JP2002005999A - Semiconductor testing device - Google Patents

Semiconductor testing device

Info

Publication number
JP2002005999A
JP2002005999A JP2000189731A JP2000189731A JP2002005999A JP 2002005999 A JP2002005999 A JP 2002005999A JP 2000189731 A JP2000189731 A JP 2000189731A JP 2000189731 A JP2000189731 A JP 2000189731A JP 2002005999 A JP2002005999 A JP 2002005999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dut
buffer
signal
performance board
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000189731A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Sukai
昌郎 須貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2000189731A priority Critical patent/JP2002005999A/en
Publication of JP2002005999A publication Critical patent/JP2002005999A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device allowing high-speed testing of a measured device with low drive ability. SOLUTION: In this semiconductor testing device, a socket means is arranged in a performance board electrically connectable to a test head by means of a contact means, and a DUT for the measured device is mounted in the socket means for performing a test according to a program. In this semiconductor testing device, a switching means turning on/off an input/output signal from the DUT according to the program, an input buffer for the DUT, and an output buffer for the DUT are arranged in the performance board.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライブ能力の小
さいDUTの試験を高速におこなう半導体試験装置に関
する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor test apparatus for testing a DUT having a small drive capability at a high speed.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術の例について、図3〜図6を参
照して説明する。最初に、被測定デバイスのDUTを試
験する半導体試験装置の構成と動作について説明する。
図3に示すように、従来の半導体試験装置の構成は、ワ
ークステーション10と、メインフレーム20と、テス
トヘッド30、パフォーマンスボード40とで構成して
いる。そして、半導体試験装置は、パフォーマンスボー
ド40に設けたICソケット50に搭載した被測定デバ
イスのDUT60を試験する。
2. Description of the Related Art An example of the prior art will be described with reference to FIGS. First, the configuration and operation of a semiconductor test apparatus for testing a DUT of a device under test will be described.
As shown in FIG. 3, the configuration of a conventional semiconductor test apparatus includes a workstation 10, a main frame 20, a test head 30, and a performance board 40. Then, the semiconductor test apparatus tests the DUT 60 of the device under test mounted on the IC socket 50 provided on the performance board 40.

【0003】ワークステーション10は、半導体試験装
置と人とのインタフェースとなる入出力手段である。
[0003] The workstation 10 is an input / output means that serves as an interface between the semiconductor test apparatus and a person.

【0004】メインフレーム20は、半導体試験装置の
電源部と、コンピュータと、試験信号の生成部と、信号
測定部と、論理比較器等のユニットを内蔵している。
The main frame 20 includes units such as a power supply unit of a semiconductor test apparatus, a computer, a test signal generation unit, a signal measurement unit, and a logical comparator.

【0005】テストヘッド30は、試験チャンネル数に
対応した機能の電子回路を内蔵している。
The test head 30 includes an electronic circuit having a function corresponding to the number of test channels.

【0006】パフォーマンスボード40は、コンタクト
手段によりテストヘッド30と着脱可能とし、テストヘ
ッド30の電子回路の信号をICソケット50の各ピン
に電気接続している。
[0006] The performance board 40 is detachable from the test head 30 by contact means, and the signals of the electronic circuit of the test head 30 are electrically connected to the respective pins of the IC socket 50.

【0007】ICソケット50は、被測定デバイスDU
T60の種類やパッケージ等に対応したソケット手段で
ある。
The IC socket 50 is connected to the device under test DU.
Socket means corresponding to the type of T60, package, and the like.

【0008】次に、図4を参照して、半導体試験装置の
内部構成の1例について概要を説明する。メインフレー
ム20において、信号発生器22と、直流試験器のUD
C23と、論理比較器24と、デジタイザ25等の各ユ
ニットと、プロセッサのCPU25とをバスケーブルに
より接続してプログラム制御している。
Next, an example of the internal configuration of the semiconductor test apparatus will be briefly described with reference to FIG. In the main frame 20, a signal generator 22 and a UD of a DC tester are used.
C23, a logical comparator 24, each unit such as a digitizer 25, and a CPU 25 of a processor are connected by a bus cable to perform program control.

【0009】テストヘッド30は、ピンエレクトロニク
ス36、37と、マザーボード34と、コンタクトボー
ド32とで構成している。そして、メインフレーム20
の各ユニットとピンエレクトロニクス36、37とはケ
ーブルで信号接続し、ピンエレクトロニクス36、37
と、マザーボード34とはコネクタ35で信号接続し、
マザーボード34とコンタクトボード32とは同軸ケー
ブル33で信号接続して、コンタクトボード32と、パ
フォーマンスボード40とはポゴピン31で信号接続し
ている。
The test head 30 includes pin electronics 36 and 37, a motherboard 34, and a contact board 32. And the main frame 20
Each of the units is connected to the pin electronics 36, 37 by a signal via a cable, and the pin electronics 36, 37 are connected.
Is connected to the motherboard 34 by a connector 35,
The motherboard 34 and the contact board 32 are signal-connected by a coaxial cable 33, and the contact board 32 and the performance board 40 are signal-connected by pogo pins 31.

【0010】パフォーマンスボード40は、基板のパッ
ドにコンタクト手段のポゴピン31を押圧接触して着脱
可能とし、交換できるようにしている。また、図5に示
すように、パフォーマンスボード40の回路は、ピンエ
レクトロニクス36、37との信号をパターン配線によ
りソケット手段のICソケット50に接続している。
The performance board 40 is detachable by pressing the pogo pins 31 of the contact means against the pads of the substrate so as to be detachable and replaceable. As shown in FIG. 5, in the circuit of the performance board 40, signals with the pin electronics 36 and 37 are connected to the IC socket 50 of the socket means by pattern wiring.

【0011】ピンエレクトロニクス36、37は、試験
チャンネル数に対応した機能の電子回路で構成している
が、図を簡明とするため2チャンネルとしている。例え
ば、半導体試験装置の試験チャンネル数は、1000チ
ャンネルあるので、それに対応した数のピンエレクトロ
ニクスとコンタクト手段がある。また、図4に示すよう
に、ピンエレクトロニクス36は、ゲイン可変回路71
と、バッファ73と、リレーS1、S2、S3とで構成
し、ピンエレクトロニクス37は、ゲイン可変回路72
と、バッファ74と、リレーS4、S5と、コンパレー
タ75とで構成している。
The pin electronics 36 and 37 are composed of electronic circuits having functions corresponding to the number of test channels, but have two channels for simplification of the drawing. For example, since the number of test channels of a semiconductor test device is 1000, there are a corresponding number of pin electronics and contact means. Further, as shown in FIG. 4, the pin electronics 36 includes a gain variable circuit 71.
, A buffer 73, and relays S1, S2, S3.
, A buffer 74, relays S4 and S5, and a comparator 75.

【0012】次に、図4を参照して、ICソケット50
に搭載したDUT60を試験する動作の1例について説
明する。例えば、DC試験をおこなう場合、直流試験器
のUDC23からプログラムされた所定の電圧を発生
し、リレーS1をOFF、リレーS3、S2をONとし
てDUT60の試験ピンに電圧を印加し、流れる電流を
UDC23で測定する。
Next, referring to FIG.
An example of the operation of testing the DUT 60 mounted on the CAM will be described. For example, when performing a DC test, a predetermined voltage programmed from the UDC 23 of the DC tester is generated, the relay S1 is turned off, the relays S3 and S2 are turned on, and a voltage is applied to the test pins of the DUT 60. Measure with

【0013】また、AC試験をおこなう場合、信号発生
器22からプログラムされた高周波信号を発生し、ゲイ
ン可変回路71で所望のレベルに増幅または減衰されバ
ッファ73へ出力する。バッファ73で受けた高周波信
号は、オフセット制御され、プログラムされた所定のハ
イ電圧(+V)、とロー電圧(−V)のレベル範囲に設
定されて出力される。バッファ73の出力信号は、リレ
ーS1、S2をON、リレーS3をOFFしてDUT6
0の入力ピンに与えられる。
When an AC test is performed, a programmed high-frequency signal is generated from a signal generator 22, amplified or attenuated to a desired level by a gain variable circuit 71, and output to a buffer 73. The high-frequency signal received by the buffer 73 is subjected to offset control, set in a programmed level range of a predetermined high voltage (+ V) and a predetermined low voltage (−V), and output. The output signal of the buffer 73 is such that the relays S1 and S2 are turned on, the relay S3 is turned off, and the DUT 6
0 input pin.

【0014】DUT60の出力ピンの信号がロジック信
号の場合は、リレーS4をON、リレーS5をOFFし
て、コンパレータ75でレベル比較して出力したデジタ
ル信号を論理比較器24で期待値と論理比較してパス/
フェイルの判定をする。
When the signal at the output pin of the DUT 60 is a logic signal, the relay S4 is turned on and the relay S5 is turned off, and the level of the digital signal output by the comparator 75 is compared with the expected value by the logical comparator 24. And pass /
Determine the failure.

【0015】DUT60の出力ピンの信号がアナログ信
号の場合は、リレーS4をOFF、リレーS5をONし
て、バッファ74で受けた信号は、オフセット制御さ
れ、プログラムされた所定のハイ電圧(+V)、とロー
電圧(−V)のレベル範囲に設定されて出力される。バ
ッファ74の出力信号は、ゲイン可変回路72で所望の
レベルに増幅または減衰されデジタイザ25へ出力す
る。デジタイザ25は、演算処理するためアナログ信号
をデジタル信号に変換する。
If the signal at the output pin of the DUT 60 is an analog signal, the relay S4 is turned off and the relay S5 is turned on, and the signal received by the buffer 74 is offset-controlled and programmed to a predetermined high voltage (+ V). , And the low voltage (-V) level range and output. The output signal of the buffer 74 is amplified or attenuated to a desired level by the variable gain circuit 72 and output to the digitizer 25. The digitizer 25 converts an analog signal into a digital signal for arithmetic processing.

【0016】次に、ピンエレクトロニクス36、37の
プログラム制御について説明する。ピンエレクトロニク
ス36、37において、ゲイン可変回路71、72のゲ
イン制御と、バッファ73、74の電源電圧(+V、−
V)とオフセット電圧の制御と、リレーのON(メー
ク)/OFF(ブレーク)等のプログラム制御をしてい
る。例えば、図6に示すように、信号を切り換える切換
手段のリレーS1〜Snの制御は、CPU21でプログ
ラムを実行して、リレー制御回路76からリレーS1〜
Snのリレードライバ81〜8nの出力をそれぞれロー
/ハイレベル制御してリレーS1〜SnをそれぞれON
/OFFする。
Next, the program control of the pin electronics 36 and 37 will be described. In the pin electronics 36 and 37, the gain control of the gain variable circuits 71 and 72 and the power supply voltages (+ V, −
V) and offset voltage, and program control such as ON (make) / OFF (break) of the relay. For example, as shown in FIG. 6, the control of the relays S1 to Sn of the switching means for switching the signals is performed by executing a program in the CPU 21 and sending the relays S1 to S1 from the relay control circuit 76.
The outputs of the Sn relay drivers 81 to 8n are respectively controlled to low / high levels to turn on the relays S1 to Sn, respectively.
/ OFF.

【0017】従来の半導体試験装置において、被測定デ
バイスの種類やパッケージなどに対応してパフォーマン
スボード40を着脱交換して試験している。また、DU
T60を試験するための入出力信号のバッファ73、7
4はピンエレクトロニクス36、37にそれぞれ設けて
いるので、例えば図5に示すように、パフォーマンスボ
ード40の回路は比較的簡単ですむ。しかし、最近の高
密度配線される携帯電話等に使用されるIC等の半導体
は、部品間が接近して配置されるため出力のドライブ能
力が小さく、また高速化している。
In a conventional semiconductor test apparatus, the performance board 40 is tested by attaching and detaching and replacing it in accordance with the type and package of the device to be measured. Also, DU
Input / output signal buffers 73 and 7 for testing T60
Since 4 is provided in the pin electronics 36 and 37, respectively, the circuit of the performance board 40 can be relatively simple as shown in FIG. 5, for example. However, semiconductors such as ICs used in recent high-density wired mobile phones have a small output drive capability and high speed because components are arranged close to each other.

【0018】例えば、従来の半導体は50mA以上のド
ライブ能力があったが、最近の半導体のドライブ電流は
1mA位となっている。また、立ち上がりの波形の傾き
dV/dtは、下記式(1)で表される。 dV/dt=i/C ・・・・(1) ここで、i:ドライブ電流 C:負荷容量
For example, a conventional semiconductor has a drive capability of 50 mA or more, but a drive current of a recent semiconductor is about 1 mA. The slope dV / dt of the rising waveform is expressed by the following equation (1). dV / dt = i / C (1) where i: drive current C: load capacity

【0019】従って、半導体を高速試験する場合、DU
Tのピンと入出力のバッファ間における負荷容量は小さ
いことが望ましい。ところが、従来の半導体試験装置
は、DUT60から入出力のバッファまでの同軸ケーブ
ルと配線パターン配線が1m位あり、負荷容量も100
pFほどある。そのため、ドライブ電流が少なくなる
と、同軸ケーブルと配線パターンによる負荷容量のため
出力波形がなまり高速試験が容易にできなかった。
Therefore, when a semiconductor is tested at high speed, DU
It is desirable that the load capacitance between the T pin and the input / output buffer be small. However, the conventional semiconductor test apparatus has a coaxial cable from the DUT 60 to the input / output buffer and a wiring pattern wiring of about 1 m, and has a load capacity of 100 m.
There is about pF. Therefore, when the drive current is reduced, the output waveform becomes dull due to the load capacitance due to the coaxial cable and the wiring pattern, and the high-speed test cannot be easily performed.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、従
来の半導体試験装置は、DUT60から入出力のバッフ
ァまでの同軸ケーブルと配線パターン配線が1m位あ
り、負荷容量も100pFほどある。そのため、同軸ケ
ーブルと配線パターン配線の負荷容量のため出力波形が
なまり高速試験が容易にできない実用上の問題があっ
た。そこで、本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
ので、その目的は、ドライブ能力の小さい被測定デバイ
スの高速試験ができる半導体試験装置を提供することに
ある。
As described above, in the conventional semiconductor test apparatus, the coaxial cable from the DUT 60 to the input / output buffer and the wiring pattern wiring are about 1 m, and the load capacitance is about 100 pF. Therefore, there is a practical problem that the output waveform becomes dull due to the load capacitance of the coaxial cable and the wiring pattern wiring, and a high-speed test cannot be easily performed. The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of performing a high-speed test of a device to be measured having a small drive capability.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】即ち、上記目的を達成す
るためになされた本発明の第1は、コンタクト手段によ
りテストヘッドと電気接続できるパフォーマンスボード
にソケット手段を設け、該ソケット手段に被測定デバイ
スのDUTを搭載してプログラムにより試験する半導体
試験装置において、試験信号のON/OFFをプログラ
ムにより行える切換手段と、DUTの出力信号のバッフ
ァと、を前記パフォーマンスボードに設けたことを特徴
とする半導体試験装置を要旨としている。
That is, a first object of the present invention to achieve the above object is to provide a performance board which can be electrically connected to a test head by a contact means, and the socket means is provided with a device to be measured. In a semiconductor test apparatus in which a DUT of a device is mounted and a test is performed by a program, a switching unit capable of ON / OFF of a test signal by a program and a buffer of an output signal of the DUT are provided on the performance board. The gist is a semiconductor test device.

【0022】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第2は、コンタクト手段によりテストヘッドと
電気接続できるパフォーマンスボードにソケット手段を
設け、該ソケット手段に被測定デバイスのDUTを搭載
してプログラムにより試験する半導体試験装置におい
て、DUTの入出力信号のON/OFFをプログラムに
より行える切換手段と、DUTの入力信号のバッファ
と、DUTの出力信号のバッファと、を前記パフォーマ
ンスボードに設けたことを特徴とする半導体試験装置を
要旨としている。
In order to achieve the above object, a second aspect of the present invention is to provide a performance board which can be electrically connected to a test head by a contact means, and to mount a DUT of a device under test on the socket means. In a semiconductor test apparatus for testing by a program using a program, a switching means for turning on / off a DUT input / output signal by a program, a buffer for an input signal of the DUT, and a buffer for an output signal of the DUT are provided on the performance board. The gist is a semiconductor test apparatus characterized by the above.

【0023】また、上記目的を達成するためになされた
本発明の第3は、切換手段の制御信号と、バッファの電
圧制御信号と、をテストヘッド側からコンタクト手段を
介してパフォーマンスボードに供給してプログラムによ
り制御している本発明第1または2記載の半導体試験装
置を要旨としている。
According to a third aspect of the present invention, a control signal for the switching means and a voltage control signal for the buffer are supplied from the test head side to the performance board via the contact means. The gist of the present invention is a semiconductor test apparatus according to the first or second aspect of the present invention, which is controlled by a program.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in the following examples.

【0025】[0025]

【実施例】本発明の実施例について、図1、図2を参照
して説明する。被測定デバイスのDUTを試験する半導
体試験装置の主要構成と動作については、図3に示す従
来技術と同様であり、従来技術において説明したので省
略する。図2に示すように、本実施例の半導体試験装置
のメインフレーム20は、従来と同様の構成例とし、テ
ストヘッド30は、ピンエレクトロニクス38、39
と、マザーボード34と、コンタクトボード32との構
成として説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The main configuration and operation of the semiconductor test apparatus for testing the DUT of the device under test are the same as those of the prior art shown in FIG. As shown in FIG. 2, the main frame 20 of the semiconductor test apparatus of the present embodiment has the same configuration example as the conventional one, and the test head 30 has pin electronics 38, 39.
, Motherboard 34 and contact board 32.

【0026】従来と同様に、メインフレーム20の各ユ
ニットとピンエレクトロニクス38、39とはケーブル
で信号接続し、ピンエレクトロニクス38、39と、マ
ザーボード34とはコネクタ35で信号接続し、マザー
ボード34とコンタクトボード32とは同軸ケーブル3
3で信号接続して、コンタクトボード32と、パフォー
マンスボード41とはポゴピン31で信号接続してい
る。また、パフォーマンスボード41は、基板のパッド
にコンタクト手段のポゴピン31を押圧接触して着脱交
換できるようにしている。
As in the conventional case, each unit of the main frame 20 is connected to the pin electronics 38 and 39 by a signal, a signal is connected to the pin electronics 38 and 39 and the motherboard 34 by a connector 35, and the motherboard 34 is contacted. Board 32 is coaxial cable 3
3, the contact board 32 and the performance board 41 are signal-connected by the pogo pins 31. In addition, the performance board 41 is configured such that the pogo pins 31 of the contact means are brought into contact with the pads of the substrate by pressing and contacting the pads, so that the pads can be detached and replaced.

【0027】本実施例の半導体試験装置においては、試
験チャンネル数に対応した機能の電子回路を、ピンエレ
クトロニクス38、39とパフォーマンスボード41と
で構成している。図2に示すように、ピンエレクトロニ
クス38はゲイン可変回路71とパターン配線で構成
し、ピンエレクトロニクス39はゲイン可変回路72と
パターン配線で構成している。
In the semiconductor test apparatus of this embodiment, an electronic circuit having a function corresponding to the number of test channels is constituted by pin electronics 38 and 39 and a performance board 41. As shown in FIG. 2, the pin electronics 38 includes a variable gain circuit 71 and pattern wiring, and the pin electronics 39 includes a variable gain circuit 72 and pattern wiring.

【0028】一方、図1に示すように、パフォーマンス
ボード41は、バッファ73と、リレーS1、S2、S
3と、ICソケット50と、バッファ74と、リレーS
4、S5と、コンパレータ75とで構成している。
On the other hand, as shown in FIG. 1, the performance board 41 includes a buffer 73 and relays S1, S2, and S2.
3, IC socket 50, buffer 74, and relay S
4, S5 and a comparator 75.

【0029】次に、ピンエレクトロニクス38、39と
パフォーマンスボード41の電子回路の制御について説
明する。従来のピンエレクトロニクス36、37の構成
要素のうちDUT60の入出力ピンと直接高速信号でド
ライブし、又はドライブされる要素をパフォーマンスボ
ード41で構成している。従って、パフォーマンスボー
ド41の、バッファ73、74の電源電圧(+V、−
V)とオフセット電圧の制御と、信号を切り換える切換
手段のリレーS1、S2、S3、S4、S5のON(メ
ーク)/OFF(ブレーク)制御をする必要がある。し
かし、パフォーマンスボード41の構成要素の制御信号
は高速性が必要でないので、制御回路自体はテストヘッ
ド30側に設け、図2に示していないが、制御回路から
制御信号のみをコネクタ35、同軸ケーブル33、コン
タクトボード32、ポゴピン31を介してパフォーマン
スボード41へ伝送している。一方、ゲイン可変回路7
1、72は、従来と同じくピンエレクトロニクス38、
39にあるので、図2に示していないが、ゲイン制御信
号は従来と同様にピンエレクトロニクス38、39にそ
れぞれ供給する。
Next, control of the electronic circuits of the pin electronics 38 and 39 and the performance board 41 will be described. Among the components of the conventional pin electronics 36 and 37, the components driven or driven directly by the high-speed signals with the input / output pins of the DUT 60 are constituted by the performance board 41. Therefore, the power supply voltages (+ V,-) of the buffers 73, 74 of the performance board 41
V) and the offset voltage, and ON (make) / OFF (break) control of the relays S1, S2, S3, S4, and S5 of the switching means for switching the signals. However, since the control signals of the components of the performance board 41 do not require high speed, the control circuit itself is provided on the test head 30 side, and although not shown in FIG. 33, the contact board 32, and the pogo pin 31 to transmit the data to the performance board 41. On the other hand, the gain variable circuit 7
1, 72 are pin electronics 38 as before,
Although not shown in FIG. 2, the gain control signal is supplied to the pin electronics 38 and 39 as in the prior art.

【0030】次に、図1と図2とを参照して、ICソケ
ット50に搭載したDUT60を試験する動作の1例に
ついて説明する。例えば、DC試験をおこなう場合、図
2に示す直流試験器のUDC23からプログラムされた
所定の電圧を発生し、図1に示すリレーS1をOFF、
リレーS3、S2をONとしてDUT60の試験ピンに
電圧を印加し、流れる電流をUDC23で測定する。
Next, an example of an operation for testing the DUT 60 mounted on the IC socket 50 will be described with reference to FIGS. For example, when performing a DC test, a predetermined voltage programmed by the UDC 23 of the DC tester shown in FIG. 2 is generated, and the relay S1 shown in FIG.
The relays S3 and S2 are turned on, a voltage is applied to the test pins of the DUT 60, and the flowing current is measured by the UDC23.

【0031】また、AC試験をおこなう場合、図2に示
す信号発生器22からの信号は、ゲイン可変回路71で
所望のレベルに増幅または減衰され、図1に示すバッフ
ァ73へ出力する。バッファ73で受けた信号は、オフ
セット制御され、プログラムされた所定のハイ電圧(+
V)、とロー電圧(−V)のレベル範囲に設定されて出
力される。バッファ73の出力電圧は、リレーS1、S
2をON、リレーS3をOFFしてDUT60の入力ピ
ンに与えられる。
When an AC test is performed, a signal from the signal generator 22 shown in FIG. 2 is amplified or attenuated to a desired level by a variable gain circuit 71 and output to a buffer 73 shown in FIG. The signal received by the buffer 73 is subjected to offset control, and a predetermined high voltage (+
V) and the low voltage (-V) level range. The output voltage of the buffer 73 is determined by the relays S1, S
2 is turned on and the relay S3 is turned off, and is given to the input pin of the DUT 60.

【0032】DUT60の出力ピンの信号がロジック信
号の場合は、図1に示すリレーS4をON、リレーS5
をOFFして、コンパレータ75でレベル比較して出力
したデジタル信号を図2に示す論理比較器24で期待値
と論理比較してパス/フェイルの判定をする。
When the signal at the output pin of the DUT 60 is a logic signal, the relay S4 shown in FIG.
Is turned off, and the digital signal output from the comparator 75 after level comparison is logically compared with the expected value by the logical comparator 24 shown in FIG. 2 to determine pass / fail.

【0033】DUT60の出力ピンの信号がアナログ信
号の場合は、図1に示すリレーS4をOFF、リレーS
5をONして、バッファ74で受けた信号は、オフセッ
ト制御され、プログラムされた所定のハイ電圧(+
V)、とロー電圧(−V)のレベル範囲に設定されて出
力される。バッファ74の出力信号は、図2に示すゲイ
ン可変回路72で所望のレベルに増幅または減衰されデ
ジタイザ25へ出力する。デジタイザ25は、演算処理
するためアナログ信号をデジタル信号に変換する。
When the signal at the output pin of the DUT 60 is an analog signal, the relay S4 shown in FIG.
5 is turned on, the signal received by the buffer 74 is offset-controlled, and a predetermined high voltage (+
V) and the low voltage (-V) level range. The output signal of the buffer 74 is amplified or attenuated to a desired level by the variable gain circuit 72 shown in FIG. The digitizer 25 converts an analog signal into a digital signal for arithmetic processing.

【0034】本発明の半導体試験装置において、DUT
60を試験するための入出力信号のバッファ73、74
と、信号切り換えリレーをパフォーマンスボード41に
設けているので、DUT60から入出力のバッファ7
3、74までの配線パターンの長さは、それぞれ5cm
〜10cm位に短くできる。
In the semiconductor test apparatus of the present invention, the DUT
I / O signal buffers 73 and 74 for testing
And the signal switching relay is provided on the performance board 41, so that the input / output buffer 7
The length of the wiring pattern up to 3, 74 is 5 cm each
Can be shortened to about 10 cm.

【0035】ところで、従来技術で説明したように、立
ち上がりの波形の傾きdV/dtは、下記式(2)で表
される。 dV/dt=i/C ・・・・(2) ここで、i:ドライブ電流 C:負荷容量 上記(2)式において、最近の半導体のドライブ電流i
は従来に比して数十分の1となっているが、本発明の半
導体試験装置においてはDUT60のピンと入出力のバ
ッファ間における負荷容量Cを、従来の数10分の1以
下とすることが容易にできる。そのため、本発明の半導
体試験装置の立ち上がり波形の傾きdV/dtは、相対
的にi/Cが小さくなるので、ドライブ能力が小さく、
また高速化した半導体の試験が実現できる。
By the way, as described in the prior art, the slope dV / dt of the rising waveform is expressed by the following equation (2). dV / dt = i / C (2) where i: drive current C: load capacity In the above equation (2), a recent semiconductor drive current i
Is several tenths of the conventional one, but in the semiconductor test apparatus of the present invention, the load capacitance C between the pin of the DUT 60 and the input / output buffer is set to be several tenths or less of the conventional one. Can be easily done. Therefore, the slope dV / dt of the rising waveform of the semiconductor test apparatus of the present invention has a relatively small i / C, so that the drive capability is small.
In addition, a high-speed semiconductor test can be realized.

【0036】ところで、パフォーマンスボード41に設
けたDUT60の入出力のバッファやリレー手段は、複
数チャンネルで使用する場合、モジュール化することで
小型化して高密度実装ができ、またICソケットの内部
に設けることによりDUT60のピンとバッファ間の距
離を短縮してさらに高速化することができる。また、パ
フォーマンスボード41において、システムのタイミン
グやレベルの診断を行うための切り換えリレーも同様に
実装できる。なお、本実施例では、被測定デバイスのD
UT60は1つの場合で説明したが、テストヘッド30
のチャンネル数が充分あれば、複数のDUTの入出力の
バッファと、切り換えリレーとをパフォーマンスボード
上に設けて同時測定して試験することも同様に実現でき
る。
When the input / output buffers and relay means of the DUT 60 provided on the performance board 41 are used in a plurality of channels, they can be miniaturized and high-density mounting by modularizing them, and are provided inside the IC socket. As a result, the distance between the pins of the DUT 60 and the buffer can be reduced to further increase the speed. In the performance board 41, a switching relay for diagnosing the timing and level of the system can be similarly mounted. Note that, in this embodiment, the D
The UT 60 has been described with one case.
If the number of channels is sufficient, it is also possible to provide a buffer for input / output of a plurality of DUTs and a switching relay on a performance board to simultaneously measure and test.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。即ち、
DUTを試験するための入出力信号のバッファと、信号
切り換えリレーをパフォーマンスボードに設けているの
で、DUTから入出力バッファまでの配線パターンの長
さが短くできるので、入出力のバッファ間における負荷
容量が従来の数10分の1以下なり、ドライブ能力が小
さく、また高速化した半導体の試験が容易に実現できる
効果がある。
The present invention is embodied in the form described above and has the following effects. That is,
Since the input / output signal buffer for testing the DUT and the signal switching relay are provided on the performance board, the length of the wiring pattern from the DUT to the input / output buffer can be shortened. However, there is an effect that a test of a semiconductor with reduced drive capability and a high speed can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 1 is a main part circuit diagram of a semiconductor test apparatus of the present invention.

【図2】本発明の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 2 is a main part circuit diagram of the semiconductor test apparatus of the present invention.

【図3】半導体試験装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a semiconductor test apparatus.

【図4】従来の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 4 is a main part circuit diagram of a conventional semiconductor test apparatus.

【図5】従来の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 5 is a main part circuit diagram of a conventional semiconductor test apparatus.

【図6】半導体試験装置の制御回路図である。FIG. 6 is a control circuit diagram of the semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ワークステーション 20 メインフレーム 30 テストヘッド 31 ポゴピン 32 コンタクトボード 33 同軸ケーブル 34 マザーボード 35 コネクタ 36、37、38、39 ピンエレクトロニクス 40、41 パフォーマンスボード 50 ICソケット 60 DUT 71、72 ゲイン可変回路 73、74 バッファ 75 コンパレータ 76 リレー制御回路 81〜8n リレードライバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Workstation 20 Main frame 30 Test head 31 Pogo pin 32 Contact board 33 Coaxial cable 34 Motherboard 35 Connector 36, 37, 38, 39 pin electronics 40, 41 Performance board 50 IC socket 60 DUT 71, 72 Gain variable circuit 73, 74 Buffer 75 Comparator 76 Relay control circuit 81-8n Relay driver

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コンタクト手段によりテストヘッドと電
気接続できるパフォーマンスボードにソケット手段を設
け、該ソケット手段に被測定デバイスのDUTを搭載し
てプログラムにより試験する半導体試験装置において、 試験信号のON/OFFをプログラムにより行える切換
手段と、 DUTの出力信号のバッファと、 を前記パフォーマンスボードに設けたことを特徴とする
半導体試験装置。
1. A semiconductor test apparatus in which a socket is provided on a performance board which can be electrically connected to a test head by a contact, and a DUT of a device under test is mounted on the socket and a test is performed by a program. A semiconductor test apparatus comprising: a switching unit capable of performing the program by a program; and a buffer for a DUT output signal, provided on the performance board.
【請求項2】 コンタクト手段によりテストヘッドと電
気接続できるパフォーマンスボードにソケット手段を設
け、該ソケット手段に被測定デバイスのDUTを搭載し
てプログラムにより試験する半導体試験装置において、 試験信号のON/OFFをプログラムにより行える切換
手段と、 DUTの入力信号のバッファと、 DUTの出力信号のバッファと、 を前記パフォーマンスボードに設けたことを特徴とする
半導体試験装置。
2. A semiconductor test apparatus in which a socket is provided on a performance board which can be electrically connected to a test head by a contact, and a DUT of a device under test is mounted on the socket and a test is performed by a program. A semiconductor test apparatus, comprising: a switching unit capable of performing the following by a program; a buffer for an input signal of the DUT; and a buffer for an output signal of the DUT, provided on the performance board.
【請求項3】 切換手段の制御信号と、DUTの入力バ
ッファの電圧制御信号と、DUTの出力バッファの電圧
制御信号と、をテストヘッド側からコンタクト手段を介
してパフォーマンスボードに供給してプログラムにより
制御している請求項1または2記載の半導体試験装置。
3. A control signal of the switching means, a voltage control signal of the input buffer of the DUT, and a voltage control signal of the output buffer of the DUT are supplied from the test head side to the performance board through the contact means, and are programmed. 3. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor test apparatus is controlled.
JP2000189731A 2000-06-20 2000-06-20 Semiconductor testing device Withdrawn JP2002005999A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000189731A JP2002005999A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Semiconductor testing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000189731A JP2002005999A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Semiconductor testing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002005999A true JP2002005999A (en) 2002-01-09

Family

ID=18689323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000189731A Withdrawn JP2002005999A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Semiconductor testing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002005999A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6954079B2 (en) 2002-12-17 2005-10-11 Renesas Technology Corp. Interface circuit coupling semiconductor test apparatus with tested semiconductor device
WO2007018020A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-15 Advantest Corporation Semiconductor testing apparatus
JP2008014778A (en) * 2006-07-05 2008-01-24 Anritsu Corp Device measuring instrument for mobile terminal
JP2008505322A (en) * 2004-06-30 2008-02-21 テラダイン・インコーポレーテッド Automatic test equipment with DIB mounted 3D tester electronics brick
WO2009075469A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 International Trading & Technology Co., Ltd. Semiconductor device test system
JP2014062925A (en) * 2009-12-18 2014-04-10 Tektronix Inc Signal measurement device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6954079B2 (en) 2002-12-17 2005-10-11 Renesas Technology Corp. Interface circuit coupling semiconductor test apparatus with tested semiconductor device
JP2008505322A (en) * 2004-06-30 2008-02-21 テラダイン・インコーポレーテッド Automatic test equipment with DIB mounted 3D tester electronics brick
WO2007018020A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-15 Advantest Corporation Semiconductor testing apparatus
JP2008014778A (en) * 2006-07-05 2008-01-24 Anritsu Corp Device measuring instrument for mobile terminal
WO2009075469A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 International Trading & Technology Co., Ltd. Semiconductor device test system
CN101932943A (en) * 2007-12-10 2010-12-29 株式会社It&T Semiconductor device test system
US8446164B2 (en) 2007-12-10 2013-05-21 International Trading & Technology Co., Ltd. Semiconductor device test system having high fidelity tester access fixture (HIFIX) board
JP2014062925A (en) * 2009-12-18 2014-04-10 Tektronix Inc Signal measurement device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7472321B2 (en) Test apparatus for mixed-signal semiconductor device
US6856158B2 (en) Comparator circuit for semiconductor test system
CN107271879B (en) Semiconductor chip aging test device and method
US20200174073A1 (en) Device inspection method
KR100905507B1 (en) Pin electronics with high voltage functionality
JP2002005999A (en) Semiconductor testing device
JPWO2003032000A1 (en) LSI inspection method and apparatus, and LSI tester
JP2005191522A (en) Voltage supply parameter measurement device in wafer burn-in system
JP3353288B2 (en) LSI test equipment
CN111161788A (en) Aging testing device of memory
JP2000121703A (en) Method and device for testing electrical characteristic of semiconductor module
JP3053012B2 (en) Test circuit and test method for semiconductor device
JP4066265B2 (en) Contact ring of semiconductor test equipment
WO2008072401A1 (en) Test device and inspection method
JPH0718914B2 (en) LSI tester
JP4173229B2 (en) IC test equipment
JP2825073B2 (en) Inspection equipment for semiconductor integrated circuits
JPH0580093A (en) Inspecting apparatus of impedance of electronic circuit
JP4120880B2 (en) Test head of semiconductor test equipment
JP2001358185A (en) Test system
JPH1090360A (en) Short/open inspection apparatus for terminals at lsi
JPH1048289A (en) Test system for semiconductor integrated circuit
JPH1164435A (en) Semiconductor-testing device
JP2003035750A (en) Semiconductor integrated circuit testing apparatus, testing board, and semiconductor integrated circuit testing method
JPH0552910A (en) System for testing signal propagation characteristic of high-speed logic unit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904