JP2002009099A

JP2002009099A - 転写バンプ基板およびバンプ転写方法

Info

Publication number: JP2002009099A
Application number: JP2000190931A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Fujii; 健三藤井; Taro Hirai; 太郎平井
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 2000-06-26
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2002-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性バンプをシリコンチップに転写すると
き導電性バンプが溶融した低温はんだ層に浮いた状態と
なるため、僅かの力、振動などでも位置ずれを起こす。
また低温はんだ層と高温はんだ層を組み合わせなければ
ならないため、はんだの選択幅が狭い。またシリコンチ
ップと基板を引き離すのは、全体を２００℃以上に保持
しながらの作業であるため、作業がやりにくいうえ危険
である。さらにシリコンチップと基板を引き離すときし
ばしばシリコンチップが破壊される。【解決手段】本発明の転写バンプ基板１０においては
基板１１に樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板を使用し
た。さらに基板１１上に低温はんだ層を介せず直接銅層
１２Ａを形成し、その上部にはんだ層１２Ｂを形成し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＢＧＡ（ボールグ
リッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）な
どの半導体実装で使われる、導電性バンプを利用した接
続技術に関し、特にバンプの製造と、バンプのシリコン
チップまたはパッケージへの転写に関する。

【０００２】

【従来の技術】入出力端子が数百を超える最近の集積回
路では、シリコンチップ表面またはパッケージ表面に格
子状の多数の電極を設け、それらと対応する回路基板の
電極とを導電性バンプで接続する構造が採用されてい
る。従来問題となっているのは数百から数千におよぶ多
数の導電性バンプをシリコンチップ表面またはパッケー
ジ表面の電極に正確に搭載する方法である。なお以下の
説明ではシリコンチップまたはパッケージを代表してシ
リコンチップと称する。

【０００３】転写法と呼ばれる従来の導電性バンプの形
成法および搭載法を説明する。図７に従来の転写バンプ
基板の一例７０の部分拡大断面図を示す。まず金属基板
７１の上に印刷、めっきなどにより導電性バンプ７２を
形成する。図７においては、厚さ１２５μｍのステンレ
ス基板７１の上面に、厚さ１０μｍのすず６３％鉛３７
％の低温はんだ層(融点約１８３℃）７２Ａ、厚さ７０
μｍの銅層７２Ｂ、厚さ２０μｍの鉛９５％すず５％の
高温はんだ層(融点約３００℃）７２Ｃの三層からなる
導電性バンプ７２が形成されている。導電性バンプ７２
は円柱形で、直径１５０μｍ、高さ１００μｍであり、
隣接する導電性バンプ７２間のピッチは２５０μｍであ
る。これらの導電性バンプ７２がシリコンチップ一個あ
たり数百個から数千個形成されている。これらが全体と
して転写バンプ基板７０と呼ばれる。

【０００４】上記の従来の転写バンプ基板７０から導電
性バンプ７２をシリコンチップに転写する方法を次に説
明する。まず図８に示すように、転写バンプ基板７０に
シリコンチップ８０を、シリコンチップ８０の電極８０
Ａと転写バンプ基板７０の導電性バンプ７２が接するよ
うに位置合わせして載せる。次に両者の位置関係を保持
したまま図９に示す時間−温度プロファイルにしたがっ
て加熱冷却する。図９において縦軸は温度で、ＲＴは室
温、Ｔ１は低温はんだ層７２Ａの融点すなわち約１８３
℃、Ｔ２は高温はんだ層７２Ｃの融点すなわち約３００
℃、また横軸は時間を示す。まず高温はんだ層７２Ｃの
融点Ｔ２より３０〜５０℃高い温度まで一気に加熱しし
ばらくその温度を保持する。このとき高温はんだ層７２
Ｃとシリコンチップ８０の電極８０Ａとがはんだ付けさ
れる。次に温度を高温はんだ層７２Ｃの融点Ｔ２と低温
はんだ層７２Ａの融点Ｔ１の間の温度まで下げてその温
度を保持する。この温度では高温はんだ層７２Ｃは硬化
しているが低温はんだ層７２Ａは溶融している。つまり
導電性バンプ７２はシリコンチップ８０の電極８０Ａに
は硬くはんだ付けされているが、基板７１には溶融した
低温はんだ層７２Ａの表面張力によりゆるく付着してい
る。そこでこの温度に保持したままでシリコンチップ８
０と基板７１を引き離すと導電性バンプ７２はシリコン
チップ８０側についていく。その後温度を室温に下げ、
低温はんだ層７２Ａも硬化させる。このようにして導電
性バンプ７２が基板７１からシリコンチップ８０に転写
され、図１０に示すような導電性バンプ７２付きシリコ
ンチップ８０が完成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の転写法
には次の問題点がある。上述の転写原理から明らかなよ
うに、導電性バンプ７２は必ずシリコンチップ８０側に
高温はんだ層７２Ｃ、基板７１側に低温はんだ層７２Ａ
があるため、最初に高温はんだ層７２Ｃの融点Ｔ２より
３０〜５０℃高い温度まで加熱するとき、高温はんだ層
７２Ｃが溶融しないうちに、基板７１側の低温はんだ層
７２Ａだけが溶融するときがある。そのとき導電性バン
プ７２は溶融した低温はんだ層７２Ａ上に浮いた状態と
なるため、僅かの力、振動などでも位置ずれを起こす。

【０００６】また適当な融点の低温はんだ層７２Ａと高
温はんだ層７２Ｃを組み合わせなければならないため、
はんだの選択幅が狭く、必ずしもシリコンチップ８０に
適切なはんだが選択できるとは限らない。

【０００７】またシリコンチップ８０と基板７１を引き
離すのは、全体を２００℃以上に保持しながらの作業で
あるため、作業がやりにくいうえ危険である。

【０００８】さらにシリコンチップ８０と基板７１を引
き離すとき、１個の導電性バンプ７２を基板７１から引
き離す力は小さいが、導電性バンプ７２が数百個から数
千個もあるため実際は相当強い力で引き離さなければな
らない。基板７１は強固であるがシリコンチップ８０は
脆いため、引き離すときの衝撃でしばしばシリコンチッ
プ８０が破壊される。

【０００９】

【課題を解決するための手段】従来の転写法の問題を解
決するため、本発明の転写バンプ基板においては基板に
樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板を使用した。さらに基
板上に低温はんだ層を介せず直接銅層を形成し、その上
部にはんだ層を形成した。はんだ層が一層であるためそ
の融点に制限が少なくはんだの選択の幅が広いため、シ
リコンチップに適したはんだが容易に選択できる。また
基板と銅層との結合は粗化された基板表面のミクロの凹
凸に銅層界面がくいこむ機械的なアンカー効果により得
られるため、基板表面の粗化状態により結合強度が適切
に調節でき転写作業中の位置ずれが防止できる。基板表
面の粗化はウエットブラストによると粗化状態が微妙に
制御できるので好都合である。基板が柔軟であるためシ
リコンチップと基板を引き離すとき一度に全ての導電性
バンプを引き離す必要はなく、１〜２列ずつ引き離すこ
とができる。そのため引き離すのに必要な力は従来の数
％で足り、引き離す衝撃でシリコンチップが破壊される
ことはごく稀である。またシリコンチップと基板を引き
離すのは室温でできるため作業が容易で安全である。

【００１０】請求項１記載の発明は、樹脂フィルムまた
は柔軟な樹脂板からなる基板上に、少なくとも、低抵抗
金属または低抵抗合金からなる基部と、易融金属または
易融合金からなる表層部とを有する多層構造のバンプが
形成されたことを特徴とする転写バンプ基板である。

【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の転
写バンプ基板において、前記低抵抗金属または低抵抗合
金が銅または銅合金であり、前記易融金属または易融合
金がすず、鉛、アンチモン、銀、ビスマス、インジウ
ム、銅の単体金属、または、これらから選ばれた複数の
金属からなる合金はんだであることを特徴とする転写バ
ンプ基板である。

【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１〜２記載
の転写バンプ基板において、前記バンプが、前記基板の
表面にめっき触媒が付与され、前記めっき触媒を核とし
て成長した無電解めっき層からなることを特徴とする転
写バンプ基板である。

【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１〜２記載
の転写バンプ基板において、前記バンプが、前記基板の
表面にめっき触媒が付与され、前記めっき触媒を核とし
て成長した無電解めっき層と前記無電解めっき層の上に
形成された電気めっき層からなることを特徴とする転写
バンプ基板である。

【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１〜２記載
の転写バンプ基板において、前記バンプが、前記基板の
表面にスパッターまたは蒸着により形成された金属薄膜
と、前記金属薄膜の上に形成された無電解めっき層から
なることを特徴とする転写バンプ基板である。

【００１５】請求項６記載の発明は、請求項１〜２記載
の転写バンプ基板において、前記バンプが、前記基板の
表面にスパッターまたは蒸着により形成された金属薄膜
と、前記金属薄膜の上に形成された電気めっき層からな
ることを特徴とする転写バンプ基板である。

【００１６】請求項７記載の発明は、請求項１〜２記載
の転写バンプ基板において、前記バンプが、前記基板の
表面にスパッターまたは蒸着により形成された金属薄膜
と、前記金属薄膜の上に形成された無電解めっき層と、
前記無電解めっき層の上に形成された電気めっき層から
なることを特徴とする転写バンプ基板である。

【００１７】請求項８記載の発明は、請求項１〜７記載
の転写バンプ基板において、前記基板の、前記バンプが
形成される面が、前記バンプの形成前に粗化されている
ことを特徴とする転写バンプ基板である。

【００１８】請求項９記載の発明は、請求項８記載の転
写バンプ基板において、前記基板の粗化が、ウエットブ
ラストまたはドライブラストによることを特徴とする転
写バンプ基板である。

【００１９】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
転写バンプ基板において、前記バンプと前記基板の結合
強度がウエットブラストまたはドライブラストの条件に
より制御されていることを特徴とする転写バンプ基板で
ある。

【００２０】請求項１１記載の発明は、樹脂フィルムま
たは柔軟な樹脂板からなる基板上に、少なくとも、低抵
抗金属または低抵抗合金からなる基部と、易融金属また
は易融合金からなる表層部を有する多層構造のバンプが
形成された転写バンプ基板と、前記転写バンプ基板の前
記バンプの位置に対応する位置に電極を形成した被転写
体とを、前記バンプと前記電極が対応する位置に接して
配置し、次に前記バンプを溶融させて前記バンプと前記
電極を接合させ、次に冷却後、前記樹脂フィルムまたは
柔軟な樹脂板を前記バンプから引き離してバンプを前記
被転写体に転写することを特徴とするバンプ転写方法で
ある。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を用いて説
明する。図１は本発明の転写バンプ基板の一実施例１０
の部分拡大断面図である。転写バンプ基板１０の基板１
１は縦７０ｍｍ横１００ｍｍ厚さ１２５μｍのポリイミ
ドフィルムで、その上面に導電性バンプ１２が多数形成
されている。導電性バンプ１２はほぼ円柱形で、寸法は
直径１５０μｍ、高さ９０μｍである。導電性バンプ１
２のピッチは縦横とも２５０μｍで、図示しないが導電
性バンプ１２の数は１個のシリコンチップあたり２０×
２０＝４００個である。なお１個のシリコンチップあた
りの導電性バンプ１２の個数はシリコンチップの電極数
に応じて数十個から数千個となる。導電性バンプ１２は
２層構造で、基板１１に接する厚さ７０μｍの下層１２
Ａは銅、厚さ２０μｍの上層１２Ｂは融点約１８３℃の
すず６３％鉛３７％はんだからなる。

【００２２】次に図２〜４を用いて、図１の本発明の転
写バンプ基板の一実施例１０の製造工程と、導電性バン
プ１２のシリコンチップへの転写方法を説明する。

【００２３】図２（ａ）は本発明の転写バンプ基板１０
の基板１１である、縦７０ｍｍ横１００ｍｍ厚さ１２５
μｍのポリイミドフィルムの部分拡大断面図である。

【００２４】次に図２（ｂ）に示すように、基板１１の
表面１１Ａをウェットブラストにより粗化する。ウェッ
トブラストとは砥粒を混合した高圧液体と高圧エアーを
同時に基板１１の表面１１Ａに吹き付けて表面１１Ａを
粗化する方法である。その処理条件の一例は次の通りで
ある。砥粒：ヌープ硬度２２００、平均粒径２０μｍの
多角形砥粒、砥粒濃度：２５％、液体圧力：１００ＫＰ
ａ、エアー圧力：１５０ＫＰａ。そして粗化された表面
１１Ａの平均粗度の一例は２μｍである。表面１１Ａの
平均粗度はウエットブラストの処理条件で多様に制御で
きるため、完成した転写バンプ基板の導電性バンプの表
面１１Ａとの結合強度を適切とする処理条件を選ぶ。

【００２５】次に図２（ｃ）に示すように、基板１１の
粗化された表面１１Ａにパラジウム触媒を付与し、前記
パラジウム触媒を核として厚さ０．５μｍの無電解銅め
っき層１１Ｂを形成する。もし表面１１Ａが粗化されて
いない場合は形成された無電解めっき層１１Ｂは簡単に
はがれてしまい以後の工程が不可能となる。したがって
表面１１Ａの粗化は重要である。

【００２６】次に図２（ｄ）に示すように、前記無電解
銅めっき層１１Ｂの上面に厚さ１００μｍのフィルムレ
ジスト１１Ｃをラミネートする。

【００２７】次に図２（ｅ）に示すように、通常のフォ
トリソグラフィーによりフィルムレジスト１１Ｃの、後
工程で導電性バンプを形成する部分１１Ｄを除去して、
無電解銅めっき層１１Ｂを露出させる。

【００２８】次に図２（ｆ）に示すように、露出した無
電解銅めっき層１１Ｂの表面に、無電解銅めっき層１１
Ｂをめっき電極として、厚さ７０μｍの電気銅めっき層
１１Ｅを形成する。以後電気銅めっき層１１Ｅ直下の無
電解銅めっき層１１Ｂは電気銅めっき層１１Ｅに吸収さ
れて一つの銅めっき層ができたと考え、両者を合わせて
電気銅めっき層１１Ｅと称する。

【００２９】次に図３（ｇ）に示すように、電気銅めっ
き層１１Ｅの上面に厚さ２０μｍのすず６３％鉛３７％
の電気はんだめっき層１１Ｆを形成する。

【００３０】次に図３（ｈ）に示すように、フィルムレ
ジスト１１Ｃを除去する。このままでは各導電性バンプ
が、無電解銅めっき層１１Ｂにより電気的にショートし
ているため、導電性バンプの間にある無電解銅めっき層
１１Ｂをエッチングして除去する。

【００３１】図３（ｉ）は、導電性バンプの間にある無
電解銅めっき層１１Ｂをエッチング除去した状態を示
し、これがすなわち本発明の転写バンプ基板の一実施例
１０の完成品である。なお図３（ｉ）における電気銅め
っき層１１Ｅ、電気はんだめっき層１１Ｆは、それぞれ
図１における導電性バンプ１２の下層１２Ａ、上層１２
Ｂと同一物である。以下導電性バンプ１２のシリコンチ
ップへの転写方法を説明する。

【００３２】図３（ｊ）に示すように、シリコンチップ
２０の電極２０Ａと導電性バンプ１２を位置合わせして
接触させ、その位置関係を保持したまま電気はんだめっ
き層１１Ｆの融点より約３０℃高い約２１３℃に加熱す
る。このときシリコンチップ２０の電極２０Ａの材質は
表面に金めっきを施したアルミニウムである。このとき
の時間−温度プロファイルを図５に示す。図５において
縦軸は温度で、ＲＴは室温、Ｔは電気はんだめっき層１
１Ｆの融点（約１８３℃）を、横軸は時間を示す。

【００３３】溶けた電気はんだめっき層１１Ｆはシリコ
ンチップ２０の電極２０Ａと濡れてなじみ、冷却後図４
（ｋ）に示すように導電性バンプ１２は電極２０Ａと強
固に金属結合する。一方導電性バンプ１２の電気銅めっ
き層１１Ｅは基板１１とはミクロなアンカー効果により
機械的に結合しているにすぎないから、導電性バンプ１
２と電極２０Ａの金属結合の方がはるかに強固である。

【００３４】最後にシリコンチップ２０と基板１１を引
き離すと、導電性バンプ１２はシリコンチップ２０側に
ついていくため、図４（ｌ）に示すように、表面に導電
性バンプ１２を備えたシリコンチップ２０が完成する。

【００３５】シリコンチップ２０と基板１１を引き離す
方法を図６に示す。室温でシリコンチップ２０の裏面を
真空吸着により固定し、基板１１を端から順に引き離
す。このように基板１１を端から順に引き離すことがで
きるのは基板１１が柔軟であるためで、従来のリジッド
な基板では不可能である。この方法により一度に引き離
される導電性バンプ１２は１〜２列（２０〜４０個）
で、引き離しに必要な力は従来のように一度に４００個
の導電性バンプ１２を引き離す場合の５〜１０％程度で
ある。したがってシリコンチップ２０が破壊されること
は従来と異なり非常に稀である。

【００３６】基板１１の材料としては上述のポリイミド
以外に液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレートなどのフィルム
または柔軟な板材が使用可能である。

【００３７】電気はんだめっき層１１Ｆのはんだ材料と
しては上述のすず６３％鉛３７％はんだ以外に、すず、
鉛、アンチモン、銀、ビスマス、インジウムの単体金
属、または、これらから選ばれた複数の金属からなる合
金はんだが、シリコンチップ２０からの要求特性に応じ
て使用可能である。

【００３８】上記実施例においては基板１１の粗化され
た表面１１Ａにパラジウム触媒を付与し、前記パラジウ
ム触媒を核として無電解銅めっき層１１Ｂを形成した
が、これに代わり基板１１の粗化された表面１１Ａにス
パッターまたは蒸着により金属薄膜を形成し、それをめ
っき電極として電気銅めっき層１１Ｅを形成することも
できる。また電気めっき層１１Ｅ、１１Ｆを無電解めっ
き層とし、導電性バンプをすべて無電解めっきで形成す
ることも可能である。さらに基板１１の表面１１Ａの粗
化はドライブラストを使用することもできるが、粗化状
態はウエットブラストに劣る。

【００３９】

【発明の効果】本発明の転写バンプ基板においては基板
に樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板を使用した。さらに
基板上に低温はんだ層を介せず直接銅層を形成し、その
上部にはんだ層を形成した。はんだ層は一層であるため
その融点に制限がなく、はんだの選択の幅が広いため、
シリコンチップに適したはんだが選択できる。基板と銅
層との結合は粗化された基板表面のミクロの凹凸に銅層
界面がくいこむ機械的なアンカー効果により得られるた
め、基板表面の粗化状態により結合強度が適切に調節で
き、転写作業中の位置ずれが防止できる。基板表面の粗
化はウエットブラストによると粗化状態が微妙に制御で
きるので好都合である。基板が柔軟であるためシリコン
チップと基板を引き離すとき一度に全ての導電性バンプ
を引き離す必要はなく、１〜２列ずつ引き離すことがで
きる。そのため引き離すのに必要な力は従来の数％で足
り、引き離す衝撃でシリコンチップが破壊されることは
ごく稀である。またシリコンチップと基板を引き離すの
は室温でできるため作業が容易で安全である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の転写バンプ基板の一実施例の部分拡
大断面図

【図２】本発明の転写バンプ基板の一実施例に導電性
バンプを形成する工程の説明図

【図３】本発明の転写バンプ基板の一実施例に導電性
バンプを形成する工程の説明図および本発明の転写バン
プ基板の一実施例の導電性バンプをシリコンチップに転
写する説明図

【図４】本発明の転写バンプ基板の一実施例の導電性
バンプをシリコンチップに転写する工程の説明図

【図５】本発明の転写バンプ基板の一実施例の導電性
バンプをシリコンチップに転写するときの温度プロファ
イル図

【図６】本発明の転写バンプ基板の一実施例をシリコ
ンチップから引き離す方法の説明図

【図７】従来の転写バンプ基板の部分拡大断面図

【図８】従来の転写バンプ基板の導電性バンプをシリ
コンチップに転写する工程の説明図

【図９】従来の転写バンプ基板の導電性バンプをシリ
コンチップに転写するときの温度プロファイル図

【図１０】従来の導電性バンプ付きシリコンチップの
部分拡大断面図

【符号の説明】

１０転写バンプ基板１１基板１１Ａ表面１１Ｂ無電解銅めっき層１１Ｃフィルムレジスト１１Ｄ導電性バンプ形成部分１１Ｅ電気銅めっき層１１Ｆ電気はんだめっき層１２導電性バンプ１２Ａ導電性バンプの下層１２Ｂ導電性バンプの上層２０シリコンチップ２０Ａ電極７０転写バンプ基板７１基板７２導電性バンプ７２Ａ低温はんだ層７２Ｂ銅層７２Ｃ高温はんだ層８０シリコンチップ８０Ａ電極Ｔはんだ融点Ｔ１低温はんだ融点Ｔ２高温はんだ融点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板からなる
基板上に、少なくとも、低抵抗金属または低抵抗合金か
らなる基部と、易融金属または易融合金からなる表層部
とを有する多層構造のバンプが形成されたことを特徴と
する転写バンプ基板。
【請求項２】請求項１記載の転写バンプ基板において、
前記低抵抗金属または低抵抗合金が銅または銅合金であ
り、前記易融金属または易融合金がすず、鉛、アンチモ
ン、銀、ビスマス、インジウム、銅の単体金属、また
は、これらから選ばれた複数の金属からなる合金はんだ
であることを特徴とする転写バンプ基板。
【請求項３】請求項１〜２記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプが、前記基板の表面にめっき触媒が付与
され、前記めっき触媒を核として成長した無電解めっき
層からなることを特徴とする転写バンプ基板。
【請求項４】請求項１〜２記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプが、前記基板の表面にめっき触媒が付与
され、前記めっき触媒を核として成長した無電解めっき
層と前記無電解めっき層の上に形成された電気めっき層
からなることを特徴とする転写バンプ基板。
【請求項５】請求項１〜２記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプが、前記基板の表面にスパッターまたは
蒸着により形成された金属薄膜と、前記金属薄膜の上に
形成された無電解めっき層からなることを特徴とする転
写バンプ基板。
【請求項６】請求項１〜２記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプが、前記基板の表面にスパッターまたは
蒸着により形成された金属薄膜と、前記金属薄膜の上に
形成された電気めっき層からなることを特徴とする転写
バンプ基板。
【請求項７】請求項１〜２記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプが、前記基板の表面にスパッターまたは
蒸着により形成された金属薄膜と、前記金属薄膜の上に
形成された無電解めっき層と、前記無電解めっき層の上
に形成された電気めっき層からなることを特徴とする転
写バンプ基板。
【請求項８】請求項１〜７記載の転写バンプ基板におい
て、前記基板の、前記バンプが形成される面が、前記バ
ンプの形成前に粗化されていることを特徴とする転写バ
ンプ基板。
【請求項９】請求項８記載の転写バンプ基板において、
前記基板の粗化が、ウエットブラストまたはドライブラ
ストによることを特徴とする転写バンプ基板。
【請求項１０】請求項９記載の転写バンプ基板におい
て、前記バンプと前記基板の結合強度がウエットブラス
トまたはドライブラストの条件により制御されているこ
とを特徴とする転写バンプ基板。
【請求項１１】樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板からな
る基板上に、少なくとも、低抵抗金属または低抵抗合金
からなる基部と、易融金属または易融合金からなる表層
部を有する多層構造のバンプが形成された転写バンプ基
板と、前記転写バンプ基板の前記バンプの位置に対応す
る位置に電極を形成した被転写体とを、前記バンプと前
記電極が対応する位置に接して配置し、次に前記バンプ
を溶融させて前記バンプと前記電極を接合させ、次に冷
却後、前記樹脂フィルムまたは柔軟な樹脂板を前記バン
プから引き離してバンプを前記被転写体に転写すること
を特徴とするバンプ転写方法。