JP2001352124A - レーザー素子駆動回路、光ヘッド及び、光ディスク装置 - Google Patents

レーザー素子駆動回路、光ヘッド及び、光ディスク装置

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JP2001352124A
JP2001352124A JP2000170315A JP2000170315A JP2001352124A JP 2001352124 A JP2001352124 A JP 2001352124A JP 2000170315 A JP2000170315 A JP 2000170315A JP 2000170315 A JP2000170315 A JP 2000170315A JP 2001352124 A JP2001352124 A JP 2001352124A
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optical disk
frequency
optical
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Fumiko Tsuda
文子 津田
Hiroshi Kawakami
寛 川上
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、レーザー素子駆動回路において、直
流電流に重畳される所定周波数の電流の周波数を可変制
御可能なレーザー素子駆動回路と、このレーザー素子駆
動回路を搭載した光ヘッド、この光ヘッドを搭載した光
ディスク装置を提供することを目的としている。 【解決手段】光ディスクに対して光ビームを照射するた
めのレーザー素子1を駆動するたレーザー素子駆動回路
において、 レーザー素子1に対して直流電流を供給す
る直流電流を供給する直流電流供給回路5と、 前記直
流電流に対して所定周波数電流を重畳する発振電流源
6’と、前記所定周波数電流の周波数を可変制御する制
御回路VRとを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクを記録
/再生するための装置に用いられるレーザー素子駆動回
路であって、とりわけ、レーザーの駆動用電流に所定周
波数の高周波電流を重畳し、レーザーに帰還される反射
光成分による帰還光ノイズを抑圧するレーザー素子駆動
回路と、これを搭載した光ヘッドと、この光ヘッドを搭
載した光ディスク装置とに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスク装置に用いられる光ヘ
ッドのレーザー素子を駆動する半導体レーザー素子駆動
回路においては、半導体レーザー素子から出射され、光
ディスクにおいて反射された光ビームの反射光のうち、
半導体レーザー素子に帰還される成分が半導体レーザー
素子の出射する光ビームにノイズを発生させる原因とな
っていた。
【0003】この帰還光によるノイズ(帰還光ノイズ)
を抑圧するための方法として、半導体レーザー素子を駆
動する直流電流に所定の周波数の高周波電流を重畳する
方法が採用されている。
【0004】この高周波電流重畳法の発明の一例は、特
許出願公告昭和59年第9086号公報(特公昭59−
009086号公報)に開示されている。
【0005】この従来の技術について説明するために図
10を用いる。 図10は、従来のレーザー素子駆動回
路の回路図である。
【0006】図10において、1は半導体レーザー素
子、2は光ディスク、3は光検出器、41は半導体レー
ザー素子から出射される光ビームを平行光束に変換する
レンズ(コリメータレンズ)、42はこの平行光束を光
ディスク2上に集光させるレンズ(集光レンズ)、5は
直流電源、6は所定の周波数の交流電流を供給する高周
波発振器である。
【0007】レーザー素子1は、カソードを接地してい
る。また、レーザー素子1のアノードは、コイルL及び
抵抗器Rからなる直列回路を介して直流電源5の陽極に
接続されている。また、レーザー素子1のアノードは、
キャパシタCを介して高周波発振器6に接続されてい
る。
【0008】図1の回路において、レーザー素子1に
は、直流電源5の直流電流に、高周波発振器6の出力す
る所定周波数の交流電流が重畳されて駆動電流として供
給される。
【0009】レーザー素子1は、この駆動電流に従って
発光し、コリメータレンズ41、集光レンズ42を介し
て光ディスク2上に光ビームを照射する。
【0010】このとき、レーザー素子5は、多重縦モー
ド発振するので、光ディスク2からレーザー素子1に帰
還される帰還光ノイズを効果的に抑圧することができ
る。
【0011】このように、従来のレーザー駆動回路にお
いては、直流電流に所定周波数の交流電流を重畳するこ
とによって帰還光ノイズを抑圧していた。
【0012】しかしながら、直流電流に重畳される交流
電流は、レーザー素子駆動回路において、回路素子の抵
抗値のバラツキや、信号線路の抵抗値のバラツキや、ま
た、レーザー素子駆動回路の使用環境による温度変化に
ともなった回路素子自身の抵抗値変移等による外乱を影
響を受け、その中心周波数が設計値の範囲を逸脱してし
まうことがある。
【0013】このように、従来のレーザー素子駆動回路
を光ヘッドに搭載させるにあたって、この外乱による影
響は製造精度上無視できない問題となっている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このように、レーザー
素子駆動回路に対する外乱の影響は製造精度を向上させ
るために排除しなければならない。
【0015】本発明は、レーザー素子駆動回路におい
て、直流電流に重畳される所定周波数の電流の周波数を
可変制御可能なレーザー素子駆動回路と、このレーザー
素子駆動回路を搭載した光ヘッド、この光ヘッドを搭載
した光ディスク装置を提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のレーザー素子駆動回路は、光ディスクに対
して光ビームを照射するためのレーザー素子を駆動する
ためのレーザー素子駆動回路において、前記レーザー素
子に対して直流電流を供給する直流電流を供給する直流
電流供給源と、前記直流電流に重畳するために所定周波
数電流を供給する発振電流源と、前記所定周波数電流の
周波数を可変制御する制御回路とを具備したことを特徴
とする。
【0017】前記課題を解決するために、本発明の光ヘ
ッドは、光ディスクに対して光ビームを照射するための
レーザー素子を具備する光ヘッドにおいて、前記レーザ
ー素子を内蔵する基台と、前記基台に内蔵されるもので
あって、前記レーザー素子に対して直流電流を供給する
直流電流を供給する直流電流源と、前記直流電流に重畳
するために所定周波数電流を供給する発振電流源と、前
記基台の外部に取り付けられるものであって、前記所定
周波数電流の周波数を可変制御する制御回路とを具備し
たことを特徴とする。
【0018】前記課題を解決するために、本発明の光デ
ィスク装置は、光ディスクに対して光ビームを照射する
ためのレーザー素子を具備する光ヘッドを光ディスクの
半径方向に走行させて光ディスク上の所定位置に記録さ
れた情報を読み取る光ディスク装置において、前記レー
ザー素子を内蔵する基台と、前記基台に内蔵されるもの
であって、前記レーザー素子に対して直流電流を供給す
る直流電流を供給する直流電流供給回路と、前記直流電
流に対して所定周波数電流を重畳する発振電流源と、前
記基台の外部に取り付けられるものであって、前記所定
周波数電流の周波数を可変制御する制御回路とを有する
光ヘッドと、前記光ヘッドを前記光ディスクの半径方向
に案内する案内手段とを具備したことを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態における、実
施例を説明するために図1を用いる。
【0020】図1は、本発明のレーザー素子駆動回路の
回路図である。
【0021】図1において、1は半導体レーザー素子、
2は光ディスク、3は光検出器、41は半導体レーザー
素子から出射される光ビームを平行光束に変換するレン
ズ(コリメータレンズ)、42はこの平行光束を光ディ
スク2上に集光させるレンズ(集光レンズ)、5は直流
電源、6は所定の周波数の交流電流を供給する高周波発
振器である。
【0022】レーザー素子1は、カソードを接地してい
る。また、レーザー素子1のアノードは、コイルL及び
抵抗器Rからなる直列回路を介して直流電源5の陽極に
接続されている。また、レーザー素子1のアノードは、
キャパシタCを介して高周波発振器6’に接続されてい
る。
【0023】6’の高周波発振器は、電圧制御発振器で
ある。この高周波発振器6’に駆動電圧を供給している
のが、抵抗器FR及び可変抵抗器VRである。この抵抗
器FR及び可変抵抗器VRは直列接続されており、この
直列回路の一端には定電圧Vccが印加されており、そ
の他端は接地されている。
【0024】高周波発振器6’は、抵抗器FR及び可変
抵抗器VRの接続点Pvに生じる電圧が高周波発振器
6’に供給される。
【0025】この接続点Pvに生じる電圧は可変抵抗器
VRの変化する抵抗値に従って変化する。
【0026】図1の回路において、レーザー素子1に
は、直流電源5の直流電流に、高周波発振器6の出力す
る所定周波数の交流電流が重畳されて駆動電流として供
給される。
【0027】レーザー素子1は、この駆動電流に従って
発光し、コリメータレンズ41、集光レンズ42を介し
て光ディスク2上に光ビームを照射する。
【0028】このとき、レーザー素子5は、多重縦モー
ド発振するので、光ディスク2からレーザー素子1に帰
還される帰還光ノイズを効果的に抑圧することができ
る。
【0029】高周波発振器6’は、印加される電圧でそ
の発振周波数が制御される電圧制御発振器であることは
前述の通りである。ここで、作業者の人的操作により可
変抵抗器VRの抵抗値を変化させると、接続点Pvに生
じる電圧も変化し、この電圧が高周波発振器6’に供給
されることによって、高周波発振器6’の供給する交流
電流の周波数が変化し、この交流電流を直流電源5の供
給する直流電流に重畳することにより可及的に半導体レ
ーザー素子1を駆動する駆動電流の周波数が変化するこ
とになる。従って、レーザー素子1はその中心周波数を
変化させて光ビームを発振させて出力することができ
る。
【0030】このように可変抵抗器VRを操作するこに
よって、光ディスクに照射する光ビームの発振周波数を
可変制御することができる。
【0031】また、このレーザー素子駆動回路の直流電
源5及び発振電流源である高周波発振器6’と、この高
周波発振器6’の供給する交流電流の周波数を制御する
ための制御回路として機能する可変抵抗器VRとの間に
は、高周波発振器6’と、可変抵抗器VRを電気的に絶
縁する絶縁体ISLが介在している。
【0032】この絶縁体ISLが、高周波発振器6’
と、可変抵抗器VRとの間に絶縁体ISLが介在するこ
とによって、高周波発振器6’等のレーザー素子駆動回
路内の回路部品にサージ電流が流れことによる、これら
回路部品の静電破壊を防止する。
【0033】次に、このレーザー素子駆動回路を部品と
してマウントした光学ユニットの構成の一部について説
明するために図2を用いる。
【0034】図2は、この光学ユニットの斜視図であ
る。
【0035】図2において、11は電子回路基板、12
はベースフレーム、20はヒートシンク、30は半導体
レーザーチップ、40はレーザー素子駆動回路、60は
受光素子、70は信号処理回路、80はサブマウント、
90はモニター素子である。
【0036】ヒートシンク20上には、サブマウント8
0を介して半導体レーザーチップ30と、図示しない光
ディスクの記録面にて反射された光ビームの反射光を受
光する受光素子60等の部品がマウントされている。
【0037】ヒートシンク20は半導体レーザーチップ
30を駆動する際に発生する熱を吸収するために設けら
れた部品である。このヒートシンク20は、更に電子回
路基板11上にマウントされている。
【0038】また、電子回路基板11上には図1の回路
図のうち、抵抗器FR及び可変抵抗器VRを除いた回路
部分で構成された部品であるレーザー素子駆動回路部品
40及び信号処理回路70がマウントされている。
【0039】レーザー素子駆動回路部品40と、半導体
レーザーチップ30とは、ヒートシンク20及び図示し
ないワイヤで電気的に接続されている。従って、レーザ
ー素子駆動回路部品40は、半導体レーザーチップ30
にヒートシンク20及び前記ワイヤを介して駆動電流を
供給することができる。
【0040】電子回路基板11はこれら部品をマウント
した状態で、更にベースフレーム12上にマウントされ
ている。
【0041】更に、ベースフレーム12からは電子回路
基板11上の各回路部品と電気的に接続された端子ピン
が突出している。
【0042】次に、この図2の光学ユニットに、回折素
子を加えた統合型光学ユニット(IOU)について説明
するために、図3及び図4を用いる。
【0043】図3は、この統合型光学ユニットの断面図
である。
【0044】図4は、この統合型光学ユニットの外観を
示す斜視図である。
【0045】図3及び図4にあるように、図2に示され
た光学ユニットは回折格子323をマウントしたカバー
ユニット322によって覆われている。
【0046】回折格子323は、半導体レーザー素子3
0から出射された、光ディスクの信号記録面にて反射さ
れた光ビームの反射光を一次回折させて受光素子60に
導く。
【0047】カバーユニット322は、ヒートシンク2
0上の半導体レーザー素子30及び受光素子60と、回
折格子323との間隔を所定の距離に保つために設けら
れている。
【0048】このように、統合型光学ユニット13は、
光学ユニットに回折格子323をマウントしたカバーユ
ニット323を取り付けられて構成されるのである。
【0049】次に、この統合型光学ユニット13を内蔵
した光ヘッドについて説明するために図5乃至図8を用
いる。
【0050】図5は、本発明のレーザー素子駆動回路を
内蔵した光ヘッドの下面図である。
【0051】光ヘッドPUは、亜鉛ダイキャスト製の基
台DBと、この基台DBに内蔵される統合型光学ユニッ
ト13と、対物レンズOLと、図示しない光ディスク装
置の制御系と接続される信号線路を印刷したフレキシブ
ルプリント基板FPCと、図2において前述したレーザ
ー素子駆動回路部品40を制御するための可変抵抗器V
Rとからなる。
【0052】統合型光学ユニット13は、光路LXに沿
って半導体レーザーチップ30から出射される光ビーム
を対物レンズOLに向けて出射する。
【0053】可変抵抗器VRは、レーザー駆動素子部品
40を内蔵した統合型光学ユニット13とフレキシブル
プリント基板FPCに印刷された信号線路を介して電気
的に接続されている。
【0054】この可変抵抗器VRと、統合型光学ユニッ
ト13との接続状態を詳細に説明するために図6及び図
7を用いる。
【0055】図6は、フレキシブルプリント基板FPC
の展開図である。
【0056】図7は、フレキシブルプリント基板FPC
を装着した状態における光ヘッドの下面図である。
【0057】フレキシブルプリント基板FPCには、自
身に印刷された信号線路と各回路部品とを電気的に接続
可能な端子がVRt及びIOUtが設けられている。
【0058】可変抵抗器端子VRt上には、部品である
可変抵抗器VRがハンダ付けされることによりマウント
される。更に、統合型光学ユニット端子IOUtは、ハ
ンダ付けにより、基台DBに内蔵される統合型光学ユニ
ット13から突出する端子と電気的に接続される。
【0059】図7にあるように、可変抵抗器VRと、統
合型光学ユニット13は亜鉛ダイキャスト製の基台DB
の壁面を挟んで、相互に対向するように光ヘッドPUの
内側と外側に配置される。
【0060】可変抵抗器VRは、前述のようにフレキシ
ブルプリント基板FPC上の可変抵抗器端子VRt上に
マウントされている。よって、可変抵抗器VRは、光ヘ
ッドPUの基台DBの外壁面にフレキシブルプリント基
板FPCを介在させて装着される。
【0061】前記の統合型光学ユニット13に内蔵され
たレーザー素子駆動回路部品40には、図1の回路図に
示される直流電流を発生させる直流電源5、抵抗器R及
びコイルL、そして、直流電流供給回路に所定周波数電
流を重畳する高周波発振器6’及びキャパシタCが内蔵
されている。
【0062】可変抵抗器VRは、レーザー素子駆動部品
40内の高周波発振器6’と電気的に接続され、高周波
発振器6’の出力する電流の周波数を制御する電圧を供
給する。
【0063】この可変抵抗器VRは、捩子回し式の捜査
子を備えており、この操作子を作業者が回転させること
より、自身の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化は電
圧制御発振器である高周波発振器6’に供給する制御電
圧を変化させる。
【0064】従って、可変抵抗器VRの操作子を作業者
が操作することによって、可変抵抗器VRは、レーザー
素子1の部品である半導体レーザーチップ30の出力す
る光ビームの駆動信号を生成する際に、直流電流に重畳
する所定周波数の電流の周波数を可変制御することがで
きるものである。
【0065】また、可変抵抗器VRは、光ヘッドPUの
外壁に装着されるので、内蔵される回路部品の装着及び
電気的な結線等の作業後に、直流電流に重畳される所定
周波数の電流の周波数を設計値の範囲内に納めるように
調節することが可能となり、可及的に光ヘッドPUの生
産性を向上する。
【0066】更に、可変抵抗器VRは、基台DBの壁面
を挟んで、相互に対向するように光ヘッドPUの内側と
外側に配置されるので、可変抵抗器VRと、高周波発振
器6’とを接続する信号線路長は最も短くなり、信号線
路がノイズを受け難くなるので、高周波発振器6’の出
力する電流に不要なノイズが重畳される可能性が極めて
低くなる。
【0067】よって、レーザー素子を極めて安定に駆動
することが可能となる。
【0068】また、可変抵抗器VRと、高周波発振器
6’を内蔵する統合型光学ユニット13との間に介在す
る亜鉛ダイキャスト製の基台DBの壁面部は、適度な厚
みを持って形成され、電気的な絶縁効果を有するので、
作業者による可変抵抗器VRの操作時に発生するサージ
電流による高周波発振器6’等の回路部品の静電破壊を
防止することができる。
【0069】次に、本発明の光ヘッドを搭載した光ディ
スク装置について説明するために図8乃至図9を用い
る。
【0070】図8にいおいて、(a)は光ヘッドPUの
上面図である。(b)は光ヘッドPUの側面図である。
【0071】図9は、光ヘッドPUを搭載した光ディス
ク装置310の斜視図である。
【0072】この光ディスク装置310は、ドロアータ
イプと呼ばれるもので、本体内部より引き出し可能なド
ロアー312が設けられている。
【0073】ドロアー312には、図示しない光ディス
クを載置し回転させることが可能なターンテーブル30
1と、光ヘッドPUが搭載されている。
【0074】図9において、313はドロアー312を
本体内部より引き出すためのイジェクトスイッチであ
る。
【0075】光ヘッドPUは、図示しないガイドロッド
Rdによって、ターンテーブルに載置された光ディスク
の半径方向A−A’によって案内される。
【0076】また、図8にあるように、光ヘッドPUに
は、光ヘッドPUを光ディスクの半径方向A−A’に案
内するためのガイドロッドRdを挿入せしめるためのガ
イドロッドホールRdhと、ガイドロッド受けRdrと
が設けられている。
【0077】このようにして、本発明の光ヘッドは、光
ディスク装置に搭載され、光ディスク上で半径方向に移
動して光ディスク上の所定位置に記録された情報を読み
取り、情報の再生に供されるものである。
【0078】このように、本発明のよれば、レーザー素
子駆動回路において、直流電流に重畳される所定周波数
の電流の周波数を可変制御可能なレーザー素子駆動回路
を実現することができる。
【0079】レーザー素子駆動回路の駆動信号の周波数
を設計値に合わせて制御することによって、回路素子の
抵抗値のバラツキや、信号線路の抵抗値のバラツキや、
使用環境による温度変化にともなった回路素子抵抗の変
移等による外乱の影響を防止することが可能となる。
【0080】また、レーザー素子駆動回路の駆動信号の
中心周波数を、光ヘッドあるいは光ディスク装置の使用
環境における他機器の信号の周波数帯域以外の中心周波
数に設定すれば、当使用環境下における信号周波数の利
用効率を向上させることも可能である。
【0081】
【発明の効果】以上、本発明によれば、レーザー素子駆
動回路において、直流電流に重畳される所定周波数の電
流の周波数を可変制御可能なレーザー素子駆動回路と、
このレーザー素子駆動回路を搭載した光ヘッド、この光
ヘッドを搭載した光ディスク装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザー素子駆動回路の回路図。
【図2】光学ユニットの斜視図。
【図3】統合型光学ユニットの断面図。
【図4】統合型光学ユニットの外観を示す斜視図。
【図5】本発明のレーザー素子駆動回路を内蔵した光ヘ
ッドの下面図。
【図6】フレキシブルプリント基板FPCの展開図。
【図7】フレキシブルプリント基板FPCを装着した状
態における光ヘッドの下面図。
【図8】(a)は光ヘッドPUの上面図、(b)は光ヘ
ッドPUの側面図。
【図9】光ヘッドPUを搭載した光ディスク装置310
の斜視図。
【図10】従来のレーザー素子駆動回路の回路図。
【符号の説明】
1… …レーザー素子 5… …直流電流供給回路 6’… …発振電流源6’ VR… …制御回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ディスクに対して光ビームを照射するた
    めのレーザー素子を駆動するためのレーザー素子駆動回
    路において、 前記レーザー素子に対して直流電流を供給する直流電流
    を供給する直流電流供給源と、 前記直流電流に重畳するために所定周波数電流を供給す
    る発振電流源と、 前記所定周波数電流の周波数を可変制御する制御回路と
    を具備したことを特徴とするレーザー素子駆動回路。
  2. 【請求項2】請求項1記載のレーザー素子駆動回路にお
    いて、前記発振電流源と、前記制御回路との間に絶縁体
    を介在させたことを特徴とするレーザー素子駆動回路。
  3. 【請求項3】光ディスクに対して光ビームを照射するた
    めのレーザー素子を具備する光ヘッドにおいて、 前記レーザー素子を内蔵する基台と、 前記基台に内蔵されるものであって、 前記レーザー素子に対して直流電流を供給する直流電流
    を供給する直流電流源と、 前記直流電流に重畳するために所定周波数電流を供給す
    る発振電流源と、 前記基台の外部に取り付けられるものであって、 前記所定周波数電流の周波数を可変制御する制御回路と
    を具備したことを特徴とする光ヘッド。
  4. 【請求項4】光ディスクに対して光ビームを照射するた
    めのレーザー素子を具備する光ヘッドを光ディスクの半
    径方向に走行させて光ディスク上の所定位置に記録され
    た情報を読み取る光ディスク装置において、 前記レーザー素子を内蔵する基台と、 前記基台に内蔵されるものであって、 前記レーザー素子に対して直流電流を供給する直流電流
    を供給する直流電流供給回路と、 前記直流電流に対して所定周波数電流を重畳する発振電
    流源と、 前記基台の外部に取り付けられるものであって、 前記所定周波数電流の周波数を可変制御する制御回路と
    を有する光ヘッドと、 前記光ヘッドを前記光ディスクの半径方向に案内する案
    内手段とを具備したことを特徴とする光ディスク装置。
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WO2007034783A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体レーザ駆動装置、光ヘッド装置および光情報記録再生装置
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