JP2001518441A - ダイヤモンドの被覆を有するダイヤモンドのコア - Google Patents

ダイヤモンドの被覆を有するダイヤモンドのコア

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デービス、ジェフリー、ジョン
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デ ビアス インダストリアル ダイアモンド デイビジヨン （プロプライエタリイ） リミテツド
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Abstract

(57)【要約】 ダイヤモンドのコアとそのダイヤモンドコアを完全に包み込んでいるダイヤモンドの被覆とを含んで成るダイヤモンド製品にして、その被覆ダイヤモンドはそのダイヤモンドコアのダイヤモンドとは異なるものであり、またコアダイヤモンドと被覆ダイヤモンドの両者はそのダイヤモンド製品の特性に影響を及ぼしている上記のダイヤモンド製品。一般に、コアダイヤモンドとダイヤモンドの被覆とは、両者とも、そのダイヤモンド製品の少なくとも５容積パーセントを構成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の背景） 本発明はダイヤモンドに関する。
【０００２】 ダイヤモンドは天然に産し、また合成的にも製造されている。ダイヤモンドの
優れた物理的性質は、ダイヤモンドをして、放熱子、および穿孔、研削、鋸引き
、フライス削り、切削等々のような各種研磨用途に対して理想的な材料としてい
る。
【０００３】 各種用途、特に研削用途では、ダイヤモンドには、樹脂または同様のマトリッ
クスにおいてその保持性を改善するために、金属コートが施されることがある。
【０００４】 高温、高圧でのダイヤモンド結晶の合成は、工業的に全く十分に確立されてい
る。これには、共に溶液から出発する２つの主要な方法、即ち温度勾配法と同素
性変化法（allotropic change method）が用いられている。温度勾配法において
、その結晶生長の推進力は、原材料と生長している結晶との間に温度差があるこ
との結果としてのそれら原材料と生長結晶との溶解度の差に起因する過飽和状態
である。同素性変化法においては、その結晶生長の推進力は、原材料と生長して
いる結晶との間で同素性（allotropic）（多形性：polymorphic）が異なってい ることの結果としてのそれら原材料と生長結晶との溶解度の差に起因する過飽和
状態である。
【０００５】 両ケース共、そのプロセスは生長核（growth centre）を利用することで制御 することができる。これらの生長核は生長したダイヤモンドの中に含まれるよう
になるか、または、エピタキシャル生長の場合、その生長核は生長結晶に付属す
るもので、それらは、続いて、意図的に、その生長結晶からに取り除かれる。
【０００６】 生長核が生長結晶中に含まれるとき、その生長核は、一般に、生長したダイヤ
モンドの容積の極く小さい部分、一般的には１容積パーセント未満を占めるに過
ぎず、生長ダイヤモンドの物理的性質には実質的に寄与しない。外部生長核を意
図的に取り除く場合には、明らかに、生長結晶の性質に寄与すべく存在する生長
核は存在しない。
【０００７】 （発明の概要） 本発明によれば、ダイヤモンドのコアとそのダイヤモンドコアを完全に包み込
んでいるダイヤモンドの被覆とを含んで成るダイヤモンド製品にして、その被覆
ダイヤモンドはそのコアダイヤモンドのダイヤモンドとは異なるものであり、ま
たコアダイヤモンドと被覆ダイヤモンドの両者はそのダイヤモンド製品の特性に
影響を及ぼしている、上記のダイヤモンド製品が提供される。
【０００８】 ダイヤモンドの被覆は、ダイヤモンドのコアを完全に包み込んでいる単一のダ
イヤモンド層から形成されていることができる。或いはまたは、ダイヤモンドの
被覆は、２層以上のダイヤモンド層から形成されていることができ、その場合、
その各層は、それら層が全体としてダイヤモンドのコアを完全に包み込んでいる
という条件で、そのダイヤモンドコアのダイヤモンドを一部包み込んでいるか、
または完全に包み込んでいるかのいずれかである。
【０００９】 本発明のダイヤモンド製品において、そのダイヤモンドコアおよびダイヤモン
ド被覆は、両者共、そのダイヤモンド製品の特性に影響を及ぼしているか、また
は寄与している。例えば、ダイヤモンドの被覆はダイヤモンドのコアの衝撃強さ
を高め、そのダイヤモンドコアとは異なる衝撃強さを持つダイヤモンド製品を提
供するそのようなものであることができる。同様に、ダイヤモンドのコアと被覆
は、熱安定性、酸化抵抗性、電気的性質または他の性質に相違があってもよい。
このダイヤモンド製品は、従って、そのコアと被覆の両者とは異なる性質を有し
ていることができる。コアダイヤモンドと過剰生長層（overgrown layer）また は同被覆の性状は、生長した結晶の性質一般または特定の性質が高められるよう
に選ぶことができる。例えば、過剰生長層または同被覆が所望通りの圧縮または
張力状態にあるようにするか、またはコアよりも高い若しくは低い熱膨張率を有
し、層状結晶の機械的性質を変えることが可能になるように、条件を選ぶことが
できる。
【００１０】 ダイヤモンドのコアは、一般に、ダイヤモンド製品の少なくとも５容積パーセ
ントを構成している。
【００１１】 本発明のダイヤモンド製品には、例えば研磨、ラップ仕上げ、研削における用
途、および多結晶性製品の製造における用途がある。
【００１２】 （諸態様の説明） コアダイヤモンドは生長せしめられる複合ダイヤモンド結晶の性状に従って変
わる。コアダイヤモンドは天然のものでも、合成のものでも、或いは多結晶性の
ものでもよい。コアダイヤモンドは、球形、針状、板状、規則的なまたは不規則
な形状を含めて、所望とされる任意の形状であることができ、またそれには小面
が刻まれていてもよい。
【００１３】 適したコアダイヤモンドの例に、粉砕ＣＶＤダイヤモンド、公知の溶媒／触媒
を用いて造られた高温−高圧合成ダイヤモンド、粉砕ＰＣＤのような合成多結晶
性ダイヤモンド、および天然の単結晶または多結晶性ダイヤモンドがある。
【００１４】 コアダイヤモンドを完全に覆うダイヤモンドの被覆は、コアとは異なるダイヤ
モンド材料のものである。さらに、ダイヤモンドの被覆の容積は、その被覆をし
て、ダイヤモンド製品の特性または性質に影響を及ぼすことを可能にするそのよ
うな容積であり、そしてそれは一般にダイヤモンド製品の少なくとも５容積パー
セントである。
【００１５】 本発明の１つの態様において、ダイヤモンドのコアはタイプＩａのダイヤモン
ドのような天然ダイヤモンドより成り、そしてそのダイヤモンドコアを包み込む
被覆として単一層が与えられ、またこの層または被覆はタイプＩｂのダイヤモン
ドのような合成ダイヤモンドから造られる。
【００１６】 本発明の他の色々な態様に次のものがある：
【００１７】 −コアダイヤモンドが天然または合成ダイヤモンドであり、そしてダイヤモンド
の被覆がホウ素、窒素またはリンのようなドーパントでドープされている。
【００１８】 −コアダイヤモンドが天然または合成のものであり、そしてダイヤモンドの被覆
にアルミナのような材料を含められている。
【００１９】 −コアダイヤモンドが天然または合成のものであり、そして性質が異なる少なく
とも２層のダイヤモンド層がダイヤモンド被覆を形成すべく与えられている。そ
の一方のダイヤモンド層は触媒／溶媒、例えばコバルト／鉄を用いて合成的に製
造することができ、また他方のダイヤモンド層はもう１つの触媒／溶媒、例えば
ニッケル／鉄を用いて合成的に製造することができる。
【００２０】 本発明のダイヤモンド製品、特にダイヤモンドの被覆は、高温／高圧条件を用
いて生長させ、または合成することができる。公知の同素性変化法を用いる場合
、結晶生長の推進力は、原材料、一般的にはグラファイトと生長している結晶と
の間で同素性（多形性）が異なっていることの結果としてのそれら原材料と生長
結晶との溶解度の差に起因する過飽和状態である。公知の温度勾配法を用いる場
合、結晶生長の推進力は、原材料と生長している結晶との間に温度差があること
の結果としてのそれら原材料と生長結晶との溶解度の差に起因する過飽和状態で
ある。
【００２１】 ダイヤモンドの被覆は、一つまたは他の特定の結晶形のもを主たる成分として
有していることができる、即ち主として双晶結晶であることもできるし、または
主として単結晶であり、かつ小面が刻まれていることもできるし、或いはそれら
の組み合わせであることもできる。これは、結晶を、高温／高圧条件の下で、溶
媒／触媒の存在下において生長させるが、過飽和状態が、少なくとも一部は、特
定の方法で確実に得られるようにすることによって達成することができる。
【００２２】 かくして、本発明のダイヤモンド製品は、ダイヤモンドの結晶源を用意し、複
数のダイヤモンド生長核を与え、その際結晶源の量を一般に生長核よりも多くし
、それらの結晶源および生長核を適当な溶媒／触媒と接触させて反応物を生成さ
せ、その反応物を、高温／高圧装置の反応ゾーン中の、結晶の生長に適した昇温
、昇圧条件に、ダイヤモンド製品を生成させるのに十分な時間付し、そしてその
材料を上記反応ゾーンから取り出し、その際結晶源と生長核とをその粒径が異な
るように選択することで、上記溶媒／昇温中での炭素の必要な過飽和状態を、少
なくとも一部、好ましくは過半部分を達成することによって製造することができ
る。
【００２３】 本発明のこの態様では、生長核はコアダイヤモンドを構成し、そのコアダイヤ
モンド上でダイヤモンドの被覆が生長せしめられる。生成したダイヤモンドの被
覆は実質的に双晶ダイヤモンドである。この双晶ダイヤモンドの被覆として、接
触双晶類、多重および単一マクル双晶類（macle twins）を含めてマクル双晶類 、集片双晶類並びにスター双晶類（star twins）を挙げることができる。
【００２４】 ダイヤモンド源とコアダイヤモンドまたは生長核が、反応物を造るために、適
当な溶媒／触媒と接触せしめられる。一般的には、炭素ダイヤモンド源とコアダ
イヤモンドとが粒状形態の溶媒／触媒と混合せしめられる。
【００２５】 ダイヤモンド合成の条件は、また、本質的に単結晶であって、小面が刻まれて
いるダイヤモンド生長核上にダイヤモンドの被覆を生成させるように選ぶことも
できる。このようなダイヤモンド製品を生成させるために、肉眼で見える小面が
刻まれた表面を実質的に含まない、生成されるべきダイヤモンド結晶源を用意す
る。反応物は、その結晶源を適当な溶媒／触媒と接触させ、その反応物を、高温
／高圧装置の反応ゾーン中の、結晶の生長に適した昇温、昇圧条件に、ダイヤモ
ンド製品を生成させるのに十分な時間付し、そしてそのダイヤモンド製品を上記
反応ゾーンから取り出すことによって生成せしめられる。ここで、結晶生長の条
件は、結晶源が低ミラー指数の発現小面を有する結晶に転化、好ましくは実質的
に転化されるように選ばれる。この方法においては、過飽和推進力は、少なくと
も一部は、好ましくは過半部分が、肉眼で見える低ミラー指数表面と、それより
もミラー指数が大きい肉眼で見える表面との間の表面自由エネルギーの差に依存
する。ここで高ミラー指数の表面はそれよりもミラー指数が小さい表面より高い
自由エネルギーを持っている。ダイヤモンドの場合、高ミラー指数表面と低ミラ
ー指数表面との間の表面自由エネルギー差が大きく、従って結晶化を持続する過
飽和状態を生成させることができる。この高ミラー指数表面が溶解し、上記炭素
が溶媒／触媒を通して移行し、そしてそれよりミラー指数が小さい表面上で生長
し、またはその表面上に析出する。低ミラー指数表面上に沈着したダイヤモンド
は、より下方にあるコアダイヤモンドの特性ではなく、溶媒／触媒により生長せ
しめられたダイヤモンドの特性を有する。この場合、炭素源は、コアダイヤモン
ド自体の表面が一部溶解することによって供給される。高ミラー指数表面の１例
は近接面、即ち段付き破面（broken stepped surface）である。
【００２６】 上記方法における、使用される溶媒／触媒の性状は、生長せしめられるべき被
覆ダイヤモンドの性状に依存する。このような溶媒／触媒の例は、鉄、コバルト
、ニッケル、マンガンのような遷移金属元素およびこれら金属を含有する合金、
ステンレス鋼、スーパーアロイ、例えばコバルト系、ニッケル系および鉄系のス
ーパーアロイ、ブロンズ（コバルト含有ブロンズを含む）、並びにニッケル／リ
ン、ニッケル／クロム／リンおよびニッケル／パラジウムのような真鍮である。
他の適したダイヤモンド用溶媒／触媒は、遷移金属を含んでいない元素、化合物
および合金、例えば銅、銅／アルミニウム、銅／ニオブおよびリン、並びに（苦
土カンラン石および頑火輝石のような）アルカリ金属、アルカリ土類金属または
遷移金属の水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、塩素酸塩、ケイ酸塩およびこの技術分野
で知られている他の非金属触媒のような非金属物質またはそれらの混合物である
。
【００２７】 ダイヤモンド製品を生成させるのに用いられる昇温、昇圧条件は、ダイヤモン
ドが熱力学的に安定な条件であることができる。これらの条件はこの技術分野で
周知である。しかし、ダイヤモンドが熱力学的に安定な領域以外の条件下でダイ
ヤモンドの生長をもたらすことも可能である。ダイヤモンドが熱力学的に安定な
領域以外の温度、圧力条件は、オストワルド−ボルマー則（Ostwald-Volmer rul
e）ではなく、オストワルド則（Ostwald rule）が生長プロセスを支配する場合 に使用することができる［Ｓ．ボーア（S. Bohr）、Ｒ．ハウブナー（R. Haubne
r）、Ｂ．ラックス（B. Lux）の共著になるダイヤモンドおよび関係材料（Diamo
nd and Related Materials）、第４巻、第７１４〜７１９頁（１９９５年）を参
照されたい］―「オストワルド則によれば、幾つかのエネルギー状態を持つ系か
らエネルギーを抜き取ると、その系は安定な基底状態には直接到達せず、代わり
に全ての中間段階を徐々に通過する。加えて、オストワルド−ボルマー則によれ
ば、密度のより小さい相（less dense phase）がまず形成（成核）される。この
２つの法則が互いに相反すると思われる場合、オストワルド則よりオストワルド
−ボルマー則の方に優先権がある」。熱力学的に安定な領域以外でダイヤモンド
の結晶を生長させる場合、例えば圧力の適用によってオストワルド−ボルマー則
を抑制することができ、かくして、グラファイトの結晶が実質的に存在しないと
いう条件で、前もって存在せしめられたダイヤモンド粒子上でのダイヤモンドの
生長が可能になる。等温、等圧条件は必須ではないが、そのような条件が好まし
い。
【００２８】 本発明を次の実施例により例証する。
【００２９】 実施例１ （ａ）２０〜４０ミクロンの粒径範囲を持つ天然の不規則なダイヤモンド粒子
５０ｇおよび（ｂ）鉄−コバルト粉末２８５ｇから混合物を調製した。この混合
物を反応カプセルに入れ、そのカプセル自体を常用の高圧／高温装置の反応ゾー
ンに入れた。この反応カプセルの内容物を約５．５ＧＰａの圧力と約１４２０℃
の温度に付し、そしてこれらの条件を１１時間維持した。上記粒径範囲の上限に
あるダイヤモンド粒子が生長核として作用し、一方その粒径範囲の下限にあるダ
イヤモンド粒子が粒子源として作用し、上記溶媒／触媒に適用条件下で優先的に
溶解した。その反応カプセルから粒径範囲３０〜５０ミクロンにあるダイヤモン
ド粒子４１ｇを回収した。これらの粒子は、天然ダイヤモンドのコアと、そのコ
アダイヤモンドを完全に包み込んでいる合成ダイヤモンドの被覆から成っていた
。この合成ダイヤモンドの被覆は十分に画成された小面を有していることが見い
だされた。
【００３０】 実施例２ （ａ）コバルト／鉄系溶媒／触媒を用いて製造された、８〜１６ミクロンの範
囲の粒径を持つ不規則な合成ダイヤモンド粒子１２．６ｇおよび（ｂ）マンガン
／ニッケル（Ｍｎ５２：Ｎｉ４８）粉末６７．４ｇから混合物を調製した。この
混合物を反応カプセルに入れ、そのカプセル自体を常用の高圧／高温装置の反応
ゾーンに入れた。この反応カプセルの内容物を約５．２５ＧＰａの圧力と約１３
６０℃の温度に付し、そしてこれらの条件を４０分間維持した。上記の不規則な
ダイヤモンド粒子は大きいミラー指数と近接面とを有していた。この高ミラー指
数表面が上記マンガン／ニッケル系溶媒／触媒に適用条件下で優先的に溶解した
。上記炭素がその溶媒／触媒を通して移行し、より小さいミラー指数の表面上に
沈着した。その反応カプセルから粒径範囲１０〜２０ミクロンにあるダイヤモン
ド粒子１０ｇを回収した。これらの粒子は、コバルト／鉄系溶媒／触媒を用いて
製造された上記合成ダイヤモンド粒子のコアと、マンガン／ニッケル系溶媒／触
媒を用いて製造された、そのコアダイヤモンドを完全に包み込んでいる合成ダイ
ヤモンドの被覆から成っていた。その合成ダイヤモンドの被覆は主として８面体
の形状を持つ単結晶であることが見いだされた。
【００３１】 実施例３〜１０ 次の実施例は、ダイヤモンドコアの粒径範囲と、実施例２に記載された方法を
用いて複合ダイヤモンド結晶を造るのに用いられた色々な溶媒／触媒を例示説明
するものである。
【００３２】
【表１】
【００３３】 実施例１１ （ａ）１７７〜２５０ミクロンの粒径範囲を持つ天然の角のあるダイヤモンド
粒子０．５ｇ、（ｂ）１〜２ミクロンの粒径範囲を持つ合成ダイヤモンド粒子２
４ｇおよび（ｃ）コバルト−鉄粉末１３６ｇから混合物を調製した。この混合物
を圧縮して円柱体となし、反応カプセルに入れ、これを次いで常用の高圧／高温
装置の反応ゾーンに入れた。この反応カプセルの内容物を約５．３ＧＰａの圧力
と約１３８０℃の温度に付し、そしてこれらの条件を６０分間維持した。上記の
細かい方の合成ダイヤモンド粒子が上記溶媒／触媒に適用条件下で優先的に溶解
した。上記炭素はその溶媒／触媒を通して移行し、上記天然ダイヤモンド粒子上
に沈着した。その溶媒／触媒を希薄鉱酸混合物に溶解することによって、それら
のダイヤモンドを上記反応カプセルから回収した。これらのダイヤモンドを試験
すると、ダイヤモンドの被覆は結晶学的にほとんど完全に双晶結晶から成ってい
ることが明らかになった。これらの複合結晶は２００〜３５０ミクロンの粒径範
囲にあった。
【００３４】 実施例１２〜２５ 次の実施例は、ダイヤモンドコアの粒径範囲とタイプ、炭素源の粒径、および
実施例１１に記載された方法を用いて複合ダイヤモンド結晶を造るのに用いられ
た色々な溶媒／触媒を例示説明するものである。
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
【００３７】 実施例２６ （ａ）炭素源としての天然グラファイト粉末３６ｇ、（ｂ）ダイヤモンドコア
としての、２５０〜１７７ミクロンの粒径範囲を持つ天然ダイヤモンド粒子０．
７２ｇおよび（ｃ）溶媒／触媒としてのコバルト−鉄粉末２０４ｇを混合するこ
とによって更なる混合物を調製した。この混合物を圧縮して円柱体となし、反応
カプセルに入れ、これを次いで常用の高圧／高温装置の反応ゾーンに入れた。こ
の反応カプセルの内容物を約５．２ＧＰａの圧力と約１３６０℃の温度に付し、
そしてこれらの条件を５４０分間維持した。上記のグラファイト粉末粒子が上記
溶媒／触媒に適用条件下で優先的に溶解した。上記炭素は上記溶媒／触媒を通し
て移行し、上記天然ダイヤモンド粒子上に沈着した。その溶媒／触媒を希薄鉱酸
混合物に溶解することによって、それらのダイヤモンドを上記反応カプセルから
回収した。これらのダイヤモンドを試験すると、そのものは結晶学的に主として
双晶結晶から成ることが明らかになった。これらの結晶は２００〜３５０ミクロ
ンの粒径範囲にあった。
【００３８】 実施例２７ （ａ）溶媒／触媒としての鉄とニッケルとの混合粉末５９．１ｇ、（ｂ）３〜
６ミクロンの粒径範囲を持つ合成ダイヤモンド粉末１０．９ｇおよび（ｃ）実施
例２１から回収された、４２０〜２９７ミクロンに篩い分けられた複合ダイヤモ
ンド粒子０．１６７ｇから成る混合物を調製した。この混合物を圧縮して円柱体
となし、反応カプセルに入れ、これを次いで常用の高圧／高温装置の反応ゾーン
に入れた。この反応カプセルの内容物を約５．３ＧＰａの圧力と約１４１０℃の
温度に付し、そしてこれらの条件を３００分間維持した。その溶媒／触媒を希薄
鉱酸混合物に溶解することによって、それらのダイヤモンドを回収した。それら
結晶を光学的に試験すると、それらは主として８４１〜５００ミクロンの粒径範
囲を持つ双晶であることが示された。これらの複合ダイヤモンドは、コバルト−
鉄系溶媒／触媒中で合成された、それ自体が鉄−ニッケル系溶媒／触媒を用いて
合成されたダイヤモンドの被覆中に包み込まれているダイヤモンドの被覆に包み
込まれた天然ダイヤモンドの内側コアから成っていた。
【００３９】 実施例２８ （ａ）溶媒／触媒としての、鉄とニッケルとの混合粉末５９．１ｇ、（ｂ）３
〜６ミクロンの粒径範囲を持つ合成ダイヤモンド粉末１０．９ｇおよび（ｃ）２
５０〜１７７ミクロンの粒径を持つ、ホウ素でドープされた青色のダイヤモンド
結晶０．１０５ｇから成る混合物を調製した。この混合物を圧縮して円柱体とな
し、反応カプセルに入れ、これを次いで常用の高圧／高温装置の反応ゾーンに入
れた。この反応カプセルの内容物を約５．３ＧＰａの圧力と約１４１０℃の温度
に付し、そしてこれらの条件を３００分間維持した。その溶媒／触媒を希薄鉱酸
混合物に溶解することによって、それらのダイヤモンドを回収した。それら結晶
を透過光中で光学的に試験すると、上記青色ダイヤモンドコアはほとんど無色の
ダイヤモンド被覆に対してはっきりしたコントラストが付いていることが明らか
に示された。これらの複合ダイヤモンド結晶は、粒径がおおよそ７０７〜５００
ミクロンの範囲であった。
【００４０】 添付図面は、本発明の複合ダイヤモンド結晶またはダイヤモンド製品を通る断
面の、倍率５０倍における電子顕微鏡写真を示す。その電子顕微鏡写真画像は、
炭素源として合成ダイヤモンドを用いてコバルト−鉄系溶媒／触媒中で生長せし
められた合成ダイヤモンド（より暗灰色の区域）の層２で取り囲まれた結晶（明
るい灰色の区域）の中心にある天然ダイヤモンドのコア１を示す。このダイヤモ
ンドコアは横断幅約４４０ミクロンであり、またその複合結晶の粒径は約９７０
ミクロンである。そのコアはその複合結晶の約９容積パーセントに相当する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の複合ダイヤモンド結晶またはダイヤモンド製品を通る断面の
、倍率５０倍における電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１ ダイヤモンドコア ２ ダイヤモンド被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ， ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，Ｌ Ｕ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ， ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，Ｕ Ｇ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 デービス、ジェフリー、ジョン 南アフリカ国 ランドバーグ、リンデン エクステンション、 バウンダリイ ロー ド 36 (72)発明者 チャップマン、レイモンド、アルバート 南アフリカ国 ヨハネスブルク、モンドオ アー、 コランバイン アベニュー 183 (72)発明者 ヘッジズ、レスリイ、ケイ 南アフリカ国 ブラッケンハースト、デル フィニアム ストリート、 オリオール ミューズ ４ Ｆターム(参考） 4G046 GA03 GB02 4G077 AA03 BA03 CA03 CA09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイヤモンドのコアと該ダイヤモンドコアを完全に包み込ん
    でいるダイヤモンドの被覆とを含んで成るダイヤモンド製品にして、該被覆ダイ
    ヤモンドは該コアダイヤモンドのダイヤモンドとは異なるものであり、また該コ
    アダイヤモンドと該被覆ダイヤモンドの両者は該製品の特性に影響を及ぼしてい
    る、上記のダイヤモンド製品。
  2. 【請求項２】 ダイヤモンドコアがダイヤモンド製品の少なくとも５容積パ
    ーセントを構成している、請求項１に記載のダイヤモンド製品。
  3. 【請求項３】 ダイヤモンドの被覆がダイヤモンド製品の少なくとも５容積
    パーセントを構成している、請求項１または２に記載のダイヤモンド製品。
  4. 【請求項４】 ダイヤモンドの被覆がダイヤモンドのコアを完全に包み込ん
    でいる単一のダイヤモンド層から形成されている、前記請求項のいずれか１項に
    記載のダイヤモンド製品。
  5. 【請求項５】 ダイヤモンドの被覆が２層以上のダイヤモンド層から形成さ
    れており、その各層は、それら層が全体としてダイヤモンドのコアを完全に包み
    込んでいるという条件で、該ダイヤモンドコアを一部包み込んでいるか、または
    完全に包み込んでいるかのいずれかである、請求項１〜３のいずれか１項に記載
    のダイヤモンド製品。
  6. 【請求項６】 ダイヤモンドのコアが天然ダイヤモンドであり、またはダイ
    ヤモンドの被覆が合成ダイヤモンドである、前記請求項のいずれか１項に記載の
    ダイヤモンド製品。
  7. 【請求項７】 ダイヤモンドのコアと被覆が両者とも合成ダイヤモンドであ
    る、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイヤモンド製品。
  8. 【請求項８】 コアダイヤモンドが、溶媒／触媒を用いて合成的に製造され
    ており、また被覆ダイヤモンドがもう１つの溶媒／触媒を用いて合成的に製造さ
    れている、請求項７に記載のダイヤモンド製品。
  9. 【請求項９】 ダイヤモンドの被覆が主として双晶ダイヤモンドである、前
    記請求項のいずれか１項に記載のダイヤモンド製品。
  10. 【請求項１０】 ダイヤモンドの被覆が主として単結晶であり、かつ小面が
    刻まれている、前記請求項のいずれか１項に記載のダイヤモンド製品。
  11. 【請求項１１】 実施例のいずれか１つを参照して実質的に説明されている
    ものである、請求項１に記載のダイヤモンド製品。
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