JP2001510429A - 一体形非偏光領域を有する偏光ガラス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 非偏光ガラスのパターンまたは局部的領域を有する偏光ガラスが開示されている。非偏光領域は、還元ガス遮断材料の使用、ガラスの局部熱的加熱により、またはエッチング技術により形成される。図(1a)-(1b)は、シャドウマスク(4)または材料の薄い層(6)がガラス(2)の表面上に形成されて、還元工程を妨げ、ガラス中に色の勾配および／またはデザインまたはパターンを形成できるようにした還元ガス遮断方法を示している。マスクされたガラスは、露出されたまたは保護されていない領域(8)中の還元性相が還元され、非偏光領域（マスクされた領域）が還元されないように還元雰囲気に曝される。

Description

【発明の詳細な説明】 一体形非偏光領域を有する偏光ガラス 発明の背景 組成中に還元性イオンを含有するガラスの色を変更するために高温で水素焼成 することがよく知られている。この技術の新たな産業用途が、SERENGETI（登録 商標）およびＣＰＦ（登録商標）という商標の元で販売されているコーニング社 の眼鏡関連製品に見出されている。生じた色の変化は、ガラス中の銀イオンおよ び鉛イオンのそれぞれの一部が原子状態に還元されることによるものである。 偏光ガラスを製造するいくつかの方法が提案されている。例えば、そのような 方法の一つは、ガラスをその軟化温度よりも高い温度で再延伸することである。 このガラスは、再延伸工程により伸張された分離相を含んでいる。相分離に導か れる熱処理は通常、再延伸工程の前に行われる。上述した工程の特別な形式にお いて、分離相は最初に、ＡｇＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＩまたは銅 ／カドミウムハロゲン化物のようなスペクトル非吸収材料であり、それらの材料 をその後改質して、偏光効果に必要な所望の二色特性を生じさせなければならな い。これは、延伸されたガラスを、スペクトル非吸収材料のそれらの対応する金 属への化学的還元を行うのに十分な時間に亘り高温で水素ガス中において処理す ることにより行われる。この化学的還元工程は、ガラス中の水素の拡散、および 水素のハロゲン化物相との化学反応の両方を含む組合せ工程である。 表面に近い還元領域と、その表面下の非還元領域との間の鋭い境界の条件に至 る水素拡散に対して、化学反応は比較的速く進行することが知られている。偏光 挙動は、還元層に由来する。また、偏光ガラスを長期間に亘り500℃の近傍に加 熱する場合、伸張粒子が再度球体化し、偏光特性が失われる。すなわち、伸張粒 子が球体形状に戻ってしまう。このことは、ガラスが一度十分に柔らかくなると 、界面力が、再延伸力が行ったことを取り消すように機能するという事実により 説明される。 ある用途に関して、偏光特性をガラスの局部領域に制限することが望ましい。 したがって、本発明の目的は、ガラス表面の一部に亘り水素還元の効果を部分的 または完全に遮断する方法、または偏光状態を変更する別の方法を提供すること にある。 発明の概要 手短に言うと、本発明は一体形非偏光領域を有する偏光ガラスに関するもので ある。 ある態様において、本発明は、ガラス表面のある領域が非偏光性にされている 偏光ガラスを製造する方法に関するものである。 特別な態様において、本発明は、 (a) 伸張（延伸）された還元性相を有するガラスを提供し、 (b) ガラスの一部の表面上に材料の層を選択的に形成することにより、ガラ スの一部を保護またはマスキングし、 (c) ガラスの保護されていない領域を還元ガスに曝して、その領域の還元性 相を還元させ、 (d) 保護されている部分から材料の層を除去して、その下にある非偏光ガラ スを露わにし、それによって、一体形の偏光および非偏光の領域を有するガラス を形成することにより、 一体形の偏光および非偏光の領域を有するガラスを形成する方法に関するもの である。 さらに別の態様において、本発明は、還元性伸張相粒子からなる偏光ガラスを 提供し；ガラス表面のある領域を熱的加熱に曝して、伸張相を再度球体化し、そ れによって、その領域において偏光ガラスを非偏光性にすることにより、偏光ガ ラス中に非偏光領域を形成する方法に関するものである。 さらに別の態様において、本発明は、偏光層を選択的に除去して、その領域の ガラスを非偏光性にすることにより、偏光ガラス中に非偏光領域を形成する方法 に関するものである。 ここで用いられているように： 「還元雰囲気」は、酸素の化学ポテンシャルが低いガス状雰囲気を意味する。 還元ガスの例としては、水素、ヒドラジン蒸気、分解アンモニア、ジュテリウム および成形ガス（すなわち、水素と不活性ガスとの混合物、例えば、Ｈ₂／Ｈｅ およびＨ₂／Ｎ₂）が挙げられる。 図面の簡単な説明 図１ａから１ｃは、少なくとも一つの非偏光領域を有する偏光ガラスを形成す る本発明のある方法を示す概略図である。 図２ａから２ｄは、フォトリソグラフ工程により、偏光ガラスおよび非偏光ガ ラスのパターンを形成する本発明の別の方法を示す概略図である。 図３ａおよび３ｂは、偏光ガラスおよびフォトレジストのアセンブリを光線に 曝し、フォトレジストを現像して下にある偏光層を露出し（図３ａ）、露出され た領域にエッチングを施してその領域の偏光層を除去し、フォトレジストを剥ぎ 取る（図３ｂ）工程を含む、本発明の実施の形態を示す概略図である。 発明の詳細な説明 非偏光領域を有する偏光ガラスを、(1)水素遮断フイルムの使用、(2)局部的な 熱処理、(3)エッチング、または(4)これらの方法の組合せにより形成できること が分かり、それをここに開示する。水素以外に、分解アンモニア、ジュテリウム または成形ガス（すなわち、Ｈ₂のＮｅ、Ｎ₂、またはＡｒとの混合物）のような 他の還元ガスを用いてもよいことが分かるけれども、説明を容易にするために、 還元ガス遮断材料の層をここでは「水素遮断フイルム」と称する。 本発明により考えられるように、偏光ガラスは、ｘが０と１との間の値を有す る、ＡｇＣｌ_xＢｒ_1-x、ＣｕＣｌ_xＢｒ_1-xのような還元性伸張相、または相分離 Ｐｂホウ酸塩ガラスを含有する。他の有用な還元性相としては、ＡｇＩ、ＣｕＩ およびＣｕ／Ｃｄハロゲン化物が挙げられる。 本発明をここに図面を参照して記載する。水素遮断方法（図１ａから１ｃ）に おいて、材料の薄層６、好ましくは、Ｃｒ、Ｍｏまたはそれらの酸化物のような 材料の密なフイルムを非偏光ガラス２の表面上に形成して、還元工程を妨害し、 ガラス上に色の勾配およびデザインまたはパターンを形成できるようにする。こ の技術を用いた特に有用な実施の形態において、還元ガスおよび還元ガスの浸透 を妨害できるパターンが形成されたフイルムを用いることにより、延伸または伸 張粒子を有するガラス中に非偏光領域10が形成されている。この実施の形態にお いて、非偏光領域は： １） 還元性伸張相の層を有するガラス２を提供し、 ２） 保護すべきガラスの領域の表面上に、還元ガスの浸透を遮断するまたは 妨げることのできる遮断材料６の層を形成することにより、ガラスのその領域を 保護し（図１ｂ）、 ３） ガラスの保護されていない領域８を還元ガス雰囲気に曝して、保護され ていない領域８中の還元性相を還元し、それによって、その領域を還元性にし、 ４） 保護された領域から遮断材料６の層を除去して、下にある非偏光ガラス を露わにする（図１ｃ）ことにより形成される。 好ましい還元ガスは、Ｈ₂、分解アンモニア、成形ガスおよびＤ₂であって差し 支えない。成形ガスを用いる場合には、成形ガス混合物中の水素含有量は好まし くは、少なくとも0.1％、より好ましくは、少なくとも５％、そして最も好まし くは、少なくとも10％である。成形ガス混合物中の水素の含有量が多くなるほど 、ガラス中の還元性相を還元するのに必要な圧力が低下し、時間が減少する。好 ましい成形ガスは、Ｈ₂／Ｎ₂である。 水素遮断材料の層に、どのような方法を用いてパターンを形成してもよい。薄 膜層を選択的に形成する特に有用な方法は、マスクがガラスのある領域を遮るま たはそれを保護するようにガラス表面上にシャドウマスクを配置することによる ものである。それによって、遮断材料のパターンが形成された層が、シャドウマ スク中の孔または開口部を通して、ガラスのマスクされていない領域または保護 されていない領域に形成される。 薄膜遮断層のパターンを形成する別の有用な方法は、フォトリソグラフィーを 用いることによるものである（図２）。このパターン形成方法において、(i)水 素遮断材料６の薄膜を、還元性ガラス２、すなわち、延伸または伸張粒子の層を 有するガラスの全面に付着させる；(ii)次いで、薄いフォトレジスト層12を水素 遮断材料６の表面に施す（図２ａ）；(iii)フォトレジストに、マスクを用いて 平版印刷様式でパターンを形成し、現像し（図２b)；(iv)次いで、パターンが形 成されたフォトレジスト画像をエッチング工程（湿式または乾式）により遮断材 料の層に転写し；(5)フォトレジストを除去し、パターンの形成されたフイルム 遮断 材料を残す（図２ｃ）。非偏光ガラスの領域を形成するために、図２ｃのアセン ブリを上述した還元ガス雰囲気に露出して、保護されていない領域においてガラ スを偏光性にする。次いで、遮断材料を除去して、図２ｄに示したように、偏光 領域８および非偏光領域10を有するガラスを形成する。 材料の薄い層を付着させるのに用いる特別な方法が本発明の主要な一面である ことが分かった。特に、層内にピンホールが形成されるのを避けるために、スパ ッタリングまたは他の適切な方法により、好ましくは、1000等級（またはそれよ り良好な）のクリーンルーム雰囲気内でフイルムを付着させる。 遮断材料およびその付着させる厚さの選択は、所定の用途にとって、ガラス中 の還元層がどのくらいの深さで必要とされるかに基づいて決められる。言い換え れば、密度および厚さの組み合わされた特性により、付着したフイルムの特性は 、ガラス中に十分な還元深さを形成するのに必要とされる時間／圧力／温度に関 して、Ｈ₂の拡散を妨害するのに十分でなければならず、そして、所望のコント ラストを提供する。例えば、銀または銅のハロゲン化物相が化学的に銀、または 銅に還元される深さ（すなわち、偏光層の厚さ）により、偏光子のコントラスト が決定される。還元深さは、Ｈ₂の圧力および処理時間の平方根、並びに温度の 指数関数に比例することが示されている。 コントラストは、通過方向における透過率（延伸方向Ｔ₀に対して垂直）の吸 収方向における透過率（延伸方向に対して平行）に対する比率として定義される 。これは、ｄが偏光フイルムの厚さである方程式、コントラスト＝Ｔ₀／ｅｘｐ （−αｄ）により偏光層の厚さに関して数学的に表すことができる。係数αは、 光の波長およびガラスが延伸される程度に依存する。所定の用途に関して、αお よびＴ₀は実験的に決定され、偏光フイルムの厚さは、いかなる所望のコントラ ストに関しても決定することができる。ある特定の有用な実施の形態において、 640ｎｍの波長で100のコントラストを達成するには、28μｍの厚さが必要である 。 Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｗのような、水素を遮断するのに使用する材料の特 別な選択は、薄層を形成するのに使用する方法および関連する付着の変数に依存 してもよい。他の有用な水素遮断材料の例としては、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、 およびＩｒのような貴金属が挙げられる。例えば、層がフイルム付着方法により 形成される場合、適切な変数として、特定の付着方法および系に依存する、付着 したフイルムの多孔度、フイルムの付着性、およびそれがどのように厚さに関し て変動するか、熱的不整合、およびそれがどのように厚さに関係するかを含めて もよい。これらの後者の課題は、製造されるフイルムの品質、ピンホール、亀裂 、およびＨ₂をフイルムに浸透させる他の特性に関連する。いくつかの水素遮断 材料フイルムを用いた結果を示す概要が、表１に示されている。この特定の場合 、640ｎｍの波長で、高コントラストが望ましかった。 別の実施の形態において、局部的な加熱を用いて、偏光ガラスの一部を非偏光 性にする。局部的加熱方法において、非偏光領域は、ガラス表面のある領域を熱 的加熱に曝して、伸張相を再度球体化し、それによって、偏光ガラスを熱接点の 領域において非偏光性にすることにより、偏光ガラス中に形成される。その目的 は、ガラスを約450℃より高く、好ましくは、約500℃より高く、所望のパターン を形成するのに適切な様式で局部的に加熱することにある。加熱領域において、 伸張相は、再度球体化され、非偏光性にされる。実現すべき重要な点は、比較的 薄い表面の偏光層を450℃より高く加熱することのみが必要であることである。 このことは、必要な加熱量が極めて小さくて差し支えないことを意味する。加熱 領域を容易に局部的にする方法の一つは、吸収係数の逆数として通常定義される 実効吸収深さが偏光フイルムの厚さとほぼ等しくなる波長で、レーザのような光 源を使用することである。このようにして、光は主に加熱すべき層内で吸収され る。この実施の形態において、起こりうる過熱、およびそのような過熱により生 じるかもしれない物理的損傷を避けるように注意しなければならない。入力を十 分に制御して、安全温度を維持し、起こりうる損傷を避けなければならない。 上述した条件を満たす光源の例の一つに、ＣＯ₂レーザがある。ビームの強度 分布は、温度分布に影響を与え、したがって、非偏光領域から偏光領域への移行 の性質に影響を与える点で重要である。この強度分布には、マスクを走査モード で、または平坦な強度分布を有する多モードレーザを使用することにより影響を 与えることができる。ある実施の形態において、ＣＯ₂レーザ源を偏光ガラスの ある領域に焦点を合わせて、その領域のガラスを加熱し、それによって、上述し たように伸張相を再度球体化することによって、ガラスを非偏光性にする。 局部的加熱を行う別の方法は、偏光方向が、偏光材料の吸収方向に向けられて いる偏光光源を使用することである。光の波長を、高コントラストのスペクトル 領域に対応するように選択する。 薄い偏光層において局部的加熱を行う別の方法は、電子またはイオンのような エネルギービームの大きい流れを、焦点が合った状態または適切なマスクととも に使用することにある。このビームは、偏光表面層を局部的に加熱する。 局部的な熱処理により非偏光領域を形成する別の有用な方法は、熱的接触によ るものである。そのような実施の形態の一つにおいて、加熱したチップまたは隆 起部をガラスの偏光層に接触させて、接触領域を加熱し、それによって、再度球 体化を行わせる。 熱的接触方法を用いる際に、急速な加熱および冷却により生じるかもしれない 熱衝撃を避けるように注意しなければならない。熱的加熱方法の起こりうる欠点 の一つは、急速加熱および冷却から生じるかもしれない残留複屈折である。これ は、注意深くアニーリングすることにより軽減することができる。この実施の形 態において、直接的に接触せずに、効果的に加熱することができるので、偏光ガ ラスを熱源に直接的に接触させる必要がない。このように、それは、この方法の 目的を達成するのに必要な熱源自体というよりもむしろ熱輻射であるので、熱源 を加熱すべきガラスの近接領域に至らせることで十分かもしれない。 エッチング方法（図３ａおよび３ｂ）は、多数のエッチング技術による偏光層 の選択的な除去によるものである。この方法において、偏光層８の一部が、金属 またはフォトレジストのフイルムまたは層16を使用することにより保護されてい る。次いで、偏光ガラスの保護されていない層にエッチングを施して、偏光層を 除去し、それによって、一体形非偏光領域20を有する偏光ガラスを形成する（図 ３ｂ）。保護された領域は、偏光表面層の除去を制限する。好ましくは、偏光層 の厚さは、必要とされる偏光特性に依存して、10-50ミクロンの範囲にある。偏 光層の選択的な除去またはエッチングによる除去は、湿式または乾式のエッチン グ技術のいずれによって行ってもよい。この方法により、そこを通過する光が、 エッチングされた区域とエッチングされなかった区域において異なる光路を有す るかもしれないので、ビームに対して同位相波面を変更するかもしれない。この 波 面変更は、ある用途にとっては望ましくないかもしれない。 実施例 １． 水素遮断 ａ） 約１μｍ厚のＭｏフイルムを、パターンの形成されたシャドウマスクを 通して延伸ガラス表面上に付着させた。このマスクは試料と密接に接触した状態 に維持した。次いで、金属のパターンが形成された試料を、17時間に亘り１気圧 、420℃の純粋なＨ₂雰囲気中で処理した。約30μｍの深さを有する偏光層を、マ スクされていない領域に形成した。その一方で、マスクされた領域は非偏光性の ままであった。次いで、適切な酸によりＭｏフイルムを除去した。一方の側面に パターンが形成された偏光効果が望ましい場合には、背面全体をＭｏで被覆して 、その面を保護しても差し支えない。所望であれば、ガラスの反対側に同一また は異なるパターンを施すことにより、両面の製品を製造してもよい。この実施例 において、水素遮断材料は、1000等級のクリーンルーム雰囲気中においてスパッ タリングにより施した。 ｂ） 水素遮断材料が、約0.6μｍの厚さを有するＣｒであったことを除いて 、上述したのと同様であった。Ｈ₂処理は、３時間に亘り、１気圧、420℃で行っ た。形成された偏光層は、約15μｍの深さを有した。 ｃ） 水素遮断相が１μｍのＺｎＯであったことを除いて、上述したのと同様 であった。Ｈ₂処理は、３時間に亘り、１気圧、420℃で行った。偏光層の厚さは 、15μｍであった。 同様の実験において、0.5μｍの薄い厚さを有するＭｏフイルムは、表面滲み がなく、16時間に亘り、１気圧、420℃で水素雰囲気中において処理できること が分かった。すなわち、水素は、Ｍｏフイルムを通って、下にあるガラス中には 浸透しなかった。圧力が高くなるほど、水素がフイルムを通って表面に滲み出る 傾向が高くなることが分かった。また、フイルムが厚くなるほど、水素がフイル ムを通って表面に滲み出にくくなる。所定の水素遮断材料に関して、表面滲みを 最小にするまたは減少させるのに必要な最適な還元ガス処理条件（時間、温度、 圧力）は、実験により決定することができる。例えば、水素の含有量が少ない成 形ガス混合物を使用する場合には、還元ガス処理は、生じる表面滲みからの影響 を最小 にする高圧で行っても差し支えない。 ２． 局部的加熱 ａ） 還元性伸張相を有するガラス試料を、上述したような水素雰囲気に曝し て、偏光ガラスを形成した。４Ｗの連続波ＣＯ₂レーザを、シャッタを用いて、 一秒の何分の一かに亘り偏光ガラス試料上の1.5ｍｍの点に焦点を合わせた。露 光された点は黄色であり、非偏光性は、伸張銀粒子の再度の球体化の条件に対応 した。 ｂ） 試料をＨ₂処理の前にＣＯ₂レーザに曝したことを除いて、上述したのと 同様であった。この熱処理により、レーザに曝された領域における金属ハロゲン 化物粒子が球体化された。次いで、上述したように試料をＨ₂雰囲気中で処理し て、偏光層を形成した。加熱した区域は、球体粒子のみを含有していたので、露 出された区域には、偏光特性は生じなかった。 ３． エッチング ａ） 延伸または伸張層を有するガラス試料に0.2μｍのＣｒを被覆し、次い で、フォトレジストを被覆した。この試料を、図２に示したような所望のパター ンを含むマスクを通した光に曝した。次いで、フォトレジストを現像して、マス クされていない領域の下にあるＣｒ層を露出し、Ｃｒ層をエッチングにより除去 した。次いで、残りのフォトレジスト材料を引き剥がして、金属パターンにより 被覆された領域および被覆されていない領域を残した（図３ａ）。次いで、湿式 化学エッチング技術を用いて、被覆していない領域のガラスを溶解させるのに十 分な時間に亘り希釈ＨＦ中に、偏光層に対応する厚さだけ浸漬した。次いで、Ｃ ｒ層を引き剥がして、一体形非偏光領域を有する偏光ガラスを得た（図３ｂ）。 ｂ） 乾式エッチング工程（反応性イオンエッチング）を用いて、１時間当た り約３μｍの速度で偏光ガラス層を除去したことを除いて、上述したものと同様 であった。 好ましい実施の形態 好ましい実施の形態において、Ｈ₂浸透を妨げるのに用いた金属フイルムを、 シャドウマスクを用いて輪郭を描いた。二つの密な金属、ＣｒおよびＭｏを用い て、試料を調製した。水素遮断金属の薄い層を、ＣＶＤ ＤＣスパッタリング装 置またはＭＲＣインラインスパッタ装置のいずれかを用いて、1000等級のクリー ンル ーム内で付着させた。所望であれば、還元ガス遮断材料のフイルムを、水素処理 前に、偏光ガラスの他方の表面に施してもよい。付着条件は、以下のとおりであ った： Ｃｒ Ｍｏ 圧力（ｍＴ） １ 10 出力（Ｗ） 1000 1000 付着速度（Ａ／ｓ） 3.5 15 回転数 5.0 ベルト速度（インチ／分） 10 通過回数 ６ 全ての場合において使用したガラスは、Polarcor（商標）（コーニング社より 得られる）であり、680ｎｍが中央ピーク波長であった。試料を、水素処理の前 に0.5ｍｍの厚さまで研削し、研磨した。その結果を以下の表にまとめた。 表１ Ｈ₂処理の Ｈ₂遮断材料 温度／時間／圧力 偏光フイルムの Ｈ₂遮断材料 の厚さ(μｍ) （℃／時間／気圧） 厚さ（μｍ） Ｃｒ 0.4-0.6 415/3/1 15 Ｍｏ 1.0 415/16/1 30 Ｍｏ 1.0 415/7/1 20 Ｍｏ 1.0 415/17/1 30 Ｍｏ 1.0 415/3/1 ８ ＺｎＯ 1.0 415/4/1 15 Ｍｏ 1.0 350/1.25/5 30

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ，ＵＳ (72)発明者 セイシェニーク，ポール エイ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14830 コーニング ハント レーン 11130

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．還元性伸張相を含むガラス中に偏光領域および非偏光領域を形成する方法で あって、 a) 該ガラスの表面領域上に、スパッタリング、熱蒸発、および化学蒸着から なる群より選択される方法により形成される還元ガス遮断材料の層を付着させ 、 b) 該還元ガス遮断材料の層の表面上にフォトレジストの層を施し、 c) 該フォトレジストの層にパターンを形成し、現像して、該フォトレジスト のパターンを得て、 d) 該フォトレジストのパターンを、前記還元ガス遮断材料の層に転写させ、 e) 前記ガラスを還元ガス雰囲気に曝して、該ガラスを偏光させ、 f) 前記還元ガス遮断材料の層を除去して、下にある非偏光領域を露わにし、 それによって、該還元ガス遮断材料により保護されなかった領域が偏光性に される各工程からなることを特徴とする方法。 ２．前記パターンを形成する工程が、フォトリソグラフィーにより行われること を特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 ３．前記転写工程が、エッチング工程により行われることを特徴とする請求の範 囲第１項記載の方法。 ４．前記還元ガス雰囲気が、約350℃から約425℃までの温度および１気圧から20 0気圧までの範囲の圧力での還元ガスからなることを特徴とする請求の範囲第 １項記載の方法。 ５．前記還元ガスが、Ｈ₂、Ｄ₂、分解アンモニア、および成形ガスからなる群よ り選択されることを特徴とする請求の範囲第４項記載の方法。 ６．前記還元ガス遮断材料が、密な金属、酸化物および半導体からなる群より選 択されることを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 ７．前記密な金属が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、 およびＩｒからなる群より選択されることを特徴とする請求の範囲第６項記載 の方法。 ８．前記酸化物が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、お よびＩｒの酸化物からなる群より選択されることを特徴とする請求の範囲第６ 項記載の方法。 ９．前記還元ガス遮断材料の層が、約0.01μｍから約５μｍまでの範囲の厚さを 有することを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 10．前記還元ガス遮断材料の層が、シャドウマスクを通して付着されることを特 徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 11．偏光ガラス中に非偏光領域を形成する方法であって、 a) 伸張粒子を含む偏光層を有するガラスを提供し、 b) 該偏光層のある領域を熱的加熱処理に選択的に曝して、該領域中の伸張粒 子を再球体化させ、それによって、該領域のガラスを非偏光性にする各工程か らなることを特徴とする方法。 12．前記伸張粒子が、ｘが０から１までの間の値である、ＡｇＣｌ_xＢｒ_1-x、Ｃ ｕＣｌ_xＢｒ_1-x、Ｐｂホウ酸塩、ＡｇＩ、ＣｕＩおよびＣｕ／Ｃｄハロゲン化 物からなる群より選択されることを特徴とする請求の範囲第11項記載の方法。 13．前記熱的加熱が、少なくとも450℃の温度、好ましくは約500℃よりも高い温 度で行われることを特徴とする請求の範囲第11項記載の方法。 14．前記熱的加熱が、レーザ、電子ビーム、およびイオンビームからなる群より 選択される加熱源に前記領域を接触させることにより行われることを特徴とす る請求の範囲第11項記載の方法。 15．請求の範囲第11項記載の方法により形成された偏光領域および非偏光領域の パターンを有するガラス。 16．偏光領域および非偏光領域のパターンを有するガラスを形成する方法であっ て、 a) 偏光層を有するガラスを提供し、 b) レーザアブレーション、サンドブラスチング、レーザスクライビング、電 子ビーム衝撃、湿式エッチング、および乾式エッチングからなる群より選択さ れる方法を用いて、前記偏光層のある領域を選択的に除去する工程からなるこ とを特徴とする方法。