JP2001337344A - 液晶基板の製造方法並びに液晶基板、液晶装置用基板及び液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向不良のない液晶基板の製造方法並びに液
晶基板、液晶装置用基板及び液晶装置を提供する。 【解決手段】 マザーＴＦＴアレイ基板３００は、液晶
装置用基板１０が複数配置された有効領域と、液晶装置
用基板１０として用いられない非有効領域とを有する。
非有効領域にはＴＥＧ３０２が配置されている。マザー
ＴＦＴアレイ基板３００のラビング処理におけるラビン
グ方向に沿って、ＴＥＧ３０１をラビング終端部に向か
って延長した延長領域３０２が非有効領域となるよう
に、ＴＥＧ３０１が配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置の技術分野
に属し、特にアクティブマトリクスの基板形成の技術分
野に属する。

【０００２】

【従来の技術】液晶装置は、対向基板とＴＦＴアレイ基
板との間に液晶層を挟持して構成され、液晶層に電圧を
印加し液晶分子の光学特性を変化させることにより表示
を行う。対向基板及びＴＦＴアレイ基板それぞれの液晶
層とを接する面上には配向膜が配置されており、これら
配向膜により電圧無印加時の液晶分子の配列が決定され
る。配向膜は、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜
材料の表面に、ラビング布などで所定の方向に擦するラ
ビング処理を施すことにより形成される。ラビング処理
に用いられるラビング布はローラーに巻きつけられた状
態となっており、ラビング布と配向膜とを接触させた状
態で、配向膜上をローラーが回転することによってラビ
ング処理が行われる。

【０００３】この配向膜の形成時におけるラビング処理
の段階では、ラビング処理が施される基板、例えば多面
取りが採用されたマザーＴＦＴアレイ基板は次のような
構成となっている。

【０００４】例えば、マザーＴＦＴアレイ基板は円形状
を有しており、1枚のマザーＴＦＴアレイ基板から複数
個の矩形状の液晶装置用基板が多数個取れるように構成
される。マザーＴＦＴアレイ基板は、後に液晶装置用基
板として使用される複数の液晶装置用基板が配置された
有効領域と、液晶装置用基板として使用されない非有効
領域とから構成される。有効領域には、表示に関与する
スイッチング素子及び画素電極などが配置されている。
一方、非有効領域には、有効領域中に配置されるスイッ
チング素子などの電気特性を測定するためのＴＥＧ（Te
st Element Group）と呼ばれるテストパターンが配置
されている。このＴＥＧは、有効領域中に配置されるス
イッチング素子の製造工程と同じ製造工程で形成され
る。例えば有効領域中に配置されるスイッチング素子と
同じ構造のスイッチング素子や、有効領域中に配置され
るスイッチング素子の設計を異ならせた構造のスイッチ
ング素子がいくつかＴＥＧとして形成される。そして、
このＴＥＧの電気特性を測定することにより、間接的に
有効領域中のスイッチング素子の電気特性を測定するこ
とができる。このような設計パラメータを異ならせたス
イッチング素子パターンからなるＴＥＧでは、ある程度
の形成面積が必要となり、例えば数インチの大きさの液
晶装置基板毎にこのようなＴＥＧを配置することは困難
となる。このため、広い形成面積が必要となるＴＥＧ
は、マザーＴＦＴアレイ基板の非有効領域に配置される
ことが望ましく、１つのＴＥＧで複数個の液晶装置基板
のスイッチング素子の電気特性の測定を兼ねることが望
ましい。

【０００５】また、マザーＴＦＴアレイ基板として円形
状の基板を用いる場合においては、液晶装置用基板の取
り数を増やすため、非有効領域を極力少なくするように
液晶装置用基板の配置が考えられた後、ＴＥＧの配置箇
所が検討される。このような構造においては、マザーＴ
ＦＴアレイ基板を一端部から他端部に向かってラビング
処理する際、ラビング方向に沿って、ＴＥＧを他端部に
向かって延長した延長領域に有効領域が配置される場合
がある。すると、ＴＥＧパターンは、有効領域中に形成
されるスイッチング素子パターンよりも十分大きく形成
されるため、ＴＥＧパターンのパターン形状に影響を受
けて、延長領域の配向が不良となってしまう。このた
め、このような配向処理不良を有する液晶装置用基板を
液晶装置に組み込んだ場合、該表示領域がムラとなり表
示品位の悪い液晶装置が製造されてしまうという問題が
あった。

【０００６】また、基板上の有効領域に形成される膜の
膜厚は、ＴＥＧ形成領域以外の非有効領域に形成される
膜の膜厚よりと異なる。このため有効領域と非有効領域
との境界付近において段差が生じてしまい、この段差部
付近においては、所望のラビング強度とは異なる強度で
ラビング処理が施されてしまう。この結果、同じ１枚の
マザーＴＦＴアレイ基板からラビング強度の異なる液晶
装置用基板が製造されたり、液晶装置用基板の面内での
ラビング強度むらが生じたりしていた。このため、この
ような配向処理不良を有する液晶装置用基板を液晶装置
に組み込んだ場合、表示品位の悪い液晶装置が製造され
てしまうという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題を解決するためになされたものであり、配向不良の
ない表示品質の高い液晶装置を得ることができる液晶基
板及び液晶基板の製造方法並びに液晶装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明は以下のような構成を採用している。

【０００９】本発明の液晶基板の製造方法は、（ａ）液
晶装置用基板となりうる有効領域と該有効領域以外の非
有効領域とを有する基板上の該有効領域内の所定の位置
にスイッチング素子を形成する工程と、（ｂ）前記非有
効領域内の所定の位置に、前記スイッチング素子の電気
的特性を測定する第１テストパターンを形成する工程
と、（ｃ）前記スイッチング素子を覆って前記基板上に
配向膜材料を形成する工程と、（ｄ）前記配向膜材料を
前記基板の一端部から他端部に向かった一方向にラビン
グ処理して配向膜を形成する工程とを具備し、前記一方
向に沿って、前記第１テストパターンを前記他端部に向
かって延長した延長領域に前記有効領域は存在しないこ
とを特徴とする。

【００１０】本発明のこのような構成によれば、ラビン
グ処理方向に沿って、第１テストパターンを他端部に向
かって延長した延長領域に有効領域が存在しない、すな
わち非有効領域に位置するように、第１テストパターン
が配置されているので、第１テストパターンの存在によ
る配向不良が、有効領域に影響することがない。従っ
て、このような液晶基板を用いて製造された液晶装置
は、表示不良がない表示品位の高い液晶装置となる。

【００１１】ここで、液晶基板とは、液晶装置に用いら
れる配向膜が形成された基板のことを指す。液晶基板
は、液晶装置に用いられる液晶装置用基板が複数個一括
して製造できる多面取りが採用された液晶基板でも、単
個取りの液晶基板でもどちらでも良い。多面取りが採用
された液晶基板においては、後に液晶装置用基板として
用いられる領域が有効領域となり、液晶装置用基板とし
て用いられない領域が非有効領域となる。単個取りが採
用された液晶基板においては、液晶装置としたときに表
示に関与する領域が有効領域となり、表示に関与しない
領域が無効領域となる。

【００１２】また、本発明の他の液晶基板の製造方法
は、（ａ）液晶装置用基板となりうる有効領域と該有効
領域以外の非有効領域とを有する基板上の該有効領域の
所定の位置にスイッチング素子を形成する工程と、
（ｂ）前記非有効領域の所定の位置にダミーパターンを
形成する工程と、（ｃ）前記スイッチング素子を覆って
前記基板上に配向膜材料を形成する工程と、（ｄ）前記
配向膜材料を前記基板の一端部から他端部に向かった一
方向にラビング処理して配向膜を形成する工程とを具備
し、前記ダミーパターンは、前記有効領域を挟むように
前記非有効領域に配置され、前記一方向とほぼ平行に配
置されてなることを特徴とする。

【００１３】本発明のこのような構成によれば、有効領
域を挟むように、非有効領域にダミーパターンが配置さ
れるので、有効領域とダミーパターンが形成された非有
効領域とでは、ほぼ同じ厚みに膜が形成された状態とな
っている。そして、このような膜厚状態でラビング処理
が行われることにより、有効領域内全面に対して均一な
ラビング圧にてラビング処理が施されることになり、有
効領域内での配向むらがないという効果が得られる。従
って、このような液晶基板を用いて製造された液晶装置
は、表示むらがなく、表示品位の高いものとなる。

【００１４】ここで、液晶基板とは、液晶装置に用いら
れる配向膜が形成された基板のことを指す。液晶基板
は、液晶装置に用いられる液晶装置用基板が複数個一括
して製造できる多面取りが採用された液晶基板でも、単
個取りの液晶基板でもどちらでも良い。多面取りが採用
された液晶基板においては、後に液晶装置用基板として
用いられる領域が有効領域となり、液晶装置用基板とし
て用いられない領域が非有効領域となる。単個取りが採
用された液晶基板においては、液晶装置としたときに表
示に関与する領域が有効領域となり、表示に関与しない
領域が無効領域となる。

【００１５】また、前記ダミーパターンは、前記スイッ
チング素子と同じ構造のパターンを有することを特徴と
する。このような構成とすることにより、有効領域とダ
ミーパターンが形成された非有効領域とは同じ厚みに膜
が形成された状態となる。従って、より確実に有効領域
と非有効領域との境界付近におけるラビング圧の変化を
防止することができ、有効領域内全面に対してより確実
に均一なラビング圧にてラビング処理が施されることに
なる。

【００１６】また、前記ダミーパターンは前記スイッチ
ング素子の電気的特性を測定する第１テストパターンを
有することを特徴とする。このように、ダミーパターン
と第１テストパターンとを兼ねることができる。ダミー
パターンは有効領域を挟むように配置されるため、ラビ
ング処理方向に沿って、ダミーパターンを他端部に向か
って延長した延長領域は非有効領域に位置する。従っ
て、第１テストパターンを兼ねるダミーパターンのター
ンの存在による配向不良が、有効領域に影響することは
ない。

【００１７】また、前記有効領域には複数の液晶装置用
基板が配置されてなることを特徴とする。このように１
枚の液晶基板から複数の液晶装置用基板を製造する多面
取りを採用することもできる。

【００１８】また、前記液晶装置用基板には、該液晶装
置用基板に配置されたスイッチング素子の電気的特性を
測定する第２テストパターンが更に配置されてなること
を特徴とする。このような構成によれば、形成面積が小
さくてすむ第２テストパターンを有効領域の液晶装置用
基板に配置し、大きい形成面積が必要な第１テストパタ
ーンを液晶基板の非有効領域に配置することもできる。

【００１９】また、前記（ｄ）工程後、（ｅ）前記基板
を切断することにより、前記複数の液晶装置用基板をそ
れぞれ分離する工程とを更に具備することを特徴とす
る。このように、液晶基板として多面取りを採用するこ
とができ、一括して複数の液晶装置用基板を製造できる
ため、生産効率が良いという効果がある。また、非有効
領域に第１テストパターンが配置される構造をとる場合
においては、同一液晶基板上に配置される液晶装置用基
板それぞれのスイッチング素子の電気特性を第１テスト
パターンにより一括して測定できる。このため、１つの
液晶装置用基板毎に第１テストパターンを形成する必要
がないので、テストパターンの形成面積を小さくするこ
とができ、基板の利用効率が高まる。

【００２０】本発明の液晶基板は、上述に記載の液晶基
板の製造方法により製造されることを特徴とする。この
ような構成によれば、配向不良のない液晶基板が得られ
る。

【００２１】本発明の他の液晶基板は、液晶装置用基板
となりうる有効領域と該有功領域以外の非有効領域とを
有する基板と、前記有効領域の所定の位置に配置された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆って前
記基板上に配置され、前記基板の一端部から他端部に向
かった一方向にラビング処理された配向膜と、前記非有
効領域の所定の位置に配置された前記スイッチング素子
の電気的特性を測定する第１テストパターンとを具備
し、前記一方向に沿って前記第１テストパターンを前記
他端部に向かって延長した延長領域に前記有効領域が存
在しないことを特徴とする。

【００２２】本発明のこのような構成によれば、ラビン
グ処理方向に沿って、第１テストパターンを他端部に向
かって延長した延長領域が有効領域に存在しない、すな
わち非有効領域に位置するように、第１テストパターン
が配置されているので、第１テストパターンの存在によ
る配向不良が、有効領域に影響することがない。従っ
て、このような液晶基板を用いて製造された液晶装置
は、表示不良がない表示品位の高い液晶装置となる。

【００２３】ここで、液晶基板とは、液晶装置に用いら
れる配向膜が形成された基板のことを指す。液晶基板
は、液晶装置に用いられる液晶装置用基板が複数個一括
して製造できる多面取りが採用された液晶基板でも、単
個取複数個一括して製造できる多面取りが採用された液
晶基板でも、単個取りの液晶基板でもどちらでも良い。
多面取りが採用された液晶基板においては、後に液晶装
置用基板として用いられる領域が有効領域となり、液晶
装置用基板として用いられない領域が非有効領域とな
る。単個取りが採用された液晶基板においては、液晶装
置としたときに表示に関与する領域が有効領域となり、
表示に関与しない領域が無効領域となる。

【００２４】本発明のさらに他の液晶基板は、液晶装置
用基板となりうる有効領域と該有功領域以外の非有効領
域とを有する基板と、前記有効領域に配置されたパター
ンと、前記パターンを覆って前記基板上に配置され、前
記基板の一端部から他端部に向かった一方向にラビング
処理された配向膜と、前記一方向とほぼ平行に、前記有
効領域を挟むように前記非有効領域内に配置されたダミ
ーパターンとを具備することを特徴とする。

【００２５】本発明のこのような構成によれば、有効領
域を挟むように、非有効領域にダミーパターンが配置さ
れるので、有効領域とダミーパターンが形成された非有
効領域とでは、ほぼ同じ厚みに膜が形成された状態とな
っている。そして、このような膜厚状態でラビング処理
が行われることにより、有効領域内全面に対して均一な
ラビング圧にてラビング処理が施されることになり、有
効領域内での配向むらがないという効果が得られる。従
って、このような液晶基板を用いて製造された液晶装置
は、表示むらがなく、表示品位の高いものとなる。

【００２６】ここで、液晶基板とは、液晶装置に用いら
れる配向膜が形成された基板のことを指す。液晶基板
は、液晶装置に用いられる液晶装置用基板が複数個一括
して製造できる多面取りが採用された液晶基板でも、単
個取りの液晶基板でもどちらでも良い。多面取りが採用
された液晶基板においては、後に液晶装置用基板として
用いられる領域が有効領域となり、液晶装置用基板とし
て用いられない領域が非有効領域となる。単個取りが採
用された液晶基板においては、液晶装置としたときに表
示に関与する領域が有効領域となり、表示に関与しない
領域が無効領域となる。

【００２７】また、前記ダミーパターンは、前記パター
ンと同じパターンを有することを特徴とする。このよう
な構成とすることにより、有効領域とダミーパターンが
形成された非有効領域とは同じ厚みに膜が形成された状
態となる。従って、より確実に有効領域と非有効領域と
の境界付近におけるラビング圧の変化を防止することが
でき、有効領域内全面に対してより確実に均一なラビン
グ圧にてラビング処理が施されることになる。

【００２８】また、前記パターンはスイッチング素子を
有し、前記ダミーパターンは前記スイッチング素子の電
気的特性を測定する第１テストパターンを有することを
特徴とする。このように、ダミーパターンと第１テスト
パターンとを兼ねることができる。ダミーパターンは有
効領域を挟むように配置されるため、ラビング処理方向
に沿って、ダミーパターンを他端部に向かって延長した
延長領域は非有効領域に位置する。従って、第１テスト
パターンを兼ねるダミーパターンのターンの存在による
配向不良が、有効領域に影響することはない。

【００２９】また、前記有効領域には複数の液晶装置用
基板が配置さてなることを特徴とする。このように１枚
の液晶基板から複数の液晶装置用基板を製造する多面取
りを採用することもできる。

【００３０】また、前記液晶装置用基板には、該液晶装
置用基板に配置されたスイッチング素子の電気的特性を
測定する第２テストパターンが更に配置されてなること
を特徴とする。このような構成によれば、形成面積が小
さくてすむ第２テストパターンを有効領域の液晶装置用
基板に配置し、大きい形成面積が必要な第１テストパタ
ーンを液晶基板の非有効領域に配置することもできる。

【００３１】本発明の液晶装置用基板は、上述に記載の
液晶基板が、各前記複数の液晶装置用基板毎に切断分離
されて製造されたことを特徴とする。

【００３２】また、本発明の他の液晶装置用基板は、上
述の液晶基板の製造方法に記載の（ｅ）工程により各前
記液晶装置用基板毎に切断分離されて製造されたことを
特徴とする。

【００３３】本発明の液晶装置は、上述に記載の液晶基
板を具備することを特徴とする。このような構成によれ
ば表示不良のない表示品位の高い液晶装置を得ることが
できる。

【００３４】また、本発明の他の液晶装置は、上述に記
載の液晶装置用基板を具備することを特徴とする。この
ような構成によれば表示不良のない表示品位の高い液晶
装置を得ることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００３６】まず、本発明における液晶装置用基板とし
てのＴＦＴアレイ基板が組み込まれた液晶装置の構造に
ついて、図１〜図４、図６を用いて説明する。

【００３７】（液晶装置の構造）図１は、ＴＦＴアレイ
基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板２０の側から見た平面図であり、図２は、対向基板２
０を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図である。図３は、
液晶装置用基板としてのＴＦＴアレイ基板の表示領域を
説明する平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ’断面図
であり、ＴＦＴアレイ基板の表示領域の縦断面図であ
る。図６は、ＴＦＴアレイ基板の全体構造を示す概略平
面図である。尚、各図においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を適宜設定している。

【００３８】図２に示すように、液晶装置２００は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置され、
両基板間に液晶層５０が挟持されて構成される。ＴＦＴ
アレイ基板１０は、石英基板上に複数のスイッチング素
子としての薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０及び
各ＴＦＴ３０毎に接続された複数の画素電極（図示せ
ず）が配置されて構成され、対向基板２０は、石英基板
上に対向電極が配置されて構成される。ＴＦＴアレイ基
板１０及び対向基板２０には、それぞれ、液晶層５０と
接する側に液晶層の初期配向状態を決定するポリイミド
からなる配向膜（後述する）が形成されている。尚、表
示領域における液晶装置の詳細な断面構造については図
４を用いて後に説明する。

【００３９】図１において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、基板の外周部に沿って液晶注入口５２ａを除く矩
形状に形成されたシール材５２が設けられており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２に
より接着固定されている。対向基板上にはシール材５２
の内側に並行して額縁状の額縁遮光層５３が設けられて
いる。液晶が注入される液晶注入口５２ａは封止材５４
により封止されている。前述した液晶は、ＴＦＴアレイ
基板１０、対向基板２０、シール材５２及び封止材５４
により形成された領域内に保持される。

【００４０】シール材５２の内側の領域は表示領域２０
１が含まれる。ＴＦＴアレイ基板１０の表示領域には、
互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線が配置
され、これら交差部毎に配置されたＴＦＴ及び各ＴＦＴ
毎に接続された画素電極とが配置されている。一方、対
向基板２０の表示領域には、ＴＦＴアレイ基板上に形成
される走査線及びデータ線に対応したマトリクス状の遮
光層２３が配置されている。尚、表示領域に配置される
配線や電極、遮光層などの構成については、図３及び図
４を用いて後に説明する。

【００４１】シール材５２の外側の領域には、データ線
駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２ａか
らなる接続端子群１０２が、複数ＴＦＴアレイ基板１０
の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
本実施形態においては、これらの各駆動回路は表示領域
２０１中のスイッチング素子と同時形成され、駆動回路
は例えばｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとか
らなる相補型トランジスタを有する。更に、図６にも示
すように、接続端子群１０２を挟むように、第２テスト
パターンとしてのｐ型チャネル用ＴＥＧ２１０及びｎ型
チャネル用ＴＥＧ２１１とが配置されている。これらＴ
ＥＧ２１０及び２１１は、この相補型トランジスタの電
気的特性を測定するためのテストパターンである。具体
的には、ＴＥＧ２１０及び２１１は、駆動回路中のｐチ
ャネル型ＴＦＴ、ｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれを構成
する絶縁膜や導電膜自体の電気特性やコンタクト抵抗を
測定するためのパターンなどを有する。

【００４２】走査線と走査線駆動回路１０４とは電気的
に接続し、走査線駆動回路１０４から走査線に対して走
査信号が供給される。またデータ線とデータ線駆動回路
１０１とは電気的に接続し、データ線駆動回路１０４か
らデータ線に対して画像信号が供給される。走査線駆動
回路１０４及びデータ線駆動回路１０１はそれぞれ外部
回路接続端子１０２と電気的に接続し、外部回路接続端
子１０２からはクロック信号や電源などが供給される。
更に、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通
をとるための導通材１０６が設けられている。

【００４３】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
の表示領域には、互いに交差する複数の走査線３と複数
のデータ線６とが配置され、各交差部ごとにはＴＦＴ３
０が配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層１と、後
述するゲート絶縁膜と、半導体層１の後述するチャネル
領域に対応したゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極
３ａとから構成される。走査線３は、半導体層１のチャ
ネル領域と平面的に重なり合う分岐部を有し、この分岐
部がＴＦＴ３０のゲート電極３ａとして機能する。

【００４４】図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば石英からなる基板６０上に、半導体層１が配
置され、この半導体層１を覆うようにゲート絶縁膜２が
配置され、ゲート絶縁膜２上に走査線３及びゲート電極
３ａが配置されている。半導体層１は、チャネル領域１
ａと、このチャネル領域１ａを挟むように配置されたソ
ース領域１ｂとドレイン領域１ｃとからなる。更に、走
査線３及びゲート電極３ａを覆ってゲート絶縁膜２上に
第１層間絶縁膜４が配置され、第１層間絶縁膜４上にデ
ータ線６が配置される。データ線６は、ゲート絶縁膜２
及び第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５
により、半導体１のソース領域１ｂと電気的に接続され
る。データ線６を覆うように第１層間絶縁膜４上には第
２層間絶縁膜７が配置され、第２層間絶縁膜７上には画
素電極９が配置される。画素電極９は、ゲート絶縁膜
２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７に形成され
たコンタクトホール８により、半導体層１のドレイン領
域１ｃと電気的に接続される。更に、画素電極９を覆っ
て第２層間絶縁膜７上には、配向膜材料としてのポリイ
ミド膜を配向処理してなる配向膜１６が配置されてい
る。

【００４５】一方、対向基板２０は、ガラスなどの基板
７０上に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された走査線
３及びデータ線６に対応してマトリクス状に遮光層２３
が配置され、表示領域の周縁部には額縁状の額縁遮光層
が配置される。更に遮光層２３及び額縁遮光層を覆って
基板７０上に、対向電極２１、配向膜材料としてのポリ
イミド膜を配向処理してなる配向膜２２が順次積層され
ている。

【００４６】（第１実施形態における液晶装置の製造方
法）以上のような構成を持つ液晶装置の製造方法につい
て以下に説明する。

【００４７】まず、はじめにＴＦＴアレイ基板の製造方
法について図５及び図６を用いて説明する。本実施形態
のＴＦＴアレイ基板の製造においては、多面取りを採用
している。

【００４８】まず、図５に示すような石英からなる円形
状の液晶基板としてのマザーＴＦＴアレイ基板３００を
用意する。本実施形態においては、１枚のマザーＴＦＴ
アレイ基板３００から複数個の矩形状の液晶装置用基板
１０を製造することができる。図５中、マザーＴＦＴア
レイ基板３００は、後に液晶装置用基板として用いられ
る有効領域と、液晶装置用基板として用いられない非有
効領域とから構成される。

【００４９】次に、公知の技術にて、図３及び図４に示
すＴＦＴアレイ基板１０の構造の配向膜１６が形成され
る前までの構造を有するように、マザーＴＦＴアレイ基
板３００の有効領域中に、走査線３、データ線６、スイ
ッチング素子３０、画素電極９ａを形成する。更に、マ
ザーＴＦＴアレイ基板３００の有効領域中に、走査線駆
動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１などの周辺回
路領域を形成する。

【００５０】また、表示領域の素子の形成と同時に、非
有効領域に第１テストパターンとしてのＴＥＧ３０１を
形成する。このＴＥＧ３０１は、有効領域中に配置され
る表示領域及び周辺回路領域のスイッチング素子と同じ
構造のスイッチング素子と、有効領域中に配置されるス
イッチング素子の設計パラメータを異ならせた構造のス
イッチング素子とから構成される。そして、このＴＥＧ
の電気特性を測定することにより、間接的に有効領域中
に形成されるスイッチング素子の電気特性を測定するこ
とができる。尚、スイッチング素子としてＬＤＤ構造を
有するスイッチング素子を用いる場合、ＴＥＧ３０１
は、有効領域中に配置されるスイッチング素子の半導体
層のＬＤＤ領域の幅を異ならせた構造のスイッチング素
子がいくつか形成されることになる。後に行われるラビ
ング処理方向に沿って、ＴＥＧ３０１をラビング終端部
に向かって延長した延長領域３０２が非有効領域となる
ように、ＴＥＧ３０１は配置される。

【００５１】次に、マザーＴＦＴアレイ基板３００上
に、ポリイミドからなる配向膜材料を塗布する。その
後、図示しないラビング布が巻きつけられたラビングロ
ールを、ラビング布と配向膜を接触させた状態で、図５
に示す矢印の一方向に沿って、基板の一端部から他端部
に向かって移動させ、ポリイミド膜に対しラビング処理
を施して配向膜を形成する。ここで、基板の一端部はラ
ビングの開始部に相当し、他端部はラビング終端部に相
当する。このラビング工程においては、上述の通り、ラ
ビング処理方向に沿って、ＴＥＧ３０１をラビング終端
部に向かって延長した延長領域３０２が、非有効領域と
なるように、ＴＥＧ３０１は配置されているので、ＴＥ
Ｇ３０１の存在による配向不良は延長領域３０２のみに
現れ、有効領域に影響することがない。

【００５２】以上の工程により、図５に示すような複数
の液晶装置用基板１０とＴＥＧ３０２が配置されたマザ
ーＴＦＴアレイ基板３００が形成される。

【００５３】次に、公知の技術により、図４に示すごと
く対向基板２０を形成する。ここで、対向基板２０の製
造工程において、対向基板２０上に形成される対向電極
２１の電気特性を測定するためのテストパターンを、対
向電極２１の形成と同時に、表示領域外に形成しても良
い。この場合には、上述のマザーＴＦＴアレイ基板３０
０のラビング処理と同様に、ラビング処理方向に沿っ
て、テストパターンをラビング終端部に向かって延長し
た延長領域が非表示領域となるように、テストパターン
を配置すれば良い。これにより、テストパターンの存在
による配向不良が表示領域中に発生することを防止する
ことができる。

【００５４】次に、上述のマザーＴＦＴアレイ基板３０
０に配置される液晶装置用基板１０それぞれに液晶注入
口を除く矩形状にシール材を塗布した後、対向基板２０
を配置し、液晶装置用基板１０と対向基板２０とを接着
する。その後、注入口から液晶を注入し、封止材により
注入口を封止する。次に、マザーＴＦＴアレイ基板を各
液晶装置用基板毎に切断分離し、複数の液晶装置が得ら
れる。このように製造された液晶装置は、表示不良がな
く、表示品位の高い液晶装置となる。

【００５５】また、本実施形態において、ＴＥＧは、マ
ザーＴＦＴアレイ基板の周縁部付近に配置されている
が、図７に示すように、マザーＴＦＴアレイ基板３１０
に配置される異なる液晶装置用基板１０間に位置するよ
うに配置することもできる。この場合、ラビング処理方
向に沿って、ＴＥＧ３１１をラビング終端部に向かって
延長した延長領域３１２が非有効領域となるように、Ｔ
ＥＧ３１１が配置されさえすれば良い。これにより、Ｔ
ＥＧによる配向不良が有効領域に発生することを防止す
ることができる。更に、延長領域３１２が非有効領域と
なるようにＴＥＧ３１２を配置するという条件さえ満た
せば、マザーＴＦＴアレイ基板の大きさや液晶装置用基
板の大きさ及び配置の仕方を適宜設定することにより、
液晶装置用基板の取り数を増やすことも可能となり、マ
ザーＴＦＴアレイ基板を有効利用することができる。

【００５６】また、本実施形態においては、マザーＴＦ
Ｔアレイ基板として円形状の基板を用いたが、図８に示
すような矩形状の基板を用いることもできる。この場
合、ラビング処理方向に沿って、ＴＥＧ３２１をラビン
グ終端部に向かって延長した延長領域３２２が非有効領
域となるように、ＴＥＧ３２１が配置されさえすれば良
い。これにより、ＴＥＧによる配向不良が有効領域に発
生することを防止することができる。

【００５７】また、本実施形態においては、多面取りの
場合を例に挙げたが、単個の液晶基板にも適用できるこ
とは言うまでもない。この場合、液晶基板の表示に関与
する表示領域及び駆動回路領域が有効領域となり、これ
らの領域のほぼ外周部付近に相当する表示に関与しない
領域が非有効領域となる。

【００５８】（第２実施形態における液晶装置の製造方
法）本実施形態は、マザーＴＦＴアレイ基板の構造が異
なる点のみが第1実施形態と異なり、異なる点について
のみ図９を用いて説明する。

【００５９】本実施形態では、マザーＴＦＴアレイ基板
３３０の非有効領域にダミーパターン３３１が配置され
ている点で、第１実施形態と異なる。

【００６０】図９に示すように、マザーＴＦＴアレイ基
板３３０は、複数の液晶装置基板１０が配置される有効
領域と、液晶装置基板とならない非有効領域とを有す
る。非有効領域には、ラビング方向とほぼ平行に、有効
領域を挟みこむようにダミーパターン３３１が配置され
ている。図において、図示されている矢印がラビング方
向を表しており、図の通り、ラビング方向は、基板３３
０の一端部から他端部に向かった一方向となる。ダミー
パターンは、有効領域中に形成されるパターンと同じパ
ターン、すなわち図４に示すごとくスイッチング素子及
び画素電極と同じ構造のパターンが形成されている。従
って、有効領域とダミーパターンが形成された非有効領
域とでは、ほぼ同じ厚みに膜が形成された状態となって
いる。本実施形態においては、このような膜厚状態でラ
ビング処理が行われるため、有効領域内全面に対して均
一なラビング圧にてラビング処理が施されることにな
る。従って、有効領域内ではラビング処理の配向処理む
らがなくなる。このようなマザーＴＦＴアレイ基板が切
断分離されて製造された液晶装置用基板が組み込まれた
液晶装置は、表示むらがなく、表示品位の高い液晶装置
となる。

【００６１】ここで、図１０を用いて、ダミーパターン
３３１が配置される場合とされない場合におけるラビン
グ処理時の違いを説明する。図１０は、ラビング処理時
を示す図であり、ラビング布が表面に巻きつけられたラ
ビングロール４００が、ラビング布と配向膜（図示せ
ず）とが接するように配置された状態である。図１０
（ａ）はダミーパターン３３１が配置されている本実施
形態を示し、図１０（ｂ）はダミーパターンが配置され
ていない状態を示すものであり、図９のＢ−Ｂ’断面に
相当する。

【００６２】図１０（ｂ）に示すように、ダミーパター
ンが配置されない場合、液晶基板５００に配置される複
数の液晶装置基板５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃ（二重
斜線部分）は、それぞれの基板に施されるラビング強度
が異なってしまう。すなわち、液晶装置基板５１０ａの
端面領域Ｃ及び液晶装置基板５１０ｃの端面領域Ｃ’に
施されるラビング強度と、液晶装置基板５１０ｂの中央
部領域Ｄに施されるラビング強度とが、異なってしま
う。これは、図に示すように、非有効領域と有効領域と
は基板５００上に形成される膜の膜厚が異なるため、非
有効領域と有効領域との間で段差が生じてしまい、この
段差部分でラビングロール４００の基板５００に対する
ラビング圧が所望のラビング圧と異なってしまうため
に、発生する。このような状態でラビング処理されて形
成された液晶装置基板５１０ａ及び５１０ｃは、基板面
内で配向が不均一となり、液晶装置としたときに表示む
らとなってしまう。

【００６３】これに対し、本実施形態においては、図１
０（ａ）に示すように、有効領域のパターンの厚みとほ
ぼ同じ厚みを有するダミーパターン３３１が非有効領域
に配置されているため、有効領域内のラビング圧を均一
にすることができる。従って、各液晶装置基板１０（二
重斜線部分）は面内で均一な配向処理が施されたことに
なり、このような液晶装置基板を組み込んだ液晶装置は
基板面内での表示むらがない。

【００６４】また、本実施形態においては、マザーＴＦ
Ｔアレイ基板として円形状の基板を用いたが、図１１に
示すような矩形状のマザーＴＦＴアレイ基板３４０を用
いることもできる。この場合、ダミーパターン３４１
は、ラビング方向とほぼ平行に、マザーＴＦＴアレイ基
板３３０の有効領域を挟みこむように配置される。

【００６５】また、本実施形態においては、多面取りの
場合を例に挙げたが、単個の液晶基板にも適用できるこ
とは言うまでもない。この場合、液晶基板の表示に関与
する表示領域及び駆動回路領域が有効領域となり、これ
らの領域のほぼ外周部付近に相当する表示に関与しない
領域が非有効領域となる。

【００６６】（第３実施形態における液晶装置の製造方
法）第１実施形態では非有効領域にＴＥＧを配置し、第
２実施形態では非有効領域にダミーパターンを配置して
いる。しかし、非有効領域に配置されるパターンが、Ｔ
ＥＧとダミーパターンとを兼ねることもできる。例え
ば、第２実施形態に記載したダミーパターン３３１とし
て、第１実施形態に記載したＴＥＧの構造を用いても良
い。第２実施形態を説明するために用いた図９に示すよ
うに、ラビング処理方向に沿って、ダミーパターン３３
１をラビング終端部に向かって延長した延長領域が非有
効領域となるように、ダミーパターン３３１が配置され
ている。従って、ダミーパターン３３１として第１実施
形態に示すＴＥＧパターンを用いたとしても、ＴＥＧと
してのダミーパターン３３１の存在による配向不良が有
効領域に影響することがない。

【００６７】また、図１２に示すように、第１実施形態
におけるＴＥＧと第２実施形態におけるダミーパターン
とを混在させた構造とすることもできる。すなわち、マ
ザーＴＦＴアレイ基板３５０上に、第２実施形態におけ
るダミーパターンの機能を有するダミーパターン３５２
を有効領域の一部を挟むように配置し、第１実施形態に
おけるＴＥＧの機能を有するＴＥＧ３５１を配置するこ
ともできる。この場合、ＴＥＧ３５１は、ダミーパター
ン３５２だけでは補償しきれない液晶装置基板を補償
し、ダミーパターンとしての機能をも有する。また、ダ
ミーパターン３５２にＴＥＧパターンを用いることもで
きる。ＴＥＧパターンとして用いる場合には、ラビング
処理方向に沿って、パターン３５１及び３５２をラビン
グ終端部に向かって延長した延長領域３５３及び３５４
が非有効領域となるように、パターン３５１及び３５２
が配置されれば良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板の側から見た平面図である。

【図２】対向基板を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図で
ある。

【図３】液晶装置用基板としてのＴＦＴアレイ基板の表
示領域の平面図である。

【図４】図３のＡ−Ａ’断面図に相当し、液晶装置とし
た時の表示領域の縦断面図である。

【図５】第１実施形態におけるマザーＴＦＴアレイ基板
の平面図である。

【図６】ＴＦＴアレイ基板の全体構造を示す概略平面図
である。

【図７】第１実施形態における他のマザーＴＦＴアレイ
基板の平面図である。

【図８】第１実施形態における更に他のマザーＴＦＴア
レイ基板の平面図である。

【図９】第２実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の平面
図である。

【図１０】ラビング処理時におけるＴＦＴアレイ基板と
ラビングロールとの位置関係を示す図であり、図９のＢ
−Ｂ’に相当する断面図である。ＴＦＴアレイ基板とし
て、図１０（ａ）はダミーパターンが配置されたＴＦＴ
アレイ基板を、図１０（ｂ）はダミーパターンが配置さ
れないＴＦＴアレイ基板を用いた場合の図である。

【図１１】第２実施形態における他のマザーＴＦＴアレ
イ基板の平面図である。

【図１２】第３実施形態におけるマザーＴＦＴアレイ基
板の平面図である。

【符号の説明】

１６、２２…配向膜 １０…ＴＦＴアレイ基板 ２０…対向基板 ３０…ＴＦＴ ２００…液晶装置 ２０１…表示領域 ２１０…ｐ型チャネル用ＴＥＧ ２１１…ｎ型チャネル用ＴＥＧ ３００、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、５
００…マザーＴＦＴアレイ基板 ３０１、３１１、３２１、３５１、３５２…ＴＥＧ ３０２、３１２、３２２、３５３、３５４…延長領域 ３３１、３４１…ダミーパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 HA01 HA03 HA08 2H090 HB08Y JC13 LA04 MA06 MB01 2H092 GA29 JA24 JA37 JA46 JB22 JB31 JB51 NA01 NA25 PA01 PA02 5C094 AA03 AA42 AA43 AA46 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 DA13 DB01 DB04 EA01 EA03 EA04 EA06 EB05 ED20 FA01 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GB10

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）液晶装置用基板となりうる有効領
   域と該有効領域以外の非有効領域とを有する基板上の該
   有効領域内の所定の位置にスイッチング素子を形成する
   工程と、 （ｂ）前記非有効領域内の所定の位置に、前記スイッチ
   ング素子の電気的特性を測定する第１テストパターンを
   形成する工程と、 （ｃ）前記スイッチング素子を覆って前記基板上に配向
   膜材料を形成する工程と、 （ｄ）前記配向膜材料を前記基板の一端部から他端部に
   向かった一方向にラビング処理して配向膜を形成する工
   程とを具備し、 前記一方向に沿って、前記第１テストパターンを前記他
   端部に向かって延長した延長領域に前記有効領域は存在
   しないことを特徴とする液晶基板の製造方法。
2. 【請求項２】 （ａ）液晶装置用基板となりうる有効領
   域と該有効領域以外の非有効領域とを有する基板上の該
   有効領域の所定の位置にスイッチング素子を形成する工
   程と、 （ｂ）前記非有効領域の所定の位置にダミーパターンを
   形成する工程と、 （ｃ）前記スイッチング素子を覆って前記基板上に配向
   膜材料を形成する工程と、 （ｄ）前記配向膜材料を前記基板の一端部から他端部に
   向かった一方向にラビング処理して配向膜を形成する工
   程とを具備し、 前記ダミーパターンは、前記有効領域を挟むように前記
   非有効領域に配置され、前記一方向とほぼ平行に配置さ
   れてなることを特徴とする液晶基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記ダミーパターンは、前記スイッチン
   グ素子と同じ構造のパターンを有することを特徴とする
   請求項２に記載の液晶基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ダミーパターンは前記スイッチング
   素子の電気的特性を測定する第１テストパターンを有す
   ることを特徴とする請求項３に記載の液晶基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記有効領域には、複数の液晶装置用基
   板が配置されてなることを特徴とする請求項１から請求
   項４のいずれか一項に記載の液晶基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記液晶装置用基板には、該液晶装置用
   基板に配置されたスイッチング素子の電気的特性を測定
   する第２テストパターンが更に配置されてなることを特
   徴とする請求項５に記載の液晶基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記（ｄ）工程後、 （ｅ）前記基板を切断することにより、前記複数の液晶
   装置用基板をそれぞれ分離する工程とを更に具備するこ
   とを特徴とする請求項５または請求項６に記載の液晶基
   板の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項４のいずれか一項に
   記載の液晶基板の製造方法により製造されることを特徴
   とする液晶基板。
9. 【請求項９】 液晶装置用基板となりうる有効領域と該
   有功領域以外の非有効領域とを有する基板と、 前記有効領域の所定の位置に配置されたスイッチング素
   子と、 前記スイッチング素子を覆って前記基板上に配置され、
   前記基板の一端部から他端部に向かった一方向にラビン
   グ処理された配向膜と、 前記非有効領域の所定の位置に配置された前記スイッチ
   ング素子の電気的特性を測定する第１テストパターンと
   を具備し、 前記一方向に沿って前記第１テストパターンを前記他端
   部に向かって延長した延長領域に前記有効領域が存在し
   ないことを特徴とする液晶基板。
10. 【請求項１０】 液晶装置用基板となりうる有効領域と
    該有功領域以外の非有効領域とを有する基板と、 前記有効領域に配置されたパターンと、 前記パターンを覆って前記基板上に配置され、前記基板
    の一端部から他端部に向かった一方向にラビング処理さ
    れた配向膜と、 前記一方向とほぼ平行に、前記有効領域を挟むように前
    記非有効領域内に配置されたダミーパターンとを具備す
    ることを特徴とする液晶基板。
11. 【請求項１１】 前記ダミーパターンは、前記パターン
    と同じパターンを有することを特徴とする請求項１０に
    記載の液晶基板。
12. 【請求項１２】 前記パターンはスイッチング素子を有
    し、 前記ダミーパターンは前記スイッチング素子の電気的特
    性を測定する第１テストパターンを有することを特徴と
    する請求項１０または請求項１１に記載の液晶基板。
13. 【請求項１３】 前記有効領域には複数の液晶装置用基
    板が配置さてなることを特徴とする請求項９から請求項
    １２のいずれか一項に記載の液晶基板。
14. 【請求項１４】 前記液晶装置用基板には、該液晶装置
    用基板に配置されたスイッチング素子の電気的特性を測
    定する第２テストパターンが更に配置されてなることを
    特徴とする請求項１３に記載の液晶基板。
15. 【請求項１５】 請求項１３または請求項１４に記載の
    液晶基板が、各前記複数の液晶装置用基板毎に切断分離
    されて製造されたことを特徴とする液晶装置用基板。
16. 【請求項１６】 請求項７に記載の（ｅ）工程により各
    前記液晶装置用基板毎に切断分離されて製造されたこと
    を特徴とする液晶装置用基板。
17. 【請求項１７】 請求項８から請求項１２のいずれか一
    項に記載の液晶基板を具備することを特徴とする液晶装
    置。
18. 【請求項１８】 請求項１５または請求項１６に記載の
    液晶装置用基板を具備することを特徴とする液晶装置。