JP2015050250A - 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の柱状端子6と、半導体素子2と、半導体素子2の表面に設けられ、半導体素子2と複数の柱状端子6とを接続するはんだ8とを有する半導体装置による。
【選択図】図13
Description
図6〜図12はそれぞれ、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。なお、図6〜図12において、図1〜図5で説明したのと同じ要素にはこれらにおけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
以下に、発明者が行なった実験結果を示す。
第2例…直径75μm、ピッチ150μm、高さ75μm
第3例…直径100μm、ピッチ200μm、高さ50μm
第4例…直径75μm、ピッチ150μm、高さ35μm
そして、第1例〜第4例のそれぞれの柱状端子6を有する電子装置20に対して以下の試験を行なった。
Claims (5)
- 複数の柱状端子と、
半導体素子と、
前記半導体素子の表面に設けられ、前記半導体素子と前記複数の柱状端子とを接続するはんだと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子と、
前記半導体素子の表面にはんだを介して接続された柱状端子と、
前記柱状端子を介して前記半導体素子と接続された回路基板と、
を有することを特徴とする電子装置。 - 基板の表面に柱状端子を形成する工程と、
前記基板と異なる熱膨張率を有する半導体素子の表面にはんだを供給する工程と、
前記はんだを加熱して溶融し、該はんだに前記柱状端子を接合させることにより、前記基板と前記半導体素子とを接続する工程と、
前記基板と前記半導体素子とを接続する工程の後に、前記基板と前記半導体素子とを冷却して、前記基板から前記柱状端子を剥離させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記柱状端子を形成する工程において、前記柱状端子は電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板は樹脂を含み、前記半導体素子はシリコンを含むことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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