JP4923858B2 - Shift register and electronic device - Google Patents

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Description

本発明は、シフトレジスタ、及びこのシフトレジスタをドライバとして用いた表示装置、撮像装置などの電子装置に関する。   The present invention relates to a shift register, and an electronic device such as a display device and an imaging device using the shift register as a driver.

TFT液晶表示装置などのアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、マトリクス状に配列された表示画素を1ラインずつ選択し、選択した画素の画素容量に表示データを書き込むことによって所望の表示を得ている。このラインを選択するためのドライバとしては、一般に、外部からの制御信号に従って出力信号を順次シフトしていくシフトレジスタが用いられている。   In an active matrix liquid crystal display device such as a TFT liquid crystal display device, display pixels arranged in a matrix are selected line by line, and a desired display is obtained by writing display data to the pixel capacity of the selected pixel. . As a driver for selecting this line, a shift register that sequentially shifts an output signal in accordance with an external control signal is generally used.

特開2000−35772号公報は、このようなシフトレジスタを開示している。図27は、上記公報が開示するシフトレジスタの回路構成を示す図である。図示するように、このシフトレジスタは、n個の段RS(1)〜RS(n)から構成され、段RS(1)〜RS(n)のそれぞれが5個のTFT101〜105によって構成されている。TFT101〜105は、いずれもnチャネル型の電界効果トランジスタである。   Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-35772 discloses such a shift register. FIG. 27 is a diagram showing a circuit configuration of the shift register disclosed in the above publication. As shown in the figure, this shift register is composed of n stages RS (1) to RS (n), and each of the stages RS (1) to RS (n) is composed of five TFTs 101 to 105. Yes. The TFTs 101 to 105 are all n-channel field effect transistors.

次に、このシフトレジスタの動作を、図28のタイミングチャートを参照して説明する。まず、タイミングT0からT1までの間でスタート信号Dstがハイレベルとなり、制御信号φ1がハイレベルとなる。この間に、1番目の段RS(1)のTFT101がオンし、そのノードA1に電荷が蓄積される。これにより、TFT102、105がオンし、TFT105がオンしたことでTFT103のゲート電圧がローレベルに変化し、TFT103がオフする。   Next, the operation of this shift register will be described with reference to the timing chart of FIG. First, between the timings T0 and T1, the start signal Dst becomes high level, and the control signal φ1 becomes high level. During this time, the TFT 101 of the first stage RS (1) is turned on, and charges are accumulated at the node A1. As a result, the TFTs 102 and 105 are turned on, and the TFT 105 is turned on, whereby the gate voltage of the TFT 103 changes to a low level, and the TFT 103 is turned off.

次に、タイミングT1においてクロック信号CK1がハイレベルに変化すると、この信号のレベルがほぼそのまま、1番目の段RS(1)の出力信号OUT1として出力される。タイミングT1からT2の間でハイレベルの出力信号OUT1が2番目の段RS(2)のTFT101に供給され、制御信号φ2がハイレベルとなることにより、今度は2番目の段RS(2)のノードA2に電荷が蓄積され、TFT102、105がオンし、TFT103がオフする。   Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T1, the level of this signal is output as it is as the output signal OUT1 of the first stage RS (1). The high-level output signal OUT1 is supplied to the TFT 101 of the second stage RS (2) between the timings T1 and T2, and the control signal φ2 becomes high level, so that this time the second stage RS (2) of the second stage RS (2). Charge is accumulated in the node A2, the TFTs 102 and 105 are turned on, and the TFT 103 is turned off.

次に、タイミングT2においてクロック信号CK2がハイレベルに変化すると、この信号のレベルがほぼそのまま、2番目の段RS(2)の出力信号OUT2として出力される。タイミングT2からT3の間でハイレベルの出力信号OUT2が3番目の段RS(3)のTFT101に供給され、制御信号φ1がハイレベルとなることにより、今度は3番目の段RS(3)のノードA3に電荷が蓄積され、TFT102、105がオンし、TFT103がオフする。   Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing T2, the level of this signal is output as it is as the output signal OUT2 of the second stage RS (2). The high-level output signal OUT2 is supplied to the TFT 101 of the third stage RS (3) between the timings T2 and T3, and the control signal φ1 becomes high level. Charge is accumulated in the node A3, the TFTs 102 and 105 are turned on, and the TFT 103 is turned off.

また、この間にハイレベルとなった制御信号φ1により、1番目の段RS(1)のノードA1に蓄積された電荷が放出され、TFT102、105がオフし、TFT103がオンする。この後1番目の段RS(1)のノードA1には、次にスタート信号Dstが供給されるまでは電荷が蓄積されることがなく、クロック信号CK1がハイレベルに変化しても出力信号OUT1がハイレベルとならない。   Further, the charge accumulated at the node A1 of the first stage RS (1) is released by the control signal φ1 which has become high level during this period, the TFTs 102 and 105 are turned off, and the TFT 103 is turned on. Thereafter, no charge is accumulated in the node A1 of the first stage RS (1) until the next start signal Dst is supplied. Even if the clock signal CK1 changes to high level, the output signal OUT1. Does not go high.

タイミングT3以降、3番目以降の段RS(1)〜RS(n)が同様の動作を行うことにより、1Tの期間ずつの間でクロック信号CK1、CK2がハイレベルになる度に出力信号OUT1〜OUTnが順次ハイレベルになっていき、出力信号がシフトする。   After timing T3, the third and subsequent stages RS (1) to RS (n) perform the same operation, so that the output signals OUT1 to OUT1 are output every time the clock signals CK1 and CK2 become high level for each period of 1T. OUTn sequentially goes high and the output signal shifts.

ところで、図28のタイミングチャートの下段において3番目の段RS(3)を例として説明すると、1番目の段RS(1)からn番目の段RS(n)まで出力信号をシフトさせる場合に、TFT101のゲートに印加される制御信号φ1またはφ2は、n/2回ハイレベルとなる。すなわち、TFT101のゲートには、本来的には電荷の蓄積と放出のために2回だけハイレベルの電圧を印加すればよいのに、実際にはn/2回もハイレベルの電圧が印加されることとなる。このうちのほとんどの場合、TFT101のドレインとソースの電圧レベルはローレベルである。   By the way, in the lower part of the timing chart of FIG. 28, the third stage RS (3) will be described as an example. When the output signal is shifted from the first stage RS (1) to the nth stage RS (n), The control signal φ1 or φ2 applied to the gate of the TFT 101 becomes high level n / 2 times. In other words, a high level voltage is applied to the gate of the TFT 101 only two times for the purpose of accumulating and discharging charges, but in reality, a high level voltage is applied n / 2 times. The Rukoto. In most of these cases, the voltage level of the drain and source of the TFT 101 is low.

このようにTFT101のゲート電圧がドレイン及びソース電圧に対して相対的にプラスとなる期間が多いため、TFT101のゲート閾値電圧特性がプラスよりに変化することになる。これにより、長期間に亘って使用していると、本来的にはオンすべきTFT101がオンしなくなり、ノードA1〜Anに電荷を蓄積できなくなったり、蓄積された電荷を放出できなくなる場合が生じうる。つまり、図27に示した従来のシフトレジスタは、誤作動を引き起こし、耐久性が低くなってしまうという第1の問題があった。   In this way, since the gate voltage of the TFT 101 is relatively positive with respect to the drain and source voltages, the gate threshold voltage characteristic of the TFT 101 changes from positive. As a result, when used for a long period of time, the TFT 101 that should be turned on originally does not turn on, and charge may not be accumulated in the nodes A1 to An, or the accumulated charge may not be released. sell. That is, the conventional shift register shown in FIG. 27 has a first problem that it causes a malfunction and the durability becomes low.

さらに、図27に示すシフトレジスタでは、スタート信号Dstまたは前段の出力信号OUT1〜OUTn−1を、TFT101を介してノードA1〜Anに転送するため、ノードA1〜Anには、これらの信号レベルVddよりもTFT101の閾値電圧だけ低い電圧が保持されることになる。   Further, in the shift register shown in FIG. 27, since the start signal Dst or the previous stage output signals OUT1 to OUTn-1 is transferred to the nodes A1 to An via the TFT 101, these signal levels Vdd are supplied to the nodes A1 to An. Thus, a voltage lower than the threshold voltage of the TFT 101 is held.

しかしながら、図28に示すように、クロック信号CK1またはCK2がハイレベルとなっている間は、いわゆるブートストラップ効果によってノードA1〜Anの信号レベルがVddより高いレベルまで上昇する。このため、ノードA1〜Anに接続されているTFT101、102、105は、非常に大きな電圧ストレスを受け、素子特性が劣化してしまう。このように長期間に亘って使用しているとTFT101、102、105が故障してしまうことがあるので、耐久性が低くなってしまうという第2の問題があった。   However, as shown in FIG. 28, while the clock signal CK1 or CK2 is at the high level, the signal levels of the nodes A1 to An rise to a level higher than Vdd due to the so-called bootstrap effect. For this reason, the TFTs 101, 102, and 105 connected to the nodes A1 to An are subjected to a very large voltage stress, and the element characteristics are deteriorated. When used for such a long period of time, the TFTs 101, 102, and 105 may fail, resulting in a second problem that durability is lowered.

また、上記公報は、図27に示したシフトレジスタの各段RS(1)〜RS(n)にさらにTFTを追加し、制御信号の数を追加することで、出力信号OUT1,OUT2,・・・,OUTnの順に順次ハイレベルにする順方向シフトと、出力信号OUTn,OUTn−1,・・・,OUT1の順に順次ハイレベルにする逆方向シフトとの双方を行えるシフトレジスタも開示している。   Further, the above publication discloses that output signals OUT1, OUT2,... Are added by adding TFTs to the stages RS (1) to RS (n) of the shift register shown in FIG. Also disclosed is a shift register that can perform both a forward shift for sequentially setting the output level to OUTn and a reverse shift for sequentially setting the output signals OUTn, OUTn-1,. .

しかしながら、各段RS(1)〜RS(n)にTFTを追加することによって、図27に示した片方向シフトのみを行えるシフトレジスタに比べて、追加したTFTの分だけ面積が大きくなってしまうという第3の問題があった。この第3の問題は、さらに、このシフトレジスタをドライバとして液晶表示素子の基板と同一の基板に形成した場合に、画像の表示領域の相対的な面積が小さくなってしまうという問題を招いていた。
特開2000−35772号公報
However, by adding TFTs to the respective stages RS (1) to RS (n), the area is increased by the amount of the added TFTs as compared with the shift register capable of performing only one-way shift shown in FIG. There was a third problem. The third problem further causes a problem that when the shift register is formed on the same substrate as the substrate of the liquid crystal display element as a driver, the relative area of the image display area is reduced. .
JP 2000-35772 A

本発明は、上記従来技術の問題を解消するためになされたものであり、トランジスタの特性変動を防ぐことにより、長期間安定して動作可能なシフトレジスタを提供することを第1の目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and has as its first object to provide a shift register that can operate stably for a long period of time by preventing transistor characteristic fluctuations. .

本発明は、各段を構成するシフトレジスタに大きな電圧ストレスがかかるのを防ぐことにより、長期間安定して動作可能なシフトレジスタを提供することを第2の目的とする。   It is a second object of the present invention to provide a shift register that can operate stably for a long period of time by preventing a large voltage stress from being applied to the shift registers constituting each stage.

本発明は、片方向シフトのみを行えるシフトレジスタとほぼ同じ面積で、順方向と逆方向の双方にシフト動作を行えるようにしたシフトレジスタを提供することを第3の目的とする。   A third object of the present invention is to provide a shift register that can perform a shift operation in both the forward direction and the reverse direction with substantially the same area as a shift register that can perform only one-way shift.

本発明は、このようなシフトレジスタを表示画素または撮像画素の選択のために用いるドライバに用いた表示装置や撮像装置などの電子装置を提供することを第4の目的とする。   A fourth object of the present invention is to provide an electronic device such as a display device or an imaging device using such a shift register as a driver for selecting display pixels or imaging pixels.

上記目的を達成するため、本発明の第1の観点にかかるシフトレジスタは、
複数の段からなるシフトレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、
制御端子に、一方側に隣接する段(例えば前段)の出力信号が供給され、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1のトランジスタと、
制御端子に、他方側に隣接する段(例えば後段)の出力信号が供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第2のトランジスタと、
前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電流路の一端に供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他端から当該段の出力信号として出力させる第3のトランジスタとを備え、
順方向シフトに切り替えた場合、前記第1のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第2のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
逆方向シフトに切り替えた場合、前記第2のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第1のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させ、
前記第1、第2の電圧信号のハイレベルは、前記第1、第2のクロック信号のハイレベルよりもレベルが小さい
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to the first aspect of the present invention provides:
A shift register having a plurality of stages, each stage of the shift register being
A first transistor in which an output signal of a stage adjacent to one side (for example, the previous stage) is supplied to the control terminal, and a first voltage signal is supplied to one end of the current path;
A second transistor in which an output signal of a stage adjacent to the other side (for example, a subsequent stage) is supplied to the control terminal, and a second voltage signal is supplied to one end of the current path;
A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second voltage signal supplied to the wiring between them through the first or second transistor In addition to accumulating charges, the first or second clock signal supplied to one end of the current path is output as the output signal of the stage from the other end of the current path when being turned on by the accumulated charge. A third transistor;
When switching to the forward shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level first voltage signal supplied through the first transistor, and the low level supplied through the second transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the second voltage signal of
When switching to the reverse shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level second voltage signal supplied via the second transistor, and the low level supplied via the first transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the first voltage signal of
One of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged,
The high level of the first and second voltage signals is lower than the high level of the first and second clock signals.

ここで、前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させるものとすることができる。
Here, one of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged. It can be.

上記シフトレジスタは、第1または第2のトランジスタの制御端子に供給される信号が隣接する段の出力信号であるため、端から端まで順次シフト動作していく間に、制御端子の電位が不必要にオンレベルにならない。このため、第1または第2のトランジスタの特性があまり変動しないものとなるので、長期間安定して動作することができる。   In the shift register, since the signal supplied to the control terminal of the first or second transistor is an output signal of an adjacent stage, the potential of the control terminal is not stable while sequentially shifting from end to end. It does not go on level as necessary. For this reason, the characteristics of the first or second transistor do not fluctuate so much, and can operate stably for a long period of time.

このように、上記シフトレジスタは、
前記順方向シフトに切り替えた場合、前記第1のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第2のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
前記逆方向シフトに切り替えた場合、前記第2のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第1のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出するようにしたものとすることができる。
Thus, the shift register is
When switching to the forward shift, charges are accumulated in the wiring by the high-level first voltage signal supplied through the first transistor, and supplied through the second transistor. Discharging the charge accumulated in the wiring by the second voltage signal at a level;
When switching to the reverse shift, a charge is accumulated in the wiring by the high-level second voltage signal supplied through the second transistor, and the low voltage supplied through the first transistor. The charge accumulated in the wiring can be discharged by the first voltage signal at a level.

この場合に、前記第1、第2の電圧信号は、その一方がローレベルに維持されるようにレベルが切り替えられるものであってもよい。   In this case, the first and second voltage signals may be switched in level so that one of them is maintained at a low level.

このような電圧信号の切り換えにより、前の段の出力信号によって前記配線に電荷を蓄積させることも、後ろの段の出力信号によって配線に電荷を蓄積させることもできる By such voltage signal switching, charges can be accumulated in the wiring by the output signal of the previous stage, or charges can be accumulated in the wiring by the output signal of the subsequent stage .

つまり、前の段の出力信号によって電荷を蓄積させれば、出力信号が後ろの段に向かってシフトしていき、後ろの段の出力信号によって電荷を蓄積させれば前の段に向かってシフトしていくので、双方向シフトを可能としたシフトレジスタを提供することができる。In other words, if charge is accumulated by the output signal of the previous stage, the output signal shifts toward the subsequent stage, and if charge is accumulated by the output signal of the subsequent stage, it shifts toward the previous stage. As a result, a shift register capable of bidirectional shift can be provided.

上記シフトレジスタにおいて、
前記順方向シフトに切り替えた場合、前記第1の電圧信号がハイレベルとなっている各期間は、前記第1又は第2のクロック信号がハイレベルとなっている各期間と等しく、前記逆方向シフトに切り替えた場合、前記第の電圧信号がハイレベルとなっている各期間は、前記第1又は第2のクロック信号がハイレベルとなっている各期間と等しいことを好適とする。
In the above shift register,
When switched to the forward shift, each period in which the first voltage signal is at a high level is equal to each period in which the first or second clock signal is at a high level, and the reverse direction When switching to a shift, each period in which the second voltage signal is at a high level is preferably equal to each period in which the first or second clock signal is at a high level.

このように、第1、第2の電圧信号のハイレベルを第1、第2のクロック信号のハイレベルよりも低く設定したり、ハイレベルとなっている期間を限ったりすることにより、第1および/または第2のトランジスタにかかる電圧ストレスを小さくすることができる。これにより、第1、第2のトランジスタが故障することが少なくなり、長期間安定して動作することができるようになる。   In this way, the first and second voltage signals are set to a high level lower than the first and second clock signals, or the period during which the first and second voltage signals are high is limited. In addition, voltage stress applied to the second transistor can be reduced. As a result, the first and second transistors are less likely to fail and can operate stably for a long period of time.

上記シフトレジスタにおいて、
前記第1のクロック信号と第2のクロック信号とは、互いに位相が180°異なるものとすることができる。
In the above shift register,
The first clock signal and the second clock signal may be 180 degrees out of phase with each other.

上記シフトレジスタにおいて、
前記複数の段のそれぞれを構成する各トランジスタは、同一チャネル型の電界効果トランジスタとすることができる。
In the above shift register,
Each transistor constituting each of the plurality of stages can be a co-channel field effect transistor.

上記シフトレジスタは、
前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電流路の一端に負荷を介して電圧源から供給された信号を電流路の他端から放出させる第4のトランジスタと、
制御端子が前記負荷を介して前記電圧源に接続され、前記第4のトランジスタがオフしているときに前記電圧源から接続される信号によってオンすると共に、電流路の一端が前記第3のトランジスタの電流路の他端に接続された第5のトランジスタとをさらに備えるものとすることができる。
The shift register is
A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second voltage signal supplied to the wiring between them through the first or second transistor And a fourth transistor that discharges a signal supplied from a voltage source through a load to one end of the current path from the other end of the current path when the charge is stored by
A control terminal is connected to the voltage source via the load, and is turned on by a signal connected from the voltage source when the fourth transistor is turned off, and one end of a current path is connected to the third transistor And a fifth transistor connected to the other end of the current path.

上記目的を達成するため、本発明の第2の観点にかかる電子装置は、
複数の段からなり、出力信号をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段から順次出力するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ドライバの各段から出力された出力信号によって駆動される駆動素子とを備え、
前記ドライバの各段は、
制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給され、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1のトランジスタと、
制御端子に、他方側に隣接する段の出力信号が供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第2のトランジスタと、
前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電流路の一端に供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他端から当該段の出力信号として出力させる第3のトランジスタとを備え、
順方向シフトに切り替えた場合、前記第1のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第2のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
逆方向シフトに切り替えた場合、前記第2のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第1のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させ、
前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させ、
前記第1、第2の電圧信号のハイレベルは、前記第1、第2のクロック信号のハイレベルよりもレベルが小さい
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, an electronic device according to a second aspect of the present invention includes:
A driver composed of a plurality of stages and configured to include a driver that sequentially outputs a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal and a plurality of pixels, and is driven by an output signal output from each stage of the driver With elements,
Each stage of the driver
A first transistor in which an output signal of a stage adjacent to one side is supplied to the control terminal, and a first voltage signal is supplied to one end of the current path;
A second transistor in which an output signal of a stage adjacent to the other side is supplied to the control terminal, and a second voltage signal is supplied to one end of the current path;
A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second voltage signal supplied to the wiring between them through the first or second transistor In addition to accumulating charges, the first or second clock signal supplied to one end of the current path is output as the output signal of the stage from the other end of the current path when being turned on by the accumulated charge. A third transistor;
When switching to the forward shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level first voltage signal supplied through the first transistor, and the low level supplied through the second transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the second voltage signal of
When switching to the reverse shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level second voltage signal supplied via the second transistor, and the low level supplied via the first transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the first voltage signal of
One of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged,
One of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged,
The high level of the first and second voltage signals is lower than the high level of the first and second clock signals.

上記電子装置において、
前記駆動素子は、例えば、制御端子に前記ドライバの各段のいずれかの出力信号が供給され、電流路の一端に外部から画像データが供給される第6のトランジスタを、画素毎に備えた表示素子とすることができる。
In the electronic device,
The drive element includes, for example, a sixth transistor in which an output signal of any one of the stages of the driver is supplied to a control terminal and image data is supplied from the outside to one end of a current path. It can be set as an element.

また、上記電子装置は、
撮像レンズによって結像された光像を撮影する撮像装置を含む撮像部と、撮像方向に実質的に垂直な方向を軸として前記撮像部に対して回動可能に設けられ、前記駆動素子として表示素子と、これを駆動する前記ドライバとを含む表示部とをさらに備えるものであってもよい。
この場合、前記表示部は、前記撮像装置で撮影した画像に応じた画像を前記表示素子に表示するものとすることができる。
In addition, the electronic device is
An imaging unit including an imaging device that captures an optical image formed by the imaging lens, and a rotation unit that is rotatable with respect to the imaging unit about a direction substantially perpendicular to the imaging direction, and is displayed as the drive element You may further provide the display part containing an element and the said driver which drives this.
In this case, the display unit may display an image corresponding to an image captured by the imaging device on the display element.

そして、このような電子装置の場合には、
前記第1、第2のトランジスタのいずれを介して前記配線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を放出させるかを設定する設定手段と、
前記撮像部の前記表示部に対する角度を検出する角度検出手段とをさらに備え、
前記設定手段は、前記角度検出手段の検出結果に従って設定を行い、前記第1、第2の電圧信号のレベルを切り替えることにより、前記第1、第2のトランジスタの一方を介して前記配線に電荷を蓄積できるようにし、前記第1、第2のトランジスタの他方を介して前記配線に蓄積された電荷を放出できるようにすることが好ましい。
この場合は、ドライバが順方向と逆方向とを切り替えて、双方向にシフト動作することが可能となる。ドライバが逆方向にシフト動作することにより、表示部に表示される画像の上下を容易に反転することができる。これにより、表示する画像の読み出しに複雑な制御を行わなくても、撮像装置で捉えている画像の鏡面画像を表示部に表示させることができる。
And in the case of such an electronic device,
Setting means for setting whether to accumulate charges in the wiring via any one of the first and second transistors and to release the accumulated charges;
Angle detecting means for detecting an angle of the imaging unit with respect to the display unit;
The setting means performs setting according to the detection result of the angle detection means, and switches the level of the first and second voltage signals to thereby charge the wiring via one of the first and second transistors. It is preferable that the charge accumulated in the wiring can be discharged through the other of the first and second transistors.
In this case, the driver can perform a shift operation in both directions by switching between the forward direction and the reverse direction. When the driver performs a shift operation in the reverse direction, the top and bottom of the image displayed on the display unit can be easily reversed. Thereby, the mirror image of the image captured by the imaging device can be displayed on the display unit without performing complicated control for reading the image to be displayed.

上記電子装置において、
前記駆動素子は、励起光によりキャリアを生成する半導体層と、前記半導体層の両端にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソース電極と、第1ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の一方側に設けられた第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の他方側に設けられた第2ゲート電極とを、画素毎に備える撮像素子とすることともできる。
この場合において、前記ドライバは、出力信号を第1のゲート電極に出力する第1のドライバと、出力信号を第2のゲート電極に出力する第2のドライバとを含むものとすることができる。
In the electronic device,
The driving element is provided on one side of the semiconductor layer via a semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode that are respectively connected to both ends of the semiconductor layer, and a first gate insulating film. The first gate electrode and the second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer with the second gate insulating film interposed therebetween may be used as an imaging device provided for each pixel.
In this case, the driver may include a first driver that outputs an output signal to the first gate electrode, and a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode.

以上のような電子装置は、駆動素子を駆動するためのドライバとして、上記第1の観点にかかるシフトレジスタと同一の構成を有するものを備えている。このため、ドライバの耐久性が高いものとなるので、電子装置全体として耐久性に優れたものを提供することができる。   The electronic device as described above includes a driver having the same configuration as the shift register according to the first aspect as a driver for driving the driving element. For this reason, since the durability of the driver is high, it is possible to provide the entire electronic device with excellent durability.

以上説明したように、本発明のシフトレジスタでは、第1または第2のトランジスタの特性変動が少なく、長期間安定して動作することができる。
また、第1、第2の電圧信号のハイレベルのレベルやその期間を調整することにより、第1、第2のトランジスタが故障することが少なくなり、長期間安定して動作することができるようになる。
また、第1、第2のトランジスタのいずれで配線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を放出させるかを切り替えることができるようにすることで、順方向と逆方向との双方向でシフト動作を行うことが可能となる。
As described above, the shift register of the present invention can operate stably for a long period of time with little variation in characteristics of the first or second transistor.
Further, by adjusting the high level level and the period of the first and second voltage signals, the first and second transistors are less likely to fail, and can operate stably for a long time. become.
In addition, it is possible to switch between the first and second transistors to store charges in the wiring and to release the stored charges, thereby shifting in both the forward and reverse directions. Can be performed.

さらに、本発明のシフトレジスタをドライバとして適用した電子装置も、耐久性に優れたものとなる。
また、ドライバとして順方向と逆方向の双方向にシフト動作可能なものを適用することにより、上下方向を反転した画像を容易に表示することができるようになる。
Furthermore, an electronic device to which the shift register of the present invention is applied as a driver is also excellent in durability.
In addition, by applying a driver that can perform a shift operation in both the forward and reverse directions, an image in which the vertical direction is inverted can be easily displayed.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施の形態]
図1は、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラの外観構成を示す図である。図示するように、このデジタルスチルカメラは、カメラ本体部01とレンズユニット部02とから構成されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing an external configuration of a digital still camera according to this embodiment. As shown in the figure, this digital still camera is composed of a camera body unit 01 and a lens unit unit 02.

カメラ本体部01は、その正面に表示部10と、モード設定キー12aとを備える。モード設定キー12aは、画像を撮影し、後述する画像メモリに記録する撮影モードと、記録された画像を再生する再生モードとの切り換えを行うためのキーである。表示部10は、液晶表示装置によって構成され、撮影モード(モニタリングモード)時には撮影前にレンズ02aで捉えている画像を表示するためのビューファインダとして機能し、再生モード時には記録された画像を表示するためのディスプレイとして機能する。表示部10の構成については、詳しく説明する。   The camera body unit 01 includes a display unit 10 and a mode setting key 12a on the front surface thereof. The mode setting key 12a is a key for shooting an image and switching between a shooting mode for recording in an image memory (to be described later) and a playback mode for playing back the recorded image. The display unit 10 is configured by a liquid crystal display device, and functions as a viewfinder for displaying an image captured by the lens 02a before shooting in the shooting mode (monitoring mode), and displays a recorded image in the playback mode. Function as a display for. The configuration of the display unit 10 will be described in detail.

カメラ本体部01は、また、その上面に電源キー11と、シャッターキー12bと、「+」キー12cと、「−」キー12dと、シリアル入出力端子13とを備える。電源キー11は、スライド操作することによって、このデジタルスチルカメラの電源をオン/オフするためのキーである。シャッターキー12b、「+」キー12c及び「−」キー12dは、前述したモード設定キー12aと共に、キー入力部12を構成する。   The camera body unit 01 also includes a power key 11, a shutter key 12 b, a “+” key 12 c, a “−” key 12 d, and a serial input / output terminal 13 on the upper surface. The power key 11 is a key for turning on / off the power of the digital still camera by performing a slide operation. The shutter key 12b, the “+” key 12c, and the “−” key 12d constitute the key input unit 12 together with the mode setting key 12a.

シャッターキー12bは、撮影モード時に画像の記録を指示すると共に、再生モード時に選択内容の決定を指示するためのキーである。「+」キー12c及び「−」キー12dは、撮影モード時に画像メモリに記録されている画像データから表示部10に表示するための画像データを選択したり、記録/再生時の条件設定のために用いられる。シリアル入出力端子13は、外部の装置(パーソナルコンピュータ、プリンタなど)との間でデータを送受信するためのケーブルを挿入するための端子である。   The shutter key 12b is a key for instructing recording of an image in the photographing mode and instructing determination of selection contents in the reproduction mode. The “+” key 12c and the “−” key 12d are used to select image data to be displayed on the display unit 10 from image data recorded in the image memory in the shooting mode and to set conditions for recording / playback. Used for. The serial input / output terminal 13 is a terminal for inserting a cable for transmitting / receiving data to / from an external device (personal computer, printer, etc.).

レンズユニット部02は、撮影すべき画像を結像するレンズ02aを、図の背面側に備えている。レンズユニット部02は、カメラ本体部01に結合した軸を中心に上下方向360°回動可能に取り付けられている。   The lens unit unit 02 includes a lens 02a that forms an image to be photographed on the back side of the drawing. The lens unit 02 is attached so as to be able to rotate 360 ° up and down around an axis coupled to the camera body 01.

図2は、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラの回路構成を示すブロック図である。図示するように、このデジタルスチルカメラは、CCD(Charge Coupled Device)撮像装置20、A/D(Analogue/Digital)変換器21、CPU(Central Processing Unit)22、ROM(Read Only Memory)23、RAM(Random Access Memory)24、圧縮/伸張回路25、画像メモリ26、並びに前述した表示部10、キー入力部12及びシリアル入出力端子13を備えている。これらは、バス30を介して互いに接続されている。CCD撮像装置20とA/D変換器21は、専用線での接続もされている。なお、破線で示す角度センサ40は、この実施の形態では構成として含まない(後述する第2の実施の形態参照)。   FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of the digital still camera according to this embodiment. As shown in the figure, this digital still camera includes a CCD (Charge Coupled Device) imaging device 20, an A / D (Analogue / Digital) converter 21, a CPU (Central Processing Unit) 22, a ROM (Read Only Memory) 23, a RAM (Random Access Memory) 24, a compression / expansion circuit 25, an image memory 26, the display unit 10, the key input unit 12, and the serial input / output terminal 13 described above. These are connected to each other via a bus 30. The CCD imaging device 20 and the A / D converter 21 are also connected by a dedicated line. In addition, the angle sensor 40 shown with a broken line is not included as a structure in this embodiment (refer to 2nd Embodiment mentioned later).

CCD撮像装置20は、マトリクス状に形成された複数の撮像画素を有し、撮像レンズ02aによって結像された光を光電変換して、各画素の光の強度に応じた電気信号を出力する。A/D変換器21は、CCD撮像装置20から出力されたアナログの電気信号をデジタル信号に変換して出力する。   The CCD imaging device 20 has a plurality of imaging pixels formed in a matrix, photoelectrically converts light imaged by the imaging lens 02a, and outputs an electrical signal corresponding to the light intensity of each pixel. The A / D converter 21 converts the analog electric signal output from the CCD image pickup device 20 into a digital signal and outputs the digital signal.

CPU22は、キー入力部12からの入力に従ってROM23に記憶されたプログラムを実行することにより、このデジタルスチルカメラの各部の回路を制御する。ROM23は、CPU22が実行するプログラムを記憶すると共に、固定的なデータを記憶している。RAM24は、CPU22がプログラムを実行する際のワークエリアとして使用される。RAM24には、また、表示部10に表示する画像データを展開するためのVRAM領域が設けられている。   The CPU 22 controls a circuit of each part of the digital still camera by executing a program stored in the ROM 23 in accordance with an input from the key input part 12. The ROM 23 stores programs executed by the CPU 22 and also stores fixed data. The RAM 24 is used as a work area when the CPU 22 executes a program. The RAM 24 is also provided with a VRAM area for expanding image data to be displayed on the display unit 10.

圧縮/伸張回路25は、シャッターキー12bが操作されたときに、CCD撮像装置20によって撮影され、A/D変換器21によってデジタル信号に変換された画像データを圧縮し、画像メモリ26に記録させる。圧縮/伸張回路25は、また、キー入力部12から撮影済みの画像を表示することが指示された場合に、圧縮されて画像メモリ26に記録されている画像データを伸張する。   The compression / decompression circuit 25 compresses the image data photographed by the CCD imaging device 20 and converted into a digital signal by the A / D converter 21 when the shutter key 12 b is operated, and records the compressed image data in the image memory 26. . The compression / decompression circuit 25 also decompresses the image data that has been compressed and recorded in the image memory 26 when instructed to display a captured image from the key input unit 12.

画像メモリ26は、フラッシュメモリのようなデータの消去が可能な不揮発性の記憶媒体によって構成され、前述したように撮影され、圧縮された画像データを記録する。画像メモリ26は、このデジタルスチルカメラに着脱可能に構成されたものであってもよい。   The image memory 26 is composed of a non-volatile storage medium capable of erasing data such as a flash memory, and records image data that has been shot and compressed as described above. The image memory 26 may be configured to be detachable from the digital still camera.

図3は、表示部10を構成する液晶表示装置の構成を示すブロック図である。図示するように、この液晶表示装置は、液晶コントローラ50と、液晶表示素子51と、ゲートドライバ52と、ドレインドライバ53とから構成されている。ゲートドライバ52には制御信号群Gcntが、ドレインドライバ53には制御信号群Dcntと表示データdataとが、液晶コントローラ50から供給されている。   FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device that constitutes the display unit 10. As shown in the figure, this liquid crystal display device includes a liquid crystal controller 50, a liquid crystal display element 51, a gate driver 52, and a drain driver 53. The gate driver 52 is supplied with a control signal group Gcnt, and the drain driver 53 is supplied with a control signal group Dcnt and display data data from the liquid crystal controller 50.

液晶コントローラ50は、CPU22からの制御信号に従って制御信号群Gcnt、Dcntを生成し、ゲートドライバ52とドレインドライバ53とにそれぞれ供給する。液晶コントローラ50は、また、CPU22からの制御信号に従ってRAM24のVRAM領域に展開された画像データを読み出し、表示データdataとしてドレインドライバ53に供給する。   The liquid crystal controller 50 generates control signal groups Gcnt and Dcnt in accordance with control signals from the CPU 22 and supplies them to the gate driver 52 and the drain driver 53, respectively. The liquid crystal controller 50 also reads the image data developed in the VRAM area of the RAM 24 in accordance with a control signal from the CPU 22 and supplies it to the drain driver 53 as display data data.

液晶表示素子51は、一対の基板に液晶を封入して構成されるもので、その一方の基板には、a−Siを半導体層としたアクティブ駆動用のTFT61がマトリクス状に形成されている。各TFT61のゲートはゲートラインGLに、ドレインはドレインラインDLに、ソースは同様にマトリクス状に形成された画素電極に接続されている。他方の基板には、所定の電圧Vcomが印加されている共通電極が形成されており、この共通電極と各画素電極とその間の液晶とによって、画素容量62が形成される。そして、画素容量62に蓄積された電荷によって液晶の配向状態が変化することで、液晶表示素子51は、透過させる光の量を制御して画像を表示するものである。   The liquid crystal display element 51 is configured by enclosing liquid crystal in a pair of substrates, and on one substrate, TFTs 61 for active drive using a-Si as a semiconductor layer are formed in a matrix. The gate of each TFT 61 is connected to the gate line GL, the drain is connected to the drain line DL, and the source is connected to a pixel electrode similarly formed in a matrix. A common electrode to which a predetermined voltage Vcom is applied is formed on the other substrate, and a pixel capacitor 62 is formed by the common electrode, each pixel electrode, and liquid crystal therebetween. The liquid crystal display element 51 displays an image by controlling the amount of light to be transmitted by changing the alignment state of the liquid crystal due to the charge accumulated in the pixel capacitor 62.

ゲートドライバ52は、液晶コントローラ50からの制御信号群Gcntに従って動作するシフトレジスタによって構成される。ゲートドライバ52は、液晶コントローラ50からの制御信号群Gcntに従って、ゲートラインGLを順次選択して所定の電圧を出力する。ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタについては、詳しく後述する。   The gate driver 52 includes a shift register that operates according to a control signal group Gcnt from the liquid crystal controller 50. The gate driver 52 sequentially selects the gate lines GL according to the control signal group Gcnt from the liquid crystal controller 50 and outputs a predetermined voltage. The shift register constituting the gate driver 52 will be described in detail later.

ドレインドライバ53は、液晶コントローラ50からの制御信号群Dcntに従って、液晶コントローラ50から表示データdataを順次取り込む。1ライン分の表示データdataを蓄積すると、ドレインドライバ53は、液晶コントローラ50からの制御信号群Dcntに従ってこれをドレインラインDLに出力し、ゲートドライバ52によって選択されたゲートラインGLに接続されているTFT61(オン状態)を介して、画素容量62に蓄積させる。   The drain driver 53 sequentially fetches display data data from the liquid crystal controller 50 according to the control signal group Dcnt from the liquid crystal controller 50. When the display data data for one line is accumulated, the drain driver 53 outputs this to the drain line DL according to the control signal group Dcnt from the liquid crystal controller 50 and is connected to the gate line GL selected by the gate driver 52. The pixel capacitance 62 is accumulated via the TFT 61 (ON state).

図4は、図3のゲートドライバ52として適用されるシフトレジスタの回路構成を示す図である。図示するように、このシフトレジスタは、液晶表示素子51のゲートラインGLの数と同じn個の段RS(1)〜RS(n)(n:偶数)から構成されている。   FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register applied as the gate driver 52 of FIG. As shown in the figure, this shift register is composed of n stages RS (1) to RS (n) (n: even number) equal to the number of gate lines GL of the liquid crystal display element 51.

ゲートドライバ52として適用される場合、このシフトレジスタには、液晶コントローラ50からの制御信号群Gcntとして、クロック信号CK1、CK2、電源電圧Vdd、基準電圧Vss(<Vdd)、スタート信号Dst及び終了信号Dendが供給される。このうち、電源電圧Vdd及び基準電圧Vssは全ての段RS(1)〜RS(n)に、クロック信号CK1は奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)に、クロック信号CK2は偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)に、スタート信号Dstは1番目の段RS(1)のみに、終了信号Dendはn番目の段RS(n)のみに供給されている。   When applied as the gate driver 52, the shift register includes a clock signal CK1, CK2, a power supply voltage Vdd, a reference voltage Vss (<Vdd), a start signal Dst, and an end signal as a control signal group Gcnt from the liquid crystal controller 50. Dend is supplied. Among them, the power supply voltage Vdd and the reference voltage Vss are applied to all stages RS (1) to RS (n), and the clock signal CK1 is an odd-numbered stage RS (1), RS (3),. ), The clock signal CK2 is in even-numbered stages RS (2), RS (4),..., RS (n), the start signal Dst is only in the first stage RS (1), and the end signal Dend is n-th. Are supplied only to the stage RS (n).

各段の構成はほぼ同じであるため、1番目の段RS(1)を例として説明すると、この段RS(1)は、TFT61と同様にa−Siの半導体層からなる6つのTFT1〜6を有している。TFT1〜6は、全て同一のチャネル型(ここでは、nチャネル型)の電界効果トランジスタである。   Since the configuration of each stage is almost the same, the first stage RS (1) will be described as an example. This stage RS (1) is composed of six TFTs 1 to 6 made of an a-Si semiconductor layer like the TFT 61. have. The TFTs 1 to 6 are all the same channel type (here, n-channel type) field effect transistors.

TFT1のゲートには、スタート信号Dstが供給される。TFT1のドレインには、電源電圧Vddが供給されている。TFT1のソースは、TFT2のゲートと、TFT5のゲートと、TFT6のドレインとに接続されている。このTFT1のソース、TFT2のゲート、TFT5のゲート及びTFT6のドレインで囲まれて接続された配線のことを、ノードA1と呼ぶこととする(なお、2段目以降は、それぞれA2〜Anとする)。スタート信号DstがハイレベルになってTFT1がオンすると、電源電圧Vddがソースから出力されることによってノードA1に電荷が蓄積される。   A start signal Dst is supplied to the gate of the TFT 1. A power supply voltage Vdd is supplied to the drain of the TFT 1. The source of TFT 1 is connected to the gate of TFT 2, the gate of TFT 5, and the drain of TFT 6. A wiring surrounded by the source of TFT1, the gate of TFT2, the gate of TFT5, and the drain of TFT6 is referred to as a node A1 (note that the second and subsequent stages are A2 to An, respectively. ). When the start signal Dst becomes a high level and the TFT 1 is turned on, the power supply voltage Vdd is output from the source, whereby charges are accumulated in the node A1.

TFT2のドレインにはクロック信号CK1が供給され、TFT2がオンしている際に、クロック信号CK1のレベルがほぼそのまま出力信号OUT1として、そのソースから1ライン目のゲートラインGLに出力される。また、TFT2のソースは、TFT3のドレインに接続されている。   The clock signal CK1 is supplied to the drain of the TFT2, and when the TFT2 is turned on, the level of the clock signal CK1 is output as it is as the output signal OUT1 from the source to the gate line GL of the first line. The source of TFT2 is connected to the drain of TFT3.

TFT4のゲートとドレインとには、電源電圧Vddが供給され、常にオン状態となっている。TFT4は、電源電圧Vddを供給する際の負荷として機能し、そのソースから電源電圧VddをほぼそのままTFT5のドレインに供給する。TFT4は、TFT以外の抵抗素子などに置き換えることも可能である。TFT5のソースには、基準電圧Vddが供給されており、TFT5がオンした際に、TFT4のソースとTFT5のドレインとの間に蓄積された電荷を放出させる。   The power supply voltage Vdd is supplied to the gate and drain of the TFT 4 and is always on. The TFT 4 functions as a load when supplying the power supply voltage Vdd, and supplies the power supply voltage Vdd from the source to the drain of the TFT 5 almost as it is. The TFT 4 can be replaced with a resistance element other than the TFT. The reference voltage Vdd is supplied to the source of the TFT 5, and when the TFT 5 is turned on, the electric charge accumulated between the source of the TFT 4 and the drain of the TFT 5 is released.

TFT3のゲートは、TFT4のソース及びTFT5のドレインに接続されており、TFT5がオフしている際に、TFT4を介して供給される電源電圧Vddによってオンする。TFT5がオンしている間は、TFT4のソースとTFT5との間の配線に蓄積された電荷が放出されるので、TFT3のゲート電圧はローレベルとなり、オフする。   The gate of the TFT 3 is connected to the source of the TFT 4 and the drain of the TFT 5, and is turned on by the power supply voltage Vdd supplied through the TFT 4 when the TFT 5 is turned off. While the TFT 5 is on, charges accumulated in the wiring between the source of the TFT 4 and the TFT 5 are released, so that the gate voltage of the TFT 3 becomes low level and turns off.

TFT6のゲートには、次の段である2番目の段RS(2)の出力信号OUT2が供給される。TFT6のドレインはノードA1に接続されており、ソースには基準電圧Vssが供給されている。出力信号OUT2がハイレベルとなるとTFT6がオンし、ノードA1に蓄積されている電荷を放出させる。   The output signal OUT2 of the second stage RS (2), which is the next stage, is supplied to the gate of the TFT6. The drain of the TFT 6 is connected to the node A1, and the reference voltage Vss is supplied to the source. When the output signal OUT2 becomes high level, the TFT 6 is turned on, and the charge accumulated in the node A1 is released.

1番目以外の奇数番目の段RS(3),RS(5),…,RS(n−1)の構成は、TFT1のゲートに前の段RS(2),RS(4),…,RS(n−2)の出力信号OUT2,OUT4,…,OUTn−2が供給される以外は、1番目の段RS(1)と同じである。   The odd-numbered stages RS (3), RS (5),..., RS (n−1) other than the first are configured in the previous stage RS (2), RS (4),. .., OUTn-2 are the same as those in the first stage RS (1) except that the output signals OUT2, OUT4,.

n番目以外の奇数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n−2)の構成は、TFT1のゲートに前の段RS(1),RS(3),…,RS(n−3)の出力信号OUT1,OUT3,…,OUTn−3が供給されることと、TFT2のドレインにクロック信号CK2が供給されること以外は、1番目の段RS(1)と同じである。n番目の段RS(n)の構成は、TFT6のゲートに終了信号Dendが供給される以外は、他の偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n−2)と同じである。   The odd-numbered stages RS (2), RS (4),..., RS (n-2) other than the n-th are arranged in the previous stage RS (1), RS (3),. The same as the first stage RS (1) except that the output signals OUT1, OUT3,..., OUTn-3 of (n-3) are supplied and the clock signal CK2 is supplied to the drain of the TFT2. is there. The configuration of the n-th stage RS (n) is that the even-numbered stages RS (2), RS (4),..., RS (n−2) except that the end signal Dend is supplied to the gate of the TFT 6. Is the same.

また、ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタは、TFT1〜6の組み合わせによって構成されており、TFT1〜6は、液晶表示素子51に含まれるTFT61と実質的に同一の構造を有している。従って、ゲートドライバ52は、液晶表示素子51のTFT61側の基板上に、同一プロセスで一括して形成されるものとすることができる。   The shift register constituting the gate driver 52 is configured by a combination of TFTs 1 to 6, and the TFTs 1 to 6 have substantially the same structure as the TFT 61 included in the liquid crystal display element 51. Therefore, the gate driver 52 can be collectively formed on the substrate on the TFT 61 side of the liquid crystal display element 51 by the same process.

以下、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラの動作について、説明する。全体の動作を説明する前に、まず、上記のゲートドライバ52を構成するシフトレジスタの動作について、図5のタイミングチャートを参照して説明する。ゲートドライバ52として使用される場合には、各制御信号は、いずれも液晶コントローラ50から制御信号群Gcntとして供給されるものである。   The operation of the digital still camera according to this embodiment will be described below. Before explaining the overall operation, first, the operation of the shift register constituting the gate driver 52 will be described with reference to the timing chart of FIG. When used as the gate driver 52, each control signal is supplied from the liquid crystal controller 50 as a control signal group Gcnt.

なお、このタイミングチャートにおいて、クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst、及び終了信号Dendのハイレベルは、いずれも電源電圧Vddに等しい。一方、これらの信号のローレベルは、いずれも基準電圧Vssに等しい。1Tの期間は、表示部10における1水平期間となる。   In this timing chart, the high levels of the clock signals CK1, CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend are all equal to the power supply voltage Vdd. On the other hand, the low level of these signals is equal to the reference voltage Vss. The 1T period is one horizontal period in the display unit 10.

また、このタイミングチャートに従ってシフト動作を開始する前(T0より前)は、出力信号OUT1〜OUTnはいずれもローレベルとなっている。また、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノードA1〜Anに電荷が蓄積されておらず、TFT2及びTFT5はオン、TFT3はオフの状態になっている。   Further, before starting the shift operation according to this timing chart (before T0), the output signals OUT1 to OUTn are all at the low level. In any of the stages RS (1) to RS (n), no charges are accumulated in the nodes A1 to An, and the TFT2 and the TFT5 are on and the TFT3 is off.

タイミングT0〜T1の間、スタート信号Dstがハイレベルとなると、1段目の段RS(1)のTFT1がオンし、電源電圧VddがTFT1のドレインからソースに出力される。これにより、1番目の段RS(1)のノードA1に電荷が蓄積され、その電位がハイレベルとなって、TFT2及びTFT5がオンする。TFT5がオンすることにより、TFT4のソースとTFT5のドレインとの間に蓄積された電荷が放出され、TFT3がオフする。この期間は、1番目の段RS(1)のTFT2はオンするが、クロック信号CK1はローレベルであるため、出力信号OUT1のレベルはローレベルのままである。   When the start signal Dst becomes high level between timings T0 and T1, the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, and the power supply voltage Vdd is output from the drain to the source of the TFT1. As a result, charges are accumulated in the node A1 of the first stage RS (1), the potential becomes high level, and the TFT2 and the TFT5 are turned on. When the TFT 5 is turned on, the electric charge accumulated between the source of the TFT 4 and the drain of the TFT 5 is released, and the TFT 3 is turned off. During this period, the TFT2 of the first stage RS (1) is turned on, but the level of the output signal OUT1 remains low because the clock signal CK1 is low.

次に、タイミングT1において、クロック信号CK1がハイレベルに変化すると、これが1番目の段RS(1)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUT1のレベルがハイレベルに変化する。このとき、ノードA1の電位はいわゆるブートストラップ効果により、電源電圧Vddの2倍程度にまで上昇するため、TFT2の飽和ゲート電圧にまで達するのでTFT2のドレイン電流は飽和電流となり、出力信号OUT1のレベルは迅速にクロック信号CK1のハイレベルとほぼ等電位となる。すなわち、出力信号OUT1のハイレベルはほぼ電源電圧Vddとなる。この後、タイミングT2までの間でクロック信号CK1が立ち下がると、出力信号OUT1はローレベルにシフトしていく。   Next, when the clock signal CK1 changes to high level at the timing T1, this is output from the drain of the TFT 2 of the first stage RS (1) to the source, and the level of the output signal OUT1 changes to high level. At this time, the potential of the node A1 rises to about twice the power supply voltage Vdd due to the so-called bootstrap effect, and thus reaches the saturation gate voltage of the TFT2, so that the drain current of the TFT2 becomes a saturation current, and the level of the output signal OUT1 Quickly becomes almost equal to the high level of the clock signal CK1. That is, the high level of the output signal OUT1 is substantially the power supply voltage Vdd. Thereafter, when the clock signal CK1 falls until the timing T2, the output signal OUT1 shifts to a low level.

また、タイミングT1〜T2の期間では、ハイレベルとなった1番目の段RS(1)の出力信号OUT1により、2番目の段RS(2)のTFT1がオンする。これにより、2番目の段RS(2)のTFT1のソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノードA2の電位がハイレベルになり、2番目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   In the period of timing T1 to T2, the TFT1 of the second stage RS (2) is turned on by the output signal OUT1 of the first stage RS (1) that has become high level. As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the second stage RS (2), so that the potential of the node A2 becomes high level, and the TFT2 and TFT5 of the second stage RS (2) are turned on. Then, the TFT 3 is turned off.

次に、タイミングT2において、クロック信号CK2がハイレベルに変化すると、これが2番目の段RS(2)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUT2のレベルがハイレベルに変化する。これにより、今度は1番目の段RS(1)のTFT6がオンし、ノードA1は蓄積された電荷がTFT6を経由して放出されて基準電圧Vssとなるので、出力信号OUT1はローレベル状態が維持され、またこれに伴って1番目の段RS(1)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3がオンする。このため、出力信号OUT1の電位は、確実に基準電圧Vssになり、この状態が少なくともタイミングTn+1まで続く。この後、タイミングT3までの間でクロック信号CK2が立ち下がると、出力信号OUT2はローレベルになる。   Next, when the clock signal CK2 changes to high level at the timing T2, this is output from the drain of the TFT2 of the second stage RS (2) to the source, and the level of the output signal OUT2 changes to high level. As a result, the TFT 6 of the first stage RS (1) is turned on, and the accumulated charge is discharged from the node A1 via the TFT 6 to become the reference voltage Vss. Therefore, the output signal OUT1 is in the low level state. As a result, the TFTs 2 and 5 in the first stage RS (1) are turned off, and the TFT 3 is turned on. For this reason, the potential of the output signal OUT1 is reliably the reference voltage Vss, and this state continues at least until the timing Tn + 1. Thereafter, when the clock signal CK2 falls until the timing T3, the output signal OUT2 becomes low level.

また、タイミングT2〜T3の期間では、ハイレベルとなった2番目の段RS(2)の出力信号OUT2により、3番目の段RS(3)のTFT1がオンする。これにより、3番目の段RS(3)のTFT1のソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノードA3の電位がハイレベルになり、3番目の段RS(3)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   Further, during the period of timing T2 to T3, the TFT1 of the third stage RS (3) is turned on by the output signal OUT2 of the second stage RS (2) that has become high level. As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the third stage RS (3), so that the potential of the node A3 becomes high level, and the TFT2 and TFT5 of the third stage RS (3) are turned on. Then, the TFT 3 is turned off.

次に、タイミングT3において、クロック信号CK1がハイレベルに変化すると、これが3番目の段RS(3)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUT3のレベルがハイレベルに変化する。これにより、今度は2番目の段RS(2)のTFT6がオンし、ノードA2に蓄積された電荷は、2番目の段RS(2)のTFT1及び1番目の段RS(1)のTFT3を経由することなくTFT6を経由して放出されて基準電圧Vssとなるので、出力信号OUT1はローレベル状態が維持され、またこれに伴って2番目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3がオンする。すなわち2番目の段RS(2)ではTFT2のゲート電圧がローレベルになり且つTFT3がオンするので出力信号OUT2の電位は確実に基準電圧Vssになり、この状態が少なくともタイミングTn+1まで続く。この後、タイミングT3までの間でクロック信号CK1が立ち下がると、出力信号OUT3はローレベルになる。   Next, when the clock signal CK1 changes to high level at the timing T3, this is output from the drain of the TFT 2 of the third stage RS (3) to the source, and the level of the output signal OUT3 changes to high level. As a result, the TFT 6 of the second stage RS (2) is turned on this time, and the charge accumulated in the node A2 is applied to the TFT1 of the second stage RS (2) and the TFT3 of the first stage RS (1). Since it is discharged via the TFT 6 without passing through and becomes the reference voltage Vss, the output signal OUT1 is maintained in the low level state, and accordingly, the TFT 2 and TFT 5 of the second stage RS (2) are turned off. , TFT3 is turned on. That is, in the second stage RS (2), the gate voltage of the TFT2 becomes a low level and the TFT3 is turned on, so that the potential of the output signal OUT2 surely becomes the reference voltage Vss, and this state continues at least until the timing Tn + 1. Thereafter, when the clock signal CK1 falls until the timing T3, the output signal OUT3 becomes a low level.

また、タイミングT3〜T4の期間では、ハイレベルとなった3番目の段RS(3)の出力信号OUT3により、4番目の段RS(4)のTFT1がオンする。これにより、4番目の段RS(4)のTFT1のソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノードA4の電位がハイレベルになり、4番目の段RS(4)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   In the period from the timing T3 to T4, the TFT1 of the fourth stage RS (4) is turned on by the output signal OUT3 of the third stage RS (3) that has become high level. As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the fourth stage RS (4), so that the potential of the node A4 becomes high level, and the TFT2 and TFT5 of the fourth stage RS (4) are turned on. Then, the TFT 3 is turned off.

以下、4番目以降の段RS(4),RS(5),…が1Tの期間ずつ上記と同様の動作をしていくことによって、出力信号OUT4,OUT5,…が1Tの期間内の所定期間ずつハイレベルに変化していく。そして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、ハイレベルとなったn−1番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1により、n番目の段RS(n)のTFT1がオンする。これにより、n番目の段RS(n)のTFT1のソースから電源電圧Vddが出力されることで、ノードAnの電位がハイレベルになり、n番目の段RS(n)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   In the following, the fourth and subsequent stages RS (4), RS (5),... Operate in the same manner as described above for each 1T period, so that the output signals OUT4, OUT5,. It gradually changes to a high level. In the period of timing Tn−1 to Tn, the TFT 1 of the nth stage RS (n) is turned on by the output signal OUTn−1 of the (n−1) th stage RS (n−1) that has become high level. . As a result, the power supply voltage Vdd is output from the source of the TFT1 of the nth stage RS (n), so that the potential of the node An becomes high level, and the TFT2 and TFT5 of the nth stage RS (n) are turned on. Then, the TFT 3 is turned off.

次に、タイミングTnにおいて、クロック信号CK2がハイレベルに変化すると、これがn番目の段RS(n)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUTnのレベルがハイレベルに変化する。この後、タイミングTn+1までの間でクロック信号CK2が立ち下がると、出力信号OUTnはローレベルになる。   Next, when the clock signal CK2 changes to high level at the timing Tn, this is output from the drain of the TFT 2 of the nth stage RS (n) to the source, and the level of the output signal OUTn changes to high level. Thereafter, when the clock signal CK2 falls until timing Tn + 1, the output signal OUTn becomes low level.

そして、タイミングTn+1になると、今度は終了信号Dendのレベルがハイレベルに変化する。これにより、n番目の段RS(n)のTFT1がオンすることで、ノードA2に蓄積された電荷が放出され、2番目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3がオンする。そして、次にハイレベルのスタート信号Dstが供給されるまでの間、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノードA1〜Anに電荷は蓄積されておらず、TFT2及びTFT5はオン、TFT3はオフの状態になった状態が維持される。   At the timing Tn + 1, the level of the end signal Dend changes to a high level this time. As a result, when the TFT 1 of the nth stage RS (n) is turned on, the charge accumulated in the node A2 is released, the TFT2 and the TFT5 of the second stage RS (2) are turned off, and the TFT3 is turned on. . Until the next high level start signal Dst is supplied, no charge is accumulated in the nodes A1 to An in any of the stages RS (1) to RS (n), and the TFT2 and the TFT5 are The on state and the TFT 3 are kept off.

以上のようにして、1番目の段RS(1)からn番目の段RS(n)まで出力信号がシフトしていく間に、1つのTFT1のゲート、ドレイン及びソースの電位がどのように変化するかについて、3番目の段RS(3)のTFT1を例として説明する。図5の下三段には、3番目の段RS(3)のTFT1のゲート、ドレイン及びソースの電位レベルの変化を示している。   As described above, how the potential of the gate, drain, and source of one TFT 1 changes while the output signal is shifted from the first stage RS (1) to the nth stage RS (n). This will be described by taking the TFT 1 of the third stage RS (3) as an example. The lower three stages in FIG. 5 show changes in the gate, drain, and source potential levels of the TFT 1 in the third stage RS (3).

図示するように、TFT1のゲート電圧は、タイミングT2〜T3の期間で2番目の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルになっているときだけ、ハイレベル(ほぼVdd)となる。TFT1のドレインには電源電圧Vddが常に供給されているので、ドレイン電圧は常に電源電圧Vddである。TFT1のソース電圧は、タイミングT2でノードA3に電荷が蓄積されると、Vddよりもその閾値電圧だけ低い電圧レベルとなる。タイミングT3〜T4の期間でクロック信号CK1がハイレベルになっているときは、前述したブートストラップ効果により電源電圧Vddの2倍程度のレベルになる。タイミングT4で4番目の段RS(4)の出力電圧がハイレベルになった以降は、再びローレベルになる。   As shown in the figure, the gate voltage of TFT1 is at a high level (approximately Vdd) only when the output signal OUT2 of the second stage RS (2) is at a high level in the period of timing T2 to T3. Since the power supply voltage Vdd is always supplied to the drain of the TFT1, the drain voltage is always the power supply voltage Vdd. When charge is accumulated in the node A3 at the timing T2, the source voltage of the TFT1 becomes a voltage level lower than Vdd by the threshold voltage. When the clock signal CK1 is at the high level during the period from the timing T3 to T4, the level is about twice the power supply voltage Vdd due to the bootstrap effect described above. After the output voltage of the fourth stage RS (4) becomes high level at timing T4, it becomes low level again.

このようにシフトレジスタの一度の走査におけるk番目の段RS(k)のTFT1のゲート電圧は、少なくともスタート信号Dstまたは前段の出力信号OUTk−1が一度ハイレベルの状態以外では常にローレベル(基準電圧Vss)なので、各TFT1のゲート電圧がドレイン電圧及びソース電圧の低い方に対して相対的に正となっている期間は、クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst及び終了信号Dendが、ともにハイレベル電圧が電源電圧Vddに等しく、ローレベル電圧が基準電圧Vssに等しい場合、クロック信号CK1又はCK2が一度ハイレベルである期間にすぎない。   As described above, the gate voltage of the TFT 1 of the k-th stage RS (k) in one scan of the shift register is always at a low level (reference) at least when the start signal Dst or the output signal OUTk-1 of the previous stage is once at a high level. Voltage Vss), the clock signals CK1, CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend are all high during the period in which the gate voltage of each TFT1 is relatively positive with respect to the lower one of the drain voltage and the source voltage. When the level voltage is equal to the power supply voltage Vdd and the low level voltage is equal to the reference voltage Vss, it is only a period in which the clock signal CK1 or CK2 is once at a high level.

また、クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst及び終了信号Dendのハイレベル電圧が、TFT1のゲート−ドレイン間の寄生容量で減衰された電圧、例えばタイミングT3〜T4の期間のノードA3の電位より低い場合は、TFT1のゲート電圧は常にソース電圧及びドレイン電圧より低いことになる。このため、k番目の段RS(k)のTFT1のゲートしきい値電圧の正方向へのシフトは抑制することができる。   Further, the high level voltages of the clock signals CK1, CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend are lower than the voltage attenuated by the parasitic capacitance between the gate and the drain of the TFT 1, for example, the potential of the node A3 in the period from the timing T3 to T4. In this case, the gate voltage of the TFT 1 is always lower than the source voltage and the drain voltage. For this reason, the shift in the positive direction of the gate threshold voltage of the TFT 1 of the k-th stage RS (k) can be suppressed.

次に、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラ全体の動作について、説明する。このデジタルスチルカメラは、撮影モードで動作する場合と再生モードで動作する場合との2通りがあり、これらの動作モードは、モード設定キー12aの操作に従って決められる。以下、撮影モードと再生モードの場合に分けて、このデジタルスチルカメラの動作を説明する。   Next, the operation of the entire digital still camera according to this embodiment will be described. This digital still camera has two types, a case where it operates in a shooting mode and a case where it operates in a playback mode, and these operation modes are determined according to the operation of the mode setting key 12a. Hereinafter, the operation of this digital still camera will be described separately for the shooting mode and the playback mode.

撮影モードの場合においては、撮像レンズ02aによって結像された光像に応じてCCD撮像装置20の各画素に電荷が蓄積される。CCD撮像装置20は、CPU22からの指示に従って、各画素に蓄積された電荷を順次読み出し、A/D変換器21に供給する。A/D変換器21は、これをデジタルデータに変換し、RAM24の所定の領域に一時記憶させる。   In the case of the shooting mode, electric charges are accumulated in each pixel of the CCD image pickup device 20 in accordance with the light image formed by the imaging lens 02a. The CCD imaging device 20 sequentially reads out the electric charges accumulated in each pixel in accordance with an instruction from the CPU 22 and supplies it to the A / D converter 21. The A / D converter 21 converts this into digital data and temporarily stores it in a predetermined area of the RAM 24.

次に、CPU22は、RAM24の所定の領域に一時記憶された撮影した画像のデータに対して所定の処理を行い、表示部10に表示すべき画像に対応した画像データを生成する。そして、生成した画像データをRAM24のVRAM領域に展開する。この動作を順次繰り返すことにより、VRAM領域には撮像レンズ02aで捉えている画像に対応した画像データが常に展開されていることとなる。   Next, the CPU 22 performs predetermined processing on the captured image data temporarily stored in a predetermined area of the RAM 24 to generate image data corresponding to the image to be displayed on the display unit 10. Then, the generated image data is expanded in the VRAM area of the RAM 24. By sequentially repeating this operation, image data corresponding to the image captured by the imaging lens 02a is always developed in the VRAM area.

ここで、ユーザがシャッターキー12bを操作すると、CPU22からの指示により、RAM24に記憶する撮影した画像のデータ及びVRAM領域に展開する画像データを固定する。すなわち、シャッターキー12bを操作したタイミングで撮像レンズ02aが捉えていた画像でRAM24の所定の領域に記憶されている画像が変化せず、また、シャッターキー12bを操作したタイミングで撮像レンズ02aが捉えていた画像に対応した画像データがVRAM領域に展開されていることとなる。   Here, when the user operates the shutter key 12b, the image data stored in the RAM 24 and the image data developed in the VRAM area are fixed in accordance with an instruction from the CPU 22. That is, the image stored in the predetermined area of the RAM 24 does not change with the image captured by the imaging lens 02a when the shutter key 12b is operated, and the imaging lens 02a captures when the shutter key 12b is operated. The image data corresponding to the previously stored image is expanded in the VRAM area.

次に、CPU22は、圧縮/伸張回路25に指示を送り、RAM24の所定の領域に記憶されている画像データを圧縮させる。そして、圧縮した画像データを圧縮/伸張回路25から画像メモリ26に転送して記憶させる。そして、例えばシャッターキー12bを操作してから一定時間が経過した後、或いはユーザがキー入力部12に所定の操作を行った場合に、CPU22は、CCD撮像装置20からA/D変換器21を介して読み出した画像のデータを記憶させ、対応する画像データをVRAM領域に展開させるように、デジタルスチルカメラの動作を戻させる。   Next, the CPU 22 sends an instruction to the compression / decompression circuit 25 to compress the image data stored in a predetermined area of the RAM 24. Then, the compressed image data is transferred from the compression / decompression circuit 25 to the image memory 26 and stored. For example, after a predetermined time has elapsed since the shutter key 12b was operated, or when the user performs a predetermined operation on the key input unit 12, the CPU 22 moves the A / D converter 21 from the CCD imaging device 20. The digital still camera is returned to the operation so that the image data read out via the memory is stored and the corresponding image data is developed in the VRAM area.

再生モードの場合においては、ユーザは、「+」キー12cまたは「−」キー12dを操作して、画像メモリ26に記憶されている画像データのうちで表示部10に表示させたい画像データを選択する。選択された画像データは、画像メモリ26から圧縮/伸張回路25に転送され、伸張される。CPU22は、伸張された画像データに対して所定の処理を行って、表示部10に表示すべき画像データを生成し、RAM24のVRAM領域に展開する。   In the playback mode, the user operates the “+” key 12 c or the “−” key 12 d to select image data to be displayed on the display unit 10 from among the image data stored in the image memory 26. To do. The selected image data is transferred from the image memory 26 to the compression / expansion circuit 25 and decompressed. The CPU 22 performs predetermined processing on the decompressed image data, generates image data to be displayed on the display unit 10, and develops it in the VRAM area of the RAM 24.

表示部10は、上記した撮影モードと再生モードのいずれの動作モードにおいても、RAM24のVRAM領域に展開された画像データを読み出し、対応する画像を表示する。以下、表示部10における画像の表示のための動作について、説明する。   The display unit 10 reads out the image data developed in the VRAM area of the RAM 24 and displays the corresponding image in any of the above-described shooting modes and playback modes. Hereinafter, an operation for displaying an image on the display unit 10 will be described.

表示部10の液晶コントローラ50は、CPU22からの制御信号に従って、RAM24のVRAM領域に展開された画像データを所定順序で読み出す。読み出しの順序は、CCD撮像装置20が撮影した画像と実質的に同一の画像を表示させる場合と、CCD撮像装置20が撮影した画像の鏡面画像を表示させる場合とで異なるように制御される。   The liquid crystal controller 50 of the display unit 10 reads the image data developed in the VRAM area of the RAM 24 in a predetermined order in accordance with a control signal from the CPU 22. The order of reading is controlled so as to be different between a case where an image substantially the same as an image taken by the CCD imaging device 20 is displayed and a case where a mirror image of the image taken by the CCD imaging device 20 is displayed.

液晶コントローラ50は、制御信号群Dcntに従って、VRAM領域から読み出した画像データを表示データdataとしてドレインドライバ53に取り込ませる。ドレインドライバ53は、1ライン分の表示データdataを取り込むと、液晶コントローラ50からの制御信号群Dcntに従って、これに対応する電圧信号を液晶表示素子51の各ドレインラインDLに出力する。   The liquid crystal controller 50 causes the drain driver 53 to capture the image data read from the VRAM area as display data data in accordance with the control signal group Dcnt. When the drain driver 53 fetches the display data data for one line, the drain driver 53 outputs a voltage signal corresponding thereto to each drain line DL of the liquid crystal display element 51 in accordance with the control signal group Dcnt from the liquid crystal controller 50.

一方、液晶コントローラ50は、制御信号群Gcntに従って、上記したようにゲートドライバ52の出力信号を順次シフトさせ、液晶表示素子51のゲートラインGLを順次選択させている。すなわち、ドレインドライバ53から出力される表示データdataに対応するゲートラインGLを、ゲートドライバ52が選択していることとなる。   On the other hand, the liquid crystal controller 50 sequentially shifts the output signal of the gate driver 52 according to the control signal group Gcnt, and sequentially selects the gate lines GL of the liquid crystal display elements 51. That is, the gate driver 52 selects the gate line GL corresponding to the display data data output from the drain driver 53.

ゲートドライバ52によって選択されたゲートラインGLの電位は、出力信号に従ってハイレベルになり、これにより当該ゲートラインGLに接続されたTFT61がオンする。そして、オンしたTFT61を介してドレインドライバ53から各ドレインラインDLに出力された電圧信号が、画素容量62に書き込まれる。   The potential of the gate line GL selected by the gate driver 52 becomes a high level in accordance with the output signal, whereby the TFT 61 connected to the gate line GL is turned on. Then, a voltage signal output from the drain driver 53 to each drain line DL via the turned-on TFT 61 is written to the pixel capacitor 62.

そして、画素容量62に書き込まれた電圧信号によって液晶の配向状態が変化し、その画素における透過光量が変化する。こうした選択動作を1番目からn番目のゲートラインGLについて順次行い、表示データdataに対応する電圧信号の各ドレインラインDLへの出力によって、各画素容量62に電圧信号を書き込んでいくことで、VRAM領域に展開された画像データ、すなわちCCD撮像装置20で撮影している画像または画像メモリ26から選択した画像が表示部10に表示されることとなる。   Then, the alignment state of the liquid crystal changes according to the voltage signal written in the pixel capacitor 62, and the amount of transmitted light in the pixel changes. Such a selection operation is sequentially performed for the first to nth gate lines GL, and a voltage signal is written to each pixel capacitor 62 by outputting a voltage signal corresponding to the display data data to each drain line DL. The image data developed in the area, that is, the image captured by the CCD imaging device 20 or the image selected from the image memory 26 is displayed on the display unit 10.

以上説明したように、この実施の形態において、ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタは、各段のTFT1のゲート電圧がドレイン及びソース電圧に対して相対的に正となっている期間が短い。TFTはその特性上、ゲート電圧がドレイン及びソース電圧に対して相対的にプラスになると、その閾値特性がプラスよりにシフトし易いが、ゲート電圧がドレイン及びソース電圧に対して相対的にマイナスになっても、その閾値特性がマイナスにシフトすることはあまりない。   As described above, in this embodiment, the shift register constituting the gate driver 52 has a short period in which the gate voltage of the TFT 1 in each stage is relatively positive with respect to the drain and source voltages. Due to its characteristics, when the gate voltage becomes relatively positive with respect to the drain and source voltages, the threshold characteristic tends to shift more than positive, but the gate voltage becomes relatively negative with respect to the drain and source voltages. Even so, the threshold characteristic does not shift to minus.

言い換えれば、この実施の形態のシフトレジスタは、長期間使用していても従来例のシフトレジスタに比べてTFT1の特性が変化しにくいので、TFT1が本来的にオンすべきタイミングでオンせずにノードA1〜Anに電荷を蓄積できなくなるという場合が生じにくい。このため、長期間安定して動作し、耐久性の高いものとなる。   In other words, even if the shift register of this embodiment is used for a long period of time, the characteristics of the TFT 1 are less likely to change compared to the shift register of the conventional example. It is difficult to cause a case where charges cannot be accumulated in the nodes A1 to An. For this reason, it operates stably for a long time and becomes highly durable.

また、このシフトレジスタをゲートドライバ52として適用した表示部10の故障は当然のこととして少なくなり、これを含むデジタルスチルカメラの耐久性も高いものとなる。   Further, the failure of the display unit 10 to which this shift register is applied as the gate driver 52 is naturally reduced, and the durability of the digital still camera including the failure is also high.

この実施の形態において、表示部10を構成する液晶表示装置に適用されたゲートドライバ52は、図4に示す構成を有し、液晶コントローラ50から出力される制御信号により、図5に示すタイミングチャートに従って動作するシフトレジスタによって構成されるものとしていた。しかしながら、上記のゲートドライバ52として適用可能なシフトレジスタは、これに限られるものではない。   In this embodiment, the gate driver 52 applied to the liquid crystal display device constituting the display unit 10 has the configuration shown in FIG. 4, and the timing chart shown in FIG. 5 according to the control signal output from the liquid crystal controller 50. It is assumed that it is constituted by a shift register that operates according to However, the shift register applicable as the gate driver 52 is not limited to this.

図6は、ゲートドライバ52として適用可能な他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図4に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、TFT1のドレインには、奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)においてクロック信号CK1が、偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)においてクロック信号CK2が、それぞれ供給されている。クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst及び終了信号Dendは、ともにハイレベル電圧が電源電圧Vddに等しく、ローレベル電圧が基準電圧Vssに等しい。   FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52. The difference from the shift register shown in FIG. 4 will be described. The clock signal CK1 in the odd-numbered stages RS (1), RS (3),. The clock signal CK2 is supplied to each of the stages RS (2), RS (4),..., RS (n). The clock signals CK1, CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend all have a high level voltage equal to the power supply voltage Vdd and a low level voltage equal to the reference voltage Vss.

次に、図6のシフトレジスタの動作について、図4のシフトレジスタと異なる点を図7のタイミングチャートを参照して説明する。タイミングT0〜T1の期間において、スタート信号Dstがハイレベルになり、1番目の段RS(1)のTFT1がオンしたときは、このTFT1のドレインに供給されるクロック信号CK2がハイレベルになり、ノードA1に電荷が蓄積される。   Next, the operation of the shift register of FIG. 6 will be described with reference to the timing chart of FIG. When the start signal Dst becomes high level and the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on during the period of timing T0 to T1, the clock signal CK2 supplied to the drain of the TFT1 becomes high level. Charge is accumulated in the node A1.

タイミングT1〜T2の期間において、1番目の段RS(1)の出力信号OUT1がハイレベルになり、2番目の段RS(2)のTFT1がオンしたときは、このTFT1のドレインに供給されるクロック信号CK1がハイレベルになり、ノードA2に電荷が蓄積される。以下同様にして、タイミングTn−1〜Tnの期間において、n−1番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1がハイレベルになり、n番目の段RS(n)のTFT1がオンしたときは、このTFT1のドレインに供給されるクロック信号CK2がハイレベルになり、ノードAnに電荷が蓄積される。   When the output signal OUT1 of the first stage RS (1) becomes high level and the TFT1 of the second stage RS (2) is turned on during the period from the timing T1 to T2, it is supplied to the drain of the TFT1. The clock signal CK1 becomes high level and charges are accumulated in the node A2. Similarly, during the period from timing Tn-1 to Tn, the output signal OUTn-1 of the (n-1) th stage RS (n-1) becomes high level, and the TFT1 of the nth stage RS (n) When turned on, the clock signal CK2 supplied to the drain of the TFT1 becomes high level, and charges are accumulated at the node An.

このシフトレジスタにおいて、図7の下三段に示すように、3番目の段RS(3)を例としてTFT1のゲート、ドレイン及びソースの電位レベルの変化を説明すると、タイミングT2〜T3の期間で2番目の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルになっているときだけ、ハイレベル(ほぼVdd)となる。ドレイン電圧は、クロック信号CK2がハイレベルとなっているときだけハイレベル(ほぼVdd)となる。ソース電圧は、タイミングT2でノードA3に電荷が蓄積されると、Vddよりもその閾値電圧だけ低い電圧レベルとなり、タイミングT3〜T4の期間でクロック信号CK1がハイレベルになっている間、電源電圧Vddの2倍程度レベルになる。   In this shift register, as shown in the lower three stages of FIG. 7, the change in the potential level of the gate, drain, and source of the TFT 1 will be described by taking the third stage RS (3) as an example. Only when the output signal OUT2 of the second stage RS (2) is at a high level, it is at a high level (approximately Vdd). The drain voltage is at a high level (approximately Vdd) only when the clock signal CK2 is at a high level. When the electric charge is accumulated in the node A3 at the timing T2, the source voltage becomes a voltage level lower than the threshold voltage by Vdd, and the power supply voltage is maintained while the clock signal CK1 is at the high level in the period from the timing T3 to T4. It is about twice the level of Vdd.

ここでTFT1のドレイン電圧がゲート電圧より高い期間が十分長いと、ゲートしきい値電圧が負側にシフトしてしまい、オフ時のリーク電流でノードAの電位が上昇し誤作動を引き起こす恐れがあるが、このシフトレジスタでは、TFT1のドレイン電圧がハイレベルとなっている期間が図4に示したシフトレジスタよりも短くなる。つまり、TFT1のゲート−ドレイン間及びソース−ドレイン間の電位差が生じる期間が短い。このため、TFT1にかかる電圧ストレスが図4に示したシフトレジスタよりも小さく、リーク電流も小さく、TFT1の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用によっても故障しにくいものとなる。   Here, if the period during which the drain voltage of the TFT 1 is higher than the gate voltage is sufficiently long, the gate threshold voltage shifts to the negative side, and the potential at the node A may increase due to the leakage current at the time of OFF, causing malfunction. However, in this shift register, the period during which the drain voltage of the TFT 1 is at a high level is shorter than that in the shift register shown in FIG. That is, the period in which the potential difference between the gate and drain and the source and drain of the TFT 1 occurs is short. For this reason, the voltage stress applied to the TFT 1 is smaller than that of the shift register shown in FIG. 4, the leakage current is also small, and the element characteristics of the TFT 1 are not easily deteriorated.

図8は、ゲートドライバ52として適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図4に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、電圧信号V1が供給されている。電圧信号V1のハイレベルは、電源電圧Vddのレベルよりも低いが、ノードA1〜Anに、TFT2及びTFT5をオンするのに十分なだけの電荷を蓄積させることができる程度のレベルである。一方、ローレベルは、基準電圧Vssと同じである。クロック信号CK1、CK2、スタート信号Dst及び終了信号Dendは、ともにハイレベル電圧が電源電圧Vddに等しく、ローレベル電圧が基準電圧Vssに等しい。   FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 52. The difference from the shift register shown in FIG. 4 will be described. The voltage signal V1 is supplied. The high level of the voltage signal V1 is lower than the level of the power supply voltage Vdd, but is a level that can accumulate enough charges to turn on the TFTs 2 and 5 in the nodes A1 to An. On the other hand, the low level is the same as the reference voltage Vss. The clock signals CK1, CK2, the start signal Dst, and the end signal Dend all have a high level voltage equal to the power supply voltage Vdd and a low level voltage equal to the reference voltage Vss.

次に、図8のシフトレジスタの動作について、図4のシフトレジスタと異なる点を図9のタイミングチャートを参照して説明する。このタイミングチャートに従った動作では、電圧信号V1は、常時ハイレベルに維持されている。   Next, the operation of the shift register of FIG. 8 will be described with reference to the timing chart of FIG. In the operation according to this timing chart, the voltage signal V1 is constantly maintained at a high level.

タイミングT0〜T1の期間において、スタート信号Dstがハイレベルになり、1番目の段RS(1)のTFT1がオンしたときは、電圧信号V1がこのTFT1のドレインからソースに出力されて、ノードA1に電荷が蓄積される。このとき、ノードA1の電位は電源電圧Vddよりも低い電圧信号V1よりもさらにTFT1の閾値電圧だけ低いが、TFT2及びTFT5の閾値電圧よりは高くなる。これにより、1番目の段RS(1)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。そして、タイミングT1においてクロック信号CK1が立ち上がると、出力信号OUT1のレベルがハイレベルになる。   When the start signal Dst becomes high level and the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on during the period from the timing T0 to T1, the voltage signal V1 is output from the drain to the source of the TFT1, and the node A1 The charge is accumulated in the. At this time, the potential of the node A1 is lower than the voltage signal V1 lower than the power supply voltage Vdd by the threshold voltage of the TFT1, but is higher than the threshold voltages of the TFT2 and TFT5. As a result, the TFT2 and the TFT5 in the first stage RS (1) are turned on, and the TFT3 is turned off. Then, when the clock signal CK1 rises at the timing T1, the level of the output signal OUT1 becomes a high level.

以下同様にして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、n−1番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1がハイレベルになり、n番目の段RS(n)のTFT1がオンする。これにより、ノードAnに電圧信号V1よりもさらにTFT1の閾値電圧だけ低い電位となるだけの電荷が蓄積され、n番目の段RS(n)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。そして、タイミングTnにおいてクロック信号CK2が立ち上がると、出力信号OUTnのレベルがハイレベルになる。   Similarly, during the period from timing Tn−1 to Tn, the output signal OUTn−1 of the (n−1) th stage RS (n−1) becomes high level, and the TFT1 of the nth stage RS (n) Turn on. As a result, electric charges that are lower than the voltage signal V1 by the threshold voltage of the TFT 1 are accumulated at the node An, the TFTs 2 and 5 of the nth stage RS (n) are turned on, and the TFT 3 is turned off. Then, when the clock signal CK2 rises at the timing Tn, the level of the output signal OUTn becomes a high level.

このシフトレジスタにおいて、1つのTFT1のゲート、ドレイン及びソースの電位がどのように変化するかについて、図9の下三段を参照し、3番目の段RS(3)のTFT1を例として説明する。図示するように、TFT1のゲート電圧は、タイミングT2〜T3の期間で2番目の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルになっているときだけ、ほぼ電源電圧Vddに等しいレベルとなる。   In this shift register, how the potential of the gate, drain, and source of one TFT 1 changes will be described with reference to the lower three stages of FIG. 9, taking the TFT 1 of the third stage RS (3) as an example. . As shown in the figure, the gate voltage of the TFT1 is at a level substantially equal to the power supply voltage Vdd only when the output signal OUT2 of the second stage RS (2) is at the high level during the period of timing T2 to T3.

TFT1のドレイン電圧は、電圧信号V1のレベル、すなわち電源電圧Vddよりも若干低いレベルに維持されている。TFT1のソース電圧は、タイミングT2でノードA3に電荷が蓄積されると、電圧信号V1よりもその閾値電圧だけ低い電圧レベルとなり、タイミングT3〜T4の期間でクロック信号CK1がハイレベルになっているときに、これよりもほぼ電源電圧Vddだけ高いレベルになる。   The drain voltage of the TFT 1 is maintained at a level slightly lower than the level of the voltage signal V1, that is, the power supply voltage Vdd. When charge is accumulated in the node A3 at the timing T2, the source voltage of the TFT1 becomes a voltage level lower by the threshold voltage than the voltage signal V1, and the clock signal CK1 is at the high level during the period from the timing T3 to T4. Sometimes, it becomes a level higher than this by the power supply voltage Vdd.

つまり、このときのTFT1のソース電圧は、電源電圧Vddよりは若干高くなるものの、電源電圧Vddの2倍の電圧よりは十分に低いレベルとなっている。したがってTFT1では、ゲートがオフレベル時のゲート−ドレイン間の電位差がより小さくなり、ソース電圧が最大時のゲート−ソース間の電位差が小さくなる。同様に、TFT2のゲート電圧、TFT5のゲート電圧及びTFT6のドレイン電圧も、図4のシフトレジスタの場合ほど大きくならない。このため、TFT1、2、5、6に大きな電圧ストレスがかかることがなく、図4のシフトレジスタに比べてTFT1、2、5、6の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用によっても故障しにくいものとなる。   That is, the source voltage of the TFT 1 at this time is slightly higher than the power supply voltage Vdd, but is sufficiently lower than a voltage twice as high as the power supply voltage Vdd. Therefore, in the TFT 1, the potential difference between the gate and the drain when the gate is off is smaller, and the potential difference between the gate and the source when the source voltage is maximum is smaller. Similarly, the gate voltage of the TFT 2, the gate voltage of the TFT 5, and the drain voltage of the TFT 6 are not increased as in the case of the shift register of FIG. Therefore, a large voltage stress is not applied to the TFTs 1, 2, 5, and 6, and the element characteristics of the TFTs 1, 2, 5, and 6 are less likely to deteriorate compared to the shift register of FIG. 4. It becomes difficult to break down.

図8のシフトレジスタは、また、図10のタイミングチャートに従って動作することもできる。このタイミングチャートに従った動作では、電圧信号V1は、クロック信号CK1またはCK2のいずれかがハイレベルとなっている期間だけ、ハイレベルに変化する。このタイミングチャートに従った動作について、図9のタイミングチャートに従った動作との違いを説明する。   The shift register of FIG. 8 can also operate according to the timing chart of FIG. In the operation according to this timing chart, the voltage signal V1 changes to a high level only during a period in which either the clock signal CK1 or CK2 is at a high level. The difference between the operation according to the timing chart and the operation according to the timing chart of FIG. 9 will be described.

タイミングT0〜T1の期間でスタート信号Dstがハイレベルになっているときだけ、電圧信号V1がハイレベルとなってノードA1に電荷が蓄積される。タイミングT1〜T2の期間で出力信号OUT1がハイレベルになっているときだけ、電圧信号V1がハイレベルとなってノードA2に電荷が蓄積される。以下同様にして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、出力信号OUTn−1がハイレベルになっているときだけ、電圧信号V1がハイレベルとなってノードAnに電荷が蓄積される。   Only when the start signal Dst is at the high level during the period from the timing T0 to T1, the voltage signal V1 is at the high level and charges are accumulated in the node A1. Only when the output signal OUT1 is at the high level during the period from the timing T1 to T2, the voltage signal V1 is at the high level, and charges are accumulated in the node A2. Similarly, during the period from timing Tn-1 to Tn, the voltage signal V1 becomes high level and charges are accumulated in the node An only when the output signal OUTn-1 is high level.

この動作による場合、図10の下三段に3番目の段RS(1)を例として示すように、TFT1のゲート−ドレイン間及び、ソース−ドレイン間に電位差が生じる時間が、図9の動作による場合よりも短く、TFT1にかかる電圧ストレスが小さい。このため、図9の動作による場合よりもTFT1の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用によっても故障しにくいものとなる。   In the case of this operation, as shown by taking the third stage RS (1) in the lower three stages of FIG. 10 as an example, the time during which a potential difference is generated between the gate and drain of the TFT 1 and between the source and drain is shown in FIG. And the voltage stress applied to the TFT 1 is small. For this reason, the element characteristics of the TFT 1 are less likely to deteriorate than in the case of the operation of FIG.

図11は、ゲートドライバ52として適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図6に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、TFT1のドレインには、奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)においてクロック信号CK1’が、偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)においてクロック信号CK2’が、それぞれ供給されている。クロック信号CK1’及びCK2’のハイレベルは、電源電圧Vddのレベルよりも低いが、ノードA1〜Anに、TFT2及びTFT5をオンするのに十分なだけの電荷を蓄積させることができる程度のレベルである。   FIG. 11 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 52. The difference from the shift register shown in FIG. 6 will be described. The clock signal CK1 ′ in the odd-numbered stages RS (1), RS (3),. , RS (n) are supplied with a clock signal CK2 ′. The high level of the clock signals CK1 ′ and CK2 ′ is lower than the level of the power supply voltage Vdd, but is a level that can store charges enough to turn on the TFT2 and TFT5 in the nodes A1 to An. It is.

次に、図11のシフトレジスタの動作について、図6に示すシフトレジスタとの違いを図12のタイミングチャートを参照して説明する。タイミングT0〜T1においてスタート信号Dstがハイレベルになったときは、クロック信号CK2’がハイレベルとなって、ノードA1に電荷が蓄積される。タイミングT1〜T2において出力信号OUT1がハイレベルになったときは、クロック信号CK1’がハイレベルとなって、ノードA2に電荷が蓄積される。以下同様にして、タイミングTn−1〜Tnにおいて出力信号OUTn−1がハイレベルになったときは、クロック信号CK1’がハイレベルとなって、ノードAnに電荷が蓄積される。   Next, the operation of the shift register in FIG. 11 will be described with reference to the timing chart in FIG. When the start signal Dst becomes high level at timings T0 to T1, the clock signal CK2 'becomes high level, and charges are accumulated in the node A1. When the output signal OUT1 becomes high level at the timing T1 to T2, the clock signal CK1 'becomes high level, and charges are accumulated in the node A2. Similarly, when the output signal OUTn-1 becomes high level at timings Tn-1 to Tn, the clock signal CK1 'becomes high level, and charges are accumulated in the node An.

図12の下三段に3番目の段RS(3)のTFT1を例として示すように、各TFT1のソース電圧は、最大レベルとなったときでも、電源電圧Vddよりは若干高くなるものの、電源電圧Vddの2倍の電圧よりは十分に低いレベルとなっている。同様に、TFT2のゲート電圧、TFT5のゲート電圧及びTFT6のドレイン電圧も、図6のシフトレジスタの場合ほど大きくならない。このため、TFT1、2、5、6に大きな電圧ストレスがかかることがない。さらに、図8のシフトレジスタに比べて、TFT1のゲート−ドレイン間及びソース−ドレイン間に電位差が生じている期間が短い。図6、図8のシフトレジスタに比べてTFT1、2、5、6の素子特性が劣化しにくいので、長期間の使用によっても故障しにくいものとなる。   As shown in the lower three stages of FIG. 12 as an example of the third stage RS (3) TFT1, the source voltage of each TFT1 is slightly higher than the power supply voltage Vdd even at the maximum level. The voltage level is sufficiently lower than twice the voltage Vdd. Similarly, the gate voltage of the TFT 2, the gate voltage of the TFT 5, and the drain voltage of the TFT 6 are not increased as in the case of the shift register of FIG. For this reason, a large voltage stress is not applied to the TFTs 1, 2, 5, and 6. Further, as compared with the shift register of FIG. 8, the period in which the potential difference is generated between the gate and drain and the source and drain of the TFT 1 is short. Compared with the shift register of FIG. 6 and FIG. 8, the device characteristics of the TFTs 1, 2, 5, and 6 are less likely to be deteriorated.

[第2の実施の形態]
この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラは、第1の実施の形態に示したものとほぼ同じであるが、図2に点線で示す角度センサ40を有している点が異なる。また、表示部10のゲートドライバ52として適用されるシフトレジスタが第1の実施の形態のものと異なり、順方向と逆方向との双方向に出力信号をシフトできるものを用いている。また、これに合わせて、液晶コントローラ50から制御信号群Gcntとして出力される信号も若干異なる。
[Second Embodiment]
The digital still camera according to this embodiment is substantially the same as that shown in the first embodiment, except that it has an angle sensor 40 indicated by a dotted line in FIG. Further, unlike the first embodiment, the shift register applied as the gate driver 52 of the display unit 10 is one that can shift the output signal in both the forward direction and the reverse direction. In accordance with this, the signals output from the liquid crystal controller 50 as the control signal group Gcnt are also slightly different.

角度センサ40は、レンズユニット部02のカメラ本体部01に対する角度を検出する。角度センサ40の検出信号は、CPU22に入力され、CPU22は、この検出信号に従って、表示走査方向(ゲートドライバ52として適用されるシフトレジスタのシフト動作方向)を順方向とするか逆方向とするかを示す制御信号を表示部10に送る。   The angle sensor 40 detects an angle of the lens unit unit 02 with respect to the camera body unit 01. The detection signal of the angle sensor 40 is input to the CPU 22, and the CPU 22 determines whether the display scanning direction (the shift operation direction of the shift register applied as the gate driver 52) is the forward direction or the reverse direction according to the detection signal. Is sent to the display unit 10.

図13は、この実施の形態において、ゲートドライバ52として適用されるシフトレジスタの回路構成を示す図である。このシフトレジスタも、液晶表示素子51のゲートラインGLの数と同じn個の段RS(1)〜RS(n)から構成され、段RS(1)〜RS(n)のそれぞれは、図4に示したシフトレジスタと同様に、6つのTFT1〜6から構成されている。ここでも、TFT1〜6は、いずれもnチャネル型の電界効果トランジスタである。   FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register applied as the gate driver 52 in this embodiment. This shift register is also composed of n stages RS (1) to RS (n) that are the same as the number of gate lines GL of the liquid crystal display element 51. Each of the stages RS (1) to RS (n) is shown in FIG. Similarly to the shift register shown in FIG. 4, the TFT is composed of six TFTs 1 to 6. Again, the TFTs 1 to 6 are all n-channel field effect transistors.

図13に示すシフトレジスタについて、図4に示すものと異なる部分を説明すると、各段RS(1)〜RS(n)のTFT1のドレインには、電源電圧Vddの代わりに電圧信号V1が供給される。各段RS(1)〜RS(n)のTFT6のソースには、基準電圧Vssの代わりに電圧信号V2が供給される。   The difference between the shift register shown in FIG. 13 and that shown in FIG. 4 will be described. The voltage signal V1 is supplied to the drain of the TFT 1 in each stage RS (1) to RS (n) instead of the power supply voltage Vdd. The Instead of the reference voltage Vss, the voltage signal V2 is supplied to the source of the TFT 6 of each stage RS (1) to RS (n).

1番目の段RS(1)のTFT1のゲートには、スタート信号Dstの代わりに制御信号D1が供給される。n番目の段RS(n)のTFT6のゲートには、終了信号Dendの代わりに制御信号D2が供給される。電圧信号V1、V2は、順方向動作時と逆方向動作時とでレベルが異なり、また、制御信号D1、D2は、順方向動作時と逆方向動作時とでハイレベルとなるタイミングが異なる。   A control signal D1 is supplied to the gate of the TFT1 in the first stage RS (1) instead of the start signal Dst. A control signal D2 is supplied to the gate of the TFT 6 in the n-th stage RS (n) instead of the end signal Dend. The voltage signals V1 and V2 have different levels between the forward operation and the reverse operation, and the control signals D1 and D2 have different high timings between the forward operation and the reverse operation.

以下、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラの動作について、説明する。まず、上記のゲートドライバ52を構成するシフトレジスタの動作について、順方向シフトさせる場合と逆方向シフトさせる場合とに分け、図14、図15のタイミングチャートを参照して説明する。   The operation of the digital still camera according to this embodiment will be described below. First, the operation of the shift register that constitutes the gate driver 52 will be described with reference to timing charts of FIGS.

なお、これらのタイミングチャートにおいて、クロック信号CK1、CK2、電圧信号V1、V2、制御信号D1、D2のハイレベルは、いずれも電源電圧Vddに等しい。一方、これらの信号のローレベルは、いずれも基準電圧Vssに等しい。1Tの期間は、表示部10における1水平期間となる。   In these timing charts, the high levels of the clock signals CK1 and CK2, the voltage signals V1 and V2, and the control signals D1 and D2 are all equal to the power supply voltage Vdd. On the other hand, the low level of these signals is equal to the reference voltage Vss. The 1T period is one horizontal period in the display unit 10.

また、これらのタイミングチャートに従ってシフト動作を開始する前(T0より前)は、出力信号OUT1〜OUTnはいずれもローレベルとなっている。また、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノードA1〜Anに電荷が蓄積されておらず、TFT2及びTFT5はオン、TFT3はオフの状態になっている。   Further, before starting the shift operation according to these timing charts (before T0), the output signals OUT1 to OUTn are all at the low level. In any of the stages RS (1) to RS (n), no charges are accumulated in the nodes A1 to An, and the TFT2 and the TFT5 are on and the TFT3 is off.

図14は、順方向シフトさせる場合の動作を示すタイミングチャートである。この場合、電圧信号V1のレベルは、電源電圧Vddに等しいハイレベルに維持され、電圧信号V2のレベルは、基準電圧Vssに等しいローレベルに維持される。また、制御信号D1は、タイミングT0からT1の間の一定期間だけハイレベルになる。制御信号D2は、タイミングTnからタイミングTn+1の一定期間だけハイレベルになる。   FIG. 14 is a timing chart showing the operation when shifting in the forward direction. In this case, the level of the voltage signal V1 is maintained at a high level equal to the power supply voltage Vdd, and the level of the voltage signal V2 is maintained at a low level equal to the reference voltage Vss. Further, the control signal D1 becomes high level only for a certain period between timings T0 and T1. The control signal D2 is at a high level for a certain period from timing Tn to timing Tn + 1.

すなわち、第1の実施の形態において、制御信号D1をスタート信号Dstに、制御信号D2を終了信号Dendに置き換えれば、図5のタイミングチャートを用いて説明したシフトレジスタの動作と同じになる。従って、1Tの期間内の一定期間ずつ、出力信号OUT1〜OUTnが順にハイレベルになってシフトしていく。   In other words, in the first embodiment, if the control signal D1 is replaced with the start signal Dst and the control signal D2 is replaced with the end signal Dend, the operation of the shift register described with reference to the timing chart of FIG. 5 is the same. Therefore, the output signals OUT1 to OUTn are sequentially shifted to the high level and shifted in a certain period within the 1T period.

一方、図15は、逆方向シフトさせる場合の動作を示すタイミングチャートである。この場合、電圧信号V1のレベルは、基準電圧Vssに等しいローレベルに維持され、電圧信号V2のレベルは、基準電圧Vddに等しいハイレベルに維持される。また、制御信号D2は、タイミングT0からT1の間の一定期間だけハイレベルになる。制御信号D1は、タイミングTnからタイミングTn+1の一定期間だけハイレベルになる。   On the other hand, FIG. 15 is a timing chart showing the operation when shifting in the reverse direction. In this case, the level of the voltage signal V1 is maintained at a low level equal to the reference voltage Vss, and the level of the voltage signal V2 is maintained at a high level equal to the reference voltage Vdd. Further, the control signal D2 becomes high level only for a certain period between timings T0 and T1. The control signal D1 is at a high level for a certain period from timing Tn to timing Tn + 1.

タイミングT0〜T1の間、制御信号D2がハイレベルになると、n番目の段RS(n)のTFT6がオンし、ハイレベルの電圧信号V2がTFT6のソースからドレインに出力される。これにより、n番目の段RS(n)のノードAnに電荷が蓄積され、TFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。この期間は、n番目の段RS(n)のTFT2はオンするが、クロック信号CK2はローレベルであるため、出力信号OUT2のレベルはローレベルのままである。   When the control signal D2 becomes high level between timings T0 and T1, the TFT 6 of the nth stage RS (n) is turned on, and the high level voltage signal V2 is output from the source to the drain of the TFT6. As a result, charges are accumulated in the node An of the nth stage RS (n), the TFT2 and TFT5 are turned on, and the TFT3 is turned off. During this period, the TFT2 of the nth stage RS (n) is turned on, but the level of the output signal OUT2 remains low because the clock signal CK2 is at low level.

次に、タイミングT1において、クロック信号CK2がハイレベルに変化すると、これがn番目の段RS(n)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUTnのレベルがハイレベルに変化する。この後、タイミングT2までの間でクロック信号CK2が立ち下がると、出力信号OUTnはローレベルになる。   Next, when the clock signal CK2 changes to high level at the timing T1, it is output from the drain of the TFT 2 of the nth stage RS (n) to the source, and the level of the output signal OUTn changes to high level. Thereafter, when the clock signal CK2 falls until the timing T2, the output signal OUTn becomes low level.

また、タイミングT1〜T2の期間では、ハイレベルとなったn番目の段RS(n)の出力信号OUTnにより、n−1番目の段RS(n−1)のTFT6がオンする。これにより、n−1番目の段RS(n−1)のTFT6のドレインからハイレベルの電圧信号V2が出力されることで、ノードAn−1の電位がハイレベルになり、n−1番目の段RS(n−1)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   In the period from the timing T1 to the timing T2, the TFT 6 of the (n−1) th stage RS (n−1) is turned on by the output signal OUTn of the nth stage RS (n) that has become high level. As a result, the high level voltage signal V2 is output from the drain of the TFT 6 of the (n−1) th stage RS (n−1), so that the potential of the node An−1 becomes high level, and the (n−1) th stage. The TFTs 2 and 5 in the stage RS (n−1) are turned on, and the TFT 3 is turned off.

次に、タイミングT2において、クロック信号CK1がハイレベルに変化すると、これがn−1番目の段RS(n−1)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUTn−1のレベルがハイレベルに変化する。これにより、今度はn番目の段RS(n)のTFT1がオンし、ノードAnに蓄積された電荷が放出され、n番目の段RS(n)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3がオンする。この後、タイミングT3までの間でクロック信号CK1が立ち下がると、出力信号OUTn−1はローレベルになる。   Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T2, this is output from the drain of the TFT2 of the (n-1) th stage RS (n-1) to the source, and the level of the output signal OUTn-1 is high. Change to level. As a result, the TFT 1 of the nth stage RS (n) is turned on this time, the charge accumulated in the node An is released, the TFT2 and TFT5 of the nth stage RS (n) are turned off, and the TFT3 is turned on. . Thereafter, when the clock signal CK1 falls until the timing T3, the output signal OUTn-1 becomes a low level.

また、タイミングT1〜T2の期間では、ハイレベルとなったn−1番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1により、n−2番目の段RS(n−2)のTFT6がオンする。これにより、n−2番目の段RS(n−2)のTFT6のドレインからハイレベルの電圧信号V2が出力されることで、ノードAn−2の電位がハイレベルになり、n−2番目の段RS(n−2)のTFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   Further, during the period from the timing T1 to the timing T2, the output signal OUTn-1 of the (n-1) th stage RS (n-1) that has become high level causes the TFT 6 of the (n-2) th stage RS (n-2) to be turned on. Turn on. As a result, a high level voltage signal V2 is output from the drain of the TFT 6 of the (n−2) th stage RS (n−2), so that the potential of the node An−2 becomes a high level, and the (n−2) th stage. The TFTs 2 and 5 in the stage RS (n-2) are turned on, and the TFT 3 is turned off.

以下、n−2番目以前の段RS(n−2),RS(n−3),…が、前の段の方向に向かって1Tの期間ずつ上記と同様の動作を繰り返していくことによって、出力信号OUTn−2,OUTn−3,…が1Tの期間内の所定期間ずつハイレベルに変化していく。そして、タイミングTn−1〜Tnの期間では、ハイレベルとなった2番目の段RS(2)の出力信号OUT2により、1番目の段RS(1)のTFT6がオンする。これにより、1番目の段RS(1)のノードA1に電荷が蓄積され、TFT2及びTFT5がオンし、TFT3がオフする。   In the following, by repeating the same operation as above for each stage of 1T in the direction of the previous stage, the (n−2) th stage RS (n−2), RS (n−3),. The output signals OUTn-2, OUTn-3,... Change to the high level every predetermined period within the 1T period. Then, in the period of timing Tn−1 to Tn, the TFT 6 of the first stage RS (1) is turned on by the output signal OUT2 of the second stage RS (2) that has become high level. As a result, charges are accumulated in the node A1 of the first stage RS (1), the TFT2 and TFT5 are turned on, and the TFT3 is turned off.

次に、タイミングTnにおいて、クロック信号CK1がハイレベルに変化すると、これが1番目の段RS(1)のTFT2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUT1のレベルがハイレベルに変化する。この後、タイミングTn+1までの間でクロック信号CK1が立ち下がると、出力信号OUT1はローレベルになる。   Next, when the clock signal CK1 changes to high level at the timing Tn, this is output from the drain of the TFT 2 of the first stage RS (1) to the source, and the level of the output signal OUT1 changes to high level. Thereafter, when the clock signal CK1 falls until timing Tn + 1, the output signal OUT1 becomes low level.

そして、タイミングTn+1になると、今度は制御信号D1のレベルがハイレベルに変化する。これにより、1番目の段RS(1)のTFT1がオンすることで、ノードA1に蓄積された電荷が放出され、2番目の段RS(2)のTFT2及びTFT5がオフし、TFT3がオンする。そして、制御信号D2がハイレベルに変化するまでの間、段RS(1)〜RS(n)のいずれにおいても、ノードA1〜Anに電荷は蓄積されておらず、TFT2及びTFT5はオン、TFT3はオフの状態が維持される。   Then, at timing Tn + 1, the level of the control signal D1 changes to a high level this time. As a result, when the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, the charge accumulated in the node A1 is released, the TFT2 and the TFT5 of the second stage RS (2) are turned off, and the TFT3 is turned on. . Until the control signal D2 changes to the high level, no charge is accumulated in the nodes A1 to An in any of the stages RS (1) to RS (n), the TFT2 and the TFT5 are on, the TFT3 Remains off.

次に、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラ全体の動作を説明するが、次の点を除いて第1の実施の形態のものと同じである。第1の実施の形態のものと異なる点について説明すると、角度センサ40は、レンズユニット部02のカメラ本体部01に対する角度を検出し、その検出信号をCPU22に入力する。すると、CPU22は、入力された検出信号に応じた制御信号を、表示部10に供給する。   Next, the operation of the entire digital still camera according to this embodiment will be described. The operation is the same as that of the first embodiment except for the following points. The difference from the first embodiment will be described. The angle sensor 40 detects the angle of the lens unit unit 02 with respect to the camera body unit 01 and inputs the detection signal to the CPU 22. Then, the CPU 22 supplies a control signal corresponding to the input detection signal to the display unit 10.

表示部10では、液晶コントローラ50が、レンズユニット部02の撮像レンズ02aが表示部10と反対側にあることを示す制御信号がCPU22から供給された場合には順方向シフトとなるように、ゲートドライバ52に制御信号群Gcntとして供給する制御信号D1、D2及び電圧信号V1、V2を切り替える。撮像レンズ02aが表示部10の側にあることを示す制御信号がCPU22から供給された場合には逆方向シフトとなるように、ゲートドライバ52に制御信号群Gcntとして供給する制御信号D1、D2及び電圧信号V1、V2を切り替える。   In the display unit 10, the liquid crystal controller 50 gates so as to shift forward when a control signal indicating that the imaging lens 02 a of the lens unit unit 02 is on the opposite side of the display unit 10 is supplied from the CPU 22. The control signals D1 and D2 and voltage signals V1 and V2 supplied to the driver 52 as the control signal group Gcnt are switched. When the control signal indicating that the imaging lens 02a is on the display unit 10 side is supplied from the CPU 22, the control signals D1 and D2 supplied to the gate driver 52 as the control signal group Gcnt so as to shift in the reverse direction. The voltage signals V1 and V2 are switched.

以下、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラで画像を撮影する際の動作、特にレンズユニット部02の向きと表示部10に表示される画像との関係について、具体例を示して説明する。ここでは、モード設定キー12aを撮影モードに設定しているものとし、角度センサ40の検出信号に従って、CPU22は、液晶表示素子51の走査方向(ゲートドライバ52を構成するシフトレジスタのシフト方向)を変えるための制御信号を表示部10に送っているものとする。   Hereinafter, the operation when taking an image with the digital still camera according to this embodiment, in particular, the relationship between the orientation of the lens unit unit 02 and the image displayed on the display unit 10 will be described with a specific example. Here, it is assumed that the mode setting key 12a is set to the photographing mode, and the CPU 22 changes the scanning direction of the liquid crystal display element 51 (the shift direction of the shift register constituting the gate driver 52) according to the detection signal of the angle sensor 40. It is assumed that a control signal for changing is sent to the display unit 10.

まず、図16(a)に示すように、撮影者から見て正面側にある物体の画像を撮影する場合のデジタルスチルカメラの動作について説明する。この場合、撮影者は、レンズユニット部02の撮像レンズ02aをカメラ本体部01の表示部10と同じ側に来るように、すなわち、レンズユニット部02をカメラ本体部01に対してほぼ0°の位置に来るように回動させて、画像の撮影を行う。このとき、ゲートドライバ52による液晶表示素子51の走査方向は順方向となる。   First, as shown in FIG. 16A, the operation of the digital still camera when shooting an image of an object on the front side as viewed from the photographer will be described. In this case, the photographer places the imaging lens 02a of the lens unit unit 02 on the same side as the display unit 10 of the camera body unit 01, that is, the lens unit unit 02 is substantially 0 ° with respect to the camera body unit 01. The image is taken by rotating it so that it is in position. At this time, the scanning direction of the liquid crystal display element 51 by the gate driver 52 is the forward direction.

この状態では、図16(a)に示すように、液晶表示素子51の画素P(1,1)〜P(n,m)の配置は、液晶表示素子51の本来の上下左右の方向と一致している。また、レンズユニット部02の上下左右方向が画像の本来の上下左右方向と一致する。このとき、撮像レンズ02aによって結像された画像に応じて、図16(a)の左から右に水平走査され、上から下に垂直走査されることで、CCD撮像装置20の各画素から電気信号が出力され、対応する画像データがRAM24のVRAM領域に展開される。   In this state, as shown in FIG. 16A, the arrangement of the pixels P (1, 1) to P (n, m) of the liquid crystal display element 51 is the same as the original vertical and horizontal directions of the liquid crystal display element 51. I'm doing it. Further, the up / down / left / right direction of the lens unit portion 02 matches the original up / down / left / right direction of the image. At this time, according to the image formed by the imaging lens 02a, horizontal scanning is performed from left to right in FIG. 16A, and vertical scanning is performed from top to bottom. A signal is output, and the corresponding image data is developed in the VRAM area of the RAM 24.

一方、表示部10においては、図16(b)に示す水平方向の矢印の方向に従って、展開された画像データが取り込まれ、1水平期間内で液晶表示素子51の1番目からm番目のドレインラインDLに出力される。また、ゲートドライバ52は、液晶表示素子51の1番目からn番目の順(図16(b)では上から下の順)でゲートラインGLを順次選択していく。   On the other hand, the display unit 10 takes in the developed image data in accordance with the direction of the horizontal arrow shown in FIG. 16B, and the first to mth drain lines of the liquid crystal display element 51 within one horizontal period. Output to DL. Further, the gate driver 52 sequentially selects the gate lines GL in the first to nth order of the liquid crystal display element 51 (from top to bottom in FIG. 16B).

これにより、CCD撮像装置20において本来的に上にある画素から出力された信号に対応する画像データが液晶表示素子51の本来的な上の画素(図16(b)の上側)に、CCD撮像装置20において本来的に左にある画素から出力された信号に対応する画像データが液晶表示素子51の本来的な左の画素(図16(b)の左側)に表示されることとなり、図16(b)に示すように、撮影した画像と同一方向の画像が表示される。   As a result, the image data corresponding to the signal output from the pixel that is originally above in the CCD image pickup device 20 is captured on the pixel that is essentially above the liquid crystal display element 51 (upper side of FIG. 16B). In the device 20, image data corresponding to the signal output from the pixel originally on the left is displayed on the original left pixel (left side of FIG. 16B) of the liquid crystal display element 51. As shown in (b), an image in the same direction as the photographed image is displayed.

次に、図17(a)に示すように、例えば撮影者自体が被写体になるような、被写体が表示部10側にある時に画像を撮影する場合のデジタルスチルカメラの動作について説明する。この場合、撮影者は、レンズユニット部02の撮像レンズ02aをカメラ本体部01の表示部10の反対側に来るように、すなわち、レンズユニット部02をカメラ本体部01に対してほぼ180°の位置に来るように回動させて、画像の撮影を行う。このとき、ゲートドライバ52による液晶表示素子51の走査方向は逆方向となる。   Next, as shown in FIG. 17A, the operation of the digital still camera when an image is taken when the subject is on the display unit 10 side, for example, the photographer himself is the subject will be described. In this case, the photographer places the imaging lens 02a of the lens unit unit 02 on the opposite side of the display unit 10 of the camera body unit 01, that is, the lens unit unit 02 is approximately 180 ° with respect to the camera body unit 01. The image is taken by rotating it so that it is in position. At this time, the scanning direction of the liquid crystal display element 51 by the gate driver 52 is reversed.

この状態では、図17(a)に示すように、液晶表示素子51の画素P(1,1)〜P(n,m)の配置は、液晶表示素子51の本来の上下左右の方向と逆になっている。また、レンズユニット部02の上下左右方向が画像の上下左右方向と一致する。このとき、撮像レンズ02aによって結像された画像に応じて、図17(a)の右から左に水平走査され、上から下に垂直走査されて、CCD撮像装置20の各画素から電気信号が出力され、対応する画像データがRAM24のVRAM領域に展開される。   In this state, as shown in FIG. 17A, the arrangement of the pixels P (1, 1) to P (n, m) of the liquid crystal display element 51 is opposite to the original vertical and horizontal directions of the liquid crystal display element 51. It has become. In addition, the up / down / left / right direction of the lens unit unit 02 matches the up / down / left / right direction of the image. At this time, according to the image formed by the imaging lens 02a, horizontal scanning is performed from right to left in FIG. 17A and vertical scanning is performed from top to bottom, and an electrical signal is output from each pixel of the CCD imaging device 20. The corresponding image data is output to the VRAM area of the RAM 24.

一方、表示部10においては、図17(b)に示す水平方向の矢印の方向に従って、展開された画像データが取り込まれ、1水平期間内で液晶表示素子51の1番目からm番目のドレインラインDLに出力される。また、ゲートドライバ52は、液晶表示素子51の1番目からn番目の順(図17(b)では下から上の順)でゲートラインGLを順次選択していく。   On the other hand, in the display unit 10, the developed image data is taken in according to the direction of the horizontal arrow shown in FIG. 17B, and the first to mth drain lines of the liquid crystal display element 51 within one horizontal period. Output to DL. Further, the gate driver 52 sequentially selects the gate lines GL in the order from the first to the n-th of the liquid crystal display element 51 (from the bottom to the top in FIG. 17B).

これにより、CCD撮像装置20において本来的に上にある画素から出力された信号に対応する画像データが液晶表示素子51の本来的な下の画素(図17(b)の下側)に、CCD撮像装置20において本来的に左にある画素から出力された信号に対応する画像データが液晶表示素子51の本来的な右の画素(図17(b)の右側)に表示されることとなり、図17(b)に示すように、撮影した画像に対する鏡面画像が表示される。   As a result, image data corresponding to the signal output from the pixel that is inherently upper in the CCD imaging device 20 is transferred to the original lower pixel of the liquid crystal display element 51 (lower side in FIG. 17B). The image data corresponding to the signal output from the pixel essentially left in the imaging device 20 is displayed on the original right pixel (right side in FIG. 17B) of the liquid crystal display element 51. As shown in FIG. 17 (b), a mirror image of the captured image is displayed.

以上説明したように、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラのゲートドライバ52として適用されるシフトレジスタでは、順方向に動作する場合には、TFT1はノードA1〜Anに電荷を蓄積させるためのトランジスタとして機能し、TFT6は蓄積された電荷を放出させるためのトランジスタとして機能する。一方、逆方向に動作する場合には、TFT1はノードA1〜Anに蓄積された電荷を放出させるためのトランジスタとして機能し、TFT6は電荷を蓄積させるためのトランジスタとして機能する。   As described above, in the shift register applied as the gate driver 52 of the digital still camera according to this embodiment, when operating in the forward direction, the TFT 1 is a transistor for accumulating charges at the nodes A1 to An. The TFT 6 functions as a transistor for discharging the accumulated electric charge. On the other hand, when operating in the reverse direction, the TFT 1 functions as a transistor for discharging charges accumulated in the nodes A1 to An, and the TFT 6 functions as a transistor for storing charges.

TFT1、6にこのような機能を持たせることができるため、各段RS(1)〜RS(n)を構成するTFT1〜6の数は、第1の実施の形態でゲートドライバ52として適用されていたシフトレジスタと同じにすることができる。このため、第1の実施の形態のものに比べて面積がそれほど大きくならず、ゲートドライバ52を液晶表示素子51と同一の基板上に形成しても、画像表示領域の相対的な面積が小さくならない。   Since the TFTs 1 and 6 can have such a function, the number of TFTs 1 to 6 constituting each stage RS (1) to RS (n) is applied as the gate driver 52 in the first embodiment. It can be the same as the shift register. For this reason, the area is not so large compared to that of the first embodiment, and even if the gate driver 52 is formed on the same substrate as the liquid crystal display element 51, the relative area of the image display region is small. Don't be.

また、ゲートドライバ52に、順方向と逆方向との双方向にシフト動作することができるシフトレジスタを適用したことにより、液晶コントローラ50〜ゲートドライバ52に供給する制御信号群Gcntを制御するだけで、表示部10上にCCD撮像装置20で撮影した画像の鏡面画像を表示することができる。すなわち、この実施の形態にかかるデジタルスチルカメラでは、VRAM領域に展開された画像データの読み出しのために複雑な制御を行わなくても、表示部10に鏡面画像を表示することができる。   Further, by applying a shift register capable of performing a shift operation in both the forward and reverse directions to the gate driver 52, it is only necessary to control the control signal group Gcnt supplied to the liquid crystal controller 50 to the gate driver 52. The mirror image of the image captured by the CCD imaging device 20 can be displayed on the display unit 10. That is, the digital still camera according to this embodiment can display a mirror image on the display unit 10 without performing complicated control for reading the image data developed in the VRAM area.

この実施の形態において、ゲートドライバ52は、図13に示す構成を有し、液晶コントローラ50から出力される制御信号により、図14または図15に示すタイミングチャートに従って動作するシフトレジスタによって構成されるものとしていた。しかしながら、この実施の形態において、ゲートドライバ52として適用可能なシフトレジスタの駆動方法はこれに限られるものではなく、シフトレジスタの構成もこれに限られるものではない。   In this embodiment, the gate driver 52 has the configuration shown in FIG. 13 and is configured by a shift register that operates according to the timing chart shown in FIG. 14 or 15 by a control signal output from the liquid crystal controller 50. I was trying. However, in this embodiment, the shift register driving method applicable as the gate driver 52 is not limited to this, and the configuration of the shift register is not limited to this.

図18、図19は、図13に示すシフトレジスタの他の動作を示すタイミングチャートである。順方向動作をする場合、図18に示すように、電圧信号V2がローレベルに維持されるのは図14の場合と同じであるが、電圧信号V1は、クロック信号CK1またはCK2がハイレベルになっているときだけハイレベルとなる。例えば、タイミングT0〜T1の期間において、制御信号D1がハイレベルになったときはクロック信号CK1もハイレベルとなって、1番目の段RS(1)のTFT1がオンし、ノードA1に電荷が蓄積される。   18 and 19 are timing charts showing other operations of the shift register shown in FIG. In the forward operation, as shown in FIG. 18, the voltage signal V2 is maintained at the low level as in FIG. 14, but the voltage signal V1 is the clock signal CK1 or CK2 at the high level. High level only when For example, during the period from timing T0 to T1, when the control signal D1 becomes high level, the clock signal CK1 also becomes high level, the TFT1 of the first stage RS (1) is turned on, and the charge is applied to the node A1. Accumulated.

一方、逆方向動作をする場合、図19に示すように、電圧信号V1がローレベルに維持されるのは図15の場合と同じであるが、電圧信号V2は、クロック信号CK1またはCK2がハイレベルになっているときだけハイレベルとなる。例えば、タイミングT0〜T1の期間において、制御信号D2がハイレベルとなったときはクロック信号CK2もハイレベルとなって、n番目の段RS(n)のTFT1がオンし、ノードAnに電荷が蓄積される。   On the other hand, in the reverse operation, as shown in FIG. 19, the voltage signal V1 is maintained at the low level as in FIG. 15, but the voltage signal V2 is high when the clock signal CK1 or CK2 is high. It becomes high level only when it is level. For example, during the period from timing T0 to T1, when the control signal D2 becomes high level, the clock signal CK2 also becomes high level, the TFT 1 of the nth stage RS (n) is turned on, and the charge is applied to the node An. Accumulated.

これらの場合、TFT1及びTFT6のそれぞれのゲート−ドレイン間、ソース−ドレイン間に電位差が生じる時間が、図14、図15のタイミングチャートに従って動作させた場合よりも短くなる。これにより、TFT1及びTFT6にかかる電圧ストレスを小さくすることができ、特性劣化を招きにくいので、長期間の使用に耐え得るものとなる。   In these cases, the time during which the potential difference occurs between the gate and drain of TFT1 and TFT6 and between the source and drain is shorter than when the operation is performed according to the timing charts of FIGS. As a result, voltage stress applied to the TFT 1 and the TFT 6 can be reduced, and characteristic deterioration is unlikely to occur, so that it can withstand long-term use.

図20は、この実施の形態において、ゲートドライバ52として適用可能な他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図13に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)において、TFT1のドレインには電圧信号V2が、TFT6のソースには電圧信号V1が供給されている。偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)において、TFT1のドレインには電圧信号V1が、TFT6のソースには電圧信号V2が供給されている。   FIG. 20 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52 in this embodiment. The difference from the shift register shown in FIG. 13 will be described. In the odd-numbered stages RS (1), RS (3),..., RS (n−1), the voltage signal V2 is supplied to the drain of the TFT1 and the source of the TFT6 is used. Is supplied with a voltage signal V1. In the even-numbered stages RS (2), RS (4),..., RS (n), the voltage signal V1 is supplied to the drain of the TFT1, and the voltage signal V2 is supplied to the source of the TFT6.

次に、図20のシフトレジスタの動作について、図21、図22のタイミングチャートを参照して説明する。順方向動作をする場合、タイミングT0〜T1の期間において、制御信号D1がハイレベルになると1番目の段RS(1)のTFT1がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードA1に電荷が蓄積される。タイミングT1〜T2の期間において、クロック信号CK1がハイレベルになると、1番目の段RS(1)の出力信号OUT1がハイレベルとなる。これにより、2番目の段RS(2)のTFT1がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V1によりノードA2に電荷が蓄積される。   Next, operation of the shift register in FIG. 20 is described with reference to timing charts in FIGS. In the case of forward operation, during the period from timing T0 to T1, when the control signal D1 becomes high level, the TFT1 of the first stage RS (1) turns on, and the voltage signal V2 that has become high level charges the node A1. Is accumulated. When the clock signal CK1 becomes high level during the period of timing T1 to T2, the output signal OUT1 of the first stage RS (1) becomes high level. As a result, the TFT1 of the second stage RS (2) is turned on, and charges are accumulated in the node A2 by the voltage signal V1 that has become high level.

次のタイミングT2〜T3の期間において、クロック信号CK2がハイレベルになると、2番目の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルとなる。これにより、3番目の段RS(3)のTFT1がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードA3に電荷が蓄積される。また、ハイレベルとなった出力信号OUT2により、1番目の段RS(1)のTFT6がオンする。このとき、電圧信号V1はローレベルとなっているため、ノードA1に蓄積された電荷が放出される。   When the clock signal CK2 becomes high level during the next timing T2-T3, the output signal OUT2 of the second stage RS (2) becomes high level. As a result, the TFT 1 of the third stage RS (3) is turned on, and charges are accumulated in the node A3 by the voltage signal V2 which has become high level. Further, the TFT 6 of the first stage RS (1) is turned on by the output signal OUT2 that has become high level. At this time, since the voltage signal V1 is at a low level, the charge accumulated in the node A1 is released.

以下同様にして、タイミングTn〜Tn+1の期間において、クロック信号CK2がハイレベルになると、n番目の段RS(n)の出力信号OUTnがハイレベルとなる。これにより、n−1番目の段RS(n−1)のTFT6がオンし、電圧信号V1がローレベルとなっていることから、ノードAn−1に蓄積された電荷が放出される。そして、タイミングTn+1になると、制御信号D2がハイレベルになって、n番目の段RS(n)のTFT6がオンする。このとき、電圧信号V2はローレベルとなっているため、ノードAnに蓄積された電荷が放出される。   Similarly, when the clock signal CK2 becomes high level in the period from timing Tn to Tn + 1, the output signal OUTn of the nth stage RS (n) becomes high level. As a result, the TFT 6 of the (n−1) th stage RS (n−1) is turned on and the voltage signal V1 is at the low level, so that the charge accumulated at the node An−1 is released. At timing Tn + 1, the control signal D2 becomes high level and the TFT 6 of the nth stage RS (n) is turned on. At this time, since the voltage signal V2 is at a low level, the charge accumulated in the node An is released.

一方、逆方向動作をする場合、タイミングT0〜T1の期間において、制御信号D2がハイレベルになると、n番目の段RS(n)のTFT6がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードAnに電荷が蓄積される。タイミングT1〜T2の期間において、クロック信号CK2がハイレベルになると、n番目の段RS(n)の出力信号OUTnがハイレベルとなる。これにより、n−1番目の段RS(n−1)のTFT6がオンし、ハイレベルとなった電圧信号V2によりノードAn−1に電荷が蓄積される。   On the other hand, when the reverse operation is performed, when the control signal D2 becomes high level during the period of timing T0 to T1, the TFT 6 of the nth stage RS (n) is turned on, and the voltage signal V2 that has become high level causes the node to turn on. Charge is accumulated in An. When the clock signal CK2 becomes high level in the period of timing T1 to T2, the output signal OUTn of the nth stage RS (n) becomes high level. As a result, the TFT 6 of the (n-1) th stage RS (n-1) is turned on, and charges are accumulated in the node An-1 by the voltage signal V2 which has become high level.

次のタイミングT2〜T3の期間において、クロック信号CK1がハイレベルになると、n−1番目の段RS(n−1)の出力信号OUTn−1がハイレベルとなる。これにより、n番目の段RS(n)のTFT1がオンし、電圧信号V1がローレベルとなっていることから、ノードAnに蓄積された電荷が放出される。   When the clock signal CK1 becomes high level during the next timing T2 to T3, the output signal OUTn-1 of the (n-1) th stage RS (n-1) becomes high level. As a result, the TFT 1 of the nth stage RS (n) is turned on and the voltage signal V1 is at a low level, so that the charge accumulated at the node An is released.

以下同様にして、タイミングTn〜Tn+1の期間において、クロック信号CK1がハイレベルになると、1番目の段RS(1)の出力信号OUT1がハイレベルとなる。これにより、2番目の段RS(2)のTFT1がオンし、電圧信号V1がローレベルとなっていることから、ノードA2に蓄積された電荷が放出される。そして、タイミングTn+1になると、制御信号D1がハイレベルになって、1番目の段RS(1)のTFT1がオンする。このとき、電圧信号V2はローレベルとなっているため、ノードA1に蓄積された電荷が放出される。   Similarly, when the clock signal CK1 becomes high level during the period of timing Tn to Tn + 1, the output signal OUT1 of the first stage RS (1) becomes high level. As a result, the TFT 1 of the second stage RS (2) is turned on and the voltage signal V1 is at a low level, so that the charge accumulated at the node A2 is released. At timing Tn + 1, the control signal D1 becomes high level, and the TFT 1 of the first stage RS (1) is turned on. At this time, since the voltage signal V2 is at a low level, the charge accumulated in the node A1 is released.

図23は、この実施の形態において、ゲートドライバ52として適用可能な他のシフトレジスタの回路構成を示す図である。図13に示すシフトレジスタとの違いについて説明すると、奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)において、TFT1のドレインには電圧信号V2が、TFT6のソースには電圧信号V4が供給されている。偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)において、TFT1のドレインには電圧信号V1が、TFT6のソースには電圧信号V3が供給されている。   FIG. 23 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 52 in this embodiment. The difference from the shift register shown in FIG. 13 will be described. In the odd-numbered stages RS (1), RS (3),..., RS (n−1), the voltage signal V2 is supplied to the drain of the TFT1 and the source of the TFT6 is used. Is supplied with a voltage signal V4. In the even-numbered stages RS (2), RS (4),..., RS (n), the voltage signal V1 is supplied to the drain of the TFT1, and the voltage signal V3 is supplied to the source of the TFT6.

次に、図23のシフトレジスタの動作について、図24、図25のタイミングチャートを参照して説明する。このシフトレジスタの動作は、奇数番目の段RS(1),RS(3),…,RS(n−1)においてTFT6のソースに供給される電圧信号をV4に置き換え、偶数番目の段RS(2),RS(4),…,RS(n)においてTFT6のソースに供給される電圧信号をV3と置き換えれば、図20のシフトレジスタのものとほぼ同じである。   Next, operation of the shift register in FIG. 23 is described with reference to timing charts in FIGS. The operation of this shift register replaces the voltage signal supplied to the source of the TFT 6 with V4 in the odd-numbered stages RS (1), RS (3),. If the voltage signal supplied to the source of the TFT 6 in 2), RS (4),..., RS (n) is replaced with V3, it is almost the same as that of the shift register of FIG.

しかし、図24に示す順方向動作をする場合において、各段RS(1)〜RS(n)のTFT6のソース電圧(電圧信号V3、V4)は、ローレベルに維持されている。また、図25に示す逆方向動作をする場合において、各段RS(1)〜RS(n)のTFT1のドレイン電圧(電圧信号V1、V2)は、ローレベルに維持されている。つまり、順方向動作ではTFT1について、逆方向動作ではTFT6について、ゲート−ドレイン間及びソース−ドレイン間に電位差が生じる時間が短い。このため、TFT1及びTFT6にかかる電圧ストレスを、図20に示すシフトレジスタよりも小さくすることができるので、TFT1及びTFT6の素子特性が劣化しにくく、長期間の使用によっても故障しにくいものとなる。   However, when the forward operation shown in FIG. 24 is performed, the source voltages (voltage signals V3 and V4) of the TFTs 6 of the respective stages RS (1) to RS (n) are maintained at a low level. In the case of performing the reverse operation shown in FIG. 25, the drain voltages (voltage signals V1, V2) of the TFTs 1 of the respective stages RS (1) to RS (n) are maintained at a low level. That is, the time for generating a potential difference between the gate and the drain and between the source and the drain is short for the TFT 1 in the forward operation and for the TFT 6 in the reverse operation. For this reason, the voltage stress applied to the TFT1 and TFT6 can be made smaller than that of the shift register shown in FIG. 20, so that the element characteristics of the TFT1 and TFT6 are not easily deteriorated and are not easily broken down even after long-term use. .

なお、この実施の形態で示した各シフトレジスタにおいて、TFT1のドレインまたはTFT6のソースに供給する電圧信号V1〜V4のハイレベルは、ノードA1〜Anに蓄積させる電荷によって、TFT2及びTFT5をオンするのに十分な電圧レベルであれば、電源電圧Vddよりも低くてもよい。これにより、TFT1及びTFT6、さらにはTFT2及びTFT5にかかる電圧ストレスを、上記の各タイミングチャートに従ってシフトレジスタを動作させた場合よりも小さくすることができる。   Note that in each shift register described in this embodiment, the high level of the voltage signals V1 to V4 supplied to the drain of the TFT1 or the source of the TFT6 turns on the TFT2 and the TFT5 by the charges accumulated in the nodes A1 to An. As long as the voltage level is sufficient, the voltage may be lower than the power supply voltage Vdd. As a result, the voltage stress applied to the TFTs 1 and 6, and further the TFTs 2 and 5 can be made smaller than when the shift register is operated according to the timing charts described above.

[他の実施の形態]
本発明は、上記第1、第2の実施の形態に限られるものではなく、様々な変形、応用を行うことができる。以下、本発明を適用した他の実施の形態について説明する。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the first and second embodiments, and various modifications and applications can be made. Hereinafter, other embodiments to which the present invention is applied will be described.

上記の第2の実施の形態では、ゲートドライバ52として適用されたシフトレジスタを順方向でシフト動作させるか逆方向でシフト動作させるかは、角度センサ40が検出したレンズユニット部02のカメラ本体部01に対する角度に応じて、自動的に設定されるものとしていた。しかしながら、順方向動作させるか逆方向動作させるかは、ユーザがキー入力部12のキーを操作することにより選択するようにしてもよい。   In the second embodiment described above, whether the shift register applied as the gate driver 52 is shifted in the forward direction or the backward direction is determined by whether the angle sensor 40 detects the camera body portion of the lens unit portion 02. It is assumed that it is automatically set according to the angle with respect to 01. However, the user may select whether to operate in the forward direction or the reverse direction by operating a key of the key input unit 12.

上記の第1、第2の実施の形態では、図4、図6、図8、図11、図13、図20及び図23に示したシフトレジスタを液晶表示装置のゲートドライバ52として適用した場合を例として説明した。しかしながら、液晶表示装置以外の表示装置、例えば、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ、有機EL表示装置などのラインを選択するためのドライバとしても用いることができる。さらには、これらのシフトレジスタは、撮像画素が縦横に所定の配列(例えば、マトリクス状の配列)で配置された撮像素子を駆動するドライバとしても用いることができる。   In the first and second embodiments, the shift register shown in FIGS. 4, 6, 8, 11, 13, 20, and 23 is applied as the gate driver 52 of the liquid crystal display device. Was described as an example. However, it can also be used as a driver for selecting a line of a display device other than a liquid crystal display device, such as a plasma display, a field emission display, or an organic EL display device. Furthermore, these shift registers can also be used as a driver for driving an imaging element in which imaging pixels are arranged in a predetermined arrangement (for example, matrix arrangement) in the vertical and horizontal directions.

図26は、ダブルゲートトランジスタをフォトセンサとして適用して撮像素子を有する撮像装置の構成を示すブロック図である。この撮像装置は、例えば指紋センサとして使用されるもので、図示するように、コントローラ70、撮像素子71、トップゲートドライバ72、ボトムゲートドライバ73及びドレインドライバ74から構成されている。   FIG. 26 is a block diagram illustrating a configuration of an image pickup apparatus having an image pickup element using a double gate transistor as a photosensor. This image pickup apparatus is used as a fingerprint sensor, for example, and includes a controller 70, an image pickup element 71, a top gate driver 72, a bottom gate driver 73, and a drain driver 74 as shown in the figure.

撮像素子71は、マトリクス状に配置された複数のダブルゲートトランジスタ81で構成される。ダブルゲートトランジスタ81のトップゲート電極91はトップゲートラインTGLに、ボトムゲート電極92はボトムゲートラインBGLに、ドレイン電極93はドレインラインDLに、ソース電極94は接地されたグラウンドラインGrLにそれぞれ接続されている。撮像素子71の下方には、ダブルゲートトランジスタ81の半導体層を励起する波長域の光を発光するバックライトが載置されている。   The image sensor 71 is composed of a plurality of double gate transistors 81 arranged in a matrix. The top gate electrode 91 of the double gate transistor 81 is connected to the top gate line TGL, the bottom gate electrode 92 is connected to the bottom gate line BGL, the drain electrode 93 is connected to the drain line DL, and the source electrode 94 is connected to the ground line GrL. ing. A backlight that emits light in a wavelength region that excites the semiconductor layer of the double gate transistor 81 is placed below the image sensor 71.

撮像素子71を構成するダブルゲートトランジスタ81は、トップゲート電極91に印加されている電圧が+25(V)で、ボトムゲート電極92に印加されている電圧が0(V)であると、トップゲート電極91と半導体層との間に配置される窒化シリコンからなるゲート絶縁膜と半導体層とに蓄積されている正孔が吐出され、リセットされる。ダブルゲートトランジスタ81は、ソース電極94とドレイン電極93間が0(V)で、トップゲート電極91に印加されている電圧が−15(V)で、ボトムゲート電極92に印加されている電圧が0(V)となり、半導体層への光の入射によって発生した正孔−電子対のうちの正孔が上記半導体層及び上記ゲート絶縁膜に蓄積されるフォトセンス状態となる。この所定期間に蓄積される正孔の量は光量に依存している。   The double gate transistor 81 constituting the image sensor 71 has a top gate voltage when the voltage applied to the top gate electrode 91 is +25 (V) and the voltage applied to the bottom gate electrode 92 is 0 (V). Holes accumulated in the gate insulating film made of silicon nitride and the semiconductor layer disposed between the electrode 91 and the semiconductor layer are discharged and reset. In the double gate transistor 81, the voltage between the source electrode 94 and the drain electrode 93 is 0 (V), the voltage applied to the top gate electrode 91 is −15 (V), and the voltage applied to the bottom gate electrode 92 is It becomes 0 (V), and it becomes a photo-sensitive state in which holes of the hole-electron pairs generated by the incidence of light on the semiconductor layer are accumulated in the semiconductor layer and the gate insulating film. The amount of holes accumulated during this predetermined period depends on the amount of light.

フォトセンス状態において、バックライトがダブルゲートトランジスタ81に向け光を照射するが、このままではダブルゲートトランジスタ81の半導体層の下方に位置するボトムゲート電極92が遮光するので半導体層には十分なキャリアが生成されない。このとき、ダブルゲートトランジスタ81上方の絶縁膜上に指を載置すると、指の凹部(指紋形状を決める溝にあたる)の直下にあたるダブルゲートトランジスタ81の半導体層には、絶縁膜等で反射された光があまり入射されない。   In the photo-sensitive state, the backlight irradiates light toward the double gate transistor 81. However, since the bottom gate electrode 92 located below the semiconductor layer of the double gate transistor 81 shields light in this state, sufficient carriers are present in the semiconductor layer. Not generated. At this time, when a finger was placed on the insulating film above the double gate transistor 81, the semiconductor layer of the double gate transistor 81, which is directly below the concave portion of the finger (corresponding to a groove that determines the fingerprint shape), was reflected by the insulating film or the like. Not much light is incident.

このように光の入射量が少なくて十分な量の正孔が半導体層内に蓄積されずに、トップゲート電極91に印加されている電圧が−15(V)で、ボトムゲート電極92に印加されている電圧が+10(V)となると、半導体層内に空乏層が広がり、nチャネルがピンチオフされ、半導体層が高抵抗となる。一方、フォトセンス状態において指の凸部(指の溝と溝の間の山)の直下にあたるダブルゲートトランジスタ81の半導体層には、絶縁膜等で反射された光が入射され十分な量の正孔が半導体層内に蓄積された状態で、このような電圧が印加された場合は、蓄積されている正孔がトップゲート電極91に引き寄せられて保持されることにより、半導体層のボトムゲート電極92側にnチャネルが形成され、半導体層が低抵抗となる。これらの読み出し状態における半導体層の抵抗値の違いが、ドレインラインDLの電位の変化となって現れる。   In this way, a sufficient amount of holes with a small amount of incident light is not accumulated in the semiconductor layer, and the voltage applied to the top gate electrode 91 is −15 (V) and applied to the bottom gate electrode 92. When the applied voltage becomes +10 (V), the depletion layer spreads in the semiconductor layer, the n-channel is pinched off, and the semiconductor layer becomes high resistance. On the other hand, light reflected by an insulating film or the like is incident on the semiconductor layer of the double gate transistor 81 that is directly below the convex portion of the finger (the peak between the finger grooves) in the photo-sensitive state. When such a voltage is applied in a state where the holes are accumulated in the semiconductor layer, the accumulated holes are attracted to and held by the top gate electrode 91, so that the bottom gate electrode of the semiconductor layer is retained. An n-channel is formed on the 92 side, and the semiconductor layer has a low resistance. The difference in the resistance value of the semiconductor layer in these read states appears as a change in the potential of the drain line DL.

トップゲートドライバ72は、撮像素子71のトップゲートラインTGLに接続され、コントローラ70からの制御信号群Tcntに従って、各トップゲートラインTGLに+25(V)または−15(V)の信号を選択的に出力する。トップゲートドライバ72は、出力信号のレベルの相違、これに応じた入力信号のレベルの相違、並びに出力信号及び入力信号の位相の違いを除き、上記したゲートドライバ52を構成するシフトレジスタと実質的に同一の構成を有している。   The top gate driver 72 is connected to the top gate line TGL of the image sensor 71 and selectively applies a signal of +25 (V) or −15 (V) to each top gate line TGL according to the control signal group Tcnt from the controller 70. Output. The top gate driver 72 is substantially the same as the shift register constituting the gate driver 52 described above except for the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding to this, and the difference in the phase of the output signal and the input signal. Have the same configuration.

ボトムゲートドライバ73は、撮像素子71のボトムゲートラインBGLに接続され、コントローラ70からの制御信号群Bcntに従って、各ボトムゲートラインBGLに+10(V)または0(V)の信号を出力する。ボトムゲートドライバ73は、出力信号のレベルの相違、これに応じた入力信号のレベルの相違、並びに出力信号及び入力信号の位相の違いを除き、上記したゲートドライバ52を構成するシフトレジスタと実質的に同一の構成を有している。   The bottom gate driver 73 is connected to the bottom gate line BGL of the image sensor 71 and outputs a signal of +10 (V) or 0 (V) to each bottom gate line BGL according to the control signal group Bcnt from the controller 70. The bottom gate driver 73 is substantially the same as the shift register constituting the gate driver 52 except for the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding to this, and the difference in the phase of the output signal and the input signal. Have the same configuration.

ドレインドライバ74は、撮像素子71のドレインラインDLに接続され、コントローラ70からの制御信号群Dcntに従って、後述する所定の期間において全てのドレインラインDLに定電圧(+10(V))を出力し、電荷をプリチャージさせる。ドレインドライバ74は、プリチャージの後の所定の期間においてダブルゲートトランジスタ81の半導体層に光の入射、非入射に応じてチャネルが形成されているか否かによって変化する各ドレインラインDLの電位を読み出し、画像データDATAとしてコントローラ70に供給する。   The drain driver 74 is connected to the drain line DL of the image sensor 71 and outputs a constant voltage (+10 (V)) to all the drain lines DL in a predetermined period to be described later according to a control signal group Dcnt from the controller 70. Precharge the charge. The drain driver 74 reads out the potential of each drain line DL that changes depending on whether or not a channel is formed in the semiconductor layer of the double gate transistor 81 in accordance with whether light is incident or not in a predetermined period after precharging. , And supplied to the controller 70 as image data DATA.

コントローラ70は、制御信号群Tcnt、Bcntによってそれぞれトップゲートドライバ72、ボトムゲートドライバ73を制御して、両ドライバ72、73からライン毎に所定のタイミングで所定レベルの信号を出力させる。これにより、撮像素子71の各ラインを順次リセット状態、フォトセンス状態、読み出し状態とさせる。コントローラ70は、また、制御信号群Dcntによりドレインドライバ74にドレインラインDLの電位変化を読み出させ、画像データDATAとして順次取り込んでいく。   The controller 70 controls the top gate driver 72 and the bottom gate driver 73 by the control signal groups Tcnt and Bcnt, respectively, and causes the drivers 72 and 73 to output signals of a predetermined level for each line at a predetermined timing. Thereby, each line of the image sensor 71 is sequentially brought into a reset state, a photo sensing state, and a reading state. The controller 70 also causes the drain driver 74 to read out the potential change of the drain line DL by the control signal group Dcnt, and sequentially captures it as image data DATA.

また、図4、図6、図8、図11、図13、図20及び図23に示したシフトレジスタは、撮像素子または表示素子を駆動するためのドライバとしての用途以外にも適用することができる。例えば、これらのシフトレジスタは、データ処理装置などにおいて直列のデータを並列のデータに変換する場合などの用途にも適用することができる。   In addition, the shift register shown in FIGS. 4, 6, 8, 11, 13, 20, and 23 may be applied for purposes other than as a driver for driving an image sensor or a display element. it can. For example, these shift registers can be applied to applications such as converting serial data to parallel data in a data processing device or the like.

上記の第1、第2の実施の形態では、図4、図6、図8、図11、図13、図20及び図23に示したシフトレジスタを構成するTFT1〜6は、全てnチャネル型のものであった。これに対して、pチャネル型のものを用いることもできる。例えば、全てpチャネル型のものを用いた場合には、各信号のハイ、ローレベルがnチャネル型のものに比べて反転されるようにすればよい。   In the first and second embodiments, the TFTs 1 to 6 constituting the shift registers shown in FIGS. 4, 6, 8, 11, 13, 20, and 23 are all n-channel type. It was a thing. On the other hand, a p-channel type can also be used. For example, when all p-channel type signals are used, the high and low levels of each signal may be inverted compared to the n-channel type signals.

上記の第1、第2の実施の形態では、本発明を静止画像を撮影するデジタルスチルカメラに適用した場合を例として説明したが、動画像を撮影し、撮影している画像を視認するためのファインダに液晶表示装置などを用いたビデオカメラにも適用することができる。ビデオカメラにおいて液晶表示装置の向きを撮像レンズに対して回動できる構成とした場合に、第2の実施の形態で示したシフトレジスタを液晶表示装置のゲートドライバとして用い、鏡面画像を表示させることができる。   In the first and second embodiments, the case where the present invention is applied to a digital still camera that captures a still image has been described as an example. However, in order to capture a moving image and visually recognize the captured image. The present invention can also be applied to a video camera using a liquid crystal display device or the like in the viewfinder. When the video camera is configured so that the orientation of the liquid crystal display device can be rotated with respect to the imaging lens, the shift register shown in the second embodiment is used as a gate driver of the liquid crystal display device to display a mirror image. Can do.

本発明の第1の実施の形態にかかるデジタルスチルカメラの外観構成を示す図である。It is a figure which shows the external appearance structure of the digital still camera concerning the 1st Embodiment of this invention. 図1のデジタルスチルカメラの回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the digital still camera of FIG. 図2の表示部の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the display part of FIG. 図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the shift register used as a gate driver of FIG. 図4のシフトレジスタの動作を示すタイミングチャートである。5 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG. 図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the other circuit structure of the shift register used as a gate driver of FIG. 図6のシフトレジスタの動作を示すタイミングチャートである。7 is a timing chart showing an operation of the shift register of FIG. 6. 図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the other circuit structure of the shift register used as a gate driver of FIG. 図8のシフトレジスタの動作を示すタイミングチャートである。9 is a timing chart showing an operation of the shift register of FIG. 8. 図8のシフトレジスタの動作を示す他のタイミングチャートである。9 is another timing chart showing the operation of the shift register of FIG. 8. 図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the other circuit structure of the shift register used as a gate driver of FIG. 図11のシフトレジスタの動作を示すタイミングチャートである。12 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG. 本発明の第2の実施の形態において、図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの回路構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register used as the gate driver in FIG. 3 in the second embodiment of the present invention. 図13のシフトレジスタの順方向動作を示すタイミングチャートである。14 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG. 図13のシフトレジスタの逆方向動作を示すタイミングチャートである。14 is a timing chart showing a reverse operation of the shift register of FIG. 本発明の第2の実施の形態において、図1に示すデジタルスチルカメラの順方向での使用状態を示す図であり、(a)は撮像状態を、(b)は表示部の表示状態を示す。In the 2nd Embodiment of this invention, it is a figure which shows the use condition in the forward direction of the digital still camera shown in FIG. 1, (a) shows an imaging state, (b) shows the display state of a display part. . 本発明の第2の実施の形態において、図1に示すデジタルスチルカメラの逆方向での使用状態を示す図であり、(a)は撮像状態を、(b)は表示部の表示状態を示す。In the 2nd Embodiment of this invention, it is a figure which shows the use condition in the reverse direction of the digital still camera shown in FIG. 1, (a) shows an imaging state, (b) shows the display state of a display part. . 図13のシフトレジスタの順方向動作を示す他のタイミングチャートである。14 is another timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG. 図13のシフトレジスタの逆方向動作を示す他のタイミングチャートである。14 is another timing chart showing the backward operation of the shift register of FIG. 本発明の第2の実施の形態において、図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another circuit configuration of the shift register used as the gate driver of FIG. 3 in the second embodiment of the present invention. 図20のシフトレジスタの順方向動作を示すタイミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG. 20. 図20のシフトレジスタの逆方向動作を示すタイミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart showing a reverse operation of the shift register of FIG. 20. 本発明の第2の実施の形態において、図3のゲートドライバとして用いられるシフトレジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another circuit configuration of the shift register used as the gate driver of FIG. 3 in the second embodiment of the present invention. 図20のシフトレジスタの順方向動作を示すタイミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart showing a forward operation of the shift register of FIG. 20. 図20のシフトレジスタの逆方向動作を示すタイミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart showing a reverse operation of the shift register of FIG. 20. 本発明の他の実施の形態にかかる撮像装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the imaging device concerning other embodiment of this invention. 従来例のシフトレジスタの回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the shift register of a prior art example. 従来例のシフトレジスタの動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of the shift register of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1〜6…TFT
01…カメラ本体部
02…レンズユニット部
02a…撮像レンズ
10…表示部
11…電源キー
12…キー入力部
12a…モード設定キー
12b…シャッターキー
12c…「+」キー
12d…「−」キー
13…シリアル入出力端子
20…CCD撮像装置
21…A/D変換器
22…CPU
23…ROM
24…RAM
25…圧縮/伸張回路
26…画像メモリ
30…バス
40…角度センサ
50…液晶コントローラ
51…液晶表示素子
52…ゲートドライバ
53…ドレインドライバ
61…TFT
62…画素容量
70…コントローラ
71…撮像素子
72…トップゲートドライバ
73…ボトムゲートドライバ
74…ドレインドライバ
81…ダブルゲートトランジスタ
91…トップゲート電極
92…ボトムゲート電極
93…ドレイン電極
94…ソース電極
RS(1)〜RS(n)…段
GL…ゲートライン
DL…ドレインライン
TGL…トップゲートライン
BGL…ボトムゲートライン
GrL…グラウンドライン
1-6 ... TFT
DESCRIPTION OF SYMBOLS 01 ... Camera body part 02 ... Lens unit part 02a ... Imaging lens 10 ... Display part 11 ... Power key 12 ... Key input part 12a ... Mode setting key 12b ... Shutter key 12c ... "+" key 12d ... "-" key 13 ... Serial input / output terminal 20 ... CCD imaging device 21 ... A / D converter 22 ... CPU
23 ... ROM
24 ... RAM
25 ... Compression / decompression circuit 26 ... Image memory 30 ... Bus 40 ... Angle sensor 50 ... Liquid crystal controller 51 ... Liquid crystal display element 52 ... Gate driver 53 ... Drain driver 61 ... TFT
62 ... Pixel capacity 70 ... Controller 71 ... Image sensor 72 ... Top gate driver 73 ... Bottom gate driver 74 ... Drain driver 81 ... Double gate transistor 91 ... Top gate electrode 92 ... Bottom gate electrode 93 ... Drain electrode 94 ... Source electrode RS ( 1) to RS (n): stage GL: gate line DL: drain line TGL: top gate line BGL: bottom gate line GrL: ground line

Claims (7)

複数の段からなるシフトレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、
制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給され、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1のトランジスタと、
制御端子に、他方側に隣接する段の出力信号が供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第2のトランジスタと、
前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電流路の一端に供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他端から当該段の出力信号として出力させる第3のトランジスタとを備え、
順方向シフトに切り替えた場合、前記第1のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第2のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
逆方向シフトに切り替えた場合、前記第2のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第1のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させ、
前記第1、第2の電圧信号のハイレベルは、前記第1、第2のクロック信号のハイレベルよりもレベルが小さい
ことを特徴とするシフトレジスタ。
A shift register having a plurality of stages, each stage of the shift register being
A first transistor in which an output signal of a stage adjacent to one side is supplied to the control terminal, and a first voltage signal is supplied to one end of the current path;
A second transistor in which an output signal of a stage adjacent to the other side is supplied to the control terminal, and a second voltage signal is supplied to one end of the current path;
A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second voltage signal supplied to the wiring between them through the first or second transistor In addition to accumulating charges, the first or second clock signal supplied to one end of the current path is output as the output signal of the stage from the other end of the current path when being turned on by the accumulated charge. A third transistor;
When switching to the forward shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level first voltage signal supplied through the first transistor, and the low level supplied through the second transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the second voltage signal of
When switching to the reverse shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level second voltage signal supplied via the second transistor, and the low level supplied via the first transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the first voltage signal of
One of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged,
The shift register according to claim 1, wherein a high level of the first and second voltage signals is smaller than a high level of the first and second clock signals.
前記順方向シフトに切り替えた場合、前記第1の電圧信号がハイレベルとなっている各期間は、前記第1又は第2のクロック信号がハイレベルとなっている各期間と等しく、
前記逆方向シフトに切り替えた場合、前記第の電圧信号がハイレベルとなっている各期間は、前記第1又は第2のクロック信号がハイレベルとなっている各期間と等しい
ことを特徴とする請求項1記載のシフトレジスタ。
When switching to the forward shift, each period in which the first voltage signal is at a high level is equal to each period in which the first or second clock signal is at a high level,
When switching to the reverse shift, each period in which the second voltage signal is at a high level is equal to each period in which the first or second clock signal is at a high level. The shift register according to claim 1.
複数の段からなり、出力信号をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段から順次出力するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ドライバの各段から出力された出力信号によって駆動される駆動素子とを備え、
前記ドライバの各段は、
制御端子に、一方側に隣接する段の出力信号が供給され、電流路の一端に第1の電圧信号が供給される第1のトランジスタと、
制御端子に、他方側に隣接する段の他方の出力信号が供給され、電流路の一端に第2の電圧信号が供給される第2のトランジスタと、
前記第1、第2のトランジスタのそれぞれの電流路の他端に制御端子が接続され、その間の配線に前記第1または第2のトランジスタを介して供給される前記第1または第2の電圧信号により電荷を蓄積すると共に、蓄積された電荷によってオンしているときに、電流路の一端に供給された第1または第2のクロック信号を電流路の他端から当該段の出力信号として出力させる第3のトランジスタとを備え、
順方向シフトに切り替えた場合、前記第1のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第2のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
逆方向シフトに切り替えた場合、前記第2のトランジスタを介して供給されるハイレベルの前記第2の電圧信号によって前記配線に電荷を蓄積し、前記第1のトランジスタを介して供給されるローレベルの前記第1の電圧信号によって前記配線に蓄積された電荷を放出し、
前記複数の段の一方の端の段の第1、第2のトランジスタの一方は、外部から第1の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に電荷を蓄積させ、
前記複数の段の他方の端の段の第1、第2のトランジスタの他方は、外部から第2の制御信号が制御端子に供給されてオンし、前記配線に蓄積された電荷を放出させ、
前記第1、第2の電圧信号のハイレベルは、前記第1、第2のクロック信号のハイレベルよりもレベルが小さい
ことを特徴とする電子装置。
A driver composed of a plurality of stages and configured to include a driver that sequentially outputs a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal and a plurality of pixels, and is driven by an output signal output from each stage of the driver With elements,
Each stage of the driver
A first transistor in which an output signal of a stage adjacent to one side is supplied to the control terminal, and a first voltage signal is supplied to one end of the current path;
A second transistor in which the control terminal is supplied with the other output signal of the stage adjacent to the other side, and a second voltage signal is supplied to one end of the current path;
A control terminal is connected to the other end of each current path of the first and second transistors, and the first or second voltage signal supplied to the wiring between them through the first or second transistor In addition to accumulating charges, the first or second clock signal supplied to one end of the current path is output as the output signal of the stage from the other end of the current path when being turned on by the accumulated charge. A third transistor;
When switching to the forward shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level first voltage signal supplied through the first transistor, and the low level supplied through the second transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the second voltage signal of
When switching to the reverse shift, the charge is accumulated in the wiring by the high-level second voltage signal supplied via the second transistor, and the low level supplied via the first transistor. The charge accumulated in the wiring is released by the first voltage signal of
One of the first and second transistors at one end of the plurality of stages is turned on when a first control signal is supplied to the control terminal from the outside, and charges are accumulated in the wiring.
The other of the first and second transistors at the other end of the plurality of stages is turned on when a second control signal is supplied to the control terminal from the outside, and the charge accumulated in the wiring is discharged,
The electronic device according to claim 1, wherein a high level of the first and second voltage signals is smaller than a high level of the first and second clock signals.
前記駆動素子は、制御端子に前記ドライバの各段のいずれかの出力信号が供給され、電流路の一端に外部から画像データが供給される表示用トランジスタを、画素毎に備える表示素子である
ことを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
The drive element is a display element provided with a display transistor for each pixel in which an output signal of any of the stages of the driver is supplied to a control terminal, and image data is supplied to one end of a current path from the outside The electronic device according to claim 3.
撮像レンズによって結像された光像を撮影する撮像装置を含む撮像部と、撮像方向に実質的に垂直な方向を軸として前記撮像部に対して回動可能に設けられ、前記駆動素子として表示素子と、これを駆動する前記ドライバとを含む表示部とをさらに備え、
前記表示部は、前記撮像装置で撮影した画像に応じた画像を前記表示素子に表示するものである
ことを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
An imaging unit including an imaging device that captures an optical image formed by the imaging lens, and a rotation unit that is rotatable with respect to the imaging unit about a direction substantially perpendicular to the imaging direction, and is displayed as the drive element A display unit including an element and the driver for driving the element;
The electronic device according to claim 3, wherein the display unit displays an image corresponding to an image captured by the imaging device on the display element.
前記第1、第2のトランジスタのいずれかを介して前記配線に電荷を蓄積させ、蓄積された電荷を放出させるかを設定する設定手段と、
前記撮像部の前記表示部に対する角度を検出する角度検出手段とをさらに備え、
前記設定手段は、前記角度検出手段の検出結果に従って設定を行い、前記第1、第2の電圧信号のレベルを切り替えることにより、前記第1、第2のトランジスタの一方を介して前記配線に電荷を蓄積できるようにし、前記第1、第2のトランジスタの他方を介して前記配線に蓄積された電荷を放出できるようにした
ことを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
Setting means for setting whether to accumulate charges in the wiring via any one of the first and second transistors and to release the accumulated charges;
Angle detecting means for detecting an angle of the imaging unit with respect to the display unit;
The setting means performs setting according to the detection result of the angle detection means, and switches the level of the first and second voltage signals to thereby charge the wiring via one of the first and second transistors. The electronic device according to claim 5, wherein the electric charge accumulated in the wiring can be discharged through the other of the first and second transistors.
前記駆動素子は、励起光によりキャリアを生成する半導体層と、前記半導体層の両端にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソース電極と、第1ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の一方側に設けられた第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の他方側に設けられた第2ゲート電極とを、画素毎に備える撮像素子であり、
前記ドライバは、出力信号を第1のゲート電極に出力する第1のドライバと、出力信号を第2のゲート電極に出力する第2のドライバとを含む
ことを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
The driving element is provided on one side of the semiconductor layer via a semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode that are respectively connected to both ends of the semiconductor layer, and a first gate insulating film. The first gate electrode and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer with a second gate insulating film interposed therebetween for each pixel,
4. The driver according to claim 3, wherein the driver includes a first driver that outputs an output signal to the first gate electrode, and a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode. 5. Electronic equipment.
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