JP2001508546A - 充填高さ発信器 - Google Patents

充填高さ発信器

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、殊に自動車のタンクのための充填高さ発信器であって、抵抗回路網が定置の支持体に配置されており、液体のレベルに追随するフロートの位置に対応して抵抗回路網で出力信号が取り出されるようになっている形式のものに関する。摩耗なしに作動しかつ安価に製造可能な充填高さ発信器は、抵抗回路網（１４）に対置された接触構造体（１８）を有しており、接触構造体がフロート（２）によって運動可能な磁石装置（５）の作用下で変位可能であり、これによってフロート（２）の位置に関連した電気接続部が形成されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】 充填高さ発信器 本発明は、殊に自動車のタンクのための充填高さ発信器であって、抵抗回路網 が定置の支持体に配置されており、液体のレベルに追随するフロートの位置に対 応して抵抗回路網で出力信号が取り出されるようになっている形式のものに関す る。 前記形式の充填高さ発信器は搬送ユニットと関連して自動車タンク内に使用す るために公知である。このような充填高さ発信器は組み込まれた状態で自動車タ ンクの底部に支えられている。この場合、充填高さ発信器は直接に張水容器に配 置され若しくは発信器支持体上に配置されており、発信器支持体が張水容器に取 り付けられている。タンク内の充填高さに関連してフロートによってフロートレ バーを介して充填高さ発信器のスライド形ポテンシオメータ(Schleiferpotentio meter)が作動される。スライド形ポテンシオメータで、変化する充填高さに基づ き対応する電気信号が検出される。 このようなスライド形ポテンシオメータは機械的な構成部分の摩耗にさらされ 、かつ外部の影響に対して密閉しにくい。 従って本発明の課題は、充填高さ発信器を改善して 、該充填高さ発信器が低い摩耗で作動し、安価に製造可能であり、しかも高い精 度を有しているようにすることである。 前記課題を解決するために本発明の構成では、抵抗回路網に対応して接触構造 体(Kontaktstruktur)を配置してあり、接触構造体がフロートによって運動可能 な磁石装置の作用下で変位可能(auslenkbar)であり、これによってフロートの位 置に関連した電気接続部が形成されるようになっている。 本発明に基づく前記充填高さ発信器においては利点として、該充填高さ発信器 が完全に摩耗なしに作動する。さらに充填高さ発信器は高い接触確実性及び高い 分解能を有している。接触構造体は、何らかの形式で舌片状のばねエレメント(F ederelement)を有する構造体であってよく、この場合、ばねエレメントは個々に 取り付けられるか、若しくは複数のばねエレメントを結合して一体的な構造体と して形成されている。 有利には、抵抗回路網が基板に配置されており、抵抗回路網の接続点(Knotenp unkt)が、同じく基板に形成(aufbringen)された接触面に接続されている。接触 性の改善が、基板に形成された接触面によって行われ、これによって位置センサ の振動のない頑丈な構造が極めてわずかな寸法で可能であり、このことは特に自 動車内の使用にとって有利である。 別の構成では、基板に導体路が配置されており、各 導体路の端部が１つの接触面を形成している。 この場合、接触構造体は接触面に対して一定の間隔を置いて配置されており、 接触面が磁石装置の作用下で接触構造体に接触させられるようになっている。接 触構造体は、接触ばね構造体(Kontaktfederstruktur)であるか、若しくはセパレ ートな接触ばねから成っている。接触ばね構造体は一体的１つのたわみビーム構 造体であってもよい。 別の構成では、抵抗回路網は層状の抵抗路として形成されて、薄膜技術で若し くは厚膜技術で製造されてよい。導体路が部分的に抵抗路で被われており、各導 体路の端部が接触面を形成している 有利には、少なくとも接触面及び接触構造体が密な１つのケーシング内に密閉 されており、磁石装置が密なケーシングの外側で運動可能である。このような充 填高さ発信器は、該充填高さ発信器を取り囲む媒体に対して露出した接点を有し ていない。 別の構成では、抵抗回路網を支持する絶縁性の基板が同時にケーシング壁とし て用いられていて、ケーシングカバーを用いて密に閉じられている。従ってわず かな構成部分で充填高さ発信器を製造可能であり、このような充填高さ発信器は アグレッシブな周囲条件(aggressive Umgebungsbedingung)の影響を受けにくく 、燃料内への充填高さ発信器の沈め込みを可能にする。 磁石装置がケーシングの外側に対して予負荷されていて、従って軽く接触した 状態で運動可能であると、確実な作動が達成される。 別の構成が従属項に記載してある。 本発明では多くの実施例が可能であり、図面に基づき詳細に説明する。 図面： 図１は、充填高さ発信器を組み立てられた状態で示す図、 図２は、ポテンシオメータとして形成されたマグネット式の位置センサを示す図 、 図３は、導体路を備えた抵抗路の断面図、 図４は、充填高さ発信器の出力信号を示す図、 図５は、マグネット式の位置センサの回路図、 図６は、電気的な接続部の接触を示す図、及び 図７は、薄膜技術のマグネット式の位置センサを示す図である。 同じ構成部分にはすべての図面で同じ符号を付けてある。 図１には、張水容器(Schwalltopf)１内の本発明に基づく充填高さ発信器(Fuel lstandsgeber)が概略的に示してある。燃料によって生ぜしめられたレベルＮが 破線で示してある。 フロート２がフロートレバー３に結合されている。フロートレバー３は、フロ ート２と逆の側の端部に開 口４を有しており、該開口内で磁石５が伝力接続的(kraftschluessig)にスリー ブ６に配置されている。開口４から突出する磁石５はフロートレバー３を介して ケーシング(Gehaeuse)７，８の外側に対して予負荷(vorspannen)されており、従 って磁石５は軽く接触した状態でフロート２の位置に対応して運動可能である。 ケーシング７，８は絶縁性の基板(Substrat)７、及び該基板に密接にろう付け 、溶接、若しくは接着されたケーシングカバー８から成っている。基板７及びケ ーシングカバー８は、同じ若しくは類似の熱膨張係数を有する金属から成ってい る。ケーシング７，８は、発信器支持体(Gebertraeger)１０に配置されたクリッ プ装置(Clipseinrichtung)９を用いて固定されている。発信器支持体１０自体は 、図面には示してないものの、張水容器１に堅く結合されている。基板７から、 ケーシング７，８内に組み込まれたマグネット式の位置センサ(magnetischer Po sitionssensor)の電気的な接続部１１，１２，１３が導き出されている。ケーシ ング７，８内に配置されたマグネット式の位置センサは、図２を用いて説明する 。 マグネット式の位置センサが図２ａにベース上に配置された厚い層から成る円 弧形のポテンシオメータの形で分解して示してある。図２ｂは組み立てられた状 態の位置センサの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。 非磁性の基板７が、層状の抵抗路(schichfoermige Widerstandsbahn)１４の形 の抵抗回路網(Widerstands netzwerk)を保持しており、抵抗路が電気的な接続部 １１，１２間を延びている。 抵抗路１４の下側で基板７上に複数の導体路１５が配置されている。導体路１ ５は部分的に抵抗路１４によって被われている。この場合、各導体路１５の、抵 抗路によって被われない端部が接触面１６を形成しており、接触面が金若しくは 銀で被覆されている。 図３の断面図に示してあるように、導体路１５が抵抗路１４の領域で該抵抗路 １４によって完全に取り囲まれて、確実な電気接触を保証されている。図２に示 してあるように、基板７上で抵抗路１４に重ね合わせてスペーサ１７が配置され ており、スペーサ上に軟磁性のシート(weichmagnetische Folie)の形の一体的な 櫛形のたわみビーム構造体(Biegebalkenstruktur)１８が取り付けられている。 選択的にたわみビーム構造体１８は非磁性の材料から成っていてよく、該材料 が磁性の層を備えていてよい。 櫛形の軟磁性のたわみビーム構造体１８は、片側で支持されて自由に運動可能 なたわみビーム(Biegebalken)１９を有している。たわみビーム１９は接触抵抗 の減少のために金層若しくは銀層で電気めっきされている。 スペーサ１７が、たわみビーム構造体１８の自由に運動可能な端部を接触面１ ６に対して規定された間隔に保っている。 たわみビーム１９の自由に運動可能な端部は接触面１６に対して重なるように 配置されている。この場合、軟磁性のシートとして形成されたたわみビーム構造 体１８自体が導電性であり、外側に位置する電気的な接続部１３に接続している 。 抵抗路１４は、既に述べたように接続部１１，１２を介してアース及び運転電 圧源(Betriebsspannung)ＵBに接続されている。位置センサの信号電圧ＵAUSが電 気的な接続部１３を介して検出可能であり、該接続部がたわみビーム構造体１８ に接続されている。信号電圧ＵAUSは０ＶからＵBまでの範囲で変化して、永久磁 石５の位置を示している。 ケーシング７，８の外側で抵抗路１４を保持する基板の、ケーシングと逆の側 に対して運動可能に配置された永久磁石５が、片側で支持されたたわみビーム１ ９の自由に運動可能な端部１９と接触面１６とのオーバーラップの領域で運動さ せられる。この場合、永久磁石５はケーシング外側、例えば基板外側に沿って接 触した状態で運動可能であるようにばねを用いて予負荷されていてよい。 たわみビーム構造体１８のたわみビーム１９の自由に運動可能な端部が、永久 磁石５の磁場によって接触 面１６に引き付けられて、接触させられる。永久磁石５の位置に対応して、抵抗 回路網の所属の抵抗器への電気接続が生ぜしめられて、該位置に対応する信号電 圧ＵAUSが検出される。この場合、図４に示すように、段階的な出力信号が生ぜ しめられる。 永久磁石５の幅は、たわみビーム構造体１８の隣接する自由に運動可能な複数 の端部１９を同時に対応する接触面１６と接触させ、これによって重複的に作用 させて、その結果、接触中断、ひいては測定機構の完全な信号欠落を引き起こさ ないように規定されている。このことは図５に位置センサの回路図で明瞭に示し てある。 抵抗回路網１４の個別抵抗器(Einzelwiderstand)は、示してあるように路(Bah n)として、若しくはセパレートな個別抵抗器として形成されていてよい。 たわみビームエレメント(Biegebalkenelement)１９と導体路１５の接触面１６ との接触がスイッチ２０の閉鎖を生ぜしめ、これによって出力信号(Ausgangssig nal)ＵAUSが形成される。 スペーサ１７がガス発生のない自己接着性(selbstklebend)及び耐熱性のシー トを用いてたわみビーム構造体１８にも基板７にも固定されている。直接的な電 気接続のためにスペーサ１７は金属で形成されていてよい。 スペーサ１７が有利には基板７と同じ材料から形成 されていてもよい。 横方向に曲げられたたわみビーム構造体(eine quergebogene Biegebalkenstru ktur)１８が、たわみビーム１９と接触面１６との間のスペースを得るために使 用されてよい。 抵抗路１４及び軟磁性のシート１８を保持する絶縁性の基板７は、セラミック プレートから成っている。しかしながら、ガラス支持体、プラスチック支持体若 しくはグラス被覆若しくは絶縁被覆された金属プレート、並びに珪素若しくはエ ポキシド・基板材料の使用も考えられる。 抵抗路１４、導体路１５、スペーサ１７並びにたわみビーム構造体１８を保持 する絶縁性の基板７は、同時に位置センサのケーシング壁(Gehaeusewandung)と して用いられており、該ケーシング壁がケーシングカバー８(Gehaeuseabdeckung )によって閉じられる。 金属製のケーシングカバー８を用いる場合には、該カバーが腐食防止のため、 及びろう付けの改善のためにすずめっき(verzinnen)されていてよい。 金属製のケーシングカバー８の代わりに、メタライジング(metallisieren)さ れたろう付け可能なセラミックカバーも使用可能である。 別の可能性がケーシングカバー８を基板７に接着剤若しくは溶融シート(Schme lzfolie)を用いて接着することにある。 絶縁性の基板１上に環状の縁部としてのメタライジングされた層２２が、位置 センサの被包(Verkapselung)のために用いられる。ろう付けの改善のために、金 属層(Metallschicht)２２がすずめっきされる。 電気的な接続部１１，１２，１３の形成のために、ピン(Stift)が絶縁性の基 板７を通して案内されて、そこで気密にシールされ、これによって耐食的に抵抗 路１４若しくはたわみビーム構造体１８にろう付け若しくは溶接される。 しかしながら選択的に、接続線材(Verbindungsdraht)２３がぞれぞれ１つの密 なガラス貫通部(Glasdurch fuehrung)２７を介して外側へ導かれてよく、この場 合各ガラス貫通部が基板７若しくはケーシングカバー８を通して導かれる。 図６に示してあるように、別の実施例で基板７（若しくはケーシングカバー８ ）の電気的な接続部、例えば接続部１１のための貫通孔(Durchfuehrungsloch)が 、接続線材なしにろう付け材２４を貫通孔内に充填することによって密閉されて よい。生じたろう付け点(Loetpunkt)２５が同時に、外側から導かれた線材２３ のための電気的な接続部として用いられる。これによって、貫通孔を通って位置 センサ内へ湿気の侵入することが確実に防止される。抵抗回路網１４は、基板７ 上に配置された接続導体路２１を介してろう付け材のろう付け点２５ａに接続さ れている。 ケーシングカバー８の環状の縁部２６の領域で、基板７とケーシングカバー８ とが、既に述べたようにメタライジングされた層２２を介してろう付け、溶接若 しくは接着されている。 前述の一体的なたわみビーム構造体１８の代わりに、個別のたわみビームエレ メント(Biegebalkenelement)が用いられてよい。個別のたわみビームエレメント も軟磁性のシートから成っていて導電的(elektrischleitfaehig)に形成されてい る。たわみビームエレメントが同じく自己接着性のシートを用いてスペーサ１７ に固定される。たわみビームエレメントは、付加的な補助手段なしに磁気作用の 弱まった際に固有のばね力によって戻るように寸法を規定されている。このよう な自動的な戻りは、前述のたわみビーム構造体にも当てはまる。 たわみビームエレメントが位置信号(Positionssignal)ＵAUSの供給のための接 続部１３に電気的に接続されている。たわみビームエレメントは軟磁性の材料若 しくは非磁性の材料から成っており、非磁性の材料は磁性の層を備えている。こ の場合、たわみビームエレメントは同じく部分的に貴金属層(Edelmetallschicht )で被覆されている。 マグネット式の位置センサは、既に述べたように簡単に厚膜技術(Dickschicht technik)によって製造可能である。この場合、層の厚さは５〜５０μｍであり、 幅はほぼ０．２ｍｍであり、かつ長さがほぼ１００ｍｍである。層は公知の厚膜 技術でスクリーン印刷(Siebdruck)によって形成されて、次いで焼き付けられる 。 位置センサの抵抗回路網１４は基板上に薄膜技術(Duennschichttechnik)で形 成されてよい。この場合、層厚さは一般的に０．５乃至２μｍであり、層幅は５ μｍと５ｍｍとの間で選ばれ、層長さが１ｍｍ乃至１００ｍｍである。 導体路１５は基板７と抵抗路(Widerstandsbahn)１４との間に位置しているか 若しくは抵抗路１４が直接に基板７上に配置されており、導体路１５が記載の配 列では抵抗路１４上に配置されている。これによって利点として、導体路１５の 面全体が接触面１６として使用可能である。抵抗路１４及び接触面１６を１つの レイアウトで基板上に形成することも考えられる（図７ａ）。この場合、抵抗路 １４は蛇行構造(maeanderfoermige Struktur)を有しており、これによって個別 抵抗器への抵抗路１４の改善された区分けが可能である。各蛇行区分にそれぞれ １つの接触面１６が一体的に接続している。図７ｂに示すたわみビーム構造体１ ８においてはたわみビーム１９が中間部分を狭めて形成されており、これによっ て個別のたわみビームの運動が改善される。 充填高さ発信器のために、マグネット式の位置発信 器の図示の実施例の他に、直線的に形成されたマグネット式の位置発信器も考え られる。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年４月７日（１９９９．４．７） 【補正内容】 請求の範囲 2. 基板（７）に複数の導体路（１５）が配置されており、各導体路（１５） の１つの端部が１つの接触面（１６）を形成している請求項１記載の充填高さ発 信器。 3. 接触構造体（１８）が接触面（１６）に対して一定の間隔を置いて配置さ れており、接触面が磁石装置（５）の作用下で接触構造体（１８）に接触させら れるようになっている請求項１又は２記載の充填高さ発信器。 4. 接触構造体（１８）が接触ばね構造体である請求項１又は３記載の充填高 さ発信器。 5. 接触ばね構造体がセパレートな接触ばねから成っている請求項４記載の充 填高さ発信器。 6. 接触ばね構造体が一体的なたわみビーム構造体である請求項４記載の充填 高さ発信器。 7. 接触ばね構造体が軟磁性の材料から成っている請求項４から６のいずれか １項記載の充填高さ発信器。 8. 接触ばね構造体が非磁性の材料から成っており、該材料が磁性の少なくと も１つの磁性の層を備えている請求項４から６のいずれか１項記載の充填高さ発 信器。 9. 抵抗回路網（１４）が層状の抵抗路として形成 されている請求項１又は２記載の充填高さ発信器。 10．抵抗回路網（１４）が蛇行構造を有している請求項９記載の充填高さ発信 器。 11．抵抗回路網（１４）が直接に蛇行構造に接続している請求項１０記載の充 填高さ発信器。 12．抵抗回路網（１４）が薄膜技術で形成されている請求項９、１０又は１１ 記載の充填高さ発信器。 13．抵抗回路網（１４）が厚膜技術で形成されている請求項９記載の充填高さ 発信器。 14．導体路（１５）が完全に若しくは部分的に抵抗路（１４）に配置されてい る請求項９から１３のいずれか１項記載の充填高さ発信器。 15．導体路（１５）が部分的に抵抗路（１４）で被われており、各導体路（１ ５）の、抵抗路によって被われない１つの端部が接触面（１６）を形成している 請求項２又は９記載の充填高さ発信器。 16．導体路（１５）が抵抗回路網（１４）の個別抵抗器よりも低い抵抗で形成 されている請求項１５記載の充填高さ発信器。 17．少なくとも接触面（１６）及び接触構造体（１８）が密なケーシング（７ ，８）内に閉じ込められており、磁石装置（５）が密なケーシング（７，８）の 外側で運動可能である請求項１から１６のいずれか１項記載の充填高さ発信器。 18．磁石装置（５）がケーシング（７，８）の外側 に対して予負荷されていて、従って軽く接触した状態で運動可能である請求項１ ７記載の充填高さ発信器。 19．予負荷がばねエレメントによって生ぜしめられるようになっており、ばね エレメントが同時に磁石装置（５）の受容のために役立っている請求項１８記載 の充填高さ発信器。 20．抵抗回路網（１４）の電気的な接続部（１０，１１，１２）及び接触ばね 構造体（１８）の電気的な接続部（１３）がシールして外側へ導かれている請求 項１記載の充填高さ発信器。 21．フロート（２）がフロートレバー（３）を介して磁石装置（５）に結合さ れている請求項１記載の充填高さ発信器。 22．フロートレバー（３）が同時に磁石装置（５）の受容のために役立ってい る請求項２１記載の充填高さ発信器。 【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年４月１７日（１９９９．４．１７） 【補正内容】 明細書 充填高さ発信器 本発明は、殊に自動車のタンクのための充填高さ発信器であって、抵抗回路網 が定置の支持体に配置されており、液体のレベルに追随するフロートの位置に対 応して抵抗回路網で出力信号が取り出されるようになっている形式のものに関す る。 前記形式の充填高さ発信器は搬送ユニットと関連して自動車タンク内に使用す るために公知である。このような充填高さ発信器は組み込まれた状態で自動車タ ンクの底部に支えられている。この場合、充填高さ発信器は直接に張水容器に配 置され若しくは発信器支持体上に配置されており、発信器支持体が張水容器に取 り付けられている。タンク内の充填高さに関連してフロートによってフロートレ バーを介して充填高さ発信器のスライド形ポテンシオメータ(Schleiferpotentio meter)が作動される。スライド形ポテンシオメータで、変化する充填高さに基づ き対応する電気信号が検出される。 国際公開第９４／２７１１９Ａ１号明細書により、変化可能な抵抗を備えた充 填高さ発信器が公知である。フロートを用いてセンサマグネットを運動させるよ うになっており、センサマグネットが接触構造体に結 合されており、接触構造体の接触エレメントがスライド形ポテンシオメータ上を スライドする。スライド形ポテンシオメータの抵抗回路網が導体プレートに配置 されており、抵抗回路網で出力信号が液体のレベルに関連して取り出し可能であ る。 このようなスライド形ポテンシオメータの機械的な構成部分の摩耗の欠点を避 けるために、国際公開第８１／０３０７７号明細書により、平らな抵抗層及び該 抵抗層に対して間隔を置いて配置されたマグネット式の接触構造体から成る変化 可能な抵抗器が公知である。１つの磁石の位置に関連して、接触構造体の部分が 抵抗層に引き付けられて、電気的な接続部を形成する。このような装置は外部の 影響に対して密閉しにくい。 従って本発明の課題は、充填高さ発信器を改善して、該充填高さ発信器が低い 摩耗で作動し、安価に製造可能であり、高い精度を有し、かつ外部の影響に対し てシールされているようにすることである。 前記課題が本発明に基づき請求項１の構成によって解決される。 本発明に基づく前記充填高さ発信器においては利点として、該充填高さ発信器 が完全に摩耗なしに作動する。さらに充填高さ発信器は高い接触確実性及び高い 分解能を有している。接触構造体は、何らかの形式で舌片状のばねエレメント(F ederelement)を有する構造 体であってよく、この場合、ばねエレメントは個々に取り付けられるか、若しく は複数のばねエレメントを結合して一体的な構造体として形成されている。 接触性の改善が、基板に形成された接触面によって行われ、これによって位置 センサの振動のない頑丈な構造が極めてわずかな寸法で可能であり、このことは 特に自動車内の使用にとって有利である。 絶縁性の基板をケーシング壁として使用することに基づき、わずかな構成部分 で充填高さ発信器を製造可能であり、このような充填高さ発信器はアグレッシブ な周囲条件(aggressive Umgebungsbedingung)の影響を受けにくく、燃料内への 充填高さ発信器の沈め込みを可能にする。 別の構成では、基板に導体路が配置されており、各導体路の端部が１つの接触 面を形成している。 この場合、接触構造体は接触面に対して一定の間隔を置いて配置されており、 接触面が磁石装置の作用下で接触構造体に接触させられるようになっている。接 触構造体は、接触ばね構造体(Kontaktfederstruktur)であるか、若しくはセパレ ートな接触ばねから成っている。接触ばね構造体は一体的な１つのたわみビーム 構造体であってもよい。 別の構成では、抵抗回路網は層状の抵抗路として形成されて、薄膜技術で若し くは厚膜技術で製造されてよい。導体路が部分的に抵抗路で被われており、各導 体路の端部が接触面を形成している 有利には、少なくとも接触面及び接触構造体が密な１つのケーシング内に密閉 されており、磁石装置が密なケーシングの外側で運動可能である。このような充 填高さ発信器は、該充填高さ発信器を取り囲む媒体に対して露出した接点を有し ていない。 磁石装置がケーシングの外側に対して予負荷されていて、従って軽く接触した 状態で運動可能であると、確実な作動が達成される。 別の構成が従属項に記載してある。 本発明では多くの実施例が可能であり、図面に基づき詳細に説明する。 図面： 図１は、充填高さ発信器を組み立てられた状態で示す図、 図２は、ポテンシオメータとして形成されたマグネット式の位置センサを示す図 、 図３は、導体路を備えた抵抗路の断面図、 図４は、充填高さ発信器の出力信号を示す図、 図５は、マグネット式の位置センサの回路図、 図６は、電気的な接続部の接触を示す図、及び 請求の範囲 1. 充填高さ発信器、殊に自動車のタンクのためのものであり、抵抗回路網が 定置の支持体に配置されており、液体のレベルに追随するフロートの位置に対応 して抵抗回路網で出力信号が取り出されるようになっている形式のものにおいて 、抵抗回路網（１４）に対応して間隔を置いて接触構造体（１８）を配置してあ り、接触構造体がフロート（２）によって運動可能な磁石装置（５）の作用下で 変位可能であり、これによってフロート（２）の位置に関連した電気接続部が形 成されるようになっており、抵抗回路網（１４）が絶縁性の基板（７）に配置さ れており、抵抗回路網（１４）の接続点が同じく基板（７）に形成された接触面 （１６）に接続されており、絶縁性の基板（７）が同時にケーシング壁として役 立っていて、かつ抵抗回路網（１４）、接触面（１６）及び接触構造体（１８） を取り囲むケーシングカバー（８）によって密に閉鎖されていることを特徴とす る充填高さ発信器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 充填高さ発信器、殊に自動車のタンクのためのものであり、抵抗回路網が 定置の支持体に配置されており、液体のレベルに追随するフロートの位置に対応 して抵抗回路網で出力信号が取り出されるようになっている形式のものにおいて 、抵抗回路網（１４）に対応して接触構造体（１８）を配置してあり、接触構造 体がフロート（２）によって運動可能な磁石装置（５）の作用下で変位可能であ り、これによってフロート（２）の位置に関連した電気接続部が形成されるよう になっていることを特徴とする充填高さ発信器。 2. 抵抗回路網（１４）が基板（７）に配置されており、抵抗回路網（１４） の接続点が、同じく基板（７）に形成された接触面（１６）に接続されている請 求項１記載の充填高さ発信器。 3. 基板（７）に複数の導体路（１５）が配置されており、各導体路（１５） の１つの端部が１つの接触面（１６）を形成している請求項１又は２記載の充填 高さ発信器。 4. 接触構造体（１８）が接触面（１６）に対して一定の間隔を置いて配置さ れており、接触面が磁石装置（５）の作用下で接触構造体（１８）に接触させら れるようになっている請求項２又は３記載の充填高さ発信器。 5. 接触構造体（１８）が接触ばね構造体である請求項１又は４記載の充填高 さ発信器。 6. 接触ばね構造体がセパレートな接触ばねから成っている請求項５記載の充 填高さ発信器。 7. 接触ばね構造体が一体的なたわみビーム構造体である請求項５記載の充填 高さ発信器。 8. 接触ばね構造体が軟磁性の材料から成っている請求項５から７のいずれか １項記載の充填高さ発信器。 9. 接触ばね構造体が非磁性の材料から成っており、該材料が磁性の少なくと も１つの磁性の層を備えている請求項５から７のいずれか１項記載の充填高さ発 信器。 10．抵抗回路網（１４）が層状の抵抗路として形成されている請求項１、２又 は３記載の充填高さ発信器。 11．抵抗回路網（１４）が蛇行構造を有している請求項１０記載の充填高さ発 信器。 12．抵抗回路網（１４）が直接に蛇行構造に接続している請求項１１記載の充 填高さ発信器。 13．抵抗回路網（１４）が薄膜技術で形成されている請求項１０、１１又は１ ２記載の充填高さ発信器。 14．抵抗回路網（１４）が厚膜技術で形成されている請求項１０記載の充填高 さ発信器。 15．導体路（１５）が完全に若しくは部分的に抵抗 路（１４）に配置されている請求項１０から１４のいずれか１項記載の充填高さ 発信器。 16．導体路（１５）が部分的に抵抗路（１４）で被われており、各導体路（１ ５）の、抵抗路によって被われない１つの端部が接触面（１６）を形成している 請求項３又は１０記載の充填高さ発信器。 17．導体路（１５）が抵抗回路網（１４）の個別抵抗器よりも低い抵抗で形成 されている請求項１６記載の充填高さ発信器。 18．少なくとも接触面（１６）及び接触構造体（１８）が密なケーシング（７ ，８）内に閉じ込められており、磁石装置（５）が密なケーシング（７，８）の 外側で運動可能である請求項１から１７のいずれか１項記載の充填高さ発信器。 19．絶縁性の基板（７）が同時にケーシング壁として用いられていて、ケーシ ングカバー（８）を用いて密に閉じられている請求項１８記載の充填高さ発信器 。 20．磁石装置（５）がケーシング（７，８）の外側に対して予負荷されていて 、従って軽く接触した状態で運動可能である請求項１８記載の充填高さ発信器。 21．予負荷がばねエレメントによって形成されており、ばねエレメントが同時 に磁石装置（５）の受容のために役立っている請求項２０記載の充填高さ発信器 。 22．抵抗回路網（１４）の電気的な接続部（１０，１１，１２）及び接触ばね 構造体（１８）の電気的な接続部（１３）がシールして外側へ導かれている請求 項１記載の充填高さ発信器。 23．フロート（２）がフロートレバー（３）を介して磁石装置（５）に結合さ れている請求項１記載の充填高さ発信器。 24．フロートレバー（３）が同時に磁石装置（５）の受容のために役立ってい る請求項２３記載の充填高さ発信器。
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