JP2001337324A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射電極に入射する光の成分を均等にできる
ようにし、これにより、投射光における混色を抑制し、
コントラストを良好にすると共に、画素開口率の良好な
反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の基板１１と、第１の基板１１に対
向配置した透明な第２の基板２８と、第１の基板１１と
第２の基板２８の間に封止した液晶層２７と、第１の基
板１１上に画素に対応してマトリクス状に形成した複数
のスイッチング素子４Ｒ、４Ｇ，４Ｂと、スイッチング
素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに対応して、スイッチング素子４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂ上に絶縁膜２９Ｒを介して形成し、スイ
ッチング素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂと電気的に接続する反射
電極６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂとを有する反射型液晶表示
装置であり、反射電極６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂのスイッ
チング素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの高さをそれぞれ異な
らせ、反射電極６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの水平方向の間
隔を縮小して形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置及びその製造方法に係り、特に画素間の混色を抑制
し、コントラストを向上することのできるとともに、光
利用率を向上することのできる画素反射電極の構造に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、屋外公衆用や管制業務用のディス
プレイ、またハイビジョン等の高精細映像の表示用ディ
スプレイ等用に、映像を大画面に表示するための投射型
表示装置の要望が高まっている。その投射型表示装置に
は大別すると透過方式と反射方式のものがあるが、双方
の方式とも、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ）パネルを用いた空間光変調部を用い、
ＬＣＤパネルに読出し光を入射させ、その入射光を映像
信号に対応させて画素単位で変調することにより投射光
を得るようになっている。

【０００３】ここに、ＬＣＤパネルは、半導体基板に薄
膜トランジスタ等のスイッチング素子とそのスイッチン
グ素子によって電位が制御される画素電極を配列形成し
たアクティブマトリクス基板と、透明基板(ガラス基板
等)に被膜形成された共通電極膜と、前記のアクティブ
マトリクス基板と共通電極膜の間に封止された液晶層か
らなり、共通電極膜と各画素電極の間の電位差を映像信
号に対応させて画素電極毎に変化させ、液晶の配向を制
御することで読出し光を変調するものである。

【０００４】透過方式と反射方式の相違は、前者がアク
ティブマトリクス基板を透明に構成してＬＣＤパネルの
透過光を投射光とするのに対し、後者がアクティブマト
リクス基板の画素電極を反射電極又は誘電体ミラー膜等
を介して液晶の配向を制御するための電極として構成
し、ＬＣＤパネルでの反射光を投射光とする点にある。
一般に、反射方式は、透過方式と比較して、液晶層にブ
ラックストライプを設ける必要がないために液晶セル部
分の開口率が大きく、また読出し光の吸収による発熱が
非常に少ないことから、発光出力が大きい読出し光を照
射して、より明るい映像が得られる。

【０００５】ところで、従来、反射型カラー画像表示装
置では、３原色(Ｒ,Ｇ,Ｂ)に対応した３枚の透過型ＬＣ
Ｄパネルとその各透過光を合成する３色合成光学系を用
いてカラー画像を得ていたが、装置が大型化すると共に
製造コストも高くなるため、ＬＣＤパネルの各色に係る
各透明画素電極をストライプ配列、モザイク配列、又は
デルタ配列とし、その配列に対応させて各色のフィルタ
要素を配列させた単板のカラーフィルタを設けることに
より一つの光学系でカラー投射光を得られるようにした
装置が提案されている。

【０００６】以下、添付図面を参照して、反射型液晶表
示装置の概略構成を説明する。図１は、従来の反射型液
晶表示装置の概略ブロック構成図である。液晶表示装置
１の空間光変調部を構成するＬＣＤ２には、画素３がマ
トリクス状に配置されており、画素３はＭＯＳから構成
されるスイッチングトランジスタ４と保持容量５から構
成されている。図１には、１画素３の等価回路（スイッ
チングトランジスタ４’と保持容量５’）も表示してあ
る。垂直アドレス回路７のゲート線１０からの信号と、
水平アドレス回路６の信号により、特定の１画素３が選
択され，ビデオ線８から入力された映像信号が信号線９
を通し、電荷の形で保持容量５（５’）に書き込まれ
る。

【０００７】図２は、図1に示される１画素分のＬＣＤ
パネルの概略断面構成図である。ＬＣＤ２は、シリコン
基板１１上に構成されたアクティブマトリクス回路３０
（ここでは、１画素３のみ表示）と液晶２７及び対向電
極２８を有している。アクティブマトリクス回路３０に
は、ソース１３、ゲート１４、ドレイン１５からなるス
イッチングトランジスタ４と、ポリシリコン電極１７と
拡散領域６５からなる保持容量５が含まれている。ソー
ス１３に接続するコンタクト１９は、信号線９に接続さ
れており、ドレイン１５に接続するコンタクト１９は保
持容量５の電極１７及び第１ビア２２、第２金属膜２３
及び第２ビアを介して反射電極６０に接続されている。
反射電極６０と対向電極２８の間には、液晶２７が封入
されている。

【０００８】動作時においては、反射電極６０と対向電
極２８間には、映像信号に応じて電位差が発生し、液晶
２７の光学特性を変調する。この結果、読出し光５０
は、画素３毎に変調されて反射電極６０で反射されて、
投射光５５となる。ここでは、光を１００％近く利用で
きる構造となっている。図３は、従来のホログラムカラ
ーフィルターを用いた反射型液晶表示装置の概略断面構
成図である。図４は、図３における反射電極部の拡大部
分断面図である。

【０００９】ここでは、反射型液晶表示装置を模式的に
表示してある。図３において、読出し光５０は、ガラス
基板３１に所定の角度で入射し、ホログラムカラーフィ
ルタ４０（ここでは、各色に対応する、赤（以下、単に
Ｒともいう）用ホログラム４１、緑（以下、単にＧとも
いう）用ホログラム４２、青（以下単に、Ｂともいう）
用ホログラム４３より構成されている）で、Ｒ光、Ｇ
光、Ｂ光が選択的に回折され、各Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光とな
って、対向電極２８、液晶２７を通過し、基板１１上に
形成されているアクティブマトリクス回路部３０の各Ｒ
ＧＢ画素に対応する反射電極２６に入射し反射され、投
射光５５となる。

【００１０】図４に模式的に示すように、シリコン基板
１１上に形成された、スイッチングトランジスタはＲ画
素用、Ｇ画素用、Ｂ画素用のスイッチングトランジスタ
４Ｒ，４Ｇ，４Ｂとなり、層間絶縁膜２４上に形成され
た、これらに対応するＲ画素用、Ｇ画素用、Ｂ画素用の
各反射電極２６Ｒ，２６Ｇ、２６Ｂがコンタクト７０を
通して接続されている。Ｒの読出し光５０ＲはＲ画素用
反射電極２６Ｒに、Ｇの読出し光５０ＧはＧ画素用反射
電極２６Ｇに、Ｂの読出し光５０ＢはＢ画素用反射電極
２６Ｂに、それぞれ入射する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、ホログラムカラーフィルタは、入射光を波長帯域が
異なる複数の光に回折・分光し、その回折・分光された
各波長帯域の光を対応した色画素位置へ選択的に集光さ
せるカラーフィルタである。しかしながら、３層構成の
ホログラムカラーフィルタでは、Ｒ・Ｇ・Ｂに分けられ
た色成分光の集光位置を、同一平面上とすることは難し
い。

【００１２】そのため、従来の反射型液晶表示装置で
は、第４図に示すようにホログラムカラーフィルタから
の光は、Ｇ光５０Ｇが最適になるように、反射電極２６
とホログラムカラーフィルタ４０の間隔を調整する。こ
のとき、Ｒ光５０Ｒはその集光位置より遠い位置で、Ｂ
光５０Ｂはその集光位置より近い位置で、それぞれ反射
電極２６Ｒ，２６Ｂに集光するが、Ｂ光５０Ｂの場合、
画素の反射電極２６Ｂをはみ出して光が入射するので、
隣接する画素５０Ｒ，５０Ｇにおいて、Ｂ光５０Ｂが入
射するため混色をおこすという課題があった。

【００１３】また、従来の反射型液晶表示装置のデバイ
ス構造においては、上述の混色を抑制するためには、基
板に垂直方向から見たとき、隣接する反射電極間には、
所定の間隔が必要であり、その分反射電極の面積を小さ
くする必要があり、画素の開口率が小さくなるという課
題があった。

【００１４】そこで本発明は、上記課題を解決し、反射
型液晶表示装置において、反射電極に入射する光の成分
を均等にできるようにし、これにより、投射光における
混色を抑制し、コントラストを良好にすると共に、画素
開口率の良好な反射型液晶表示装置及びその製造方法を
提供することを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、請求項１に記載の本発明の反射型液晶表
示装置は、第１の基板と、この第１の基板に対向配置し
た透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基
板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素に
対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング素
子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記ス
イッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイッ
チング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反射
型液晶表示装置において、前記反射電極の前記スイッチ
ング素子からの高さをそれぞれ異ならせて形成したこと
を特徴とするものである。

【００１６】また、上記目的を達成するための手段とし
て、請求項４に記載の本発明の反射型液晶表示装置の製
造方法は、第１の基板と、この第１の基板に対向配置し
た透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基
板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素に
対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング素
子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記ス
イッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイッ
チング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反射
型液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜上の所
定領域にフォトレジストを形成し、このフォトレジスト
をマスクとしてエッチングすることにより、前記絶縁膜
の厚さを前記画素毎に変化させたことを特徴とするもの
である。

【００１７】また、上記目的を達成するための手段とし
て、請求項５に記載の本発明の反射型液晶表示装置の製
造方法は、第１の基板と、この第１の基板に対向配置し
た透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基
板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素に
対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング素
子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記ス
イッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイッ
チング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反射
型液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜上に、
前記スイッチング素子と電気的に接続する第１の金属膜
を形成し、前記第１の金属膜上の所定の前記画素に対応
する所定領域にフォトレジストを形成し、このフォトレ
ジストをマスクとしてエッチングし、所定領域以外の前
記第１の金属膜を除去し、しかる後、第２の金属膜を形
成して、所定のエッチングを行うことにより前記画素に
対応する反射電極を形成し、前記所定領域の反射電極と
前記所定領域以外の反射電極との高さを異ならせたこと
を特徴とするものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、好ましい実施例により、添付図面を参照して説明す
る。なお、構成要素には参照符号を付してあるが、従来
例におけるものと同一のものには、同一の符号を付し、
説明の煩雑さを避けて、その説明を省略している。

【００１９】＜実施例１＞図５は、本発明による反射型
液晶表示装置の第１実施例における反射電極部近傍を示
す部分断面図である。図５には示されていない、読出し
光５０、投射光５５、対向電極２８、ホログラムカラー
フィルター４０、ガラス基板３１などは、図３に示され
るものと同様であるので説明を省略する。

【００２０】図５に示すように、例えばシリコン基板１
１上には、ＭＯＳＦＥＴからなるスイッチングトランジ
スタ４Ｒ，４Ｇ、４Ｂ（以下、単にＭＯＳＦＥＴ、スイ
ッチング素子ともいう）が形成されている。スイッチン
グ素子４ＲはＲ光に、スイッチング素子４ＧはＧ光に、
スイッチング素子４ＢはＢ光にそれぞれ対応するもので
ある。

【００２１】これらのスイッチング素子を蔽って、層間
絶縁膜が形成されているが、この膜の厚さは、各色に対
応して異なっており、すなわち、スイッチング素子４Ｒ
に対応する層間絶縁膜１５０Ｒは厚く、スイッチング素
子４Ｇに対応する層間絶縁膜１５０Ｇは中間の厚さであ
り、スイッチング素子４Ｂに対応する層間絶縁膜１５０
Ｂは、薄く形成されており、これらの厚さは、それぞれ
の層間絶縁膜４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ上に形成される反射電極
１５３Ｒ，１５３Ｇ，１５３Ｂに集光する各Ｒ光５０
Ｒ，Ｇ光５０Ｇ，Ｂ光５０Ｂが最適に集光するように設
定されている。従って、各反射電極に入射する光が反射
電極よりはみ出して隣の反射電極に入射することが無
く、投射光の混色を防止することができる。

【００２２】なお、ここで、各層間絶縁膜１５０Ｒ，１
５０Ｇ，１５０Ｂの中には、読出し光がスイッチング素
子４Ｒ，４Ｇ、４Ｂに到達しないように第２金属膜（遮
光層）２３が形成されている。各反射電極１５３Ｒ，１
５３Ｇ，１５３Ｂは、各コンタクト１５２Ｒ，１５２
Ｇ，１５２Ｂを介してそれぞれスイッチング素子４Ｒ，
４Ｇ，４Ｂのドレインに接続されている。反射電極１５
３Ｒ，１５３Ｇ，１５３Ｂ上には、保護絶縁膜１５１が
形成されており、その上面は平坦に研磨されている。こ
の保護絶縁膜１５１と対向電極２８の間に、液晶２７が
封入されている。

【００２３】図６は、本発明による反射型液晶表示装置
の第１実施例における画素部の部分上面図である。ここ
では、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する画素が、周期的に配列され
ており、対応する反射型電極１５３Ｒ，１５３Ｇ，１５
３Ｂは、入射する光が最適になるようにその高さを変え
て配置されている。

【００２４】次に、上記に説明した本発明の反射型液晶
表示装置の製造方法について説明する。 （第１の製造方法）図７は、本発明による反射型液晶表
示装置の第１実施例を得るための製造工程の第１例を示
す概略工程図である。まず、公知の方法により、図７の
（ａ）に示すように、シリコン基板１１上にスイッチン
グ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを作成し、アルミからなる第２
金属膜２３までを公知のように作成し、さらにＳｉＯ₂
からなる５００ｎｍ程度の厚さを有する第３層間絶縁膜
７１を作成する。このとき、ＣＭＰ等を用いて第３層間
絶縁膜７１の表面を研磨して、平坦にしておく。

【００２５】次に、図７の（ｂ）に示すように、ホログ
ラムカラーフィルターの集光焦点が一番長い色に対応す
る画素（この場合、Ｂ光に対応する画素）の第３ビア７
２とアルミからなる５００ｎｍ程度の厚さを有する所定
形状の反射電極７３を形成する。このときＲとＧに対応
する画素の反射電極までを接続するための金属配線も一
緒に形成しておく。このとき、Ｂ用の反射電極７７の幅
は、後に作成する隣接のＧ用とＲ用の反射電極と、基板
１１の垂直方向から見たときオーバラップするような寸
法で配置する。また、Ｇ用及びＲ用の金属配線は遮光膜
を兼ねるように配置する。

【００２６】次に、図７の（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
₂からなる例えば３００ｎｍ程度の厚さを有する第４層
間絶縁膜７４を形成する。このときの第４層間絶縁膜７
４の膜厚は、ホログラムカラーフィルターの集光焦点距
離の１番目と２番目に長い距離の差（すなわち、Ｇ光と
Ｂ光に対する集光焦点距離の差）に設定する。このと
き、ＣＭＰ等を用いて第４層間絶縁膜７４の表面を研磨
し、平坦にしておく。その後、ホログラムカラーフィル
ターの集光焦点が２番目と３番目に長い色に対応する画
素（この場合、ＲとＧに対応する画素）の第４ビア７５
とアルミからなる５００ｎｍ程度の厚さを有する所定形
状の第４金属膜（Ｇ用は反射電極となる）７６を形成す
る。

【００２７】次に、図７の（ｄ）に示すように、例えば
３００ｎｍ程度の厚さを有する第５層間絶縁膜７７を形
成する。このときの第５層間絶縁膜７７の膜厚は、ホロ
グラムカラーフィルターの集光焦点距離の２番目と３番
目に長い距離の差（すなわち、Ｒ光とＧ光に対する集光
焦点距離の差）に設定する。このとき、ＣＭＰ等を用い
て第５層間絶縁膜７７の表面を研磨し、平坦にしてお
く。

【００２８】その後、ホログラムカラーフィルターの集
光焦点が１番短い色に対応する画素（この場合、Ｒに対
応する画素）の第５ビアとアルミからなる５００ｎｍ程
度の厚さを有する所定形状の第５金属膜（反射電極）７
９を形成する。このとき、Ｒ用の反射電極７９の幅は、
隣接のＧ用の反射電極７６とＢ用の反射電極７３と、基
板の垂直方向から見たときオーバラップするような寸法
で配置する。最後にＳｉＯ₂からなる３００ｎｍ程度の
厚さを有する保護絶縁膜８０を形成し、この表面をＣＭ
Ｐ等で研磨して平坦にし、液晶封止前のデバイス構造を
得る。

【００２９】なお、最終的に、ＲＩＥエッチングなどの
異方性エッチングにより、各反射電極上の酸化膜をエッ
チングして除去してもよい。この場合、基板に水平方向
に各反射電極のアルミがオーバラップしているため、酸
化膜の異方性エッチングを行えば、各色の反射電極上の
酸化膜のみ除去できる。このような構造の場合、各色に
対応した反射電極により、液晶に直接電圧を印加するこ
とができる。

【００３０】以上のように、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光に対応す
る反射電極７９，７６，７３の高さ方向の位置を、それ
ぞれ変えることにより、各色に対するホログラムカラー
フィルターの集光焦点に合わせることができる。なお、
本製造方法の場合、ＧとＢに対応する画素の反射電極上
には酸化膜（ＳｉＯ₂）である層間絶縁膜が形成される
がＳｉＯ₂は透明膜であるため、入射光が遮光されるこ
とはない。又、反射電極上に保護絶縁膜を形成し、この
表面をＣＭＰなどで平坦にする場合は、液晶側のデバイ
ス表面を、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する各画素に対して平坦に
することができるため、液晶のディスクリネーションな
どを防ぐことが出来るメリットがある。

【００３１】なお、従来のデバイス構造の場合を図８、
図１０に示す。図８は、従来例の反射型液晶表示装置の
における反射電極近傍を示す部分断面図である。図１０
は、従来例の反射型液晶表示装置における反射電極部の
部分上面図である。従来においては、図８、図１０に示
すように、反射電極２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ間には、間
隔ｄが必要であり、このためこの間隔ｄの分だけ、画素
の開口率（すなわち、反射電極の占める割合）を低下さ
せる必要があった。

【００３２】一方、本発明のデバイス構造の場合を、図
９、図１１に示す。図９、本発明による反射型液晶表示
装置の第１実施例の応用例における反射電極近傍を示す
部分断面図である。図１１は、本発明による反射型液晶
表示装置の第１実施例における反射電極部の部分上面図
である。しかるに、上述の本実施例における第１の製造
法によれば、反射電極１５７Ｒ，１５７Ｇ，１５７Ｂ
を、基板１１に垂直な方向から見たときオーバラップし
て配置しているので、反射電極１５７Ｒ，１５７Ｇ，１
５７Ｂ間の間隔をなくすことができ、画素開口率（すな
わち、反射電極の占める割合）を１００％にすることが
できる。

【００３３】（第２の製造方法）図１２は、本発明によ
る反射型液晶表示装置の第１実施例を得るための製造工
程の第２例を示す概略工程図である。まず、図１２の
（ａ）に示すように、図７の（ａ）に示したのと同様
に、シリコン基板１１上にスイッチング素子４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂを作成し、第２金属膜（遮光層になる）２３ま
でを形成する。ここで、スイッチング素子４Ｒ，４Ｇ，
４Ｂ間はフィールド酸化膜１６で分離絶縁されている。
スイッチング素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを蔽って、ＳｉＯ₂
からなる第１層間絶縁膜１８が形成されており、この第
１層間絶縁膜１８の所定の位置に、導電性のコンタクト
１９が形成されており、コンタクト１９はスイッチング
素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのソース及びドレインと接続され
ている。

【００３４】この第１層間絶縁膜１８上に、所定形状の
第１金属膜２０が形成されている。さらに、この第１金
属膜２０を覆ってＳｉＯ₂からなる第２層間絶縁膜２１
が形成されており、この第２層間絶縁膜２１の所定位置
に、第１金属膜２０と接続する導電性の第１ビア２２が
形成されている。さらに、この第２層間絶縁膜２１上に
は、所定形状の第２金属膜２３が形成されており、この
第２金属膜２３を蔽って、ＳｉＯ₂からなる層間絶縁膜
２９Ｒを例えば１μmの厚さで形成する。このとき、Ｃ
ＭＰ等を用いて層間絶縁膜２９Ｒの表面を研磨して平坦
にしておく。

【００３５】次に、図１２の（ｂ）に示すように、層間
絶縁膜２９上に、フォトレジストを塗布する。所定の処
理を行い、ホログラムカラーフィルターを構成するホロ
グラムの集光焦点が短い色に対応する画素（この場合、
Ｒ光に対応する画素）の部分にフォトレジスト３２を形
成し、これをマスクとして、層間絶縁膜２９Ｒを所定の
深さ例えば０.３μm程度エッチングする。その後、フォ
トレジスト３２を除去する。これにより、ホログラムの
集光焦点の長い色に対応する画素（この場合、Ｇ光とＢ
光に対応する各画素）の部分の層間絶縁膜２９Ｒが薄く
され、層間絶縁膜２９Ｇが得られる。

【００３６】次に、図１２の（ｃ）に示すように、層間
絶縁膜２９Ｒ、２９Ｇ上にフォトレジストを塗布し、所
定の処理を行い、ホログラムカラーフィルターを構成す
るホログラムの集光焦点が短い色及び次に長い色に対応
する画素（この場合、Ｒ光及びＧ光に対応する画素）の
部分にフォトレジスト３３を形成し、これをマスクとし
て、層間絶縁膜２９Ｇを所定の深さ例えば０.３μm程度
エッチングする。その後、フォトレジスト３３を除去す
る。これにより、ホログラムの集光焦点の長い色に対応
する画素（この場合、Ｂ光に対応する各画素）の部分の
層間絶縁膜２９Ｇが薄くされ、層間絶縁膜２９Ｂが得ら
れる。

【００３７】次に、図１２の（ｄ）に示すように、この
あとは、公知の通常のプロセスと同様に、第２ビア７０
Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂをフォトリソグラフィ、エッチング
により形成する。この上に、５００ｎｍ程度の厚さのア
ルミ膜を形成し、所定形状に加工して、反射電極６０
Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂを形成し、液晶封止前のデバイス構
造を得る。

【００３８】以上のように、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光に対応す
る反射電極６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの高さ位置を、それ
ぞれ変えることにより、各色に対するホログラムの集光
焦点に合わせることができる。なお、このデバイス構造
のまま用いても良いし、反射電極の上にさらにＳｉＯ ₂
からなる保護膜を形成し、その表面を研磨して平坦とし
たものを用いても良い。

【００３９】（第３の製造方法）図１３は、本発明によ
る反射型液晶表示装置の第１実施例を得るための製造工
程の第３例を示す概略工程図である。まず、図１３２
（ａ）に示すように、図７の（ａ）及び図１２の（ａ）
に示したのと同様に、シリコン基板１１上にスイッチン
グ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを作成し、アルミからなる第２
金属膜２３までを公知のように作成し、さらにＳｉＯ₂
からなる５００ｎｍ程度の厚さを有する第３層間絶縁膜
８１を作成する。このとき、ＣＭＰ等を用いて第３層間
絶縁膜７１の表面を研磨して、平坦にしておく。次に、
図１３の（ｂ）に示すように、第３ビアを例えばプラグ
工程を用いて、埋め込みを行う。

【００４０】次に、図１３の（ｃ）のように、例えばア
ルミニウムからなる３００ｎｍ程度の厚さの金属膜を成
膜し、これにフォトレジストを塗布し、ホログラムカラ
ーフィルターの集光焦点が１番短い色に対応する画素
（この場合、Ｒ光に対応する画素）の部分のフォトレジ
スト３４をマスクとして、フォトリソグラフィを用いて
所定形状の第３金属膜８３を形成する。その後、フォト
レジスト３４を除去する。ここで、第３金属膜８３の厚
さは、ホログラムカラーフィルターの集光焦点距離の２
番目と３番目に長い距離の差（すなわち、Ｒ光とＧ光に
対する集光焦点距離の差）に設定した。

【００４１】次に、図１３の（ｄ）に示すように、例え
ばアルミニウムからなる３００ｎｍ程度の厚さの金属膜
を成膜し、これにフォトレジストを塗布し、ホログラム
カラーフィルターの集光焦点が１番目と２番目に長い光
に対応する画素（この場合、Ｇ光及びＢ光に対応する画
素）の部分のフォトレジスト３５をマスクとして、フォ
トリソグラフィを用いて所定形状の第４金属膜８４を形
成する。その後、フォトレジスト３５を除去する。ここ
で、第４金属膜８４の厚さは、ホログラムレンズの集光
焦点距離の１番目と２番目に長い距離の差（すなわち、
Ｇ光とＢ光に対する集光焦点距離の差）に設定した。

【００４２】次に、図１３の（ｅ）に示すように、例え
ばアルミニウムからなる３００ｎｍ程度の厚さの金属膜
を形成し、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の反射電極を形成すべき部分
以外の金属膜を除去し、Ｒ用の反射電極８６、Ｇ用の反
射電極８７、およびＢ用の反射電極８５を形成する。こ
れにより、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用に対応する画素の反射電極
８６、８７、８５は、それぞれ３００ｎｍの高さの違い
をもって形成され、液晶封止前のデバイス構造を得る。

【００４３】以上のように、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光に対応す
る反射電極８６，８７，８５の厚さを、それぞれ変える
ことにより、各色に対するホログラムカラーフィルター
の集光焦点に合わせることができる。なお、この封止前
のデバイス構造のまま用いても良いし、反射電極の上に
さらにＳｉＯ２膜からなる保護膜を形成し、その表面を
研磨して平坦としたものを用いても良い。

【００４４】＜実施例２＞図１４は、本発明による反射
型液晶表示装置の第２実施例を示す概略断面構成図であ
る。図１５は、図１４における反射電極部の拡大部分断
面図である。ホログラムカラーフィルターを使用した反
射型液晶表示装置として、１枚のホログラムからなるホ
ログラムカラーフィルター４５を使用して、読み出し光
５１を対応波長帯域成分に分けて入射し、それぞれの入
射角度をＲ、Ｇ、Ｂ用に変えて、色成分光を対応する各
画素に集光させる反射型液晶表示装置も一般的に知られ
ている。このような反射型液晶表示装置においても、３
層構成のホログラムカラーフィルタの時と同様にＲ、
Ｇ、Ｂの各色成分光を同一平面上の各画素に集光させる
ことは難しい。

【００４５】これに対して、本実施例においては、ある
特定の画素に対応する反射電極のみの高さ位置を低くし
て、ホログラムカラーフィルタ４５で回折・集光された
光に対して画素の反射電極高さが最適になるように設定
することが出来る。ここでは、例えばシリコン基板１１
上には、スイッチング素子４Ｒ，４Ｇ、４Ｂが形成され
ている。スイッチング素子４ＲはＲ光に、スイッチング
素子４ＧはＧ光に、スイッチング素子４ＢはＢ光にそれ
ぞれ対応するものである。

【００４６】これらのスイッチング素子を蔽って、層間
絶縁膜が形成されているが、この膜の厚さは、Ｒ光とＢ
光に対応する層間絶縁膜９１Ｒ，９１Ｂと、Ｇ光に対応
する層間絶縁膜９１Ｇとでは、異なるものとなってい
る。これらの厚さは、それぞれの層間絶縁膜９１Ｒ，９
１Ｇ，９１Ｂ上に形成される反射電極９２Ｒ，９２Ｇ，
９２Ｂに集光する各Ｒ光５１Ｒ，Ｇ光５１Ｇ，Ｂ光５１
Ｂが最適に集光するように設定されている。従って、各
反射電極に入射する光が反射電極よりはみ出して隣接す
る反射電極に入射することが無く、投射光の混色を防止
することができる。

【００４７】なお、ここで、各層間絶縁膜２９Ｒ，２９
Ｇ，２９Ｂの中には、読出し光がスイッチング素子４
Ｒ，４Ｇ、４Ｂに到達しないように第２金属膜（遮光
層）２３が形成されている。各反射電極９２Ｒ，９２
Ｇ，９２Ｂは、各コンタクト９３Ｒ，９３Ｇ，９３Ｂを
介してそれぞれスイッチング素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのド
レインに接続されている。反射電極９２Ｒ，９２Ｇ，９
２Ｂ上には液晶３７が封入されている。

【００４８】この場合においても、図９、図１１に示す
ように、反射電極を基板垂直方向から見たときにオーバ
ラップして配置することにより、反射電極間の間隔をな
くすことができ、画素開口率（すなわち、反射電極の占
める割合）を１００％にすることができる。

【００４９】＜実施例３＞図１６は、反射型液晶表示装
置における液晶ギャップが変化した場合の影響を説明す
るための液晶表示装置の概略断面構成図である。基板１
１上に形成されたアクティブマトリクス回路部９５と各
Ｒ、Ｇ、Ｂ光に対応する画素の反射電極９６が形成され
ており、この反射電極９６と対向電極９８間には液晶９
７が封入されており、対向電極９８にはカラーフィルタ
ー９９及びガラス基板１００が積層されている。このと
き、図１６に図示するように、例えば、左端の液晶の厚
さｌ１と右端の液晶の厚さｌ２が異なると（空間的に
は、反射電極９６と対向電極９８が平行に配置されてい
ない状態である）、入射光５２によるガラス面反射光５
７と反射電極反射光５８の光路差が左端と右端で異なっ
てくる（どの場所でも異なる）ので、これにより、ガラ
ス面反射光５７と反射電極反射光５８干渉し合う場所が
できるため、フリンジ（干渉縞）が発生する。

【００５０】図１７は、本発明による反射型液晶表示装
置の第３実施例を示す概略断面構成図である。図１８
は、本発明による反射型液晶表示装置の第３実施例にお
ける画素配列の例を示す上面図である。上述のフリンジ
の対策としては、図１７に示すように、反射電極１０１
は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素の組を１単位として、交
互に反射電極の高さを変えることにより、フリンジを解
消できる。このとき、組単位の反射電極の高さの違い
は、例えば液晶中でのグリーン光の往復で半波長分の光
路差（片側１／４波長）（９０ｎｍ）に設定する。さら
に、反射電極間の高さを変える距離は、例えば、（グリ
ーン光の液晶中での波長の倍数）＋（液晶中でのグリー
ン光の往復で半波長分の光路差（片側１/４波長））で
あれば、隣接する反射電極の高さは任意に設定すること
ができる。

【００５１】図１８には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する画素の
組を１単位として、交互に反射電極の高さを変える場合
の配列の例を示してある。ここで、反射電極の高さが高
い画素の組単位と反射電極の高さが低い画素の組単位
は、全画素の単位数で１：１の割合で設定することが重
要である。図１８の（ａ）に示すように、横方向のスト
ライプパターン、（ｂ）に示すような縦方向のストライ
プパターン、（ｃ）に示すような千鳥パターン、（ｄ）
に示すような１画素の反射電極の半分で高低つけるパタ
ーンなどが適用される。

【００５２】なお、反射電極の高さが高い画素の組単位
と反射電極の高さが低い画素の組単位は、Ｒ、Ｇ，Ｂの
各々が全画素の単位数で１：１の割合で設定すれば、
Ｒ，Ｇ、Ｂに対応する画素の組を１単位としなくてもよ
い。この場合、図９、図１１に示すように高さの異なる
反射電極を、基板に垂直な方向から見たときオーバラッ
プするように、すなわち、基板に水平方向にオーバラッ
プさせて、反射電極間隔をなくし、画素開口率を拡大す
ることと組み合わせることができる。

【００５３】以上のことは、Ｒ専用ＬＣＤパネル、Ｇ専
用ＬＣＤパネル、Ｂ専用ＬＣＤパネルの３枚を使用し
て、色合成プリズムによって合成し、レンズを通してス
クリーンに投射する３板方式にも応用できる。図２１
は、３板方式による反射型液晶表示装置の投射光学系を
示す構成図である。光源１６１からの光を、特定波長領
域の光だけを反射するダイクロイックミラー１６３、１
６４で、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の光に分離し、
３枚の反射型液晶パネル１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ
にそれぞれ入射する。各反射型液晶パネル１６２Ｒ，１
６２Ｇ，１６２Ｂで反射された光は、色合成プリズム１
６６で合成された後、投射レンズ１６９を通してスクリ
ーン１７０に投射される。

【００５４】図２１に示す３板方式の反射型液晶表示装
置の場合においても、各色の反射型液晶パネル１６２
Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂでは、上述したように、液晶ギ
ャップが変化してしまうと、フリンジが発生してしま
う。図２２は、３板方式による反射型液晶表示装置中の
Ｒ用反射型液晶表示装置における反射電極部近傍を示す
部分断面図である。図２２に示すように、例えば、反射
電極１８０の高さと隣接の反射電極１８０’の高さを交
互に変えることによって、フリンジの発生を防止でき
る。これを、各色に対応する液晶パネルに適応すること
ができる。

【００５５】この３板方式の場合、各色パネルの反射電
極の高さと隣接の反射電極の高さを、液晶中における各
色の光の往復で半波長分の光路差（片側１／４波長）に
設定することにより、単一光の波長のみでなく、各々の
パネルに適応したフリンジ抑制にも対応することができ
る。

【００５６】さらに、各色パネルの反射電極の高さと隣
接の反射電極の高さの差は、（各色パネルに対応して入
射する光の液晶中での波長の倍数）＋（液晶中での各色
光の往復で半波長分の光路差（片側１/４波長））であ
れば、隣接する反射電極の高さは任意に設定することが
できる。この場合も、反射電極の高さが高い画素の組単
位と反射電極の高さが低い画素の組単位は、全画素の単
位数で１：１の割合に設定することが重要である。

【００５７】図２３は、３板方式による反射型液晶表示
装置中のＲ用反射型液晶表示装置における反射電極部の
部分上面図である。図２３に示すように、反射電極１８
０，１８０’を、基板１１に垂直方向から見たときにオ
ーバラップするように、すなわち基板１１と水平方向に
反射電極間隔をなくすことと組み合わせることができ
る。こうすることにより、画素開口率をほぼ１００％に
して、フリンジを解消することができる。

【００５８】＜実施例４＞図１９は、本発明による反射
型液晶表示装置の第４実施例を示す概略断面構成図であ
る。反射型液晶表示装置において、カラーフィルタアレ
イ１０９に対しマイクロレンズアレイ１１０を適用した
場合を説明する。反射型液晶表示装置は、ガラス基板１
１１上にＲ・Ｇ・Ｂのカラーフィルタアレイ１０９を有
し、カラーフィルタアレイ１０９上には光利用効率を向
上させるためにマイクロレンズアレイ１１０が形成され
ている。ここで、マイクロレンズアレイ１１０は、入射
する平行光５３が反射電極１０６上でほぼ焦点を結ぶ曲
率に成形されている。また画素間の迷光を遮断するため
のブラックマトリクス１１２がカラーフィルタアレイ１
０９の各色間に形成してある。

【００５９】なお、基板１１上にはアクティブマトリク
ス回路部１０５と反射電極１０６が積層されており、反
射電極１０６と対向電極１０８間には液晶１０７が封入
されており、対向電極１０８上にはカラーフィルタアレ
イ１０９、マイクロレンズアレイ１１０、及びガラス基
板１１１が順次配置されている。このような反射型液晶
表示装置においても、上述したホログラムカラーフィル
タの時と同様に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色成分光を同一平面上
の対応する各画素の反射電極に均一に集光させることは
難しい。

【００６０】そこで、上述した第５図、第１５図に示し
たように、ある特定の光に対応する画素の反射電極の高
さ位置を低くしたり、Ｒ、Ｇ、Ｂ光に対応する画素の反
射電極の高さ位置を変えて、マイクロレンズアレイ１１
０で集光された光に対して画素の反射電極高さが最適に
なるように設定する。

【００６１】＜実施例５＞図２０は、本発明による反射
型液晶表示装置の第５実施例を示す概略断面構成図であ
る。反射型液晶表示装置において、マイクロレンズアレ
イを適用した場合について説明する。ガラス基板２１１
上にマイクロレンズアレイ１１９を有し、Ｒ光、Ｇ光、
Ｂ光の入射光をそれぞれ変化させ、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光の
入射光をそれぞれに対応する画素に集光させる反射型液
晶表示装置が一般的に知られている。

【００６２】なお、基板１１上にはアクティブマトリク
ス回路部１１５と反射電極１１６が積層されており、反
射電極１１６と対向電極１１８間には液晶１１７が封入
されており、対向電極１１８上にはカラーフィルタアレ
イ１１９とガラス基板１２１が順次配置されている。こ
のような反射型液晶表示装置においても、上述のホログ
ラムカラーフィルタの時と同様にＲ、Ｇ、Ｂの各色成分
光を同一平面上の対応する画素の反射電極に均一に集光
させることは難しい。

【００６３】そこで、上述した第５図、第１５図に示し
たように、ある特定の光に対応する画素の反射電極の高
さ位置を低くしたり、Ｒ、Ｇ、Ｂ光に対応する画素の反
射電極の高さ位置を変えて、マイクロレンズアレイ１１
９で集光された光に対して画素の反射電極高さが最適に
なるように設定する。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
本発明の反射型液晶表示装置は、第１の基板と、この第
１の基板に対向配置した透明な第２の基板と、前記第１
の基板と前記第２の基板の間に封止した液晶層と、前記
第１の基板上に画素に対応してマトリクス状に形成した
複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素
子に対応して、前記スイッチング素子上に絶縁膜を介し
て形成し、前記スイッチング素子と電気的に接続する反
射電極とを有する反射型液晶表示装置において、前記反
射電極の前記スイッチング素子からの高さをそれぞれ異
ならせて形成したことにより、反射電極に入射する光の
成分を均等にできるようにし、これにより、投射光にお
ける混色を抑制し、コントラストを良好にすると共に、
画素開口率の良好な反射型液晶表示装置を提供できると
いう効果がある。

【００６５】また、請求項４に記載の本発明の液晶表示
装置の製造方法は、第１の基板と、この第１の基板に対
向配置した透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上
に画素に対応してマトリクス状に形成した複数のスイッ
チング素子と、前記複数のスイッチング素子に対応し
て、前記スイッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、
前記スイッチング素子と電気的に接続する反射電極とを
有する反射型液晶表示装置の製造方法において、前記絶
縁膜上の所定領域にフォトレジストを形成し、このフォ
トレジストをマスクとしてエッチングすることにより、
前記絶縁膜の厚さを前記画素毎に変化させたことによ
り、反射電極に入射する光の成分を均等にできるように
し、これにより、投射光における混色を抑制し、コント
ラストの良好な反射型液晶表示装置の製造方法を提供す
ることができるという効果がある。

【００６６】また、請求項５に記載の本発明の液晶表示
装置の製造方法は、第１の基板と、この第１の基板に対
向配置した透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上
に画素に対応してマトリクス状に形成した複数のスイッ
チング素子と、前記複数のスイッチング素子に対応し
て、前記スイッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、
前記スイッチング素子と電気的に接続する反射電極とを
有する反射型液晶表示装置の製造方法において、前記絶
縁膜上に、前記スイッチング素子と電気的に接続する第
１の金属膜を形成し、前記第１の金属膜上の所定の前記
画素に対応する所定領域にフォトレジストを形成し、こ
のフォトレジストをマスクとしてエッチングし、所定領
域以外の前記第１の金属膜を除去し、しかる後、第２の
金属膜を形成して、所定のエッチングを行うことにより
前記画素に対応する反射電極を形成し、前記所定領域の
反射電極と前記所定領域以外の反射電極との高さを異な
らせたことにより、反射電極に入射する光の成分を均等
にできるようにし、これにより、投射光における混色を
抑制し、コントラストの良好な反射型液晶表示装置の製
造方法を提供することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の反射型液晶表示装置の概略ブロック構成
図である。

【図２】図1に示される１画素分のＬＣＤパネルの概略
断面構成図である。

【図３】従来のホログラムカラーフィルターを用いた反
射型液晶表示装置の概略断面構成図である。

【図４】図３における反射電極部の拡大部分断面図であ
る。

【図５】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施例
における反射電極部近傍を示す部分断面図である。

【図６】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施例
における画素部の部分上面図である。

【図７】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施例
を得るための製造工程の第１例を示す概略工程図であ
る。

【図８】従来例の反射型液晶表示装置のにおける反射電
極近傍を示す部分断面図である。

【図９】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施例
の応用例における反射電極近傍を示す部分断面図であ
る。

【図１０】従来例の反射型液晶表示装置における反射電
極部の部分上面図である。

【図１１】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施
例の応用例における反射電極部の部分上面図である。

【図１２】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施
例を得るための製造工程の第２例を示す概略工程図であ
る。

【図１３】本発明による反射型液晶表示装置の第１実施
例を得るための製造工程の第３例を示す概略工程図であ
る。

【図１４】本発明による反射型液晶表示装置の第２実施
例を示す概略断面構成図である。

【図１５】図１４における反射電極部の拡大部分断面図
である。

【図１６】反射型液晶表示装置における液晶ギャップが
変化した場合の影響を説明するための液晶表示装置の概
略断面構成図である。

【図１７】本発明による反射型液晶表示装置の第３実施
例を示す概略断面構成図である。

【図１８】本発明による反射型液晶表示装置の第３実施
例における画素配列の例を示す上面図である。

【図１９】本発明による反射型液晶表示装置の第４実施
例を示す概略断面構成図である。

【図２０】本発明による反射型液晶表示装置の第５実施
例を示す概略断面構成図である。

【図２１】３板方式による反射型液晶表示装置の投射光
学系を示す構成図である。

【図２２】３板方式による反射型液晶表示装置中のＲ用
反射型液晶表示装置における反射電極部近傍を示す部分
断面図である。

【図２３】３板方式による反射型液晶表示装置中のＲ用
反射型液晶表示装置における反射電極部の部分上面図で
ある。

【符号の説明】

１…液晶表示装置、２…ＬＣＤパネル、３…画素、４…
スイッチングトランジスタ、５…保持容量、６…水平ア
ドレス回路、７…垂直アドレス回路、８…ビデオ線、９
…信号線、１０…ゲート線、１１…基板、１２…ウエ
ル、１３…ソース、１４…ゲート、１５…ドレイン、１
６…フィールド酸化膜、１７…ポリシリコン電極、１８
…第１層間絶縁膜、１９…コンタクト、２０…第１金属
膜、２１…第２層間絶縁膜、２２…第１ビア、２３…第
２金属膜（遮光層）、２４…第３層間絶縁膜、２５…第
２ビア、２６…第３金属膜（反射電極）、２７…液晶、
２８…対向電極、２９…層間絶縁膜、２９Ｒ…層間絶縁
膜、２９Ｇ…層間絶縁膜、２９Ｂ…層間絶縁膜、３０…
アクティブマトリクス回路部、３１…ガラス基板、３２
…フォトレジスト、３３…フォトレジスト、３４…フォ
トレジスト、３５…フォトレジスト、３７…液晶、３８
…対向電極、４０…ホログラムカラーフィルター、４１
…Ｒ用ホログラム、４２…Ｇ用ホログラム、４３…Ｂ用
ホログラム、４５…ホログラムカラーフィルター、５０
…読出し光、５０Ｒ…読出し光、５０Ｇ…読出し光、５
０Ｂ…読出し光、５１…読出し光、５２…読出し光、５
３…読出し光、５４…読出し光、５５…投射光、５５Ｒ
…投射光、５５Ｇ…投射光、５５Ｂ…投射光、５６…投
射光、５７…ガラス面反射光、５８…反射電極反射光、
６０Ｒ…反射電極、６０Ｇ…反射電極、６０Ｂ…反射電
極、６１…ガラス基板、７０Ｒ…第２ビア、７０Ｇ…第
２ビア、７０Ｂ…第２ビア、７１…第３層間絶縁膜、７
２…第３ビア、７３…第３金属膜（Ｂ反射電極）、７４
…第４層間絶縁膜、７５…第４ビア、７６…第４金属膜
（Ｇ反射電極）、７７…第５層間絶縁膜、７８…第５ビ
ア、７９…第５金属膜（Ｒ反射電極）、８０…保護絶縁
膜、８１…第３層間絶縁膜、８２…第３ビア、８３…第
３金属膜、８４…第４金属膜、８５…第５金属膜（Ｂ反
射電極）、８６…Ｒ反射電極、８７…Ｇ反射電極、９０
…アクティブマトリクス回路部、９１Ｒ…層間絶縁膜、
９１Ｇ…層間絶縁膜、９１Ｂ…層間絶縁膜、９２…反射
電極、９３…ビア、９５…アクティブマトリクス回路
部、９６…反射電極、９７…液晶、９８…対向電極、９
９…ホログラムカラーフィルター、１００…ガラス基
板、１０１…反射電極、１０５…アクティブマトリクス
回路部、１０６…反射電極、１０７…液晶、１０８…対
向電極、１０９…カラーフィルタアレイ、１１０…マイ
クロレンズアレー、１１１…ガラス基板、１１２…ブラ
ックマトリクス、１１５…アクティブマトリクス回路
部、１１６…反射電極、１１７…液晶、１１８…対向電
極、１１９…マイクロレンズアレー、１２１…ガラス基
板、１５０Ｒ…層間絶縁膜、１５０Ｇ…層間絶縁膜、１
５０Ｂ…層間絶縁膜、１５１…保護絶縁膜、１５２Ｒ…
コンタクト、１５２Ｇ…コンタクト、１５２Ｂ…コンタ
クト、１５３Ｒ…反射電極、１５３Ｇ…反射電極、１５
３Ｂ…反射電極ア、１５４…層間絶縁膜、１５５…層間
絶縁膜、１５６Ｒ…コンタクト、１５６Ｇ…コンタク
ト、１５６Ｂ…コンタクト、１５７Ｒ…コンタクト、１
５７Ｇ…コンタクト、１５７Ｂ…コンタクト、１６０…
３板式反射型液晶表示装置、１６１…光源、１６２Ｒ…
液晶表示パネル、１６２Ｇ…液晶表示パネル、１６２Ｂ
…液晶表示パネル、１６３…ダイクロイックミラー、１
６４…ダイクロイックミラー、１６５Ｒ…ＰＢＳ、１６
５Ｇ…ＰＢＳ、１６５Ｂ…ＰＢＳ、１６６…色合成プリ
ズム、１６７…ミラー、１６８…ミラー、１６９…投射
レンズ、１７０…スクリーン、１８０…反射電極、１８
０’…反射電極、１８１…層間絶縁膜、１８２…層間絶
縁膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３９Ｚ ５Ｃ０９４ ３３９ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA01 BA43 BA48 BB01 BB02 BB42 2H049 CA01 CA05 CA15 CA17 CA22 2H091 FA14Y FA19X FA41X FC15 FC26 LA15 LA16 MA07 2H092 GA13 GA23 GA29 HA05 JA24 JA46 JB07 KB25 MA17 NA01 PA08 RA05 5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 CA24 EA04 EA06 EB02 ED03 HA08

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の基板と、この第１の基板に対向配置
   した透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
   基板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素
   に対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング
   素子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記
   スイッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイ
   ッチング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反
   射型液晶表示装置において、 前記反射電極の前記スイッチング素子からの高さをそれ
   ぞれ異ならせて形成したことを特徴とする反射型液晶表
   示装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の反射型液晶表示装置にお
   いて、前記反射電極を、前記第１の基板に垂直な光入射
   方向から見たとき、電極間間隙を小さく、または電極間
   間隙が無いように構成したことを特徴とする反射型液晶
   表示装置。
3. 【請求項３】請求項１に記載の反射型液晶表示装置にお
   いて、さらに、入射光を選択的に回折しＲ光，Ｇ光，Ｂ
   光の各色成分を対応する前記画素の反射電極にそれぞ
   れ、それぞれの集光焦点で集光するホログラムカラーフ
   ィルターを、前記第２の基板と前記液晶層との間に配置
   し、前記反射電極の前記スイッチング素子からの高さを
   前記各色成分の集光焦点の位置に形成したことを特徴と
   する反射型液晶表示装置。
4. 【請求項４】第１の基板と、この第１の基板に対向配置
   した透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
   基板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素
   に対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング
   素子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記
   スイッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイ
   ッチング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反
   射型液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁膜上の所定領域にフォトレジストを形成し、こ
   のフォトレジストをマスクとしてエッチングすることに
   より、前記絶縁膜の厚さを前記画素毎に変化させたこと
   を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】第１の基板と、この第１の基板に対向配置
   した透明な第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
   基板の間に封止した液晶層と、前記第１の基板上に画素
   に対応してマトリクス状に形成した複数のスイッチング
   素子と、前記複数のスイッチング素子に対応して、前記
   スイッチング素子上に絶縁膜を介して形成し、前記スイ
   ッチング素子と電気的に接続する反射電極とを有する反
   射型液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁膜上に、前記スイッチング素子と電気的に接続
   する第１の金属膜を形成し、前記第１の金属膜上の所定
   の前記画素に対応する所定領域にフォトレジストを形成
   し、このフォトレジストをマスクとしてエッチングし、
   所定領域以外の前記第１の金属膜を除去し、しかる後、
   第２の金属膜を形成して、所定のエッチングを行うこと
   により前記画素に対応する反射電極を形成し、前記所定
   領域の反射電極と前記所定領域以外の反射電極との高さ
   を異ならせたことを特徴とする反射型液晶表示装置の製
   造方法。