JP2001525972A

JP2001525972A - 微細加工を使用した光学ヘッド

Info

Publication number: JP2001525972A
Application number: JP51194398A
Authority: JP
Inventors: ウィルド，ジェフェリー，ピー; デイビス，ジョセフ，イー; ハースト，ジェリー，イー，ジュニア; ヘーヌ，ジョン，エフ; ピーターセン，カート; マクダニエル，テリー; ドレイク，ジョセフ; ドラザン，ジェフ
Original assignee: クインタ・コーポレイション
Priority date: 1996-08-27
Filing date: 1997-08-27
Publication date: 2001-12-11
Also published as: EP0929894A1; WO1998009289A1

Abstract

(57)【要約】光学ヘッドは、記憶ディスク（１０７）にデータを書き込み及びそこからデータを読み出すために、微細加工された部品を、光源及びレンズと組み合わせて利用する。この微細加工された部品は、向き可変の微細加工されたミラー（４００）またはマイクロアクチュエータ（４３３）を備えることができる。レーザ光源（２３１）から光学ヘッドに伝送されるレーザ光ビーム（１９１）、及び記録ディスク（１０７）から反射された光は、微細加工された部品の移動によって変化する。焦点の合った光学スポット（４４８）は、記録ディスク（１０７）の半径方向に対してほぼ平行な方向（４５０）に前後に走査される。

Description

【発明の詳細な説明】微細加工を使用した光学ヘッド発明の背景１．発明の分野本発明は、一般的には光学データ記憶システムに関連する。さらに詳しくは、本発明は、光学データ記憶システムにおいて微細加工された部品を使用することに関連する。２．従来技術光磁気記憶システムにおいては、情報は、回転ディスク上に取り付けられた光磁気（ＭＯ）記録部材を使用して、磁気領域の空間的なばらつきとしてディスク上に記録することができる。読み出し中に磁気領域のパターンが光学的な極性を変調し、検出システムが、得られた信号を光学的なフォーマットから電気的なフォーマットに変換する。光磁気記憶システムの一つのタイプでは、光磁気ヘッドアセンブリは、記録及び読み出しの間、データトラック上に光学ヘッドアセンブリを位置決めするために、ディスクの半径方向にそって光学ヘッドを移動させるリニアアクチュエータ上に配置される。磁気コイルは、このヘッドアセンブリ上の個別のアセンブリ上に配置されて、ディスク表面に垂直な方向に磁気成分を有する磁界を生成する。ディスク媒体のまわりの磁性体の極性と反対である、垂直方向の極性の磁化が、ディスク上に光学的なスポットを形成するために、レーザビームの最初の焦点合わせによって、０または１を示すマークとして記録される。この光学的なスポット（以下、光学スポット）は、キュリー温度（加える磁界により磁化を容易に変化させることができる温度）に近いかまたはそれより高い温度まで、光磁気部材を加熱するよう作用する。磁気コイルを通過する電流により、自発的な垂直方向の磁化が上向きかまたは下向きに配向される。この配向プロセスは、温度が適度に高い光学スポットの領域で生じる。この磁化マークの配向は、レーザービームが照射されなくなった後でも保存される。このマークは、磁気コイルが現在の配向とは反対の方向に磁界を発生する間に、レーザービームによって局所的にキュリー温度まで再加熱される場合には、消去されるかまたはオーバーライト（上書き）される。磁気的なカー効果（Kerr effect）を利用して、目的のマークの磁化により、反射ビームに生じる偏光面のカー回転（Kerr rotation）を検出することによって、情報がディスク上の特定のマークから読み出される。カー回転の大きさは、（カー係数（Kerr coefficient）で表される）部材の特性によって決まる。この回転の検出は、既知の差分検出方式によって測定されるが、その回転は、目的とするマークでの自発的な磁化の向きに応じて、時計回りか反時計回りのいずれかに配向される。光磁気ディスクへのアクセスは、現在のところ１Ｇbit/in²オーダーの面密度で行われているが、従来の光磁気ヘッドは、ヘッドの物理的な大きさと重量をかなりかさばるもの（典型的には、３〜１５ｍｍの大きさ）にしている。従って、従来技術による光磁気ヘッドが、光磁気記憶ディスク上の新たなトラックをアクセスするために機械的に移動する速度は低速である。さらに、従来技術による光磁気ヘッドの物理的な大きさにより、光磁気ディスク間の間隔が制限される。標準的な高さのディスクドライブでは利用可能な容積が制限されているため、光磁気ディスクドライブは、従って、大容量の商用の製品としては利用できない。例えば、現在のところ利用可能な商用の光磁気記憶装置は、１３０ｍｍの両面２．６ＩＳＯギガバイトの光磁気ディスクの片面のみにアクセスし、ディスクアクセスタイムは４０ｍｓ、及びデータ転送速度は４．６ＭＢ/Ｓｅｃである。 N.Yamada（米国特許第5,255,260）は、複数の光ディスクの上面及び下面をアクセスするための薄型のフライング光学ヘッドを開示している。Yamadaによって開示されたフライング光学ヘッドでは、相変化形光ディスクに光をあて、及びそこから光を受けるための、固定の（作動アームに対して固定された）ミラーまたはプリズムが作動アームに取り付けられている。Yamadaによって開示された固定された光学部品では、一定の容積内に収容されている複数の位相変化形の光ディスクの両面へのアクセスが可能であるが、Yamadaにより開示されたものは、光学部品をいかに小さくできるかによって制限を受ける。従って、所定の容積内で機能するように製造可能な光ディスクの数もまた、制限される。他の欠点は、固定の光学部品を使用することに関連する。このアプローチによれば、焦点合わせをされた光学スポットの位置を変化させるために、光学ヘッドアセンブリ全体を移動させることが必要とされるために、トラックサーボの帯域幅が制限される。これと同じ制限が、Murakami他によって米国特許第5,197,050に開示されたフライング光磁気ヘッドについてもあてはまる。一般的には、高精度のトラックサーボを実現するために使用される部品の質量が増すにつれて、サーボの帯域幅は小さくなり、さらに、読み出しまたは書き込むことができるトラック密度は小さくなる。高精度のトラッキング用に、ガルバノメータ式のアクチュエータを備えた折り畳み式のプリズムまたはミラーを移動させるための方法が、米国特許第5,243,24 1にC.Wangによって開示されている。ガルバノメータは、大きなワイヤコイルと回転可能な磁石から構成されており、それらは、フライング光磁気ヘッドに結合されたリニアアクチュエータアームに取り付けられており、スライダ本体には取り付けられない。この設計では、その大きさと重量のために、トラッキングサーボの帯域幅、及び実現可能なトラック密度が制限される。また、その複雑さのために、製造コスト及び製造の困難さが増す。コンパクトで、かつ、従来技術によるものに比べて、所定の容積内に収容可能なディスクの数を増やすことが可能な改善された光学ヘッドが必要とされる。改善された光学ヘッドは、好ましくは、大きな開口数、低減されたヘッドのサイズ及び質量、さらに、極めて高精度のトラックサーボの帯域幅を提供する、共振周波数の高いトラッキングサーボデバイスを提供するものでなければならない。さらに、光学ヘッドは、従来技術に対して、ディスク面へのアクセス、ディスクドライブのアクセスタイム、データ転送速度、及び調整と製造の簡便さを改善するものでなければならない。発明の要約本発明は、従来技術の光ディスクドライブに対する改善点を提供する。この改善により、任意の所定の容積内に収容することができる記憶ディスクの数を増加させることができる。この改善によって、小さいヘッド上で共振周波数の高いトラッキングサーボデバイスを使用して、記憶媒体へのアクセス、ディスクドライブのアクセスタイム、及びデータ転送速度を向上させることができる。本発明の光ディスクは、ウィンチェスター（Winchester）磁気ディスク技術を利用する。レーザー光学アセンブリは、光学的な光源を、微細加工された小さな光学スイッチを介して、一つまたはそれ以上の回転アームに結合する。回転アームのそれぞれは、データを記録媒体に書き込み、あるいはそれから読み出すための光学ヘッドを支持する。光は、記録媒体を焦点合わせをされた光学スポットで走査するために、光ファイバーを通ってそれぞれの光学ヘッドに送られる。次に、記憶媒体から反射された光信号は、処理のために、光学ヘッドを介して結合する。光ファイバから光学ヘッドに伝送される光は、微細加工された部品によって影響を受ける。好適な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーによって影響を受ける。トラックの追跡と隣のトラックへのシーク動作は、この向き可変の微細加工されたミラーの中央のミラー部を、回転軸の回りに回転させることによって実現される。向き可変の微細加工されたミラーからの反射光は、GRIN（屈折率分布型）レンズまたは成形レンズ（molded lens）のような埋め込み型の微小な対物レンズによって導かれる。焦点合わせを施された光学スポットは、記憶媒体の半径方向にほぼ平行な方向に左右にスキャンされる。第２の好適な実施態様では、トラックの追跡と隣のトラックへのシーク動作は、一組の向き可変の微細加工されたミラーを互いに独立に動作させることによって、二つ以上の記録媒体について同時に実施することができる。向き可変の微細加工されたミラーは、開口部を画定する構造を有する可撓性層（たわみ層、flexure layer）を具備している。中央のミラー部は、開口部内に配置される。中央のミラー部は、第１の一対の対向面と第２の一対の対向面を含む平行四辺形状の反射構造を含んでおり、一対の可撓性層のヒンジが、第１の一対の対向面及び可撓性層に一体的に結合されている。他の好適な実施態様では、少なくとも一つのテザー（tether、つなぎ）部材を、中央のミラー部の第２の対向面及び可撓性層に一体的に結合することができる。この少なくとも一つのテザー部材は、少なくとも一つのテザーチャンネルを画定する構造を具備している。テザーは、ミラーの移動範囲を制限し、及びミラーが作動電極に接触するのを防止するために機能する。他の好適な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーは、基板、この基板によって支持される少なくとも一つの作動電極、及びこの少なくとも一つの作動電極によって支持される少なくとも一つのプレート部材を備えている。作動電極は、第１の電極面、及び第１の電極面にほぼ平行で、第１の電極面とは異なる高さにある第２の電極面を備えることができる。好適な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーは、フライング光磁気ヘッドに取り付けられる。このフライング光磁気ヘッドは、好ましくは、光磁気システムで使用するための一組の光磁気ヘッドのうちの一つである。図面の簡単な説明図１は、従来技術のシリコン製ねじりミラー（silicon torsion mirror）構造の展開図である。図２は、向き可変の微細加工されたミラーの斜視図である。図３は、一対のテザー部材を含む向き可変の微細加工されたミラーの斜視図である。図４は、図３の向き可変の微細加工されたミラーの上面図である。図５は、図４のライン８−８に沿って、矢印の方向に切り取った垂直断面図である。図６は、図２のミラーの側断面図であり、作動電極に向かって角度θ°だけ下方にねじり旋回させたミラーを点線で示している。図７は、光磁気データ記録及び再生システムの上面図である。図８は、図７の光磁気データ記録システムのレーザー光学アセンブリの一実施態様を示す図である。図９は、ＤＦＢレーザー源を使用した場合の典型的な光路を示す図である。図１０ａ〜ｄは、光磁気ヘッドの上面図、側面図、正面図及び側面図をそれぞれ示す図である。図１１は、図９の典型的な光路をさらに詳しく示す図である。図１２は、反射型の１／４波長板を含む向き可変の微細加工されたミラーアセンブリを示す図である。図１３には、図１２の１／４波長板の厚さと構成成分を示している。図１４は、図１０ａ〜ｃに示した、フライング光磁気ヘッドの実施態様の斜視図である。図１５は、図１０ａ〜ｃに示した、フライング光磁気ヘッドの実施態様の第２の斜視図である。図１６は、光ファイバスイッチの実施態様を示す図である。図１７ａ、ｂは、図１６の光ファイバスイッチをさらに詳しく示した図である。図１８は、図１６の光ファイバスイッチの製造段階を示す図である。図１９は、図１６の光学スイッチの製造段階を示す図である。図２０は、図１６の光学スイッチの製造段階を示す図である。図２１ａ、ｂは、光磁気ディスクドライブの一部としての光磁気データ記録及び再生システムを示す断面図である。図２２は、向き可変の微細加工されたミラーの３つの実施態様について、作動電圧を偏向角度（angular deflection）の関数として示すグラフである。図２３は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様についての周波数応答を示すグラフである。図２４は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様についての位相応答を示すグラフである。図２５は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図２６は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様についての周波数応答を示すグラフである。図２７は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様についての位相応答を示すグラフである。図２８は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図２９は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図３０は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図３１は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。発明の詳細な説明以下に図面を参照して詳しく説明する。図面には、本発明の同様な部分には、同じ参照番号を付している。図１には、従来技術による向き可変の微細加工されたねじりミラーアセンブリ（steerable micro-machined torsional mirror asse mbly）を、２０として一般的に示している。ミラーアセンブリ２０は、くぼみ２３を画定する周辺部のリム２２ａを含む基板２２を具備する。一対の間隔をおいて配置（隔置）され、電気的に絶縁された作動電極（actuation electrode）２４は、くぼみ２３内に配置されている。２６として一般的に図示している、支持用リッジ（support ridge）は、基板２２上に取り付けられて、くぼみ２３内に配置されており、そしてリム２２ａによって囲まれている。リッジ２６は、一対の電極２４の間に配置されている。窒化ケイ素の可撓性層３０は、上部のミラー支持部材として機能し、一対の電極２４と間隔をおいた状態で、支持用リッジ２６と周りを囲んでいるフレーム２６ａによって支持されている。ミラー支持部材３０は、一対の溝を切られた開口部を画定し、３２ａ、ｂとして一般的に図示されている。開口部３２ａ、ｂは、３６として一般的に図示されている平面ミラーとして、可撓性層３０の一部を画定するために構成されており、ミラー３６のそれぞれの対向するエッジの一組を、ミラー支持部材３０に機械的に相互接続、すなわち結合する、軸合わせされた一対のねじりヒンジ部材（torsion hinge member）（すなわち、可撓性層のヒンジ）３８によって取り付けられている。ミラー３６は、軸合わせされたヒンジ３８のまわりに対称的に配置されており、軸合わせされたヒンジ３８から離れて延びる、対称的に相対して配置された片側部３６ａ、３６ｂを有している。作動電極２４は、それぞれの部分が、ミラー３６のそれぞれの片側部にほぼ対面した位置に並ぶように配置される。作動電極２４は、外部の電源に接続される。作動電極２４は、外部の電源から電流を受け取り、印加される作動電圧に応じて逆向きに充電される。作動電圧は、軸合わせされたヒンジ３８のまわりに、逆向きに充電された電極２４により誘導される静電荷（electrostatic image char ge）によって角度θ°だけ、ミラー３６を回転させるように決められる。図２に、本発明の微細加工されたミラーアセンブリ４００の好適な実施態様を示す。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、形成されたくぼみ４０６をそれ自体に有するシリコン（ケイ素）基板４０１を備えている。隔置された一対の平面状の駆動（作動）電極が、４０２及び４０３として概略的にかつ一般的に図示されており、それらは、くぼみ４０６の底部に沿って配置されている。リッジ３９８が、駆動電極４０２と４０３とを分離している。平面状のシリコンプレート４０７は、電極４０２、４０３のそれぞれの部分に結合されている。二酸化ケイ素や窒化ケイ素のような材料で造られる平面状の可撓性層４０８は、プレート４０７の外側の面に結合される。可撓性層４０８は、対向する環状部４０８ａ及び４０８ｂを構成するよう形成される。外側に面する反射性の中央のミラー部４２０は、最上部の可撓性層４０８の一部と内部のシリコンプレート層４０７の各部内に、それ自体を貫通して形成される、対向して隔置されたＣ字形の開口スロット４０９ａ、４０９ｂによって画定される。反射性の中央のミラー部４２０は、一体化した対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂを設けるように構成される。対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂは、軸合わせされ対向して配置された、可撓性層のヒンジ４１０によって形成された軸のまわりに対称的に配置され、その軸から離れて延びている。可撓性層のヒンジ４１０は、可撓性層４０８から一体形成されており、反射性の中央のミラー部４２０に、ねじりによる復元トルクを与える。反射性の中央のミラー部４２０は、それ自体の光学的な反射率、及び静電気的作用を向上させるために、金または類似の物質で金属被膜することができる。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、およそ９０から２００ボルトの作動電圧を電極４０２及び４０３に印加することによって、ほぼ５０から２００ＫＨｚの帯域幅にわたって動作する。反射性の中央のミラー部４２０は、一般的には、直線部ａ及びｂの寸法がおよそ３００ミクロン以下で、厚さtm1がおよそ３ミクロン以下の平行四辺形状の構造である。反射性の中央のミラー部４２０の底部と、駆動電極４０２及び４０３の間の間隙は、およそ１０ミクロン以下である。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の厚さtm2は、およを２００ミクロン以下である。典型的な実施態様では、反射性の中央のミラー部４２０は、ヒンジ４１０によって画定される長手方向の軸のまわりに、少なくとも±２°物理的な回転角度を達成することが望ましい。好ましくは、反射性の中央のミラー部４２０を、横方向に動かしすぎることなく、ねじりによって動作させることができ、静的及び／または動的な動作の間は、ラムダ（lambda）／１０の光学的な平面度を維持しなければならない。静電気的なたわみによる最大ストレスは、反射性の中央のミラー部４２０を構成するために使用される部材の予測される降伏応力より小さくなければならない。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の上述の特性及び寸法は、代表的なものを意図したものであり、添付の請求の範囲のみによって制限されるものである。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、くぼみ（リセス）４０６をシリコン基板ウェーハ４０１内にエッチングすることによって製造することができる。シリコンプレート４０７は、酸化結合して、電極４０２、４０３から電気的に絶縁することができ、その後、所望の厚さまで薄くして研磨することができる。可撓性層４０８は、反射性の中央のミラー部４２０の周辺部とヒンジ４１０の幅を両定するために配置され、パターン成形することができる。開口スロット４０９ａ、４０９ｂを反射性の中央のミラー部４２０の周囲及び可撓性層のヒンジ４１０の下に形成し、一方、反射性の中央のミラー部４２０の下のシリコンプレート４０７を除去して剛性の支持体を設けるために、等方性のエッチング（etch）を使用することができる。結合パッド４０４及び４０５を金属の被着によって形成して、それぞれの電極４０２、４０３に電気的及び機械的に接続することができるように、このエッチングのステップを電極４０２及び４０３へのアクセスを設けるために使用することができる。これまでに説明してきた向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、バルク微細加工技法（bulk micro-machining techniques）または面微細加工技法（surface micro-machining techniques）を使用して製造することができ、例えば、この面微細加工技法については、1991 SPIE Proceeding Serie s Vol.2639,p211-222のJ.Comtois他による「Design techniques for surface mi cro-machining MEMS processes」に開示されている。図１〜３を参照すると、典型的な解析により、反射性の中央のミラー部４２０は、その偏向角度が増すに従い、静電気的なトルクが、ヒンジのねじりによって与えられる復元トルクに打ち勝つようになるので不安定になる、ということは明らかである。従来技術の比較的広いギャップ（間隙）に、本発明の反射性の中央のミラー部４２０の所望の偏向角度±２°を用いる場合は、比較的大きな作動電圧を電極４０２及び４０３に加える必要がある。さらに、反射性の中央のミラー部４２０と電極４０２及び４０３の間に比較的広いギャップを用いると、反射性の中央のミラー部４２０の偏向角度と、電極４０２及び４０３に印加される電圧との間にかなりの非線形関係が生じる可能性がある。従って、以下では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００について、その動作特性を変化させる変更点を含めるために説明する。この向き可変の微細加されたミラーアセンブリ４００は、ギャップの幅がより小さいこと、直線性が改善されていること、フルスケールの偏向角度に対して必要とされる作動電圧がより低いこと、及び、前記の不安定が生じる前に実現可能な偏向角度の範囲を増加させること、を具備するものである。次に図３、４及び５を参照すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、反射性の中央のミラー部４２０を可撓性層４０８にさらに結合するための、少なくとも一つのテザー部材５０を具備することができる。さらに詳しくは、少なくとも一つのテザー部材５０は、可撓性層４０８の対向する環状部４０８ａ及び４０８ｂのそれぞれの少なくとも一つの部分を、反射性の中央のミラー部４２０の各対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂに、それぞれ接続する。各テザー部材５０は、望ましくは、少なくとも一つの一対の横方向の（長手方向に直角な）チャンネル５４を備える平行四辺形状の構造５２とすることができる。図４に示すように、対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂの先端エッジはそれぞれ、このエッジ部に固定されて、ギャップ５３で分離された一対の隔置されたテザー５２を備えている。溝またはチャンネル５４は、可撓性層４０８の選択された表面領域内に等方性のエッチングされた輪郭を画定するために、平面エッチング（planar etch）を使用してプラズマエッチングすることができる。エッチ止め（etch stop）を入り組んだ表面（convoluted surface）内に拡散させて、エッチングされた輪郭がエッチ止め層をなぞるようにすることができる。テザー部材５０を備える可撓性層４０８の部分は、チャンネル５４の表面に対向する表面部からパターン成形してエッチングすることができ、エッチ止め層により、所望の波状の断面部が生成される。従来のプラズマエッチング技法では、エッチングされる溝の深さは、数分の１ミクロンから約５０ミクロンまでが可能である。ホウ素によるエッチ止め（boron etch stop）が使用される場合には、利用可能なテザー部材５０の厚さは、約０．５ミクロンから約１０ミクロンまでの範囲である。同様な範囲が拡散式電気化学エッチ止め（diffused electrochemical e tch stop）について利用可能であるが、十分に長い拡散のためには、最大の厚さが２０ミクロンを越える可能性がある。テザー部材５０によって、反射性の中央のミラー部４２０は、軸合わせされた可撓性層のヒンジ４１０のまわりにねじり運動ができるようになるが、横方向の運動は制限される。すなわち、テザー部材５０は、可撓性層４０８の側部４０８ａ及び４０８ｂの方への、反射性の中央のミラー部４２０の末端エッジ部の移動を制限する。テザー部材５０はまた、反射性の中央のミラー部４２０を偏向していない位置に戻すために、（可撓性層のヒンジ４１０によって加えられる復元力に加えて）ねじりによる復元力を与える。テザー部材５０はまた、大きな駆動状態において、反射性の中央のミラー部４２０が作動電極４０２及び４０３に接触しないよう制限して、それの接触による変形やたわみを防止する。テザー部材５０は、さらに、反射性の中央のミラー部４２０が臨界角度を越えて偏向しないようにするが、この臨界角度を越えた場合には、作動電極４０２または４０３の一方に自然に偏向してしまうことになる。反射性の中央のミラー部４２０の回転移動、すなわちねじれによる移動により、テザー部材５０は、この反射性の中央のミラー部４２０の側部４２０ａ及び４２０ｂに結合したままで、下方（ｚ方向）に偏向される。結合したままにするために、テザー部材５０は、好ましくは、多少延びることによって、反射性の中央のミラー部４２０の側部４２０ａ及び４２０ｂから、可撓性層４０８の側部４０８ａ及び４０８ｂまでの距離の増加を吸収する。梁（beam）として動作する単一のテザー５０を考え、小さな偏向に対して溝すなわちチャンネル５４の存在を一時的に無視すると、梁をｚ方向に偏向させるために必要な力の大きさは、実現される偏向の大きさにほぼ直線的に比例する。より大きな偏向に対しては、増加分の偏向を達成するために、力の大きさをさらに多く増す必要があり、この関係は非線形なものになる可能性がある。テザー部材５０の非直線性は、反射性の中央のミラー部４２０の大きな回転角度によって引き起こされる静電気的なトルクにおける非直線性に合致するように調整することができる。従って、より大きな角度偏向に対する静電気的な非線形性の効果を抑止することによって、角度偏向に対する反射性の中央のミラー部４２０の安定性の範囲を増加させて、角度偏向のより広い範囲を実現することができる。ねじりヒンジ４１０から利用可能な復元トルクのみでは、ある臨界回転角度で静電界によって及ぼされるトルクを打ち消すためには不十分である場合がある。テザー部材５０は、追加の復元トルクを与えるよう機能して、ヒンジの復元トルクと組み合わせ、こうして静電気的なトルクを相殺する。従って、不安定となる位置がより大きな偏向角度で生じるよう変化させることができる。さらに、反射性の中央のミラー部４２０の共振周波数は、テザー部材５０によって生成される、追加の効果的なねじればね定数のために好適に増加される。それゆえ、共振周波数の作動電圧との結合度は、さらにある程度緩和されることになる。テザー部材５０の設計においては、静電気的な力が支配的になるのとおおよそ同じ偏向角度で、テザー部材５０の非直線性が支配的になる。テザー部材がまっすぐな梁である実施態様では、テザー５０はかなり延び、従って、梁の偏向における非直線性は、反射性の中央のミラー部４２０のかなり小さい角度に対してはっきりと識別できるようなる。横方向のチャンネル５４を使用すると、テザー部材５０延びの大部分を波形の湾曲部によって吸収することができるために、その直線範囲を延ばすのに役立つ。テザー部材５０において有効な非直線性の開始は、テザー部材５０の長さ（ｃ）、幅（ｄ）、厚さ（ｔ）、並びに波形の深さ（ｅ）、幅（ｆ）及びその数の関数である。横方向のチャンネル５４を備えることにより、テザー部材５０の非直線性の開始を決定することにおける設計の柔軟性をさらに増すことができる。好ましくは、テザー部材５０からの非直線的な力によって反射性の中央のミラー部４２０が過度にねじれないようにするために、テザーの厚さ（ｔ）を、反射性の中央のミラー部４２０の厚さよりも小さくする。今度は図６を参照するに、反射性の中央のミラー部４２０の角度θが、軸３７のまわりにｘ軸に対して増加する場合、ｘ＝０において作動電極４０２（または４０３）の部分から生じる静電気的な力の寄与は、ｘ＝ｂ／２において反射性の中央のミラー部４２０の外側のエッジ部に寄与するものより小さい。図５を再び参照すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００が図示されているが、そこには、直線性を改善する一方で、所望のすべての角度偏向に対して妨害することなく、及び反射性の中央のミラー部４２０に所定の電極の電圧に対してより大きな静電気的な力を与えるために、ｘ＝０におけるギャップｇを減少させることが可能な方法が示されている。図５に記載し、以下の例４で説明する実施態様では、作動電極４０２及び４０３は、ギャップがｘ＝０の近くで小さくなるように、電極表面４０２ａ及び４０３ａを、垂直方向のステップ（段）、すなわち高くなった部分として備えるように製造することができる。作動電極４０２及び４０３はまた、電極表面４０２ａ及び４０３ａにそれぞれ平行で、それぞれ異なるギャップ間隔にある、電極表面４０２ｂ及び４０３ｂを備えることができる。すなわち、電極表面４０２ａ及び４０３ａは、電極表面４０２ｂ及び４０３ｂよりもギャップ間隔が小さい。図５は、２つのギャップに分離することを示しているが、電極４０２及び４０３に、そのようなステップをたくさん作製することによって、別の利益を得ることができる。従って、作動電極４０２及び４０３をそれぞれ、２つの電極表面（すなわち、４０２ａ、４０２ｂ、４０３ａ、及び４０３ｂ）について図示したが、本発明の思想及び範囲においては、３つ以上の電極表面を備える作動電極４０２及び４０３を含むことができる。テザー部材５０から離れて動作するこの変更は、作動電圧の動作を、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の共振周波数から切り離すように機能することができる。すなわち、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の共振は変わらない。複数の電極のステップを単独で、または上述のテザー部材５０と組み合わせて使用することかできるということは明らかである。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、図７の１００に上面図として一般的に示すように、光磁気記録及び再生システムの一部としてフライング光磁気ヘッド１０６に使用することができる。好適な実施態様では、光磁気（ＭＯ）データ記録及び再生システム１００は、一組の両側第一面ＭＯディスク（ double-sided first surface MO disks）１０７（各ＭＯディスク面にひとつのフライングヘッドがある）に使用するのに適合した、一組のウィンチェスタータイプのフライングヘッド１０６を備えている。この一組のフライングヘッド１０６（以下では、フライングＭＯヘッドと称する）は、各サスペンション１３０及びアクチュエータアーム１０５によって、ロータリーアクチュエータマグネット及びコイルアセンブリ１２０に結合されて、一組のＭＯディスク１０７の表面上に位置付けされる。動作時には、一組のＭＯディスク１０７はスピンドルモータ１９５によって回転させられて、一組のフライングＭＯヘッド１０６の間に空気力学的揚力を発生して、この一組のフライングＭＯヘッド１０６が、一組のＭＯディスク１０７の上側及び下側表面の上部およそ１５マイクロインチのところに浮揚した状態を維持する。この揚力は、一組のサスペンション１３０によって加えられる、大きさが同じで向きが逆のスプリング（ばね）による力によって対抗される。非動作時の間は、一組のフライングＭＯヘッド１０６は、一組のＭＯディスク１０７の表面から離れた、静止した格納状態に維持される。システム１００は、さらに、レーザー光学アセンブリ１０１、光学スイッチ１０４、及び一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２を備えている。この一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２の各々は、一組のアクチュエータアーム１０５及び一組のサスペンション１３０のそれぞれ一つを介して、一組のフライングＭＯヘッド１０６の各一つにそれぞれ結合することができる。簡単に説明すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ400は、従来技術に比較して、面記録密度の高い光磁気記録媒体へのアクセスを改善し、フライングヘッドの重量及びサイズを低減し、ディスクアクセスタイムを向上させ、必要な光学部品を少なくし、及び所定の容積内で動作させることが可能な記憶ディスクの数を増加させることができる構成において、一組のフライングＭＯヘッド１０６に使用される。図８は、図７の光磁気データ記録及び再生システムのレーザー光学アセンブリの一実施態様を示す図である。レーザー光学アセンブリ１０１は、可視または近紫外線周波数領域内で動作し、一組のＭＯディスク１０７を使用して読み出し及び書き込みを行うために十分な光学的パワーを放射する、直線偏光ダイオードレーザ源２３１を備えている。ある実施態様では、レーザダイオード源は、ＲＦ被変調レーザ源とすることができる。別の実施態様では、直線偏光レーザ源２３１は、ＤＦＢレーザ源とすることができる。代表的な実施態様では、直線偏光レーザ源２３１は６３５〜６８５ｎｍの範囲で動作するが、他の周波数のレーザ源を使用することもできる。レーザー光学アセンブリ１０１は、さらに、平行化光学系（collimating optics）２３４、低波長分散漏れビームスプリッタ（low wave length dispersion leaky beam splitter）２３２、及び結合レンズ２３３を備えている。レーザ光学アセンブリ１０１は、（直線偏光レーザ源２３１から）直線偏光レーザビーム１９１（図７に示す）を光学スイッチ１０４に向ける。レーザ光学アセンブリ１０１は、さらに、１／４波長板２３８、ミラー２３５、及び偏光ビームスプリッタ２３２を備える。第１の実施態様では、直線偏光反射レーザビーム１９２（図７に示す）は、光学スイッチ１０４によって結合レンズ２３３に向けられ、漏れビームスプリッタ２３２によって、１／４波長板２３８、ミラー２３５、及び偏光ビームスプリッタ２３９からなる、差分検出器に送られる。第２の実施態様では、レーザ光学アセンブリは上記のように機能するが、さらに、レーザ源２３１とコリメーティングレンズ（平行化用レンズ）２３４の間に光学分離器２９７を備える。当該技術において十分に確立されているように、このタイプの差分検出方式では、反射レーザビーム１９２の２つの直交偏光成分の光学パワーを測定するが、差分信号は、一組のＭＯディスク１０７の一方の表面におけるカー効果によって生じる偏光面の回転の高感度の尺度となる。いずれの実施態様においても、一組のフォトダイオード２３６による変換後、差分信号は、差分増幅器２３７によって処理され、信号２９４として出力される。入射レーザビーム１９１を導き、反射レーザビーム１９２を検出するための他の技法が当該技術においてよく知られているように、本発明は、光学部品及び光源の配列について上述のものに制限することを意図してはいない。図９は、ＤＦＢレーザ源を含む代表的な光学パス（光路）を示す図である。好ましい実施態様では、図９に示す代表的な光学パスには、光学スイッチ１０４、一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２の一つ、及び一組のフライングＭＯヘッド１０６の一つが含まれている。光学スイッチ１０４は、（レーザ源２３１に関する）入射レーザビーム１９１を、それぞれの単一モードＰＭ光ファイバ１０２の各近接端部の方に向けるのに十分な選択感度を有する。入射レーザビーム１９１は、さらに、単一モードＰＭ光ファイバ１０２によって、遠い方の各端部を出て、フライングＭＯヘッド１０６を通過して、各ＭＯディスク１０７の表面記録層３４９上に導かれる。好ましい実施態様では、入射レーザビーム１９１は、ＤＦＢレーザ源である直線偏光レーザ源２３１によって提供される。分布帰還（ＤＦＢ）ダイオードレーザ源は、ＲＦ被変調ファブリーペロダイオードレーザとは異なり、レーザ共振器内の波長選択格子要素を使用することにより、極めて狭帯域の単一周波数出力を生成する。ＤＦＢレーザ源であるレーザ源２３１から、直線偏光された光が単一モードＰＭ光ファイバ１０２内に放射される場合は、光ファイバを出てゆく光はファイバ軸と入射偏光の間の相対的な配向に依存する偏光状態を有し、さらに、出力の偏光状態は、ファイバの複屈折を変える外乱が無視できる程小さい限り、時間的に非常に安定である。この振る舞いは、スペクトル出力における高い周波数の変動によって特徴づけられるＲＦ被変調ファブリーペロダイオードレーザ源で観察されるものとは対照的である。ＲＦ被変調レーザ源では、直線偏光された光が単一モードＰＭ光ファイバ１０２内に放射されると、レーザ波長のゆらぎ（変動）によって、ファイバの出力においてそれに対応する偏光のゆらぎが発生する。この発生した偏光ノイズは、入射光が、ファイバの軸の一つと位置合わせされた偏光軸で放射されるときに最小化されるが、この場合でさえも、この偏光ノイズは、波長に依存するモード結合による、対応するＤＦＢレーザの場合よりも大きいものである。（ＰＭファイバにおけるモード結合は、それによって、一つの偏光軸にそって導かれる光のわずかな部分が、その直交軸に、固有の欠陥あるいは応力低減（stress -induced）による欠陥によって結合される現象である）。ＭＯ記録においては、ＳＮＲ（ＳＮ比）を２０〜２５ｄＢの範囲にすることができるように、偏光ノイズを最小に維持することが重要である。従って、ＤＦＢレーザ源を使用する場合には、単一モードのＰＭ光ファイバ１０２を、ＭＯディスク１０７への信号光の送出、及びＭＯディスク１０７からの信号光の戻り用に利用すれば、光磁気（ＭＯ）データ記録及び再生システム１００におけるＳＮＲについてこのレベルを実現することができる。情報書き込みの間、入射レーザビーム１９１は、光学スイッチ１０４により経路を選択されてＭＯディスク１０７に送られ、対象とする選択ポイント３４０を、少なくともＭＯ記録層３４９のキュリー温度まで加熱することによって、この表面記録層３４９の保持力を低下させる。好ましくは、入射レーザビーム１９１の光学的な強度は一定に保持され、一方、時間変化する垂直バイアスの磁界が、ＭＯディスク１０７に垂直な「上向き」または「下向き」の磁区（magnetic dom ain）を画定するために使用される。この技法は、磁界変調（ＭＦＭ）として知られている。代替的には、磁区壁の位置をより良好に制御し、磁区の縁のジッタを低減するために、対象とするスポット３４０での時間変化する垂直バイアス磁界に同期して、入射レーザビーム１９１を変調することができる。次に、この選択された対象とするスポット３４０が、表面層３４９で冷やされると、情報がそれぞれの回転ディスク１０７の表面で符号化される。情報の読み出しの間、入射レーザビーム１９１（書き込み時に比べて強度は低い）は、経路を選択されてＭＯディスク１０７に送られ、対象とする任意の所定スポット３４０で、カー効果により（表面層３４９からレーザビーム１９１が反射するときに）、反射レーザビーム１９２が、対象とするスポット３４０での磁区の極性に従って、時計回りか反時計回りのいずれかの向き３６３に回転した偏光を有するようにされる。上述の光学パスは、実際には双方向である。従って、反射レーザビーム１９２は、フライングＭＯヘッド１０６を介して受け取られて、単一モードＰＭ光ファイバ１０２の遠い方の端部に入る。反射レーザビーム１９２は、単一モードＰＭ光ファイバ１０２に沿って伝わり、それの近い方の端部から出る。そして、光学スイッチ１０４によって経路を選択されて、次の、信号２９４への変換のためにレーザ光学アセンブリ１０１に伝送される。図１０ａ〜ｄは、それぞれ、光磁気ヘッドの上面図、側面図、正面図、及び側面図を示す図である。一組のフライングＭＯヘッドは、単一の代表的なフライングＭＯヘッド１０６に関して説明することができる。図１０ａ〜ｃでは、単一の代表的なフライングＭＯヘッド１０６は、一組の回転ＭＯディスク１０７の一つの、表面記録層３４９の上部または下部にそれぞれ配置されている。好ましい実施態様では、フライングＭＯヘッド１０６は、スライダ本体４４４、空圧支持表面（air bearing surface）４４７、透過型１／４波長板４９３、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、対物レンズ光学系４４６、及び磁気コイル４６０を備える。典型的な実施態様では、磁気コイル４６０は、磁界を発生させるために、空圧支持表面４４７の近くに配置された微小な複数巻きのコイルである。この磁界は、両方の極性においてほぼ３００エルステッドであり、反転時間は約４ｎｓであり、回転ＭＯディスク１０７の面にほほ垂直である。好ましくは、磁気コイル４６０は、ディスクに向かう及びそれから反射されるレーザビーム１９１及び１９２が、フライングＭＯヘッド１０６を通って回転ＭＯディスク１０７に向かう間、またはその逆の間に、それを妨害するものであってはならない。スライダ４４４の大きさは、業界標準の「ミリ」、「マイクロ」、「ナノ」、または「ピコ」スライダの大きさを含むように特徴づけることができる。フライングＭＯヘッド１０６を構成する前述の構成要素の物理的な寸法及び／または光学特性によって決まるが、代替の大きさのスライダ本体４４４を使用することもできる。従って、好適な実施態様では、スライダ本体４４４は、およそ８８９μｍの高さ、及びナノスライダ（２０３２μｍ×１６００μｍ）のものに相当する設置面積を有するものとすることができる。典型的な実施態様では、１／４波長板４９３は、一辺がほぼ２５０μｍの正方形状であり、厚さがほぼ８９μｍであり、対象とする波長での位相遅れが約９０（±３）度である。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、好ましくは、フライングＭＯヘッド１０６に結合され、Ｖ字溝（v-groove）４４３、または他の適切な大きさのチャンネルによって、スライダ本体４４４の軸に沿って保持される。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、Ｖ字溝４４３内に配置されて、好ましくは、最適に焦点合わせを施された光学スポット４４８を生じるように入射レーザビーム１９１を導く。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、次に紫外線硬化エポキシ（ultravio let curing epoxy）または同様な接着剤を使用することによって、所定の位置に固定することができる。Ｖ字溝内でＰＭ光ファイバ１０２を使用することによって、入射レーザビーム１９１を、反射性の中央のミラー部４２０の小さな領域に正確に位置合わせして、照射することができる。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、１／４波長板４９３、対物レンズ光学系（objective opti cs）４４６は、好ましくは、スライダ本体４４４の長方形状の外形寸法を近似することによって画定される物理的な容積内に収まるよう、コンパクトで軽量ではあるが、ディスクに向かう及びそこから反射するレーザビーム１９１及び１９２おいて失われるパワーが最低で、かつ重大な歪み及び収差が導入されないように、これらのレーザビーム１９１及び１９２の全断面部を導くように十分に大きなものでなければならない。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の反射性の中央のミラー部４２０は、代表的な光学パス内で位置合わせされて、入射レーザビーム１９１を対物レンズ光学系４４６及び１／４波長板４９３を通して導き、反射レーザビーム１９２を、ＭＯディスク１０７から図８のレーザ光学アセンブリ１０１に導く。対物レンズ４４６は、開口数（ＮＡ）がほぼ０．６７のマイクロレンズとすることができる。波長６５０ｎｍでの典型的な実施態様では、マイクロレンズは、ほぼ０．５４μｍの半波高全幅値強度（FWHM）を有する光学スポット４４８に焦点を合わせる。マイクロレンズは、単純でコンパクトな円箇形状のGRIN （屈折率分布型）レンズ４４６とすることができる。円筒形状にすることにより、スライダ本体４４４内に設けられる開口部を収容する単純な円筒形レンズ内に、レンズ４４６を簡単に挿入することができる。球面収差を最小にし、回折限界合焦（diffraction-limited focusing）を実現するために、GRINレンズ４４６は、凸面が単純な球状である平凸レンズとなるように研磨することができる。GRIN レンズ４４６の所望の厚さ及び曲率半径は、ＰＭ光ファイバ１０２の開口数、及び所望の焦点合わせを施された光学スポット４４８のサイズを含むいくつかの要因の関数である。典型的な実施態様では、GRINレンズ４４６の高さはほぼ３５０ μｍ、曲率半径はほぼ２００μｍであり、レンズの直径はほぼ２５０μｍとすることができる。最適な焦点合わせはGRINレンズ４４６の平面側で起こり、好ましくは、ほぼ２５マイクロインチの焦点深度を有する。空圧支持表面４４７の浮揚する高さが、好ましくは、ほぼ１５マイクロインチの値に維持されるので、フォーカシングサーボ（焦点合わせ用サーボ）は、必ずしも必要ではない。代替の実施態様では、本発明は、直線的に調整可能な光学部品４９５（図１０ｂ及び１０ｄに示す）を含むことができる。直線的に調整可能な光学部品を単一モードＰＭ光ファイバ１０２と反射性の中央のミラー部４２０の間の光学パス内に配置して、入射レーザビーム１９１が単一モードＰＭ光ファイバ１０２を出るときに、この入射レーザビーム１９１を光学的に変化させることができる。典型的な焦点位置４８６、４８７、及び４８８を含むように、光学スポット４４８を合焦させることができる。従って、多層ＭＯディスクを使用することができる。典型的な光学パスに沿った光学部品４９５の直線的な動作は、移動手段４３３をスライダ本体４４４に、及び、光学部品４９５を収容する取り付け台に、例えば、微細加工されたアクチュエータ、マイクロモータ、または直線動作が可能な圧電変換器を使用して結合することによって実現できる。代替的には、電気的に制御された焦点を有する単一の自動焦点レンズ（dynamic focusing lens）を、直線的に調整可能な光学部品４９５の代わりに使用することができ、それによって移動手段が不要となる。そのようなレンズは、例えば、液晶または電気光学的なＰＬＺＴコーティングと組み合わせたホログラフィックレンズ（holographic lens）部品から構成することができる。可変の焦点を設ける他の可能なアプローチは、スライダ本体４４４上に、ＭＯディスク１０７の面に垂直な直線方向に対物レンズ４４６を移動させるための微細加工されたアクチュエータを設けることである。微細加工されたアクチュエータは、また、単一モードＰＭ光ファイバ１０２を横、縦、及び長手方向に位置付けするために使用することができ、従って、スライダ本体４４４上の他の光学部品に対する単一モードＰＭ光ファイバ１０２の移動及び位置合わせの手段を提供することができる。いくつかのマイクロアクチュエータの設計が、1991年の個体状態センサ及びアクチュエータ（Solid-State Sensors and Actuators）に関する国際会議で、W.Ben eckeによる「Silicon-Micro-actuators:Activation Mechanism And Scaling Pro blems,」の４６頁乃至５０頁で、及びその中で参照している論文で参照されている。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、その光学軸に沿った深さ方向の高い解像度、及び横方向に向上した解像度を有する共焦点光学システムの開口部として機能する。この横方向に向上した解像度によって、非共焦点システムに比較して、微小な磁区の配向の検出だけでなく、磁区の縁の検出も改善される。深さ方向の高い解像度により、多層レベルの記憶媒体を使用する場合の、間隔がごく近接した表面記録レベル間のクロストークが最小化される。本発明の共焦点性から生じる他の利点は、対物レンズ４４６から反射されるそれた光は、フィルタリングされて除去されるということである。光磁気記録及び再生システム１００で使用されるときに、高精度のトラッキング及び近くのトラックへの短時間のシーク動作は、入射レーザビーム１９１の伝達角度が、対物レンズ４４６に届く前に変化するように、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の反射性の中央のミラー部４２０を、回転軸のまわりに回転させることによって実現される。反射性の中央のミラー部４２０は、駆動電極４０２及び４０３に差動電圧を印加することによって回転される。電極４０２及び４０３の差動電圧により、反射性の中央のミラー部４２０をヒンジ４１０のまわりに回転させる静電気的な力が発生し、焦点の合った光学スポット４４８が、ＭＯ媒体１０７上の半径方向４５０に移動することができるようになる。典型的な実施態様では、中央のミラー部４２０は、ほぼ±２度回転するが、これは、ＭＯディスク１０７の表面においてほぼ±４トラックに相当する。典型的な実施態様では、±４トラックの移動が開示されるが、前記した向き可変の微細加工されたミラー４００の所望の性能特性に応じて、±４トラックより多い、または少ない移動の範囲もまた可能であることは明らかである。従って、ＭＯディスク１０７を横断する焦点の合った光学スポット４４８の移動、及び反射レーザビーム１９２の検出を、情報の記録と再生、トラック追跡、及び一つのデータトラックから別のデータトラックへのシークに使用することができる。大まかなトラッキングは、回転アクチュエータマグネット及びコイルアセンブリ１２０（図７）への電流を調整することによって維持することができる。ＭＯディスク１０７の特定のトラックを追跡するために使用されるトラック追跡信号は、当該技術分野において良く知られている、大まかな（粗い）トラッキングサーボと高精度のトラッキングサーボ技法の組み合わせを使用して得ることができる。例えば、サンプリングされたセクタサーボフォーマット（sampled sector servo format）を使用して、トラックを画定することができる。サーボフォーマットは、ＭＯディスク１０７に刻印された浮き彫り形のピット、またはデータマークと同様な読み出される磁区の配向のいずれかを含むことができる。浮き彫り形のピットを使用する場合は、差動出力回路２３７を補助するために、加算出力回路を使用することができる。当業者には認識されることであるが、多重磁気ディスク形ウィンチェスタ磁気ディスクドライブは、一体の装置として協調して移動する、一組のそれぞれのサスペンションとアクチュエータアームを使用する。従って、そのような一体型の装置の各フライングヘッドは、他のフライングヘッドに対して固定されるので、特定の磁気ディスク表面をトラック追跡する間は、他の磁気ディスク表面のトラックを同時に追跡することはできない。これとは対照的に、一組のアクチュエータアーム１０５及び一組のサスペンション１３０の動きに関係なく、一組の向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を独立に動作させるために使用することができ、これによって、２つ以上のＭＯディスク表面を任意の所定時間に使用して、情報を読み出すために及び／または情報を書き込むために、トラック追跡及びシークを行うことが可能となる。一組の同時に動作する向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を使用してトラック追跡及びシークを独立して行うためには、好ましくは、一組の別々の各読み出しチャンネル、高精度の追跡用電子機器回路、及びミラー駆動電子機器回路が必要とされる。前述の実施態様では、好ましくは、別々のレーザ光学アセンブリ１０１を使用することも必要であるので、別々のそれぞれの光学パス間を切り換えるための光学スイッチ１０４は必ずしも必要ではない。図１１は、ＲＦ被変調レーザ源を含む典型的な光学パスを示す図である。本発明の一組の光学パスは、単一の典型的な光学パスを参照して説明することができるが、それは、図１１に示すように、反射性の基板（反射基板）４２０、１／４波長板４９３、対物レンズ光学系４４６、及び単一モードＰＭ光ファイバ１０２を備えている。ＲＦ被変調レーザ源２３１を使用する実施態様では、単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、第２のセグメント５９９に結合された第１のセグメント５９８から構成されており、それぞれのセグメントは速軸（fast axis；Ｐｘ）と遅軸（slow axis；Ｐｙ）を含んでいる。第１のセグメント５９８の速軸は、好ましくは、第２のセグメント５９９の遅軸と位置合わせがされている。入射レーザビーム１９１は、Ｏｘ成分とＯｙ成分を有し、好ましくは、第１のセグメント５９８のＰｘ軸及びＰｙ軸に対して、ほぼ４５度の角度で直線偏光されている。また、１／４波長板４９３は、光学パス内で、第２のセグメント５９９のＰｘ軸及びＰｙ軸に対して４５度の角度で位置合わせがされている。典型的な実施態様では、１／４波長板４９３は、一辺がほぼ２５０μｍの正方形状であり、厚さは約８９μｍであり、そして対象としている波長において約９０（±３）度の位相遅れを有する。当業者には認識されることであるが、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、機械的な動作、温度、及び圧力から生じる外部及び／または内部のストレスを受ける可能性があり、これらのストレスは、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の光学的特性、例えば、複屈折特性に影響を与える可能性がある。従って、Ｏｘ及びＯｙ偏光成分が、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９を通って伝達するときに、Ｏｙ成分はＯｘ成分に対して位相φだけシフトする。偏光成分Ｏｘ及びＯｙは、第２のセグメント５９９の遠方の端部を出て、反射基板４２０によって反射され、１／４波長板４９３の表面に入射する。Ｏｘ及びＯｙ成分は、好ましくは、反射基板４２０の金製の表面から（互いの３％内に）均一に反射される。Ｏｘ及びＯｙ成分が１／４波長板４９３を通過するときに、Ｏｘ成分は左まわりの円偏光に、Ｏｙ成分は右回りの円偏光に変換され、２つの円偏光が加え合わされて、好ましくは、位相シフトφに依存する偏光角度を有する入射直線偏光になる。この入射直線偏光は、ＭＯディスク１０７から反射され、カー効果によって回転させられて、φ＋△に等しい円偏光成分間の正味の位相シフトを有して戻される。ここで、△はカー効果によって導入される位相シフトである。ＭＯディスク１０７からの反射によって、それぞれの円偏光の向きが反転され（すなわち、左まわりが右まわりに、右まわりが左まわりになる）、そのために、１／４波長板４９３を２回目に通過するときには、右まわりの成分は直線偏光成分Ｔｘに変換され、左まわりの成分は直線偏光成分Ｔｙに変換される。反射レーザビーム１９２のＴｘ及びＴｙ偏光成分は、好ましくは、入射レーザビーム１９１のＯｘ及びＯｙ偏光成分に対して９０度回転され、Ｔｘ成分は、Ｔｙ成分に対してφ＋△の位相シフトを示す。当業者には理解されることであるが、ＰＭ光ファイバを通る光学的な通過時間が５ｎｓよりも短い、典型的な実施態様では、ＰＭ光ファイバの複屈折は容易に検知できるほどには変化しない。従って、反射レーザビーム１９２のＴｘ偏光成分は、第２及び第１のセグメント５９９及び５９８を通って伝達し、Ｔｙ成分はＴｘ成分に対してさらにφだけ位相がシフトする。この方法では、第１のセグメント５９８の近い方の端部を出た後、反射レーザビーム１９２のＴｙ偏光成分は、Ｔｘ偏光成分に対して、好ましくは、カー効果による位相△のみだけ位相シフトされる。ファイバから出てくる偏光状態は楕円状であり、レーザ光学アセンブリ１０１の１／４波長板４９３によって変換されて、好ましくは、△に比例する偏光角度の直線偏光を有する。次に、対象とするスポット３４０に記録された情報を出力信号２９４として表すために、直線偏光が検出されて変換される。本発明は、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９によって導入される複屈折の効果を最小化するが、１／４波長板４９３もまた、反射基板４２０の反射表面の光学特性によって導入される位相シフトを最小化する。さらに、１／４波長板４９３は、反射基板４２０の後に光学パス内に配置されるものとして開示されているが、代替の実施態様では、１／４波長板を、対物レンズ光学系４４６とＭＯディスク１０７の間に配置することもできる。本発明では、ＲＦ被変調レーザダイオードからなるレーザ源２３１（図８）を使用することにより、反射レーザビーム１９２の光学的フィードバックのレーザダイオードへの影響を低減することができるということがわかる。当業者には認識されることであるが、ＲＦ被変調ダイオードは単一の波長では動作せず、（典型的には１０ｎｍの帯域幅を有する）マルチモードスペクトル特性を有するレーザ光の光源として動作し、また、１／４波長板４９３をレーザ源２３１の帯域幅にわたって動作するように特徴づけることによって、各λに対して対応する位相シフトを最小化することができる。しかしながら、入射レーザビーム１９１のＯｘ及びＯｙ成分が、第１のセグメント５９８のＰｘ及びＰｙ軸に対して４５度で最適に位置合わせされていない場合、及び／または１／４波長板４９３が正確に１／４波長特性でない場合、及び／または光学パス内の他の光学部品が位置合わせされていない場合には、位相シフトφ及び、従って、それが出力信号２９４に生成するＲＦノイズ成分は、レーザ源２３１の波長のゆらぎに依存して現れるということが、当業者には認識されるであろう。従って、実際には、システム１００の光学部品の位置合わせは、限られた精度の角度でのみなされるので、ＲＦ被変調レーザ源２３１の波長のゆらぎによって、出力信号２９４の信号対ノイズ比が劣化するであろう。本発明では、第１のセグメント５９８の速軸を、第２のセグメント５９９の速軸に直角に回転させることによって、レーザ源２３１の波長のゆらぎによって生成されるＲＦ位相ノイズは、同相モード方式で相殺することができるということを認定している。第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、対象とする周波数で動作するように選定された、市販の単一モードＰＭ光ファイバ１０２から構成することができる。第１のセグメント５９８は、当該技術分野においてよく知られた融着接続技法を使用して、第２のセグメント５９９に結合され、第１のセグメント５９８の速軸は、好ましくは０．５度以内の角度で、第２のセグメント５９９の遅軸に位置合わせされる。さらに、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、好ましくは、同じ光ファイバの製造ロットから選定され、好ましくは、１ｍｍ以内の精度で同じ長さのものである。第１及び第２のセグメント５９８及び５９９のそれぞれを波長λで伝搬する直線偏光された光が受ける位相シフトは、２πｂＬ／λに比例する（ここで、ｂはＰＭ光ファイバの複屈折であり、ＬはＰＭ光ファイバの長さである）ということを、当業者は理解するであろう。従って、波長λにおけるゆらぎは、位相シフトにおいて対応するゆらぎを生じる。ＰＭ光ファイバ１０２の第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の速軸を互いに直角に位置合わせすることによって、及び２つのセグメント５９８及び５９９がほぼ同じ長さのものであるように選択することによって、２つのセグメントによって光学パスに導入される正味の複屈折はほぼゼロになり、従って、位相シフトφはほぼゼロで、波長に依存しないものとなるであろうということを、本発明は認定する。実際には、０ではない正味の複屈折は、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の長さの違いに比例し、それゆえ、従来技術に比べて、出力信号２９４のＲＦ位相ノイズは低減されるであろう。ＲＦ被変調レーザ源２３１を使用する実施態様では、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の代わりに、長さ１メートルの切れ目のないＰＭ光ファイバを使用する（不図示の）実施態様に比べて、出力信号２９４の信号対ノイズ比は、ほぼ４０ｄＢ改善される。図１２は第２の実施態様における、図１１の典型的な光学パスを示す図である。図６に示す第２の実施態様では、ＺｎＳ（高い屈折率）及びＳｉＯ₂（低い屈折率）部材が交互に重なった層からなる多層スタック６４６が、反射基板４２０に被着される。図１３は、全部で１２の層を有する典型的な実施態様について、各層の厚さを示したものである。第２の実施態様では、低い入射角での反射率を改善するために、金の厚い層が、反射基板４２０の第１の層に被着される。この層の厚さは、反射基板４２０からの平均反射率が、好ましくは９５パーセントより大きくなるように、及び、多層スタック６４６への直線偏光された光源の入射光（入射角４５（±１０）度以内）の反射成分が、９０（±１）度の位相遅れを受けるように、反射基板４２０に被着される間制御される。この典型的な実施態様は、制限することを意図して示したものではなく、他の動作波長の、及びそれぞれが異なる厚さをもつ異なる数の層を、反射基板４２０に被着することができる。第２の実施態様では、多層スタック６４６は、１／４波長板として機能する。１／４波長板の有効な速軸６８９は、好ましくは、第２のセグメント５９９のＰｘ及びＰｙ軸に対して、光学パス内で４５度の角度で位置合わせされる。従って、第２の実施態様では、多層スタック６４６は、入射レーザビーム１９２のＴｘ及びＴｙ成分間に複屈折により誘導される位相シフトを低減するよう機能する。設計に使用される材料は、好ましくは複屈折を生ずるものではないので、位相遅れも反射率も入射光の角度（azimuth）に依存しない。フライングＭＯヘッド１０６上の個別の光学部品（すなわち、別々の１／４波長板４９３）の数を少なくすることによって、第２の実施態様の１／４波長板多層スタック６４６は、高速のシーク及びデータ転送速度、及び単位容積あたりの増加したデータ記憶容量を有する軽量で小さい光学パスを実現する。本発明を、偏光を変える要素（すなわち１／４波長板）の一つのタイプについて説明してきたが、当業者は、レーザ光学アセンブリ１０１の検出光学系に適切な変更を行うことによって、他のタイプの偏光を変える要素、例えば、ファラデー回転子（faraday rotator ）をフライングＭＯヘッド１０６上に使用することができるということを認識するであろう。今度は、図１４及び１５を詳細に参照するが、図１０の光磁気データ記録及び再生システム１００は、フライング光磁気ヘッド１０６を備えた向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を組み込むことによって、ＭＯディスク１０７を横断する焦点合わせをされたレーザ光のビームを、高速で移動させる能力を提供する。図１０に示すスライダ本体４４４に関しては、ミラー支持部４５３を、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の接続部として設けることができる。ミラー支持部４５３は、隆起した電極用パッド４５１及び４５２を含むが、これらは、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００上に配置された一組の対応するパッド４０４及び４０５（図２参照）に、差動電圧を加えるための電気的な接触ポイントを提供するものである。代替的には、直接のワイヤー結合技法を電極４０２及び４０３への接続を行うために使用して、結合パッド４０４及び４０５を設ける必要をなくし、及びこれによって、電極用パッド４５１及び４５２に位置合わせするための付随するステップを省くことができる。図示した特定の実施態様では、ミラー支持部４５３はさらに、アクセス用穴（access hole）４６１及び４６２を備えており、これによって、単一モードＰＭ光ファイバ１０２から反射性の中央のミラー部４２０（図では隠れて見えない）に、そして次に、ＭＯディスク１０７の表面に、障害物のない光学パスを提供することができる。ミラー支持部４５３は、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００に、光ファイバ１０２からの光学パスに対して４５度の角度だけ回転した支持表面を提供する。当業者は、任意の数の技法を使用して、例えば、スライダ本体４４４及びミラー支持部４５３を別々に微細加工し、次に、２つの部品を接着剤で結合することによって、ミラー支持部４５３をスライダ本体４４４に取り付けて製造することができる、ということを理解するであろう。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００に対する４５度の支持角度は、他の技法を使用して、例えば、ミラーアセンブリ４００を、適切な大きさのステップ（階段）４９３及び４９４を備えた、適切な大きさのスライダに立てかけることによって設けることができる。別の実施態様では、スライダ本体を４５度傾斜したエッジを設けるように製造することができ、このエッジに沿って、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を配置することができる。さらに他の実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、スライダ本体４４４、及びＰＭ光ファイバ１０２を保持するためのＶ字溝４５４を、一つの一体化した部品からなるフライングＭＯヘッドとして微細加工することができる。一体型の微細加工されたフライングＭＯヘッドにより、ＭＯディスク１０７上に光学スポット４４８（図１０ｃに示す）を正確にフォーカシング（焦点合わせ）するために必要な、製造前及び製造後の調整の量を減らすことができる。スライダ本体４４４もまた、前述の微細加工されたアクチュエータを一体化要素として含むように微細加工することができる。図１６には、図７に示した光学スイッチの実施態様を詳しく示している。光ファイバスイッチ１０４は、光磁気システム１００内の小さな容積だけしか必要としないように、小さなものである。光学スイッチは、好ましくは、一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２とレーザ光学アセンブリ１０１を含む、一組の光学パスを高速に切り換える。好適な実施態様では、光学スイッチ１０４は、上部シリコン基板３５０、微細加工されたリニアマイクロモータ３２１、微細加工されたミラー３１４、及びほぼ平行に隔置された横方向に撓むことが可能な部材（可撓性部材）３２３及び３２４から構成される。可撓性部材３２３及び３２４の隔置された隣接する端部は、マイクロモータ３２１の可動出力部と基板３５０上の定位置にそれぞれ結合される。可撓性部材３２３及び３２４の反対側の隣接する端部は、マイクロミラー３１４上の隣接する隔置された位置に接続されて、基板３５０の上部表面に対してほぼ垂直な向きに回転軸を設ける。可撓性部材３２４は、横方向に移動可能な可撓性部材３２３に対して横方向に固定された基準となる機械的な支持台を提供する。好適な実施態様では、一組の光ファイバ１０２の出口は、それぞれの光軸が基板３５０に対して平行に角度的にずれるように、及びミラー３１４に対してほぼ放射状に向くように配置される。レーザ光学アセンブリ１０１からの自由空間を通る入射レーザビーム１９１は、基板３５０に形成された開口部に向けられる。図１６に示すように、入射レーザビーム１９１はこの開口部を通り、それに位置合わせされたGRINレンズ３２９を通過して、ミラー３１４の反射面に導かれる。GRINレンズ３２９は、好ましくは、基板３５０のエッチングされた溝の中に配置される。GRINレンズ３２９から出ると、レーザビーム１９１はマイクロミラー３１４によって反射される。適切な電位がマイクロモータ３２１に印加されて、入射レーザビーム１９１がマイクロミラー３１４から反射されて、一組の光ファイバ１０２の中の選択された一つに導かれる。マイクロモータ３２１は、可撓性部材３２３に運動（両方向矢印３２２で示す）を伝え、マイクロミラー３１４をその回転軸のまわりに回転移動させることによって、可撓性部材３２４に対してその運動を伝える。これによって、マイクロミラー３１４は、両方向矢印３７０で示す基板３５０の面に平行な向きに角度運動の自由度を有することになる。マイクロミラー３１４の角位置は、マイクロモータ３２１に印加される電位によって決まり、入射レーザビーム１９１は、GRINレンズ３２９によって、ミラー３１４の反射面から数ミクロンの一組のポイントの一つに焦点を合わせされる。好ましくは、これらのポイントは、単一モードＰＭ光ファイバ１０２のそれぞれの近い方の端部に対応する。ミラー３１４の回転運動の範囲は、好ましくは、入射レーザビームをＰＭ光ファイバ１０２の任意の一つに導くのに十分なものである。上記の面内回転３７０により、一つの段階の偏向及び調整が得られるが、マイクロミラー３１４の面外運動によって、別の段階の偏向及び調整を得ることができ、それについては、図１７ａ、１７ｂを参照して説明する。図１７ａ及び１７ｂには、支持部４１２、パターン成形された第１の絶縁酸化物層の「ヒンジ」部４１６、導電層パターン４２５、パターン成形された第２の絶縁酸化物層部４１８、及び反射表面４１５をさらに備えた光学スイッチ１０４が示されている。好ましい実施態様では、反射表面４１５は、金のような金属としてマイクロミラー３１４の表面に被着される。マイクロミラー３１４の両側のそれぞれのエッジは、支持部４１２の対応するエッジに、それぞれ一方のエッジでは絶縁体部４１６によって、他方のエッジでは絶縁体部４１８によって結合されている。絶縁体部４１６及び４１８はいずれも、マイクロミラー３１４を支持部４１２から電気的に絶縁し、及びミラー３１４と支持部４１２の間に構造支持部（structural support）を提供するという２つの機能を提供する。絶縁体部４１８は、導電体４２５と組み合わされてパターン化されており、図１７ｂの断面図に示す一体形成された平行な横方向のセグメント４１８ａ、ｂ及び４２５ａ、ｂからなる、横切って延びる長方形の環状フレームを形成する。セグメント４１８ａ、ｂ及び４２５ａ、ｂは、ミラー３１４と支持部４１２のそれぞれの隣合うエッジに接触して形成される。絶縁体部４１８と導電体４２５は、マイクロミラー３１４と支持部４１２の横方向の範囲を越えて横方向に延びるセグメント４１８ｄ、ｅ及び４２５ｄ、ｅを形成し、マイクロミラー３１４のそれぞれの隣り合うエッジの、支持部４１２の対応するエッジに向かう及びそれから離れる運動に対して、弾性を有する支持部になる。マイクロミラー３１４の上部に、及び導電体４２５の下部に延びる絶縁体部４１８は、導電体４２５がマイクロミラー３１４と第１の電気的接続を行えるようにする（不図示の）給電用スルーホールを備えている。支持部４１２への第２の電気的接続は、可撓性部材３２４を介して行われる。従って、導電体４２５と可撓性部材３２４の間に電位を印加することによって、マイクロミラー３１４と平坦な支持部４１２を充電することができる。適切な充電がされると、マイクロミラー３１４と支持部４１２の間に静電気的な力が形成される。この静電気的な力によって、マイクロミラー３１４は、回転４８０として示す方向において、支持部４１２から離れたりまたはそれに向かう向きに、絶縁体の「ヒンジ」部４１６によって構成される軸に沿って傾けられる。Ｃ字形の両平面セグメント４１８ｄ、ｅ、及び４２５ｄ、ｅは、マイクロミラー３１４と支持部４１２の間の静電気的な力を相殺するための中心に向かう復元力を与えるために、好ましくは弾性を有している。マイクロミラー３１４及び支持部４１２の間の任意の所定の電位に対して、この復元力は角変位４８０を制限する。結果的に生じるマイクロミラー３１４の回転４８０は、反射表面４１５に入射するレーザビームを、支持部４１２の面の垂線に対して数度だけその向きを変えるために使用することができる。次に図１６及び１７ａ、ｂを参照すると、ヒンジ部４１６の軸のまわりのマイクロミラー３１４の回転により、反射レーザビーム１９２を、回転３７０にほぼ直角な方向における基板３５０の面外に向けることができ、それによって、入射レーザビーム１９１を、所望のＰＭ光ファイバ１０２の中心に向けるための２段階の調整を設けることができる。当業者は、上記説明から類推して、光学スイッチ１０４は、反射レーザビーム１９２をレーザ光学アセンブリ１０１に向けて戻すように作用することもできるということを認識するであろう。入射レーザビーム１９１のＰＭ光ファイバ１０２に対する位置合わせ不良を表す、進路及び／または高精度の位置調整信号を与えることによって、支持部に対してマイクロモータ３２１及びマイクロミラー３１４を移動させて、入射レーザビーム１９１がＰＭ光ファイバ１０２の中心に対して高精度に位置合わせがとれた状態を維持することができる。典型的な実施態様では、進路調整信号は予め校正された値からなるルックアップテーブルを使用することによって得ることができ、高精度位置合わせ信号は、反射レーザビーム１９２の振幅を測定することによって得ることができる。調整信号は、高精度の位置合わせを維持するために閉ループフィードバック信号として加えることができる。次に図１８〜２０を参照すると、いろいろな製造段階にある光学スイッチ１０４が図示されている。好ましい実施態様では、シリコン結合（silicon bonding ）とディープリアクティブイオンエッチング（DRIE；Deep Reactive Ion Etchin g）技法が、光学スイッチ１０４を構成する微細構造を製造するために使用される。DRIE処理技法によれば、高いアスペクト比の溝、チャンネル及び他の形状を、シリコン基板３５０の中にイオンエッチングにより反応させて造りこむことができる。このように、DRIE処理は、光ファイバの位置調整構造だけでなく、光学的な偏向及び誘導機構をも製造するために使用される。DRIE処理を制御して、なめらかで、基板表面にほぼ垂直なエッチングされた側壁を作ることができる。前記したように、光学スイッチ１０４は、マイクロモータ３２１、可撓性部材３２３及び３２４、ミラー３１４、支持部４１２、導電体４２５、絶縁体部４１６及び４１８、そしてシリコン基板３５０を備えている。光学スイッチ１０４はさらに、下部のシリコン基板５５１を備えている。製造の第１段階として、浅いエッチングされたギャップ５５２が下部のシリコン基板５５１の上部表面に設けられる。この後、ギャップ５５２は、可撓性部材３２３及び３２４、マイクロミラー３１４、及び支持部４１２の移動のための隙間を与える。製造の次の段階として、両平面酸化物層（biplanar oxide layer）４１８とそれを覆う金属層４２５が、基板３５０の外側表面に形成される。酸化物層４１６は基板３５０のそれと反対側である内側表面に形成される。酸化物層５５３は、基板５５１の（酸化物層４１６に向かい合う）表面に形成される。層５５３は、底部基板５５１の上部表面上に形成されて、その後、２つの基板３５０と５５１の間の溶融結合の境界面５５５となる。次に、酸化物層４１６は、図１７ａに示す酸化物のヒンジ軸を設けるためにパターン成形される。結合のステップの後で、基板３５０と基板５５１の向かい合う表面は、融着境界面５５５で結合される。続く、マスキング及びDRIEのステップで、基板３５０からシリコンが除去されて、隙間領域５５４、５５６、５５８、及び５６０（図１９に部分的に完成した状態で示されている）が形成される。この隙間領域は、マイクロミラー３１４、支持部４１２、及び隔置された平坦な可撓性部材３２４及び３２３（この図では重なっている）を画定する。境界面５５５における酸化物層５５３は、基板５５１の表面におけるDRIEエッチングステップを阻止する働きがあり、光ファイバを光学スイッチ１０４の他の微細構造に位置合わせするための正確な深さを形成する。さらに、パターン形成された絶縁体及び金属領域が、上部の基板ウェーハ３５０の上部すなわち外側に面する表面上に設けられる。これらの絶縁体及び金属領域下部のシリコンは、絶縁体４１８及び導電体４２５の部分を形成するために、好ましくは、湿式またはプラズマ等方性エッチング（wet or plasma isotropic etch）ステップでエッチングされる。DRIEパラメータを少しだけ調整することにより、横方向の下部エッチング（underetching）を少しだけ取り入れて、マイクロミラー３１４、支持部４１２、及び可撓性部材３２３、３２４を形成する酸化物層４１８のこれらの部分の下のシリコンは、ほぼ元のままの状態としたまま、細長く延びた絶縁体及び導電体の領域（図１７ａに可撓性の延長部４１８ｄ、ｅ及び４２５ｄ、ｅとして示されている）の下部のシリコンを除去することができる。マイクロミラー３１４、支持部４１２、及び可撓性部材３２３、３２４を作るのと同時に、光ファイバの調整ガイドを基板３５０内にDRIEによりエッチングすることができる。ＰＭ光ファイバ１０２は、リソグラフィーで画定されてエッチングされたガイド５６２内に配置され、好ましくは、光学スイッチ１０４の他の微小な機械的構造部に位置合わせされる。図２０では、特定のDRIEエッチング調整ガイド内に配置されたＰＭ光ファイバ１０２を示しているが、光ファイバ調整ガイドに対して選択されるエッチングの方向は、マイクロミラー３１４の位置に対する入射レーザビーム１９１とＰＭ光ファイバ１０２の間に任意の数の幾何学的関係を与えるように選択することができる。マイクロモータ３２１はまた、本発明で使用したシリコン溶融結合とDR IE技法を組み合わせるプロセスによって、または、例えば、薄膜ポリシリコン層の犠牲エッチング（sacrificial etching）のような当該技術分野においてよく知られた他のいくつかの技法によって製造することができる。既に説明したように、リニアマイクロモータ３２１が、基板３５０の面内にある入射光ビームの焦点を調整する働きをし、チルティング（傾斜）機構が基板の面外の焦点を調整する。同じ機能及び動作を提供するために、この一般的な設計及び製造コンセプトに関する他の多くの変更を実施することができる。例えば、異なる寸法関係、ＰＭ光ファイバ以外の光ファイバ、レーザ光学アセンブリ１０２と光学スイッチ１０４の間にＰＭ光ファイバではなく自由空間経路を使用すること、レーザ源以外の光源、異なる入出力ファイバフォーマット、６個の光ファイバとは異なる数の光ファイバ、また、基板面に対する他の面内にミラーを効果的に配置するための異なる可撓性部材、絶縁体、及び金属線設計、また、静電気的技術、電磁気的技術、または熱に関する技術を含む異なるタイプのマイクロモータ技術、また、ファイバの位置調整を行いミラー表面を作り出すためのDRIE及び従来の非等方性のエッチングの種々の組み合わせ及びマイクロモータ設計等である。図２１ａは、光磁気ディスクドライブの一部としての光磁気データ記録及び再生システムを示す図である。好ましい実施態様では、光磁気システム１００は、コンパクトで高速、大容量のＭＯディスクドライブ８００を備えることができる。このディスクドライブ８００は、業界標準の５．２５インチハーフハイトの形状因子（１．６２５インチ）、少なくとも６個の両面ＭＯディスク１０７、及び少なくとも１２個のフライングＭＯヘッド１０６を備える。既に説明したように、フライングＭＯヘッド１０６は、極めて軽量小型の開口数の大きい光学システムを提供する光学及び磁気部品を含むように製造することができ、これによって、ＭＯディスクドライブ８００内の非常に狭い空間で多数のＭＳＲＭＯディスク１０７を使用することができ、従って、従来技術の同じ容積内で許容されるものより、面積及び容積に関して大きな記憶容量を構成することができる。好ましい実施態様では、少なくとも６個のＭＯディスク１０７のそれぞれの間隔は、少なくとも０．１８２インチまで狭くすることができる。図２１ｂに示す代替の実施態様では、ハーフハイト形状因子のＭＯディスクドライブ８００は、脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０と２つの固定内蔵ＭＯディスク１０７を備えることができる。脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０を設けることによって、固定内蔵と脱着可能を組み合わせて、外部情報をＭＯディスクドライブ８００に効率的に送り、その後に、内蔵ＭＯディスク１０７に伝送することができるようになる。このコピーされた情報は、次に、他のコンピュータシステムに送るために、脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０に再び記録される。さらに、脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０は、内蔵ＭＯ回転ディスク１０７の非常に便利で高速なバックアップ用記憶装置ともなるものである。固定内蔵及び脱着可能の組み合わせにより、データファイルを脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０に記憶し、システムファイルとアプリケーションソフトウエアを内蔵ＭＯ回転ディスク１０７に記憶することもできる。他の代替の実施態様（不図示）では、ＭＯディスクドライブ８００は、任意の数の脱着可能なＭＯディスクカートリッジ部８１０内に、任意の数（０を含む）の内蔵ＭＯディスク１０７、及び／または任意の数のＭＯディスク１０７を含むことができる。本発明は、回転アクチュエータアームを使用することを必すしも必要とはせず、例えばリニアアクチュエータアームを使用することができる。本発明によって開示された形状の小さい光学パスを使用して、記憶装置の位置へ及びそこから、情報を伝達することができるが、その際に、動的位相補償を使用してＰＭ光ファイバを補償するシステムにあるような、対物光学系（例えば、先細の光ファイバや端部にレンズが形成された光ファイバを使用するような）、及び／または反射基板（例えば、光磁気ヘッド１０６の表面に沿って情報を運ぶために曲線状の光ファイバを使用するような）、及び／または１／４波長板は必要ではない。自由空間の光学パスを使用して、例えば、適切に位置合わせされたレーザダイオード、及びアクチュエータアーム上またはその代わりに、フライングヘッドそれ自体上に取り付けた検出器を用いて、レーザ光を送出したり受け取ったりすることができる。本発明を以下の例で説明する。以下の例で使用するすべてのパラメータは、本発明を不当に制限するよう解釈されるべきものではない。例１図２を再び参照すると、そこには、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の実施態様が示されている。関連する幾何学的な特徴が図示されている。既に説明したように、中央のミラープレート部４２０は、反射性の中央のミラー部４２０それ自体とは異なる厚さでできているサスペンションヒンジ４１０によって支持されている。図では、隔置された作動電極４０２及び４０３は、反射性の中央のミラー部４２０の下方に、このミラー部４２０からギャップｇだけ隔てられている。解析のために、電極４０２及び４０３（Ｖａ、Ｖｂ）で励起された方形波が、反射性の中央のミラー部４２０をｙ軸のまわりに角度θだけ回転させるものと仮定する。反射性の中央のミラー部４２０のねじり運動を生じさせる静電気的な力は、サスペンションヒンジ４１０によって与えられるねじり復元力と釣り合う。サスペンションヒンジ４１０の剛性は、Roark の応力と歪みに関する公式（McGraw Hill Text 第６版 347頁）から以下の式で与えられる。ここで、θはヒンジ４１０の端部でのねじれ角（ラジアン）、Ｅ及びｖはサスペンション部材のヤング率及びポアッソン比、ｌはサスペンションヒンジ４１０の長さ、ｗはヒンジ４１０の幅、そしてｔ_sはヒンジ４１０の厚さである。式（１）の右側にある係数２は、反射性の中央のミラー部４２０の両端部において２つのねじりヒンジ４１０が存在することによるものである。代わりに、反射性の中央のミラー部４２０を駆動電極４０２及び４０３に静電気的に引き寄せることによって生じるトルクは、以下のように表すことができる。ここで、ｄＦ(x)は、反射性の中央のミラー部４２０の幅の微小成分dxに作用する引き寄せる力の増分であり、ｘは、反射性の中央のミラー部４２０の中央の軸からその増加成分の位置までを横方向にとった距離であり、積分は、反射性の中央のミラー部４２０の幅の半分にわたって実行される。引き寄せる力の増分ｄＦ (x)はｘの関数である。なぜなら、反射性の中央のミラー部４２０の角変位によって、電極４０２（あるいは４０３）とこのミラー部４２０の間が分離して、反射性の中央のミラー部４２０の幅に沿って位置が直線的に変化するからである。ここで、ｄＣ(x)は反射性の中央のミラー部４２０の傾きによる、このミラー部４２０の幅に沿った静電容量の増分を表しており、Ｖは作動電圧、ｇは、電極４０２（または４０３）と反射性の中央のミラー部４２０の間のゆがみのないギャップ、及びｚ(x)は、静電気的引力によって生じる反射性の中央のミラー部４２０の偏向量である。幅の微小増分「dx」及び長さ「ａ」に関して、式（５）を、以下のように変更することができる。ここで、ｅ₀は自由空間の誘電率、θは微小角度による近似を使用した反射性の中央のミラー部４２０のエッジ部の角変位である。式（６）を式（４）に代入すると、以下のようになる。この積分を実行すると、以下のようになる。式（１）〜（３）を（８）に代入して項を並べ替えると、作動電圧を角変位の関数として表す以下の式が得られる。式（９）は、反射性の中央のミラー部４２０の回転の臨界角度に対して最大になる関数を表す。静電気的な力は、反射性の中央のミラー部４２０と作動電極４０２または４０３の間の分離距離の二乗の逆数に応じて変化するが、ねじりヒンジによって与えられる復元力は偏向角度に比例して変わるのみである。臨界角度を越えると、静電気的な力がねじり力に勝り、反射性の中央のミラー部４２０は、自発的に作動電極４０２または４０３に向かって偏向する。従って、式（９）はこの臨界角度より大きい偏向角度に対しては当てはまらない。臨界角長より大きな所望の角度偏向に対しては、電極４０２または４０３に向かう自発的な偏向を起こすために必要な値より、わずかに大きな作動電圧が望ましい。そのねじれ状態について、反射性の中央のミラー部４２０の共振周波数は、周波数の単位をｈｚとして以下のように規定される。ここで、ｋはねじりによる弾性（ばね）定数、Ｉ_mは反射性の中央のミラー部４２０の質量慣性モーメント、及び平方根内の係数２は、２つのねじりヒンジ４１０が存在することによるものである。式（１）〜（３）を並べ替えて、ｋを以下のように表すことができる。質量慣性モーメントは、見慣れた以下の形式である。ここで、ｔｍ２は反射性の中央のミラー部４２０の厚さであり、ｐはミラー部材の質量密度である。反射性の中央のミラー部４２０の厚さは、ヒンジ４１０の厚さに近いので、平行軸定理に関する補正は無視できる。式（１０）〜（１２）を組み合わせると、共振周波数に対する以下の式が得られる。図２２は作動電圧を、以下の２つの幾何学的なパラメータのセット（寸法はミクロン単位であり、いずれの場合も、反射性の中央のミラー部４２０とヒンジ４１０が、好ましくはヤング率Ｅが３８５Gpaで、ポアッソン比νが０．０６６である窒化ケイ(珪)素から製造される）に対する、最大偏向角度θν_i（単位はラジアンであり、２度は０．０３５ラジアンに等しい）の関数として示したものである。計算された共振周波数はいずれの場合においても９９ＫＨｚである。セット1１、Ｖ_1.iセット2、Ｖ_2.i サスペンションの幅（ｗ）１０１０サスペンションの長さ（ｌ）３００３００サスペンションの厚さ（ｔ_s）３３ミラーの幅（ｂ）１００１００ミラーの長さ（ａ）４００４００ミラーの厚さ（ｔｍ２）２．２２．２ギャップ（ｇ）７３図２２のグラフの３つの曲線のうちの最も下部の曲線（Ｖ_2.i）は、電極４０２及び４０３と反射性の中央のミラー部４２０の間のギャップが、最初の狭い（３ミクロン）場合である状態を示す。この場合は、作動電圧は小さい（最大電圧は６６．６Ｖである）けれども、静電気的な力の非線形的な効果により、約１．５５度（０．０２７ラジアン）の角度で不安定になり、そのポイントで、電圧曲線は最大に達する。従って、１．５５度を越えるミラーの角度は、正確には予測できず、実際、約０．０１ラジアン（０．６度）を越える部分での曲線の傾斜がゆるやかであるために、角度偏向について所望の確実性を得るためには、作動電圧の制御を正確に行うことが必要とされるであろう。代替的には、図２２のグラフの３つの曲線の中間の曲線（Ｖ_1.i）に対して想定した、より広いギャップ（７ミクロン）によって、反射性の中央のミラー部４２０の安定した偏向の範囲内に０．０３５ラジアンの必要な最大の偏向を維持することができる。この場合は、２度の偏向に対する作動電圧は、２１５．７Ｖである。しかし、この場合に不安定を生じさせる電圧は、およそ２３７Ｖであり、従って、不安定な領域を避けるためには、比較的良好な電圧制御が必要とされるであろう。図２２の一番上の曲線Ｖａ_1.iは、７ミクロンの広い方のギャップを使用する。ｂθ／２ｇの値が小さいときは、式（９）の作動電圧を２次近似によって表すことができる。この場合にも電圧曲線の安定領域にあるが、これは上部の２つの曲線の形から明らかである。この近似に従えば、以下の置き換えが可能である。式（９）は以下のように単純化される。この式が、式（９）を適度に表すように、下部の境界はギャップの値ｇ上に配置されるが、この値は、上記した幾何学的形状寸法では、セット１に対して想定された７ミクロン程度である。式（１３）（共振周波数）及び（１５）（作動電圧）は、並べ替えて以下のように表すことができる。前述した近似を使用すると、電圧と共振周波数の間のトレードオフがより明確になる。これらの２つの式を比較すると、含まれるほとんど全ての幾何学的なパラメータが、周波数と電圧を同じ方向に駆動するということがわかる。従って、高い帯域幅に対しては、高い作動電圧が必要である。作動電圧に関係なく帯域幅を増加させるある有限の自由度が、反射性の中央のミラー部４２０の厚さ、及びそれが作られる材料、さらに、小さい範囲ではあるが、このミラー部４２０の幅によって、存在する。前述したように、ギャップｇを７ミクロンよりもかなり狭くすると、必要とするより大きな角度偏向に対して、反射性の中央のミラー部４２０は不安定になるであろう。ミラープレートの幅、ミラープレートの長さ、及びギャップのいくつかの値（他のすべての幾何学的なパラメータは、上記のセット１に対して記載したものと同じであると仮定している）に対して、計算された作動電圧と周波数の組み合わせを下記する。ｂの選択により、安定性を確保するために必要な最小のギャップが決まるので、ギャップはこれらの計算に対して変更される。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の動的な振る舞いは、２次微分方程式によって記述される。ここで、ｆ_θは、ねじり振動における減衰（ダンピング）を表し、他のすべてのパラメータは既に定義済みのものである。重要な減衰メカニズムは、反射性の中央のミラー部４２０と電極４０２、４０３の間の空気の薄膜（不図示のスクイーズ薄膜（squeeze film））によるものと想定される。反射性の中央のミラー部４２０が回転すると、スクイーズ薄膜内の圧力が電極４０２または４０３の上部で増加するが、そこは、このミラー部４２０がこの電極４０２または４０３に向かって傾く場所である。逆に、ミラープレート４０２がこの反対側の電極である電極４０２または４０３から離れる向きに傾くと、この圧力はその電極おいて減少する。スクイーズ薄膜によってもたらされる圧力の勾配によって、反射性の中央のミラー部４２０の運動を妨げるモーメントが発生する。低い周波数が励起された状態では、このスクイーズ薄膜は、ミラーと電極の間の領域に出入りする空気の流れによって生じる振動減衰器（ダンパー）として動作する。より高い周波数において、空気が反射性の中央のミラー部４２０の動きに追従するのに十分な速さで、このミラー部４２０の下を容易には移動できない場合は、このスクイーズ薄膜は、ダンパーとしてよりもむしろスプリング（ばね）として動作する。前述の実施態様について計算すると、ダンピング効果がスプリング効果より勝っている。スクイーズ薄膜内に分布する圧力の解析には、ミラーと電極間の領域の流体の流れを支配するレイノルズの方程式を解くという複雑さが伴う。その導出は複雑であるので、その解のみを以下に示す。ダンピング効果が優位であるので、電気的なアナロジーによって、ダンピングを以下によって表される抵抗Ｒからなるものとすることができる。ここで、μは室温における空気の粘度（1.87ｅ^-5Pa-sec）である。ダンピング係数は、以下のように定義することができる。ここで、ω₀は、式（１８）の共振周波数であり、その単位はラジアン／秒である。システムの応答Ｈ（ω）は、以下によって与えられる。上記のセット１のパラメータについては、ζ＝9.5ｅ^-3であり、これはＱが５３であることを意味する。計算によると、システムは減衰不足であり、ステップ応答には、多くのリンギングが存在するであろうことが示される。しかし、反射性の中央のミラー部４２０の偏位が、ｇに対して小さいという最初の仮定が破られたという事実により、減衰は、おそらくここに示したものよりも大きいであろう。この計算に関する周波数応答は図２３と２４に示されている。例２向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を、所望の作動電圧１００Ｖ、帯域幅１００ＫＨｚで使用する場合には、いくつかのトレードオフが必要である。以下に示したのは、反射性の中央のミラー部４２０に対する幾何学的なパラメータの２つの組（すなわち、セット３とセット４）についてモデル化した結果である。ここで、一方の組（すなわち、セット４）の方は、作動電圧についてより最適化されていて、好ましい作動電圧１００Ｖであり、他方のセット（すなわち、セット３）は、帯域についてより好適にされていて、好ましい共振周波数（ＫＨｚ）は１００ＫＨｚである。ミラーの性能についての関連する数学的な解析は、上記の例１に示されている。幾何学的な寸法はミクロン単位である。セット3、Ｖ_3.iセット4、Ｖ_4.i サスペンションの幅（ｗ）５５サスペンションの長さ（１）２５２５サスペンションの厚さ（ｔ_s）２２ミラーの幅（ｂ）１６０４００ミラーの長さ（ａ）２００２００ミラーの厚さ（ｔｍ２）２２ギャップ（ｇ）６１４共振周波数の計算値（ＫＨｚ）９２．９２３．５最大電圧（Ｖ）１６９１５２図２５のグラフは、セット３及びセット４に対する作動電圧を偏向角度の関数として示したものである。セット３及びセット４の２つの設計上の可能性について計算された周波数応答が、上記した例１で示した解析からの表現を使用して、図２６と図２７に示されている。例３向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００についての作動電圧対偏向角度の関係における非線形性は、反射性の中央のミラー部４２０の位置制御に関して重要な関係がある。この非線形性に対処する効果的な方法は、電極４０２と４０３の間の静的なギャップを広げることであり、それによって、±２度の最大限の偏向角度に達するために必要なより高い作動電圧を代償にして、静電気的な引き込みのポイントを避けることができる。図２８、２９、及び３０に示すグラフに関して、下記の反射性の中央のミラー部４２０の幾何学的なパラメータは、幾何学的な寸法をミクロン単位のものとして想定したものである。サスペンションの幅（ｗ）５サスペンションの長さ（ｌ）２５サスペンションの厚さ（ｔ_s）２ミラーの幅（ｂ）１５０ミラーの長さ（ａ）２００ミラーの厚さ（ｔｍ２）２共振周波数の計算値（ＫＨｚ）１０２．３これらの幾何学的なパラメータを使用して、作動電圧対偏向角度の関係が、３つ異なる静的なギャップ幅（６、８、及び１０ミクロン）に対して示されている。このギャップ幅は、反射性の中央のミラー部４２０の厚さを含む、電極全体の間隔である。それぞれのグラフに２つの曲線がプロットされている。下の曲線は、（窒化物の）反射性の中央のミラー部４２０によって与えられる高い誘電率の存在を考慮したものであるが、上の曲線ではこの問題を無視している。２つの曲線とも、作動電圧に対して予測されるおよその範囲を示すために提示している。ｘ軸はラジアン単位でプロットされており、０．０３５ラジアンは、２度に等しい。６ミクロンのギャップを有する構造の性能（図２８参照）は、最大２度の偏向角度に対して静電気的引き込みの寸前で動作するものである。図２９及び３０に、８及び１０ミクロンについて、それぞれある程度の改善が示されているが、１０ミクロンのギャップの場合には、作動電圧がほとんど４００ボルトまで増加するという不利益がある。従って、改善された線形性に対して、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、８〜１０ミクロン程度の静的なギャップを有することが好ましい。例４図５に分析的に示したような可変ギャップ幅のコンセプトを提示するために、例２に示したのと同じアプローチに従って、電圧の計算を偏向角度の関数としておこなう。これらの２つの段（ステップ）の間（すなわち、図５に示したように電棒表面４０３ｂと４０３ａの間、及び電極表面４０２ｂと４０２ａの間）の変化が、反射性の中央のミラー部４２０の幅の半分の中心点（ｘ＝±ｂ／４）で起こると仮定する。テザー５０は、この計算で解析される構造には存在しないということも仮定している。一定のギャップ幅を用いた元々の計算の結果は、以下の通りである。ここで、幾何学的なパラメータは２つの図（図４と図５）に示されており、βはヒンジの厚さと幅に依存して決まる無次元のパラメータであり、Ｅ及びνは、それぞれヒンジ部材に関するヤング率とポアッソン比であり、ｅ₀は自由空間の誘電率である。２つの段からなる可変のギャップをこの計算に組み込むことは、ｘの関数としてのトルクの積分に単純な調整をすることを伴う。その結果は、以下の通りである。図３１は、電圧対偏向角度、及びこの設計変更によってもたらされる作動電圧の低減を示すものであり、設計変更には、下記の表に規定した幾何学的な選択が与えられている。グラフの上部の曲線は、６ミクロンの一定のギャップに対する作動電圧の曲線を示している。下方の曲線については、ｘ＝ｂ／４からｘ＝ｂ／２までは、ギャップは同じ６ミクロンであるが、ｘ＝０からｘ＝ｂ／４に対しては、ギャップは３ミクロンに減っている。不安定ポイントは変わっていないが、この可変ギャップの場合に対する最大電圧は１６９ボルトから１２５ボルトまで減少している。サスペンションの幅（ｗ）５サスペンションの長さ（ｌ）２５サスペンションの厚さ（ｔ_s）２ミラーの幅（ｂ）１６０ミラーの長さ（ａ）２００ミラーの厚さ（ｔｍ２）２ギャップ（ｇ）６共振周波数の計算値（ＫＨｚ）９２．９結論微細加工された部品（構成要素）をＭＯディスクドライブにおいて説明してきたが、当業者には、マイクロミラー及びマイクロアクチュエータのような微細加工された部品を使用することは、コンパクトディスク（ＣＤ）、ディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、及び通信システムを含む他の技術を使用した情報伝送に適用できるということが理解されるであろう。従って、本明細書では、特定の実施態様について本発明を説明してきたが、許容範囲内の修正、種々の変更及び代用が可能なことが上述の開示内容では意図されており、いくつかの態様では、本発明の範囲から逸脱することなく、本発明のいくつかの特徴は、他の特徴をそれに対応して使用せずに使用されるであろうということが理解される。

【手続補正書】【提出日】平成１１年４月３０日（１９９９．４．３０）【補正内容】 (1)明細書第５頁第１３行乃至第３１頁第２２行目までの補正「図面の簡単な説明図１は、従来技術のシリコン製ねじりミラー（silicon torsion mirror）構造の展開図である。図２は、向き可変の微細加工されたミラーの斜視図である。図３は、一対のテザー部材を含む向き可変の微細加工されたミラーの斜視図である。図４は、図３の向き可変の微細加工されたミラーの上面図である。図５は、図４の矢印の方向に切り取った垂直断面図である。図６は、図２のミラーの側断面図であり、作動電極に向かって角度θ°だけ下方にねじり旋回させたミラーを点線で示している。図７は、光磁気データ記録及び再生システムの上面図である。図８は、図７の光磁気データ記録システムのレーザー光学アセンブリの一実施態様を示す図である。図９は、ＤＦＢレーザー源を使用した場合の典型的な光路を示す図である。図１０ａ〜ｄは、光磁気ヘッドの上面図、側面図、正面図及び側面図をそれぞれ示す図である。図１１は、図９の典型的な光路をさらに詳しく示す図である。図１２は、反射型の１／４波長板を含む向き可変の微細加工されたミラーを示す図である。図１３には、図１２の１／４波長板の厚さと構成成分を示している。図１４は、図１０ａ〜ｃに示した、フライング光磁気ヘッドの実施態様の斜視図である。図１５は、図１０ａ〜ｃに示した、フライング光磁気ヘッドの実施態様の第２の斜視図である。図１６は、光ファイバスイッチの実施態様を示す図である。図１７ａ、ｂは、図１６の光ファイバスイッチをさらに詳しく示した図である。図１８は、図１６の光ファイバスイッチの製造段階を示す図である。図１９は、図１６の光学スイッチの製造段階を示す図である。図２０は、図１６の光学スイッチの製造段階を示す図である。図２１ａ、ｂは、光磁気ディスクドライブを示す断面図である。図２２は、向き可変の微細加工されたミラーの３つの実施態様について、作動電圧を偏向角度（angular deflection）の関数として示すグラフである。図２３は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様についての周波数応答を示すグラフである。図２４は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様についての位相応答を示すグラフである。図２５は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図２６は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様についての周波数応答を示すグラフである。図２７は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様についての位相応答を示すグラフである。図２８は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図２９は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図３０は、向き可変の微細加工されたミラーの２つの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。図３１は、向き可変の微細加工されたミラーの実施態様について、作動電圧を偏向角度の関数として示すグラフである。発明の詳細な説明以下に図面を参照して詳しく説明する。図面には、本発明の同様な部分には、同じ参照番号を付している。図１には、従来技術による向き可変の微細加工されたねじりミラーアセンブリ（steerable micro-machined torsional mirror asse mbly）を、２０として一般的に示している。ミラーアセンブリ２０は、くぼみ２３を画定する周辺部のリム２２ａを含む基板２２を具備する。一対の間隔をおいて配置（隔置）され、電気的に絶縁された作動電極（actuation electrode）２４は、くぼみ２３内に配置されている。２６として一般的に図示している、支持用リッジ（support ridge）は、基板２２上に取り付けられて、くぼみ２３内に配置されており、そしてリム２２ａによって囲まれている。リッジ２６は、一対の電極２４の間に配置されている。窒化ケイ素の可撓性層３０は、上部のミラー支持部材として機能し、一対の電極２４と間隔をおいた状態で、支持用リッジ２６によって支持されている。ミラー支持部材３０は、一対の溝を切られた開口部を両定し、３２ａ、ｂとして一般的に図示されている。開口部３２ａ、ｂは、３６として一般的に図示されている平面ミラーとして、可撓性層３０の一部を画定するために構成されており、ミラー３６のそれぞれの対向するエッジの一組を、ミラー支持部材３０に機械的に相互接続、すなわち結合する、軸合わせされた一対のねじりヒンジ部材（torsion hing e member）（すなわち、可撓性層のヒンジ）３８によって取り付けられている。ミラー３６は、軸合わせされたヒンジ３８のまわりに対称的に配置されており、軸合わせされたヒンジ３８から離れて延びる、対称的に相対して配置された片側部３６ａ、３６ｂを有している。作動電極２４は、それぞれの部分が、ミラー３６のそれぞれの片側部にほぼ対面した位置に並ぶように配置される。作動電極２４は、外部の電源に接続される。作動電極２４は、外部の電源から電流を受け取り、印加される作動電圧に応じて逆向きに充電される。作動電圧は、軸合わせされたヒンジ３８のまわりに、逆向きに充電された電極２４により誘導される静電荷（electrostatic image char ge）によって角度シータ（θ）だけ、ミラー３６を回転させるように決められる。図２に、本発明の微細加工されたミラーアセンブリ４００の好適な実施態様を示す。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、形成されたくぼみ４０６をそれ自体に有するシリコン（ケイ素）基板４０１を備えている。隔置された一対の平面状の駆動（作動）電極が、４０２及び４０３として概略的にかつ一般的に図示されており、それらは、くぼみ４０６の底部に沿って配置されている。リッジ３９８が、駆動電極４０２と４０３とを分離している。平面状のシリコンプレート４０７は、電極４０２、４０３のそれぞれの部分に結合されている。二酸化ケイ素や窒化ケイ素のような材料で造られる平面状の可撓性層４０８は、プレート４０７の外側の面に結合される。可撓性層４０８は、対向する環状部４０８ａ及び４０８ｂを構成するよう形成される。外側に面する反射性の中央のミラー部４２０は、最上部の可撓性層４０８の一部と内部のシリコンプレート層４０７の各部内に、それ自体を貫通して形成される、対向して隔置されたＣ字形の開口スロット４０９ａ、４０９ｂによって画定される。反射性の中央のミラー部４２０は、一体化した対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂを設けるように構成される。対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂは、軸合わせされ対向して配置された、可撓性層のヒンジ４１０によって形成された軸のまわりに対称的に配置され、その軸から離れて延びている。可撓性層のヒンジ４１０は、可撓性層４０８から一体形成されており、反射性の中央のミラー部４２０に、ねじりによる復元トルクを与える。反射性の中央のミラー部４２０は、それ自体の光学的な反射率、及び静電気的作用を向上させるために、金または類似の物質で金属被膜することができる。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、およそ９０から２００ボルトの作動電圧を電極４０２及び４０３に印加することによって、ほぼ５０から２００ＫＨｚの帯域幅にわたって動作する。反射性の中央のミラー部４２０は、一般的には、直線部ａ及びｂの寸法がおよそ３００ミクロン以下で、厚さtm1がおよそ３ミクロン以下の平行四辺形状の構造である。反射性の中央のミラー部４２０の底部と、駆動電極４０２及び４０３の間の間隙は、およそ１０ミクロン以下である。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の厚さtm2は、およを２００ミクロン以下である。典型的な実施態様では、反射性の中央のミラー部４２０は、ヒンジ４１０によって画定される長手方向の軸のまわりに、少なくとも±２°物理的な回転角度を達成することが望ましい。好ましくは、反射性の中央のミラー部４２０を、横方向に動かしすぎることなく、ねじりによって動作させることができ、静的及び／または動的な動作の間は、ラムダ（lambda）／１０の光学的な平面度を維持しなければならない。静電気的なたわみによる最大ストレスは、反射性の中央のミラー部４２０を構成するために使用される部材の予測される降伏応力より小さくなければならない。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の上述の特性及び寸法は、代表的なものを意図したものであり、添付の請求の範囲のみによって制限されるものである。典型的な実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、くほみ（リセス）４０６をシリコン基板４０１内にエッチングすることによって製造することができる。シリコンプレート４０７は、酸化結合して、電極４０２、４０３から電気的に絶縁することができ、その後、所望の厚さまで薄くして研磨することができる。可撓性層４０８は、反射性の中央のミラー部４２０の周辺部とヒンジ４１０の幅を画定するために配置され、パターン成形することができる。開口スロット４０９ａ、４０９ｂを反射性の中央のミラー部４２０の周囲及び可撓性層のヒンジ４１０の下に形成し、一方、反射性の中央のミラー部４２０の下のシリコンプレート４０７を除去して剛性の支持体を設けるために、等方性のエッチング（etch）を使用することができる。結合パッド４０４及び４０５を金属の被着によって形成して、それぞれの電極４０２、４０３に電気的及び機械的に接続することができるように、このエッチングのステップを電極４０２及び４０３へのアクセスを設けるために使用することができる。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、バルク微細加工技法（bulk micro-machini ng techniques）または面微細加工技法（surface micro-machining techniques ）を使用して製造することができ、例えば、この面微細加工技法については、19 91 SPIE Proceeding Series Vol.2639,p211-222のJ.Comtois他による「Design t echniques for surface micro-machining MEMS processes」に開示されている。図１〜３を参照すると、典型的な解析により、反射性の中央のミラー部４２０は、その偏向角度が増すに従い、静電気的なトルクが、ヒンジ４１０のねじりによって与えられる復元トルクに打ち勝つようになるので不安定になる、ということは明らかである。従来技術の比較的広いギャップ（間隙）に、本発明の反射性の中央のミラー部４２０の所望の偏向角度±２°を用いる場合は、比較的大きな作動電圧を電極４０２及び４０３に加える必要がある。さらに、反射性の中央のミラー部４２０と電極４０２及び４０３の間に比較的広いギャップを用いると、反射性の中央のミラー部４２０の偏向角度と、電極４０２及び４０３に印加される電圧との間にかなりの非線形関係が生じる可能性がある。従って、以下では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００について、その動作特性を変化させる変更点を含めるために説明する。この向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、ギャップの幅がより小さいこと、直線性が改善されていること、フルスケールの偏向角度に対して必要とされる作動電圧がより低いこと、及び、前記の不安定が生じる前に実現可能な偏向角度の範囲を増加させること、を具備するものである。次に図３、４及び５を参照すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、反射性の中央のミラー部４２０を可撓性層４０８にさらに結合するための、少なくとも一つのテザー部材５０を具備することができる。さらに詳しくは、少なくとも一つのテザー部材５０は、可撓性層４０８の対向する環状部４０８ａ及び４０８ｂのそれぞれの少なくとも一つの部分を、反射性の中央のミラー部４２０の各対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂに、それぞれ接続する。各テザー部材５０は、望ましくは、少なくとも一つの一対の横方向の（長手方向に直角な）チャンネル５４を備える平行四辺形状の構造５２から構成することができる。図４に示すように、対向する片側部４２０ａ及び４２０ｂの先端エッジはそれぞれ、このエッジ部に固定されて、ギャップ５３で分離された一対の隔置されたテザー部材５０を備えている。溝またはチャンネル５４は、可撓性層４０８の選択された表面領域内に等方性のエッチングされた輪郭を画定するために、平面エッチング（planar etch）を使用してプラズマエッチングすることができる。エッチ止め（etch stop）を入り組んだ表面（convoluted surface）内に拡散させて、エッチングされた輪郭がエッチ止め層をなぞるようにすることができる。テザー部材５０を備える可撓性層４０８の部分は、チャンネル５４の表面に対向する表面部からパターン成形してエッチングすることができ、エッチ止め層により、所望の波状の断面部が生成される。従来のプラズマエッチング技法では、エッチングされる溝の深さは、数分の１ミクロン（＝マイクロメーター）から約５０ミクロンまでが可能である。ホウ素によるエッチ止め（boron etch sto p）が使用される場合には、利用可能なテザー部材５０の厚さは、約０．５ミクロンから約１０ミクロンまでの範囲である。同様な範囲が拡散式電気化学エッチ止め（diffused electrochemical etch stop）について利用可能であるが、十分に長い拡散のためには、最大の厚さが２０ミクロンを越える可能性がある。テザー部材５０によって、反射性の中央のミラー部４２０は、軸合わせされた可撓性層のヒンジ４１０のまわりにねじり運動ができるようになるが、横方向の運動は制限される。すなわち、テザー部材５０は、可撓性層４０８の側部４０８ａ及び４０８ｂの方への、反射性の中央のミラー部４２０の末端エッジ部の移動を制限する。テザー部材５０はまた、反射性の中央のミラー部４２０を偏向していない位置に戻すために、（可撓性層のヒンジ４１０によって加えられる復元力に加えて）ねじりによる復元力を与える。テザー部材５０はまた、大きな駆動状態において、反射性の中央のミラー部４２０が作動電極４０２及び４０３に接触しないよう制限して、それの接触による変形やたわみを防止する。テザー部材５０は、さらに、反射性の中央のミラー部４２０が臨界角度を越えて偏向しないようにするが、この臨界角度を越えた場合には、作動電極４０２または４０３の一方に自然に偏向してしまうことになる。反射性の中央のミラー部４２０の回転移動、すなわちねじれによる移動により、テザー部材５０は、この反射性の中央のミラー部４２０の側部４２０ａ及び４２０ｂに結合したままで、下方（ｚ方向）に偏向される。結合したままにするために、テザー部材５０は、好ましくは、多少延びることによって、反射性の中央のミラー部４２０の側部４２０ａ及び４２０ｂから、可撓性層４０８の側部４０８ａ及び４０８ｂまでの距離の増加を吸収する。梁（beam）として動作する単一のテザー５０を考え、小さな偏向に対して溝すなわちチャンネル５４の存在を一時的に無視すると、梁をｚ方向に偏向させるために必要な力の大きさは、実現される偏向の大きさにほぼ直線的に比例する。より大きな偏向に対しては、増加分の偏向を達成するために、力の大きさをさらに多く増す必要があり、この関係は非線形なものになる可能性がある。テザー部材５０の非直線性は、反射性の中央のミラー部４２０の大きな回転角度によって引き起こされる静電気的なトルクにおける非直線性に合致するように調整することができる。従って、より大きな角度偏向に対する静電気的な非線形性の効果を抑止することによって、角度偏向に対する反射性の中央のミラー部４２０の安定性の範囲を増加させて、角度偏向のより広い範囲を実現することができる。ねじりヒンジ４１０から利用可能な復元トルクのみでは、ある臨界回転角度で静電界によって及ぼされるトルクを打ち消すためには不十分である場合がある。テザー部材５０は、追加の復元トルクを与えるよう機能して、ヒンジの復元トルクと組み合わせ、こうして静電気的なトルクを相殺する。従って、不安定となる位置がより大きな偏向角度で生じるよう変化させることができる。さらに、反射性の中央のミラー部４２０の共振周波数は、テザー部材５０によって生成される、追加の効果的なねじればね定数のために好適に増加される。それゆえ、共振周波数の作動電圧との結合度は、さらにある程度緩和されることになる。テザー部材５０の設計においては、静電気的な力が支配的になるのとおおよそ同じ偏向角度で、テザー部材５０の非直線性が支配的になる。テザー部材がまっすぐな梁である実施態様では、テザー５０はかなり延び、従って、梁の偏向における非直線性は、反射性の中央のミラー部４２０のかなり小さい角度に対してはっきりと識別できるようなる。横方向のチャンネル５４を使用すると、テザー部材５０延びの大部分を波形の湾曲部によって吸収することができるために、その直線範囲を延ばすのに役立つ。テザー部材５０において有効な非直線性の開始は、テザー部材５０の長さ（ｃ）、幅（ｄ）、厚さ（ｔｔ）、並びに波形の深さ（ｅ）、幅（ｆ）及びその数の関数である。横方向のチャンネル５４を備えることにより、テザー部材５０の非直線性の開始を決定することにおける設計の柔軟性をさらに増すことができる。好ましくは、テザー部材５０からの非直線的な力によって反射性の中央のミラー部４２０が過度にねじれないようにするために、テザーの厚さ（ｔ）を、反射性の中央のミラー部４２０の厚さよりも小さくする。今度は図６を参照するに、反射性の中央のミラー部４２０の角度θが、軸３７のまわりにｘ軸に対して増加する場合、ｘ＝０において作動電極４０２（または４０３）の部分から生じる静電気的な力の寄与は、ｘ＝ｂ／２において反射性の中央のミラー部４２０の外側のエッジ部に寄与するものより小さい。図５を再び参照すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００が図示されているが、そこには、直線性を改善する一方で、所望のすべての角度偏向に対して妨害することなく、及び反射性の中央のミラー部４２０に所定の電極の電圧に対してより大きな静電気的な力を与えるために、ｘ＝０におけるギャップｇを減少させることが可能な方法が示されている。図５に記載し、以下の例４で説明する実施態様では、作動電極４０２及び４０３は、ギャップがｘ＝０の近くで小さくなるように、電極表面４０２ａ及び４０３ａを、垂直方向のステップ（段）、すなわち高くなった部分として備えるように製造することができる。作動電極４０２及び４０３はまた、電極表面４０２ａ及び４０３ａにそれぞれ平行で、それぞれ異なるギャップ間隔にある、電極表面４０２ｂ及び４０３ｂを備えることができる。すなわち、電極表面４０２ａ及び４０３ａは、電極表面４０２ｂ及び４０３ｂよりもギャップ間隔が小さい。図５は、２つのギャップｇａ、ｇｂに分離することを示しているが、電極４０２及び４０３に、そのようなステップをたくさん作製することによって、別の利益を得ることができる。従って、作動電極４０２及び４０３をそれぞれ、２つの電極表面（すなわち、４０２ａ、４０２ｂ、４０３ａ、及び４０３ｂ）について図示したが、本発明の思想及び範囲においては、３つ以上の電極表面を備える作動電極４０２及び４０３を含むことができる。テザー部材５０から離れて動作するこの変更は、作動電圧の動作を、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の共振周波数から切り離すように機能することができる。すなわち、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の共振は変わらない。複数の電極のステップを単独で、または上述のテザー部材５０と組み合わせて使用することができるということは明らかである。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００は、図７の１００に上面図として一般的に示すように、光磁気記録及び再生システムの一部としてフライング光磁気ヘッドに使用することができる。好適な実施態様では、光磁気（ＭＯ）データ記録及び再生システム１００は、一組の両側第一面ＭＯディスク（doub le-sided first surface MO disks）１０７（各ＭＯディスク面にひとつのフライングヘッドがある）に使用するのに適合した、一組のウィンチェスタータイプのフライングヘッド１０６を備えている。この一組のフライングヘッド１０６（以下では、フライングＭＯヘッドと称する）は、各サスペンション１３０及びアクチュエータアーム１０５によって、ロータリーアクチュエータマグネット及びコイルアセンブリ１２０に結合されて、一組のＭＯディスク１０７の表面上に位置付けされる。動作時には、一組のＭＯディスク１０７はスピンドルモータ１９５によって回転させられて、一組のフライングＭＯヘッド１０６の間に空気力学的揚力を発生して、この一組のフライングＭＯヘッド１０６が、一組のＭＯディスク１０７の上側及び下側表面の上部およそ１５マイクロインチのところに浮揚した状態を維持する。この揚力は、一組のサスペンション１３０によって加えられる、大きさが同じで向きが逆のスプリング（ばね）による力によって対抗される。非動作時の間は、一組のフライングＭＯヘッド１０６は、一組のＭＯディスク１０７の表面から離れた、静止した格納状態に維持される。システム１００は、さらに、レーザー光学アセンブリ１０１、光学スイッチ１０４、及び一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２を備えている。この一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２の各々は、一組のアクチュエータアーム１０５及び一組のサスペンション１３０のそれぞれ一つを介して、一組のフライングＭＯヘッド１０６の各一つにそれぞれ結合することができる。簡単に説明すると、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ400は、従来技術に比較して、面記録密度の高い光磁気記録媒体へのアクセスを改善し、フライングヘッドの重量及びサイズを低減し、ディスクアクセスタイムを向上させ、必要な光学部品を少なくし、及び所定の容積内で動作させることが可能な記憶ディスクの数を増加させることができる構成において、一組のフライングＭＯヘッド１０６に使用される。図８は、図７の光磁気データ記録及び再生システムのレーザー光学アセンブリの一実施態様を示す図である。レーザー光学アセンブリ１０１は、可視または近紫外線周波数領域内で動作し、一組のＭＯディスク１０７を使用して読み出し及び書き込みを行うために十分な光学的パワーを放射する、直線偏光ダイオードレーザ源２３１を備えている。ある実施態様では、レーザダイオード源は、ＲＦ被変調レーザ源とすることができる。別の実施態様では、直線偏光レーザ源２３１は、ＤＦＢレーザ源とすることができる。代表的な実施態様では、直線偏光レーザ源２３１は６３５〜６８５ｎｍの範囲で動作するが、他の周波数のレーザ源を使用することもできる。レーザー光学アセンブリ１０１は、さらに、平行化光学系（collimating optics）２３４、低波長分散漏れビームスプリッタ（low wave length dispersion leaky beam splitter）２３２、及び結合レンズ２３３を備えている。レーザ光学アセンブリ１０１は、（直線偏光レーザ源２３１から）直線偏光レーザビーム１９１を光学スイッチ１０４（図７に示す）に向ける。レーザ光学アセンブリ１０１は、さらに、１／４波長板２３８、ミラー２３５、及びビームスプリッタ２３２を備える。第１の実施態様では、直線偏光反射レーザビーム１９２（図７に示す）は、光学スイッチ１０４によって結合レンズ２３３に向けられ、漏れビームスプリッタ２３２によって、１／４波長板２３８、ミラー２３５、及び偏光ビームスプリッタ２３９からなる、差分検出器に送られる。第２の実施態様では、レーザ光学アセンブリは上記のように機能するが、さらに、レーザ源２３１とコリメーティングレンズ（平行化用レンズ）２３４の間に光学分離器２９７を備える。当該技術において十分に確立されているように、このタイプの差分検出方式では、反射レーザビーム１９２の２つの直交偏光成分の光学パワーを測定するが、差分信号は、一組のＭＯディスク１０７の一方の表面におけるカー効果によって生じる偏光面の回転の高感度の尺度となる。いずれの実施態様においても、一組のフォトダイオード２３６による変換後、差分信号は、差分（差動）出力回路２３７によって処理され、信号２９４として出力される。入射レーザビーム１９１を導き、反射レーザビーム１９２を検出するための他の技法が当該技術においてよく知られているように、本発明は、光学部品及び光源の配列について上述のものに制限することを意図してはいない。図９は、ＤＦＢレーザ源を含む代表的な光学パス（光路）を示す図である。好ましい実施態様では、図９に示す代表的な光学パスには、光学スイッチ１０４、一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２の一つ、及び一組のフライングＭＯヘッド１０６の一つが含まれている。光学スイッチ１０４は、（レーザ源２３１に関する）入射レーザビーム１９１を、それぞれの単一モードＰＭ光ファイバ１０２の各近接端部の方に向けるのに十分な選択感度を有する。入射レーザビーム１９１は、さらに、単一モードＰＭ光ファイバ１０２によって、遠い方の各端部を出て、フライングＭＯヘッド１０６を通過して、各ＭＯディスク１０７の表面記録層３４９上に導かれる。好ましい実施態様では、入射レーザビーム１９１は、ＤＦＢレーザ源である直線偏光レーザ源２３１によって提供される。分布帰還（ＤＦＢ）ダイオードレーザ源は、ＲＦ被変調ファブリ−ペロダイオードレーザとは異なり、レーザ共振器内の波長選択格子要素を使用することにより、極めて狭帯域の単一周波数出力を生成する。ＤＦＢレーザ源であるレーザ源２３１から、直線偏光された光が単一モードＰＭ光ファイバ１０２内に放射される場合は、光ファイバを出てゆく光はファイバ軸と入射偏光の間の相対的な配向に依存する偏光状態を有し、さらに、出力の偏光状態は、ファイバの複屈折を変える外乱が無視できる程小さい限り、時間的に非常に安定である。この振る舞いは、スペクトル出力における高い周波数の変動によって特徴づけられるＲＦ被変調ファブリ−ペロダイオードレーザ源で観察されるものとは対照的である。ＲＦ被変調レーザ源では、直線偏光された光が単一モードＰＭ光ファイバ１０２内に放射されると、レーザ波長のゆらぎ（変動）によって、ファイバの出力においてそれに対応する偏光のゆらぎが発生する。この発生した偏光ノイズは、入射光が、ファイバの軸の一つと位置合わせされた偏光軸で放射されるときに最小化されるが、この場合でさえも、この偏光ノイズは、波長に依存するモード結合による、対応するＤＦＢレーザの場合よりも大きいものである。（ＰＭファイバにおけるモード結合は、それによって、一つの偏光軸にそって導かれる光のわずかな部分が、その直交軸に、固有の欠陥あるいは応力低減（stress-induced）による欠陥によって結合される現象である）。ＭＯ記録においては、ＳＮＲ（ＳＮ比）を２０〜２５ｄＢの範囲にすることができるように、偏光ノイズを最小に維持することが重要である。従って、ＤＦＢレーザ源を使用する場合には、単一モードのＰＭ光ファイバ１０２を、ＭＯディスク１０７への信号光の送出、及びＭＯディスク１０７からの信号光の戻り用に利用すれば、光磁気（ＭＯ）データ記録及び再生システム１００におけるＳＮＲについてこのレベルを実現することができる。情報書き込みの間、入射レーザビーム１９１は、光学スイッチ１０４により経路を選択されてＭＯディスク１０７に送られ、対象とする選択ポイント３４０を、少なくともＭＯ記録層３４９のキュリー温度まで加熱することによって、この表面記録層３４９の保持力を低下させる。好ましくは、入射レーザビーム１９１の光学的な強度は一定に保持され、一方、時間変化する垂直バイアスの磁界が、ＭＯディスク１０７に垂直な「上向き」または「下向き」の磁区（magnetic domai n）を画定するために使用される。この技法は、磁界変調（ＭＦＭ）として知られている。代替的には、磁区壁の位置をより良好に制御し、磁区の縁のジッタを低減するために、対象とするスポット３４０での時間変化する垂直バイアス磁界に同期して、入射レーザビーム１９１を変調することができる。次に、この選択された対象とするスポット３４０が、表面層３４９で冷やされると、情報がそれぞれの回転ディスク１０７の表面で符号化される。情報の読み出しの間、入射レーザビーム１９１（書き込み時に比べて強度は低い）は、経路を選択されてＭＯディスク１０７に送られ、対象とする任意の所定スポット３４０で、力一効果により（表面層３４９からレーザビーム１９１が反射するときに）、反射レーザビーム１９２が、対象とするスポット３４０での磁区の極性に従って、時計回りか反時計回りのいずれかの向き３６３に回転した偏光を有するようにされる。上述の光学パスは、実際には双方向である。従って、反射レーザビーム１９２は、フライングＭＯヘッド１０６を介して受け取られて、単一モードＰＭ光ファイバ１０２の遠い方の端部に入る。反射レーザビーム１９２は、単一モードＰＭ光ファイバ１０２に沿って伝わり、それの近い方の端部から出る。そして、光学スイッチ１０４によって経路を選択されて、次の、信号２９４への変換のためにレーザ光学アセンブリ１０１に伝送される。図１０ａ〜ｄは、それぞれ、光磁気ヘッドの上面図、側面図、正面図、及び側面図を示す図である。一組のフライングＭＯヘッド１０６は、単一の代表的なフライングＭＯヘッドに関連して説明することができる。図１０ａ〜ｃでは、単一の代表的なフライングＭＯヘッド１０６は、一組の回転ＭＯディスク１０７の一つの、表面記録層３４９の上部または下部にそれぞれ配置されている。好ましい実施態様では、フライングＭＯヘッド１０６は、スライダ本体４４４、空圧支持表面（air bearing surface）４４７、透過型１／４波長板４９３（図１１）、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、対物レンズ光学系４４６、及び磁気コイル４６０を備える。典型的な実施態様では、磁気コイル４６０は、磁界を発生させるために、空圧支持表面４４７の近くに配置された微小な複数巻きのコイルである。この磁界は、両方の極性においてほぼ３００エルステッドであり、反転時間は約４ｎｓであり、回転ＭＯディスク１０７の面にほぼ垂直である。好ましくは、磁気コイル４６０は、ディスクに向かう及びそれから反射されるレーザビーム１９１及び１９２が、フライングＭＯヘッド１０６を通って回転ＭＯディスク１０７に向かう間、またはその逆の間に、それを妨害するものであってはならない。スライダ４４４の大きさは、業界標準の「ミリ」、「マイクロ」、「ナノ」、または「ピコ」スライダの大きさを含むように特徴づけることができる。フライングＭＯヘッド１０６を構成する前述の構成要素の物理的な寸法及び／または光学特性によって決まるが、代替の大きさのスライダ本体４４４を使用することもできる。従って、好適な実施態様では、スライダ本体４４４は、およそ８８９μｍの高さ、及びナノスライダ（２０３２μｍ×１６００μｍ）のものに相当する設置面積を有するものとすることができる。典型的な実施態様では、１／４波長板４９３は、一辺がほぼ２５０μｍの正方形状であり、厚さがほほ８９μｍであり、対象とする波長での位相遅れが約９０（±３）度である。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、好ましくは、フライングＭＯヘッド１０６に結合され、Ｖ字溝（v-groove）４４３、または他の適切な大きさのチャンネルによって、スライダ本体４４４の軸に沿って保持される。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、Ｖ字溝４４３内に配置されて、好ましくは、最適に焦点合わせを施された光学スポット４４８を生じるように入射レーザビーム１９１を導く。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、次に紫外線硬化エポキシ（ultraviolet curing epoxy）または同様な接着剤を使用することによって、所定の位置に固定することができる。Ｖ字溝内でＰＭ光ファイバ１０２を使用することによって、入射レーザビーム１９１を、反射性の中央のミラー部４２０の小さな領域に正確に位置合わせして、照射することができる。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、１／４波長板４９３、対物レンズ光学系（objective optics）４４６は、好ましくは、スライダ本体４４４の長方形状の外形寸法を近似することによって画定される物理的な容積内に収まるよう、コンパクトで軽量ではあるが、ディスクに向かう及びそこから反射するレーザビーム１９１及び１９２おいて失われるパワーが最低で、かつ重大な歪み及び収差が導入されないように、これらのレーザビーム１９１及び１９２の全断面部を導くように十分に大きなものでなけれはならない。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の反射性の中央のミラー部４２０は、代表的な光学パス内で位置合わせされて、入射レーザビーム１９１を対物レンズ光学系４４６及び１／４波長板４９３を通して導き、反射レーザビーム１９２を、ＭＯディスク１０７から図８のレーザ光学アセンブリ１０１に導く。対物レンズ４４６は、開口数（ＮＡ）がほぼ０．６７のマイクロレンズとすることができる。波長６５０ｎｍでの典型的な実施態様では、マイクロレンズは、ほぼ０．５４μｍの半波高全幅値強度（FWHM）を有する光学スポット４４８に焦点を合わせる。マイクロレンズは、単純でコンパクトな円筒形状のGRIN（屈折率分布型）レンズ４４６とすることができる。円筒形状にすることにより、スライダ本体４４４内に設けられる開口部を収容する単純な円筒形レンズ内に、レンズ４４６を簡単に挿入することができる。球面収差を最小にし、回折限界合焦（di ffraction-limited focusing）を実現するために、GRINレンズ４４６は、凸面が単純な球状である平凸レンズとなるように研磨することができる。GRINレンズ４４６の所望の厚さ及び曲率半径は、ＰＭ光ファイバ１０２の開口数、及び所望の焦点合わせを施された光学スポット４４８のサイズを含むいくつかの要因の関数である。典型的な実施態様では、GRINレンズ４４６の高さはほぼ３５０μｍ、曲率半径はほぼ２００μｍであり、レンズの直径はほぼ２５０μｍとすることができる。最適な焦点合わせはGRINレンズ４４６の平面側で起こり、好ましくは、ほぼ２５マイクロインチの焦点深度を有する。空圧支持表面４４７の浮揚する高さが、好ましくは、ほぼ１５マイクロインチの値に維持されるので、フォーカシングサーボ（焦点合わせ用サーボ）は、必ずしも必要ではない。代替の実施態様では、本発明は、直線的に調整可能な光学部品４９５（図１０ｂ及び１０ｄに示す）を含むことができる。直線的に調整可能な光学部品を単一モードＰＭ光ファイバ１０２と反射性の中央のミラー部４２０の間の光学パス内に配置して、入射レーザビーム１９１が単一モードＰＭ光ファイバ１０２を出るときに、この入射レーザビーム１９１を光学的に変化させることができる。典型的な焦点位置４８６、４８７、及び４８８を含むように、光学スポット４４８を合焦させることができる。従って、多層ＭＯディスクを使用することができる。典型的な光学パスに沿った光学部品４９５の直線的な動作は、移動手段４３３をスライダ本体４４４に、及び、光学部品４９５を収容する取り付け台に、例えば、微細加工されたアクチュエータ、マイクロモータ、または直線動作が可能な圧電変換器を使用して結合することによって実現できる。代替的には、電気的に制御された焦点を有する単一の自動焦点レンズ（dynamic focusing lens）を、直線的に調整可能な光学部品４９５の代わりに使用することができ、それによって移動手段が不要となる。そのようなレンズは、例えば、液晶または電気光学的なＰＬＺＴコーティングと組み合わせたホログラフィックレンズ（holographic le ns）部品から構成することができる。可変の焦点を設ける他の可能なアプローチは、スライダ本体４４４上に、ＭＯディスク１０７の面に垂直な直線方向に対物レンズ４４６を移動させるための微細加工されたアクチュエータを設けることである。微細加工されたアクチュエータは、また、単一モードＰＭ光ファイバ１０２を横、縦、及び長手方向に位置付けするために使用することができ、従って、スライダ本体４４４上の他の光学部品に対する単一モードＰＭ光ファイバ１０２の移動及び位置合わせの手段を提供することができる。いくつかのマイクロアクチュエータの設計が、1991年の個体状態センサ及びアクチュエータ（Solid-Stat e Sensors and Actuators）に関する国際会議で、W.Beneckeによる「Silicon-Mi cro-actuators:Activation Mechanism And Scaling Problems,」の４６頁乃至５０頁で、及びその中で参照している論文で参照されている。単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、その光学軸に沿った深さ方向の高い解像度、及び横方向に向上した解像度を有する共焦点光学システムの開口部として機能する。この横方向に向上した解像度によって、非共焦点システムに比較して、微小な磁区の配向の検出だけでなく、磁区の縁の検出も改善される。深さ方向の高い解像度により、多層レベルの記憶媒体を使用する場合の、間隔がごく近接した表面記録レベル間のクロストークが最小化される。本発明の共焦点性から生じる他の利点は、対物レンズ４４６から反射されるそれた光は、フィルタリングされて除去されるということである。光磁気記録及び再生システム１００で使用されるときに、高精度のトラッキング及び近くのトラックへの短時間のシーク動作は、入射レーザビーム１９１の伝達角度が、対物レンズ４４６に届く前に変化するように、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の反射性の中央のミラー部４２０を、回転軸のまわりに回転させることによって実現される。反射性の中央のミラー部４２０は、駆動電極４０２及び４０３に差動電圧を印加することによって回転される。電極４０２及び４０３の差動電圧により、反射性の中央のミラー部４２０をヒンジ４１０のまわりに回転させる静電気的な力が発生し、焦点の合った光学スポット４４８が、ＭＯ媒体１０７上の半径方向４５０に移動することができるようになる。典型的な実施態様では、中央のミラー部４２０は、ほぼ±２度回転するが、これは、ＭＯディスク１０７の表面においてほぼ±４トラックに相当する。典型的な実施態様では、±４トラックの移動が開示されるが、前記した向き可変の微細加工されたミラー４００の所望の性能特性に応じて、±４トラックより多い、または少ない移動の範囲もまた可能であることは明らかである。従って、ＭＯディスク１０７を横断する焦点の合った光学スポット４４８の移動、及び反射レーザビーム１９２の検出を、情報の記録と再生、トラック追跡、及び一つのデータトラックから別のデータトラックへのシークに使用することができる。大まかなトラッキングは、回転アクチュエータマグネット及びコイルアセンブリ１２０（図７）への電流を調整することによって維持することができる。ＭＯディスク１０７の特定のトラックを追跡するために使用されるトラック追跡信号は、当該技術分野において良く知られている、大まかな（粗い）トラッキングサーボと高精度のトラッキングサーボ技法の組み合わせを使用して得ることができる。例えば、サンプリングされたセクタサーボフォーマット（sampled sector servo format）を使用して、トラックを画定することができる。サーボフォーマットは、ＭＯディスク１０７に刻印された浮き彫り形のピット、またはデータマークと同様な読み出される磁区の配向のいずれかを含むことができる。浮き彫り形のピットを使用する場合は、差動出力回路２３７を補助するために、加算出力回路を使用することができる。当業者には認識されることであるが、多重磁気ディスク形ウィンチェスタ磁気ディスクドライブは、一体の装置として協調して移動する、一組のそれぞれのサスペンションとアクチュエータアームを使用する。従って、そのような一体型の装置の各フライングヘッドは、他のフライングヘッドに対して固定されるので、特定の磁気ディスク表面をトラック追跡する間は、他の磁気ディスク表面のトラックを同時に追跡することはできない。これとは対照的に、一組のアクチュエータアーム１０５及び一組のサスペンション１３０の動きに関係なく、一組の向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を独立に動作させるために使用することができ、これによって、２つ以上のＭＯディスク表面を任意の所定時間に使用して、情報を読み出すために及び／または情報を書き込むために、トラック追跡及びシークを行うことが可能となる。一組の同時に動作する向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を使用してトラック追跡及びシークを独立して行うためには、好ましくは、一組の別々の各読み出しチャンネル、高精度の追跡用電子機器回路、及びミラー駆動電子機器回路が必要とされる。前述の実施態様では、好ましくは、別々のレーザ光学アセンブリ１０１を使用することも必要であるので、別々のそれぞれの光学パス間を切り換えるための光学スイッチ１０４は必ずしも必要ではない。図１１は、ＲＦ被変調レーザ源を含む典型的な光学パスを示す図である。本発明の一組の光学パスは、単一の典型的な光学パスを参照して説明することができるが、それは、図１１に示すように、反射性の基板（反射基板）４２０、１／４波長板４９３、対物レンズ光学系４４６、及び単一モードＰＭ光ファイバ１０２を備えている。ＲＦ被変調レーザ源２３１を使用する実施態様では、単一モードＰＭ光ファイバ１０２は、第２のセグメント５９９に結合された第１のセグメント５９８から構成されており、それぞれのセグメントは速軸（fast axis；Ｐｘ）と遅軸（slow axis；Ｐｙ）を含んでいる。第１のセグメント５９８の速軸は、好ましくは、第２のセグメント５９９の遅軸と位置合わせがされている。入射レーザビーム１９１は、Ｏｘ成分とＯｙ成分を有し、好ましくは、第１のセグメント５９８のＰｘ軸及びＰｙ軸に対して、ほぼ４５度の角度で直線偏光されている。また、１／４波長板４９３は、光学パス内で、第２のセグメント５９９のＰｘ軸及びＰｙ軸に対して４５度の角度で位置合わせがされている。典型的な実施態様では、１／４波長板４９３は、一辺がほぼ２５０μｍの正方形状であり、厚さは約８９μｍであり、そして対象としている波長において約９０（±３）度の位相遅れを有する。当業者には認識されることであるが、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、機械的な動作、温度、及び圧力から生じる外部及び／または内部のストレスを受ける可能性があり、これらのストレスは、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の光学的特性、例えば、複屈折特性に影響を与える可能性がある。従って、Ｏｘ及びＯｙ偏光成分が、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９を通って伝達するときに、Ｏｙ成分はＯｘ成分に対して位相φだけシフトする。偏光成分Ｏｘ及びＯｙは、第２のセグメント５９９の遠方の端部を出て、反射基板４２０によって反射され、１／４波長板４９３の表面に入射する。Ｏｘ及びＯｙ成分は、好ましくは、反射基板４２０の金製の表面から（互いの３％内に）均一に反射される。Ｏｘ及びＯｙ成分が１／４波長板４９３を通過するときに、Ｏｘ成分は左まわりの円偏光に、Ｏｙ成分は右回りの円偏光に変換され、２つの円偏光が加え合わされて、好ましくは、位相シフトφに依存する偏光角度を有する入射直線偏光になる。この入射直線偏光は、ＭＯディスク１０７から反射され、カー効果によって回転させられて、φ＋△に等しい円偏光成分間の正味の位相シフトを有して戻される。ここで、△はカー効果によって導入される位相シフトである。ＭＯディスク１０７からの反射によって、それぞれの円偏光の向きが反転され（すなわち、左まわりが右まわりに、右まわりが左まわりになる）、そのために、１／４波長板４９３を２回目に通過するときには、右まわりの成分は直線偏光成分Ｔｘに変換され、左まわりの成分は直線偏光成分Ｔｙに変換される。反射レーザビーム１９２のＴｘ及びＴｙ偏光成分は、好ましくは、入射レーザビーム１９１のＯｘ及びＯｙ偏光成分に対して９０度回転され、Ｔｘ成分は、Ｔｙ成分に対してφ＋△の位相シフトを示す。当業者には理解されることであるが、ＰＭ光ファイバを通る光学的な通過時間が５ｎｓよりも短い、典型的な実施態様では、ＰＭ光ファイバの複屈折は容易に検知できるほどには変化しない。従って、反射レーザビーム１９２のＴｘ偏光成分は、第２及び第１のセグメント５９９及び５９８を通って伝達し、Ｔｙ成分はＴｘ成分に対してさらにφだけ位相がシフトする。この方法では、第１のセグメント５９８の近い方の端部を出た後、反射レーザビーム１９２のＴｙ偏光成分は、Ｔｘ偏光成分に対して、好ましくは、カー効果による位相△のみだけ位相シフトされる。ファイバから出てくる偏光状態は楕円状であり、レーザ光学アセンブリ１０１の１／４波長板４９３によって変換されて、好ましくは、△に比例する偏光角度の直線偏光を有する。次に、対象とするスポット３４０に記録された情報を出力信号２９４として表すために、直線偏光が検出されて変換される。本発明は、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９によって導入される複屈折の効果を最小化するが、１／４波長板４９３もまた、反射基板４２０の反射表面の光学特性によって導入される位相シフトを最小化する。さらに、１／４波長板４９３は、反射基板４２０の後に光学パス内に配置されるものとして開示されているが、代替の実施態様では、１／４波長板を、対物レンズ光学系４４６とＭＯディスク１０７の間に配置することもできる。本発明では、ＲＦ被変調レーザダイオードからなるレーザ源２３１（図８）を使用することにより、反射レーザビーム１９２の光学的フィードバックのレーザダイオードへの影響を低減することができるということがわかる。当業者には認識されることであるが、ＲＦ被変調ダイオードは単一の波長では動作せず、（典型的には１０ｎｍの帯域幅を有する）マルチモードスペクトル特性を有するレーザ光の光源として動作し、また、１／４波長板４９３をレーザ源２３１の帯域幅にわたって動作するように特徴づけることによって、各λに対して対応する位相シフトを最小化することができる。しかしながら、入射レーザビーム１９１のＯｘ及びＯｙ成分が、第１のセグメント５９８のＰｘ及びＰｙ軸に対して４５度で最適に位置合わせされていない場合、及び／または１／４波長板４９３が正確に１／４波長特性でない場合、及び／または光学パス内の他の光学部品が位置合わせされていない場合には、位相シフトφ及び、従って、それが出力信号２９４に生成するＲＦノイズ成分は、レーザ源２３１の波長のゆらぎに依存して現れるということが、当業者には認識されるであろう。従って、実際には、システム１００の光学部品の位置合わせは、限られた精度の角度でのみなされるので、ＲＦ被変調レーザ源２３１の波長のゆらぎによって、出力信号２９４の信号対ノイズ比が劣化するであろう。本発明では、第１のセグメント５９８の速軸を、第２のセグメント５９９の速軸に直角に回転させることによって、レーザ源２３１の波長のゆらぎによって生成されるＲＦ位相ノイズは、同相モード方式で相殺することができるということを認定している。第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、対象とする周波数で動作するように選定された、市販の単一モードＰＭ光ファイバ１０２から構成することができる。第１のセグメント５９８は、当該技術分野においてよく知られた融着接続技法を使用して、第２のセグメント５９９に結合され、第１のセグメント５９８の速軸は、好ましくは０．５度以内の角度で、第２のセグメント５９９の遅軸に位置合わせされる。さらに、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９は、好ましくは、同じ光ファイバの製造ロットから選定され、好ましくは、１ｍｍ以内の精度で同じ長さのものである。第１及び第２のセグメント５９８及び５９９のそれぞれを波長λで伝搬する直線偏光された光が受ける位相シフトは、２πｂＬ／λに比例する（ここで、ｂはＰＭ光ファイバの複屈折であり、ＬはＰＭ光ファイバの長さである）ということを、当業者は理解するであろう。従って、波長λにおけるゆらぎは、位相シフトにおいて対応するゆらぎを生じる。ＰＭ光ファイバ１０２の第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の速軸を互いに直角に位置合わせすることによって、及び２つのセグメント５９８及び５９９がほぼ同じ長さのものであるように選択することによって、２つのセグメントによって光学パスに導入される正味の複屈折はほぼゼロになり、従って、位相シフトφはほぼゼロで、波長に依存しないものとなるであろうということを、本発明は認定する。実際には、０ではない正味の複屈折は、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の長さの違いに比例し、それゆえ、従来技術に比べて、出力信号２９４のＲＦ位相ノイズは低減されるであろう。ＲＦ被変調レーザ源２３１を使用する実施態様では、第１及び第２のセグメント５９８及び５９９の代わりに、長さ１メートルの切れ目のないＰＭ光ファイバを使用する（不図示の）実施態様に比べて、出力信号２９４の信号対ノイズ比は、ほぼ４０ｄＢ改善される。図１２は第２の実施態様における、図１１の典型的な光学パスを示す図である。図６に示す第２の実施態様では、ＺｎＳ（高い屈折率）及びＳｉＯ２（低い屈折率）部材が交互に重なった層からなる多層スタック６４６が、反射基板４２０に被着される。図１３は、全部で１２の層を有する典型的な実施態様について、各層の厚さを示したものである。第２の実施態様では、低い入射角での反射率を改善するために、金の厚い層が、反射基板４２０の第１の層に被着される。この層の厚さは、反射基板４２０からの平均反射率が、好ましくは９５パーセントより大きくなるように、及び、多層スタック６４６への直線偏光された光源の入射光（入射角４５（±１０）度以内）の反射成分が、９０（±１）度の位相遅れを受けるように、反射基板４２０に被着される間制御される。この典型的な実施態様は、制限することを意図して示したものではなく、他の動作波長の、及びそれぞれが異なる厚さをもつ異なる数の層を、反射基板４２０に被着することができる。第２の実施態様では、多層スタック６４６は、１／４波長板として機能する。１／４波長板の有効な速軸６８９は、好ましくは、第２のセグメント５９９のＰｘ及びＰｙ軸に対して、光学パス内で４５度の角度で位置合わせされる。従って、第２の実施態様では、多層スタック６４６は、入射レーザビーム１９２のＴｘ及びＴｙ成分間に複屈折により誘導される位相シフトを低減するよう機能する。設計に使用される材料は、好ましくは複屈折を生ずるものではないので、位相遅れも反射率も入射光の角度（azimuth）に依存しない。フライングＭＯヘッド１０６上の個別の光学部品（すなわち、別々の１／４波長板４９３）の数を少なくすることによって、第２の実施態様の１／４波長板多層スタック６４６は、高速のシーク及びデータ転送速度、及び単位容積あたりの増加したデータ記憶容量を有する軽量で小さい光学パスを実現する。本発明を、偏光を変える要素（すなわち１／４波長板）の一つのタイプについて説明してきたが、当業者は、レーザ光学アセンブリ１０１の検出光学系に適切な変更を行うことによって、他のタイプの偏光を変える要素、例えば、ファラデー回転子（faraday rotator）をフライングＭＯヘッド１０６上に使用することができるということを認識するであろう。今度は、図１４及び１５を詳細に参照するが、図１０の光磁気データ記録及び再生システム１００は、フライング光磁気ヘッド１０６を備えた向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を組み込むことによって、ＭＯディスク１０７を横断する焦点合わせをされたレーザ光のビームを、高速で移動させる能力を提供する。図１０に示すスライダ本体４４４に関しては、ミラー支持部４５３を、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００の接続部として設けることができる。ミラー支持部４５３は、隆起した電極用パッド４５１及び４５２を含むが、これらは、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００上に配置された一組の対応するパッド４０４及び４０５（図２参照）に、差動電圧を加えるための電気的な接触ポイントを提供するものである。代替的には、直接のワイヤー結合技法を電極４０２及び４０３への接続を行うために使用して、結合パッド４０４及び４０５を設ける必要をなくし、及びこれによって、電極用パッド４５１及び４５２に位置合わせするための付随するステップを省くことができる。図示した特定の実施態様では、ミラー支持部４５３はさらに、アクセス用穴（access hole）４６１及び４６２を備えており、これによって、単一モードＰＭ光ファイバ１０２から反射性の中央のミラー部４２０（図では隠れて見えない）に、そして次に、ＭＯディスク１０７の表面に、障害物のない光学パスを提供することができる。ミラー支持部４５３は、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００に、光ファイバ１０２からの光学パスに対して４５度の角度だけ回転した支持表面を提供する。当業者は、任意の数の技法を使用して、例えば、スライダ本体４４４及びミラー支持部４５３を別々に微細加工し、次に、２つの部品を接着剤で結合することによって、ミラー支持部４５３をスライダ本体４４４に取り付けて製造することができる、ということを理解するであろう。向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００に対する４５度の支持角度は、他の技法を使用して、例えば、ミラーアセンブリ４００を、適切な大きさのステップ（階段）４９３及び４９４を備えた、適切な大きさのスライダに立てかけることによって設けることができる。別の実施態様では、スライダ本体を４５度傾斜したエッジを設けるように製造することができ、このエッジに沿って、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００を配置することができる。さらに他の実施態様では、向き可変の微細加工されたミラーアセンブリ４００、スライダ本体４４４、及びＰＭ光ファイバ１０２を保持するためのＶ字溝４４３を、一つの一体化した部品からなるフライングＭＯヘッドとして微細加工することができる。一体型の微細加工されたフライングＭＯヘッドにより、ＭＯディスク１０７上に光学スポット４４８（図１０ｃに示す）を正確にフォーカシング（焦点合わせ）するために必要な、製造前及び製造後の調整の量を減らすことができる。スライダ本体４４４もまた、前述の微細加工されたアクチュエータを一体化要素として含むように微細加工することができる。図１６には、図７に示した光学スイッチの実施態様を詳しく示している。光ファイバスイッチ１０４は、光磁気システム１００内の小さな容積だけしか必要としないように、小さなものである。光学スイッチは、好ましくは、一組の単一モードＰＭ光ファイバ１０２とレーザ光学アセンブリ１０１を含む、一組の光学パスを高速に切り換える。好適な実施態様では、光学スイッチ１０４は、上部シリコン基板３５０、微細加工されたリニアマイクロモータ３２１、微細加工されたミラー３１４、及びほぼ平行に隔置された横方向に撓むことが可能な部材（可撓性部材）３２３及び３２４から構成される。可撓性部材３２３及び３２４の隔置された隣接する端部は、マイクロモータ３２１の可動出力部と基板３５０上の定位置にそれぞれ結合される。可撓性部材３２３及び３２４の反対側の隣接する端部は、マイクロミラー３１４上の隣接する隔置された位置に接続されて、基板３５０の上部表面に対してほぼ垂直な向きに回転軸を設ける。可撓性部材３２４は、横方向に移動可能な可撓性部材３２３に対して横方向に固定された基準となる機械的な支持台を提供する。好適な実施態様では、一組の光ファイバ１０２の出口は、それぞれの光軸が基板３５０に対して平行に角度的にずれるように、及びミラー３１４に対してほぼ放射状に向くように配置される。レーザ光学アセンブリ１０１からの自由空間を通る入射レーザビーム１９１は、基板３５０に形成された開口部に向けられる。図１６に示すように、入射レーザビーム１９１はこの開口部を通り、それに位置合わせされたGRINレンズ３２９を通過して、ミラー３１４の反射面に導かれる。GRINレンズ３２９は、好ましくは、基板３５０のエッチングされた溝の中に配置される。GRINレンズ３２９から出ると、レーザビーム１９１はマイクロミラー３１４によって反射される。適切な電位がマイクロモータ３２１に印加されて、入射レーザビーム１９１がマイクロミラー３１４から反射されて、一組の光ファイバ１０２の中の選択された一つに導かれる。マイクロモータ３２１は、可撓性部材３２３に運動（両方向矢印３２２で示す）を伝え、マイクロミラー３１４をその回転軸のまわりに回転移動させることによって、可撓性部材３２４に対してその運動を伝える。これによって、マイクロミラー３１４は、両方向矢印３７０て示す基板３５０の面に平行な向きに角度運動の自由度を有することになる。マイクロミラー３１４の角位置は、マイクロモータ３２１に印加される電位によって決まり、入射レーザビーム１９１は、GRINレンズ３２９によって、ミラー３１４の反射面から数ミクロンの一組のポイントの一つに焦点を合わせされる。好ましくは、これらのポイントは、単一モードＰＭ光ファイバ１０２のそれぞれの近い方の端部に対応する。ミラー３１４の回転運動の範囲は、好ましくは、入射レーザビームをＰＭ光ファイバ１０２の任意の一つに導くのに十分なものである。上記の面内回転３７０により、一つの段階の偏向及び調整が得られるが、マイクロミラー３１４の面外運動によって、別の段階の偏向及び調整を得ることができ、それについては、図１７ａ、１７ｂを参照して説明する。図１７ａ及び１７ｂには、支持部４１２、パターン成形された第１の絶縁酸化物層の「ヒンジ」部４１６、導電層パターン４２５、パターン成形された第２の絶縁酸化物層部４１８、及び反射表面４１５をさらに備えた光学スイッチ１０４が示されている。好ましい実施態様では、反射表面４１５は、金のような金属としてマイクロミラー３１４の表面に被着される。マイクロミラー３１４の両側のそれぞれのエッジは、支持部４１２の対応するエッジに、それぞれ一方のエッジでは絶縁体部４１６によって、他方のエッジでは絶縁体部４１８によって結合されている。絶縁体部４１６及び４１８はいずれも、マイクロミラー３１４を支持部４１２から電気的に絶縁し、及びミラー３１４と支持部４１２の間に構造支持部（structural support）を提供するという２つの機能を提供する。絶縁体部４１８は、導電体４２５と組み合わされてパターン化されており、図１７ｂの断面図に示す一体形成された平行な横方向のセグメント４１８ａ、ｂからなる、横切って延びる長方形の環状フレームを形成する。セグメント４１８ａ、ｂ及び４２５ａ、ｂは、ミラー３１４と支持部４１２のそれぞれの隣合うエッジに接触して形成される。絶縁体部４１８と導電体４２５は、マイクロミラー３１４と支持部４１２の横方向の範囲を越えて横方向に延びるセグメント４１８ｅ及び４２５ｄを形成し、マイクロミラー３１４のそれぞれの隣り合うエッジの、支持部４１２の対応するエッジに向かう及びそれから離れる運動に対して、弾性を有する支持部になる。マイクロミラー３１４の上部に、及び導電体４２５の下部に延びる絶縁体部４１８は、導電体４２５がマイクロミラー３１４と第１の電気的接続を行えるようにする（不図示の）給電用スルーホールを備えている。支持部４１２への第２の電気的接続は、可撓性部材３２４を介して行われる。従って、導電体４２５と可撓性部材３２４に電位を印加することによって、マイクロミラー３１４と支持部４１２を充電することができる。適切な充電がされると、マイクロミラー３１４と支持部４１２の間に静電気的な力が形成される。この静電気的な力によって、マイクロミラー３１４は、回転４８０として示す方向において、支持部４１２から離れたりまたはそれに向かう向きに、絶縁体の「ヒンジ」部４１６によって構成される軸に沿って傾けられる。Ｃ字形の両平面セグメント４１８ｄ、ｅ、及び４２５ｄ、ｅは、マイクロミラー３１４と支持部４１２の間の静電気的な力を相殺するための中心に向かう復元力を与えるために、好ましくは弾性を有している。マイクロミラー３１４と支持部４１２の間の任意の所定の電位に対して、この復元力は角度回転４８０を制限する。結果的に生じるマイクロミラー３１４の回転４８０は、反射表面４１５に入射するレーザビームを、支持部４１２の面の垂線に対して数度だけその向きを変えるために使用することができる。」請求の範囲１．微細加工された部品から構成されるフライング光学ヘッドであって、この微細加工された部品の移動が、光学カプラーと記憶部間の光の伝送に作用すること。２．前記微細加工された部品が、可動式の反射部から構成される請求項１の光学ヘッド。３．前記微細加工された部品が、マイクロアクチュエータを含む請求項１の光学ヘッド。４．前記マイクロアクチュエータが、光学部品に結合されたマイクロモータから構成される請求項３の光学ヘッド。５．前記微細加工された部品が、前記光学ヘッドに一体化されている請求項１の光学ヘッド。６．前記光学ヘッドが、フライング光磁気ヘッドから構成される請求項１の光学ヘッド。７．前記微細加工された部品が、前記可動式の反射部に結合された少なくとも一つのテザー部材を含む請求項２の光学ヘッド。８．前記微細加工された部品が、階段状の電極から構成される請求項２の光学ヘッド。９．前記光学カプラーが、光ファイバから成る請求項１の光学ヘッド。１０．光源と、記憶媒体と、前記光源と前記記憶媒体の間に配置された少なくとも一つの微細加工された部品とからなる、光学記憶アセンブリ。１１．前記微細加工された部品が、光学スイッチから成る請求項１０に記載の光学記憶アセンブリ。１２．前記微細加工された部品が、マイクロアクチュエータから構成される請求項１０の光学記憶アセンブリ。１３．前記マイクロアクチュエータが、光学部品に結合されたマイクロモータから構成される請求項１２の光学記憶アセンブリ。１４．前記少なくとも一つの微細加工された部品が、前記記憶媒体に近接して配置されたそれぞれのフライング光学ヘッドに結合される、請求項１０の光学記憶アセンブリ。１５．前記光源が、実質的に単一周波数の光源から成る請求項１０の光学記憶アセンブリ。１６．前記光源が、光ファイバケーブルである請求項１０の光学記憶アセンブリ。１７．光学的な媒体からデータを読み取るためのシステムであって、光源から記憶部まで光信号を伝達するための手段と、この伝達するための手段と発光により通信し、光信号の発光による通信に作用するための手段であって、この発光による通信に作用するための手段が、光学ヘッドに結合された微細加工された部品手段を備える、手段と、反射された光信号を処理して、前記記憶部に記憶されたデータをデコードするための手段とからなるシステム。１８．前記微細加工された部品手段が、１つのテザーから成る請求項１７のシステム。１９．光源と、記録媒体と、前記記憶媒体に近接して配置された少なくとも２つの支持アームと、それぞれのフライング光学ヘッドの一つが、前記各支持アームの一つにそれぞれ取り付けられており、少なくとも２つのフライング光学ヘッドの各々が、さらに、少なくとも１つの微細加工された部品から構成される、ことからなる少なくとも２つのフライング光学ヘッドとから構成される光学記憶システム。２０．前記光源が、少なくとも２つの光源から成り、この少なくとも２つの光源からのそれぞれの光が、前記記憶媒体に同時に入射するように、少なくとも１つの微細加工された部品のそれぞれによって導かれることからなる、請求項１９に記載の光学記憶システム。２１．光源から記憶媒体に光を導くための、及び該記憶媒体からの反射光を検出器に導くための方法であって、少なくとも一つの微細加工された部品の移動を利用して前記光を導くステップを含む方法。２２．前記光が、少なくとも２つの光から成り、この２つの光のそれぞれが、少なくとも１つの微細加工された部品のそれぞれによって同時に、独立して導かれることからなる請求項２１に記載の光を導くための方法。２３．開口部を画定する構造と、該開口部内に配置されたミラーと、該ミラーと可撓性層に一体化して結合された一対の可撓性層のヒンジと、該ミラーと該可撓性層に一体化して結合された少なくとも一つのテザー部材を有する該可撓性層から成るねじりミラー。２４．前記少なくとも一つのテザー部材が、少なくとも一つのテザーチャンネルを画定する構造を有する、少なくとも一つのテザー部材から成る請求項２３のねじりミラー。２５．前記ミラーが、一対の第１の対向する側面と一対の第２の対向する側面からなる平行四辺形状の構造を備えており、前記一対の第１の対向する側面には、前記一対の可撓性層のヒンジが一体化して結合され、前記一対の第２の対向する側面には、前記少なくとも一つのテザー部材が、該一対の側面のうちの少なくとも一つに一体化して結合される、請求項２３のねじりミラー。【図１４】【図１５】【図１８】【図１９】【図２０】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＪＰ，ＫＰ，ＳＧ (72)発明者ハースト，ジェリー，イー，ジュニアアメリカ合衆国カリフォルニア州95124, サン・ノゼ，マーシィ・リン・コート・ 1784 (72)発明者ヘーヌ，ジョン，エフアメリカ合衆国カリフォルニア州94538, フレモント，レッド・ホーク・テラス・ 39281，アパートメント・Ｃ305 (72)発明者ピーターセン，カートアメリカ合衆国カリフォルニア州95148, サン・ノゼ，バレイ・リッジ・レーン・ 3655 (72)発明者マクダニエル，テリーアメリカ合衆国カリフォルニア州95037, モーガン・ヒル，フェリッツ・コート・ 16755 (72)発明者ドレイク，ジョセフアメリカ合衆国カリフォルニア州94040, マウンテン・ビュー，オルテガ・アヴェニュー・550，ユニット・ナンバーＢ126 (72)発明者ドラザン，ジェフアメリカ合衆国カリフォルニア州94027, エイザートン，コウェル・レーン・６

Claims

【特許請求の範囲】１．微細加工された部品から構成される光学ヘッド。２．前記微細加工された部品の移動が、光源と記憶部の間の光の伝達に作用することからなる請求項１の光学ヘッド。３．前記微細加工された部品が、光学部品から構成される請求項１の光学ヘッド。４．前記微細加工された部品が、マイクロアクチュエータを含む請求項１の光学ヘッド。５．前記マイクロアクチュエータが、光学部品に結合されたマイクロモータから構成される請求項４の光学ヘッド。６．前記微細加工された部品が、前記光学ヘッドに一体化されている請求項１の光学ヘッド。７．前記光学ヘッドが、フライング光磁気ヘッドから構成される請求項１の光学ヘッド。８．前記光学部品が、可動性の反射部を備える請求項３の光学ヘッド。９．前記可動性の反射部が、最大で３００マイクロメートルの直線部を備える請求項８の光学ヘッド。１０．前記可動性の反射部が、記憶部の半径方向に対してほぼ平行な方向に、前記光を向けることからなる請求項８の光学ヘッド。１１．前記可動性の反射部が、反射型の１／４波長板から構成される請求項８のフライング光磁気ヘッド。１２．前記マイクロ光学部品が、前記可動性の反射部に結合された少なくとも一つのテザー部材を含む請求項８の光学ヘッド。１３．前記マイクロ光学部品が、階段状の電極から構成される請求項８の光学ヘッド。１４．前記光学ヘッドが、回転型のアクチュエータアームに結合される請求項２の光学ヘッド。１５．前記光源が、レーザダイオードである請求項２の光学ヘッド。１６．前記光源が、光学カプラーである請求項２の光学ヘッド。１７．前記光学カプラーが、光ファイバから成る請求項１６の光学ヘッド。１８．前記光学ヘッドが、前記光ファイバを保持するためのＶ字溝を備える請求項１７の光学ヘッド。１９．光源と、記憶媒体と、前記光源と前記記憶媒体の間に配置された少なくとも一つの微細加工された部品とからなる、光学記憶アセンブリ。２０．前記微細加工された部品の移動が、前記光源と前記記憶媒体の間の光の伝達に作用する、請求項１９に記載の光学記憶アセンブリ。２１．前記微細加工された部品が、可動性のミラーから構成される請求項１９の光学記憶アセンブリ。２２．前記微細加工された部品が、マイクロアクチュエータから構成される請求項１９の光学記憶アセンブリ。２３．前記マイクロアクチュエータが、光学部品に結合されたマイクロモータから構成される請求項２２の光学記憶アセンブリ。２４．前記少なくとも一つの微細加工された部品が、前記記憶媒体に近接して配置されたそれぞれの光学ヘッドに結合される、請求項１９の光学記憶アセンブリ。２５．前記微細加工された部品が、可動性のミラーから構成される請求項２４の光学記憶アセンブリ。２６．前記それぞれの光学ヘッドが、フライング光磁気ヘッドから構成される請求項２５の光学記憶アセンブリ。２７．前記向き可変のミラーが、少なくとも一つの階段状の電極から構成される請求項２６の光学記憶アセンブリ。２８．前記微細加工されたミラーが、向き可変の反射部から構成され、この向き可変の反射部が、３００マイクロメートルより小さい直線部を備える、請求項２６の光学記憶アセンブリ。２９．前記向き可変の反射部の内部が、反射型の１／４波長板からさらに構成される請求項２８の光学記憶アセンブリ。３０．前記微細加工されたミラーが、前記向き可変の反射部に結合された少なくとも一つのテザーから構成される請求項２８の光学記憶アセンブリ。３１．前記光源が、実質的に単一周波数の光源から成る請求項１９の光学記憶アセンブリ。３２．前記記憶媒体が、複数の記憶ディスクから成る請求項１９の光学記憶アセンブリ。３３．前記複数の記憶ディスクが、ハーフハイト形状因子内に配置された少なくとも６個の光磁気ディスクから構成される、請求項３２の光学記憶アセンブリ。３４．前記光源が、光ファイバケーブルである請求項１９の光学記憶アセンブリ。３５．前記光ファイバケーブルが、前記光学ヘッドに結合される請求項３４の光学記憶アセンブリ。３６．前記光源が、回転支持アームに取り付けられる請求項１９の光学記憶アセンブリ。３７．前記光学ヘッドが、前記光ファイバケーブルを保持するためのチャンネルを備える請求項３５の光学記憶アセンブリ。３８．前記チャンネルがＶ字溝である請求項３７の光学記憶アセンブリ。３９．前記光学ヘッドが、前記微細加工された部品と前記記憶媒体の間で前記光を結合するためのマイクロレンズからさらに構成される、請求項１９の光学記憶アセンブリ。４０．前記レンズが、前記微細加工された部品と前記記録媒体の間の光軸に沿って配置される、請求項３９の光学記憶アセンブリ。４１．前記レンズが、GRINレンズである請求項３９の光学記憶アセンブリ。４２．前記レンズが、成形されたプラスチックレンズである請求項３９の光学記憶アセンブリ。４３．前記レンズが、成形されたガラスレンズである請求項３９の光学記憶アセンブリ。４４．光学的な媒体からデータを読み取るためのシステムであって、光源から記憶部まで光信号を伝達するための手段と、この伝達するための手段と発光により通信し、この光信号の発光による通信に作用するための手段であって、この発光による通信に作用するための手段が、光学ヘッドに結合された微細加工された部品手段を備える、手段と、反射された光信号を処理して、前記記憶部に記憶されたデータをデコードするための手段とからなるシステム。４５．発光による通信に作用するための前記手段が、前記記憶部の半径方向に対してほぼ平行な方向に、光の向きを変えることによって光を導くことからなる請求項４４のシステム。４６．前記微細加工された部品手段が、テザー手段から成る請求項４４のシステム。４７．光源と、記録媒体と、前記記憶媒体に近接して配置された少なくとも２つの支持アームと少なくとも２つの光学ヘッドであって、ヘッドの各一つが前記各支持アームの各一つに取り付けられており、各光学ヘッドが、少なくとも一つの微細加工された部品からさらになる、光学ヘッドとからなる光学記憶システム。４８．前記少なくとも一つの微細加工された部品の移動が、前記光源から前記記憶媒体への光の伝達に作用することからなる請求項４７の光学記憶システム。４９．前記微細加工された部品が、可動性のミラーから構成される請求項４８の光学記憶システム。５０．前記光源が、少なくとも２つの光源から成る請求項４８に記載の光学記憶システム。５１．前記微細加工された部品が、可動性のミラーから成り、前記少なくとも２つの光源のそれぞれが、それぞれの可動性のミラーによって、前記記憶媒体に同時に入射するように導かれることからなる請求項５０の光学記憶システム。５２．前記記録媒体が、両面記録媒体から成る請求項５１に記載の光学システム。５３．光源から記憶媒体に光を導くための、及び該記憶媒体からの反射光を検出器に導くための方法であって、少なくとも一つの微細加工された部品の移動を利用して前記光を導くステップを含む方法。５４．前記少なくとも一つの微細加工された部品が、光学ヘッドに結合されたマイクロアクチュエータから構成される、請求項５３に記載の光を導くための方法。５５．光ファイバを使用して前記光を導くステップをさらに含む請求項５４に記載の光を導くための方法。５６．前記光が、少なくとも２つの光から成り、この少なくとも２つの光のそれぞれが、それぞれのマイクロアクチュエータによって、前記記憶媒体に同時に入射するように導かれることからなる請求項５４に記載の光を導くための方法。５７．前記少なくとも一つの微細加工された部品が、マイクロアクチュエータから成る請求項５３に記載の光を導くための方法。５８．前記マイクロアクチュエータが、前記記憶媒体の半径方向に対してほぼ平行な方向に、それぞれの光を導くことからなる請求項５６に記載の光を導くため方法。５９．開口部を画定する構造と、該開口部内に配置されたミラーと、該ミラーと可撓性層に一体化して結合された一対の可撓性層のヒンジと、該ミラーと該可撓性層に一体化して結合された少なくとも一つのテザー部材を有する該可撓性層から成るねじりミラー。６０．前記少なくとも一つのテザー部材が、少なくとも一つのテザーチャンネルを画定する構造を有する、少なくとも一つのテザー部材から成る請求項５９のねじりミラー。６１．前記ミラーが、向き可変の微細加工されたミラーから成る請求項５９のねじりミラー。６２．前記ミラーが、一対の第１の対向する側面と一対の第２の対向する側面からなる平行四辺形状の構造を備えており、前記一対の第１の対向する側面には、前記一対の可撓性層のヒンジが一体化して結合され、前記一対の第２の対向する側面には、前記少なくとも一つのテザー部材が、該一対の側面のうちの少なくとも一つに一体化して結合される、請求項５９のねじりミラー。６３．前記ミラーが、一対の第１の対向する側面と一対の第２の対向する側面からなる平行四辺形状の構造を備えており、前記一対の第１の対向する側面には、前記一対の可撓性層のヒンジが一体化して結合され、前記一対の第２の対向する側面には、前記少なくとも一つのテザー部材が、該一対の側面のうちの少なくとも一つに一体化して結合される、請求項６０のねじりミラー。６４．前記少なくとも一つのテザー部材が、一対の横方向のチャンネルを両定する構造を備える、請求項６０のねじりミラー。６５．前記少なくとも一つのテザー部材が、一対の横方向のチャンネルを画定する構造を備える、請求項６０のねじりミラー。６６．光学ミラーの動作範囲を制限するための、及び該光学ミラーが作動電極に接触しないようにするためのテザーであって、少なくとも一つのチャンネルを有する構造から成るテザー。６７．前記構造が、一対の横方向のチャンネルを有する平行四辺形状の構造を備える請求項６６のテザー。６８．基板と、該基板によって支持された少なくとも一つの作動電極であって、第１の電極表面と、該第１の電極表面にほぼ平行な第２の電極表面を有する作動電極と、該少なくとも一つの作動電極によって支持された少なくとも一つのプレート部材と、該少なくとも一つのプレート部材によって支持され、開口部を画定する構造を有する可撓性層と、該開口部に配置されたミラーと、該ミラーと前記可撓性層に一体化して結合された一対の可撓性層のヒンジとから構成される向き可変の微細加工されたミラー。６９．前記ミラー及び前記可撓性層に一体化して結合された少なくとも一つのテザー部材からさらに構成されており、該少なくとも一つのテザー部材が、少なくとも一つのテザーチャンネルを画定する構造を有する少なくとも一つのテザー部材から成る、請求項６８の向き可変の微細加工されたミラー。７０．前記第１の電極表面が、前記第２の電極表面とは異なる高さにあり、前記ミラーが、一対の第１の対向する側面と一対の第２の対向する側面からなる平行四辺形状の構造を備えており、前記一対の第１の対向する側面には、前記一対の可撓性層のヒンジが一体化して結合され、前記一対の第２の対向する側面には、前記少なくとも一つのテザー部材が、該一対の側面のうちの少なくとも一つに一体化して結合される、請求項６８の向き可変の微細加工されたミラー。７１．前記ミラーが、一対の第１の対向する側面と一対の第２の対向する側面からなる平行四辺形状の構造を備えており、前記一対の第１の対向する側面には、前記一対の可撓性層のヒンジが一体化して結合され、前記一対の第２の対向する側面には、前記少なくとも一つのテザー部材が、該一対の側面のうちの少なくとも一つに一体化して結合される、請求項６９の向き可変の微細加工されたミラー。７２．前記少なくとも一つのテザー部材が、一対の横方向のチャンネルを画定する構造を備える請求項６９の向き可変の微細加工されたミラー。