JP2003032096A - Electronic device - Google Patents

Electronic device

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JP2003032096A
JP2003032096A JP2001211082A JP2001211082A JP2003032096A JP 2003032096 A JP2003032096 A JP 2003032096A JP 2001211082 A JP2001211082 A JP 2001211082A JP 2001211082 A JP2001211082 A JP 2001211082A JP 2003032096 A JP2003032096 A JP 2003032096A
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JP
Japan
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signal
stage
output
level
output signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001211082A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinobu Sumi
忍 角
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shift an output signal outputted from each stage of a driver and improve balance of electric charges by the output signal. SOLUTION: When a high level output signal out (1) from a stage RS (1) is given to a TFT 21 of a stage RS (2), TFTs 23, 24 of the stage RS (2) are turned on. In this case, when a high level clock signal ϕ2 is given to the electronic device, the high level output signal out (2) is outputted to a stage RS (3). The high level output signal is sequentially outputted from each stage in this way. After a final stage RS (n) outputs a high level output signal out (n), when a set signal SET reaches an on-level, all the stages RS (1) to RS (2) output the high level output signal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、出力信号を前段か
ら後段へ或いは後段から前段へとシフトして、各段から
出力信号を順次出力するシフトレジスタを備えた電子装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device provided with a shift register that shifts an output signal from a front stage to a rear stage or from a rear stage to a front stage and sequentially outputs the output signal from each stage.

【0002】[0002]

【従来の技術】マトリクス状に画素が配置された撮像素
子や表示素子を駆動するドライバとして、前段から後段
にハイレベルの出力信号を次々シフトすることによって
各段から撮像素子や表示素子に対して線順次で信号を出
力するドライバが広く用いられている。
2. Description of the Related Art As a driver for driving an image pickup device or a display device in which pixels are arranged in a matrix, by shifting a high-level output signal from the preceding stage to the succeeding stage one after another, A driver that outputs signals line-sequentially is widely used.

【0003】このようなドライバの各段は、図10に示
すような構成をしているものがある。k番目の段(各
段)は、前段からの出力信号out(k−1)がゲート
電極及びドレイン電極に入力される電界効果トランジス
タ(以下、FETと述べる。)101と、FET101
のソース電極にゲート電極が接続され、ドレイン電極に
クロック信号が入力され、ソース電極が当該段の出力と
なるFET102と、ゲート電極及びドレイン電極に電
源電圧Vdd(ハイレベル、例えば+25〔V〕)が接
続されるFET106と、FET106のソース電極に
ゲート電極が接続され、ソース電極が基準電圧Vss
(ローレベル、例えば−15〔V〕)に接続され、ドレ
イン電極が当該段の出力となるFET105と、FET
101のソース電極にゲート電極が接続され、FET1
06のソース電極及びFET105のゲート電極にドレ
イン電極が接続されるFET104と、FET101の
ソース電極及びFET102,104のゲート電極にド
レイン電極が接続され、基準電圧Vssにソース電極が
接続され、後段からの出力信号out(k+1)がゲー
ト電極に入力されるFET103とを備える。
Some of the stages of such a driver have a structure as shown in FIG. The kth stage (each stage) is a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 101 to which the output signal out (k−1) from the previous stage is input to the gate electrode and the drain electrode, and the FET 101.
The gate electrode is connected to the source electrode of, the clock signal is input to the drain electrode, the source electrode serves as the output of the stage, and the power supply voltage Vdd (high level, for example, +25 [V]) is applied to the gate electrode and the drain electrode. And the gate electrode is connected to the source electrode of the FET 106 and the source electrode is connected to the reference voltage Vss.
FET 105 which is connected to (low level, for example, −15 [V]) and whose drain electrode is the output of the stage,
The gate electrode is connected to the source electrode of 101, and FET1
The drain electrode is connected to the source electrode of the FET 06 and the gate electrode of the FET 105, the drain electrode is connected to the source electrode of the FET 101 and the gate electrodes of the FETs 102 and 104, and the source electrode is connected to the reference voltage Vss. The output signal out (k + 1) is input to the gate electrode of the FET 103.

【0004】そして、ハイレベルの出力信号out(k
−1)が入力されると、配線容量107に電荷が蓄積さ
れて、FET104及びFET102がオン状態にな
る。FET104がオン状態になることによって、配線
容量108の電荷が排出されて、FET105がオフ状
態となる。FET104がオン状態となり、FET10
5がオフ状態となっているため、当該段の出力信号ou
t(k)はクロック信号となる。ここで、クロック信号
がハイレベルになると、出力信号out(k)がハイレ
ベルになり、ハイレベルの出力信号out(k)が後段
のFET101に出力される。そして、別のクロック信
号がハイレベルになると当該段と同様に後段の出力信号
out(k+1)がハイレベルになり、FET103が
オン状態になり、配線容量107の電荷が排出される。
これにより、FET102,104がオフ状態となり、
FET105がオン状態となる。FET105がオン状
態になることによって、当該段の出力信号out(k)
のレベルは基準電圧Vssのレベル(ローレベル)とな
り、以後もローレベルを維持する。以上のようにして、
ドライバは、ハイレベルの出力信号をシフトすることに
よって、各段からハイレベルの出力信号を次々出力す
る。ここでローレベル電圧をVL、ハイレベル電圧をV
Hとし、所定のラインでローレベル電圧VLが出力して
いる期間をTL、ハイレベル電圧VHが出力している期
間をTHとすると、下記式(1)を満たせば、 (期間TL)×|(レベル電圧VL)|=(期間TH)×|(レベル電圧VH)|… …(1) ラインに印加された電圧は電気的正負に偏りが無くな
る。
Then, a high level output signal out (k
When -1) is input, electric charges are accumulated in the wiring capacitance 107, and the FET 104 and the FET 102 are turned on. When the FET 104 is turned on, the electric charge of the wiring capacitance 108 is discharged, and the FET 105 is turned off. FET104 is turned on and FET10
Since 5 is in the off state, the output signal ou of the relevant stage is
t (k) becomes a clock signal. Here, when the clock signal becomes high level, the output signal out (k) becomes high level, and the high level output signal out (k) is output to the FET 101 in the subsequent stage. Then, when another clock signal becomes high level, the output signal out (k + 1) of the latter stage becomes high level similarly to the stage concerned, the FET 103 is turned on, and the charge of the wiring capacitance 107 is discharged.
This turns off the FETs 102 and 104,
The FET 105 is turned on. When the FET 105 is turned on, the output signal out (k) of the relevant stage is output.
Becomes the level (low level) of the reference voltage Vss, and the low level is maintained thereafter. As described above,
The driver shifts the high-level output signal to sequentially output the high-level output signal from each stage. Here, the low level voltage is VL and the high level voltage is V
Supposing that H is H, the period during which the low level voltage VL is being output on a predetermined line is TL, and the period during which the high level voltage VH is being output is TH, then the following equation (1) is satisfied: (Level voltage VL) | = (Period TH) × | (Level voltage VH) | ... (1) The voltage applied to the line has no deviation in electrical positive / negative.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のドライバでは、選択的に所定の段のみハイレ
ベルの出力信号を出力するが、非選択の段では出力信号
はローレベルであり、段数の増大に伴いローレベルの出
力信号が出力される期間が長くなる傾向があり、結果と
して式(1)の左辺が右辺より大きくなる。この正負の
アンバランスのためにラインを一方の極とした寄生容量
に一方の極性の電荷が蓄積してしまい、信号波形のS/
N比が低くなる恐れがある。
However, such a conventional driver selectively outputs a high level output signal only at a predetermined stage, but the output signal is at a low level at a non-selected stage. The period during which the low-level output signal is output tends to be longer with an increase in the value of, and as a result, the left side of Expression (1) becomes larger than the right side. Due to this positive / negative imbalance, charges of one polarity are accumulated in the parasitic capacitance with the line as one pole, and the S /
The N ratio may be low.

【0006】そこで、本発明の課題は、ドライバの各段
から出力される出力信号がシフトするとともに、出力信
号による電荷のバランスを改善することである。
Therefore, an object of the present invention is to improve the balance of charges due to the output signals while the output signals output from the respective stages of the driver are shifted.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項1記載の発明に係る電子装置は、例えば図
1〜図6に示すように、複数の段(段RS(1)〜段R
S(n))がそれぞれ、制御端子に入力される第一制御
信号又は第二制御信号がオンレベルになることによって
オン状態になり、選択的に、オン状態の際に前段からの
オンレベルの出力信号が一端子に入力された場合にオン
レベルの出力信号を他端子に出力するか、或いはオン状
態の際に前段からオフレベルの出力信号が一端子に入力
された場合にオフレベルの出力信号を他端子に出力する
第一トランジスタ(TFT21)と、前記第一トランジ
スタからのオンレベルの出力信号に応じて第一クロック
信号又は第二クロック信号を当該段の出力信号として出
力する第二トランジスタ(TFT24)と、前記第二ト
ランジスタがオン状態である際にオフ状態であるととも
に、前記第二トランジスタがオフ状態である際にオン状
態である第三トランジスタ(TFT25)と、を有する
シフトレジスタを備えた電子装置であって、各段の前記
第二トランジスタは順シフト走査期間に所定の極性の第
一出力信号として前記第一クロック信号又は前記第二ク
ロック信号を順次出力し、前記第三トランジスタは、前
記順シフト走査期間に前記所定の極性と逆極性の第二出
力信号を出力し、電圧緩和期間に前記第一出力信号と同
極性の第三出力信号を出力することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, an electronic device according to a first aspect of the present invention has a plurality of stages (stage RS (1) as shown in FIGS. 1 to 6, for example. ~ Dan R
S (n)) is turned on when the first control signal or the second control signal input to the control terminal is turned on, and selectively turns on when the on level from the previous stage is turned on. Outputs an on-level output signal to another terminal when an output signal is input to one terminal, or outputs an off-level output when an off-level output signal is input to one terminal from the previous stage in the on state. A first transistor (TFT 21) that outputs a signal to another terminal, and a second transistor that outputs a first clock signal or a second clock signal as an output signal of the stage according to an on-level output signal from the first transistor (TFT 24) and a third transistor which is in an off state when the second transistor is in an on state and is in an on state when the second transistor is in an off state. An electronic device including a shift register having a transistor (TFT 25), wherein the second transistor of each stage is the first clock signal or the second clock signal as a first output signal of a predetermined polarity during a forward shift scanning period. Clock signals are sequentially output, the third transistor outputs a second output signal having a polarity opposite to the predetermined polarity in the forward shift scanning period, and a third output having the same polarity as the first output signal in a voltage relaxation period. It is characterized by outputting an output signal.

【0008】請求項1記載の発明によれば、順シフト走
査期間に第三トランジスタがオフレベルとなる第二出力
信号を出力するが、この第二出力信号が出力される期間
はオンレベルの第一出力信号と比べて長いために生じ
る、出力信号を供給された側の電気的極性の偏りを、電
圧緩和期間中に第一出力信号と同極性の第三出力信号を
出力することにより、緩和することができるので、この
偏りにより第二出力信号により保持された電荷の少なく
とも一部分がそのまま蓄積することなく消失するので、
誤作動を引き起こす恐れを抑制することができる。特に
電荷の偏りに特性が大きく影響される撮像素子を走査す
るような電子装置に好適である。請求項3記載の発明に
よれば、第四トランジスタを設けることにより、順シフ
トのみならず逆シフトが可能となり、例えば液晶表示装
置として本発明の電子装置を適用すれば、画像を所定の
方向から視認するために、画像が表示されている液晶パ
ネルを上下に物理的に回動する際に、自動的にシフトレ
ジスタが順シフトから逆シフトに変換できるようにスイ
ッチングすれば、画像信号を加工することなく画像の上
下をもとのままに表示することができる。
According to the first aspect of the present invention, the third transistor outputs the second output signal which becomes the off level during the forward shift scanning period, and the third transistor which is at the on level during the period when the second output signal is output. The deviation of the electrical polarity on the side to which the output signal is supplied, which occurs because it is longer than the one output signal, is mitigated by outputting the third output signal of the same polarity as the first output signal during the voltage relaxation period. This bias allows at least a portion of the charge retained by the second output signal to disappear without accumulating,
It is possible to suppress the risk of causing a malfunction. In particular, it is suitable for an electronic device that scans an image sensor, the characteristics of which are greatly affected by the bias of charges. According to the invention described in claim 3, by providing the fourth transistor, not only the forward shift but also the reverse shift is possible. For example, when the electronic device of the present invention is applied as a liquid crystal display device, an image is displayed from a predetermined direction. In order to visually recognize, when the liquid crystal panel displaying the image is physically rotated up and down, the shift register automatically switches so as to convert from the forward shift to the reverse shift, thereby processing the image signal. It is possible to display the top and bottom of the image as it is without any change.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る電子装置及
びドライバ駆動方法について、図面を用いて具体的な態
様を説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定する
ものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments of an electronic device and a driver driving method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples.

【0010】図1に示すように、本発明に係る電子装置
が適用された撮像装置1は、基本構成として、光学的に
センシングすることによって画像を撮像(取得)するた
めの撮像素子2と、撮像装置1全体を制御するための信
号を出力するコントローラ3と、コントローラ3が出力
する制御信号群に従って撮像素子2を駆動するためのト
ップゲートドライバ4、ボトムゲートドライバ5及びド
レインドライバ6とを備える。トップゲートドライバ
4、ボトムゲートドライバ5及びドレインゲートドライ
バ6はそれぞれ、コントローラ3とデータ入出力可能に
接続されている。
As shown in FIG. 1, an image pickup device 1 to which the electronic device according to the present invention is applied has, as a basic configuration, an image pickup element 2 for picking up (acquiring) an image by optically sensing, A controller 3 for outputting a signal for controlling the entire image pickup apparatus 1 and a top gate driver 4, a bottom gate driver 5, and a drain driver 6 for driving the image pickup element 2 in accordance with a control signal group output by the controller 3 are provided. . The top gate driver 4, the bottom gate driver 5, and the drain gate driver 6 are connected to the controller 3 so that data can be input / output.

【0011】撮像素子2は、透明基板上にマトリックス
状に配置された複数のダブルゲートトランジスタ7,
7,…を基本構成としている。図2及び図3に示すよう
に、各ダブルゲートトランジスタ7は、ボトムゲート電
極8と、ボトムゲート絶縁膜9と、半導体層10と、ブ
ロック絶縁膜11a,11bと、不純物層12a,12
b,13と、ソース電極14a,14bと、ドレイン電
極15と、トップゲート絶縁膜16と、トップゲート電
極17と、保護絶縁膜18とを備える。
The image pickup device 2 comprises a plurality of double gate transistors 7 arranged in a matrix on a transparent substrate.
The basic configuration is 7, ... As shown in FIGS. 2 and 3, each double-gate transistor 7 includes a bottom gate electrode 8, a bottom gate insulating film 9, a semiconductor layer 10, block insulating films 11 a and 11 b, and impurity layers 12 a and 12.
b, 13, source electrodes 14a, 14b, a drain electrode 15, a top gate insulating film 16, a top gate electrode 17, and a protective insulating film 18.

【0012】ボトムゲート電極8は、透明基板19上に
形成されている。透明基板19は、可視光に対して透過
性を有するとともに絶縁性を有する。ボトムゲート電極
8及び透明基板19を被覆するようにして、ボトムゲー
ト絶縁膜9がボトムゲート電極8及び透明基板19上に
設けられている。ボトムゲート電極8に対向するように
して、半導体層10がボトムゲート絶縁膜9上に設けら
れている。この半導体層10はアモルファスシリコン等
からなり、この半導体層10に対して可視光が入射され
ると、半導体層10には電子−正孔が発生するようにな
っている。
The bottom gate electrode 8 is formed on the transparent substrate 19. The transparent substrate 19 is transparent to visible light and has an insulating property. A bottom gate insulating film 9 is provided on the bottom gate electrode 8 and the transparent substrate 19 so as to cover the bottom gate electrode 8 and the transparent substrate 19. A semiconductor layer 10 is provided on the bottom gate insulating film 9 so as to face the bottom gate electrode 8. The semiconductor layer 10 is made of amorphous silicon or the like, and when visible light enters the semiconductor layer 10, electrons-holes are generated in the semiconductor layer 10.

【0013】半導体層10には、ブロック絶縁膜11
a,11bが、互いに離れて並列に配設されている。不
純物層12aは半導体層10のチャネル長方向の一端部
に設けられており、他端部に不純物層12bが設けられ
ている。ブロック絶縁膜11aとブロック絶縁膜11b
との間において、不純物層13が半導体層10の中央上
に設けられており、この不純物層13は不純物層12
a,12bから離れている。そして、不純物層12a,
12b,13及びブロック絶縁膜11a,11bによっ
て、半導体層10は覆われるようになっている。平面視
して、不純物層12aの一部はブロック絶縁膜11a上
の一部に重なっており、不純物層12bはブロック絶縁
膜11b上の一部に重なっている。また、不純物層12
a,12b,13は、n型の不純物イオンがドープされ
たアモルファスシリコンからなる。
A block insulating film 11 is formed on the semiconductor layer 10.
a and 11b are arranged in parallel so as to be separated from each other. The impurity layer 12a is provided at one end of the semiconductor layer 10 in the channel length direction, and the impurity layer 12b is provided at the other end. Block insulating film 11a and block insulating film 11b
And the impurity layer 13 is provided on the center of the semiconductor layer 10.
It is separated from a and 12b. Then, the impurity layers 12a,
The semiconductor layer 10 is adapted to be covered with 12b, 13 and the block insulating films 11a, 11b. In plan view, a part of the impurity layer 12a overlaps a part of the block insulating film 11a, and a part of the impurity layer 12b overlaps a part of the block insulating film 11b. In addition, the impurity layer 12
a, 12b, and 13 are made of amorphous silicon doped with n-type impurity ions.

【0014】不純物層12a上にソース電極14aが設
けられており、不純物層12b上にソース電極14bが
設けられており、不純物層13上にドレイン電極15が
設けられている。平面視して、ソース電極14aはブロ
ック絶縁膜11a上の一部に重なっており、ソース電極
14bはブロック絶縁膜11b上の一部に重なってお
り、ドレイン電極15はブロック絶縁膜11a,11b
上の一部に重なっている。また、ソース電極14a,1
4b、ドレイン電極15は互いに離れている。トップゲ
ート絶縁膜16は、ボトムゲート絶縁膜9、ブロック絶
縁膜11a,11b、ソース電極14a,14b及びド
レイン電極15を覆うように形成されている。トップゲ
ート絶縁膜16上には、半導体層10に対向配置された
トップゲート電極17が設けられている。トップゲート
絶縁膜16及びトップゲート電極17上には、保護絶縁
膜18が設けられている。
A source electrode 14a is provided on the impurity layer 12a, a source electrode 14b is provided on the impurity layer 12b, and a drain electrode 15 is provided on the impurity layer 13. In plan view, the source electrode 14a overlaps a part of the block insulating film 11a, the source electrode 14b overlaps a part of the block insulating film 11b, and the drain electrode 15 of the block insulating films 11a and 11b.
It overlaps the upper part. Also, the source electrodes 14a, 1
4b and the drain electrode 15 are separated from each other. The top gate insulating film 16 is formed so as to cover the bottom gate insulating film 9, the block insulating films 11a and 11b, the source electrodes 14a and 14b, and the drain electrode 15. A top gate electrode 17 is provided on the top gate insulating film 16 so as to face the semiconductor layer 10. A protective insulating film 18 is provided on the top gate insulating film 16 and the top gate electrode 17.

【0015】以上の各ダブルゲートトランジスタ7は、
次のような第一及び第二のダブルフォトセンサが透明基
板19上に並列に配置されてなる構成となっている。即
ち、第一のダブルフォトセンサは、半導体層10、ソー
ス電極14a、ドレイン電極15、トップゲート絶縁膜
16及びトップゲート電極17で構成される上部MOS
トランジスタと、半導体層10、ソース電極14a、ド
レイン電極15、ボトムゲート絶縁膜9及びボトムゲー
ト電極8で構成される下部MOSトランジスタとを備え
ており、上部MOSトランジスタと下部MOSトランジ
スタは半導体層10を共通のチャネル領域としている。
一方、第二のダブルフォトセンサは、半導体層10、ソ
ース電極14b、ドレイン電極15、トップゲート絶縁
膜16及びトップゲート電極17で構成される上部MO
Sトランジスタと、半導体層10、ソース電極14b、
ドレイン電極15、ボトムゲート絶縁膜9、ボトムゲー
ト電極8で構成される下部MOSトランジスタとを備え
ており、上部MOSトランジスタと下部MOSトランジ
スタは半導体層10を共通のチャネル領域としている。
Each of the above double gate transistors 7 is
The following first and second double photo sensors are arranged in parallel on the transparent substrate 19. That is, the first double photo sensor is an upper MOS composed of the semiconductor layer 10, the source electrode 14 a, the drain electrode 15, the top gate insulating film 16 and the top gate electrode 17.
The semiconductor device includes a transistor and a lower MOS transistor including the semiconductor layer 10, the source electrode 14a, the drain electrode 15, the bottom gate insulating film 9, and the bottom gate electrode 8. The upper MOS transistor and the lower MOS transistor include the semiconductor layer 10. It is a common channel area.
On the other hand, the second double photo sensor is an upper MO composed of the semiconductor layer 10, the source electrode 14b, the drain electrode 15, the top gate insulating film 16 and the top gate electrode 17.
S transistor, semiconductor layer 10, source electrode 14b,
The lower MOS transistor includes the drain electrode 15, the bottom gate insulating film 9, and the bottom gate electrode 8, and the upper MOS transistor and the lower MOS transistor use the semiconductor layer 10 as a common channel region.

【0016】そして、図1や図2に示すように、トップ
ゲート電極17はトップゲートライン(以下、TGLと
いう)に接続され、ボトムゲート電極8はボトムゲート
ライン(以下、BGLという)に接続され、ドレイン電
極15はドレインライン(以下、DLという)に接続さ
れ、ソース電極14a,14bは接地されたグラウンド
ライン(以下、GLという)に接続されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the top gate electrode 17 is connected to the top gate line (hereinafter referred to as TGL), and the bottom gate electrode 8 is connected to the bottom gate line (hereinafter referred to as BGL). The drain electrode 15 is connected to a drain line (hereinafter referred to as DL), and the source electrodes 14a and 14b are connected to a ground line (hereinafter referred to as GL) which is grounded.

【0017】また、ブロック絶縁膜11a,11b、ト
ップゲート絶縁膜16及び保護絶縁膜18は、窒化シリ
コン等の透光性及び絶縁性を有するものである。また、
トップゲート電極17及びTGLは、ITO(Indium-T
in-Oxide)等の透光性及び導電性を有するものである。
一方、ソース電極14a,14b、ドレイン電極15、
ボトムゲート電極8及びBGLは、クロム、クロム合
金、アルミ、アルミ合金等から選択されたものであり、
可視光の透過を遮断するとともに導電性を有するもので
ある。
The block insulating films 11a and 11b, the top gate insulating film 16 and the protective insulating film 18 are made of silicon nitride or the like and have a light transmitting property and an insulating property. Also,
The top gate electrode 17 and TGL are made of ITO (Indium-T
In-Oxide) and the like having a light-transmitting property and conductivity.
On the other hand, the source electrodes 14a and 14b, the drain electrode 15,
The bottom gate electrode 8 and BGL are selected from chromium, chromium alloy, aluminum, aluminum alloy, etc.,
It blocks the transmission of visible light and has conductivity.

【0018】ここで、図1に示すように、トップゲート
ドライバ4は、撮像素子2の各TGLに接続されてい
る。そして、トップゲートドライバ4は、駆動信号(出
力信号)を各TGLに順次選択的に出力し、コントロー
ラ3から出力される制御信号群Tcntに応じて、適宜
各TGLにリセット電圧(+25〔V〕)又はキャリア
蓄積電圧(−15〔V〕)を駆動信号として印加するも
のである。
Here, as shown in FIG. 1, the top gate driver 4 is connected to each TGL of the image pickup device 2. Then, the top gate driver 4 sequentially and selectively outputs a drive signal (output signal) to each TGL, and appropriately outputs a reset voltage (+25 [V]) to each TGL in accordance with the control signal group Tcnt output from the controller 3. ) Or carrier accumulation voltage (-15 [V]) is applied as a drive signal.

【0019】ボトムゲートドライバ5は、撮像素子2の
各BGLに接続されている。そして、ボトムゲートドラ
イバ5は、駆動信号(出力信号)を各BGLに順次選択
的に出力し、コントローラ3から出力される制御信号群
Bcntに応じて、適宜各BGLに適宜チャネル形成用
電圧(+10〔V〕)又はチャネル非形成用電圧(±0
〔V〕)を駆動信号として印加するものである。
The bottom gate driver 5 is connected to each BGL of the image pickup device 2. Then, the bottom gate driver 5 sequentially and selectively outputs a drive signal (output signal) to each BGL, and appropriately outputs a channel forming voltage (+10) to each BGL according to the control signal group Bcnt output from the controller 3. [V]) or channel non-forming voltage (± 0
[V]) is applied as a drive signal.

【0020】ドレインドライバ6は、撮像素子2の各D
Lに接続されている。そして、ドレインドライバ6は、
所定期間において、コントローラ3から出力される制御
信号群Dcntに応じて全てのDLに基準電圧(+10
〔V〕)を印加することで、電荷をプリチャージさせ
る。そして、ドレインドライバ6は、プリチャージ後の
所定期間において、各ダブルゲートトランジスタ7に対
して入射された光量に応じて変化する各DLの電位又は
各ダブルゲートトランジスタ7のソース−ドレイン間を
流れるドレイン電流を検知し、データ信号(画像デー
タ)DATAとしてコントローラ3に出力するものであ
る。
The drain driver 6 is provided for each D of the image pickup device 2.
It is connected to L. Then, the drain driver 6
In the predetermined period, the reference voltage (+10) is applied to all DLs according to the control signal group Dcnt output from the controller 3.
[V]) is applied to precharge the charges. Then, the drain driver 6 is configured such that, in a predetermined period after precharge, the drain of each DL changing according to the amount of light incident on each double gate transistor 7 or the drain flowing between the source and drain of each double gate transistor 7. The current is detected and output to the controller 3 as a data signal (image data) DATA.

【0021】次に、トップゲートドライバ4及びボトム
ゲートドライバ5の詳細について説明する。図4は、ト
ップゲートドライバ4及びボトムゲートドライバ5が示
されているブロック図である。撮像素子2に配設された
ダブルゲートトランジスタ7の行数(TGLの数)をn
(但し、nは偶数である。)とすると、トップゲートド
ライバ4及びボトムゲートドライバ5は、n個の段RS
(1)〜RS(n)から構成される。
Next, details of the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 will be described. FIG. 4 is a block diagram showing the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5. The number of rows (the number of TGLs) of the double gate transistors 7 arranged in the image pickup device 2 is n.
(However, n is an even number.) Then, the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 have n stages RS.
(1) to RS (n).

【0022】段RS(k)は、第一入力信号端子IN
1、第二入力信号端子IN2、出力信号端子OUT、基
準電圧印加端子SS、定電圧印加端子DD、クロック信
号入力端子clk、第一制御信号端子Φ1、第二制御信
号端子Φ2及びセット信号入力端子STを有している。
ここで、kは、1〜nの整数であり、段RS(1)は一
段目であり、段RS(2)は二段目であり、…、段RS
(n)はn段目である。
The stage RS (k) has a first input signal terminal IN.
1, second input signal terminal IN2, output signal terminal OUT, reference voltage application terminal SS, constant voltage application terminal DD, clock signal input terminal clk, first control signal terminal Φ1, second control signal terminal Φ2, and set signal input terminal Have ST.
Here, k is an integer of 1 to n, stage RS (1) is the first stage, stage RS (2) is the second stage, ..., Stage RS
(N) is the nth stage.

【0023】段RS(k)の出力信号端子OUTは、当
該段RS(k)の出力信号out(k)が出力される端
子である。図4に示されるブロック図がトップゲートド
ライバ4である場合、段RS(k)の出力信号端子OU
Tは、対応したTGL(k行目のTGL)に接続され、
出力信号out(k)が、対応したTGLに出力され
る。一方、図4に示されるブロック図がボトムゲートド
ライバ5である場合、段RS(k)の出力信号端子OU
Tは、対応したBGL(k行目のBGL)に接続され、
出力信号out(k)が、対応したBGLに出力され
る。
The output signal terminal OUT of the stage RS (k) is a terminal to which the output signal out (k) of the stage RS (k) is output. When the block diagram shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the output signal terminal OU of the stage RS (k)
T is connected to the corresponding TGL (kGL row TGL),
The output signal out (k) is output to the corresponding TGL. On the other hand, when the block diagram shown in FIG. 4 is the bottom gate driver 5, the output signal terminal OU of the stage RS (k)
T is connected to the corresponding BGL (k-th row BGL),
The output signal out (k) is output to the corresponding BGL.

【0024】また、一番目の段RS(1)の第一入力信
号端子IN1は、コントローラ3により出力される第一
スタート信号Dinが入力される端子である。図4に示
されるブロック図がトップゲートドライバ4である場
合、スタート信号Dinのハイレベル(nチャネルトラ
ンジスタにおけるオン電圧レベル)は+25〔V〕であ
り、スタート信号Dinのローレベル(nチャネルトラ
ンジスタにおけるオフ電圧レベル)は−15〔V〕であ
る。一方、図4に示されるブロック図がボトムゲートド
ライバ5である場合、スタート信号Dinのハイレベル
は+10〔V〕であり、スタート信号Dinのローレベ
ルは±0〔V〕である。また、一番目の段RS(1)を
除く段RS(k)の第一入力信号端子IN1は、前の段
RS(k−1)の出力信号端子OUTに接続されてお
り、前の段RS(k−1)の出力信号out(k−1)
が入力信号として入力される端子である。
The first input signal terminal IN1 of the first stage RS (1) is a terminal to which the first start signal Din output by the controller 3 is input. When the block diagram shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the high level of the start signal Din (ON voltage level in the n-channel transistor) is +25 [V], and the low level of the start signal Din (in the n-channel transistor). The off-voltage level) is −15 [V]. On the other hand, when the block diagram shown in FIG. 4 shows the bottom gate driver 5, the high level of the start signal Din is +10 [V] and the low level of the start signal Din is ± 0 [V]. The first input signal terminal IN1 of the stage RS (k) other than the first stage RS (1) is connected to the output signal terminal OUT of the previous stage RS (k-1), and Output signal out (k-1) of (k-1)
Is a terminal input as an input signal.

【0025】最終段RS(n)以外の段RS(k)の第
二入力信号端子IN2は、後ろの段RS(k+1)の出
力信号端子OUTに接続されており、後ろの段RS(k
+1)の出力信号out(k+1)が入力信号として入
力される端子である。最終段RS(n)の第二入力信号
端子IN2は、コントローラ3からの第二スタート信号
Rinが入力される端子である。図4に示されるブロッ
ク図がトップゲートドライバ4である場合、第二スター
ト信号Rinのハイレベルは+25〔V〕であり、第二
スタート信号Rinのローレベルは−15〔V〕であ
る。一方、図4に示されるブロック図がボトムゲートド
ライバ5である場合、第二スタート信号Rinのハイレ
ベルは+10〔V〕であり、第二スタート信号Rinの
ローレベルは±0〔V〕である。
The second input signal terminal IN2 of the stage RS (k) other than the final stage RS (n) is connected to the output signal terminal OUT of the rear stage RS (k + 1), and the rear stage RS (k).
The output signal out (k + 1) of (+1) is a terminal to be input as an input signal. The second input signal terminal IN2 of the final stage RS (n) is a terminal to which the second start signal Rin from the controller 3 is input. When the block diagram shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the high level of the second start signal Rin is +25 [V] and the low level of the second start signal Rin is -15 [V]. On the other hand, when the block diagram shown in FIG. 4 shows the bottom gate driver 5, the high level of the second start signal Rin is +10 [V] and the low level of the second start signal Rin is ± 0 [V]. .

【0026】段RS(k)の基準電圧印加端子SSは、
コントローラ3から基準電圧Vssが印加される端子で
ある。図4に示されるブロック図がトップゲートドライ
バ4である場合、基準電圧Vssのレベルは−15
〔V〕である。一方、図4に示されるブロック図がボト
ムゲートドライバ5である場合、基準電圧Vssのレベ
ルは±0〔V〕である。段RS(k)の定電圧印加端子
DDは、コントローラ3から定電圧Vddが印加される
端子である。図4に示されるブロック図がトップゲート
ドライバ4である場合、定電圧Vddのレベルは+25
〔V〕である。一方、図4に示すシフトレジスタがボト
ムゲートドライバ5である場合、定電圧Vddのレベル
は+10〔V〕である。
The reference voltage application terminal SS of the stage RS (k) is
This is a terminal to which the reference voltage Vss is applied from the controller 3. When the block diagram shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the level of the reference voltage Vss is −15.
[V]. On the other hand, when the block diagram shown in FIG. 4 shows the bottom gate driver 5, the level of the reference voltage Vss is ± 0 [V]. The constant voltage application terminal DD of the stage RS (k) is a terminal to which the constant voltage Vdd is applied from the controller 3. When the block diagram shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the level of the constant voltage Vdd is +25.
[V]. On the other hand, when the shift register shown in FIG. 4 is the bottom gate driver 5, the level of the constant voltage Vdd is +10 [V].

【0027】奇数番目(kが奇数である)の段RS
(k)のクロック信号入力端子clkは、コントローラ
3によって出力されるクロック信号(第一クロック信
号)CK1が入力される端子である。また、偶数番目
(kが偶数である)の段RS(k)のクロック信号入力
端子clkは、コントローラ3により出力されるクロッ
ク信号(第二クロック信号)CK2が入力される端子で
ある。
Odd (where k is odd) stage RS
The clock signal input terminal clk of (k) is a terminal to which the clock signal (first clock signal) CK1 output by the controller 3 is input. The clock signal input terminal clk of the even-numbered stage RS (k) (k is an even number) is a terminal to which the clock signal (second clock signal) CK2 output from the controller 3 is input.

【0028】図4に示すシフトレジスタがトップゲート
ドライバ4である場合、クロック信号CK1,CK2の
ハイレベルが+25〔V〕であり、ローレベルが−15
〔V〕である。一方、図4に示すシフトレジスタがボト
ムゲートドライバ5である場合は、クロック信号CK
1,CK2のハイレベルが+10〔V〕、ローレベルが
±0〔V〕である。
When the shift register shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the high level of the clock signals CK1 and CK2 is +25 [V] and the low level is -15.
[V]. On the other hand, when the shift register shown in FIG. 4 is the bottom gate driver 5, the clock signal CK
The high level of 1 and CK2 is +10 [V] and the low level is ± 0 [V].

【0029】奇数番目の段RS(k)の第一制御信号端
子Φ1は、コントローラ3により出力される制御信号φ
1が入力される端子である。偶数番目の段RS(k)の
第二制御信号端子は、コントローラ3により出力される
制御信号φ2が入力される端子である。
The first control signal terminal Φ1 of the odd-numbered stage RS (k) has a control signal φ output from the controller 3.
This is a terminal to which 1 is input. The second control signal terminal of the even-numbered stage RS (k) is a terminal to which the control signal φ2 output by the controller 3 is input.

【0030】奇数番目の段RS(k)の第二制御信号端
子Φ2は、コントローラ3により出力される制御信号φ
3が入力される端子である。偶数番目の段RS(k)の
第二制御信号端子Φ2は、コントローラ3により出力さ
れる制御信号φ3が入力される端子である。図4に示す
シフトレジスタがトップゲートドライバ4である場合、
制御信号φ1,φ2,φ3,φ4のハイレベルが+25
〔V〕であり、ローレベルが−15〔V〕である。一
方、図4に示すシフトレジスタがボトムゲートドライバ
5である場合、制御信号φ1,φ2,φ3,φ4のハイ
レベルが+10〔V〕であり、ローレベルが±0〔V〕
である。
The second control signal terminal Φ2 of the odd-numbered stage RS (k) has a control signal φ output from the controller 3.
3 is an input terminal. The second control signal terminal Φ2 of the even-numbered stage RS (k) is a terminal to which the control signal φ3 output by the controller 3 is input. When the shift register shown in FIG. 4 is the top gate driver 4,
High level of control signals φ1, φ2, φ3, φ4 is +25
[V], and the low level is -15 [V]. On the other hand, when the shift register shown in FIG. 4 is the bottom gate driver 5, the high level of the control signals φ1, φ2, φ3, φ4 is +10 [V] and the low level is ± 0 [V].
Is.

【0031】段RS(k)のセット信号入力端子ST
は、コントローラ3により出力されるセット信号SET
が入力される端子である。図4に示すシフトレジスタが
トップゲートドライバ4である場合、セット信号SET
のハイレベルが+25〔V〕であり、ローレベルが−1
5〔V〕である。一方、図4に示すシフトレジスタがボ
トムゲートドライバ5である場合、セット信号SETの
ハイレベルが+10〔V〕であり、ローレベルが±0
〔V〕である。
Set signal input terminal ST of the stage RS (k)
Is a set signal SET output by the controller 3.
Is a terminal to which is input. When the shift register shown in FIG. 4 is the top gate driver 4, the set signal SET
Has a high level of +25 [V] and a low level of -1.
It is 5 [V]. On the other hand, when the shift register shown in FIG. 4 is the bottom gate driver 5, the high level of the set signal SET is +10 [V] and the low level is ± 0.
[V].

【0032】クロック信号CK1,CK2、スタート信
号Din、第二スタート信号Rin、定電圧Vddレベ
ルの信号、基準電圧Vssレベルの信号、制御信号φ
1,φ2,φ3,φ4及びセット信号SETが、制御信
号群Tcnt或いは制御信号群Bcntに含まれてい
る。即ち、図1に示されるコントローラ3は、クロック
信号CK1,CK2、スタート信号Din、第二スター
ト信号Rin、定電圧Vddレベルの信号、基準電圧V
ssレベルの信号、制御信号φ1,φ2,φ3,φ4及
びセット信号SETを制御するものである。
Clock signals CK1 and CK2, start signal Din, second start signal Rin, constant voltage Vdd level signal, reference voltage Vss level signal, control signal φ
1, φ2, φ3, φ4 and the set signal SET are included in the control signal group Tcnt or the control signal group Bcnt. That is, the controller 3 shown in FIG. 1 has clock signals CK1 and CK2, a start signal Din, a second start signal Rin, a constant voltage Vdd level signal, and a reference voltage V.
The ss level signal, the control signals φ1, φ2, φ3, φ4 and the set signal SET are controlled.

【0033】詳細には図7及び図8に示すように、出力
信号がシフトしていくタイムスロット(図7や図8に示
す周期t)のうちの所定期間、コントローラ3は、クロ
ック信号CK1,CK2をタイムスロット毎に交互にハ
イレベルにするようになっている。また、出力信号がシ
フトしていくタイムスロットのうちの所定期間、コント
ローラ3は、制御信号φ1,φ2をタイムスロット毎に
交互にハイレベルにするようになっている。また、出力
信号がシフトしていくタイムスロットのうちの所定期
間、コントローラ3は、制御信号φ3,φ4をタイムス
ロット毎に交互にハイレベルにするようになっている。
また、コントローラ3は、クロック信号CK1をハイレ
ベルにしている際に制御信号φ2をハイレベルにすると
ともに、クロック信号CK2をハイレベルにしている際
に制御信号φ1をハイレベルにするようになっている。
また、コントローラ3は、クロック信号CK1をハイレ
ベルにしている際に制御信号φ4をハイレベルにすると
ともに、クロック信号CK2をハイレベルにしている際
に制御信号φ3をハイレベルにするようになっている。
ここで、コントローラ3は、制御信号φ1,φ2,φ
3,φ4がハイレベルなっている期間をクロック信号C
K1,CK2がハイレベルになっている期間より短くす
るようになっている。
More specifically, as shown in FIGS. 7 and 8, the controller 3 controls the clock signal CK1, during a predetermined period of time slots (cycle t shown in FIGS. 7 and 8) in which the output signal shifts. CK2 is alternately set to a high level for each time slot. Further, the controller 3 alternately sets the control signals φ1 and φ2 to the high level for each time slot during a predetermined period of the time slot in which the output signal shifts. The controller 3 alternately sets the control signals φ3 and φ4 to the high level for each time slot during a predetermined period of the time slot in which the output signal shifts.
Further, the controller 3 sets the control signal φ2 to the high level when the clock signal CK1 is set to the high level, and sets the control signal φ1 to the high level when the clock signal CK2 is set to the high level. There is.
Further, the controller 3 sets the control signal φ4 to the high level when the clock signal CK1 is set to the high level, and sets the control signal φ3 to the high level when the clock signal CK2 is set to the high level. There is.
Here, the controller 3 controls the control signals φ1, φ2, φ
Clock signal C during the period when 3 and φ4 are high level
It is designed to be shorter than the period when K1 and CK2 are at high level.

【0034】更に、コントローラ3は、クロック信号C
K1,CK2及びセット信号SETをローレベルに維持
したり、ハイレベルに維持したりするようにもなってい
る。また、コントローラ3は、制御信号φ1,φ2,φ
3,φ4、スタート信号Din及び第二スタート信号R
inをローレベルに維持するようになっている。
Further, the controller 3 has a clock signal C
The K1 and CK2 and the set signal SET are also maintained at a low level or a high level. Further, the controller 3 controls the control signals φ1, φ2, φ
3, φ4, start signal Din and second start signal R
It is designed to keep in at a low level.

【0035】次に、段RS(k)の構成を説明する。図
5及び図6に示すように、段RS(k)は、六つの薄膜
トランジスタ(以下、TFTと述べる。)21〜26を
備えている。TFT21〜26は、いずれもnチャネル
MOS型の電界効果トランジスタであり、ゲート絶縁膜
に窒化シリコンが用いられ、半導体層にアモルファスシ
リコンが用いられている。具体的には、図3に示すダブ
ルゲートトランジスタ7の断面構造を参照して説明する
と、TFT21〜26は、トップゲート電極17及び保
護絶縁膜18が積層されていない(トップゲート絶縁膜
16が最上層に配置された)トランジスタである。
Next, the structure of the stage RS (k) will be described. As shown in FIGS. 5 and 6, the stage RS (k) includes six thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs) 21 to 26. Each of the TFTs 21 to 26 is an n-channel MOS type field effect transistor, silicon nitride is used for the gate insulating film, and amorphous silicon is used for the semiconductor layer. Specifically, referring to the cross-sectional structure of the double gate transistor 7 shown in FIG. 3, in the TFTs 21 to 26, the top gate electrode 17 and the protective insulating film 18 are not laminated (the top gate insulating film 16 is the uppermost layer). (Disposed on the upper layer).

【0036】図5及び図6に示すように、TFT21の
ゲート電極は第一制御信号端子Φ1に接続されており、
ドレイン電極は第一入力信号端子IN1に接続されてい
る。TFT21のソース電極は、TFT22のソース電
極、TFT23のゲート電極及びTFT24のゲート電
極に接続されている。TFT24のゲート電極、TFT
23のゲート電極、TFT22のソース電極及びTFT
21のソース電極に接続される配線には、任意の位置に
ノードAを配し、ノードAの配線を一方の極とする寄生
容量が形成される。
As shown in FIGS. 5 and 6, the gate electrode of the TFT 21 is connected to the first control signal terminal Φ1,
The drain electrode is connected to the first input signal terminal IN1. The source electrode of the TFT 21 is connected to the source electrode of the TFT 22, the gate electrode of the TFT 23, and the gate electrode of the TFT 24. TFT24 gate electrode, TFT
23 gate electrode, TFT 22 source electrode and TFT
In the wiring connected to the source electrode of 21, a node A is arranged at an arbitrary position, and a parasitic capacitance having the wiring of the node A as one pole is formed.

【0037】TFT24のドレイン電極はクロック信号
入力端子clkに接続されており、TFT24のソース
電極は出力信号端子OUT及びTFT25のドレイン電
極に接続されている。TFT23のドレイン電極は、T
FT26のソース電極及びTFT25のゲート電極に接
続されており、TFT23のソース電極は、基準電圧印
加端子SSに接続されている。そして、TFT23のド
レイン電極、TFT25のゲート電極及びTFT26の
ソース電極に接続される配線には、任意の位置にノード
Aを配し、ノードBの配線を一方の極とする寄生容量が
形成される。
The drain electrode of the TFT 24 is connected to the clock signal input terminal clk, and the source electrode of the TFT 24 is connected to the output signal terminal OUT and the drain electrode of the TFT 25. The drain electrode of the TFT 23 is T
It is connected to the source electrode of FT26 and the gate electrode of TFT25, and the source electrode of TFT23 is connected to the reference voltage application terminal SS. Then, in the wiring connected to the drain electrode of the TFT 23, the gate electrode of the TFT 25, and the source electrode of the TFT 26, a parasitic capacitance is formed in which the node A is arranged at an arbitrary position and the wiring of the node B is one pole. .

【0038】TFT25のドレイン電極は出力信号端子
OUTに接続されており、TFT25のソース電極はセ
ット信号入力端子STに接続されている。TFT26の
ドレイン電極及びゲート電極は、定電圧印加端子DDに
接続されている。TFT22のゲート電極は第二制御信
号端子Φ2に接続されており、ドレイン電極は第二入力
信号端子IN2に接続されている。
The drain electrode of the TFT 25 is connected to the output signal terminal OUT, and the source electrode of the TFT 25 is connected to the set signal input terminal ST. The drain electrode and the gate electrode of the TFT 26 are connected to the constant voltage applying terminal DD. The gate electrode of the TFT 22 is connected to the second control signal terminal Φ2, and the drain electrode is connected to the second input signal terminal IN2.

【0039】そして、TFT21のゲート電極には、コ
ントローラ3からの制御信号φ1又はφ2が入力されて
いる。また、TFT21のドレイン電極には、前段RS
(k−1)からの出力信号out(k−1)が入力信号
として入力されているか(kが2〜n)の場合、或いは
コントローラ3からのスタート信号Dinが入力信号と
して入力されている(kが1の場合)。制御信号φ1又
はφ2がハイレベルの場合、TFT21がオン状態であ
り、ドレイン電極とソース電極との間に電流が流れるよ
うになる。そして、TFT21がオン状態の際に、ハイ
レベルの入力信号がTFT21のドレイン電極に入力さ
れた場合、電流がドレイン電極からソース電極へ流れ、
ハイレベルの出力信号がソース電極に出力される。この
際に、TFT22がオフ状態である場合には、TFT2
1のソース電極から出力されたハイレベルの入力信号に
より、ノードAの電位が上昇するようになっている。一
方、TFT21がオン状態の際に、ローレベルの入力信
号がTFT21のドレイン電極に入力された場合、電流
がソース電極からドレイン電極に流れるようになる。こ
の際、前段RS(k−1)のTFT25がオン状態であ
り、かつセット信号SETがローレベルである場合に、
ノードAの電位がローレベルになっている。
The control signal φ1 or φ2 from the controller 3 is input to the gate electrode of the TFT 21. In addition, the drain electrode of the TFT 21 is
When the output signal out (k-1) from (k-1) is input as an input signal (k is 2 to n), or the start signal Din from the controller 3 is input as an input signal ( If k is 1). When the control signal φ1 or φ2 is at the high level, the TFT 21 is in the ON state, and the current flows between the drain electrode and the source electrode. When a high-level input signal is input to the drain electrode of the TFT 21 when the TFT 21 is in the ON state, a current flows from the drain electrode to the source electrode,
A high level output signal is output to the source electrode. At this time, if the TFT 22 is in the off state, the TFT 2
The high-level input signal output from the source electrode of No. 1 causes the potential of the node A to rise. On the other hand, when a low-level input signal is input to the drain electrode of the TFT 21 when the TFT 21 is in the on state, a current flows from the source electrode to the drain electrode. At this time, when the TFT 25 of the preceding stage RS (k-1) is in the ON state and the set signal SET is at the low level,
The potential of the node A is low level.

【0040】TFT22のゲート電極には、コントロー
ラ3からの制御信号φ3又はφ4が入力されている。ま
た、TFT22のドレイン電極には、後段RS(k+
1)からの出力信号out(k+1)が入力信号として
入力されているか(kが1〜n−1)の場合、或いはコ
ントローラ3からの第二スタート信号Rinが入力信号
として入力されている(kがnの場合)。制御信号φ3
又はφ4がハイレベルの場合、TFT22がオン状態で
あり、ドレイン電極とソース電極との間に電流が流れる
ようになる。そして、TFT22がオン状態の際に、ハ
イレベルの入力信号がTFT22のドレイン電極に入力
された場合、電流がドレイン電極からソース電極へ流
れ、ハイレベルの出力信号がソース電極から出力され
る。この際に、TFT21がオフ状態である場合には、
TFT22のソース電極から出力されたハイレベルの入
力信号により、ノードAの配線の電位を上昇させるよう
になっている。一方、TFT22がオン状態の際に、ロ
ーレベルの入力信号がTFT22のドレイン電極に入力
された場合、電流がソース電極からドレイン電極に流れ
るようになる。この際、後段RS(k+1)のTFT2
5がオン状態であり、かつセット信号SETがローレベ
ルである場合に、ノードAの配線を一方の極とする寄生
容量に蓄積された電荷が排出されるようになっている。
The control signal φ3 or φ4 from the controller 3 is input to the gate electrode of the TFT 22. Further, the drain electrode of the TFT 22 has a rear stage RS (k +
If the output signal out (k + 1) from 1) is input as an input signal (k is 1 to n-1), or the second start signal Rin from the controller 3 is input as an input signal (k). Is n). Control signal φ3
Alternatively, when φ4 is at the high level, the TFT 22 is in the ON state, and the current flows between the drain electrode and the source electrode. When a high-level input signal is input to the drain electrode of the TFT 22 when the TFT 22 is on, a current flows from the drain electrode to the source electrode, and a high-level output signal is output from the source electrode. At this time, if the TFT 21 is in the off state,
A high-level input signal output from the source electrode of the TFT 22 raises the potential of the wiring of the node A. On the other hand, when a low level input signal is input to the drain electrode of the TFT 22 while the TFT 22 is in the on state, a current flows from the source electrode to the drain electrode. At this time, the TFT2 of the latter stage RS (k + 1)
When 5 is in the ON state and the set signal SET is at the low level, the charges accumulated in the parasitic capacitance having the wiring of the node A as one pole are discharged.

【0041】TFT26のゲート電極及びドレイン電極
には、定電圧Vddが印加されている。これにより、T
FT26はダイオード接合となっており、ソース電極が
ローレベルであるとTFT26のドレイン電極〜ソース
電極に電流が流れ、TFT26はほぼ定電圧Vddレベ
ルの信号をソース電極に出力するようになっている。T
FT26は、定電圧Vddを分圧する負荷としての機能
を有する。
A constant voltage Vdd is applied to the gate electrode and the drain electrode of the TFT 26. This gives T
The FT 26 has a diode junction, and when the source electrode is at a low level, a current flows through the drain electrode to the source electrode of the TFT 26, and the TFT 26 outputs a signal of a substantially constant voltage Vdd level to the source electrode. T
The FT 26 has a function as a load that divides the constant voltage Vdd.

【0042】TFT23は、ノードAの電位がローレベ
ルのときにオフ状態となり、TFT26のソース電極か
ら出力された定電圧Vddレベルの信号によってノード
Bの電位をハイレベルするようになっている。一方、T
FT23はノードAの電位がハイレベルのときにオン状
態となり、TFT23のドレイン電極〜ソース電極に電
流が流れることにより、TFT23はノードBの電位が
ローレベルになるようになっている。TFT25は、ノ
ードBの電位がローレベルのときにオフ状態となり、ノ
ードBの電位はハイレベルのときにオン状態となる。T
FT24は、ノードAの電位がハイレベルのときにオン
状態となり、ノードAの電位がローレベルのときにオフ
状態となるようになっている。従って、TFT25がオ
フ状態のときにはTFT24はオン状態となり、TFT
25がオン状態のときにはTFT24はオフ状態となる
ようになっている。以上のように、TFT23は、ノー
ドAの電位に基づいて、TFT24をオン状態(即ち、
TFT25をオフ状態)にするか、それとも、TFT2
5をオン状態(即ち、TFT24をオフ状態にするかを
選択的に切り換えられるようになっている。
The TFT 23 is turned off when the potential of the node A is at the low level, and the potential of the node B is set to the high level by the signal of the constant voltage Vdd level output from the source electrode of the TFT 26. On the other hand, T
The FT 23 is turned on when the potential of the node A is at a high level, and a current flows from the drain electrode to the source electrode of the TFT 23, so that the potential of the node B of the TFT 23 becomes low level. The TFT 25 is turned off when the potential of the node B is low level, and is turned on when the potential of the node B is high level. T
The FT 24 is turned on when the potential of the node A is high level, and is turned off when the potential of the node A is low level. Therefore, when the TFT 25 is in the off state, the TFT 24 is in the on state,
The TFT 24 is turned off when 25 is turned on. As described above, the TFT 23 turns on the TFT 24 based on the potential of the node A (that is,
Either turn off the TFT25) or use the TFT2
5 is turned on (that is, the TFT 24 is turned off).

【0043】TFT25のソース電極には、セット信号
SETが入力されている。オン状態のTFT25は、セ
ット信号SETをドレイン電極から出力信号端子OUT
へ出力し、セット信号SETを当該段RS(k)の出力
信号out(k)として出力するようになっている。即
ち、オン状態のTFT25は、ソース電極にハイレベル
のセット信号SETが入力された場合、ハイレベルのセ
ット信号SETを当該段RS(k)の出力信号として出
力するようになっている。一方、オン状態のTFT25
は、ソース電極にローレベルのセット信号SETが入力
された場合、ローレベルのセット信号SETを当該段R
S(k)の出力信号として出力するようになっている。
オフ状態のTFT25は、ソース電極に入力されたセッ
ト信号SETの出力を遮断して、TFT24のソース電
極から出力された信号のレベルを当該段RS(k)の出
力信号out(k)として出力するようになっている。
The set signal SET is input to the source electrode of the TFT 25. The TFT 25 in the ON state outputs the set signal SET from the drain electrode to the output signal terminal OUT.
The set signal SET is output as the output signal out (k) of the stage RS (k). That is, the TFT 25 in the ON state outputs the high-level set signal SET as the output signal of the stage RS (k) when the high-level set signal SET is input to the source electrode. On the other hand, the TFT 25 in the on state
When the low level set signal SET is input to the source electrode, the low level set signal SET is input to the stage R
It is adapted to be output as an output signal of S (k).
The TFT 25 in the off state cuts off the output of the set signal SET input to the source electrode and outputs the level of the signal output from the source electrode of the TFT 24 as the output signal out (k) of the stage RS (k). It is like this.

【0044】TFT24のドレイン電極には、奇数段、
偶数段に応じてクロック信号CK1又はCK2が入力さ
れている。オフ状態であるTFT24は、ドレイン電極
に入力されたクロック信号CK1又はCK2の出力を遮
断すして、TFT25のドレイン電極から出力された信
号のレベルを当該段RS(k)の出力信号out(k)
として出力するようになっている。
The drain electrode of the TFT 24 has an odd number of stages,
The clock signal CK1 or CK2 is input according to the even-numbered stages. The TFT 24 in the off state cuts off the output of the clock signal CK1 or CK2 input to the drain electrode and sets the level of the signal output from the drain electrode of the TFT 25 to the output signal out (k) of the stage RS (k).
Is output as.

【0045】TFT24がオン状態である場合に、ロー
レベルのクロック信号CK1又はCK2がTFT24の
ドレイン電極に入力されると、TFT24はローレベル
のクロック信号CK1又はCK2をソース電極に出力す
るようになっている。ここで、TFT24がオン状態で
ある場合には、TFT25がオフ状態であるから、ロー
レベルのクロック信号CK1又はCK2が当該段RS
(k)の出力信号out(k)として出力される。
When the low level clock signal CK1 or CK2 is input to the drain electrode of the TFT 24 while the TFT 24 is in the ON state, the TFT 24 outputs the low level clock signal CK1 or CK2 to the source electrode. ing. Here, when the TFT 24 is in the ON state, the TFT 25 is in the OFF state, so that the low-level clock signal CK1 or CK2 is the stage RS
It is output as the output signal out (k) of (k).

【0046】一方、TFT24がオン状態である場合
に、ハイレベルのクロック信号CK1又はCK2がTF
T24のドレイン電極に入力されると、ソース−ドレイ
ン間に電流が流れることによりゲート電極及びソース電
極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からなる寄生容量に
電荷が蓄積される。このとき、TFT21及びTFT2
2はオフ状態なので、ブートストラップ効果によってノ
ードAの電位がさらに上昇してTFT24のゲート飽和
電圧にまで達するとTFT24のソース−ドレイン電流
が飽和するようになっている。これにより、オン状態の
TFT24は、ハイレベルのクロック信号CK1又はC
K2とほぼ同電位となる信号をソース電極に出力するよ
うになっている。ここで、TFT24がオン状態である
場合には、TFT25がオフ状態であるから、ハイレベ
ルのクロック信号CK1又はCK2が当該段RS(k)
の出力信号out(k)として出力される。
On the other hand, when the TFT 24 is on, the high level clock signal CK1 or CK2 is TF.
When input to the drain electrode of T24, an electric current flows between the source and the drain, whereby charges are accumulated in the parasitic capacitance formed of the gate electrode, the source electrode, and the gate insulating film between them. At this time, the TFT 21 and the TFT 2
Since 2 is in the off state, the source-drain current of the TFT 24 is saturated when the potential of the node A further rises to the gate saturation voltage of the TFT 24 due to the bootstrap effect. As a result, the TFT 24 in the ON state has the high-level clock signal CK1 or C
A signal having substantially the same potential as K2 is output to the source electrode. Here, when the TFT 24 is in the ON state, the TFT 25 is in the OFF state, so that the high-level clock signal CK1 or CK2 is applied to the stage RS (k).
Is output as the output signal out (k).

【0047】即ち、TFT23、TFT24及びTFT
25から構成されるトランジスタ群(以下、出力信号切
換手段と称する。)は、ノードAの電位に基づいて、当
該段RS(k)の出力信号out(k)としてクロック
信号CK1若しくはクロック信号CK2を出力するか、
それとも、当該段RS(k)の出力信号out(k)と
してセット信号を出力するかを選択的に切り換えるよう
になっている。言い換えれば、出力信号切換手段は、ノ
ードAの電位がハイレベルの場合に第一クロック信号C
K1又は第二クロック信号CK2を当該段RS(k)の
出力信号out(k)として出力するとともに、ノード
Aの電位がローレベルの場合にセット信号SETを当該
段RS(k)の出力信号として出力するものである。
That is, the TFT 23, the TFT 24 and the TFT
Based on the potential of the node A, the transistor group composed of 25 (hereinafter, referred to as output signal switching means) receives the clock signal CK1 or the clock signal CK2 as the output signal out (k) of the stage RS (k). Output
Alternatively, whether to output the set signal as the output signal out (k) of the stage RS (k) is selectively switched. In other words, the output signal switching means outputs the first clock signal C when the potential of the node A is high level.
K1 or the second clock signal CK2 is output as the output signal out (k) of the stage RS (k), and the set signal SET is used as the output signal of the stage RS (k) when the potential of the node A is low level. It is what is output.

【0048】以下、本実施形態の撮像装置1の動作につ
いて説明する。最初に、トップゲートドライバ4及びボ
トムゲートドライバ5の動作について図7を参照して説
明する。なお、トップゲートドライバ4とボトムゲート
ドライバ5とは、それぞれ入出力される信号のレベルと
タイミングとが異なるだけであるので、以下の説明にお
いて、ボトムゲートドライバ5の動作の説明は、トップ
ゲートドライバ4と異なる部分のみに止めることとす
る。
The operation of the image pickup apparatus 1 of this embodiment will be described below. First, the operation of the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 will be described with reference to FIG. Note that the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 are different only in the level and timing of the input / output signals. Therefore, in the following description, the operation of the bottom gate driver 5 will be explained Only the part different from 4 will be stopped.

【0049】図7は、トップゲートドライバ4及びボト
ムゲートドライバ5から出力されるハイレベルの出力信
号が段RS(1)から段RS(n)へと順次シフトして
いく場合(以下、この場合を順シフトと述べる。)のタ
イミングチャートである。この場合、コントローラ3
は、常にローレベルの第二スタート信号Rin及び制御
信号φ3,φ4を出力する。タイミングT0において
は、制御信号φ1,φ2及びセット信号SETはローレ
ベルである。
FIG. 7 shows a case where the high-level output signals output from the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 are sequentially shifted from the stage RS (1) to the stage RS (n) (hereinafter, in this case Is referred to as a forward shift.) Is a timing chart. In this case, controller 3
Always outputs the low level second start signal Rin and the control signals φ3 and φ4. At timing T0, the control signals φ1 and φ2 and the set signal SET are low level.

【0050】そして、タイミングT0でコントローラ3
がスタート信号Dinをハイレベルにし、クロック信号
CK1をローレベルにし、クロック信号CK2をハイレ
ベルにする。その後、コントローラ3が制御信号φ1を
ハイレベルにすると、段RS(1)のTFT21がオン
状態になり、ハイレベルのスタート信号Dinがドレイ
ン電極からソース電極に出力される。これにより、ノー
ドAの電位が上昇し、段RS(1)のTFT23,24
がオン状態になる。TFT23がオン状態になることに
よって、段RS(1)のTFT26のソース電極から出
力される定電圧Vddレベルの信号がTFT23を介し
排出されて、段RS(1)のTFT25がオフ状態とな
る。TFT24がオン状態であり、TFT25がオフ状
態であるため、クロック信号CK1が段RS(1)の出
力信号out(1)として出力され、出力信号out
(1)のレベルはローレベルである。
Then, at timing T0, the controller 3
Sets the start signal Din to high level, the clock signal CK1 to low level, and the clock signal CK2 to high level. After that, when the controller 3 sets the control signal φ1 to the high level, the TFT 21 of the stage RS (1) is turned on, and the high-level start signal Din is output from the drain electrode to the source electrode. As a result, the potential of the node A rises, and the TFTs 23, 24 of the stage RS (1)
Turns on. When the TFT 23 is turned on, the constant voltage Vdd level signal output from the source electrode of the TFT 26 of the stage RS (1) is discharged through the TFT 23, and the TFT 25 of the stage RS (1) is turned off. Since the TFT 24 is in the ON state and the TFT 25 is in the OFF state, the clock signal CK1 is output as the output signal out (1) of the stage RS (1), and the output signal out
The level of (1) is a low level.

【0051】その後、コントローラ3は、制御信号φ1
をローレベルにした後に、スタート信号Din及びクロ
ック信号CK2をローレベルにする。制御信号φ1がロ
ーレベルになることによってTFT21がオフ状態とな
り、オフ状態のTFT21は、TFT21のドレイン電
極に入力されるスタート信号Dinを遮断する。またこ
の際に、ノードAの配線電位は保持されており、TFT
23,24はオン状態を維持し、TFT25はオフ状態
を維持し、出力信号out(1)はローレベルに維持さ
れる。
After that, the controller 3 controls the control signal φ1.
After setting to low level, the start signal Din and the clock signal CK2 are set to low level. When the control signal φ1 becomes low level, the TFT 21 is turned off, and the TFT 21 in the off state cuts off the start signal Din input to the drain electrode of the TFT 21. At this time, the wiring potential of the node A is held, and the TFT
23 and 24 maintain the ON state, the TFT 25 maintains the OFF state, and the output signal out (1) is maintained at the low level.

【0052】次いで、タイミングT1において、コント
ローラ3はクロック信号CK1をハイレベルにする。す
ると、TFT24のゲート電極及びソース電極並びにそ
れらの間のゲート絶縁膜からなる寄生容量がチャージア
ップされて、ブートストラップ効果によってノードAの
電位が更に上昇する。そして、ノードAの電位がゲート
飽和電圧に達すると、TFT24のドレイン電極とソー
ス電極との間に流れる電流が飽和する。これにより、段
RS(1)の出力信号端子OUTから出力される出力信
号out(1)は、クロック信号CK1のレベルとほぼ
同電位の+25〔V〕となり、ハイレベルになる。
Next, at timing T1, the controller 3 sets the clock signal CK1 to high level. Then, the parasitic capacitance formed by the gate electrode and the source electrode of the TFT 24 and the gate insulating film between them is charged up, and the potential of the node A further rises due to the bootstrap effect. Then, when the potential of the node A reaches the gate saturation voltage, the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 is saturated. As a result, the output signal out (1) output from the output signal terminal OUT of the stage RS (1) becomes +25 [V] having substantially the same potential as the level of the clock signal CK1, and becomes a high level.

【0053】その後、コントローラ3は、制御信号φ2
をハイレベルにする。すると、段RS(2)のTFT2
1がオン状態になり、ハイレベルの出力信号out
(1)が段RS(2)のTFT21のドレイン極からソ
ース電極へ出力され、段RS(2)のノードAの電位が
上昇する。これにより、段RS(2)のTFT23,2
4はオン状態になり、段RS(2)のTFT25はオフ
状態となる。従って、クロック信号CK2が段RS
(2)の出力信号として出力され、出力信号out
(2)のレベルはローレベルである。
After that, the controller 3 controls the control signal φ2.
To high level. Then, the TFT2 of the stage RS (2)
1 is turned on and the high level output signal out
(1) is output from the drain electrode of the TFT 21 of the stage RS (2) to the source electrode, and the potential of the node A of the stage RS (2) rises. Thereby, the TFTs 23, 2 of the stage RS (2) are
4 is turned on, and the TFT 25 of the stage RS (2) is turned off. Therefore, the clock signal CK2 is
Output as the output signal of (2) and output signal out
The level of (2) is a low level.

【0054】次いで、コントローラ3が制御信号φ2を
ローレベルにし、段RS(2)のTFT21がオフ状態
となる。これにより、段RS(2)のTFT21は、ド
レイン電極に入力された出力信号out(1)を遮断す
る。またこの際に、段RS(2)のノードAの電位が保
持されている。
Next, the controller 3 sets the control signal φ2 to the low level, and the TFT 21 of the stage RS (2) is turned off. As a result, the TFT 21 of the stage RS (2) blocks the output signal out (1) input to the drain electrode. At this time, the potential of the node A of the stage RS (2) is held.

【0055】その後、コントローラ3は、クロック信号
CK1をローレベルにする。すると、段RS(1)の出
力信号端子OUTから出力される出力信号out(1)
がローレベルになる。次いで、タイミングT2におい
て、コントローラ3は、クロック信号CK2をハイレベ
ルにする。すると、ブートストラップ効果によって段R
S(2)のノードAの電位が更に上昇し、段RS(2)
のノードAの電位がTFT24のゲート飽和電圧に達す
ると、段RS(2)のTFT24のドレイン電極とソー
ス電極との間に流れる電流が飽和する。これにより、段
RS(2)の出力信号端子OUTから出力される出力信
号out(2)は、クロック信号CK2のレベルとほぼ
同電位の+25〔V〕となり、ハイレベルとなる。
After that, the controller 3 sets the clock signal CK1 to the low level. Then, the output signal out (1) output from the output signal terminal OUT of the stage RS (1)
Becomes low level. Next, at timing T2, the controller 3 sets the clock signal CK2 to high level. Then, due to the bootstrap effect, the step R
The potential of the node A of S (2) further rises, and the stage RS (2)
When the potential of the node A of the node reaches the gate saturation voltage of the TFT 24, the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 of the stage RS (2) is saturated. As a result, the output signal out (2) output from the output signal terminal OUT of the stage RS (2) becomes +25 [V], which is substantially the same potential as the level of the clock signal CK2, and becomes high level.

【0056】次いで、コントローラ3が制御信号φ1を
ハイレベルにすると、段RS(1)のTFT21及び段
RS(3)のTFT21がオン状態になる。この際、段
RS(1)においては、スタート信号Dinがローレベ
ルであり、段RS(1)のTFT21がオン状態である
ため、段RS(1)のTFT21のソース電極からドレ
イン電極へと電流が流れ、段RS(1)のノードAの電
位が下がりローレベルになる。これにより、段RS
(1)のTFT23,24がオフ状態となり、段RS
(1)のノードBの電位がハイレベルになり、段RS
(1)のTFT25がオン状態になる。段RS(1)の
TFT24がオフ状態になることによって、段RS
(1)のTFT24のドレイン電極に入力されたクロッ
ク信号CK1の出力を遮断する。また、段RS(1)の
TFT25がオン状態になることによって、段RS
(1)の出力信号out(1)は、段RS(1)のTF
T25に入力されたセット信号SETとなり、出力信号
out(1)のレベルはセット信号SETのレベルとほ
ぼ同レベルのローレベルである。その後も、セット信号
SETが段RS(1)の出力信号out(1)として出
力され、出力信号out(1)はローレベルに維持され
る。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ1 to the high level, the TFT 21 of the stage RS (1) and the TFT 21 of the stage RS (3) are turned on. At this time, in the stage RS (1), since the start signal Din is at a low level and the TFT 21 of the stage RS (1) is in the ON state, a current flows from the source electrode to the drain electrode of the TFT 21 of the stage RS (1). Flows, the potential of the node A of the stage RS (1) falls and becomes a low level. By this, the step RS
The TFTs 23 and 24 of (1) are turned off, and the stage RS
The potential of the node B of (1) becomes high level, and the stage RS
The TFT 25 of (1) is turned on. By turning off the TFT 24 of the stage RS (1), the stage RS
The output of the clock signal CK1 input to the drain electrode of the TFT 24 of (1) is cut off. In addition, when the TFT 25 of the stage RS (1) is turned on, the stage RS
The output signal out (1) of (1) is the TF of the stage RS (1).
The set signal SET is input to T25, and the level of the output signal out (1) is a low level that is substantially the same level as the level of the set signal SET. After that, the set signal SET is output as the output signal out (1) of the stage RS (1), and the output signal out (1) is maintained at the low level.

【0057】一方、段RS(3)においては、段RS
(3)のTFT21がオン状態になることによって、段
RS(3)のTFT21のドレイン電極に入力されたハ
イレベルの出力信号out(2)が、TFT21のソー
ス電極に出力され、段RS(3)のノードAの電位が上
昇する。従って、段RS(3)のTFT23,24がオ
ン状態になり、段RS(3)のTFT25がオフ状態に
なる。これにより、クロック信号CK1が段RS(3)
の出力信号out(3)として出力され、出力信号ou
t(3)のレベルはローレベルである。
On the other hand, in the stage RS (3), the stage RS
When the TFT 21 of (3) is turned on, the high-level output signal out (2) input to the drain electrode of the TFT 21 of the stage RS (3) is output to the source electrode of the TFT 21 and the stage RS (3). ), The potential of the node A rises. Therefore, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (3) are turned on, and the TFT 25 of the stage RS (3) is turned off. As a result, the clock signal CK1 changes to the stage RS (3).
Output signal out (3) of
The level of t (3) is low level.

【0058】次いで、コントローラ3が制御信号φ1を
ローレベルにすると、段RS(1)のTFT21及び段
RS(3)のTFT21がオフ状態になる。この際で
は、段RS(1)のノードAの電位はローレベルであ
り、段RS(3)のノードAの電位はハイレベルであ
る。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ1 to the low level, the TFT 21 of the stage RS (1) and the TFT 21 of the stage RS (3) are turned off. At this time, the potential of the node A of the stage RS (1) is low level and the potential of the node A of the stage RS (3) is high level.

【0059】次いで、コントローラ3は、クロック信号
CK2をローレベルにする。すると、段RS(2)の出
力信号out(2)がローレベルになる。次いで、タイ
ミングT3において、コントローラ3は、クロック信号
CK1をハイレベルにする。すると、ブートストラップ
効果によって段RS(3)のノードAの電位が更に上昇
し、段RS(3)のノードAの電位がゲート飽和電圧に
達すると、段RS(3)のTFT24のドレイン電極と
ソース電極との間に流れる電流が飽和する。これによ
り、段RS(3)の出力信号out(3)は、クロック
信号CK1のレベルとほぼ同電位の+25〔V〕とな
り、ハイレベルとなる。
Next, the controller 3 sets the clock signal CK2 to low level. Then, the output signal out (2) of the stage RS (2) becomes low level. Next, at timing T3, the controller 3 sets the clock signal CK1 to high level. Then, the potential of the node A of the stage RS (3) further rises due to the bootstrap effect, and when the potential of the node A of the stage RS (3) reaches the gate saturation voltage, the drain electrode of the TFT 24 of the stage RS (3) becomes The current flowing between the source electrode and the source electrode is saturated. As a result, the output signal out (3) of the stage RS (3) becomes +25 [V], which is substantially the same potential as the level of the clock signal CK1, and becomes high level.

【0060】次いで、コントローラ3が制御信号φ2を
ハイレベルにすると、段RS(2)のTFT21及び段
RS(4)のTFT21がオン状態になる。この際、段
RS(2)においては、セット信号SETがローレベル
であり、段RS(2)のTFT21及び段RS(1)の
TFT25がオン状態であるため、段RS(2)のTF
T21のソース電極からドレイン電極へと電流が流れ、
段RS(2)のノードAの電位が下がりローレベルにな
る。これにより、段RS(2)のTFT23,24がオ
フ状態となり、段RS(2)のTFT25がオン状態に
なる。段RS(2)のTFT24がオフ状態になること
によって、段RS(2)のTFT24のドレイン電極に
入力されたクロック信号CK2の出力を遮断する。ま
た、段RS(2)のTFT25がオン状態になることに
よって、段RS(2)の出力信号out(2)は、段R
S(2)のTFT25に入力されたセット信号SETで
あり、出力信号out(2)のレベルはセット信号SE
Tのレベルとほぼ同レベルのローレベルである。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ2 to the high level, the TFT 21 of the stage RS (2) and the TFT 21 of the stage RS (4) are turned on. At this time, in the stage RS (2), the set signal SET is at the low level, and the TFT 21 of the stage RS (2) and the TFT 25 of the stage RS (1) are in the ON state.
A current flows from the source electrode of T21 to the drain electrode,
The potential of the node A of the stage RS (2) falls and becomes low level. As a result, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (2) are turned off and the TFT 25 of the stage RS (2) is turned on. When the TFT 24 of the stage RS (2) is turned off, the output of the clock signal CK2 input to the drain electrode of the TFT 24 of the stage RS (2) is cut off. Further, since the TFT 25 of the stage RS (2) is turned on, the output signal out (2) of the stage RS (2) is changed to the stage R.
It is the set signal SET input to the TFT 25 of S (2), and the level of the output signal out (2) is the set signal SE.
The low level is almost the same as the T level.

【0061】以後、コントローラ3から出力されるクロ
ック信号CK1,CK2及び制御信号φ1,φ2が周期
的にハイレベル、ローレベルに変化することによって、
奇数番目の段RS(k)は段RS(1)と同様の動作を
行い、偶数番目の段RS(k)は段RS(2)と同様の
動作を行う。タイミングTn+1までの間で各段RS
(k)の出力信号out(k)が順次ハイレベルとな
る。なお、段RS(1)を除く奇数番目の段RS(k)
では、TFT21のドレイン電極に入力される信号はス
タート信号Dinではなく、前段RS(k−1)の出力
信号out(k−1)である。
Thereafter, the clock signals CK1 and CK2 and the control signals φ1 and φ2 output from the controller 3 are periodically changed to the high level and the low level,
The odd-numbered stage RS (k) operates similarly to the stage RS (1), and the even-numbered stage RS (k) operates similar to the stage RS (2). RS at each stage between timing Tn + 1
The output signal out (k) of (k) sequentially becomes high level. Note that odd-numbered stages RS (k) other than the stage RS (1)
Then, the signal input to the drain electrode of the TFT 21 is not the start signal Din but the output signal out (k-1) of the preceding stage RS (k-1).

【0062】そして、タイミングTn〜タイミングTn
+1までの間に、コントローラ3が制御信号φ1をハイ
レベルにすることによって、段RS(n−1)のTFT
21がオン状態になり、段RS(n−1)のTFT2
3,24がオフ状態となり、TFT25がオン状態とな
る。その後、タイミングTn+1〜タイミングTn+2
までの間に、コントローラ3が制御信号φ2をハイレベ
ルにすることによって、段RS(n)のTFT21がオ
ン状態になり、段RS(n)のTFT23,24がオフ
状態となり、段RS(n)TFT25がオン状態とな
る。ここで本発明に係る撮像装置1では、タイミングT
1〜タイミングTn+1の間を一走査期間(以下、順シ
フト走査期間と述べる。)とし、引き続きタイミングT
n+1〜タイミングTn+2までの期間を調整期間とし
ている。
Timing Tn-timing Tn
During the period of up to +1, the controller 3 sets the control signal φ1 to the high level, so that the TFT of the stage RS (n−1)
21 is turned on, and TFT2 of the stage RS (n-1)
3, 24 are turned off, and the TFT 25 is turned on. After that, timing Tn + 1 to timing Tn + 2
Until then, when the controller 3 sets the control signal φ2 to the high level, the TFT 21 of the stage RS (n) is turned on, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (n) are turned off, and the stage RS (n) is turned on. ) The TFT 25 is turned on. Here, in the imaging device 1 according to the present invention, the timing T
One scanning period (hereinafter, referred to as a forward shift scanning period) is set between 1 and the timing Tn + 1, and the timing T is continued.
The period from n + 1 to timing Tn + 2 is the adjustment period.

【0063】以上のように、本発明に係る撮像装置1で
は、順シフト走査期間(即ち、最終段RS(n)からオ
ンレベルの出力信号out(n)が出力されるまでの
間)、コントローラ3がセット信号SETをローレベル
にし、第一クロック信号CK1を所定周期でハイレベル
にし、第一クロック信号CK1と交互に第二クロックC
K2をハイレベルにしている。更に、順シフト走査期
間、コントローラ3が第二クロック信号CK1がハイレ
ベルになっている際に制御信号φ1をハイレベルにし、
第一クロック信号CK1がオンレベルになっている際に
制御信号φ2をハイレベルにしている。これにより、ト
ップゲートドライバ4は、各段RS(k)から順次ハイ
レベルの出力信号out(k)が出力されて、シフトし
ていく。
As described above, in the image pickup apparatus 1 according to the present invention, the controller is used during the forward shift scanning period (that is, from the final stage RS (n) until the on-level output signal out (n) is output). 3 sets the set signal SET to the low level, the first clock signal CK1 to the high level in a predetermined cycle, and the second clock C alternately with the first clock signal CK1.
K2 is at high level. Further, during the forward shift scanning period, the controller 3 sets the control signal φ1 to the high level while the second clock signal CK1 is at the high level,
The control signal φ2 is set to high level when the first clock signal CK1 is on level. As a result, the top gate driver 4 sequentially outputs the high-level output signal out (k) from each stage RS (k), and shifts.

【0064】そして、タイミングTn+2までの間に、
全ての段RS(1)〜段RS(n)のTFT25がオン
状態となる。そして、コントローラ3は、タイミングT
n+2から所定期間、制御信号φ1,φ2をローレベル
に維持する。これにより、全ての段RS(1)〜段RS
(n)のTFT21がオフ状態となり、前段RS(k−
1)から段RS(k)への出力信号out(k−1)の
入力、或いはコントローラ3から段RS(1)へのスタ
ート信号Dinの入力が遮断される。
Then, until the timing Tn + 2,
The TFTs 25 of all the stages RS (1) to RS (n) are turned on. Then, the controller 3 sets the timing T
The control signals φ1 and φ2 are maintained at the low level for a predetermined period from n + 2. As a result, all stages RS (1) to RS
The TFT 21 of (n) is turned off, and the preceding stage RS (k-
The input of the output signal out (k−1) from 1) to the stage RS (k) or the input of the start signal Din from the controller 3 to the stage RS (1) is blocked.

【0065】更に、タイミングTn+2において、コン
トローラ3はセット信号SETをハイレベルにし、所定
期間セット信号SETをハイレベルに維持するととも
に、所定期間クロック信号CK1,CK2をローレベル
に維持する。これにより、全ての段RS(1)〜段RS
(n)において、TFT25のゲート電極及びドレイン
電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からなる寄生容量
がチャージアップされて、ブートストラップ効果によっ
てノードBの電位が更に上昇する。そして、ノードBの
電位がゲート飽和電圧に達すると、TFT25のソース
電極とドレイン電極との間に流れる電流が飽和する。こ
れにより、全ての段RS(1)〜段RS(n)の出力信
号端子OUTから出力される出力信号out(1)〜出
力信号out(n)は、セット信号SETのレベルとほ
ぼ同電位の+25〔V〕となり、ハイレベルである。
Further, at the timing Tn + 2, the controller 3 sets the set signal SET to the high level, maintains the set signal SET at the high level for a predetermined period, and maintains the clock signals CK1 and CK2 at the low level for the predetermined period. As a result, all stages RS (1) to RS
In (n), the parasitic capacitance formed by the gate electrode and drain electrode of the TFT 25 and the gate insulating film between them is charged up, and the potential of the node B is further increased by the bootstrap effect. Then, when the potential of the node B reaches the gate saturation voltage, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the TFT 25 is saturated. Accordingly, the output signals out (1) to out (n) output from the output signal terminals OUT of all the stages RS (1) to RS (n) have substantially the same potential as the level of the set signal SET. It is +25 [V], which is a high level.

【0066】そして、所定期間経過後、コントローラ3
はセット信号SETをローレベルにするとともに、スタ
ート信号Din及びクロック信号CK2をハイレベルに
して、トップゲートドライバ4からのハイレベルの出力
信号が上述したように再び段RS(1)から段RS
(n)へ順次シフトする。ここで、本発明に係る電子装
置1では、タイミングTn+2〜タイミングT0までを
電圧緩和期間としている。
After a lapse of a predetermined period, the controller 3
Sets the set signal SET to the low level, sets the start signal Din and the clock signal CK2 to the high level, and causes the high-level output signal from the top gate driver 4 to return to the stages RS (1) to RS as described above.
Shift to (n) sequentially. Here, in the electronic device 1 according to the present invention, the timing relaxation period is from the timing Tn + 2 to the timing T0.

【0067】ところで、従来のシフトレジスタでは、タ
イミングT0〜タイミングTn+1の間、各段の出力信
号の比率(ハイレベル期間)/(ローレベル期間)は概
ね1/nになるようにTGLまたはBGLではローレベ
ル期間が相対的に長く、シフトレジスタが頻繁に動作し
ていると、特にTGL近傍では負電圧−15〔V〕によ
り経時的に近傍の絶縁膜に正孔が徐々に蓄積されてしま
っていた。ところが、本発明に係る撮像装置1では、電
圧緩和期間(即ち、最終段RS(n)からハイレベルの
出力信号out(n)が出力された後に)、コントロー
ラ3がセット信号SETをハイレベルにし、制御信号φ
1及び制御信号φ2をローレベルにしている。従って、
電圧緩和期間では、全ての段RS(1)〜段RS(n)
の出力信号端子OUTから出力される出力信号out
(1)〜出力信号out(n)は、ハイレベルである。
電圧緩和期間に全ての段の出力信号をハイレベルとする
ことにより、一走査期間中に印加された相対的に負の電
界による影響を緩和して正孔の蓄積を阻害することによ
り、S/N比を向上することができる。
By the way, in the conventional shift register, in the TGL or BGL, the ratio (high level period) / (low level period) of the output signal of each stage is approximately 1 / n during the timing T0 to the timing Tn + 1. When the low level period is relatively long and the shift register operates frequently, holes are gradually accumulated in a nearby insulating film due to a negative voltage of −15 [V] especially near TGL. It was However, in the image pickup apparatus 1 according to the present invention, the controller 3 sets the set signal SET to the high level during the voltage relaxation period (that is, after the final stage RS (n) outputs the high-level output signal out (n)). , Control signal φ
1 and the control signal φ2 are at low level. Therefore,
In the voltage relaxation period, all stages RS (1) to RS (n)
Output signal out from the output signal terminal OUT of
(1) to the output signal out (n) are at high level.
By setting the output signals of all the stages to the high level during the voltage relaxation period, the effect of the relatively negative electric field applied during one scanning period is mitigated to inhibit the accumulation of holes, and thus S / The N ratio can be improved.

【0068】なお、上記において、タイミングTn+2
から所定期間、コントローラ3がクロック信号CK1,
CK2をローレベルに維持していたが、タイミングTn
+2でコントローラ3がクロック信号CK1,CK2を
ハイレベルにして、所定期間クロック信号CK1,CK
2をハイレベルに維持しても良い。所定期間後、コント
ローラ3が、クロック信号CK1をローレベルにし、ク
ロック信号CK2をハイレベルにし、スタート信号Di
nをハイレベルにすることで、トップゲートドライバ4
からのハイレベルの出力信号が再びシフトする。また、
タイミングTn+2の後にクロック信号CK1,CK2
がハイレベルに維持されることにより、TFT24のド
レイン電極の電位と、ソース電極の電位とがほぼ同じに
なる。従って、TFT24のソース電極からドレイン電
極にリーク電流が流れなくなるから、セット信号SET
のレベルとほぼ同電位の+25〔V〕のレベルで出力信
号out(k)が出力される。即ち、タイミングTn+
2後の出力信号out(k)のレベルの低下が抑えられ
る。
In the above, the timing Tn + 2
For a predetermined period, the controller 3 outputs the clock signals CK1,
CK2 was kept at low level, but timing Tn
At +2, the controller 3 sets the clock signals CK1 and CK2 to high level, and the clock signals CK1 and CK for a predetermined period.
2 may be maintained at a high level. After a predetermined period, the controller 3 sets the clock signal CK1 to the low level, the clock signal CK2 to the high level, and the start signal Di.
By setting n to a high level, the top gate driver 4
The high level output signal from is shifted again. Also,
After timing Tn + 2, clock signals CK1 and CK2
Is maintained at a high level, the potential of the drain electrode of the TFT 24 and the potential of the source electrode become almost the same. Therefore, the leak current stops flowing from the source electrode to the drain electrode of the TFT 24, and the set signal SET is set.
The output signal out (k) is output at a level of +25 [V], which is almost the same potential as the level of the above. That is, the timing Tn +
The decrease in the level of the output signal out (k) after 2 is suppressed.

【0069】次に、ハイレベルの出力信号が段RS
(n)から段RS(1)へと順次シフトしていく場合
(以下、この場合を逆シフトと述べる。)について説明
する。この場合、図8に示すようにコントローラ3が常
にローレベルのスタート信号Din及び制御信号φ1,
φ2を出力するため、段RS(1)〜段RS(n)のT
FT21は常にオフ状態である。タイミングT0におい
ては、制御信号φ3,φ4及びセット信号SETはロー
レベルである。
Next, the high level output signal is output to the stage RS.
A case of sequentially shifting from (n) to the stage RS (1) (hereinafter, this case is referred to as reverse shift) will be described. In this case, as shown in FIG. 8, the controller 3 keeps the low-level start signal Din and control signal φ1,
Since φ2 is output, T of the stages RS (1) to RS (n)
The FT 21 is always off. At timing T0, the control signals φ3 and φ4 and the set signal SET are at low level.

【0070】そして、タイミングT0でコントローラ3
が第二スタート信号Rinをハイレベルにし、クロック
信号CK1をハイレベルにし、クロック信号CK2をロ
ーレベルにする。その後、コントローラ3が制御信号φ
4をハイレベルにすると、段RS(n)のTFT22が
オン状態になり、ハイレベルの第二スタート信号Rin
がドレイン電極からソース電極に出力される。これによ
り、段RS(n)のTFT23,24がオン状態にな
り、TFT25がオフ状態になる。従って、クロック信
号CK2が、段RS(n)の出力信号out(n)とし
て出力され、そのレベルはローレベルである。
Then, at timing T0, the controller 3
Sets the second start signal Rin to high level, the clock signal CK1 to high level, and the clock signal CK2 to low level. After that, the controller 3 causes the control signal φ
4 is set to the high level, the TFT 22 of the stage RS (n) is turned on, and the second start signal Rin of the high level is set.
Is output from the drain electrode to the source electrode. As a result, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (n) are turned on and the TFT 25 is turned off. Therefore, the clock signal CK2 is output as the output signal out (n) of the stage RS (n), and its level is low level.

【0071】その後、コントローラ3が、制御信号φ4
をローレベルにした後に、第二スタート信号Rin及び
クロック信号CK1をローレベルにし、段RS(n)の
TFT22がオフ状態となる。オフ状態のTFT22
は、段RS(n)のドレイン電極に入力される第二スタ
ート信号Rinを遮断する。またこの際に、段RS
(n)のTFT23,24はオン状態を維持される、段
RS(n)のTFT25はオフ状態を維持し、出力信号
out(n)はローレベルに維持されている。
After that, the controller 3 controls the control signal φ4.
After making the low level, the second start signal Rin and the clock signal CK1 are made low level, and the TFT 22 of the stage RS (n) is turned off. TFT 22 in off state
Shuts off the second start signal Rin input to the drain electrode of the stage RS (n). Also, at this time, the step RS
The TFTs 23 and 24 of (n) are maintained in the ON state, the TFT 25 of the stage RS (n) is maintained in the OFF state, and the output signal out (n) is maintained at the low level.

【0072】次いで、タイミングT1において、コント
ローラ3はクロック信号CK2をハイレベルにする。す
ると、ブートストラップ効果によって段RS(n)のノ
ードAの電位が更に上昇し、段RS(n)のノードAの
電位がゲート飽和電圧に達すると、TFT24のドレイ
ン電極とソース電極との間に流れる電流が飽和する。こ
れにより、段RS(n)の出力信号out(n)は、ク
ロック信号CK2のレベルとほぼ同電位の+25〔V〕
となり、ハイレベルになる。
Next, at timing T1, the controller 3 sets the clock signal CK2 to high level. Then, the potential of the node A of the stage RS (n) further rises due to the bootstrap effect, and when the potential of the node A of the stage RS (n) reaches the gate saturation voltage, it is between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24. The flowing current is saturated. As a result, the output signal out (n) of the stage RS (n) has a potential of +25 [V] which is substantially the same as the level of the clock signal CK2.
And becomes a high level.

【0073】その後、コントローラ3は、制御信号φ3
をハイレベルにする。すると、段RS(n−1)のTF
T22がオン状態になり、ハイレベルの出力信号out
(n)が段RS(n−1)のTFT22のドレイン極か
らソース電極へ出力され、段RS(n−1)ののTFT
23,24はオン状態になり、段RS(n−1)のTF
T25はオフ状態となる。これにより、クロック信号C
K1が、段RS(n−1)の出力信号out(n−1)
として出力され、出力信号out(n−1)はローレベ
ルである。次いで、コントローラ3が制御信号φ3をロ
ーレベルにし、段RS(n−1)のTFT22がオフ状
態となる。
After that, the controller 3 controls the control signal φ3.
To high level. Then, the TF of the stage RS (n-1)
T22 is turned on, and the high-level output signal out
(N) is output from the drain electrode of the TFT 22 of the stage RS (n-1) to the source electrode, and the TFT of the stage RS (n-1) is output.
23 and 24 are turned on and the TF of the stage RS (n-1)
T25 is turned off. As a result, the clock signal C
K1 is the output signal out (n-1) of the stage RS (n-1)
And the output signal out (n-1) is at a low level. Next, the controller 3 sets the control signal φ3 to the low level, and the TFT 22 of the stage RS (n-1) is turned off.

【0074】その後、コントローラ3は、クロック信号
CK2をローレベルにすると、段RS(n)の出力信号
out(n)がローレベルになる。次いで、タイミング
T2において、コントローラ3は、クロック信号CK1
をハイレベルにする。すると、ブートストラップ効果に
よって段RS(n−1)のノードAの電位が上昇し、段
RS(n−1)のTFT24のドレイン電極とソース電
極との間に流れる電流が飽和する。これにより、段RS
(n−1)の出力信号out(n−1)は、クロック信
号CK1のレベルとほぼ同電位の+25〔V〕となり、
ハイレベルとなる。
After that, when the controller 3 sets the clock signal CK2 to the low level, the output signal out (n) of the stage RS (n) becomes the low level. Next, at timing T2, the controller 3 causes the clock signal CK1
To high level. Then, the potential of the node A of the stage RS (n-1) rises due to the bootstrap effect, and the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 of the stage RS (n-1) is saturated. By this, the step RS
The output signal out (n-1) of (n-1) becomes +25 [V] having substantially the same potential as the level of the clock signal CK1,
High level.

【0075】次いで、コントローラ3が制御信号φ4を
ハイレベルにすると、段RS(n)のTFT22及び段
RS(n−2)のTFT22がオン状態になる。この
際、段RS(n)においては、第二スタート信号Rin
がローレベルであり、段RS(n)のTFT22がオン
状態であるため、段RS(n)のTFT22のソース電
極からドレイン電極へと電流が流れ、段RS(n)のノ
ードAの電位が下がりローレベルになる。これにより、
段RS(n)のTFT23,24がオフ状態となり、段
RS(n)のTFT25がオン状態になる。段RS
(n)のTFT24がオフ状態になることによって、段
RS(n)のTFT24のドレイン電極に入力されたク
ロック信号CK2の出力を遮断する。また、段RS
(n)のTFT25がオン状態になることによって、段
RS(n)の出力信号out(n)は、段RS(n)の
TFT25に入力されたセット信号SETとなり、出力
信号out(n)のレベルはセット信号SETのレベル
とほぼ同レベルのローレベルである。その後も、セット
信号SETが段RS(n)の出力信号out(n)とし
て出力され、出力信号out(n)はローレベルに維持
される。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ4 to the high level, the TFT 22 of the stage RS (n) and the TFT 22 of the stage RS (n-2) are turned on. At this time, in the stage RS (n), the second start signal Rin
Is at a low level and the TFT 22 of the stage RS (n) is in an ON state, a current flows from the source electrode to the drain electrode of the TFT 22 of the stage RS (n), and the potential of the node A of the stage RS (n) is changed. It goes down to a low level. This allows
The TFTs 23 and 24 of the stage RS (n) are turned off, and the TFT 25 of the stage RS (n) is turned on. Step RS
When the TFT 24 of (n) is turned off, the output of the clock signal CK2 input to the drain electrode of the TFT 24 of the stage RS (n) is cut off. Also, the RS
By turning on the TFT 25 of (n), the output signal out (n) of the stage RS (n) becomes the set signal SET input to the TFT 25 of the stage RS (n), and the output signal out (n) of the output signal out (n). The level is a low level which is almost the same as the level of the set signal SET. After that, the set signal SET is output as the output signal out (n) of the stage RS (n), and the output signal out (n) is maintained at the low level.

【0076】一方、段RS(n−2)においては、段R
S(n−2)のTFT22がオン状態になることによっ
て、段RS(n−2)のTFT22のドレイン電極に入
力されたハイレベルの出力信号out(n−1)が、T
FT22のソース電極に出力され、段RS(n−2)の
TFT23,24がオン状態になり、段RS(n−2)
のTFT25がオフ状態なるから、ローレベルのクロッ
ク信号CK2が段RS(n−2)の出力信号out(n
−2)として出力される。
On the other hand, in the stage RS (n-2), the stage R
When the TFT 22 of S (n−2) is turned on, the high-level output signal out (n−1) input to the drain electrode of the TFT 22 of the stage RS (n−2) changes to T
It is output to the source electrode of FT22, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (n-2) are turned on, and the stage RS (n-2) is turned on.
Of the output signal out (n of the stage RS (n−2) from the low level clock signal CK2.
-2) is output.

【0077】次いで、コントローラ3が制御信号φ4を
ローレベルにすると、段RS(n)のTFT22及び段
RS(n−2)のTFT22がオフ状態になる。この際
では、段RS(n)のノードAの電位がローレベルにな
り、段RS(n−2)のノードAの電位がハイレベルに
なっている。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ4 to the low level, the TFT 22 of the stage RS (n) and the TFT 22 of the stage RS (n-2) are turned off. At this time, the potential of the node A of the stage RS (n) is at a low level and the potential of the node A of the stage RS (n−2) is at a high level.

【0078】次いで、コントローラ3がクロック信号C
K1をローレベルにする。すると、段RS(n−1)の
出力信号out(n−1)がローレベルになる。次い
で、タイミングT3において、コントローラ3は、クロ
ック信号CK2をハイレベルにする。すると、ブートス
トラップ効果によって段RS(n−2)のノードAの電
位が更に上昇し、段RS(n−2)のTFT24のドレ
イン電極とソース電極との間に流れる電流が飽和する。
これにより、段RS(n−2)の出力信号out(n−
2)は、クロック信号CK2のレベルとほぼ同電位の+
25〔V〕となり、ハイレベルとなる。
Then, the controller 3 causes the clock signal C
Set K1 to low level. Then, the output signal out (n-1) of the stage RS (n-1) becomes low level. Next, at timing T3, the controller 3 sets the clock signal CK2 to high level. Then, the potential of the node A of the stage RS (n−2) is further increased by the bootstrap effect, and the current flowing between the drain electrode and the source electrode of the TFT 24 of the stage RS (n−2) is saturated.
Thereby, the output signal out (n- of the stage RS (n-2)
2) is +, which has almost the same potential as the level of the clock signal CK2.
It becomes 25 [V] and becomes high level.

【0079】次いで、コントローラ3が制御信号φ3を
ハイレベルにすると、段RS(n−1)のTFT22及
び段RS(n−3)のTFT22がオン状態になる。こ
の際、段RS(n−1)においては、セット信号SET
がローレベルであり、段RS(n−1)のTFT22及
び段RS(n)のTFT25がオン状態であるため、段
RS(n−1)のTFT21のソース電極からドレイン
電極へと電流が流れ、段RS(n−1)のノードAの電
位が下がりローレベルになる。これにより、段RS(n
−1)のTFT23,24がオフ状態となり、段RS
(n−1)のTFT25がオン状態になる。これによ
り、段RS(n−1)のTFT24のドレイン電極に入
力されるクロック信号CK1の出力が遮断される。ま
た、段RS(n−1)の出力信号out(n−1)は、
段RS(n−1)のTFT25に入力されたセット信号
SETであり、出力信号out(n−1)のレベルはセ
ット信号SETのレベルとほぼ同レベルのローレベルで
ある。
Next, when the controller 3 sets the control signal φ3 to the high level, the TFT 22 of the stage RS (n-1) and the TFT 22 of the stage RS (n-3) are turned on. At this time, in the stage RS (n-1), the set signal SET
Is a low level, and the TFT 22 of the stage RS (n-1) and the TFT 25 of the stage RS (n) are in an ON state, so that a current flows from the source electrode to the drain electrode of the TFT 21 of the stage RS (n-1). , The potential of the node A of the stage RS (n−1) is lowered to the low level. Thereby, the stage RS (n
-1) TFTs 23 and 24 are turned off, and the stage RS
The (n-1) TFT 25 is turned on. As a result, the output of the clock signal CK1 input to the drain electrode of the TFT 24 of the stage RS (n-1) is cut off. The output signal out (n-1) of the stage RS (n-1) is
It is the set signal SET input to the TFT 25 of the stage RS (n-1), and the level of the output signal out (n-1) is a low level that is substantially the same level as the level of the set signal SET.

【0080】以後、コントローラ3から出力されるクロ
ック信号CK1,CK2及び制御信号φ3,φ4が周期
的にハイレベル、ローレベルに変化することによって、
奇数番目の段RS(k)は段RS(n)と同様の動作を
行い、偶数番目の段RS(k)は段RS(n−1)と同
様の動作を行う。これにより、トップゲートドライバ4
から出力信号が、段RS(n)から段RS(1)へと順
次ハイレベルになる。なお、段RS(n)を除く偶数番
目の段RS(k)では、TFT22のドレイン電極に入
力される信号は第二スタート信号Rinではなく、後段
RS(k+1)の出力信号out(k+1)である。
Thereafter, the clock signals CK1 and CK2 and the control signals φ3 and φ4 output from the controller 3 are periodically changed to the high level and the low level,
The odd-numbered stage RS (k) operates similarly to the stage RS (n), and the even-numbered stage RS (k) operates similar to the stage RS (n-1). This allows the top gate driver 4
From the stage RS (n) to the stage RS (1) in sequence. In the even-numbered stages RS (k) other than the stage RS (n), the signal input to the drain electrode of the TFT 22 is not the second start signal Rin but the output signal out (k + 1) of the subsequent stage RS (k + 1). is there.

【0081】そして、タイミングTn〜タイミングTn
+1までの間に、コントローラ3が制御信号φ4をハイ
レベルにすることによって、段RS(2)のTFT22
がオン状態になり、段RS(2)のTFT23,24が
オフ状態となり、TFT25がオン状態となる。その
後、タイミングTn+1〜タイミングTn+2までの間
に、コントローラ3が制御信号φ3をハイレベルにする
ことによって、段RS(1)のTFT21がオン状態に
なり、段RS(1)のTFT23,24がオフ状態とな
り、TFT25がオン状態となる。以上のように、タイ
ミングTn+2までの間に、全ての段RS(1)〜段R
S(n)のTFT25がオン状態となる。そして、コン
トローラ3は、タイミングTn+2から所定期間、制御
信号φ3,φ4をローレベルに維持する。これにより、
全ての段RS(1)〜段RS(n)のTFT22がオフ
状態となる。
Timing Tn to timing Tn
During the period of up to +1, the controller 3 sets the control signal φ4 to the high level, whereby the TFT 22 of the stage RS (2)
Is turned on, the TFTs 23 and 24 of the stage RS (2) are turned off, and the TFT 25 is turned on. After that, during the period from timing Tn + 1 to timing Tn + 2, the controller 3 sets the control signal φ3 to the high level, so that the TFT 21 of the stage RS (1) is turned on and the TFTs 23 and 24 of the stage RS (1) are turned off. Then, the TFT 25 is turned on. As described above, all the stages RS (1) to R during the period up to the timing Tn + 2.
The TFT 25 of S (n) is turned on. Then, the controller 3 maintains the control signals φ3 and φ4 at the low level for a predetermined period from the timing Tn + 2. This allows
The TFTs 22 of all the stages RS (1) to RS (n) are turned off.

【0082】更に、タイミングTn+2において、コン
トローラ3はセット信号SETをハイレベルにし、所定
期間セット信号SETをハイレベルに維持するととも
に、所定期間クロック信号CK1,CK2をローレベル
に維持する。なお、タイミングTn+2でコントローラ
3がクロック信号CK1,CK2をハイレベルにして、
所定期間クロック信号CK1,CK2をハイレベルに維
持しても良い。
Further, at timing Tn + 2, the controller 3 sets the set signal SET to the high level, maintains the set signal SET at the high level for a predetermined period, and maintains the clock signals CK1 and CK2 at the low level for the predetermined period. At timing Tn + 2, the controller 3 sets the clock signals CK1 and CK2 to high level,
The clock signals CK1 and CK2 may be maintained at the high level for a predetermined period.

【0083】セット信号SETがハイレベルになること
によって、全ての段RS(1)〜段RS(n)におい
て、TFT25のゲート電極及びソース電極並びにそれ
らの間のゲート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアッ
プされて、ブートストラップ効果によってノードBの電
位が更に上昇する。そして、ノードBの電位がゲート飽
和電圧に達すると、TFT25のソース電極とドレイン
電極との間に流れる電流が飽和する。これにより、全て
の段RS(1)〜段RS(n)の出力信号端子OUTか
ら出力される出力信号out(1)〜出力信号out
(n)は、セット信号SETのレベルとほぼ同電位の+
25〔V〕となり、ハイレベルである。このように電圧
緩和期間に全ての段の出力信号をハイレベルとすること
により、一走査期間中に印加された相対的に負の電界に
よる影響を緩和して正孔の蓄積を阻害することにより、
S/N比を向上することができる。
When the set signal SET becomes high level, the parasitic capacitance composed of the gate electrode and the source electrode of the TFT 25 and the gate insulating film between them is charged in all the stages RS (1) to RS (n). The voltage of the node B is further raised by the bootstrap effect. Then, when the potential of the node B reaches the gate saturation voltage, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the TFT 25 is saturated. Thereby, the output signal out (1) to the output signal out output from the output signal terminals OUT of all the stages RS (1) to RS (n).
(N) is +, which has substantially the same potential as the level of the set signal SET.
It becomes 25 [V], which is a high level. In this way, by setting the output signals of all the stages to the high level during the voltage relaxation period, the influence of the relatively negative electric field applied during one scanning period is mitigated to inhibit the accumulation of holes. ,
The S / N ratio can be improved.

【0084】そして、所定期間経過後、コントローラ3
はセット信号SETをローレベルにするとともに、第二
スタート信号Rin及びクロック信号CK1をハイレベ
ルにして、トップゲートドライバ4からの出力信号を再
び段RS(n)から段RS(1)へ順次シフトさせる。
ここで本発明に係る撮像装置1では、タイミングT1〜
タイミングTn+1の間を一走査期間(逆シフト走査期
間)とし、引き続きタイミングTn+1〜タイミングT
n+2までの期間を調整期間とし、タイミングTn+2
〜タイミングT0までを電圧緩和期間としている。
Then, after a lapse of a predetermined period, the controller 3
Sets the set signal SET to the low level, sets the second start signal Rin and the clock signal CK1 to the high level, and sequentially shifts the output signal from the top gate driver 4 again from the stage RS (n) to the stage RS (1). Let
Here, in the imaging device 1 according to the present invention, the timing T1 to
One scanning period (reverse shift scanning period) is set between the timings Tn + 1 and, subsequently, the timings Tn + 1 to T
The period up to n + 2 is the adjustment period, and the timing Tn + 2
Up to timing T0 is the voltage relaxation period.

【0085】なお、ボトムゲートドライバ5の動作は、
トップゲートドライバ4の動作とほぼ同じであるが、コ
ントローラ3から入力されるクロック信号CK1,CK
2のハイレベルが+10〔V〕であるため、各段RS
(k)(k:1〜n)の出力信号out(k)のハイレ
ベルはほぼ+10〔V〕であり、この際のノードAのレ
ベルは+18〔V〕程度である。また、ボトムゲートド
ライバ5のクロック信号CK1,CK2及び制御信号φ
1,φ2、φ3,φ4の周期はそれぞれ、トップゲート
ドライバ4のクロック信号CK1,CK2及び制御信号
φ1,φ2,φ3,φ4と同じである。ボトムゲートド
ライバ5のクロック信号CK1,CK2がハイレベルと
なっている期間は、トップゲートドライバ4のクロック
信号CK1,CK2がハイレベルとなっている期間より
短い。また、トップゲートドライバ4又はボトムゲート
ドライバ5が逆シフトする場合、段RS(1)が最終段
とみなせ、段RS(n)が最前段とみなせるから、制御
信号φ4が第一制御信号とみなせ、制御信号φ3が第二
制御信号とみなせ、クロック信号CK2が第一クロック
信号とみなせ、クロック信号CK1が第二クロック信号
とみなせる。
The operation of the bottom gate driver 5 is as follows.
Although the operation of the top gate driver 4 is almost the same, the clock signals CK1 and CK input from the controller 3 are input.
Since the high level of 2 is +10 [V], each stage RS
The high level of the output signal out (k) of (k) (k: 1 to n) is approximately +10 [V], and the level of the node A at this time is approximately +18 [V]. Further, the clock signals CK1 and CK2 of the bottom gate driver 5 and the control signal φ
The cycles of 1, φ2, φ3, and φ4 are the same as the clock signals CK1 and CK2 and the control signals φ1, φ2, φ3, and φ4 of the top gate driver 4, respectively. The period during which the clock signals CK1 and CK2 of the bottom gate driver 5 are at high level is shorter than the period during which the clock signals CK1 and CK2 of the top gate driver 4 are at high level. Further, when the top gate driver 4 or the bottom gate driver 5 is reversely shifted, the stage RS (1) can be regarded as the final stage and the stage RS (n) can be regarded as the front stage, so that the control signal φ4 can be regarded as the first control signal. The control signal φ3 can be regarded as the second control signal, the clock signal CK2 can be regarded as the first clock signal, and the clock signal CK1 can be regarded as the second clock signal.

【0086】次に、撮像素子2を駆動して画像を撮影す
るための全体の動作について、図9(a)〜(i)に示
す模式図を参照して説明する。なお、以下では、説明を
簡単にするため、撮像素子2に配置されているダブルゲ
ートトランジスタ7のうち、最初の三行について主に説
明する。
Next, the overall operation for driving the image pickup device 2 to capture an image will be described with reference to the schematic diagrams shown in FIGS. Note that, for simplicity of description, the first three rows of the double gate transistors 7 arranged in the image sensor 2 will be mainly described below.

【0087】まず、タイミングT1からT2までの間に
おいて、図9(a)に示すように、トップゲートドライ
バ4は、一行目のTGLに+25〔V〕を印加し、二、
三行目(他の全行)のTGLに−15〔V〕を印加す
る。即ち、トップゲートドライバ4の段RS(1)から
ハイレベルの出力信号out(1)が出力され、段RS
(2),RS(3)からローレベルの出力信号out
(2),out(3)が出力される。一方、ボトムゲー
トドライバ5は、すべてのBGLに0〔V〕を印加す
る。即ち、ボトムゲートドライバ5の段RS(1)〜R
S(3)からローレベルの出力信号out(1)〜ou
t(3)が出力される。この期間において、一行目のダ
ブルゲートトランジスタ7がリセット状態となり、二、
三行目のダブルゲートトランジスタ7が前の垂直期間で
の読み出し状態を終了した状態(フォトセンスに影響し
ない状態)となる。
First, between timings T1 and T2, as shown in FIG. 9A, the top gate driver 4 applies +25 [V] to TGL in the first row,
-15 [V] is applied to TGL of the third line (all other lines). That is, the high level output signal out (1) is output from the stage RS (1) of the top gate driver 4,
(2), low level output signal out from RS (3)
(2) and out (3) are output. On the other hand, the bottom gate driver 5 applies 0 [V] to all BGLs. That is, the stages RS (1) to R of the bottom gate driver 5
Low-level output signals out (1) to ou from S (3)
t (3) is output. During this period, the double-gate transistor 7 in the first row is in the reset state,
The double-gate transistor 7 in the third row is in a state where the read state in the previous vertical period is completed (state that does not affect photosense).

【0088】次に、タイミングT2からT3までの間に
おいて、図9(b)に示すように、ハイレベルの出力信
号がトップゲートドライバ4の段RS(2)にシフトし
て、トップゲートドライバ4は、二行目のTGLに+2
5〔V〕を印加し、他のTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、すべてのBGL
に0〔V〕を印加する。この期間において、一行目のダ
ブルゲートトランジスタ7がフォトセンス状態となり、
二行目のダブルゲートトランジスタ7がリセット状態と
なり、三行目のダブルゲートトランジスタ7が前の垂直
期間での読み出し状態を終了した状態(フォトセンスに
影響しない状態)となる。
Next, between timings T2 and T3, the high-level output signal shifts to the stage RS (2) of the top gate driver 4 as shown in FIG. Is +2 on the second line TGL
5 [V] is applied, and -15 [V] is applied to the other TGL. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
0 [V] is applied to. During this period, the double-gate transistor 7 in the first row is in the photosense state,
The double-gate transistor 7 in the second row is in the reset state, and the double-gate transistor 7 in the third row is in the state where the read state in the previous vertical period is completed (state not affecting the photosense).

【0089】次に、タイミングT3からT4までの間に
おいて、図9(c)に示すように、ハイレベルの出力信
号がトップゲートドライバ4の段RS(3)にシフトし
て、トップゲートドライバ4は、三行目のTGLに+2
5〔V〕を印加し、他のTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、すべてのBGL
に0〔V〕を印加する。この期間において、一、二行目
のダブルゲートトランジスタがフォトセンス状態とな
り、三行目のダブルゲートトランジスタ7がリセット状
態となる。
Next, between timings T3 and T4, as shown in FIG. 9C, the high-level output signal shifts to the stage RS (3) of the top gate driver 4, and the top gate driver 4 Is +2 on the third line TGL
5 [V] is applied, and -15 [V] is applied to the other TGL. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
0 [V] is applied to. During this period, the double-gate transistors in the first and second rows are in the photosense state, and the double-gate transistors 7 in the third row are in the reset state.

【0090】次に、タイミングT4からT4.5までの
間において、図9(d)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、すべてのBGL
に0〔V〕を印加する。また、ドレインドライバ6は、
すべてのDLに+10〔V〕を印加する。この期間にお
いて、すべての行のダブルゲートトランジスタ7がフォ
トセンス状態となる。
Next, between timings T4 and T4.5, the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs, as shown in FIG. 9D. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
0 [V] is applied to. In addition, the drain driver 6
+10 [V] is applied to all DLs. During this period, the double gate transistors 7 in all the rows are in the photosense state.

【0091】次に、タイミングT4.5からT5までの
間において、図9(e)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、一行目のBGL
に+10〔V〕を印加し、他のBGLに0〔V〕を印加
する。即ち、ボトムゲートドライバ5の段RS(1)か
らハイレベルの出力信号out(1)が出力され、段R
S(2),RS(3)からローレベルの出力信号out
(2),out(3)が出力される。この期間におい
て、一行目のダブルゲートトランジスタ7が第一または
第二の読み出し状態となり、二、三行目のダブルゲート
トランジスタ7がフォトセンス状態のままとなる。
Next, between timings T4.5 and T5, as shown in FIG. 9E, the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
+10 [V] is applied to the other BGL, and 0 [V] is applied to the other BGL. That is, the high level output signal out (1) is output from the stage RS (1) of the bottom gate driver 5,
Low-level output signal out from S (2) and RS (3)
(2) and out (3) are output. During this period, the double gate transistors 7 in the first row are in the first or second read state, and the double gate transistors 7 in the second and third rows remain in the photosense state.

【0092】ここで、一行目のダブルゲートトランジス
タ7では、フォトセンス状態となっていたタイミングT
2からT4.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていると、第二の読み出し状態となって半導体
層10内にnチャネルが形成されるため、対応するDL
上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミングT
2からT4.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていないと、第一の読み出し状態となって半導
体層10内のnチャネルがピンチオフされるため、対応
するDL上の電荷はディスチャージされない。ドレイン
ドライバ6は、タイミングT4.5からT5までの期間
で各DL上の電位を読み出し、一行目のダブルゲートト
ランジスタ7が検出した画像データDATAとしてコン
トローラ3に供給する。
Here, in the double-gate transistor 7 in the first row, the timing T which is in the photo-sensing state
When the semiconductor layer 10 is irradiated with sufficient light in the period from 2 to T4.5, the n-channel is formed in the semiconductor layer 10 in the second read state, so that the corresponding DL
The upper charge is discharged. On the other hand, timing T
If the semiconductor layer 10 is not sufficiently irradiated with light in the period from 2 to T4.5, the n-channel in the semiconductor layer 10 is pinched off in the first read state, so that the charge on the corresponding DL is changed. Is not discharged. The drain driver 6 reads the potential on each DL in the period from timing T4.5 to T5, and supplies it to the controller 3 as image data DATA detected by the double gate transistor 7 in the first row.

【0093】次に、タイミングT5からT5.5までの
間において、図9(f)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、すべてのBGL
に0〔V〕を印加する。また、ドレインドライバ6は、
すべてのDLに+10〔V〕を印加する。この期間にお
いて、一行目のダブルゲートトランジスタ7が読み出し
を終了した状態となり、二、三行目のダブルゲートトラ
ンジスタ7がフォトセンス状態となる。なお、タイミン
グT5からT5.5の間では、ボトムゲートドライバ5
の段RS(1)のハイレベルの出力信号が段RS(2)
に入力されるが、段RS(2)に入力されるクロック信
号がハイレベルになっていないため、段RS(2)から
出力信号が出力されていないから、二行目のBGLが0
〔V〕に印加されている。
Next, between timings T5 and T5.5, as shown in FIG. 9 (f), the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
0 [V] is applied to. In addition, the drain driver 6
+10 [V] is applied to all DLs. During this period, the double-gate transistors 7 in the first row have finished reading, and the double-gate transistors 7 in the second and third rows are in the photosense state. In addition, between the timing T5 and T5.5, the bottom gate driver 5 is
The high level output signal of the stage RS (1) of the stage RS (2)
However, the output signal is not output from the stage RS (2) because the clock signal input to the stage RS (2) is not at the high level.
It is applied to [V].

【0094】次に、タイミングT5.5からT6までの
間において、図9(g)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ハイレベルの出力信号がボトムゲートドライ
バ5の段RS(2)にシフトして、ボトムゲートドライ
バ5は、二行目のBGLに+10〔V〕を印加し、他の
BGLに0〔V〕を印加する。この期間において、一行
目のダブルゲートトランジスタ7が読み出しを終了した
状態となり、二行目のダブルゲートトランジスタ7が第
一または第二の読み出し状態となり、三行目のダブルゲ
ートトランジスタ7がフォトセンス状態となる。
Next, between timings T5.5 and T6, the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs, as shown in FIG. 9 (g). On the other hand, the high-level output signal shifts to the stage RS (2) of the bottom gate driver 5, and the bottom gate driver 5 applies +10 [V] to the second row BGL and 0 [V] to the other BGL. ] Is applied. During this period, the double-gate transistor 7 in the first row is in a read-completed state, the double-gate transistor 7 in the second row is in the first or second read state, and the double-gate transistor 7 in the third row is in the photosense state. Becomes

【0095】ここで、二行目のダブルゲートトランジス
タ7では、フォトセンス状態となっていたタイミングT
3からT5.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていると、第二の読み出し状態となって半導体
層10内にnチャネルが形成されるため、対応するDL
上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミングT
3からT5.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていないと、第一の読み出し状態となって半導
体層10内のnチャネルがピンチオフされるため、対応
するDL上の電荷はディスチャージされない。ドレイン
ドライバ6は、タイミングT5.5からT6までの期間
で各DL上の電位を読み出し、二行目のダブルゲートト
ランジスタ7が検出した画像データDATAとしてコン
トローラ3に供給する。
Here, in the double-gate transistor 7 in the second row, the timing T at which the photo-sensing state has been established.
When the semiconductor layer 10 is sufficiently irradiated with light in the period from 3 to T5.5, the n-channel is formed in the semiconductor layer 10 in the second read state, so that the corresponding DL
The upper charge is discharged. On the other hand, timing T
If the semiconductor layer 10 is not sufficiently irradiated with light in the period from 3 to T5.5, the n-channel in the semiconductor layer 10 is pinched off and the charges on the corresponding DL are brought into the first read state. Is not discharged. The drain driver 6 reads the potential on each DL during the period from timing T5.5 to timing T6, and supplies it to the controller 3 as the image data DATA detected by the double gate transistor 7 in the second row.

【0096】次に、タイミングT6からT6.5までの
間において、図9(h)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ボトムゲートドライバ5は、すべてのBGL
に0〔V〕を印加する。また、ドレインドライバ6は、
すべてのDLに+10〔V〕を印加する。この期間にお
いて、一、二行目のダブルゲートトランジスタ7が読み
出しを終了した状態となり、三行目のダブルゲートトラ
ンジスタ7がフォトセンス状態となる。
Next, between timings T6 and T6.5, as shown in FIG. 9 (h), the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs. On the other hand, the bottom gate driver 5 is
0 [V] is applied to. In addition, the drain driver 6
+10 [V] is applied to all DLs. During this period, the double-gate transistors 7 in the first and second rows are in the read-completed state, and the double-gate transistors 7 in the third row are in the photosense state.

【0097】次に、タイミングT6.5からT7までの
間において、図9(i)に示すように、トップゲートド
ライバ4は、すべてのTGLに−15〔V〕を印加す
る。一方、ハイレベルの出力信号がボトムゲートドライ
バ5の段RS(3)にシフトして、ボトムゲートドライ
バ5は、三行目のBGLに+10〔V〕を印加し、他の
BGLに0〔V〕を印加する。この期間において、一、
二行目のダブルゲートトランジスタ7が読み出しを終了
した状態となり、三行目のダブルゲートトランジスタ7
が第一または第二の読み出し状態となる。
Next, between timings T6.5 and T7, the top gate driver 4 applies −15 [V] to all TGLs, as shown in FIG. 9 (i). On the other hand, the high-level output signal shifts to the stage RS (3) of the bottom gate driver 5, and the bottom gate driver 5 applies +10 [V] to the BGL of the third row and 0 [V to the other BGL. ] Is applied. In this period,
The double-gate transistor 7 in the second row is in a state where the reading is completed, and the double-gate transistor 7 in the third row is read.
Becomes the first or second read state.

【0098】ここで、三行目のダブルゲートトランジス
タ7では、フォトセンス状態となっていたタイミングT
4からT6.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていると、第二の読み出し状態となって半導体
層10内にnチャネルが形成されるため、対応するDL
上の電荷がディスチャージされる。一方、タイミングT
4からT6.5までの期間で十分な光が半導体層10に
照射されていないと、第一の読み出し状態となって半導
体層10内のnチャネルがピンチオフされるため、対応
するDL上の電荷はディスチャージされない。ドレイン
ドライバ6は、タイミングT6.5からT7までの期間
で各DL上の電位を読み出し、三行目のダブルゲートト
ランジスタ7が検出した画像データDATAとしてコン
トローラ3に供給する。
Here, in the double-gate transistor 7 in the third row, the timing T when it is in the photo-sensing state.
When the semiconductor layer 10 is irradiated with sufficient light in the period from 4 to T6.5, the second read state is set, and an n channel is formed in the semiconductor layer 10, so that the corresponding DL
The upper charge is discharged. On the other hand, timing T
If sufficient light is not applied to the semiconductor layer 10 in the period from 4 to T6.5, the n-channel in the semiconductor layer 10 is pinched off in the first read state, so that the charge on the corresponding DL is changed. Is not discharged. The drain driver 6 reads the potential on each DL in the period from timing T6.5 to T7, and supplies it to the controller 3 as image data DATA detected by the double gate transistor 7 in the third row.

【0099】こうしてドレインドライバ6から行毎に供
給された画像データDATAに対して、コントローラ3
が所定の処理を行うことで、撮像対象物の画像データが
生成される。そして、トップゲートドライバ4及びボト
ムゲートドライバ5共に、ハイレベルの出力信号が最終
段RS(n)までシフトし、全てのダブルゲートトラン
ジスタ7でリセット、フォトセンス、プリチャージ及び
読み出しの一連のセンシング動作を終了した後は、図9
(j)に示すように、タイミングTn+1〜タイミング
Tn+2の間、トップゲートドライバ4は、すべてのT
GLに−15〔V〕を印加する。一方、ボトムゲートド
ライバ5は、すべてのBGLに0〔V〕を印加する。
In this way, the controller 3 responds to the image data DATA supplied from the drain driver 6 for each row.
Performs predetermined processing to generate image data of the imaging target. Then, in both the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5, the high level output signal is shifted to the final stage RS (n), and all the double gate transistors 7 perform a series of sensing operations of reset, photo sense, precharge and read. After finishing,
As shown in (j), during the period from timing Tn + 1 to timing Tn + 2, the top gate driver 4 operates at all T
-15 [V] is applied to GL. On the other hand, the bottom gate driver 5 applies 0 [V] to all BGLs.

【0100】その後、上述したように、電圧緩和期間に
トップゲートドライバ4及びボトムゲートドライバ5に
おいて、セット信号SETがハイレベルになると、図9
(k)に示すように、トップゲートドライバは、すべて
のTGLに+25〔V〕を印加し、ボトムゲートドライ
バ5は、全てのBGLに+10〔V〕を印加する。ただ
し、BGLは一走査期間中のほとんどがローレベルの0
〔V〕なので、電圧緩和期間に+10〔V〕を印加せず
に0〔V〕のままでもよい。つまり、トップゲートドラ
イバ4のみ上記本実施の形態で説明したように動作し、
ボトムゲートドライバ5は、電圧緩和期間に0〔V〕を
出力するような従来のシフトレジスタを適用してもよ
い。またボトムゲートドライバ5は、ハイレベルの+1
0〔V〕による電子の蓄積を相殺するために電圧緩和期
間に負電圧のセット信号SETを印加して上記本実施の
形態で説明したように動作してもよい。そして、所定期
間経過後、上記図9(a)〜(j)に示される動作が繰
り返されて、撮像装置1は、再び撮像対象物の画像デー
タDATAを生成する。例えば、撮像装置1は、上記図
9(a)〜(j)に示される動作を三回繰り返して、得
た三つの画像DATAを平均化するようにしても良い。
Thereafter, as described above, when the set signal SET becomes high level in the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 during the voltage relaxation period, as shown in FIG.
As shown in (k), the top gate driver applies +25 [V] to all TGLs, and the bottom gate driver 5 applies +10 [V] to all BGLs. However, most of BGL is low level 0 during one scanning period.
Since it is [V], +10 [V] may not be applied during the voltage relaxation period and may be 0 [V]. That is, only the top gate driver 4 operates as described in the present embodiment,
The bottom gate driver 5 may be a conventional shift register that outputs 0 [V] during the voltage relaxation period. Further, the bottom gate driver 5 has a high level of +1.
In order to cancel the accumulation of electrons due to 0 [V], a negative voltage set signal SET may be applied during the voltage relaxation period to operate as described in the present embodiment. Then, after the lapse of a predetermined period, the operations shown in FIGS. 9A to 9J are repeated, and the imaging apparatus 1 again generates the image data DATA of the imaging target. For example, the image pickup apparatus 1 may repeat the operation shown in FIGS. 9A to 9J three times to average the obtained three images DATA.

【0101】なお、以上では、トップゲートドライバ4
及びボトムゲートドライバ5からのハイレベルの出力信
号が、段RS(1)から段RS(n)へとシフトする場
合について説明するが、段RS(n)から段RS(n)
へとシフトする場合においては、逆にn行目のダブルゲ
ートトランジスタ7からフォトセンス状態になってい
く。
In the above, the top gate driver 4 is
The case where the high level output signal from the bottom gate driver 5 shifts from the stage RS (1) to the stage RS (n) will be described.
In the case of shifting to, the double gate transistor 7 in the nth row is changed to the photosensing state.

【0102】次に、本実施形態の効果についてトップゲ
ートドライバ4を例に説明する。図7に示すように、ト
ップゲートドライバ4が走査している間(タイミングT
1〜Tn+1)、各段RS(k)から出力される出力信
号out(k)がハイレベルになっている期間は、タイ
ミングTk〜Tk+1の間だけである。タイミングTk
〜Tk+1の間以外では、各段RS(k)から出力され
る出力信号out(k)はローレベルである。従って、
トップゲートドライバ4が走査している間では、k行目
のダブルゲートトランジスタ7(図1〜図3に図示)の
トップゲート電極17(図2〜図3に図示)に+25
〔V〕が印加されている期間より、−15〔V〕が印加
されている期間の方が長い。ここで、もし走査期間後
(タイミングTn+2後)トップゲートドライバ4にハ
イレベルのセット信号SETが入力されなければ、k行
目のダブルゲートトランジスタ7のトップゲート電極1
7に−15〔V〕が印加されている期間が長いために、
半導体層10やブロック絶縁膜11a,11b(図2〜
図3に図示)に正孔が生じている期間が長い。そのため
に、半導体層10やブロック絶縁膜11a,11bに正
孔が残存してしまい、ダブルゲートトランジスタ7のト
ランジスタ特性(伝達特性)が変化してしまう。これに
より、ダブルゲートトランジスタ7のドレイン〜ソース
電極間の電流が低くなってしまい、撮像素子2が誤動作
を起こしてしまう場合がある。
Next, the effect of this embodiment will be described by taking the top gate driver 4 as an example. As shown in FIG. 7, while the top gate driver 4 is scanning (timing T
1 to Tn + 1), the period during which the output signal out (k) output from each stage RS (k) is at the high level is only between timings Tk and Tk + 1. Timing Tk
The output signal out (k) output from each stage RS (k) is at a low level except during the period from to Tk + 1. Therefore,
While the top gate driver 4 is scanning, +25 is applied to the top gate electrode 17 (shown in FIGS. 2 to 3) of the double gate transistor 7 in the kth row (shown in FIGS. 1 to 3).
The period during which -15 [V] is applied is longer than the period during which [V] is applied. Here, if the high-level set signal SET is not input to the top gate driver 4 after the scanning period (after the timing Tn + 2), the top gate electrode 1 of the double gate transistor 7 in the kth row
Since the period during which -15 [V] is applied to 7 is long,
The semiconductor layer 10 and the block insulating films 11a and 11b (see FIGS.
(Illustrated in FIG. 3), the period in which holes are generated is long. Therefore, holes remain in the semiconductor layer 10 and the block insulating films 11a and 11b, and the transistor characteristics (transmission characteristics) of the double gate transistor 7 change. As a result, the current between the drain and source electrodes of the double gate transistor 7 becomes low, which may cause the imaging device 2 to malfunction.

【0103】ところで、本実施形態では、各段RS
(k)のTFT25のソース電極にセット信号SETが
入力されているため、コントローラ3がセット信号SE
Tをハイレベルすることによって、トップゲートドライ
バ4の各段RS(k)から出力される出力信号out
(k)が同時にハイレベルになる。このため、トップゲ
ートドライバ4及びボトムゲートドライバ5は、ハイレ
ベルの出力信号を各段から順次出力してシフトすること
が可能となっているとともに、最終段RS(n)からハ
イレベルの出力信号が出力された後は全ての段RS
(1)〜段RS(n)から同時にハイレベルの出力信号
を出力することが可能となっている。従って、ダブルゲ
ートトランジスタ7のトランジスタ特性の変化が抑えら
れる。
By the way, in the present embodiment, each stage RS
Since the set signal SET is input to the source electrode of the TFT 25 of (k), the controller 3 sets the set signal SE.
By setting T to the high level, the output signal out output from each stage RS (k) of the top gate driver 4
(K) becomes high level at the same time. Therefore, the top gate driver 4 and the bottom gate driver 5 can sequentially output and shift the high level output signal from each stage, and at the same time, output the high level output signal from the final stage RS (n). Is output, all stages RS
It is possible to simultaneously output high-level output signals from (1) to the stage RS (n). Therefore, changes in the transistor characteristics of the double gate transistor 7 can be suppressed.

【0104】即ち、本実施形態のトップゲートドライバ
4では、ハイレベルの出力信号が順次シフトして出力さ
れる期間(タイミングT0〜タイミングTn+1)とは
別に、所定期間(タイミングTn+2〜次のタイミング
T0)でも、各段RS(k)の出力信号out(k)が
同時にハイレベルとなって出力される。従って、k行目
のダブルゲートトランジスタ7のトップゲート電極に+
25〔V〕が印加されている時間と、−15〔V〕が印
加されている時間とが平均化される。そのため、長時間
撮像装置1が使用された場合でも、ダブルゲートトラン
ジスタ7のトランジスタ特性の変化が抑えられ、撮像素
子2が誤動作を起こしてしまうことも抑えられる。
That is, in the top gate driver 4 of the present embodiment, apart from the period (timing T0 to timing Tn + 1) in which the high-level output signal is sequentially shifted and output, a predetermined period (timing Tn + 2 to next timing T0). ), The output signal out (k) of each stage RS (k) simultaneously becomes high level and is output. Therefore, the top gate electrode of the double gate transistor 7 in the kth row is +
The time when 25 [V] is applied and the time when -15 [V] is applied are averaged. Therefore, even when the imaging device 1 is used for a long time, the change in the transistor characteristics of the double gate transistor 7 is suppressed, and the imaging element 2 is prevented from malfunctioning.

【0105】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。上記
各実施の形態では、撮像素子を備えた電子装置に関する
説明であったが、これに限らず、撮像素子の代わりに画
素TFTを備えた液晶表示素子を設け、液晶表示素子
(即ち、各画素TFT)を駆動するゲートドライバとし
て上述してきたゲートドライバ4を適用すれば、順シフ
トのみならず逆シフトが可能となる。このため、例えば
画像を所定の方向から視認するために、画像が表示され
ている液晶パネルを上下に物理的に回動する際に、自動
的にシフトレジスタが順シフトから逆シフトに変換でき
るようにスイッチングすれば、画像信号を加工すること
なく画像の上下をもとのままに表示することができる。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention. In each of the above-described embodiments, the electronic device including the image pickup device has been described, but the present invention is not limited to this, and a liquid crystal display device including a pixel TFT is provided instead of the image pickup device, and If the gate driver 4 described above is applied as a gate driver for driving a TFT, not only forward shift but also reverse shift is possible. Therefore, for example, when the liquid crystal panel on which the image is displayed is physically rotated up and down so that the image is viewed from a predetermined direction, the shift register can automatically convert from the forward shift to the reverse shift. By switching to, it is possible to display the top and bottom of the image as it is without processing the image signal.

【0106】[0106]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、順シフ
ト走査期間に第三トランジスタがオフレベルとなる第二
出力信号を出力するが、この第二出力信号が出力される
期間はオンレベルの第一出力信号と比べて長いために生
じる、出力信号を供給された側の電気的極性の偏りを、
電圧緩和期間中に第一出力信号と同極性の第三出力信号
を出力することにより、緩和することができるので、こ
の偏りにより第二出力信号により保持された電荷の少な
くとも一部分がそのまま蓄積することなく消失するの
で、誤作動を引き起こす恐れを抑制することができる。
As described above, according to the present invention, the second output signal in which the third transistor is at the off level is output during the forward shift scanning period, but is turned on during the period when the second output signal is output. The deviation of the electric polarity on the side supplied with the output signal, which occurs because the level is longer than the first output signal,
By outputting the third output signal having the same polarity as the first output signal during the voltage relaxation period, this can be mitigated, so that at least a part of the charge held by the second output signal is accumulated as it is due to this bias. Since it disappears without any trouble, it is possible to suppress the risk of causing a malfunction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る電子装置を適用した撮像装置の具
体的な構成が示されたブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a specific configuration of an imaging device to which an electronic device according to the present invention is applied.

【図2】上記撮像装置に設けられた撮像素子を構成する
ダブルゲートトランジスタの具体的な態様が示された平
面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a specific mode of a double gate transistor which constitutes an image pickup device provided in the image pickup apparatus.

【図3】上記ダブルゲートトランジスタの具体的な態様
が示された図面であり、図2におけるA−A断面が示さ
れた断面図である。
3 is a view showing a specific mode of the double gate transistor, and is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA in FIG. 2. FIG.

【図4】上記撮像装置に備えられたトップゲートドライ
バ又はボトムゲートドライバ全体の具体的な構成が示さ
れたブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a specific configuration of an entire top gate driver or bottom gate driver included in the imaging device.

【図5】前記トップゲートドライバ又は前記ボトムゲー
トドライバの全体的な回路構成について具体的な態様が
示された図面である。
FIG. 5 is a diagram showing a specific mode of an overall circuit configuration of the top gate driver or the bottom gate driver.

【図6】前記トップゲートドライバ又は前記ボトムゲー
トドライバの各段の回路構成が示された図面である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of each stage of the top gate driver or the bottom gate driver.

【図7】前記トップゲートドライバ又は前記ボトムゲー
トドライバの動作が示されたタイミングチャートであ
る。
FIG. 7 is a timing chart showing an operation of the top gate driver or the bottom gate driver.

【図8】前記トップゲートドライバ又は前記ボトムゲー
トドライバの動作が示されたタイミングチャートであ
る。
FIG. 8 is a timing chart showing an operation of the top gate driver or the bottom gate driver.

【図9】前記撮像装置の動作を説明するための模式図で
ある。
FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the operation of the imaging device.

【図10】従来のドライバの各段の回路構成が示された
図面である。
FIG. 10 is a diagram showing a circuit configuration of each stage of a conventional driver.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 撮像装置(電子装置) 2 撮像素子 3 コントローラ(信号出力手段) 4 トップゲートドライバ(シフトレジスタ) 5 ボトムゲートドライバ(シフトレジスタ) 7 ダブルゲートトランジスタ(撮像素子を構成す
る。) 21 TFT(トランジスタ) 22 TFT(第四トランジスタ) 23 TFT(第一トランジスタ) 24 TFT(第二トランジスタ) 25 TFT(第三トランジスタ) CK1 クロック信号(第一クロック信号) CK2 クロック信号(第二クロック信号) φ1 制御信号(第一制御信号) φ2 制御信号(第二制御信号) φ3 制御信号(第三制御信号) φ4 制御信号(第四制御信号)
1 Imaging Device (Electronic Device) 2 Imaging Device 3 Controller (Signal Output Means) 4 Top Gate Driver (Shift Register) 5 Bottom Gate Driver (Shift Register) 7 Double Gate Transistor (Constitutes Imaging Device) 21 TFT (Transistor) 22 TFT (fourth transistor) 23 TFT (first transistor) 24 TFT (second transistor) 25 TFT (third transistor) CK1 clock signal (first clock signal) CK2 clock signal (second clock signal) φ1 control signal ( First control signal) φ2 control signal (second control signal) φ3 control signal (third control signal) φ4 control signal (fourth control signal)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C006 BB16 BC03 BF03 BF34 BF39 5C024 CX03 CX51 GX01 GZ01 HX40 5C080 AA10 BB05 DD09 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5J056 AA05 BB21 CC18 DD13 DD29 EE08 FF02 FF07 FF10 GG07 KK01 KK02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 5C006 BB16 BC03 BF03 BF34 BF39                 5C024 CX03 CX51 GX01 GZ01 HX40                 5C080 AA10 BB05 DD09 FF11 JJ02                       JJ03 JJ04 JJ06                 5J056 AA05 BB21 CC18 DD13 DD29                       EE08 FF02 FF07 FF10 GG07                       KK01 KK02

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の段がそれぞれ、制御端子に入力され
る第一制御信号又は第二制御信号がオンレベルになるこ
とによってオン状態になり、選択的に、オン状態の際に
前段からのオンレベルの出力信号が一端子に入力された
場合にオンレベルの出力信号を他端子に出力するか、或
いはオン状態の際に前段からオフレベルの出力信号が一
端子に入力された場合にオフレベルの出力信号を他端子
に出力する第一トランジスタと、前記第一トランジスタ
からのオンレベルの出力信号に応じて第一クロック信号
又は第二クロック信号を当該段の出力信号として出力す
る第二トランジスタと、前記第二トランジスタがオン状
態である際にオフ状態であるとともに、前記第二トラン
ジスタがオフ状態である際にオン状態である第三トラン
ジスタと、を有するシフトレジスタを備えた電子装置で
あって、 各段の前記第二トランジスタは順シフト走査期間に所定
の極性の第一出力信号として前記第一クロック信号又は
前記第二クロック信号を順次出力し、前記第三トランジ
スタは、前記順シフト走査期間に前記所定の極性と逆極
性の第二出力信号を出力し、電圧緩和期間に前記第一出
力信号と同極性の第三出力信号を出力することを特徴と
する電子装置。
1. A plurality of stages are turned on when a first control signal or a second control signal input to a control terminal goes to an on level, and selectively from the previous stage when turned on. Outputs an on-level output signal to another terminal when an on-level output signal is input to one terminal, or turns off when an off-level output signal is input to one terminal from the previous stage in the on state. A first transistor that outputs a level output signal to another terminal, and a second transistor that outputs a first clock signal or a second clock signal as an output signal of the stage according to an on-level output signal from the first transistor And a third transistor that is in an off state when the second transistor is in an on state and is in an on state when the second transistor is in an off state. An electronic device including a shift register, wherein the second transistor in each stage sequentially outputs the first clock signal or the second clock signal as a first output signal of a predetermined polarity during a forward shift scanning period, The third transistor outputs a second output signal having a polarity opposite to the predetermined polarity during the forward shift scanning period, and outputs a third output signal having the same polarity as the first output signal during a voltage relaxation period. And electronic device.
【請求項2】前記順シフト走査期間中、奇数番目の段の
前記第二トランジスタに前記第一クロック信号を出力
し、前記順シフト走査期間中、偶数番目の段の前記第二
トランジスタに前記第二クロック信号を出力し、前記電
圧緩和期間中、前記複数の段の前記第三トランジスタに
前記第三出力信号を出力し、前記奇数番目の段の前記第
一トランジスタに前記第一制御信号を出力し、前記偶数
番目の段の前記第一トランジスタに前記第二制御信号を
出力する信号出力手段をさらに備えることを特徴とする
請求項1記載の電子装置。
2. The first clock signal is output to the second transistors in odd-numbered stages during the forward shift scanning period, and the first clock signal is output to the second transistors in even-numbered stages during the forward shift scanning period. Two clock signals are output, the third output signal is output to the third transistors of the plurality of stages, and the first control signal is output to the first transistors of the odd-numbered stages during the voltage relaxation period. The electronic device according to claim 1, further comprising signal output means for outputting the second control signal to the first transistors of the even-numbered stages.
【請求項3】前記複数の段がそれぞれ、逆シフト走査期
間に、制御端子に入力される第三制御信号又は第四制御
信号がオンレベルになることによってオン状態になり、
選択的に、オン状態の際に後段からのオンレベルの出力
信号が一端子に入力された場合にオンレベルの出力信号
を他端子に出力するか、或いはオン状態の際に後段から
オフレベルの出力信号が一端子に入力された場合にオフ
レベルの出力信号を他端子に出力する第四トランジス
タ、をさらに備え、 前記信号出力手段は、前記逆シフト走査期間に、前記第
四トランジスタに前記第三制御信号又は前記第四制御信
号を出力することを特徴とする請求項2に記載の電子装
置。
3. Each of the plurality of stages is turned on by a third control signal or a fourth control signal input to a control terminal being turned on during a reverse shift scanning period,
Alternatively, when an on-level output signal from the subsequent stage is input to one terminal in the on state, the on-level output signal is output to the other terminal, or when the on-level output signal is output from the subsequent stage in the on state. Further comprising a fourth transistor for outputting an off-level output signal to the other terminal when the output signal is input to one terminal, wherein the signal output means includes the fourth transistor in the fourth transistor during the reverse shift scanning period. The electronic device according to claim 2, wherein the electronic device outputs three control signals or the fourth control signal.
【請求項4】前記電圧緩和期間中に、前記信号出力手段
が前記セット信号をオンレベルに維持し、前記第一制御
信号及び第二制御信号を前記所定期間オフレベルに維持
することを特徴とする請求項2記載の電子装置。
4. The signal output means maintains the set signal at an on level and maintains the first control signal and the second control signal at an off level during the predetermined period during the voltage relaxation period. The electronic device according to claim 2.
【請求項5】前記電圧緩和期間中に、前記信号出力手段
が前記第一クロック信号及び前記第二クロック信号をオ
フレベルに維持することを特徴とする請求項2記載の電
子装置。
5. The electronic device according to claim 2, wherein the signal output means maintains the first clock signal and the second clock signal at an off level during the voltage relaxation period.
【請求項6】前記電圧緩和期間中に、前記信号出力手段
が前記第一クロック信号及び前記第二クロック信号をオ
ンレベルに維持することを特徴とする請求項2記載の電
子装置。
6. The electronic device according to claim 2, wherein the signal output unit maintains the first clock signal and the second clock signal at an on level during the voltage relaxation period.
【請求項7】前記シフトレジスタから出力される出力信
号により動作する撮像素子をさらに備えることを特徴と
する請求項1〜請求項6のいずれかに記載の電子装置。
7. The electronic device according to claim 1, further comprising an image sensor that operates according to an output signal output from the shift register.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007151092A (en) * 2005-10-18 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Shift register, semiconductor device, indicating device, and electronics
JP2007202126A (en) * 2005-12-28 2007-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, and electronic equipment
US7535259B2 (en) 2002-09-25 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
CN101939791A (en) * 2008-02-19 2011-01-05 夏普株式会社 Shift register circuit, display device, and method for driving shift register circuit
US8643400B2 (en) 2005-12-28 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7535259B2 (en) 2002-09-25 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
US8264254B2 (en) 2002-09-25 2012-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
US8432385B2 (en) 2002-09-25 2013-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
JP2007151092A (en) * 2005-10-18 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Shift register, semiconductor device, indicating device, and electronics
US11699497B2 (en) 2005-10-18 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11011244B2 (en) 2005-10-18 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US10311960B2 (en) 2005-10-18 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9646714B2 (en) 2005-10-18 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9396676B2 (en) 2005-12-28 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device
US9177667B2 (en) 2005-12-28 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9984640B2 (en) 2005-12-28 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device
US8643400B2 (en) 2005-12-28 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
JP2007202126A (en) * 2005-12-28 2007-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, and electronic equipment
CN101939791A (en) * 2008-02-19 2011-01-05 夏普株式会社 Shift register circuit, display device, and method for driving shift register circuit

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