JP2001507073A - 半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物 - Google Patents
半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物Info
- Publication number
- JP2001507073A JP2001507073A JP52907198A JP52907198A JP2001507073A JP 2001507073 A JP2001507073 A JP 2001507073A JP 52907198 A JP52907198 A JP 52907198A JP 52907198 A JP52907198 A JP 52907198A JP 2001507073 A JP2001507073 A JP 2001507073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- chelating agent
- pentanedione
- cleaning formulation
- pmdeta
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/266—Esters or carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3263—Amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.半導体製品のプラズマ灰化後に用いるための半導体ウェハー洗浄処方物で あって、以下の成分を示された重量パーセントの範囲で含有する、処方物: 有機アミン 2〜98% 水 0〜50% 1,3-ジカルボニル化合物キレート剤 0.1〜60% 第2のあるいは代わりのキレート剤 0〜25% 極性有機溶媒 2〜98%。 2.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記有機アミンは、以下 からなる群から選択される、処方物: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) 5〜95% トリエタノールアミン(TEA) 5〜95%。 3.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記1,3-ジカルボニル化 合物キレート剤は、以下からなる群から選択される、処方物: 2,4-ペンタンジオン 2〜90% メチルアセトアセテート 15〜70% マロン酸ジメチル 10〜48.3%。 4.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記極性有機溶媒は、以 下からなる群から選択される、処方物: エチレングリコール 0〜74% N-メチルピロロドン(NMP) 0〜49% スルホラン 0〜10%。 5.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記第2のあるいは代わ りのキレート剤は、以下からなる群から選択される、処方物: アンモニウムピロリジンジチオカルバメート 0〜25% アンモニウムカルバメート 0〜15% アンモニウムオキサレート 0〜15% アンモニウムチオシアネート 0〜15% アンモニウムチオスルフェート 0〜15% トリフルオロ酢酸 0〜12%。 6.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記有機アミンは、以下 からなる群から選択される、処方物: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) トリエタノールアミン(TEA) ジアザビシクロ(2.2.2)オクタン ジエチレントリアミン 3,3'-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン) N-メチルイミダゾール テトラエチレンペンタアミン トリエチレンテトラアミン トリメトキシエトキシエチルアミン ジエタノールアミン メチルジエタノールアミン テトラメチルヘキサンジアミン N,N-ジエチルエタノールアミン。 7.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記1,3-ジカルボニル化 合物キレート剤は、以下からなる群から選択される、処方物: 2,4-ペンタンジオン メチルアセトアセテート マロン酸ジメチル N-メチルアセトアセトアミド アセトアセトアミド マロンアミド。 8.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記有機アミンは、以下 からなる群から選択され: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) 5〜95% トリエタノールアミン(TEA) 5〜95% 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート剤は、以下からなる群から選択され: 2,4-ペンタンジオン 2〜90% メチルアセトアセテート 15〜70% マロン酸ジメチル 10〜48.3% そして前記極性有機溶媒は、以下からなる群から選択される、処方物: エチレングリコール 0〜74% N-メチルピロロドン(NMP) 0〜49% スルホラン 0〜10%。 9.請求項1に記載の洗浄処方物であって、ここで、前記キレート剤は、以下 の一般的な構造を有する: X-CHR-Y、ここで、 Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている多重結合部分を含有す る官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH2、CONHR'、CN、NO2、SOR'、SO2Z であり得、ここでR'はアルキル基を表し、そしてZは他の原子または基を表し、 そしてここでxおよびYは、同一であってもよくまたは異なってもよい、処方物 。 10.請求項1に記載の洗浄処方物であって、以下を含む、処方物: PMDETA 40〜55% 2,4−ペンタンジオン 15〜20% 水 26.7〜45%。 11.請求項1に記載の洗浄処方物であって、以下を含む、処方物: TEA 40% 2,4-ペンタンジオン 15% 水 45%。 12.請求項1に記載の洗浄処方物であって、以下を含む、処方物: PMDETA 11.7〜40% 2,4-ペンタンジオン 15〜40% エチレングリコール 45〜48.3%。 13.請求項1に記載の洗浄処方物であって、以下を含む、処方物: PMDETA 11.7% 2,4-ペンタンジオン 40% NMP 48.3%。 14.半導体ウェハーを製作するための方法であって、以下の工程を包含する 、方法: 該ウェハーの表面から金属化した層をプラズマエッチングする、工程; 該金属をエッチングする工程の後に、該ウェハー表面からレジストをプラズマ 灰化する、工程; 以下の成分を示された重量パーセントの範囲で含有する化学処方物を用いて、 続く工程で、該ウェハーを洗浄する、工程: 有機アミン 2〜98% 水 0〜50% 1,3-ジカルボニル化合物キレート剤 0.1〜60% 第2のあるいは代わりのキレート剤 0〜25% 極性有機溶媒 2〜98%。 15.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記有機アミンは以下から なる群から選択される、方法: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) 5〜95% トリエタノールアミン(TEA) 5〜95%。 16.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記1,3-ジカルボニル化合 物キレート剤は以下からなる群から選択される、方法: 2,4-ペンタンジオン 2〜90% メチルアセトアセテート 15〜70% マロン酸ジメチル 10〜48.3%。 17.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記極性有機溶媒は以下か らなる群から選択される、方法: エチレングリコール 0〜74% N-メチルピロロドン(NMP) 0〜49% スルホラン 0〜10%。 18.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記第2のまたは代わりの キレート剤は以下からなる群から選択される、方法: アンモニウムピロリジンジチオカルバメート 0〜25% アンモニウムカルバメート 0〜15% アンモニウムオキサレート 0〜15% アンモニウムチオシアネート 0〜15% アンモニウムチオスルフェート 0〜15% トリフルオロ酢酸 0〜12%。 19.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記有機アミンは以下から なる群から選択される、方法: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) トリエタノールアミン(TEA) ジアザビシクロ(2.2.2)オクタン ジエチレントリアミン 3,3'-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン) N-メチルイミダゾール テトラエチレンペンタアミン トリエチレンテトラアミン トリメトキシエトキシエチルアミン ジエタノールアミン メチルジエタノールアミン テトラメチルヘキサンジアミン N,N-ジエチルエタノールアミン。 20.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記1,3-ジカルボニル化合 物キレート剤は以下からなる群から選択される、方法: 2,4-ペンタンジオン メチルアセトアセテート マロン酸ジメチル N-メチルアセトアセトアミド アセトアセトアミド マロンアミド。 21.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記有機アミンは以下から なる群から選択され: ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA) 5〜95% トリエタノールアミン(TEA) 5〜95% 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート剤は、以下からなる群から選択され: 2,4-ペンタンジオン 2〜90% メチルアセトアセテート 15〜70% マロン酸ジメチル 10〜48.3% そして前記極性有機溶媒は、以下からなる群から選択される、方法: エチレングリコール 0〜74% N-メチルピロロドン(NMP) 0〜49% スルホラン 0〜10%。 22.請求項14に記載の方法であって、ここで、前記キレート剤は以下の一 般的な構造を有する、方法: X-CHR-Y、ここで、 Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている多重結合部分を含有す る官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH2、CONHR'、CN、NO2、SOR'、SO2Z であり得、ここでR'はアルキル基を表し、そしてZは他の原子または基を表し、 そしてここでXおよびYは、同一であってもよくまたは異なってもよい、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3414496P | 1996-12-24 | 1996-12-24 | |
US60/034,144 | 1996-12-24 | ||
US4482697P | 1997-04-25 | 1997-04-25 | |
US60/044,826 | 1997-04-25 | ||
PCT/US1997/023917 WO1998028395A1 (en) | 1996-12-24 | 1997-12-23 | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001507073A true JP2001507073A (ja) | 2001-05-29 |
JP4386968B2 JP4386968B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=26710611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52907198A Expired - Fee Related JP4386968B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-23 | 半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4386968B2 (ja) |
WO (1) | WO1998028395A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031890A (ja) * | 2001-12-05 | 2004-01-29 | Advanced Technol Materials Inc | 銅構造物を含有する半導体基板から残留物を除去するための1,3−ジカルボニル化合物キレート化剤及び銅防蝕剤を含む組成物 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7534752B2 (en) * | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
US6211126B1 (en) * | 1997-12-23 | 2001-04-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates |
DE19901002B4 (de) * | 1999-01-13 | 2005-09-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
US6344432B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03219000A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-09-26 | Nippon Steel Corp | シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法 |
JPH0457897A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JPH0457898A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Kao Corp | 水系洗浄剤組成物 |
JPH06266119A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-09-22 | Ekc Technol Inc | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤 |
JPH07173660A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属部品の乾燥仕上げ方法 |
JPH08305038A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Ocg Microelectron Materials Inc | キレート剤を含有するホトレジストストリッパー組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4431457A (en) * | 1982-06-29 | 1984-02-14 | Phillips Petroleum Company | Process for cleaning metal surfaces of poly(arylene sulfide) deposits |
US5236552A (en) * | 1992-04-13 | 1993-08-17 | At&T Bell Laboratories | Photoresist stripping method |
JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
US5719253A (en) * | 1994-10-07 | 1998-02-17 | Unitika Ltd. | Poly(amic acid) solution and polyimide film or polymide-coated material obtained therefrom |
DE69636618T2 (de) * | 1995-07-27 | 2007-08-30 | Mitsubishi Chemical Corp. | Verfahren zur behandlung einer substratoberfläche und behandlungsmittel hierfür |
-
1997
- 1997-12-23 WO PCT/US1997/023917 patent/WO1998028395A1/en active Application Filing
- 1997-12-23 JP JP52907198A patent/JP4386968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03219000A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-09-26 | Nippon Steel Corp | シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法 |
JPH0457897A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JPH0457898A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Kao Corp | 水系洗浄剤組成物 |
JPH06266119A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-09-22 | Ekc Technol Inc | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤 |
JPH07173660A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属部品の乾燥仕上げ方法 |
JPH08305038A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Ocg Microelectron Materials Inc | キレート剤を含有するホトレジストストリッパー組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031890A (ja) * | 2001-12-05 | 2004-01-29 | Advanced Technol Materials Inc | 銅構造物を含有する半導体基板から残留物を除去するための1,3−ジカルボニル化合物キレート化剤及び銅防蝕剤を含む組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4386968B2 (ja) | 2009-12-16 |
WO1998028395A1 (en) | 1998-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6211126B1 (en) | Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates | |
US9957469B2 (en) | Copper corrosion inhibition system | |
US6492311B2 (en) | Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process | |
US6224785B1 (en) | Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates | |
US7662762B2 (en) | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates | |
JP4104439B2 (ja) | 銅構造物を含有する半導体基板から残留物を除去するための1,3−ジカルボニル化合物キレート化剤及び銅防蝕剤を含む組成物 | |
KR100368193B1 (ko) | 수성 세정 조성물 | |
US6306807B1 (en) | Boric acid containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates | |
JP4091433B2 (ja) | 1,3−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物 | |
JP3796622B2 (ja) | 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物 | |
KR100540525B1 (ko) | 세정용 조성물 | |
CN107022421B (zh) | 清洗方法、及半导体装置的制造方法 | |
JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
WO1998040453A1 (en) | Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process | |
JP4270544B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP2005502734A (ja) | 半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物 | |
WO1998030667A1 (en) | Semiconductor wafer cleaning composition and method with aqueous ammonium fluoride and amine | |
JP4386968B2 (ja) | 半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物 | |
EP1044251A1 (en) | Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates | |
WO1998022568A1 (en) | Stripping formulation including catechol, hydroxylamine, non-alkanolamine, water for post plasma ashed wafer cleaning | |
JP5407121B2 (ja) | 洗浄剤組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061018 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071113 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080128 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080111 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090630 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |