JP2001501544A - 研磨パッド、および細長いマイクロカラムを有する研磨パッドを作製する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導体ウェハの化学−機械的平坦化（ＣＭＰ）に用いられる研磨パッド（４２）は、マトリクス材料本体（４４）に埋め込まれた多数の細長いマイクロカラム（４８）を有する。細長いマイクロカラム（４８）は、互いに対して平行に向けられ、半導体ウェハを平坦化するために用いられる平坦化表面から延びている。研磨パッド（４２）全体にわたって均一な特性を付与するために、細長いマイクロカラム（４８）は研磨パッド（４２）全体にわたって均一に分布されている。研磨パッドはまた、研磨パッド（４２）全体にわたって均一な多孔性を提供するために、細長いマイクロカラム（４８）と同軸上にあるかあるいはこれらの間に散在している細長い開口（５０）を有し得る。

Description

【発明の詳細な説明】 研磨パッド、および細長いマイクロカラムを有する研磨パッドを作製する方法技術分野 本発明は、半導体ウェハの化学−機械的平坦化において使用される研磨パッド に関し、さらに具体的には、パッドの本体に埋め込まれた細長いマイクロカラム を有する研磨パッドに関する。発明の背景 化学−機械的平坦化（「ＣＭＰ」）プロセは、超高密度集積回路の生産におい て、ウェハの表面層から材料を除去する。典型的なＣＭＰプロセスでは、ウェハ は、制御された化学的、圧力、速度、および温度の条件下で、スラリーの存在下 で研磨パッドを押圧する。スラリー溶液は、ウェハの表面を研削する研磨性粒子 と、ウェハの表面を酸化および／またはエッチングする化学薬品とを有する。従 って、ウェハとパッドとの間に相対運動が付与されると、スラリー中の研磨性粒 子（機械的除去）および化学薬品（化学的除去）により、ウェハの表面から材料 が除去される。 光学または電磁回路パターンをウェハの表面上に正確に集束させることが重要 であるため、ＣＭＰプロセスは、ウェハ上に均一で平坦な表面を一貫して且つ正 確に生成しなければならない。集積回路密度が増加するに従って、約０．５μｍ の公差範囲でフォトパターンの臨界寸法を正確に集束させることが必要とされる 場合が多い。しかし、ウェハの表面が均一に平坦でないために照射源とウェハ表 面との間の距離が変動すると、フォトパターンをそのような小さい公差に集束さ せることは、非常に困難である。実際に、均一でない表面を有するウェハでは、 幾つかのデバイスが不良となり得る。従って、ＣＭＰプロセスは、非常に均一で 平坦な表面を作成しなければならない。 競争の激しい半導体業界では、ウェハ完成品のスループットを最大にし、且つ 、各ウェハにおける不良または欠陥デバイスの数を最小にすることもまた望まし い。 ＣＭＰプロセスのスループットは、幾つかのファクタの関数であり、その１つは 、ウェハ表面の平坦の均一性を犠牲にすることなくウェハを平坦化しているとき のウェハの厚さが減少するレート（「研磨レート」）である。従って、制御され た範囲内で研磨レートを最大にすることが望ましい。 現在のＣＭＰプロセスでの１つの問題点は、パッドの平坦化表面上の特定の構 造的特徴がパッドの寿命にわたって変動するため、研磨レートが、多数のウェハ でばらついてしまうことである。１つのそのような構造的特徴は、パッド全体の 充填物材料の分布の不均一性である。従来技術の研磨パッドは、典型的には、ポ リウレタンなどの連続相ポリマー材料と、中空の球体などの充填物材料との混合 物からなる。図１には、ポリマーマトリクス材料１４に埋め込まれた球体１２を 有する従来技術の研磨パッド１０が示される。図から分かるように、球体１２は 、マトリクス材料１４が完全に硬化する前に、集まって球体クラスタ１６になっ ており、その結果、マトリクス材料１４中に球体１２が不均一に分布される。従 って、研磨パッド１０の平坦化表面１８のうち、球体クラスタ１６のある領域は 、高い研磨レートを有するが、球体のない領域は、逆に、低い研磨レートを有す る。さらに、そのような研磨パッド１０をＣＭＰプロセスで用いると、平坦化表 面１８が周期的に除去され、新しい平坦化表面を露出する。球体クラスタ１６の 密度は、研磨パッド１０の厚さ全体にわたって変動し、それにより、研磨パッド １０は、平坦化表面の層が除去されるにつれて異なる研磨特性を示すようになる 。連続相材料全体にわたって均一な多孔性を提供するために多くの努力がなされ てきたが、依然として、多くのパッドが、平坦化表面に不均一な多孔性を有して いる。さらに、パッドの不均一な領域は、パッドの他の領域とは肉眼では区別さ れないため、許容不可能なパッドを検出して廃棄することは困難である。発明の要旨 本発明の１つの局面は、マトリクス本体内に配置される細長いマイクロカラム を有するＣＭＰ研磨パッドに向けられる。好ましくは、細長いマイクロカラムは 、互いに平行な向きにされ、半導体ウェハを平坦化するために用いられる平坦化 表面から延びる。１つの実施形態では、マイクロカラムは中空であり、各マイク ロ カラムは、細長い孔を囲む外側支持管を有する。別の実施形態では、細長いマイ クロカラムには、平坦化表面からマトリクス本体内に延びる細長い孔が散在され 、細長いマイクロカラムは、これらの細長い孔に平行である。さらに別の実施形 態では、細長いマイクロカラムが取り除かれ、その結果、平坦化表面からマトリ クス本体内に延びる細長い孔を有する研磨パッドが得られる。これらの実施形態 はすべて、好ましくは、細長いマイクロカラムを研磨パッド全体に均一に分布し 、その結果、全体にわたって均一な研磨特性を有する研磨パッドが得られる。 本発明の第２の局面は、半導体ウェハを平坦化するためのＣＭＰ研磨パッドを 作製する方法に向けられる。この方法は、細長いマイクロカラムを鋳型内に配置 する工程と、液体マトリクス材料がマイクロカラムの間に広がるように、液体マ トリクス材料を鋳型に入れる工程と、マトリクス材料を硬化させてパッド本体を 形成する工程と、を包含する。液体マトリクス材料は、マイクロカラムが鋳型内 に配置される前または後に鋳型に入れられ得る。１つの実施形態では、各マイク ロカラムは、第２の材料の細長い外側管内に配置される第１の材料の細長い中心 コアを含み、上記方法は、パッド本体を、第２の材料およびマトリクス材料を除 去せずに第１の材料を除去する溶媒材料に曝し、それにより、マイクロカラム内 に細長い孔を作成する工程をさらに包含する。別の実施形態では、第１の材料か らなるマイクロカラムの第１の組に、第２の材料からなるマイクロカラムの第２ の組が散在される。上記方法では、パッド本体を、第２の材料およびマトリクス 材料を除去せずに第１の材料を除去する溶媒材料に曝し、それにより、第２の組 のマイクロカラム間に細長い孔を作る。 好ましくは、マイクロカラムは、互いに平行に配置され、且つ、硬化すると半 導体ウェハを平坦化するための平坦化表面になるマトリクス材料の表面と交差す るように配置される。マイクロカラムを、連結片がマイクロカラムを一緒に保持 する束として鋳型内に配置することにより、マイクロカラムは、平行な位置に維 持され得る。マトリクス材料が硬化した後、連結片は、マイクロカラムから取り 外される。あるいは、マイクロカラムを、整合具の間隔があけられた開口の中に 入れ、各マイクロカラムが別個の開口を通って延びるようにすることにより、マ イクロカラムは、平行な向きに維持され得る。図面の簡単な説明 図１は、従来技術のＣＭＰ研磨パッドの等角図である。 図２は、本発明による研磨パッド材料のケークの等角図である。 図３は、図２の線３−３に沿った研磨パッドの部分断面図である。 図４は、本発明による別の研磨パッドの部分断面図である。 図５は、本発明によるさらに別の研磨パッドの部分断面図である。 図６は、本発明による、溝を有する研磨パッドの正面図である。 図７は、本発明による研磨パッドを作製する方法のフロー図である。 図８は、本発明による、研磨パッドケーク鋳型に挿入されている細長いマイク ロカラムの等角図である。 図９は、本発明による、細長いマイクロカラム間の間隔を維持する整合具の断 面図である。発明の詳細な説明 本発明の１つの局面は、マトリクス本体内に配置される細長いマイクロカラム を有するＣＭＰ研磨パッドに向けられる。マイクロカラムは、研磨パッド全体に 均一に分布され、その結果、パッド全体にわたって均一な特性が得られる。特に 、研磨パッドが平坦化表面にわたって均一な研磨レートを達成するように、研磨 パッドは、研磨パッドの平坦化表面全体にわたって均一に研磨性および多孔性で ある。さらに、研磨パッドにより達成可能な研磨レートは、研磨パッドの寿命を 通して安定したままである。さらに、細長いマイクロカラムが、研磨パッドに、 従来技術の研磨パッドよりも均一な多孔性を提供し、その結果、半導体ウェハの より均一でより安定した研磨が得られる。 図２には、複数の個々の研磨パッド２２（ａ）〜２２（ｅ）が切断される研磨 パッドケーク２０が示される。ケーク２０は、マトリクス材料２６に埋め込まれ た多数の細長いマイクロカラム２４を含む。細長いマイクロカラムは、ファイバ グラス、二酸化シリコン、または様々なポリマー材料、などの任意のほとんど実 質的に剛性の材料から成っていてもよい。マトリクス材料２６は、ポリウレタン またはナイロンなどの任意のポリマー材料であってもよい。細長いマイクロカラ ム２４は、半導体ウェハを平坦化するための平坦な平坦化表面２８から内側に延 びる。細長いマイクロカラム２４は、好ましくは、マイクロカラムの全長に実質 的に沿って互いに平行なままになるように、均一にまっすぐで十分に剛性である 。そのような平行な向きを維持することができることにより、細長いマイクロカ ラム２４が、ポリマーパッドケーク２０全体にわたって均一に分布されることが 可能となる。 研磨パッド２２（ａ）の部分断面図が、図３に示される。図から分かるように 、細長いマイクロカラム２４の各々は、各マイクロカラムが、細長い孔３２を囲 む外側支持管３０を有するように、中空になっている。細長いマイクロカラム２ ４は、マイクロカラム２４内に細長い孔３２を含み、平坦化表面２８に垂直に研 磨パッド２２（ａ）を貫通する。あるいは、細長いマイクロカラム２４は、平坦 化表面２８から、完全な距離よりも少ない距離だけ、研磨パッド２２（ａ）内に 延びるようにされてもよい。いずれにしても、細長い孔３２は、ＣＭＰプロセス で用いられる液体が、研磨パッド２２（ａ）により吸収および分布されることを 可能にする。この液体は、同様に研磨性粒子を含む化学薬品スラリーの一部分で あり得る。または、液体をスラリーの一部分にしないように、マイクロカラムが 研磨性にされ得る。細長いマイクロカラム２４が、平坦化表面２８にわたって実 質的に均一に分布されるため、研磨パッド２２（ａ）の多孔性は、平坦化表面２ ８全体にわたって実質的に均一である。均一に分布された細長い孔３２により提 供される均一な多孔性は、研磨パッド２２（ａ）が、平坦化表面２８にわたって 実質的に均一に半導体ウェハを平坦化することを可能にする。 研磨パッド２２（ａ）は、すでに中空であり、従って、すでに細長い孔３２を 含む細長いマイクロカラムをマトリクス材料２６中に埋め込むことにより、作ら れ得る。あるいは、中空の細長いマイクロカラム２４は、各々が第２の材料の細 長い外側管内に配置される第１の材料の細長い中心コアを有する細長いマイクロ カラムを用いることにより作られ得る。マトリクス材料を硬化した後、研磨パッ ド２２（ａ）は、細長い外側支持管３０を溶解せずに細長いコア３２を製造する ために、マイクロカラムのコアを溶解する溶媒に曝され得る。例えば、そのよう な細長いコア３２は、結晶性カーボンファイバを中心コアとして用い、ファイバ グラスを細長い外側支持管３０として用い、そして、ファイバグラスの支持管を 溶解せずにカーボンファイバの中心コアを溶解するために濃縮硫酸を用いて作ら れ得る。 ＣＭＰプロセスの間、研磨パッド２２（ａ）の平坦化表面２８は、半導体ウェ ハからの材料によって汚染される。その結果、平坦化表面２８を除去して新しい 平坦化表面を露出させることによって、研磨パッド２２（ａ）を定期的に調整し なければならない。細長いマイクロカラム２４が実質的に平行に向けられている ことによって、上記調整プロセスにより露出する新しい平坦化表面が、半導体ウ ェハ材料によって汚染される前の古い平坦化表面２８と実質的に同一になる。そ の結果、研磨パッド２２（ａ）によって提供される研磨レートは、研磨パッド２ ２（ａ）の寿命を通じて実質的に一定に保たれる。 別の研磨パッド３４の断面図を図４に示す。研磨パッド３４は、半導体ウェハ を平坦化するための平坦な平坦化表面３８を有するマトリクス材料本体３６を含 む。平坦化表面３８からマトリクス材料本体３４内へと垂直方向に延びているの は、多数の細長い孔４０である。図３の実施形態に示す細長い孔３２と同様に、 細長い孔４０は、研磨パッドを使用して半導体ウェハを平坦化する際に、ＣＭＰ プロセスの液体が細長い孔４０内を通ることを可能にする。図２および図３に示 す細長いマイクロカラム２４と同様の細長いマイクロカラムを、マトリクス材料 ３６内に埋め込み、その後、フッ化水素酸（ＨＦ）のような溶媒を用いて細長い マイクロカラムを溶解させることによって、細長い孔４０を形成することができ る。マトリクス材料３６内に細長いマイクロカラムを埋め込むことによって、細 長いマイクロカラムの溶解によって生じた細長い孔４０が均一に分布するように なる。このような細長い孔４０の均一な分布によって研磨パッド３４が均一に多 孔性となり、これが、研磨パッドの研磨レートを一定にするための一助となる。 従って、研磨パッド３４が外側支持管３０を持たず、これにより、研磨パッド３ ４が研磨パッド２２（ａ）よりも剛性でなく、より多孔性であることを除けば、 研磨パッド３４は図３に示す研磨パッド２２（ａ）と実質的に同一である。 第３のＣＭＰ研磨パッド４２の断面図を図５に示す。研磨パッド４２は、半導 体ウェハを平坦化するための平坦な平坦化表面４６を有するマトリクス材料本体 ４４を含む。平坦化表面４６から内側方向に延びているのは、多数の細長い孔５ ０と共に散在する多数の細長いマイクロカラム４８である。図３に示す実施形態 と同様に、マイクロカラム４８および孔５０は、好ましくは、平坦化表面４６か らマトリクス材料本体４４内に垂直方向に延び、マイクロカラム４８および孔５ ０は実質的にその全長にわたって互いに平行である。細長いマイクロカラム４８ および細長い孔５０は、研磨パッド４２全体にわたって均一に分布し、これによ り、研磨パッドの剛性および多孔性は研磨パッドの寿命を通じて一定に保たれる 。 それぞれ異なる材料でできた２組のマイクロカラムをマトリクス材料44内に埋 め込むことによって研磨パッド４２を作ることができる。マトリクス材料を硬化 させてマトリクス材料本体４４とした後で、研磨パッド４２を溶媒に供し得る。 この溶媒は、第２の組のマイクロカラム４８またはマトリクス材料本体４４を溶 解することなく、第１の組のマイクロカラムを溶解して細長い孔５０を形成する 。例えば、第１の組のマイクロカラムをカーボンファイバで作り、第２の組のマ イクロカラムをファイバグラスで作り、研磨パッド４２を濃硫酸に供した場合、 カーボンファイバが溶解して細長い孔５０が形成され、ファイバグラスマイクロ カラムは溶解せずに細長いマイクロカラム４８として残る。無論、当業者であれ ば、第１および第２の組のマイクロカラムとして多数の材料が使用可能であるこ と、ならびに、一部のマイクロカラムを選択的に溶解させるために他の多数の溶 媒が使用可能であることを理解するであろう。さらに、（２組あるいはそれ以上 の組の）各組におけるマイクロカラム数を必要に応じて変えることにより、用い られるＣＭＰプロセスの要件に合わせて研磨パッド４２の剛性、多孔性および摩 耗性を調整することが可能である。 別の研磨パッド４２Ａの立面図を図６に示す。別の研磨パッド４２Ａは、図３ 〜図５に示す研磨パッド２２（ａ）、３４および４２と同様に、均一な間隔のあ いた複数の細長い孔５０Ａを有する。さらに、別の研磨パッド４２Ａは、上記別 の研磨パッドの平坦化面４６Ａに切り込まれる１組の溝５１を有する。溝５１の 各々は好適には、深さ１〜２０００ミクロンであり、直径１〜１０００ミクロン である。図６に示す溝５１は同心円状であるが、同心矩形、平行線などの他の数 多くの方位も用いられ得る。溝５１は、ＣＭＰプロセスにおいて用いられる液体 が、細長い孔５０Ａ間を移動することを可能にし、それにより別の研磨パッド４ ２Ａの多孔性を増大させる。 本発明のＣＭＰ研磨パッドを製造する方法のフローチャートを図７に示す。方 法は、工程５２で、液体マトリクス材料をＣＭＰケーク鋳型に流し込むことを含 む。工程５４において、複数の細長いマイクロカラムがＣＭＰケーク鋳型内に位 置づけられて、液体マトリクス材料がマイクロカラム間およびマイクロカラム周 囲に広がる。工程５２と５４との順番が逆転され得、マイクロカラムがまず鋳型 内に位置づけられて、その後液体マトリクス材料がマイクロカラム周囲のケーク 鋳型に流し込まれてもよいことが理解されるべきである。ＣＭＰケーク鋳型が液 体マトリクス材料とマイクロカラムとで充填された後、工程５６で、マトリクス 材料は硬化されて、ＣＭＰ研磨パッドケークを形成する。硬化後、研磨パッドケ ークは、工程５８で、複数のＣＭＰ研磨パッドに切断される。工程５４において 、ＣＭＰケーク鋳型内に位置づけられた細長いマイクロカラムが既に図３に示す ように中空である場合、研磨パッド製造プロセスは、工程５８で終了し得る。あ るいは、第２の材料の細長い外側管内に位置づけられた第１の材料の細長い中央 コアを有する細長いマイクロカラムを用いて、中空マイクロカラム２４が形成さ れ得る。このような２部形式のマイクロカラムが用いられた場合、工程６０で、 研磨パッドは、溶媒に曝されて、マイクロカラムコアを溶解し、それにより、マ イクロカラム２４の細長い外側支持管３０内に細長い孔３２を形成する。 図５に示す研磨パッド４２を作成するために、同様のプロセスが用いられ得る 。工程５４において、ＣＭＰケーク鋳型内に位置づけられたマイクロカラムは、 第１の材料により形成された第１のマイクロカラムセットを含む。第１のマイク ロカラムセットは、第２の材料により形成された第２のマイクロカラムセットと 間隔をおいて散在されている。マトリクス材料が工程５６で硬化し、ＣＭＰケー クが工程５８で研磨パッドに切断された後、研磨パッドは、工程６２において、 第２の材料およびマトリクス材料を除去することなく第１の材料を除去する溶媒 材料に曝され得る。ここでも、カーボンファイバ、ファバグラス、および硫酸が 、第１の材料、第２の材料および溶媒材料にそれぞれ用いられ得る。 図８は、工程５４（図７）によるＣＭＰケーク鋳型６４内に細長いマイクロカ ラム２４を位置づける一方法を示す。細長いマイクロカラム２４は、連結片６８ を用いて、束６６として互いに連結される。図８においてマイクロカラム２４は 簡潔化のために間隔をあけて示されているが、実際のマイクロカラム２４は、互 いにより接近して束ねられている。マイクロカラム２４の束６６は、既に液体マ トリクス材料７０を保持しているケーク鋳型６４に挿入される。束６６がＣＭＰ ケーク鋳型６４内に完全に挿入された後、連結片６８は除去され得、マトリクス 材料は硬化される。 ポリマーパッドケーク鋳型６４内に細長いマイクロカラム２４を位置づける別 の実施形熊は、図９に示すように細長いマイクロカラムが通過する、間隔のあい た開口７４を有する整合具７２を用いることである。各細長いマイクロカラム２ ４は別々の開口７４内を延び、それによりケーク鋳型内のマトリクス材料が硬化 する間、マイクロカラムは互いに平行のままである。好適には、整合具72は、Ｃ ＭＰケーク鋳型６４の上に取り付けられ、それにより、細長いマイクロカラム２ ４が開口７４を通ってＣＭＰケーク鋳型６４内に直接延びる。 本発明の多くの利点は、以上の記載に基づいて解釈される。特に、細長いマイ クロカラムをマトリクス材料全体に均一に分布することにより、本発明は、研磨 パッドの平坦化面全体に一定の研磨レートを有する研磨パッドを提供する。さら に、細長いマイクロカラムが均一に分布するため、研磨パッドが、研磨パッドの 寿命期間全体を通して一定の研磨レートを有することが可能になる。さらに、均 一に分布したマイクロカラムを有する各研磨パッドを製造することが容易である ことから、各研磨パッドが実質的に同一の研磨特性を呈することが可能になる。 逆に、研磨特性は、研磨パッドごとに容易に且つ精密に変更され得る。 以上より、本明細書において説明のために本発明の特定の実施形態を述べてき たが、本発明の思想および範囲から逸脱することなく様々な改変がなされ得るこ とが理解される。従って、本発明は、添付の請求の範囲以外によって限定される ことはない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ， ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，Ｇ Ｂ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ， ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，Ｍ Ｘ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．半導体ウェハを平坦化する化学−機械的平坦化研磨パッド（４２）であって 、 該半導体ウェハを平坦化する平坦化表面（４６）を有するマトリクス本体（４ ４）と、 該マトリクス本体内に位置し、該平坦化表面から内向きに延びる複数の細長い 固体マイクロカラム（４８）であって、互いに実質的に平行であり、該マトリク ス本体にわたって実質的に均一に配分され、該半導体ウェハに対して研磨性であ る、マイクロカラムと、 を備えた研磨パッド。 ２．半導体ウェハを平坦化する化学−機械的平坦化研磨パッド（４２）であって 、 該半導体ウェハを平坦化する平坦化表面（４６）を有するマトリクス本体（４ ４）であって、 該平坦化表面から該マトリクス本体内へと延びる多数の平行で均一に間隔を開 けた細長い孔を有し、該孔は、該研磨パッドが該半導体ウェハを平坦化するため に使用されるときは液体が該孔内に広がることを可能にする、マトリクス本体と 、 該平坦化表面から内向きに、該複数の細長い孔の間を延びる複数の固体の細長 いマイクロカラムと、 を備えた研磨パッド。 ３．前記細長い孔は、前記マトリクス本体を実質的に貫通して延びる、請求項２ に記載の研磨パッド。 ４．前記マトリクス本体は、前記細長い孔の間を延びる、前記平坦化表面上の溝 を含む、請求項１または２に記載の研磨パッド。 ５．前記マトリクス本体はポリマー材料により作製される、請求項１または２に 記載の研磨パッド。 ６．前記マイクロカラムはファイバグラスを含む、請求項１または２に記載の研 磨パッド。 ７．前記マイクロカラムは、前記マトリクス本体を実質的に貫通して延びる、請 求項１または２に記載の研磨パッド。 ８．前記マイクロカラムは、前記平坦化表面に実質的に垂直である、請求項１ま たは２に記載の研磨パッド。 ９．半導体ウェハを平坦化するための化学−機械的平坦化研磨パッドを作成する 方法であって、 複数の平行で細長い固体マイクロカラムを、鋳型内に位置させる工程と、 該マイクロカラム間に延びる液体マトリクス材料を、該鋳型内に載置する工程 と、 該マトリクス材料を硬化することによって、該マイクロカラムが該硬化したマ トリクス材料内に散在しており且つ該半導体ウェハに対して研磨性である、パッ ド本体を形成する工程と、 を包含する、方法。 １０．前記マイクロカラムの各々は、第１の材料からなっており且つ第２の材料 からなる細長い外側管内に位置する細長い中央コアを有しており、前記方法は、 前記パッド本体を、該第２の材料および前記マトリクス材料を除去することなく 該第１の材料を除去する材料に曝すことにより、該マイクロカラム内に細長い孔 を作成する工程をさらに包含する、請求項９に記載の方法。 １１．前記マイクロカラムは互いに対して散在している第１のマイクロカラムの セットおよび第２のマイクロカラムのセットを有し、該第１のマイクロカラムの せットは第１の材料により作製され、該第２のマイクロカラムのセットは第２の 材料により作製され、前記方法は、前記パッド本体を、該第２の材料および前記 マトリクス材料を除去することなく該第１の材料を除去する材料に曝すことによ り、該第２のセットのマイクロカラム間に細長い孔を作成する工程をさらに包含 する、請求項９に記載の方法。 １２．前記液体マトリクス材料は、前記マイクロカラムが前記鋳型内に位置され るより前に該鋳型内に載置される、請求項９に記載の方法。 １３．前記マイクロカラムは連結片によって互いに結合されており、前記位置さ せる工程は、該マイクロカラムを前記鋳型内に束として位置させることを包含し 、前記方法は、前記マトリクス材料が硬化した後に該連結片を該マイクロカラム から取り外すことをさらに包含する、請求項９に記載の方法。 １４．前記位置させる工程は、前記マイクロカラムが整合具中の間隔を開けられ た開口を通って延びており且つ前記マイクロカラムの各々が該間隔を開けられた 開口のうち別々の開口を通ってる延びているようにすることにより、該マイクロ カラムを互いに対して間隔を開けて維持することを包含する、請求項９に記載の 方法。