JP2001101889A - Shift register and electronic equipment - Google Patents

Shift register and electronic equipment

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JP2001101889A
JP2001101889A JP27319899A JP27319899A JP2001101889A JP 2001101889 A JP2001101889 A JP 2001101889A JP 27319899 A JP27319899 A JP 27319899A JP 27319899 A JP27319899 A JP 27319899A JP 2001101889 A JP2001101889 A JP 2001101889A
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current path
signal
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capacitor
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Katsuhiko Morosawa
克彦 両澤
Minoru Kanbara
実 神原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shift a signal to a poststage without attenuating the level of an output signal and to prevent destruction and a malfunction caused by the parasitic capacity of a transistor. SOLUTION: This device is constituted by connecting stages consisting of TFT 21-25, 31. The TFTY 21 is turned on by a control signal from a terminal Φ, and makes a capacitor A accumulate electric charges by inputting an output signal (high level) of the preceding stage from a terminal IN. Thereby, the TFT 22, 24 are turned on, the TFT 25 is turned off, a clock signal from a terminal c1k is made a high level, then, this signal is outputted from a terminal OUT through the TFT 24 as an output signal of the stage. At the time, a potential of the capacitor A is raised by that parasitic capacity of the TFT 24 is charged. When an output signal of the preceding stage inputted to a terminal IN is varied to a low level, as a potential of the capacitor A is divided by the THT 31, voltage between a drain and a source of the TFT 21 is suppressed to the fixed value or less.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シフトレジスタ、
及びこのシフトレジスタをドライバとして適用した撮像
装置、表示装置などの電子装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a shift register,
In addition, the present invention relates to an electronic device such as an imaging device and a display device to which the shift register is applied as a driver.

【0002】[0002]

【従来の技術】マトリクス状に画素が配置された撮像素
子や表示素子を線順次で選択して走査するためのドライ
バには、前段からの出力信号を後段に順次シフトしてい
くシフトレジスタが広く用いられている。従来、このよ
うなシフトレジスタの中には、前段からの出力信号が後
段にシフトしていく度に減衰してしまうものがあった。
2. Description of the Related Art A driver for selecting and scanning an image pickup element or a display element in which pixels are arranged in a matrix in a line-sequential manner includes a shift register for sequentially shifting an output signal from a previous stage to a subsequent stage. Used. Conventionally, among such shift registers, there has been one in which the output signal from the preceding stage is attenuated each time it is shifted to the subsequent stage.

【0003】特に近年における撮像素子や表示素子の高
精細化の要請により、このようなシフトレジスタの段数
も多くしていく必要が生じている。段数が増えることと
なると、後ろの方の段での信号の減衰が激しくなってし
まうという問題が生じる。このため、従来、このような
シフトレジスタには、各段からの出力信号を所定レベル
まで増幅するバッファを設けるのが通常であった。が、
バッファを設けることによって、シフトレジスタが大型
化してしまうという問題があった。
[0003] Particularly, in recent years, demands for higher definition of image pickup devices and display devices have necessitated increasing the number of stages of such shift registers. When the number of stages increases, a problem arises in that signal attenuation in the later stage becomes severe. Therefore, conventionally, such a shift register is usually provided with a buffer for amplifying an output signal from each stage to a predetermined level. But,
The provision of the buffer has a problem that the size of the shift register is increased.

【0004】ところで、このようなシフトレジスタで出
力信号を順次シフトさせるために、電界効果トランジス
タの電極に外部から制御信号を供給していくものがあ
る。ところが、電界効果トランジスタは寄生容量を有し
ているために、外部から供給された制御信号の電圧によ
り、そのトランジスタの他の電極の電圧まで上昇してし
まうことがある。このため、当該他の電極に接続された
他の素子にまで大きな電圧がかかって当該他の素子が破
壊されてしまったり、蓄積された電荷によって誤動作を
生じてしまうという問題もあった。
In order to sequentially shift the output signal by such a shift register, there is a type in which a control signal is externally supplied to the electrode of the field effect transistor. However, since a field-effect transistor has a parasitic capacitance, the voltage of a control signal supplied from the outside may increase to the voltage of another electrode of the transistor. For this reason, there has been a problem that a large voltage is applied to another element connected to the other electrode and the other element is destroyed, or a malfunction is caused by the accumulated charge.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、出力信号の
レベルを減衰させることなく後段にシフトしていくこと
が可能なシフトレジスタ、及びこのシフトレジスタを適
用した電子装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a shift register capable of shifting a level of an output signal to a subsequent stage without attenuating the level, and an electronic device to which the shift register is applied. And

【0006】本発明は、また、トランジスタの寄生容量
に起因する破壊や誤動作を防ぐことが可能なシフトレジ
スタ、及びこのシフトレジスタを適用した電子装置を提
供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a shift register capable of preventing destruction or malfunction due to parasitic capacitance of a transistor, and an electronic device to which the shift register is applied.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の観点にかかるシフトレジスタは、複
数の段からなるシフトレジスタであって、前記シフトレ
ジスタの各段は、外部から制御端子に供給される第1ま
たは第2の信号によってオンし、隣接する一方の段から
電流路の一端に供給された所定レベルの信号を電流路の
他端に出力する第1のトランジスタと、制御端子と前記
第1のトランジスタの電流路の他端との間の容量に蓄積
された電荷によってオンし、負荷を介して電流路の一端
に供給される信号を電流路の他端から放出する第2のト
ランジスタと、制御端子と前記第1のトランジスタの電
流路の他端との間の容量に蓄積された電荷によってオン
し、外部から電流路の一端に供給される第3または第4
の信号を出力信号として電流路の他端から出力する第3
のトランジスタと、前記第2のトランジスタがオフして
いるときに負荷を介して制御端子に供給される信号によ
ってオンし、外部から電流路の一端に供給される信号を
出力信号として電流路の他端から出力する第4のトラン
ジスタと、前記第1のトランジスタの電流路の他端と前
記容量との間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させ
て、前記第1のトランジスタの電流路の両端にかかるよ
うにする分圧素子とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to a first aspect of the present invention is a shift register having a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is externally provided. A first transistor which is turned on by the first or second signal supplied to the control terminal, and outputs a signal of a predetermined level supplied from one adjacent stage to one end of the current path to the other end of the current path; It is turned on by the electric charge stored in the capacitance between the control terminal and the other end of the current path of the first transistor, and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path. The third transistor or the fourth transistor is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor between the second transistor and the control terminal and the other end of the current path of the first transistor, and is supplied to one end of the current path from outside.
Output from the other end of the current path as the output signal
And the second transistor is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off, and a signal supplied from the outside to one end of the current path is used as an output signal to output the other of the current path. A fourth transistor output from one end of the first transistor and a current path of the first transistor, which is provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor to divide the voltage of the capacitor; And a voltage dividing element to be applied to both ends.

【0008】ここで、シフトレジスタの1番最初の段に
は、隣接する段の片方がない。この場合、第1のトラン
ジスタの電流路の一端から供給される所定レベルの信号
は、例えば、外部の制御装置などから供給されるこれに
相当する信号で代用することができる。
Here, the first stage of the shift register does not have one of the adjacent stages. In this case, a signal of a predetermined level supplied from one end of the current path of the first transistor can be replaced with a signal corresponding thereto supplied from an external control device or the like, for example.

【0009】上記第1の観点にかかるシフトレジスタで
は、各段からの出力信号のレベルは、第3、第4のトラ
ンジスタがそれぞれオンしているときに外部から供給さ
れる信号のレベルにほぼ等しいものとすることができ
る。このため、出力信号のレベルを減衰させることな
く、順次シフトしていくことが可能となる。
In the shift register according to the first aspect, the level of the output signal from each stage is substantially equal to the level of an externally supplied signal when the third and fourth transistors are on. Things. Therefore, it is possible to sequentially shift the output signal without attenuating the level.

【0010】また、第3のトランジスタがオンしている
ときに、電流路の一端にハイレベルの第3または第4の
信号が供給されると、その寄生容量がチャージアップさ
れ、容量の電圧が上昇することが起こりうる。しかし、
上記第1の観点にかかるシフトレジスタでは、各段に分
圧素子を設けているため、第1のトランジスタの電流路
の一端と他端との間の電圧が必要以上に大きくなること
を防ぐことができる。このため、第1のトランジスタが
破壊されて、シフトレジスタが故障するといったことを
防ぐことができる。
When the third transistor is turned on and a high-level third or fourth signal is supplied to one end of the current path, the parasitic capacitance is charged up and the voltage of the capacitance is increased. It can happen to rise. But,
In the shift register according to the first aspect, since a voltage dividing element is provided in each stage, it is possible to prevent the voltage between one end and the other end of the current path of the first transistor from becoming unnecessarily large. Can be. Therefore, it is possible to prevent the first transistor from being broken and the shift register from being broken.

【0011】上記第1の観点にかかるシフトレジスタに
おいて、前記分圧素子は、制御端子に所定の電圧が印加
され、電流路の両端がそれぞれ、前記第1のトランジス
タの電流路の他端と前記容量とに接続されているものと
することができる。
In the shift register according to the first aspect, a predetermined voltage is applied to a control terminal of the voltage dividing element, and both ends of the current path are respectively connected to the other end of the current path of the first transistor and the other end of the current path. Connected to the capacitor.

【0012】上記第1の観点にかかるシフトレジスタに
おいて、奇数番目の段には、第3、第4の信号のうちの
第3の信号が外部から供給され、偶数番目の段には、第
3、第4の信号のうちの第4の信号が外部から供給され
るものとすることができる。この場合、第3、第4の信
号はそれぞれ、前記シフトレジスタの出力信号をシフト
していくタイムスロットのうちの所定期間、タイムスロ
ット毎に交互に駆動レベルとなるものとすることができ
る。
In the shift register according to the first aspect, a third signal of the third and fourth signals is externally supplied to an odd-numbered stage, and a third signal is supplied to an even-numbered stage. , The fourth signal among the fourth signals may be supplied from the outside. In this case, each of the third and fourth signals may alternately have a drive level for each time slot during a predetermined period among time slots in which the output signal of the shift register is shifted.

【0013】この場合において、前記第1、第2の信号
は、それぞれ前記第3、第4の信号が駆動レベルとなっ
ている間の一定期間オンレベルとすることができる。
In this case, the first and second signals can be set to the on level for a certain period of time while the third and fourth signals are at the drive level, respectively.

【0014】上記目的を達成するため、本発明の第2の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、隣
接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子に
供給されることによってオンし、前の段から電流路の一
端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力
する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの
制御端子の電流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積
された電荷によってオンし、負荷を介して電流路の一端
に供給される信号を電流路の他端から放出する第2のト
ランジスタと、前記第1のトランジスタの制御端子の電
流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積された電荷に
よってオンし、外部から電流路の一端に供給される第1
または第2の信号を当該段の出力信号として電流路の他
端から出力する第3のトランジスタと、前記第2のトラ
ンジスタがオフしているときに負荷を介して制御端子に
供給される信号によってオンし、外部から電流路の一端
に供給される定電圧の信号を当該段の出力信号として電
流路の他端から出力する第4のトランジスタと、隣接す
る他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子に供給
されることによってオンし、前記第1のトランジスタの
電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの制御端
子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排出させ
る第5のトランジスタと、前記第1のトランジスタの電
流路の他端と前記容量との間に設けられ、前記容量の電
圧を分圧させて、前記第1のトランジスタの電流路の両
端にかかるようにする第1の分圧素子とを備えることを
特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to a second aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register has a predetermined level from one of adjacent stages. A first transistor that is turned on when an output signal of the current path is supplied to the control terminal and outputs a signal of a predetermined level supplied from the previous stage to one end of the current path to the other end of the current path; The transistor is turned on by the electric charge stored in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the transistor and the control terminal, and emits a signal supplied to one end of the current path through the load from the other end of the current path. 2 and the first transistor, which is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal, and is supplied to one end of the current path from outside.
Or a third transistor that outputs a second signal as an output signal of the stage from the other end of the current path, and a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off. A fourth transistor that turns on and outputs a signal of a constant voltage externally supplied to one end of the current path as an output signal of the stage from the other end of the current path, and an output signal of a predetermined level from the other adjacent stage. It is turned on by being supplied to the control terminal, and discharges the electric charge accumulated in the capacitance formed between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor is provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor, and divides the voltage of the capacitor so that the voltage is applied to both ends of the current path of the first transistor. To Characterized in that it comprises a first voltage dividing element that.

【0015】ここで、シフトレジスタの1番最初の段及
び1番最後の段には、隣接する段の片方がない。この場
合、第1のトランジスタの電流路の一端から供給される
所定レベルの信号及び第5のトランジスタの制御端子に
供給される信号は、例えば、外部の制御装置などから供
給される、これに相当する所定の信号で代用することが
できる。
Here, the first stage and the last stage of the shift register do not have one of the adjacent stages. In this case, the signal of a predetermined level supplied from one end of the current path of the first transistor and the signal supplied to the control terminal of the fifth transistor are supplied from, for example, an external control device. A predetermined signal can be used instead.

【0016】上記第2の観点にかかるシフトレジスタで
は、各段からの出力信号のレベルは、第3、第4のトラ
ンジスタがそれぞれオンしているときに外部から供給さ
れる信号のレベルにほぼ等しいものとすることができ
る。このため、出力信号のレベルを減衰させることな
く、順次シフトしていくことが可能となる。
In the shift register according to the second aspect, the level of the output signal from each stage is substantially equal to the level of an externally supplied signal when the third and fourth transistors are on. Things. Therefore, it is possible to sequentially shift the output signal without attenuating the level.

【0017】また、第3のトランジスタがオンしている
ときに、電流路の一端にハイレベルの第3または第4の
信号が供給されると、その寄生容量がチャージアップさ
れ、容量の電圧が上昇することが起こりうる。しかし、
上記第2の観点にかかるシフトレジスタでは、各段に第
1の分圧素子を設けているため、第1のトランジスタの
電流路の一端と他端との間の電圧が必要以上に大きくな
ることを防ぐことができる。このため、第1のトランジ
スタが破壊されて、シフトレジスタが故障するといった
ことを防ぐことができる。
When a third or fourth high level signal is supplied to one end of the current path while the third transistor is on, the parasitic capacitance is charged up and the voltage of the capacitance is increased. It can happen to rise. But,
In the shift register according to the second aspect, since the first voltage-dividing element is provided at each stage, the voltage between one end and the other end of the current path of the first transistor may be unnecessarily large. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the first transistor from being broken and the shift register from being broken.

【0018】上記第2の観点にかかるシフトレジスタに
おいて、前記第1の分圧素子は、制御端子に所定の電圧
が印加され、電流路の両端がそれぞれ、前記第1のトラ
ンジスタの電流路の他端と前記容量とに接続されている
ものとすることができる。
In the shift register according to the second aspect, a predetermined voltage is applied to a control terminal of the first voltage dividing element, and both ends of the current path are connected to the other ends of the current path of the first transistor. It may be connected to an end and the capacitor.

【0019】上記第2の観点にかかるシフトレジスタ
は、また、前記第5のトランジスタの電流路の一端と前
記容量との間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させ
て、前記第5のトランジスタの電流路の両端にかかるよ
うにする第2の分圧素子をさらに備えるものとすること
ができる。
The shift register according to the second aspect is provided between one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor, and divides the voltage of the capacitor to generate the fifth transistor. A second voltage-dividing element may be further provided across both ends of the current path of the transistor.

【0020】このように各段にさらに第2の分圧素子を
設けることにより、第3のトランジスタの寄生容量がチ
ャージアップされて容量の電圧が上昇しても、第5のト
ランジスタの電流路の一端と他端との間の電圧が必要以
上に大きくなることを防ぐことができる。このため、第
5のトランジスタが破壊されて、シフトレジスタが故障
するといったことを防ぐことができる。
By providing the second voltage dividing element in each stage as described above, even if the parasitic capacitance of the third transistor is charged up and the voltage of the capacitance increases, the current path of the fifth transistor is increased. It is possible to prevent the voltage between one end and the other end from becoming unnecessarily large. Therefore, it is possible to prevent the fifth transistor from being broken and the shift register from being broken.

【0021】上記目的を達成するため、本発明の第3の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、隣
接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子に
供給されることによってオンし、前の段から電流路の一
端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力
する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの
制御端子の電流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積
された電荷によってオンし、負荷を介して電流路の一端
に供給される信号を電流路の他端から放出する第2のト
ランジスタと、前記第1のトランジスタの制御端子の電
流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積された電荷に
よってオンし、外部から電流路の一端に供給される第1
または第2の信号を当該段の出力信号として電流路の他
端から出力する第3のトランジスタと、前記第2のトラ
ンジスタがオフしているときに負荷を介して制御端子に
供給される信号によってオンし、外部から電流路の一端
に供給される定電圧の信号を当該段の出力信号として電
流路の他端から出力する第4のトランジスタと、隣接す
る他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子に供給
されることによってオンし、前記第1のトランジスタの
電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの制御端
子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排出させ
る第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタの電
流路の一端と前記容量との間に設けられ、前記容量の電
圧を分圧させて、前記第5のトランジスタの電流路の両
端にかかるようにする第2の分圧素子とを備えることを
特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to a third aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register has a predetermined level from one of adjacent stages. A first transistor that is turned on when an output signal of the current path is supplied to the control terminal and outputs a signal of a predetermined level supplied from the previous stage to one end of the current path to the other end of the current path; The transistor is turned on by the electric charge stored in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the transistor and the control terminal, and emits a signal supplied to one end of the current path through the load from the other end of the current path. 2 and the first transistor, which is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal, and is supplied to one end of the current path from outside.
Or a third transistor that outputs a second signal as an output signal of the stage from the other end of the current path, and a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off. A fourth transistor that turns on and outputs a signal of a constant voltage externally supplied to one end of the current path as an output signal of the stage from the other end of the current path, and an output signal of a predetermined level from the other adjacent stage. It is turned on by being supplied to the control terminal, and discharges the electric charge accumulated in the capacitance formed between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor, which is provided between one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor and divides a voltage of the capacitor so as to be applied to both ends of the current path of the fifth transistor. Characterized in that it comprises a second voltage dividing element that.

【0022】ここで、シフトレジスタの1番最初の段及
び1番最後の段には、隣接する段の片方がない。この場
合、第1のトランジスタの電流路の一端から供給される
所定レベルの信号及び第5のトランジスタの制御端子に
供給される信号は、例えば、外部の制御装置などから供
給される、これに相当する所定の信号で代用することが
できる。
Here, the first stage and the last stage of the shift register do not have one of the adjacent stages. In this case, the signal of a predetermined level supplied from one end of the current path of the first transistor and the signal supplied to the control terminal of the fifth transistor are supplied from, for example, an external control device. A predetermined signal can be used instead.

【0023】上記第3の観点にかかるシフトレジスタで
は、各段からの出力信号のレベルは、第3、第4のトラ
ンジスタがそれぞれオンしているときに外部から供給さ
れる信号のレベルにほぼ等しいものとすることができ
る。このため、出力信号のレベルを減衰させることな
く、順次シフトしていくことが可能となる。
In the shift register according to the third aspect, the level of the output signal from each stage is substantially equal to the level of an externally supplied signal when the third and fourth transistors are on. Things. Therefore, it is possible to sequentially shift the output signal without attenuating the level.

【0024】また、第3のトランジスタがオンしている
ときに、電流路の一端にハイレベルの第3または第4の
信号が供給されると、その寄生容量がチャージアップさ
れ、容量の電圧が上昇することが起こりうる。しかし、
上記第3の観点にかかるシフトレジスタでは、各段に第
2の分圧素子を設けているため、第5のトランジスタの
電流路の一端と他端との間の電圧が必要以上に大きくな
ることを防ぐことができる。このため、第5のトランジ
スタが破壊されて、シフトレジスタが故障するといった
ことを防ぐことができる。
Further, when the third or fourth signal at a high level is supplied to one end of the current path while the third transistor is on, the parasitic capacitance is charged up and the voltage of the capacitance is increased. It can happen to rise. But,
In the shift register according to the third aspect, since the second voltage-dividing element is provided in each stage, the voltage between one end and the other end of the current path of the fifth transistor may be unnecessarily large. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the fifth transistor from being broken and the shift register from being broken.

【0025】上記第2、第3の観点にかかるシフトレジ
スタにおける前記第2の分圧素子は、制御端子に所定の
電圧が印加され、電流路の両端がそれぞれ、前記第5の
トランジスタの電流路の一端と前記容量とに接続されて
いるものとすることができる。
In the shift register according to the second and third aspects, a predetermined voltage is applied to a control terminal of the second voltage dividing element, and both ends of the current path are respectively connected to the current path of the fifth transistor. Are connected to one end of the capacitor and the capacitor.

【0026】上記第2、第3の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、奇数番目の段には、第3、第4の信号の
うちの第3の信号が外部から供給され、偶数番目の段に
は、第3、第4の信号のうちの第4の信号が外部から供
給されるものとすることができる。この場合、第3、第
4の信号はそれぞれ、前記シフトレジスタの出力信号を
シフトしていくタイムスロットのうちの所定期間、タイ
ムスロット毎に交互に駆動レベルとなるものとすること
ができる。
In the shift register according to the second and third aspects, the third of the third and fourth signals is externally supplied to the odd-numbered stage, and the even-numbered stage is supplied to the even-numbered stage. , The third signal, and the fourth signal may be supplied from the outside. In this case, each of the third and fourth signals may alternately have a drive level for each time slot during a predetermined period among time slots in which the output signal of the shift register is shifted.

【0027】上記第1〜第3の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、前記複数の段のそれぞれを構成する各ト
ランジスタは、同一のチャネル型の電界効果トランジス
タであることを好適とする。
In the shift register according to the first to third aspects, it is preferable that each transistor constituting each of the plurality of stages is the same channel type field effect transistor.

【0028】上記目的を達成するため、本発明の第4の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、外
部からの信号により、内部に設けられた容量に電荷を蓄
積させる第1のトランジスタと、前記第1のトランジス
タとの間に前記容量を形成すると共に、前記容量に蓄積
された電荷によってオンしているときに電流路の一端か
ら供給された電圧を出力信号として電流路の他端から出
力する第2のトランジスタと、前記容量と前記第1のト
ランジスタの間に設けられ、前記容量に蓄積された電荷
による電圧を分圧させて、前記第1のトランジスタの電
流路の両端にかかるようにする分圧素子とを備えること
を特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to a fourth aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is internally provided by an external signal. A first transistor for storing charge in a provided capacitor; and forming the capacitor between the first transistor and a first transistor from one end of a current path when turned on by the charge stored in the capacitor. A second transistor that outputs the supplied voltage as an output signal from the other end of the current path, and a second transistor that is provided between the capacitor and the first transistor and divides a voltage due to electric charge accumulated in the capacitor. , A voltage dividing element to be applied to both ends of the current path of the first transistor.

【0029】上記目的を達成するため、本発明の第5の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、外
部からの信号により、内部に設けられた容量に電荷を蓄
積させる第1のトランジスタと、前記第1のトランジス
タとの間に前記容量を形成すると共に、前記容量に蓄積
された電荷によってオンしているときに電流路の一端か
ら供給された電圧を出力信号として電流路の他端から出
力する第2のトランジスタと、電流路の一端が前記容量
に接続され、外部からの信号によって前記容量に蓄積さ
れた電荷を放出させる第3のトランジスタと、前記容量
と前記第3のトランジスタとの間に設けられ、前記容量
に蓄積された電荷による電圧を分圧させて、前記第3の
トランジスタの電流路の両端にかかるようにする分圧素
子とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a shift register according to a fifth aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is internally provided by an external signal. A first transistor for storing charge in a provided capacitor; and forming the capacitor between the first transistor and a first transistor from one end of a current path when turned on by the charge stored in the capacitor. A second transistor that outputs the supplied voltage as an output signal from the other end of the current path, and a third transistor that has one end of the current path connected to the capacitor and releases charges accumulated in the capacitor by a signal from the outside. And a third transistor, which is provided between the capacitor and the third transistor, divides a voltage by the electric charge accumulated in the capacitor to generate a voltage of the third transistor. Characterized in that it comprises a dividing element which rests on the ends of the road.

【0030】上記目的を達成するため、本発明の第6の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、外部から制御端子に供給される第1または第2の信
号によってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端
に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力す
る第1のトランジスタと、制御端子と前記第1のトラン
ジスタの電流路の他端との間の容量に蓄積された電荷に
よってオンし、負荷を介して電流路の一端に供給される
信号を電流路の他端から放出する第2のトランジスタ
と、制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端
との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される第3または第4の信号を出
力信号として電流路の他端から出力する第3のトランジ
スタと、前記第2のトランジスタがオフしているときに
負荷を介して制御端子に供給される信号によってオン
し、外部から電流路の一端に供給される信号を出力信号
として電流路の他端から出力する第4のトランジスタ
と、前記第1のトランジスタの電流路の他端と前記容量
との間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記
第1のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする
分圧素子とを備えることを特徴とする。
To achieve the above object, an electronic device according to a sixth aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element constituted by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver is provided with a first or second signal supplied to a control terminal from outside. A first transistor that is turned on by the first stage and outputs a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to one end of the current path to the other end of the current path; and a control terminal and the other of the current path of the first transistor. A second transistor that is turned on by the electric charge stored in the capacitor between the first and second terminals and emits a signal supplied to one end of the current path through the load from the other end of the current path; Is turned on by the electric charge accumulated in the capacitance between the other end of the current path of the transistor and the third or fourth signal supplied from the outside to one end of the current path as an output signal and output from the other end of the current path. A third transistor to be turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off, and a signal supplied from the outside to one end of the current path as an output signal. A fourth transistor that outputs from the other end of the path, and a fourth transistor that is provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor; A voltage dividing element that is applied to both ends of the current path.

【0031】上記目的を達成するため、本発明の第7の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御
端子に供給されることによってオンし、前の段から電流
路の一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端
に出力する第1のトランジスタと、前記第1のトランジ
スタの制御端子の電流路の他端と制御端子との間の容量
に蓄積された電荷によってオンし、負荷を介して電流路
の一端に供給される信号を電流路の他端から放出する第
2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの制御端
子の電流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積された
電荷によってオンし、外部から電流路の一端に供給され
る第1または第2の信号を当該段の出力信号として電流
路の他端から出力する第3のトランジスタと、前記第2
のトランジスタがオフしているときに負荷を介して制御
端子に供給される信号によってオンし、外部から電流路
の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出力信号と
して電流路の他端から出力する第4のトランジスタと、
隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、前記第1のトランジス
タの電流路の他端と前記容量との間に設けられ、前記容
量の電圧を分圧させて、前記第1のトランジスタの電流
路の両端にかかるようにする分圧素子とを備えることを
特徴とする。
To achieve the above object, an electronic device according to a seventh aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element configured by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver receives an output signal of a predetermined level from one of adjacent stages to a control terminal. A first transistor that is turned on by being supplied and outputs a signal of a predetermined level supplied from a previous stage to one end of the current path to the other end of the current path; and a current path of a control terminal of the first transistor. A second transistor that is turned on by the charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path and the control terminal, and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path; The first transistor is turned on by the charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal, and the first or second signal supplied from the outside to one end of the current path is supplied to the first transistor A third transistor which outputs the output signal of the stage from the other end of the current path;
Is turned on by a signal supplied to the control terminal via the load when the transistor is turned off, and a constant voltage signal supplied from the outside to one end of the current path is used as an output signal of the corresponding stage, the other end of the current path. A fourth transistor output from
It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor, and a fifth transistor provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor, dividing the voltage of the capacitor, A voltage dividing element that is applied to both ends of the current path of the first transistor.

【0032】上記目的を達成するため、本発明の第8の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御
端子に供給されることによってオンし、前の段から電流
路の一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端
に出力する第1のトランジスタと、前記第1のトランジ
スタの制御端子の電流路の他端と制御端子との間の容量
に蓄積された電荷によってオンし、負荷を介して電流路
の一端に供給される信号を電流路の他端から放出する第
2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの制御端
子の電流路の他端と制御端子との間の容量に蓄積された
電荷によってオンし、外部から電流路の一端に供給され
る第1または第2の信号を当該段の出力信号として電流
路の他端から出力する第3のトランジスタと、前記第2
のトランジスタがオフしているときに負荷を介して制御
端子に供給される信号によってオンし、外部から電流路
の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出力信号と
して電流路の他端から出力する第4のトランジスタと、
隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、前記第5のトランジス
タの電流路の一端と前記容量との間に設けられ、前記容
量の電圧を分圧させて、前記第5のトランジスタの電流
路の両端にかかるようにする分圧素子とを備えることを
特徴とする。
In order to achieve the above object, an electronic device according to an eighth aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element configured by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver receives an output signal of a predetermined level from one of adjacent stages to a control terminal. A first transistor that is turned on by being supplied and outputs a signal of a predetermined level supplied from a previous stage to one end of the current path to the other end of the current path; and a current path of a control terminal of the first transistor. A second transistor that is turned on by the charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path and the control terminal, and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path; The first transistor is turned on by the charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal, and the first or second signal supplied from the outside to one end of the current path is supplied to the first transistor. A third transistor which outputs the output signal of the stage from the other end of the current path;
Is turned on by a signal supplied to the control terminal via the load when the transistor is turned off, and a constant voltage signal supplied from the outside to one end of the current path is used as an output signal of the corresponding stage, the other end of the current path. A fourth transistor output from
It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor, and a fifth transistor provided between one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor; And a voltage dividing element to be applied to both ends of the current path of the transistor of No. 5.

【0033】上記第6〜第8の観点にかかる電子装置に
おいて、前記駆動素子は、例えば、撮像素子とすること
ができる。
In the electronic device according to the sixth to eighth aspects, the driving element can be, for example, an image pickup element.

【0034】この場合において、前記撮像素子は、励起
光によりキャリアを生成する半導体層と、前記半導体層
の両端にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソース電
極と、第1ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の一方側
に設けられた第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介
して前記半導体層の他方側に設けられた第2ゲート電極
とを、画素毎に備えるものとしてもよい。そして、前記
ドライバは、出力信号を第1のゲート電極に出力する第
1のドライバと、出力信号を第2のゲート電極に出力す
る第2のドライバとを含むものとすることができる。
In this case, the image pickup device includes a semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode connected to both ends of the semiconductor layer, and the semiconductor layer via a first gate insulating film. A first gate electrode provided on one side of the layer and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer via a second gate insulating film may be provided for each pixel. The driver may include a first driver that outputs an output signal to the first gate electrode, and a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode.

【0035】ここで、撮像素子の各画素の構成から第1
ゲート電極または第2ゲート電極を除いた構造のもの
を、ドライバを構成する各トランジスタとして適用する
ことが可能となる。このため、撮像素子を形成した基板
と同一の基板上に、同一のプロセスにおいて、ドライバ
を形成することが可能となる。
Here, from the configuration of each pixel of the image sensor, the first
A structure excluding the gate electrode or the second gate electrode can be applied to each transistor included in the driver. Therefore, a driver can be formed in the same process on the same substrate as the substrate on which the imaging element is formed.

【0036】上記第6〜第8の観点にかかる電子装置に
おいて、前記駆動素子は、また、表示素子とすることも
できる。
In the electronic device according to the sixth to eighth aspects, the driving element can be a display element.

【0037】この場合において、前記表示素子は、制御
端子に前記ドライバの各段のいずれかの出力信号が供給
され、電流路の一端に外部から画像データが供給される
第6のトランジスタを、画素毎に備えるものとすること
ができる。
In this case, the display element includes a sixth transistor to which a control terminal is supplied with an output signal of any one of the stages of the driver and one end of a current path to which image data is supplied from outside. It can be provided for each.

【0038】このとき、表示素子が備える第6のトラン
ジスタには、ドライバを構成する各トランジスタと同一
の構造のものを適用することが可能となる。このため、
撮像素子を形成した基板と同一の基板上に、同一のプロ
セスにおいて、ドライバを形成することが可能となる。
At this time, as the sixth transistor included in the display element, a transistor having the same structure as each transistor forming the driver can be applied. For this reason,
A driver can be formed in the same process on the same substrate as the substrate on which the imaging element is formed.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0040】[第1の実施の形態]図1は、この実施の
形態にかかる撮像装置の構成を示すブロック図である。
図示するように、この撮像装置は、画像を撮影する撮像
素子1、並びにコントローラからの制御信号に従って撮
像素子1を駆動するためのトップゲートドライバ2、ボ
トムゲートドライバ3及びドレインドライバ4から構成
されている。
[First Embodiment] FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an image pickup apparatus according to this embodiment.
As shown in the figure, the imaging apparatus includes an imaging device 1 for capturing an image, and a top gate driver 2, a bottom gate driver 3, and a drain driver 4 for driving the imaging device 1 according to a control signal from a controller. I have.

【0041】撮像素子1は、マトリクス状に配置された
複数のダブルゲートトランジスタ10で構成される。ダ
ブルゲートトランジスタ10のトップゲート電極はトッ
プゲートラインTGLに、ボトムゲート電極はボトムゲ
ートラインBGLに、ドレイン電極はドレインラインD
Lに、ソース電極は接地されたグラウンドラインGrL
にそれぞれ接続されている。撮像素子1を構成するダブ
ルゲートトランジスタ10の詳細については後述する。
The image sensor 1 is composed of a plurality of double gate transistors 10 arranged in a matrix. The top gate electrode of the double gate transistor 10 is on the top gate line TGL, the bottom gate electrode is on the bottom gate line BGL, and the drain electrode is the drain line D
L, the source electrode is a ground line GrL
Connected to each other. The details of the double gate transistor 10 constituting the imaging device 1 will be described later.

【0042】トップゲートドライバ2は、撮像素子1の
トップゲートラインTGLに接続され、コントローラか
らの制御信号Tcntに従って、各トップゲートライン
TGLに+25(V)または−15(V)の信号を出力
する。トップゲートドライバ2は、コントローラから供
給される信号に従って、+25(V)の信号を各トップ
ゲートラインTGLに順次選択的に出力するシフトレジ
スタで構成される。トップゲートドライバ2の詳細につ
いては後述する。
The top gate driver 2 is connected to the top gate line TGL of the image sensor 1, and outputs a signal of +25 (V) or -15 (V) to each top gate line TGL according to a control signal Tcnt from the controller. . The top gate driver 2 is configured by a shift register that sequentially and selectively outputs a signal of +25 (V) to each top gate line TGL according to a signal supplied from the controller. Details of the top gate driver 2 will be described later.

【0043】ボトムゲートドライバ3は、撮像素子1の
ボトムゲートラインBGLに接続され、コントローラか
らの制御信号Bcntに従って、各ボトムゲートライン
BGLに+10(V)または0(V)の信号を出力す
る。ボトムゲートドライバ3は、コントローラから供給
される信号に従って、+10(V)の信号を各ボトムゲ
ートラインBGLに順次選択的に出力するシフトレジス
タで構成される。ボトムゲートドライバ3の詳細につい
ては後述する。
The bottom gate driver 3 is connected to the bottom gate line BGL of the image sensor 1 and outputs a signal of +10 (V) or 0 (V) to each bottom gate line BGL according to a control signal Bcnt from the controller. The bottom gate driver 3 includes a shift register that sequentially and selectively outputs a signal of +10 (V) to each bottom gate line BGL according to a signal supplied from the controller. Details of the bottom gate driver 3 will be described later.

【0044】ドレインドライバ4は、撮像素子1のドレ
インラインDLに接続され、コントローラからの制御信
号Dcntに従って、後述する所定の期間において全て
のドレインラインDLに定電圧(+10(V))を出力
し、電荷をプリチャージさせる。ドレインドライバ4
は、プリチャージの後の所定の期間においてダブルゲー
トトランジスタ10の半導体層にチャネルが形成されて
いるか否かによって変化する各ドレインラインDLの電
位を読み出し、画像データDATAとしてコントローラ
に供給する。
The drain driver 4 is connected to the drain line DL of the image sensor 1, and outputs a constant voltage (+10 (V)) to all the drain lines DL in a predetermined period described later according to a control signal Dcnt from the controller. , And precharge the charge. Drain driver 4
Reads the potential of each drain line DL that changes depending on whether a channel is formed in the semiconductor layer of the double gate transistor 10 in a predetermined period after the precharge, and supplies the potential as image data DATA to the controller.

【0045】次に、図1に示す撮像素子1を構成するダ
ブルゲートトランジスタ10の構造とその駆動原理につ
いて説明する。
Next, the structure of the double gate transistor 10 constituting the image pickup device 1 shown in FIG. 1 and its driving principle will be described.

【0046】図2は、ダブルゲートトランジスタ10の
概略的な構造を示す断面図である。図示するように、基
板10a上にクロムなどからなるボトムゲート電極10
bが形成されている。このボトムゲート電極10bを覆
うように、窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜1
0cが形成されている。
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic structure of the double gate transistor 10. As shown, a bottom gate electrode 10 made of chrome or the like is formed on a substrate 10a.
b is formed. Bottom gate insulating film 1 made of silicon nitride so as to cover bottom gate electrode 10b.
0c is formed.

【0047】ボトムゲート絶縁膜10c上のボトムゲー
ト電極10bと対向する位置には、アモルファスシリコ
ンまたはポリシリコンからなる半導体層10dが形成さ
れている。そして、半導体層10d上のブロッキング
層、n型半導体層(図示せず)を介して、半導体層10
dからボトムゲート絶縁膜10cに渡るように、クロム
からなるドレイン電極10eとソース電極10fとが形
成されている。これら半導体層10d、ドレイン電極1
0e及びソース電極10fを覆うように、窒化シリコン
からなるトップゲート絶縁膜10gが形成されている。
A semiconductor layer 10d made of amorphous silicon or polysilicon is formed on the bottom gate insulating film 10c at a position facing the bottom gate electrode 10b. Then, the semiconductor layer 10 is formed via a blocking layer and an n-type semiconductor layer (not shown) on the semiconductor layer 10d.
A drain electrode 10e and a source electrode 10f made of chromium are formed to extend from d to the bottom gate insulating film 10c. The semiconductor layer 10d and the drain electrode 1
A top gate insulating film 10g made of silicon nitride is formed so as to cover 0e and source electrode 10f.

【0048】トップゲート絶縁膜10g上の半導体層1
0dと対向する位置には、ITO(Indium Tin Oxide)
からなるトップゲート電極10hが形成されている。そ
して、このトップゲート電極10hを覆うように、窒化
シリコンからなる絶縁保護膜10iが形成されている。
なお、このダブルゲートトランジスタ10において、半
導体層10dへの光の入射は、それぞれ透明材料で形成
された絶縁保護膜10i、トップゲート電極10h及び
トップゲート絶縁膜10gを介してなされる。
Semiconductor layer 1 on top gate insulating film 10g
In the position opposite to 0d, ITO (Indium Tin Oxide)
Is formed. An insulating protective film 10i made of silicon nitride is formed so as to cover the top gate electrode 10h.
In this double-gate transistor 10, light is incident on the semiconductor layer 10d through an insulating protective film 10i, a top gate electrode 10h, and a top gate insulating film 10g, each formed of a transparent material.

【0049】図3(a)〜(d)は、ダブルゲートトラ
ンジスタ10の駆動原理を示す模式図である。
FIGS. 3A to 3D are schematic views showing the driving principle of the double gate transistor 10. FIG.

【0050】図3(a)に示すように、トップゲート電
極(TG)に印加されている電圧が+25(V)で、ボ
トムゲート電極(BG)に印加されている電圧が0
(V)であると、半導体層10d内に連続したnチャネ
ルが形成されず、ドレイン電極(D)10eに+10
(V)の電圧が供給されても、ソース電極(S)10f
との間に電流が流れない。また、この状態では、後述す
るフォトセンス状態において半導体層10dの上部に蓄
積された正孔が、同じ極性のトップゲート電極10hの
電圧により反発することにより、突出される。以下、こ
の状態をリセット状態という。
As shown in FIG. 3A, the voltage applied to the top gate electrode (TG) is +25 (V), and the voltage applied to the bottom gate electrode (BG) is 0.
(V), a continuous n-channel is not formed in the semiconductor layer 10d, and the drain electrode (D) 10e has +10
(V) is supplied, the source electrode (S) 10f
No current flows between In this state, the holes accumulated in the upper part of the semiconductor layer 10d in the photo-sensing state described later are projected by being repelled by the voltage of the top gate electrode 10h having the same polarity. Hereinafter, this state is referred to as a reset state.

【0051】図3(b)に示すように、半導体層10d
に光が入射されると、その光量に応じて半導体層10d
内に正孔−電子対が生じる。このとき、トップゲート電
極(TG)10hに印加されている電圧が−15(V)
で、ボトムゲート電極(BG)10bに印加されている
電圧が0(V)であると、発生した正孔−電子対のうち
の正孔が半導体層10d内のブロッキング層(図の上
部)に蓄積される。以下、この状態をフォトセンス状態
という。なお、半導体層10d内に蓄積された正孔は、
リセット状態となるまで半導体層10dから吐出される
ことはない。
As shown in FIG. 3B, the semiconductor layer 10d
Is incident on the semiconductor layer 10d according to the amount of light.
A hole-electron pair is generated inside. At this time, the voltage applied to the top gate electrode (TG) 10h is -15 (V).
When the voltage applied to the bottom gate electrode (BG) 10b is 0 (V), the holes of the generated hole-electron pairs are transferred to the blocking layer (upper part in the figure) in the semiconductor layer 10d. Stored. Hereinafter, this state is referred to as a photosense state. The holes accumulated in the semiconductor layer 10d are:
No ejection is performed from the semiconductor layer 10d until the reset state is reached.

【0052】図3(c)に示すように、フォトセンス状
態において十分な量の正孔が半導体層10d内に蓄積さ
れず、トップゲート電極(TG)10hに印加されてい
る電圧が−15(V)で、ボトムゲート電極(BG)1
0bに印加されている電圧が+10(V)であると、半
導体層10d内に空乏層が広がり、nチャネルがピンチ
オフされ、半導体層10dが高抵抗となる。このため、
ドレイン電極(D)10eに+10(V)の電圧が供給
されても、ソース電極(S)10fとの間に電流が流れ
ない。以下、この状態を第1の読み出し状態という。
As shown in FIG. 3C, a sufficient amount of holes are not accumulated in the semiconductor layer 10d in the photo-sensing state, and the voltage applied to the top gate electrode (TG) 10h becomes -15 ( V), the bottom gate electrode (BG) 1
When the voltage applied to 0b is +10 (V), the depletion layer spreads in the semiconductor layer 10d, the n-channel is pinched off, and the semiconductor layer 10d has a high resistance. For this reason,
Even when a voltage of +10 (V) is supplied to the drain electrode (D) 10e, no current flows between the source electrode (S) 10f. Hereinafter, this state is referred to as a first read state.

【0053】図3(d)に示すように、フォトセンス状
態において十分な量の正孔が半導体層10d内に蓄積さ
れ、トップゲート電極(TG)10hに印加されている
電圧が−15(V)で、ボトムゲート電極(BG)10
bに印加されている電圧が+10(V)であると、蓄積
されている正孔が負電圧の印加されているトップゲート
電極10hに引き寄せられて保持し、トップゲート電極
10hの負電圧が半導体層10dに及ぼす影響を緩和さ
せる。このため、半導体層10dのボトムゲート電極1
0b側にnチャネルが形成され、半導体層10dが低抵
抗となる。このため、ドレイン電極(D)に+10
(V)の電圧が供給されると、ソース電極(S)10f
との間に電流が流れる。以下、この状態を第2の読み出
し状態という。
As shown in FIG. 3D, a sufficient amount of holes is accumulated in the semiconductor layer 10d in the photo-sensing state, and the voltage applied to the top gate electrode (TG) 10h is -15 (V). ), The bottom gate electrode (BG) 10
If the voltage applied to b is +10 (V), the accumulated holes are attracted to and held by the top gate electrode 10h to which the negative voltage is applied, and the negative voltage of the top gate electrode 10h is changed to the semiconductor. The effect on the layer 10d is reduced. Therefore, the bottom gate electrode 1 of the semiconductor layer 10d
An n-channel is formed on the 0b side, and the semiconductor layer 10d has low resistance. Therefore, the drain electrode (D) has +10
When the voltage of (V) is supplied, the source electrode (S) 10f
A current flows between. Hereinafter, this state is referred to as a second read state.

【0054】次に、図1に示すトップゲートドライバ2
及びボトムゲートドライバ3の詳細について説明する。
図4は、トップゲートドライバ2及びボトムゲートドラ
イバ3として適用されるシフトレジスタの全体の構成を
示すブロック図である。撮像素子1に配されているダブ
ルゲートトランジスタ10の行数(トップゲートライン
TGLの数)をnとすると、いずれのドライバ2、3と
して適用される場合も、このシフトレジスタは、n個の
段RS1(1)〜RS1(n)から構成される。
Next, the top gate driver 2 shown in FIG.
The details of the bottom gate driver 3 will be described.
FIG. 4 is a block diagram showing the entire configuration of the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3. Assuming that the number of rows (the number of top gate lines TGL) of the double-gate transistors 10 arranged in the image sensor 1 is n, this shift register has n stages when applied as any of the drivers 2 and 3. RS1 (1) to RS1 (n).

【0055】各段RS1(k)(k:1〜nの整数)
は、入力信号端子IN、出力信号端子OUT、制御信号
端子Φ、定電圧入力端子SS、基準電圧入力端子DD、
及びクロック信号入力端子clkを有している。出力信
号端子OUTは、各段RS1(k)の出力信号out
(k)を出力する端子である。出力信号out(k)
は、それぞれ撮像素子1の各トップゲートラインTGL
(トップゲートドライバ2として適用の場合)、或いは
各ボトムゲートラインBGL(ボトムゲートドライバ3
として適用の場合)に出力される。
Each stage RS1 (k) (k: an integer from 1 to n)
Are input signal terminal IN, output signal terminal OUT, control signal terminal Φ, constant voltage input terminal SS, reference voltage input terminal DD,
And a clock signal input terminal clk. The output signal terminal OUT is connected to the output signal out of each stage RS1 (k).
(K) output terminal. Output signal out (k)
Are the respective top gate lines TGL of the image sensor 1
(When applied as top gate driver 2) or each bottom gate line BGL (bottom gate driver 3)
Is applied to the output.

【0056】入力信号端子INは、コントローラからの
スタート信号Vst(1番目の段RS1(1)の場
合)、または前の段RS(k−1)(k:2〜nの整
数)から出力された出力信号out(k−1)(2番目
以降の段の場合)が入力される端子である。
The input signal terminal IN is output from the start signal Vst from the controller (in the case of the first stage RS1 (1)) or the previous stage RS (k-1) (k: an integer of 2 to n). This is a terminal to which the output signal out (k-1) (for the second and subsequent stages) is input.

【0057】定電圧入力端子SSは、コントローラから
の定電圧Vssが供給される端子である。定電圧入力端
子SSに供給される定電圧Vssのレベルは、−15
(V)(トップゲートドライバ2として適用の場合)、
或いは0(V)(ボトムゲートドライバ3として適用の
場合)である。基準電圧入力端子DDは、所定の基準電
圧Vddが供給される端子である。基準電圧入力端子D
Dに供給される基準電圧のレベルは、+25(V)であ
る。
The constant voltage input terminal SS is a terminal to which a constant voltage Vss is supplied from the controller. The level of the constant voltage Vss supplied to the constant voltage input terminal SS is -15
(V) (when applied as top gate driver 2),
Alternatively, it is 0 (V) (when applied as the bottom gate driver 3). The reference voltage input terminal DD is a terminal to which a predetermined reference voltage Vdd is supplied. Reference voltage input terminal D
The level of the reference voltage supplied to D is +25 (V).

【0058】クロック信号入力端子clkは、コントロ
ーラからのクロック信号CK1(奇数番目の段の場
合)、或いはクロック信号CK2(偶数段目の段の場
合)が供給される端子である。クロック信号CK1、C
K2はそれぞれ、前記シフトレジスタの出力信号をシフ
トしていくタイムスロットのうちの所定期間、タイムス
ロット毎に交互に駆動レベルとなる。トップゲートドラ
イバ2として適用した場合は、クロック信号CK1、C
K2は、ハイレベル(nチャネルトランジスタにおける
オン電圧レベル)が+25(V)、ローレベル(nチャ
ネルトランジスタにおけるオフ電圧レベル)が−15
(V)である。一方、ボトムゲートドライバ3として適
用した場合は、ハイレベル(nチャネルトランジスタに
おけるオン電圧レベル)が+10(V)、ローレベル
(nチャネルトランジスタにおけるオフ電圧レベル)が
0(V)である。
The clock signal input terminal clk is a terminal to which a clock signal CK1 (for an odd-numbered stage) or a clock signal CK2 (for an even-numbered stage) from the controller is supplied. Clock signals CK1, C
K2 alternately becomes the drive level for each time slot during a predetermined period of the time slots in which the output signal of the shift register is shifted. When applied as the top gate driver 2, the clock signals CK1 and C
K2 has a high level (ON voltage level in an n-channel transistor) of +25 (V) and a low level (OFF voltage level in an n-channel transistor) of -15.
(V). On the other hand, when applied as the bottom gate driver 3, the high level (ON voltage level in the n-channel transistor) is +10 (V) and the low level (OFF voltage level in the n-channel transistor) is 0 (V).

【0059】制御信号端子Φは、コントローラからの制
御信号φ1(奇数番目の段の場合)、或いは制御信号φ
2(偶数番目の段の場合)が供給される端子である。制
御信号φ1、φ2のハイレベルは、後述するようにこれ
が供給されるnチャネルのTFTのオンレベルとなる所
定の値、ローレベルは、そのTFTのオフレベルとなる
所定の値である。
A control signal terminal φ is a control signal φ1 from the controller (in the case of an odd-numbered stage) or a control signal φ.
2 (in the case of an even-numbered stage). As described later, the high level of the control signals φ1 and φ2 is a predetermined value at which the n-channel TFT to which the control signal is supplied is turned on, and the low level is a predetermined value at which the TFT is turned off.

【0060】図5は、上記構成のシフトレジスタの各段
RS1(1)〜RS1(n)の回路構成を示す図であ
る。図示するように、各段RS1(1)〜RS1(n)
は、基本構成として5つのTFT(Thin Film Transist
or)21〜25と、付加構成として1つのTFT31と
を有している。TFT21〜25、31は、いずれもn
チャネルMOS型の電界効果トランジスタで構成される
もので、図2に示したダブルゲートトランジスタ10の
ボトムゲート電極10bまたはトップゲート電極10h
を除いた構造となっている。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of each stage RS1 (1) to RS1 (n) of the shift register having the above configuration. As shown, each stage RS1 (1) to RS1 (n)
Consists of five TFTs (Thin Film Transistor)
or) 21 to 25, and one TFT 31 as an additional configuration. TFTs 21 to 25 and 31 each have n
The bottom gate electrode 10b or the top gate electrode 10h of the double gate transistor 10 shown in FIG.
The structure is excluded.

【0061】TFT21のゲート電極(制御端子)は制
御信号端子Φに、ドレイン電極(電流路の一端)は入力
信号端子INに、ソース電極(電流路の他端)はTFT
22、24のゲート電極(制御端子)に接続されてい
る。TFT23のゲート電極(制御端子)とドレイン電
極(電流路の一端)とは基準電圧入力端子DDに接続さ
れている。TFT22のドレイン電極(電流路の一端)
はTFT23のソース電極(電流路の他端)に、ソース
電極(電流路の他端)は定電圧入力端子SSに接続され
ている。TFT24のドレイン電極(電流路の一端)は
クロック信号入力端子clkに、ソース電極(電流路の
他端)はTFT25のドレイン電極(電流路の一端)と
出力信号端子OUTとに接続されている。TFT25の
ゲート電極(制御端子)はTFT23のソース電極(電
流路の他端)に、ソース電極(電流路の他端)は定電圧
入力端子SSに接続されている。
The gate electrode (control terminal) of the TFT 21 is connected to the control signal terminal Φ, the drain electrode (one end of the current path) is connected to the input signal terminal IN, and the source electrode (the other end of the current path) is connected to the TFT.
22 and 24 are connected to gate electrodes (control terminals). The gate electrode (control terminal) and the drain electrode (one end of the current path) of the TFT 23 are connected to the reference voltage input terminal DD. Drain electrode of TFT 22 (one end of current path)
Is connected to the source electrode (the other end of the current path) of the TFT 23, and the source electrode (the other end of the current path) is connected to the constant voltage input terminal SS. The drain electrode (one end of the current path) of the TFT 24 is connected to the clock signal input terminal clk, and the source electrode (the other end of the current path) is connected to the drain electrode (one end of the current path) of the TFT 25 and the output signal terminal OUT. The gate electrode (control terminal) of the TFT 25 is connected to the source electrode (the other end of the current path) of the TFT 23, and the source electrode (the other end of the current path) is connected to the constant voltage input terminal SS.

【0062】また、TFT21のソース電極とTFT2
2、24のゲート電極との間の配線及びこれと関係する
TFT21、22、24の寄生容量とによって、電荷を
蓄積するための容量Aが形成されている。
The source electrode of the TFT 21 and the TFT 2
The capacitance A for accumulating charges is formed by the wiring between the gate electrodes 2 and 24 and the parasitic capacitance of the TFTs 21, 22 and 24 related thereto.

【0063】TFT21のゲート電極には、コントロー
ラからの制御信号φ1またはφ2が供給される。TFT
21のドレイン電極には、前の段RS1(k−1)から
の出力信号out(k−1)が供給される。TFT21
は、ハイレベル(オンレベル)の信号φ1またはφ2が
供給されたときにオンし、出力信号out(k−1)に
よりドレイン電極とソース電極との間に電流が流れる。
これにより、TFT31を介して容量Aに電荷をチャー
ジさせる。
The control signal φ1 or φ2 from the controller is supplied to the gate electrode of the TFT 21. TFT
The output signal out (k-1) from the previous stage RS1 (k-1) is supplied to the drain electrode 21. TFT21
Is turned on when a high-level (on-level) signal φ1 or φ2 is supplied, and a current flows between the drain electrode and the source electrode by the output signal out (k−1).
Thus, the capacitor A is charged with electric charge via the TFT 31.

【0064】TFT23のゲート電極とドレイン電極と
には、基準電圧Vddが供給されている。これにより、
TFT23は、常にオン状態となっている。TFT23
は、基準電圧Vddを分圧する負荷としての機能を有す
る。
A reference voltage Vdd is supplied to the gate electrode and the drain electrode of the TFT 23. This allows
The TFT 23 is always on. TFT23
Has a function as a load for dividing the reference voltage Vdd.

【0065】TFT22は、容量Aに電荷がチャージさ
れていないときにオフ状態となり、TFT23を介して
供給された基準電圧VddをTFT25のゲート電極に
供給させる。また、TFT22は、容量Aに電荷がチャ
ージされているときにオン状態となり、ドレイン電極と
ソース電極との間に貫通電流を流させる。ここで、TF
T22、23は、いわゆるEE型の構成となっているた
め、TFT23が完全なオフ抵抗とならないことで、T
FT23のソース電極とTFT25のゲート電極との間
に蓄積された電荷が完全にディスチャージされないこと
があるが、TFT25の閾値電圧よりも十分に低い電圧
となる。
The TFT 22 is turned off when the capacitor A is not charged, and supplies the reference voltage Vdd supplied via the TFT 23 to the gate electrode of the TFT 25. Further, the TFT 22 is turned on when the capacitor A is charged, and causes a through current to flow between the drain electrode and the source electrode. Where TF
Since T22 and T23 have a so-called EE-type configuration, the TFT 23 does not have a complete off-resistance, so
Although the electric charge accumulated between the source electrode of the FT 23 and the gate electrode of the TFT 25 may not be completely discharged, the voltage becomes sufficiently lower than the threshold voltage of the TFT 25.

【0066】TFT24は、容量Aがチャージされてい
るとき(すなわち、TFT25がオフ状態のとき)にオ
ン状態となり、入力されたクロック信号CK1、CK2
によりゲート電極及びソース電極並びにそれらの間のゲ
ート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされる。
TFT24のゲート電極及びドレイン電極並びにそれら
の間のゲート絶縁膜による寄生容量がチャージアップさ
れることにより、容量Aの電位が後述するように上昇
し、そして、ゲート飽和電圧にまで達するとソース−ド
レイン電流が飽和する。これにより、出力信号out
(k)は、実質的にクロック信号CK1、CK2とほぼ
同電位となる。TFT24は、また、容量Aに電荷がチ
ャージされていないとき(すなわち、TFT25がオン
状態のとき)にオフ状態となり、ドレイン電極に供給さ
れたクロック信号CK1、CK2の出力を遮断する。
The TFT 24 is turned on when the capacitor A is charged (ie, when the TFT 25 is off), and the inputted clock signals CK1 and CK2 are inputted.
As a result, the parasitic capacitance composed of the gate electrode and the source electrode and the gate insulating film therebetween is charged up.
By charging up the parasitic capacitance due to the gate electrode and the drain electrode of the TFT 24 and the gate insulating film therebetween, the potential of the capacitance A rises as described later, and when it reaches the gate saturation voltage, the source-drain The current saturates. As a result, the output signal out
(K) has substantially the same potential as the clock signals CK1 and CK2. The TFT 24 is turned off when the capacitor A is not charged (that is, when the TFT 25 is turned on), and cuts off the output of the clock signals CK1 and CK2 supplied to the drain electrode.

【0067】TFT25のドレイン電極には、定電圧V
ssが供給される。TFT25は、容量Aに電荷がチャ
ージされていないとき(すなわち、TFT25がオン状
態のとき)にオフ状態となり、TFT24のソース電極
から出力された信号のレベルを当該段の出力信号out
(k)として出力させる。TFT25は、また、容量A
に電荷がチャージされているとき(すなわち、TFT2
5がオフ状態のとき)にオン状態となり、ドレイン電極
に供給された定電圧Vssのレベルをソース電極から当
該段の出力信号out(k)として出力させる。
A constant voltage V is applied to the drain electrode of the TFT 25.
ss is supplied. The TFT 25 is turned off when the capacitor A is not charged (ie, when the TFT 25 is on), and the level of the signal output from the source electrode of the TFT 24 is changed to the output signal out of the stage.
(K). The TFT 25 also has a capacitance A
Is charged (ie, TFT2
5 is in the off state), and the level of the constant voltage Vss supplied to the drain electrode is output from the source electrode as the output signal out (k) of the stage.

【0068】TFT31は、ゲート電極(制御端子)に
基準電圧Vddが常時供給され、常にオン状態となって
おり、ドレイン電極(電流路の一端)がTFT21のソ
ース電極に接続され、ソース電極(電流路の一端)がT
FT22、24のゲート電極に接続されている。TFT
31は、そのオン抵抗により、TFT24の寄生容量に
起因して上昇した容量Aの電圧を分圧させて、TFT2
1のドレイン電極とソース電極との間の電圧を低く抑え
る負荷としての機能を有する。付加構成のTFT31が
果たす役割については、さらに詳しく後述する。
The TFT 31 is always supplied with the reference voltage Vdd to the gate electrode (control terminal) and is always on. The drain electrode (one end of the current path) is connected to the source electrode of the TFT 21 and the source electrode (current T at one end of the road)
It is connected to the gate electrodes of the FTs 22 and 24. TFT
31 divides the voltage of the capacitance A, which has risen due to the parasitic capacitance of the TFT 24, by the on-resistance thereof, and
1 has a function as a load for suppressing the voltage between the drain electrode and the source electrode. The role of the TFT 31 of the additional configuration will be described later in more detail.

【0069】以下、この実施の形態にかかる撮像装置の
動作について説明する。最初に、トップゲートドライバ
2及びボトムゲートドライバ3の動作について説明す
る。なお、トップゲートドライバ2とボトムゲートドラ
イバ3とは、それぞれ入出力される信号のレベルとタイ
ミングとが異なるだけであるので、以下の説明におい
て、ボトムゲートドライバ3の動作の説明は、トップゲ
ートドライバ2と異なる部分のみに止めることとする。
Hereinafter, the operation of the imaging apparatus according to this embodiment will be described. First, the operation of the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 will be described. Note that the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 differ only in the level and timing of input / output signals, respectively. Therefore, in the following description, the operation of the bottom gate driver 3 will be described in the following. It will be stopped only at the part different from 2.

【0070】図6は、トップゲートドライバ2として適
用した場合における、この実施の形態のシフトレジスタ
の動作を示すタイミングチャートである。図中、1t分
の期間が1選択期間である。ここでは、1番目以外の奇
数番目の段RS1(k)(k:3,5,・・・,n−
1)を例としているが、1番目の段も出力信号out
(k−1)をコントローラからのスタート信号Vstと
すれば、他の奇数番目の段と同じである。また、偶数番
目の段も、制御信号φ1を制御信号φ2に、クロック信
号CK1をクロック信号CK2とすれば、奇数番目の段
と同じ動作である。ただし、上述したように通常コント
ローラからトップゲートドライバ2の各段の定電圧入力
端子SSに供給される定電圧Vssのレベルは−15
(V)であるが、定電圧Vssのレベルが0(V)でも
ほぼ同じように動作される。
FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the shift register of this embodiment when applied as top gate driver 2. In the figure, a period of 1t is one selection period. Here, odd-numbered stages other than the first-order stage RS1 (k) (k: 3, 5,..., N-
1), but the first stage also outputs the output signal out.
If (k-1) is a start signal Vst from the controller, it is the same as the other odd-numbered stages. The even-numbered stage performs the same operation as the odd-numbered stage if the control signal φ1 is the control signal φ2 and the clock signal CK1 is the clock signal CK2. However, as described above, the level of the constant voltage Vss supplied from the normal controller to the constant voltage input terminal SS of each stage of the top gate driver 2 is −15.
(V), but the operation is substantially the same even when the level of the constant voltage Vss is 0 (V).

【0071】タイミングt0〜t1の間、クロック信号
CK2がハイレベル(25(V))となると、前の段R
S1(k−1)から当該段RS1(k)の入力端子IN
に供給される出力信号out(k−1)のレベルが25
(V)となる(図中、一点鎖線で示す)。この間におい
て、制御信号端子Φから入力される制御信号φ1が一定
期間ハイレベルに変化すると、この一定期間だけTFT
21がオンし、入力端子INに供給された出力信号ou
t(k−1)の25(V)がTFT21のソース電極か
ら出力される。
When the clock signal CK2 goes to the high level (25 (V)) during the timing t0 to t1, the previous stage R
From S1 (k-1) to the input terminal IN of the stage RS1 (k)
Of the output signal out (k-1) supplied to the
(V) (indicated by a dashed line in the figure). During this period, when the control signal φ1 input from the control signal terminal Φ changes to a high level for a certain period, the TFT for only this certain period
21 turns on and the output signal ou supplied to the input terminal IN
25 (V) of t (k−1) is output from the source electrode of the TFT 21.

【0072】これにより、TFT21のソース電極とT
FT31のドレイン電極との間の配線Cの電位(図中、
点線で示す)が上昇し、さらに、常時オンしているTF
T31の電位からこれが出力されることにより、容量A
の電位(図中、実線で示す)が上昇する。容量Aの電位
が上昇し、TFT22、24の閾値電圧を超えると、当
該段RS1(k)のTFT22、24がオン、TFT2
5がオフする。
As a result, the source electrode of the TFT 21 and T
The potential of the wiring C between the FT31 and the drain electrode (in the figure,
(Indicated by the dotted line) rises, and the TF that is always on
When this is output from the potential of T31, the capacitance A
(Indicated by a solid line in the figure) rises. When the potential of the capacitor A rises and exceeds the threshold voltage of the TFTs 22 and 24, the TFTs 22 and 24 of the stage RS1 (k) are turned on and the TFT 2
5 turns off.

【0073】次に、タイミングt1〜t2の間におい
て、クロック信号入力端子clkから入力されるクロッ
ク信号CK1が25(V)に変化する。すると、TFT
24のゲート電極及びソース電極並びにそれらの間のゲ
ート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされる。
そして、この寄生容量の電位がゲート飽和電圧に達する
と、TFT24のドレイン電極とソース電極との間に流
れる電流が飽和する。これにより、当該段RS1(k)
の出力端子OUTから出力される出力信号out(k)
は、クロック信号CK1のレベルとほぼ同電位の25
(V)となる(図中、破線で示す)。
Next, between timings t1 and t2, the clock signal CK1 input from the clock signal input terminal clk changes to 25 (V). Then, TFT
The parasitic capacitance consisting of the 24 gate electrodes and source electrodes and the gate insulating film between them is charged up.
When the potential of the parasitic capacitance reaches the gate saturation voltage, the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 is saturated. Thereby, the corresponding stage RS1 (k)
Output signal out (k) output from the output terminal OUT
Is 25 which is almost the same potential as the level of the clock signal CK1.
(V) (shown by a broken line in the figure).

【0074】また、このタイミングt1〜t2の間は、
TFT24の前述した寄生容量がチャージアップされる
ことにより、容量Aの電位もほぼ45(V)にまで達す
る。このとき、トップゲートドライバ2の各段の定電圧
入力端子SSに供給される定電圧Vssのレベルが−1
5(V)の場合、入力端子INに供給される出力信号o
ut(k−1)も−15(V)に変化していることか
ら、実際の入力端子INと容量Aとの間の電圧は、ほぼ
60(V)となる。また、定電圧Vssのレベルが0
(V)の場合、その差は45(V)となる。しかしなが
ら、このような電圧は、負荷として作用するTFT31
とTFT21との間で分圧され、配線Cの電位は、25
(V)程度に抑えられる。すなわち、TFT31によっ
て、TFT21のドレイン電極とソース電極との間の電
圧が抑えられる。
Further, during this timing t1 to t2,
When the above-described parasitic capacitance of the TFT 24 is charged up, the potential of the capacitance A also reaches approximately 45 (V). At this time, the level of the constant voltage Vss supplied to the constant voltage input terminal SS of each stage of the top gate driver 2 is -1.
In the case of 5 (V), the output signal o supplied to the input terminal IN
Since ut (k-1) also changes to -15 (V), the actual voltage between the input terminal IN and the capacitor A is substantially 60 (V). When the level of the constant voltage Vss is 0
In the case of (V), the difference is 45 (V). However, such a voltage is applied to the TFT 31 acting as a load.
And the TFT 21 is divided, and the potential of the wiring C is 25
(V). That is, the voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 21 is suppressed by the TFT 31.

【0075】次に、タイミングt2になると、クロック
信号CK1のレベルが−15(V)に変化する。これに
より、出力信号out(k)のレベルもほぼ−15
(V)となる。また、TFT24の寄生容量へチャージ
された電荷が放出され、容量Aの電位が低下する。配線
Cの電位も、容量Aの電位と同程度にまで低下する。さ
らに、タイミングt3までの間で制御信号φ1が一定期
間ハイレベルになると、TFT21が再びオンし、容量
Aに蓄積された電荷がTFT31、21、及び前の段R
S1(k−1)のTFT25(オン状態)を介して放出
される。これにより、容量A及び配線Cの電位が、定電
圧Vssのレベルが−15(V)の場合−15(V)
に、また定電圧Vssのレベルが0(V)の場合ほぼ0
(V)にまで低下する。
Next, at timing t2, the level of the clock signal CK1 changes to -15 (V). As a result, the level of the output signal out (k) is also substantially -15.
(V). Further, the charges charged to the parasitic capacitance of the TFT 24 are released, and the potential of the capacitance A decreases. The potential of the wiring C also decreases to about the same level as the potential of the capacitor A. Further, when the control signal φ1 is at the high level for a certain period until the timing t3, the TFT 21 is turned on again, and the electric charge accumulated in the capacitor A is transferred to the TFTs 31 and 21 and the previous stage R
It is emitted via the TFT 25 (on state) of S1 (k-1). Accordingly, when the potential of the capacitor A and the wiring C is -15 (V) when the level of the constant voltage Vss is -15 (V).
When the level of the constant voltage Vss is 0 (V),
(V).

【0076】なお、前の段RS1(k−1)の出力信号
out(k−1)がハイレベルとならない期間において
も当該段RS1(k)のTFT21のゲート電極に供給
される制御信号φ1がハイレベルとなり、またTFT2
4のドレイン電極に供給されるクロック信号CK1のレ
ベルがハイレベルとなることがある。この際、TFT2
1のゲート電極及びソース電極並びにそれらの間のゲー
ト絶縁膜による寄生容量、或いはTFT24のゲート電
極及びドレイン電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜に
よる寄生容量に電荷がチャージされることから、容量A
の電位は、図に示すように若干変動する。
The control signal φ1 supplied to the gate electrode of the TFT 21 of the previous stage RS1 (k) is maintained even during the period when the output signal out (k−1) of the previous stage RS1 (k−1) does not become high level. High level, and TFT2
The level of the clock signal CK1 supplied to the drain electrode of No. 4 may be high. At this time, TFT2
Since a charge is charged to the parasitic capacitance of the gate electrode and the source electrode of the TFT 24 and the gate insulating film between them, or the parasitic capacitance of the gate electrode and the drain electrode of the TFT 24 and the gate insulating film between them, the capacitance A
Potential slightly fluctuates as shown in the figure.

【0077】このような動作を奇数段、偶数段共に順次
繰り返していくことにより、トップゲートドライバ2の
各段RS1(k)(k:1〜n)の出力信号out
(k)がそれぞれ1選択期間1tずつ25(V)に変化
し、順次シフトしていく。
By repeating such an operation sequentially for both the odd-numbered stages and the even-numbered stages, the output signal out of each stage RS1 (k) (k: 1 to n) of the top gate driver 2 is obtained.
(K) changes to 25 (V) for 1 t for one selection period, and shifts sequentially.

【0078】また、ボトムゲートドライバ3の動作は、
トップゲートドライバ2の動作とほぼ同じであるが、コ
ントローラから供給される信号CK1、CK2のハイレ
ベルが10(V)であるため、各段RS1(k)(k:
1〜n)の出力信号out(k)のハイレベルはほぼ1
0(V)であり、この際の容量Aのレベルは18(V)
程度である。また、クロック信号CK1、CK2がハイ
レベルとなっている期間は、1選択期間1tよりも短い
所定の期間である。
The operation of the bottom gate driver 3 is as follows.
The operation is almost the same as that of the top gate driver 2, but since the high level of the signals CK1 and CK2 supplied from the controller is 10 (V), each stage RS1 (k) (k:
The high level of the output signal out (k) is almost 1
0 (V), and the level of the capacitance A at this time is 18 (V).
It is about. The period during which the clock signals CK1 and CK2 are at the high level is a predetermined period shorter than one selection period 1t.

【0079】次に、撮像素子1を駆動して画像を撮影す
るための全体の動作について、図7(a)〜(i)に示
す模式図を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て、1Tの期間は、1水平期間と同じ長さを有するもの
とする。また、説明を簡単にするため、撮像素子1に配
置されているダブルゲートトランジスタ10のうち、最
初の3行のみを考えることとする。
Next, the overall operation for driving the image pickup device 1 to capture an image will be described with reference to the schematic diagrams shown in FIGS. In the following description, the 1T period has the same length as one horizontal period. In addition, for simplicity, only the first three rows of the double gate transistors 10 arranged in the image sensor 1 will be considered.

【0080】まず、タイミングT1からT2までの1T
の期間において、図7(a)に示すように、トップゲー
トドライバ2は、1行目のトップゲートラインTGLを
選択して+25(V)を出力し、2、3行目(他の全
行)のトップゲートラインTGLに−15(V)を出力
する。一方、ボトムゲートドライバ3は、すべてのボト
ムゲートラインBGLに0(V)を出力する。この期間
において、1行目のダブルゲートトランジスタ10がリ
セット状態となり、2、3行目のダブルゲートトランジ
スタ10が前の垂直期間での読み出し状態を終了した状
態(フォトセンスに影響しない状態)となる。
First, 1T from timing T1 to T2
7A, the top gate driver 2 selects the top gate line TGL in the first row, outputs +25 (V), and outputs the second and third rows (all other rows). ) Is output to the top gate line TGL. On the other hand, the bottom gate driver 3 outputs 0 (V) to all the bottom gate lines BGL. During this period, the double-gate transistors 10 in the first row are in a reset state, and the double-gate transistors 10 in the second and third rows are in a state in which the reading state in the previous vertical period has been completed (a state that does not affect photo sensing). .

【0081】次に、タイミングT2からT3までの1T
の期間において、図7(b)に示すように、トップゲー
トドライバ2は、2行目のトップゲートラインTGLを
選択して+25(V)を出力し、他のトップゲートライ
ンTGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲー
トドライバ3は、すべてのボトムゲートラインBGLに
0(V)を出力する。この期間において、1行目のダブ
ルゲートトランジスタ10がフォトセンス状態となり、
2行目のダブルゲートトランジスタ10がリセット状態
となり、3行目のダブルゲートトランジスタ10が前の
垂直期間での読み出し状態を終了した状態(フォトセン
スに影響しない状態)となる。
Next, 1T from timing T2 to T3
7B, the top gate driver 2 selects the top gate line TGL in the second row, outputs +25 (V), and outputs -15 (V) to the other top gate lines TGL. V). On the other hand, the bottom gate driver 3 outputs 0 (V) to all the bottom gate lines BGL. During this period, the double-gate transistor 10 in the first row enters the photo-sensing state,
The double-gate transistor 10 in the second row is in a reset state, and the double-gate transistor 10 in the third row is in a state in which the reading state in the previous vertical period has been completed (a state that does not affect the photo sensing).

【0082】次に、タイミングT3からT4までの1T
の期間において、図7(c)に示すように、トップゲー
トドライバ2は、3行目のトップゲートラインTGLを
選択して+25(V)を出力し、他のトップゲートライ
ンTGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲー
トドライバ3は、すべてのボトムゲートラインBGLに
0(V)を出力する。この期間において、1、2行目の
ダブルゲートトランジスタがフォトセンス状態となり、
3行目のダブルゲートトランジスタ10がリセット状態
となる。
Next, 1T from timing T3 to T4
7C, the top gate driver 2 selects the top gate line TGL in the third row, outputs +25 (V), and outputs -15 (V) to the other top gate lines TGL. V). On the other hand, the bottom gate driver 3 outputs 0 (V) to all the bottom gate lines BGL. During this period, the double-gate transistors in the first and second rows enter the photo-sensing state,
The double-gate transistor 10 in the third row is reset.

【0083】次に、タイミングT4からT4.5までの
0.5Tの期間において、図7(d)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、すべてのボトムゲートラインBGLに0
(V)を出力する。また、ドレインドライバ4は、すべ
てのドレインラインDLに+10(V)を出力する。こ
の期間において、すべての行のダブルゲートトランジス
タ10がフォトセンス状態となる。
Next, during a period of 0.5T from timing T4 to T4.5, as shown in FIG. 7D, the top gate driver 2 applies -15 (V) to all top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 sets 0 to all the bottom gate lines BGL.
(V) is output. Further, the drain driver 4 outputs +10 (V) to all the drain lines DL. During this period, the double gate transistors 10 in all rows are in the photo sensing state.

【0084】次に、タイミングT4.5からT5までの
0.5Tの期間において、図7(e)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、1行目のボトムゲートラインBGLを選
択して+10(V)を出力し、他のボトムゲートライン
BGLに0(V)を出力する。この期間において、1行
目のダブルゲートトランジスタ10が第1または第2の
読み出し状態となり、2、3行目のダブルゲートトラン
ジスタ10がフォトセンス状態のままとなる。
Next, during the period of 0.5T from timing T4.5 to T5, as shown in FIG. 7E, the top gate driver 2 applies -15 (V) to all the top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 selects the bottom gate line BGL in the first row and outputs +10 (V), and outputs 0 (V) to the other bottom gate lines BGL. During this period, the double-gate transistors 10 in the first row are in the first or second read state, and the double-gate transistors 10 in the second and third rows remain in the photo-sensing state.

【0085】ここで、1行目のダブルゲートトランジス
タ10は、フォトセンス状態となっていたタイミングT
2からT4.5までの期間で十分な光が半導体層に照射
されていると、第2の読み出し状態となって半導体層内
にnチャネルが形成されるため、対応するドレインライ
ンDL上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミ
ングT2からT4.5までの期間で十分な光が半導体層
に照射されていないと、第1の読み出し状態となって半
導体層内のnチャネルがピンチオフされるため、対応す
るドレインラインDL上の電荷はディスチャージされな
い。ドレインドライバ4は、タイミングT4.5からT
5までの期間で各ドレインラインDL上の電位を読み出
し、1行目のダブルゲートトランジスタ10が検出した
画像データDATAとしてコントローラに供給する。
Here, the timing T at which the double-gate transistor 10 in the first row is in the photo-sensing state
If the semiconductor layer is irradiated with sufficient light during the period from 2 to T4.5, the semiconductor layer enters the second read state, and an n-channel is formed in the semiconductor layer. Is discharged. On the other hand, if sufficient light is not irradiated to the semiconductor layer during the period from timing T2 to T4.5, the semiconductor device enters the first reading state and the n-channel in the semiconductor layer is pinched off. The upper charge is not discharged. The drain driver 4 starts timing T4.5 to T
During the period up to 5, the potential on each drain line DL is read out and supplied to the controller as image data DATA detected by the double gate transistor 10 in the first row.

【0086】次に、タイミングT5からT5.5までの
0.5Tの期間において、図7(f)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、すべてのボトムゲートラインBGLに0
(V)を出力する。また、ドレインドライバ4は、すべ
てのドレインラインDLに+10(V)を出力する。こ
の期間において、1行目のダブルゲートトランジスタ1
0が読み出しを終了した状態となり、2、3行目のダブ
ルゲートトランジスタ10がフォトセンス状態となる。
Next, during a period of 0.5T from timing T5 to T5.5, as shown in FIG. 7F, the top gate driver 2 applies -15 (V) to all the top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 sets 0 to all the bottom gate lines BGL.
(V) is output. Further, the drain driver 4 outputs +10 (V) to all the drain lines DL. During this period, the double-gate transistor 1 in the first row
0 indicates that the reading has been completed, and the double gate transistors 10 in the second and third rows are in the photo sensing state.

【0087】次に、タイミングT5.5からT6までの
0.5Tの期間において、図7(g)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、2行目のボトムゲートラインBGLを選
択して+10(V)を出力し、他のボトムゲートライン
BGLに0(V)を出力する。この期間において、1行
目のダブルゲートトランジスタ10が読み出しを終了し
た状態となり、2行目のダブルゲートトランジスタ10
が第1または第2の読み出し状態となり、3行目のダブ
ルゲートトランジスタ10がフォトセンス状態となる。
Next, during a period of 0.5T from timing T5.5 to timing T6, as shown in FIG. 7 (g), the top gate driver 2 applies -15 (V) to all top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 selects the second bottom gate line BGL and outputs +10 (V), and outputs 0 (V) to the other bottom gate lines BGL. During this period, the double-gate transistors 10 in the first row have completed reading, and the double-gate transistors 10 in the second row have been read out.
Are in the first or second read state, and the double-gate transistor 10 in the third row is in the photo sense state.

【0088】ここで、2行目のダブルゲートトランジス
タ10は、フォトセンス状態となっていたタイミングT
3からT5.5までの期間で十分な光が半導体層に照射
されていると、第2の読み出し状態となって半導体層内
にnチャネルが形成されるため、対応するドレインライ
ンDL上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミ
ングT3からT5.5までの期間で十分な光が半導体層
に照射されていないと、第1の読み出し状態となって半
導体層内のnチャネルがピンチオフされるため、対応す
るドレインラインDL上の電荷はディスチャージされな
い。ドレインドライバ4は、タイミングT5.5からT
6までの期間で各ドレインラインDL上の電位を読み出
し、2行目のダブルゲートトランジスタ10が検出した
画像データDATAとしてコントローラに供給する。
Here, the timing T at which the double-gate transistor 10 in the second row is in the photo-sensing state
If the semiconductor layer is irradiated with sufficient light during the period from 3 to T5.5, the semiconductor layer enters the second read state, and an n-channel is formed in the semiconductor layer. Is discharged. On the other hand, if sufficient light is not irradiated to the semiconductor layer during the period from timing T3 to T5.5, the semiconductor device enters the first read state, and the n-channel in the semiconductor layer is pinched off. The upper charge is not discharged. The drain driver 4 starts timing T5.5 to T
During the period up to 6, the potential on each drain line DL is read and supplied to the controller as image data DATA detected by the double gate transistor 10 in the second row.

【0089】次に、タイミングT6からT6.5までの
0.5Tの期間において、図7(h)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、すべてのボトムゲートラインBGLに0
(V)を出力する。また、ドレインドライバ4は、すべ
てのドレインラインDLに+10(V)を出力する。こ
の期間において、1、2行目のダブルゲートトランジス
タ10が読み出しを終了した状態となり、3行目のダブ
ルゲートトランジスタ10がフォトセンス状態となる。
Next, during a period of 0.5T from timing T6 to T6.5, as shown in FIG. 7H, the top gate driver 2 applies -15 (V) to all top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 sets 0 to all the bottom gate lines BGL.
(V) is output. Further, the drain driver 4 outputs +10 (V) to all the drain lines DL. In this period, the double-gate transistors 10 in the first and second rows are in a state where reading has been completed, and the double-gate transistors 10 in the third row are in a photo-sensing state.

【0090】次に、タイミングT6.5からT7までの
0.5Tの期間において、図7(i)に示すように、ト
ップゲートドライバ2は、すべてのトップゲートライン
TGLに−15(V)を出力する。一方、ボトムゲート
ドライバ3は、3行目のボトムゲートラインBGLを選
択して+10(V)を出力し、他のボトムゲートライン
BGLに0(V)を出力する。この期間において、1、
2行目のダブルゲートトランジスタ10が読み出しを終
了した状態となり、3行目のダブルゲートトランジスタ
10が第1または第2の読み出し状態となる。
Next, during a period of 0.5T from timing T6.5 to T7, as shown in FIG. 7 (i), the top gate driver 2 applies -15 (V) to all top gate lines TGL. Output. On the other hand, the bottom gate driver 3 selects the third bottom gate line BGL and outputs +10 (V), and outputs 0 (V) to the other bottom gate lines BGL. During this period, 1,
The double-gate transistor 10 in the second row is in a state where reading has been completed, and the double-gate transistor 10 in the third row is in the first or second reading state.

【0091】ここで、3行目のダブルゲートトランジス
タ10は、フォトセンス状態となっていたタイミングT
4からT6.5までの期間で十分な光が半導体層に照射
されていると、第2の読み出し状態となって半導体層内
にnチャネルが形成されるため、対応するドレインライ
ンDL上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミ
ングT4からT6.5までの期間で十分な光が半導体層
に照射されていないと、第1の読み出し状態となって半
導体層内のnチャネルがピンチオフされるため、対応す
るドレインラインDL上の電荷はディスチャージされな
い。ドレインドライバ4は、タイミングT6.5からT
7までの期間で各ドレインラインDL上の電位を読み出
し、3行目のダブルゲートトランジスタ10が検出した
画像データDATAとしてコントローラに供給する。
Here, the timing T at which the double-gate transistor 10 in the third row is in the photo-sensing state
If sufficient light is irradiated to the semiconductor layer in the period from 4 to T6.5, the semiconductor layer enters the second read state, and an n-channel is formed in the semiconductor layer. Is discharged. On the other hand, if sufficient light is not irradiated to the semiconductor layer during the period from timing T4 to timing T6.5, the semiconductor device enters the first read state, and the n-channel in the semiconductor layer is pinched off. The upper charge is not discharged. The drain driver 4 starts from timing T6.5 to T
The potential on each drain line DL is read in a period up to 7, and is supplied to the controller as image data DATA detected by the double gate transistor 10 in the third row.

【0092】こうしてドレインドライバ4から行毎に供
給された画像データDATAに対して、コントローラが
所定の処理を行うことで、撮像対象物の画像データが生
成される。
The controller performs predetermined processing on the image data DATA supplied from the drain driver 4 for each row, thereby generating image data of the object to be imaged.

【0093】以下、付加構成のTFT31が果たす役割
について詳細に説明する。ここでは、比較例を以てその
役割を説明する。図8は、この比較例においてトップゲ
ートドライバ2及びボトムゲートドライバ3として適用
されるシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図であ
る。これは、図5に示す回路から付加構成のTFT31
を除いたもので、TFT21のソース電極10fが容量
Aに直接接続されている。なお、シフトレジスタの全体
構成としては、上記の図4に示すものと同じである。
Hereinafter, the role played by the TFT 31 having the additional configuration will be described in detail. Here, the role will be described with reference to a comparative example. FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 in this comparative example. This is because the circuit shown in FIG.
, Except that the source electrode 10f of the TFT 21 is directly connected to the capacitor A. The overall configuration of the shift register is the same as that shown in FIG.

【0094】次に、この比較例のシフトレジスタの動作
を、トップゲートドライバ2として適用した場合を例と
して説明する。図9は、トップゲートドライバ2として
適用した場合におけるこの比較例のシフトレジスタの動
作を示すタイミングチャートである。ここでも、1t分
の期間が1選択期間であり、また、1番目以外の奇数番
目の段RS1(k)(k:3,5,・・・,n−1)を
例としている。
Next, the operation of the shift register of the comparative example will be described as an example in which the operation is applied to the top gate driver 2. FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the shift register of this comparative example when applied as the top gate driver 2. Here, the period of 1t is one selection period, and the odd-numbered stages RS1 (k) (k: 3, 5,..., N−1) other than the first are exemplified.

【0095】この比較例のシフトレジスタは、出力信号
out(k)のレベルがハイレベルとなるタイミングt
1〜t2の間における動作が、上記の実施の形態のシフ
トレジスタにおけるものと大きく異なる。
The shift register of this comparative example has a timing t at which the level of the output signal out (k) becomes high.
The operation between 1 and t2 is significantly different from that in the shift register of the above embodiment.

【0096】タイミングt1〜t2の間は、TFT24
のゲート電極及びドレイン電極並びにそれらの間のゲー
ト絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされること
により、容量Aの電位もほぼ45(V)にまで達する。
このとき、入力端子INに供給される出力信号out
(k−1)も−15(V)に変化し、入力端子INと容
量Aとの間の電圧は、ほぼ60(V)となる。
Between the timings t1 and t2, the TFT 24
Is charged up, and the potential of the capacitor A also reaches approximately 45 (V).
At this time, the output signal out supplied to the input terminal IN is output.
(K-1) also changes to -15 (V), and the voltage between the input terminal IN and the capacitor A becomes approximately 60 (V).

【0097】この60(V)の電圧は、付加構成のTF
T31がないことから、分圧されることなくTFT21
のドレイン電極とソース電極との間にかかり、上記の実
施の形態の場合よりも、TFT21が破損し易くなる。
また、長時間の使用によるTFT21の特性変動も、上
記の実施の形態の場合よりも大きくなる。このため、こ
の比較例のシフトレジスタは、上記の実施の形態のシフ
トレジスタよりも故障し易いものとなる。
The voltage of 60 (V) is applied to the TF of the additional configuration.
Since there is no T31, the TFT 21 is not divided.
Between the drain electrode and the source electrode, and the TFT 21 is more easily damaged than in the case of the above embodiment.
Further, the characteristic variation of the TFT 21 due to long-time use is larger than that in the above-described embodiment. For this reason, the shift register of this comparative example is more likely to fail than the shift register of the above embodiment.

【0098】また、付加構成のTFT31を有しないこ
とにより、TFT24の上述した寄生容量、或いはTF
T21のゲート電極及びソース電極並びにそれらの間の
ゲート絶縁膜による寄生容量による容量Aの電位の変動
が緩衝されない。このため、長期間の使用によって容量
Aに累積的に蓄積される電荷の量が上記の実施の形態の
ものよりも多くなり、TFT22、24の閾値電圧を超
えることになるまでの時間が上記の実施の形態のものよ
りも短い。また、TFT22、24のゲート電極の電位
の変動も激しくなり、長期間の使用によってTFT2
2、24の特性も、上記の実施の形態のものよりも変動
しやすくなる。
Further, the absence of the TFT 31 of the additional configuration allows the above-described parasitic capacitance of the TFT 24 or TF
The fluctuation of the potential of the capacitor A due to the parasitic capacitance due to the gate electrode and the source electrode of T21 and the gate insulating film between them is not buffered. For this reason, the amount of charge accumulated in the capacitor A due to long-term use becomes larger than that in the above-described embodiment, and the time until the threshold voltage of the TFTs 22 and 24 exceeds the above-described threshold voltage is obtained. It is shorter than that of the embodiment. In addition, the potential of the gate electrodes of the TFTs 22 and 24 fluctuates greatly, and the TFTs 2
The characteristics of 2 and 24 are more likely to fluctuate than those of the above embodiment.

【0099】以上説明したように、この実施の形態にか
かる撮像装置では、トップゲートドライバ2及びボトム
ゲートドライバ3として適用されるシフトレジスタの各
段RS1(k)(k:1〜nの整数)から信号CK1、
CK2のハイレベルをほぼそのまま出力信号のレベルと
して出力することができる。このため、各段RS1
(k)にバッファ等を設けなくても、出力信号のレベル
を減衰させることなく、順次シフトしていくことができ
る。
As described above, in the imaging apparatus according to this embodiment, each stage RS1 (k) (k: an integer of 1 to n) of the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 From the signal CK1,
The high level of CK2 can be output almost as it is as the level of the output signal. For this reason, each stage RS1
Even without providing a buffer or the like in (k), the output signal can be shifted sequentially without attenuating the level.

【0100】また、シフトレジスタの各段RS1(k)
は、基本構成のTFT21〜25に加えて、付加構成の
TFT31を有している。このため、TFT24がオン
しているとき、TFT24のドレイン電極に供給される
クロック信号CK1、CK2がハイレベルとなり、その
寄生容量がチャージアップされて容量Aの電位が上昇し
ても、TFT31が分圧するためにTFT21のドレイ
ン電極とソース電極との間の電圧がそれほど大きくなら
ない。このため、容量Aの電位上昇によってTFT21
が破壊されて、シフトレジスタが故障するのを防ぐこと
ができる。
Each stage of the shift register RS1 (k)
Has a TFT 31 having an additional configuration in addition to the TFTs 21 to 25 having a basic configuration. For this reason, when the TFT 24 is on, the clock signals CK1 and CK2 supplied to the drain electrode of the TFT 24 become high level, and even if the parasitic capacitance is charged up and the potential of the capacitance A rises, the TFT 31 remains active. Therefore, the voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 21 does not increase so much. For this reason, the potential of the capacitor A increases and the TFT 21
Can be prevented from being destroyed and the shift register from malfunctioning.

【0101】また、トップゲートドライバ2及びボトム
ゲートドライバ3として適用されるシフトレジスタは、
TFT21〜25、31のみで、他の素子を用いること
なく構成することができる。ここで、TFT21〜2
5、31は、撮像素子1を構成するダブルゲートトラン
ジスタ10のボトムゲート電極10bまたはトップゲー
ト電極10hを除いた構造を有している。このため、撮
像素子1を基板10a上に形成する際に、同一の基板1
0a上に、同一プロセスでTFT21〜25、31を、
すなわちトップゲートドライバ2及びボトムゲートドラ
イバ3を形成することができる。
The shift registers applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 are as follows.
The configuration can be made using only the TFTs 21 to 25 and 31 without using other elements. Here, TFTs 21 and 2
Reference numerals 5 and 31 each have a structure in which the bottom gate electrode 10b or the top gate electrode 10h of the double gate transistor 10 constituting the image sensor 1 is removed. For this reason, when forming the imaging element 1 on the substrate 10a, the same substrate 1
On TFT 0a, TFTs 21 to 25 and 31 are formed in the same process,
That is, the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 can be formed.

【0102】さらに、図6と図9とを比較して分かるよ
うに、この実施の形態においてトップゲートドライバ2
及びボトムゲートドライバ3として適用されるシフトレ
ジスタは、比較例のシフトレジスタに比べて、各段RS
1(k)からハイレベルの出力信号out(k)を出力
しない期間において、容量Aの電位のばらつきが小さ
い。すなわち、この実施の形態で適用されたシフトレジ
スタは、長期間使用した場合においても、比較例のシフ
トレジスタに比べて意図せずに容量Aに蓄積されてしま
う電荷の量が少ない。このため、長期間安定して動作す
ることが可能となる。
Further, as can be seen by comparing FIG. 6 and FIG. 9, in this embodiment, the top gate driver 2
And the shift register applied as the bottom gate driver 3 is different from the shift register of the comparative example in that each stage RS
During a period in which the high-level output signal out (k) is not output from 1 (k), the variation in the potential of the capacitor A is small. In other words, the shift register applied in this embodiment has a smaller amount of charge that is unintentionally accumulated in the capacitor A than the shift register of the comparative example even when used for a long time. For this reason, it is possible to operate stably for a long period of time.

【0103】[第2の実施の形態]この実施の形態にか
かる撮像装置の構成は、第1の実施の形態にかかるもの
とほぼ同じである。但し、この実施の形態では、トップ
ゲートドライバ2及びボトムゲートドライバ3の構成が
第1の実施の形態のものと異なり、また、これらにコン
トローラから供給される制御信号Tcnt、Bcntに
含まれる信号が第1の実施の形態のものと異なる。
[Second Embodiment] The configuration of an imaging apparatus according to this embodiment is substantially the same as that according to the first embodiment. However, in this embodiment, the configuration of the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 is different from that of the first embodiment, and the signals included in the control signals Tcnt and Bcnt supplied from the controller are different from those of the first embodiment. This is different from that of the first embodiment.

【0104】図10は、この実施の形態において、トッ
プゲートドライバ2及びボトムゲートドライバ3として
適用されるシフトレジスタの全体の構成を示すブロック
図である。このシフトレジスタは、ドライバ2、3のい
ずれとして適用される場合にも、撮像素子1に配されて
いるダブルゲートトランジスタ10の行数(トップゲー
トラインTGLの数)をnとすると、n個の段RS2
(1)〜RS2(n)から構成される。
FIG. 10 is a block diagram showing the overall configuration of a shift register applied as top gate driver 2 and bottom gate driver 3 in this embodiment. This shift register is applied to any of the drivers 2 and 3, where n is the number of rows (the number of top gate lines TGL) of the double gate transistors 10 arranged in the image sensor 1, and n shift registers are provided. Step RS2
(1) to RS2 (n).

【0105】各段RS2(k)(k:1〜nの整数)
は、入力信号端子IN、出力信号端子OUT、定電圧入
力端子SS、基準電圧入力端子DD、クロック信号入力
端子clk、及びリセット信号入力端子RSTを有して
いる。入力信号端子IN、出力信号端子OUT、定電圧
入力端子SS、基準電圧入力端子DD、及びクロック信
号入力端子clkの機能、供給される信号の内容は、第
1の実施の形態のものと同様である。
Each stage RS2 (k) (k: an integer from 1 to n)
Has an input signal terminal IN, an output signal terminal OUT, a constant voltage input terminal SS, a reference voltage input terminal DD, a clock signal input terminal clk, and a reset signal input terminal RST. The functions of the input signal terminal IN, the output signal terminal OUT, the constant voltage input terminal SS, the reference voltage input terminal DD, and the clock signal input terminal clk, and the content of the supplied signal are the same as those of the first embodiment. is there.

【0106】リセット信号入力端子RSTは、後ろの段
RS2(k+1)(k:1〜n−1の整数)からの出力
信号out(k+1)(n−1番目迄の段の場合)、或
いはコントローラからのリセット信号Vrst(1番目
の段RS2(1)の場合)が入力される端子である。
The reset signal input terminal RST is connected to the output signal out (k + 1) from the subsequent stage RS2 (k + 1) (k: an integer from 1 to n-1) (in the case of the (n-1) th stage) or the controller. Is a terminal to which the reset signal Vrst (in the case of the first stage RS2 (1)) is input.

【0107】図11は、上記構成のシフトレジスタの各
段RS2(1)〜RS2(n)の回路構成を示す図であ
る。図示するように、各段RS2(1)〜RS2(n)
は、基本構成として6つのTFT22〜27と、付加構
成として1つのTFT32とを有している。TFT22
〜25の機能は、第1の実施の形態のものと同様であ
る。また、TFT26、27、32も、TFT22〜2
5と同様に、nチャネルMOS型の電界効果トランジス
タで構成されている。
FIG. 11 is a diagram showing a circuit configuration of each stage RS2 (1) to RS2 (n) of the shift register having the above configuration. As shown, each stage RS2 (1) to RS2 (n)
Has six TFTs 22 to 27 as a basic configuration and one TFT 32 as an additional configuration. TFT22
25 are similar to those of the first embodiment. The TFTs 26, 27, and 32 are also TFTs 22 to 2
As in the case of No. 5, it is composed of an n-channel MOS type field effect transistor.

【0108】TFT26のゲート電極及びドレイン電極
は入力信号端子INに、ソース電極はTFT22、24
のゲート電極に接続されている。TFT27のゲート電
極(制御端子)は基準電圧入力端子DDに、ドレイン電
極(電流路の一端)は後述するように形成された容量A
の配線に、ソース電極(電流路の他端)は定電圧入力端
子SSに接続されている。TFT26のソース電極とT
FT22、24のゲート電極及びTFT27のドレイン
電極との間の配線には、この配線自体と関係するTFT
22、24、26、27の寄生容量とによって、電荷を
蓄積するための容量Aが形成されている。
The gate electrode and the drain electrode of the TFT 26 are connected to the input signal terminal IN, and the source electrodes are connected to the TFTs 22 and 24.
Is connected to the gate electrode of The gate electrode (control terminal) of the TFT 27 is connected to the reference voltage input terminal DD, and the drain electrode (one end of the current path) is connected to a capacitor A formed as described later.
The source electrode (the other end of the current path) is connected to the constant voltage input terminal SS. The source electrode of the TFT 26 and T
The wiring between the gate electrodes of the FTs 22 and 24 and the drain electrode of the TFT 27 includes a TFT related to the wiring itself.
The parasitic capacitances 22, 24, 26, and 27 form a capacitance A for storing charges.

【0109】TFT26のゲート電極とドレイン電極と
には、前の段RS2(k−1)からの出力信号out
(k−1)が供給される。TFT26は、ハイレベル
(御レベル)の出力信号out(k−1)が供給された
ときにオンし、この出力信号out(k−1)によりド
レイン電極とソース電極との間に電流が流れる。これに
より、TFT32を介して容量Aに電荷をチャージさせ
る。
The output signal out from the previous stage RS2 (k-1) is connected to the gate electrode and the drain electrode of the TFT 26.
(K-1) is supplied. The TFT 26 is turned on when a high-level (control-level) output signal out (k-1) is supplied, and a current flows between the drain electrode and the source electrode by the output signal out (k-1). Thus, the capacitor A is charged with electric charge via the TFT 32.

【0110】TFT27のゲート電極には、後ろの段R
S2(k+1)の出力信号out(k+1)が供給され
る。TFT27は、ゲート電極に供給される出力信号o
ut(k+1)がハイレベルになったときにオンし、容
量Aに蓄積された電荷をディスチャージさせる。
The gate electrode of the TFT 27 is connected to the rear stage R
An output signal out (k + 1) of S2 (k + 1) is supplied. The TFT 27 outputs an output signal o supplied to the gate electrode.
It turns on when ut (k + 1) becomes high level, and discharges the electric charge accumulated in the capacitor A.

【0111】TFT32は、ゲート電極(制御端子)に
基準電圧Vddが常時供給され、常にオン状態となって
おり、ドレイン電極(電流路の一端)はTFT26のソ
ース電極に接続され、ソース電極(電流路の他端)は、
TFT27のソース電極(電流路の他端)、及びTFT
22、24のゲート電極(制御端子)に接続されてい
る。TFT32は、そのオン抵抗により、TFT24の
寄生容量に起因して上昇した容量Aの電圧を分圧させ
て、TFT21のドレイン電極とソース電極との間の電
圧を低く抑える負荷としての機能を有する。付加構成の
TFT32が果たす役割については、さらに詳しく後述
する。
The TFT 32 is always supplied with the reference voltage Vdd to the gate electrode (control terminal) and is always on. The drain electrode (one end of the current path) is connected to the source electrode of the TFT 26, and the source electrode (current The other end of the road)
Source electrode of TFT 27 (the other end of the current path) and TFT
22 and 24 are connected to gate electrodes (control terminals). The TFT 32 has a function as a load that divides the voltage of the capacitance A, which has increased due to the parasitic capacitance of the TFT 24, by its on-resistance, so as to reduce the voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 21. The role of the additional TFT 32 will be described later in more detail.

【0112】以下、この実施の形態にかかる撮像装置の
動作について説明する。第1の実施の形態との違いは、
トップゲートドライバ2及びボトムゲートドライバ3の
動作のみであり、これについて説明する。この実施の形
態でも、トップゲートドライバ2とボトムゲートドライ
バ3とは、それぞれ制御信号Tcnt、Bcntとして
供給される入出力される信号のレベルとタイミングとが
異なるだけであるので、ボトムゲートドライバ3の動作
の説明は、トップゲートドライバ2と異なる部分のみに
止めることとする。
Hereinafter, the operation of the imaging apparatus according to this embodiment will be described. The difference from the first embodiment is
Only the operation of the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 will be described. Also in this embodiment, the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 differ only in the level and timing of input / output signals supplied as control signals Tcnt and Bcnt, respectively. The description of the operation will be limited to only the portion different from the top gate driver 2.

【0113】図12は、トップゲートドライバ2として
適用した場合における、この実施の形態のシフトレジス
タの動作を示すタイミングチャートである。ただし、上
述したように通常コントローラからトップゲートドライ
バ2の各段の定電圧入力端子SSに供給される定電圧V
ssのレベルは−15(V)であるが、ここでは、0
(V)に設定している。図中、1t分の期間が1選択期
間である。ここでは、最終段以外の偶数番目の段RS2
(k)(k:2,4,・・・,n−2)を例としてい
る。最終段も出力信号out(k+1)をコントローラ
からのリセット信号Vrstとすれば、他の偶数番目の
段と同じである。また、奇数番目の段もクロック信号C
K2をクロック信号CK1と、さらに1番目の段では出
力信号out(k−1)をコントローラからのスタート
信号Vstとすれば、偶数番目の段と同じである。
FIG. 12 is a timing chart showing the operation of the shift register of this embodiment when applied as top gate driver 2. However, as described above, the constant voltage V supplied from the normal controller to the constant voltage input terminal SS of each stage of the top gate driver 2
The level of ss is −15 (V).
(V). In the figure, a period of 1t is one selection period. Here, even-numbered stages RS2 other than the last stage
(K) (k: 2, 4,..., N−2) is taken as an example. The final stage is the same as the other even-numbered stages, provided that the output signal out (k + 1) is the reset signal Vrst from the controller. In addition, the odd-numbered stages also receive the clock signal C
If K2 is the clock signal CK1 and the output signal out (k-1) in the first stage is the start signal Vst from the controller, the operation is the same as that of the even-numbered stage.

【0114】タイミングt0〜t1の間の一定期間、ク
ロック信号CK2がハイレベル(25(V))となる
と、前の段RS2(k−1)から当該段RS2(k)の
入力端子INに供給される出力信号out(k−1)の
レベルが25(V)となる(図中、一点鎖線で示す)。
この間、TFT26は、ゲート電極の電位が25(V)
となってオンし、出力信号out(k−1)の25
(V)がTFT26のソース電極から出力される。
When the clock signal CK2 goes high (25 (V)) for a certain period between timings t0 and t1, the clock signal CK2 is supplied from the previous stage RS2 (k-1) to the input terminal IN of the current stage RS2 (k). The level of the output signal out (k-1) is 25 (V) (indicated by a dashed line in the figure).
During this time, the potential of the gate electrode of the TFT 26 is 25 (V).
Turns on, and the output signal out (k−1) 25
(V) is output from the source electrode of the TFT 26.

【0115】これにより、TFT26のソース電極とT
FT32のドレイン電極との間の配線Cの電位(図中、
点線で示す)が上昇し、さらに、常時オンしているTF
T32の電位からこれが出力されることにより、容量A
の電位(図中、実線で示す)が上昇する。容量Aの電位
が上昇し、TFT22、24の閾値電圧を超えると、当
該段RS2(k)のTFT22、24がオン、TFT2
5がオフする。
As a result, the source electrode of the TFT 26 and T
The potential of the wiring C between the FT32 and the drain electrode (in the figure,
(Indicated by the dotted line) rises, and the TF that is always on
When this is output from the potential of T32, the capacitance A
(Indicated by a solid line in the figure) rises. When the potential of the capacitor A rises and exceeds the threshold voltage of the TFTs 22 and 24, the TFTs 22 and 24 of the stage RS2 (k) are turned on and the TFT 2
5 turns off.

【0116】次に、タイミングt1〜t2の間の一定期
間、クロック信号入力端子clkから入力されるクロッ
ク信号CK2が25(V)に変化する。すると、TFT
24のゲート電極及びソース電極並びにそれらの間のゲ
ート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされる。
そして、この寄生容量の電位がゲート飽和電圧に達する
と、TFT24のドレイン電極とソース電極との間に流
れる電流が飽和する。これにより、当該段RS2(k)
の出力端子OUTから出力される出力信号out(k)
は、クロック信号CK2のレベルとほぼ同電位の25
(V)となる(図中、破線で示す)。
Next, the clock signal CK2 input from the clock signal input terminal clk changes to 25 (V) for a certain period between timings t1 and t2. Then, TFT
The parasitic capacitance consisting of the 24 gate electrodes and source electrodes and the gate insulating film between them is charged up.
When the potential of the parasitic capacitance reaches the gate saturation voltage, the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 is saturated. Thereby, the corresponding stage RS2 (k)
Output signal out (k) output from the output terminal OUT
Is 25 which is almost the same potential as the level of the clock signal CK2.
(V) (shown by a broken line in the figure).

【0117】この期間は、TFT24の前述した寄生容
量がチャージアップされることにより、容量Aの電位も
ほぼ45(V)にまで達する。このとき、定電圧Vss
のレベルが−15(V)であれば入力端子INに供給さ
れる出力信号out(k−1)も−15(V)に変化し
ていることから、入力端子INと容量Aとの間の電圧
は、ほぼ60(V)となる。また定電圧Vssのレベル
が0(V)の場合、入力端子INと容量Aとの間の電圧
は45(V)となる。しかしながら、このような電圧
は、負荷として作用するTFT32とTFT26との間
で分圧され、配線Cの電位は、25(V)程度に抑えら
れる。すなわち、TFT32によって、TFT26のド
レイン電極とソース電極との間の電圧の上昇が抑えられ
る。
During this period, the potential of the capacitor A reaches almost 45 (V) by charging up the above-mentioned parasitic capacitance of the TFT 24. At this time, the constant voltage Vss
Is -15 (V), the output signal out (k-1) supplied to the input terminal IN also changes to -15 (V). The voltage is approximately 60 (V). When the level of the constant voltage Vss is 0 (V), the voltage between the input terminal IN and the capacitor A is 45 (V). However, such a voltage is divided between the TFT 32 and the TFT 26 acting as a load, and the potential of the wiring C is suppressed to about 25 (V). That is, the TFT 32 suppresses an increase in voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 26.

【0118】次に、タイミングt1〜t2の間の終わり
の方の期間になると、クロック信号CK2のレベルが−
15(V)に変化する。これにより、出力信号out
(k)のレベルもほぼ−15(V)となる。また、TF
T24の寄生容量へチャージされた電荷が放出され、容
量Aの電位が低下する。配線Cの電位も、容量Aの電位
と同程度にまで低下する。
Next, in the end period between the timings t1 and t2, the level of the clock signal CK2 becomes-
15 (V). As a result, the output signal out
The level of (k) is also approximately -15 (V). Also, TF
The charges charged to the parasitic capacitance of T24 are released, and the potential of the capacitance A decreases. The potential of the wiring C also decreases to about the same level as the potential of the capacitor A.

【0119】さらに、タイミングt3になると、リセッ
ト信号入力端子RSTに後ろの段RS2(k+1)の出
力信号out(k+1)(ハイレベル)が入力される。
これにより、TFT27がオンし、容量Aに蓄積された
電荷がTFT27を介して放出される。これにより、容
量A及び配線Cの電位が、定電圧Vssのレベルが−1
5(V)の場合−15(V)に、また定電圧Vssのレ
ベルが0(V)の場合ほぼ0(V)にまで低下する。
Further, at timing t3, the output signal out (k + 1) (high level) of the succeeding stage RS2 (k + 1) is input to the reset signal input terminal RST.
As a result, the TFT 27 is turned on, and the electric charge accumulated in the capacitor A is released through the TFT 27. As a result, the potential of the capacitor A and the potential of the wiring C are reduced to the level of the constant voltage Vss of -1.
When the voltage is 5 (V), the voltage drops to -15 (V), and when the level of the constant voltage Vss is 0 (V), the voltage drops to almost 0 (V).

【0120】このような動作を奇数段、偶数段共に順次
繰り返していくことにより、トップゲートドライバ2の
各段RS2(k)(k:1〜n)の出力信号out
(k)がそれぞれ1選択期間1tずつ25(V)に変化
し、順次シフトしていく。
By repeating such an operation sequentially for both the odd-numbered stages and the even-numbered stages, the output signal out of each stage RS2 (k) (k: 1 to n) of the top gate driver 2 is obtained.
(K) changes to 25 (V) for 1 t for one selection period, and shifts sequentially.

【0121】また、ボトムゲートドライバ3の動作は、
トップゲートドライバ2の動作とほぼ同じであるが、コ
ントローラから供給される信号CK1、CK2のハイレ
ベルが10(V)であるため、各段RS1(k)(k:
1〜n)の出力信号out(k)のハイレベルはほぼ1
0(V)であり、この際の容量Aのレベルは18(V)
程度である。また、クロック信号CK1、CK2がハイ
レベルとなっている期間は、トップゲートドライバ2と
して適用した場合よりも短い所定の期間である。
The operation of the bottom gate driver 3 is as follows.
The operation is almost the same as that of the top gate driver 2, but since the high level of the signals CK1 and CK2 supplied from the controller is 10 (V), each stage RS1 (k) (k:
The high level of the output signal out (k) is almost 1
0 (V), and the level of the capacitance A at this time is 18 (V).
It is about. The period during which the clock signals CK1 and CK2 are at a high level is a predetermined period shorter than the case where the clock signals CK1 and CK2 are applied as the top gate driver 2.

【0122】以下、付加構成のTFT32が果たす役割
について詳細に説明する。ここでは、比較例を以てその
役割を説明する。図13は、この比較例においてトップ
ゲートドライバ2及びボトムゲートドライバ3として適
用されるシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図で
ある。これは、図11に示す回路から付加構成のTFT
32を除いたもので、TFT27のソース電極10fが
容量Aに直接接続されている。なお、シフトレジスタの
全体構成としては、上記の図10に示すものと同じであ
る。
Hereinafter, the role of the TFT 32 of the additional configuration will be described in detail. Here, the role will be described with reference to a comparative example. FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 in this comparative example. This is because the TFT shown in FIG.
32 except that the source electrode 10f of the TFT 27 is directly connected to the capacitor A. The overall configuration of the shift register is the same as that shown in FIG.

【0123】次に、この比較例のシフトレジスタの動作
を、トップゲートドライバ2として適用した場合を例と
して説明する。図14は、トップゲートドライバ2とし
て適用した場合におけるこの比較例のシフトレジスタの
動作を示すタイミングチャートである。ここでも、1t
分の期間が1選択期間であり、また、1番目以外の偶数
番目の段RS2(k)(k:2,4,・・・,n)を例
としている。
Next, the operation of the shift register of the comparative example will be described as an example in which the operation is applied to the top gate driver 2. FIG. 14 is a timing chart showing the operation of the shift register of this comparative example when applied as the top gate driver 2. Again, 1t
The minute period is one selection period, and an even-numbered stage RS2 (k) (k: 2, 4,..., N) other than the first period is taken as an example.

【0124】タイミングt1〜t2の間は、TFT24
のゲート電極及びドレイン電極並びにそれらの間のゲー
ト絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされること
により、容量Aの電位もほぼ45(V)にまで達する。
このとき、定電圧Vssのレベルが−15(V)であれ
ば入力端子INに供給される出力信号out(k−1)
も−15(V)に変化し、入力端子INと容量Aとの間
の電圧は、ほぼ60(V)となる。また定電圧Vssの
レベルが0(V)の場合、入力端子INと容量Aとの間
の電圧は45(V)となる。
During the period from timing t1 to t2, the TFT 24
Is charged up, and the potential of the capacitor A also reaches approximately 45 (V).
At this time, if the level of the constant voltage Vss is −15 (V), the output signal out (k−1) supplied to the input terminal IN
Also changes to −15 (V), and the voltage between the input terminal IN and the capacitor A becomes approximately 60 (V). When the level of the constant voltage Vss is 0 (V), the voltage between the input terminal IN and the capacitor A is 45 (V).

【0125】この60(V)または45(V)の電圧
は、付加構成のTFT32がないことから、分圧される
ことなくTFT26のドレイン電極とソース電極との間
にかかり、上記の実施の形態の場合よりも、TFT26
が破損し易くなる。また、長時間の使用によるTFT2
6の特性変動も、上記の実施の形態の場合よりも大きく
なる。このため、この比較例のシフトレジスタは、上記
の実施の形態のシフトレジスタよりも故障し易いものと
なる。
The voltage of 60 (V) or 45 (V) is applied between the drain electrode and the source electrode of the TFT 26 without being divided, since the additional TFT 32 is not provided. TFT 26
Is easily damaged. In addition, TFT2
6 also becomes larger than in the above embodiment. For this reason, the shift register of this comparative example is more likely to fail than the shift register of the above embodiment.

【0126】以上説明したように、この実施の形態にか
かる撮像装置において、トップゲートドライバ2及びボ
トムゲートドライバ3として適用されるシフトレジスタ
も、各段RS2(k)(k:1〜n)から出力される出
力信号のレベルを減衰させることなく、順次シフトして
いくことができる。
As described above, in the image pickup apparatus according to this embodiment, the shift registers applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 also include the shift registers RS2 (k) (k: 1 to n). The output signal can be sequentially shifted without attenuating the level of the output signal.

【0127】また、シフトレジスタの各段RS2(k)
は、基本構成のTFT22〜27に加えて、付加構成の
TFT32を有している。このため、TFT24がオン
しているとき、TFT24のドレイン電極に供給される
クロック信号CK1、CK2がハイレベルとなり、その
寄生容量がチャージアップされて容量Aの電位が上昇し
ても、TFT32が分圧するためにTFT26のドレイ
ン電極とソース電極との間の電圧がそれほど大きくなら
ない。このため、容量Aの電位上昇によってTFT26
が破壊されて、シフトレジスタが故障するのを防ぐこと
ができる。
Each stage of the shift register RS2 (k)
Has a TFT 32 having an additional configuration in addition to the TFTs 22 to 27 having a basic configuration. For this reason, when the TFT 24 is on, the clock signals CK1 and CK2 supplied to the drain electrode of the TFT 24 become high level, and even if the parasitic capacitance is charged up and the potential of the capacitance A rises, the TFT 32 is still connected. Therefore, the voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 26 does not increase so much. For this reason, the rise in the potential of the capacitor A causes the TFT 26
Can be prevented from being destroyed and the shift register from malfunctioning.

【0128】また、この実施の形態でトップゲートドラ
イバ2及びボトムゲートドライバ3として適用されるシ
フトレジスタも、TFT22〜27、32のみで他の素
子を用いることなく構成することができるので、撮像素
子1を基板10a上に形成する際に、同一の基板10a
上に、トップゲートドライバ2及びボトムゲートドライ
バ3を形成することができる。さらに、第1の実施の形
態と同様に、この実施の形態で適用されるシフトレジス
タも、実験結果によれば、長期間使用しても安定的に動
作するものとなる。
Further, the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 in this embodiment can also be constituted by using only the TFTs 22 to 27 and 32 without using other elements. 1 is formed on the substrate 10a.
A top gate driver 2 and a bottom gate driver 3 can be formed thereon. Further, similarly to the first embodiment, according to the experimental results, the shift register applied in this embodiment can operate stably even when used for a long time.

【0129】[第3の実施の形態]この実施の形態にか
かる撮像装置の構成は、第1、第2の実施の形態にかか
るものとほぼ同じである。また、トップゲートドライバ
2及びボトムゲートドライバ3として適用されるシフト
レジスタの全体の構成も第2の実施の形態のものと同じ
である。但し、この実施の形態では、トップゲートドラ
イバ2及びボトムゲートドライバ3として適用されるシ
フトレジスタの各段の構成が第2の実施の形態のものと
異なる。
[Third Embodiment] The configuration of an image pickup apparatus according to this embodiment is substantially the same as that of the first and second embodiments. Further, the entire configuration of the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 is the same as that of the second embodiment. However, in this embodiment, the configuration of each stage of the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 is different from that of the second embodiment.

【0130】図15は、この実施の形態において、トッ
プゲートドライバ2及びボトムゲートドライバ3として
適用されるシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図
である。図示するように、このシフトレジスタの各段R
S2(k)(k:1〜nの整数)は、図13に示す構成
に加えて、付加構成としてのTFT33を有している。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as top gate driver 2 and bottom gate driver 3 in this embodiment. As shown, each stage R of this shift register
S2 (k) (k: an integer from 1 to n) has a TFT 33 as an additional configuration in addition to the configuration shown in FIG.

【0131】TFT33は、ゲート電極(制御端子)に
基準電圧Vddが常時供給され、常にオン状態となって
おり、ドレイン電極(電流路の一端)がTFT27のソ
ース電極に接続され、ソース電極(電流路の一端)がT
FT22、24のゲート電極に接続されている。TFT
33は、そのオン抵抗により、TFT24の寄生容量に
起因して上昇した容量Aの電圧を分圧させて、TFT2
7のドレイン電極とソース電極との間の電圧を低く抑え
る負荷としての機能を有する。
The reference voltage Vdd is always supplied to the gate electrode (control terminal) of the TFT 33, and the TFT 33 is always on. The drain electrode (one end of the current path) is connected to the source electrode of the TFT 27, and the source electrode (current T at one end of the road)
It is connected to the gate electrodes of the FTs 22 and 24. TFT
33 divides the voltage of the capacitor A, which has risen due to the parasitic capacitance of the TFT 24, by the ON resistance thereof, and
7 has a function as a load for suppressing the voltage between the drain electrode and the source electrode.

【0132】以下、この実施の形態にかかる撮像装置の
動作について説明する。第2の実施の形態の図11に示
す構成との違いは、付加構成としてTFT32がなく、
TFT33があることであるので、容量Aに蓄積された
電荷がTFT33、TFT27を介してディスチャージ
されること以外は、容量Aの電位がどのように分圧され
るかだけなので、以下ではこの部分のみを説明すること
とする。
Hereinafter, the operation of the image pickup apparatus according to this embodiment will be described. The difference from the configuration of the second embodiment shown in FIG. 11 is that the TFT 32 is not provided as an additional configuration.
Since there is a TFT 33, except that the electric charge stored in the capacitor A is discharged via the TFT 33 and the TFT 27, it is only how the potential of the capacitor A is divided. Will be described.

【0133】タイミングt1〜t2の間の一定期間、T
FT24のゲート電極及びドレイン電極並びにそれらの
間の寄生容量がチャージアップされることにより、容量
Aの電位もほぼ45(V)にまで達する。このとき、定
電圧Vssのレベルが−15(V)であれば入力端子I
Nに供給される出力信号out(k−1)も−15
(V)に変化していることから、定電圧入力端子SSと
容量Aとの間の電圧は、ほぼ60(V)となる。また定
電圧Vssのレベルが0(V)の場合、入力端子INと
容量Aとの間の電圧は45(V)となる。しかしなが
ら、このような電圧は、負荷として作用するTFT33
とTFT27との間で分圧され、配線Cの電位は、25
(V)程度に抑えられる。すなわち、TFT33によっ
て、TFT23のドレイン電極とソース電極との間の電
圧の上昇が抑えられる。
For a fixed period between timings t1 and t2, T
By charging up the gate electrode and the drain electrode of the FT 24 and the parasitic capacitance therebetween, the potential of the capacitance A also reaches approximately 45 (V). At this time, if the level of the constant voltage Vss is -15 (V), the input terminal I
The output signal out (k-1) supplied to N is also -15.
(V), the voltage between the constant voltage input terminal SS and the capacitor A is approximately 60 (V). When the level of the constant voltage Vss is 0 (V), the voltage between the input terminal IN and the capacitor A is 45 (V). However, such a voltage is not applied to the TFT 33 acting as a load.
And the TFT 27 is divided, and the potential of the wiring C is 25
(V). That is, the TFT 33 suppresses an increase in voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 23.

【0134】次に、タイミングt1〜t2の間の終わり
の方の期間になると、クロック信号CK2のレベルが−
15(V)に変化する。これにより、出力信号out
(k)のレベルもほぼ−15(V)となる。また、TF
T24の寄生容量へチャージされた電荷が放出され、容
量Aの電位が低下する。配線Cの電位も、容量Aの電位
と同程度にまで低下する。そして、タイミングt3にな
ると、リセット信号入力端子RSTに後ろの段RS2
(k+1)の出力信号out(k+1)(ハイレベル)
が入力される。これにより、TFT27がオンし、容量
Aに蓄積された電荷がTFT33及びTFT27を介し
て放出される。これにより、容量A及び配線Cの電位
が、定電圧Vssのレベルが−15(V)の場合−15
(V)に、また定電圧Vssのレベルが0(V)の場合
ほぼ0(V)にまで低下する。
Next, in the end period between the timings t1 and t2, the level of the clock signal CK2 becomes-
15 (V). As a result, the output signal out
The level of (k) is also approximately -15 (V). Also, TF
The charges charged to the parasitic capacitance of T24 are released, and the potential of the capacitance A decreases. The potential of the wiring C also decreases to about the same level as the potential of the capacitor A. Then, at timing t3, the reset signal input terminal RST is connected to the subsequent stage RS2.
(K + 1) output signal out (k + 1) (high level)
Is entered. As a result, the TFT 27 is turned on, and the electric charge accumulated in the capacitor A is released through the TFT 33 and the TFT 27. Thereby, the potential of the capacitor A and the wiring C becomes -15 when the level of the constant voltage Vss is -15 (V).
(V), and to about 0 (V) when the level of the constant voltage Vss is 0 (V).

【0135】以上説明したように、この実施の形態にか
かる撮像装置において、トップゲートドライバ2及びボ
トムゲートドライバ3として適用されるシフトレジスタ
も、各段RS2(k)(k:1〜n)から出力される出
力信号のレベルを減衰させることなく、順次シフトして
いくことができる。
As described above, in the imaging apparatus according to the present embodiment, the shift registers applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 also include the shift registers RS2 (k) (k: 1 to n). The output signal can be sequentially shifted without attenuating the level of the output signal.

【0136】また、シフトレジスタの各段RS2(k)
は、基本構成のTFT22〜27に加えて、付加構成の
TFT33を有している。このため、TFT24がオン
しているとき、TFT24のドレイン電極に供給される
クロック信号CK1、CK2がハイレベルとなり、その
寄生容量がチャージアップされて容量Aの電位が上昇し
ても、TFT33が分圧するためにTFT27のドレイ
ン電極とソース電極との間の電圧がそれほど大きくなら
ない。このため、容量Aの電位上昇によってTFT27
が破壊されて、シフトレジスタが故障するのを防ぐこと
ができる。
Each stage of the shift register RS2 (k)
Has an additional configuration TFT 33 in addition to the basic configuration TFTs 22 to 27. For this reason, when the TFT 24 is on, the clock signals CK1 and CK2 supplied to the drain electrode of the TFT 24 become high level, and even if the parasitic capacitance is charged up and the potential of the capacitance A rises, the TFT 33 is still active. Therefore, the voltage between the drain electrode and the source electrode of the TFT 27 does not increase so much. For this reason, the rise in the potential of the capacitor A causes the TFT 27
Can be prevented from being destroyed and the shift register from malfunctioning.

【0137】また、この実施の形態でトップゲートドラ
イバ2及びボトムゲートドライバ3として適用されるシ
フトレジスタも、TFT22〜27、33のみで他の素
子を用いることなく構成することができるので、撮像素
子1を基板10a上に形成する際に、同一の基板10a
上に、トップゲートドライバ2及びボトムゲートドライ
バ3を形成することができる。さらに、第1の実施の形
態と同様に、この実施の形態で適用されるシフトレジス
タも、実験結果によれば、長期間使用しても安定的に動
作するものとなる。
Further, the shift register applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 in this embodiment can also be constituted by using only the TFTs 22 to 27 and 33 without using other elements. 1 is formed on the substrate 10a.
A top gate driver 2 and a bottom gate driver 3 can be formed thereon. Further, similarly to the first embodiment, according to the experimental results, the shift register applied in this embodiment can operate stably even when used for a long time.

【0138】[実施の形態の変形]本発明は、上記の第
1〜第3の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が
可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形
態の変形態様について説明する。
[Modification of Embodiment] The present invention is not limited to the above-described first to third embodiments, and various modifications and applications are possible. Hereinafter, modifications of the above-described embodiment applicable to the present invention will be described.

【0139】上記の第2、第3の実施の形態では、シフ
トレジスタのn番目の段RS2(n)は、他の段と異な
り、コントローラからリセット信号Vrstをリセット
端子RSTに供給するものとしていた。これに対して、
シフトレジスタの段数を撮像素子1の段数nよりも1だ
け多いn+1とし、段RS2(n+1)の出力信号ou
t(n+1)を段RS2(n)のリセット信号として供
給してもよい。この場合、段RS2(n+1)の出力信
号out(n+1)は、リセット信号としてだけ用いら
れ、撮像素子1には出力されない。
In the second and third embodiments, unlike the other stages, the n-th stage RS2 (n) of the shift register supplies the reset signal Vrst from the controller to the reset terminal RST. . On the contrary,
The number of stages of the shift register is set to n + 1 which is one more than the number n of stages of the image sensor 1, and the output signal ou of the stage RS2 (n + 1) is provided.
t (n + 1) may be supplied as a reset signal for the stage RS2 (n). In this case, the output signal out (n + 1) of the stage RS2 (n + 1) is used only as a reset signal and is not output to the image sensor 1.

【0140】上記の第2、第3の実施の形態では、シフ
トレジスタの各段RS2(k)(k:1〜nの整数)
は、基本構成のTFT22〜27に加えて、それぞれ付
加構成として1つずつのTFT32、TFT33を有す
るものとしていた。これに対して、図17に示すよう
に、シフトレジスタの各段RS2(k)が付加構成とし
て2つのTFT32、33を有していてもよい。この場
合、上記の第2、第3の実施の形態のものの複合的な効
果を得ることができる。
In the second and third embodiments, each stage of the shift register RS2 (k) (k: an integer of 1 to n)
Has one TFT 32 and one TFT 33 as additional components in addition to the TFTs 22 to 27 of the basic configuration. On the other hand, as shown in FIG. 17, each stage RS2 (k) of the shift register may have two TFTs 32 and 33 as an additional configuration. In this case, the combined effects of the above-described second and third embodiments can be obtained.

【0141】上記の第1〜第3の実施の形態では、シフ
トレジスタの各段RS1(k)、RS2(k)(k:1
〜nの整数)は、ゲート電極に基準電圧Vddが常時印
加されたTFT31〜33を備え、これによって容量A
の電圧を分圧させることによって、それぞれTFT2
1、26、27のゲート電極とソース電極との間の電位
差が膨大な値になるのを防いでいた。しかしながら、電
圧の分圧が目的であるならば、TFT21、26、27
の特性に合わせた他の素子(例えば、抵抗素子)を適用
することも可能である。
In the first to third embodiments, each stage of the shift register RS1 (k), RS2 (k) (k: 1
To n) are provided with TFTs 31 to 33 to which a reference voltage Vdd is constantly applied to the gate electrode.
Of the TFT 2 by dividing the voltage of
The potential difference between the gate electrode and the source electrode of 1, 26, and 27 was prevented from becoming an enormous value. However, if the purpose is to divide the voltage, the TFTs 21, 26, 27
It is also possible to apply another element (for example, a resistance element) that matches the characteristics of the above.

【0142】この他にも、上記の第1〜第3の実施の形
態で示したシフトレジスタの各段RS1(k)、RS2
(k)(k:1〜nの整数)の構成は、適宜変更するこ
とが可能である。例えば、基本構成としてのTFT23
は、TFT以外の抵抗素子に置き換えてもよい。また、
シフトレジスタの各段RS1(k)、RS2(k)
(k:1〜nの整数)は、ゲート電極にクロック信号C
K1、CK2のレベルを反転した信号が供給され、ドレ
イン電極がTFT24のソース電極に接続され、ソース
電極が定電圧供給端子SSに接続されたTFTをさらに
備えるものとしてもよい。
In addition, each of the stages RS1 (k), RS2 of the shift register shown in the first to third embodiments.
The configuration of (k) (k: an integer from 1 to n) can be changed as appropriate. For example, the TFT 23 as a basic configuration
May be replaced with a resistance element other than the TFT. Also,
Each stage of the shift register RS1 (k), RS2 (k)
(K: an integer from 1 to n) indicates the clock signal C
A signal in which the levels of K1 and CK2 are inverted, a drain electrode is connected to the source electrode of the TFT 24, and a source electrode is connected to the constant voltage supply terminal SS may be further provided.

【0143】さらに、シフトレジスタの各段RS1
(k)、RS2(k)(k:1〜nの整数)は、フロー
ティングを防ぐためのプルアップ用、プルダウン用のT
FTや抵抗素子などを適宜付加した構成としてもよい。
さらに、クロック信号入力端子clkとTFT25のゲ
ート電極との間に、TFTを挿入した構成とすることな
どもできる。
Further, each stage of the shift register RS1
(K) and RS2 (k) (k: an integer from 1 to n) are T for pull-up and pull-down to prevent floating.
A configuration in which an FT, a resistance element, or the like is appropriately added may be employed.
Furthermore, a configuration in which a TFT is inserted between the clock signal input terminal clk and the gate electrode of the TFT 25 can be adopted.

【0144】上記の第1〜第3の実施の形態では、ダブ
ルゲートトランジスタ10をマトリクス状に配した撮像
素子1を、トップゲートドライバ2及びボトムゲートド
ライバ3を用いて駆動する撮像装置を例として説明し
た。しかしながら、本発明は、これに限られず、マトリ
クス状などの所定の配列で画素を配した他のタイプの撮
像素子或いは表示素子を、第1〜第3の実施の形態で示
したシフトレジスタと同一の構成を有するドライバで駆
動する撮像装置或いは表示装置にも適用することができ
る。
In the above-described first to third embodiments, an image pickup device in which the image pickup device 1 in which the double gate transistors 10 are arranged in a matrix is driven by using the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 is taken as an example. explained. However, the present invention is not limited to this, and other types of image pickup devices or display devices in which pixels are arranged in a predetermined arrangement such as a matrix may be the same as the shift registers described in the first to third embodiments. The present invention can also be applied to an imaging device or a display device driven by a driver having the configuration described above.

【0145】例えば、図18に示すような液晶表示装置
への適用を例として説明する。図示するように、この液
晶表示装置は、液晶表示素子5と、ゲートドライバ6
と、ドレインドライバ7とを有している。
For example, an application to a liquid crystal display device as shown in FIG. 18 will be described. As shown, the liquid crystal display device includes a liquid crystal display element 5 and a gate driver 6.
And a drain driver 7.

【0146】液晶表示素子5は、一対の基板に液晶を封
入して構成されるもので、その一方の基板には、TFT
50がマトリクス状に形成されている。各TFT50の
ゲート電極はゲートラインGLに、ドレイン電極はドレ
インラインDLに、ソース電極は同様にマトリクス状に
形成された画素電極に形成されている。他方の基板に
は、定電圧が印加されている共通電極が形成されてお
り、この共通電極と各画素電極との間に、画素容量51
が形成される。そして、画素容量51に蓄積された電荷
によって液晶の配向状態が変化することで、液晶表示素
子5は、透過させる光の量を制御して画像を表示するも
のである。
The liquid crystal display element 5 is constructed by enclosing a liquid crystal in a pair of substrates.
50 are formed in a matrix. The gate electrode of each TFT 50 is formed on a gate line GL, the drain electrode is formed on a drain line DL, and the source electrode is formed on a pixel electrode similarly formed in a matrix. A common electrode to which a constant voltage is applied is formed on the other substrate, and a pixel capacitor 51 is provided between the common electrode and each pixel electrode.
Is formed. The liquid crystal display element 5 displays an image by controlling the amount of transmitted light by changing the alignment state of the liquid crystal by the electric charge stored in the pixel capacitance 51.

【0147】ゲートドライバ6は、上記の第1〜第3の
実施の形態においてトップゲートドライバ2及びボトム
ゲートドライバ3として適用したシフトレジスタのいず
れか、或いは上記で説明した変形例のものを以て構成さ
れる。ゲートドライバ6は、コントローラからの制御信
号Gcntに従って、ゲートラインGLを順次選択して
所定の電圧を出力する。但し、制御信号Gcntとして
供給される定電圧Vssは0(V)であり、また、出力
電圧は、TFT50の特性に従うもので、コントローラ
から制御信号Gcntとして供給される信号CK1、C
K2のレベルもこれに従っている。
The gate driver 6 is constituted by any one of the shift registers applied as the top gate driver 2 and the bottom gate driver 3 in the above-described first to third embodiments, or a modified example described above. You. The gate driver 6 sequentially selects the gate lines GL according to a control signal Gcnt from the controller and outputs a predetermined voltage. However, the constant voltage Vss supplied as the control signal Gcnt is 0 (V), and the output voltage follows the characteristics of the TFT 50, and the signals CK1 and C are supplied as the control signal Gcnt from the controller.
The K2 level follows this.

【0148】ドレインドライバ7は、コントローラから
の制御信号Dcntに従って、コントローラから画像デ
ータdataを順次取り込む。1ライン分の画像データ
dataを蓄積すると、ドレインドライバ7は、コント
ローラからの制御信号Dcntに従ってこれをドレイン
ラインDLに出力し、ゲートドライバ6によって選択さ
れたゲートラインGLに接続されているTFT50(オ
ン状態)を介して、画素容量51に蓄積させる。
The drain driver 7 sequentially takes in the image data data from the controller according to the control signal Dcnt from the controller. When the image data data for one line is accumulated, the drain driver 7 outputs this to the drain line DL in accordance with the control signal Dcnt from the controller, and the TFT 50 (ON) connected to the gate line GL selected by the gate driver 6. Via the state (state).

【0149】この液晶表示装置において、液晶表示素子
5上に画像を表示する場合には、まず、ゲートドライバ
6は、画像データdataを書き込むべき行のゲートラ
インGLに対応した段からハイレベルの信号を出力し、
当該行のTFT50をオンさせる。当該行のTFT50
がオンしているタイミングにおいて、ドレインドライバ
7は、蓄積した画像データdataに応じた電圧をドレ
インラインDLに出力し、オンしているTFT50を介
して画素容量51に書き込む。以上の動作の繰り返しに
より、画素容量51に画像データdataが書き込ま
れ、これに応じて液晶の配向状態が変化して、液晶表示
素子5上に画像が表示される。
In this liquid crystal display device, when displaying an image on the liquid crystal display element 5, first, the gate driver 6 starts outputting a high-level signal from the stage corresponding to the gate line GL of the row in which the image data is to be written. And output
The TFT 50 in the row is turned on. TFT 50 of the row
At the timing when is turned on, the drain driver 7 outputs a voltage corresponding to the accumulated image data data to the drain line DL, and writes the voltage into the pixel capacitor 51 via the turned-on TFT 50. By repeating the above operation, the image data data is written into the pixel capacitor 51, and the orientation state of the liquid crystal changes accordingly, and an image is displayed on the liquid crystal display element 5.

【0150】この液晶表示装置では、液晶表示素子5
は、一方の基板上にTFT50がマトリクス状に形成さ
れたものとなっている。このTFT50の構造も、ゲー
トドライバ6に適用したシフトレジスタを構成するTF
T21〜27、31〜33と基本的に同じである。従っ
て、ゲートドライバ6を、液晶表示素子5を構成する一
方の基板上に、同時プロセスにおいて形成することが可
能となる。
In this liquid crystal display device, the liquid crystal display element 5
Has a structure in which TFTs 50 are formed in a matrix on one substrate. The structure of the TFT 50 is the same as that of the TF constituting the shift register applied to the gate driver 6.
It is basically the same as T21-27, 31-33. Therefore, the gate driver 6 can be formed on one of the substrates constituting the liquid crystal display element 5 in a simultaneous process.

【0151】さらには、上記の第1〜第3の実施の形態
における構成、或いはそれを上記したように変形した構
成を有するシフトレジスタは、撮像素子または表示素子
を駆動するためのドライバとしての用途以外にも適用す
ることができる。例えば、これらのシフトレジスタは、
データ処理装置などにおいて直列のデータを並列のデー
タに変換する場合などの用途にも適用することができ
る。
Further, the shift register having the configuration in the above-described first to third embodiments or the configuration modified from the above-described embodiment is used as a driver for driving an image pickup device or a display device. Other than that can be applied. For example, these shift registers
The present invention can also be applied to a case where serial data is converted into parallel data in a data processing device or the like.

【0152】[0152]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシフトレ
ジスタによれば、出力信号のレベルを減衰させることな
く、順次シフトしていくことが可能となる。
As described above, according to the shift register of the present invention, it is possible to sequentially shift the output signal without attenuating the level.

【0153】また、各段に分圧素子を設けることによっ
て、特定のトランジスタの電流路の両端に大きな電圧が
かかってそのトランジスタが破壊してしまうのを防ぐこ
とができる。
Further, by providing a voltage dividing element in each stage, it is possible to prevent a large voltage from being applied to both ends of the current path of a specific transistor and destroying that transistor.

【0154】さらに、本発明の電子装置では、撮像素子
或いは表示素子などの駆動素子に、ドライバを構成する
トランジスタとほぼ同様の構造を有する素子を含むもの
を適用することによって、ドライバを撮像素子と同一の
基板上に、同一のプロセスで形成することが可能とな
る。
Further, in the electronic device of the present invention, a driver including an element having substantially the same structure as a transistor constituting a driver is applied to a driving element such as an imaging element or a display element, so that the driver can be used as an imaging element. It can be formed on the same substrate by the same process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる撮像装置の
構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an imaging device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のダブルゲートトランジスタの概略的な構
造を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic structure of the double gate transistor of FIG.

【図3】(a)〜(d)は、図1のダブルゲートトラン
ジスタの駆動原理を示す模式図である。
FIGS. 3A to 3D are schematic diagrams illustrating a driving principle of the double gate transistor of FIG.

【図4】本発明の第1の実施の形態において、トップゲ
ートドライバ及びボトムゲートドライバとして適用され
るシフトレジスタの全体の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram showing an overall configuration of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施の形態において、トップゲ
ートドライバ及びボトムゲートドライバとして適用され
るシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施の形態におけるシフトレジ
スタを、トップゲートドライバとして適用した場合の動
作を示すタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart illustrating an operation when the shift register according to the first embodiment of the present invention is applied as a top gate driver.

【図7】(a)〜(i)は、本発明の第1の実施の形態
にかかる撮像装置の動作を示す模式図である。
FIGS. 7A to 7I are schematic diagrams illustrating an operation of the imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図8】第1の比較例においてトップゲートドライバ及
びボトムゲートドライバとして適用されるシフトレジス
タの1段分の構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in the first comparative example.

【図9】第1の比較例におけるシフトレジスタを、トッ
プゲートドライバとして適用した場合の動作を示すタイ
ミングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart illustrating an operation when the shift register in the first comparative example is applied as a top gate driver.

【図10】本発明の第2の実施の形態において、トップ
ゲートドライバ及びボトムゲートドライバとして適用さ
れるシフトレジスタの全体の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 10 is a block diagram showing an entire configuration of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施の形態において、トップ
ゲートドライバ及びボトムゲートドライバとして適用さ
れるシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in the second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施の形態におけるシフトレ
ジスタを、トップゲートドライバとして適用した場合の
動作を示すタイミングチャートである。
FIG. 12 is a timing chart illustrating an operation when the shift register according to the second embodiment of the present invention is applied as a top gate driver.

【図13】第2の比較例において、トップゲートドライ
バ及びボトムゲートドライバとして適用されるシフトレ
ジスタの1段分の構成を示す回路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in a second comparative example.

【図14】第2の比較例におけるシフトレジスタを、ト
ップゲートドライバとして適用した場合の動作を示すタ
イミングチャートである。
FIG. 14 is a timing chart illustrating an operation when the shift register in the second comparative example is applied as a top gate driver.

【図15】本発明の第2の実施の形態において、トップ
ゲートドライバ及びボトムゲートドライバとして適用さ
れるシフトレジスタの1段分の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver in the second embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第3の実施の形態におけるシフトレ
ジスタを、トップゲートドライバとして適用した場合の
動作を示すタイミングチャートである。
FIG. 16 is a timing chart showing an operation when the shift register according to the third embodiment of the present invention is applied as a top gate driver.

【図17】トップゲートドライバ及びボトムゲートドラ
イバとして適用されるシフトレジスタの1段分の他の構
成を示す回路図である。
FIG. 17 is a circuit diagram illustrating another configuration of one stage of a shift register applied as a top gate driver and a bottom gate driver.

【図18】本発明の実施の形態の変形にかかる液晶表示
装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 18 is a block diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a modification of the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・撮像素子、2・・・トップゲートドライバ、3・・・ボ
トムゲートドライバ、4・・・ドレインドライバ、5・・・液
晶表示素子、6・・・ゲートドライバ、7・・・ドレインドラ
イバ、10・・・ダブルゲートトランジスタ、10a・・・基
板、10b・・・ボトムゲート電極、10c・・・ボトムゲー
ト絶縁膜、10d・・・半導体層、10e・・・ドレイン電
極、10f・・・ソース電極、10g・・・トップゲート絶縁
膜、10h・・・トップゲート電極、10i・・・絶縁保護
膜、21〜27・・・TFT(基本構成)、31〜33・・・
TFT(付加構成)、50・・・TFT、51・・・画素容
量、TGL・・・トップゲートライン、BGL・・・ボトムゲ
ートライン、DL・・・ドレインライン、GL・・・ゲートラ
イン、GrL・・・グラウンドライン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image sensor, 2 ... Top gate driver, 3 ... Bottom gate driver, 4 ... Drain driver, 5 ... Liquid crystal display element, 6 ... Gate driver, 7 ... Drain Driver, 10: double gate transistor, 10a: substrate, 10b: bottom gate electrode, 10c: bottom gate insulating film, 10d: semiconductor layer, 10e: drain electrode, 10f ... · Source electrode, 10g ··· Top gate insulating film, 10h ··· Top gate electrode, 10i ··· Insulating protective film, 21 to 27 ··· TFT (basic configuration), 31 to 33 ···
TFT (additional configuration), 50 TFT, 51 pixel capacitance, TGL top gate line, BGL bottom gate line, DL drain line, GL gate line, GrL ... Ground lines

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 外部から制御端子に供給される第1または第2の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間の容量に蓄積された電荷によってオンし、負荷を介し
て電流路の一端に供給される信号を電流路の他端から放
出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間の容量に蓄積された電荷によってオンし、外部から電
流路の一端に供給される第3または第4の信号を出力信
号として電流路の他端から出力する第3のトランジスタ
と、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの電流路の他端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第1
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする分圧
素子とを備えることを特徴とするシフトレジスタ。
1. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on by a first or second signal supplied to a control terminal from the outside, and receives a current from one of adjacent stages. A first transistor for outputting a signal of a predetermined level supplied to one end of the current path to the other end of the current path; and a charge stored in a capacitor between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor, which is turned on by the second transistor and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, between the control terminal and the other end of the current path of the first transistor A third transistor which is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor, and outputs a third or fourth signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and the second transistor Is off A fourth transistor that is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the signal is present, and outputs a signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path; The transistor is provided between the other end of the current path of the transistor and the capacitor, and divides the voltage of the capacitor to form the first capacitor.
And a voltage dividing element to be applied to both ends of the current path of the transistor.
【請求項2】前記分圧素子は、制御端子に所定の電圧が
印加され、電流路の両端がそれぞれ、前記第1のトラン
ジスタの電流路の他端と前記容量とに接続されているこ
とを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
2. The voltage dividing device according to claim 1, wherein a predetermined voltage is applied to a control terminal, and both ends of a current path are connected to the other end of the current path of the first transistor and the capacitor, respectively. The shift register according to claim 1, wherein:
【請求項3】前記シフトレジスタの奇数番目の段には、
第3、第4の信号のうちの第3の信号が外部から供給さ
れ、 前記シフトレジスタの偶数番目の段には、第3、第4の
信号のうちの第4の信号が外部から供給され、 第3、第4の信号はそれぞれ、前記シフトレジスタの出
力信号をシフトしていくタイムスロットのうちの所定期
間、タイムスロット毎に交互に駆動レベルとなることを
特徴とする請求項1または2に記載のシフトレジスタ。
3. An odd-numbered stage of the shift register includes:
A third signal of the third and fourth signals is externally supplied, and an even-numbered stage of the shift register is externally supplied with a fourth signal of the third and fourth signals. 3. The driving signal according to claim 1, wherein the third signal and the fourth signal alternately have a drive level for each time slot during a predetermined period of a time slot in which the output signal of the shift register is shifted. The shift register according to 1.
【請求項4】前記第1、第2の信号は、それぞれ前記第
3、第4の信号が駆動レベルとなっている間の一定期間
オンレベルとなることを特徴とする請求項3に記載のシ
フトレジスタ。
4. The apparatus according to claim 3, wherein said first and second signals are kept at an on level for a predetermined period while said third and fourth signals are at a drive level. Shift register.
【請求項5】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前の段から電流路の
一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出
力する第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を当該段の出力信号として電流路の他端から出力する
第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出
力信号として電流路の他端から出力する第4のトランジ
スタと、 隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの電流路の他端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第1
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする第1
の分圧素子とを備えることを特徴とするシフトレジス
タ。
5. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied from one of adjacent stages to a control terminal, and the previous stage is A first transistor that outputs a signal of a predetermined level supplied to one end of the current path from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A second transistor that emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage, and when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load, and outputs a constant voltage signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage; It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor, and a fifth transistor provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor, and dividing the voltage of the capacitor, First
Of the current path of both transistors
And a voltage dividing element.
【請求項6】前記第1の分圧素子は、制御端子に所定の
電圧が印加され、電流路の両端がそれぞれ、前記第1の
トランジスタの電流路の他端と前記容量とに接続されて
いることを特徴とする請求項5に記載のシフトレジス
タ。
6. A first voltage dividing element, wherein a predetermined voltage is applied to a control terminal, and both ends of a current path are respectively connected to the other end of the current path of the first transistor and the capacitor. The shift register according to claim 5, wherein
【請求項7】前記第5のトランジスタの電流路の一端と
前記容量との間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させ
て、前記第5のトランジスタの電流路の両端にかかるよ
うにする第2の分圧素子をさらに備えることを特徴とす
る請求項5に記載のシフトレジスタ。
7. The fifth transistor is provided between one end of a current path of the transistor and the capacitor, and the voltage of the capacitor is divided so as to be applied to both ends of the current path of the fifth transistor. The shift register according to claim 5, further comprising a second voltage dividing element.
【請求項8】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前の段から電流路の
一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出
力する第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を当該段の出力信号として電流路の他端から出力する
第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出
力信号として電流路の他端から出力する第4のトランジ
スタと、 隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、 前記第5のトランジスタの電流路の一端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第5
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする第2
の分圧素子とを備えることを特徴とするシフトレジス
タ。
8. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to a control terminal from one of adjacent stages, and A first transistor that outputs a signal of a predetermined level supplied to one end of the current path from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A second transistor that emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage, and when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load, and outputs a constant voltage signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage; It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor; and a fifth transistor provided between one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor, and dividing the voltage of the capacitor to form the fifth transistor. 5
To be applied to both ends of the current path of the transistor
And a voltage dividing element.
【請求項9】前記第2の分圧素子は、制御端子に所定の
電圧が印加され、電流路の両端がそれぞれ、前記第5の
トランジスタの電流路の一端と前記容量とに接続されて
いることを特徴とする請求項7または8に記載のシフト
レジスタ。
9. A predetermined voltage is applied to a control terminal of the second voltage dividing element, and both ends of a current path are respectively connected to one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor. 9. The shift register according to claim 7, wherein:
【請求項10】前記シフトレジスタの奇数番目の段に
は、第3、第4の信号のうちの第3の信号が外部から供
給され、 前記シフトレジスタの偶数番目の段には、第3、第4の
信号のうちの第4の信号が外部から供給され、 第3、第4の信号はそれぞれ、前記シフトレジスタの出
力信号をシフトしていくタイムスロットのうちの所定期
間、タイムスロット毎に交互に駆動レベルとなることを
特徴とする請求項5乃至9のいずれか1項に記載のシフ
トレジスタ。
10. An odd-numbered stage of the shift register is externally supplied with a third signal of the third and fourth signals, and an even-numbered stage of the shift register has a third, A fourth signal of the fourth signal is supplied from the outside, and a third signal and a fourth signal are respectively provided for each time slot for a predetermined period of the time slot for shifting the output signal of the shift register. 10. The shift register according to claim 5, wherein the shift level is alternately set.
【請求項11】前記複数の段のそれぞれを構成する各ト
ランジスタは、同一のチャネル型の電界効果トランジス
タであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか
1項に記載のシフトレジスタ。
11. The shift register according to claim 1, wherein each of the transistors constituting each of the plurality of stages is the same channel type field effect transistor.
【請求項12】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 外部からの信号により、内部に設けられた容量に電荷を
蓄積させる第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタとの間に前記容量を形成すると
共に、前記容量に蓄積された電荷によってオンしている
ときに電流路の一端から供給された電圧を出力信号とし
て電流路の他端から出力する第2のトランジスタと、 前記容量と前記第1のトランジスタの間に設けられ、前
記容量に蓄積された電荷による電圧を分圧させて、前記
第1のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする
分圧素子とを備えることを特徴とするシフトレジスタ。
12. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register includes a first transistor for accumulating electric charge in a capacitor provided therein in response to an external signal; A second transistor that outputs the voltage supplied from one end of the current path as an output signal from the other end of the current path when the transistor is turned on by the charge stored in the capacitor, And a voltage divider that is provided between the capacitor and the first transistor and that divides a voltage due to the electric charge accumulated in the capacitor to apply the voltage to both ends of a current path of the first transistor. And a shift register.
【請求項13】複数の段からなるシフトレジスタであっ
て、前記シフトレジスタの各段は、 外部からの信号により、内部に設けられた容量に電荷を
蓄積させる第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタとの間に前記容量を形成すると
共に、前記容量に蓄積された電荷によってオンしている
ときに電流路の一端から供給された電圧を出力信号とし
て電流路の他端から出力する第2のトランジスタと、 電流路の一端が前記容量に接続され、外部からの信号に
よって前記容量に蓄積された電荷を放出させる第3のト
ランジスタと、 前記容量と前記第3のトランジスタとの間に設けられ、
前記容量に蓄積された電荷による電圧を分圧させて、前
記第3のトランジスタの電流路の両端にかかるようにす
る分圧素子とを備えることを特徴とするシフトレジス
タ。
13. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register comprises: a first transistor for storing a charge in a capacitor provided therein in response to an external signal; A second transistor that outputs the voltage supplied from one end of the current path as an output signal from the other end of the current path when the transistor is turned on by the charge stored in the capacitor, A third transistor having one end of a current path connected to the capacitor, and releasing a charge stored in the capacitor by an external signal; and a third transistor provided between the capacitor and the third transistor. ,
A shift register, comprising: a voltage dividing element that divides a voltage of the electric charge accumulated in the capacitor so as to apply the voltage to both ends of a current path of the third transistor.
【請求項14】複数の段からなり、出力信号をシフトさ
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 外部から制御端子に供給される第1または第2の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間の容量に蓄積された電荷によってオンし、負荷を介し
て電流路の一端に供給される信号を電流路の他端から放
出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間の容量に蓄積された電荷によってオンし、外部から電
流路の一端に供給される第3または第4の信号を出力信
号として電流路の他端から出力する第3のトランジスタ
と、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの電流路の他端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第1
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする分圧
素子とを備えることを特徴とする電子装置。
14. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. Each stage of the driver is turned on by a first or second signal externally supplied to a control terminal, and supplied to one end of a current path from one of the adjacent stages. A first transistor that outputs a signal of a predetermined level to the other end of the current path; and a charge stored in a capacitor between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor that emits a signal supplied to one end of the current path from the other end of the current path, and a charge stored in a capacitor between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. And a third transistor that outputs a third or fourth signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load, and outputs a signal supplied from one end to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path; Is provided between the other end of the current path and the capacitor, and divides the voltage of the capacitor to form the first capacitor.
And a voltage dividing element that is applied to both ends of the current path of the transistor.
【請求項15】複数の段からなり、出力信号をシフトさ
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前の段から電流路の
一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出
力する第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を当該段の出力信号として電流路の他端から出力する
第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出
力信号として電流路の他端から出力する第4のトランジ
スタと、 隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの電流路の他端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第1
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする分圧
素子とを備えることを特徴とする電子装置。
15. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. Each stage of the driver is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to a control terminal from one of adjacent stages, and supplied to one end of a current path from a previous stage. A first transistor that outputs the signal of the predetermined level to the other end of the current path, and is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal. And
A second transistor that emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage, and when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load, and outputs a constant voltage signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage; It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor, and a fifth transistor provided between the other end of the current path of the first transistor and the capacitor, and dividing the voltage of the capacitor, First
And a voltage dividing element that is applied to both ends of the current path of the transistor.
【請求項16】複数の段からなり、出力信号をシフトさ
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 隣接する一方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前の段から電流路の
一端に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出
力する第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御端子の電流路の他端と制
御端子との間の容量に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を当該段の出力信号として電流路の他端から出力する
第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される定電圧の信号を当該段の出
力信号として電流路の他端から出力する第4のトランジ
スタと、 隣接する他方の段から所定レベルの出力信号が制御端子
に供給されることによってオンし、前記第1のトランジ
スタの電流路の他端と前記第2、第3のトランジスタの
制御端子との間に形成された容量に蓄積された電荷を排
出させる第5のトランジスタと、 前記第5のトランジスタの電流路の一端と前記容量との
間に設けられ、前記容量の電圧を分圧させて、前記第5
のトランジスタの電流路の両端にかかるようにする分圧
素子とを備えることを特徴とする電子装置。
16. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver Each stage of the driver is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to a control terminal from one of adjacent stages, and supplied to one end of a current path from a previous stage. A first transistor that outputs the signal of the predetermined level to the other end of the current path, and is turned on by the electric charge accumulated in the capacitor between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal. And
A second transistor that emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, and a capacitance between the other end of the current path of the control terminal of the first transistor and the control terminal Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage, and when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load, and outputs a constant voltage signal externally supplied to one end of the current path from the other end of the current path as an output signal of the stage; It is turned on when an output signal of a predetermined level is supplied to the control terminal from the other adjacent stage, and is turned on between the other end of the current path of the first transistor and the control terminals of the second and third transistors. A fifth transistor for discharging the charge accumulated in the formed capacitor; and a fifth transistor provided between one end of a current path of the fifth transistor and the capacitor, and dividing the voltage of the capacitor to form the fifth transistor. 5
And a voltage dividing element that is applied to both ends of the current path of the transistor.
【請求項17】前記駆動素子は、撮像素子であることを
特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載の
電子装置。
17. The electronic device according to claim 14, wherein the drive element is an image pickup element.
【請求項18】前記撮像素子は、励起光によりキャリア
を生成する半導体層と、前記半導体層の両端にそれぞれ
接続されたドレイン電極及びソース電極と、第1ゲート
絶縁膜を介して前記半導体層の一方側に設けられた第1
ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の他方側に設けられた第2ゲート電極とを、画素毎に備
え、 前記ドライバは、出力信号を第1のゲート電極に出力す
る第1のドライバと、出力信号を第2のゲート電極に出
力する第2のドライバとを含むことを特徴とする請求項
17に記載の電子装置。
18. An imaging device comprising: a semiconductor layer that generates carriers by excitation light; a drain electrode and a source electrode connected to both ends of the semiconductor layer; and a first gate insulating film. The first provided on one side
A gate electrode, and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer via a second gate insulating film for each pixel, wherein the driver outputs an output signal to the first gate electrode. The electronic device according to claim 17, further comprising: one driver; and a second driver that outputs an output signal to a second gate electrode.
【請求項19】前記駆動素子は、表示素子であることを
特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載の
電子装置。
19. The electronic device according to claim 14, wherein the driving element is a display element.
【請求項20】前記表示素子は、制御端子に前記ドライ
バの各段のいずれかの出力信号が供給され、電流路の一
端に外部から画像データが供給される第6のトランジス
タを、画素毎に備えることを特徴とする請求項19に記
載の電子装置。
20. A display device comprising: a sixth transistor to which a control terminal is supplied with an output signal of any one of the stages of the driver, and one end of a current path to which image data is supplied from outside, for each pixel. 20. The electronic device according to claim 19, comprising:
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