JP2001521274A - 柱状組織を有する陰極線ルミネセンススクリーン及びその調製方法 - Google Patents

柱状組織を有する陰極線ルミネセンススクリーン及びその調製方法

Info

Publication number
JP2001521274A
JP2001521274A JP2000518402A JP2000518402A JP2001521274A JP 2001521274 A JP2001521274 A JP 2001521274A JP 2000518402 A JP2000518402 A JP 2000518402A JP 2000518402 A JP2000518402 A JP 2000518402A JP 2001521274 A JP2001521274 A JP 2001521274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
screen
light
substrate
luminescent
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000518402A
Other languages
English (en)
Inventor
ギヴァルギゾフ,エフゲニー・インヴィエヴィッチ
ザドロジナヤ,リュドミラ・アレクサンドロフナ
ステパノーヴァ,アラ・ニコラエフナ
ソシーン,ナウム・ペトロヴィッチ
チュブン,ニコライ・ニコラエヴィッチ
ギヴァルギゾフ,ミクハイル・エフゲニエヴィッチ
Original Assignee
クリスタルズ・アンド・テクノロジー・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from RU97117737/09A external-priority patent/RU2127465C1/ru
Priority claimed from RU97122024/09A external-priority patent/RU2144236C1/ru
Application filed by クリスタルズ・アンド・テクノロジー・リミテッド filed Critical クリスタルズ・アンド・テクノロジー・リミテッド
Publication of JP2001521274A publication Critical patent/JP2001521274A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18Luminescent screens
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/22Applying luminescent coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18Luminescent screens
    • H01J29/20Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18Luminescent screens
    • H01J29/28Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Abstract

(57)【要約】 光透過性基板上のカソードルミネセンスモザイク状スクリーンであって、スクリーンの光放射成分は、光案内単結晶柱として設けられる。スクリーンの調整方法は、ルミネセンス材料を局在化された液相によりコーティングされた基板上に蒸着することによりなされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空マイクロエレクトロニクスを含む電子材料及びマイクロエレク
トロニクスの領域に関する。特に、電界放射ディスプレイ、真空蛍光ディスプレ
イ、陰極線ルミネセンスランプなどの電界放射に基づく装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
現存するルミネセンススクリーンは、一般に、滑らかな例えばガラス基板上に
例えば気相からデポジットされて調製された結晶性フィルムの形状に製造されて
いる。
【0003】 デポジッションのために、真空内での材料の蒸発、昇華、化学転位、カソード
スパッタリングなどの技術が用いられる。
【0004】 すべての技術において、結晶性ルミネセンス材料(燐光体)の核は、非制御状
態で、滑らかな組織のない基板上に、均一又は非均一に発生する。この場合、燐
光体は、通常、互いに重なる等軸でほぼ球形の非常に小さい(ミクロン又はサブ
ミクロン)結晶粒子の集合体である(図1)。かような系において、結晶粒子内
で発生した光(すなわちクロスで示される)は、周囲の燐光体粒子の迷路内で反
復的に散乱する。この現象は、スクリーンの解像度を劣化させる。
【0005】 結晶性粒子からなるフィルムスクリーンにおいて、すべてのスペースが燐光体
によって充填されないという事実に関して、1以上の問題がある。このことは、
スクリーンの効率を低下させ、熱伝導性及び電気伝導性を劣化させる。
【0006】 加えて、かようなスクリーンは、基板に対する接着性が弱い。なぜなら、ほぼ
球形の結晶性粒子は、基板と点接触しかしないからである。
【0007】 加えて、ルミネセンススクリーンが導電性光反射性アルミニウムフィルムによ
ってコーティングされている場合には、フィルムからの良好な光反射性を確実に
するために、非燐光体で熱的に不安定な材料の中間層をアルミニウムフィルムの
上にデポジットすることが必要である。
【0008】 別の場合に、単結晶(平面状又はエピタキシャル層)材料を燐光体として用い
る[1]。これは、スクリーンの特性の再生能力を改善し、効率(光励起のため
に消費されたエネルギーに対する光エネルギーの割合)を増加させる。しかし、
かような場合において、放射光は、燐光体の平面に沿って(又はエピタキシャル
層に沿って)伝播する。このことは、スクリーンの解像度及び効率を劣化させる
【0009】 これらの欠点は、長手方向がスクリーンの平面にほぼ直交する細長い形状を有
するルミネセンススクリーンを柱状クリスタリットから製造することによって排
除可能である。かようなアイデアは特許[2]に記載されているデザイン中に認
められる。かような場合に、クリスタリットの長手方向に伝播する燐光体の柱状
クリスタリットにて、光は励起される。このとき、クリスタリットは、光案内と
して作用する。しかし、溶融結晶化によるかようなスクリーンの調整方法は、実
際に重要な多くのケース、例えば電界放射ディスプレイに用いられる薄い(0.
1〜1μmの厚さ)平坦なルミネセンススクリーンには適さない。
【0010】 別の特許[3]は、ルミネセンススクリーンの隣接する領域に光を透過させな
いために、側壁が金属化されているホール内にスピニングすることによって、希
釈溶液又は懸濁液から燐光体の局地化されたデポジッションを提案する。しかし
、この場合において、イメージのコントラストは、わずか50%増加するに過ぎ
ない。換言すれば、ルミネセンススクリーンに沿った光の分散は、除かれない。
【0011】 本発明において、ルミネセンススクリーンは、光案内マイクロ成分からなり、
光案内特性は、高品質である細長い単結晶クリスタリットグレインによって与え
られる。
【0012】 スクリーンのマイクロ構造がすでに最適化されている場合には、次の問題はス
クリーンの活性剤又はコアクチベータである。この問題は、本発明によって解決
される。
【0013】 加えて、破壊されることに対する燐光体の保護が認められている。同時に、ル
ミネセンススクリーンからのカソード位置づけ成分の放出もまた、本発明によっ
て排除される。
【0014】
【発明の概要】
光透過性基板上のカソードルミネセンスモザイク状スクリーンであって、光放
射成分、光案内成分、不電導性成分、及び電導性光吸収成分を含むスクリーンが
提供される。ここで、スクリーンの光放射成分は、光案内単結晶柱として準備さ
れる。柱の直径と高さとの比率は、1:1〜1:100である。柱の基端部は基
板の内面に固着される。柱によってコートされた基板の領域と基板の総領域との
比率は、10:1〜1:10である。残りの基板の部分及び柱状組織の総容量は
、放射光に対して20%も大きい光吸収率を有する電導性光非放射性媒体によっ
て充填される。柱の表面は、鏡反射金属層によってコートされる。柱の外方端部
は、光放射ルミネセンス層によってコートされる。層の厚さは、柱の高さよりも
少なくとも1桁程度小さい。ルミネセンス層は、柱に対してエピタキシャルであ
っても良い。
【0015】 本発明において、ルミネセンススクリーンの調整方法も提供される。この方法
は、ルミネセンス材料の蒸着からなる。ここで、ルミネセンス材料とは異なり且
つ結晶化温度にて液相を形成する中間物質が最初に基板にデポジットされる。そ
の後、ルミネセンス材料は、かような物質上にデポジットされる。中間物質の厚
さは、10nmよりも大きく、1μmよりも小さい。液相は、中間物資と基板と
の接触界面に形成される。
【0016】 中間物質は、1以上の化学成分から形成される。少なくとも一つの化学成分は
、ルミネセンス活性剤又はコアクチベータとして作用する。活性剤又はコアクチ
ベータは、イオン注入によって、ルミネセンス材料に導入される。
【0017】 柱状組織及び/又は化学組成物における異種成分の不規則な隆起は、物質上に
生じる。異種成分は正規の特性であり、特に結晶学的対称特性である。
【0018】 ルミネセンス材料は、電子透過性である材料の薄い層によってコートされる。
特に、ダイヤモンド又はダイヤモンド様の材料が、透過性材料として作用する。
【0019】
【発明を認識するための最良の形態】
本発明によって提供される柱状組織を有するカソードルミネセンスは、図2〜
図4に示されている。
【0020】 通常、電界放射ディスプレイとして考えられている平坦なカソードからの電子
ビームは、スクリーンに入射して、光を励起する薄い表面層に侵入する(図5)
。柱状組織スクリーンが光放射ルミネセンス層によってコートされている別のバ
ーションは、図6に示されている。
【0021】 これらのスクリーンは、特に、低電圧電界放射ディスプレイに関して、幾つか
の利点により特徴づけられる。 1.デザインにより引き起こされる高い光及びエネルギーのアウトプットによっ
て、特徴づけられる。柱の壁からの総内部反射ゆえに、光案内効果が生じる。光
は、柱に沿って優先的に伝播するが、柱を越えて通過せず、隣接する柱に通過し
ない。 2.柱に沿って光が伝播する間の光の分散が低いことによって特徴づけられる。
これは、デザインの高い解像度を決定する。解像度は、単位長さあたりの光を放
射する成分の数に等しい。 3.柱がその基端部にて固着されている透明な基板に対する高い接着性、すなわ
ち光を放射する成分の大きな領域での基板に対する接触によって特徴づけられる
。これは、特に、電場の大きなグラジエントが基板からスクリーン粒子を外すこ
とができるダイオードタイプの電界放射ディスプレイの場合に重要である。
【0022】 柱状組織を有するカソードルミネセンススクリーンの利点は、提案された技術
によって認められる。この技術は、化学蒸着又は物理蒸着に基づき、デポジッシ
ョンプロセスにおける液相の関与が基本的に重要である。この技術の効果は、図
4に示されている。図4には、ルミネセンス材料である硫化カドミウムの柱状組
織が示されている。
【0023】 カソードルミネセンススクリーンの提案されたデザインの基本的なアイデアの
重要性を示す。各柱成分における光の伝播方向は、光を励起する一次電子ビーム
の方向に対して近軸(平行)である(図3参照)。これに対して、ほぼ等軸の粒
子の重ね合わせによって形成されている公知の(標準的な)スクリーンにおいて
は、カソードルミネセンスによって励起された光は、電子ビームに近軸で伝播す
るばかりでなく、電子ビームに直交して伝播する。すなわち、電子ビームに対し
て、任意の方向に伝播する(図1参照)。
【0024】 柱状スクリーンのデザインは具体的な電子デバイスにおいて認められ使用され
ているので、幾つかの明らかでない利点を示す。 (a)異なる粒子(この場合においては柱)のルミネセンスの輝度は、より均一
になる。標準的なカソードルミネセンススクリーンにおいて、種々の粒子の輝度
は、大幅に異なる(距離25〜30μmにおいて50%まで)。これは、放射す
る粒子の寸法が異なるからである。これは、イメージの転写及び固定の質を劣化
させる。 (b)標準的なカソードルミネセンススクリーンと比較した場合に、柱状燐光体
による電子・熱力散逸が増加する(5〜10倍)。 (c)電子ビーム走査の不意のスイッチ切断における柱状スクリーンの「バーン
アウト」は、実質上、排除される。標準的なカソードルミネセンススクリーンに
おいて、スクリーンの不可逆的なバーンアウトに十分な電力は、通常、0.1W
/要素(ここで、要素とは、イメージ要素、すなわちピクセルである)である。
一方、提案された柱状スクリーンの予備試験は、1W/要素(ここで、要素とは
、柱である)までパラメータを上昇することを示す。 (d)強力な光源(太陽、電気ランプなど)による照明における背景イメージの
コントラストが増強する。標準的なカソードルミネセンススクリーンは、下記数
1のコントラスト値kを有する。
【0025】
【数1】
【0026】 提案された柱状燐光体に基づくスクリーンのテストは、k>10〜20の値を示
す。
【0027】 標準的なスクリーンによって集積された莫大な電荷は、通常、標準的なカソー
ドルミネセンススクリーンの表面上に形成される厚さ0.1〜0.5μmの金属
コーティング(例えばアルミニウム)による場合でも、完全には除去されない。
これは、電子デバイスの安定した仕事を妨げる多量の放電として現れる。柱は、
柱と同軸のギャップによって取り巻かれている(図7〜図9参照)。基板領域の
残りの部分及びスクリーンの他の容量は、放射する光に対して20%以上の光吸
収率を有する電導性で光を放射しない媒体で充填される。
【0028】 上述の柱状スクリーンの利点は、スクリーンの実験用(10×10mm)及び
消費用(25×25mm又は75×75mm)の両者のサイズにおいて現れる。
換言すれば、提案された組織の独特なパラメータは、サイズに依存しない。
【0029】 光放射成分の断面サイズの変化をスクリーンの特性に関して研究した。光放射
成分の断面サイズ約1μm及びピッチ距離約2μmにおいて、2.5×107c m-2以上の光放射成分を含む光放射組織を準備した。パラメータは、すべての公
知のスクリーンに対して優れた解像度を示す。さらに、ピッチ20μmの柱状組
織は、柱総数2.5×105cm-2において、電子ビームデバイスのスクリーン 及びトランスデューサーのスクリーンとして重要な用途を有することが判明した
【0030】 カソードルミネセンススクリーンの特性を改良するために、柱周囲を取り巻く
ギャップ(スペース)は、電導性で光吸収性の媒体により充填される。この工程
は、柱状組織を適当な酸化物及び/又は硫化物の溶融物に浸漬する工程からなる
。別のアプローチは、柱状組織を低融点組成物に注入することからなる。かよう
なものとして、B23(融点450℃)、V25(融点670℃)、CdO(8
26℃)、PbO2(290℃)、Bi23(817℃)などの酸化物ばかりで なく、SnS(882℃)、Sb23(550℃)などの硫化物も用いられる。
加えて、Cd−Bi−Pb−Sn(融点65℃)及びPb−Snなどの金属共融
物もテストされた。上述のすべての成分は、スペクトルサブレンジ420〜76
0nmにある光を吸収する。したがって、モザイク状柱状組織において、柱の側
方放射の吸収が増加し、及び透明な基板を貫通する外部光の吸収が増加すること
により、コントラスト値を大幅に増加することが可能となる。
【0031】 モザイク状柱状組織から形成されたスクリーンのルミネセンス特性における導
電性媒体の影響を研究した。共融金属相Cd−Bi−Pb−Snにより柱の間の
ギャップが充填される場合には、充填相の抵抗は、105cm-1よりも大きい光 吸収値にて、1〜20Ωcmである。柱でコートされた基板領域の媒体充填領域
に対する割合は、5:1である。スクリーンの前面からの光反射率は20%であ
る。一方、導電性媒体で充填されていない同様の柱状組織は、入射光の45〜6
0%を反射する。
【0032】 柱の高さと光吸収相の高さレベルとの間の関係は、研究されていない。幾つか
の予備検査において、関係は2:1であった。かような値であっても、電流密度
を1〜10A/cm2まで連続的に減少させる。
【0033】 モザイク状スクリーンの柱状成分は、5keVよりも大きいエネルギーを有す
る電子ビームを透過させるために、金属(Al又はAg)の鏡による追加のコー
ティングを有するものでもよい。
【0034】
【引用文献】
1.欧州特許出願232586(1987)、IPC:H01J29/26、「
単結晶ターゲットを有する陰極線管」、G.W.Berskstresser、C.D.Brandle 2.欧州特許出願062993(1982)、IPC:H01J29/20、「
陰極管蛍光体層」、B.Cockayne 3.欧州特許出願170310(1988)、IPC:H01J29/24、"E
cran cathodoluminescent incruste a cavities restaurees et tube de visual
isation utilizant un tei ecran" V.Duchenois, M.Fouassier, H.Baudry
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、ほぼ等軸の結晶粒子のフィルムによって形成された標準的なカソード
ルミネセンススクリーンの概略図である。
【図2】 図2は、基板にほぼ直交する柱からなるフィルムによって形成されたカソード
ルミネセンススクリーンの概略図である。
【図3】 図3は、図2に示すフィルムにおける光ビームの伝播を示す概略図である。
【図4】 図4は、柱からなる連続フィルムの劈開断面のSEM顕微鏡写真である。
【図5】 図5は、電子により衝撃を与えられた際の柱状組織を有するカソードルミネセ
ンススクリーンの概略図である。柱の影付きの上部は、電子が侵入するレベルを
示し、ここで光が励起される。
【図6】 図6は、カソードルミネセンススクリーンの概略図である。スクリーンの上端
部は、光放射ルミネセンス層によってコートされている。
【図7】 図7は、間にギャップを有する複数の柱から形成されたカソードルミネセンス
スクリーンの概略図である。
【図8】 図8は、間にギャップを有する複数の柱からなるフィルムのSEM顕微鏡写真
である。スクリーンのモザイク構造が示されている。
【図9】 図9は、図7及び図8に示すカソードルミネセンススクリーンの概略図である
。ギャップは、電導性非放射性媒体で充填されている。
【手続補正書】
【提出日】平成13年1月10日(2001.1.10)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
【手続補正書】
【提出日】平成13年1月10日(2001.1.10)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),AT,AU,B G,BR,BY,CA,CH,CN,CZ,DE,DK ,EE,ES,FI,GB,HU,IL,JP,KR, LT,LV,PL,RU,SE,SG,SK,UA,U S,VN (72)発明者 ステパノーヴァ,アラ・ニコラエフナ ロシア国 119270 モスクワ,フルゼンス カヤ・ウーリッツァ 3−ヤ (72)発明者 ソシーン,ナウム・ペトロヴィッチ ロシア国 141120 フリャジーノ,モスコ フスカヤ・オブラスチ 10−54,プロスペ クト・ミラ (72)発明者 チュブン,ニコライ・ニコラエヴィッチ ロシア国 141120 フリャジーノ,モスコ フスカヤ・オブラスチ 19−56,ウーリッ ツァ・ポレヴァヤ (72)発明者 ギヴァルギゾフ,ミクハイル・エフゲニエ ヴィッチ ロシア国 117133 モスクワ,ウーリッツ ァ・ヴァルギ 1−115 Fターム(参考) 5C028 FF16 5C036 AA01

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光透過性基板上のカソードルミネセンスモザイク状スクリー
    ンであって、光放射成分と、光案内成分と、不電導性成分と、導電性光吸収成分
    とを含むカソードルミネセンスモザイク状スクリーンであって、 上記スクリーンの光放射成分は、光案内単結晶柱として準備されていて、 上記柱の直径と高さとの比率は1:1〜1:100の範囲にあり、 上記柱の一端部は基板の内面に固着されていて、 上記柱でコートされた基板の領域と基板の総領域との比率は、10:1〜1:
    10の範囲にあり、一方、基板の残りの部分及び組織の総容量は、放射する光に
    対して20%以上の光吸収率を有する電導性光非放射媒体によって充填されてい
    る、 ことを特徴とするスクリーン。
  2. 【請求項2】 請求項1のスクリーンであって、 前記柱の表面は、鏡反射金属層によってコートされている、 ことを特徴とするスクリーン。
  3. 【請求項3】 請求項1のスクリーンであって、 前記柱の外方端部は、柱の高さよりも少なくとも1桁ほど小さい厚さを有する
    光放射ルミネセンス層によってコートされている、 ことを特徴とするスクリーン。
  4. 【請求項4】 請求項3のスクリーンであって、 前記ルミネセンス層は、前記柱に対してエピタキシャルである、 ことを特徴とするスクリーン。
  5. 【請求項5】 ルミネセンス材料を基板上に蒸着することによって、単結晶
    柱からなるルミネセンススクリーンを調製する方法であって、 結晶化温度にて液相を形成し且つルミネセンス材料とは異なる中間物質が、最
    初に基板上にデポジットされ、 次いで、かような基板上に、ルミネセンス材料がデポジットされる、 ことを特徴とする方法。
  6. 【請求項6】 請求項5の方法であって、 前記中間物質の厚さは、10nmよりも大きく、1μmよりも小さい、 ことを特徴とする方法。
  7. 【請求項7】 請求項5の方法であって、 前記液相は、前記中間物質と前記基板との接触反応によって形成される、 ことを特徴とする方法。
  8. 【請求項8】 請求項5又は請求項6の方法であって、 前記中間物質は、1以上の化学成分から形成される、 ことを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】 請求項8の方法であって、 前記化学成分の少なくとも一つは、ルミネセンス活性剤又はコアクチベータと
    して作用する、 ことを特徴とする方法。
  10. 【請求項10】 請求項5の方法であって、 組織及び/又は化学成分における異種成分の不規則な隆起は、基板上に生じる
    、 ことを特徴とする方法。
  11. 【請求項11】 請求項10の方法であって、 前記異種成分は、規則的な特性を有する、 ことを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】 請求項11の方法であって、 前記異種成分は、結晶学的対称特性を有する、 ことを特徴とする方法。
  13. 【請求項13】 請求項5〜請求項9のいずれか1の方法であって、 前記活性剤又はコアクチベータは、イオン注入によってルミネセンス材料に導
    入される、 ことを特徴とする方法。
  14. 【請求項14】 請求項13の方法であって、 前記ルミネセンス材料は、電子透過性の透明材料の薄い層によってコートされ
    ている、 ことを特徴とする方法。
  15. 【請求項15】 請求項14の方法であって、 ダイヤモンド又はダイヤモンド様の材料が、前記透過性材料として作用する、
    ことを特徴とする方法。
JP2000518402A 1997-10-27 1998-10-26 柱状組織を有する陰極線ルミネセンススクリーン及びその調製方法 Pending JP2001521274A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97117737/09A RU2127465C1 (ru) 1997-10-27 1997-10-27 Способ изготовления люминесцирующих экранов со столбчатой структурой
RU97117737 1997-10-27
RU97122024/09A RU2144236C1 (ru) 1997-12-31 1997-12-31 Катодолюминесцентный экран
RU97122024 1997-12-31
PCT/RU1998/000347 WO1999022394A1 (en) 1997-10-27 1998-10-26 Cathodoluminescent screen with a columnar structure, and the method for its preparation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001521274A true JP2001521274A (ja) 2001-11-06

Family

ID=26653941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000518402A Pending JP2001521274A (ja) 1997-10-27 1998-10-26 柱状組織を有する陰極線ルミネセンススクリーン及びその調製方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US20070184180A1 (ja)
EP (1) EP1027717B1 (ja)
JP (1) JP2001521274A (ja)
KR (1) KR20010015636A (ja)
CN (1) CN1127749C (ja)
AT (1) ATE275758T1 (ja)
AU (1) AU1354899A (ja)
DE (1) DE69826142T2 (ja)
WO (1) WO1999022394A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2214073C2 (ru) * 1999-12-30 2003-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Кристаллы и Технологии" Источник белого света
WO2006033601A2 (fr) * 2004-09-20 2006-03-30 Mikhail Evgenjevich Givargizov Structure a colonnes, procede de sa fabrication et dispositifs construits sur sa base

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6610613A (ja) * 1966-07-28 1968-01-29
AT341579B (de) * 1972-09-28 1978-02-10 Siemens Ag Flussigphasen-epitaxieverfahren
JPS5474686A (en) * 1977-11-28 1979-06-14 Agency Of Ind Science & Technol Visible semiconductor laser and its manufacture
JPS5478074A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Toshiba Corp Production of input screen for image increasing tube
JPS5588249A (en) * 1978-12-26 1980-07-03 Toshiba Corp Fluorescent screen of electron tube
US4626694A (en) * 1983-12-23 1986-12-02 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Image intensifier
US4556620A (en) * 1983-12-27 1985-12-03 Rca Corporation Image display including a light-absorbing matrix of zinc-iron sulfide and method of preparation
US4626739A (en) * 1984-05-10 1986-12-02 At&T Bell Laboratories Electron beam pumped mosaic array of light emitters
FR2567319B1 (fr) * 1984-07-03 1986-12-12 Labo Electronique Physique Ecran cathodoluminescent incruste a cavites restaurees et tube de visualisation utilisant un tel ecran
JP2996711B2 (ja) * 1990-10-18 2000-01-11 株式会社東芝 X線イメージ管及びその製造方法
JP3297078B2 (ja) * 1991-05-24 2002-07-02 株式会社東芝 X線イメージ管およびその製造方法
US5378962A (en) * 1992-05-29 1995-01-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method and apparatus for a high resolution, flat panel cathodoluminescent display device
EP0683920B2 (en) * 1993-02-01 2006-04-12 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Flat panel device with internal support structure
US5583393A (en) * 1994-03-24 1996-12-10 Fed Corporation Selectively shaped field emission electron beam source, and phosphor array for use therewith
US6384527B1 (en) * 1994-11-21 2002-05-07 Candescent Technologies Corporation Flat panel display with reduced electron scattering effects
US5661074A (en) * 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5824374A (en) * 1996-07-22 1998-10-20 Optical Coating Laboratory, Inc. In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing
US5925897A (en) * 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
US20090072701A1 (en) 2009-03-19
EP1027717B1 (en) 2004-09-08
KR20010015636A (ko) 2001-02-26
ATE275758T1 (de) 2004-09-15
DE69826142D1 (de) 2004-10-14
DE69826142T2 (de) 2005-09-22
EP1027717A1 (en) 2000-08-16
WO1999022394A1 (en) 1999-05-06
AU1354899A (en) 1999-05-17
CN1280704A (zh) 2001-01-17
CN1127749C (zh) 2003-11-12
US20070184180A1 (en) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5882779A (en) Semiconductor nanocrystal display materials and display apparatus employing same
US6664727B2 (en) Field emision type cold cathode device, manufacturing method thereof and vacuum micro device
US6819041B2 (en) Luminescence crystal particle, luminescence crystal particle composition, display panel and flat-panel display
TW511109B (en) Plasma display panel, manufacturing method of the same, and display apparatus of plasma display panel
EP1061555A1 (en) White light source using carbon nanotubes and fabrication method thereof
GB2024842A (en) Luminescent screen
JPH09504640A (ja) 平坦パネル・ディスプレイ・システムと構成部品とを製造する方法
JPH08510858A (ja) 非晶質ダイヤモンド・フイルムの平坦な電界放出陰極
EP1498931A1 (en) Cathodoluminescent light source
KR19980050947A (ko) 전계방출 디스플레이용 발광입자 및 그를 이용한 발광층 형성방법
US6069439A (en) Phosphor material, method of manufacturing the same and display device
US20020140338A1 (en) Luminous low excitation voltage phosphor display structure deposition
JP2012084475A (ja) 電界放出型光源
JP2001521274A (ja) 柱状組織を有する陰極線ルミネセンススクリーン及びその調製方法
US6639353B1 (en) Suspensions and methods for deposition of luminescent materials and articles produced thereby
RU2144236C1 (ru) Катодолюминесцентный экран
JPH11510949A (ja) フアイバー状の電界放射体を使用したデイスプレーパネル
US20060103287A1 (en) Carbon-nanotube cold cathode and method for fabricating the same
JP3965298B2 (ja) 発光構造体、発光方法及び照明体
RU2127465C1 (ru) Способ изготовления люминесцирующих экранов со столбчатой структурой
KR100396436B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 백색 광원 제조 방법
JP3417831B2 (ja) 蛍光体材料の製造方法
JP2007242624A (ja) 発光構造体、発光方法及び照明体
KR20030081695A (ko) 액정표시장치용 백라이트
WO2006033601A2 (fr) Structure a colonnes, procede de sa fabrication et dispositifs construits sur sa base