JP2002016028A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マルチヘッド型のポリッシング装置を複数台
ポリッシングゾーンに配置し、ポリッシング装置間で基
板を送受し、種々の採り得る研磨プロセス経路から適し
た研磨プロセス経路を選択し、研磨処理のスループット
向上が図れる基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 ロードアンロード領域Ｚ１、該ロードア
ンロード領域Ｚ１に隣接する洗浄領域Ｚ２、該洗浄領域
に隣接するポリッシング領域Ｚ３を有し、ポリッシング
領域に研磨面を有する研磨テーブルと基板を保持して研
磨テーブルに押圧する複数のトップリングと複数のトッ
プリングを保持すると共に該複数のトップリングの回転
割り出しを行う回転台とを備えたマルチヘッド型のポリ
ッシング装置Ｐ１、Ｐ２を複数台配置すると共に、ポリ
ッシング領域Ｚ３内で該ポリッシング装置間で基板を送
受できる基板移送機構（ロータリートランスポータ２
８）を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の基
板を平坦且つ鏡面状に研磨する基板処理装置に関し、特
に複数のトップリングを具備するマルチヘッド型のポリ
ッシング装置を複数台配置し、一度に複数枚の基板研磨
又は連続した基板研磨を行うことができる基板処理装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、線幅が極めて狭い光リソグラフィ
の場合、許容される焦点深度が浅くなるため、ステッパ
ーの結像面に高い平坦度が必要となる。そこで、半導体
ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平
坦化法の１手段としてポリッシング装置を用いて化学的
機械研磨（ＣＭＰ）をすることが行なわれている。

【０００３】前記ポリッシング装置として、一個の研磨
テーブルに対して半導体ウエハを保持するトップリング
を複数個備え、同時に複数の半導体ウエハを研磨するこ
とができるマルチヘッド型のポリッシング装置が知られ
ている。このマルチヘッド型のポリッシング装置におい
ては、各トップリング装置においては、各トップリング
に半導体ウエハを装着した後に、トップリングに保持さ
れた全ての半導体ウエハを同時に研磨テーブル上の研磨
面に押付け研磨を行った後に、各トップリングを上昇さ
せて研磨を終了させている。そして各トップリングから
研磨を終了した半導体ウエハをトップリングから取り外
した後に、各トップリングに半導体ウエハを装置するこ
とにより次の研磨を行っている。

【０００４】上記従来のマルチヘッド型のポリッシング
装置においては、複数の半導体ウエハを同時に研磨し、
同時に取外し・装着するというロードアンロード方法を
採っているため、ロードアンロードしている間は、研磨
作業が行なわれておらず、単位時間当りのポリッシング
対象物の研磨枚数を増やしたいという要請の障害となっ
ていた。

【０００５】また、従来上記のようマルチヘッド型のポ
リッシング装置を複数台並設して構成された処理装置も
あるが、このような研磨装置においてもポリッシング装
置間で基板を送受し、互いに異なる研磨を行うように構
成されたものではなく、例えば、スラリー研磨、薬液研
磨、水研磨等の異なる研磨を行う場合は、洗浄ゾーンに
仮置台を設置し、一方のマルチヘッド型のポリッシング
装置で研磨処理した基板をこの仮置台に載置し、該仮置
台を経て他のポリッシング装置に移送するようにしてい
る。従って、基板研磨処理のスループットの向上が望め
なかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
マルチヘッド型のポリッシング装置を複数台ポリッシン
グゾーンに配置し、ポリッシング装置間で基板を送受
し、種々の採り得る研磨プロセス経路から適した研磨プ
ロセス経路を選択し、研磨処理のスループット向上が図
れる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すため請
求項１に記載の発明は、ロードアンロード領域、該ロー
ドアンロード領域に隣接する洗浄領域、該洗浄領域に隣
接するポリッシング領域を有し、ポリッシング領域に研
磨面を有する研磨テーブルと基板を保持して研磨テーブ
ルに押圧する複数のトップリングと複数のトップリング
を保持すると共に該複数のトップリングの回転割り出し
を行う回転台とを備えたマルチヘッド型のポリッシング
装置を複数台配置すると共に、ポリッシング領域内で該
ポリッシング装置間で基板を送受できる基板移送機構を
設けたことを特徴とする。

【０００８】上記のようにポリッシング領域内で該ポリ
ッシング装置間で基板を送受できる基板移送機構を設け
たので、基板の研磨を複数の研磨工程を経て行う場合、
１研磨工程が終了するごとに基板を洗浄領域に移動させ
ることなく、ポリッシング領域内で複数の研磨工程を処
理できるから、研磨処理のスループット向上を図ること
が可能となる。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、基板移送機構がマルチヘッド
型のポリッシング装置間に配置されたロータリートラン
スポーターであることを特徴とする。

【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、基板移送機構が基板を送受す
るロボットであることを特徴とする。

【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
又は３に記載の基板処理装置であって、洗浄領域とポリ
ッシング領域の間にポリッシング装置の間で基板の送受
を行うロータリートランスポーターを配置したことを特
徴とする。

【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置における基板の処理方法であって、ロー
ドアンロード領域及び洗浄領域を経てポリッシング領域
に搬送され、ポリッシング装置でポリッシングされた基
板を基板移送機構により他のポリッシング装置に送りポ
リッシングを行い、ポリッシングの終了した基板を洗浄
領域を経て洗浄処理し、ロードアンロード領域に移送す
ることを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板処理装
置の平面構成例を示す図である。本基板処理装置はハウ
ジング１００を有し、該ハウジング１００内はロードア
ンロード領域Ｚ１、該ロードアンロード領域Ｚ１に隣接
する洗浄領域Ｚ２、該洗浄領域Ｚ２に隣接するポリッシ
ング領域Ｚ３に区分されている。

【００１４】ロードアンロード領域Ｚ１には４つのロー
ドアンロードステージ１が設けられ、各ロードアンロー
ドステージ１には多数の半導体ウエハを収容するウエハ
カセット２が載置されるようになっている。各ロードア
ンロードステージ１は昇降可能な機構を有してもよい。
ロードアンロードステージ１の各ウエハカセット２にハ
ンドが到達可能なように、走行機構３の上に搬送ロボッ
ト４が配置されている。

【００１５】搬送ロボット４は上下に２つのハンドを有
し、下側のハンドはウエハカセット２より半導体ウエハ
を受け取るときのみに使用され、上側のハンドはカセッ
ト２に半導体ウエハを戻すときのみに使用される。これ
は、洗浄した後のクリーンな半導体ウエハを上側にし
て、それ以上半導体ウエハを汚さない配慮である。下側
のハンドには半導体ウエハを真空吸着する吸着型ハンド
を用い、上側のハンドには半導体ウエハの周縁部を保持
する落し込み型のハンドを用いる。吸着型ハンドはウエ
ハカセット２内の半導体ウエハのズレに関係なく正確に
吸着搬送し、落し込み型ハンドは真空吸着のようにダス
トを集めてこないので半導体ウエハの裏面のクリーン度
を保って搬送できる。

【００１６】搬送ロボット４の走行機構３を対称軸に、
ロードアンロードステージ１とは反対側に２台の洗浄機
５、６が配置されている。各洗浄機５、６は搬送ロボッ
ト４のハンドが到達可能な位置に配置されている。ま
た、２台の洗浄機５、６の間で、搬送ロボット４のハン
ドが到達可能な位置に、上下方向に多段に配置された半
導体ウエハの載置台を備えたウエハステーション７が配
置されている。洗浄機５、６は、半導体ウエハを高速回
転させて乾燥させるスピンドライ機能を有しており、こ
れにより半導体ウエハの２段洗浄及び３段洗浄にモジュ
ール交換することなく対応できるように構成されてい
る。

【００１７】ロードアンロード領域Ｚ１と洗浄領域Ｚ２
の間にはクリーン度を分けるために隔壁１０１が配置さ
れ、互いの領域の間で半導体ウエハを搬送するため該隔
壁１０１の開口部にシャッター１０２を設けている。洗
浄機５とウエハステーション７にハンドが到達可能な位
置に２つのハンドを有する搬送ロボット８が配置されて
おり、洗浄機６とウエハステーション７にハンドが到達
可能な位置に２つのハンドを有する搬送ロボット９が配
置されている。搬送ロボット８及び搬送ロボット９の上
側のハンドは、一度洗浄された半導体ウエハを洗浄機
５、６若しくはウエハステーション７の載置台へ搬送す
るのに使用され、下側のハンドは１度も洗浄されていな
い半導体ウエハ及び研磨される前の半導体ウエハを搬送
するのに使用される。このように上側ハンドと下側ハン
ドを使い分けることで、下側のハンドで後述する反転機
への半導体ウエハの出し入れを行うことにより、反転機
上部の壁からのリンス水の雫により上側のハンドが汚染
されることがない。

【００１８】洗浄機５と隣接するように搬送ロボット８
のハンドが到達可能な位置に洗浄機１０が配置されてい
る。また、洗浄機６と隣接するように搬送ロボット９の
ハンドが到達可能な位置に洗浄機１１が配置されてい
る。前記洗浄機５、６、１０、１１とウエハステーショ
ン７と搬送ロボット８、９は全て洗浄領域Ｚ２中に配置
され、ロードアンロード領域Ｚ１内の気圧より低い気圧
に調整されている。洗浄機１０、１１は半導体ウエハの
両面を洗浄できる洗浄機である。なお、洗浄領域Ｚ２に
は隔壁１０３、１０４が配置されている。

【００１９】ポリッシング領域Ｚ３は全体を隔壁１０５
で囲まれ、洗浄領域Ｚ２とは区分されたポリッシング室
が形成されている。ポリッシング室は仕切壁１０６によ
り領域Ｚ３−１、Ｚ３−２に区分されている。そして、
２つの領域Ｚ３−１、Ｚ３−２には、マルチヘッド型の
ポリッシング装置Ｐ１、Ｐ２が配置されている。ポリッ
シング装置はＰ１は研磨テーブル１２とカルーセル１４
を具備し、ポリッシング装置Ｐ２は研磨テーブル１３と
カルーセル１５を具備する。

【００２０】ポリッシング装置Ｐ１、Ｐ２はそれぞれ研
磨テーブル１２、１３に研磨砥液を供給するための砥液
ノズル（図示せず）を具備する。また、ポリッシング装
置Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに隣接し、研磨テーブル１２、
１３のドレッシングを行うためのドレッシング装置１
６、１７が配置されている。

【００２１】図１示すように、左右のマルチヘッド型の
ポリッシング装置Ｐ１、Ｐ２は仕切壁１０６に対して線
対称に配置されている。そして図１は左右のポリッシン
グ装置Ｐ１、Ｐ２とも３個のトップリング１８、１９が
半導体ウエハを保持して研磨している状態を示してい
る。本発明の基板処理装置の構成要素は壁１０６に対し
て対称に略同機能を有する。

【００２２】仕切壁１０６で仕切られた領域Ｚ３−１の
中にあって、搬送ロボット８のハンドの到達可能な位置
に半導体ウエハを反転させる反転機２０が配置されてい
る。また、領域Ｚ３−２の中にあって、搬送ロボット９
のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させる
反転機２１が配置されている。また、隔壁１０５の洗浄
領域Ｚ２とポリッシング領域Ｚ３の領域Ｚ３−１、Ｚ３
−２を仕切る部分には、半導体ウエア搬送用の開口部が
設けられ、それぞれの開口部に反転機２０及び反転機２
１専用のシャッター１０７、１０８が設けられている。

【００２３】前記反転機２０及び反転機２１は、半導体
ウエハをチャックするチャック機構と半導体ウエハの表
面と裏面を反転させる反転機構と半導体ウエハを前記チ
ャック機構によりチャックしているかどうかを確認する
ウエハ有無検知センサ（図示せず）を備えている。そし
て、反転機２０には搬送ロボット８によって半導体ウエ
ハが搬送され、反転機２１には搬送ロボット９によって
半導体ウエハが搬送される。

【００２４】また、領域Ｚ３−１内には、反転機２０と
ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル１４に支持された３
つのトップリング１８との間で半導体ウエハを受け渡し
するためのロータリートランスポータ２２が配置されて
いる。該ロータリートランスポータ２２には、半導体ウ
エハを載せるステージが４ケ所等配に設けてあり、同時
に複数の半導体ウエハが搭載可能になっている。反転機
２０に搬送された半導体ウエハは、ロータリートランス
ポータ２２のステージの中心と、反転機２０でチャック
された半導体ウエハの中心の位相が合ったときに、ロー
タリートランスポータ２２の下方に設置されたリフタ２
４が昇降することで、ロータリートランスポータ２２上
に搬送されるようになっている。

【００２５】ロータリートランスポータ２２のステージ
上に載せられた半導体ウエハは、ロータリートランスポ
ータ２２の回転割り出しによって、プッシャー２６の上
方へ搬送される。トップリング１８は予めロータリート
ランスポータ２２の上方の位置（ロードアンロード位
置）に揺動している。トップリング１８の中心が前記ロ
ータリートランスポータ２２に搭載されている半導体ウ
エハの中心と位相があったとき、それらの下方に配置さ
れたプッシャー２６が作動し該半導体ウエハはトップリ
ング１８へ移送される。上述の動作を繰り返すことによ
りカルーセル１４に支持された３つのトップリング１８
への半導体ウエハがロードされる。

【００２６】前記各トップリング１８に移送された半導
体ウエハは、トップリングの真空吸着機構により吸着さ
れ、吸着が確認された後半導体ウエハは研磨テーブル１
２までトップリング１８に保持されたまま搬送される。
そして、半導体ウエハは研磨テーブル１２上に取り付け
られた研磨パッド又は砥石等からなる研磨面で研磨され
る。

【００２７】一方、領域Ｚ３−２には、前記反転機２１
とポリッシング装置Ｐ２のカルーセル１５に支持された
３つのトップリング１９との間で半導体ウエハを搬送す
るロータリートランスポータ２３が配置されている。ロ
ータリートランスポータ２３には、半導体ウエハを載せ
るステージが４ケ所等配に設けてあり、同時に複数の半
導体ウエハが搭載可能になっている。反転機２１に搬送
された半導体ウエハは、ロータリートランスポータ２３
のステージの中心と、反転機２１でチャックされた半導
体ウエハの中心の位相が合ったときに、ロータリートラ
ンスポータ２３の下方に設置されたプッシャ２７が昇降
することで、ロータリートランスポータ２３上に搬送さ
れる。

【００２８】ロータリートランスポータ２３のステージ
上に載せられた半導体ウエハは、ロータリートランスポ
ータ２３の回転割り出しによって、プッシャー２７の上
方へ搬送される。トップリング１９は予めロータリート
ランスポータ２３の上方の位置（ロードアンロード位
置）に揺動している。トップリング１９の中心が前記ロ
ータリートランスポータ２３に搭載された半導体ウエハ
の中心と位相が合ったとき、それらの下方に配置された
プッシャー２７が昇降することで、半導体ウエハはロー
タリートランスポータ２３からトップリング１９へ移送
される。上述の動作を繰り返すことによりカルーセル１
５に支持された３つのトップリング１９への半導体ウエ
ハがロードされる。

【００２９】前記各トップリング１９に移送された半導
体ウエハは、トップリング１９の真空吸着機構により吸
着され、吸着が確認された後半導体ウエハは研磨テーブ
ル１３までトップリング１９に保持されたまま搬送され
る。そして研磨テーブル１３上に取り付けられた研磨パ
ッド又は砥石等からなる研磨面で研磨される。

【００３０】前記研磨テーブル１２、１３で研磨が終了
した後、ドレッシング装置１６、１７によってそれぞれ
の研磨面のドレッシングが行なわれる。ドレッシングと
は、研磨テーブルの研磨面が半導体ウエハの研磨によっ
て劣化したことに対して、その回復を図るための処置
で、コンディショニング、修正などと呼ばれることもあ
る。

【００３１】ポリッシング領域Ｚ３の仕切壁１０６が切
れたところの領域Ｚ３−１と領域Ｚ３−２の間にはロー
タリートランスポータ２８が配置されている。ロータリ
ートランスポータ２８には、半導体ウエハを載せるステ
ージが３ケ所等配に設けてあり、同時に３個の半導体ウ
エハが搭載可能になっている。研磨テーブル１２又は１
３で研磨の終了し、トップリング１８又は１９で保持さ
れた半導体ウエハは、ロータリートランスポータ２８の
ステージの中心と、トップリング１８又は１９で保持さ
れた半導体ウエハの中心の位相が合ったときに、ロータ
リートランスポータ２８の下方に設置されたプッシャー
２９が昇降することで、ロータリートランスポータ２８
上に搬送される。

【００３２】ロータリートランスポータ２８のステージ
上に載せられた半導体ウエハは、ロータリートランスポ
ータ２８の回転割り出しによって、プッシャー２９の上
方へ搬送される。トップリング１８又は１９は予めロー
タリートランスポータ２８の上方の位置（ロードアンロ
ード位置）に揺動している。トップリング１８又は１９
の中心が前記ロータリートランスポータ２３に搭載され
た半導体ウエハの中心と位相が合ったとき、それらの下
方に配置されたプッシャー２９が昇降することで、半導
体ウエハはロータリートランスポータ２８からトップリ
ング１８又は１９へ搬送される。

【００３３】即ち、領域Ｚ３−１と領域Ｚ３−２の間に
ロータリートランスポータ２８を配置することにより、
ポリッシング装置Ｐ１で研磨終了した半導体ウエハを洗
浄領域Ｚ２を経由することなく、該ロータリートランス
ポータ２８を経由してポリッシング装置Ｐ２に移送でき
るようになっている。

【００３４】左側のポリッシング装置Ｐ１又は右側のポ
リッシング装置Ｐ２で研磨が終了した半導体ウエハはト
ップリング１８又はトップリング１９からプッシャー２
６又はプッシャー２７に移送され、その後、プッシャー
２６又はプッシャー２７が下降してロータリートランス
ポータ２２又はロータリートランスポータ２３に受け渡
される。そしてロータリートランスポータ２２又はロー
タリートランスポータ２３の回転割り出しにより、半導
体ウエハは反転機２０又は反転機２１の下方に搬送さ
れ、その後プッシャ２６又はプッシャ２７の上昇によっ
て反転機２０又は２１に戻される。

【００３５】また、ポリッシング装置Ｐ１で研磨が終了
した半導体ウエハはトップリング１８からプッシャー２
９に移送され、その後、プッシャー２９が下降してロー
タリートランスポータ２８に受け渡される。そしてロー
タリートランスポータ２８の回転割り出しにより、半導
体ウエハはトップリング１９の下方に搬送され、その後
プッシャー２９の上昇によってトップリング１９に搬送
される。また、ポリッシング装置Ｐ２で研磨が終了した
半導体ウエハも同様に、トップリング１９、プッシャー
２９及びロータリートランスポータ２８、トップリング
１８の動作により、ポリッシング装置Ｐ２に搬送でき
る。

【００３６】上述の動作によって、反転機２０又は反転
機２１まで戻された半導体ウエハには、純水若しくは洗
浄用の薬液がリンスノズルによりかけられリンスされ
る。また、半導体ウエハが離脱したトップリング１８又
は１９のウエハ吸着面は、トップリング洗浄ノズルから
の純水若しくは薬液によって洗浄され、場合によっては
乾燥防止のためにリンスされる。そして、隔壁１０５に
はプッシャー洗浄ノズル(図示せず)が取り付けあり、前
記プッシャー２６、２７、２９の洗浄も行えるようにな
っている。

【００３７】また、半導体ウエハの歩留まり、洗浄効果
の向上のため、半導体ウエハをトップリングに吸着させ
た状態で薬液リンスすることもでき、プッシャー２６、
２７の上方ではロータリートランスポータ２２又はロー
タリートランスポータ２３に保持された状態で薬液リン
スすることもできる。

【００３８】図２乃至図４はカルーセル１４（又は１
５）によって支持されたトップリング１８（又は１９）
と研磨テーブル１２（又は１３）との関係を示す図で、
図２は概略側面図、図３及び図４は概略斜視図である。
カルーセル１４、トップリング１８及び研磨テーブル１
２と、カルーセル１５、トップリング１９及び研磨テー
ブル１３とは同一の構成であるため、図２乃至図４に関
連した以下の説明においては、一方のカルーセル１４、
トップリング１８及び研磨テーブル１２についてのみ説
明する。

【００３９】図２に示すように、カルーセル１４は複数
の柱３１（図２では１個のみ示す）によって支持された
ブリッジ３２に支持されている。カーセル１４はブリッ
ジ３２に取り付けられたモータ３４の回転主軸３３に支
持されている。従って、カルーセル１４は回転主軸３３
の回転によって垂直な回転軸芯Ｏを中心に回転可能に構
成されている。カルーセル１４には３個のトップリング
揺動アーム３５（図２では１個のみ示す）が支持されて
いる。各トップリング揺動アーム３５は、図２では真直
に図示されているが、Ｌ字形状に屈曲されている。

【００４０】各トップリング揺動アーム３５は減速機３
７を介してモータ３８に連結されており、モータ３８を
駆動することによって、トップリング揺動アーム３５は
カルーセル１４に対して揺動するようになっている。ト
ップリング揺動アーム３５の先端にはトップリング１８
が支持されている。トップリング１８はトップリング軸
３６を介してエアシリンダ（図示せず）に連結されてい
る。このトップリング軸３６はタイミングベルト４０を
介してモータ４１に連結されている。従って、トップリ
ング１８は、エアシリンダによって上下動可能に構成さ
れ、モータ４１によって自身の軸心の回りに回転可能に
構成されている。

【００４１】図３及び図４はブリッジ３２及び柱３１を
除去することにより、カルーセル１４、トップリング揺
動アーム３５及びトップリング１８の関係をより分かり
易く示した図である。図３及び図４に示すように、カル
ーセル１４は回転主軸３３から１２０°の等間隔放射状
に延びた３個のヘッド１４ａ、１４ｂ、１４ｃから構成
されている。また、カルーセル１４の各ヘッド１４ａ〜
１４ｃに支持されたトップリング揺動アーム３５はＬ字
状をなし、基端部はカルーセル１４に支持され、先端部
にはトップリング１８が支持されている。

【００４２】図２乃至図４の右側部分には、ロータリー
トランスポータ２２（又は２３）と、反転機２０（又は
２１）と、リフタ２４（又は２５）と、プッシャー２６
（又は２７）との関係が示されている。ロータリートラ
ンスポータ２２（又は２３）の上方に反転機２０（又は
２１）が配置され、ロータリートランスポータ２２（又
は２３）の下方にリフタ２４（又は２５）及びプッシャ
ー２６（又は２７）がそれぞれ配置されている。

【００４３】図２において、１個のトップリング１８が
ロータリートランスポータ２２の上方にある状態が示さ
れている。図３において、３個のトップリング１８が研
磨テーブル１２上で半導体ウエハを研磨している状態が
示されている。このときトップリング揺動アーム３５
は、カルーセル１４の半径方向内側に入り込むように揺
動している。また、図４においては、１個のトップリン
グ１８がロータリートランスポータ２２のロードアンロ
ードの位置にあり、１個のトップリング１８が研磨テー
ブル１２に対してオーバーハングした位置にあり、１個
のトップリング１８がロータリートランスポータ２８の
ロードアンロードの位置にある状態を示している。図４
において、各トップリング揺動アーム３５は、カルーセ
ル１４から半径方向外側に開くように揺動している。

【００４４】次に、ブリッジ３２とカルーセル１４とト
ップリング揺動アーム３５の各機能について、更に説明
する。ブリッジ３２は、３ヶ所をテーブルベース４２か
ら立ち上がった支柱３１によって堅固に支えられてい
る。３ヶ所の支柱部分には、ウォームギヤで構成されて
いるギヤボックスとサーボモータ及びボールネジから構
成されるジャッキとが配置されている。３ヶ所のジャッ
キは同期制御され、同時に動作することで研磨テーブル
１２（又は１３）に貼り付けられた研磨クロスを交換す
る場合などのメンテナンス時に、カルーセル１４を上昇
させることができるようになっている。

【００４５】通常の動作中は、ブリッジ３２はテーブル
ベース４２から立ち上がった３本の支柱３１で支えら
れ、支柱３１の上端のカップリング凸部とブリッジ３２
底面に取り付けられた状態で静止している。更に、凹凸
カップリングの締結を堅固なものにするため、ジャッキ
のモータにトルクをかけ、あたかもボルト締結をしてい
るような状態にしている。また、回転するカルーセル１
４（又は１５）に圧力流体、電源、信号を供給するため
に、ブリッジ３２の上には、配管及び配線が螺旋状に配
置されていて、カルーセル１４（又は１５）が回転して
も断線及び配管のねじりがないようになっている。

【００４６】カーセル１４（又は１５）は、ブリッジ３
２から堅固な軸受を内蔵するモータ３４により懸架され
ている。カルーセル１４は、トップリング揺動アーム３
５がポリッシング位置にあるときのみ回転可能に制御さ
れる。回転していないときは、内蔵しているエアブレー
キにより回転しないように保持され、回転動作時のみこ
のエアブレーキが開放される。カルーセル１４は正逆方
向に回転可能であり、カルーセル１４の回転は２４０°
に制限され、同一回転方向に回転しつづけることはな
い。カルーセル１４を回転駆動するモータ３４は、研磨
テーブル１２（又は１３）を回転駆動するモータと同様
に、偏平で大きな外径をもち、低速回転可能になってい
る。カルーセル１４を支持する回転主軸３３は、カルー
セル１４、トップリング揺動アーム３５に圧力流体、電
源、制御信号を供給するため、中空軸となっている。

【００４７】一方、トップリング揺動アーム３５は、カ
ルーセル１４（又は１５）に堅固な軸受により水平内で
回転可能に懸架されている。トップリング揺動アーム３
５は、カルーセル回転角度との組み合わせにより、研磨
テーブル１２（又は１３）上でのポリッシング位置、ポ
リッシグ後の半導体ウエハを研磨面から容易に引き離す
ために、研磨テーブル１２の外周端より半導体ウエハを
はみ出させるオーバハング位置、ロータリートランスポ
ータ２２又は２８上で半導体ウエハを装着・離脱させる
ロードアンロード位置、及びトップリング１８（又は１
９）をメンテナンスする場合にトップリング軸（スプラ
インシャフト）３６から取り外しするためのメンテナン
位置に揺動可能になっている。トップリング揺動アーム
３５の揺動回転移動は、堅固な軸受を介して取り付けら
れサーボモータ３８により制御されるようになってい
る。トップリング揺動アーム３５の回転揺動の揺動端に
は、揺動アームの誤過動センサ及びメカニカルストッパ
が設けられている。

【００４８】また、トップリング揺動アーム３５は、研
磨テーブル１２（又は１３）上でポリッシング位置にあ
るとき、その一部がカルーセル１４（又は１５）にかぶ
さるように収納され、更にその一部が、カルーセル１４
底面に取り付けられたプレートに接し、上方向に動作が
拘束される。更に、カルーセル１４底面に取り付けられ
た空圧シリンダにより、トップリング揺動アーム３５の
上面が、プレートに押し付けられる。これは、ポリッシ
ング中に半導体ウエハが受ける垂直方向の下降反力によ
り、トップリング揺動アーム３５が上方向に弾性変形す
るのを防ぎ、安定的に姿勢が保たれるようにするためで
ある。

【００４９】装置の安全上、トップリング揺動アーム３
５が動作を許される場所以外で誤った動作しないよう
に、ブリッジ３２の底部には、トップリング揺動アーム
動作テンプレート４３が設けられている。そして、トッ
プリング揺動アーム３５の上面には、ガイドポール４６
が固定されており、このガイドポール４６は後述するよ
うにテンプレート４３の溝に嵌合されている。これによ
って、ガイドポール４６はテンプレート４３に予め規定
された経路以外に働くことができないように設定されて
いる。

【００５０】次に、テンプレート４３について説明す
る。図５はテンプレート４３の平面図である。図５に示
すように、テンプレート４３には６個の円弧状の溝４３
ａ〜４３ｆが形成されている。溝４３ａはロードアンロ
ード位置規制用溝であり、溝４３ｂはメンテナンス位置
規制用溝、４３ｃは待機位置規制用溝である。また、４
３ｄはトップリング交換位置規制用溝、４３ｅはロード
アンロード位置規制用溝、４３ｆはメンテナンス位置規
制用溝である。

【００５１】前記溝４３ａ〜４３ｆに各トップリング揺
動アーム３５から立設されたガイドポール４６が嵌合し
ており、各トップリング揺動アーム３５の動きが規定さ
れるようになっている。更にテンプレート４３によって
規定された経路の要所には、センサが設けられていて、
各トップリング揺動アーム３５が規定された以上に移動
しようとする場合、制御ハード回路によってインタロッ
クが働くようになっている。

【００５２】上記構成において、３個の半導体ウエハが
バッチ処理される場合について説明する。この場合、左
側のポリッシング装置Ｐ１について説明する。搬送ロボ
ット８によって、反転機２０に搬送された半導体ウエハ
は、ロータリートランスポータ２２のステージの中心
と、反転機２０でチャックされた半導体ウエハの中心の
位相があったときに、ロータリートランスポータ２２の
下方に位置されたリフタ２４が昇降することで、ロータ
リートランスポータ２２上に搬送される。

【００５３】ロータリートランスポータ２２のステージ
上に載せられた半導体ウエハは、ロータリートランスポ
ータ２２の回転割り出しによって、トップリング１８の
下方へ搬送される。トップリング１８はトップリング揺
動アーム３５の揺動によって予めロータリートランスポ
ータ２２のロートアンロード位置に揺動している。トッ
プリング１８の中心が前記ロータリートランスポータ２
２に搭載された半導体ウエハの中心と位相が合ったと
き、それらの下方に配置されたプッシャー２６が上昇す
ることで、半導体ウエハはロータリトランスポータ２２
か１個のトップリング１８へ移送される。上述の動作を
繰り返すことによりカルーセル１４に支持された３個の
トップリング１８へ半導体ウエハのロードが行われる。

【００５４】全てのトップリングに１８に半導体ウエハ
を装着した後に、全てのトップリング１８によって半導
体ウエハを研磨テーブル１２に押し付けて３個の半導体
ウエハの同時研磨を行う。この場合、半導体ウエハを回
転している研磨テーブル１２の上面の研磨クロス又は砥
石等からなる研磨面にエアシリンダにより押圧する。一
方、研磨砥液ノズル（図示せず）から研磨砥液を流すこ
とにより、研磨面に研磨液が保持されており、半導体ウ
エハの被研磨面（下面）と研磨面の間に研磨砥液が存在
した状態でポリッシングが行われる。この研磨中に、全
ての半導体ウエハの研磨状態は、図示しない光学式セン
サ、若しくは図示しない渦電流センサで監視し、図示し
ない研磨制御部でセンサ出力信号が処理され、研磨動作
にフィードバックされる。

【００５５】その後、所望の研磨時間が終了すると、ト
ップリング１２は半導体ウエハを吸着保持する。そし
て、トップリング揺動アーム３５を半径方向外方に揺動
させることにより、トップリング１８は研磨テーブル１
２上を半導体ウエハと研磨パッドが接触した状態で揺動
し、半導体ウエハの中心が研磨テーブル１２上に存在し
可能な限り研磨テーブル１２の外周近傍に位置し、半導
体ウエハの表面の４０％程度が研磨テーブル１２からは
み出したところまで移動する。

【００５６】その後、エアシリンダ（図示せず）を動作
させ、半導体ウエハと共にトップリング１８を上昇させ
る。これは、使用する研磨パッドによってはパッド上の
スラリーと半導体ウエハとの間の表面張力がトップリン
グの吸着力よりも強くなることがあり、半導体ウエハが
研磨パッド上に残されてしまうため、その表面張力を減
少させるために、研磨テーブル１２よりも半導体ウエハ
を飛び出させてからトップリング１８を上昇させる。半
導体ウエハ面積の４０％以上研磨テーブル１２からはみ
出ると、トップリング１８が傾き、半導体ウエハが研磨
テーブルのエッジに当たり半導体ウエハが割れてしまお
それがあるので４０％程度のはみ出しが望ましい。

【００５７】トップリング１８の上昇が完了すると、エ
アシリンダ（図示せず）の上昇点検センサが作動し、上
昇動作が完了したことが確認できる。そして、トップリ
ング１８の揺動動作を開始し、ロードアンロード位置で
あるプッシャー２６の上方に移動しプッシャー２６への
半導体ウエハの受渡しを行う。半導体ウエハをプッシャ
ー２６に受け渡した後、トップリング１８に向かって下
方から洗浄液を吹き付け、トップリング１８の半導体ウ
エハ保持面やその周辺を洗浄する。

【００５８】また、上記と同様、トップリング１９の上
昇完了を上昇点検センサで確認し、トップリング１９の
揺動動作を開始し、ロードアンロード位置であるプッシ
ャー２７の上方に移動しプッシャー２７への半導体ウエ
ハの受渡しを行う。半導体ウエハをプッシャー２７に受
け渡した後、トップリング１９に向かって下方から洗浄
液を吹き付け、トップリング１９の半導体ウエハ保持面
やその周辺を洗浄する。また、トップリング１８からプ
ッシャー２９への半導体ウエハの受渡し、トップリング
１９からプッシャー２９への半導体ウエハの受渡しも上
記と同様に行う。

【００５９】上記洗浄水の供給は、次の半導体ウエハが
トップリング１８、１９に受け渡されるまでの間トップ
リングの乾燥防止を目的とし、継続してもよい。ランニ
ングコストを考慮して間欠的に洗浄水を吹き付けてもよ
い。

【００６０】ポリッシングの間、例えばポリッシング時
間を複数のステップに分割し、そのステップ毎にトップ
リングの押し付け力や、回転数、半導体ウエハの保持方
法を変更することが可能になっている。また、使用する
砥液の種類、量、濃度、温度、供給タイミングなどを変
更することが可能である。

【００６１】次に、ロータリトランスポータとその周辺
機器である反転機、リフタ及びプッシャーについて図６
乃至図１１を参照して説明する。図６は反転機を示す図
であり、図６の（ａ）は平面図、図６（ｂ）一部断面側
面図である。反転機２０と２１は同一構造であるので、
以下反転機２０についてのみ説明する。図６（ａ）及び
図６（ｂ）に示すように、反転機２０は２本の円弧状の
アーム２０−１、２０−１を具備し、アーム２０−１に
半導体ウエハをクランプするための溝が形成されたコマ
２０−２が複数（例えば６個）固定されている。

【００６２】このアーム２０−１はシリンダ２０−３と
圧縮バネ２０−４の力を利用して押し引きされるシャフ
ト２０−５の動きに合せて開閉されるように構成されて
いる。アーム２０−１はシリンダ２０−３が縮んだとき
に圧縮バネ２０−４の力で閉じられている。シャフト２
０−５とシリンダ２０−３の先端には間隔を設けてあ
り、シャフト２０−５は圧縮バネ２０−４の力でエンド
ブロック２０−７にストッパ２０−６が当たるまで引き
戻される。

【００６３】また、半導体ウエハがチャックされている
ときは、ストッパ２０−６とエンドブロック２０−７の
間には１ｍｍのクリアランスができるようにエンドブロ
ック２０−７が調整されている。そして、ストッパ２０
−６にはスリットが切られており、半導体ウエハをクラ
ンプした位置でこのスリットを透過するように透過型光
センサ２０−８が配置されている。従って、半導体ウエ
ハＷをクランプしていないとき、若しくは正常にクラン
プできなかったときには、このセンサ２０−８の光は透
過しないため、半導体ウエハＷの有無をこのセンサ２０
−８が認識できるようになっている。

【００６４】また、シャフト２０−５のスライド機構２
０−９とプーリ２０−１１とが接続されており、プーリ
２０−９はステッピングモータ２０−１０の軸端のプー
リ２０−１１とベルト２０−１２で連結されており、サ
ーボモータ２０−１０が回転するとアーム２０−１が回
転する構造となっている。また、図１示すように、反転
機２０、２１と搬送ロボット８、９との間にシャッター
１０７、１０８が設置されており、反転機２０、２１が
配置されている洗浄領域Ｚ３と搬送ロボット８、９が配
置されている洗浄領域Ｚ２とを仕切っている。

【００６５】半導体ウエハの搬送時にはこのシャッター
１０７、１０８を開き、搬送ロボット８、９のハンドが
出入りする。搬送ロボット８、９のハンドの出入りがな
いときははこのシャッター１０７、１０８が閉まってお
り、半導体ウエハの洗浄やアームに固定されたチャック
コマの洗浄が行えるように防水機構となっている。

【００６６】次に、上述のように構成された反転機構の
動作を説明する。反転機２０へは搬送ロボット８とリフ
タ２４がアクセス可能で、半導体ウエハの受渡しを行
う。また、反転機２１へは搬送ロボット９とリフタ２５
がアクセス可能で、半導体ウエハの受渡しを行う。

【００６７】反転機２０は搬送ロボット８やリフタ２４
から搬送されてくる半導体ウエハをアーム２０−１が開
いた状態で待っている。搬送ロボット８の下側ハンド又
はリフタ２４で搬送される半導体ウエハの位置がアーム
２０−１に固定されたコマ２０−２のウエハクランプ用
溝と平面的に同じ高さで、且つアーム２０−１のコマ２
０−２配置の概ね中心に搬送されてきたとき、搬送ロボ
ット８やリフタ２４からの移動完了の信号を受けてアー
ム２０−１を閉じる。

【００６８】センサ２０−８で半導体ウエハＷの有無を
確認した後、搬送ロボット８はハンドをある所定の高さ
まで下げて、その後ハンドを引き抜く。一方、リフタ２
４は半導体ウエハＷの有無を確認後、下方に待避して半
導体ウエハＷの反転機２０への受渡しを完了する。反転
機２４に受け渡された半導体ウエハＷはアーム２０−１
と共にステッピングモータ２０−１０にて反転される。
反転された半導体ウエハＷはその後の搬送機構である搬
送ロボット８やリフタ２４が半導体ウエハを受け取るま
でそのままで待避する。

【００６９】反転の動作はポリッシングの前後にそれぞ
れ行われる。ポリッシング後のウエハを反転する場合
は、ポリッシング時には半導体ウエハＷについて砥液や
研磨屑が半導体ウエハＷ上で乾燥し、固着して半導体ウ
エハＷにダメージを与えるのを防止するため、反転中や
反転後に半導体ウエハＷへ洗浄液を吹き付けてリンスす
る。リンスされる洗浄液は純水や薬液が使用され、スプ
レーノズルにより必要流量、圧力で最適角度から所望の
時間吹き付ける。このようにリンスにより後段の洗浄性
能が充分に発揮できる。

【００７０】半導体ウエハＷが反転機２４上で待機する
場合、その中間、洗浄液を流し続けるが、ランニングコ
ストを考慮し間欠的に流して洗浄液の使用量を低減して
もよい。また、反転機２０が半導体ウエハをクランプし
ていないときに、半導体ウエハＷをクランプする溝やそ
の周辺を洗浄液で洗浄し、半導体ウエハＷに接触する部
位から半導体ウエハＷが逆汚染されるのを防ぐことがで
きる。

【００７１】図７はリフタの構造を示す縦断面図であ
る。リフタ２４と２５は同一構造であるので、以下の説
明ではリフタ２４のみを説明する。リフタ２４は、半導
体ウエハを載置するステージ２４−１を該ステージ２４
−１の上昇下降動作を行うシリンダ２４−２とを備えて
おり、シリンダ２４−２とステージ２４−１とはスライ
ド可能なシャフト２４−３で連結されている。ステージ
２４−１は上方から見て等角度に配置された３本の爪２
４−４に分かれていて、それぞれの爪２４−４はオリフ
ラウエハを載置した場合でも搬送に影響しない範囲内に
ウエハを保持できるような間隔で配置されている。

【００７２】爪２４−４は反転機２４のチャック用のコ
マ２０−２と位相が一致しない向きに配置されている。
つまりチャック用のコマ２０−２が半導体ウエハＷを保
持する第１のウエハエッジ部と、リフタ２４の爪２４−
４が保持する第２のウエハエッジ部は一致しない。ま
た、反転機２０やロータリートランスポータ２２との半
導体ウエハ受渡しを行う爪２４−４には半導体ウエハが
載置される面があり、それより上方は半導体ウエハが載
置される面があり、それより上方は半導体ウエハが載置
される際に搬送位置決め誤差を吸収し、半導体ウエハを
求芯するようにテーパ状になっている。

【００７３】シリンダ２４−２の上昇動作でステージ２
４−１の半導体ウエハ保持面は反転機２０のウエハ保持
高さまで上昇する。この上昇動作を停止するためにスト
ッパとして緩衝機能のあるストッパ２４−５が設置され
ている。このストッパ２４−５にシリンダ２４−２の軸
に固定されたストッパベース２４−６が当接するとシリ
ンダ２４−２の上昇が停止、シリンダ２４−２の軸に連
結されているステージ２４−１の上昇も同時に停止す
る。このストッパ２４−５の位置によりステージ２４−
１の上昇する高さを受渡し高さに調整できる。また、こ
のシリンダ２４−２には上昇位置と下降位置のそれぞれ
を検知するセンサ２４−７、２４−８が設けられてお
り、シリンダ２４−２の上昇下降の動作が完了したこと
を検知できるようになっている。

【００７４】次に、上記のように構成されたリフタ２４
の動作を説明する。リフタ２４は反転機２０とロータリ
ートランスポータ２２の間のウエハ搬送機構である。ポ
リッシング前の半導体ウエハは搬送ロボット８から反転
機２０へ搬送される。その後、半導体ウエハは反転さ
れ、パターン面が下を向く。反転機２０で保持された半
導体ウエハに対して下方からリフタ２４が上昇してきて
半導体ウエハの真下で停止する。リフタ２４の上端には
半導体ウエハを載置するステージ２４−１があり、半導
体ウエハを載置することができる。

【００７５】リフタ２４の上昇が半導体ウエハの直下で
停止したのを、例えばリフタ２４の上昇用シリンダのセ
ンサ２４−７が確認すると、反転機２０は半導体ウエハ
のクランプを開放し、半導体ウエハはリフタ２４のステ
ージ２４−１に載る。その後、リフタ２４は半導体ウエ
ハを載置したまま下降する。この下降の途中で半導体ウ
エハはロータリートランスポータ２２に受け渡される。
このとき、半導体ウエハはロータリートランスポータ２
２のピン上に載置される。半導体ウエハがロータリート
ランスポータ２２に受け渡された後もリフタ２４は下降
を続けシリンダ２４−２のストローク分まで下降して停
止する。

【００７６】逆にポリッシング後の半導体ウエハは、ロ
ータリートランスポータ２２から反転機２０にリフタ２
４によって搬送される。ポリッシング後の半導体ウエハ
はロータリートランスポータ２２に載ってリフタ２４の
上方に搬送されている。このとき、リフタ２４はロータ
リートランスポータ２２の下の位置にある。ロータリー
トランスポータ２２に載せられた半導体ウエハがリフタ
２４の真上に来て停止したことを確認した後、リフタ２
４は上昇を開始する。リフタ２４は上昇の途中でロータ
リートランスポータ２２に載った半導体ウエハを下方か
ら取り去る。その後、該半導体ウエハを載せたまま上昇
を続ける。

【００７７】このとき、反転機２０は半導体ウエハをク
ランプする準備としてアーム２０−１を開いた状態で待
っている。反転機２０のアーム２０−１の半導体ウエハ
をクランプするコマ２０−２のウエハクランプ用溝の高
さで半導体ウエハを上昇させたらリフタ２４の上昇は終
了し停止する。リフタ２４の上昇終了は前述のシリンダ
２４−２のセンサ２４−７で検知され、この検知信号で
装置本体の制御系に送られ、上昇終了が認識される。そ
の信号を受け、反転機２０はクランプ動作として開いて
いたアーム２０−１を閉じる。この動作により半導体ウ
エハは反転機２０に保持される。反転機２０で保持を確
認したら、リフタ２４は下降する。

【００７８】図８及び図９はロータリートランスポータ
の構成を示す図で、図８は平面図、図９は縦断面図であ
る。ロータリートランスポータ２２と２３は同一構造で
あるので、以下の説明はロータリートランスポータ２２
のみを説明する。図８及び図９に示すように、半導体ウ
エハＷを搭載するロータリートランスポータ２２には４
ヶ所のウエハ搭載ステージ２２−１０を有し、該４ヶ所
のウエハ搭載ステージ２２−１０にそれぞれには、ウエ
ハを少なくとも３点のピンで支持すればよいが、オリフ
ラノッチ兼用とするため本実施形態例では６点のエッジ
で支えるため６本のピン２２−１が立設されている。

【００７９】ピン２２−１の先端にはテーパ２２−２
（１５°〜２５°ぐらいが望ましい）が形成されてお
り、ウエハ搭載時に求芯することができるようになって
いる。ロータリートランスポータ２２は、常に反時計方
向の一方向に回転するようになっている。ちなみに、ロ
ータリートランスポータ２３は時計方向の一方向に回転
するようになっている。

【００８０】各々のポジションには半導体ウエハＷの有
無を検知するセンサ５０がロータリートランスポータ２
２から外れた場所に設置されている。センサ５０はホト
センサーであり投光側５０ａと受光側５０ｂで構成され
る。該センサ５０はウエハ搭載ステージ２２−１０と一
緒には回転しない。各ステージ２２−１０には、処理前
の半導体ウエハと処理後の半導体ウエハとが搭載される
ようになっている。

【００８１】４ヶ所の各ウエハ搭載ポジションには半導
体ウエハに洗浄液を吹き付けるためのリンスノズル５１
−１〜５１−４がロータリートランスポータ２２を挟み
上下方向にロータリートランスボータ２２から外れた場
所に設置されている。リンスノズル５１−１〜５１−４
はステージ２２−１０と一緒に回転しない。洗浄液は純
水やイオン水などが使われることが多い。各ウエハ搭載
ステージは、スラリーの飛散や半導体ウエハ洗浄及びト
ップリング洗浄時の水の飛散を防ぐため、それぞれセパ
レータ２２−４で仕切られている。

【００８２】ロータリートランスポータ２２はサーボモ
ータ２２−５の回転により半導体ウエハを搬送する。ロ
ータリートランスポータ２２の下部には原点センサ２２
−６が設置され、ウエハ搬送ポジションの位置決めは該
原点センサ２２−６とサーボモータ２２−５によって制
御さる。位置決めされる搬送ポジションはＨＰ（ホーム
ポジション）位置を中心とした９０°づつ位相を異にし
た４位置である。

【００８３】次に、上述のように構成されたロータリー
トランスポータの動作を説明する。図８は、ホームポジ
ション（ＨＰ）位置を示している。ロータリートランス
ポータは一定方向に回転（ロータリートランスポータ２
２は反時計方向、ロータリートランスポータ２３は時計
方向）回転し、１つのステージ２２−１０がリフタ２４
の上方に予め位置している。

【００８４】トップリング１８へ搬送されるべき半導体
ウエハＷは、搬送ロボット８によって反転機２０に搬送
される。反転機２０は半導体ウエハＷをチャックした
後、該半導体ウエハＷを１８０°反転させる。反転した
半導体ウエハＷは、リフタ２４によって受け取られ、そ
のまま下降すると、ロータリートランスポータ２２のウ
エハ搭載ステージ２２−１０上のピン２２−１のテーパ
２２−２により、リフタ２４上に載せられた半導体ウエ
ハＷは求芯され、ピン２２−１の肩に載せられる。

【００８５】リフタ２４は、半導体ウエハＷがピン２２
−１に載せられた後も、ロータリートランスポータ２２
が回転しても互いに干渉しない位置まで下降を続ける。
リフタ２４の下降が完了すると、ロータリートランスポ
ータ２２は反時計廻りに９０°位置を変え、上述の動作
に次の半導体ウエハをロータリートランスポータ２２の
ステージ２２−１０に搭載する。この動作を順次行い、
プッシャー２６上に１つの半導体ウエハＷを位置させ
る。ロータリートランスポータ２２の位置決めが完了す
ると、プッシャー２６が上昇し、その上方にあるトップ
リング１８へ半導体ウエハを搬送する。

【００８６】トップリング１８で研磨された半導体ウエ
ハＷは、予めトップリング１８の下に位置させたロータ
リートランスポータ２２の半導体ウエハＷは搭載ステー
ジ２２−１０に向けて前記プッシャー２６により搬送さ
れる。トップリング１８よりプッシャー２６によって受
け取られた半導体ウエハＷは、ウエハ搭載ステージ２２
−１０上のピン２２−１のテーパ２２−２により求芯さ
れ、ピン２２−１の肩に載せられる。

【００８７】上は搭載ステージ２２−１０上に半導体ウ
エハＷが搭載され、プッシャー２６がロータリートラン
スポータ２２と干渉しない位置まで下降したら、ロータ
リートランスポータ２２が反時計廻りに９０°位置を変
え、リフタ２４上にウエハを位置させる。ロータリート
ランスポータ２２の位置決めが完了すると、リフタ２４
が上昇し、ウエハ搭載ステージ２２−１０より半導体ウ
エハを受け取り、反転機２０へ搬送する。

【００８８】なお、図９において、５５、５６、５７、
５８はそれぞれプッシャー２６、リフタ２４、トップリ
ング１８の下面、反転機２０をリンスするリンスノズル
である。

【００８９】図１０及び図１１はプッシャーの構造を示
す図で、図１０はプッシャーの縦断面図、図１１はプッ
シャーの動作説明図である。プッシャー２６と２７は同
一構造なので、以下の説明ではプッシャー２６のみを説
明する。図１０に示すように、中空シャフト２６−１の
延長上にトップリングを保持するためのガイドステージ
２６−２が設けられ、中空シャフト２６−１をスプライ
ンシャフト２６−３が通り、スプラインシャフト２６−
３の延長上に半導体ウエハを保持するプッシュステージ
２６−４が設置されている。

【００９０】スプラインシャフト２６−３には軸ブレに
対してフレキシブルに軸を接続可能なフローティングジ
ョイント２６−５によってエアシリンダ２６−６が連結
されている。エアシリンダは２個直列に上下に配置され
ている。最下段に配置されたエアシリンダ２６−７はガ
イドステージ２６−２の上昇・下降用、及びプッシュス
テージ２６−４の上昇・下降用で、エアシリンダ２６−
６ごと中空シャフト２６−１を上下させる。エアシリン
ダ２６−６はプッシュステージ２６−４の上昇・下降用
である。

【００９１】トップリングガイド２６−９に位置合わせ
機構を持たせるため、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動可能なリニ
アウェイ２６−１０を配置している。ガイドステージ２
６−２はリニアウェイ２６−１０に固定されている。リ
ニアウェイ２６−１０は中空シャフト２６−１に固定さ
れている。リニアウェイ２６−１０は中空シャフト２６
−１に固定されている。中空シャフト２６−１はスライ
ドブッシュ２６−１１を介してベアリングケース２６−
１２に保持されている。エアシリンダ２６−７のストロ
ークは圧縮バネ２６−１３によって中空シャフト２６−
１に伝えられる。

【００９２】プッシュステージ２６−４はガイドステー
ジ２６−２の上方にあり、プッシュステージ２６−４の
中心より下方に伸びプッシュロッド２６−２１はガイド
ステージ２６−２の中心のスライドブッシュ２６−８を
通すことで芯出しされ、スプライシャフト２６−３に接
している。プッシュステージ２６−４はスプラインシャ
フト２６−３を介してシリンダ２６−６によって上下
し、トップリング１８へ半導体ウエハＷをロードする。
プッシュステージ２６−４の端には位置決めのための圧
縮バネ２６−２０が配置されている。

【００９３】ガイドステージ２６−２の最外周には、ト
ップリングガイド２６−９が３個設置されている。トッ
プリングガイド２６−９は２段の階段構造となってお
り、上段部２６−９ａはトップリング１８のガイドリン
グ１８−１の下面とのアクセス部であり、下段部２６−
９ｂは半導体ウエハＷの求芯用、及び保持用である。上
段部２６−９ａはガイドリング１８−１の呼び込みのた
めのテーパ（２５°〜３５°ぐらいが望ましい）がつい
ており、下段部２６−９ｂには半導体ウエハＷの呼び込
み用のテーパ（１０°〜２０°ぐらいが望ましい）がつ
いている。ウエハアンロード時は直接トップリングガイ
ド２６−９でウエハエッジを受ける。

【００９４】ガイドステージ２６−２の裏面には防水と
上昇したステージが元の位置に復帰するため案内の機能
を持ったガイドスリーブ２６−１４が設置されている。
ガイドスリーブ２６−１４の内側にはプッシャーのセン
タリングのためのセンタスリーブ２６−１５がベアリン
グケース２６−１２に固定されている。プッシャーはベ
アリングケース２６−１２で研磨部側のモータハウジン
グ６１に固定されている。

【００９５】プッシュステージ２６−４とガイドステー
ジ２６−２の間の防水にはＶリング２６−１６のリップ
部がガイドステージ２６−２と接触し、内部への水の侵
入を防いでいる。ガイドステージ２６−２が上昇するＧ
部の容積が大きくなり、圧力が下がり水を吸込んでしま
う。これを防ぐためＶリング２６−１６の内側に穴２６
−２２を設け、圧力が下がるのを防止している。

【００９６】トップリングガイド２６−９がトップリン
グ１８にアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸
収のために、ショックキラー２６−１７が設置されてい
る。各々のエアシリンダ２６−６、２６−７にはプッシ
ャー上下方向の位置確認のため上下リミットセンサが設
けている。即ち、シリンダ２６−６にセンサ２６−２
３、２６−２４が、シリンダ２６−７にセンサ２６−２
５、２６−２６がそれぞれ設けられている。プッシャー
２６に付着したスラリー等から半導体ウエハＷの逆汚染
を防止するため、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別
途設置される。プッシャー２６上の半導体ウエハＷ有無
を確認するためのセンサが別途設置される場合もある。
エアシリンダ２６−６、２６−７の制御はダブルソレノ
イドバルブで行なう。

【００９７】次に、上記のように構成されたプッシャー
２６の動作を説明する。 （１）半導体ウエハロード時 図１１（ａ）に示すように、プッシャー２６の上方にロ
ータリートランスポータ２２によって半導体ウエハＷが
搬送される。トップリング１８がプッシャー２６上方の
ウエハロード位置にあって半導体ウエハＷを保持してい
ない時、図１１（ｂ）に示すように、エアシリンダ２６
−６によりプッシュステージ２６−４が上昇する。プッ
シュステージ２６−４の上昇が完了がセンサー２６−２
３で確認されると、図１１（ｃ）に示すように、エアシ
リンダ２６−７によりガイドステージ２６−２周りの構
成部品一式が上昇していく。上昇途中でロータリートラ
ンスポータ２２の上は保持位置を通過する。このとき、
通過と同時に半導体ウエハＷはトップリングガイド２６
−９のテーパ２６−９ｃで半導体ウエハＷを芯出し、プ
ッシュステジ２６−４により半導体ウエハＷの（エッジ
以外の）裏面を保持する。

【００９８】プッシュステージ２６−４が半導体ウエハ
Ｗを保持したままトップリングガイド２６−９は停止す
ることなく上昇していき、トップリングガイド２６−９
のテーパ２６−９ｄによってガイドリング１８−１を呼
び込む。Ｘ、Ｙ方向に自在に移動可能なリニアウエイ２
６−１０による位置合わせでトップリング１８が求芯
し、トップリングガイド２６−９の上段部２６−９ａが
ガイドリング１８−１の下面と接触することでガイドス
テージ２６−２の上昇を終了する。

【００９９】ガイドステージ２６−２はトップリングガ
イド２６−９の上段部２６−９ａがガイドリング１８−
１の下面に接触して固定され、それ以上上昇することは
ない。ところが、エアシリンダ２６−７はショックキラ
ー２６−１７に当たるまで上昇し続けるので、圧縮バネ
２６−１３は収縮するためスプラインシャフト２６−３
のみが更に上昇し、プッシュステージ２６−４がさらに
上昇する。この時、図１１（ｄ）に示すように、プッシ
ュステージ２６−４は半導体ウエハＷの（エッジ以外
の）裏面を保持し、トップリング１８まで半導体ウエハ
Ｗを搬送する。半導体ウエハＷがトップリング１８に接
触した後シリンダ２６−７が上昇するストロークはバネ
２６−２０が吸収し、半導体ウエハＷを保護する。

【０１００】トップリング１８が半導体ウエハＷの吸着
を完了すると、プッシャー２６は下降を開始し、図１１
（ａ）の状態まで下降する。この下降の際に、トップリ
ング１８の求芯のためセンタ位置を移動していたガイド
ステージ２６−２はガイドスリーブ２６−１４に設けら
れたテーパ部とセンタスリーブ２６−１５が設けられた
テーパ部によってセンタリングされる。下降終了で動作
が完了する。

【０１０１】（２）ウエハアンロード時 プッシャー上方の上はアンロード位置にトップリング１
８によって半導体ウエハＷが搬送される。ロータリート
ランスポータ２２のウエハロードステージがプッシャー
２６上方にあってウエハ搭載していない時、エアシリン
ダ２６−７によりガイドステージ２６−２周りの構成部
品一式が上昇し、トップリングガイド２６−９のテーパ
２６−９ｄによってガイドリング１８−１を呼び込む。
リニアウエイ２６−１０による位置合わせでトップリン
グ１８に求芯し、トップリングガイド２６−９の上段部
２６−９ａがガイドリング１８−１の下面と接触するこ
とでガイドステージ２６−２の上昇は終了する。

【０１０２】エアシリンダー２６−７はショックキラー
２６−１７に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステ
ージ２６−２はトップリングガイド２６−９の上段部２
６−９ａがガイドリング１８−１の下面に接触して固定
されているため、エアシリンダー２６−７は圧縮バネ２
６−１３の反発力に打ち勝ってスライドシャフト２６−
３をエアシリンダー２６−６ごと押し上げ、プッシュス
テージ２６−４を上昇される。このとき、図１１（ｅ）
に示すように、プッシュステージ２６−４はトップリン
グガイド２６−９の下段部２６−９ｂのウエハ保持部よ
り高い位置になることはない。本実施形態例ではシリン
ダ２６−７はトップリングガイド２６−９がガイドリン
グ１８−１に接触した所から更にストロークするように
設定されている。この時の衝撃はバネ２６−１３によっ
て吸収される。

【０１０３】エアシリンダ２６−７の上昇が終了すると
トップリング１８により半導体ウエハＷがリリースされ
る。この時、トップリングガイド２６−９の下段テーパ
２６−９ｃによって半導体ウエハＷが求芯され、トップ
リングガイド２６−９の下段部２６−９ｂにエッジ部を
保持される。半導体ウエハＷがプッシャーに保持される
と、プッシャー２６は下降を開始する。下降の際、トッ
プリング１８の求芯のためセンタ位置を移動したガイド
ステージ２６−２はガイドスリーブ２６−１４によりセ
ンタリングされる。下降の途中でプッシャー２６よりロ
ータリートランスポータ２２に半導体ウエハＷのエッジ
部で受け渡され、下降終了で動作が完了する。

【０１０４】図１０及び図１１に示す構成のプッシャー
によれば、プッシャー２６にトップリング１８への求芯
機構を持たせることにより、プッシャー２６とトップリ
ング１８との位置関係の調整が容易になる。また、プッ
シュステージ２６−４の上昇ストロークをトップリング
１８の下面より２ｍｍ高い位置までとすることで、高さ
方向の位置合せが容易になる。その際、高さ方向での当
たりをバネにより吸収できるようにしている。

【０１０５】なお、ロータリートランスポータ２８は、
３ヶ所のウエハ搭載ステージ（１２０°等配）を有する
点が異なり、他はロータリートランスポータ２２と略同
じ構造であるからその説明は省略する。また、プッシャ
ー２９の構造もプッシャー２６と略同じであるからその
説明は省略する。また、トップリング１８とロータリー
トランスポータ２８の間の半導体ウエハの受渡し、及び
トップリング１９とロータリートランスポータ２８の間
の半導体ウエハの受渡し動作は図１１と同一であるから
その説明は省略する。

【０１０６】図１２はトップリングの構造を示す断面図
である。図１２に示すように、トップリンク１８（又は
１９）はトップリング本体１８−２と半導体ウエハＷを
保持する保持プレート１８−３とを備えている。トップ
リング本体１８−２と保持プレート１８−３との間には
チャンバー１８−９が形成されており、チャンバー１８
−９はレギュレータＲ１を介して流体源４８に接続され
ている。また、保持プレート１８−３の下面には弾性マ
ット１８−３ａが貼着されている。

【０１０７】また、トップリング１８の外周部には、半
導体ウエハＷを保持プレート１８−３の下端面、即ち、
弾性マット１８−３ａの下面に保持するためのガイドリ
ング（リテーナリング）１８−１が配置されている。ガ
イドリング１８−１と保持プレート１８−３の間には、
円環状のチューブからなる流体圧バック１８−６が配置
されている。そして、該流体圧バック１８−６はレギュ
レータＲ２を介して流体源４８に接続されている。トッ
プリング１８の下方には、上面に研磨クロス１２−１を
貼った研磨テーブル１２が設置されている。研磨クロス
１２−１は半導体ウエハＷに習接して研磨する研磨面を
構成している。

【０１０８】前記トップリング本体１８−２はベアリン
グボール１８−７を介してトップリング軸３６に連結さ
れており、トップリング軸３６はエアシリンダ４７によ
り上下動されるようになっている。エアシリンダ４７は
レギュレータＲ３を介して流体源４８に接続されてい
る。

【０１０９】上記構成において、流体源４８からエアシ
リンダ４７に圧縮空気等の加圧流体を供給することによ
り、トップリング１８が被研磨基板である半導体ウエハ
Ｗを研磨テーブル１２上の研磨クロス１２−１に所定の
押圧力Ｆ１で押圧し、半導体ウエハＷを研磨する。この
押圧力Ｆ１はレギュレータＲ３を調整することにより可
変できるようになっている。

【０１１０】次に、マルチベッド型のポリッシング装置
Ｐ１、Ｐ２の研磨テーブルをドレッシングするドレッシ
ング装置について説明する。ドレッシング装置１６と１
７は同一構造であるので以下、ドレッシング装置１６に
ついてのみ説明する。ドレッサー装置１６はドレッサー
ベッド１６−１に回転自在に支持されたドレッサー１６
−２を具備する。ドレッサーヘッド１６−１はドレッサ
ー昇降用のエアシリンダー１６−１８により昇降し、ド
レッサー１６−２が研磨テーブル１２の研磨面に対して
接触又は離間するようになっている。

【０１１１】ドレッサー１６−２の回転軸１６−３の上
端にはプーリ１６−４が固定されており、このプーリ１
６−４はドレッサー駆動用のモータ１６−５の回転軸１
６−６に連結されたプーリ１６−８とタイミングベルト
１６−９により連結されている。なお、モータ１６−５
の回転軸１６−６とプーリ１６−８とは一体的に回転す
るが、上下方向は互いに自由に動く事ができるようにキ
ーとキー溝により連結されている。なお、プーリ１６−
８及びドレッサーヘッド１６−１を支持する支持部１６
−１６はガイドレール１６−１７によって上下動が案内
されるようになっている。

【０１１２】前記エアシリンダー１６−１８及びモータ
１６−５はハウジング１６−１０に支持されており、こ
のハウジング１６−１０は揺動用モータ１６−１１によ
り回転されるようになっている。そして、揺動用モータ
１６−１１はブラケット１６−１２に固定されている。
ブラケット１６−１２はベース１６−１３に固定されガ
イドレール１６−１４に係合しており、ブラケット１６
−１２はガイドレール１６−１４上を上下方向に摺動可
能になっている。ブラケット１６−１２には昇降用エア
シリンダー１６−１５が固定され、昇降用エアシリンダ
ー１６−１５が固定され、昇降用エアシリンダー１６−
１５のロッド１６−１５ａの先端はベース１６−１３に
固定されている。なお、ベース１６−１３はフレーム６
２に支持されている。

【０１１３】前述の構成において、昇降用エアシリンダ
ー１６−１５を動作させることによって、ドレッサー１
６−２、ドレッサーヘッド１６−１、ドレッサー駆動用
のモータ１６−５及び揺動用のモータ１６−１１が一体
に昇降するようになっている。従って、本ドレッサー装
置においては、ドレッサー１６−２を使用していないと
きには、ドレッサー１６−２を研磨テーブル１２より下
方に待避できるようになっている。そして、揺動モータ
用モータ１６−１１を駆動することによって、ドレッサ
ーヘッド１６−１は揺動し、ドレッサー１６が待避位置
と研磨テーブル上のドレッシング位置とに位置すること
ができるようになっている。

【０１１４】また、ドレッサー１６−２によりドレッシ
ングを行う際には、ドレッサー昇降用のエアシリンダー
１６−１８を上下動させ、ドレッサー１６−２を研磨テ
ーブル１２上の研磨面に押圧する。このとき、ドレッサ
ー駆動用のモータ１６‐５により、ドレッサー１６−２
は所定の速度で回転駆動される。また、研磨テーブル１
２（又は１３）は所定の速度で回転駆動される。

【０１１５】次に、搬送ロボット４、搬送ロボット８及
び搬送ロボット９がアクセスできる位置に配置されたウ
エハステーション７について、図１４乃至図１６を参照
して説明する。図１４はウエハステーションを示す図
で、図１４（ａ）は正面図、図１４（ｂ）は側面図であ
る。また、図１５（ａ）は図１４（ａ）のＩ矢視図、図
１５（ｂ）は図１４（ａ）のII矢視図、図１５（ｃ）は
図１４（ａ）のIII矢視図、図１５（ｄ）は図１４
（ａ）のIV矢視図、図１５（ｅ）は図１４（ａ）のＶ矢
視図である。また、図１６（ａ）乃至図１６（ｃ）はウ
エハステーションの動作説明図である。

【０１１６】図１４に示すように、ウエハステーション
７は、９段のウエハトレイＴ１〜Ｔ９が上から順番に重
ね合わされている。９段のウエハトレイＴ１〜Ｔ９は１
つのユニットとして一体化されており、その下部に複数
の支柱（ガイドポスト）７−１が下方に向かって伸びて
いる。複数の支柱７−１は、洗浄ベースに固定されるウ
エハーステーションベース７−２上滑り軸受を内包した
ガイド７−３により上下動可能に支えられている。トレ
イユニット下部とウエハステーションベース７−２上面
はボールネジ７−４で連結され、更にボールネジ７−４
はサーボモータ７−５によって回転駆動されるようにな
っている。サーボモータ７−５を回転することにより、
ウエハトレイユニットを所定の高さに位置決めする。

【０１１７】Ｔ１：ダミーウエハＷＲ１及びＷＬ１（左
右に２枚） Ｔ２：ダミーウエハＷＲ２及びＷＬ２（左右に２枚） Ｔ３：ダミーウエハＷＲ３及びＷＬ３（左右に２枚） Ｔ４：ポリッシング前ウエハＷＲ及びＷＬ（左右に２
枚） Ｔ５：ポリッシング後洗浄前ウエハＷＲ１及びＷＬ１
（左右に２枚） Ｔ６：ポリッシング後洗浄前ウエハＷＲ２及びＷＬ２
（左右に２枚） Ｔ７：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＷＲ側→Ｌ側（１
枚） Ｔ８：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＷＬ側→Ｒ側（１
枚） Ｔ９：予備

【０１１８】それぞれのウエハトレイの機能は、以下の
通りである。ウエハトレイＴ１、Ｔ２及びＴ３は、研磨
テーブル上のポリシングパッドの慣らし運転（準備運
転）に使用するためのダミーウエハを収容する。前述し
たように、２個の研磨テーブル１２、１３には、それぞ
れ３つのトップリング１８、１９が対応している。各３
個のトップリング１２、１３用にウエハトレイＴ１、Ｔ
２及びＴ３のダミーウエハＷＲ１〜ＷＲ３及びＷＬ１〜
ＷＬ３を割り当てる。ダミーウエハは、慣らし運転毎に
新しいダミーウエハＷを供給する必要がないが、ある程
度の間隔で、新しいダミーウエハと交換する必要があ
る。このときは、４個のウエハカセット２のいずれかの
ウエハカセットに、交換用のダミーウエハを収納してお
き、４個のロードアンロードステージ１のいずれかのロ
ードアンロードステージにセッテングすると、搬送ロボ
ット４が、ウエハカセットより交換用ダミーウエハを取
出し、ウエハステーション７の使用済みダミーウエハと
交換する。

【０１１９】また、ウエハステーション７に収容された
ダミーウエハは、搬送ロボット４が取出し（ウエハステ
ーション７のダミーウエハトレイを一種のウエハカセッ
トとみなして）て、ウエハトレイＴ４のポリッシング前
のウエハＷＲ及びＷＬに移載して、搬送ロボット８及び
９が同一トレイからロータリートランスポータ２２及び
２３に移載する。ダミーポリッシングした後は、ダミー
ウエハは、搬送ロボット８、９により洗浄機１０又は１
１→洗浄機５又は６→ウエハトレイＴ４→ウエハトレイ
Ｔ１〜Ｔ３の元のポジションに戻ることになる。ウエハ
トレイＴ４のポリッシング前ウエハＷＲ及びＷＬは、搬
送ロボット→搬送ロボット８（又は９）→搬送ロボット
４への一時移載場所である。

【０１２０】ウエハトレイＴ５のポリッシング後洗浄前
ウエハＷＲ１及びＷＬ１（左右に２枚）、ウエハトレイ
Ｔ６のポリシング後洗浄前ウエハＷＲ２及びＷＬ２（左
右に２枚）、ウエハトレイＴ７の３段洗浄用後のウエハ
ＷＲ側→Ｌ側（１枚）、ウエハトレイＴ８の３段洗浄ウ
エハＷＬ側→ＷＲ側（１枚）は、後述するウエハ処理ル
ートにより説明する。

【０１２１】ウエハトレイＴ１〜Ｔ９の位置決めされる
所定の高さは、３位置が設定されいする。

【０１２２】第１の位置は、図１６（ａ）に示すよう
に、トレイユニットが一番下に位置決めされ、ダミーウ
エハのウエハトレイＴ１、Ｔ２、Ｔ３、及びウエハトレ
イＴ４のポリッシング前ウエハの４段が、搬送ロボット
４からアクセス可能であり、同じに搬送ロボット８及び
９がウエハトレイＴ４のポリッシング前ウエハにアクセ
ス可能な高さである。

【０１２３】第２の位置は、図１６（ｂ）示すように中
間高さ位置であり、ウエハトレイＴ４のポリッシング前
のウエハ及びウエハトレイＴ５、Ｔ６のポリッシング後
洗浄前のウエハの３段が、搬送ロボット８及び９からア
クセス可能な高さである。

【０１２４】第３位置は、図１６（ｃ）に示すように、
トレイユニットが一番上に位置決めそれ、ウエハトレイ
Ｔ７、Ｔ８の３段洗浄用１次洗浄後ウエハ及びウエハト
レイＴ９の予備トレイが、搬送ロボット８及び９からア
クセス可能な高さである。

【０１２５】上記第２、第３の位置では、搬送ロボット
４はウエハステーション７のウエハトレイにアクセスす
ることができない（アクセスする必要がない）。

【０１２６】ウエハトレイＴ５〜Ｔ８（又はＴ９）まで
のトレイにおいては、搬送ロボット８及び９が、ウエハ
にアクセスする面を除く５面を樹脂板により囲まれてい
る。搬送ロボットがウエハにアクセスする面は、エアシ
リンダ７−８により上下に開閉可能なシャッター７−９
が設置されていて、搬送ロボットが半導体ウエハにアク
セスするときのみ開口できるようになっている。

【０１２７】ウエハトレイＴ５〜Ｔ８（Ｔ９）までのト
レイは、ポリッシング後の半導体ウエハが次の工程に移
動するまでの一時載置場所であるため、その間に一時載
置された半導体ウエハが乾燥しており、周囲の空気によ
り酸化膜などが形成されたり、更には前工程の研磨砥
液、洗浄液などの半導体ウエハ表面がエッチングされな
いようにするため、半導体ウエハの表面及び裏面に純水
又は薬液をスプレーするノズル７−６が設けられてい
る。またウエハトレイＴ５〜Ｔ９にはウエハ有無を検知
するセンサ７−７が設置されている。

【０１２８】半導体ウエハの表面及び裏面スプレーされ
た純水及び薬液の排水をするため、ウエハトレイユニッ
トには、全部で３本の排水管が設けられている。第１の
排水管は最下部のウエハトレイＴ９に接続されており、
この排水管はウエハトレイユニット全体のドレンを兼ね
ている。第２の排水管はウエハトレイＴ８のトレイ下部
に取り付けられており、ウエハトレイＴ７、Ｔ８の排水
を行う。第３の排水管はウエハトレイＴ６のトレイ下部
に接続されており、ウエハトレイＴ５、Ｔ６の排水を行
う。ウエハトレイＴ１〜ウエハトレイＴ４は、ドライ環
境にて使用されるため排水機能は必要ない。

【０１２９】上記のように排水を分けているのは、ウエ
ハトレイＴ７、Ｔ８の３段洗浄用ウエハトレイとウエハ
トレイＴ５、Ｔ６のポリッシング後洗浄前ウエハトレイ
で使用する純水又は薬液が異なった場合、２種類の薬液
どうし、又は純水と薬液が混ざり合うことを防止するた
めである。３本の排水管は同一のメイン排水管に接続す
ることができ、又は薬液の種類によっては、別々の排水
管に分岐して、異なった工場排水ユーティリティに接続
することも可能である。

【０１３０】次に、洗浄領域Ｚ２内に設置された洗浄機
を説明する。本ポリッシング装置に搭載される洗浄機の
うち、洗浄機１０と洗浄機１１では、ロールの軸を中心
に回転させて半導体ウエハの裏面に押し付け洗浄できる
ようになっており、半導体ウエハの表面はロール状のス
ポンジを回転させながらウエハに押し付けて洗浄するロ
ールタイプと、半球状のスポンジを回転させながら押し
付けて洗浄するペンシルタイプのどちらかが選択でき、
更に洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プのものを付加することができる。洗浄機１０及び１１
は主にウエハ上のパーティクルを落す役割を担ってい
る。また、どの方法を選んだ場合にも、各洗浄機には３
種類以上の洗浄液をウエハの裏面に供給することができ
る。前記洗浄液は純水を使用してもよい。

【０１３１】洗浄機５、６には半導体ウエハの裏面をリ
ンス洗浄することができ、半導体ウエハの表面の洗浄は
半球状のスポンジを回転させながら押し付けて洗浄する
ペンシルタイプと、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメ
ガソニックタイプが同時にできるようになっている。各
洗浄機では３種類以上の洗浄液を半導体ウエハの表面及
び裏面に供給することができる。前記洗浄液は純水を使
用してもよい。そして、半導体ウエハをチャックするス
テージは高速で回転させることが可能で、洗浄後の半導
体ウエハを乾燥させる機能が（スピン乾燥機能）がつけ
られている。

【０１３２】また、上記の各洗浄機に搭載可能なメガソ
ニックタイプに代わり，キャビテーション効果を利用し
たキャビジェットタイプでも同様な効果が得られるの
で、キャビジェットタイプを搭載してもよい。

【０１３３】上記洗浄機５、６、１０、１１のウエハ搬
入口には、それぞれシャッターが取り付けられており、
半導体ウエハが搬入される時のみ開口が可能となってい
る。また、各洗浄液供給ラインにはエアーの圧力で制御
できる定流量弁が配置されており、エアー圧を制御する
レギュレータを組合せることで、コントロールパネルか
ら流量を自由に設定可能になっている。そして、各洗浄
機に供給される洗浄液は、洗浄方法、洗浄時間はコント
ロールパネルから任意に設定できるようになっている。

【０１３４】図１７は本発明に係る基板処理装置の他の
平面構成例を示す図である。図１７において、図１と同
一符号を付した部分は同一又は相当部分を示す。本基板
処理装置が図１に示す基板処理装置と相違する点は、ポ
リッシング領域Ｚ３の仕切壁１０６が切れたところの領
域Ｚ３−１と領域Ｚ３−２の間に配置されたロータリー
トランスポータ２８に替えて、搬送ロボット７１、基板
載置台（バッファ）７２及び洗浄機７３が配置されてい
る。他は図１の基板処理装置と同じであり、基板装置を
構成する機器も図２乃至図１６に示すものと同一であ
る。また、搬送ロボットは搬送ロボット８、９と同一で
ある。また、洗浄機７３はクロスコンタミを防止するた
めの洗浄機であり、洗浄機１０、１１と同一のものを用
いる。

【０１３５】上記のようにポリッシング領域Ｚ３の仕切
壁１０６が切れたところの領域Ｚ３−１と領域Ｚ３−２
の間に搬送ロボット７１を配置することにより、図１に
示す基板処理装置と同様、ポリッシング装置Ｐ１で研磨
終了した半導体ウエハを洗浄領域Ｚ２を経由することな
く、搬送ロボット７１を経由してポリッシング装置Ｐ２
に搬送することができる。

【０１３６】次に、図１に平面構成の基板処理装置にお
ける半導体ウエハの処理ルートについて説明する。処理
ルートには後に詳述するように、（１）シリアル搬送ル
ート（２段洗浄）バッチ処理、（２）シリアル搬送ルー
ト（３段洗浄）バッチ処理、（３）シリアル搬送ルート
（２段洗浄）連続（枚葉）処理、（４）シリアル搬送ル
ート（３段洗浄）連続（枚葉）処理がある。なお、カル
ーセルの回転方向は実施形態によってはすべて逆回転と
なり、回転角度もそれに応じて変更可能な装置である。

【０１３７】（１）シリアル搬送ルート（２段洗浄）バ
ッチ処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドにより、４個のウエ
ハカセット２の何れか１つから、１枚目の半導体ウエハ
Ｗ１を取出し、ウエハステーション７のドライステーシ
ョン（トレイＴ４）に搬送する。続いて該半導体ウエハ
Ｗ１を搬送ロボット８の下側ハンドで反転機２０に搬送
し、該反転機２０で１８０°反転し、該半導体ウエハＷ
１のパターン形成面を下向きにする。該パターン形成面
が下向きになった半導体ウエハＷ１をリフタ２４の動作
によりロータリトランスポータ２２に搭載する。上記動
作を繰返し、ロータリートランスポータ２２に３枚の半
導体ウエハＷ１〜Ｗ３を搭載する。

【０１３８】次に、ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル
１４を１２０°回転（時計回り）させ、第１の揺動アー
ム３５を揺動させ第１のトップリング１８をロータリト
ランスポータ２２に搭載された１枚目の半導体ウエハＷ
１の上に位置させる（トップリング１８の中心と半導体
ウエハＷ１の中心が一致）。この状態で、プッシャー２
６を動作させ、半導体ウエハＷ１をトップリング１８に
搬送し、トップリング１８は該半導体ウエハＷ１を吸着
する。続いて第１の揺動アーム３５を揺動させ第１のト
ップリング１８を研磨テーブル１２上のポリッシング位
置に移動させる。

【０１３９】次に、カルーセル１４を１２０°回転（時
計回り）させると共に、ロータリトランスポータ２２を
９０°回転させる。第２の揺動アーム３５を揺動させて
第２のトップリング１８をロータリトランスポータ２２
に搭載された２枚目の半導体ウエハＷ２の上に移動させ
る。この状態で、プッシャー２６を動作させ、半導体ウ
エハＷ２をトップリング１８に搬送し、トップリング１
８は該半導体ウエハＷ２を吸着する。続いて第２の揺動
アーム３５を揺動させ第２のトップリング１８を研磨テ
ーブル１２上のポリッシング位置に移動させる。

【０１４０】次に、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させると共に、ロータリトランスポータ
２２を９０°回転させる。第３の揺動アーム３５を揺動
させ第３のトップリング１８をロータリトランスポータ
２２に搭載された３枚目の半導体ウエハＷ３の上に移動
させる。この状態で、プッシャー２６を動作させ、半導
体ウエハＷ３をトップリング１８に搬送し、トップリン
グ１８は該半導体ウエハＷ３を吸着する。続いて第３の
揺動アーム３５を揺動させ第３のトップリング１８を研
磨テーブル１２上のポリッシング移動に移動させる。

【０１４１】上記のように第１〜第３のトップリングが
ポリッシング位置に設定されたところで、第１〜第３の
トップリング１８を降下させ、半導体ウエハＷ１〜Ｗ３
を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行う。こ
の間に上記と同じ動作により、ロータリートランスポー
タ２２に３枚の半導体ウエハＷ４〜Ｗ６を搭載する。半
導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨が終了したら第１〜第３の
トップリング１８を研磨テーブル１２からオーバーハン
グさせて上昇させる。第１の揺動アームを揺動させて第
１のトップリング１８をロータリトランスポータ２８の
ウエハ搭載ステージ上に移動させる。この状態でプッシ
ャー２９を動作させ、半導体ウエハＷ１をロータリート
ランスポータ２８上に搭載させる。

【０１４２】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させると共に、ロータリーランスポータ２
８を１２０°回転させる。第２の揺動アーム３５を揺動
させて第２のトップリング１８をロータリトランスポー
タ２８にウエハ搭載ステージに移動させ、プッシャー２
９を動作させ、半導体ウエハＷ２をロータリトランスポ
ータ２８搭載する。これと同時に第１の揺動アーム３５
を揺動させて第１のトップリングをロータリートランス
ポータ２２に搭載された半導体ウエハＷ４の上に移動さ
せ、プッシャー２６の動作により半導体ウエハＷ４を第
１のトップリングに搬送し吸着させ、更に該第１のトッ
プリングを研磨テーブル１２上のポリッシング位置に移
動させる。

【０１４３】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させると共に、ロータリトランスポータ２
８を１２０°回転（時計回り）させる。第３の揺動アー
ム３５を揺動させて第３のトップリング１８をロータリ
トランスポータ２８のウエハ搭載ステージ上移動させ、
プッシャー２９の動作により、半導体ウエハＷ３をロー
タリートランスポータ２８に搭載させる。この動作と同
時に第２のトップリング１８をロータリートランスポー
タ２２に搭載された半導体ウエハＷ５の上に移動させ、
プッシャー２６を動作させ、半導体ウエハＷ５を第２の
トップリング１８に搬送し吸着させ、更に該第２のトッ
プリング１８を研磨テーブル１２上のポリッシング位置
に移動させる。

【０１４４】続いて、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させる。第３の揺動アーム３５を揺動さ
せて第３のトップリング１８をロータリートランスポー
タ２２に搭載された半導体ウエハＷ６の上に位置させプ
ッシャー２６を動作させ、半導体ウエハＷ６を第３のト
ップリング１８に搬送し吸着させ、更に該第３のトップ
リング１８を研磨テーブル１２上のポリッシング位置に
移動させる。そして半導体ウエハＷ４〜Ｗ６の研磨を行
う。

【０１４５】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３がロータリー
トランスポータ２８に搭載されたら、ポリッシング装置
Ｐ２の第１揺動アームを揺動させて第１のトップリング
１９をロータリートランスポータ２８に搭載された半導
体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャー２９の動作に
より該半導体ウエハＷ１を第１のトップリング１９に搬
送し吸着させ、更に該第１のトップリング１９を研磨テ
ーブル１３上のポリッシング位置に移動させる。

【０１４６】次に、カルーセル１５を１２０°回転（反
時計回り）させると共に、ロータリートランスポート２
８を１２０°回転（時計回り）させる。続いて第２の揺
動アームを揺動させて第２のトップリング１９をロータ
リートランスポータ２８に搭載された半導体ウエハＷ２
の上に移動させ、プッシャー２９の動作により該半導体
ウエハＷ２を第２のトップリング１９に搬送し吸着さ
せ、更に該第２のトップリング１９を研磨テーブル１３
上のポリッシング位置に移動させる。

【０１４７】次に、カルーセル１５を１２０°回転（反
時計回り）させると共に、ロータリートランスポート２
８を１２０°回転（時計回り）させる。続いて第３の揺
動アームを揺動させ第３のトップリング１９をロータリ
ートランスポータ２８に搭載された半導体ウエハＷ３の
上に移動させ、プッシャー２９の動作により該半導体ウ
エハＷ３を第３のトップリング１９に搬送し吸着させ、
更に該第３のトップリング１９を研磨テーブル１３上の
ポリッシング位置に移動させる。カルーセル１５を２４
０°逆回転（時計回り）させ、半導体ウエハＷ１〜Ｗ３
を研磨テーブル１３の研磨面に押圧して研磨を行う。

【０１４８】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨が終了
したら、第１〜第３のトップリング１９を研磨テーブル
１３からオーバハングさせて上昇させる。続いてカルー
セル１５を１２０°回転（反時計回り）させ、第１の揺
動アームを揺動させて第１のトップリング１９をロータ
リートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ上に移動
させ、プッシャー２７の動作により半導体ウエハＷ１を
該ロータリートランスポータ２３上に搭載する。続い
て、カルーセル１５の１２０°回転（反時計回り）させ
ると共に、ロータリートランスポータ２３を９０°回転
させる。第２の揺動アームを揺動させて第２のトップリ
ング１９を揺動させてロータリートランスポータ２３の
ウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッシャー２７の動
作により半導体ウエハＷ２を該ロータリートランスポー
タ２３上に搭載する。

【０１４９】次にカルーセル１５を２４０°逆回転（時
計回り）させロータリートランスポータを９０°回転さ
せる。第３の揺動アームを揺動させて第３のトップリン
グ１９をロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ス
テージ上に揺動させ、プッシャー２７の動作により半導
体ウエハＷ３を該ロータリートランスポータ２３上に搭
載する。続いてロータリートランスポータ２３を９０°
回転させ、リフタ２５の動作により半導体ウエハＷ１を
反転機２１に搬送する。反転機２１は半導体ウエハＷ１
を１８０°反転させてパターン形成面を上向きとする。

【０１５０】次に、搬送ロボット９の下側ハンドで反転
機２１から半導体ウエハＷ１を受け取り、下記のルート
又はルートを通って搬送処理し（例えば、半導体ウ
エハ番号が奇数の場合はルート、半導体ウエハ番号が
偶数の場合はルート、又はその逆）、４個のカセット
２の何れか１つに収容する。

【０１５１】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に搬送し、該洗浄
機１１で洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上
側ハンドで受け取り、洗浄機６に搬送し、該洗浄機６で
洗浄・乾燥した半導体Ｗを搬送ロボット４の上側ハンド
で受け取り、４個のウエハカセット２の何れかに収容す
る。

【００１５２】ルート 搬送ロボット９の下側ハンド
で受取った半導体ウエハＷをウエハスターション７のウ
エットステーション（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、
搬送ロボット８の下側ハンドで受け取り洗浄機１０に搬
送し、該洗浄機１０で洗浄した半導体ウエハを搬送ロボ
ット８の上側ハンドで受け取り、洗浄機５に搬送し、該
洗浄機５で洗浄・乾燥した半導体ウエハをロボット４の
上側ハンドで受け取りウエハカセット２に収容する。半
導体ウエハＷ３はウエハーステーション７のウエットス
テーション（トレイＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、
半導体ウエハＷ１の洗浄機１１での洗浄（第１洗浄）が
終了後、上記ルート又はを通して処理し、ウエハカ
セット２に収容する。

【０１５３】（２）シリアル搬送ルート（３段洗浄）バ
ッチ処理 先ず，搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
ウエハステーション７のドライステーション（トレイＴ
４）に搬送する。続いて搬送ロボット８の下側ハンドで
反転機２０に搬送し、該搬送機２０で半導体ウエハＷ１
を１８０°反転させ、パターン形成面を下向きにする。
続いて、リフタ２４の動作により、該半導体ウエハＷ１
をロータリートランスポータ２２に搭載する。上記動作
を繰返して３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３をロータリー
トランスポータ２２に搭載する。

【０１５４】ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル１４を
１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２に搭載さ
れている半導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２
６の動作により、半導体ウエハＷ１を第１のトップリン
グ１８に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１
８を研磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ
る。

【０１５５】カルーセル１４を１２０°回転（時計回
り）させると共に、ロータリートランスポータ２２を９
０°回転させる。続いて、第２のトップリング１８を揺
動させてロータリートランスポータ２２に搭載されてい
る半導体ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２６の動
作により、半導体ウエハＷ２を第２のトップリング１８
に搬送して吸着させ、更に該第２のトップリング１８を
研磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させる。

【０１５６】カルーセル１４を２４０°逆回転（反時計
回り）させると共に、ロータリートランスポータ２２を
９０°回転させる。第３のトップリング１８を揺動させ
てロータリートランスポータ２２に搭載されている半導
体ウエハＷ３の上に移動させ、プッシャ２６の動作によ
り、半導体ウエハＷ３を第２のトップリング１８に搬送
して吸着させ、更に該第３のトップリング１８の研磨テ
ーブル１２上のポリッシング位置に移動させる。半導体
ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨テーブル１２の研磨面に押圧し
て研磨を行う（この間に半導体ウエハＷ４〜Ｗ６をロー
タリートランスポータ２２に搭載する）。

【０１５７】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨の終了
後、第１〜第３のトップリング１８を研磨テーブル１２
からオーバハングさせて上昇させる。第１のトップリン
グ１８を揺動させてロータリートランスポータ２８のウ
エハ搭載ステージ上に移動させ（第２、第３のトップリ
ング１８はそのまま）、プッシャ２９の動作により半導
体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２８に搭載す
る。続いてカルーセル１４を１２０°回転（時計回り）
させると共に、ロータリートランスポータ２８を１２０
°回転（時計回り）させる。

【０１５８】次に、第２のトップリング１８を揺動させ
てロータリートランスポータ２８のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２９の動作により半導体ウエハ
Ｗ２をロータリートランスポータ２８に搭載する。これ
と同時に第１のトップリング１８を揺動させてロータリ
ートランスポータ２２に搭載されている半導体ウエハＷ
４の上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体ウ
エハＷ４を第１のトップリング１８に搬送し吸着させ、
更に該第１のトップリング１８を研磨テーブル１２のポ
リッシング位置に移動させる。続いて、カルーセル１４
を１２０°回転（時計回り）させると共に、ロータリー
トランスポータ２８を１２０°回転させる。

【０１５９】次に、第３のトップリング１８を揺動させ
てロータリートランスポータ２８のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２９の動作により半導体ウエハ
Ｗ３をロータリートランスポータ２８に搭載する。これ
と同時に第２のトップリング１８を揺動させてロータリ
ートランスポータ２２に搭載されている半導体ウエハＷ
５の上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体ウ
エハＷ５を第２のトップリング１８に搬送し吸着させ、
更に該第２のトップリング１８を研磨テーブル１２上方
のポリッシング位置に移動する。続いて、カルーセル１
４を２４０°逆回転（反時計回り）させると共に、ロー
タリートランスポータ２８を１２０°回転させる。

【０１６０】続いて、第３のトップリング１８を揺動さ
せてロータリートランスポータ２２に搭載されている半
導体ウエハＷ６の上に移動させ、プッシャ２６の動作に
より半導体ウエハＷ６を第３のトップリング１８に搬送
し吸着させ、更に該第３のトップリング１８を研磨テー
ブル１２上方のポリッシング位置に移動させる。続いて
半導体ウエハＷ４〜Ｗ６を研磨テーブル１２の研磨面に
押圧して研磨を行う。

【０１６１】上記半導体ウエハＷ３がロータリートラン
スポータ２８に搭載されると、ポリッシング装置Ｐ２の
第１のトップリング１９を揺動させてロータリートラン
スポータ２８に搭載されている半導体ウエハＷ１の上に
移動させ、プッシャ２９の動作により該半導体ウエハＷ
１を第１のトップリング１９に搬送し吸着させた後、更
に該第１のトップリング１９を研磨テーブル１３上方の
ポリッシング位置に移動させる。続いてカルーセル１５
を１２０°回転（反時計回り）させると共に、ロータリ
ートランスポータ２８を１２０°回転させる。

【０１６２】次に、第２のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２８に搭載されている半導
体ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２９の動作によ
り該半導体ウエハＷ２を第２のトップリング１９に搬送
し吸着させた後、更に該第２のトップリング１９は揺動
させ、研磨テーブル１３上方のポリッシング位置に移動
させる。続いてカルーセル１５を１２０°回転させると
共に，ロータリートランスポータ２８を１２０°回転
（反時計回り）させる。

【０１６３】次に、第３のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２８に搭載された半導体ウ
エハＷ３の上に移動させる。プッシャ２９の動作により
該半導体ウエハＷ３を第３のトップリング１９に搬送し
吸着させた後、該第３のトップリング１９は揺動させ、
研磨テーブル１２上方のポリッシング位置に移動させ
る。続いて、カルーセル１５を２４０°回転（時計回
り）させ、更に半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨テーブル
１３の研磨面に押圧し、研磨を行う。

【０１６４】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３研磨が終了し
たら、第１〜第３のトップリング１９を研磨テーブル１
３からオーバハングさせて上昇させ、カルーセル１５を
１２０°回転（反時計回り）させる。続いて、第１のト
ップリング１９を揺動させ、ロータリートランスポータ
２３のウエハ搭載ステージに移動させ、プッシャ２７の
動作により、半導体ウエハＷ１をロータリートランスポ
ータ２３に搭載する。続いてカルーセル１５を１２０°
回転（反時計回り）させると共に、ロータリートランス
ポータ２３を９０°回転させる。

【０１６５】次に、第２のトップリング１９を揺動し
て、ロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステー
ジの上に移動させ、プッシャ２７の動作により、半導体
ウエハＷ２をロータリートランスポータ２３に搭載す
る。続いてカルーセル１５を２４０°回転（時計回り）
させると共に、ロータリートランスポータ２３を９０°
回転させる。続いて、第３のトップリング１９を揺動さ
せて、ロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステ
ージの上に移動させ、プッシャ２７の動作により、半導
体ウエハＷ３をロータリートランスポータ２３に搭載す
る。

【０１６６】上記半導体ウエハＷ３が搭載されたら、ロ
ータリートランスポータ２３を９０°回転させ、リフタ
２５の動作により半導体Ｗ１を反転機２１に搬送し、該
反転機２１で半導体ウエハＷ１を１８０°反転させパタ
ーン形成面を上向きとする。ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から半導体ウエハＷ１を受け取り、下記のル
ート又はルートを通って搬送処理し（例えば、半導
体ウエハ番号が奇数の場合はルート、半導体ウエハ番
号が偶数の場合はルート、又はその逆）、４個のカセ
ット２の何れか１つに収容する。

【０１６７】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハＷ１洗浄機１１に
搬送し、該洗浄機１１で洗浄した半導体ウエハＷを搬送
ロボット９の上側ハンドで受け取り、洗浄機６に搬送
し、該洗浄機６で洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボッ
ト９の上側ハンドで受け取りウエハステーション７のウ
エットステーション（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、
続いて搬送ロボット８の上側ハンドで該半導体ウエハＷ
を受け取り洗浄機１０に搬送し、該洗浄機１０で洗浄・
乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハンド
で受け取り、ウエハカセット２に収容する。

【０１６８】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受け取った半導体ウエハＷをウエハステ
ーション７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ
８）に一旦搬送し、搬送ロボット８の下側ハンドで半導
体ウエハＷを受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄した
半導体ウエハＷを搬送ロボット８の上側ハンドで受け取
り、ウエハステーション７のウエットステーション（ト
レイＴ７又はＴ８）に搬送し、次に搬送ロボット９の上
側ハンドで半導体ウエハＷを受け取り洗浄機６に搬送
し、洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上側ハ
ンドでウエハーステーション７のウエットステーション
（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、搬送ロボット８の上
側ハンドで受取り洗浄機５に搬送し、洗浄・乾燥した半
導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハンドで受け取り
ウエハカセット２に収容する。半導体ウエハＷ３はウエ
ハーステーション７のウエットステーション（トレイＴ
５又はＴ６）に一旦搬送した後、上記ルート又はを
通して処理し、ウエハカセット２に収容する。

【０１６９】（３）シリアル搬送ルート（２段洗浄）連
続（枚葉）処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
一旦ウエハーステーション７のドライステーション（ト
レイＴ４）に搬送する。次に搬送ロボット８の下側ハン
ドで半導体ウエハＷ１を受け取り反転機２０に搬送し、
該反転機２０で半導体ウエハＷ１を１８０°反転させ、
パターン形成面を下向きにする。

【０１７０】続いて、リフタ２４の動作により、該半導
体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２２に搭載す
る。上記動作を繰返し３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を
ロータリートランスポータ２２に搭載する。

【０１７１】次にポリッシング装置Ｐ１のカルーセル１
４を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリン
グ１８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半
導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２６の動作に
より半導体ウエハＷ１を第１のトップリング１８に搬送
して吸着させ、更に第１のトップリング１８を研磨テー
ブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体ウエ
ハＷ１を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行
う。

【０１７２】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させ（この時、第１のトップリング１８は
研磨中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半導体
ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２６の動作により
半導体ウエハＷ２を第２のトップリング１８に搬送して
吸着させ、更に該第２のトップリング１８を研磨テーブ
ル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体ウエハ
Ｗ２を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行
う。

【０１７３】続いて、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させ（この時、第１、第２のトップリン
グ１８は研磨中か又は１度リトラクト）、第３のトップ
リング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２
の半導体ウエハＷ３の上に移動させ、プッシャ２６の動
作により半導体ウエハＷ３を第３のトップリング１８に
搬送して吸着させ、更に第３のトップリング１８を研磨
テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体
ウエハＷ３を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨
を行う。

【０１７４】次に、研磨が終了した半導体ウエハＷ１の
第１のトップリング１８を揺動させてロータリートラン
スポータ２８のウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッ
シャ２９の動作により、半導体ウエハＷ１を該ロータリ
ートランスポータ２８に搭載する。

【０１７５】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させる（この時第２、第３のトップリング
１８は研磨中か又は１度リトラクト）。続いて第１のト
ップリング１８を揺動させてロータリートランスポータ
２２の半導体ウエハＷ４上に移動させ、プッシャ２６の
動作により、半導体ウエハＷ４を第１のトップリング１
８に搬送し吸着させ、研磨テーブル１２上のポリッシン
グ位置に移動させ、半導体ウエハＷ４の研磨を行う。こ
れと同時に、第２のトップリング１８を揺動させ、ロー
タリートランスポータ２８のウエハ搭載ステージ上に移
動させ、プッシャ２９の動作により、半導体ウエハＷ２
を該ロータリートランスポータ２８に搭載する。

【０１７６】上記半導体ウエハＷ４の研磨に続いて、カ
ルーセル１４を１２０°回転（時計回り）させる（この
時第１、第３のトップリング１８は研磨中か又は１度リ
トラクト）。続いて第２のトップリング１８を揺動させ
てロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ５上
に移動させ、プッシャ２６の動作により、半導体ウエハ
Ｗ５を第２のトップリング１８に搬送し吸着させ、研磨
テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体
ウエハＷ５の研磨を行う。これと同時に、第３のトップ
リング１８を揺動させ、ロータリートランスポータ２８
のウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッシャ２９の動
作により、半導体ウエハＷ３を該ロータリートランスポ
ータ２８に搭載する。

【０１７７】上記半導体ウエハＷ５の研磨に続いて、カ
ルーセル１４を２４０°逆回転（反時計回り）させる
（この時第１、第２のトップリングは研磨中か又は１度
リトラクト）。続いて第３のトップリング１８を揺動さ
せ、ロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ６
上に位置させ、プッシャ２６の動作により、半導体ウエ
ハＷ６を第３のトップリング１８に搬送し吸着させ、研
磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導
体ウエハＷ６の研磨を行う。これと同時に、第１のトッ
プリング１８揺動させ、ロータリートランスポータ２８
のウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッシャ２９の動
作により、半導体ウエハＷ４を該ロータリートランスポ
ータ２８に搭載する。

【０１７８】次に、ポリッシング装置Ｐ２のカルーセル
１５を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１９を揺動させてロータリートランスポータ２８の
半導体ウエハＷ１上に移動させ、プッシャ２９の動作に
より半導体ウエハＷ１を該第１のトップリング１９に搬
送し吸着させ、研磨テーブル１３上のポリッシング位置
に移動させ、半導体ウエハＷ１の研磨を行う。

【０１７９】続いて、カルーセル１５を１２０°回転
（時計回り）させ（この時、第１のトップリング１９は
研磨中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１
９を揺動させてロータリートランスポータ２８の半導体
ウエハＷ２上に移動させ、プッシャ２９の動作により該
半導体ウエハＷ２を第２のトップリング１９に搬送し吸
着させ、研磨テーブル１３上のポリッシング位置に移動
させ、半導体ウエハＷ２の研磨を行う。

【０１８０】続いて、カルーセル１５を２４０°逆回転
（反時計回り）させ（この時、第１、第２のトップリン
グ１９は研磨中か又は１度リトラクト）、第３のトップ
リング１９を揺動させてロータリートランスポータ２８
の半導体ウエハＷ３上に移動させ、プッシャ２９の動作
により該半導体ウエハＷ３を第３のトップリング１９に
搬送し吸着させ、研磨テーブル１３上のポリッシング位
置に移動させ、半導体ウエハＷ３の研磨を行う。

【０１８１】次に、第１のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２７の動作により半導体ウエハ
Ｗ１をロータリートランスポータ２３に搭載する。続い
てロータリートランスポータ２３を９０°回転させ、リ
フタ２５の動作により半導体ウエハＷ１を反転機２１に
搬送し、半導体ウエハＷ１を１８０°反転させパターン
形成面を上向きする。この反転させた半導体ウエハＷ１
を搬送ロボット９の下側ハンドで下記のルート又はル
ートのいずれかを選択して搬送処理される。

【０１８２】上記第１のトップリング１９を揺動させ半
導体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２３に搭載
するのと並行して、カルーセル１５を１２０°回転（時
計回り）させ、第１のトップリング１９を揺動させてロ
ータリートランスポータ２８の半導体ウエハＷ４上に移
動させ、プッシャ２９の動作により該半導体ウエハＷ４
を第１のトップリング１９に搬送し吸着させ、研磨テー
ブル１３上のポリッシング位置に移動させ、半導体ウエ
ハＷ４の研磨を行う。

【０１８３】上記第１のトップリング１９に半導体ウエ
ハＷ４を搬送し吸着させるのと並行して、第２のトップ
リング１９を揺動させて、半導体ウエハＷ２を揺動させ
てロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２７の動作により、半導体ウエ
ハＷ２をロータリートランスポータ２３に搭載し、該ロ
ータリートランスポータ２３を９０°回転させ、リフタ
２５の動作により半導体ウエハＷ２を反転機２１に搬送
し、１８０°反転させパターン形成面を上向きする。こ
の反転させた半導体ウエハＷ２を搬送ロボット９の下側
ハンドで下記のルート又はルートのいずれかを選択
して搬送処理する。

【０１８４】ルート 反転機２１から搬送ロボット９
の下側ハンドで受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に
搬送し、洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上
側ハンドで受取り洗浄機６に搬送し、洗浄・乾燥した半
導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハンドで受け取り
ウエハカセット２に収容する。

【０１８５】ルート 反転機２１から搬送ロボット９
の下側ハンドで受取った半導体ウエハＷをウエハステー
ション７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ
８）に一旦搬送し、該半導体ウエハＷを搬送ロボット８
の下側ハンドで受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄し
た半導体ウエハＷを搬送ロボット８の上側ハンドで受け
取り、洗浄機５に搬送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハ
Ｗを搬送ロボット４の上側ハンドで受け取りカセット２
に収容する。

【０１８６】上記ルート又はの選択は例えば奇数番
の半導体ウエハＷをルートに、偶数番の半導体ウエハ
Ｗはルート、又はその逆とする。半導体ウエハＷ３は
ウエハーステーション７のウエットステーション（トレ
イＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、半導体ウエハＷ１
の第１洗浄（洗浄機１１による洗浄）が終了した後、上
記ルート又はを通り、搬送処理し、カセットに収容
する。

【０１８７】（４）シリアル搬送ルート（３段洗浄）連
続（枚葉）処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
一旦ウエハーステーション７のドライステーション（ト
レイＴ４）に搬送する。次に搬送ロボット８の下側ハン
ドで半導体ウエハＷ１を受け取り反転機２０に搬送し、
該反転機２０で半導体ウエハＷ１を１８０°反転させ、
パターン形成面を下向きにする。

【０１８８】続いて、リフタ２４の動作により、該半導
体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２２に搭載す
る。上記動作を繰返し３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を
ロータリートランスポータ２２に搭載する。

【０１８９】次に、ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル
１４を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２の
半導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２６の動作
により該半導体ウエハＷ１を該第１のトップリング１８
に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１８を研
磨テーブル１２上の研磨位置に移動させて研磨を行う。

【０１９０】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させ（この時、第１のトップリング１８は
研磨中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半導体
ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２６の動作により
半導体ウエハＷ２を該第２のトップリング１８に搬送し
吸着させ、更に該第２のトップリング１８を研磨テーブ
ル１２上の研磨位置に移動させて研磨を行う。

【０１９１】続いて、カルーセル１４を２４０°逆回転
させ（この時、第１、第２のトップリング１８は研磨中
か又は１度リトラクト）、第３のトップリング１８を揺
動させてロータリートランスポータ２２の半導体ウエハ
Ｗ３の上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体
ウエハＷ３を該第３のトップリング１８に搬送し吸着さ
せ、更に該第３のトップリング１８を研磨テーブル１２
上のポリッシング位置に移動させて研磨を行う。

【０１９２】次に、研磨が終了した半導体ウエハＷ１の
第１のトップリング１８を揺動させてロータリートラン
スポータ２８のウエハ搭載ステージに移動させ、プッシ
ャ２９の動作により半導体ウエハＷ１を該ロータリート
ランスポータ２８に搭載する。続いてカルーセル１４を
１２０°回転（時計回り）させ（この時第２、第３のト
ップリングは研磨中か又は一度リトラクト）、第１のト
ップリング１８を揺動させてロータリートランスポータ
２２の半導体ウエハＷ４の上に移動させ、プッシャ２６
の動作により該半導体ウエハＷ４を該第１のトップリン
グ１８に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１
８を研磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ
て研磨を行う。

【０１９３】上記半導体ウエハＷ４の研磨処理と並行し
て、第２のトップリング１８を揺動させてロータリート
ランスポータ２８のウエハ搭載ステージに移動させ、プ
ッシャ２９の動作により半導体ウエハＷ２を該ロータリ
ートランスポータ２８に搭載する。

【０１９４】上記半導体ウエハＷ４の研磨に続いて、カ
ルーセル１４を１２０°回転（時計回り）させ（この時
第１、第３のトップリングは研磨中か又は一度リトラク
ト）、第２のトップリング１８を揺動させてロータリー
トランスポータ２２の半導体ウエハＷ５の上に移動さ
せ、プッシャ２６の動作により該半導体ウエハＷ５を該
第２のトップリング１８に搬送し吸着させ、更に該第２
のトップリング１８を研磨テーブル１２上のポリッシン
グ位置に移動させて研磨を行う。

【０１９５】上記半導体ウエハＷ５の研磨処理と並行し
て、第３のトップリング１８を揺動させてロータリート
ランスポータ２８のウエハ搭載ステージに移動させ、プ
ッシャ２９の動作により半導体ウエハＷ３を該ロータリ
ートランスポータ２８に搭載する。

【０１９６】上記半導体ウエハＷ５の研磨に続いて、カ
ルーセル１４を２４０°逆回転（反時計回り）させ（こ
の時第１、第２のトップリングは研磨中か又は一度リト
ラクト）、第３のトップリング１８を揺動させてロータ
リートランスポータ２２の半導体ウエハＷ６の上に移動
させ、プッシャ２６の動作により該半導体ウエハＷ６を
該第３のトップリング１８に搬送し吸着させ、更に該第
３のトップリング１８を研磨テーブル１２上のポリッシ
ング位置に移動させて研磨を行う。

【０１９７】上記半導体ウエハＷ６の研磨処理と並行し
て、第１のトップリング１８を揺動させてロータリート
ランスポータ２８のウエハ搭載ステージに移動させ、プ
ッシャ２９の動作により半導体ウエハＷ４を該ロータリ
ートランスポータ２８に搭載する。

【０１９８】次に、ポリッシング装置Ｐ２のカルーセル
１５を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１９を揺動させてロータリートランスポータ２８の
半導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２９の動作
により該半導体ウエハＷ１を第１のトップリング１９に
搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１９を研磨
テーブル１３上のポリッシング位置に移動させて研磨を
行う。

【０１９９】続いてカルーセル１５を１２０°回転（時
計回り）させ（この時、第１のトップリング１９は研磨
中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１９を
揺動させてロータリートランスポータ２８の半導体ウエ
ハＷ２の上に移動させ、プッシャ２９の動作により該半
導体ウエハＷ２を第２のトップリング１９搬送し吸着さ
せ、更に該第２のトップリング１９を研磨テーブル１３
上のポリッシング位置に移動させて研磨を行う。

【０２００】続いてカルーセル１５を２４０°逆回転
（反時計回り）させ（この時、第１、第２のトップリン
グ１９は研磨中か又は１度リトラクト）、第３のトップ
リング１９を揺動させてロータリートランスポータ２８
の半導体ウエハＷ３の上に移動させ、プッシャ２９の動
作により該半導体ウエハＷ３を第３のトップリング１９
搬送し吸着させ、更に該第３のトップリング１９を研磨
テーブル１３上のポリッシング位置に移動させて研磨を
行う。

【０２０１】続いて第１のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ
に移動させ、プッシャ２７の動作により半導体ウエハＷ
１をロータリートランスポータ２３に搭載し、更にロー
タリートランスポータ２３を９０°回転させ、リフタ２
５の動作により、該半導体ウエハＷ１を反転機２１に搬
送し、１８０°反転させパターン形成面を上向きにす
る。搬送ロボット９の下側ハンドで下記のルート又は
を選択して搬送処理を行う。

【０２０２】上記半導体ウエハＷ１のロータリートラン
スポータ２３への搭載と並行して、カルーセル１５を１
２０°回転（時計回り）させ、更に第１のトップリング
１９を揺動させてロータリートランスポータ２８の半導
体ウエハＷ４の上に移動させ、プッシャ２７の動作によ
り該半導体ウエハＷ４を第１のトップリング１９に搬送
し吸着させ、更に該第１のトップリング１９を研磨テー
ブル１３上のポリッシング位置に移動させ研磨を行う。

【０２０３】上記半導体ウエハＷ４の研磨処理と並行し
て、第２のトップリング１９を揺動させてロータリート
ランスポータ２３のウエハ搭載ステージに移動させ、プ
ッシャ２７の動作により半導体ウエハＷ２をロータリー
トランスポータ２３に搭載し、更にロータリートランス
ポータ２３を９０°回転させ、リフタ２５の動作によ
り、該半導体ウエハＷ２を反転機２１に搬送し、１８０
°反転させパターン形成面を上向きにする。搬送ロボッ
ト９の下側ハンドで下記のルート又はを選択して搬
送処理を行う。

【０２０４】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に
搬送し、洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上
側ハンドで洗浄機６に搬送し、洗浄した半導体ウエハＷ
を搬送ロボット９の上側ハンドで受け取り、ウエハステ
ーション７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ
８）に搬送し、搬送ロボット８の上側ハンドで洗浄機１
０に搬送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボ
ット４の上側ハンドで受取りウエハカセット２に収容す
る。

【０２０５】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハＷをウエハステー
ション７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ
８）に一旦搬送し、該半導体ウエハＷを搬送ロボット８
の下側ハンドで受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄し
た半導体ウエハＷを搬送ロボット８の上側ハンドで受け
取り、ウエハステーション７のウエットステーション
（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、搬送ロボット９の上
側ハンドで洗浄機６に搬送し、洗浄した半導体ウエハＷ
を搬送ロボット９の上側ハンドでウエハステーション７
のウエハステーション７のウエットステーション（トレ
イＴ７又はＴ８）に搬送し、搬送ロボット８の上側ハン
ドで洗浄機５に搬送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷ
を搬送ロボット４の上側ハンドで受け取りカセット２に
収容する。

【０２０６】上記ルート又はの選択は例えば奇数番
の半導体ウエハＷをルートに、偶数番の半導体ウエハ
Ｗはルート、又はその逆とする。半導体ウエハＷ３は
ウエハーステーション７のウエットステーション（トレ
イＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、上記ルート又は
を通り搬送処理してカセットに収容する。

【０２０７】次に、図１７に平面構成の基板処理装置に
おける半導体ウエハの処理ルートについて説明する。処
理ルートには後に詳述するように、（５）シリアル搬送
ルート（２段洗浄）バッチ処理、（６）シリアル搬送ル
ート（３段洗浄）バッチ処理、（７）シリアル搬送ルー
ト（２段洗浄）連続（枚葉）処理、（８）シリアル搬送
ルート（３段洗浄）連続（枚葉）処理がある。

【０２０８】（５）シリアル搬送ルート（２段洗浄）バ
ッチ処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドにより、ウエハカセ
ット２から、半導体ウエハＷ１を取出し、ウエハステー
ション７のドライステーション（トレイＴ４）に搬送す
る。続いて搬送ロボット８の下側ハンドで該半導体ウエ
ハＷ１を反転機２０に搬送し、１８０°反転してパター
ン形成面を下向きにする。リフタ２４の動作によりロー
タリトランスポータ２２に搭載する。上記動作を繰返
し、ロータリートランスポータ２２に３枚の半導体ウエ
ハＷ１〜Ｗ３を搭載する。

【０２０９】次に、ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル
１４を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１８を揺動させてロータリトランスポータ２２の半
導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャー２６を動作
により、半導体ウエハＷ１をトップリング１８に搬送し
吸着させ、更に該第１のトップリング１８を研磨テーブ
ル１２上のポリッシング位置に移動させる。同様な動作
を繰返し、第１〜第３のトップリングに吸着された半導
体ウエハＷ１〜Ｗ３がポリッシング位置に設定されたと
ころで、半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨テーブル１２の
研磨面に押圧して研磨を行う。この間に上記と同じ動作
により、ロータリートランスポータ２２に３枚の半導体
ウエハＷ４〜Ｗ６を搭載する。

【０２１０】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨が終了
したら第１〜第３のトップリング１８を研磨テーブル１
２からオーバーハングさせて上昇させる。第１のトップ
リング１８を揺動させウエハ受渡位置に移動させる。搬
送ロボット７１の下側ハンドで該第１トップリング１８
から半導体ウエハＷ１を受取り、洗浄機７３に搬送す
る。

【０２１１】次に、カルーセル１４を１２０°回転（時
計回り）させ、第２のトップリング１８を揺動させ、搬
送ロボット７１の下側ハンドで半導体ウエハＷ２を受け
取り、基板載置台７２に載置する。これに並行して、第
１のトップリング１８をロータリートランスポータ２２
の半導体ウエハＷ４の上に移動させ、プッシャー２６の
動作により半導体ウエハＷ４を第１のトップリング１８
に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１８を研
磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させる。

【０２１２】次に、カルーセル１４を１２０°回転（時
計回り）させ、第３のトップリング１８を揺動させ、搬
送ロボット７１の下側ハンドに半導体ウエハＷ３を渡
し、搬送ロボットは該半導体ウエハＷ３を基板載置台７
２に載置する。これに並行して、第２のトップリング１
８をロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ５
の上に移動させ、プッシャー２６の動作により半導体ウ
エハＷ５を第２のトップリング１８に搬送し吸着させ、
更に該第２のトップリング１８を研磨テーブル１２上の
ポリッシング位置に移動させる。

【０２１３】次に、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させ、第３のトップリング１８を揺動さ
せてロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ６
の上に移動させ、プッシャー２６の動作により半導体ウ
エハＷ６を第３のトップリングに搬送し吸着させ、更に
該第３のトップリング１８を研磨テーブル１２上のポリ
ッシング位置に移動させる。第１〜第３のトップリング
１８がポリッシング位置に揃った状態で、半導体ウエハ
Ｗ４〜Ｗ６の研磨を行う。

【０２１４】搬送ロボット７１は上側ハンドで洗浄機７
３で洗浄した半導体ウエハＷ１を受け取り、揺動してウ
エハ受取位置に移動しているポリッシング装置Ｐ２の第
１のトップリング１９に搬送し吸着させる。該第１のト
ップリング１９は研磨テーブル１３上のポリッシング位
置に移動する。この時搬送ロボット７１は下側ハンドで
基板載置台７２の半導体ウエハＷ２を受取り、洗浄機７
３に搬送する。

【０２１５】カルーセル１５を１２０°回転（反時計回
り）させ、第２のトップリング１９を揺動させてウエハ
受取位置に移動させる。搬送ロボット７１の上側ハンド
で洗浄機７３で洗浄された半導体ウエハＷ２を受取り、
ウエハ受取り位置にある第２のトップリング１９に搬送
し吸着させる。該第２のトップリング１９は研磨テーブ
ル１３上のポリッシング位置に移動する。この時搬送ロ
ボット７１は下側ハンドで基板載置台７２の半導体ウエ
ハＷ３を受取り、洗浄機７３に搬送する。

【０２１６】半導体ウエハＷ１〜Ｗ３が終了すると、カ
ルーセル１５を１２０°回転（反時計回り）させ、第３
のトップリング１９を揺動させてウエハ受取位置に移動
させる。搬送ロボット７１の上側ハンドで洗浄機７３で
洗浄された半導体ウエハＷ３を受取り、第３のトップリ
ング１９に搬送し吸着させる。第３のトップリング１９
は研磨テーブル１３上のポリッシング位置に移動する。
カルーセル１５を２４０°逆回転（時計回り）させ、半
導体ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨テーブル１３の研磨面に押
圧して研磨を行う。

【０２１７】第１〜第３のトップリング１９を研磨テー
ブル１３からオーバハングさせて上昇させる。続いてカ
ルーセル１５を１２０°回転（反時計回り）させ、第１
のトップリング１９を揺動させてロータリートランスポ
ータ２３のウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッシャ
ー２７の動作により半導体ウエハＷ１を該ロータリート
ランスポータ２３上に搭載する。続いて、カルーセル１
５の１２０°回転（反時計回り）させると共に、ロータ
リートランスポータ２３を９０°回転させる。第２のト
ップリング１９を揺動させてロータリートランスポータ
２３のウエハ搭載ステージ上に移動させ、プッシャー２
７の動作により半導体ウエハＷ２を該ロータリートラン
スポータ２３上に搭載する。

【０２１８】次にカルーセル１５を２４０°逆回転（時
計回り）させると共に、ロータリートランスポータを９
０°回転させる。第３のトップリング１９を揺動させて
ロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ上
に移動させ、プッシャー２７の動作により半導体ウエハ
Ｗ３を該ロータリートランスポータ２３上に搭載する。
続いてロータリートランスポータ２３を９０°回転さ
せ、リフタ２５の動作により、半導体ウエハＷ１を反転
機２１に搬送する。反転機２１は半導体ウエハＷ１を１
８０°反転させでパターン形成面を上向きとする。

【０２１９】次に、搬送ロボット９の下側ハンドで反転
機２１から半導体ウエハＷ１を受け取り、下記のルート
又はルートを通って搬送処理し（例えば、半導体ウ
エハ番号が奇数の場合はルート、半導体ウエハ番号が
偶数の場合はルート、又はその逆）、４個のカセット
２の何れか１つに収容する。

【０２２０】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハを洗浄機１１に搬
送し、該洗浄機１１で洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロ
ボット９の上側ハンドで受け取り、洗浄機６に搬送し、
該洗浄機６で洗浄・乾燥した半導体ウエハを搬送ロボッ
ト４の上側ハンドで受け取り、４個のウエハカセット２
の何れかに収容する。

【０２２１】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハをウエハスターシ
ョン７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ８）
に搬送し、搬送ロボット８の下側ハンドで受け取り洗浄
機１０に搬送し、該洗浄機１０で洗浄した半導体ウエハ
Ｗを搬送ロボット８の上側ハンドで該半導体ウエハを受
け取り、洗浄機５に搬送し、該洗浄機５で搬送・乾燥し
た半導体ウエハをロボット４の上側ハンドで受け取りウ
エハカセット２に収容する。半導体ウエハＷ３はウエハ
ーステーション７のウエットステーション（トレイＴ５
又はＴ６）に一旦搬送した後、半導体ウエハＷ１の第１
洗浄（洗浄機１１での洗浄）終了後、上記ルート又は
を通して搬送処理し、ウエハカセット２に収容する。

【０２２２】（６）シリアル搬送ルート（３段洗浄）バ
ッチ処理 先ず，搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
ウエハステーション７のドライステーション（トレイＴ
４）に搬送する。続いて搬送ロボット８の下側ハンドで
反転機２０に搬送し、該反転機２０で半導体ウエハＷ１
を１８０°反転させ、パターン形成面を下向きにする。
続いて、リフタ２４の動作により、該半導体ウエハＷ１
をロータリートランスポータ２２に搭載する。上記動作
を繰返して３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３をロータリー
トランスポータ２２に搭載する。

【０２２３】ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル１４を
１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２に搭載さ
れている半導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２
６の動作により、半導体ウエハＷ１を第１のトップリン
グ１８に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１
８を研磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ
る。同様な動作を繰返し、第１〜第３のトップリングに
吸着された半導体ウエハＷ１〜Ｗ３がポリッシング位置
に設定されたところで、半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨
テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行う。この間に
上記と同じ動作により、ロータリートランスポータ２２
に３枚の半導体ウエハＷ４〜Ｗ６を搭載する。

【０２２４】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨の終了
後、第１〜第３のトップリング１８を研磨テーブル１２
からオーバハングさせて上昇させる。第１のトップリン
グ１８を揺動させ、搬送ロボット７１の下側ハンドで半
導体ウエハＷ１を受取り、洗浄機７３に搬送する。続い
てカルーセル１４を１２０°回転（時計回り）させ、第
２のトップリング１８を揺動させ、搬送ロボット７１の
下側ハンドで半導体ウエハＷ２を受取り、基板載置台７
２に搬送する。これと並行して第１のトップリング１８
をロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ４の
上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体ウエハ
Ｗ４を搬送し吸着し、研磨テーブル１２のポリッシング
位置に移動する。

【０２２５】カルーセル１４を１２０°回転（時計回
り）させ、第３トップリング１８を揺動させ、搬送ロボ
ット７１の下側ハンドで半導体ウエハＷ３を受取り、基
板載置台７２に搬送する。これと並行して第２のトップ
リング１８をロータリートランスポータ２２の半導体ウ
エハＷ５の上に移動させ、プッシャ２６の動作により半
導体ウエハＷ５を搬送し吸着させ、研磨テーブル１２の
ポリッシング位置に移動させる。カルーセル１４を２４
０°逆回転（反時計回り）させ、第３のトップリング１
８をロータリトランスポータ２２の半導体ウエハＷ６の
上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体ウエハ
Ｗ６を搬送し吸着させ、研磨テーブル１２のポリッシン
グ位置に移動させる。続いて半導体ウエハＷ４〜Ｗ６を
研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行う。

【０２２６】搬送ロボット７１は上側ハンドで洗浄機７
３で洗浄した洗浄された半導体ウエハＷ１を受け取り、
揺動しウエハ受取位置に移動しているポリッシング装置
Ｐ２の第１のトップリング１９に搬送し吸着させる。該
第１のトップリング１９は研磨テーブル１３上のポリッ
シング位置に移動する。この時搬送ロボット７１は下側
ハンドで基板載置台７２の半導体ウエハＷ２を受取り、
洗浄機７３に搬送する。

【０２２７】カルーセル１５を１２０°回転（反時計回
り）させ、第２のトップリング１９を揺動させてウエハ
受取位置に移動させる。搬送ロボット７１の上側ハンド
で洗浄機７３で洗浄された半導体ウエハＷ２を受取、第
２のトップリング１９に搬送し吸着させる。第２のトッ
プリング１９は研磨テーブル１３上のポリッシング位置
に移動する。この時搬送ロボット７１は下側ハンドで基
板載置台７２の半導体ウエハＷ３を受取り、洗浄機７３
に搬送する。

【０２２８】次に、カルーセル１５を１２０°回転（反
時計回り）させ、第３のトップリング１９を揺動させて
ウエハ受取位置に移動させる。搬送ロボット７１の上側
ハンドで洗浄機７３で洗浄された半導体ウエハＷ３を受
取、第３のトップリング１９に搬送し吸着させる。第３
のトップリング１９は研磨テーブル１３上のポリッシン
グ位置に移動する。カルーセル１５を２４０°回転（時
計回り）させ、半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を研磨テーブル
１３の研磨面に押圧して研磨を行う。

【０２２９】上記半導体ウエハＷ１〜Ｗ３の研磨が終了
したら第１〜第３のトップリング１９を研磨テーブル１
３からオーバハングさせて上昇させる。続いてカルーセ
ル１５を１２０°回転（反時計回り）させ、第１のトッ
プリング１９をロータリートランスポータ２３のウエハ
搭載ステージ上に移動させ、プッシャー２７の動作によ
り半導体ウエハＷ１を該ロータリートランスポータ２３
上に搭載する。続いて、カルーセル１５の１２０°回転
（反時計回り）させると共に、ロータリートランスポー
タ２３を９０°回転させる。第２のトップリング１９を
揺動させてロータリートランスポータ２３のウエハ搭載
ステージ上に移動させ、プッシャー２７の動作により半
導体ウエハＷ２を該ロータリートランスポータ２３上に
搭載する。

【０２３０】次にカルーセル１５を２４０°回転（時計
回り）させロータリートランスポータを９０°回転させ
る。第３のトップリング１９を揺動させてロータリート
ランスポータ２３のウエハ搭載ステージ上に揺動させ、
プッシャー２７の動作により半導体ウエハＷ３を該ロー
タリートランスポータ２３上に搭載する。続いてロータ
リートランスポータ２３を９０°回転させ、リフタ２５
の動作により、半導体ウエハＷ１を反転機２１に搬送す
る。反転機２１は半導体ウエハＷ１を１８０°反転させ
てパターン形成面を上向きとする。

【０２３１】次に、搬送ロボット９の下側ハンドで反転
機２１から半導体ウエハＷ１を受け取り、下記のルート
又はルートを通って搬送処理し（例えば、半導体ウ
エハ番号が奇数の場合はルート、半導体ウエハ番号が
偶数の場合はルート、又はその逆）、４個のカセット
２の何れか１つに収容する。

【０２３２】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に
搬送し、該洗浄機１１で洗浄した半導体ウエハＷを搬送
ロボット９の上側ハンドで受け取り洗浄機６に搬送し、
該洗浄機６で洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９
の上側ハンドで受け取りウエハステーション７のウエッ
トステーション（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、続い
て搬送ロボット８の上側ハンドで該半導体ウエハＷを受
け取り洗浄機１０に搬送し、該洗浄機１０で洗浄・乾燥
した半導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハンドで受
け取り、ウエハカセット２に収容する。

【０２３３】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
反転機２１から受取った半導体ウエハＷを搬送ロボット
９の下側ハンドで受け取った半導体ウエハＷをウエハス
テーション７のウエットステーション（トレイＴ７又は
Ｔ８）に一旦搬送し、搬送ロボット８の下側ハンドで半
導体ウエハＷを受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄し
た半導体ウエハＷを搬送ロボット８の上側ハンドで受け
取り、ウエハステーション７のウエットステーション
（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、次に搬送ロボット９
の上側ハンドで半導体ウエハＷを受け取り洗浄機６に搬
送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボット９
の上側ハンドで受け取りウエハステーション７のウエッ
トステーション（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、続い
て搬送ロボット９の上側ハンドで該半導体ウエハＷを受
け取り洗浄機１０に搬送し、該洗浄機１０で洗浄・乾燥
した半導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハンドで受
け取り、ウエハカセット２に収容する。半導体ウエハＷ
３はウエハーステーション７のウエットステーション
（トレイＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、上記ルート
又はを通して処理し、ウエハカセット２に収容す
る。

【０２３４】（７）シリアル搬送ルート（２段洗浄）連
続（枚葉）処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
一旦ウエハーステーション７のドライステーション（ト
レイＴ４）に搬送する。次に搬送ロボット８の下側ハン
ドで半導体ウエハＷ１を受け取り反転機２０に搬送し、
該反転機２０で半導体ウエハＷ１を１８０°反転させ、
パターン形成面を下向きにする。

【０２３５】続いて、リフタ２４の動作により、該半導
体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２２に搭載す
る。上記動作を繰返し３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を
ロータリートランスポータ２２に搭載する。

【０２３６】次にポリッシング装置Ｐ１のカルーセル１
４を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリン
グ１８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半
導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２６の動作に
より半導体ウエハＷ１を第１のトップリング１８に搬送
して吸着させ、更に第１のトップリング１８を研磨テー
ブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体ウエ
ハＷ１を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行
う。

【０２３７】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させ（この時、第１のトップリング１８は
研磨中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半導体
ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２６の動作により
半導体ウエハＷ２を第２のトップリング１８に搬送して
吸着させ、更に該第２のトップリング１８を研磨テーブ
ル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体ウエハ
Ｗ２を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨を行
う。

【０２３８】続いて、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させ（この時、第１、第２のトップリン
グ１８は研磨中か又は１度リトラクト）、第３のトップ
リング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２
の半導体ウエハＷ３の上に移動させ、プッシャ２６の動
作により半導体ウエハＷ３を第３のトップリング１８に
搬送して吸着させ、更に第３のトップリング１８を研磨
テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導体
ウエハＷ３を研磨テーブル１２の研磨面に押圧して研磨
を行う。

【０２３９】次に、第１のトップリング１８を揺動させ
搬送ロボット７１の下側ハンドに半導体ウエハＷ１を渡
し、カルーセル１４を１２０°回転（時計回り）させる
（この時第２、第３のトップリングは研磨中か又は１度
リトラクト）。続いて第１のトップリング１８を揺動さ
せてロータリートランスポータ２２の半導体ウエハＷ４
上に移動させ、プッシャ２６の動作により、半導体ウエ
ハＷ４を第１のトップリング１８に搬送し吸着させ、研
磨テーブル１２上のポリッシング位置に移動させ、半導
体ウエハＷ４の研磨を行う。これと同時に、第２のトッ
プリング１８をロータリートランスポータ２８に揺動さ
せ、半導体ウエハＷ２を搬送ロボット７１の下側ハンド
に渡す。

【０２４０】次に、カルーセル１４を１２０°回転（時
計回り）させる（この時第１、第３のトップリング１８
は研磨中か又は１度リトラクト）。続いて第２のトップ
リング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２
の半導体ウエハＷ５上に移動させ、プッシャ２６の動作
により、半導体ウエハＷ５を第２のトップリング１８に
搬送し吸着させ、研磨テーブル１２上のポリッシング位
置に移動させ、半導体ウエハＷ５の研磨を行う。これと
同時に、第３のトップリング１８を揺動させ半導体ウエ
ハＷ３を搬送ロボット７１の下側ハンドに渡す。

【０２４１】次に、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させる（この時第１、第２のトップリン
グは研磨中か又は１度リトラクト）。続いて第３のトッ
プリング１８を揺動させ、ロータリートランスポータ２
２の半導体ウエハＷ６上に位置させ、プッシャ２６の動
作により、半導体ウエハＷ６を第３のトップリング１８
に搬送し吸着させ、研磨テーブル１２上のポリッシング
位置に移動させ、半導体ウエハＷ６の研磨を行う。これ
と同時に、第１のトップリング１８を揺動させ、半導体
ウエハＷ４を搬送ロボット７１の下側ハンドに渡す。

【０２４２】上記搬送ロボット７１の下側ハンドで受取
った半導体ウエハＷ１は洗浄機７３に搬送され、また半
導体ウエハＷ２とＷ３は基板載置台７２に搬送される。
洗浄機７３で洗浄された半導体ウエハＷ１は搬送ロボッ
ト７１の上側ハンドで受取り、揺動してウエハ受取位置
にある第１のトップリング１９に渡される。半導体ウエ
ハＷ１を受取った該第１のトップリング１９は研磨テー
ブル１３のポリッシング位置に移動し、半導体ウエハＷ
１の研磨を行う。

【０２４３】続いて、カルーセル１５を１２０°回転
（時計回り）させると共に、第２のトップリング１９を
揺動させウエハ受取位置に移動させる。基板載置台の半
導体ウエハＷ２は搬送ロボット７１の下側ハンドで洗浄
機７３に搬送され、洗浄された半導体ウエハＷ２は搬送
ロボット７１の上側ハンドで上記ウエハ受取位置にある
第２のトップリングに搬送され吸着される。該第２のト
ップリングは研磨テーブル１３のポリッシング位置に移
動し、半導体ウエハＷ２の研磨を行う。

【０２４４】続いて、カルーセル１５を２４０°逆回転
（反時計回り）させると共に、第３のトップリング１９
を揺動させてウエハ受取位置に移動させる。基板載置台
７２の半導体ウエハＷ３は搬送ロボット７１の下側ハン
ドで洗浄機７３に搬送され、洗浄された半導体ウエハＷ
３は搬送ロボット７１の上側ハンドで上記ウエハ受取位
置にある第３のトップリングに搬送され吸着される。該
第３のトップリングは研磨テーブル１３のポリッシング
位置に移動し、半導体ウエハＷ３の研磨を行う。

【０２４５】次に、第１のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２７の動作により半導体ウエハ
Ｗ１をロータリートランスポータ２３に搭載する。続い
てロータリートランスポータ２３を９０°回転させ、リ
フタ２５の動作により半導体ウエハＷ１を反転機２１に
搬送し、１８０°反転させパターン形成面を上向きす
る。この反転させた半導体ウエハＷ１を搬送ロボット９
の下側ハンドで下記のルート又はルートのいずれか
を選択して搬送処理する。

【０２４６】上記半導体ウエハＷ１をロータリートラン
スポータ２３に搭載するのと並行して、上記カルーセル
１５を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１９を揺動させてウエハ受取位置に移動させる。搬
送ロボット７１の上側ハンドで洗浄機７３で洗浄された
半導体ウエハＷ４を受取り、上記ウエハ受取位置にある
第１のトップリング１９に渡す。該第１のトップリング
１９は研磨テーブル１３のポリッシング位置に移動し、
研磨を行う。これと並行して、第２のトップリング１９
を揺動させてロータリートランスポータ２３のウエハ搭
載ステージ上に移動させ、プッシャ２７の動作により、
半導体ウエハＷ２をロータリートランスポータ２３に搭
載し、更に該ロータリートランスポータ２３を９０°の
回転させ、リフタ２５の動作により半導体ウエハＷ２を
反転機２１に搬送し、１８０°反転させパターン形成面
を上向きにする。この反転させた半導体ウエハＷ２を搬
送ロボット９の下側ハンドで受取り下記のルート又は
ルートのいずれかを選択して搬送処理する。

【０２４７】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に搬送し、洗浄し
た半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上側ハンドで洗浄
機６に搬送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロ
ボット４の上側ハンドで受け取りウエハカセット２に収
容する。

【０２４８】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
受取った半導体ウエハＷをウエハステーション７のウエ
ットステーション（トレイＴ７又はＴ８）に一旦搬送
し、該半導体ウエハＷを搬送ロボット８の下側ハンドで
受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄した半導体ウエハ
Ｗを搬送ロボット８の上側ハンドで受け取り、洗浄機５
に搬送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボッ
ト４の上側ハンドで受け取りカセット２に収容する。

【０２４９】上記ルート又はの選択は例えば奇数番
の半導体ウエハＷをルートに、偶数番の半導体ウエハ
Ｗはルート、又はその逆とする。半導体ウエハＷ３は
ウエハーステーション７のウエットステーション（トレ
イＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、半導体ウエハＷ１
の第１洗浄（洗浄機１１による洗浄）が終了した後、上
記ルート又はを通り、搬送処理し、カセットに収容
する。

【０２５０】（８）シリアル搬送ルート（３段洗浄）連
続（枚葉）処理 先ず、搬送ロボット４の下側ハンドで４個のウエハカセ
ット２の何れか１つから半導体ウエハＷ１を受け取り、
一旦ウエハーステーション７のドライステーション（ト
レイＴ４）に搬送する。次に搬送ロボット８の下側ハン
ドで半導体ウエハＷ１を受け取り反転機２０に搬送し、
該反転機２０で半導体ウエハＷ１を１８０°反転させ、
パターン形成面を下向きにする。

【０２５１】続いて、リフタ２４の動作により、該半導
体ウエハＷ１をロータリートランスポータ２２に搭載す
る。上記動作を繰返し３枚の半導体ウエハＷ１〜Ｗ３を
ロータリートランスポータ２２に搭載する。

【０２５２】次に、ポリッシング装置Ｐ１のカルーセル
１４を１２０°回転（時計回り）させ、第１のトップリ
ング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２の
半導体ウエハＷ１の上に移動させ、プッシャ２６の動作
により該半導体ウエハＷ１を該第１のトップリング１８
に搬送し吸着させ、更に該第１のトップリング１８を研
磨テーブル１２上の研磨位置に移動させて研磨を行う。

【０２５３】続いて、カルーセル１４を１２０°回転
（時計回り）させ（この時、第１のトップリング１８は
研磨中か又は１度リトラクト）、第２のトップリング１
８を揺動させてロータリートランスポータ２２の半導体
ウエハＷ２の上に移動させ、プッシャ２６の動作により
半導体ウエハＷ２を該第２のトップリング１８に搬送し
吸着させ、更に該第２のトップリング１８を研磨テーブ
ル１２上の研磨位置に移動させて研磨を行う。

【０２５４】続いて、カルーセル１４を２４０°逆回転
させ（この時、第１、第２のトップリング１８は研磨中
か又は１度リトラクト）、第３のトップリング１８を揺
動させてロータリートランスポータ２２の半導体ウエハ
Ｗ３の上に移動させ、プッシャ２６の動作により半導体
ウエハＷ３を該第３のトップリング１８に搬送し吸着さ
せ、更に該第３のトップリング１８を研磨テーブル１２
上のポリッシング位置に移動させて研磨を行う。

【０２５５】次に、第１のトップリング１８を揺動さ
せ、搬送ロボット７１の下側ハンドに半導体ウエハＷ１
を渡す。カルーセル１４を１２０°回転（時計回り）さ
せ（この時第２、第３のトップリング１８は研磨中又は
１度リトラクト）、第１のトップリング１８を揺動させ
てロータリトランスポータ２２の半導体ウエハＷ４に移
動させ、プッシャ２６の移動により該半導体ウエハＷ４
を該第１のトップリング１８に搬送し吸着させ、ポリッ
シング位置に移動させ、研磨する。上記半導体ウエハＷ
４の第１のトップリング１８への渡しと並行して、第２
のトップリングを揺動させ半導体ウエハＷ２を搬送ロボ
ット７１の下側ハンドに渡す。

【０２５６】次に、カルーセル１４を１２０°回転（時
計回り）させる（この時第１、第３のトップリング１８
は研磨中か又は１度リトラクト）。続いて第２のトップ
リング１８を揺動させてロータリートランスポータ２２
の半導体ウエハＷ５上に移動させ、プッシャ２６の動作
により、半導体ウエハＷ５を第２のトップリング１８に
搬送し吸着させ、研磨テーブル１２上のポリッシング位
置に移動させ、半導体ウエハＷ５の研磨を行う。上記半
導体ウエハＷ５の第２のトップリング１８への渡しと並
行して、第３のトップリング１８を揺動させ半導体ウエ
ハＷ３を搬送ロボット７１の下側ハンドに渡す。

【０２５７】次に、カルーセル１４を２４０°逆回転
（反時計回り）させる（この時第１、第２のトップリン
グは研磨中か又は１度リトラクト）。続いて第３のトッ
プリング１８を揺動させ、ロータリートランスポータ２
２の半導体ウエハＷ６上に位置させ、プッシャ２６の動
作により、半導体ウエハＷ６を第３のトップリング１８
に搬送し吸着させ、研磨テーブル１２上のポリッシング
位置に移動させ、半導体ウエハＷ６の研磨を行う。上記
半導体ウエハＷ６の第２のトップリング１８への渡しと
並行して、第１のトップリング１８を揺動させ、半導体
ウエハＷ４を搬送ロボット７１の下側ハンドに渡す。

【０２５８】上記搬送ロボット７１の下側ハンドで受取
った半導体ウエハＷ１は洗浄機７３に搬送され、また半
導体ウエハＷ２とＷ３は基板載置台７２に搬送される。
洗浄機７３で洗浄された半導体ウエハＷ１は搬送ロボッ
ト７１の上側ハンドで受取り、揺動してウエハ受取位置
にある第１のトップリング１９に渡される。半導体ウエ
ハＷ１を受取った第１のトップリング１９は研磨テーブ
ル１３のポリッシング位置に移動し、半導体ウエハＷ１
の研磨を行う。

【０２５９】続いて、カルーセル１５を１２０°回転さ
せると共に、第２のトップリング１９を揺動させウエハ
受取位置に移動させる。そして搬送ロボット７１の下側
ハンドで基板載置台７２から洗浄機７３に搬送され、洗
浄された半導体ウエハＷ２は搬送ロボット７１の上側ハ
ンドで受取られウエハ受取位置にある第２のトップリン
グ１９に搬送され吸着される。該半導体ウエハＷ２を受
取った第２のトップリング１９は研磨テーブル１３のポ
リッシング位置に移動し、半導体ウエハＷ１の研磨を行
う。

【０２６０】続いて、カルーセル１５を２４０°逆回転
（反時計回り）させると共に、第３のトップリング１９
を揺動させてウエハ受取位置に移動させる。基板載置台
７２の半導体ウエハＷ３は搬送ロボット７１の下側ハン
ドで洗浄機７３に搬送され、洗浄された半導体ウエハＷ
３は搬送ロボット７１の上側ハンドで上記ウエハ受取位
置にある第３のトップリングに搬送され吸着される。該
第３のトップリングは研磨テーブル１３のポリッシング
位置に移動し、半導体ウエハＷ３の研磨を行う。

【０２６１】次に、第１のトップリング１９を揺動させ
てロータリートランスポータ２３のウエハ搭載ステージ
上に移動させ、プッシャ２７の動作により半導体ウエハ
Ｗ１をロータリートランスポータ２３に搭載する。続い
てロータリートランスポータ２３を９０°回転させ、リ
フタ２５の動作により半導体ウエハＷ１を反転機２１に
搬送し、１８０°反転させパターン形成面を上向きす
る。この反転させた半導体ウエハＷ１を搬送ロボット９
の下側ハンドで下記のルート又はルートのいずれか
を選択して搬送処理する。

【０２６２】上記半導体ウエハＷ１をロータリートラン
スポータ２３に搭載するのと並行して、上記カルーセル
１５を１２０°回転させ、第１のトプリング１９を揺動
させてウエハ受取位置に移動させる。ここで搬送ロボッ
ト７１の上側ハンドで搬送されてきた洗浄機７３で洗浄
された半導体ウエハＷ４を受取り、該半導体ウエハＷ４
を受取った第１のトップリング１９は研磨テーブル１３
のポリッシング位置に移動し、研磨を行う。これと並行
して、第２のトップリング１９を揺動させてロータリー
トランスポータ２３のウエハ搭載ステージ上に移動さ
せ、プッシャ２７の動作により、半導体ウエハＷ２をロ
ータリートランスポータ２３に搭載し、該ロータリート
ランスポータ２３を９０°回転させ、リフタ２５の動作
により半導体ウエハＷ２を反転機２１に搬送し、１８０
°反転させパターン形成面を上向きにする。この反転さ
せた半導体ウエハＷ２を搬送ロボット９の下側ハンドで
下記のルート又はルートのいずれかを選択して搬送
処理する。

【０２６３】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
受取った半導体ウエハＷを洗浄機１１に搬送し、洗浄し
た半導体ウエハＷを搬送ロボット９の上側ハンドで洗浄
機６に搬送し、洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット
９の上側ハンドで受け取り、ウエハステーション７のウ
エットステーション（トレイＴ７又はＴ８）に搬送し、
搬送ロボット８の上側ハンドで洗浄機１０に搬送し、洗
浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボット４の上側ハ
ンドで受け取りウエハカセット２に収容する。

【０２６４】ルート 搬送ロボット９の下側ハンドで
受取った半導体ウエハＷをウエハステーション７のウエ
ットステーション（トレイＴ７又はＴ８）に一旦搬送
し、該半導体ウエハＷを搬送ロボット８の下側ハンドで
受け取り、洗浄機１０に搬送し、洗浄した半導体ウエハ
Ｗを搬送ロボット８の上側ハンドで受け取り、ウエハス
テーション７のウエットステーション（トレイＴ７又は
Ｔ８）に搬送し、搬送ロボット９の上側ハンドで洗浄機
６に搬送し、洗浄した半導体ウエハＷを搬送ロボット９
の上側ハンドでウエハステーション７のウエハステーシ
ョン７のウエットステーション（トレイＴ７又はＴ８）
に搬送し、搬送ロボット８の上側ハンドで洗浄機５に搬
送し、洗浄・乾燥した半導体ウエハＷを搬送ロボット４
の上側ハンドで受け取りカセット２に収容する。

【０２６５】上記ルート又はの選択は例えば奇数番
の半導体ウエハＷをルートに、偶数番の半導体ウエハ
Ｗはルート、又はその逆とする。半導体ウエハＷ３は
ウエハーステーション７のウエットステーション（トレ
イＴ５又はＴ６）に一旦搬送した後、上記ルート又は
を通り搬送処理してカセットに収容する。

【０２６６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ポ
リッシング領域内で該ポリッシング装置間で基板を送受
できる基板移送機構を設けたので、基板の研磨を複数の
研磨工程を経て行う場合、１研磨工程が終了するごとに
基板を洗浄領域に移動させることなく、ポリッシング領
域内で複数の研磨工程を処理できるから、研磨処理のス
ループット向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の各部の配置構成例
を示す平面図である。

【図２】カルーセルに支持されたマルチヘッド型のトッ
プリングと研磨テーブルとの関係例を示す概略側面図で
ある。

【図３】カルーセルによって支持されたマルチヘッド型
のトップリングと研磨テーブルの関係例を示す概略斜視
図である。

【図４】カルーセルによって支持されたマルチヘッド型
のトップリングと研磨テーブルの関係例を示す概略斜視
図である。

【図５】テンプレートの構成例を示す平面図である。

【図６】反転機の構成を示す図で、図６（ａ）は平面
図、図６（ｂ）は一部断面側面図である。

【図７】リフタの構成例を示す縦断面図である。

【図８】ロータリトランスポータの構成を示す平面図で
ある。

【図９】ロータリトランスポータの構成を示す側面図で
ある。

【図１０】プッシャの構成例を示す縦断面図である。

【図１１】プッシャの動作を説明するための図である。

【図１２】トップリングの構成例を示す断面図である。

【図１３】研磨テーブルをドレッシングするためのドレ
ッサーの構成例を示す図である。

【図１４】ウエハステーションの構成例を示す図で、図
１４（ａ）正面図、図１４（ｂ）は側面図である。

【図１５】ウエハステーションの構成例を示す図で、図
１５（ａ）は図１４（ａ）のＩ矢視図、図１５（ｂ）は
図１４（ａ）のII矢視図、図１５（ｃ）は図１４（ａ）
のIII矢視図、図１５（ｄ）は図１４（ａ）のIV矢視
図、図１５（ｅ）は図１４（ａ）のＶ矢視図である。

【図１６】ウエハステーションの動作を説明するための
図である。

【図１７】本発明に係る基板処理装置の各部の配置構成
例を示す平面図である。

【符号の説明】

１ ロードアンロードステージ ２ ウエハカセット ３ 走行機構 ４ 搬送ロボット ５ 洗浄機 ６ 洗浄機 ７ ウエハステーション ８ 搬送ロボット ９ 搬送ロボット １０ 洗浄機 １１ 洗浄機 １２ 研磨テーブル １３ 研磨テーブル １４ カルーセル １５ カルーセル １６ ドレッシング装置 １７ ドレッシング装置 １８ トップリング １９ トップリング ２０ 反転機 ２１ 反転機 ２２ ロータリートランスポータ ２３ ロータリートランスポータ ２４ リフタ ２５ リフタ ２６ プッシャ ２７ プッシャ ２８ ロータリートランスポータ ２９ プッシャ ７１ 搬送ロボット ７２ 基板載置台 ７３ 洗浄機 Ｐ１ ポリッシング装置 Ｐ２ ポリッシング装置 Ｚ１ ロードアンロード領域 Ｚ２ 洗浄領域 Ｚ３ ポリッシング領域

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ロードアンロード領域、該ロードアンロ
   ード領域に隣接する洗浄領域、該洗浄領域に隣接するポ
   リッシングゾーンを有し、 前記ポリッシング領域に研磨面を有する研磨テーブルと
   基板を保持して前記研磨テーブルに押圧する複数のトッ
   プリングと複数のトップリングを保持すると共に該複数
   のトップリングの回転割り出しを行う回転台とを備えた
   マルチヘッド型のポリッシング装置を複数台配置すると
   共に、前記ポリッシング領域内で該ポリッシング装置間
   で基板を送受できる基板移送機構を設けたことを特徴と
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記基板移送機構が前記マルチヘッド型のポリッシング
   装置間に配置されたロータリートランスポーターである
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記基板移送機構が基板を送受するロボットであること
   を特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１又は２又は３に記載の基板処理
   装置であって、 前記洗浄ゾーンと前記ポリッシング領域の間に前記ポリ
   ッシング装置の間で基板の送受を行うロータリートラン
   スポーターを配置したことを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の基板処理装置における
   基板の処理方法であって、 前記ロードアンロード領域及び洗浄領域を経てポリッシ
   ング領域に搬送され、前記ポリッシング装置でポリッシ
   ングされた基板を前記基板移送機構により他のポリッシ
   ング装置に送りポリッシングを行い、ポリッシングの終
   了した基板を前記洗浄領域を経て洗浄処理し、前記ロー
   ドアンロード領域に移送することを特徴とする基板の処
   理方法。