層は柔らかくて厚さ5mmであり、φ700の定
盤4に貼り付けられている。基板1を保持する基板保持
器2は、ベークライトで作製され、基板1を受け入れる
大きさの穴が開けられており、この穴は基板1の縦およ
び横の寸法よりそれぞれ0.5mm程度大きいクリアラ
ンスがつけられている。荷重5としては、50g、10
0g、150gの3種類(5a、5b、5c)を用意
し、各荷重5は、φ10mmの円形断面を有し、高さを
変えて重さを調整してある。各荷重5は、錆が発生しに
くい黄銅で作製し、その上面には鉄板を貼り合わせ、荷
重ハンドリング装置14のハンドリング部には電磁石を
用いた。そして、荷重5を保持する荷重保持部材6は、
プラスチックで作製され、その縦および横の寸法は基板
1と略同じであり、厚さは10mmとした。荷重5を受
け入れる荷重保持穴7は、φ10mmの荷重5を受け入
れる大きさで、荷重間の間隔を12mmとし、縦25
個、横20個で合計500個の荷重5を受け入れるよう
に基板1のほぼ全面にわたって配列されている。また、
荷重待機テーブル13上には、荷重保持部材6の荷重保
持穴7の配列と同様に、各種類毎に各荷重間が12mm
間隔で縦25個、横20個で合計500個の荷重を配列
してある。
【0041】研磨に際して、定盤4および基板保持器2
はそれぞれ図示しない回転駆動手段により30rpmで
回転駆動し、また、基板保持器2は100mm程度の揺
動運動を与える。そして、研磨液9としてシリカスラリ
ーを使用する。
【0042】基板1の絶縁膜を平坦化するために、先
ず、通常の平坦化研磨を行なう。この初期研磨において
は、150gの荷重5cのみを用いて、この荷重5cを
荷重保持部材6の荷重保持穴7内にそれぞれ収納配列し
て、基板1の裏面を均一に加圧して研磨を行なう。1時
間研磨した後に、この基板1を研磨機10から取り出し
て膜厚測定機11に搬送し、膜厚測定機11において、
基板1上の□220×220mmの範囲を20mmおき
に絶縁膜の厚さを測定する。測定後、基板1は研磨機1
0の定盤4上に戻されて全ての荷重5が配置されるまで
そこで待機する。膜厚測定機11による膜厚測定結果
は、荷重分布演算装置12に送られ、荷重分布演算装置
12は、その膜厚測定結果に基づいて、研磨むらを補正
するような荷重分布を算出し荷重分布の配置を決定す
る。荷重ハンドリング装置14は、この荷重分布の配置
データに基づいて、荷重の各種類毎に必要とする箇所の
荷重5を個々に吸着するように作動する。
【0043】荷重分布演算装置12により算出され決定
された荷重配置データに従って、図4に示すように、先
ず、荷重ハンドリング装置14のハンドリング部14a
が50gの荷重5aを配置する範囲に対応する荷重5a
を電磁吸着により吸着し、これを荷重搬送装置15によ
り研磨機10の定盤4上で待機している基板1上に搬送
して、基板1上に載置されている荷重保持部材6の荷重
保持穴7内に収納して移載する。次に、同様に、100
g、150gの荷重5b、5cを順次搬送移載する。
【0044】このように重さの異なる各種類の荷重5
(5a、5b、5c)を組み合わせて基板1の絶縁膜の
研磨むらに応じた荷重配置とし、そして、基板保持器2
により基板1を保持する。その後、30rpmで回転駆
動される定盤4上の研磨シート3上で基板1を30rp
mで回転させ、さらに基板1を100mm揺動させる。
この研磨の20分後に再度基板1を取り出し、膜厚測定
機11に搬送する。このとき、荷重5(5a、5b、5
c)は、重さの異なる荷重の種類毎に、荷重ハンドリン
グ装置14および荷重搬送装置15により荷重待機テー
ブル13へ戻される。膜厚測定機11による膜厚測定の
結果、基板1にさらに研磨むらが生じている場合には、
前述したと同様に、研磨むらに対応する荷重配置を算出
して、その荷重配置に基づいて各種類の荷重5を組み合
わせ、研磨圧力を調整して研磨する。このようなサイク
ルを繰り返すことによって平面度の高い研磨を行なうこ
とができる。
【0045】以上のように、基板の裏面に配列する多数
の荷重の自重によって、基板を研磨シートに押し付ける
研磨圧力を制御することができ、同一重さの荷重を多数
配列することにより基板全面にわたり均等に加圧するこ
とができ、さらに、基板の膜厚むらに応じて荷重分布の
配置を変えることにより、研磨進行後の研磨むらに合わ
せてむらを除去するような研磨圧力を得ることができ、
より平面度の高い研磨面を得ることができる。
【0046】また、研磨むらに合わせて重さの異なる荷
重の組み合わせを算出する荷重分布演算装置と各種類毎
に荷重をハンドリングする荷重ハンドリング装置により
荷重分布の配置を容易に行なうことができ、研磨途中に
おける基板の研磨むらの分布に応じて荷重の組み合わせ
配置を適宜変更することができ、基板の研磨むらを効率
よく研磨除去することができる。
【0047】基板を研磨シートに押し付ける研磨圧力を
多数の荷重の自重のみで制御することができるために、
加圧するための特別な駆動手段を必要とせず、研磨ヘッ
ドの大型化や複雑化を避けることができ、さらに、基板
の大型化にも容易に対応することができ、基板の形状に
合わせて加圧範囲を設定することが容易である。
【0048】次に、本発明に係る基板研磨装置における
基板研磨ヘッドの他の形態について図5を参照して説明
する。なお、図5は、図2と同様の図であり、同様の部
材には同一符号を付してある。
【0049】本形態の基板研磨ヘッドにおいては、図5
に図示するように、荷重5の基板1に当接して加圧する
部分を曲面とすることで、接触部を点接触とし、各荷重
の加圧面内での圧力分布にむらを生じさせることなく加
圧することができるようにするものである。具体的に
は、荷重5をφ10の円形断面とし、基板1に当接して
加圧する荷重の底面をR100の球面とする。
【0050】このように荷重5の基板1に当接して加圧
する部分を曲面とする荷重5を用いて、前述と同様に研
磨を行なうことにより、各々の荷重下の圧力分布にむら
が生じることがなく、基板に均一な加圧力を与えること
ができる。
【0051】さらに、本発明に係る基板研磨装置におけ
る基板研磨ヘッドの他の形態について図6を参照して説
明する。なお、図6においても、図2と同様の図であ
り、同様の部材には同一符号を付してある。
【0052】本形態の基板研磨ヘッドにおいては、図6
に図示するように、荷重5と基板1の間に板状の弾性体
21を挟むようにするものであり、この弾性体21は、
シリコンやウレタン樹脂等で作製し、硬さはショアA5
0程度とし、その形状は、基板1の形状と略同形状の大
きさで、厚さは6mmとする。この板状の弾性体21を
荷重5と基板1の間に介在させて、前述と同様に研磨を
行なうことにより、一つの荷重の加圧分布範囲を広げる
ことができ、より凹凸の少ない研磨除去が可能となり、
より平面度の高い研磨面を得ることができる。
【0053】また、本発明に係る基板研磨装置における
基板研磨ヘッドの他の形態について図7を参照して説明
する。なお、図7においても、図2と同様の図であり、
同様の部材には同一符号を付してある。
【0054】本形態の基板研磨ヘッドにおいては、図7
に図示するように、基板1を収容することができるよう
に基板1の形状とほぼ同じ形状を有する穴部が形成され
たリテーナー22を基板保持器2内に配設して用いるも
のである。このリテーナー22は、適当な重量をもって
形成され、その底面はリテーナー22内に基板1を収容
したときに基板1の被研磨面と同じ高さになるように位
置付けられる。また、荷重保持部材6はリテーナー22
の上面に載置されて、荷重保持部材6の荷重保持穴7に
それぞれ収納配置される荷重5は、その下面が弾性体2
1を介して基板1を押圧する。
【0055】このようなリテーナー22を用いて基板1
を研磨する際に、リテーナー22は、基板1の周囲の研
磨シート3の上に位置することにより、研磨シート3が
基板1の下にもぐり込む際に生じる圧力むらや研磨シー
ト3の変形が、リテーナー22の下で発生することによ
り、基板1の下ではむらの少ない研磨圧力を得ることが
できる。また、リテーナー22の基板1を収容する穴部
はその形状を基板の形状に応じて変えることにより種々
の基板に容易に対応できる。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被研磨体としての基板の裏面側に配列する多数の荷重の
自重によって、基板を研磨シートに押し付ける研磨圧力
を制御することができ、同一重さの荷重を多数配列する
ことにより基板全面にわたり均等に加圧することがで
き、さらに、基板の膜厚むらに応じて荷重分布の配置を
変えることにより、研磨の進行に伴なって生じる研磨む
らに合わせて研磨むらを除去するような研磨圧力を得る
ことができ、より平面度の高い研磨面を得ることができ
る。
【0057】さらに、基板の研磨むら等の膜厚むらの分
布に応じて該膜厚むらを除去することができる荷重分布
を算出し重さの異なる各種の荷重の組み合わせ配置を決
める荷重分布演算装置と算出され決定された荷重分布の
配置に基づいて重さの異なる複数種類の荷重毎に該当す
る荷重を基板裏面上にそれぞれ選択的に載置する荷重ハ
ンドリング装置により、各種荷重の配置およびその変更
を容易に行なうことができ、研磨途中における基板の研
磨むら等の分布に応じて荷重の組み合わせ配置を適宜、
柔軟に変更することができ、基板の研磨むらを効率よく
研磨除去することが可能になる。
【0058】基板を研磨シートに押し付ける研磨圧力を
多数の荷重のそれぞれの自重のみで制御することができ
るために、基板を加圧するための特別な駆動手段を必要
とせず、研磨ヘッドの大型化や複雑化を避けることがで
き、さらに、基板の大型化にも容易に対応することがで
き、基板の形状に合わせて加圧範囲を設定することが容
易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板研磨装置の概略構成図であ
る。
【図2】本発明に係る基板研磨装置における基板研磨ヘ
ッドの一形態を備えた研磨機の概略構成図である。
【図3】本発明に係る基板研磨装置において、研磨むら
が生じている基板に対して研磨むらを除去するような荷
重の配置を決定する方法を説明するために図である。
【図4】基板の研磨むらに対応して異なる種類の荷重を
基板上に搬送し配置する態様を説明するための模式図で
ある。
【図5】本発明に係る基板研磨装置における基板研磨ヘ
ッドの他の形態を備えた研磨機の概略構成図である。
【図6】本発明に係る基板研磨装置における基板研磨ヘ
ッドの他の形態を備えた研磨機の概略構成図である。
【図7】本発明に係る基板研磨装置における基板研磨ヘ
ッドの他の形態を備えた研磨機の概略構成図である。
【図8】従来の化学機械研磨装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 基板 1a 研磨むら形状 2 基板保持器 3 研磨シート 4 定盤 5(5a、5b…) 荷重 6 荷重保持部材 7 荷重保持穴 8 ノズル 9 研磨液 10 研磨機 11 膜厚測定機 12 荷重分布演算装置 13 荷重待機テーブル 14 荷重ハンドリング装置 14a ハンドリング(吸着)部 15 荷重搬送装置 21 弾性体 22 リテーナー

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨シートを貼り付けた定盤を回転させ
    るとともに、基板をその裏面側から加圧して研磨シート
    に押し付けながら回転させて、基板上に生成された膜を
    研磨し、基板上の膜を平坦化する基板研磨方法におい
    て、 基板の裏面側に所定の間隔をもって一様に配列される多
    数の荷重によって基板を加圧するようにし、該多数の荷
    重は重さの異なる複数種類の荷重の組み合わせを変える
    ことによって基板を加圧する研磨圧力に分布をつけるこ
    とができるように構成されていることを特徴とする基板
    研磨方法。
  2. 【請求項2】 複数種類の荷重は、それぞれ、基板に比
    して十分小さい断面形状を有し、高さを異ならせること
    によって重さを異にするように形成されていることを特
    徴とする請求項1記載の基板研磨方法。
  3. 【請求項3】 基板上に生成された膜の膜厚むらの分布
    に応じて該膜厚むらを除去することができる荷重分布を
    算出して荷重分布の配置を決定し、算出され決定された
    荷重分布の配置に基づいて重さの異なる各種類の荷重を
    基板裏面上にそれぞれ配置することを特徴とする請求項
    1または2記載の基板研磨方法。
  4. 【請求項4】 基板裏面上に配置される荷重は、基板研
    磨部の外に重さの異なる種類毎に配列された多数の荷重
    から、算出され決定された荷重分布の配置に基づいて重
    さの異なる各種類毎に必要とする位置の荷重を選択的に
    取り出して搬送され配置されることを特徴とする請求項
    3記載の基板研磨方法。
  5. 【請求項5】 基板裏面上に配置される荷重は、荷重を
    着脱自在に保持する荷重保持穴を所定の間隔をもって多
    数形成した荷重保持部材により保持されることを特徴と
    する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の基板研磨
    方法。
  6. 【請求項6】 基板の被研磨面を研磨シートに押し付け
    ながら相対的に回転させて研磨する際に研磨シート上に
    研磨液を供給することを特徴とする請求項1ないし5の
    いずれか1項に記載の基板研磨方法。
  7. 【請求項7】 研磨シートを貼り付けた定盤を回転させ
    るとともに、基板をその裏面側から加圧して研磨シート
    に押し付けながら回転させて、基板上に生成された膜を
    研磨し、基板上の膜を平坦化する基板研磨装置におい
    て、 基板の裏面側に所定の間隔をもって一様に配列されて基
    板を個々に加圧する多数の荷重を備え、該多数の荷重
    は、重さの異なる複数種類の荷重の組み合わせを変える
    ことによって基板を加圧する研磨圧力に分布をつけるこ
    とができるように構成されていることを特徴とする基板
    研磨装置。
  8. 【請求項8】 複数種類の荷重は、それぞれ、基板に比
    して十分小さい断面形状を有し、高さを異ならせること
    によって重さを異にするように形成されていることを特
    徴とする請求項7記載の基板研磨装置。
  9. 【請求項9】 基板上に生成された膜の膜厚むらを測定
    する膜厚測定機と、該膜厚測定機により測定される膜厚
    むらの分布に応じて該膜厚むらを除去することができる
    荷重分布を算出して荷重分布の配置を決定する荷重分布
    演算装置と、該荷重分布演算装置により決定される荷重
    分布の配置に基づいて重さの異なる複数種類の荷重毎に
    必要とする位置の荷重をそれぞれ選択的に基板裏面上に
    搬送し配置する荷重ハンドリング装置とを具備すること
    を特徴とする請求項7または8記載の基板研磨装置。
  10. 【請求項10】 荷重ハンドリング装置は、基板の裏面
    側に所定の間隔をもって一様に配列される多数の荷重に
    それぞれ対応するように設けられた多数のハンドリング
    吸着部を有し、該荷重ハンドリング装置は、荷重分布演
    算装置により決定される荷重分布の配置に基づいて、予
    め複数の種類毎に配列された多数の荷重のうち各種類の
    荷重の必要とする位置の荷重を選択的にハンドリング吸
    着部にて吸着し該荷重を基板裏面上に搬送して配置する
    ことを特徴とする請求項9記載の基板研磨装置。
  11. 【請求項11】 多数の荷重を所定の間隔をもって一様
    に着脱自在に収納保持する荷重保持穴を多数形成した荷
    重保持部材が基板裏面側に載置されていることを特徴と
    する請求項7ないし10のいずれか1項に記載の基板研
    磨装置。
  12. 【請求項12】 基板を収納しうる穴を有するリテーナ
    ーの上面に荷重保持部材を載置し、該荷重保持部材に保
    持される多数の荷重がリテーナーの穴内に収納される基
    板に当接して基板を加圧することを特徴とする請求項1
    1記載の基板研磨装置。
  13. 【請求項13】 荷重は基板裏面に接触して加圧する部
    分が曲面に形成されていることを特徴とする請求項7な
    いし12のいずれか1項に記載の基板研磨装置。
  14. 【請求項14】 荷重と基板との間に板状の弾性体を介
    在させることを特徴とする請求項7ないし13のいずれ
    か1項に記載の基板研磨装置。
JP2000210733A 2000-07-12 2000-07-12 基板研磨方法および基板研磨装置 Pending JP2002018701A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000210733A JP2002018701A (ja) 2000-07-12 2000-07-12 基板研磨方法および基板研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000210733A JP2002018701A (ja) 2000-07-12 2000-07-12 基板研磨方法および基板研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002018701A true JP2002018701A (ja) 2002-01-22

Family

ID=18706957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000210733A Pending JP2002018701A (ja) 2000-07-12 2000-07-12 基板研磨方法および基板研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002018701A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004216548A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Samsung Electronics Co Ltd 研磨装置及びこれを使用する研磨方法
WO2004077538A1 (ja) * 2003-02-25 2004-09-10 Nikon Corporation 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2008030172A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nagase Integrex Co Ltd 研削盤及び研削方法
CN102328251A (zh) * 2011-09-29 2012-01-25 黑旋风锯业股份有限公司 智能化卧轴圆台平面磨床
JP2017529681A (ja) * 2014-06-24 2017-10-05 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体プロセス制御のためのパターン付ウェハ形状測定
JP2019130652A (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 浜井産業株式会社 片面研磨装置
US10576603B2 (en) 2014-04-22 2020-03-03 Kla-Tencor Corporation Patterned wafer geometry measurements for semiconductor process controls

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004216548A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Samsung Electronics Co Ltd 研磨装置及びこれを使用する研磨方法
JP4608218B2 (ja) * 2003-01-10 2011-01-12 三星電子株式会社 研磨装置及びこれを使用する研磨方法
WO2004077538A1 (ja) * 2003-02-25 2004-09-10 Nikon Corporation 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2008030172A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nagase Integrex Co Ltd 研削盤及び研削方法
CN102328251A (zh) * 2011-09-29 2012-01-25 黑旋风锯业股份有限公司 智能化卧轴圆台平面磨床
US10576603B2 (en) 2014-04-22 2020-03-03 Kla-Tencor Corporation Patterned wafer geometry measurements for semiconductor process controls
JP2017529681A (ja) * 2014-06-24 2017-10-05 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体プロセス制御のためのパターン付ウェハ形状測定
JP2019130652A (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 浜井産業株式会社 片面研磨装置
JP7106067B2 (ja) 2018-02-02 2022-07-26 浜井産業株式会社 片面研磨装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5009101B2 (ja) 基板研磨装置
TW436381B (en) Improved CMP platen with patterned surface background of the invention
EP1412130B1 (en) Polishing apparatus and polishing method
US8142260B2 (en) Methods and apparatus for removal of films and flakes from the edge of both sides of a substrate using backing pads
EP1059142A2 (en) Carrier head to apply pressure to and retain a substrate
EP1048408A2 (en) Carrier head with a compressible film
JP2010064196A (ja) 基板研磨装置および基板研磨方法
JP2002524863A (ja) 半導体ウェハを研磨するための装置および方法
KR20150004100U (ko) 흡인을 포함하는 폴리싱 패드 컨디셔닝 시스템
JP2006524587A (ja) 微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨するためのアンダーパッドを含む研磨機及び方法
TW201127552A (en) Method and apparatus for conformable polishing
CN101007396A (zh) 应用于化学机械抛光工艺的抛光头及化学机械抛光方法
KR102229920B1 (ko) 화학 기계적 평탄화 후의 기판 버프 사전 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치
US6758726B2 (en) Partial-membrane carrier head
JP2002018701A (ja) 基板研磨方法および基板研磨装置
US20010024939A1 (en) Wafer polishing apparatus
KR20120135095A (ko) 판상체의 연마 장치 및 판상체의 연마 방법
JPH06208980A (ja) 研磨装置
KR20070077971A (ko) 웨이퍼 로더 및 이를 이용한 웨이퍼의 로딩/언로딩 방법
WO2013044201A1 (en) Wafer carrier with flexible pressure plate
JP3565480B2 (ja) 基板研磨方法および基板研磨装置
CN208592708U (zh) 基板研磨装置
JP4048396B2 (ja) 板状材への加圧方法及び加圧装置
JP2022126248A (ja) 研磨装置および研磨方法
US20170239783A1 (en) Mounting sheet, polishing apparatus, and method for making the same