JP2001350438A - Shift register and electronic device - Google Patents

Shift register and electronic device

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JP2001350438A
JP2001350438A JP2000169002A JP2000169002A JP2001350438A JP 2001350438 A JP2001350438 A JP 2001350438A JP 2000169002 A JP2000169002 A JP 2000169002A JP 2000169002 A JP2000169002 A JP 2000169002A JP 2001350438 A JP2001350438 A JP 2001350438A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shift register capable of operating constantly for a long period by preventing transistors characteristics from being fluctuated. SOLUTION: This shift register is composed of plural stages, RS1 to RSn and each of stages, RS1 to RSn is composed of TFT 1 to TFT 6. In the Kth stage RSk, the output signal OUTk-1 of a front stage (in a first stage, the start signal Dst from the outside) is supplied to the gate of the TFT 1. When this signal turns to a high level, the TFT 1 is turned ON and it outputs a power source voltage Vdd from the drain to the source so as to store electric charge on a node Ak and to turn the TFT 2, 5 ON and the TFT 3 OFF. Moreover, the output signal OUTk+1 of a next stage RS ((k+1)th SRk+1) (in the Nth stage, the completion signal Dend from the outside) is supplied to the TFT 6 and when this signal turns to a high level, the TFT 6 is turned ON so as to release electric charge stored on the node Ak.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シフトレジスタ、
及びこのシフトレジスタをドライバとして用いた表示装
置、撮像装置などの電子装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a shift register,
And an electronic device such as a display device or an imaging device using the shift register as a driver.

【0002】[0002]

【従来の技術】TFT液晶表示装置などのアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置では、マトリクス状に配列さ
れた表示画素を1ラインずつ選択し、選択した画素の画
素容量に表示データを書き込むことによって所望の表示
を得ている。このラインを選択するためのドライバとし
ては、一般に、外部からの制御信号に従って出力信号を
順次シフトしていくシフトレジスタが用いられている。
2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device such as a TFT liquid crystal display device, display pixels arranged in a matrix are selected line by line, and display data is written into a pixel capacitance of the selected pixel to thereby obtain a desired display pixel. Getting the display. As a driver for selecting this line, a shift register that sequentially shifts an output signal in accordance with an external control signal is generally used.

【0003】特開2000−35772号公報は、この
ようなシフトレジスタを開示している。図27は、上記
公報が開示するシフトレジスタの回路構成を示す図であ
る。図示するように、このシフトレジスタは、n個の段
RS(1)〜RS(n)から構成され、段RS(1)〜
RS(n)のそれぞれが5個のTFT101〜105に
よって構成されている。TFT101〜105は、いず
れもnチャネル型の電界効果トランジスタである。
Japanese Patent Laying-Open No. 2000-35772 discloses such a shift register. FIG. 27 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register disclosed in the above publication. As shown, the shift register includes n stages RS (1) to RS (n).
Each of RS (n) is constituted by five TFTs 101 to 105. Each of the TFTs 101 to 105 is an n-channel type field effect transistor.

【0004】次に、このシフトレジスタの動作を、図2
8のタイミングチャートを参照して説明する。まず、タ
イミングT0からT1までの間でスタート信号Dstが
ハイレベルとなり、制御信号φ1がハイレベルとなる。
この間に、1番目の段RS(1)のTFT101がオン
し、そのノードA1に電荷が蓄積される。これにより、
TFT102、105がオンし、TFT105がオンし
たことでTFT103のゲート電圧がローレベルに変化
し、TFT103がオフする。
Next, the operation of this shift register will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the start signal Dst is at a high level from the timing T0 to T1, and the control signal φ1 is at a high level.
During this time, the TFT 101 of the first stage RS (1) is turned on, and charges are accumulated at the node A1. This allows
When the TFTs 102 and 105 are turned on and the TFT 105 is turned on, the gate voltage of the TFT 103 is changed to a low level, and the TFT 103 is turned off.

【0005】次に、タイミングT1においてクロック信
号CK1がハイレベルに変化すると、この信号のレベル
がほぼそのまま、1番目の段RS(1)の出力信号OU
T1として出力される。タイミングT1からT2の間で
ハイレベルの出力信号OUT1が2番目の段RS(2)
のTFT101に供給され、制御信号φ2がハイレベル
となることにより、今度は2番目の段RS(2)のノー
ドA2に電荷が蓄積され、TFT102、105がオン
し、TFT103がオフする。
Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T1, the output signal OU of the first stage RS (1) remains almost unchanged.
Output as T1. Between the timings T1 and T2, the high-level output signal OUT1 changes to the second stage RS (2).
Is supplied to the TFT 101, and the control signal φ2 goes to a high level. This causes charges to be accumulated in the node A2 of the second stage RS (2), turning on the TFTs 102 and 105 and turning off the TFT 103.

【0006】次に、タイミングT2においてクロック信
号CK2がハイレベルに変化すると、この信号のレベル
がほぼそのまま、2番目の段RS(2)の出力信号OU
T2として出力される。タイミングT2からT3の間で
ハイレベルの出力信号OUT2が3番目の段RS(3)
のTFT101に供給され、制御信号φ1がハイレベル
となることにより、今度は3番目の段RS(3)のノー
ドA3に電荷が蓄積され、TFT102、105がオン
し、TFT103がオフする。
Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing T2, the output signal OU of the second stage RS (2) remains almost unchanged.
Output as T2. Between the timings T2 and T3, the high-level output signal OUT2 changes to the third stage RS (3).
Is supplied to the TFT 101, and the control signal φ1 goes to a high level. This causes charges to be accumulated at the node A3 of the third stage RS (3), turning on the TFTs 102 and 105 and turning off the TFT 103.

【0007】また、この間にハイレベルとなった制御信
号φ1により、1番目の段RS(1)のノードA1に蓄
積された電荷が放出され、TFT102、105がオフ
し、TFT103がオンする。この後1番目の段RS
(1)のノードA1には、次にスタート信号Dstが供
給されるまでは電荷が蓄積されることがなく、クロック
信号CK1がハイレベルに変化しても出力信号OUT1
がハイレベルとならない。
During this period, the charge stored in the node A1 of the first stage RS (1) is released by the control signal φ1 which has become high level, and the TFTs 102 and 105 are turned off and the TFT 103 is turned on. After this, the first stage RS
No charge is accumulated in the node A1 of (1) until the next start signal Dst is supplied, and the output signal OUT1 is output even if the clock signal CK1 changes to high level.
Does not go to high level.

【0008】タイミングT3以降、3番目以降の段RS
(1)〜RS(n)が同様の動作を行うことにより、1
Tの期間ずつの間でクロック信号CK1、CK2がハイ
レベルになる度に出力信号OUT1〜OUTnが順次ハ
イレベルになっていき、出力信号がシフトする。
After timing T3, the third and subsequent stages RS
(1) to RS (n) perform the same operation,
Each time the clock signals CK1 and CK2 go high during each period of T, the output signals OUT1 to OUTn sequentially go high and the output signals shift.

【0009】ところで、図28のタイミングチャートの
下段において3番目の段RS(3)を例として説明する
と、1番目の段RS(1)からn番目の段RS(n)ま
で出力信号をシフトさせる場合に、TFT101のゲー
トに印加される制御信号φ1またはφ2は、n/2回ハ
イレベルとなる。すなわち、TFT101のゲートに
は、本来的には電荷の蓄積と放出のために2回だけハイ
レベルの電圧を印加すればよいのに、実際にはn/2回
もハイレベルの電圧が印加されることとなる。このうち
のほとんどの場合、TFT101のドレインとソースの
電圧レベルはローレベルである。
By way of example, in the lower stage of the timing chart of FIG. 28, the third stage RS (3) will be described as an example. The output signal is shifted from the first stage RS (1) to the nth stage RS (n). In this case, the control signal φ1 or φ2 applied to the gate of the TFT 101 becomes high level n / 2 times. That is, the high-level voltage is actually applied to the gate of the TFT 101 only twice for storing and discharging the electric charge, but the high-level voltage is actually applied n / 2 times. The Rukoto. In most cases, the voltage level of the drain and source of the TFT 101 is low.

【0010】このようにTFT101のゲート電圧がド
レイン及びソース電圧に対して相対的にプラスとなる期
間が多いため、TFT101のゲート閾値電圧特性がプ
ラスよりに変化することになる。これにより、長期間に
亘って使用していると、本来的にはオンすべきTFT1
01がオンしなくなり、ノードA1〜Anに電荷を蓄積
できなくなったり、蓄積された電荷を放出できなくなる
場合が生じうる。つまり、図27に示した従来のシフト
レジスタは、誤作動を引き起こし、耐久性が低くなって
しまうという第1の問題があった。
As described above, since there are many periods in which the gate voltage of the TFT 101 is relatively positive with respect to the drain and source voltages, the gate threshold voltage characteristic of the TFT 101 changes to be more positive. As a result, when used for a long period of time, the TFT 1 that should be turned on
01 may not be turned on, and the charge may not be stored in the nodes A1 to An, or the stored charge may not be released. That is, the conventional shift register shown in FIG. 27 has a first problem that it causes a malfunction and lowers durability.

【0011】さらに、図27に示すシフトレジスタで
は、スタート信号Dstまたは前段の出力信号OUT1
〜OUTn−1を、TFT101を介してノードA1〜
Anに転送するため、ノードA1〜Anには、これらの
信号レベルVddよりもTFT101の閾値電圧だけ低
い電圧が保持されることになる。
Further, in the shift register shown in FIG. 27, the start signal Dst or the output signal OUT1 of the preceding stage is output.
OUTn−1 are connected to the nodes A1 through A1 via the TFT 101.
Since the signal is transferred to An, the nodes A1 to An hold a voltage lower than the signal level Vdd by the threshold voltage of the TFT 101.

【0012】しかしながら、図28に示すように、クロ
ック信号CK1またはCK2がハイレベルとなっている
間は、いわゆるブートストラップ効果によってノードA
1〜Anの信号レベルがVddより高いレベルまで上昇
する。このため、ノードA1〜Anに接続されているT
FT101、102、105は、非常に大きな電圧スト
レスを受け、素子特性が劣化してしまう。このように長
期間に亘って使用しているとTFT101、102、1
05が故障してしまうことがあるので、耐久性が低くな
ってしまうという第2の問題があった。
However, as shown in FIG. 28, while the clock signal CK1 or CK2 is at a high level, the node A is driven by a so-called bootstrap effect.
The signal levels 1 to An rise to a level higher than Vdd. Therefore, the T connected to the nodes A1 to An
The FTs 101, 102, and 105 receive a very large voltage stress, and the device characteristics are degraded. If the TFT 101, 102, 1
There is a second problem that the durability of the battery 05 is lowered because the battery 05 may fail.

【0013】また、上記公報は、図27に示したシフト
レジスタの各段RS(1)〜RS(n)にさらにTFT
を追加し、制御信号の数を追加することで、出力信号O
UT1,OUT2,・・・,OUTnの順に順次ハイレ
ベルにする順方向シフトと、出力信号OUTn,OUT
n−1,・・・,OUT1の順に順次ハイレベルにする
逆方向シフトとの双方を行えるシフトレジスタも開示し
ている。
The above publication discloses that each stage RS (1) to RS (n) of the shift register shown in FIG.
And by adding the number of control signals, the output signal O
UT1, OUT2,..., OUTn in the order of high level, and output signals OUTn, OUT
There is also disclosed a shift register that can perform both a backward shift to sequentially set a high level in the order of n−1,..., OUT1.

【0014】しかしながら、各段RS(1)〜RS
(n)にTFTを追加することによって、図27に示し
た片方向シフトのみを行えるシフトレジスタに比べて、
追加したTFTの分だけ面積が大きくなってしまうとい
う第3の問題があった。この第3の問題は、さらに、こ
のシフトレジスタをドライバとして液晶表示素子の基板
と同一の基板に形成した場合に、画像の表示領域の相対
的な面積が小さくなってしまうという問題を招いてい
た。
However, each stage RS (1) -RS
By adding a TFT to (n), the shift register can perform only one-way shift shown in FIG.
There is a third problem that the area is increased by the added TFT. The third problem further causes a problem that when the shift register is formed as a driver on the same substrate as the substrate of the liquid crystal display element, the relative area of the image display area is reduced. .

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題を解消するためになされたものであり、トラン
ジスタの特性変動を防ぐことにより、長期間安定して動
作可能なシフトレジスタを提供することを第1の目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and provides a shift register capable of operating stably for a long period of time by preventing fluctuations in transistor characteristics. The first purpose is to do so.

【0016】本発明は、各段を構成するシフトレジスタ
に大きな電圧ストレスがかかるのを防ぐことにより、長
期間安定して動作可能なシフトレジスタを提供すること
を第2の目的とする。
A second object of the present invention is to provide a shift register which can operate stably for a long period of time by preventing a large voltage stress from being applied to the shift register constituting each stage.

【0017】本発明は、片方向シフトのみを行えるシフ
トレジスタとほぼ同じ面積で、順方向と逆方向の双方に
シフト動作を行えるようにしたシフトレジスタを提供す
ることを第3の目的とする。
A third object of the present invention is to provide a shift register capable of performing a shift operation in both a forward direction and a reverse direction with substantially the same area as a shift register capable of performing only one-way shift.

【0018】本発明は、このようなシフトレジスタを表
示画素または撮像画素の選択のために用いるドライバに
用いた表示装置や撮像装置などの電子装置を提供するこ
とを第4の目的とする。
A fourth object of the present invention is to provide an electronic device such as a display device or an image pickup device using such a shift register as a driver for selecting a display pixel or an image pickup pixel.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の観点にかかるシフトレジスタは、複
数の段からなるシフトレジスタであって、前記シフトレ
ジスタの各段は、制御端子に、一方側に隣接する段(例
えば前段)の出力信号が供給され、電流路の一端に第1
の電圧信号が供給される第1のトランジスタと、制御端
子に、他方側に隣接する段(例えば後段)の出力信号が
供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される
第2のトランジスタと、前記第1、第2のトランジスタ
のそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その
間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して
供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を
蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしている
ときに、電流路の一端に供給された第1または第2のク
ロック信号を電流路の他端から当該段の出力信号として
出力させる第3のトランジスタとを備え、前記第1、第
2のトランジスタの少なくとも一方は、制御端子に供給
された隣接する段の出力信号により、前記配線に蓄積さ
れた電荷を放出することができるように構成されている
ことを特徴とする。
To achieve the above object, a shift register according to a first aspect of the present invention is a shift register having a plurality of stages, wherein each stage of the shift register has a control terminal. , An output signal of an adjacent stage (for example, a previous stage) is supplied to one side, and a first end of the current path is
A first transistor to which the voltage signal is supplied, an output signal of an adjacent stage (for example, a subsequent stage) is supplied to the other side to the control terminal, and a second voltage signal is supplied to one end of the current path. And a control terminal is connected to the other end of each of the current paths of the first and second transistors, and the first or second power supply is supplied to the wiring therebetween through the first or second transistor. And the first or second clock signal supplied to one end of the current path is output from the other end of the current path to the output of the stage when the charge is accumulated by the voltage signal of (2) and turned on by the accumulated charge. A third transistor for outputting a signal, and at least one of the first and second transistors emits charges accumulated in the wiring in response to an output signal of an adjacent stage supplied to a control terminal. Characterized in that it is configured to allow.

【0020】ここで、前記複数の段の一方の端の段の第
1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御
信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を
蓄積させ、前記複数の段の他方の端の段の第1、第2の
トランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御
端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を
放出させるものとすることができる。
Here, one of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is externally supplied to a control terminal, and charges are applied to the wiring. The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied from the outside to a control terminal, and charges accumulated in the wiring are turned on. It can be released.

【0021】上記シフトレジスタは、第1または第2の
トランジスタの制御端子に供給される信号が隣接する段
の出力信号であるため、端から端まで順次シフト動作し
ていく間に、制御端子の電位が不必要にオンレベルにな
らない。このため、第1または第2のトランジスタの特
性があまり変動しないものとなるので、長期間安定して
動作することができる。
In the shift register, since the signal supplied to the control terminal of the first or second transistor is an output signal of an adjacent stage, while the shift operation is sequentially performed from one end to another, The potential does not turn on unnecessarily. For this reason, the characteristics of the first or second transistor do not change much, and thus the transistor can operate stably for a long time.

【0022】上記シフトレジスタは、前記第1、第2の
電圧信号のレベルを切り替えることにより、前記第1、
第2のトランジスタの一方を介して前記配線に電荷を蓄
積できるようにし、前記第1、第2のトランジスタの他
方を介して前記配線に蓄積された電荷を放出できるよう
にしたものとすることができる。
The shift register switches the levels of the first and second voltage signals, thereby providing the first and second voltage signals.
Charges can be stored in the wiring through one of the second transistors, and charges stored in the wiring can be released through the other of the first and second transistors. it can.

【0023】この場合に、前記第1、第2の電圧信号
は、その一方がローレベルに維持されるようにレベルが
切り替えられるものであってもよい。
In this case, the levels of the first and second voltage signals may be switched so that one of them is maintained at a low level.

【0024】このような電圧信号の切り換えにより、前
の段の出力信号によって前記配線に電荷を蓄積させるこ
とも、後ろの段の出力信号によって配線に電荷を蓄積さ
せることもできる。つまり、前の段の出力信号によって
電荷を蓄積させれば、出力信号が後ろの段に向かってシ
フトしていき、後ろの段の出力信号によって電荷を蓄積
させれば前の段に向かってシフトしていくので、双方向
シフトを可能としたシフトレジスタを提供することがで
きる。
By such switching of the voltage signal, the electric charge can be accumulated in the wiring by the output signal of the previous stage, or the electric charge can be accumulated in the wiring by the output signal of the subsequent stage. In other words, if charge is accumulated by the output signal of the previous stage, the output signal shifts toward the next stage, and if charge is accumulated by the output signal of the next stage, it shifts toward the previous stage. Therefore, a shift register capable of bidirectional shift can be provided.

【0025】上記シフトレジスタにおいて、前記第1、
第2の電圧信号のハイレベルは、前記第1、第2のクロ
ック信号のハイレベルよりもレベルが小さくすることを
好適とする。
In the above shift register, the first,
The high level of the second voltage signal is preferably lower than the high level of the first and second clock signals.

【0026】上記シフトレジスタにおいて、前記第1、
第2の電圧信号がハイレベルとなっている各期間は、前
記第1、第2のクロック信号のいずれかがハイレベルと
なっている各期間よりも短いことを好適とする。
In the above shift register, the first,
It is preferable that each period in which the second voltage signal is at a high level is shorter than each period in which one of the first and second clock signals is at a high level.

【0027】このように、第1、第2の電圧信号のハイ
レベルを第1、第2のクロック信号のハイレベルよりも
低く設定したり、ハイレベルとなっている期間を限った
りすることにより、第1および/または第2のトランジ
スタにかかる電圧ストレスを小さくすることができる。
これにより、第1、第2のトランジスタが故障すること
が少なくなり、長期間安定して動作することができるよ
うになる。
As described above, the high level of the first and second voltage signals is set lower than the high level of the first and second clock signals, or the period during which the high level is high is limited. , And / or the voltage stress applied to the first and / or second transistors can be reduced.
Thus, the first and second transistors are less likely to fail, and can operate stably for a long time.

【0028】上記シフトレジスタにおいて、前記第1の
クロック信号と第2のクロック信号とは、互いに位相が
180°異なるものとすることができる。
In the above shift register, the first clock signal and the second clock signal may be 180 ° out of phase with each other.

【0029】上記シフトレジスタにおいて、前記複数の
段のそれぞれを構成する各トランジスタは、同一チャネ
ル型の電界効果トランジスタとすることができる。
In the shift register, each transistor constituting each of the plurality of stages may be a same-channel type field effect transistor.

【0030】上記シフトレジスタは、前記第1、第2の
トランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接
続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジ
スタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号
により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によって
オンしているときに、電流路の一端に負荷を介して電圧
源から供給された信号を電流路の他端から放出させる第
4のトランジスタと、制御端子が前記負荷を介して前記
電圧源に接続され、前記第4のトランジスタがオフして
いるときに前記電圧源から接続される信号によってオン
すると共に、電流路の一端が前記第3のトランジスタの
電流路の他端に接続された第5のトランジスタとをさら
に備えるものとすることができる。
In the shift register, a control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and a control line is supplied to a wiring therebetween through the first or second transistor. While accumulating electric charge by the first or second voltage signal, and when turned on by the accumulated electric charge, a signal supplied from a voltage source via a load is applied to one end of the current path from the other end of the current path. A fourth transistor to be released, a control terminal connected to the voltage source via the load, and turning on by a signal connected from the voltage source when the fourth transistor is off; And a fifth transistor having one end connected to the other end of the current path of the third transistor.

【0031】上記目的を達成するため、本発明の第2の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給
され、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1
のトランジスタと、制御端子に、他方側に隣接する段の
出力信号が供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が
供給される第2のトランジスタと、前記第1、第2のト
ランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続
され、その間の配線に前記第1または第2のトランジス
タを介して供給される前記第1または第2の電圧信号に
より電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオ
ンしているときに、電流路の一端に供給された第1また
は第2のクロック信号を電流路の他端から当該段の出力
信号として出力させる第3のトランジスタと、前記第
1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制
御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2
のトランジスタを介して供給される前記第1または第2
の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電
荷によってオンしているときに、電流路の一端に負荷を
介して電圧源から供給された信号を電流路の他端から放
出させる第4のトランジスタと、制御端子が前記負荷を
介して前記電圧源に接続され、前記第4のトランジスタ
がオフしているときに前記電圧源から接続される信号に
よってオンすると共に、電流路の一端が前記第3のトラ
ンジスタの電流路の他端に接続された第5のトランジス
タとを備え、前記第1、第2のトランジスタの少なくと
も一方は、制御端子に供給された隣接する段の出力信号
により、前記配線に蓄積された電荷を放出することがで
きるように構成されていることを特徴とする。
To achieve the above object, an electronic device according to a second aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element constituted by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver is supplied with an output signal of an adjacent stage on one side to a control terminal. And a first voltage signal is supplied to one end of the current path.
And a control terminal, an output signal of an adjacent stage is supplied to the other side, and a second voltage signal is supplied to one end of a current path. A control terminal is connected to the other end of each of the current paths, and charges are stored in the wiring therebetween by the first or second voltage signal supplied through the first or second transistor, and the stored charge is stored. A third transistor for outputting the first or second clock signal supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage when the first transistor is turned on by the accumulated electric charge; , A control terminal is connected to the other end of each current path of the second transistor, and the first or second
The first or the second supplied through the transistor of
A fourth signal for discharging a signal supplied from a voltage source via a load to one end of the current path from the other end of the current path when the charge is accumulated by the voltage signal of A transistor and a control terminal are connected to the voltage source via the load, and when the fourth transistor is off, the transistor is turned on by a signal connected from the voltage source, and one end of a current path is connected to the fourth transistor. And a fifth transistor connected to the other end of the current path of the third transistor, wherein at least one of the first and second transistors is connected to the control terminal via an output signal of an adjacent stage supplied to a control terminal. Characterized in that it is configured to be able to release the electric charge stored therein.

【0032】上記電子装置において、前記駆動素子は、
例えば、制御端子に前記ドライバの各段のいずれかの出
力信号が供給され、電流路の一端に外部から画像データ
が供給される第6のトランジスタを、画素毎に備えた表
示素子とすることができる。
In the above electronic device, the driving element may be:
For example, a display element provided for each pixel may include a sixth transistor to which an output signal of any one of the stages of the driver is supplied to a control terminal and image data is externally supplied to one end of a current path. it can.

【0033】また、上記電子装置は、撮像レンズによっ
て結像された光像を撮影する撮像装置を含む撮像部と、
撮像方向に実質的に垂直な方向を軸として前記撮像部に
対して回動可能に設けられ、前記駆動素子として表示素
子と、これを駆動する前記ドライバとを含む表示部とを
さらに備えるものであってもよい。この場合、前記表示
部は、前記撮像装置で撮影した画像に応じた画像を前記
表示素子に表示するものとすることができる。
Further, the electronic device includes an image pickup unit including an image pickup device for picking up an optical image formed by an image pickup lens;
The image display device further includes a display unit that is provided rotatably with respect to the imaging unit about a direction substantially perpendicular to the imaging direction and includes a display element as the driving element and the driver that drives the display element. There may be. In this case, the display unit may display an image corresponding to an image captured by the imaging device on the display element.

【0034】そして、このような電子装置の場合には、
前記第1、第2のトランジスタのいずれを介して前記配
線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を放出させるかを
設定する設定手段と、前記撮像部の前記表示部に対する
角度を検出する角度検出手段とをさらに備え、前記設定
手段は、前記角度検出手段の検出結果に従って設定を行
い、前記第1、第2の電圧信号のレベルを切り替えるこ
とにより、前記第1、第2のトランジスタの一方を介し
て前記配線に電荷を蓄積できるようにし、前記第1、第
2のトランジスタの他方を介して前記配線に蓄積された
電荷を放出できるようにすることが好ましい。
In the case of such an electronic device,
Setting means for setting which of the first and second transistors accumulates electric charge in the wiring and discharges the accumulated electric charge, and angle detection for detecting an angle of the imaging unit with respect to the display unit Means for setting one of the first and second transistors by performing setting in accordance with the detection result of the angle detecting means and switching the level of the first and second voltage signals. It is preferable that charges can be stored in the wiring through the first transistor and the charges stored in the wiring can be released through the other of the first and second transistors.

【0035】この場合は、ドライバが順方向と逆方向と
を切り替えて、双方向にシフト動作することが可能とな
る。ドライバが逆方向にシフト動作することにより、表
示部に表示される画像の上下を容易に反転することがで
きる。これにより、表示する画像の読み出しに複雑な制
御を行わなくても、撮像装置で捉えている画像の鏡面画
像を表示部に表示させることができる。
In this case, it becomes possible for the driver to switch between the forward direction and the reverse direction and to perform a bidirectional shift operation. When the driver performs the shift operation in the reverse direction, the image displayed on the display unit can be easily inverted upside down. Thereby, the mirror image of the image captured by the imaging device can be displayed on the display unit without performing complicated control for reading out the image to be displayed.

【0036】上記電子装置において、前記駆動素子は、
励起光によりキャリアを生成する半導体層と、前記半導
体層の両端にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソー
ス電極と、第1ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の一
方側に設けられた第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜
を介して前記半導体層の他方側に設けられた第2ゲート
電極とを、画素毎に備える撮像素子とすることともでき
る。
In the above electronic device, the driving element is
A semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode respectively connected to both ends of the semiconductor layer, and a first gate electrode provided on one side of the semiconductor layer via a first gate insulating film And a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer with a second gate insulating film interposed therebetween.

【0037】この場合において、前記ドライバは、出力
信号を第1のゲート電極に出力する第1のドライバと、
出力信号を第2のゲート電極に出力する第2のドライバ
とを含むものとすることができる。
In this case, the driver comprises: a first driver for outputting an output signal to a first gate electrode;
And a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode.

【0038】以上のような電子装置は、駆動素子を駆動
するためのドライバとして、上記第1の観点にかかるシ
フトレジスタと同一の構成を有するものを備えている。
このため、ドライバの耐久性が高いものとなるので、電
子装置全体として耐久性に優れたものを提供することが
できる。
The electronic device as described above has a driver for driving the drive element having the same configuration as the shift register according to the first aspect.
For this reason, the durability of the driver is high, so that the electronic device as a whole can have excellent durability.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0040】[第1の実施の形態]図1は、この実施の
形態にかかるデジタルスチルカメラの外観構成を示す図
である。図示するように、このデジタルスチルカメラ
は、カメラ本体部01とレンズユニット部02とから構
成されている。
[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing an external configuration of a digital still camera according to this embodiment. As shown in the figure, the digital still camera includes a camera body 01 and a lens unit 02.

【0041】カメラ本体部01は、その正面に表示部1
0と、モード設定キー12aとを備える。モード設定キ
ー12aは、画像を撮影し、後述する画像メモリに記録
する撮影モードと、記録された画像を再生する再生モー
ドとの切り換えを行うためのキーである。表示部10
は、液晶表示装置によって構成され、撮影モード(モニ
タリングモード)時には撮影前にレンズ02aで捉えて
いる画像を表示するためのビューファインダとして機能
し、再生モード時には記録された画像を表示するための
ディスプレイとして機能する。表示部10の構成につい
ては、詳しく説明する。
The camera body 01 has a display 1 on its front.
0 and a mode setting key 12a. The mode setting key 12a is a key for switching between a photographing mode for photographing an image and recording the image in an image memory described later and a reproduction mode for reproducing the recorded image. Display unit 10
Comprises a liquid crystal display device, which functions as a viewfinder for displaying an image captured by the lens 02a before shooting in a shooting mode (monitoring mode), and a display for displaying a recorded image in a playback mode. Function as The configuration of the display unit 10 will be described in detail.

【0042】カメラ本体部01は、また、その上面に電
源キー11と、シャッターキー12bと、「+」キー1
2cと、「−」キー12dと、シリアル入出力端子13
とを備える。電源キー11は、スライド操作することに
よって、このデジタルスチルカメラの電源をオン/オフ
するためのキーである。シャッターキー12b、「+」
キー12c及び「−」キー12dは、前述したモード設
定キー12aと共に、キー入力部12を構成する。
The camera body 01 has a power key 11, a shutter key 12b, and a "+" key 1 on its upper surface.
2c, a "-" key 12d, and a serial input / output terminal 13
And The power key 11 is a key for turning on / off the power of the digital still camera by performing a slide operation. Shutter key 12b, "+"
The key 12c and the “−” key 12d constitute the key input unit 12 together with the mode setting key 12a described above.

【0043】シャッターキー12bは、撮影モード時に
画像の記録を指示すると共に、再生モード時に選択内容
の決定を指示するためのキーである。「+」キー12c
及び「−」キー12dは、撮影モード時に画像メモリに
記録されている画像データから表示部10に表示するた
めの画像データを選択したり、記録/再生時の条件設定
のために用いられる。シリアル入出力端子13は、外部
の装置(パーソナルコンピュータ、プリンタなど)との
間でデータを送受信するためのケーブルを挿入するため
の端子である。
The shutter key 12b is a key for instructing recording of an image in the photographing mode and for deciding the selected contents in the reproducing mode. "+" Key 12c
The "-" key 12d is used to select image data to be displayed on the display unit 10 from image data recorded in the image memory in the shooting mode, and to set conditions for recording / reproduction. The serial input / output terminal 13 is a terminal for inserting a cable for transmitting and receiving data to and from an external device (a personal computer, a printer, or the like).

【0044】レンズユニット部02は、撮影すべき画像
を結像するレンズ02aを、図の背面側に備えている。
レンズユニット部02は、カメラ本体部01に結合した
軸を中心に上下方向360°回動可能に取り付けられて
いる。
The lens unit 02 has a lens 02a for forming an image to be photographed on the rear side in the figure.
The lens unit 02 is attached to be rotatable up and down 360 ° about an axis connected to the camera body 01.

【0045】図2は、この実施の形態にかかるデジタル
スチルカメラの回路構成を示すブロック図である。図示
するように、このデジタルスチルカメラは、CCD(Ch
argeCoupled Device)撮像装置20、A/D(Analogue
/Digital)変換器21、CPU(Central Processing U
nit)22、ROM(Read Only Memory)23、RAM
(Random Access Memory)24、圧縮/伸張回路25、
画像メモリ26、並びに前述した表示部10、キー入力
部12及びシリアル入出力端子13を備えている。これ
らは、バス30を介して互いに接続されている。CCD
撮像装置20とA/D変換器21は、専用線での接続も
されている。なお、破線で示す角度センサ40は、この
実施の形態では構成として含まない(後述する第2の実
施の形態参照)。
FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of the digital still camera according to this embodiment. As shown in the figure, this digital still camera uses a CCD (Ch
argeCoupled Device) imaging device 20, A / D (Analogue)
/ Digital) converter 21, CPU (Central Processing U)
nit) 22, ROM (Read Only Memory) 23, RAM
(Random Access Memory) 24, compression / expansion circuit 25,
An image memory 26 is provided, as well as the display unit 10, the key input unit 12, and the serial input / output terminal 13 described above. These are connected to each other via a bus 30. CCD
The imaging device 20 and the A / D converter 21 are also connected by a dedicated line. The angle sensor 40 indicated by a broken line is not included as a component in this embodiment (see a second embodiment described later).

【0046】CCD撮像装置20は、マトリクス状に形
成された複数の撮像画素を有し、撮像レンズ02aによ
って結像された光を光電変換して、各画素の光の強度に
応じた電気信号を出力する。A/D変換器21は、CC
D撮像装置20から出力されたアナログの電気信号をデ
ジタル信号に変換して出力する。
The CCD image pickup device 20 has a plurality of image pickup pixels formed in a matrix, photoelectrically converts light formed by the image pickup lens 02a, and outputs an electric signal corresponding to the light intensity of each pixel. Output. The A / D converter 21 has a CC
An analog electric signal output from the D imaging device 20 is converted into a digital signal and output.

【0047】CPU22は、キー入力部12からの入力
に従ってROM23に記憶されたプログラムを実行する
ことにより、このデジタルスチルカメラの各部の回路を
制御する。ROM23は、CPU22が実行するプログ
ラムを記憶すると共に、固定的なデータを記憶してい
る。RAM24は、CPU22がプログラムを実行する
際のワークエリアとして使用される。RAM24には、
また、表示部10に表示する画像データを展開するため
のVRAM領域が設けられている。
The CPU 22 controls a circuit of each section of the digital still camera by executing a program stored in the ROM 23 in accordance with an input from the key input section 12. The ROM 23 stores programs executed by the CPU 22 and also stores fixed data. The RAM 24 is used as a work area when the CPU 22 executes a program. In the RAM 24,
Further, a VRAM area for expanding image data to be displayed on the display unit 10 is provided.

【0048】圧縮/伸張回路25は、シャッターキー1
2bが操作されたときに、CCD撮像装置20によって
撮影され、A/D変換器21によってデジタル信号に変
換された画像データを圧縮し、画像メモリ26に記録さ
せる。圧縮/伸張回路25は、また、キー入力部12か
ら撮影済みの画像を表示することが指示された場合に、
圧縮されて画像メモリ26に記録されている画像データ
を伸張する。
The compression / expansion circuit 25 includes a shutter key 1
When the 2b is operated, image data photographed by the CCD imaging device 20 and converted into a digital signal by the A / D converter 21 is compressed and recorded in the image memory 26. The compression / expansion circuit 25 also receives an instruction from the key input unit 12 to display a captured image.
The image data compressed and recorded in the image memory 26 is expanded.

【0049】画像メモリ26は、フラッシュメモリのよ
うなデータの消去が可能な不揮発性の記憶媒体によって
構成され、前述したように撮影され、圧縮された画像デ
ータを記録する。画像メモリ26は、このデジタルスチ
ルカメラに着脱可能に構成されたものであってもよい。
The image memory 26 is constituted by a non-volatile storage medium such as a flash memory from which data can be erased, and records the photographed and compressed image data as described above. The image memory 26 may be configured to be detachable from the digital still camera.

【0050】図3は、表示部10を構成する液晶表示装
置の構成を示すブロック図である。図示するように、こ
の液晶表示装置は、液晶コントローラ50と、液晶表示
素子51と、ゲートドライバ52と、ドレインドライバ
53とから構成されている。ゲートドライバ52には制
御信号群Gcntが、ドレインドライバ53には制御信
号群Dcntと表示データdataとが、液晶コントロ
ーラ50から供給されている。
FIG. 3 is a block diagram showing the structure of the liquid crystal display device constituting the display section 10. As shown in FIG. As shown, the liquid crystal display device includes a liquid crystal controller 50, a liquid crystal display element 51, a gate driver 52, and a drain driver 53. The control signal group Gcnt is supplied to the gate driver 52, and the control signal group Dcnt and the display data data are supplied to the drain driver 53 from the liquid crystal controller 50.

【0051】液晶コントローラ50は、CPU22から
の制御信号に従って制御信号群Gcnt、Dcntを生
成し、ゲートドライバ52とドレインドライバ53とに
それぞれ供給する。液晶コントローラ50は、また、C
PU22からの制御信号に従ってRAM24のVRAM
領域に展開された画像データを読み出し、表示データd
ataとしてドレインドライバ53に供給する。
The liquid crystal controller 50 generates control signal groups Gcnt and Dcnt according to control signals from the CPU 22 and supplies them to the gate driver 52 and the drain driver 53, respectively. The liquid crystal controller 50 also has C
VRAM of RAM 24 according to control signal from PU 22
The image data expanded in the area is read out, and the display data d
The data is supplied to the drain driver 53 as “ata”.

【0052】液晶表示素子51は、一対の基板に液晶を
封入して構成されるもので、その一方の基板には、a−
Siを半導体層としたアクティブ駆動用のTFT61が
マトリクス状に形成されている。各TFT61のゲート
はゲートラインGLに、ドレインはドレインラインDL
に、ソースは同様にマトリクス状に形成された画素電極
に接続されている。他方の基板には、所定の電圧Vco
mが印加されている共通電極が形成されており、この共
通電極と各画素電極とその間の液晶とによって、画素容
量62が形成される。そして、画素容量62に蓄積され
た電荷によって液晶の配向状態が変化することで、液晶
表示素子51は、透過させる光の量を制御して画像を表
示するものである。
The liquid crystal display element 51 has a structure in which liquid crystal is sealed in a pair of substrates.
TFTs 61 for active driving using Si as a semiconductor layer are formed in a matrix. The gate of each TFT 61 is connected to the gate line GL, and the drain is connected to the drain line DL.
The source is connected to pixel electrodes similarly formed in a matrix. A predetermined voltage Vco is applied to the other substrate.
A common electrode to which m is applied is formed, and a pixel capacitor 62 is formed by the common electrode, each pixel electrode, and liquid crystal therebetween. The liquid crystal display element 51 displays an image by controlling the amount of transmitted light by changing the alignment state of the liquid crystal by the electric charge stored in the pixel capacitor 62.

【0053】ゲートドライバ52は、液晶コントローラ
50からの制御信号群Gcntに従って動作するシフト
レジスタによって構成される。ゲートドライバ52は、
液晶コントローラ50からの制御信号群Gcntに従っ
て、ゲートラインGLを順次選択して所定の電圧を出力
する。ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタに
ついては、詳しく後述する。
The gate driver 52 is constituted by a shift register that operates according to a control signal group Gcnt from the liquid crystal controller 50. The gate driver 52 includes:
According to the control signal group Gcnt from the liquid crystal controller 50, the gate lines GL are sequentially selected and a predetermined voltage is output. The shift register forming the gate driver 52 will be described later in detail.

【0054】ドレインドライバ53は、液晶コントロー
ラ50からの制御信号群Dcntに従って、液晶コント
ローラ50から表示データdataを順次取り込む。1
ライン分の表示データdataを蓄積すると、ドレイン
ドライバ53は、液晶コントローラ50からの制御信号
群Dcntに従ってこれをドレインラインDLに出力
し、ゲートドライバ52によって選択されたゲートライ
ンGLに接続されているTFT61(オン状態)を介し
て、画素容量62に蓄積させる。
The drain driver 53 sequentially takes in the display data data from the liquid crystal controller 50 according to the control signal group Dcnt from the liquid crystal controller 50. 1
When the display data data for the line is accumulated, the drain driver 53 outputs this to the drain line DL in accordance with the control signal group Dcnt from the liquid crystal controller 50, and the TFT 61 connected to the gate line GL selected by the gate driver 52. (ON state), and is accumulated in the pixel capacitor 62.

【0055】図4は、図3のゲートドライバ52として
適用されるシフトレジスタの回路構成を示す図である。
図示するように、このシフトレジスタは、液晶表示素子
51のゲートラインGLの数と同じn個の段RS(1)
〜RS(n)(n:偶数)から構成されている。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register applied as the gate driver 52 of FIG.
As shown in the figure, this shift register has n stages RS (1) equal to the number of gate lines GL of the liquid crystal display element 51.
To RS (n) (n: even number).

【0056】ゲートドライバ52として適用される場
合、このシフトレジスタには、液晶コントローラ50か
らの制御信号群Gcntとして、クロック信号CK1、
CK2、電源電圧Vdd、基準電圧Vss(<Vd
d)、スタート信号Dst及び終了信号Dendが供給
される。このうち、電源電圧Vdd及び基準電圧Vss
は全ての段RS(1)〜RS(n)に、クロック信号C
K1は奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS
(n−1)に、クロック信号CK2は偶数番目の段RS
(2),RS(4),…,RS(n)に、スタート信号
Dstは1番目の段RS(1)のみに、終了信号Den
dはn番目の段RS(n)のみに供給されている。
When the shift register is applied as the gate driver 52, the clock signal CK 1, the clock signal CK 1,
CK2, power supply voltage Vdd, reference voltage Vss (<Vd
d), a start signal Dst and an end signal Dend are supplied. Among them, the power supply voltage Vdd and the reference voltage Vss
Indicates that the clock signal C is supplied to all the stages RS (1) to RS (n).
K1 is an odd-numbered stage RS (1), RS (3),.
(N-1), the clock signal CK2 is applied to the even-numbered stages RS
(2), RS (4),..., RS (n), the start signal Dst is applied only to the first stage RS (1), and the end signal Den
d is supplied only to the n-th stage RS (n).

【0057】各段の構成はほぼ同じであるため、1番目
の段RS(1)を例として説明すると、この段RS
(1)は、TFT61と同様にa−Siの半導体層から
なる6つのTFT1〜6を有している。TFT1〜6
は、全て同一のチャネル型(ここでは、nチャネル型)
の電界効果トランジスタである。
Since the configuration of each stage is almost the same, the first stage RS (1) will be described as an example.
(1) has six TFTs 1 to 6 made of an a-Si semiconductor layer similarly to the TFT 61. TFT1-6
Are all the same channel type (here, n-channel type)
Field effect transistor.

【0058】TFT1のゲートには、スタート信号Ds
tが供給される。TFT1のドレインには、電源電圧V
ddが供給されている。TFT1のソースは、TFT2
のゲートと、TFT5のゲートと、TFT6のドレイン
とに接続されている。このTFT1のソース、TFT2
のゲート、TFT5のゲート及びTFT6のドレインで
囲まれて接続された配線のことを、ノードA1と呼ぶこ
ととする(なお、2段目以降は、それぞれA2〜Anと
する)。スタート信号DstがハイレベルになってTF
T1がオンすると、電源電圧Vddがソースから出力さ
れることによってノードA1に電荷が蓄積される。
The gate of the TFT 1 has a start signal Ds
t is supplied. The power supply voltage V is applied to the drain of TFT1.
dd is supplied. The source of TFT1 is TFT2
, The gate of the TFT 5, and the drain of the TFT 6. The source of this TFT1, TFT2
A wiring surrounded by and connected to the gate of the TFT 5, the gate of the TFT 5 and the drain of the TFT 6 is referred to as a node A1 (note that the second and subsequent stages are A2 to An, respectively). When the start signal Dst becomes high level and TF
When T1 is turned on, the power supply voltage Vdd is output from the source, so that electric charge is accumulated in the node A1.

【0059】TFT2のドレインにはクロック信号CK
1が供給され、TFT2がオンしている際に、クロック
信号CK1のレベルがほぼそのまま出力信号OUT1と
して、そのソースから1ライン目のゲートラインGLに
出力される。また、TFT2のソースは、TFT3のド
レインに接続されている。
The clock signal CK is connected to the drain of the TFT 2.
When the TFT 1 is supplied and the TFT 2 is turned on, the level of the clock signal CK1 is output as it is as the output signal OUT1 to the first gate line GL from the source. The source of TFT2 is connected to the drain of TFT3.

【0060】TFT4のゲートとドレインとには、電源
電圧Vddが供給され、常にオン状態となっている。T
FT4は、電源電圧Vddを供給する際の負荷として機
能し、そのソースから電源電圧VddをほぼそのままT
FT5のドレインに供給する。TFT4は、TFT以外
の抵抗素子などに置き換えることも可能である。TFT
5のソースには、基準電圧Vddが供給されており、T
FT5がオンした際に、TFT4のソースとTFT5の
ドレインとの間に蓄積された電荷を放出させる。
The power supply voltage Vdd is supplied to the gate and the drain of the TFT 4, and the TFT 4 is always on. T
The FT 4 functions as a load for supplying the power supply voltage Vdd, and applies the power supply voltage Vdd from the source thereof to T
Supply to the drain of FT5. The TFT 4 can be replaced with a resistance element or the like other than the TFT. TFT
5 is supplied with the reference voltage Vdd,
When the FT5 is turned on, the charge accumulated between the source of the TFT4 and the drain of the TFT5 is released.

【0061】TFT3のゲートは、TFT4のソース及
びTFT5のドレインに接続されており、TFT5がオ
フしている際に、TFT4を介して供給される電源電圧
Vddによってオンする。TFT5がオンしている間
は、TFT4のソースとTFT5との間の配線に蓄積さ
れた電荷が放出されるので、TFT3のゲート電圧はロ
ーレベルとなり、オフする。
The gate of the TFT 3 is connected to the source of the TFT 4 and the drain of the TFT 5, and is turned on by the power supply voltage Vdd supplied through the TFT 4 when the TFT 5 is off. While the TFT 5 is on, the electric charge accumulated in the wiring between the source of the TFT 4 and the TFT 5 is released, so that the gate voltage of the TFT 3 is at a low level and is turned off.

【0062】TFT6のゲートには、次の段である2番
目の段RS(2)の出力信号OUT2が供給される。T
FT6のドレインはノードA1に接続されており、ソー
スには基準電圧Vssが供給されている。出力信号OU
T2がハイレベルとなるとTFT6がオンし、ノードA
1に蓄積されている電荷を放出させる。
The output signal OUT2 of the next stage, the second stage RS (2), is supplied to the gate of the TFT6. T
The drain of FT6 is connected to the node A1, and the source is supplied with the reference voltage Vss. Output signal OU
When T2 becomes high level, TFT6 turns on, and node A
The electric charge stored in 1 is released.

【0063】1番目以外の奇数番目の段RS(3),R
S(5),…,RS(n−1)の構成は、TFT1のゲ
ートに前の段RS(2),RS(4),…,RS(n−
2)の出力信号OUT2,OUT4,…,OUTn−2
が供給される以外は、1番目の段RS(1)と同じであ
る。
The odd-numbered stages RS (3), R other than the first
, RS (n-1) are arranged in the gate of the TFT 1 at the previous stage RS (2), RS (4), ..., RS (n-
2), the output signals OUT2, OUT4,.
Is the same as that of the first stage RS (1) except that is supplied.

【0064】n番目以外の奇数番目の段RS(2),R
S(4),…,RS(n−2)の構成は、TFT1のゲ
ートに前の段RS(1),RS(3),…,RS(n−
3)の出力信号OUT1,OUT3,…,OUTn−3
が供給されることと、TFT2のドレインにクロック信
号CK2が供給されること以外は、1番目の段RS
(1)と同じである。n番目の段RS(n)の構成は、
TFT6のゲートに終了信号Dendが供給される以外
は、他の偶数番目の段RS(2),RS(4),…,R
S(n−2)と同じである。
Odd-numbered stages other than the n-th stage RS (2), R
, RS (n−2) are arranged in the gate of the TFT 1 at the previous stage RS (1), RS (3),.
3) output signals OUT1, OUT3,..., OUTn-3
Except that the clock signal CK2 is supplied to the drain of the TFT2.
Same as (1). The configuration of the n-th stage RS (n) is
Except that the end signal Dend is supplied to the gate of the TFT 6, the other even-numbered stages RS (2), RS (4),.
Same as S (n-2).

【0065】また、ゲートドライバ52を構成するシフ
トレジスタは、TFT1〜6の組み合わせによって構成
されており、TFT1〜6は、液晶表示素子51に含ま
れるTFT61と実質的に同一の構造を有している。従
って、ゲートドライバ52は、液晶表示素子51のTF
T61側の基板上に、同一プロセスで一括して形成され
るものとすることができる。
The shift register constituting the gate driver 52 is composed of a combination of TFTs 1 to 6, and the TFTs 1 to 6 have substantially the same structure as the TFT 61 included in the liquid crystal display element 51. I have. Therefore, the gate driver 52 is provided with the TF of the liquid crystal display element 51.
It can be formed collectively by the same process on the substrate on the T61 side.

【0066】以下、この実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラの動作について、説明する。全体の動作を説
明する前に、まず、上記のゲートドライバ52を構成す
るシフトレジスタの動作について、図5のタイミングチ
ャートを参照して説明する。ゲートドライバ52として
使用される場合には、各制御信号は、いずれも液晶コン
トローラ50から制御信号群Gcntとして供給される
ものである。
The operation of the digital still camera according to this embodiment will be described below. Before describing the overall operation, first, the operation of the shift register forming the gate driver 52 will be described with reference to the timing chart of FIG. When used as the gate driver 52, each control signal is supplied from the liquid crystal controller 50 as a control signal group Gcnt.

【0067】なお、このタイミングチャートにおいて、
クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst、及
び終了信号Dendのハイレベルは、いずれも電源電圧
Vddに等しい。一方、これらの信号のローレベルは、
いずれも基準電圧Vssに等しい。1Tの期間は、表示
部10における1水平期間となる。
In this timing chart,
The high levels of the clock signals CK1 and CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend are all equal to the power supply voltage Vdd. On the other hand, the low level of these signals is
Both are equal to the reference voltage Vss. The 1T period is one horizontal period in the display unit 10.

【0068】また、このタイミングチャートに従ってシ
フト動作を開始する前(T0より前)は、出力信号OU
T1〜OUTnはいずれもローレベルとなっている。ま
た、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノ
ードA1〜Anに電荷が蓄積されておらず、TFT2及
びTFT5はオン、TFT3はオフの状態になってい
る。
Before the shift operation is started according to this timing chart (before T0), output signal OU is output.
T1 to OUTn are all at a low level. Further, in any of the stages RS (1) to RS (n), no electric charge is stored in the nodes A1 to An, and the TFT2 and the TFT5 are on and the TFT3 is off.

【0069】タイミングT0〜T1の間、スタート信号
Dstがハイレベルとなると、1段目の段RS(1)の
TFT1がオンし、電源電圧VddがTFT1のドレイ
ンからソースに出力される。これにより、1番目の段R
S(1)のノードA1に電荷が蓄積され、その電位がハ
イレベルとなって、TFT2及びTFT5がオンする。
TFT5がオンすることにより、TFT4のソースとT
FT5のドレインとの間に蓄積された電荷が放出され、
TFT3がオフする。この期間は、1番目の段RS
(1)のTFT2はオンするが、クロック信号CK1は
ローレベルであるため、出力信号OUT1のレベルはロ
ーレベルのままである。
When the start signal Dst goes high during the timing T0 to T1, the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, and the power supply voltage Vdd is output from the drain of the TFT1 to the source. Thereby, the first stage R
The electric charge is accumulated in the node A1 of S (1), the electric potential thereof becomes high level, and the TFT2 and the TFT5 are turned on.
When the TFT 5 is turned on, the source of the TFT 4 and T
The charge accumulated between the FT5 and the drain of the FT5 is released,
The TFT 3 turns off. This period is the first stage RS
The TFT2 of (1) turns on, but the level of the output signal OUT1 remains low because the clock signal CK1 is low.

【0070】次に、タイミングT1において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、これが1番目の
段RS(1)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUT1のレベルがハイレベルに変化す
る。このとき、ノードA1の電位はいわゆるブートスト
ラップ効果により、電源電圧Vddの2倍程度にまで上
昇するため、TFT2の飽和ゲート電圧にまで達するの
でTFT2のドレイン電流は飽和電流となり、出力信号
OUT1のレベルは迅速にクロック信号CK1のハイレ
ベルとほぼ等電位となる。すなわち、出力信号OUT1
のハイレベルはほぼ電源電圧Vddとなる。この後、タ
イミングT2までの間でクロック信号CK1が立ち下が
ると、出力信号OUT1はローレベルにシフトしてい
く。
Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T1, this is output from the drain of the TFT2 of the first stage RS (1) to the source, and the level of the output signal OUT1 changes to the high level. I do. At this time, the potential of the node A1 rises to about twice the power supply voltage Vdd due to a so-called bootstrap effect, and reaches the saturation gate voltage of the TFT2. Therefore, the drain current of the TFT2 becomes a saturation current, and the level of the output signal OUT1 is increased. Quickly becomes almost equal to the high level of the clock signal CK1. That is, the output signal OUT1
Is almost equal to the power supply voltage Vdd. Thereafter, when the clock signal CK1 falls until the timing T2, the output signal OUT1 shifts to a low level.

【0071】また、タイミングT1〜T2の期間では、
ハイレベルとなった1番目の段RS(1)の出力信号O
UT1により、2番目の段RS(2)のTFT1がオン
する。これにより、2番目の段RS(2)のTFT1の
ソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノード
A2の電位がハイレベルになり、2番目の段RS(2)
のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフす
る。
In the period between timings T1 and T2,
High level output signal O of the first stage RS (1)
The UT1 turns on the TFT1 of the second stage RS (2). Thus, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the second stage RS (2), so that the potential of the node A2 becomes high level, and the second stage RS (2)
TFT2 and TFT5 turn on, and TFT3 turns off.

【0072】次に、タイミングT2において、クロック
信号CK2がハイレベルに変化すると、これが2番目の
段RS(2)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUT2のレベルがハイレベルに変化す
る。これにより、今度は1番目の段RS(1)のTFT
6がオンし、ノードA1は蓄積された電荷がTFT6を
経由して放出されて基準電圧Vssとなるので、出力信
号OUT1はローレベル状態が維持され、またこれに伴
って1番目の段RS(1)のTFT2及びTFT5がオ
フし、TFT3がオンする。このため、出力信号OUT
1の電位は、確実に基準電圧Vssになり、この状態が
少なくともタイミングTn+1まで続く。この後、タイ
ミングT3までの間でクロック信号CK2が立ち下がる
と、出力信号OUT2はローレベルになる。
Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing T2, this is output from the drain of the TFT2 of the second stage RS (2) to the source, and the level of the output signal OUT2 changes to the high level. I do. Thereby, the TFT of the first stage RS (1) is now
6 is turned on, and the accumulated charge is released from the node A1 via the TFT 6 to become the reference voltage Vss. Therefore, the output signal OUT1 is maintained at the low level, and the first stage RS ( 1) TFT2 and TFT5 are turned off, and TFT3 is turned on. Therefore, the output signal OUT
The potential of 1 surely becomes the reference voltage Vss, and this state continues at least until the timing Tn + 1. Thereafter, when the clock signal CK2 falls until the timing T3, the output signal OUT2 becomes low level.

【0073】また、タイミングT2〜T3の期間では、
ハイレベルとなった2番目の段RS(2)の出力信号O
UT2により、3番目の段RS(3)のTFT1がオン
する。これにより、3番目の段RS(3)のTFT1の
ソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノード
A3の電位がハイレベルになり、3番目の段RS(3)
のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフす
る。
In the period between timings T2 and T3,
The output signal O of the second stage RS (2) which has become high level
The UT2 turns on the TFT1 of the third stage RS (3). As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the third stage RS (3), so that the potential of the node A3 becomes high level, and the third stage RS (3)
TFT2 and TFT5 turn on, and TFT3 turns off.

【0074】次に、タイミングT3において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、これが3番目の
段RS(3)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUT3のレベルがハイレベルに変化す
る。これにより、今度は2番目の段RS(2)のTFT
6がオンし、ノードA2に蓄積された電荷は、2番目の
段RS(2)のTFT1及び1番目の段RS(1)のT
FT3を経由することなくTFT6を経由して放出され
て基準電圧Vssとなるので、出力信号OUT1はロー
レベル状態が維持され、またこれに伴って2番目の段R
S(2)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3が
オンする。すなわち2番目の段RS(2)ではTFT2
のゲート電圧がローレベルになり且つTFT3がオンす
るので出力信号OUT2の電位は確実に基準電圧Vss
になり、この状態が少なくともタイミングTn+1まで
続く。この後、タイミングT3までの間でクロック信号
CK1が立ち下がると、出力信号OUT3はローレベル
になる。
Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T3, this is output from the drain of the TFT2 of the third stage RS (3) to the source, and the level of the output signal OUT3 changes to the high level. I do. As a result, the TFT of the second stage RS (2)
6 is turned on, and the electric charge accumulated at the node A2 is equal to the TFT1 of the second stage RS (2) and the TFT1 of the first stage RS (1).
Since the signal is discharged via the TFT 6 without passing through the FT 3 and becomes the reference voltage Vss, the output signal OUT1 is maintained at the low level, and the second stage R
In S (2), TFT2 and TFT5 are turned off, and TFT3 is turned on. That is, in the second stage RS (2), TFT2
Becomes low level and the TFT3 is turned on, so that the potential of the output signal OUT2 is reliably set to the reference voltage Vss.
And this state continues at least until timing Tn + 1. Thereafter, when the clock signal CK1 falls until the timing T3, the output signal OUT3 goes low.

【0075】また、タイミングT3〜T4の期間では、
ハイレベルとなった3番目の段RS(3)の出力信号O
UT3により、4番目の段RS(4)のTFT1がオン
する。これにより、4番目の段RS(4)のTFT1の
ソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノード
A4の電位がハイレベルになり、4番目の段RS(4)
のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフす
る。
In the period between timings T3 and T4,
The output signal O of the third stage RS (3) which has become high level
The UT3 turns on the TFT1 of the fourth stage RS (4). As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the fourth stage RS (4), so that the potential of the node A4 becomes high level, and the fourth stage RS (4)
TFT2 and TFT5 turn on, and TFT3 turns off.

【0076】以下、4番目以降の段RS(4),RS
(5),…が1Tの期間ずつ上記と同様の動作をしてい
くことによって、出力信号OUT4,OUT5,…が1
Tの期間内の所定期間ずつハイレベルに変化していく。
そして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、ハイレ
ベルとなったn−1番目の段RS(n−1)の出力信号
OUTn−1により、n番目の段RS(n)のTFT1
がオンする。これにより、n番目の段RS(n)のTF
T1のソースから電源電圧Vddが出力されることで、
ノードAnの電位がハイレベルになり、n番目の段RS
(n)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオ
フする。
Hereinafter, the fourth and subsequent stages RS (4), RS
(5),... Perform the same operation as above for each 1T period, so that the output signals OUT4, OUT5,.
It changes to a high level at predetermined intervals within the period T.
In the period from timing Tn-1 to Tn, the TFT1 of the n-th stage RS (n) is output by the output signal OUTn-1 of the (n-1) -th stage RS (n-1) which has become high level.
Turns on. Thereby, the TF of the n-th stage RS (n)
By outputting the power supply voltage Vdd from the source of T1,
The potential of the node An becomes high level, and the n-th stage RS
(N) TFT2 and TFT5 are turned on, and TFT3 is turned off.

【0077】次に、タイミングTnにおいて、クロック
信号CK2がハイレベルに変化すると、これがn番目の
段RS(n)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUTnのレベルがハイレベルに変化す
る。この後、タイミングTn+1までの間でクロック信
号CK2が立ち下がると、出力信号OUTnはローレベ
ルになる。
Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing Tn, this is output from the drain of the TFT2 of the n-th stage RS (n) to the source, and the level of the output signal OUTn changes to the high level. I do. Thereafter, when the clock signal CK2 falls before the timing Tn + 1, the output signal OUTn becomes low level.

【0078】そして、タイミングTn+1になると、今
度は終了信号Dendのレベルがハイレベルに変化す
る。これにより、n番目の段RS(n)のTFT1がオ
ンすることで、ノードA2に蓄積された電荷が放出さ
れ、2番目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオ
フし、TFT3がオンする。そして、次にハイレベルの
スタート信号Dstが供給されるまでの間、段RS
(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノードA1〜
Anに電荷は蓄積されておらず、TFT2及びTFT5
はオン、TFT3はオフの状態になった状態が維持され
る。
Then, at the timing Tn + 1, the level of the end signal Dend changes to the high level. As a result, when the TFT1 of the n-th stage RS (n) is turned on, the electric charge accumulated in the node A2 is released, the TFT2 and the TFT5 of the second stage RS (2) are turned off, and the TFT3 is turned on. . Then, until the next high-level start signal Dst is supplied, the stage RS
In each of (1) to RS (n), nodes A1 to
An electric charge is not accumulated in An, and TFT2 and TFT5
Is kept on, and the TFT 3 is kept off.

【0079】以上のようにして、1番目の段RS(1)
からn番目の段RS(n)まで出力信号がシフトしてい
く間に、1つのTFT1のゲート、ドレイン及びソース
の電位がどのように変化するかについて、3番目の段R
S(3)のTFT1を例として説明する。図5の下三段
には、3番目の段RS(3)のTFT1のゲート、ドレ
イン及びソースの電位レベルの変化を示している。
As described above, the first stage RS (1)
While the output signal shifts from the first stage to the n-th stage RS (n), the third stage R determines how the potentials of the gate, drain and source of one TFT 1 change.
The TFT 1 of S (3) will be described as an example. The lower three rows in FIG. 5 show changes in the gate, drain, and source potential levels of the TFT 1 in the third row RS (3).

【0080】図示するように、TFT1のゲート電圧
は、タイミングT2〜T3の期間で2番目の段RS
(2)の出力信号OUT2がハイレベルになっていると
きだけ、ハイレベル(ほぼVdd)となる。TFT1の
ドレインには電源電圧Vddが常に供給されているの
で、ドレイン電圧は常に電源電圧Vddである。TFT
1のソース電圧は、タイミングT2でノードA3に電荷
が蓄積されると、Vddよりもその閾値電圧だけ低い電
圧レベルとなる。タイミングT3〜T4の期間でクロッ
ク信号CK1がハイレベルになっているときは、前述し
たブートストラップ効果により電源電圧Vddの2倍程
度のレベルになる。タイミングT4で4番目の段RS
(4)の出力電圧がハイレベルになった以降は、再びロ
ーレベルになる。
As shown in the figure, the gate voltage of the TFT 1 is set at the second level RS during the period between timings T2 and T3.
Only when the output signal OUT2 of (2) is at a high level, it goes to a high level (almost Vdd). Since the power supply voltage Vdd is always supplied to the drain of the TFT 1, the drain voltage is always the power supply voltage Vdd. TFT
When charge is accumulated in the node A3 at the timing T2, the source voltage of 1 becomes a voltage level lower than Vdd by the threshold voltage. When the clock signal CK1 is at the high level during the period between the timings T3 and T4, the clock signal CK1 has a level of about twice the power supply voltage Vdd due to the bootstrap effect described above. The fourth stage RS at timing T4
After the output voltage of (4) becomes high level, it becomes low level again.

【0081】このようにシフトレジスタの一度の走査に
おけるk番目の段RS(k)のTFT1のゲート電圧
は、少なくともスタート信号Dstまたは前段の出力信
号OUTk−1が一度ハイレベルの状態以外では常にロ
ーレベル(基準電圧Vss)なので、各TFT1のゲー
ト電圧がドレイン電圧及びソース電圧の低い方に対して
相対的に正となっている期間は、クロック信号CK1、
CK2、スタート信号Dst及び終了信号Dendが、
ともにハイレベル電圧が電源電圧Vddに等しく、ロー
レベル電圧が基準電圧Vssに等しい場合、クロック信
号CK1又はCK2が一度ハイレベルである期間にすぎ
ない。
As described above, the gate voltage of the TFT 1 of the k-th stage RS (k) in one scan of the shift register is always low except when at least the start signal Dst or the output signal OUTk-1 of the preceding stage is once at the high level. Since the gate voltage of each TFT 1 is relatively positive with respect to the lower one of the drain voltage and the source voltage, the clock signal CK1,
CK2, start signal Dst and end signal Dend are
When the high-level voltage is equal to the power supply voltage Vdd and the low-level voltage is equal to the reference voltage Vss, only the period during which the clock signal CK1 or CK2 is once at the high level.

【0082】また、クロック信号CK1、CK2、スタ
ート信号Dst及び終了信号Dendのハイレベル電圧
が、TFT1のゲート−ドレイン間の寄生容量で減衰さ
れた電圧、例えばタイミングT3〜T4の期間のノード
A3の電位より低い場合は、TFT1のゲート電圧は常
にソース電圧及びドレイン電圧より低いことになる。こ
のため、k番目の段RS(k)のTFT1のゲートしき
い値電圧の正方向へのシフトは抑制することができる。
The high-level voltages of the clock signals CK1 and CK2, the start signal Dst and the end signal Dend are attenuated by the parasitic capacitance between the gate and the drain of the TFT1, for example, the voltage of the node A3 during the period from timing T3 to T4. When the potential is lower than the potential, the gate voltage of the TFT 1 is always lower than the source voltage and the drain voltage. Therefore, the shift of the gate threshold voltage of the TFT 1 of the k-th stage RS (k) in the positive direction can be suppressed.

【0083】次に、この実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラ全体の動作について、説明する。このデジタ
ルスチルカメラは、撮影モードで動作する場合と再生モ
ードで動作する場合との2通りがあり、これらの動作モ
ードは、モード設定キー12aの操作に従って決められ
る。以下、撮影モードと再生モードの場合に分けて、こ
のデジタルスチルカメラの動作を説明する。
Next, the operation of the entire digital still camera according to this embodiment will be described. This digital still camera has two modes, one in which it operates in a shooting mode and the other in which it operates in a playback mode. These operation modes are determined according to the operation of the mode setting key 12a. Hereinafter, the operation of the digital still camera will be described separately for the shooting mode and the reproduction mode.

【0084】撮影モードの場合においては、撮像レンズ
02aによって結像された光像に応じてCCD撮像装置
20の各画素に電荷が蓄積される。CCD撮像装置20
は、CPU22からの指示に従って、各画素に蓄積され
た電荷を順次読み出し、A/D変換器21に供給する。
A/D変換器21は、これをデジタルデータに変換し、
RAM24の所定の領域に一時記憶させる。
In the case of the photographing mode, electric charges are accumulated in each pixel of the CCD image pickup device 20 according to the light image formed by the image pickup lens 02a. CCD imaging device 20
According to an instruction from the CPU 22, the charge stored in each pixel is sequentially read and supplied to the A / D converter 21.
The A / D converter 21 converts this into digital data,
It is temporarily stored in a predetermined area of the RAM 24.

【0085】次に、CPU22は、RAM24の所定の
領域に一時記憶された撮影した画像のデータに対して所
定の処理を行い、表示部10に表示すべき画像に対応し
た画像データを生成する。そして、生成した画像データ
をRAM24のVRAM領域に展開する。この動作を順
次繰り返すことにより、VRAM領域には撮像レンズ0
2aで捉えている画像に対応した画像データが常に展開
されていることとなる。
Next, the CPU 22 performs a predetermined process on the data of the photographed image temporarily stored in a predetermined area of the RAM 24, and generates image data corresponding to the image to be displayed on the display unit 10. Then, the generated image data is expanded in the VRAM area of the RAM 24. By sequentially repeating this operation, the imaging lens 0 is stored in the VRAM area.
The image data corresponding to the image captured in 2a is always expanded.

【0086】ここで、ユーザがシャッターキー12bを
操作すると、CPU22からの指示により、RAM24
に記憶する撮影した画像のデータ及びVRAM領域に展
開する画像データを固定する。すなわち、シャッターキ
ー12bを操作したタイミングで撮像レンズ02aが捉
えていた画像でRAM24の所定の領域に記憶されてい
る画像が変化せず、また、シャッターキー12bを操作
したタイミングで撮像レンズ02aが捉えていた画像に
対応した画像データがVRAM領域に展開されているこ
ととなる。
Here, when the user operates the shutter key 12b, an instruction from the CPU 22 causes the RAM 24 to operate.
The data of the photographed image stored in the VRAM area and the image data to be developed in the VRAM area are fixed. That is, the image captured by the imaging lens 02a at the timing of operating the shutter key 12b does not change the image stored in a predetermined area of the RAM 24, and the imaging lens 02a captures the image at the timing of operating the shutter key 12b. That is, the image data corresponding to the image which has been displayed is expanded in the VRAM area.

【0087】次に、CPU22は、圧縮/伸張回路25
に指示を送り、RAM24の所定の領域に記憶されてい
る画像データを圧縮させる。そして、圧縮した画像デー
タを圧縮/伸張回路25から画像メモリ26に転送して
記憶させる。そして、例えばシャッターキー12bを操
作してから一定時間が経過した後、或いはユーザがキー
入力部12に所定の操作を行った場合に、CPU22
は、CCD撮像装置20からA/D変換器21を介して
読み出した画像のデータを記憶させ、対応する画像デー
タをVRAM領域に展開させるように、デジタルスチル
カメラの動作を戻させる。
Next, the CPU 22 executes the compression / decompression circuit 25.
To compress the image data stored in a predetermined area of the RAM 24. Then, the compressed image data is transferred from the compression / expansion circuit 25 to the image memory 26 and stored therein. Then, for example, after a predetermined time has elapsed after operating the shutter key 12b, or when the user performs a predetermined operation on the key input unit 12, the CPU 22
Stores the image data read from the CCD imaging device 20 via the A / D converter 21 and returns the operation of the digital still camera so that the corresponding image data is expanded in the VRAM area.

【0088】再生モードの場合においては、ユーザは、
「+」キー12cまたは「−」キー12dを操作して、
画像メモリ26に記憶されている画像データのうちで表
示部10に表示させたい画像データを選択する。選択さ
れた画像データは、画像メモリ26から圧縮/伸張回路
25に転送され、伸張される。CPU22は、伸張され
た画像データに対して所定の処理を行って、表示部10
に表示すべき画像データを生成し、RAM24のVRA
M領域に展開する。
In the case of the reproduction mode, the user
By operating the "+" key 12c or the "-" key 12d,
The image data to be displayed on the display unit 10 is selected from the image data stored in the image memory 26. The selected image data is transferred from the image memory 26 to the compression / decompression circuit 25 and decompressed. The CPU 22 performs a predetermined process on the decompressed image data, and
Generates the image data to be displayed on the
Expand to M area.

【0089】表示部10は、上記した撮影モードと再生
モードのいずれの動作モードにおいても、RAM24の
VRAM領域に展開された画像データを読み出し、対応
する画像を表示する。以下、表示部10における画像の
表示のための動作について、説明する。
The display unit 10 reads out the image data expanded in the VRAM area of the RAM 24 and displays the corresponding image in both the photographing mode and the reproduction mode. Hereinafter, an operation for displaying an image on the display unit 10 will be described.

【0090】表示部10の液晶コントローラ50は、C
PU22からの制御信号に従って、RAM24のVRA
M領域に展開された画像データを所定順序で読み出す。
読み出しの順序は、CCD撮像装置20が撮影した画像
と実質的に同一の画像を表示させる場合と、CCD撮像
装置20が撮影した画像の鏡面画像を表示させる場合と
で異なるように制御される。
The liquid crystal controller 50 of the display unit 10
According to the control signal from the PU 22, the VRA
The image data developed in the M area is read out in a predetermined order.
The order of reading is controlled to be different between a case where an image substantially the same as the image captured by the CCD imaging device 20 is displayed and a case where a mirror image of the image captured by the CCD imaging device 20 is displayed.

【0091】液晶コントローラ50は、制御信号群Dc
ntに従って、VRAM領域から読み出した画像データ
を表示データdataとしてドレインドライバ53に取
り込ませる。ドレインドライバ53は、1ライン分の表
示データdataを取り込むと、液晶コントローラ50
からの制御信号群Dcntに従って、これに対応する電
圧信号を液晶表示素子51の各ドレインラインDLに出
力する。
The liquid crystal controller 50 controls the control signal group Dc.
In accordance with nt, the image data read from the VRAM area is taken into the drain driver 53 as display data data. When the drain driver 53 captures the display data data for one line, the liquid crystal controller 50
And outputs a voltage signal corresponding to the control signal group Dcnt to each drain line DL of the liquid crystal display element 51.

【0092】一方、液晶コントローラ50は、制御信号
群Gcntに従って、上記したようにゲートドライバ5
2の出力信号を順次シフトさせ、液晶表示素子51のゲ
ートラインGLを順次選択させている。すなわち、ドレ
インドライバ53から出力される表示データdataに
対応するゲートラインGLを、ゲートドライバ52が選
択していることとなる。
On the other hand, the liquid crystal controller 50 operates the gate driver 5 according to the control signal group Gcnt as described above.
2 is sequentially shifted, and the gate line GL of the liquid crystal display element 51 is sequentially selected. That is, the gate driver 52 selects the gate line GL corresponding to the display data data output from the drain driver 53.

【0093】ゲートドライバ52によって選択されたゲ
ートラインGLの電位は、出力信号に従ってハイレベル
になり、これにより当該ゲートラインGLに接続された
TFT61がオンする。そして、オンしたTFT61を
介してドレインドライバ53から各ドレインラインDL
に出力された電圧信号が、画素容量62に書き込まれ
る。
The potential of the gate line GL selected by the gate driver 52 goes high according to the output signal, whereby the TFT 61 connected to the gate line GL is turned on. Then, each drain line DL is supplied from the drain driver 53 via the turned-on TFT 61.
Is written to the pixel capacitor 62.

【0094】そして、画素容量62に書き込まれた電圧
信号によって液晶の配向状態が変化し、その画素におけ
る透過光量が変化する。こうした選択動作を1番目から
n番目のゲートラインGLについて順次行い、表示デー
タdataに対応する電圧信号の各ドレインラインDL
への出力によって、各画素容量62に電圧信号を書き込
んでいくことで、VRAM領域に展開された画像デー
タ、すなわちCCD撮像装置20で撮影している画像ま
たは画像メモリ26から選択した画像が表示部10に表
示されることとなる。
Then, the alignment state of the liquid crystal is changed by the voltage signal written to the pixel capacitor 62, and the transmitted light amount in the pixel is changed. Such a selection operation is sequentially performed on the first to n-th gate lines GL, and each drain line DL of the voltage signal corresponding to the display data data.
By writing a voltage signal to each pixel capacitor 62 in response to the output, the image data developed in the VRAM area, that is, the image captured by the CCD imaging device 20 or the image selected from the image memory 26 is displayed on the display unit. 10 will be displayed.

【0095】以上説明したように、この実施の形態にお
いて、ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタ
は、各段のTFT1のゲート電圧がドレイン及びソース
電圧に対して相対的に正となっている期間が短い。TF
Tはその特性上、ゲート電圧がドレイン及びソース電圧
に対して相対的にプラスになると、その閾値特性がプラ
スよりにシフトし易いが、ゲート電圧がドレイン及びソ
ース電圧に対して相対的にマイナスになっても、その閾
値特性がマイナスにシフトすることはあまりない。
As described above, in this embodiment, the shift register constituting the gate driver 52 has a period in which the gate voltage of the TFT 1 in each stage is relatively positive with respect to the drain and source voltages. short. TF
Due to its characteristics, when the gate voltage becomes relatively positive with respect to the drain and source voltages, the threshold characteristic tends to shift more than positive, but the gate voltage becomes relatively negative with respect to the drain and source voltages. Even so, the threshold characteristics are not likely to shift negatively.

【0096】言い換えれば、この実施の形態のシフトレ
ジスタは、長期間使用していても従来例のシフトレジス
タに比べてTFT1の特性が変化しにくいので、TFT
1が本来的にオンすべきタイミングでオンせずにノード
A1〜Anに電荷を蓄積できなくなるという場合が生じ
にくい。このため、長期間安定して動作し、耐久性の高
いものとなる。
In other words, in the shift register of this embodiment, even if the shift register is used for a long time, the characteristics of the TFT 1 are less likely to change than those of the conventional shift register.
It is unlikely that charges cannot be stored in the nodes A1 to An without turning on at the timing when the node 1 should be turned on. For this reason, it operates stably for a long time and has high durability.

【0097】また、このシフトレジスタをゲートドライ
バ52として適用した表示部10の故障は当然のことと
して少なくなり、これを含むデジタルスチルカメラの耐
久性も高いものとなる。
Further, the failure of the display section 10 in which this shift register is applied as the gate driver 52 is naturally reduced, and the durability of the digital still camera including the shift register is also increased.

【0098】この実施の形態において、表示部10を構
成する液晶表示装置に適用されたゲートドライバ52
は、図4に示す構成を有し、液晶コントローラ50から
出力される制御信号により、図5に示すタイミングチャ
ートに従って動作するシフトレジスタによって構成され
るものとしていた。しかしながら、上記のゲートドライ
バ52として適用可能なシフトレジスタは、これに限ら
れるものではない。
In this embodiment, the gate driver 52 applied to the liquid crystal display device constituting the display unit 10
Has a configuration shown in FIG. 4 and is configured by a shift register that operates according to a timing chart shown in FIG. 5 by a control signal output from the liquid crystal controller 50. However, the shift register applicable as the gate driver 52 is not limited to this.

【0099】図6は、ゲートドライバ52として適用可
能な他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図
4に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、
TFT1のドレインには、奇数番目の段RS(1),R
S(3),…,RS(n−1)においてクロック信号C
K1が、偶数番目の段RS(2),RS(4),…,R
S(n)においてクロック信号CK2が、それぞれ供給
されている。クロック信号CK1、CK2、スタート信
号Dst及び終了信号Dendは、ともにハイレベル電
圧が電源電圧Vddに等しく、ローレベル電圧が基準電
圧Vssに等しい。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52. Explaining the difference from the shift register shown in FIG.
Odd-numbered stages RS (1), R
S (3),..., RS (n-1)
K1 is an even-numbered stage RS (2), RS (4),.
In S (n), the clock signal CK2 is supplied. The clock signals CK1 and CK2, the start signal Dst and the end signal Dend all have a high-level voltage equal to the power supply voltage Vdd and a low-level voltage equal to the reference voltage Vss.

【0100】次に、図6のシフトレジスタの動作につい
て、図4のシフトレジスタと異なる点を図7のタイミン
グチャートを参照して説明する。タイミングT0〜T1
の期間において、スタート信号Dstがハイレベルにな
り、1番目の段RS(1)のTFT1がオンしたとき
は、このTFT1のドレインに供給されるクロック信号
CK2がハイレベルになり、ノードA1に電荷が蓄積さ
れる。
Next, the operation of the shift register of FIG. 6 will be described with reference to the timing chart of FIG. 7 while referring to differences from the shift register of FIG. Timing T0 to T1
When the start signal Dst becomes high level and the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on during the period, the clock signal CK2 supplied to the drain of this TFT1 becomes high level, and the electric charge is stored in the node A1. Is accumulated.

【0101】タイミングT1〜T2の期間において、1
番目の段RS(1)の出力信号OUT1がハイレベルに
なり、2番目の段RS(2)のTFT1がオンしたとき
は、このTFT1のドレインに供給されるクロック信号
CK1がハイレベルになり、ノードA2に電荷が蓄積さ
れる。以下同様にして、タイミングTn−1〜Tnの期
間において、n−1番目の段RS(n−1)の出力信号
OUTn−1がハイレベルになり、n番目の段RS
(n)のTFT1がオンしたときは、このTFT1のド
レインに供給されるクロック信号CK2がハイレベルに
なり、ノードAnに電荷が蓄積される。
In the period between timings T1 and T2, 1
When the output signal OUT1 of the second stage RS (1) goes high and the TFT1 of the second stage RS (2) turns on, the clock signal CK1 supplied to the drain of this TFT1 goes high, Electric charges are accumulated in the node A2. Similarly, in the period from timing Tn-1 to Tn, the output signal OUTn-1 of the (n-1) th stage RS (n-1) becomes high level, and the nth stage RS
When the TFT1 of (n) turns on, the clock signal CK2 supplied to the drain of the TFT1 becomes high level, and charges are accumulated at the node An.

【0102】このシフトレジスタにおいて、図7の下三
段に示すように、3番目の段RS(3)を例としてTF
T1のゲート、ドレイン及びソースの電位レベルの変化
を説明すると、タイミングT2〜T3の期間で2番目の
段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルになって
いるときだけ、ハイレベル(ほぼVdd)となる。ドレ
イン電圧は、クロック信号CK2がハイレベルとなって
いるときだけハイレベル(ほぼVdd)となる。ソース
電圧は、タイミングT2でノードA3に電荷が蓄積され
ると、Vddよりもその閾値電圧だけ低い電圧レベルと
なり、タイミングT3〜T4の期間でクロック信号CK
1がハイレベルになっている間、電源電圧Vddの2倍
程度レベルになる。
In this shift register, as shown in the lower three stages of FIG.
The change in the potential levels of the gate, drain and source of T1 will be described. Only when the output signal OUT2 of the second stage RS (2) is at the high level during the period from the timing T2 to the timing T3, the high level (almost Vdd). ). The drain voltage goes high (substantially Vdd) only when the clock signal CK2 is high. When charge is accumulated at the node A3 at the timing T2, the source voltage becomes a voltage level lower than Vdd by the threshold voltage, and the clock signal CK is generated during the period from the timing T3 to T4.
While 1 is at the high level, the level is about twice the power supply voltage Vdd.

【0103】ここでTFT1のドレイン電圧がゲート電
圧より高い期間が十分長いと、ゲートしきい値電圧が負
側にシフトしてしまい、オフ時のリーク電流でノードA
の電位が上昇し誤作動を引き起こす恐れがあるが、この
シフトレジスタでは、TFT1のドレイン電圧がハイレ
ベルとなっている期間が図4に示したシフトレジスタよ
りも短くなる。つまり、TFT1のゲート−ドレイン間
及びソース−ドレイン間の電位差が生じる期間が短い。
このため、TFT1にかかる電圧ストレスが図4に示し
たシフトレジスタよりも小さく、リーク電流も小さく、
TFT1の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用
によっても故障しにくいものとなる。
If the period during which the drain voltage of the TFT 1 is higher than the gate voltage is sufficiently long, the gate threshold voltage shifts to the negative side, and the leakage current at the time of OFF causes the node A to turn off.
In this shift register, the period during which the drain voltage of the TFT 1 is at a high level is shorter than that in the shift register shown in FIG. That is, the period in which the potential difference between the gate and the drain and between the source and the drain of the TFT 1 is short.
Therefore, the voltage stress applied to the TFT 1 is smaller than that of the shift register shown in FIG.
Since the element characteristics of the TFT 1 are hardly deteriorated, the TFT 1 is hardly broken down even after long-term use.

【0104】図8は、ゲートドライバ52として適用可
能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図であ
る。図4に示すシフトレジスタとの違いについて説明す
ると、電圧信号V1が供給されている。電圧信号V1の
ハイレベルは、電源電圧Vddのレベルよりも低いが、
ノードA1〜Anに、TFT2及びTFT5をオンする
のに十分なだけの電荷を蓄積させることができる程度の
レベルである。一方、ローレベルは、基準電圧Vssと
同じである。クロック信号CK1、CK2、スタート信
号Dst及び終了信号Dendは、ともにハイレベル電
圧が電源電圧Vddに等しく、ローレベル電圧が基準電
圧Vssに等しい。
FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 52. In FIG. Explaining the difference from the shift register shown in FIG. 4, the voltage signal V1 is supplied. Although the high level of the voltage signal V1 is lower than the level of the power supply voltage Vdd,
The level is such that enough charges can be accumulated in the nodes A1 to An enough to turn on the TFT2 and the TFT5. On the other hand, the low level is the same as the reference voltage Vss. The clock signals CK1 and CK2, the start signal Dst and the end signal Dend all have a high-level voltage equal to the power supply voltage Vdd and a low-level voltage equal to the reference voltage Vss.

【0105】次に、図8のシフトレジスタの動作につい
て、図4のシフトレジスタと異なる点を図9のタイミン
グチャートを参照して説明する。このタイミングチャー
トに従った動作では、電圧信号V1は、常時ハイレベル
に維持されている。
Next, the operation of the shift register shown in FIG. 8 will be described with reference to a timing chart shown in FIG. 9 while referring to differences from the shift register shown in FIG. In the operation according to the timing chart, the voltage signal V1 is always maintained at the high level.

【0106】タイミングT0〜T1の期間において、ス
タート信号Dstがハイレベルになり、1番目の段RS
(1)のTFT1がオンしたときは、電圧信号V1がこ
のTFT1のドレインからソースに出力されて、ノード
A1に電荷が蓄積される。このとき、ノードA1の電位
は電源電圧Vddよりも低い電圧信号V1よりもさらに
TFT1の閾値電圧だけ低いが、TFT2及びTFT5
の閾値電圧よりは高くなる。これにより、1番目の段R
S(1)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3が
オフする。そして、タイミングT1においてクロック信
号CK1が立ち上がると、出力信号OUT1のレベルが
ハイレベルになる。
During the period from timing T0 to T1, the start signal Dst goes high and the first stage RS
When the TFT1 of (1) is turned on, the voltage signal V1 is output from the drain of the TFT1 to the source, and the electric charge is accumulated at the node A1. At this time, the potential of the node A1 is lower than the voltage signal V1 lower than the power supply voltage Vdd by the threshold voltage of the TFT1, but is lower than the voltage signal V1.
Is higher than the threshold voltage. Thereby, the first stage R
In S (1), TFT2 and TFT5 are turned on, and TFT3 is turned off. Then, when the clock signal CK1 rises at the timing T1, the level of the output signal OUT1 becomes high.

【0107】以下同様にして、タイミングTn−1〜T
nの期間では、n−1番目の段RS(n−1)の出力信
号OUTn−1がハイレベルになり、n番目の段RS
(n)のTFT1がオンする。これにより、ノードAn
に電圧信号V1よりもさらにTFT1の閾値電圧だけ低
い電位となるだけの電荷が蓄積され、n番目の段RS
(n)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオ
フする。そして、タイミングTnにおいてクロック信号
CK2が立ち上がると、出力信号OUTnのレベルがハ
イレベルになる。
Similarly, at timings Tn-1 to Tn-1
During the period of n, the output signal OUTn-1 of the (n-1) th stage RS (n-1) becomes high level, and the nth stage RS (n-1)
The TFT 1 of (n) turns on. Thereby, the node An
Is stored in the n-th stage RS so that the potential becomes lower than the voltage signal V1 by the threshold voltage of the TFT1.
(N) TFT2 and TFT5 are turned on, and TFT3 is turned off. Then, when the clock signal CK2 rises at the timing Tn, the level of the output signal OUTn becomes high.

【0108】このシフトレジスタにおいて、1つのTF
T1のゲート、ドレイン及びソースの電位がどのように
変化するかについて、図9の下三段を参照し、3番目の
段RS(3)のTFT1を例として説明する。図示する
ように、TFT1のゲート電圧は、タイミングT2〜T
3の期間で2番目の段RS(2)の出力信号OUT2が
ハイレベルになっているときだけ、ほぼ電源電圧Vdd
に等しいレベルとなる。
In this shift register, one TF
How the potentials of the gate, drain, and source of T1 change will be described with reference to the lower three stages in FIG. 9 and the TFT1 in the third stage RS (3) as an example. As shown in the figure, the gate voltage of the TFT 1 is controlled at timings T2 to T2.
Only when the output signal OUT2 of the second stage RS (2) is at the high level during the period of 3, the power supply voltage Vdd is almost
Level.

【0109】TFT1のドレイン電圧は、電圧信号V1
のレベル、すなわち電源電圧Vddよりも若干低いレベ
ルに維持されている。TFT1のソース電圧は、タイミ
ングT2でノードA3に電荷が蓄積されると、電圧信号
V1よりもその閾値電圧だけ低い電圧レベルとなり、タ
イミングT3〜T4の期間でクロック信号CK1がハイ
レベルになっているときに、これよりもほぼ電源電圧V
ddだけ高いレベルになる。
The drain voltage of the TFT 1 is equal to the voltage signal V 1
, That is, a level slightly lower than the power supply voltage Vdd. When charge is accumulated in the node A3 at the timing T2, the source voltage of the TFT1 becomes a voltage level lower than the voltage signal V1 by the threshold voltage, and the clock signal CK1 is at the high level during the period from the timing T3 to T4. Sometimes, the power supply voltage V
The level becomes higher by dd.

【0110】つまり、このときのTFT1のソース電圧
は、電源電圧Vddよりは若干高くなるものの、電源電
圧Vddの2倍の電圧よりは十分に低いレベルとなって
いる。したがってTFT1では、ゲートがオフレベル時
のゲート−ドレイン間の電位差がより小さくなり、ソー
ス電圧が最大時のゲート−ソース間の電位差が小さくな
る。同様に、TFT2のゲート電圧、TFT5のゲート
電圧及びTFT6のドレイン電圧も、図4のシフトレジ
スタの場合ほど大きくならない。このため、TFT1、
2、5、6に大きな電圧ストレスがかかることがなく、
図4のシフトレジスタに比べてTFT1、2、5、6の
素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用によっても
故障しにくいものとなる。
That is, although the source voltage of the TFT 1 at this time is slightly higher than the power supply voltage Vdd, it is at a level sufficiently lower than twice the power supply voltage Vdd. Therefore, in the TFT 1, the potential difference between the gate and the drain when the gate is at the off level is smaller, and the potential difference between the gate and the source when the source voltage is the maximum is smaller. Similarly, the gate voltage of the TFT 2, the gate voltage of the TFT 5, and the drain voltage of the TFT 6 are not as large as those of the shift register of FIG. Therefore, TFT1,
No large voltage stress is applied to 2, 5, and 6,
Since the element characteristics of the TFTs 1, 2, 5, and 6 are less likely to be degraded than the shift register of FIG. 4, the TFTs are less likely to fail even after long-term use.

【0111】図8のシフトレジスタは、また、図10の
タイミングチャートに従って動作することもできる。こ
のタイミングチャートに従った動作では、電圧信号V1
は、クロック信号CK1またはCK2のいずれかがハイ
レベルとなっている期間だけ、ハイレベルに変化する。
このタイミングチャートに従った動作について、図9の
タイミングチャートに従った動作との違いを説明する。
The shift register of FIG. 8 can also operate according to the timing chart of FIG. In the operation according to this timing chart, the voltage signal V1
Changes to a high level only while either the clock signal CK1 or CK2 is at a high level.
The difference between the operation according to the timing chart and the operation according to the timing chart of FIG. 9 will be described.

【0112】タイミングT0〜T1の期間でスタート信
号Dstがハイレベルになっているときだけ、電圧信号
V1がハイレベルとなってノードA1に電荷が蓄積され
る。タイミングT1〜T2の期間で出力信号OUT1が
ハイレベルになっているときだけ、電圧信号V1がハイ
レベルとなってノードA2に電荷が蓄積される。以下同
様にして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、出力
信号OUTn−1がハイレベルになっているときだけ、
電圧信号V1がハイレベルとなってノードAnに電荷が
蓄積される。
Only when the start signal Dst is at the high level during the period from the timing T0 to T1, the voltage signal V1 is at the high level and the electric charge is stored in the node A1. Only when the output signal OUT1 is at the high level during the period between the timings T1 and T2, the voltage signal V1 is at the high level, and charges are stored in the node A2. Similarly, during the period from timing Tn-1 to Tn, only when the output signal OUTn-1 is at the high level,
The voltage signal V1 becomes high level, and charges are stored in the node An.

【0113】この動作による場合、図10の下三段に3
番目の段RS(1)を例として示すように、TFT1の
ゲート−ドレイン間及び、ソース−ドレイン間に電位差
が生じる時間が、図9の動作による場合よりも短く、T
FT1にかかる電圧ストレスが小さい。このため、図9
の動作による場合よりもTFT1の素子特性が劣化しに
くいので、長期間の使用によっても故障しにくいものと
なる。
In the case of this operation, the lower three rows in FIG.
As shown in the example of the first stage RS (1), the time during which a potential difference occurs between the gate and the drain and between the source and the drain of the TFT 1 is shorter than that according to the operation of FIG.
Voltage stress applied to FT1 is small. Therefore, FIG.
Since the element characteristics of the TFT 1 are less likely to deteriorate than the case of the operation described above, the TFT 1 is less likely to fail even after long-term use.

【0114】図11は、ゲートドライバ52として適用
可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図で
ある。図6に示すシフトレジスタとの違いについて説明
すると、TFT1のドレインには、奇数番目の段RS
(1),RS(3),…,RS(n−1)においてクロ
ック信号CK1’が、偶数番目の段RS(2),RS
(4),…,RS(n)においてクロック信号CK2’
が、それぞれ供給されている。クロック信号CK1’及
びCK2’のハイレベルは、電源電圧Vddのレベルよ
りも低いが、ノードA1〜Anに、TFT2及びTFT
5をオンするのに十分なだけの電荷を蓄積させることが
できる程度のレベルである。
FIG. 11 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 52. In FIG. Explaining the difference from the shift register shown in FIG. 6, the drain of the TFT 1 has an odd-numbered stage RS
In (1), RS (3),..., RS (n−1), the clock signal CK1 ′ is changed to the even-numbered stages RS (2), RS (2)
(4),..., RS (n), the clock signal CK2 ′
Are supplied, respectively. Although the high level of the clock signals CK1 ′ and CK2 ′ is lower than the level of the power supply voltage Vdd, the TFTs 2 and TFTs are connected to the nodes A1 to An.
This is a level at which enough charges can be accumulated to turn on the transistor 5.

【0115】次に、図11のシフトレジスタの動作につ
いて、図6に示すシフトレジスタとの違いを図12のタ
イミングチャートを参照して説明する。タイミングT0
〜T1においてスタート信号Dstがハイレベルになっ
たときは、クロック信号CK2’がハイレベルとなっ
て、ノードA1に電荷が蓄積される。タイミングT1〜
T2において出力信号OUT1がハイレベルになったと
きは、クロック信号CK1’がハイレベルとなって、ノ
ードA2に電荷が蓄積される。以下同様にして、タイミ
ングTn−1〜Tnにおいて出力信号OUTn−1がハ
イレベルになったときは、クロック信号CK1’がハイ
レベルとなって、ノードAnに電荷が蓄積される。
Next, the operation of the shift register of FIG. 11 will be described with reference to the timing chart of FIG. Timing T0
When the start signal Dst goes to a high level from T1 to T1, the clock signal CK2 'goes to a high level, and charges are stored in the node A1. Timing T1
When the output signal OUT1 goes high at T2, the clock signal CK1 'goes high, and charges are stored in the node A2. Similarly, when the output signal OUTn-1 goes to a high level at timings Tn-1 to Tn, the clock signal CK1 'goes to a high level, and charges are accumulated in the node An.

【0116】図12の下三段に3番目の段RS(3)の
TFT1を例として示すように、各TFT1のソース電
圧は、最大レベルとなったときでも、電源電圧Vddよ
りは若干高くなるものの、電源電圧Vddの2倍の電圧
よりは十分に低いレベルとなっている。同様に、TFT
2のゲート電圧、TFT5のゲート電圧及びTFT6の
ドレイン電圧も、図6のシフトレジスタの場合ほど大き
くならない。このため、TFT1、2、5、6に大きな
電圧ストレスがかかることがない。さらに、図8のシフ
トレジスタに比べて、TFT1のゲート−ドレイン間及
びソース−ドレイン間に電位差が生じている期間が短
い。図6、図8のシフトレジスタに比べてTFT1、
2、5、6の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使
用によっても故障しにくいものとなる。
As shown by way of example of the TFT 1 in the third stage RS (3) in the lower three stages of FIG. 12, the source voltage of each TFT 1 is slightly higher than the power supply voltage Vdd even when it reaches the maximum level. However, it is at a level sufficiently lower than twice the power supply voltage Vdd. Similarly, TFT
The gate voltage of the TFT 2, the gate voltage of the TFT 5, and the drain voltage of the TFT 6 are not as large as those of the shift register of FIG. Therefore, a large voltage stress is not applied to the TFTs 1, 2, 5, and 6. Further, compared with the shift register of FIG. 8, the period in which the potential difference is generated between the gate and the drain and between the source and the drain of the TFT 1 is shorter. Compared with the shift register of FIGS.
Since the device characteristics of 2, 5, and 6 are hardly deteriorated, the device is hardly broken down even after long-term use.

【0117】[第2の実施の形態]この実施の形態にか
かるデジタルスチルカメラは、第1の実施の形態に示し
たものとほぼ同じであるが、図2に点線で示す角度セン
サ40を有している点が異なる。また、表示部10のゲ
ートドライバ52として適用されるシフトレジスタが第
1の実施の形態のものと異なり、順方向と逆方向との双
方向に出力信号をシフトできるものを用いている。ま
た、これに合わせて、液晶コントローラ50から制御信
号群Gcntとして出力される信号も若干異なる。
[Second Embodiment] A digital still camera according to this embodiment is almost the same as that shown in the first embodiment, but has an angle sensor 40 shown by a dotted line in FIG. Is different. The shift register applied as the gate driver 52 of the display unit 10 is different from that of the first embodiment in that it can shift the output signal in both the forward and reverse directions. In accordance with this, the signals output from the liquid crystal controller 50 as the control signal group Gcnt are slightly different.

【0118】角度センサ40は、レンズユニット部02
のカメラ本体部01に対する角度を検出する。角度セン
サ40の検出信号は、CPU22に入力され、CPU2
2は、この検出信号に従って、表示走査方向(ゲートド
ライバ52として適用されるシフトレジスタのシフト動
作方向)を順方向とするか逆方向とするかを示す制御信
号を表示部10に送る。
The angle sensor 40 includes a lens unit 02
Is detected with respect to the camera body 01. The detection signal of the angle sensor 40 is input to the CPU 22 and the CPU 2
In accordance with the detection signal, the control unit 2 sends to the display unit 10 a control signal indicating whether the display scanning direction (shift operation direction of the shift register applied as the gate driver 52) is forward or reverse.

【0119】図13は、この実施の形態において、ゲー
トドライバ52として適用されるシフトレジスタの回路
構成を示す図である。このシフトレジスタも、液晶表示
素子51のゲートラインGLの数と同じn個の段RS
(1)〜RS(n)から構成され、段RS(1)〜RS
(n)のそれぞれは、図4に示したシフトレジスタと同
様に、6つのTFT1〜6から構成されている。ここで
も、TFT1〜6は、いずれもnチャネル型の電界効果
トランジスタである。
FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register applied as a gate driver 52 in this embodiment. This shift register also has n stages RS equal to the number of gate lines GL of the liquid crystal display element 51.
(1) -RS (n), and the stages RS (1) -RS
Each of (n) is composed of six TFTs 1 to 6, as in the shift register shown in FIG. Here, the TFTs 1 to 6 are all n-channel type field effect transistors.

【0120】図13に示すシフトレジスタについて、図
4に示すものと異なる部分を説明すると、各段RS
(1)〜RS(n)のTFT1のドレインには、電源電
圧Vddの代わりに電圧信号V1が供給される。各段R
S(1)〜RS(n)のTFT6のソースには、基準電
圧Vssの代わりに電圧信号V2が供給される。
The shift register shown in FIG. 13 will be described with respect to the differences from the shift register shown in FIG.
A voltage signal V1 is supplied to the drains of the TFTs (1) to RS (n) instead of the power supply voltage Vdd. Each stage R
Instead of the reference voltage Vss, a voltage signal V2 is supplied to the sources of the TFTs 6 of S (1) to RS (n).

【0121】1番目の段RS(1)のTFT1のゲート
には、スタート信号Dstの代わりに制御信号D1が供
給される。n番目の段RS(n)のTFT6のゲートに
は、終了信号Dendの代わりに制御信号D2が供給さ
れる。電圧信号V1、V2は、順方向動作時と逆方向動
作時とでレベルが異なり、また、制御信号D1、D2
は、順方向動作時と逆方向動作時とでハイレベルとなる
タイミングが異なる。
A control signal D1 is supplied to the gate of the TFT1 of the first stage RS (1) instead of the start signal Dst. The control signal D2 is supplied to the gate of the TFT 6 of the n-th stage RS (n) instead of the end signal Dend. The voltage signals V1 and V2 have different levels between the forward operation and the reverse operation, and the control signals D1 and D2
Is different in the timing of the high level between the forward operation and the reverse operation.

【0122】以下、この実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラの動作について、説明する。まず、上記のゲ
ートドライバ52を構成するシフトレジスタの動作につ
いて、順方向シフトさせる場合と逆方向シフトさせる場
合とに分け、図14、図15のタイミングチャートを参
照して説明する。
The operation of the digital still camera according to this embodiment will be described below. First, the operation of the shift register forming the gate driver 52 will be described with reference to the timing charts of FIGS. 14 and 15, which are divided into a case of performing a forward shift and a case of performing a reverse shift.

【0123】なお、これらのタイミングチャートにおい
て、クロック信号CK1、CK2、電圧信号V1、V
2、制御信号D1、D2のハイレベルは、いずれも電源
電圧Vddに等しい。一方、これらの信号のローレベル
は、いずれも基準電圧Vssに等しい。1Tの期間は、
表示部10における1水平期間となる。
In these timing charts, clock signals CK1 and CK2 and voltage signals V1 and V
2. Both the high levels of the control signals D1 and D2 are equal to the power supply voltage Vdd. On the other hand, the low level of each of these signals is equal to the reference voltage Vss. During the 1T period,
This is one horizontal period in the display unit 10.

【0124】また、これらのタイミングチャートに従っ
てシフト動作を開始する前(T0より前)は、出力信号
OUT1〜OUTnはいずれもローレベルとなってい
る。また、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいて
も、ノードA1〜Anに電荷が蓄積されておらず、TF
T2及びTFT5はオン、TFT3はオフの状態になっ
ている。
Before the shift operation is started according to these timing charts (before T0), all of the output signals OUT1 to OUTn are at the low level. Further, in any of the stages RS (1) to RS (n), no electric charge is accumulated in the nodes A1 to An, and the TF
T2 and TFT5 are on, and TFT3 is off.

【0125】図14は、順方向シフトさせる場合の動作
を示すタイミングチャートである。この場合、電圧信号
V1のレベルは、電源電圧Vddに等しいハイレベルに
維持され、電圧信号V2のレベルは、基準電圧Vssに
等しいローレベルに維持される。また、制御信号D1
は、タイミングT0からT1の間の一定期間だけハイレ
ベルになる。制御信号D2は、タイミングTnからタイ
ミングTn+1の一定期間だけハイレベルになる。
FIG. 14 is a timing chart showing the operation when shifting in the forward direction. In this case, the level of voltage signal V1 is maintained at a high level equal to power supply voltage Vdd, and the level of voltage signal V2 is maintained at a low level equal to reference voltage Vss. Also, the control signal D1
Is at a high level for a certain period between timings T0 and T1. The control signal D2 goes high for a certain period from the timing Tn to the timing Tn + 1.

【0126】すなわち、第1の実施の形態において、制
御信号D1をスタート信号Dstに、制御信号D2を終
了信号Dendに置き換えれば、図5のタイミングチャ
ートを用いて説明したシフトレジスタの動作と同じにな
る。従って、1Tの期間内の一定期間ずつ、出力信号O
UT1〜OUTnが順にハイレベルになってシフトして
いく。
That is, in the first embodiment, if the control signal D1 is replaced with the start signal Dst and the control signal D2 is replaced with the end signal Dend, the operation of the shift register described with reference to the timing chart of FIG. Become. Accordingly, the output signal O is output for a certain period within the period of 1T.
UT1 to OUTn sequentially shift to the high level.

【0127】一方、図15は、逆方向シフトさせる場合
の動作を示すタイミングチャートである。この場合、電
圧信号V1のレベルは、基準電圧Vssに等しいローレ
ベルに維持され、電圧信号V2のレベルは、基準電圧V
ddに等しいハイレベルに維持される。また、制御信号
D2は、タイミングT0からT1の間の一定期間だけハ
イレベルになる。制御信号D1は、タイミングTnから
タイミングTn+1の一定期間だけハイレベルになる。
FIG. 15 is a timing chart showing the operation in the case of shifting in the reverse direction. In this case, the level of the voltage signal V1 is maintained at a low level equal to the reference voltage Vss, and the level of the voltage signal V2 is maintained at the reference voltage Vss.
dd is maintained at a high level. Further, the control signal D2 is at a high level for a certain period between the timings T0 and T1. The control signal D1 is at a high level for a certain period from timing Tn to timing Tn + 1.

【0128】タイミングT0〜T1の間、制御信号D2
がハイレベルになると、n番目の段RS(n)のTFT
6がオンし、ハイレベルの電圧信号V2がTFT6のソ
ースからドレインに出力される。これにより、n番目の
段RS(n)のノードAnに電荷が蓄積され、TFT2
及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。この期間
は、n番目の段RS(n)のTFT2はオンするが、ク
ロック信号CK2はローレベルであるため、出力信号O
UT2のレベルはローレベルのままである。
During the timing T0 to T1, the control signal D2
Becomes high level, the TFT of the n-th stage RS (n)
6 turns on, and a high-level voltage signal V2 is output from the source to the drain of the TFT6. As a result, charge is accumulated at the node An of the n-th stage RS (n), and the TFT 2
And TFT5 is turned on, and TFT3 is turned off. During this period, the TFT2 of the n-th stage RS (n) is turned on, but since the clock signal CK2 is at the low level, the output signal O
The level of UT2 remains at the low level.

【0129】次に、タイミングT1において、クロック
信号CK2がハイレベルに変化すると、これがn番目の
段RS(n)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUTnのレベルがハイレベルに変化す
る。この後、タイミングT2までの間でクロック信号C
K2が立ち下がると、出力信号OUTnはローレベルに
なる。
Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing T1, this is output from the drain of the TFT2 of the n-th stage RS (n) to the source, and the level of the output signal OUTn changes to the high level. I do. Thereafter, the clock signal C is output until the timing T2.
When K2 falls, the output signal OUTn goes low.

【0130】また、タイミングT1〜T2の期間では、
ハイレベルとなったn番目の段RS(n)の出力信号O
UTnにより、n−1番目の段RS(n−1)のTFT
6がオンする。これにより、n−1番目の段RS(n−
1)のTFT6のドレインからハイレベルの電圧信号V
2が出力されることで、ノードAn−1の電位がハイレ
ベルになり、n−1番目の段RS(n−1)のTFT2
及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。
In the period between timings T1 and T2,
The output signal O of the n-th stage RS (n) that has become high level
According to UTn, the TFT of the (n−1) th stage RS (n−1)
6 turns on. As a result, the (n−1) th stage RS (n−
1) The high-level voltage signal V from the drain of the TFT 6
2 is output, the potential of the node An-1 becomes high level, and the TFT2 of the (n-1) th stage RS (n-1)
And TFT5 is turned on, and TFT3 is turned off.

【0131】次に、タイミングT2において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、これがn−1番
目の段RS(n−1)のTFT2のドレインからソース
に出力されて、出力信号OUTn−1のレベルがハイレ
ベルに変化する。これにより、今度はn番目の段RS
(n)のTFT1がオンし、ノードAnに蓄積された電
荷が放出され、n番目の段RS(n)のTFT2及びT
FT5がオフし、TFT3がオンする。この後、タイミ
ングT3までの間でクロック信号CK1が立ち下がる
と、出力信号OUTn−1はローレベルになる。
Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T2, this is output from the drain of the TFT2 of the (n-1) th stage RS (n-1) to the source, and the output signal OUTn-1 is output. The level changes to high level. Thereby, the n-th stage RS
The (n) TFT 1 is turned on, the electric charge accumulated at the node An is released, and the TFTs 2 and T of the n-th stage RS (n) are turned off.
FT5 turns off and TFT3 turns on. Thereafter, when the clock signal CK1 falls before the timing T3, the output signal OUTn-1 becomes low level.

【0132】また、タイミングT1〜T2の期間では、
ハイレベルとなったn−1番目の段RS(n−1)の出
力信号OUTn−1により、n−2番目の段RS(n−
2)のTFT6がオンする。これにより、n−2番目の
段RS(n−2)のTFT6のドレインからハイレベル
の電圧信号V2が出力されることで、ノードAn−2の
電位がハイレベルになり、n−2番目の段RS(n−
2)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフ
する。
In the period between timings T1 and T2,
The output signal OUTn−1 of the (n−1) th stage RS (n−1) that has become high level causes the (n−2) th stage RS (n−
2) The TFT 6 is turned on. As a result, a high-level voltage signal V2 is output from the drain of the TFT 6 of the (n−2) th stage RS (n−2), and the potential of the node An−2 becomes a high level. Step RS (n-
2) TFT2 and TFT5 are turned on, and TFT3 is turned off.

【0133】以下、n−2番目以前の段RS(n−
2),RS(n−3),…が、前の段の方向に向かって
1Tの期間ずつ上記と同様の動作を繰り返していくこと
によって、出力信号OUTn−2,OUTn−3,…が
1Tの期間内の所定期間ずつハイレベルに変化してい
く。そして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、ハ
イレベルとなった2番目の段RS(2)の出力信号OU
T2により、1番目の段RS(1)のTFT6がオンす
る。これにより、1番目の段RS(1)のノードA1に
電荷が蓄積され、TFT2及びTFT5がオンし、TF
T3がオフする。
Hereinafter, the stage RS (n-
2), RS (n-3),... Repeat the same operation as above for each 1T period in the direction of the previous stage, so that the output signals OUTn-2, OUTn-3,. The level changes to a high level at predetermined intervals within the period. During the period from timing Tn-1 to Tn, the output signal OU of the second stage RS (2) which has become high level
By T2, the TFT 6 of the first stage RS (1) is turned on. As a result, charges are accumulated in the node A1 of the first stage RS (1), and the TFT2 and the TFT5 are turned on, and the TF
T3 turns off.

【0134】次に、タイミングTnにおいて、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、これが1番目の
段RS(1)のTFT2のドレインからソースに出力さ
れて、出力信号OUT1のレベルがハイレベルに変化す
る。この後、タイミングTn+1までの間でクロック信
号CK1が立ち下がると、出力信号OUT1はローレベ
ルになる。
Next, when the clock signal CK1 changes to high level at the timing Tn, this is output from the drain of the TFT2 of the first stage RS (1) to the source, and the level of the output signal OUT1 changes to high level. I do. Thereafter, when the clock signal CK1 falls before the timing Tn + 1, the output signal OUT1 goes low.

【0135】そして、タイミングTn+1になると、今
度は制御信号D1のレベルがハイレベルに変化する。こ
れにより、1番目の段RS(1)のTFT1がオンする
ことで、ノードA1に蓄積された電荷が放出され、2番
目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオフし、T
FT3がオンする。そして、制御信号D2がハイレベル
に変化するまでの間、段RS(1)〜RS(n)のいず
れにおいても、ノードA1〜Anに電荷は蓄積されてお
らず、TFT2及びTFT5はオン、TFT3はオフの
状態が維持される。
At the timing Tn + 1, the level of the control signal D1 changes to the high level. As a result, when the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, the electric charge accumulated in the node A1 is released, and the TFT2 and the TFT5 of the second stage RS (2) are turned off.
FT3 turns on. Until the control signal D2 changes to the high level, in any of the stages RS (1) to RS (n), no electric charge is stored in the nodes A1 to An, and the TFT2 and the TFT5 are turned on, and the TFT3 is turned on. Is kept off.

【0136】次に、この実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラ全体の動作を説明するが、次の点を除いて第
1の実施の形態のものと同じである。第1の実施の形態
のものと異なる点について説明すると、角度センサ40
は、レンズユニット部02のカメラ本体部01に対する
角度を検出し、その検出信号をCPU22に入力する。
すると、CPU22は、入力された検出信号に応じた制
御信号を、表示部10に供給する。
Next, the operation of the entire digital still camera according to this embodiment will be described. The operation is the same as that of the first embodiment except for the following points. The difference from the first embodiment will be described.
Detects the angle of the lens unit 02 with respect to the camera body 01, and inputs the detection signal to the CPU 22.
Then, the CPU 22 supplies a control signal corresponding to the input detection signal to the display unit 10.

【0137】表示部10では、液晶コントローラ50
が、レンズユニット部02の撮像レンズ02aが表示部
10と反対側にあることを示す制御信号がCPU22か
ら供給された場合には順方向シフトとなるように、ゲー
トドライバ52に制御信号群Gcntとして供給する制
御信号D1、D2及び電圧信号V1、V2を切り替え
る。撮像レンズ02aが表示部10の側にあることを示
す制御信号がCPU22から供給された場合には逆方向
シフトとなるように、ゲートドライバ52に制御信号群
Gcntとして供給する制御信号D1、D2及び電圧信
号V1、V2を切り替える。
In the display unit 10, the liquid crystal controller 50
However, when a control signal indicating that the imaging lens 02a of the lens unit unit 02 is on the opposite side to the display unit 10 is supplied from the CPU 22, the gate driver 52 transmits the control signal group Gcnt to the gate driver 52 so as to perform a forward shift. The supplied control signals D1, D2 and the voltage signals V1, V2 are switched. When a control signal indicating that the imaging lens 02a is on the display unit 10 side is supplied from the CPU 22, the control signals D1 and D2 and the control signals D1 and D2 supplied as the control signal group Gcnt to the gate driver 52 are shifted in the reverse direction. The voltage signals V1 and V2 are switched.

【0138】以下、この実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラで画像を撮影する際の動作、特にレンズユニ
ット部02の向きと表示部10に表示される画像との関
係について、具体例を示して説明する。ここでは、モー
ド設定キー12aを撮影モードに設定しているものと
し、角度センサ40の検出信号に従って、CPU22
は、液晶表示素子51の走査方向(ゲートドライバ52
を構成するシフトレジスタのシフト方向)を変えるため
の制御信号を表示部10に送っているものとする。
Hereinafter, the operation of capturing an image with the digital still camera according to this embodiment, particularly the relationship between the direction of the lens unit 02 and the image displayed on the display unit 10, will be described with a specific example. I do. Here, it is assumed that the mode setting key 12a has been set to the photographing mode, and the CPU 22
Is the scanning direction of the liquid crystal display element 51 (the gate driver 52
It is assumed that a control signal for changing the shift direction (shift direction of the shift register) is transmitted to the display unit 10.

【0139】まず、図16(a)に示すように、撮影者
から見て正面側にある物体の画像を撮影する場合のデジ
タルスチルカメラの動作について説明する。この場合、
撮影者は、レンズユニット部02の撮像レンズ02aを
カメラ本体部01の表示部10と同じ側に来るように、
すなわち、レンズユニット部02をカメラ本体部01に
対してほぼ0°の位置に来るように回動させて、画像の
撮影を行う。このとき、ゲートドライバ52による液晶
表示素子51の走査方向は順方向となる。
First, as shown in FIG. 16A, the operation of the digital still camera for photographing an image of an object in front of the photographer will be described. in this case,
The photographer places the imaging lens 02a of the lens unit 02 on the same side as the display 10 of the camera body 01,
That is, the image is taken by rotating the lens unit 02 so that the lens unit 02 comes to a position substantially at 0 ° with respect to the camera body 01. At this time, the scanning direction of the liquid crystal display element 51 by the gate driver 52 is the forward direction.

【0140】この状態では、図16(a)に示すよう
に、液晶表示素子51の画素P(1,1)〜P(n,
m)の配置は、液晶表示素子51の本来の上下左右の方
向と一致している。また、レンズユニット部02の上下
左右方向が画像の本来の上下左右方向と一致する。この
とき、撮像レンズ02aによって結像された画像に応じ
て、図16(a)の左から右に水平走査され、上から下
に垂直走査されることで、CCD撮像装置20の各画素
から電気信号が出力され、対応する画像データがRAM
24のVRAM領域に展開される。
In this state, as shown in FIG. 16A, the pixels P (1,1) to P (n,
The arrangement of m) matches the original upper, lower, left, and right directions of the liquid crystal display element 51. The vertical and horizontal directions of the lens unit 02 coincide with the original vertical and horizontal directions of the image. At this time, according to the image formed by the imaging lens 02a, horizontal scanning is performed from left to right in FIG. 16A, and vertical scanning is performed from top to bottom. A signal is output and the corresponding image data is stored in RAM
It is expanded to 24 VRAM areas.

【0141】一方、表示部10においては、図16
(b)に示す水平方向の矢印の方向に従って、展開され
た画像データが取り込まれ、1水平期間内で液晶表示素
子51の1番目からm番目のドレインラインDLに出力
される。また、ゲートドライバ52は、液晶表示素子5
1の1番目からn番目の順(図16(b)では上から下
の順)でゲートラインGLを順次選択していく。
On the other hand, in the display section 10, FIG.
In accordance with the direction of the horizontal arrow shown in (b), the developed image data is captured and output to the first to m-th drain lines DL of the liquid crystal display element 51 within one horizontal period. In addition, the gate driver 52 includes the liquid crystal display element 5.
The gate lines GL are sequentially selected in the order of 1st to 1st (from top to bottom in FIG. 16B).

【0142】これにより、CCD撮像装置20において
本来的に上にある画素から出力された信号に対応する画
像データが液晶表示素子51の本来的な上の画素(図1
6(b)の上側)に、CCD撮像装置20において本来
的に左にある画素から出力された信号に対応する画像デ
ータが液晶表示素子51の本来的な左の画素(図16
(b)の左側)に表示されることとなり、図16(b)
に示すように、撮影した画像と同一方向の画像が表示さ
れる。
As a result, the image data corresponding to the signal output from the pixel originally above the CCD image pickup device 20 is transferred to the pixel above the liquid crystal display element 51 (FIG. 1).
6 (b), image data corresponding to a signal output from a pixel originally on the left in the CCD image pickup device 20 is displayed on the original left pixel of the liquid crystal display element 51 (FIG. 16).
16 (b) is displayed on the left side of FIG.
As shown in FIG. 7, an image in the same direction as the captured image is displayed.

【0143】次に、図17(a)に示すように、例えば
撮影者自体が被写体になるような、被写体が表示部10
側にある時に画像を撮影する場合のデジタルスチルカメ
ラの動作について説明する。この場合、撮影者は、レン
ズユニット部02の撮像レンズ02aをカメラ本体部0
1の表示部10の反対側に来るように、すなわち、レン
ズユニット部02をカメラ本体部01に対してほぼ18
0°の位置に来るように回動させて、画像の撮影を行
う。このとき、ゲートドライバ52による液晶表示素子
51の走査方向は逆方向となる。
Next, as shown in FIG. 17A, the subject is displayed on the display unit 10 such as the photographer himself.
The operation of the digital still camera when shooting an image when the camera is on the side will be described. In this case, the photographer attaches the imaging lens 02a of the lens unit 02 to the camera body 0.
1 so as to be on the opposite side of the display unit 10, that is, the lens unit 02 is approximately 18
The image is taken by rotating it so that it comes to the position of 0 °. At this time, the scanning direction of the liquid crystal display element 51 by the gate driver 52 is reversed.

【0144】この状態では、図17(a)に示すよう
に、液晶表示素子51の画素P(1,1)〜P(n,
m)の配置は、液晶表示素子51の本来の上下左右の方
向と逆になっている。また、レンズユニット部02の上
下左右方向が画像の上下左右方向と一致する。このと
き、撮像レンズ02aによって結像された画像に応じ
て、図17(a)の右から左に水平走査され、上から下
に垂直走査されて、CCD撮像装置20の各画素から電
気信号が出力され、対応する画像データがRAM24の
VRAM領域に展開される。
In this state, as shown in FIG. 17A, the pixels P (1,1) to P (n,
The arrangement of m) is opposite to the original upper, lower, left and right directions of the liquid crystal display element 51. In addition, the up, down, left, and right directions of the lens unit 02 coincide with the up, down, left, and right directions of the image. At this time, in accordance with the image formed by the imaging lens 02a, horizontal scanning is performed from right to left in FIG. 17A, and vertical scanning is performed from top to bottom, and an electric signal is output from each pixel of the CCD imaging device 20. The output and the corresponding image data are expanded in the VRAM area of the RAM 24.

【0145】一方、表示部10においては、図17
(b)に示す水平方向の矢印の方向に従って、展開され
た画像データが取り込まれ、1水平期間内で液晶表示素
子51の1番目からm番目のドレインラインDLに出力
される。また、ゲートドライバ52は、液晶表示素子5
1の1番目からn番目の順(図17(b)では下から上
の順)でゲートラインGLを順次選択していく。
On the other hand, in the display section 10, FIG.
In accordance with the direction of the horizontal arrow shown in (b), the developed image data is captured and output to the first to m-th drain lines DL of the liquid crystal display element 51 within one horizontal period. In addition, the gate driver 52 includes the liquid crystal display element 5.
The gate lines GL are sequentially selected in the order from the first to the n-th (in FIG. 17B, from bottom to top).

【0146】これにより、CCD撮像装置20において
本来的に上にある画素から出力された信号に対応する画
像データが液晶表示素子51の本来的な下の画素(図1
7(b)の下側)に、CCD撮像装置20において本来
的に左にある画素から出力された信号に対応する画像デ
ータが液晶表示素子51の本来的な右の画素(図17
(b)の右側)に表示されることとなり、図17(b)
に示すように、撮影した画像に対する鏡面画像が表示さ
れる。
As a result, the image data corresponding to the signal output from the pixel originally above the CCD image pickup device 20 is transferred to the pixel below the liquid crystal display element 51 (see FIG. 1).
7 (b), the image data corresponding to the signal output from the pixel originally left in the CCD image pickup device 20 is converted to the original right pixel of the liquid crystal display element 51 (FIG. 17).
(B) to the right of FIG. 17 (b).
As shown in FIG. 7, a mirror image of the captured image is displayed.

【0147】以上説明したように、この実施の形態にか
かるデジタルスチルカメラのゲートドライバ52として
適用されるシフトレジスタでは、順方向に動作する場合
には、TFT1はノードA1〜Anに電荷を蓄積させる
ためのトランジスタとして機能し、TFT6は蓄積され
た電荷を放出させるためのトランジスタとして機能す
る。一方、逆方向に動作する場合には、TFT1はノー
ドA1〜Anに蓄積された電荷を放出させるためのトラ
ンジスタとして機能し、TFT6は電荷を蓄積させるた
めのトランジスタとして機能する。
As described above, in the shift register applied as the gate driver 52 of the digital still camera according to the present embodiment, the TFT 1 stores charges in the nodes A1 to An when operating in the forward direction. , And the TFT 6 functions as a transistor for releasing the accumulated charges. On the other hand, when operating in the reverse direction, the TFT 1 functions as a transistor for discharging the charges stored in the nodes A1 to An, and the TFT 6 functions as a transistor for storing the charges.

【0148】TFT1、6にこのような機能を持たせる
ことができるため、各段RS(1)〜RS(n)を構成
するTFT1〜6の数は、第1の実施の形態でゲートド
ライバ52として適用されていたシフトレジスタと同じ
にすることができる。このため、第1の実施の形態のも
のに比べて面積がそれほど大きくならず、ゲートドライ
バ52を液晶表示素子51と同一の基板上に形成して
も、画像表示領域の相対的な面積が小さくならない。
Since the TFTs 1 and 6 can be provided with such a function, the number of TFTs 1 to 6 constituting each stage RS (1) to RS (n) is determined by the gate driver 52 in the first embodiment. Can be the same as the shift register applied as For this reason, the area is not so large as compared with the first embodiment, and even if the gate driver 52 is formed on the same substrate as the liquid crystal display element 51, the relative area of the image display area is small. No.

【0149】また、ゲートドライバ52に、順方向と逆
方向との双方向にシフト動作することができるシフトレ
ジスタを適用したことにより、液晶コントローラ50〜
ゲートドライバ52に供給する制御信号群Gcntを制
御するだけで、表示部10上にCCD撮像装置20で撮
影した画像の鏡面画像を表示することができる。すなわ
ち、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラで
は、VRAM領域に展開された画像データの読み出しの
ために複雑な制御を行わなくても、表示部10に鏡面画
像を表示することができる。
Further, by applying a shift register capable of performing a bidirectional shift operation in the forward direction and the reverse direction to the gate driver 52, the liquid crystal controllers 50 to
By simply controlling the control signal group Gcnt supplied to the gate driver 52, a mirror image of the image captured by the CCD imaging device 20 can be displayed on the display unit 10. That is, the digital still camera according to this embodiment can display a mirror image on the display unit 10 without performing complicated control for reading image data developed in the VRAM area.

【0150】この実施の形態において、ゲートドライバ
52は、図13に示す構成を有し、液晶コントローラ5
0から出力される制御信号により、図14または図15
に示すタイミングチャートに従って動作するシフトレジ
スタによって構成されるものとしていた。しかしなが
ら、この実施の形態において、ゲートドライバ52とし
て適用可能なシフトレジスタの駆動方法はこれに限られ
るものではなく、シフトレジスタの構成もこれに限られ
るものではない。
In this embodiment, the gate driver 52 has the configuration shown in FIG.
14 or FIG.
And a shift register that operates according to the timing chart shown in FIG. However, in this embodiment, the method of driving the shift register applicable as the gate driver 52 is not limited to this, and the configuration of the shift register is not limited to this.

【0151】図18、図19は、図13に示すシフトレ
ジスタの他の動作を示すタイミングチャートである。順
方向動作をする場合、図18に示すように、電圧信号V
2がローレベルに維持されるのは図14の場合と同じで
あるが、電圧信号V1は、クロック信号CK1またはC
K2がハイレベルになっているときだけハイレベルとな
る。例えば、タイミングT0〜T1の期間において、制
御信号D1がハイレベルになったときはクロック信号C
K1もハイレベルとなって、1番目の段RS(1)のT
FT1がオンし、ノードA1に電荷が蓄積される。
FIGS. 18 and 19 are timing charts showing another operation of the shift register shown in FIG. When operating in the forward direction, as shown in FIG.
2 is maintained at a low level as in the case of FIG. 14, but the voltage signal V1 is the clock signal CK1 or C
It goes high only when K2 is high. For example, during the period from timing T0 to T1, when the control signal D1 goes high, the clock signal C
K1 is also at a high level, and T1 of the first stage RS (1)
FT1 turns on, and charge is stored in node A1.

【0152】一方、逆方向動作をする場合、図19に示
すように、電圧信号V1がローレベルに維持されるのは
図15の場合と同じであるが、電圧信号V2は、クロッ
ク信号CK1またはCK2がハイレベルになっていると
きだけハイレベルとなる。例えば、タイミングT0〜T
1の期間において、制御信号D2がハイレベルとなった
ときはクロック信号CK2もハイレベルとなって、n番
目の段RS(n)のTFT1がオンし、ノードAnに電
荷が蓄積される。
On the other hand, when the operation in the reverse direction is performed, as shown in FIG. 19, the voltage signal V1 is maintained at the low level as in the case of FIG. 15, but the voltage signal V2 is changed to the clock signal CK1 or the clock signal CK1. It goes high only when CK2 is high. For example, timings T0 to T
During the period 1, when the control signal D2 goes high, the clock signal CK2 also goes high, turning on the TFT1 of the n-th stage RS (n) and accumulating charge at the node An.

【0153】これらの場合、TFT1及びTFT6のそ
れぞれのゲート−ドレイン間、ソース−ドレイン間に電
位差が生じる時間が、図14、図15のタイミングチャ
ートに従って動作させた場合よりも短くなる。これによ
り、TFT1及びTFT6にかかる電圧ストレスを小さ
くすることができ、特性劣化を招きにくいので、長期間
の使用に耐え得るものとなる。
In these cases, the time during which a potential difference occurs between the gate and the drain and between the source and the drain of each of the TFT 1 and the TFT 6 is shorter than when the operation is performed according to the timing charts of FIGS. As a result, the voltage stress applied to the TFT 1 and the TFT 6 can be reduced, and the characteristics are not easily deteriorated.

【0154】図20は、この実施の形態において、ゲー
トドライバ52として適用可能な他のシフトレジスタの
回路構成を示す図である。図13に示すシフトレジスタ
との違いについて説明すると、奇数番目の段RS
(1),RS(3),…,RS(n−1)において、T
FT1のドレインには電圧信号V2が、TFT6のソー
スには電圧信号V1が供給されている。偶数番目の段R
S(2),RS(4),…,RS(n)において、TF
T1のドレインには電圧信号V1が、TFT6のソース
には電圧信号V2が供給されている。
FIG. 20 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52 in this embodiment. The difference from the shift register shown in FIG.
(1), RS (3), ..., RS (n-1), T
The voltage signal V2 is supplied to the drain of the FT1, and the voltage signal V1 is supplied to the source of the TFT6. Even-numbered stage R
In S (2), RS (4),..., RS (n), TF
The voltage signal V1 is supplied to the drain of T1, and the voltage signal V2 is supplied to the source of the TFT6.

【0155】次に、図20のシフトレジスタの動作につ
いて、図21、図22のタイミングチャートを参照して
説明する。順方向動作をする場合、タイミングT0〜T
1の期間において、制御信号D1がハイレベルになると
1番目の段RS(1)のTFT1がオンし、ハイレベル
となった電圧信号V2によりノードA1に電荷が蓄積さ
れる。タイミングT1〜T2の期間において、クロック
信号CK1がハイレベルになると、1番目の段RS
(1)の出力信号OUT1がハイレベルとなる。これに
より、2番目の段RS(2)のTFT1がオンし、ハイ
レベルとなった電圧信号V1によりノードA2に電荷が
蓄積される。
Next, the operation of the shift register of FIG. 20 will be described with reference to the timing charts of FIGS. When a forward operation is performed, timings T0 to T
In the period of 1, when the control signal D1 becomes high level, the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, and charge is accumulated in the node A1 by the high level voltage signal V2. When the clock signal CK1 goes high during the period between timings T1 and T2, the first stage RS
The output signal OUT1 of (1) becomes high level. As a result, the TFT1 of the second stage RS (2) is turned on, and charges are accumulated in the node A2 by the high-level voltage signal V1.

【0156】次のタイミングT2〜T3の期間におい
て、クロック信号CK2がハイレベルになると、2番目
の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルとな
る。これにより、3番目の段RS(3)のTFT1がオ
ンし、ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードA
3に電荷が蓄積される。また、ハイレベルとなった出力
信号OUT2により、1番目の段RS(1)のTFT6
がオンする。このとき、電圧信号V1はローレベルとな
っているため、ノードA1に蓄積された電荷が放出され
る。
When the clock signal CK2 goes high during the next period T2 to T3, the output signal OUT2 of the second stage RS (2) goes high. As a result, the TFT1 of the third stage RS (3) is turned on, and the voltage of the node A is increased by the high-level voltage signal V2.
3 accumulates electric charges. In addition, the output signal OUT2 that has become high level causes the TFT6 of the first stage RS (1)
Turns on. At this time, since the voltage signal V1 is at the low level, the charge stored in the node A1 is released.

【0157】以下同様にして、タイミングTn〜Tn+
1の期間において、クロック信号CK2がハイレベルに
なると、n番目の段RS(n)の出力信号OUTnがハ
イレベルとなる。これにより、n−1番目の段RS(n
−1)のTFT6がオンし、電圧信号V1がローレベル
となっていることから、ノードAn−1に蓄積された電
荷が放出される。そして、タイミングTn+1になる
と、制御信号D2がハイレベルになって、n番目の段R
S(n)のTFT6がオンする。このとき、電圧信号V
2はローレベルとなっているため、ノードAnに蓄積さ
れた電荷が放出される。
Similarly, the timings Tn to Tn +
When the clock signal CK2 goes high during the period of 1, the output signal OUTn of the n-th stage RS (n) goes high. Thereby, the (n-1) th stage RS (n
Since the TFT 6 of -1) is turned on and the voltage signal V1 is at the low level, the charge accumulated at the node An-1 is released. Then, at timing Tn + 1, the control signal D2 goes high, and the n-th stage R
The S (n) TFT 6 is turned on. At this time, the voltage signal V
Since 2 is at a low level, the charge stored in the node An is released.

【0158】一方、逆方向動作をする場合、タイミング
T0〜T1の期間において、制御信号D2がハイレベル
になると、n番目の段RS(n)のTFT6がオンし、
ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードAnに電
荷が蓄積される。タイミングT1〜T2の期間におい
て、クロック信号CK2がハイレベルになると、n番目
の段RS(n)の出力信号OUTnがハイレベルとな
る。これにより、n−1番目の段RS(n−1)のTF
T6がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V2により
ノードAn−1に電荷が蓄積される。
On the other hand, in the case of performing the reverse operation, when the control signal D2 goes high during the period from timing T0 to T1, the TFT 6 of the n-th stage RS (n) turns on,
Charges are stored in the node An by the voltage signal V2 that has become high level. When the clock signal CK2 goes high during the period from the timing T1 to T2, the output signal OUTn of the n-th stage RS (n) goes high. Thereby, the TF of the (n−1) th stage RS (n−1)
T6 is turned on, and charge is accumulated at the node An-1 by the high-level voltage signal V2.

【0159】次のタイミングT2〜T3の期間におい
て、クロック信号CK1がハイレベルになると、n−1
番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1がハイ
レベルとなる。これにより、n番目の段RS(n)のT
FT1がオンし、電圧信号V1がローレベルとなってい
ることから、ノードAnに蓄積された電荷が放出され
る。
When the clock signal CK1 goes to the high level during the period between the next timings T2 and T3, n-1
The output signal OUTn-1 of the second stage RS (n-1) becomes high level. Thereby, T of the n-th stage RS (n)
Since the FT1 is turned on and the voltage signal V1 is at the low level, the charge accumulated at the node An is released.

【0160】以下同様にして、タイミングTn〜Tn+
1の期間において、クロック信号CK1がハイレベルに
なると、1番目の段RS(1)の出力信号OUT1がハ
イレベルとなる。これにより、2番目の段RS(2)の
TFT1がオンし、電圧信号V1がローレベルとなって
いることから、ノードA2に蓄積された電荷が放出され
る。そして、タイミングTn+1になると、制御信号D
1がハイレベルになって、1番目の段RS(1)のTF
T1がオンする。このとき、電圧信号V2はローレベル
となっているため、ノードA1に蓄積された電荷が放出
される。
Similarly, the timings Tn to Tn +
In a period of 1, when the clock signal CK1 goes high, the output signal OUT1 of the first stage RS (1) goes high. As a result, the TFT1 of the second stage RS (2) is turned on and the voltage signal V1 is at the low level, so that the charges accumulated at the node A2 are discharged. Then, at timing Tn + 1, the control signal D
1 becomes high level, the TF of the first stage RS (1)
T1 turns on. At this time, since the voltage signal V2 is at the low level, the charge stored in the node A1 is released.

【0161】図23は、この実施の形態において、ゲー
トドライバ52として適用可能な他のシフトレジスタの
回路構成を示す図である。図13に示すシフトレジスタ
との違いについて説明すると、奇数番目の段RS
(1),RS(3),…,RS(n−1)において、T
FT1のドレインには電圧信号V2が、TFT6のソー
スには電圧信号V4が供給されている。偶数番目の段R
S(2),RS(4),…,RS(n)において、TF
T1のドレインには電圧信号V1が、TFT6のソース
には電圧信号V3が供給されている。
FIG. 23 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52 in this embodiment. The difference from the shift register shown in FIG.
(1), RS (3), ..., RS (n-1), T
The voltage signal V2 is supplied to the drain of the FT1, and the voltage signal V4 is supplied to the source of the TFT6. Even-numbered stage R
In S (2), RS (4),..., RS (n), TF
The voltage signal V1 is supplied to the drain of T1, and the voltage signal V3 is supplied to the source of the TFT6.

【0162】次に、図23のシフトレジスタの動作につ
いて、図24、図25のタイミングチャートを参照して
説明する。このシフトレジスタの動作は、奇数番目の段
RS(1),RS(3),…,RS(n−1)において
TFT6のソースに供給される電圧信号をV4に置き換
え、偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS
(n)においてTFT6のソースに供給される電圧信号
をV3と置き換えれば、図20のシフトレジスタのもの
とほぼ同じである。
Next, the operation of the shift register of FIG. 23 will be described with reference to the timing charts of FIGS. This shift register operates by replacing the voltage signal supplied to the source of the TFT 6 with V4 in the odd-numbered stages RS (1), RS (3),. 2), RS (4), ..., RS
If the voltage signal supplied to the source of the TFT 6 in (n) is replaced with V3, it is almost the same as that of the shift register in FIG.

【0163】しかし、図24に示す順方向動作をする場
合において、各段RS(1)〜RS(n)のTFT6の
ソース電圧(電圧信号V3、V4)は、ローレベルに維
持されている。また、図25に示す逆方向動作をする場
合において、各段RS(1)〜RS(n)のTFT1の
ドレイン電圧(電圧信号V1、V2)は、ローレベルに
維持されている。つまり、順方向動作ではTFT1につ
いて、逆方向動作ではTFT6について、ゲート−ドレ
イン間及びソース−ドレイン間に電位差が生じる時間が
短い。このため、TFT1及びTFT6にかかる電圧ス
トレスを、図20に示すシフトレジスタよりも小さくす
ることができるので、TFT1及びTFT6の素子特性
が劣化しにくく、長期間の使用によっても故障しにくい
ものとなる。
However, in the case of performing the forward operation shown in FIG. 24, the source voltages (voltage signals V3 and V4) of the TFTs 6 of the respective stages RS (1) to RS (n) are maintained at a low level. In the case of performing the reverse operation shown in FIG. 25, the drain voltages (voltage signals V1 and V2) of the TFTs 1 of the respective stages RS (1) to RS (n) are maintained at a low level. That is, for the TFT 1 in the forward operation and for the TFT 6 in the reverse operation, the time during which a potential difference occurs between the gate and the drain and between the source and the drain is short. Therefore, the voltage stress applied to the TFT 1 and the TFT 6 can be made smaller than that of the shift register shown in FIG. .

【0164】なお、この実施の形態で示した各シフトレ
ジスタにおいて、TFT1のドレインまたはTFT6の
ソースに供給する電圧信号V1〜V4のハイレベルは、
ノードA1〜Anに蓄積させる電荷によって、TFT2
及びTFT5をオンするのに十分な電圧レベルであれ
ば、電源電圧Vddよりも低くてもよい。これにより、
TFT1及びTFT6、さらにはTFT2及びTFT5
にかかる電圧ストレスを、上記の各タイミングチャート
に従ってシフトレジスタを動作させた場合よりも小さく
することができる。
In each shift register shown in this embodiment, the high level of the voltage signals V1 to V4 supplied to the drain of the TFT1 or the source of the TFT6 is
The charge stored in the nodes A1 to An causes the TFT 2
Alternatively, the voltage may be lower than the power supply voltage Vdd as long as the voltage level is sufficient to turn on the TFT 5. This allows
TFT1 and TFT6, and also TFT2 and TFT5
Can be reduced as compared with the case where the shift register is operated according to each of the timing charts described above.

【0165】[他の実施の形態]本発明は、上記第1、
第2の実施の形態に限られるものではなく、様々な変
形、応用を行うことができる。以下、本発明を適用した
他の実施の形態について説明する。
[Other Embodiments] The present invention relates to the first,
The present invention is not limited to the second embodiment, and various modifications and applications can be made. Hereinafter, other embodiments to which the present invention is applied will be described.

【0166】上記の第2の実施の形態では、ゲートドラ
イバ52として適用されたシフトレジスタを順方向でシ
フト動作させるか逆方向でシフト動作させるかは、角度
センサ40が検出したレンズユニット部02のカメラ本
体部01に対する角度に応じて、自動的に設定されるも
のとしていた。しかしながら、順方向動作させるか逆方
向動作させるかは、ユーザがキー入力部12のキーを操
作することにより選択するようにしてもよい。
In the second embodiment, whether the shift register applied as the gate driver 52 performs the forward shift operation or the reverse shift operation is determined by the lens unit 02 detected by the angle sensor 40. The setting is automatically made according to the angle with respect to the camera body 01. However, whether to perform the forward operation or the backward operation may be selected by the user operating a key of the key input unit 12.

【0167】上記の第1、第2の実施の形態では、図
4、図6、図8、図11、図13、図20及び図23に
示したシフトレジスタを液晶表示装置のゲートドライバ
52として適用した場合を例として説明した。しかしな
がら、液晶表示装置以外の表示装置、例えば、プラズマ
ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ、
有機EL表示装置などのラインを選択するためのドライ
バとしても用いることができる。さらには、これらのシ
フトレジスタは、撮像画素が縦横に所定の配列(例え
ば、マトリクス状の配列)で配置された撮像素子を駆動
するドライバとしても用いることができる。
In the first and second embodiments, the shift register shown in FIGS. 4, 6, 8, 11, 13, 20, and 23 is used as the gate driver 52 of the liquid crystal display device. The description has been given of an example in which the method is applied. However, display devices other than the liquid crystal display device, for example, a plasma display, a field emission display,
It can also be used as a driver for selecting a line such as an organic EL display device. Further, these shift registers can also be used as a driver for driving an image pickup device in which image pickup pixels are arranged in a predetermined arrangement (for example, a matrix arrangement) vertically and horizontally.

【0168】図26は、ダブルゲートトランジスタをフ
ォトセンサとして適用して撮像素子を有する撮像装置の
構成を示すブロック図である。この撮像装置は、例えば
指紋センサとして使用されるもので、図示するように、
コントローラ70、撮像素子71、トップゲートドライ
バ72、ボトムゲートドライバ73及びドレインドライ
バ74から構成されている。
FIG. 26 is a block diagram showing a configuration of an image pickup apparatus having an image pickup element by applying a double gate transistor as a photo sensor. This imaging device is used, for example, as a fingerprint sensor.
It comprises a controller 70, an image sensor 71, a top gate driver 72, a bottom gate driver 73, and a drain driver 74.

【0169】撮像素子71は、マトリクス状に配置され
た複数のダブルゲートトランジスタ81で構成される。
ダブルゲートトランジスタ81のトップゲート電極91
はトップゲートラインTGLに、ボトムゲート電極92
はボトムゲートラインBGLに、ドレイン電極93はド
レインラインDLに、ソース電極94は接地されたグラ
ウンドラインGrLにそれぞれ接続されている。撮像素
子71の下方には、ダブルゲートトランジスタ81の半
導体層を励起する波長域の光を発光するバックライトが
載置されている。
The image sensor 71 is composed of a plurality of double gate transistors 81 arranged in a matrix.
Top gate electrode 91 of double gate transistor 81
Represents the top gate line TGL and the bottom gate electrode 92
Is connected to the bottom gate line BGL, the drain electrode 93 is connected to the drain line DL, and the source electrode 94 is connected to the ground line GrL. A backlight that emits light in a wavelength range that excites the semiconductor layer of the double-gate transistor 81 is mounted below the image sensor 71.

【0170】撮像素子71を構成するダブルゲートトラ
ンジスタ81は、トップゲート電極91に印加されてい
る電圧が+25(V)で、ボトムゲート電極92に印加
されている電圧が0(V)であると、トップゲート電極
91と半導体層との間に配置される窒化シリコンからな
るゲート絶縁膜と半導体層とに蓄積されている正孔が吐
出され、リセットされる。ダブルゲートトランジスタ8
1は、ソース電極94とドレイン電極93間が0(V)
で、トップゲート電極91に印加されている電圧が−1
5(V)で、ボトムゲート電極92に印加されている電
圧が0(V)となり、半導体層への光の入射によって発
生した正孔−電子対のうちの正孔が上記半導体層及び上
記ゲート絶縁膜に蓄積されるフォトセンス状態となる。
この所定期間に蓄積される正孔の量は光量に依存してい
る。
In the double gate transistor 81 constituting the image sensor 71, the voltage applied to the top gate electrode 91 is +25 (V) and the voltage applied to the bottom gate electrode 92 is 0 (V). The holes accumulated in the gate insulating film made of silicon nitride and the semiconductor layer disposed between the top gate electrode 91 and the semiconductor layer are discharged and reset. Double gate transistor 8
1 is 0 (V) between the source electrode 94 and the drain electrode 93.
And the voltage applied to the top gate electrode 91 is −1
At 5 (V), the voltage applied to the bottom gate electrode 92 becomes 0 (V), and the holes of the hole-electron pairs generated by the incidence of light on the semiconductor layer are changed to the semiconductor layer and the gate. The photo-sensing state is accumulated in the insulating film.
The amount of holes accumulated during this predetermined period depends on the amount of light.

【0171】フォトセンス状態において、バックライト
がダブルゲートトランジスタ81に向け光を照射する
が、このままではダブルゲートトランジスタ81の半導
体層の下方に位置するボトムゲート電極92が遮光する
ので半導体層には十分なキャリアが生成されない。この
とき、ダブルゲートトランジスタ81上方の絶縁膜上に
指を載置すると、指の凹部(指紋形状を決める溝にあた
る)の直下にあたるダブルゲートトランジスタ81の半
導体層には、絶縁膜等で反射された光があまり入射され
ない。
In the photo-sensing state, the backlight irradiates light to the double gate transistor 81. However, the bottom gate electrode 92 located below the semiconductor layer of the double gate transistor 81 shields the light, so that the semiconductor layer has sufficient light. No carrier is generated. At this time, when a finger is placed on the insulating film above the double gate transistor 81, the semiconductor layer of the double gate transistor 81 immediately below the concave portion of the finger (corresponding to the groove for determining the fingerprint shape) is reflected by the insulating film or the like. Light does not enter much.

【0172】このように光の入射量が少なくて十分な量
の正孔が半導体層内に蓄積されずに、トップゲート電極
91に印加されている電圧が−15(V)で、ボトムゲ
ート電極92に印加されている電圧が+10(V)とな
ると、半導体層内に空乏層が広がり、nチャネルがピン
チオフされ、半導体層が高抵抗となる。一方、フォトセ
ンス状態において指の凸部(指の溝と溝の間の山)の直
下にあたるダブルゲートトランジスタ81の半導体層に
は、絶縁膜等で反射された光が入射され十分な量の正孔
が半導体層内に蓄積された状態で、このような電圧が印
加された場合は、蓄積されている正孔がトップゲート電
極91に引き寄せられて保持されることにより、半導体
層のボトムゲート電極92側にnチャネルが形成され、
半導体層が低抵抗となる。これらの読み出し状態におけ
る半導体層の抵抗値の違いが、ドレインラインDLの電
位の変化となって現れる。
As described above, since the amount of incident light is small and a sufficient amount of holes are not accumulated in the semiconductor layer, the voltage applied to the top gate electrode 91 is -15 (V), and the bottom gate electrode When the voltage applied to 92 becomes +10 (V), the depletion layer spreads in the semiconductor layer, the n-channel is pinched off, and the semiconductor layer has high resistance. On the other hand, in the photo-sensing state, the light reflected by the insulating film or the like is incident on the semiconductor layer of the double gate transistor 81 immediately below the convex portion of the finger (the crest between the grooves of the finger), and a sufficient amount of light is reflected. When such a voltage is applied in a state where holes are accumulated in the semiconductor layer, the accumulated holes are attracted to and held by the top gate electrode 91 so that the bottom gate electrode of the semiconductor layer is An n-channel is formed on the 92 side,
The semiconductor layer has low resistance. The difference between the resistance values of the semiconductor layers in these read states appears as a change in the potential of the drain line DL.

【0173】トップゲートドライバ72は、撮像素子7
1のトップゲートラインTGLに接続され、コントロー
ラ70からの制御信号群Tcntに従って、各トップゲ
ートラインTGLに+25(V)または−15(V)の
信号を選択的に出力する。トップゲートドライバ72
は、出力信号のレベルの相違、これに応じた入力信号の
レベルの相違、並びに出力信号及び入力信号の位相の違
いを除き、上記したゲートドライバ52を構成するシフ
トレジスタと実質的に同一の構成を有している。
The top gate driver 72 includes the image pickup device 7
One top gate line TGL, and selectively outputs a signal of +25 (V) or -15 (V) to each top gate line TGL according to a control signal group Tcnt from the controller 70. Top gate driver 72
Has substantially the same configuration as the shift register forming the gate driver 52 except for the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding thereto, and the difference in the phase of the output signal and the input signal. have.

【0174】ボトムゲートドライバ73は、撮像素子7
1のボトムゲートラインBGLに接続され、コントロー
ラ70からの制御信号群Bcntに従って、各ボトムゲ
ートラインBGLに+10(V)または0(V)の信号
を出力する。ボトムゲートドライバ73は、出力信号の
レベルの相違、これに応じた入力信号のレベルの相違、
並びに出力信号及び入力信号の位相の違いを除き、上記
したゲートドライバ52を構成するシフトレジスタと実
質的に同一の構成を有している。
The bottom gate driver 73 includes the image pickup device 7
It is connected to one bottom gate line BGL and outputs a signal of +10 (V) or 0 (V) to each bottom gate line BGL according to a control signal group Bcnt from the controller 70. The bottom gate driver 73 outputs the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding to the difference,
Except for the difference between the phase of the output signal and the phase of the input signal, the shift register has substantially the same configuration as the shift register forming the gate driver 52 described above.

【0175】ドレインドライバ74は、撮像素子71の
ドレインラインDLに接続され、コントローラ70から
の制御信号群Dcntに従って、後述する所定の期間に
おいて全てのドレインラインDLに定電圧(+10
(V))を出力し、電荷をプリチャージさせる。ドレイ
ンドライバ74は、プリチャージの後の所定の期間にお
いてダブルゲートトランジスタ81の半導体層に光の入
射、非入射に応じてチャネルが形成されているか否かに
よって変化する各ドレインラインDLの電位を読み出
し、画像データDATAとしてコントローラ70に供給
する。
The drain driver 74 is connected to the drain line DL of the image sensor 71, and according to a control signal group Dcnt from the controller 70, applies a constant voltage (+10) to all the drain lines DL in a predetermined period described later.
(V)) to precharge the electric charge. The drain driver 74 reads out the potential of each drain line DL that changes depending on whether or not a channel is formed in the semiconductor layer of the double gate transistor 81 in a predetermined period after the precharge according to whether or not light is incident on the semiconductor layer of the double gate transistor 81. Is supplied to the controller 70 as image data DATA.

【0176】コントローラ70は、制御信号群Tcn
t、Bcntによってそれぞれトップゲートドライバ7
2、ボトムゲートドライバ73を制御して、両ドライバ
72、73からライン毎に所定のタイミングで所定レベ
ルの信号を出力させる。これにより、撮像素子71の各
ラインを順次リセット状態、フォトセンス状態、読み出
し状態とさせる。コントローラ70は、また、制御信号
群Dcntによりドレインドライバ74にドレインライ
ンDLの電位変化を読み出させ、画像データDATAと
して順次取り込んでいく。
The controller 70 controls the control signal group Tcn
Top gate driver 7 by t and Bcnt
2. Control the bottom gate driver 73 so that both drivers 72 and 73 output a signal of a predetermined level at a predetermined timing for each line. Thus, each line of the image sensor 71 is sequentially set to the reset state, the photo sense state, and the read state. Further, the controller 70 causes the drain driver 74 to read out the potential change of the drain line DL in accordance with the control signal group Dcnt, and sequentially takes in the image data DATA.

【0177】また、図4、図6、図8、図11、図1
3、図20及び図23に示したシフトレジスタは、撮像
素子または表示素子を駆動するためのドライバとしての
用途以外にも適用することができる。例えば、これらの
シフトレジスタは、データ処理装置などにおいて直列の
データを並列のデータに変換する場合などの用途にも適
用することができる。
Also, FIGS. 4, 6, 8, 11, and 1
3. The shift register illustrated in FIGS. 20 and 23 can be applied to a purpose other than a use as a driver for driving an imaging element or a display element. For example, these shift registers can be applied to applications such as converting serial data to parallel data in a data processing device or the like.

【0178】上記の第1、第2の実施の形態では、図
4、図6、図8、図11、図13、図20及び図23に
示したシフトレジスタを構成するTFT1〜6は、全て
nチャネル型のものであった。これに対して、pチャネ
ル型のものを用いることもできる。例えば、全てpチャ
ネル型のものを用いた場合には、各信号のハイ、ローレ
ベルがnチャネル型のものに比べて反転されるようにす
ればよい。
In the first and second embodiments, the TFTs 1 to 6 constituting the shift register shown in FIGS. 4, 6, 8, 11, 13, 20, and 23 are all It was an n-channel type. On the other hand, a p-channel type can be used. For example, when all the p-channel type are used, the high and low levels of each signal may be inverted as compared with the n-channel type.

【0179】上記の第1、第2の実施の形態では、本発
明を静止画像を撮影するデジタルスチルカメラに適用し
た場合を例として説明したが、動画像を撮影し、撮影し
ている画像を視認するためのファインダに液晶表示装置
などを用いたビデオカメラにも適用することができる。
ビデオカメラにおいて液晶表示装置の向きを撮像レンズ
に対して回動できる構成とした場合に、第2の実施の形
態で示したシフトレジスタを液晶表示装置のゲートドラ
イバとして用い、鏡面画像を表示させることができる。
In the first and second embodiments, the case where the present invention is applied to a digital still camera for photographing a still image has been described as an example. However, a moving image is photographed, and the photographed image is displayed. The present invention can also be applied to a video camera using a liquid crystal display device or the like as a finder for viewing.
When the video camera is configured so that the orientation of the liquid crystal display device can be rotated with respect to the imaging lens, a mirror image is displayed by using the shift register described in the second embodiment as a gate driver of the liquid crystal display device. Can be.

【0180】[0180]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシフトレ
ジスタでは、第1または第2のトランジスタの特性変動
が少なく、長期間安定して動作することができる。
As described above, in the shift register of the present invention, the characteristics of the first or second transistor are less changed, and the shift register can operate stably for a long period of time.

【0181】また、第1、第2の電圧信号のハイレベル
のレベルやその期間を調整することにより、第1、第2
のトランジスタが故障することが少なくなり、長期間安
定して動作することができるようになる。
Further, the first and second voltage signals are adjusted by adjusting the high level and the period of the first and second voltage signals.
Transistor is less likely to fail, and can operate stably for a long period of time.

【0182】また、第1、第2のトランジスタのいずれ
で配線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を放出させる
かを切り替えることができるようにすることで、順方向
と逆方向との双方向でシフト動作を行うことが可能とな
る。
In addition, by making it possible to switch between the first and second transistors for accumulating charges in the wiring and discharging the accumulated charges, bidirectional switching between the forward direction and the reverse direction is possible. To perform the shift operation.

【0183】さらに、本発明のシフトレジスタをドライ
バとして適用した電子装置も、耐久性に優れたものとな
る。
Further, an electronic device in which the shift register of the present invention is applied as a driver also has excellent durability.

【0184】また、ドライバとして順方向と逆方向の双
方向にシフト動作可能なものを適用することにより、上
下方向を反転した画像を容易に表示することができるよ
うになる。
In addition, by applying a driver capable of performing a shift operation in both the forward direction and the reverse direction as a driver, it is possible to easily display an image whose upside down direction is inverted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるデジタルス
チルカメラの外観構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an external configuration of a digital still camera according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のデジタルスチルカメラの回路構成を示す
ブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a circuit configuration of the digital still camera in FIG. 1;

【図3】図2の表示部の回路構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a circuit configuration of a display unit in FIG. 2;

【図4】図3のゲートドライバとして用いられるシフト
レジスタの回路構成を示す図である。
4 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register used as the gate driver in FIG.

【図5】図4のシフトレジスタの動作を示すタイミング
チャートである。
FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.

【図6】図3のゲートドライバとして用いられるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register used as the gate driver in FIG. 3;

【図7】図6のシフトレジスタの動作を示すタイミング
チャートである。
7 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.

【図8】図3のゲートドライバとして用いられるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。
8 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register used as the gate driver in FIG. 3;

【図9】図8のシフトレジスタの動作を示すタイミング
チャートである。
FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.

【図10】図8のシフトレジスタの動作を示す他のタイ
ミングチャートである。
FIG. 10 is another timing chart showing the operation of the shift register of FIG.

【図11】図3のゲートドライバとして用いられるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。
11 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register used as the gate driver in FIG. 3;

【図12】図11のシフトレジスタの動作を示すタイミ
ングチャートである。
FIG. 12 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.

【図13】本発明の第2の実施の形態において、図3の
ゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの回路
構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register used as the gate driver of FIG. 3 in the second embodiment of the present invention.

【図14】図13のシフトレジスタの順方向動作を示す
タイミングチャートである。
14 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG.

【図15】図13のシフトレジスタの逆方向動作を示す
タイミングチャートである。
FIG. 15 is a timing chart showing the reverse operation of the shift register of FIG.

【図16】本発明の第2の実施の形態において、図1に
示すデジタルスチルカメラの順方向での使用状態を示す
図であり、(a)は撮像状態を、(b)は表示部の表示
状態を示す。
16A and 16B are diagrams showing a use state of the digital still camera shown in FIG. 1 in a forward direction according to the second embodiment of the present invention, wherein FIG. 16A shows an imaging state, and FIG. Indicates the display state.

【図17】本発明の第2の実施の形態において、図1に
示すデジタルスチルカメラの逆方向での使用状態を示す
図であり、(a)は撮像状態を、(b)は表示部の表示
状態を示す。
17A and 17B are diagrams showing a use state of the digital still camera shown in FIG. 1 in a reverse direction in the second embodiment of the present invention, wherein FIG. 17A shows an image pickup state, and FIG. Indicates the display state.

【図18】図13のシフトレジスタの順方向動作を示す
他のタイミングチャートである。
18 is another timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG.

【図19】図13のシフトレジスタの逆方向動作を示す
他のタイミングチャートである。
FIG. 19 is another timing chart showing the reverse operation of the shift register of FIG. 13;

【図20】本発明の第2の実施の形態において、図3の
ゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の
回路構成を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing another circuit configuration of the shift register used as the gate driver in FIG. 3 in the second embodiment of the present invention.

【図21】図20のシフトレジスタの順方向動作を示す
タイミングチャートである。
21 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG.

【図22】図20のシフトレジスタの逆方向動作を示す
タイミングチャートである。
FIG. 22 is a timing chart showing the reverse operation of the shift register of FIG. 20;

【図23】本発明の第2の実施の形態において、図3の
ゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の
回路構成を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing another circuit configuration of the shift register used as the gate driver in FIG. 3 in the second embodiment of the present invention.

【図24】図20のシフトレジスタの順方向動作を示す
タイミングチャートである。
24 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG.

【図25】図20のシフトレジスタの逆方向動作を示す
タイミングチャートである。
FIG. 25 is a timing chart showing the reverse operation of the shift register of FIG. 20;

【図26】本発明の他の実施の形態にかかる撮像装置の
構成を示すブロック図である。
FIG. 26 is a block diagram illustrating a configuration of an imaging device according to another embodiment of the present invention.

【図27】従来例のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。
FIG. 27 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional shift register.

【図28】従来例のシフトレジスタの動作を示すタイミ
ングチャートである。
FIG. 28 is a timing chart showing the operation of a conventional shift register.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜6…TFT、01…カメラ本体部、02…レンズユ
ニット部、02a…撮像レンズ、10…表示部、11…
電源キー、12…キー入力部、12a…モード設定キ
ー、12b…シャッターキー、12c…「+」キー、1
2d…「−」キー、13…シリアル入出力端子、20…
CCD撮像装置、21…A/D変換器、22…CPU、
23…ROM、24…RAM、25…圧縮/伸張回路、
26…画像メモリ、30…バス、40…角度センサ、5
0…液晶コントローラ、51…液晶表示素子、52…ゲ
ートドライバ、53…ドレインドライバ、61…TF
T、62…画素容量、70…コントローラ、71…撮像
素子、72…トップゲートドライバ、73…ボトムゲー
トドライバ、74…ドレインドライバ、81…ダブルゲ
ートトランジスタ、91…トップゲート電極、92…ボ
トムゲート電極、93…ドレイン電極、94…ソース電
極、RS(1)〜RS(n)…段、GL…ゲートライ
ン、DL…ドレインライン、TGL…トップゲートライ
ン、BGL…ボトムゲートライン、GrL…グラウンド
ライン
1 to 6: TFT, 01: camera body, 02: lens unit, 02a: imaging lens, 10: display, 11 ...
Power key, 12 key input section, 12a mode setting key, 12b shutter key, 12c "+" key, 1
2d "-" key, 13 serial input / output terminal, 20 ...
CCD imaging device, 21 ... A / D converter, 22 ... CPU,
23 ROM, 24 RAM, 25 compression / expansion circuit,
26 image memory, 30 bus, 40 angle sensor, 5
0: liquid crystal controller, 51: liquid crystal display element, 52: gate driver, 53: drain driver, 61: TF
T, 62: pixel capacitance, 70: controller, 71: image sensor, 72: top gate driver, 73: bottom gate driver, 74: drain driver, 81: double gate transistor, 91: top gate electrode, 92: bottom gate electrode , 93: drain electrode, 94: source electrode, RS (1) to RS (n): step, GL: gate line, DL: drain line, TGL: top gate line, BGL: bottom gate line, GrL: ground line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 19/00 G11C 19/00 J G 19/28 19/28 Z ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11C 19/00 G11C 19/00 J G 19/28 19/28 Z

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給さ
れ、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1の
トランジスタと、 制御端子に、他方側に隣接する段の出力信号が供給さ
れ、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第2の
トランジスタと、 前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他
端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1また
は第2のトランジスタを介して供給される前記第1また
は第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積さ
れた電荷によってオンしているときに、電流路の一端に
供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他
端から当該段の出力信号として出力させる第3のトラン
ジスタとを備え、 前記第1、第2のトランジスタの少なくとも一方は、制
御端子に供給された隣接する段の出力信号により、前記
配線に蓄積された電荷を放出することができるように構
成されていることを特徴とするシフトレジスタ。
1. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is supplied with an output signal of an adjacent stage on one side to a control terminal, and a first voltage on one end of a current path. A first transistor to which a signal is supplied; an output signal of an adjacent stage to the control terminal to the other side; a second transistor to which a second voltage signal is supplied to one end of a current path; A control terminal is connected to the other end of each of the current paths of the first and second transistors, and an electric charge is supplied to a wiring therebetween by the first or second voltage signal supplied through the first or second transistor. And outputting the first or second clock signal supplied to one end of the current path as the output signal of the stage from the other end of the current path when the third path is turned on by the stored charge. Transistor Wherein at least one of the first and second transistors is configured to be capable of discharging charges accumulated in the wiring by an output signal of an adjacent stage supplied to a control terminal. A shift register characterized by the above-mentioned.
【請求項2】前記複数の段の一方の端の段の第1、第2
のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制
御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積さ
せ、 前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジス
タの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給
されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させる
ことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
2. The first and second stages at one end of the plurality of stages.
One of the transistors is turned on when a first control signal is supplied to a control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring, and the first and second transistors at the other end of the plurality of stages are 2. The shift register according to claim 1, wherein a second control signal is supplied to a control terminal from the outside, and the control signal turns on to discharge charges accumulated in the wiring.
【請求項3】前記第1、第2の電圧信号のレベルを切り
替えることにより、前記第1、第2のトランジスタの一
方を介して前記配線に電荷を蓄積できるようにし、前記
第1、第2のトランジスタの他方を介して前記配線に蓄
積された電荷を放出できるようにしたことを特徴とする
請求項1または2に記載のシフトレジスタ。
3. The first and second voltage signals are switched so that electric charges can be accumulated in the wiring via one of the first and second transistors, and the first and second voltage signals are switched. 3. The shift register according to claim 1, wherein the electric charge accumulated in the wiring can be released through the other one of the transistors.
【請求項4】前記第1、第2の電圧信号は、その一方が
ローレベルに維持されるようにレベルが切り替えられる
ことを特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ。
4. The shift register according to claim 3, wherein the levels of the first and second voltage signals are switched so that one of them is maintained at a low level.
【請求項5】前記第1、第2の電圧信号のハイレベル
は、前記第1、第2のクロック信号のハイレベルよりも
レベルが小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいず
れか1項に記載のシフトレジスタ。
5. The high-level of the first and second voltage signals is lower than the high-level of the first and second clock signals. The shift register according to the paragraph.
【請求項6】前記第1、第2の電圧信号がハイレベルと
なっている各期間は、前記第1、第2のクロック信号の
いずれかがハイレベルとなっている各期間よりも短いこ
とを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
シフトレジスタ。
6. A period in which the first and second voltage signals are at a high level is shorter than a period in which one of the first and second clock signals is at a high level. The shift register according to claim 1, wherein:
【請求項7】前記第1のクロック信号と第2のクロック
信号とは、互いに位相が180°異なることを特徴とす
る請求項1乃至6のいずれか1項に記載のシフトレジス
タ。
7. The shift register according to claim 1, wherein the first clock signal and the second clock signal have phases different from each other by 180 °.
【請求項8】前記複数の段のそれぞれを構成する各トラ
ンジスタは、同一チャネル型の電界効果トランジスタで
あることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に
記載のシフトレジスタ。
8. The shift register according to claim 1, wherein each transistor constituting each of the plurality of stages is a field effect transistor of the same channel type.
【請求項9】前記第1、第2のトランジスタのそれぞれ
の電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に
前記第1または第2のトランジスタを介して供給される
前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると
共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電
流路の一端に負荷を介して電圧源から供給された信号を
電流路の他端から放出させる第4のトランジスタと、 制御端子が前記負荷を介して前記電圧源に接続され、前
記第4のトランジスタがオフしているときに前記電圧源
から接続される信号によってオンすると共に、電流路の
一端が前記第3のトランジスタの電流路の他端に接続さ
れた第5のトランジスタとをさらに備えることを特徴と
する請求項1乃至8のいずれか1項に記載のシフトレジ
スタ。
9. A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second transistor is supplied to a wiring therebetween through the first or second transistor. A second voltage signal is used to accumulate electric charge, and to release a signal supplied from a voltage source via a load to one end of a current path from the other end of the current path when the charge is turned on by the accumulated electric charge. And a control terminal is connected to the voltage source via the load, and when the fourth transistor is off, it is turned on by a signal connected from the voltage source, and one end of a current path is The shift register according to claim 1, further comprising: a fifth transistor connected to the other end of the current path of the third transistor.
【請求項10】複数の段からなり、出力信号をシフトさ
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給さ
れ、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1の
トランジスタと、 制御端子に、他方側に隣接する段の他方の出力信号が供
給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第
2のトランジスタと、 前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他
端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1また
は第2のトランジスタを介して供給される前記第1また
は第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積さ
れた電荷によってオンしているときに、電流路の一端に
供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他
端から当該段の出力信号として出力させる第3のトラン
ジスタと、 前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他
端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1また
は第2のトランジスタを介して供給される前記第1また
は第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積さ
れた電荷によってオンしているときに、電流路の一端に
負荷を介して電圧源から供給された信号を電流路の他端
から放出させる第4のトランジスタと、 制御端子が前記負荷を介して前記電圧源に接続され、前
記第4のトランジスタがオフしているときに前記電圧源
から接続される信号によってオンすると共に、電流路の
一端が前記第3のトランジスタの電流路の他端に接続さ
れた第5のトランジスタとを備え、 前記第1、第2のトランジスタの少なくとも一方は、制
御端子に供給された隣接する段の出力信号により、前記
配線に蓄積された電荷を放出することができるように構
成されていることを特徴とする電子装置。
10. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. And a driving element driven by the first stage. Each stage of the driver has a control terminal to which an output signal of an adjacent stage is supplied on one side and a first voltage signal supplied to one end of a current path. A second transistor having a control terminal supplied with the other output signal of the adjacent stage on the other side, and a second voltage signal supplied to one end of a current path; When a control terminal is connected to the other end of each current path of the transistor, and a charge is accumulated by a first or second voltage signal supplied through the first or second transistor to a wiring therebetween, A third transistor for outputting the first or second clock signal supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage when both are turned on by the accumulated charge; A control terminal is connected to the other end of the current path of each of the first and second transistors, and the first or second voltage supplied to the wiring therebetween through the first or second transistor A fourth transistor for accumulating a charge by a signal and releasing a signal supplied from a voltage source via a load to one end of the current path from the other end of the current path when the transistor is turned on by the accumulated charge; A control terminal is connected to the voltage source via the load, and when the fourth transistor is off, it is turned on by a signal connected from the voltage source, and one end of the current path is A fifth transistor connected to the other end of the current path of the third transistor, wherein at least one of the first and second transistors is provided by an output signal of an adjacent stage supplied to a control terminal. An electronic device, wherein the electronic device is configured to be capable of discharging charges accumulated in the wiring.
【請求項11】前記駆動素子は、制御端子に前記ドライ
バの各段のいずれかの出力信号が供給され、電流路の一
端に外部から画像データが供給される表示用トランジス
タを、画素毎に備える表示素子であることを特徴とする
請求項10に記載の電子装置。
11. The driving element includes a display transistor for each pixel, to which a control terminal is supplied with an output signal of any one of the stages of the driver and one end of a current path is supplied with image data from outside. The electronic device according to claim 10, wherein the electronic device is a display element.
【請求項12】撮像レンズによって結像された光像を撮
影する撮像装置を含む撮像部と、撮像方向に実質的に垂
直な方向を軸として前記撮像部に対して回動可能に設け
られ、前記駆動素子として表示素子と、これを駆動する
前記ドライバとを含む表示部とをさらに備え、 前記表示部は、前記撮像装置で撮影した画像に応じた画
像を前記表示素子に表示するものであることを特徴とす
る請求項10に記載の電子装置。
12. An image pickup unit including an image pickup device for picking up an optical image formed by an image pickup lens, and provided rotatably with respect to the image pickup unit about an axis substantially perpendicular to the image pickup direction. The display device further includes a display element as the driving element, and a display unit including the driver for driving the display element, and the display unit displays an image corresponding to an image captured by the imaging device on the display element. The electronic device according to claim 10, wherein:
【請求項13】前記第1、第2のトランジスタのいずれ
を介して前記配線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を
放出させるかを設定する設定手段と、 前記撮像部の前記表示部に対する角度を検出する角度検
出手段とをさらに備え、 前記設定手段は、前記角度検出手段の検出結果に従って
設定を行い、前記第1、第2の電圧信号のレベルを切り
替えることにより、前記第1、第2のトランジスタの一
方を介して前記配線に電荷を蓄積できるようにし、前記
第1、第2のトランジスタの他方を介して前記配線に蓄
積された電荷を放出できるようにしたことを特徴とする
請求項12に記載の電子装置。
13. A setting means for setting which of the first and second transistors accumulates charge in the wiring and releases the accumulated charge, and an angle of the imaging unit with respect to the display unit. Further comprising an angle detecting means for detecting the first and second voltage signals, wherein the setting means performs setting in accordance with a detection result of the angle detecting means, and switches the levels of the first and second voltage signals. Wherein the charge stored in the wiring can be discharged through one of the transistors and the charge stored in the wiring can be discharged through the other of the first and second transistors. 13. The electronic device according to claim 12.
【請求項14】前記駆動素子は、励起光によりキャリア
を生成する半導体層と、前記半導体層の両端にそれぞれ
接続されたドレイン電極及びソース電極と、第1ゲート
絶縁膜を介して前記半導体層の一方側に設けられた第1
ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の他方側に設けられた第2ゲート電極とを、画素毎に備
える撮像素子であり、 前記ドライバは、出力信号を第1のゲート電極に出力す
る第1のドライバと、出力信号を第2のゲート電極に出
力する第2のドライバとを含むことを特徴とする請求項
10に記載の電子装置。
14. The driving element according to claim 1, wherein the driving element includes a semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode connected to both ends of the semiconductor layer, and a first gate insulating film. The first provided on one side
An image sensor comprising, for each pixel, a gate electrode and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer via a second gate insulating film, wherein the driver outputs an output signal to the first gate electrode. 11. The electronic device according to claim 10, further comprising: a first driver that outputs an output signal to the second gate electrode; and a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode.
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