JP2001504392A - ガスナイフ冷却システム - Google Patents

ガスナイフ冷却システム

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JP2001504392A JP53435896A JP53435896A JP2001504392A JP 2001504392 A JP2001504392 A JP 2001504392A JP 53435896 A JP53435896 A JP 53435896A JP 53435896 A JP53435896 A JP 53435896A JP 2001504392 A JP2001504392 A JP 2001504392A
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Abstract

(57)【要約】 リフローはんだ付用のガスナイフ冷却システムは、はんだ付された物品(12)に対して直接ガスの流れを衝突させることによって該物品を冷却するので、結果として用いる冷却ガスが少ない。ヒータ(32)は該冷却システムと関連してフラックスデポジットを除去する。この冷却システムは、リフローはんだ付装置の冷却セクション(18)に設置され、かつコンベア(14)上を冷却セクション(18)を通って運ばれるはんだ付された物品(12)に対してガスの流れを向ける少なくとも1つのガスナイフ(24、25)を備える。ヒータ(32)は、予め定められた清浄化サイクルの間能動化されて、ガスナイフ(24、25)を、はんだ付された製品(12)からのフラックスデポジットのフラックス蒸発温度より高い温度まで加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】 ガスナイフ冷却システム 本発明は、リフローはんだ付に関し、かつより特定的にははんだ付直後に被は んだ付物品を冷却する技術に関する。 プリント配線基板アセンブリは、はんだ付された物品の温度をはんだの溶融温 度より低くするために、リフローはんだ付の後冷却される。リフローはんだ付に おいては、はんだ付する物品をまずフラックスを含むはんだペーストで覆い、こ れを少なくとも1つの加熱ゾーンにおいて加熱して、はんだが溶融しかつフラッ クスが液化して該はんだがはんだ付をする接合箇所または領域に流入し、これを 覆うことができるようにする。加熱の後、はんだ付された物品は冷却セクション へ送られ、そこではんだをその溶融温度未満に冷却して、回路基板アセンブリ上 のはんだを硬化させる。多くの場合、はんだの上には、冷却セクションで形成さ れる液体または固体のフラックス付着堆積物(デポジット)もいくらか存在する 。 リフローはんだ付装置の一例が、デアンブロ(Deambrosio)の米国特許第5、 125、556号に開示されており、またリフローはんだ付システムのための冷 却装置の一例が、ペアレント(Parent)他の米国特許第4、912、857号に 開示されている。同冷却装置は概ね別個のセクションであって、熱交換器を介し て、ファンまたはブロアにより移動する雰囲気ガスを取り込む。雰囲気ガスの再 循環によって、熱交換器およびフローアクチュエータ内のフラックスデポジット に関する問題が生じる。これらデポジットによって、熱交換器とフローアクチュ エータの詰まりが生じ、それにより経時的冷却性能の劣化が起こり得る。これに よりメンテナンスおよび装置の休止時間が増大する。 冷却セクションにおけるフラックスデポジットを減らすためにさまざまな方法 が試みられている。1つの方法としフィルタ処理システムがあり、この場合リフ ロー加熱ゾーン内のガスは冷却ゾーンに入る前にフィルタ処理媒体を通される。 気相にあるフラックス成分をフィルタ処理して除去することは困難なため、この 技術はかならずしも常に有効と限らない。また、フィルタ処理システムは冷却ゾ ーンにおいてフラックスデポジットが蓄積する速度を下げるが、問題を解決する ものではない。 もう1つの提案されている方法は、リフロー装置全体に対して清浄化サイクル を設けることである。このシステムでは、加熱ゾーンと冷却ゾーンとを、オーブ ン内のフラックスデポジットが蒸発し得る温度まで加熱する。しかしながら、こ の工程にはいくつかの問題があり、その1つは高度な加熱エネルギを必要とする 加熱ゾーンの熱量が大きく、費用が嵩みかつ時間がかかる点である。装置全体を 加熱し、ベーキングしかつ冷却するという3つのステップによるプロセスがある 。これには、リフロー装置を止める必要がある。もう1つの問題は、再循環させ る冷却剤を冷却ゾーンで使用される熱交換器から完全に取除かなければ、清浄化 用の昇温、高圧により破裂する可能性がある点である。この点が心配なのは、除 去システムの故障によって人に危害を与える可能性があるためである。 リフローはんだ付装置の多くの冷却セクションでは、多量の雰囲気ガスが熱交 換器を通って循環し冷却される。はんだ付された物品は、冷却されたガスを通っ て運搬される。この冷却システムにおいて用いられる2種類の最も一般的なガス は空気と窒素である。窒素は、不活性な処理環境を提供し、はんだの表面上で酸 化が生じないため、窒素雰囲気においてはかなり光輝度の高い接合部分を得るこ とができる。 本発明の目的は、冷却セクションにおける熱交換器およびフローアクチュエー タ上のフラックスデポジットを低減する、リフローはんだ付のための冷却システ ムを提供することである。この目的は、冷却セクションを通って運搬されるはん だ付された物品に特定的に向けて少なくとも1つのガスの流れを供給することに よって達成され、ガスがはんだ付された物品に特定的に向けられているため、は んだを硬化させるための冷却に用いるガスの流量を減らすことができる。このガ スの流れをガスナイフにおいて作り出し、かつ該ガスナイフを、フラックスが蒸 発する温度より上の温度まで加熱する清浄化サイクルを適宜設けて、ガスナイフ 上のフラックスデポジットを除去する。 本明細書中で使用する「ガスナイフ」という表現は、適当なガスの流れを提供 するいずれかの装置、または物体を冷却する衝突流れ冷却システムを指す。ガス ナイフは、衝突ガスフローを提供するよう位置決めされたスロットノズル、ラウ ンドノズルまたは複数のノズルからなる複数のアレイ等のガスフローアクチュエ ータと考えられたい。 本発明は、冷却セクションの前に加熱セクションを有するリフローはんだ付装 置のためのガスナイフ冷却システムを提供し、同システムは、該装置を通っては んだ付する製品を運ぶためのコンベアを備え、該ガスナイフ冷却システムは、冷 却セクション内に、コンベア上のはんだ付された製品に対してガスの流れを向け て該製品を冷却するように位置決めされた少なくとも1つのガスナイフを備え、 かつ予め定められた清浄化サイクルの間能動化されるガスナイフに関連してガス ナイフを、はんだ付された製品からフラックスのデポジットが蒸発する温度を超 える温度まで加熱するヒータを備える。 リフローはんだ付装置の加熱セクションから冷却セクションへコンベア上を通 って運ばれるはんだ付された製品を冷却する方法も提供され、同方法は、該冷却 セクションにおいてはんだ付された製品に対し少なくとも1つのガスの流れを向 けて該製品を冷却するステップと、適宜清浄化サイクルを提供するステップとを 備え、ガスがはんだ付された製品からフラックスのデポジットが蒸発する温度よ りも高い温度まで加熱される。 図面は本発明の実施例を示すものであり、図において、 図1は、本発明に従うリフローはんだ付装置の冷却セクションの一実施例を示 す模式側上面図であり、 図2は、本発明の一実施例に従うガスナイフを示す等尺図であり、 図3は、本発明の一実施例に従うガスナイフ冷却システムを作動させるための 制御システムを示すブロック図である。 一実施例に従うリフローはんだ付装置10を図1に示す。図1において、はん だ付されるプリント配線基板アセンブリ12または他の物品がコンベア14上を 、加熱セクション16を通って冷却セクション18へ運ばれる。赤外線ヒータ2 0が加熱セクション16に図示されるが、これらのヒータは、リフローはんだ付 装置において使用されるヒータの一種類に過ぎない。加熱ガス強制対流式システ ムを用いてもよく、または加熱セクション16を通ってコンベア14上を運ばれ る物品12を加熱する何らかの他の適切な加熱システムを用いてもよい。 冷却セクション18において、熱交換器22は、ガスの流れをコンベア14上 を通るはんだ付された物品12の上部に向ける複数の上部ガスナイフ24上に装 着される。下部ガスナイフ25がコンベア14下に位置決めされガスの流れがは んだ付された物品12の下側に向けられるようになっているところを示す。熱交 換器22は、冷却セクション18においてガスの雰囲気温度を冷却しかつ安定化 させる。冷却セクション18を通る物品の搭載量が多い場合には、このように安 定化させることが好ましい。はんだ付された物品12の各々は、熱を放出して冷 却され、熱は冷却セクション18で消散する。別に設けた冷却システムが、循環 する冷却剤、空気または他の気体、水または水/グリコール混合物、もしくは他 の冷却剤混合物を提供して、入口26から熱交換器22へ通しかつ出口28から 排出する。他のタイプのリフローはんだ付装置においては、熱交換器は熱消散フ ィンを用いて対流式冷却または電子冷却もしくは他の適切な冷却手段を用いても よい。熱交換器22は、コンベア14下の下部ガスナイフ25下に置くかまたは 冷却セクションの全く外部に置くことも可能である。熱交換器冷却システムは、 ガスナイフ24、25からのガスの流れに対し全く分離されている。ある種の応 用においては、熱交換器22は不要である。 ブロアを用いる、より典型的なガス循環システムの場合とは違い、ガスナイフ 24、25によって方向づけられたガスの流れを作り出すので、フラックスデポ ジットで熱交換器22に凝結が起こったりまたは詰まりが起こったりという問題 が生じない。すなわち、処理用のガスがそこを通って循環しないからである。 ガスナイフ24、25へのガスの流れは、別個の供給源から供給されかつ一般 に再循環させない。圧縮ガス供給源は、エアーコンプレッサ、圧縮ボトルガス、 窒素タンクまたは他の適切な供給源が可能である。このガスは、室温またはわず かに室温を下回る温度で適切に運搬されるので、ガスナイフ24、25へのガス 入口ライン30を通過するまでは冷却されない。 図2に示すとおり、ガスナイフ24にはその背後に電子ヒータ32が配設され て、ガスナイフ24を加熱する。また、ガスナイフ24を通過するガスは何らか の加熱を受ける。清浄化サイクルのためのガスナイフ24、25の温度は、フラ ックスの蒸発温度より高くして、フラックスのデポジットが蒸発するようにし、 ガスナイフ24、25の上に蓄積しないようにする必要がある。清浄化サイクル はフラックス残留物が蒸発するのに十分な時間継続し、したがって冷却セクショ ンの維持管理は、フラックスのデポジットを除去するのに長い加熱サイクルが必 要な既存のタイプのリフローはんだ付装置用冷却セクションの場合と比べてはる かに簡単になる。 蒸発したフラックスデポジットは、はんだ付装置10の各端部の排出口から概 ね排出される。ガスナイフ24、25へ供給されるガスは、別の供給源から供給 されるので、冷却セクション18から出るガスの流れは連続したものである。こ の連続したガスの流れによってフラックスの蒸気は一部排出され、はんだ付装置 10の端部にある排出口によりシステムから取除くことができる。フラックスの 蒸気はいくらかはんだ付装置の壁面に凝結しかつまたいくらかガスナイフ24、 25上に再凝結し得るが、ガスナイフの表面積は装置の全表面積に比べて小さい ので、蓄積するフラックスのデポジットはわずかな量にすぎない。 ガスナイフ24、25の数および位置は伝達することが必要な熱量によって決 まる。ガスナイフは、図3に示すフロー制御装置を介してガスを供給される。少 なくとも一方のガスナイフは、図3では温度センサとして示される熱電対33を 有する。熱電対33はヒータの閉ループ制御を行なう。 2つの上部ガスナイフ24を図示し、1つの下部ガスナイフ25を図示してい るが、いくつかのタイプのリフローはんだ付装置においては、好ましくははんだ 付される製品の上表面にガスの流れを向けるガスナイフを1つのみ必要とするも のもある。 熱交換器の目的は、冷却セクションにおいて必要な温度を維持することにある 。動作において、外部の供給源から来る冷却ガスをガスナイフ24、25からは んだ付された物品12に向ける。ガスナイフを通るガスの流量は、通常の従来技 術の冷却セクションに比べ減少する。 図3は、通常のプロセスの冷却および清浄化サイクルのためのガスの流れを制 御する制御装置の構成を示す図である。通常プロセスの冷却では、ガス供給は開 放された第1のバルブ34を通過し、減圧バルブ36を通過し、その後ライン3 0を介してガスナイフ24、25に入る。第2のガス供給を提供する第2のバル ブ38は、通常の冷却の間は閉じられている。清浄化サイクルにおいて、第1の バルブ34は閉じられかつ第2のバルブ38は開放されており、圧縮されたガス 供給は第2の減圧バルブ40を通過し、それにより通常のプロセスの冷却の場合 に比べ清浄サイクルでのガスの流量を減少させることができる。清浄化サイクル を開始すると、制御装置42は、ガスナイフ24、25内のヒータ32も能動化 し、ヒータ32の温度は熱電対33により制御される。ヒータ32は、ガスナイ フ24、25をフラックスの蒸発温度より高い温度まで加熱するので、ガスナイ フ上のフラックスデポジットは蒸発する。 ナイフあたりのガスの流量は、好ましくは入力圧30からl20psi(20 7kPaから827kPa)で100から2500CFH(2.83m3/hr から70.8m3/hr)の範囲にあることが好ましい。窒素が使用するガスと して好ましいが、他のタイプの適切なガスを使用してもよい。いくつかの例にお いては、冷却セクション内で空気を循環させてもよい。プロセスの流量は必要と される熱交換の量に基づき調節する、すなわち冷却速度はガスの流量とガスの温 度によって制御される。清浄化サイクルは、ガスナイフ上にフラックスの残留物 が蓄積するのを防止するのに適切な間隔で行なう。清浄化サイクルが行なわれて いる場合、ガスの流量は低流量状態に切換わり、ナイフ上のヒータの電源が投入 される。こうして、ナイフの温度が上昇しフラックス残留物の蒸発温度より高い 予め設定されたレベルで保持される。清浄化サイクルは、フラックスの残留物を 除去するのに十分な時間継続し、その後電子制御装置がヒータをオフにし、流量 を冷却のためのプロセスの高い流量状態に変更する。 実験によって得た圧縮ガスナイフの熱性能は、既存の冷却モジュールのもの以 上である。5”×5”(12.7×17.8cm)の 複雑度の低いプリント配 線基板の場合、標準的な冷却モジュールで、平均液相時間は、44.25秒であ りかつ3℃のΔtであった。本発明のガスナイフモジュールを用いて、液相時間 は、5℃のΔtで平均37.0秒まで減少した。極めて複雑な基板の場合にも良 い結果が示された。標準的な冷却モジュールでは、平均液相時間は83.2秒で かつ47℃のΔtであったが、本発明のガスナイフモジュールでは、平均液相時 間は80.8秒でかつ32℃のΔtであった。 はんだ付接合箇所に衝突するガスナイフからの高速のガスの流れの効果をテス トするため実験を行なった。テストは、入力圧44および80psi(303お よび552kPa)ならびに流量250および600CFH(7および17m3 /hr)で作動する2ナイフのモジュールを用いて行なった。参考のためガスナ イフを用いずにいくつかの基板をはんだ付した。評価した反応は、はんだ付ブリ ッジの数と移動した成分の数であった。 データの統計的な分析では、成分の移動とガスナイフとの相関関係も示されな かった。 このガスナイフモジュールでは、ガスの流れは、熱交換器を介して循環せず、 したがって熱交換器には一般にフラックスデポジットが生じない。ガスナイフ2 4、25は、一般に冷却セクションにおける最も冷たい表面を有するので結果と してフラックスデポジットがこの上に形成する。 以下の請求項によってのみ限定される本発明の範囲を逸脱することなく、本明 細書中に記載した実施例に対してさまざまな変更を行なうことが可能である。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成9年5月29日(1997.5.29) 【補正内容】 請求の範囲 1.加熱セクションの後に冷却セクションが続くリフローはんだ付装置のための ガスナイフ冷却システムであって、前記装置を通って被はんだ付製品を運搬する ためのコンベアを備え、前記ガスナイフ冷却システムは、前記冷却セクションに おいて、スロットノズルを有し、前記コンベア上のはんだ付された製品に対し衝 突するガスの流れを向けて前記製品を冷却するよう位置決めされた少なくとも1 つのガスナイフと、前記ガスナイフに関連し、前記ガスナイフを前記はんだ付さ れた製品からのフラックスデポジットのフラックス蒸発温度より高い温度まで加 熱するヒータとを備える、ガスナイフ冷却システム。 2.少なくとも1つのガスナイフが前記コンベア上に位置し、前記はんだ付され た製品の上部に対しガスを向け、かつ少なくとも1つのガスナイフが前記コンベ アの下に位置し、前記はんだ付された製品の下側にガスを向ける、請求項1に記 載のガスナイフ冷却システム。 3.前記ヒータが前記ガスナイフに取付けられる、請求項1に記載のガスナイフ 冷却システム。 4.前記ガスナイフ上に温度センサを備えかつ前記ガスナイフの温度を予め定め られたレベルに制御する制御システムを備える、請求項3に記載のガスナイフ冷 却システム。 5.通常処理用の流量と清浄化サイクルのための別々の流量制御バルブを備える 、請求項1に記載のガスナイフ冷却システム。 6.熱交換器が前記ガスナイフに隣接した位置に設けられて、前記冷却セクショ ン内の処理温度を安定化させる、請求項1に記載のガスナイフ冷却システム。 7.コンベア上にあって、リフローはんだ付装置の加熱セクションから冷却セク ションへ送られるはんだ付された製品を冷却する方法であって、 前記冷却セクションにおいて前記はんだ付された製品に対し少なくとも1つの ガスの流れを向けて前記製品を冷却するステップと、 ガスを、前記はんだ付された製品からのフラックスデポジットのフラックス蒸 発温度より高い温度へ加熱する、清浄化サイクルを随時設けるステップとを含む 、方法。 8.前記ガスの流れが、ガスナイフから前記コンベア上で送られるはんだ付され た製品に対して発射されかつ前記ガスナイフが前記はんだ付された製品からのフ ラックスデポジットのフラックス蒸発温度より高い温度に加熱される、請求項7 に記載の方法。 9.少なくとも2つのガスの流れが設けられ、コンベアの上に位置するガスナイ フからの流れが、ガスをはんだ付された製品の上部に向けかつ前記コンベアの下 に位置するガスナイフからの流れが、ガスを前記はんだ付された製品の下側に向 ける、請求項7に記載の方法。 10.前記ガスナイフ上にヒータが設けられて、前記ガスナイフをフラックス蒸 発温度より高い温度まで加熱する、請求項9に記載の方法。 11.温度センサおよび温度コントローラを設けて、ガスナイフの温度を予め定 められたレベルに制御する、請求項10に記載の方法。 12.通常処理用流れのためのガスの流れが、清浄化サイクル用の流れよりも高 い流量である、請求項7に記載の方法。 13.前記ガスが窒素である、請求項7に記載の方法。 14.前記ガスが空気である、請求項7に記載の方法。 15.熱交換器を備えて、前記冷却セクション内の処理温度を安定化させる、請 求項7に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フォルメッラ,タッド アメリカ合衆国、76063 テキサス州、マ ンスフィールド、クリスマン・トゥレイ ル、2108

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.加熱セクションの後に冷却セクションが続くリフローはんだ付装置のための ガスナイフ冷却システムであって、前記装置を通って被はんだ付製品を運搬する ためのコンベアを備え、前記ガスナイフ冷却システムは、前記冷却セクションに おいて前記コンベア上のはんだ付された製品に対しガスの流れを向けて前記製品 を冷却するよう位置決めされた少なくとも1つのガスナイフと、前記ガスナイフ に関連し、予め定められた清浄化サイクルの間能動化されて前記ガスナイフを前 記はんだ付された製品からのフラックスデポジットのフラックス蒸発温度より高 い温度まで加熱するヒータとを備える、ガスナイフ冷却システム。 2.少なくとも1つのガスナイフが前記コンベア上に位置し、前記はんだ付され た製品の上部に対しガスを向け、かつ少なくとも1つのガスナイフが前記コンペ アの下に位置し、前記はんだ付された製品の下側にガスを向ける、請求項1に記 載のガスナイフ冷却システム。 3.前記ヒータが前記ガスナイフに取付けられる、請求項1に記載のガスナイフ 冷却システム。 4.前記ガスナイフ上に温度センサを備えかつ前記ガスナイフの温度を予め定め られたレベルに制御する制御システムを備える、請求項3に記載のガスナイフ冷 却システム。 5.前記ガスナイフからのガスの流れが、清浄化サイクルの場合よりも通常処理 用の流れについてはより高い流量である、請求項1に記載のガスナイフ冷却シス テム。 6.通常処理用の流量と清浄化サイクルのための別々の流量制御バルブを備える 、請求項5に記載のガスナイフ冷却システム。 7.前記ガスの流れが窒素である、請求項1に記載のガスナイフ冷却システム。 8.前記ガスの流れが空気である、請求項1に記載のガスナイフ冷却システム。 9.熱交換器が前記ガスナイフに隣接した位置に設けられて、前記冷却セクショ ン内の処理温度を安定化させる、請求項1に記載のガスナイフ冷却システム。 10.コンベア上にあって、リフローはんだ付装置の加熱セクションから冷却セ クションへ送られるはんだ付された製品を冷却する方法であって、 前記冷却セクションにおいて前記はんだ付された製品に対し少なくとも1つの ガスの流れを向けて前記製品を冷却するステップと、 ガスを、前記はんだ付された製品からのフラックスデポジットのフラックス蒸 発温度より高い温度へ加熱する、清浄化サイクルを随時設けるステップとを含む 、方法。 11.前記ガスの流れが、ガスナイフから前記コンベア上で送られるはんだ付さ れた製品に対して発射されかつ前記ガスナイフが前記はんだ付された製品からの フラックスデポジットのフラックス蒸発温度より高い温度に加熱される、請求項 10に記載の方法。 12.少なくとも2つのガスの流れが設けられ、コンベアの上に位置するガスナ イフからの流れが、ガスをはんだ付された製品の上部に向けかつ前記コンベアの 下に位置するガスナイフからの流れが、ガスを前記はんだ付された製品の下側に 向ける、請求項10に記載の方法。 13.前記ガスナイフ上にヒータが設けられて、前記ガスナイフをフラックス蒸 発温度より高い温度まで加熱する、請求項12に記載の方法。 14.温度センサおよび温度コントローラを設けて、ガスナイフの温度を予め定 められたレベルに制御する、請求項13に記載の方法。 15.通常処理用流れのためのガスの流れが、清浄化サイクル用の流れよりも高 い流量である、請求項10に記載の方法。 16.前記ガスが窒素である、請求項10に記載の方法。 17.前記ガスが空気である、請求項10に記載の方法。 18.熱交換器を備えて、前記冷却セクション内の処理温度を安定化させる、請 求項10に記載の方法。
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