JP2002003786A - ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペースト - Google Patents
ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペーストInfo
- Publication number
- JP2002003786A JP2002003786A JP2000182063A JP2000182063A JP2002003786A JP 2002003786 A JP2002003786 A JP 2002003786A JP 2000182063 A JP2000182063 A JP 2000182063A JP 2000182063 A JP2000182063 A JP 2000182063A JP 2002003786 A JP2002003786 A JP 2002003786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass paste
- vehicle
- glass
- organic solvent
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ペースト塗布層平滑性を向上させ、粘度時間変
化が小さく、かつその焼成体の絶縁性が大きいガラスペ
ーストに好適なビヒクルの提供。 【解決手段】有機溶剤がＲＯ（Ｒ’Ｏ）nＨで表される
エーテル化合物を含有し、ビヒクル中の該エーテル化合
物含有量が０．５〜２９質量％であるガラスペースト用
ビヒクル。Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基ま
たはｎ−ブチル基、Ｒ’はプロピレン基、ｎは２または
３。
化が小さく、かつその焼成体の絶縁性が大きいガラスペ
ーストに好適なビヒクルの提供。 【解決手段】有機溶剤がＲＯ（Ｒ’Ｏ）nＨで表される
エーテル化合物を含有し、ビヒクル中の該エーテル化合
物含有量が０．５〜２９質量％であるガラスペースト用
ビヒクル。Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基ま
たはｎ−ブチル基、Ｒ’はプロピレン基、ｎは２または
３。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスペーストに
用いられるビヒクルおよびガラスペーストに関する。
用いられるビヒクルおよびガラスペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型の薄型平板型カラー表示装置
としてガス放電表示パネルの１種であるカラープラズマ
ディスプレイパネル（以下ＰＤＰという。）が注目を集
めている。ＰＤＰは、前面ガラス基板、背面ガラス基板
および隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中
でプラズマ放電を発生させてセル内壁の蛍光体層を発光
させ画像を形成するものである。
としてガス放電表示パネルの１種であるカラープラズマ
ディスプレイパネル（以下ＰＤＰという。）が注目を集
めている。ＰＤＰは、前面ガラス基板、背面ガラス基板
および隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中
でプラズマ放電を発生させてセル内壁の蛍光体層を発光
させ画像を形成するものである。
【０００３】前面ガラス基板上には、前記プラズマ放電
を発生させるための細線状の電極（透明電極）が形成さ
れている。この透明電極は誘電体層によって被覆されて
おり、これにより、透明電極間の絶縁性を確保してプラ
ズマ発生を安定化させ、また透明電極のプラズマによる
侵食を防止している。
を発生させるための細線状の電極（透明電極）が形成さ
れている。この透明電極は誘電体層によって被覆されて
おり、これにより、透明電極間の絶縁性を確保してプラ
ズマ発生を安定化させ、また透明電極のプラズマによる
侵食を防止している。
【０００４】前記誘電体層には絶縁性、光透過性等が求
められ、従来、ガラス焼成体が使用されている。このガ
ラス焼成体は、ガラスペーストをスクリーン印刷等によ
り塗布して形成したガラスペースト塗布層を乾燥後焼成
して得られる。ここでいうガラスペーストは、ガラス粉
末の他に、有機バインダと該有機バインダを溶解する有
機溶剤とからなるビヒクルを必須成分として含有してい
る。
められ、従来、ガラス焼成体が使用されている。このガ
ラス焼成体は、ガラスペーストをスクリーン印刷等によ
り塗布して形成したガラスペースト塗布層を乾燥後焼成
して得られる。ここでいうガラスペーストは、ガラス粉
末の他に、有機バインダと該有機バインダを溶解する有
機溶剤とからなるビヒクルを必須成分として含有してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ガラスペーストには、
その粘度の時間変化が小さいこと、ガラスペースト塗布
層表面が平滑であること等が求められる。このような課
題を解決するために、従来、α−テルピネオール（沸
点：２２０℃）等の溶剤に、より沸点の高い高沸点溶剤
であるフタル酸エステル、典型的にはフタル酸ジブチル
（沸点：３４０℃）等が混合された有機溶剤が使用され
ている。
その粘度の時間変化が小さいこと、ガラスペースト塗布
層表面が平滑であること等が求められる。このような課
題を解決するために、従来、α−テルピネオール（沸
点：２２０℃）等の溶剤に、より沸点の高い高沸点溶剤
であるフタル酸エステル、典型的にはフタル酸ジブチル
（沸点：３４０℃）等が混合された有機溶剤が使用され
ている。
【０００６】α−テルピネオールとフタル酸エステルを
混合した有機溶剤は、α−テルピネオールのみからなる
有機溶剤に比べ、乾燥後のガラスペースト塗布層表面は
より平滑になる。すなわち、乾燥工程におけるガラスペ
ースト塗布層の平滑化は有機バインダの粘度低下による
ものであるが、有機溶剤が乾燥工程初期に過度に速く揮
発するとこの平滑化は起らない。フタル酸エステル等の
高沸点溶剤は有機溶剤の揮発速度を適切な範囲に止め、
これによりガラスペースト塗布層表面の平滑化がより進
行するものと考えられる。しかし、近年、ガラスペース
ト塗布層表面がより平滑であるものが求められている。
混合した有機溶剤は、α−テルピネオールのみからなる
有機溶剤に比べ、乾燥後のガラスペースト塗布層表面は
より平滑になる。すなわち、乾燥工程におけるガラスペ
ースト塗布層の平滑化は有機バインダの粘度低下による
ものであるが、有機溶剤が乾燥工程初期に過度に速く揮
発するとこの平滑化は起らない。フタル酸エステル等の
高沸点溶剤は有機溶剤の揮発速度を適切な範囲に止め、
これによりガラスペースト塗布層表面の平滑化がより進
行するものと考えられる。しかし、近年、ガラスペース
ト塗布層表面がより平滑であるものが求められている。
【０００７】一方、前記誘電体層形成に際して行われる
スクリーン印刷は、所望の厚さの誘電体層を得るために
通常は複数回行われ、焼成は２回以上行われる。たとえ
ば、誘電体層厚さが３０μｍの場合、スクリーン印刷は
通常、３回行われる。前記従来の有機溶剤を使用する場
合、焼成は、たとえば１回目のスクリーン印刷終了後に
１回、３回目のスクリーン印刷終了後に１回、計２回行
われる（２回目のスクリーン印刷終了後には焼成は行わ
れない。）。スクリーン印刷が３回終了した段階で１回
だけ焼成を行うのではなく、上述のように焼成を２回行
うのは次のような理由による。
スクリーン印刷は、所望の厚さの誘電体層を得るために
通常は複数回行われ、焼成は２回以上行われる。たとえ
ば、誘電体層厚さが３０μｍの場合、スクリーン印刷は
通常、３回行われる。前記従来の有機溶剤を使用する場
合、焼成は、たとえば１回目のスクリーン印刷終了後に
１回、３回目のスクリーン印刷終了後に１回、計２回行
われる（２回目のスクリーン印刷終了後には焼成は行わ
れない。）。スクリーン印刷が３回終了した段階で１回
だけ焼成を行うのではなく、上述のように焼成を２回行
うのは次のような理由による。
【０００８】すなわち、焼成前のガラスペースト塗布層
が厚すぎると、焼成時におけるビヒクルの熱分解が完全
には行われずガラス焼成体中に有機物またはカーボンが
残留し、この残留に付随してガラス焼成体中に気泡また
は孔が生成する。この気泡または孔（以下気泡等とい
う。）は、ガラス焼成体の絶縁性または光透過性を低下
させる。したがって、前記有機物またはカーボンの残留
を防止するために、スクリーン印刷を複数回行う場合、
通常は未焼成のガラスペースト塗布層が厚くなりすぎな
い段階（途中段階）で焼成が行われる。すなわち、複数
回のスクリーン印刷がすべて終了した段階で焼成する他
に、途中段階で１回以上焼成される。
が厚すぎると、焼成時におけるビヒクルの熱分解が完全
には行われずガラス焼成体中に有機物またはカーボンが
残留し、この残留に付随してガラス焼成体中に気泡また
は孔が生成する。この気泡または孔（以下気泡等とい
う。）は、ガラス焼成体の絶縁性または光透過性を低下
させる。したがって、前記有機物またはカーボンの残留
を防止するために、スクリーン印刷を複数回行う場合、
通常は未焼成のガラスペースト塗布層が厚くなりすぎな
い段階（途中段階）で焼成が行われる。すなわち、複数
回のスクリーン印刷がすべて終了した段階で焼成する他
に、途中段階で１回以上焼成される。
【０００９】このように途中段階で焼成を行うことによ
り、前記有機物またはカーボンの残留の問題の解決が図
られているが、一方で、焼成工程が多いという問題があ
る。本発明は、上記問題を解決するガラスペースト用ビ
ヒクルおよびガラスペーストの提供を目的とする。
り、前記有機物またはカーボンの残留の問題の解決が図
られているが、一方で、焼成工程が多いという問題があ
る。本発明は、上記問題を解決するガラスペースト用ビ
ヒクルおよびガラスペーストの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機バインダ
および該有機バインダを溶解する有機溶剤を含有するガ
ラスペースト用ビヒクルであって、該有機溶剤が下記式
１で表されるエーテル化合物を含有し、前記ビヒクル中
の該エーテル化合物の含有量が質量百分率表示で０．５
〜２９％であるガラスペースト用ビヒクルを提供する。 ＲＯ（Ｒ’Ｏ）nＨ・・・式１ ここで、Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基また
はｎ−ブチル基であり、Ｒ’はプロピレン基であり、ｎ
は２または３である。また、本発明は、ガラス粉末およ
び前記ガラスペースト用ビヒクルを含有するガラスペー
ストを提供する。
および該有機バインダを溶解する有機溶剤を含有するガ
ラスペースト用ビヒクルであって、該有機溶剤が下記式
１で表されるエーテル化合物を含有し、前記ビヒクル中
の該エーテル化合物の含有量が質量百分率表示で０．５
〜２９％であるガラスペースト用ビヒクルを提供する。 ＲＯ（Ｒ’Ｏ）nＨ・・・式１ ここで、Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基また
はｎ−ブチル基であり、Ｒ’はプロピレン基であり、ｎ
は２または３である。また、本発明は、ガラス粉末およ
び前記ガラスペースト用ビヒクルを含有するガラスペー
ストを提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明におけるガラスペースト
は、ガラスペースト用ビヒクルおよびガラス粉末を必須
成分として含有し、通常は、スクリーン印刷法、ダイコ
ート法、ロールコート法等によりガラス基板等に塗布さ
れ、乾燥されてガラスペースト塗布層とされる。このガ
ラスペースト塗布層は焼成されてガラス焼成体とされ
る。
は、ガラスペースト用ビヒクルおよびガラス粉末を必須
成分として含有し、通常は、スクリーン印刷法、ダイコ
ート法、ロールコート法等によりガラス基板等に塗布さ
れ、乾燥されてガラスペースト塗布層とされる。このガ
ラスペースト塗布層は焼成されてガラス焼成体とされ
る。
【００１２】本発明のガラスペースト用ビヒクル（以下
単に本発明のビヒクルという。）は、有機バインダおよ
び該有機バインダを溶解する有機溶剤を必須成分として
含有する。
単に本発明のビヒクルという。）は、有機バインダおよ
び該有機バインダを溶解する有機溶剤を必須成分として
含有する。
【００１３】本発明のビヒクルにおける有機溶剤（以下
単に本発明における有機溶剤という。）は、前記式１で
表されるエーテル化合物を必須成分として含有する。該
エーテル化合物は、有機バインダの溶解性に優れ、ガラ
スペーストの粘度の時間変化を小さくでき、またガラス
ペースト塗布層表面の平滑性を向上させることができ
る。
単に本発明における有機溶剤という。）は、前記式１で
表されるエーテル化合物を必須成分として含有する。該
エーテル化合物は、有機バインダの溶解性に優れ、ガラ
スペーストの粘度の時間変化を小さくでき、またガラス
ペースト塗布層表面の平滑性を向上させることができ
る。
【００１４】また、該エーテル化合物は、ガラスペース
ト塗布後の乾燥工程における揮発速度が大きく、その結
果、乾燥工程後の焼成時における有機バインダの熱分解
・揮発が未揮発有機溶剤によって妨げられるおそれが少
ない。これにより、有機バインダの熱分解・揮発が不充
分であることに起因して発生するガラス焼成体中の気
泡、孔等を減少できる。さらに、該エーテル化合物はガ
ラスペースト中のガラス粉末等無機成分への吸着性が弱
く、ガラス焼成体中に有機物またはカーボンとして残留
するおそれが少ない。
ト塗布後の乾燥工程における揮発速度が大きく、その結
果、乾燥工程後の焼成時における有機バインダの熱分解
・揮発が未揮発有機溶剤によって妨げられるおそれが少
ない。これにより、有機バインダの熱分解・揮発が不充
分であることに起因して発生するガラス焼成体中の気
泡、孔等を減少できる。さらに、該エーテル化合物はガ
ラスペースト中のガラス粉末等無機成分への吸着性が弱
く、ガラス焼成体中に有機物またはカーボンとして残留
するおそれが少ない。
【００１５】本発明のビヒクル中の前記エーテル化合物
含有量が質量百分率表示で０．５％未満では、ガラスペ
ーストの粘度の時間変化が大きくなりすぎる、またはガ
ラスペースト塗布層表面の平滑性が低下する。好ましく
は３％以上、より好ましくは５％以上である。２９％超
では、有機バインダが有機溶剤中に充分溶解できなくな
り、この未溶解有機バインダに起因する有機物またはカ
ーボンの残留が増加する。好ましくは２７％以下、より
好ましくは２５％以下である。以下、含有量は質量百分
率表示で表す。
含有量が質量百分率表示で０．５％未満では、ガラスペ
ーストの粘度の時間変化が大きくなりすぎる、またはガ
ラスペースト塗布層表面の平滑性が低下する。好ましく
は３％以上、より好ましくは５％以上である。２９％超
では、有機バインダが有機溶剤中に充分溶解できなくな
り、この未溶解有機バインダに起因する有機物またはカ
ーボンの残留が増加する。好ましくは２７％以下、より
好ましくは２５％以下である。以下、含有量は質量百分
率表示で表す。
【００１６】本発明における有機溶剤は、前記エーテル
化合物以外の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含
有してもよい。本発明における有機溶剤は、有機バイン
ダをより多く溶解するために、またはガラスペーストの
粘度の時間変化をより小さくするためにエステル化合物
を含有することが好ましい。
化合物以外の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含
有してもよい。本発明における有機溶剤は、有機バイン
ダをより多く溶解するために、またはガラスペーストの
粘度の時間変化をより小さくするためにエステル化合物
を含有することが好ましい。
【００１７】本発明のビヒクル中のエステル化合物含有
量は５０〜９４％であることが好ましい。５０％未満で
は、かえって有機バインダを充分溶解できなくなるおそ
れがある。より好ましくは５５％以上である。９４％超
ではガラスペースト塗布層表面の平滑性が低下するおそ
れがある。より好ましくは９０％以下である。
量は５０〜９４％であることが好ましい。５０％未満で
は、かえって有機バインダを充分溶解できなくなるおそ
れがある。より好ましくは５５％以上である。９４％超
ではガラスペースト塗布層表面の平滑性が低下するおそ
れがある。より好ましくは９０％以下である。
【００１８】エステル化合物は、２，２，４−トリメチ
ルペンタン−１，３−ジオールモノイソブチレートまた
は２，２，４−トリメチルペンタン−１，３−ジオール
ジイソブチレート（以下これら２種のエステル化合物を
特定イソブチレートという。）であることが好ましい。
本発明のビヒクル中のエステル化合物は特定イソブチレ
ートの１種以上であることが好ましいが、この他のも
の、たとえばエチレングリコールエーテルアセテート化
合物、ジエチレングリコールエーテルアセテート化合物
等であってもよい。
ルペンタン−１，３−ジオールモノイソブチレートまた
は２，２，４−トリメチルペンタン−１，３−ジオール
ジイソブチレート（以下これら２種のエステル化合物を
特定イソブチレートという。）であることが好ましい。
本発明のビヒクル中のエステル化合物は特定イソブチレ
ートの１種以上であることが好ましいが、この他のも
の、たとえばエチレングリコールエーテルアセテート化
合物、ジエチレングリコールエーテルアセテート化合物
等であってもよい。
【００１９】本発明における有機溶剤は、この他に、た
とえば、エチレングリコールエーテル化合物、ジエチレ
ングリコールエーテル化合物等を含有してもよい。
とえば、エチレングリコールエーテル化合物、ジエチレ
ングリコールエーテル化合物等を含有してもよい。
【００２０】なお、本発明における有機溶剤は芳香族化
合物および脂環式化合物のいずれも実質的に含有しない
ことが好ましい。芳香族化合物および脂環式化合物はい
ずれもガラスペースト中の無機成分または有機バインダ
への吸着性が強く、その結果有機溶剤が揮発しにくくな
るために、または、その結果有機バインダの熱分解が不
充分になるために、ガラス焼成体中に有機物またはカー
ボンとして残留するおそれがあるからである。芳香族化
合物および脂環式化合物の両者以外の炭素環式化合物も
実質的に含有しないことがより好ましい。
合物および脂環式化合物のいずれも実質的に含有しない
ことが好ましい。芳香族化合物および脂環式化合物はい
ずれもガラスペースト中の無機成分または有機バインダ
への吸着性が強く、その結果有機溶剤が揮発しにくくな
るために、または、その結果有機バインダの熱分解が不
充分になるために、ガラス焼成体中に有機物またはカー
ボンとして残留するおそれがあるからである。芳香族化
合物および脂環式化合物の両者以外の炭素環式化合物も
実質的に含有しないことがより好ましい。
【００２１】本発明のビヒクルにおける有機バインダの
含有量は５〜２５％であることが好ましい。５％未満で
は、ガラス粉末等無機成分の分散安定性が低下しガラス
ペーストの粘度の時間変化が大きくなるおそれがある。
より好ましくは８％以上である。２５％超では、有機バ
インダが熱分解して発生する気体が多くなりすぎてガラ
ス焼成体から該気体が逸出しきれず、ガラス焼成体に膨
れを生じさせるおそれがある。より好ましくは２０％以
下である。
含有量は５〜２５％であることが好ましい。５％未満で
は、ガラス粉末等無機成分の分散安定性が低下しガラス
ペーストの粘度の時間変化が大きくなるおそれがある。
より好ましくは８％以上である。２５％超では、有機バ
インダが熱分解して発生する気体が多くなりすぎてガラ
ス焼成体から該気体が逸出しきれず、ガラス焼成体に膨
れを生じさせるおそれがある。より好ましくは２０％以
下である。
【００２２】前記有機バインダとしては、ガラスペース
トの粘度の調整が容易であり、また、ガラスペースト中
の無機成分の分散性、ガラス基板等へのガラスペースト
塗布層の接着性、焼成時の熱分解性等において優れてい
るものであれば特に限定されない。たとえば、エチルセ
ルロース等のセルロース誘導体、アクリル酸樹脂等が挙
げられる。
トの粘度の調整が容易であり、また、ガラスペースト中
の無機成分の分散性、ガラス基板等へのガラスペースト
塗布層の接着性、焼成時の熱分解性等において優れてい
るものであれば特に限定されない。たとえば、エチルセ
ルロース等のセルロース誘導体、アクリル酸樹脂等が挙
げられる。
【００２３】本発明のビヒクルは、上述した有機溶剤、
有機バインダの他に、本発明の目的を損なわない範囲で
従来知られている分散剤、湿潤剤、消泡剤等を含有して
もよい。
有機バインダの他に、本発明の目的を損なわない範囲で
従来知られている分散剤、湿潤剤、消泡剤等を含有して
もよい。
【００２４】本発明のビヒクルは、焼成温度が６５０℃
以下であるガラスペーストのビヒクルとして好適であ
る。焼成温度が６００℃以下であることがより好まし
い。
以下であるガラスペーストのビヒクルとして好適であ
る。焼成温度が６００℃以下であることがより好まし
い。
【００２５】本発明のガラスペーストは、ガラス粉末お
よび本発明のビヒクルを必須成分として含有し、通常
は、スクリーン印刷法、ダイコート法、ロールコート法
等によりガラス基板等に塗布され、乾燥されてガラスペ
ースト塗布層とされる。このガラスペースト塗布層は乾
燥、焼成されてガラス焼成体とされる。
よび本発明のビヒクルを必須成分として含有し、通常
は、スクリーン印刷法、ダイコート法、ロールコート法
等によりガラス基板等に塗布され、乾燥されてガラスペ
ースト塗布層とされる。このガラスペースト塗布層は乾
燥、焼成されてガラス焼成体とされる。
【００２６】前記ガラス粉末の軟化点は６５０℃以下で
あることが好ましい。６５０℃超ではＰＤＰへの適用が
困難になるおそれがある。より好ましくは６００℃以下
である。
あることが好ましい。６５０℃超ではＰＤＰへの適用が
困難になるおそれがある。より好ましくは６００℃以下
である。
【００２７】本発明のガラスペーストは、必須ではない
が、セラミックスフィラー、耐熱顔料等の無機成分を含
有してもよい。本発明のガラスペーストの無機成分（ガ
ラス粉末を含む）中におけるセラミックスフィラーおよ
び耐熱顔料の含有量はそれぞれ０〜３３％であることが
好ましく、それぞれ０．５〜３３％であることがより好
ましい。また、これらの含有量の合計は３３％以下であ
ることが好ましい。
が、セラミックスフィラー、耐熱顔料等の無機成分を含
有してもよい。本発明のガラスペーストの無機成分（ガ
ラス粉末を含む）中におけるセラミックスフィラーおよ
び耐熱顔料の含有量はそれぞれ０〜３３％であることが
好ましく、それぞれ０．５〜３３％であることがより好
ましい。また、これらの含有量の合計は３３％以下であ
ることが好ましい。
【００２８】本発明のガラスペーストの焼成温度は６５
０℃以下であることが好ましい。６５０℃超ではＰＤＰ
への適用が困難になるおそれがある。より好ましくは６
００℃以下である。
０℃以下であることが好ましい。６５０℃超ではＰＤＰ
への適用が困難になるおそれがある。より好ましくは６
００℃以下である。
【００２９】本発明のガラスペーストは、たとえば次の
ようにして製造される。すなわち、ガラス粉末等の無機
成分と本発明のビヒクルとを乳鉢、３本ロールミル等に
より混練して製造される。
ようにして製造される。すなわち、ガラス粉末等の無機
成分と本発明のビヒクルとを乳鉢、３本ロールミル等に
より混練して製造される。
【００３０】本発明のガラスペーストは、たとえばＰＤ
Ｐの前面ガラス基板上の透明電極を被覆する透明誘電体
層、背面ガラス基板上の電極を被覆する誘電体層の形成
に好適である。
Ｐの前面ガラス基板上の透明電極を被覆する透明誘電体
層、背面ガラス基板上の電極を被覆する誘電体層の形成
に好適である。
【００３１】
【実施例】表のＴＰＧＭＢＥからエチルセルロースまで
の欄に質量百分率表示で示す組成を有するビヒクル２０
ｇを作製した（例１〜８）。なお、エチルセルロースは
有機バインダであり、例１〜４は実施例、例５〜８は比
較例である。
の欄に質量百分率表示で示す組成を有するビヒクル２０
ｇを作製した（例１〜８）。なお、エチルセルロースは
有機バインダであり、例１〜４は実施例、例５〜８は比
較例である。
【００３２】表中、ＴＰＧＭＢＥはトリプロピレングリ
コールモノｎ−ブチルエーテル（沸点：２７４℃）、Ｄ
ＰＧＭＰＥはジプロピレングリコールモノｎ−プロピル
エーテル（沸点：２１２℃）、ＤＰＧＭＢＥはジプロピ
レングリコールモノｎ−ブチルエーテル（沸点：２２９
℃）であり、いずれも前記エーテル化合物に該当する。
表中、ＴＭＰＤＭＩＢは２，２，４−トリメチルペンタ
ン−１，３−ジオールモノイソブチレート（沸点：２４
８℃）であり、特定イソブチレートである。
コールモノｎ−ブチルエーテル（沸点：２７４℃）、Ｄ
ＰＧＭＰＥはジプロピレングリコールモノｎ−プロピル
エーテル（沸点：２１２℃）、ＤＰＧＭＢＥはジプロピ
レングリコールモノｎ−ブチルエーテル（沸点：２２９
℃）であり、いずれも前記エーテル化合物に該当する。
表中、ＴＭＰＤＭＩＢは２，２，４−トリメチルペンタ
ン−１，３−ジオールモノイソブチレート（沸点：２４
８℃）であり、特定イソブチレートである。
【００３３】一方、質量百分率表示の組成が、ＰｂＯ：
６６％、Ｂ2Ｏ3：１０％、ＳｉＯ2：２４％であり、軟
化点が５７０℃であるガラス粉末８０ｇを用意し、これ
と前記ビヒクル２０ｇを混練してガラスペースト１００
ｇを作製した。
６６％、Ｂ2Ｏ3：１０％、ＳｉＯ2：２４％であり、軟
化点が５７０℃であるガラス粉末８０ｇを用意し、これ
と前記ビヒクル２０ｇを混練してガラスペースト１００
ｇを作製した。
【００３４】これらガラスペーストについてガラスペー
スト塗布層の平滑性を次のようにして評価した。すなわ
ち、ガラス基板上の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域に、２５
０メッシュのステンレス鋼製スクリーンを用いて厚さ２
０μｍのガラスペースト塗布層を形成した。次に１２０
℃で１０分間乾燥し、乾燥後の該塗布層表面における凹
凸の有無を目視観察で調べた。表中、○は凹凸が認めら
れなかったもの、△は凹凸が認められたがその数が少な
かったもの、×は凹凸の数が多かったものをそれぞれ示
す。
スト塗布層の平滑性を次のようにして評価した。すなわ
ち、ガラス基板上の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域に、２５
０メッシュのステンレス鋼製スクリーンを用いて厚さ２
０μｍのガラスペースト塗布層を形成した。次に１２０
℃で１０分間乾燥し、乾燥後の該塗布層表面における凹
凸の有無を目視観察で調べた。表中、○は凹凸が認めら
れなかったもの、△は凹凸が認められたがその数が少な
かったもの、×は凹凸の数が多かったものをそれぞれ示
す。
【００３５】また、これらガラスペーストの粘度の経時
変化の大小を次のようにして評価した。すなわち、２５
０メッシュのステンレス鋼製スクリーンの１００ｍｍ×
１００ｍｍの領域にガラスペースト３０ｇを厚さが均一
となるように広げ、２５℃、相対湿度５０％の空気中に
２時間静置後、該ガラスペーストを回収してその粘度を
回転粘度計により測定した。なお、該測定はスピンドル
回転数を１０ｒｐｍとして行った。これはずり速度＝４
ｓ-1に相当する。
変化の大小を次のようにして評価した。すなわち、２５
０メッシュのステンレス鋼製スクリーンの１００ｍｍ×
１００ｍｍの領域にガラスペースト３０ｇを厚さが均一
となるように広げ、２５℃、相対湿度５０％の空気中に
２時間静置後、該ガラスペーストを回収してその粘度を
回転粘度計により測定した。なお、該測定はスピンドル
回転数を１０ｒｐｍとして行った。これはずり速度＝４
ｓ-1に相当する。
【００３６】この粘度ηから、前記静置前のガラスペー
ストの同様にして測定された粘度η 0を減じた値η−η0
とη0の比Δη＝（η−η0）／η0を表に示す。Δηは
０．２９以下であることが好ましい。より好ましくは
０．２０以下、特に好ましくは０．１０以下である。
ストの同様にして測定された粘度η 0を減じた値η−η0
とη0の比Δη＝（η−η0）／η0を表に示す。Δηは
０．２９以下であることが好ましい。より好ましくは
０．２０以下、特に好ましくは０．１０以下である。
【００３７】これらガラスペーストを用いてガラス焼成
体を作製し、その絶縁性を次のようにして評価した。厚
さ２．８ｍｍ、大きさ７５ｍｍ×７５ｍｍのガラス基板
を用意し、その基板の一方の表面全面に厚さ３００ｎｍ
のＣｒ膜（Ｃｒ電極層）を蒸着法により形成した。Ｃｒ
電極層の中央の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域に、ガラス焼
成体の厚さが３０μｍとなるようにガラスペーストを均
一に塗布した。該塗布は、スクリーン印刷を３回行うこ
とによって行った。
体を作製し、その絶縁性を次のようにして評価した。厚
さ２．８ｍｍ、大きさ７５ｍｍ×７５ｍｍのガラス基板
を用意し、その基板の一方の表面全面に厚さ３００ｎｍ
のＣｒ膜（Ｃｒ電極層）を蒸着法により形成した。Ｃｒ
電極層の中央の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域に、ガラス焼
成体の厚さが３０μｍとなるようにガラスペーストを均
一に塗布した。該塗布は、スクリーン印刷を３回行うこ
とによって行った。
【００３８】次に１２０℃で１０分間乾燥し、さらに速
度１０℃／分で５９０℃まで昇温し、５９０℃に１０分
間保持して焼成し、厚さ３０μｍのガラス焼成体を得
た。該ガラス焼成体の上に銀ペーストを塗布し、１２０
℃で２０分間乾燥しＡｇ電極層を作製した。
度１０℃／分で５９０℃まで昇温し、５９０℃に１０分
間保持して焼成し、厚さ３０μｍのガラス焼成体を得
た。該ガラス焼成体の上に銀ペーストを塗布し、１２０
℃で２０分間乾燥しＡｇ電極層を作製した。
【００３９】該Ａｇ電極層と前記Ｃｒ電極層との間にま
ず１００Ｖを印加して５秒保持し、絶縁破壊が起るか否
かを調べた。絶縁破壊が起らない場合は印加電圧を１０
Ｖ増加させて５秒保持し、絶縁破壊が起るか否かを調べ
た。このようにして絶縁破壊するときの電圧Ｖを求め
た。Ｖの測定は前記５０ｍｍ×５０ｍｍの領域の１０ヶ
所で行った。
ず１００Ｖを印加して５秒保持し、絶縁破壊が起るか否
かを調べた。絶縁破壊が起らない場合は印加電圧を１０
Ｖ増加させて５秒保持し、絶縁破壊が起るか否かを調べ
た。このようにして絶縁破壊するときの電圧Ｖを求め
た。Ｖの測定は前記５０ｍｍ×５０ｍｍの領域の１０ヶ
所で行った。
【００４０】表には、前記Ｖの１０個の測定値の平均Ｖ
av（単位：ｋＶ）および最小値Ｖmi n（単位：ｋＶ）を
示す。Ｖavは１．２ｋＶ以上であることが好ましい。よ
り好ましくは１．３ｋＶ以上である。Ｖminは０．７ｋ
Ｖ以上であることが好ましい。より好ましくは０．８ｋ
Ｖ以上である。
av（単位：ｋＶ）および最小値Ｖmi n（単位：ｋＶ）を
示す。Ｖavは１．２ｋＶ以上であることが好ましい。よ
り好ましくは１．３ｋＶ以上である。Ｖminは０．７ｋ
Ｖ以上であることが好ましい。より好ましくは０．８ｋ
Ｖ以上である。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、ガラスペースト塗布層
の平滑性を向上でき、またガラスペースト粘度の時間変
化を小さくできる。さらに、絶縁性に優れたガラス焼成
体を作製でき、たとえばＰＤＰ前面基板透明電極間の絶
縁性を向上させることができる。
の平滑性を向上でき、またガラスペースト粘度の時間変
化を小さくできる。さらに、絶縁性に優れたガラス焼成
体を作製でき、たとえばＰＤＰ前面基板透明電極間の絶
縁性を向上させることができる。
【００４４】また、本発明のガラスペーストを用いれ
ば、複数回、たとえば３回スクリーン印刷を行う場合で
も焼成は１回行うだけでよく焼成工程増加を抑制でき
る。
ば、複数回、たとえば３回スクリーン印刷を行う場合で
も焼成は１回行うだけでよく焼成工程増加を抑制でき
る。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 AA15 BB04 DA04 DB01 DC03 DD01 DE01 DF06 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM05 NN32 PP01 PP13 PP14 PP16 4J038 BA021 CG001 HA486 JA26 JA58 KA06 KA08 NA11 NA14 NA21 PA19 PB09 PB11 PC03
Claims (4)
- 【請求項１】有機バインダおよび該有機バインダを溶解
する有機溶剤を含有するガラスペースト用ビヒクルであ
って、該有機溶剤が下記式１で表されるエーテル化合物
を含有し、前記ビヒクル中の該エーテル化合物の含有量
が質量百分率表示で０．５〜２９％であるガラスペース
ト用ビヒクル。 ＲＯ（Ｒ’Ｏ）nＨ・・・式１ ここで、Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基また
はｎ−ブチル基であり、Ｒ’はプロピレン基であり、ｎ
は２または３である。 - 【請求項２】有機溶剤が、２，２，４−トリメチルペン
タン−１，３−ジオールモノイソブチレートまたは２，
２，４−トリメチルペンタン−１，３−ジオールジイソ
ブチレートを含有する請求項１に記載のガラスペースト
用ビヒクル。 - 【請求項３】有機溶剤が芳香族化合物および脂環式化合
物のいずれも実質的に含有しない請求項１または２に記
載のガラスペースト用ビヒクル。 - 【請求項４】請求項１、２または３に記載のガラスペー
スト用ビヒクルおよびガラス粉末を含有するガラスペー
スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182063A JP2002003786A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182063A JP2002003786A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002003786A true JP2002003786A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18682901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000182063A Pending JP2002003786A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002003786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008156551A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスペースト |
-
2000
- 2000-06-16 JP JP2000182063A patent/JP2002003786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008156551A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスペースト |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI379315B (en) | Composition for electrodes comprising aluminum powder having controlled particle size distribution and size, and electrodes made using the same | |
| WO2001079362A1 (fr) | Encre pour panneau d'affichage et procede permettant de produire un panneau d'affichage a plasma au moyen de ladite encre | |
| JP2011503240A (ja) | オフセット印刷用電極組成物及びそれによる電極製造方法、並びにそれらを用いたプラズマディスプレイパネル | |
| JPWO2008149748A1 (ja) | 無機粒子含有組成物、無機物層の形成方法及びプラズマディスプレイパネル | |
| JP4240577B2 (ja) | 誘電体ペーストおよびそれを用いたディスプレイ基板の製造方法 | |
| US6013309A (en) | Protection layer of plasma display panel and method of forming the same | |
| JP2010529487A (ja) | プラズマディスプレイパネル電極用感光性ペースト組成物、プラズマディスプレイパネル電極及びこれを備えるプラズマディスプレイパネル | |
| JP3267247B2 (ja) | Ｆｐｄ保護膜用コーティング液及びその調製方法 | |
| JP3338966B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗布液 | |
| JP3998900B2 (ja) | 絶縁膜形成用塗料及びプラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法 | |
| JP2002003786A (ja) | ガラスペースト用ビヒクルおよびガラスペースト | |
| JP2000203887A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP5243469B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| KR100757519B1 (ko) | 잉크젯 방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널용 전극의제조방법 | |
| JP3979813B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法 | |
| JP3673320B2 (ja) | パターン形成用ペースト | |
| JPH09129141A (ja) | 金属酸化物薄膜形成用コーティング剤 | |
| JPH0995627A (ja) | 金属酸化物薄膜形成用コーティング剤 | |
| JP4017816B2 (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
| JP2004075907A (ja) | 低速電子線用赤色蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 | |
| KR100651008B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 투명유전체 형성용 페이스트조성물 | |
| KR100516810B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법 및 잉크젯 방식에 적합한 전극용 잉크 조성물 | |
| JPS6148587B2 (ja) | ||
| JP3338086B2 (ja) | 蛍光体スクリーン印刷用ペースト | |
| JP3732482B2 (ja) | 蛍光表示管 |