JP2001501728A - 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用 - Google Patents

微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用

Info

Publication number
JP2001501728A
JP2001501728A JP10510430A JP51043098A JP2001501728A JP 2001501728 A JP2001501728 A JP 2001501728A JP 10510430 A JP10510430 A JP 10510430A JP 51043098 A JP51043098 A JP 51043098A JP 2001501728 A JP2001501728 A JP 2001501728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin layer
biopolymer
novel
substance
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10510430A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3624382B2 (ja
Inventor
エルマントラウト,オイゲン
ミヒャエル ケーラー,ヨハン
シュルツ,トルステン
ブォルファート,クラウス
ブェルフル,シュテファン
Original Assignee
エルマントラウト,オイゲン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19634120A external-priority patent/DE19634120A1/de
Application filed by エルマントラウト,オイゲン filed Critical エルマントラウト,オイゲン
Publication of JP2001501728A publication Critical patent/JP2001501728A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3624382B2 publication Critical patent/JP3624382B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0046Sequential or parallel reactions, e.g. for the synthesis of polypeptides or polynucleotides; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making molecular arrays
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/001Enzyme electrodes
    • C12Q1/002Electrode membranes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312Organic layers, e.g. photoresist
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00277Apparatus
    • B01J2219/00497Features relating to the solid phase supports
    • B01J2219/00527Sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Proteomics, Peptides & Aminoacids (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Genetics & Genomics (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Immobilizing And Processing Of Enzymes And Microorganisms (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層に関する。従来汎用されてきた層より容易に、かつ安価に製造することができると共に、既存の微細構造形成技術を利用することが可能な薄層を提供するという課題は、薄層を酵素分解の可能なバイオポリマーから形成させ、30nm〜3μmの層厚にすることによって解決される。本発明に従って作成されたバイオポリマー薄層は、目的に応じた適切な構造体とすることにより、テストアッセイとしての用途や、物質ライブラリーの作成において有利に用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用 本発明は、微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層に関し、この技 術分野において本発明の薄層は種々の方法で使用することができる。 微細システム技術や微細構造形成に関する現在の技術水準にあっては、膜、接 触層システム、伝導路層システム等を製作するために従来用いられてきた薄層は 、SiO2、Si34、またはAl23からなる使用頻度の高い層や、金属層あ るいは金属層システム等の無機層の使用に基づくものである。その場合、希望す る構造を作り出すために、例えば強酸、アルカリ液、酸化剤等の健康に悪影響を 及ぼす有毒な化学薬品を使用したり、反応性のイオンエッチングやプラズマエッ チ Mikromechanik,B.G.Teubner Stuttgart,1994を参照)。このような構造形成 プロセスにおいて使用されている唯一の有機層がフォトレジストであるが、構造 を付与すべき層に対して所望の構造を付与した時点で、このフォトレジストは原 則として再び除去される。 本発明は、従来汎用されてきた層より容易かつ安価に製造でき、既存の微細構 造形成技術を利用することができ、特に有利な方法で物質ライブラリーを作成す るのに適した薄層を提供するという課題をその根底におくものである。 前記の課題は、請求項1に記載する代表的特徴によって解決される。その有利 な実施形態については、請求項2以下に詳述するとおりである。 微細構造形成分野において従来使用されてきた、フォトレジスト層の様な構造 付与可能マスキング層は、それが存在するだけで、例えばゼラチン、アガロース 、デキストロース、及び脂質等のバイオポリマーフィルムの性質に対して局部的 な影響を与え得ることが知られている。さらに驚くべきことに、このバイオポリ マーフィルムは、薄層技術にとって重要な30nm〜3μmの層厚でも非常に高 品 質を有するものが製造可能なことが見出されている。また、特定の色素物質や、 光によって活性化され得る基は、光化学的に活性化させることによって、バイオ ポリマー層の架橋反応を引き起こし、露光しなかった層領域よりも、バイオポリ マー層の酵素分解を明らかに緩徐化するということが見出されている。 バイオポリマー層の層厚は、自体公知のスピンコーティング法を利用して、固 形物質含量1〜30%の溶液から数10nm程度のものとすることができる。前 記の方法で製造した層は、予期しなかったほど極めて薄い層領域においても均質 であり、欠陥が認められない。また前記の層は、その後行われる微細構造形成プ ロセスにおいて必要になることの多い250℃までの加熱工程においても変性現 象を起こすことなく、問題のない状態を保持し続ける。 しかしながら、前記バイオポリマー層の主要な長所は、酵素分解が可能である という点にあり、高度に特異的な分解が結果的にもたらされ、一般に、室温とい う、またpHが特に4〜9の溶液中という緩和な条件下で分解が行われる。基本 的に、バイオポリマーは他の分子や層と共有結合したり、非共有結合したりする ことによって特定の機能を示すという長所を有し、例えばアミノ基、カルボキシ 基、チオ基を介して、あるいは水素架橋結合によって、ゼラチン層と結合させる ことができる。さらに、バイオポリマーに架橋反応を行わせて(例えば遊離のケ ト基、アミノ基、水酸基が存在する場合には、グルタルジアルデヒドを使用して )、結果的に、製造された層の性質を適切に変化させることも問題なく可能であ る。 例えば水溶性ゼラチンに交差架橋反応を行わせると、非水溶性物質に変化し、こ の非水溶性物質に分子を封入させることも可能であり、分子を共有結合または非 共有結合させることも可能である。本明細書に記載する薄層は、その実施形態に 応じて、予定の用途において、多彩な目的のために利用することができる。その 応用の可能性の詳細については、以下の実施例で説明する。 第1の実施例においては、特異性の高い触媒としての酵素の性質が利用される が、それは、ゼラチンからなるバイオポリマーの薄層を利用して、カンチレバー タイプのノボラック構造を作り出すためである。そのためには、洗浄したシリコ ンウェーハの表面に、回転滴下法(スピンコーティング)を利用して、約200 nm厚さのゼラチン層をコーティングする。例えば、この層は、ゼラチンを水に 溶解させ(10%v/v)、グルタルジアルデヒドを5%の割合で添加したものか ら形成させることができる。このようにして得られる層は非水溶性で、慣用の感 光性樹脂現像剤には侵されない。前記の層の表面に、同様にスピンコーティング を利用して、市販のフォト反転レジストを被覆させる。このフォトレジスト層は 、規定通りに処理を行い、最終的に希望する構造に対応してマスクを取り付け、 露光して、構造を付与する。前記の層状体全体を酵素槽容器内に入れる。バイオ ポリマー層にゼラチンを使用している場合には、主に10%のSDS、10mM のNaCl、10mMのEDTAならびにTris−HClよりなる混液に10 mg/mlの割合でプロテアーゼKを添加したプロテアーゼK緩衝液が好ましい 酵素浴である。この酵素浴のpHを8.5に調節する。このような酵素槽を使用 することにより、室温で約8時間以内に、約200nm厚さのゼラチン層の完全 分解が行われる。この実施例においてバイオポリマー層は、カンチレバータイプ のノボラック構造を作成するための犠牲的な層として利用される。 第2の実施例においては、第1の実施例に基づいて作成した、ゼラチンとフォ トレジストよりなる層状体から出発して、適当なインヒビターまたは競合物質に よって酵素機能が阻害される、特異性の高い触媒としての酵素の性質を利用する 。例えば、AZ−フォトレジストにおいて汎用されている感光性コンポーネント としてのジアゾナフトキノンは、ゼラチンのOH基と結合して、緩衝液に添加さ れているプロテアーゼの分解能を阻害する。露光を行うと、ジアゾナフトキノン はカルボン酸に変換されて、塩の形でゼラチンから溶出してしまうので、露光部 分においては分解が妨げられることなく行われる。したがって、この場合の分解 は、従来の選択的なエッチング技術である「アニソトロープ」と同等といえる。 インヒビターが相変わらず存在したままの部分においては、分解速度が明らかに 低下する。このようにして、微細システム技術コンポーネントとしても、マスキ ング材料としても、バイオポリマーとそれぞれに見合った分解酵素または調節酵 素を 使用するという可能性が与えられる。 第3の実施例においては、バイオポリマー薄層に感光性の添加物(例えばジア ゾナフトキノン)を混和することによって、それ自体をフォトレジストとして使 用することのできる層を作り出すという可能性が存在する。そのためには、感光 性の添加物自体が分解酵素に対してインヒビターとして作用するか、あるいは、 分解酵素のインヒビターと結合するということが前提条件となる。このような実 施形態の可能性が開けることにより、酵素によって現像することの可能なフォト レジストを作成することができる。 第4の実施例としては、約100nm厚さの脂質層の製法について言及される 。ここでは、ホスフォチジルエタノールアミンのクロロホルム溶液(0.1g/ ml)を5000回転/分という回転速度で、適当な基板の表面に30秒間回転 滴下する。 第5の実施例としては、ゼラチンに、例えばTFPI(外因系凝固インヒビタ ー)等の、プロテアーゼ機能に対する生物由来のインヒビターを1:1000の 重量比で添加したゼラチン薄層に、純粋なゼラチンよりなる薄層を重層させると いう可能性が存在する。こうすることにより、後から酵素処理を行う場合にエッ チングを停止させることができる。これと同様に、アガロース、デキストロース 、又は脂質よりなる層においても、後から使用する酵素に対して阻害的に作用す る物質を選択することによって、分解停止を生じさせることができる。 以上、記載した実施例は、現在の技術水準に基づく既存のポジ型フォトレジス トの同等物として使用することのできる薄層の実施形態に関するものであるが、 下記の第6の実施例においては、ネガ型レジストと同等な、本発明に基づく薄層 について記載する。 可視スペクトル領域または紫外スペクトル領域で感光性を示す光活性成分とし ては、水に溶解させた、約345nmで感光度が最大になる、例えばジアジドス チルベンを使用する。この場合に特に好ましいのは、4,4−ジアジドスチルベ ン−2,2−スルホン酸のナトリウム塩であり、この物質を1:50〜1:10 0の混合比で水に溶解させる。このジアジドスチルベン水溶液に、製造すべきバ イオポリマー層の希望する架橋度に応じて、10:1〜100:1の混合比のも とに、例えばブタ皮膚由来の高品質Bloom60のような固形ゼラチンを加え る。その際には、例えば1ミリリットルのジアジドスチルベン溶液に約40mg のゼラチンを加える。ゼラチンが溶解した時点で、200nmのミクロフィルタ ーで溶液を濾過する。このようにして得られた溶液を用いて、ミクロリソグラフ ィーの際と同様に、例えば金属、重合体、シリコン、コーティングを施したシリ コンまたはガラス等の基板の表面にスピンコーティングを行う。例えば、シリコ ン基板の表面においては、約100nm厚さの平坦で均質なゼラチン層が形成さ れる。この薄層に、最終的に希望する構造に適合させたマスクを取り付け、波長 360nmの紫外線照射を約400秒間続ける。その際には、ジアジドスチルベ ンのアジド基が光化学的に開裂し、窒素原子が外れてビスナイトレンラジカルが 形成されて、露光部分のゼラチンにおいて、アミノ酸分子鎖の架橋化が行われる 。露光ゼラチン層の現像は水の中で行うが、すでに1〜2分後にはゼラチン層の 非露光部分がほぼ溶解してしまう。その後に再現像を行うが、その際には、例え ば10%のナトリウムドデシルサルフェート、10mMのNaCl、10mMの EDTA、およびTris−HClよりなる緩衝液に、プロテアーゼを添加した 濃度0.1mg/mlのプロテアーゼ緩衝液を用い、pHは約8.5の弱アルカ リ性とする。その際に達成させることのできる分解率は例えば20〜30nm/ 分である。上記の方法により、下方へ1μmまでの構造サイズの達成が可能であ る。 本発明の枠内で達成される露光領域の交差架橋反応という性質からいって、第 1〜第5の実施例に基づいて作成されるポジ構造より、むしろ安定な構造にする ことが可能である。 バイオポリマーは他の分子との共有結合や非共有結合によって特定の機能を実 現させるという長所を有しているために、例えばアミノ基、カルボキシル基、水 酸基、またはチオ基を介して、あるいは、水素架橋結合によってゼラチン層に結 合させることが可能であって、また、以下に記載するように、上記の方法に従っ て適切な構造に作成した薄層構造を利用する場合には特に、前記の長所を享受す ることができる。 上記の方法に従って作成したゼラチン層から出発して、例えばゴバン目状にし つらえたマスクを載せ、上記と同様な方法で露光と現像を行うと、基板の表面に 正方形を規則正しく配列させることができる。正方形の一辺の長さを、例えば1 6μmとする場合には、前記の現像工程が完全に行われた後における正方形構造 体の高さは18nmになる。ゼラチンや類似のコラーゲンよりなる、結合部位を あらかじめ規定しておいた前記の微細構造(パッド)は、スクリーニングテスト 用として、あるいは、物質ライブラリー用として特に適しており、バイオ技術、 分子生物学、薬学、または医学において、分子レベルで相互作用を現すパートナ ーを迅速に見つけ出すことが可能になる。微細構造のゼラチンパッドには、ペプ チド結合によって、タンパク(例えば抗体)や、適切に修飾を施したオリゴヌク レオチドを容易に結合させることができるので、例えばテストアッセイを行うこ とができる。 構造性のゼラチンパッドによって、局所的な反応空間が規定される。コラーゲ ンポリマーの官能基は化学的に多彩なために、特定の活性化を行った後に、種々 の分子を結合させることができる。このことはとりもなおさず、多彩な官能基を 有する分子を結合させるのに、同じマトリックスを利用することができるという ことであり、分子を固定させるための手間のかかる修飾という工程を省略するこ とができる。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年8月17日(1998.8.17) 【補正内容】 16. 前記バイオポリマー層が希望の架橋度に応じて10:1〜100: 1の混合割合のラジカル形成物質と可溶性の固形ゼラチンとの水溶液から形成さ れていることを特徴とする請求項13〜15記載の新規薄層。 17. 前記ジアジドスチルベンとして4,4−ジアジドスチルベン−2, 2−スルホン酸のナトリウム塩が使用されることを特徴とする請求項15または 16記載の新規薄層。 18. 基板の表面に塗布され、ジアゾナフトキノンまたはジアジドスチル ベン色素物質が添加されている前記のバイオポリマー層を構造付与性の紫外光に 曝露し、且つ非露光部分を水溶液及び酵素緩衝液で除去し、残された構造をテス トアッセイとして、又は物質ライブラリーの作成のために使用することを特徴と する前記各請求項のいずれか1項記載の新規薄層の使用。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),JP,US (72)発明者 ブォルファート,クラウス ドイツ連邦共和国 デー―07751 ラーザ ン ヌンマー 3 (72)発明者 ブェルフル,シュテファン ドイツ連邦共和国 デー―83059 コルバ ーモア バンホッフシュトラーセ 16

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 薄層が酵素分解可能なバイオポリマーから形成されていて、前記薄層 の層厚が30nm〜3μmであることを特徴とする微細システム技術と微細構造 形成のための新規薄層。 2. 前記酵素分解可能なバイオポリマー薄層が、部分的に、または全表面 において、インヒビターまたは競合物質を具備していることを特徴とする請求項 1に記載の新規薄層。 3. 前記酵素分解の可能なバイオポリマー薄層に、容積と合致したインヒ ビターまたは競合物質が浸透していることを特徴とする請求項1に記載の新規薄 層。 4. 前記酵素分解の可能なバイオポリマー薄層に、感光性添加物が添加さ れていることを特徴とする請求項1に記載の新規薄層。 5. 前記感光性添加物がジアゾナフトキノンによって形成されていること を特徴とする請求項4に記載の新規薄層。 6. 前記バイオポリマー薄層がゼラチンによって形成されていることを特 徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の新規薄層。 7. 前記バイオポリマー薄層がアガロースによって形成されていることを 特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の新規薄層。 8. 前記バイオポリマー薄層がデキストロースによって形成されているこ とを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の新規薄層。 9. 前記バイオポリマー薄層が脂質によって形成されていることを特徴と する請求項1〜4のいずれか1項記載の新規薄層。 10. バイオポリマー原料物質としての固形物質の含量が1〜30%の溶 液からなる前記バイオポリマー薄層が、スピンコーティングによって、予定され ている層厚領域のもとに塗布されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1 項記載の新規薄層。 11. 前記酵素分解の可能なバイオポリマー薄層が熱活性化試薬を添加す ることによって架橋反応、特に交差架橋反応を示すことを特徴とする請求項1〜 10のいずれか1項記載の新規薄層。 12. 前記熱活性化試薬として主にグルタルジアルデヒドまたはホルムア ルデヒドを使用し、そしてバイオポリマーを含む溶液に1〜5%の割合で添加す ることを特徴とする請求項10および11記載の新規薄層。 13. 光活性化添加物または物質群として分子鎖を延長させたり架橋反応 を生じさせたりする働きのあるラジカル形成物質が添加されることを特徴とする 請求項4記載の新規薄層。 14. 前記ラジカル形成物質が240〜550nmの波長域で強い感光性 を示すという基準に基づいて選択されることを特徴とする請求項13記載の新規 薄層。 15. 前記ラジカル形成物質としてジアジドスチルベンを塩基とする1種 類の物質が使用されることを特徴とする請求項13および14記載の新規薄層。 16. 前記バイオポリマー層が希望の架橋度に応じて10:1〜100: 1の混合割合のラジカル形成物質と可溶性の固形ゼラチンとの水溶液から形成さ れていることを特徴とする請求項13〜15記載の新規薄層。 17. 前記ジアジドスチルベンとして4,4−ジアジドスチルベン−2, 2−スルホン酸のナトリウム塩が使用されることを特徴とする請求項15または 16記載の新規薄層。 18. 基板の表面に塗布され、ジアゾナフトキノンまたはジアジドスチル ベン色素物質が添加されている前記のバイオポリマー層を構造付与性の紫外光に 曝露し、且つ非露光部分を水溶液及び酵素緩衝液で除去し、残された構造をテス トアッセイとして、又は物質ライブラリーの作成のために使用することを特徴と する前記各請求項のいずれか1項記載の新規薄層。
JP51043098A 1996-08-23 1997-08-22 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用 Expired - Fee Related JP3624382B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19634120A DE19634120A1 (de) 1996-08-23 1996-08-23 Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik
DE19634120.5 1997-02-15
DE19705909A DE19705909A1 (de) 1996-08-23 1997-02-15 Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik und Mikrostrukturierung sowie ihre Verwendung
DE19705909.0 1997-02-15
PCT/EP1997/004582 WO1998008086A1 (de) 1996-08-23 1997-08-22 Neuartige dünnschichten für die mikrosystemtechnik und mikrostrukturierung sowie ihre verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001501728A true JP2001501728A (ja) 2001-02-06
JP3624382B2 JP3624382B2 (ja) 2005-03-02

Family

ID=26028675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51043098A Expired - Fee Related JP3624382B2 (ja) 1996-08-23 1997-08-22 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6821692B1 (ja)
EP (1) EP0920618B1 (ja)
JP (1) JP3624382B2 (ja)
AT (1) ATE313078T1 (ja)
DE (2) DE19705909A1 (ja)
WO (1) WO1998008086A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009207381A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Kaneka Corp 単球捕捉用デバイス

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6797393B2 (en) * 2001-11-30 2004-09-28 Eastman Kodak Company Method for making biochip substrate
US7713053B2 (en) * 2005-06-10 2010-05-11 Protochips, Inc. Reusable template for creation of thin films; method of making and using template; and thin films produced from template
CN103528866B (zh) * 2013-10-18 2016-01-20 江苏蓝拓生物科技有限公司 碳支持膜的制备方法
EP4021707B1 (en) 2019-08-30 2023-10-04 Westfälische Wilhelms-Universität Münster Method for manufacturing a holey film, in particular for electron microscopy applications

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS515935B2 (ja) * 1972-04-17 1976-02-24
FR2245009A1 (en) 1973-09-21 1975-04-18 Kodak Pathe Protein contng photo resist compsn with photoisomerisable cpd - which on exposure has greater enzyme inhibiting power
GB1542131A (en) * 1975-02-19 1979-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Light-sensitive printing plate precursors and process for the production thereof
US4106938A (en) * 1977-05-23 1978-08-15 Eastman Kodak Company Vesicular composition, element and process utilizing a diol
US4472494A (en) * 1980-09-15 1984-09-18 Napp Systems (Usa), Inc. Bilayer photosensitive imaging article
US4451568A (en) * 1981-07-13 1984-05-29 Battelle Memorial Institute Composition for binding bioactive substances
AT375486B (de) * 1982-12-07 1984-08-10 Philips Nv System zum aufzeichnen und/oder auswerten von zwei markiersignalen
JPS59143959A (ja) 1983-02-07 1984-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd 乾式分析要素
US5157018A (en) * 1984-06-08 1992-10-20 Hoechst Aktiengesellschaft Perfluoroalkyl group-containing polymers and reproduction layers produced therefrom
EP0214805B1 (en) * 1985-08-29 1993-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sensor using a field effect transistor and method of fabricating the same
DE3602486A1 (de) 1986-01-29 1987-07-30 Sanyo Kokusaku Pulp Co Verfahren zur herstellung eines farbfilters
CA1302675C (en) 1986-05-20 1992-06-09 Masakazu Uekita Thin film and device having the same
US4759828A (en) 1987-04-09 1988-07-26 Nova Biomedical Corporation Glucose electrode and method of determining glucose
JPS645489A (en) * 1987-06-26 1989-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd Functional organic thin film and production thereof
US5154808A (en) * 1987-06-26 1992-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Functional organic thin film and process for producing the same
US4923948A (en) * 1987-09-24 1990-05-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Curable composition
JPH01128064A (ja) * 1987-11-12 1989-05-19 Chisso Corp 光硬化性樹脂組成物
JPH01240188A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd 機能性有機薄膜
JPH01241541A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Nippon Kayaku Co Ltd 着色パターンの形成方法
EP0353666A3 (en) * 1988-08-03 1990-05-23 Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. Photosensitive agent,photosensitive resin composition containing same, and method of image formation using the composition
DD275538A1 (de) 1988-09-12 1990-01-24 Feutron Greiz Veb Verfahren zur herstellung eines kapazitiven sorptionsfeuchtesensors
DD298268A5 (de) 1989-03-02 1992-02-13 Zentralinstitut Fuer Molekularbiologie,De Verfahren zur immobilisierung von biologisch aktiven materialien
US5202227A (en) * 1989-06-03 1993-04-13 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Control of cell arrangement
JP2847321B2 (ja) * 1990-08-14 1999-01-20 日本石油株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
CA2145996A1 (en) 1992-10-01 1994-04-14 Burkhard Raguse Improved sensor membranes
JP3713516B2 (ja) 1993-05-29 2005-11-09 ケンブリッジ ライフ サイエンシズ パブリック リミテッド カンパニー ポリマー変態を基礎とするセンサ
US5725978A (en) * 1995-01-31 1998-03-10 Basf Aktiengesellschaft Water-soluble photosensitive resin composition and a method of forming black matrix patterns using the same
DE19607279A1 (de) 1996-02-27 1997-08-28 Bayer Ag Durch Festkörper unterstützte Membran-Biosensoren
US6020093A (en) * 1998-05-13 2000-02-01 Toyo Gosei Kogyo, Ltd. Photosensitive compounds, photosensitive resin compositions, and pattern formation method making use of the compounds or compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009207381A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Kaneka Corp 単球捕捉用デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP3624382B2 (ja) 2005-03-02
WO1998008086A1 (de) 1998-02-26
DE19705909A1 (de) 1998-08-20
ATE313078T1 (de) 2005-12-15
DE59712525D1 (de) 2006-01-19
EP0920618B1 (de) 2005-12-14
EP0920618A1 (de) 1999-06-09
US6821692B1 (en) 2004-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2353535C (en) Patterned binding of functionalized microspheres for optical diffraction-based biosensors
Sugawara et al. Photochemical protein fixation on polymer surfaces via derivatized phenyl azido group
US5582955A (en) Chemical functionalization of surfaces
US7252912B2 (en) Polymer composite
US5154808A (en) Functional organic thin film and process for producing the same
JP3377215B2 (ja) 化学的に定義されたボディを配向析出する方法
Christman et al. Submicron streptavidin patterns for protein assembly
CA2154444A1 (en) Chemical functionalization of surfaces
CN101023123A (zh) 薄膜状高分子结构体及其制备方法
JP2001501728A (ja) 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用
Douvas et al. Photolithographic patterning of proteins with photoresists processable under biocompatible conditions
US7608389B2 (en) Photoresists processable under biocompatible conditions for multi-biomolecule patterning
Hong et al. Patterning biological molecules onto poly (amidoamine) dendrimer on gold and glass
JPS62171684A (ja) グルコ−スオキシダ−ゼ固定化酵素膜とその製造方法
AU2003213512B8 (en) Patterned Binding of Functionalized Microspheres for Optical Diffraction-based Biosensors
JPS60235132A (ja) パタ−ン形成法
JPH0635175A (ja) 画像形成材料
JPS62171685A (ja) リパ−ゼ固定化酵素膜とその製造方法
JPH0575454B2 (ja)
WO2008056837A1 (en) Method for fabricating a biomaterial array using photoreaction

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040625

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040819

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041026

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees