JP2002016192A - 電子部品の実装構造および実装方法 - Google Patents
電子部品の実装構造および実装方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ付き電子部品を基板上に実装してなる
実装構造において、製造時のタクトアップを図るととも
に、信頼性の高い実装構造を安価に生産する。 【解決手段】 バンプ群を有する電子部品を基板上に、
バンプを介して半田接合した後、電子部品・基板間の隙
間にアンダーフィル樹脂（以下樹脂という）を注入・硬
化させて樹脂封止した実装構造において、樹脂４０を電
子部品１０・基板２０間の隙間のうち、電子部品の最外
周部に位置する隙間にのみ注入し、多数のバンプ３０，
３０ａのうち最外周部に位置するバンプ３０ａの表面に
のみ樹脂を接触させた状態としてこれを硬化させる。ま
た、この実装構造では、いずれのバンプ３０ａ（ただ
し、多数のバンプを碁盤目状に配置した場合には、四隅
のバンプを除く）においても、樹脂注入直前に露出して
いたバンプ表面積をＳとするとき、完成した実装構造に
おいて樹脂と接触している面積を、上記Ｓの１／２以下
とする。
実装構造において、製造時のタクトアップを図るととも
に、信頼性の高い実装構造を安価に生産する。 【解決手段】 バンプ群を有する電子部品を基板上に、
バンプを介して半田接合した後、電子部品・基板間の隙
間にアンダーフィル樹脂（以下樹脂という）を注入・硬
化させて樹脂封止した実装構造において、樹脂４０を電
子部品１０・基板２０間の隙間のうち、電子部品の最外
周部に位置する隙間にのみ注入し、多数のバンプ３０，
３０ａのうち最外周部に位置するバンプ３０ａの表面に
のみ樹脂を接触させた状態としてこれを硬化させる。ま
た、この実装構造では、いずれのバンプ３０ａ（ただ
し、多数のバンプを碁盤目状に配置した場合には、四隅
のバンプを除く）においても、樹脂注入直前に露出して
いたバンプ表面積をＳとするとき、完成した実装構造に
おいて樹脂と接触している面積を、上記Ｓの１／２以下
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の封止
構造および封止方法に関し、より詳しくは、フリップチ
ップなどのバンプ付き電子部品を基板に実装してなる電
子部品の実装構造および、実装方法に関するものであ
る。
構造および封止方法に関し、より詳しくは、フリップチ
ップなどのバンプ付き電子部品を基板に実装してなる電
子部品の実装構造および、実装方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）やＢ
ＧＡ（Ball Grid Array ）のようなＧｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙタイプの電子部品の基板への実装や、半導体チップの
フリップチップ実装では、チップまたはＣＳＰと基板と
の接続はバンプを介して行われる。このとき接続の信頼
性を確保するために、バンプの周辺にアンダーフィル樹
脂を注入して封止する必要があり、このことは、特にフ
リップチップ実装にとって必須である。なお、例えば特
開平９−１９９５４１号公報、特開平１０−１１６８５
６号公報、特開平１１−１６３０４９号公報には、この
ような樹脂補強した実装構造が開示されている。
ＧＡ（Ball Grid Array ）のようなＧｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙタイプの電子部品の基板への実装や、半導体チップの
フリップチップ実装では、チップまたはＣＳＰと基板と
の接続はバンプを介して行われる。このとき接続の信頼
性を確保するために、バンプの周辺にアンダーフィル樹
脂を注入して封止する必要があり、このことは、特にフ
リップチップ実装にとって必須である。なお、例えば特
開平９−１９９５４１号公報、特開平１０−１１６８５
６号公報、特開平１１−１６３０４９号公報には、この
ような樹脂補強した実装構造が開示されている。
【０００３】上記アンダーフィル樹脂の注入方法として
一般的なのは、マイクロディスペンサによる供給方法で
ある。この注入方法では、電子部品（半導体素子）の周
辺に上記ディスペンサのノズルから樹脂を供給し、この
樹脂を、毛細管現象でバンプ付き電子部品の下面と基板
の上面との隙間の内部に侵入させることにより封止す
る。
一般的なのは、マイクロディスペンサによる供給方法で
ある。この注入方法では、電子部品（半導体素子）の周
辺に上記ディスペンサのノズルから樹脂を供給し、この
樹脂を、毛細管現象でバンプ付き電子部品の下面と基板
の上面との隙間の内部に侵入させることにより封止す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
実装方法での問題点は、封止が完全に終了するのに時間
が掛かることである。そこで、特開平１１−１６３０４
９号公報に記載された「バンプ付電子部品の実装構造お
よび実装方法」に係る実装構造では、電子部品・基板間
の隙間のうち、電子部品周辺部に（より具体的には、パ
ッケージの４つの隅部にのみ）樹脂を選択的に塗布する
ことにより、アンダーフィル樹脂中に空隙部と、該空隙
部から外部へ通じる開孔（脱気孔）を形成してあり、そ
の結果、短時間での封止が可能な構造となっている。
実装方法での問題点は、封止が完全に終了するのに時間
が掛かることである。そこで、特開平１１−１６３０４
９号公報に記載された「バンプ付電子部品の実装構造お
よび実装方法」に係る実装構造では、電子部品・基板間
の隙間のうち、電子部品周辺部に（より具体的には、パ
ッケージの４つの隅部にのみ）樹脂を選択的に塗布する
ことにより、アンダーフィル樹脂中に空隙部と、該空隙
部から外部へ通じる開孔（脱気孔）を形成してあり、そ
の結果、短時間での封止が可能な構造となっている。
【０００５】しかしながら、上記公報記載の封止構造で
は、すべてのバンプに対して完全に樹脂を注入するわけ
ではないため、樹脂によってバンプが完全に覆われてい
る場合には問題がないものの、樹脂の流動・硬化の状態
によっては、バンプの周囲を完全には覆わない形態にな
ることがある。このようなバンプは信頼性上問題があ
り、特にバンプ材料が半田で構成されている場合には、
再溶融（リフロー）するときに大きな問題が発生するこ
とがある。
は、すべてのバンプに対して完全に樹脂を注入するわけ
ではないため、樹脂によってバンプが完全に覆われてい
る場合には問題がないものの、樹脂の流動・硬化の状態
によっては、バンプの周囲を完全には覆わない形態にな
ることがある。このようなバンプは信頼性上問題があ
り、特にバンプ材料が半田で構成されている場合には、
再溶融（リフロー）するときに大きな問題が発生するこ
とがある。
【０００６】本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みな
されたもので、その目的は、バンプ付き電子部品を基板
上に実装してなる実装構造において、製造時のタクトア
ップを図るとともに、信頼性の高い実装構造を安価に生
産することにある。すなわち本発明の第１の目的は、信
頼性の高い電子部品の実装構造を簡単な構成で提供する
ことであり、本発明の第２の目的は、このような実装構
造を的確に実現するための実装方法を提供することであ
る。
されたもので、その目的は、バンプ付き電子部品を基板
上に実装してなる実装構造において、製造時のタクトア
ップを図るとともに、信頼性の高い実装構造を安価に生
産することにある。すなわち本発明の第１の目的は、信
頼性の高い電子部品の実装構造を簡単な構成で提供する
ことであり、本発明の第２の目的は、このような実装構
造を的確に実現するための実装方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る電子部品
の実装構造は、多数のバンプを配列してなるバンプ群を
有する電子部品を基板上に、前記バンプを介して半田接
合した後、電子部品・基板間の隙間にアンダーフィル樹
脂を注入・硬化させて樹脂封止した実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂を、電子部品・基板間の隙間の
うち、前記電子部品の最外周部に位置する隙間にのみ注
入し、該アンダーフィル樹脂を前記バンプ群のうち最外
周部に位置するバンプの表面にのみ接触させた状態で硬
化させて構成され、前記最外周部に位置するバンプのう
ち実質的にすべてのものにおいて、樹脂注入直前に露出
していたバンプ表面積をＳとするとき、完成した実装構
造においてはアンダーフィル樹脂（以下、単に樹脂とい
うことがある）と接触している面積が、前記表面積Ｓの
１／２以下となっていることを特徴とする。電子部品で
は通常、多数のバンプが碁盤目状に配置される。上記
「最外周部に位置するバンプのうち実質的にすべてのも
のにおいて、」とは、バンプを碁盤目状に配置した電子
部品を用いる場合には、最外周部に位置するバンプのう
ち四隅のバンプを除くすべてのバンプにおいて、」とい
う意味である。
の実装構造は、多数のバンプを配列してなるバンプ群を
有する電子部品を基板上に、前記バンプを介して半田接
合した後、電子部品・基板間の隙間にアンダーフィル樹
脂を注入・硬化させて樹脂封止した実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂を、電子部品・基板間の隙間の
うち、前記電子部品の最外周部に位置する隙間にのみ注
入し、該アンダーフィル樹脂を前記バンプ群のうち最外
周部に位置するバンプの表面にのみ接触させた状態で硬
化させて構成され、前記最外周部に位置するバンプのう
ち実質的にすべてのものにおいて、樹脂注入直前に露出
していたバンプ表面積をＳとするとき、完成した実装構
造においてはアンダーフィル樹脂（以下、単に樹脂とい
うことがある）と接触している面積が、前記表面積Ｓの
１／２以下となっていることを特徴とする。電子部品で
は通常、多数のバンプが碁盤目状に配置される。上記
「最外周部に位置するバンプのうち実質的にすべてのも
のにおいて、」とは、バンプを碁盤目状に配置した電子
部品を用いる場合には、最外周部に位置するバンプのう
ち四隅のバンプを除くすべてのバンプにおいて、」とい
う意味である。
【０００８】請求項１の発明では上記のように、多数の
バンプのうち最外周部のバンプ（バンプ列）における半
分の領域まで上記樹脂を注入して硬化させることによ
り、バンプの信頼性を損ねることなく、実装構造の信頼
性を向上させることができる。そして、このような構造
にすることで、樹脂の浸透（樹脂が毛細管現象により、
電子部品・基板間の隙間の内部に侵入すること）を考慮
する必要がなくなり、樹脂材の選択範囲が広がる。ま
た、樹脂材は粘度が高い方が、本請求項１の実装構造を
実現するには有効であり、実装工程において基板の加熱
を考える必要がなく、安価な装置で実現することができ
る。
バンプのうち最外周部のバンプ（バンプ列）における半
分の領域まで上記樹脂を注入して硬化させることによ
り、バンプの信頼性を損ねることなく、実装構造の信頼
性を向上させることができる。そして、このような構造
にすることで、樹脂の浸透（樹脂が毛細管現象により、
電子部品・基板間の隙間の内部に侵入すること）を考慮
する必要がなくなり、樹脂材の選択範囲が広がる。ま
た、樹脂材は粘度が高い方が、本請求項１の実装構造を
実現するには有効であり、実装工程において基板の加熱
を考える必要がなく、安価な装置で実現することができ
る。
【０００９】請求項２に係る電子部品の実装構造は、請
求項１において、前記アンダーフィル樹脂の粘度が２５
℃において、２０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とす
る。
求項１において、前記アンダーフィル樹脂の粘度が２５
℃において、２０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とす
る。
【００１０】請求項１の実装構造を実現するための樹脂
としては、粘度が高いものほど好ましい。粘度が低すぎ
ると、樹脂が電子部品・基板間の隙間の内部に浸透しや
すくなってしまい、本発明の実装構造を得るのが難しく
なる。一般的なアンダーフィル樹脂の粘度は、２５℃に
おいて数Ｐａ・ｓ程度であり、これよりかなり高いと樹
脂の注入性が問題となる。樹脂を完全に注入する場合に
は、これを予備加熱して粘度を落とすことで注入性を向
上させる。本発明では、樹脂の流動性は特に必要な特性
ではなく、むしろ高粘度にして流動性を抑えたほうが望
ましいため、２５℃での粘度が２０Ｐａ・ｓ以上のもの
が好ましい。
としては、粘度が高いものほど好ましい。粘度が低すぎ
ると、樹脂が電子部品・基板間の隙間の内部に浸透しや
すくなってしまい、本発明の実装構造を得るのが難しく
なる。一般的なアンダーフィル樹脂の粘度は、２５℃に
おいて数Ｐａ・ｓ程度であり、これよりかなり高いと樹
脂の注入性が問題となる。樹脂を完全に注入する場合に
は、これを予備加熱して粘度を落とすことで注入性を向
上させる。本発明では、樹脂の流動性は特に必要な特性
ではなく、むしろ高粘度にして流動性を抑えたほうが望
ましいため、２５℃での粘度が２０Ｐａ・ｓ以上のもの
が好ましい。
【００１１】請求項３に係る電子部品の実装構造は、請
求項１において前記基板が、電子部品と対向する基板表
面（つまり基板上面）のうち、最外周部のバンプが配置
される位置に対応する位置の内側に凹部（溝の場合を含
む。以下同じ）を設けたものであることを特徴とする。
求項１において前記基板が、電子部品と対向する基板表
面（つまり基板上面）のうち、最外周部のバンプが配置
される位置に対応する位置の内側に凹部（溝の場合を含
む。以下同じ）を設けたものであることを特徴とする。
【００１２】基板上面に凹部を設け、樹脂の浸透を防ぐ
ことで、請求項１の実装構造を容易に実現することが可
能になる。実装工程において樹脂は、基板および電子部
品との表面張力によって、毛細管現象で電子部品・基板
間の隙間の内部に浸透する。そこで、請求項３の実装構
造は、基板上面に凹部を形成し、該凹部形成部分での電
子部品・基板間の隙間を拡大することにより樹脂の表面
張力を低下せることで、樹脂の浸透を抑えたものであ
る。この実装構造によれば、樹脂の浸透範囲を容易に制
御することができ、請求項１に係る樹脂の選択的塗布・
硬化を、より確実に実現することが可能となる。
ことで、請求項１の実装構造を容易に実現することが可
能になる。実装工程において樹脂は、基板および電子部
品との表面張力によって、毛細管現象で電子部品・基板
間の隙間の内部に浸透する。そこで、請求項３の実装構
造は、基板上面に凹部を形成し、該凹部形成部分での電
子部品・基板間の隙間を拡大することにより樹脂の表面
張力を低下せることで、樹脂の浸透を抑えたものであ
る。この実装構造によれば、樹脂の浸透範囲を容易に制
御することができ、請求項１に係る樹脂の選択的塗布・
硬化を、より確実に実現することが可能となる。
【００１３】請求項４に係る電子部品の実装構造は、請
求項１において、前記アンダーフィル樹脂にその熱膨張
係数を調整するためのフィラーが配合され、かつ、該フ
ィラーの平均粒径は、バンプ高さの１／２以上であるこ
とを特徴とする。
求項１において、前記アンダーフィル樹脂にその熱膨張
係数を調整するためのフィラーが配合され、かつ、該フ
ィラーの平均粒径は、バンプ高さの１／２以上であるこ
とを特徴とする。
【００１４】アンダーフィル樹脂には、該樹脂の線膨張
を低く抑える目的で、フィラーが配合される。フィラー
を混合することにより樹脂の線膨張が小さくなるが、他
方では粘度が増加する傾向にあり、このためフィラー配
合によりアンダーフィル樹脂の注入性が低下してくる。
特に、フィラー径が大きくなると、樹脂の流動性が落
ち、フィラー径がギャップ高さ（電子部品・基板間の隙
間）の半分以上になるとフィラーが流動しなくなり、樹
脂が上記電子部品・基板間の隙間に浸透しなくなる。請
求項４の実装構造では、フィラー径を上記のように大き
くすることで、最外周部のバンプ列より内側の前記隙間
への樹脂の流入を抑えることができる。
を低く抑える目的で、フィラーが配合される。フィラー
を混合することにより樹脂の線膨張が小さくなるが、他
方では粘度が増加する傾向にあり、このためフィラー配
合によりアンダーフィル樹脂の注入性が低下してくる。
特に、フィラー径が大きくなると、樹脂の流動性が落
ち、フィラー径がギャップ高さ（電子部品・基板間の隙
間）の半分以上になるとフィラーが流動しなくなり、樹
脂が上記電子部品・基板間の隙間に浸透しなくなる。請
求項４の実装構造では、フィラー径を上記のように大き
くすることで、最外周部のバンプ列より内側の前記隙間
への樹脂の流入を抑えることができる。
【００１５】請求項５に係る電子部品の実装構造は、請
求項１において、前記バンプ群のうち最外周部に位置
し、かつ互いに隣接しているバンプ相互間の隙間に絶縁
性のシール材を挿入して、前記バンプ間の隙間を狭めた
ことを特徴とする。
求項１において、前記バンプ群のうち最外周部に位置
し、かつ互いに隣接しているバンプ相互間の隙間に絶縁
性のシール材を挿入して、前記バンプ間の隙間を狭めた
ことを特徴とする。
【００１６】請求項６に係る電子部品の実装構造は、請
求項５において、前記シール材がバンプ高さとおおむね
等しい径を有するフィラーであることを特徴とする。上
記シール材としては、絶縁性のものが好ましい。
求項５において、前記シール材がバンプ高さとおおむね
等しい径を有するフィラーであることを特徴とする。上
記シール材としては、絶縁性のものが好ましい。
【００１７】請求項７に係る電子部品の実装構造は、請
求項１において、前記バンプ群が多数のバンプを碁盤目
状に配置して形成されている場合には、最外周部のバン
プのうち、四隅に位置するバンプをダミーバンプとした
ことを特徴とする。
求項１において、前記バンプ群が多数のバンプを碁盤目
状に配置して形成されている場合には、最外周部のバン
プのうち、四隅に位置するバンプをダミーバンプとした
ことを特徴とする。
【００１８】最外周部の四隅のバンプについては、請求
項１の実装構造を実現することは困難である。つまり、
樹脂注入直前に露出していたバンプ表面積をＳとすると
き、完成した実装構造においてはアンダーフィル樹脂と
接触している面積が、前記表面積Ｓの１／２を超えるこ
とになる。このことは、後記する図１で明かである。そ
してこの場合には、四隅のバンプが、実装構造の信頼性
を低下させる原因となる恐れがある。そこで、請求項７
の実装構造では、上記不具合を回避するために、四隅の
バンプをダミーバンプとし、信号端子として扱わないこ
とにしたものであり、こうすることにより、信頼性の高
い実装構造を実現することができる。
項１の実装構造を実現することは困難である。つまり、
樹脂注入直前に露出していたバンプ表面積をＳとすると
き、完成した実装構造においてはアンダーフィル樹脂と
接触している面積が、前記表面積Ｓの１／２を超えるこ
とになる。このことは、後記する図１で明かである。そ
してこの場合には、四隅のバンプが、実装構造の信頼性
を低下させる原因となる恐れがある。そこで、請求項７
の実装構造では、上記不具合を回避するために、四隅の
バンプをダミーバンプとし、信号端子として扱わないこ
とにしたものであり、こうすることにより、信頼性の高
い実装構造を実現することができる。
【００１９】請求項８に記載の電子部品の実装方法は、
請求項２の電子部品の実装構造を得るに際し、バンプ付
き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプを基板と接合
した後、基板・電子部品間の隙間に、２５℃における粘
度が２０Ｐａ・ｓ以上のアンダーフィル樹脂を注入して
封止することを特徴とする。
請求項２の電子部品の実装構造を得るに際し、バンプ付
き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプを基板と接合
した後、基板・電子部品間の隙間に、２５℃における粘
度が２０Ｐａ・ｓ以上のアンダーフィル樹脂を注入して
封止することを特徴とする。
【００２０】請求項９に記載の電子部品の実装方法は、
請求項３の電子部品の実装構造を得るに際し、基板とし
て、電子部品と対向する基板表面のうち、最外周部のバ
ンプが配置されるべき位置に対応する位置の内側に凹部
を設けたものを用い、バンプ付き電子部品を基板上に搭
載し、前記バンプを基板と接合した後、基板・電子部品
間の隙間に、アンダーフィル樹脂を注入して封止するこ
とを特徴とする。
請求項３の電子部品の実装構造を得るに際し、基板とし
て、電子部品と対向する基板表面のうち、最外周部のバ
ンプが配置されるべき位置に対応する位置の内側に凹部
を設けたものを用い、バンプ付き電子部品を基板上に搭
載し、前記バンプを基板と接合した後、基板・電子部品
間の隙間に、アンダーフィル樹脂を注入して封止するこ
とを特徴とする。
【００２１】請求項１０に記載の電子部品の実装方法
は、請求項４に記載の電子部品の実装構造を得るに際
し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプ
を基板と接合した後、基板・電子部品間の隙間に、平均
粒径がバンプ高さの１／２以上であるフィラーの配合に
より熱膨張係数が調整されたアンダーフィル樹脂を注入
して封止することを特徴とする。
は、請求項４に記載の電子部品の実装構造を得るに際
し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプ
を基板と接合した後、基板・電子部品間の隙間に、平均
粒径がバンプ高さの１／２以上であるフィラーの配合に
より熱膨張係数が調整されたアンダーフィル樹脂を注入
して封止することを特徴とする。
【００２２】請求項１１に記載の電子部品の実装方法
は、請求項５に記載の電子部品の実装構造を得るに際
し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプ
を基板と接合した後、絶縁性のシール材が配合されたア
ンダーフィル樹脂を注入して封止することにより、前記
バンプ群のうち最外周部の互いに隣接するバンプ相互間
の隙間を狭めることを特徴とする。
は、請求項５に記載の電子部品の実装構造を得るに際
し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、前記バンプ
を基板と接合した後、絶縁性のシール材が配合されたア
ンダーフィル樹脂を注入して封止することにより、前記
バンプ群のうち最外周部の互いに隣接するバンプ相互間
の隙間を狭めることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。 第１の実施の形態 本実施の形態は請求項１，２，８に係るもので、図１
（ａ）は実装構造の平面断面図、図１（ｂ）はそのＡ−
Ａ線断面図である。ただし図１（ａ）では、基板は示さ
れていない。ＢＧＡやＣＳＰに代表される電子部品は、
はんだバンプを介して基板に接続される。また、チップ
を直接基板に接続する方式（ベアチップ実装）も実用化
されており、特に、はんだバンプを介して電子部品をセ
ラミック基板やビルドアップ基板に接続した実装構造が
知られている。
面を参照しながら説明する。 第１の実施の形態 本実施の形態は請求項１，２，８に係るもので、図１
（ａ）は実装構造の平面断面図、図１（ｂ）はそのＡ−
Ａ線断面図である。ただし図１（ａ）では、基板は示さ
れていない。ＢＧＡやＣＳＰに代表される電子部品は、
はんだバンプを介して基板に接続される。また、チップ
を直接基板に接続する方式（ベアチップ実装）も実用化
されており、特に、はんだバンプを介して電子部品をセ
ラミック基板やビルドアップ基板に接続した実装構造が
知られている。
【００２４】このような実装構造では、その信頼性を確
保する方法として、電子部品（半導体部品）と基板の間
にアンダーフィル樹脂を注入してバンプに掛かるストレ
スを緩和するものがある。上記樹脂注入では一般的に、
電子部品の周辺に樹脂を塗布し、毛細管現象により樹脂
を注入する。しかしながらこの方法には、樹脂を塗布し
てから電子部品の下面全体にわたって樹脂が封止される
までに時間が掛かるという欠点があり、実装構造を量産
性良く製造することが難しいという問題があった。
保する方法として、電子部品（半導体部品）と基板の間
にアンダーフィル樹脂を注入してバンプに掛かるストレ
スを緩和するものがある。上記樹脂注入では一般的に、
電子部品の周辺に樹脂を塗布し、毛細管現象により樹脂
を注入する。しかしながらこの方法には、樹脂を塗布し
てから電子部品の下面全体にわたって樹脂が封止される
までに時間が掛かるという欠点があり、実装構造を量産
性良く製造することが難しいという問題があった。
【００２５】そこで、図１の実装構造は、電子部品１０
を基板２０上に多数のバンプ（はんだバンプ）３０，３
０ａを介して半田接合し、電子部品１０の最外周部に液
状のアンダーフィル樹脂４０を塗布することにより、こ
れら電子部品・基板間の隙間に、アンダーフィル樹脂４
０を表面張力によって注入した後、硬化させて樹脂封止
してなる実装構造を改良したものである。なお、上記符
号３０ａは、電子部品１０に多数のバンプを碁盤目状に
配列してなるバンプ群のうち、最外周部のバンプを示
し、符号３０はそれ以外の、つまり内周部のバンプを示
している。
を基板２０上に多数のバンプ（はんだバンプ）３０，３
０ａを介して半田接合し、電子部品１０の最外周部に液
状のアンダーフィル樹脂４０を塗布することにより、こ
れら電子部品・基板間の隙間に、アンダーフィル樹脂４
０を表面張力によって注入した後、硬化させて樹脂封止
してなる実装構造を改良したものである。なお、上記符
号３０ａは、電子部品１０に多数のバンプを碁盤目状に
配列してなるバンプ群のうち、最外周部のバンプを示
し、符号３０はそれ以外の、つまり内周部のバンプを示
している。
【００２６】すなわち、アンダーフィル樹脂４０を、電
子部品１０の最外周部に位置する電子部品・基板間の隙
間に選択的に注入して硬化させるとともに、電子部品１
０の最外周部に位置する多数のバンプ３０ａでは、四隅
のバンプ（合計４個）を除くすべてのバンプにおいて、
樹脂注入直前に露出していたバンプの表面積をＳとする
とき、完成した実装構造においてアンダーフィル樹脂４
０と接触している面積を、上記表面積Ｓの１／２以下と
してある。このような実装構造によれば、バンプの信頼
性を損ねることなく、電子部品全体の信頼性を向上させ
ることができる。なお、アンダーフィル樹脂４０として
は、エポキシ樹脂を主成分とするものが好ましい。
子部品１０の最外周部に位置する電子部品・基板間の隙
間に選択的に注入して硬化させるとともに、電子部品１
０の最外周部に位置する多数のバンプ３０ａでは、四隅
のバンプ（合計４個）を除くすべてのバンプにおいて、
樹脂注入直前に露出していたバンプの表面積をＳとする
とき、完成した実装構造においてアンダーフィル樹脂４
０と接触している面積を、上記表面積Ｓの１／２以下と
してある。このような実装構造によれば、バンプの信頼
性を損ねることなく、電子部品全体の信頼性を向上させ
ることができる。なお、アンダーフィル樹脂４０として
は、エポキシ樹脂を主成分とするものが好ましい。
【００２７】図１の実装構造およびその作製方法につい
て、さらに具体的に説明する。多数のバンプ３０，３０
ａを碁盤目状に設けた電子部品１０と、基板２０とを用
意する。基板２０上に電子部品１０を搭載し、バンプ３
０，３０ａを基板２０と接合する。これにより、バンプ
付き電子部品１０のバンプが基板２０上面の電極面に半
田接合される。その後、この基板２０を樹脂塗布工程に
送り、アンダーフィル樹脂４０の注入・硬化を行う。こ
の場合、アンダーフィル樹脂４０として、２５℃におけ
る粘度が２０Ｐａ・ｓ以上のものを使用する。
て、さらに具体的に説明する。多数のバンプ３０，３０
ａを碁盤目状に設けた電子部品１０と、基板２０とを用
意する。基板２０上に電子部品１０を搭載し、バンプ３
０，３０ａを基板２０と接合する。これにより、バンプ
付き電子部品１０のバンプが基板２０上面の電極面に半
田接合される。その後、この基板２０を樹脂塗布工程に
送り、アンダーフィル樹脂４０の注入・硬化を行う。こ
の場合、アンダーフィル樹脂４０として、２５℃におけ
る粘度が２０Ｐａ・ｓ以上のものを使用する。
【００２８】マイクロディスペンサ（図略）から電子部
品１０の最外周部に所定量のアンダーフィル樹脂４０を
吐出供給する。このまま放置すると、樹脂は表面張力に
より電子部品１０・基板２０間の隙間を、その内部に向
かって進入するが、樹脂の粘度が上記のように比較的高
粘度であるため、互いに隣接する最外周部のバンプ３０
ａ，３０ａ相互間の隙間に入りかけたところで進入が停
止し、図１（ａ）（ｂ）に示す状態となる。この状態の
基板をリフロー炉（図略）にセットし、加熱して樹脂４
０を硬化させることにより、図１に示す実装構造が完成
する。
品１０の最外周部に所定量のアンダーフィル樹脂４０を
吐出供給する。このまま放置すると、樹脂は表面張力に
より電子部品１０・基板２０間の隙間を、その内部に向
かって進入するが、樹脂の粘度が上記のように比較的高
粘度であるため、互いに隣接する最外周部のバンプ３０
ａ，３０ａ相互間の隙間に入りかけたところで進入が停
止し、図１（ａ）（ｂ）に示す状態となる。この状態の
基板をリフロー炉（図略）にセットし、加熱して樹脂４
０を硬化させることにより、図１に示す実装構造が完成
する。
【００２９】この実装構造では、合計３６個のバンプ３
０，３０ａが碁盤目状に配置されており、そのうち２０
個のバンプ３０ａが最外周部に位置している。そして、
これら２０個のバンプ３０ａのうち、四隅に位置するも
のを除く１６個のバンプのすべてについて、樹脂４０と
接触している面積が、バンプ表面積（ただし、電子部品
１０との接触面、および基板２０との接触面を除く）の
半分以下となっている。また、電子部品１０・基板２０
間の隙間のうち、バンプ３０ａ配置部位よりも内側の隙
間には樹脂４０が進入していないため、バンプ３０ａ以
外の１６個のバンプ３０は、樹脂４０とは全く接触して
いない。
０，３０ａが碁盤目状に配置されており、そのうち２０
個のバンプ３０ａが最外周部に位置している。そして、
これら２０個のバンプ３０ａのうち、四隅に位置するも
のを除く１６個のバンプのすべてについて、樹脂４０と
接触している面積が、バンプ表面積（ただし、電子部品
１０との接触面、および基板２０との接触面を除く）の
半分以下となっている。また、電子部品１０・基板２０
間の隙間のうち、バンプ３０ａ配置部位よりも内側の隙
間には樹脂４０が進入していないため、バンプ３０ａ以
外の１６個のバンプ３０は、樹脂４０とは全く接触して
いない。
【００３０】第２の実施の形態 本実施の形態は請求項３，９に係るもので、図２（ａ）
は実装構造の平面断面図、図２（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断
面図である。ただし、図２（ａ）では基板は示されてい
ない。この実装構造は、基板２０上面の所定部分に平面
視が長方形の凹部２１を形成したもので、その他の点は
図１のそれと同様である。
は実装構造の平面断面図、図２（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断
面図である。ただし、図２（ａ）では基板は示されてい
ない。この実装構造は、基板２０上面の所定部分に平面
視が長方形の凹部２１を形成したもので、その他の点は
図１のそれと同様である。
【００３１】上記凹部２１は、図２（ａ）で明かなよう
に、完成した実装構造において最外周部に位置している
２０個のバンプ３０ａの中心点同士を結んで形成される
長方形より僅かに小さい長方形に対応する基板上面領域
に形成されている。また、図２（ａ）に示すように、樹
脂４０は凹部２１の手前の位置で、その進入が停止して
いる。
に、完成した実装構造において最外周部に位置している
２０個のバンプ３０ａの中心点同士を結んで形成される
長方形より僅かに小さい長方形に対応する基板上面領域
に形成されている。また、図２（ａ）に示すように、樹
脂４０は凹部２１の手前の位置で、その進入が停止して
いる。
【００３２】この凹部２１は、電子部品１０・基板２０
間の隙間への樹脂進入を抑制するためのものである。す
なわち凹部２１は、最外周部のバンプ３０ａの近傍、か
つその内側における電子部品１０・基板２０間の隙間
を、バンプ３０ａより外側部分の隙間よりも大きくし、
前者の隙間における樹脂４０の表面張力を、後者におけ
るそれよりも低くすることによって、前者の隙間より内
側に樹脂４０が進入するのを防止するためのものであ
る。したがって、上記長方形の凹部２１に代えて、電子
部品１０のバンプ３０ａ配列位置に対応する、基板２０
の上面位置に直線状の溝を形成することもできる。この
場合には、４本の直線状溝により長方形が形成される。
なお所望により、基板に凹部２１を形成するのに代え
て、電子部品のバンプ配設面に凹部を設けても良い。
間の隙間への樹脂進入を抑制するためのものである。す
なわち凹部２１は、最外周部のバンプ３０ａの近傍、か
つその内側における電子部品１０・基板２０間の隙間
を、バンプ３０ａより外側部分の隙間よりも大きくし、
前者の隙間における樹脂４０の表面張力を、後者におけ
るそれよりも低くすることによって、前者の隙間より内
側に樹脂４０が進入するのを防止するためのものであ
る。したがって、上記長方形の凹部２１に代えて、電子
部品１０のバンプ３０ａ配列位置に対応する、基板２０
の上面位置に直線状の溝を形成することもできる。この
場合には、４本の直線状溝により長方形が形成される。
なお所望により、基板に凹部２１を形成するのに代え
て、電子部品のバンプ配設面に凹部を設けても良い。
【００３３】本実施の形態では、基板に凹部を設けるこ
とにより、樹脂を適量塗布した場合には凹部に樹脂が流
れ込むことがなくなり、図２に示すように、実質的に図
１と同じ実装構造が得られる。
とにより、樹脂を適量塗布した場合には凹部に樹脂が流
れ込むことがなくなり、図２に示すように、実質的に図
１と同じ実装構造が得られる。
【００３４】また、電子部品１０の周辺を樹脂封止する
際、該周辺を樹脂で完全に覆う必要はなく、一部を空気
孔として開けておき、実装構造内部の空隙部と実装構造
外部との間で空気の流通が生じるように構成することも
できる。さらに、樹脂の供給状況によっては、樹脂の硬
化時に自然発生的に空気孔が形成されることもあるた
め、樹脂の塗布段階で空気孔が形成されるように意図的
に制御する必要はない。意図的に空気孔を形成するに
は、その箇所に樹脂受入れ用の凹部を設け、バンプ相互
間の隙間に充填するべき樹脂をこの凹部に流入させれば
良い。
際、該周辺を樹脂で完全に覆う必要はなく、一部を空気
孔として開けておき、実装構造内部の空隙部と実装構造
外部との間で空気の流通が生じるように構成することも
できる。さらに、樹脂の供給状況によっては、樹脂の硬
化時に自然発生的に空気孔が形成されることもあるた
め、樹脂の塗布段階で空気孔が形成されるように意図的
に制御する必要はない。意図的に空気孔を形成するに
は、その箇所に樹脂受入れ用の凹部を設け、バンプ相互
間の隙間に充填するべき樹脂をこの凹部に流入させれば
良い。
【００３５】このような凹部の形成方法として、プリン
ト基板表面にあるソルダーレジストを用いることもで
き、また意図的に基板を加工することでも実現できる。
凹部の深さは、ソルダーレジストを用いた場合には５０
μｍ程度とする。なお、凹部の幅に関しては特には考慮
する必要がない。
ト基板表面にあるソルダーレジストを用いることもで
き、また意図的に基板を加工することでも実現できる。
凹部の深さは、ソルダーレジストを用いた場合には５０
μｍ程度とする。なお、凹部の幅に関しては特には考慮
する必要がない。
【００３６】第３の実施の形態 本実施の形態は請求項４，１０に係るもので、図３は実
装構造の要部を拡大して示した正面断面図であって、フ
ィラー５０の粒径について説明するためのものである。
本実施の形態では、アンダーフィル樹脂４０にフィラー
５０を配合してその熱膨張係数（線膨張係数）を低下さ
せることにより、この熱膨張係数をバンプや電子部品の
それに近づけている。
装構造の要部を拡大して示した正面断面図であって、フ
ィラー５０の粒径について説明するためのものである。
本実施の形態では、アンダーフィル樹脂４０にフィラー
５０を配合してその熱膨張係数（線膨張係数）を低下さ
せることにより、この熱膨張係数をバンプや電子部品の
それに近づけている。
【００３７】このフィラー５０はシリカガラス、炭酸カ
ルシウム、アルミナなどからなる微粉末であるが、その
粒径が重要であり、アンダーフィル樹脂４０の注入性に
大きく影響する。本実施の形態では、フィラー５０の平
均粒径を、実装構造におけるバンプ高さの１／２以上と
することで、アンダーフィル樹脂４０が流入しようとす
るバンプ相互間の隙間にフィラー５０が詰まって、該隙
間が閉塞されるため、アンダーフィル樹脂は、図３に示
すように、電子部品１０の最外周部に位置する多数のバ
ンプ３０ａの外周面のうち、電子部品１０の外側を向く
部分にしか塗れ広がらない。
ルシウム、アルミナなどからなる微粉末であるが、その
粒径が重要であり、アンダーフィル樹脂４０の注入性に
大きく影響する。本実施の形態では、フィラー５０の平
均粒径を、実装構造におけるバンプ高さの１／２以上と
することで、アンダーフィル樹脂４０が流入しようとす
るバンプ相互間の隙間にフィラー５０が詰まって、該隙
間が閉塞されるため、アンダーフィル樹脂は、図３に示
すように、電子部品１０の最外周部に位置する多数のバ
ンプ３０ａの外周面のうち、電子部品１０の外側を向く
部分にしか塗れ広がらない。
【００３８】本実施の形態に係る実施例の結果を説明す
ると、はんだ部品としてＣＳＰを用い、バンプとしては
んだの印刷をそのまま用いたＬＧＡ（Land Grid Array
）タイプの場合には、通常のアンダーフィル樹脂では
完全に封止するのは困難であり、周辺のみの封止となっ
た。また、周辺封止を行わない場合には、温度サイクル
試験（−２５℃〜１００℃）において５００サイクル程
度で不良が発生したが、周辺封止の場合には、１０００
サイクルまで不良は発生しなかった。
ると、はんだ部品としてＣＳＰを用い、バンプとしては
んだの印刷をそのまま用いたＬＧＡ（Land Grid Array
）タイプの場合には、通常のアンダーフィル樹脂では
完全に封止するのは困難であり、周辺のみの封止となっ
た。また、周辺封止を行わない場合には、温度サイクル
試験（−２５℃〜１００℃）において５００サイクル程
度で不良が発生したが、周辺封止の場合には、１０００
サイクルまで不良は発生しなかった。
【００３９】第４の実施の形態 本実施の形態は請求項５，６，１１に係るもので、図４
（ａ）は実装構造の平面断面図、図４（ｂ）はそのＣ−
Ｃ線断面図である。ただし、図４（ａ）には基板が示さ
れていない。この実装構造の作製に際してはアンダーフ
ィル樹脂として、バンプ高さとほぼ等しい径を有する微
粉末状の絶縁性のシール材６０を配合したものを使用す
る。その他の手順は第１の実施の形態で説明した実装構
造の作製方法と同様である。この作製方法によれば、図
４（ａ）（ｂ）に示すように、最外周部の互いに隣接す
るバンプ３０ａ，３０ａ間の隙間にシール材６０が詰ま
って該隙間が閉塞されるため、アンダーフィル樹脂４０
は、電子部品１０の最外周部に位置する多数のバンプ３
０ａの外周面のうち、電子部品１０の外側を向く部分に
しか塗れ広がらない。
（ａ）は実装構造の平面断面図、図４（ｂ）はそのＣ−
Ｃ線断面図である。ただし、図４（ａ）には基板が示さ
れていない。この実装構造の作製に際してはアンダーフ
ィル樹脂として、バンプ高さとほぼ等しい径を有する微
粉末状の絶縁性のシール材６０を配合したものを使用す
る。その他の手順は第１の実施の形態で説明した実装構
造の作製方法と同様である。この作製方法によれば、図
４（ａ）（ｂ）に示すように、最外周部の互いに隣接す
るバンプ３０ａ，３０ａ間の隙間にシール材６０が詰ま
って該隙間が閉塞されるため、アンダーフィル樹脂４０
は、電子部品１０の最外周部に位置する多数のバンプ３
０ａの外周面のうち、電子部品１０の外側を向く部分に
しか塗れ広がらない。
【００４０】
【発明の効果】請求項１の実装構造では、電子部品を基
板上に多数のバンプを介して半田接合し、電子部品・基
板間の隙間にアンダーフィル樹脂を注入・硬化させた実
装構造において、アンダーフィル樹脂を電子部品の最外
周部に位置する電子部品・基板間の隙間に選択的に注入
・硬化させた構造としたので、タクトアップが実現さ
れ、安価な実装構造を大量生産することができる。ま
た、バンプ群のうち最外周部に位置するバンプでは、ア
ンダーフィル樹脂と接触しているバンプ表面積の割合を
所定どおりに特定したので、バンプの信頼性を損ねるこ
となく、実装構造の信頼性を向上させることができる。
さらに、このような構造にすることで、電子部品・基板
間の内部側の隙間への樹脂浸透を考慮する必要がなくな
り、樹脂材の選択範囲が広がる。また、樹脂を全面に封
止することなく、周辺のみにすることにより、はんだ再
溶融の心配がなくなる。
板上に多数のバンプを介して半田接合し、電子部品・基
板間の隙間にアンダーフィル樹脂を注入・硬化させた実
装構造において、アンダーフィル樹脂を電子部品の最外
周部に位置する電子部品・基板間の隙間に選択的に注入
・硬化させた構造としたので、タクトアップが実現さ
れ、安価な実装構造を大量生産することができる。ま
た、バンプ群のうち最外周部に位置するバンプでは、ア
ンダーフィル樹脂と接触しているバンプ表面積の割合を
所定どおりに特定したので、バンプの信頼性を損ねるこ
となく、実装構造の信頼性を向上させることができる。
さらに、このような構造にすることで、電子部品・基板
間の内部側の隙間への樹脂浸透を考慮する必要がなくな
り、樹脂材の選択範囲が広がる。また、樹脂を全面に封
止することなく、周辺のみにすることにより、はんだ再
溶融の心配がなくなる。
【００４１】請求項２の実装構造は、アンダーフィル樹
脂の粘度が２５℃において、２０Ｐａ・ｓ以上であるこ
とを特徴とするものであるため、塗布後の流動が抑えら
れ、アンダーフィル樹脂を高精度に注入することができ
る。また、樹脂は粘度が高い方が、請求項１の実装構造
を作製するには有利であり、実装工程において基板の加
熱を考える必要がなくなり、より安価な製造装置で実装
構造を実現することができる。
脂の粘度が２５℃において、２０Ｐａ・ｓ以上であるこ
とを特徴とするものであるため、塗布後の流動が抑えら
れ、アンダーフィル樹脂を高精度に注入することができ
る。また、樹脂は粘度が高い方が、請求項１の実装構造
を作製するには有利であり、実装工程において基板の加
熱を考える必要がなくなり、より安価な製造装置で実装
構造を実現することができる。
【００４２】請求項３の実装構造では、基板上面のう
ち、最外周部のバンプが配置される位置に対応する位置
の内側に凹部を設けて樹脂の浸透を抑えたので、請求項
１の実装構造を容易に実現することが可能になる。この
実装構造によれば、樹脂の浸透範囲を容易に制御するこ
とができ、請求項１に係る樹脂の選択的注入・硬化を、
より確実に実現することが可能となる。
ち、最外周部のバンプが配置される位置に対応する位置
の内側に凹部を設けて樹脂の浸透を抑えたので、請求項
１の実装構造を容易に実現することが可能になる。この
実装構造によれば、樹脂の浸透範囲を容易に制御するこ
とができ、請求項１に係る樹脂の選択的注入・硬化を、
より確実に実現することが可能となる。
【００４３】請求項４の実装構造は、アンダーフィル樹
脂にその熱膨張係数を調整するためのフィラーが配合さ
れ、かつ、該フィラーの平均粒径がバンプ高さの１／２
以上であることを特徴とするものである。このため、電
子部品・基板間の隙間のうち、最外周部のバンプ列より
内側の隙間に樹脂が浸透しなくなり、樹脂の浸透範囲を
容易に制御することができ、請求項１に係る樹脂の選択
的注入・硬化を、より確実に実現することが可能とな
る。
脂にその熱膨張係数を調整するためのフィラーが配合さ
れ、かつ、該フィラーの平均粒径がバンプ高さの１／２
以上であることを特徴とするものである。このため、電
子部品・基板間の隙間のうち、最外周部のバンプ列より
内側の隙間に樹脂が浸透しなくなり、樹脂の浸透範囲を
容易に制御することができ、請求項１に係る樹脂の選択
的注入・硬化を、より確実に実現することが可能とな
る。
【００４４】請求項５の実装構造では、最外周部の互い
に隣接するバンプ相互間に絶縁性のシール材を配置して
バンプ間の隙間を狭める（閉塞させる）ことで、樹脂の
浸透を抑えたため、請求項３，４に係る実装構造と同様
の効果が得られる。また、請求項６の実装構造では、シ
ール材がバンプ高さとおおむね等しい径を有するフィラ
ーであるため、請求項５の実装構造と同一の効果が得ら
れるうえ、アンダーフィル樹脂の熱膨張係数を適正値に
調整することができる効果がある。
に隣接するバンプ相互間に絶縁性のシール材を配置して
バンプ間の隙間を狭める（閉塞させる）ことで、樹脂の
浸透を抑えたため、請求項３，４に係る実装構造と同様
の効果が得られる。また、請求項６の実装構造では、シ
ール材がバンプ高さとおおむね等しい径を有するフィラ
ーであるため、請求項５の実装構造と同一の効果が得ら
れるうえ、アンダーフィル樹脂の熱膨張係数を適正値に
調整することができる効果がある。
【００４５】請求項７の実装構造は、多数のバンプを碁
盤目状に配置するとともに、最外周のバンプのうち、四
隅に位置するバンプとしてダミーバンプを設けたもので
ある。最外周の四隅のバンプは他の位置にあるバンプに
比べて破壊しやすいため、実装構造の信頼性低下の原因
となることが多い。また、これら四隅のバンプでは、そ
の表面積の１／２を超える割合で樹脂と接触する可能性
が高くなるという不具合がある。そこで、この不具合を
回避するために、請求項７の実装構造では、これらのバ
ンプをダミーバンプとし、信号端子として扱わないこと
にしたものである。こうすることで、信頼性の高い実装
構造を実現することができる。
盤目状に配置するとともに、最外周のバンプのうち、四
隅に位置するバンプとしてダミーバンプを設けたもので
ある。最外周の四隅のバンプは他の位置にあるバンプに
比べて破壊しやすいため、実装構造の信頼性低下の原因
となることが多い。また、これら四隅のバンプでは、そ
の表面積の１／２を超える割合で樹脂と接触する可能性
が高くなるという不具合がある。そこで、この不具合を
回避するために、請求項７の実装構造では、これらのバ
ンプをダミーバンプとし、信号端子として扱わないこと
にしたものである。こうすることで、信頼性の高い実装
構造を実現することができる。
【００４６】請求項８〜１１の実装方法によれば、請求
項１に記載の実装構造を的確に実現することができる。
項１に記載の実装構造を的確に実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る実装構造を示
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＡ
−Ａ線断面図である。
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＡ
−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る実装構造を示
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＢ
−Ｂ正面断面図である。
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＢ
−Ｂ正面断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る実装構造の要
部を拡大して示した正面断面図であって、フィラーの粒
径に関して説明するためのものである。
部を拡大して示した正面断面図であって、フィラーの粒
径に関して説明するためのものである。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る実装構造を示
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＣ
−Ｃ線断面図である。
すもので、（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）はそのＣ
−Ｃ線断面図である。
１０ 電子部品 ２０ 基板 ２１ 凹部 ３０ バンプ ３０ａ バンプ ４０ アンダーフィル樹脂 ５０ フィラー ６０ シール材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｆ (72)発明者 坂津 務 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 桑崎 聡 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA03 CA06 DB07 DB16 EA01 EB12 5E336 AA04 BB01 CC32 CC58 EE07 5E338 AA00 BB02 BB19 BB63 CC01 CD32 EE32 5F044 KK01 LL01 LL04 RR17 RR18 RR19 5F061 AA01 BA03 CA06 DE03
Claims (11)
- 【請求項１】 多数のバンプを配列してなるバンプ群を
有する電子部品を基板上に、前記バンプを介して半田接
合した後、電子部品・基板間の隙間にアンダーフィル樹
脂を注入・硬化させて樹脂封止した実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂を、電子部品・基板間の隙間の
うち、前記電子部品の最外周部に位置する隙間にのみ注
入し、該アンダーフィル樹脂を前記バンプ群のうち最外
周部に位置するバンプの表面にのみ接触させた状態で硬
化させて構成され、前記最外周部に位置するバンプのう
ち実質的にすべてのものにおいて、樹脂注入直前に露出
していたバンプ表面積をＳとするとき、完成した実装構
造においてはアンダーフィル樹脂と接触している面積
が、前記表面積Ｓの１／２以下となっていることを特徴
とする電子部品の実装構造。 - 【請求項２】 前記アンダーフィル樹脂の粘度が２５℃
において、２０Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請
求項１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項３】 前記基板が前記電子部品と対向する基板
表面のうち、最外周部のバンプが配置される位置に対応
する位置の内側に凹部を設けたことを特徴とする請求項
１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項４】 前記アンダーフィル樹脂にその熱膨張係
数を調整するためのフィラーが配合され、かつ、該フィ
ラーの平均粒径は、バンプ高さの１／２以上であること
を特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項５】 前記バンプ群のうち最外周部に位置し、
かつ互いに隣接しているバンプ相互間の隙間に絶縁性の
シール材を挿入して、前記バンプ間の隙間を狭めたこと
を特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項６】 前記シール材がバンプ高さとおおむね等
しい径を有するフィラーであることを特徴とする請求項
５に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項７】 前記バンプ群が多数のバンプを碁盤目状
に配置して形成されている場合には、最外周部のバンプ
のうち、四隅に位置するバンプをダミーバンプとしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項８】 請求項２に記載の電子部品の実装構造を
得るに際し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、前
記バンプを基板と接合した後、基板・電子部品間の隙間
に、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上のアンダー
フィル樹脂を注入して封止することを特徴とする電子部
品の実装方法。 - 【請求項９】 請求項３に記載の電子部品の実装構造を
得るに際し、基板として、電子部品と対向する基板表面
のうち、最外周部のバンプが配置されるべき位置に対応
する位置の内側に凹部を設けたものを用い、バンプ付き
電子部品を基板上に搭載し、前記バンプを基板と接合し
た後、基板・電子部品間の隙間に、アンダーフィル樹脂
を注入して封止することを特徴とする電子部品の実装方
法。 - 【請求項１０】 請求項４に記載の電子部品の実装構造
を得るに際し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、
前記バンプを基板と接合した後、基板・電子部品間の隙
間に、平均粒径がバンプ高さの１／２以上であるフィラ
ーの配合により熱膨張係数が調整されたアンダーフィル
樹脂を注入して封止することを特徴とする電子部品の実
装方法。 - 【請求項１１】 請求項５に記載の電子部品の実装構造
を得るに際し、バンプ付き電子部品を基板上に搭載し、
前記バンプを基板と接合した後、絶縁性のシール材が配
合されたアンダーフィル樹脂を注入して封止することに
より、前記バンプ群のうち最外周部の互いに隣接するバ
ンプ相互間の隙間を狭めることを特徴とする電子部品の
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195828A JP2002016192A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 電子部品の実装構造および実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195828A JP2002016192A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 電子部品の実装構造および実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016192A true JP2002016192A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18694425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000195828A Pending JP2002016192A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 電子部品の実装構造および実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016192A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073554A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置 |
| JP2007109790A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nec Corp | フリップチップ型半導体装置 |
| JP2010087047A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ、電子機器、およびプリント回路基板の製造方法 |
| US8160791B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-04-17 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for detecting a malfunction of a control coupling |
| DE112010000667T5 (de) | 2009-02-20 | 2013-02-07 | Panasonic Corp. | Vorrichtung zum Aufbringen von Kunstharz und Vorrichtung zum Erzeugen von Daten zum Aufbringen von Kunstharz |
| US8759688B2 (en) | 2006-09-22 | 2014-06-24 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting structure |
| JP2014216527A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 京セラ株式会社 | 光照射モジュールおよび印刷装置 |
| JP2018125370A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| JP2021508939A (ja) * | 2017-12-29 | 2021-03-11 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 電子パッケージ、端末、及び電子パッケージの処理方法 |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000195828A patent/JP2002016192A/ja active Pending
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| US11367700B2 (en) | 2017-12-29 | 2022-06-21 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Electronic package, terminal and method for processing electronic package |
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