JP2001335776A - Novel heterocyclic compound, light-emitting element material and light-emitting element using this material - Google Patents

Novel heterocyclic compound, light-emitting element material and light-emitting element using this material

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JP2001335776A
JP2001335776A JP2000218967A JP2000218967A JP2001335776A JP 2001335776 A JP2001335776 A JP 2001335776A JP 2000218967 A JP2000218967 A JP 2000218967A JP 2000218967 A JP2000218967 A JP 2000218967A JP 2001335776 A JP2001335776 A JP 2001335776A
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久 岡田
Toshihiro Ise
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a light-emitting element material excellent in color purity, good in light emission character, and excellent in stability during repeated use, and a light-emitting element. SOLUTION: This light-emitting element material is a compound represented by general formula (I) L-(A)m (wherein A represents a heterocyclic group formed by condensation of two or more aromatic hetero rings, the heterocyclic group represented by A in (A)m may be the same or different. (m) represents an integer of 2 or larger, and L represents a connecting group.), and the light-emitting element uses this material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規ヘテロ環化合
物に関する。詳しくは電気エネルギーを光に変換して発
光できる発光素子用材料および発光素子に関し、表示素
子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光
源、記録光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア
等の分野に好適に使用できる発光素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel heterocyclic compound. More specifically, the present invention relates to a light emitting element material and a light emitting element that can emit light by converting electric energy into light, and is applicable to fields such as display elements, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, reading light sources, signs, signs, and interiors. The present invention relates to a light-emitting element that can be suitably used.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光(EL)素子は、低
電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表
示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸
着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている
(アプライド フィジックス レターズ,51巻,91
3頁,1987年)。この文献に記載された発光素子は
トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体
(Alq)を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料
(アミン化合物)と積層させることにより、従来の単層
型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。
2. Description of the Related Art At present, research and development on various display elements are active. Among them, an organic electroluminescence (EL) element has been attracting attention as a promising display element because it can emit light with high luminance at a low voltage. ing. For example, a light emitting device that forms an organic thin film by vapor deposition of an organic compound is known (Applied Physics Letters, Vol. 51, No. 91).
3, 1987). The light-emitting element described in this document uses a tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq) as an electron transporting material and is laminated with a hole transporting material (amine compound) to form a conventional single-layered device. Compared with this, the light emission characteristics are greatly improved.

【0003】上記積層型発光素子の発光効率を更に改良
する手段として、蛍光色素をドープする方法が知られて
いる。例えば、ジャーナル オブ アプライド フィジ
ックス 65巻、3610頁、1989年に記載のクマ
リン色素をドープした発光素子はドープしない素子に比
べて発光効率が大幅に向上している。この場合、用いる
蛍光性化合物の種類を変えることにより所望の波長の光
を取り出すことが可能であるが、電子輸送材料としてA
lqを用いた場合、高輝度を得るために駆動電圧を高く
すると、ドープした蛍光性化合物の発光の他にAlqの
緑色発光が観測されてくるため、青色を発光させる場合
には色純度の低下が問題になり、色純度を低下させない
ホスト材料の開発が望まれている。これを改良するもの
として特開平10−92578号、米国特許第5766
779号に特定のインドール誘導体が開示されている
が、記載の化合物では高輝度発光のためには駆動電圧を
高くする必要があるなどの問題があり、低電圧で高輝度
発光可能な化合物の開発が望まれていた。また、発光効
率を高める方法として3−(4−ビフェニルイル)−4
−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−
1,2,4−トリアゾール(TAZ)、バソクプロイン
(BCP)などのホールブロック性材料を用いる方法が
報告されているが、これら公知の材料では耐久性、特に
高温保存経時、連続発光での素子劣化が大きな問題とな
っていた。また、色純度が良好で発光効率が高い従来の
素子は電荷輸送材料中に蛍光性色素を微量ドープしたも
のであり、製造上素子特性の再現性を出すことが難しい
ことや、色素の耐久性が低いために長時間使用した場合
に輝度の低下、色変化が起きるなどの問題があった。こ
れを解決する手段として電荷輸送機能と発光機能を兼ね
た材料の開発が望まれているが、これまで開発された材
料では蛍光性色素を高濃度で用いると、濃度消光、会合
等により高輝度発光が難しいといった問題があった。
[0003] As a means for further improving the luminous efficiency of the stacked type light emitting device, a method of doping a fluorescent dye is known. For example, the light-emitting device doped with a coumarin dye described in Journal of Applied Physics, Vol. 65, p. 3610, 1989 has significantly improved luminous efficiency as compared with a non-doped device. In this case, light of a desired wavelength can be extracted by changing the type of the fluorescent compound to be used.
When lq is used, when the driving voltage is increased to obtain high luminance, green emission of Alq is observed in addition to emission of the doped fluorescent compound. Therefore, development of a host material that does not reduce color purity has been desired. Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-92578 and U.S. Pat.
No. 779 discloses a specific indole derivative. However, in the compounds described above, there is a problem that a high driving voltage is required for high-luminance light emission. Was desired. Also, 3- (4-biphenylyl) -4 is used as a method for increasing luminous efficiency.
-Phenyl-5- (4-tert-butylphenyl)-
A method using a hole-blocking material such as 1,2,4-triazole (TAZ) and bathocuproine (BCP) has been reported. However, these known materials have durability, in particular, device deterioration due to storage at high temperature and continuous light emission. Was a big problem. In addition, conventional devices with good color purity and high luminous efficiency are those in which a small amount of fluorescent dye is doped into the charge transporting material, making it difficult to achieve reproducibility of device characteristics in manufacturing and the durability of the dye. Therefore, when used for a long time, there are problems such as a decrease in luminance and a change in color. As a means to solve this, the development of a material that has both a charge transport function and a light emitting function is desired. However, in the materials developed so far, when a fluorescent dye is used at a high concentration, a high luminance due to concentration quenching, association, etc. There was a problem that light emission was difficult.

【0004】一方、有機発光素子において高輝度発光を
実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層し
ている素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面
積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。
しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光
輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣って
おり、高輝度、高効率発光化が大きな課題となってい
た。
On the other hand, organic light-emitting devices that achieve high-luminance light emission are devices in which organic substances are laminated by vacuum deposition. However, from the viewpoints of simplification of the manufacturing process, workability, and large area, etc. It is desirable to produce the element by a coating method.
However, a device manufactured by a conventional coating method is inferior to a device manufactured by a vapor deposition method in terms of luminous luminance and luminous efficiency, and high luminance and highly efficient luminescence have been major issues.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、発光特性が良好であり、また繰り返し使用時での安
定性に優れた発光素子用材料および発光素子の提供にあ
る。本発明の第二の目的は、色純度に優れた発光素子お
よびそれを可能にする発光素子用材料の提供にある。本
発明の第三の目的は、各種電子デバイス等に有効な新規
ヘテロ環化合物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION A first object of the present invention is to provide a light emitting device material and a light emitting device which have good light emitting characteristics and excellent stability when used repeatedly. A second object of the present invention is to provide a light-emitting element having excellent color purity and a material for a light-emitting element that enables the light-emitting element. A third object of the present invention is to provide a novel heterocyclic compound effective for various electronic devices and the like.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。
This object has been achieved by the following means.

【0007】〔1〕下記一般式(I)で表される化合物
であることを特徴とする発光素子材料。
[1] A light emitting device material characterized by being a compound represented by the following general formula (I).

【0008】[0008]

【化12】 Embedded image

【0009】(式中、Aは二つ以上の芳香族ヘテロ環が
縮合したヘテロ環基を表し、Aで表されるヘテロ環基は
同一または異なってもよい。mは2以上の整数を表す。
Lは連結基を表す。) 〔2〕下記一般式(II)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(In the formula, A represents a heterocyclic group in which two or more aromatic heterocycles are fused, and the heterocyclic groups represented by A may be the same or different. M represents an integer of 2 or more.) .
L represents a linking group. [2] A light emitting device material characterized by being a compound represented by the following general formula (II).

【0010】[0010]

【化13】 Embedded image

【0011】(式中、Bは二つ以上の5員環および/ま
たは6員環の芳香族ヘテロ環が縮合したヘテロ環基を表
し、Bで表されるヘテロ環基は同一または異なってもよ
い。mは2以上の整数を表す。Lは連結基を表す。) 〔3〕下記一般式(III)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(Wherein B represents a heterocyclic group in which two or more 5- and / or 6-membered aromatic heterocycles are fused, and the heterocyclic groups represented by B may be the same or different. M represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group.) [3] A light-emitting element material characterized by being a compound represented by the following general formula (III).

【0012】[0012]

【化14】 Embedded image

【0013】(式中、XはO、S、Se、TeまたはN
−Rを表す。Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリー
ル基またはヘテロ環基を表す。Q3は芳香族ヘテロ環を
形成するに必要な原子群を表す。mは2以上の整数を表
す。Lは連結基を表す。) 〔4〕下記一般式(IV)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(Where X is O, S, Se, Te or N
Represents -R. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic hetero ring. m represents an integer of 2 or more. L represents a linking group. [4] A light emitting device material characterized by being a compound represented by the following general formula (IV).

【0014】[0014]

【化15】 Embedded image

【0015】(式中、XはO、S、Se、TeまたはN
−Rを表す。Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリー
ル基またはヘテロ環基を表す。Q4は含窒素芳香族ヘテ
ロ環を形成するに必要な原子群を表す。mは2以上の整
数を表す。Lは連結基を表す。) 〔5〕下記一般式(V)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(Where X is O, S, Se, Te or N
Represents -R. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 4 represents an atom group necessary for forming a nitrogen-containing aromatic hetero ring. m represents an integer of 2 or more. L represents a linking group. [5] A light emitting device material characterized by being a compound represented by the following general formula (V).

【0016】[0016]

【化16】 Embedded image

【0017】(式中、X5はO、SまたはN−Rを表
す。Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基また
はヘテロ環基を表す。Q5は6員の含窒素芳香族ヘテロ
環を形成するに必要な原子群を表す。mは2以上の整数
を表す。Lは連結基を表す。) 〔6〕下記一般式(VI)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(Wherein X 5 represents O, S or NR. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 5 is a 6-membered nitrogen-containing aromatic compound) Represents an atom group necessary for forming a hetero ring, m represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group.) [6] A compound represented by the following general formula (VI) Light emitting device material.

【0018】[0018]

【化17】 Embedded image

【0019】(式中、X6はO、SまたはN−Rを表
す。Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基また
はヘテロ環基を表す。Q6は6員の含窒素芳香族ヘテロ
環を形成するに必要な原子群を表す。nは2ないし8の
整数を表す。Lは連結基を表す。) 〔7〕下記一般式(VII)で表される化合物であることを
特徴とする発光素子材料。
(Wherein X 6 represents O, S or N—R. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 6 is a 6-membered nitrogen-containing aromatic compound. Represents an atomic group necessary for forming a heterocyclic ring; n represents an integer of 2 to 8; L represents a linking group) [7] A compound represented by the following formula (VII) Light-emitting element material.

【0020】[0020]

【化18】 Embedded image

【0021】(式中、Rは水素原子、脂肪族炭化水素
基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Q7は6員の
含窒素芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表
す。nは2ないし8の整数を表す。Lは連結基を表
す。) 〔8〕下記一般式(VIII)で表される化合物であること
を特徴とする発光素子材料。
(Wherein, R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 7 represents an atom group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring. n represents an integer of 2 to 8. L represents a linking group.) [8] A light-emitting element material, which is a compound represented by the following general formula (VIII).

【0022】[0022]

【化19】 Embedded image

【0023】(式中、Q81、Q82およびはQ83は、それ
ぞれ6員の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原
子群を表す。R81、R82およびR83は、それぞれ水素原
子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を
表す。L1 、L2 およびL3は、それぞれ連結基を表
す。Yは窒素原子または1,3,5−ベンゼントリイル
基を表す。)
(Wherein Q 81 , Q 82 and Q 83 each represent an atomic group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring. R 81 , R 82 and R 83 each represent L 1 , L 2 and L 3 each represent a linking group, and Y represents a nitrogen atom or a 1,3,5-benzenetriyl group, which represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Represents.)

〔9〕下記一般式(IX) で表されることを特徴とする化
合物。
[9] A compound represented by the following general formula (IX).

【0024】[0024]

【化20】 Embedded image

【0025】(式中、Q91、Q92およびはQ93は、それ
ぞれ6員の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原
子群を表す。R91、R92およびR93は、それぞれ水素原
子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を
表す。) 〔10〕下記一般式(X)で表されることを特徴とする
化合物。
(Wherein, Q 91 , Q 92 and Q 93 each represent an atom group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocycle. R 91 , R 92 and R 93 each represent Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group.) [10] A compound represented by the following general formula (X).

【0026】[0026]

【化21】 Embedded image

【0027】(式中、R101 、R102 およびR103 は、
それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基また
はヘテロ環基を表す。R104 、R105 およびR106 は、
それぞれ置換基を表す。p1 、p2 およびp3 は、それ
ぞれ0ないし3の整数を表す。) [11]下記一般式(XI)で表される化合物であるこ
とを特徴とする発光素子材料。
Wherein R 101 , R 102 and R 103 are
Each represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. R 104 , R 105 and R 106 are
Each represents a substituent. p 1 , p 2 and p 3 each represent an integer of 0 to 3. [11] A light-emitting element material, which is a compound represented by the following general formula (XI).

【0028】[0028]

【化22】 Embedded image

【0029】(式中、Q3 は芳香族ヘテロ環を形成する
に必要な原子群を表す。R11は水素原子または置換基を
表す。mは2以上の整数を表す。Lは連結基を表す。) 〔12〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少な
くとも一層が〔1〕〜〔11〕記載の一般式(I)〜
(XI)で表される化合物の少なくとも一種を含有する
層であることを特徴とする発光素子。 〔13〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少な
くとも一層が〔1〕〜〔11〕記載の一般式(I)〜
(XI)で表される化合物の少なくとも一種をポリマー
に分散した層であることを特徴とする発光素子。 〔14〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、発光
層と陰極との間の少なくとも一層が〔1〕〜〔11〕記
載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物を少なく
とも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。 〔15〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、青色
発光層と陰極との間の少なくとも一層が〔1〕〜〔1
1〕記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物を
少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光
素子。 〔16〕一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、
〔1〕〜〔11〕記載の一般式(I)〜(XI)で表さ
れる化合物を少なくとも一種含有する層に青色発光材料
を含有することを特徴とする発光素子。
(Wherein, Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic heterocyclic ring; R 11 represents a hydrogen atom or a substituent; m represents an integer of 2 or more; L represents a linking group) [12] In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer are formed between a pair of electrodes, at least one of the light-emitting elements has a general formula (I) to (1) to (11).
A light-emitting element, which is a layer containing at least one compound represented by (XI). [13] In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including the light-emitting layer are formed between a pair of electrodes, at least one of the light-emitting elements is a compound represented by any one of the general formulas (I) to
A light-emitting element comprising a layer in which at least one compound represented by (XI) is dispersed in a polymer. [14] In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including the light-emitting layer are formed between a pair of electrodes, at least one layer between the light-emitting layer and the cathode has a general formula of [1] to [11]. A light-emitting element, which is a layer containing at least one of the compounds represented by (I) to (XI). [15] In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including the light-emitting layer are formed between a pair of electrodes, at least one layer between the blue light-emitting layer and the cathode is [1] to [1].
[1] A light-emitting element comprising a layer containing at least one compound represented by any one of the general formulas (I) to (XI) described above. [16] In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes,
A light-emitting element comprising a layer containing at least one of the compounds represented by the general formulas (I) to (XI) described in [1] to [11], containing a blue light-emitting material.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、一般式(I)で表される化合物について説
明する。Aは二つ以上の芳香族ヘテロ環が縮合したヘテ
ロ環基を表し、Aで表されるヘテロ環基は同一または異
なってもよい。Aで表されるヘテロ環基として好ましく
は5員環または6員環の芳香族ヘテロ環が縮合したもの
であり、より好ましくは2ないし6個、更に好ましくは
2ないし3個、特に好ましくは2個の芳香族ヘテロ環が
縮合したものである。この場合のヘテロ原子として好ま
しくは、N、O、S、Se、Te原子であり、より好ま
しくはN、O、S原子であり、更に好ましくはN原子で
ある。Aで表されるヘテロ環基を構成する芳香族ヘテロ
環の具体例としては、例えばフラン、チオフェン、ピラ
ン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、
ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、チアゾール、オキ
サゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、チアジ
アゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、セレナゾ
ール、テルラゾールなどが挙げられ、好ましくはイミダ
ゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジ
ン、ピリダジン、チアゾール、オキサゾールであり、よ
り好ましくはイミダゾール、チアゾール、オキサゾー
ル、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジンであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. First, the compound represented by formula (I) will be described. A represents a heterocyclic group in which two or more aromatic heterocycles are fused, and the heterocyclic groups represented by A may be the same or different. The heterocyclic group represented by A is preferably a condensed 5- or 6-membered aromatic heterocyclic ring, more preferably 2 to 6, more preferably 2 to 3, and particularly preferably 2 to 3. Of aromatic heterocycles. The hetero atom in this case is preferably N, O, S, Se, or Te atom, more preferably N, O, or S atom, and further preferably N atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring constituting the heterocyclic group represented by A include, for example, furan, thiophene, pyran, pyrrole, imidazole, pyrazole, pyridine,
Pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole, isothiazole, isoxazole, thiadiazole, oxadiazole, triazole, selenazole, tellurazole and the like, preferably imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole. And more preferably imidazole, thiazole, oxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine and pyridazine.

【0031】Aで表される縮合環の具体例としては、例
えばインドリジン、プリン、プテリジン、カルボリン、
ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾール、ピラゾロイ
ミダゾール、ピラゾロトリアゾール、ピラゾロピリミジ
ン、ピラゾロトリアジン、トリアゾロピリジン、テトラ
ザインデン、ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾー
ル、イミダゾイミダゾール、イミダゾピリジン、イミダ
ゾピラジン、イミダゾピリミジン、イミダゾピリダジ
ン、オキサゾロピリジン、オキサゾロピラジン、オキサ
ゾロピリミジン、オキサゾロピリダジン、チアゾロピリ
ジン、チアゾロピラジン、チアゾロピリミジン、チアゾ
ロピリダジン、ピリジノピラジン、ピラジノピラジン、
ピラジノピリダジン、ナフチリジン、イミダゾトリアジ
ンなどが挙げられ、好ましくはイミダゾピリジン、イミ
ダゾピラジン、イミダゾピリミジン、イミダゾピリダジ
ン、オキサゾロピリジン、オキサゾロピラジン、オキサ
ゾロピリミジン、オキサゾロピリダジン、チアゾロピリ
ジン、チアゾロピラジン、チアゾロピリミジン、チアゾ
ロピリダジン、ピリジノピラジン、ピラジノピラジンで
あり、更に好ましくはイミダゾピリジン、オキサゾロピ
リジン、チアゾロピリジン、ピリジノピラジン、ピラジ
ノピラジンであり、特に好ましくはイミダゾピリジンで
ある。
Specific examples of the condensed ring represented by A include, for example, indolizine, purine, pteridine, carboline,
Pyrroloimidazole, pyrrolotriazole, pyrazoloimidazole, pyrazolotriazole, pyrazolopyrimidine, pyrazolotriazine, triazolopyridine, tetrazaindene, pyrroleimidazole, pyrrolotriazole, imidazoimidazole, imidazopyridine, imidazopyrazine, imidazopyrimidine, imidazopyridazine , Oxazolopyridine, oxazolopyrazine, oxazolopyrimidine, oxazolopyridazine, thiazolopyridine, thiazolopyrazine, thiazolopyrimidine, thiazolopyridazine, pyridinopyrazine, pyrazinopyrazine,
Pyrazinopyridazine, naphthyridine, imidazotriazine and the like, preferably imidazopyridine, imidazopyrazine, imidazopyrimidine, imidazopyridazine, oxazolopyridine, oxazolopyrazine, oxazolopyrimidine, oxazolopyridazine, thiazolopyridine, thiazolopyrazine And thiazolopyrimidine, thiazolopyridazine, pyridinopyrazine and pyrazinopyrazine, more preferably imidazopyridine, oxazolopyridine, thiazolopyridine, pyridinopyrazine and pyrazinopyrazine, particularly preferably imidazopyridine.

【0032】Aで表されるヘテロ環基は更に他の環と縮
合してもよく、また置換基を有してもよい。Aで表され
るヘテロ環基の置換基としては、例えばアルキル基(好
ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチ
ル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n
−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプ
ロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げら
れる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、
より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数
2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニ
ル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル
基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数
2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例え
ばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられ
る。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より
好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜
12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭
素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好
ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチル
アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げ
られる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭
素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブト
キシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、
アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好
ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜1
2であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキ
シ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、アシル
基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数
1〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例え
ばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが
挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは
炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に
好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカル
ボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、ア
リールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜3
0、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭
素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニル
などが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭
素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好
ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベ
ンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基
(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2
〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば
アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられ
る。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭
素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好
ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボ
ニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカル
ボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ま
しくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12
であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが
挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素
数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ま
しくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニル
アミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられ
る。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜3
0、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭
素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルス
ルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスル
ファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好
ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカル
バモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アル
キルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましく
は炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられ
る。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、
より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数
6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられ
る。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、よ
り好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1
〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられ
る。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、
より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼン
スルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ま
しくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレ
イド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げら
れる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フ
ェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ
基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ス
ルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好
ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜1
2であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モル
ホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベ
ンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げ
られる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、よ
り好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3
〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニル
シリルなどが挙げられる。)などが挙げられる。これら
の置換基は更に置換されてもよい。また置換基が二つ以
上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な
場合には連結して環を形成してもよい。
The heterocyclic group represented by A may be further condensed with another ring and may have a substituent. As a substituent of the heterocyclic group represented by A, for example, an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n
-Octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like. ), An alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms,
More preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include vinyl, allyl, 2-butenyl, and 3-pentenyl. ), An alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include propargyl and 3-pentynyl), and an aryl group (preferably). Has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 30 carbon atoms.
12, for example, phenyl, p-methylphenyl, naphthyl and the like. ), An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, for example, amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino , Ditolylamino and the like), an alkoxy group (preferably having 1 to 3 carbon atoms).
It has 0, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, and examples thereof include methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy and the like. ),
An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably having 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably having 6 to 1 carbon atoms)
2, for example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy and the like. ), An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 12 carbon atoms, for example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl and the like), and alkoxycarbonyl A group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl), and an aryloxycarbonyl group (preferably 7 to 3 carbon atoms
It has 0, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl. ), An acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy and benzoyloxy), and an acylamino group (preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2 carbon atoms
-20, particularly preferably 2-10 carbon atoms, such as acetylamino and benzoylamino. ), An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 12 carbon atoms, for example, methoxycarbonylamino and the like), aryloxycarbonylamino Group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably having 7 to 20 carbon atoms, and particularly preferably having 7 to 12 carbon atoms.
And for example, phenyloxycarbonylamino and the like. ), A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 1 to 12 carbon atoms, for example, methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), and sulfamoyl. Groups (preferably having 0 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 0 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, and examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, and phenylsulfamoyl. ), Carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl and the like. ), An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio, etc.), and an arylthio group (preferably carbon Numbers 6 to 30,
More preferably, it has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio. ), A sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably having 1 carbon atoms.
To 12, for example, mesyl, tosyl and the like. ), Sulfinyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms,
More preferably, it has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl and benzenesulfinyl. ), A ureido group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, ureide, methylureide, phenylureide and the like. ), A phosphoric amide group (preferably having 1 to 3 carbon atoms)
It has 0, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include diethylphosphoramide and phenylphosphoramide. ), A hydroxy group, a mercapto group, a halogen atom (for example, a fluorine atom,
Chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 1 carbon atoms
2, as a hetero atom, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzothiazolyl, carbazolyl, Azepinyl and the like. ), A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably having 3 to 30 carbon atoms, and particularly preferably having 3 carbon atoms.
To 24, for example, trimethylsilyl, triphenylsilyl and the like. ). These substituents may be further substituted. When there are two or more substituents, they may be the same or different. If possible, they may be linked to form a ring.

【0033】Aで表されるヘテロ環基の置換基として好
ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、ア
ルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニ
ルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、
カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ス
ルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であ
り、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、芳香族ヘテロ環基であ
る。mは2以上の整数を表し、好ましくは2ないし8、
より好ましくは2ないし6、更に好ましくは2ないし4
であり、特に好ましくは2または3であり、最も好まし
くは3である。Lは連結基を表す。Lで表される連結基
として好ましくは、単結合、C、N、O、S、Si、G
eなどで形成される連結基であり、より好ましくは単結
合、アルキレン、アルケニレン、アルキニレン、アリー
レン、二価のヘテロ環(好ましくは芳香族ヘテロ環であ
り、より好ましくはアゾール、チオフェン、フラン環か
ら形成される芳香族ヘテロ環などである。)およびNと
これらの組合わせから成る基であり、更に好ましくはア
リーレン、二価の芳香族ヘテロ環およびNとこれらの組
合わせから成る基である。
The substituent of the heterocyclic group represented by A is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group,
Aryl group, amino group, alkoxy group, aryloxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, acyloxy group, acylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfonylamino group, sulfamoyl group,
A carbamoyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a sulfonyl group, a halogen atom, a cyano group, or a heterocyclic group, more preferably an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a halogen atom, a cyano group, or a heterocyclic group. A ring group, more preferably an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, or an aromatic heterocyclic group, and particularly preferably an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aromatic heterocyclic group. m represents an integer of 2 or more, preferably 2 to 8,
More preferably 2 to 6, even more preferably 2 to 4
And particularly preferably 2 or 3, and most preferably 3. L represents a linking group. The linking group represented by L is preferably a single bond, C, N, O, S, Si, G
e, etc., more preferably a single bond, alkylene, alkenylene, alkynylene, arylene, divalent heterocycle (preferably an aromatic heterocycle, more preferably an azole, thiophene, furan ring And a group comprising N and a combination thereof, and more preferably an arylene, a divalent aromatic heterocycle and a group comprising N and a combination thereof.

【0034】Lで表される連結基の具体例としては、単
結合の他、例えば以下のものが挙げられる。
Specific examples of the linking group represented by L include the following in addition to a single bond.

【0035】[0035]

【化23】 Embedded image

【0036】[0036]

【化24】 Embedded image

【0037】[0037]

【化25】 Embedded image

【0038】[0038]

【化26】 Embedded image

【0039】Lで表される連結基は置換基を有してもよ
く、置換基としては例えばAで表されるヘテロ環基の置
換基として挙げたものが適用できる。Lの置換基として
好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル
基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基で
あり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族ヘテロ環基であ
り、更に好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘ
テロ環基である。
The linking group represented by L may have a substituent. As the substituent, for example, those mentioned as substituents for the heterocyclic group represented by A can be applied. As the substituent of L, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group,
Aryl group, alkoxy group, aryloxy group, acyl group, halogen atom, cyano group, heterocyclic group, silyl group, more preferably alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, A halogen atom, a cyano group, and an aromatic heterocyclic group are preferable, and an alkyl group, an aryl group, and an aromatic heterocyclic group are more preferable.

【0040】一般式(I)で表される化合物のうち、好
ましくは下記一般式(II)で表される化合物である。
Among the compounds represented by the general formula (I), a compound represented by the following general formula (II) is preferred.

【0041】[0041]

【化27】 Embedded image

【0042】式中、m、Lは、それぞれ一般式(I)に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。Bは二つ以上の5員環および/または6員環の芳
香族ヘテロ環が縮合したヘテロ環基を表し、Bで表され
るヘテロ環基は同一または異なってもよい。Bで表され
るヘテロ環基として好ましくは5員環または6員環の芳
香族ヘテロ環が2ないし6個縮合したものであり、更に
好ましくは2ないし3個、特に好ましくは2個の芳香族
ヘテロ環が縮合したものである。この場合のヘテロ原子
として好ましくは、N、O、S、Se、Te原子であ
り、より好ましくはN、O、S原子であり、更に好まし
くはN原子である。Bで表されるヘテロ環基を構成する
芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えばフラン、チオ
フェン、ピラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、チ
アゾール、オキサゾール、イソチアゾール、イソオキサ
ゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾ
ール、セレナゾール、テルラゾールなどが挙げられ、好
ましくはイミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジ
ン、ピリミジン、ピリダジン、チアゾール、オキサゾー
ルであり、より好ましくはイミダゾール、チアゾール、
オキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリ
ダジンである。
In the formula, m and L have the same meanings as those in formula (I), and the preferred ranges are also the same. B represents a heterocyclic group in which two or more 5- and / or 6-membered aromatic heterocycles are fused, and the heterocyclic groups represented by B may be the same or different. The heterocyclic group represented by B is preferably a condensed 2 to 6 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring, more preferably 2 to 3 and particularly preferably 2 aromatic rings. Heterocycle fused. The hetero atom in this case is preferably N, O, S, Se, or Te atom, more preferably N, O, or S atom, and further preferably N atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring constituting the heterocyclic group represented by B include, for example, furan, thiophene, pyran, pyrrole, imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole, isothiazole, and isothiazole. Oxazole, thiadiazole, oxadiazole, triazole, selenazole, tellurazole and the like, preferably imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole, more preferably imidazole, thiazole,
Oxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine and pyridazine.

【0043】Bで表される縮合環の具体例としては、例
えばインドリジン、プリン、プテリジン、カルボリン、
ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾール、ピラゾロイ
ミダゾール、ピラゾロトリアゾール、ピラゾロピリミジ
ン、ピラゾロトリアジン、トリアゾロピリジン、テトラ
ザインデン、ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾー
ル、イミダゾイミダゾール、イミダゾピリジン、イミダ
ゾピラジン、イミダゾピリミジン、イミダゾピリダジ
ン、オキサゾロピリジン、オキサゾロピラジン、オキサ
ゾロピリミジン、オキサゾロピリダジン、チアゾロピリ
ジン、チアゾロピラジン、チアゾロピリミジン、チアゾ
ロピリダジン、ピリジノピラジン、ピラジノピラジン、
ピラジノピリダジン、ナフチリジン、イミダゾトリアジ
ンなどが挙げられ、好ましくはイミダゾピリジン、イミ
ダゾピラジン、イミダゾピリミジン、イミダゾピリダジ
ン、オキサゾロピリジン、オキサゾロピラジン、オキサ
ゾロピリミジン、オキサゾロピリダジン、チアゾロピリ
ジン、チアゾロピラジン、チアゾロピリミジン、チアゾ
ロピリダジン、ピリジノピラジン、ピラジノピラジンで
あり、更に好ましくはイミダゾピリジン、オキサゾロピ
リジン、チアゾロピリジン、ピリジノピラジン、ピラジ
ノピラジンであり、特に好ましくはイミダゾピリジンで
ある。Bで表されるヘテロ環基は置換基を有してもよ
く、置換基としては一般式(I)におけるAで表される
ヘテロ環基の置換基として挙げたものが適用でき、また
好ましい置換基も同様である。
Specific examples of the condensed ring represented by B include, for example, indolizine, purine, pteridine, carboline,
Pyrroloimidazole, pyrrolotriazole, pyrazoloimidazole, pyrazolotriazole, pyrazolopyrimidine, pyrazolotriazine, triazolopyridine, tetrazaindene, pyrroleimidazole, pyrrolotriazole, imidazoimidazole, imidazopyridine, imidazopyrazine, imidazopyrimidine, imidazopyridazine , Oxazolopyridine, oxazolopyrazine, oxazolopyrimidine, oxazolopyridazine, thiazolopyridine, thiazolopyrazine, thiazolopyrimidine, thiazolopyridazine, pyridinopyrazine, pyrazinopyrazine,
Pyrazinopyridazine, naphthyridine, imidazotriazine and the like, preferably imidazopyridine, imidazopyrazine, imidazopyrimidine, imidazopyridazine, oxazolopyridine, oxazolopyrazine, oxazolopyrimidine, oxazolopyridazine, thiazolopyridine, thiazolopyrazine And thiazolopyrimidine, thiazolopyridazine, pyridinopyrazine and pyrazinopyrazine, more preferably imidazopyridine, oxazolopyridine, thiazolopyridine, pyridinopyrazine and pyrazinopyrazine, particularly preferably imidazopyridine. The heterocyclic group represented by B may have a substituent. As the substituent, those exemplified as the substituent of the heterocyclic group represented by A in the general formula (I) can be applied. The same applies to the group.

【0044】一般式(I)で表される化合物のうち、よ
り好ましくは下記一般式(III)又は(XI)で表される
化合物である。
Among the compounds represented by the general formula (I), more preferred are the compounds represented by the following general formulas (III) and (XI).

【0045】[0045]

【化28】 Embedded image

【0046】一般式(III)について説明する。m、L
は、それぞれ一般式(I)におけるそれらと同義であ
り、また好ましい範囲も同様である。XはO、S、S
e、TeまたはN−Rを表す。Rは水素原子、脂肪族炭
化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Q3
芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Rで
表される脂肪族炭化水素基として好ましくは、アルキル
基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数
1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えば
メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチ
ル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シ
クロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが
挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜
20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは
炭素数2〜8であり、例えばビニル、アリル、2−ブテ
ニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニ
ル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素
数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例え
ばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)
であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基であ
る。
The general formula (III) will be described. m, L
Have the same meanings as those in formula (I), respectively, and their preferred ranges are also the same. X is O, S, S
represents e, Te or NR. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic hetero ring. As the aliphatic hydrocarbon group represented by R, preferably an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc., and an alkenyl group (preferably having 2 to 2 carbon atoms).
20, more preferably 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably 2 to 8 carbon atoms, for example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl and the like. ), An alkynyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms, more preferably having 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include propargyl and 3-pentynyl).
And more preferably an alkyl group or an alkenyl group.

【0047】Rで表されるアリール基として好ましくは
炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に
好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、2
−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフ
ェニル、4−メトキシフェニル、3−トリフルオロメチ
ルフェニル、ペンタフルオロフェニル、2−ビフェニリ
ル、3−ビフェニリル、4−ビフェニリル、1−ナフチ
ル、2−ナフチル、1−ピレニルなどが挙げられる。R
で表されるヘテロ環基は、単環または縮環のヘテロ環基
(好ましくは炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜1
2、更に好ましくは炭素数2〜10のヘテロ環基)であ
り、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン
原子の少なくとも一つを含む芳香族ヘテロ環基である。
Rで表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロ
リジン、ピペリジン、ピロール、フラン、チオフェン、
イミダゾリン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナ
フトイミダゾール、チアゾリジン、チアゾール、ベンズ
チアゾール、ナフトチアゾール、イソチアゾール、オキ
サゾリン、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフト
オキサゾール、イソオキサゾール、セレナゾール、ベン
ズセレナゾール、ナフトセレナゾール、ピリジン、キノ
リン、イソキノリン、インドール、インドレニン、ピラ
ゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジ
ン、インダゾール、プリン、フタラジン、ナフチリジ
ン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジ
ン、フェナントリジン、プテリジン、フェナントロリ
ン、テトラザインデンなどが挙げられ、好ましくはフラ
ン、チオフェン、ピリジン、キノリン、ピラジン、ピリ
ミジン、ピリダジン、トリアジン、フタラジン、ナフチ
リジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好まし
くはフラン、チオフェン、ピリジン、キノリンであり、
特に好ましくはキノリンである。
The aryl group represented by R preferably has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms.
-Methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 4-methoxyphenyl, 3-trifluoromethylphenyl, pentafluorophenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-pyrenyl and the like. R
Is a monocyclic or condensed heterocyclic group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, preferably having 1 to 1 carbon atoms).
2, more preferably a heterocyclic group having 2 to 10 carbon atoms), preferably an aromatic heterocyclic group containing at least one of a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a selenium atom.
Specific examples of the heterocyclic group represented by R include, for example, pyrrolidine, piperidine, pyrrole, furan, thiophene,
Imidazoline, imidazole, benzimidazole, naphthoimidazole, thiazolidine, thiazole, benzothiazole, naphthothiazole, isothiazole, oxazoline, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, isoxazole, selenazole, benzselenazole, naphthoselenazole, pyridine, quinoline, Isoquinoline, indole, indolenine, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, indazole, purine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, pteridine, phenanthridine, pteridine, phenanthroline, tetrazaindene, and the like, preferably. Is furan, thiophene, pyridine, quinoline, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, Triazine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, more preferably furan, thiophene, pyridine, quinoline,
Particularly preferred is quinoline.

【0048】Rで表される脂肪族炭化水素基、アリール
基、ヘテロ環基は置換基を有してもよく、置換基として
は一般式(I)におけるAで表されるヘテロ環基の置換
基として挙げたものが適用でき、また好ましい置換基も
同様である。Rとして好ましくは、アルキル基、アリー
ル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはアリー
ル基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアリー
ル基、芳香族アゾール基である。
The aliphatic hydrocarbon group, aryl group and heterocyclic group represented by R may have a substituent, and the substituent may be a substituent of the heterocyclic group represented by A in the general formula (I). What was mentioned as a group can be applied, and a preferable substituent is also the same. R is preferably an alkyl group, an aryl group, or an aromatic heterocyclic group, more preferably an aryl group or an aromatic heterocyclic group, and still more preferably an aryl group or an aromatic azole group.

【0049】Xとして好ましくはO、S、N−Rであ
り、より好ましくはO、N−Rであり、更に好ましくは
N−Rであり、特に好ましくはN−Ar(Arはアリー
ル基、芳香族アゾール基であり、より好ましくは炭素数
6〜30のアリール基、炭素数2〜30の芳香族アゾー
ル基、更に好ましくは炭素数6〜20のアリール基、炭
素数2〜16の芳香族アゾール基、特に好ましくは炭素
数6〜12のアリール基、炭素数2〜10の芳香族アゾ
ール基である。)である。
X is preferably O, S, NR, more preferably O, NR, further preferably NR, and particularly preferably N-Ar (Ar is an aryl group, aromatic Group, more preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an aromatic azole group having 2 to 30 carbon atoms, still more preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an aromatic azole having 2 to 16 carbon atoms. And particularly preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms and an aromatic azole group having 2 to 10 carbon atoms).

【0050】Q3 は芳香族ヘテロ環を形成するに必要な
原子群を表す。Q3 で形成される芳香族ヘテロ環として
好ましくは5または6員の芳香族ヘテロ環であり、より
好ましくは5または6員の含窒素芳香族ヘテロ環であ
り、更に好ましくは6員の含窒素芳香族ヘテロ環であ
る。Q3で形成される芳香族ヘテロ環の具体例として
は、例えばフラン、チオフェン、ピラン、ピロール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミ
ジン、ピリダジン、チアゾール、オキサゾール、イソチ
アゾール、イソオキサゾール、チアジアゾール、オキサ
ジアゾール、トリアゾール、セレナゾール、テルラゾー
ルなどが挙げられ、好ましくはピリジン、ピラジン、ピ
リミジン、ピリダジンであり、より好ましくはピリジ
ン、ピラジンであり、更に好ましくはピリジンである。
3で形成される芳香族ヘテロ環は更に他の環と縮合環
を形成してもよく、また置換基を有してもよい。置換基
としては一般式(I)におけるAで表されるヘテロ環基
の置換基として挙げたものが適用でき、また好ましい置
換基も同様である。
Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic hetero ring. The aromatic hetero ring formed by Q 3 is preferably a 5- or 6-membered aromatic hetero ring, more preferably a 5- or 6-membered nitrogen-containing aromatic hetero ring, and still more preferably a 6-membered nitrogen-containing aromatic hetero ring. It is an aromatic heterocycle. Specific examples of the aromatic hetero ring formed by Q 3, for example furan, thiophene, pyran, pyrrole, imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole, isothiazole, isoxazole, thiadiazole, oxa Examples thereof include diazole, triazole, selenazole and tellurazole, preferably pyridine, pyrazine, pyrimidine and pyridazine, more preferably pyridine and pyrazine, and further preferably pyridine.
The aromatic hetero ring formed by Q 3 may further form a condensed ring with another ring, and may have a substituent. As the substituent, those exemplified as the substituent of the heterocyclic group represented by A in formula (I) can be applied, and the same applies to the preferable substituents.

【0051】一般式(III)で表される化合物のうち、更
に好ましくは下記一般式(IV)で表される化合物であ
る。
Among the compounds represented by the general formula (III), more preferred are the compounds represented by the following general formula (IV).

【0052】[0052]

【化29】 Embedded image

【0053】式中、m、Lは、それぞれ一般式(I)に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。Xは一般式(III)におけるそれと同義であり、ま
た好ましい範囲も同様である。Q4 は含窒素芳香族ヘテ
ロ環を形成するに必要な原子群を表す。Q4で形成され
る含窒素芳香族ヘテロ環として好ましくは5または6員
の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは6員の
含窒素芳香族ヘテロ環である。Q4で形成される含窒素
芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えばピロール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミ
ジン、ピリダジン、チアゾール、オキサゾール、イソチ
アゾール、イソオキサゾール、チアジアゾール、オキサ
ジアゾール、トリアゾール、セレナゾール、テルラゾー
ルなどが挙げられ、好ましくはピリジン、ピラジン、ピ
リミジン、ピリダジンであり、より好ましくはピリジ
ン、ピラジンであり、更に好ましくはピリジンである。
4で形成される芳香族ヘテロ環は更に他の環と縮合環
を形成してもよく、また置換基を有してもよい。置換基
としては一般式(I)におけるAで表されるヘテロ環基
の置換基として挙げたものが適用でき、また好ましい置
換基も同様である。
In the formula, m and L have the same meanings as those in formula (I), and the preferred ranges are also the same. X has the same meaning as that in formula (III), and the preferred range is also the same. Q 4 represents an atom group necessary for forming a nitrogen-containing aromatic hetero ring. The nitrogen-containing aromatic hetero ring formed by Q 4 is preferably a 5- or 6-membered nitrogen-containing aromatic hetero ring, and more preferably a 6-membered nitrogen-containing aromatic hetero ring. Specific examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring formed by Q 4 include, for example, pyrrole, imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, thiazole, oxazole, isothiazole, isoxazole, thiadiazole, oxadiazole, triazole , Selenazole, tellurazole and the like, preferably pyridine, pyrazine, pyrimidine and pyridazine, more preferably pyridine and pyrazine, and further preferably pyridine.
The aromatic hetero ring formed by Q 4 may further form a condensed ring with another ring, and may have a substituent. As the substituent, those exemplified as the substituent of the heterocyclic group represented by A in formula (I) can be applied, and the same applies to the preferable substituents.

【0054】一般式(III)で表される化合物のうち、更
に好ましくは下記一般式(V)で表される化合物であ
る。
Among the compounds represented by the general formula (III), more preferred are the compounds represented by the following general formula (V).

【0055】[0055]

【化30】 Embedded image

【0056】式中、m、Lは、それぞれ一般式(I)に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。X5はO、SまたはN−Rを表す。Rは一般式(I
II)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同
様である。Q5は6員の含窒素芳香族ヘテロ環を形成す
るに必要な原子群を表す。Q5で形成される6員の含窒
素芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えばピリジン、
ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが
挙げられ、好ましくはピリジン、ピラジン、ピリミジ
ン、ピリダジンであり、より好ましくはピリジン、ピラ
ジンであり、更に好ましくはピリジンである。Q5で形
成される6員の含窒素芳香族ヘテロ環は更に他の環と縮
合環を形成してもよく、また置換基を有してもよい。置
換基としては一般式(I)におけるAで表されるヘテロ
環基の置換基として挙げたものが適用でき、また好まし
い置換基も同様である。
In the formula, m and L have the same meanings as those in formula (I), respectively, and their preferred ranges are also the same. X 5 represents O, S or NR. R is the general formula (I
It has the same meaning as that in II), and the preferred range is also the same. Q 5 represents an atom group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocycle. Specific examples of the 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring formed by Q 5 include, for example, pyridine,
Pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine and the like can be mentioned, preferably pyridine, pyrazine, pyrimidine and pyridazine, more preferably pyridine and pyrazine, further preferably pyridine. The 6-membered nitrogen-containing aromatic hetero ring formed by Q 5 may further form a condensed ring with another ring, or may have a substituent. As the substituent, those exemplified as the substituent of the heterocyclic group represented by A in formula (I) can be applied, and the same applies to the preferable substituents.

【0057】一般式(III)で表される化合物のうち、更
に好ましくは下記一般式(VI)で表される化合物であ
る。
Among the compounds represented by the general formula (III), more preferred are the compounds represented by the following general formula (VI).

【0058】[0058]

【化31】 Embedded image

【0059】式中、Lは一般式(I)におけるそれと同
義であり、また好ましい範囲も同様である。X6 は一般
式(V)におけるX5 と同義であり、また好ましい範囲
も同様である。Q6 は一般式(V)におけるQ5 と同義
であり、また好ましい範囲も同様である。nは2ないし
8の整数を表し、好ましくは2ないし6、より好ましく
は2ないし4であり、更に好ましくは2または3であ
り、特に好ましくは3である。一般式(III)で表される
化合物のうち、更に好ましくは下記一般式(VII)で表さ
れる化合物である。
In the formula, L has the same meaning as in formula (I), and the preferred range is also the same. X 6 has the same meaning as X 5 in formula (V), and the preferred range is also the same. Q 6 has the same meaning as Q 5 in formula (V), and the preferred range is also the same. n represents an integer of 2 to 8, preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, still more preferably 2 or 3, and particularly preferably 3. Among the compounds represented by the general formula (III), more preferred are the compounds represented by the following general formula (VII).

【0060】[0060]

【化32】 Embedded image

【0061】式中、Lは一般式(I)におけるそれと同
義であり、また好ましい範囲も同様である。Rは一般式
(III)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も
同様である。Q7 は一般式(V)におけるQ5 と同義で
あり、また好ましい範囲も同様である。nは一般式(V
I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同
様である。
In the formula, L has the same meaning as in formula (I), and the preferred range is also the same. R has the same meaning as that in formula (III), and the preferred range is also the same. Q 7 has the same meaning as Q 5 in formula (V), and the preferred range is also the same. n is a general formula (V
It has the same meaning as that in I), and the preferred range is also the same.

【0062】一般式(III)で表される化合物のうち、更
に好ましくは下記一般式(VIII)で表される化合物であ
る。
Among the compounds represented by the general formula (III), more preferred are the compounds represented by the following general formula (VIII).

【0063】[0063]

【化33】 Embedded image

【0064】式中、R81、R82およびR83は、それぞれ
一般式(III)におけるRと同義であり、また好ましい範
囲も同様である。Q81、Q82およびQ83は、それぞれ一
般式(V)におけるQ5 と同義であり、また好ましい範
囲も同様である。L1 、L2およびL3は、それぞれ一般
式(I)におけるLと同義である。L1 、L2 、L3
して好ましくは、単結合、アリーレン、二価の芳香族ヘ
テロ環およびこれらの組合わせから成る連結基であり、
より好ましくは単結合、ベンゼン、ナフタレン、アント
ラセン、ピリジン、ピラジン、チオフェン、フラン、オ
キサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジア
ゾール、トリアゾールおよびこれらの組合わせから成る
連結基であり、更に好ましくは単結合、ベンゼン、チオ
フェンおよびこれらの組合わせから成る連結基であり、
特に好ましくは単結合、ベンゼンおよびこれらの組合わ
せから成る連結基であり、最も好ましくは単結合であ
る。L1 、L2 、L3 は置換基を有してもよく、置換基
としては一般式(I)におけるAで表されるヘテロ環基
の置換基として挙げたものが適用できる。
In the formula, R 81 , R 82 and R 83 have the same meanings as R in formula (III), and their preferred ranges are also the same. Q 81 , Q 82 and Q 83 each have the same meaning as Q 5 in formula (V), and their preferred ranges are also the same. L 1 , L 2 and L 3 have the same meanings as L in formula (I), respectively. L 1 , L 2 , and L 3 are preferably a single bond, an arylene, a divalent aromatic heterocycle, or a linking group composed of a combination thereof;
More preferably, it is a single bond, a connecting group consisting of benzene, naphthalene, anthracene, pyridine, pyrazine, thiophene, furan, oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole, triazole, and a combination thereof. , Thiophene and a linking group consisting of a combination thereof,
Particularly preferred is a single bond, a benzene and a linking group comprising a combination thereof, and most preferred is a single bond. L 1 , L 2 and L 3 may have a substituent, and as the substituent, those mentioned as the substituent of the heterocyclic group represented by A in the general formula (I) can be applied.

【0065】Yは窒素原子または1,3,5−ベンゼン
トリイル基を表すが、後者は2,4,6位に置換基を有
してもよく、置換基としては例えばアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン原子などが挙げられる。Yとして好まし
くは窒素原子または無置換1,3,5−ベンゼントリイ
ル基であり、より好ましくは無置換1,3,5−ベンゼ
ントリイル基である。一般式(III)で表される化合物の
うち、特に好ましくは下記一般式(IX)で表される化合
物である。
Y represents a nitrogen atom or a 1,3,5-benzenetriyl group. The latter may have a substituent at the 2,4,6-position, and examples of the substituent include an alkyl group and an aryl group. And a halogen atom. Y is preferably a nitrogen atom or an unsubstituted 1,3,5-benzenetriyl group, and more preferably an unsubstituted 1,3,5-benzenetriyl group. Among the compounds represented by the general formula (III), a compound represented by the following general formula (IX) is particularly preferred.

【0066】[0066]

【化34】 Embedded image

【0067】式中、R91、R92およびR93は、それぞれ
一般式(III)におけるRと同義であり、また好ましい範
囲も同様である。Q91、Q92およびQ93は、それぞれ一
般式(V)におけるQ5と同義であり、また好ましい範
囲も同様である。一般式(III)で表される化合物のう
ち、最も好ましくは下記一般式(X)で表される化合物
である。
In the formula, R 91 , R 92 and R 93 each have the same meaning as R in formula (III), and the preferred range is also the same. Q 91 , Q 92 and Q 93 each have the same meaning as Q 5 in formula (V), and their preferred ranges are also the same. Among the compounds represented by the general formula (III), most preferred are the compounds represented by the following general formula (X).

【0068】[0068]

【化35】 Embedded image

【0069】式中、R101 、R102 およびR103は、そ
れぞれ一般式(X)におけるRと同義であり、また好ま
しい範囲も同様である。R104 、R105 およびR
106は、それぞれ置換基を表し、置換基としては一般式
(I)におけるAで表されるヘテロ環基の置換基として
挙げたものが適用でき、また好ましい置換基も同様であ
る。また可能な場合、置換基同士が連結して環を形成し
てもよい。p1 、p2 およびp3 は、それぞれ0ないし
3の整数を表し、好ましくは0ないし2、より好ましく
は0または1、更に好ましくは0である。
In the formula, R 101 , R 102 and R 103 each have the same meaning as R in formula (X), and the preferred range is also the same. R 104 , R 105 and R
106 represents a substituent, and as the substituent, those mentioned as the substituent of the heterocyclic group represented by A in formula (I) can be applied, and preferred substituents are also the same. Where possible, the substituents may be linked together to form a ring. p 1 , p 2 and p 3 each represent an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

【0070】次に一般式(XI)について説明する。
m、Lは、それぞれ一般式(I)におけるそれらと同義
であり、また好ましい範囲も同様である。Q3は一般式
(III)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も
同様である。R11は水素原子または置換基を表す。R11
で表される置換基としては例えば一般式(I)における
Aで表されるヘテロ環基の置換基として挙げたものが適
用できる。R11で表される置換基として好ましくは、脂
肪族炭化水素基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であ
り、より好ましくは、アルキル基(好ましくは炭素数1
〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましく
は炭素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso
−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デ
シル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペン
チル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アリール
基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数
6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例え
ばフェニル、2−メチルフェニル、3−メチルフェニ
ル、4−メチルフェニル、4−メトキシフェニル、3−
トリフルオロメチルフェニル、ペンタフルオロフェニ
ル、1−ナフチル、2−ナフチルなどが挙げられ
る。)、芳香族ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜2
0、好ましくは炭素数1〜12、更に好ましくは炭素数
2〜10の芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは窒
素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも
一つを含む芳香族ヘテロ環基である。芳香族ヘテロ環と
しては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピロール、フ
ラン、チオフェン、イミダゾリン、イミダゾール、ベン
ズイミダゾール、ナフトイミダゾール、チアゾリジン、
チアゾール、ベンズチアゾール、ナフトチアゾール、イ
ソチアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、ベンズオ
キサゾール、ナフトオキサゾール、イソオキサゾール、
セレナゾール、ベンズセレナゾール、ナフトセレナゾー
ル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、インドール、
インドレニン、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、ピ
リダジン、トリアジン、インダゾール、プリン、フタラ
ジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シン
ノリン、プテリジン、フェナントリジン、プテリジン、
フェナントロリン、テトラザインデン、カルバゾールな
どが挙げられ、好ましくはフラン、チオフェン、ピリジ
ン、キノリン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ト
リアジン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、
キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフェ
ン、ピリジン、キノリンであり、更に好ましくはキノリ
ンである。)であり、更に好ましくはアリール基、芳香
族ヘテロ環基である。R11で表される置換基は、更に置
換されてもよく、また可能な場合には連結して環を形成
してもよい。
Next, the general formula (XI) will be described.
m and L have the same meanings as those in formula (I), respectively, and their preferred ranges are also the same. Q 3 has the same meaning as that in formula (III), and the preferred range is also the same. R 11 represents a hydrogen atom or a substituent. R 11
As the substituent represented by, for example, those exemplified as the substituent of the heterocyclic group represented by A in the general formula (I) can be applied. The substituent represented by R 11 is preferably an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group, or an aromatic heterocyclic group, more preferably an alkyl group (preferably having 1 carbon atom).
-20, more preferably 1-12, particularly preferably 1-8, for example methyl, ethyl, iso
-Propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like. ), An aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably having 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 6 to 12 carbon atoms, for example, phenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, and 4-methylphenyl) , 4-methoxyphenyl, 3-
Trifluoromethylphenyl, pentafluorophenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl and the like. ), An aromatic heterocyclic group (preferably having 1 to 2 carbon atoms)
0, preferably an aromatic heterocyclic group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an aromatic heterocyclic group having 2 to 10 carbon atoms, more preferably an aromatic heterocyclic group containing at least one of a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a selenium atom. It is a ring group. As the aromatic heterocycle, for example, pyrrolidine, piperidine, pyrrole, furan, thiophene, imidazoline, imidazole, benzimidazole, naphthimidazole, thiazolidine,
Thiazole, benzothiazole, naphthothiazole, isothiazole, oxazoline, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, isoxazole,
Selenazole, benzselenazole, naphthoselenazole, pyridine, quinoline, isoquinoline, indole,
Indolenine, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, indazole, purine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, pteridine, phenanthridine, pteridine,
Phenanthroline, tetrazaindene, carbazole and the like, preferably furan, thiophene, pyridine, quinoline, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline,
Quinazoline, more preferably furan, thiophene, pyridine and quinoline, and still more preferably quinoline. ), And more preferably an aryl group or an aromatic heterocyclic group. The substituent represented by R 11 may be further substituted, and if possible, may combine to form a ring.

【0071】一般式(XI)で表される化合物のうち、
より好ましくは下記一般式(XII)で表される化合物
である。
Among the compounds represented by the general formula (XI),
More preferred are compounds represented by the following formula (XII).

【0072】[0072]

【化36】 Embedded image

【0073】式中、m、Lは、それぞれ一般式(I)に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。Q12は一般式(IV)におけるQ4と同義であ
り、また好ましい範囲も同様である。R11は一般式(X
I)におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同
様である。
In the formula, m and L have the same meanings as those in formula (I), and the preferred ranges are also the same. Q 12 has the same meaning as Q 4 in formula (IV), and the preferred range is also the same. R 11 has the general formula (X
It has the same meaning as that in I), and the preferred range is also the same.

【0074】一般式(XI)で表される化合物のうち、
更に好ましくは下記一般式(XIII)で表される化合物で
ある。
Among the compounds represented by the general formula (XI),
More preferred are compounds represented by the following formula (XIII).

【0075】[0075]

【化37】 Embedded image

【0076】式中、m、Lは、それぞれ一般式(I)に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。Q13は一般式(V)におけるQ5と同義であり、
また好ましい範囲も同様である。R11は一般式(XI)
におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。
In the formula, m and L have the same meanings as those in formula (I), and the preferred ranges are also the same. Q 13 has the same meaning as Q 5 in formula (V),
The same applies to the preferred range. R 11 has the general formula (XI)
And the preferred range is also the same.

【0077】一般式(XI)で表される化合物のうち、
特に好ましくは下記一般式(XIV)で表される化合物で
ある。
Of the compounds represented by the general formula (XI),
Particularly preferred are compounds represented by the following formula (XIV).

【0078】[0078]

【化38】 Embedded image

【0079】式中、L1 、L2 、L3 およびYは、それ
ぞれ一般式(VIII)におけるそれらと同義であり、また
好ましい範囲も同様である。Q141 、Q142 およびQ
143 は、それぞれ一般式(V)におけるQ5と同義であ
り、また好ましい範囲も同様である。R141 、R142
よびR143 は、それぞれ一般式(XI)におけるR11
同義であり、また好ましい範囲も同様である。
In the formula, L 1 , L 2 , L 3 and Y have the same meanings as those in formula (VIII), and the preferred ranges are also the same. Q 141 , Q 142 and Q
143 has the same meaning as Q 5 in formula (V), and the preferred range is also the same. R 141 , R 142 and R 143 each have the same meaning as R 11 in formula (XI), and the preferred range is also the same.

【0080】一般式(XI)で表される化合物のうち、
最も好ましくは下記一般式(XV)で表される化合物で
ある。
Among the compounds represented by the general formula (XI),
Most preferably, it is a compound represented by the following formula (XV).

【0081】[0081]

【化39】 Embedded image

【0082】式中、Q151 、Q152 およびQ153 は、そ
れぞれ一般式(V)におけるQ5 と同義であり、また好
ましい範囲も同様である。R151 、R152 およびR153
は、それぞれ一般式(XI)におけるR11と同義であ
り、また好ましい範囲も同様である。
In the formula, Q 151 , Q 152 and Q 153 have the same meanings as Q 5 in formula (V), respectively, and their preferred ranges are also the same. R 151 , R 152 and R 153
Has the same meaning as R 11 in formula (XI), and the preferred range is also the same.

【0083】以下に本発明の一般式(I)で表される化
合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
The following are specific examples of the compound represented by formula (I) of the present invention, but the present invention is not limited to these.

【0084】[0084]

【化40】 Embedded image

【0085】[0085]

【化41】 Embedded image

【0086】[0086]

【化42】 Embedded image

【0087】[0087]

【化43】 Embedded image

【0088】[0088]

【化44】 Embedded image

【0089】[0089]

【化45】 Embedded image

【0090】[0090]

【化46】 Embedded image

【0091】[0091]

【化47】 Embedded image

【0092】[0092]

【化48】 Embedded image

【0093】[0093]

【化49】 Embedded image

【0094】[0094]

【化50】 Embedded image

【0095】[0095]

【化51】 Embedded image

【0096】[0096]

【化52】 Embedded image

【0097】[0097]

【化53】 Embedded image

【0098】[0098]

【化54】 Embedded image

【0099】[0099]

【化55】 Embedded image

【0100】[0100]

【化56】 Embedded image

【0101】[0101]

【化57】 Embedded image

【0102】[0102]

【化58】 Embedded image

【0103】[0103]

【化59】 Embedded image

【0104】[0104]

【化60】 Embedded image

【0105】[0105]

【化61】 Embedded image

【0106】[0106]

【化62】 Embedded image

【0107】[0107]

【化63】 Embedded image

【0108】[0108]

【化64】 Embedded image

【0109】[0109]

【化65】 Embedded image

【0110】[0110]

【化66】 Embedded image

【0111】[0111]

【化67】 Embedded image

【0112】[0112]

【化68】 Embedded image

【0113】[0113]

【化69】 Embedded image

【0114】[0114]

【化70】 Embedded image

【0115】[0115]

【化71】 Embedded image

【0116】[0116]

【化72】 Embedded image

【0117】[0117]

【化73】 Embedded image

【0118】[0118]

【化74】 Embedded image

【0119】[0119]

【化75】 Embedded image

【0120】一般式(I)〜(XV)で表される本発明の
化合物は、特公昭44−23025号、同48−884
2号、特開昭53−6331号、特開平10−9257
8号、米国特許3,449,255号、同5,766,
779号、J.Am.Chem.Soc.,94,24
14(1972)、Helv.Chim.Acta,6
3,413(1980)、Liebigs Ann.C
hem.,1423(1982)などに記載の方法を参
考にして合成できる。
The compounds of the present invention represented by formulas (I) to (XV) are described in JP-B-44-23025 and JP-B-48-884.
No. 2, JP-A-53-6331, JP-A-10-9257
8, U.S. Patent Nos. 3,449,255 and 5,766
No. 779, J.A. Am. Chem. Soc. , 94,24
14 (1972), Helv. Chim. Acta, 6
3, 413 (1980), Liebigs Ann. C
hem. , 1423 (1982).

【0121】以下に本発明の化合物の合成法について具
体例をもって説明する。 合成例1.例示化合物2の合成
Hereinafter, the method for synthesizing the compound of the present invention will be described with reference to specific examples. Synthesis Example 1 Synthesis of Exemplified Compound 2

【0122】[0122]

【化76】 Embedded image

【0123】1−1.化合物2aの合成 2−クロロ−3−ニトロピリジン50.8g(0.32
0モル)、炭酸カリウム90.8g(0.657モ
ル)、ヨウ化銅(I)7.90g(0.0416モ
ル)、トルエン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲
気下攪拌しているところへ、アニリン45.7g(0.
490モル)を加えた。5時間加熱還流した後、反応液
を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)にて精製し
た後、クロロホルム/ヘキサンにて再結晶することによ
り化合物2aを45.7g(0.21モル)得た。収率
66%
1-1. Synthesis of Compound 2a 50.8 g of 2-chloro-3-nitropyridine (0.32 g)
0 mol), 90.8 g (0.657 mol) of potassium carbonate, 7.90 g (0.0416 mol) of copper (I) iodide, and 300 ml of toluene were stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. 45.7 g (0.
490 mol). After heating under reflux for 5 hours, the reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization was performed with chloroform / hexane to obtain 45.7 g (0.21 mol) of compound 2a. 66% yield

【0124】1−2.化合物2bの合成 化合物2a 17.0g(0.0790モル)をテトラ
ヒドロフラン170ミリリットルに溶解し、室温にて窒
素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイト
ナトリウム69.0g(0.396モル)/水220ミ
リリットルの溶液を滴下した。1時間攪拌した後、酢酸
エチル170ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリ
ウム13.6g(0.162モル)/水140ミリリッ
トルの溶液を滴下した。更に4,4'−ビフェニルジカ
ルボニルクロリド10.0g(0.0358モル)/酢
酸エチル100ミリリットルの溶液を滴下し、室温下5
時間攪拌した。析出した固体を濾取し、水、次いで酢酸
エチルで洗浄することにより化合物2bを16.0g
(0.0277モル)得た。収率77%
1-2. Synthesis of Compound 2b Compound 1a (17.0 g, 0.0790 mol) was dissolved in tetrahydrofuran (170 ml), and stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature, to which sodium hydrosulfite 69.0 g (0.396 mol) / water was added. 220 ml of the solution were added dropwise. After stirring for 1 hour, 170 ml of ethyl acetate was added, and then a solution of 13.6 g (0.162 mol) of sodium hydrogen carbonate / 140 ml of water was added dropwise. Further, a solution of 10.0 g (0.0358 mol) of 4,4'-biphenyldicarbonyl chloride / 100 ml of ethyl acetate was added dropwise, and the solution was added at room temperature for 5 minutes.
Stirred for hours. The precipitated solid was collected by filtration and washed with water and then with ethyl acetate to give 16.0 g of compound 2b.
(0.0277 mol). 77% yield

【0125】1−3.例示化合物2の合成 化合物2b 10.0g(0.0173モル)、p−ト
ルエンスルホン酸一水和物2.3g(0.0121モ
ル)にキシレン300ミリリットルを加え、窒素雰囲気
下6時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで
冷却した後、析出した固体を濾取し、ジメチルホルムア
ミド/アセトニトリルにて再結晶することにより例示化
合物2を5.20g(9.62ミリモル)得た。収率5
7% 融点:298〜300℃
1-3. Synthesis of Exemplified Compound 2 300 ml of xylene was added to 10.0 g (0.0173 mol) of compound 2b and 2.3 g (0.0121 mol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated and refluxed in a nitrogen atmosphere for 6 hours. Azeotropic dehydration. After cooling the reaction solution to room temperature, the precipitated solid was collected by filtration and recrystallized from dimethylformamide / acetonitrile to obtain 5.20 g (9.62 mmol) of Exemplified Compound 2. Yield 5
7% Melting point: 298-300 ° C

【0126】合成例2.例示化合物18の合成Synthesis Example 2 Synthesis of Exemplified Compound 18

【0127】[0127]

【化77】 Embedded image

【0128】[0128]

【化78】 Embedded image

【0129】2−1.化合物18bの合成 化合物2a 15.0g(0.0697モル)をテトラ
ヒドロフラン150ミリリットルに溶解し、室温にて窒
素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイト
ナトリウム60.9g(0.345モル)/水200ミ
リリットルの溶液を滴下した。2時間攪拌した後、酢酸
エチル150ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリ
ウム12.0g(0.143モル)/水120ミリリッ
トルの溶液を滴下した。更にトリメシン酸クロリド5.
2g(0.0196モル)/酢酸エチル50ミリリット
ルの溶液を滴下し、室温下3時間攪拌した。反応液に飽
和食塩水を加え、酢酸エチルにて抽出した後、有機相を
飽和食塩水で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムに
より乾燥した。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノー
ル=10/1(vol/vol))にて精製した後、ジ
メチルホルムアミド/アセトニトリルにて再結晶するこ
とにより化合物18bを4.1g(5.76ミリモル)
得た。収率29%。
2-1. Synthesis of Compound 18b Compound 1a (15.0 g, 0.0697 mol) was dissolved in tetrahydrofuran (150 ml), and stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature. Then, sodium hydrosulfite 60.9 g (0.345 mol) / water was added. 200 ml of the solution were added dropwise. After stirring for 2 hours, 150 ml of ethyl acetate was added, and then a solution of 12.0 g (0.143 mol) of sodium hydrogen carbonate / 120 ml of water was added dropwise. Furthermore, trimesic acid chloride5.
A solution of 2 g (0.0196 mol) / 50 ml of ethyl acetate was added dropwise and stirred at room temperature for 3 hours. After adding saturated saline to the reaction solution and extracting with ethyl acetate, the organic phase was washed with saturated saline and the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 10/1 (vol / vol)), and then recrystallized from dimethylformamide / acetonitrile to give compound 18b. 1 g (5.76 mmol)
Obtained. Yield 29%.

【0130】2−2.例示化合物18の合成 化合物18b 3.70g(5.20ミリモル)、p−
トルエンスルホン酸一水和物0.7g(3.68ミリモ
ル)にキシレン100ミリリットルを加え、窒素雰囲気
下3時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで
冷却した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール
=20/1(vol/vol))にて精製した後、クロ
ロホルム/メタノールにて再結晶することにより例示化
合物18を1.70g(2.58ミリモル)得た。収率
50%。融点:279〜281℃
2-2. Synthesis of Exemplified Compound 18 3.70 g (5.20 mmol) of compound 18b, p-
100 ml of xylene was added to 0.7 g (3.68 mmol) of toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated under reflux for 3 hours under a nitrogen atmosphere and azeotropically dehydrated. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was distilled off under reduced pressure, purified by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 20/1 (vol / vol)), and then recrystallized from chloroform / methanol. As a result, 1.70 g (2.58 mmol) of Exemplified Compound 18 was obtained. Yield 50%. Melting point: 279-281 ° C

【0131】合成例3.例示化合物19の合成 3−1.化合物19aの合成 2−クロロ−3−ニトロピリジン50.0g(0.31
5モル)、炭酸カリウム90.8g(0.657モ
ル)、ヨウ化銅(I)7.90g(0.0416モ
ル)、トルエン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲
気下攪拌しているところへ、m−トルイジン45.0g
(0.420モル)を加えた。8時間加熱還流した後、
反応液を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)にて
精製した後、クロロホルム/ヘキサンにて再結晶するこ
とにより化合物19aを51.0g(0.222モル)
得た。収率71%
Synthesis Example 3 Synthesis of Exemplified Compound 19 3-1. Synthesis of Compound 19a 2-Chloro-3-nitropyridine 50.0 g (0.31
5 mol), 90.8 g (0.657 mol) of potassium carbonate, 7.90 g (0.0416 mol) of copper (I) iodide, and 300 ml of toluene were stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. -45.0 g toluidine
(0.420 mol) was added. After heating and refluxing for 8 hours,
The reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization from chloroform / hexane gave 51.0 g (0.222 mol) of compound 19a.
Obtained. 71% yield

【0132】3−2.化合物19bの合成 化合物19a 32.5g(0.142モル)をテトラ
ヒドロフラン320ミリリットルに溶解し、室温にて窒
素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイト
ナトリウム124g(0.712モル)/水320ミリ
リットルの溶液を滴下し、次いでメタノール100ミリ
リットルを加えた。1時間攪拌した後、酢酸エチル38
0ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリウム24.
4g(0.290モル)/水55ミリリットルの溶液を
滴下した。更にトリメシン酸クロリド10.5g(0.
0396モル)/酢酸エチル100ミリリットルの溶液
を滴下し、室温下3時間攪拌した。反応液に飽和食塩水
を加え、酢酸エチルにて抽出した後、有機相を飽和食塩
水で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムにより乾燥
した。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=10
/1(vol/vol))にて精製することにより化合
物19bを10.2g(0.0135モル)得た。収率
34%。
3-2. Synthesis of Compound 19b 32.5 g (0.142 mol) of Compound 19a was dissolved in 320 ml of tetrahydrofuran, and 124 g (0.712 mol) of sodium hydrosulfite / 320 ml of water were stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. Was added dropwise and then 100 ml of methanol were added. After stirring for 1 hour, ethyl acetate 38
0 ml, then add sodium bicarbonate 24.
A solution of 4 g (0.290 mol) / 55 ml of water was added dropwise. Further, 10.5 g of trimesic acid chloride (0.
(0396 mol) / 100 ml of ethyl acetate was added dropwise and stirred at room temperature for 3 hours. After adding saturated saline to the reaction solution and extracting with ethyl acetate, the organic phase was washed with saturated saline and the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 10)
/ 1 (vol / vol)) to obtain 10.2 g (0.0135 mol) of compound 19b. Yield 34%.

【0133】3−3.例示化合物19の合成 化合物19b 3.30g(4.38ミリモル)、p−
トルエンスルホン酸一水和物0.5g(2.63ミリモ
ル)にキシレン50ミリリットルを加え、窒素雰囲気下
3時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで冷
却した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=
20/1(vol/vol))にて精製した後、クロロ
ホルム/メタノールにて再結晶することにより例示化合
物19を1.97g(2.81ミリモル)得た。収率6
4%。 融点:258〜259℃
3-3. Synthesis of Exemplified Compound 19 3.30 g (4.38 mmol) of compound 19b, p-
50 ml of xylene was added to 0.5 g (2.63 mmol) of toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated under reflux for 3 hours under a nitrogen atmosphere and azeotropically dehydrated. After cooling the reaction solution to room temperature, the solvent was distilled off under reduced pressure, and silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol =
After purification by 20/1 (vol / vol)), recrystallization from chloroform / methanol gave 1.97 g (2.81 mmol) of Exemplified Compound 19. Yield 6
4%. Melting point: 258-259 ° C

【0134】合成例4.例示化合物20の合成 4−1.化合物20aの合成 2−クロロ−3−ニトロピリジン45.5g(0.28
6モル)、炭酸カリウム81.1g(0.587モ
ル)、ヨウ化銅(I)7.10g(0.0373モ
ル)、トルエン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲
気下攪拌しているところへ、4−tert−ブチルアニ
リン40.0g(0.268モル)を加えた。8時間加
熱還流した後、反応液を濾過し、濾液を減圧濃縮した。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロ
ロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサンに
て再結晶することにより化合物20aを52.0g
(0.192モル)得た。収率72%
Synthesis Example 4 Synthesis of Exemplified Compound 20 4-1. Synthesis of Compound 20a 2-Chloro-3-nitropyridine 45.5 g (0.28
6 mol), 81.1 g (0.587 mol) of potassium carbonate, 7.10 g (0.0373 mol) of copper (I) iodide, and 300 ml of toluene were stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. 40.0 g (0.268 mol) of -tert-butylaniline were added. After heating under reflux for 8 hours, the reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure.
After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization from chloroform / hexane gave 52.0 g of compound 20a.
(0.192 mol). 72% yield

【0135】4−2.化合物20bの合成 化合物20a 34.8g(0.128モル)をテトラ
ヒドロフラン350ミリリットルに溶解し、室温にて窒
素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイト
ナトリウム112g(0.643モル)/水320ミリ
リットルの溶液を滴下し、次いでメタノール90ミリリ
ットルを加えた。1時間攪拌した後、酢酸エチル350
ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリウム22.0
g(0.262モル)/水50ミリリットルの溶液を滴
下した。更にトリメシン酸クロリド9.5g(0.03
58モル)/酢酸エチル90ミリリットルの溶液を滴下
し、室温下2時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加
え、酢酸エチルにて抽出した後、有機相を飽和食塩水で
洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムにより乾燥し
た。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=10/
1(vol/vol))にて精製することにより化合物
20bを12.0g(0.0136モル)得た。収率3
8%。
4-2. Synthesis of Compound 20b 34.8 g (0.128 mol) of Compound 20a was dissolved in 350 ml of tetrahydrofuran, and stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. 112 g (0.643 mol) of sodium hydrosulfite / 320 ml of water Was added dropwise and then 90 ml of methanol were added. After stirring for 1 hour, ethyl acetate 350
Milliliters, and then add sodium bicarbonate 22.0
g (0.262 mol) / 50 ml of water was added dropwise. Further, 9.5 g of trimesic acid chloride (0.03
A solution of (58 mol) / 90 ml of ethyl acetate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After adding saturated saline to the reaction solution and extracting with ethyl acetate, the organic phase was washed with saturated saline and the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 10 /
1 (vol / vol)) to obtain 12.0 g (0.0136 mol) of compound 20b. Yield 3
8%.

【0136】4−3.例示化合物20の合成 化合物20b 3.00g(3.41ミリモル)、p−
トルエンスルホン酸一水和物0.3g(1.58ミリモ
ル)にキシレン50ミリリットルを加え、窒素雰囲気下
3時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで冷
却した後、析出した固体を濾取した後、クロロホルム/
メタノールにて再結晶することにより例示化合物20を
2.06g(2.49ミリモル)得た。収率73%。 融点:300℃以上
4-3. Synthesis of Exemplified Compound 20 Compound 20b (3.00 g, 3.41 mmol), p-
50 ml of xylene was added to 0.3 g (1.58 mmol) of toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated under reflux for 3 hours under a nitrogen atmosphere and azeotropically dehydrated. After cooling the reaction solution to room temperature, the precipitated solid was collected by filtration, and chloroform /
By recrystallization from methanol, 2.06 g (2.49 mmol) of Exemplified Compound 20 was obtained. 73% yield. Melting point: 300 ° C or higher

【0137】合成例5.例示化合物21の合成 5−1.化合物21aの合成 2−クロロ−3−ニトロピリジン50.0g(0.31
5モル)、炭酸カリウム90.8g(0.657モ
ル)、ヨウ化銅(I)7.90g(0.0416モ
ル)、トルエン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲
気下攪拌しているところへ、o−トルイジン45.0g
(0.420モル)を加えた。8時間加熱還流した後、
反応液を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)にて
精製した後、クロロホルム/ヘキサンにて再結晶するこ
とにより化合物21aを46.3g(0.202モル)
得た。収率64%
Synthesis Example 5 Synthesis of Exemplified Compound 21 5-1. Synthesis of compound 21a 2-Chloro-3-nitropyridine 50.0 g (0.31 g)
5 mol), 90.8 g (0.657 mol) of potassium carbonate, 7.90 g (0.0416 mol) of copper (I) iodide, and 300 ml of toluene were stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. -45.0 g toluidine
(0.420 mol) was added. After heating and refluxing for 8 hours,
The reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization from chloroform / hexane gave 46.3 g (0.202 mol) of compound 21a.
Obtained. 64% yield

【0138】5−2.化合物21bの合成 化合物21a 32.5g(0.142モル)をテトラ
ヒドロフラン320ミリリットルに溶解し、室温にて窒
素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイト
ナトリウム124g(0.712モル)/水320ミリ
リットルの溶液を滴下し、次いでメタノール100ミリ
リットルを加えた。1時間攪拌した後、酢酸エチル38
0ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリウム24.
4g(0.290モル)/水55ミリリットルの溶液を
滴下した。更にトリメシン酸クロリド10.5g(0.
0396モル)/酢酸エチル100ミリリットルの溶液
を滴下し、室温下3時間攪拌した。反応液に飽和食塩水
を加え、酢酸エチルにて抽出した後、有機相を飽和食塩
水で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムにより乾燥
した。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=10
/1(vol/vol))にて精製することにより化合
物21bを8.5g(0.0112モル)得た。収率2
8%。
5-2. Synthesis of Compound 21b 32.5 g (0.142 mol) of Compound 21a was dissolved in 320 ml of tetrahydrofuran, and 124 g (0.712 mol) of sodium hydrosulfite / 320 ml of water was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. Was added dropwise and then 100 ml of methanol were added. After stirring for 1 hour, ethyl acetate 38
0 ml, then add sodium bicarbonate 24.
A solution of 4 g (0.290 mol) / 55 ml of water was added dropwise. Further, 10.5 g of trimesic acid chloride (0.
(0396 mol) / 100 ml of ethyl acetate was added dropwise and stirred at room temperature for 3 hours. After adding saturated saline to the reaction solution and extracting with ethyl acetate, the organic phase was washed with saturated saline and the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 10)
/ 1 (vol / vol)) to obtain 8.5 g (0.0112 mol) of compound 21b. Yield 2
8%.

【0139】5−3.例示化合物21の合成 化合物21b 3.30g(4.38ミリモル)、p−
トルエンスルホン酸一水和物0.5g(2.63ミリモ
ル)にキシレン50ミリリットルを加え、窒素雰囲気下
7時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで冷
却した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=
20/1(vol/vol))にて精製した後、クロロ
ホルム/アセトニトリルにて再結晶することにより例示
化合物21を2.02g(2.88ミリモル)得た。収
率66%。融点:250℃
5-3. Synthesis of Exemplified Compound 21 3.30 g (4.38 mmol) of compound 21b, p-
50 ml of xylene was added to 0.5 g (2.63 mmol) of toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated under reflux for 7 hours under a nitrogen atmosphere and azeotropically dehydrated. After cooling the reaction solution to room temperature, the solvent was distilled off under reduced pressure, and silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol =
After purification by 20/1 (vol / vol)), recrystallization from chloroform / acetonitrile gave 2.02 g (2.88 mmol) of Exemplified Compound 21. Yield 66%. Melting point: 250 ° C

【0140】合成例6.例示化合物24の合成 6−1.化合物24aの合成 2−クロロ−3−ニトロピリジン59.0g(0.34
7モル)、炭酸カリウム105g(0.760モル)、
ヨウ化銅(I)9.40g(0.0494モル)、トル
エン300ミリリットルを室温にて窒素雰囲気下攪拌し
ているところへ、8−アミノキノリン75.0g(0.
520モル)を加えた。16時間加熱還流した後、反応
液を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム)にて精製
した後、クロロホルム/ヘキサンにて再結晶することに
より化合物24aを27.0g(0.102モル)得
た。収率29%
Synthesis Example 6 Synthesis of Exemplified Compound 24 6-1. Synthesis of Compound 24a 59.0 g of 2-chloro-3-nitropyridine (0.34
7 mol), 105 g (0.760 mol) of potassium carbonate,
While stirring 9.40 g (0.0494 mol) of copper (I) iodide and 300 ml of toluene at room temperature under a nitrogen atmosphere, 75.0 g of 8-aminoquinoline (0.
520 mol). After heating under reflux for 16 hours, the reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization from chloroform / hexane gave 27.0 g (0.102 mol) of compound 24a. 29% yield

【0141】6−2.化合物24bの合成 化合物24a 25.0g(93.9ミリモル)をテト
ラヒドロフラン220ミリリットルに溶解し、室温にて
窒素雰囲気下攪拌しているところへハイドロサルファイ
トナトリウム82.2g(0.472モル)/水420
ミリリットルの溶液を滴下し、次いでメタノール70ミ
リリットルを加えた。1時間攪拌した後、酢酸エチル3
80ミリリットルを加え、次に炭酸水素ナトリウム2
4.4g(0.290モル)/水55ミリリットルの溶
液を滴下した。更にトリメシン酸クロリド7.55g
(28.4ミリモル)/酢酸エチル100ミリリットル
の溶液を滴下し、室温下3時間攪拌した。反応液に飽和
食塩水を加え、酢酸エチルにて抽出した後、有機相を飽
和食塩水で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムによ
り乾燥した。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール
=10/1(vol/vol))にて精製することによ
り化合物24bを7.86g(9.09ミリモル)得
た。収率32%。
6-2. Synthesis of Compound 24b 25.0 g (93.9 mmol) of Compound 24a was dissolved in 220 ml of tetrahydrofuran, and stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature. Then, 82.2 g (0.472 mol) of sodium hydrosulfite / water was added. 420
Milliliter of the solution was added dropwise and then 70 ml of methanol was added. After stirring for 1 hour, ethyl acetate 3
Add 80 ml, then add sodium bicarbonate 2
A solution of 4.4 g (0.290 mol) / 55 ml of water was added dropwise. 7.55 g of trimesic acid chloride
A solution of (28.4 mmol) / 100 ml of ethyl acetate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After adding saturated saline to the reaction solution and extracting with ethyl acetate, the organic phase was washed with saturated saline and the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 10/1 (vol / vol)) to obtain 7.86 g (9.09 mmol) of compound 24b. Yield 32%.

【0142】6−3.例示化合物24の合成 化合物24b 5.00g(5.78ミリモル)、p−
トルエンスルホン酸一水和物0.5g(2.63ミリモ
ル)にキシレン100ミリリットルを加え、窒素雰囲気
下5時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を室温まで
冷却した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール
=20/1(vol/vol))にて精製した後、クロ
ロホルム/アセトニトリルにて再結晶することにより例
示化合物24を1.87g(2.31ミリモル)得た。
収率40%。 融点:384℃
6-3. Synthesis of Exemplified Compound 24 Compound 24b 5.00 g (5.78 mmol), p-
100 ml of xylene was added to 0.5 g (2.63 mmol) of toluenesulfonic acid monohydrate, and the mixture was heated under reflux for 5 hours under a nitrogen atmosphere and azeotropically dehydrated. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was distilled off under reduced pressure, purified by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 20/1 (vol / vol)), and then recrystallized with chloroform / acetonitrile. As a result, 1.87 g (2.31 mmol) of Exemplified Compound 24 was obtained.
Yield 40%. Melting point: 384 ° C

【0143】合成例7.Synthesis Example 7

【0144】[0144]

【化79】 Embedded image

【0145】7−1.化合物101bの合成 化合物2a50.0g(0.232モル)をテトラヒド
ロフラン500ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気
下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイ
トナトリウム200g(1.149モル)/水700ミ
リリットルの溶液を滴下した。更にメタノール20ミリ
リットルを加えて、1時間攪拌した。次に、酢酸エチル
500ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム40
g(0.476モル)/水400ミリリットルの溶液を
加えた。更に5−ブロモイソフタロイルクロリド65.
4g(0.232モル)/酢酸エチル150ミリリット
ルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。酢酸エチル
で抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホル
ム)で精製した後、クロロホルム/ヘキサンで再結晶す
ることにより化合物101bを29.6g(0.051
モル)得た。収率22%。
7-1. Synthesis of Compound 101b Compound 2a (50.0 g, 0.232 mol) was dissolved in tetrahydrofuran (500 ml), and sodium hydrosulfite sodium 200 g (1.149 mol) / water (700 ml) was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. Was added dropwise. Further, 20 ml of methanol was added, and the mixture was stirred for 1 hour. Next, 500 ml of ethyl acetate was added and sodium hydrogencarbonate 40 ml was added.
g (0.476 mol) / 400 ml of water was added. Further, 5-bromoisophthaloyl chloride
A solution of 4 g (0.232 mol) / 150 ml of ethyl acetate was added dropwise and stirred at room temperature for 5 hours. The mixture was extracted with ethyl acetate, washed sequentially with water and saturated saline, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), recrystallization from chloroform / hexane gave 29.6 g (0.051) of compound 101b.
Mol). Yield 22%.

【0146】7−2.化合物101cの合成 化合物101b30g(0.05モル)をキシレン1リ
ットルに溶解させ、p−トルエンスルホン酸一水和物
4.7g(0.025モル)を加え、窒素雰囲気下、2
時間加熱還流しながら共沸脱水を行った。反応液を室温
まで冷却した後、析出した固体を濾取し、エタノール/
クロロホルムで再結晶することにより、化合物101c
を16.3g(0.03モル)得た。収率58%。
7-2. Synthesis of Compound 101c 30 g (0.05 mol) of Compound 101b was dissolved in 1 liter of xylene, and 4.7 g (0.025 mol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate was added.
The azeotropic dehydration was performed while heating and refluxing for an hour. After cooling the reaction solution to room temperature, the precipitated solid was collected by filtration, and ethanol /
Compound 101c was obtained by recrystallization from chloroform.
Was obtained in an amount of 16.3 g (0.03 mol). Yield 58%.

【0147】7−3.例示化合物101の合成 化合物101c500ミリグラム(0.92ミリモル)
と化合物101d332ミリグラム(1.01ミリモ
ル)をエチレングリコールジメチルエーテル20ミリリ
ットルおよび水10ミリリットルに懸濁させた。この懸
濁液に炭酸ナトリウム214.5ミリグラム(2.02
ミリモル)、パラジウムカーボン15ミリグラム、トリ
フェニルホスフィン12ミリグラムを加え、2時間加熱
還流した。加熱停止後、熱時濾過で触媒を除き、濾液を
酢酸エチルで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
留去した。残渣をクロロホルムから再結晶し、例示化合
物101を180ミリグラム(0.27ミリモル)得
た。収率29%。
7-3. Synthesis of Exemplified Compound 101 500 mg (0.92 mmol) of Compound 101c
332 mg (1.01 mmol) of compound 101d were suspended in 20 ml of ethylene glycol dimethyl ether and 10 ml of water. 214.5 milligrams of sodium carbonate (2.02
Mmol), 15 mg of palladium carbon and 12 mg of triphenylphosphine, and the mixture was refluxed for 2 hours. After stopping the heating, the catalyst was removed by hot filtration, the filtrate was extracted with ethyl acetate, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The residue was recrystallized from chloroform to give Exemplified Compound 101 (180 mg, 0.27 mmol). Yield 29%.

【0148】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の化合物を含有する発光素子
の有機層の形成方法は、特に限定されるものではない
が、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子
積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法な
どの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、
コーティング法が好ましい。
Next, a light emitting device containing the compound of the present invention will be described. The method for forming the organic layer of the light-emitting element containing the compound of the present invention is not particularly limited, but includes methods such as resistance heating evaporation, electron beam, sputtering, molecular lamination, coating, inkjet, and printing. Is used, resistance heating evaporation,
Coating methods are preferred.

【0149】本発明の化合物を発光素子用材料として用
いた場合、ホール注入・輸送層、電子注入・輸送層、発
光層のいずれに用いてもよいが、電子注入・輸送層およ
び/または発光層として用いることが好ましい。
When the compound of the present invention is used as a material for a light-emitting device, it may be used in any of a hole injection / transport layer, an electron injection / transport layer, and a light-emitting layer. It is preferable to use them.

【0150】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。
The light emitting device of the present invention is a device in which a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including the light emitting layer is formed between a pair of anode and cathode electrodes. , An electron injection layer, an electron transport layer, a protective layer, and the like, and each of these layers may have another function. Various materials can be used for forming each layer.

【0151】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
The anode supplies holes to the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer and the like, and may be made of a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof. It is possible to use a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO), or metals such as gold, silver, chromium, and nickel, and furthermore, these metals and conductive metal oxides. Mixtures or laminates, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, and the like. Oxides,
In particular, ITO is preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and still more preferably 100 nm to 500 nm.

【0152】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。
As the anode, a layer formed on a soda lime glass, an alkali-free glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass in order to reduce ions eluted from the glass. Further, when soda lime glass is used, it is preferable to use a glass coated with a barrier coat such as silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength. When glass is used, the thickness is usually 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more. Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), and a coating of a dispersion of indium tin oxide are used. The film is formed by the following method. The anode can be cleaned or otherwise treated to lower the device's drive voltage,
It is also possible to increase the luminous efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment and the like are effective.

【0153】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合
物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例
としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs
等)またはそのフッ化物、酸化物、アルカリ土類金属
(例えばMg、Ca等)またはそのフッ化物、酸化物、
金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金
またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金
またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金または
それらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希
土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以
下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウ
ム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネ
シウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極
の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10n
m〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5
0nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1
μmである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリ
ング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が
用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を
同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同
時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、ま
たあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及
び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以
下が好ましい。
The cathode supplies electrons to the electron injecting layer, the electron transporting layer, the light emitting layer and the like. The cathode has good adhesion and ionization potential between the negative electrode such as the electron injecting layer, the electron transporting layer and the light emitting layer. It is selected in consideration of stability and the like. As a material of the cathode, a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs
Or its fluorides, oxides, alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.) or its fluorides, oxides,
Gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy or a mixed metal thereof, lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof, indium, rare earth metals such as ytterbium, and the like, Preferably, the material has a work function of 4 eV or less, and more preferably, aluminum, a lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof, or the like. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually 10 n
m to 5 μm, more preferably 5 to 5 μm.
0 nm to 1 μm, more preferably 100 nm to 1 μm.
μm. A method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, or a coating method is used for manufacturing the cathode, and a metal can be evaporated alone or two or more components can be simultaneously evaporated. Further, it is possible to form an alloy electrode by depositing a plurality of metals at the same time, or an alloy prepared in advance may be deposited. The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

【0154】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。発光層に用いる化合物としては励起一重項
状態から発光するもの、励起三重項状態から発光するも
ののいずれでもよく、例えば本発明の化合物のほか、例
えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘
導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導
体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導
体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド
誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘
導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピ
ラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチ
リルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロ
ピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロ
ペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジ
メチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯
体、遷移金属錯体(例えば、トリス(2ーフェニルピリ
ジン)イリジウム(III)などのオルソメタル化錯体等)
や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフ
ェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリ
フルオレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層
の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜
5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm
〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nm
である。発光層の形成方法は、特に限定されるものでは
ないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、
分子積層法、コーティング法(スピンコート法、キャス
ト法、ディップコート法など)、インクジェット法、印
刷法、LB法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加
熱蒸着、コーティング法である。
As the material of the light emitting layer, holes can be injected from the anode or the hole injection layer or the hole transport layer when an electric field is applied, and electrons can be injected from the cathode or the electron injection layer or the electron transport layer. Any material can be used as long as it can form a layer having a function, a function of transferring injected charges, and a function of providing a field of recombination of holes and electrons to emit light. The compound used for the light emitting layer may be any of those that emit light from an excited singlet state and those that emit light from an excited triplet state.For example, in addition to the compounds of the present invention, for example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styryl Benzene derivative, polyphenyl derivative, diphenylbutadiene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, naphthalimide derivative, coumarin derivative, perylene derivative, perinone derivative, oxadiazole derivative, aldazine derivative, pyrazine derivative, cyclopentadiene derivative, bisstyrylanthracene derivative, quinacridone Derivative, pyrrolopyridine derivative, thiadiazolopyridine derivative, cyclopentadiene derivative, styrylamine derivative, aromatic dimethylidin compound, 8-quinolyl Metal complexes of Lumpur derivatives, transition metal complexes (e.g., tris (2-phenylpyridine) iridium (III) such as ortho-metalated complexes, etc.)
And various metal complexes represented by rare earth complexes, and polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, polyphenylenevinylene, and polyfluorene. Although the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, it is usually 1 nm to
It is preferably in the range of 5 μm, more preferably 5 nm
11 μm, more preferably 10 nm to 500 nm.
It is. The method for forming the light emitting layer is not particularly limited, but resistance heating deposition, electron beam, sputtering,
Methods such as a molecular lamination method, a coating method (such as a spin coating method, a casting method, and a dip coating method), an inkjet method, a printing method, and an LB method are used, and resistance heating evaporation and a coating method are preferable.

【0155】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポリフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、カーボン膜等が挙げられる。正
孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものでは
ないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、
より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは
10nm〜500nmである。正孔注入層、正孔輸送層
は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造
であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層か
らなる多層構造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送
層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔
注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティング
する方法(スピンコート法、キャスト法、ディップコー
ト法など)、インクジェット法、印刷法などが用いられ
る。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または
分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩
化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエ
ステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリ
ブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水
素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エ
チルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタ
ン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド
樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
The material of the hole injection layer and the hole transport layer has one of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, and a function of blocking electrons injected from the cathode. Anything should do. Specific examples thereof include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, and styryl anthracene derivatives , Fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, silazane derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidin compound, porphyrin compound, polysilane compound,
Examples thereof include poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline-based copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, and carbon films. The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm,
It is more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Examples of the method for forming the hole injection layer and the hole transport layer include a vacuum deposition method, an LB method, and a method in which the hole injection / transport agent is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating method, casting method, dip coating method). Etc.), an inkjet method, a printing method, and the like. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resins, ketone resins, phenoxy resins, polyamides, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resins, polyurethanes, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, silicone resins and the like.

【0156】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。好ましくは電子注入層及び/又は電子
輸送層に本発明の化合物を含有するものであるが、本発
明の化合物の他の材料を用いることもできる。その具体
例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ア
ントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カル
ボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジ
スチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素
環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8
−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニ
ン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子と
する金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられ
る。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるも
のではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ま
しく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ま
しくは10nm〜500nmである。電子注入層、電子
輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単
層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複
数層からなる多層構造であってもよい。電子注入層、電
子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前
記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーテ
ィングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディッ
プコート法など)、インクジェット法、印刷法などが用
いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解
または分散することができ、樹脂成分としては例えば、
正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
The material of the electron injecting layer and the electron transporting layer is not limited as long as it has a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, or a function of blocking holes injected from the anode. Good. Preferably, the compound of the present invention is contained in the electron injection layer and / or the electron transport layer, but other materials of the compound of the present invention can also be used. Specific examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, and distyryl derivatives. Pyrazine derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene perylene, phthalocyanine derivatives, 8
-Metal complexes of quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, and various metal complexes represented by metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as ligands. The thickness of the electron injecting layer and the electron transporting layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-mentioned materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Examples of the method for forming the electron injecting layer and the electron transporting layer include a vacuum evaporation method, an LB method, a method in which the electron injecting and transporting agent is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating, casting, dip coating, etc.), An ink jet method, a printing method, or the like is used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component.
What was illustrated in the case of the hole injection transport layer can be applied.

【0157】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2 、Al23
GeO、NiO、CaO、BaO、Fe23 、Y23
、TiO2 等の金属酸化物、MgF2 、LiF、Al
3 、CaF2 等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、
ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、
吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護
層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、M
BE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波
励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レ
ーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コ
ーティング法、インクジェット法、印刷法などを適用で
きる。
As the material of the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing a substance such as moisture or oxygen which promotes element deterioration from entering the element. As a specific example,
In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, N
metal such as i, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 ,
GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y 2 O 3
, TiO 2 and other metal oxides, MgF 2 , LiF, Al
F 3 , metal fluoride such as CaF 2 , polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide,
Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer Copolymer obtained, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more,
A moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less can be used. There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a reactive sputtering method,
BE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, An inkjet method, a printing method, or the like can be applied.

【0158】[0158]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例1.洗浄したITO電極付きガラス基板上に、銅
フタロシアニンを膜厚15nm、N,N' −ビス(1−
ナフチル)−N,N' −ジフェニルベンジジン(NP
D)を膜厚40nm、表1記載化合物を膜厚60nm
で、この順に真空蒸着(1.0 ×10-3〜1.3 ×10-3
a)した。この上にパターニングしたマスク(発光面積
が4mm×5mmとなるマスク)を設置し、マグネシウ
ム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀300
nmを蒸着し(1.0 ×10-3〜1.3 ×10-3Pa)、発
光素子を作製した。なお、作製した素子は乾燥グローブ
ボックス内で封止した。東陽テクニカ製ソースメジャー
ユニット2400型を用いて、ITOを陽極、Mg:A
gを陰極として直流定電圧を発光素子に印加し発光さ
せ、その輝度をトプコン社の輝度計BM−8、発光波
長、色度座標(CIE色度座標)を浜松フォトニクス社
製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定し
た。また、作製した素子を85℃、70%RHの条件下
に3日間放置後発光させた相対輝度(素子作製直後の輝
度を100とした場合の経時後の輝度を相対値で表した
値(駆動電圧10V))および発光面のダークスポット
(未発光部)の有無を目視評価した。結果を表1に示
す。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Embodiment 1 FIG. On a cleaned glass substrate with an ITO electrode, a copper phthalocyanine film having a thickness of 15 nm and N, N'-bis (1-
Naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine (NP
D) was 40 nm in film thickness, and the compound described in Table 1 was 60 nm in film thickness.
In this order, vacuum deposition (1.0 × 10 −3 to 1.3 × 10 −3 P
a) A patterned mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) is set thereon, and magnesium: silver = 10: 1 is co-deposited at 250 nm, and then silver 300
nm was vapor-deposited (1.0 × 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) to produce a light-emitting element. The fabricated device was sealed in a dry glove box. Using Toyo Technica Source Measure Unit Model 2400, ITO as anode, Mg: A
g is used as a cathode, a DC constant voltage is applied to the light emitting element to emit light, and the luminance is measured by a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation, and the emission wavelength and chromaticity coordinates (CIE chromaticity coordinates) are measured by a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. It measured using. Relative luminance (luminance after aging assuming that the luminance immediately after the production of the element was 100) was expressed as a relative value (driving the luminance after driving the produced element for 3 days at 85 ° C. and 70% RH). (Voltage 10 V)) and the presence or absence of a dark spot (non-light emitting portion) on the light emitting surface was visually evaluated. Table 1 shows the results.

【0159】[0159]

【表1】 [Table 1]

【0160】[0160]

【化80】 Embedded image

【0161】表1の結果より、本発明の化合物を用いる
と非ドープ型の素子でも高輝度で色純度良好な青色発光
が可能であることがわかる。また、高温保管後の輝度低
下、ダークスポットの発生も少なく耐久性に優れている
ことがわかる。
From the results shown in Table 1, it can be seen that the use of the compound of the present invention can emit blue light with high luminance and good color purity even in an undoped device. In addition, it can be seen that there is little decrease in luminance and generation of dark spots after storage at high temperature, and the durability is excellent.

【0162】実施例2.実施例1と同様にITO基板を
洗浄後、銅フタロシアニンを膜厚5nm、NPDを膜厚
40nm、青色発光材料Aを膜厚20nm、表2記載の
化合物を膜厚40nmとなるようにこの順に真空蒸着
(1.0 ×10-3〜1.3 ×10-3Pa)した。この上にパ
ターニングしたマスク(発光面積が4mm×5mmとな
るマスク)を設置し、マグネシウム:銀=10:1を2
50nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着し(1.0 ×
10-3〜1.3 ×10-3Pa)、発光素子を作製した。な
お、作製した素子は乾燥グローブボックス内で封止し
た。作製した素子について実施例1と同様な評価を行っ
た。結果を表2に示す。
Embodiment 2 FIG. After the ITO substrate was washed in the same manner as in Example 1, copper phthalocyanine was vacuum-formed so as to have a thickness of 5 nm, NPD had a thickness of 40 nm, blue light-emitting material A had a thickness of 20 nm, and the compounds shown in Table 2 had a thickness of 40 nm. Vapor deposition (1.0 × 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) was performed. On top of this, a patterned mask (a mask having a light emitting area of 4 mm × 5 mm) is provided, and magnesium: silver = 10: 1 is added to the mask.
After co-evaporation of 50 nm, silver of 300 nm was evaporated (1.0 ×
10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) to produce a light emitting device. The fabricated device was sealed in a dry glove box. The same evaluation as in Example 1 was performed on the manufactured device. Table 2 shows the results.

【0163】[0163]

【表2】 [Table 2]

【0164】[0164]

【化81】 Embedded image

【0165】表2の結果より、本発明の化合物を用いる
と非ドープ型の素子で電子輸送材として機能し、高輝度
で色純度良好な青色発光が可能であることがわかる。ま
た、高温保管後の輝度低下、ダークスポットの発生も少
なく耐久性に優れていることがわかる。
From the results shown in Table 2, it can be seen that when the compound of the present invention is used, an undoped element functions as an electron transporting material, and blue light emission with high luminance and good color purity is possible. In addition, it can be seen that there is little decrease in luminance and generation of dark spots after storage at high temperature, and the durability is excellent.

【0166】実施例3.実施例1と同様にITO基板を
洗浄後、銅フタロシアニンを膜厚5nm、NPDを膜厚
40nm、ペリレンおよび表3記載の化合物をそれぞれ
蒸着速度0.004nm/秒、0.4nm/秒で膜厚6
0nmとなるように共蒸着(1.0 ×10 -3〜1.3 ×10
-3Pa)した。。この上にパターニングしたマスク(発
光面積が4mm×5mmとなるマスク)を設置し、マグ
ネシウム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀
300nmを蒸着し(1.0 ×10-3〜1.3 ×10-3
a)、発光素子を作製した。なお、作製した素子は乾燥
グローブボックス内で封止した。作製した素子について
駆動電圧8Vと15Vでの輝度、色度(輝度はトプコン
社の輝度計BM−8、色度は浜松フォトニクス社製スペ
クトルアナライザーPMA−11を用いて測定)を測定
した結果を表3に示す。
Embodiment 3 FIG. An ITO substrate is used in the same manner as in the first embodiment.
After cleaning, copper phthalocyanine has a thickness of 5 nm and NPD has a thickness of 5 nm.
40 nm, perylene and the compounds described in Table 3
Deposition rate 0.004 nm / sec, film thickness 6 at 0.4 nm / sec
Co-deposition (1.0 × 10 -3~ 1.3 × 10
-3Pa). . On top of this, a patterned mask
A mask with an optical area of 4 mm x 5 mm)
After co-depositing nesium: silver = 10: 1 at 250 nm, silver
Deposit 300 nm (1.0 × 10-3~ 1.3 × 10-3P
a) A light-emitting device was manufactured. The fabricated device was dried.
Sealed in glove box. About the fabricated device
Luminance and chromaticity at drive voltage of 8V and 15V (Luminance is
Brightness meter BM-8, chromaticity is Hamamatsu Photonics
Measured using the Vector Analyzer PMA-11)
Table 3 shows the results.

【0167】[0167]

【表3】 [Table 3]

【0168】[0168]

【化82】 Embedded image

【0169】表3の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蛍光性化合物をドープした系
でも高輝度発光が可能であることが判る。またAlqを
ホストに用いた素子では駆動電圧を高くすると青色純度
が低下するのに対し、本発明の化合物をホストに用いた
素子では色純度の変化が殆ど見られず、色純度の高い高
輝度発光が可能であることが判る。
As is clear from the results shown in Table 3, it can be seen that the device using the compound of the present invention can emit light with high luminance even in a system doped with a fluorescent compound. In the device using Alq as the host, the blue purity decreases when the driving voltage is increased. On the other hand, in the device using the compound of the present invention as the host, almost no change in the color purity is observed, and high luminance with high color purity is obtained. It turns out that light emission is possible.

【0170】実施例4.ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)40mg、青色発光材料B10.0mg、緑色発光
材料G2.0mg、赤色発光材料R0.5mg、表4記
載の化合物12.0mgを1,2−ジクロロエタン3m
lに溶解し、洗浄したITO基板上にスピンコートし
た。生成した有機薄膜の膜厚は、約110nmであっ
た。有機薄膜上にパターニングしたマスク(発光面積が
4mm×5mmとなるマスク)を設置し、次いでAl:
Li=100:2比で膜厚200nmとなるように共蒸
着して発光素子を作製した。この素子を実施例1と同様
な方法で評価した。結果を表4に示す。
Embodiment 4 FIG. 40 mg of poly (N-vinylcarbazole), 10.0 mg of blue light-emitting material B, 2.0 mg of green light-emitting material G, 0.5 mg of red light-emitting material R, and 12.0 mg of the compound shown in Table 4 were treated with 1,2-dichloroethane 3 m.
1 and spin-coated on a washed ITO substrate. The thickness of the generated organic thin film was about 110 nm. A mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) patterned on the organic thin film is provided, and then Al:
A light-emitting element was manufactured by co-evaporation at a Li = 100: 2 ratio to have a thickness of 200 nm. This device was evaluated in the same manner as in Example 1. Table 4 shows the results.

【0171】[0171]

【表4】 [Table 4]

【0172】[0172]

【化83】 Embedded image

【0173】表4の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、比較化合物に比べ、通常発光
輝度が低い塗布方式においても低電圧駆動、高輝度発光
が可能であることが判る。また、比較化合物2(PB
D)を用いた素子ではダークスポットの発生が顕著に見
られるのに対し、本発明の素子では良好な面状発光を示
した。更に、本発明の化合物を用いて青色、緑色および
赤色発光材料を組み合わせて用いると良好な白色発光が
可能なことが判る。
As is clear from the results shown in Table 4, the device using the compound of the present invention can be driven at a low voltage and emit light with high luminance even in the coating method in which the light emission luminance is lower than that of the comparative compound. I understand. Comparative compound 2 (PB
In the device using D), generation of a dark spot was remarkably observed, whereas in the device of the present invention, good planar light emission was shown. Furthermore, it can be seen that good white light emission is possible when the compounds of the present invention are used in combination with blue, green and red light emitting materials.

【0174】実施例5.実施例1と同様にITO基板を
洗浄後、NPDを膜厚50nm、4,4'−ビス(カル
バゾール−9−イル)ビフェニルおよびトリス(2−フ
ェニルピリジン)イリジウム(III)をそれぞれ蒸着速度
0.4nm/秒、0.025nm/秒で膜厚20nmと
なるように共蒸着し、次いで例示化合物21を膜厚25
nm蒸着し、更にLiFを膜厚1nm蒸着(1.0×1
-3〜1.3×10-3Pa)した。この上にパターニン
グしたマスク(発光面積が4mm×5mmとなるマス
ク)を設置し、アルミニウムを200nm蒸着(1.0
×10-3〜1.3×10-3Pa)して素子を作製した。
作製した素子について評価した結果、緑色で最高輝度9
8,000cd/m2、外部量子効率14%の高輝度、高効
率発光が得られた。
Embodiment 5 FIG. After cleaning the ITO substrate in the same manner as in Example 1, NPD was deposited to a thickness of 50 nm, and 4,4′-bis (carbazol-9-yl) biphenyl and tris (2-phenylpyridine) iridium (III) were each deposited at a deposition rate of 0.1 nm. Co-deposition at 4 nm / sec and 0.025 nm / sec to a film thickness of 20 nm.
and LiF is deposited to a thickness of 1 nm (1.0 × 1
0 -3 to 1.3 × 10 -3 Pa). A patterned mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) was set thereon, and aluminum was deposited to a thickness of 200 nm (1.0 mm).
× 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) to produce a device.
As a result of evaluating the fabricated device, the maximum brightness was 9 in green.
High luminance and high efficiency light emission of 8,000 cd / m 2 and external quantum efficiency of 14% were obtained.

【0175】実施例6.実施例1と同様にITO基板を
洗浄した後、Baytron P(PEDOT−PSS
溶液(ポリジオキシエチレン−ポリスチレンスルホン酸
ドープ体)/バイエル社製)を2000rpm、60秒
でスピンコートした後、100℃で1時間真空乾燥し、
ホール輸送性膜を作製した(膜厚約100nm)。この
上にポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)20mgを
クロロホルム2ミリリットルに溶かした溶液をスピンコ
ート(1000rpm、20秒)した(膜厚約70n
m)。この上に例示化合物18を膜厚30nm真空蒸着
(1.0×10-3〜1.3×10-3Pa)した。次いで
この有機薄膜上にパターニングしたマスク(発光面積が
4mm×5mmとなるマスク)を設置し、実施例1と同
様にして陰極を蒸着し、素子を作製した(本発明素
子)。また、比較素子として上記素子作製工程において
例示化合物18を除いた素子を作製した。両素子につい
てEL特性を評価した結果、比較素子では最高輝度93
cd/m2、外部量子効率0.1%以下であったのに対し、
本発明素子では最高輝度1680cd/m2、外部量子効率
1.3%となり、π共役系ポリマーを発光材料として用
いた場合にも本発明化合物が電子輸送材料として有効に
機能することが明らかとなった。
Embodiment 6 FIG. After cleaning the ITO substrate in the same manner as in Example 1, Baytron P (PEDOT-PSS) was used.
The solution (polydioxyethylene-polystyrene sulfonic acid doped material / manufactured by Bayer) was spin-coated at 2000 rpm for 60 seconds, and then vacuum-dried at 100 ° C. for 1 hour.
A hole transporting film was produced (film thickness: about 100 nm). A solution of 20 mg of poly (9,9-dioctylfluorene) dissolved in 2 ml of chloroform was spin-coated thereon (1000 rpm, 20 seconds) (film thickness: about 70 n).
m). On this, Exemplified Compound 18 was vacuum-deposited (1.0 × 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) with a thickness of 30 nm. Next, a mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) patterned on the organic thin film was provided, and a cathode was deposited in the same manner as in Example 1 to produce a device (device of the present invention). In addition, an element was prepared as a comparative element, except that Exemplified Compound 18 was omitted in the element manufacturing step. As a result of evaluating the EL characteristics of both devices, the comparative device had a maximum luminance of 93.
cd / m 2 and external quantum efficiency of 0.1% or less,
The device of the present invention has a maximum luminance of 1680 cd / m 2 and an external quantum efficiency of 1.3%, and it is clear that the compound of the present invention functions effectively as an electron transport material even when a π-conjugated polymer is used as a light emitting material. Was.

【0176】実施例7.実施例1と同様にITO基板を
洗浄した後、Baytron P(PEDOT−PSS
溶液(ポリジオキシエチレン−ポリスチレンスルホン酸
ドープ体)/バイエル社製)を2000rpm、60秒
でスピンコートした後、100℃で2時間真空乾燥し、
ホール輸送性膜を作製した(膜厚約100nm)。この
上にポリ(N−ビニルカルバゾール)40mg、PBD
12mgおよびトリス(2−フェニルピリジン)イリジ
ウム(III)1mgをクロロホルム3ミリリットルに
溶解した溶液をスピンコート(1500rpm、20
秒)した(膜厚約80nm)。この上に例示化合物21
を膜厚20nm真空蒸着(1.0×10-3〜1.3×1
-3Pa)し、更にLiFを膜厚約1nm蒸着(1.0
×10-3〜1.3×10-3Pa)した。この上にパター
ニングしたマスク(発光面積が4mm×5mmとなるマ
スク)を設置し、アルミニウムを200nm蒸着(1.
0×10-3〜1.3×10-3Pa)して素子を作製した
(本発明素子)。また、比較素子として上記素子作製工
程において例示化合物21を除いた素子を作製した。作
製した素子について評価した結果、比較素子では発光輝
度1000cd/m2の時の外部量子効率が5.2%であっ
たのに対し、本発明素子では外部量子効率10.2%と
なり、三重項励起子からの発光と言われているトリス
(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)を用い
た塗布型素子においても、本発明化合物が電子輸送材料
として有効に機能することが明らかとなった。
Embodiment 7 FIG. After cleaning the ITO substrate in the same manner as in Example 1, Baytron P (PEDOT-PSS) was used.
The solution (polydioxyethylene-polystyrene sulfonic acid doped material / manufactured by Bayer) was spin-coated at 2000 rpm for 60 seconds, and then dried under vacuum at 100 ° C. for 2 hours.
A hole transporting film was produced (film thickness: about 100 nm). On top of this, poly (N-vinylcarbazole) 40 mg, PBD
A solution obtained by dissolving 12 mg and 1 mg of tris (2-phenylpyridine) iridium (III) in 3 ml of chloroform was spin-coated (1500 rpm, 20 rpm).
Sec) (film thickness: about 80 nm). On top of this, Exemplified Compound 21
Is vacuum-deposited with a film thickness of 20 nm (1.0 × 10 −3 to 1.3 × 1).
0 -3 Pa), and LiF is deposited to a thickness of about 1 nm (1.0
× 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa). A patterned mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) is provided thereon, and aluminum is deposited to a thickness of 200 nm (1.
(0 × 10 −3 to 1.3 × 10 −3 Pa) to produce a device (device of the present invention). In addition, an element was prepared as a comparative element, except that Exemplified Compound 21 was omitted in the element manufacturing step. As a result of evaluating the fabricated device, the external quantum efficiency at a light emission luminance of 1000 cd / m 2 was 5.2% in the comparative device, whereas the external quantum efficiency was 10.2% in the device of the present invention, and the triplet was obtained. It has been clarified that the compound of the present invention effectively functions as an electron transport material also in a coating type device using tris (2-phenylpyridine) iridium (III) which is said to emit light from excitons.

【0177】[0177]

【発明の効果】本発明の化合物により、ドープ型および
非ドープ型素子のいずれにおいても色純度良好な高輝度
青色発光素子の作製が可能となり、また広範囲の波長域
に発光可能な素子が提供できる。また、通常輝度の低い
塗布方式でも良好な発光特性が得られ、製造コスト面等
で有利な素子作製が可能である。更に、耐久性が良好
で、駆動電圧の違いによる色度変化も小さい有機発光素
子が得られる。
The compound of the present invention makes it possible to produce a high-luminance blue light-emitting device having good color purity in both doped and undoped devices, and to provide a device capable of emitting light in a wide wavelength range. . In addition, good light-emitting characteristics can be obtained even with a coating method with low luminance, and an element can be manufactured which is advantageous in terms of manufacturing cost. Furthermore, an organic light-emitting element having good durability and having a small change in chromaticity due to a difference in driving voltage can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 519/00 311 C07D 519/00 311 C07F 7/08 C07F 7/08 R 7/30 7/30 F H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 B // C08F 12/26 C08F 12/26 226/06 226/06 Fターム(参考) 3K007 AB01 AB12 AB17 AB18 CA01 CB01 CB03 4C072 MM02 MM03 MM10 UU05 4H049 VN01 VN02 VP01 VQ60 VQ84 VR24 VU29 VW01 4J100 AB07P AQ26Q BC43P BC65Q BC73P BD15P CA01 CA04 DA01 JA32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C07D 519/00 311 C07D 519/00 311 C07F 7/08 C07F 7/08 R 7/30 7/30 F H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 B // C08F 12/26 C08F 12/26 226/06 226/06 F term (reference) 3K007 AB01 AB12 AB17 AB18 CA01 CB01 CB03 4C072 MM02 MM03 MM10 UU05 4H049 VN01 VN02 VP01 VQ60 VQ84 VR24 VU29 VW01 4J100 AB07P AQ26Q BC43P BC65Q BC73P BD15P CA01 CA04 DA01 JA32

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(I)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化1】 (式中、Aは二つ以上の芳香族ヘテロ環が縮合したヘテ
ロ環基を表し、Aで表されるヘテロ環基は同一または異
なってもよい。mは2以上の整数を表す。Lは連結基を
表す。)
1. A light emitting device material comprising a compound represented by the following general formula (I). Embedded image (In the formula, A represents a heterocyclic group in which two or more aromatic heterocycles are condensed, and the heterocyclic groups represented by A may be the same or different. M represents an integer of 2 or more; L represents Represents a linking group.)
【請求項2】 下記一般式(II)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化2】 (式中、Bは二つ以上の5員環および/または6員環の
芳香族ヘテロ環が縮合したヘテロ環基を表し、Bで表さ
れるヘテロ環基は同一または異なってもよい。mは2以
上の整数を表す。Lは連結基を表す。)
2. A light emitting device material, which is a compound represented by the following general formula (II). Embedded image (In the formula, B represents a heterocyclic group in which two or more 5-membered and / or 6-membered aromatic heterocycles are fused, and the heterocyclic groups represented by B may be the same or different. Represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group.)
【請求項3】 下記一般式(III)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化3】 (式中、XはO、S、Se、TeまたはN−Rを表す。
Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘ
テロ環基を表す。Q3は芳香族ヘテロ環を形成するに必
要な原子群を表す。mは2以上の整数を表す。Lは連結
基を表す。)
3. A light emitting device material comprising a compound represented by the following general formula (III). Embedded image (Wherein, X represents O, S, Se, Te or NR).
R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic hetero ring. m represents an integer of 2 or more. L represents a linking group. )
【請求項4】 下記一般式(IV)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化4】 (式中、XはO、S、Se、TeまたはN−Rを表す。
Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘ
テロ環基を表す。Q4は含窒素芳香族ヘテロ環を形成す
るに必要な原子群を表す。mは2以上の整数を表す。L
は連結基を表す。)
4. A light emitting device material comprising a compound represented by the following general formula (IV). Embedded image (Wherein, X represents O, S, Se, Te or NR).
R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 4 represents an atom group necessary for forming a nitrogen-containing aromatic hetero ring. m represents an integer of 2 or more. L
Represents a linking group. )
【請求項5】 下記一般式(V)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化5】 (式中、X5はO、SまたはN−Rを表す。Rは水素原
子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を
表す。Q5は6員の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するに
必要な原子群を表す。mは2以上の整数を表す。Lは連
結基を表す。)
5. A light-emitting device material, which is a compound represented by the following general formula (V). Embedded image (In the formula, X 5 represents O, S or N—R. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 5 represents a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring. Represents an atomic group necessary for formation, m represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group.)
【請求項6】 下記一般式(VI)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化6】 (式中、X6はO、SまたはN−Rを表す。Rは水素原
子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を
表す。Q6は6員の含窒素芳香族ヘテロ環を形成するに
必要な原子群を表す。nは2ないし8の整数を表す。L
は連結基を表す。)
6. A light emitting device material, which is a compound represented by the following general formula (VI). Embedded image (In the formula, X 6 represents O, S or N—R. R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. Q 6 represents a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring. Represents an atomic group necessary for formation, and n represents an integer of 2 to 8. L
Represents a linking group. )
【請求項7】 下記一般式(VII)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化7】 (式中、Rは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基
またはヘテロ環基を表す。Q7は6員の含窒素芳香族ヘ
テロ環を形成するに必要な原子群を表す。nは2ないし
8の整数を表す。Lは連結基を表す。)
7. A light-emitting device material, which is a compound represented by the following general formula (VII). Embedded image (In the formula, R represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group, or a heterocyclic group. Q 7 represents an atomic group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring; n is 2 Represents an integer of from 1 to 8. L represents a linking group.)
【請求項8】 下記一般式(VIII)で表される化合物で
あることを特徴とする発光素子材料。 【化8】 (式中、Q81、Q82およびはQ83は、それぞれ6員の含
窒素芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。
81、R82およびR83は、それぞれ水素原子、脂肪族炭
化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。L1
2 およびL3は、それぞれ連結基を表す。Yは窒素原
子または1,3,5−ベンゼントリイル基を表す。)
8. A light emitting device material, which is a compound represented by the following general formula (VIII). Embedded image (Wherein Q 81 , Q 82 and Q 83 each represent an atom group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocycle.
R 81 , R 82 and R 83 each represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. L 1 ,
L 2 and L 3 each represent a linking group. Y represents a nitrogen atom or a 1,3,5-benzenetriyl group. )
【請求項9】 下記一般式(IX) で表されることを特徴
とする化合物。 【化9】 (式中、Q91、Q92およびはQ93は、それぞれ6員の含
窒素芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。
91、R92およびR93は、それぞれ水素原子、脂肪族炭
化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。)
9. A compound represented by the following general formula (IX). Embedded image (Wherein, Q 91 , Q 92 and Q 93 each represent an atom group necessary for forming a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocycle.
R 91 , R 92 and R 93 each represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. )
【請求項10】 下記一般式(X)で表されることを特
徴とする化合物。 【化10】 (式中、R101 、R102 およびR103 は、それぞれ水素
原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基
を表す。R104 、R105 およびR106 は、それぞれ置換
基を表す。p1 、p2 およびp3 は、それぞれ0ないし
3の整数を表す。)
10. A compound represented by the following general formula (X). Embedded image (Wherein, R 101 , R 102 and R 103 each represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group or a heterocyclic group. R 104 , R 105 and R 106 each represent a substituent. P 1 , p 2 and p 3 each represent an integer of 0 to 3.)
【請求項11】 下記一般式(XI)で表される化合物
であることを特徴とする発光素子材料。 【化11】 (式中、Q3 は芳香族ヘテロ環を形成するに必要な原子
群を表す。R11は水素原子または置換基を表す。mは2
以上の整数を表す。Lは連結基を表す。)
11. A light-emitting element material, which is a compound represented by the following general formula (XI). Embedded image (In the formula, Q 3 represents an atom group necessary for forming an aromatic hetero ring. R 11 represents a hydrogen atom or a substituent.
Represents the above integer. L represents a linking group. )
【請求項12】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、少なくとも一層が請求項1〜11記載の一般式
(I)〜(XI)で表される化合物の少なくとも一種を
含有する層であることを特徴とする発光素子。
12. A light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes, at least one of which is represented by any one of the general formulas (I) to (XI) according to claim 1 to 11. A light-emitting element comprising a layer containing at least one of the compounds represented by the formula.
【請求項13】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、少なくとも一層が請求項1〜11記載の一般式
(I)〜(XI)で表される化合物の少なくとも一種を
ポリマーに分散した層であることを特徴とする発光素
子。
13. A light-emitting element having a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein at least one of the light-emitting elements is represented by any one of the general formulas (I) to (XI) according to claim 1. A light-emitting element comprising a layer in which at least one of the compounds represented by the formula is dispersed in a polymer.
【請求項14】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、発光層と陰極との間の少なくとも一層が請求項1〜
11記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合物を
少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光
素子。
14. A light-emitting element having a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including the light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein at least one layer between the light-emitting layer and the cathode is provided.
A light-emitting element comprising a layer containing at least one compound represented by any one of the general formulas (I) to (XI) described in 11.
【請求項15】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、青色発光層と陰極との間の少なくとも一層が請求項
1〜11記載の一般式(I)〜(XI)で表される化合
物を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする
発光素子。
15. A light-emitting element having a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein at least one layer between the blue light-emitting layer and the cathode is formed. A light-emitting element, which is a layer containing at least one compound represented by any one of formulas (I) to (XI).
【請求項16】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、請求項1〜11記載の一般式(I)〜(XI)で表
される化合物を少なくとも一種含有する層に青色発光材
料を含有することを特徴とする発光素子。
16. A light-emitting element having a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including the light-emitting layer formed between a pair of electrodes, represented by the general formulas (I) to (XI) according to claims 1 to 11. A light-emitting element comprising a layer containing at least one compound and a blue light-emitting material.
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