JP2002334785A - Luminescent element - Google Patents

Luminescent element

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Publication number
JP2002334785A
JP2002334785A JP2001137506A JP2001137506A JP2002334785A JP 2002334785 A JP2002334785 A JP 2002334785A JP 2001137506 A JP2001137506 A JP 2001137506A JP 2001137506 A JP2001137506 A JP 2001137506A JP 2002334785 A JP2002334785 A JP 2002334785A
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JP
Japan
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group
atom
carbon atoms
general formula
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001137506A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Igarashi
達也 五十嵐
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminescent element having an excellent light emission characteristic and high durability. SOLUTION: In this luminescent element, a luminescent layer or plural organic compound layers including the luminescent layer are formed between a pair of electrodes. The luminescent element is characterized by including, in the luminescent layer, at least one kind of a compound expressed by general formula (1), and at least one kind of styryl derivative comprising only carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms and halogen atoms. In general formula (1), Ar<11> , Ar<21> and Ar<31> each represent an arylene group, Ar<12> , Ar<22> and Ar<32> each represent a substituted group or a hydrogen atom, at least one of Ar<11> , Ar<21> , Ar<31> , Ar<12> , Ar<22> and Ar<32> is a condensed ring aryl structure or a condensed ring hetero-aryl structure, and Ar is an arylene group or a hetero-arylene group.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換して発光できる電界発光(EL)素子に関し、
表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照
明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看
板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる発
光素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent (EL) device capable of converting electric energy into light and emitting light.
The present invention relates to a light-emitting element that can be suitably used in fields such as a display element, a display, a backlight, an electrophotograph, an illumination light source, a recording light source, an exposure light source, a reading light source, a sign, a sign, an interior, and an optical communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光素子は、低電圧で高
輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子と
して注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により
有機薄膜を形成する発光素子が知られている(アプライ
ド フィジックス レターズ,51巻,913頁,19
87年)。この文献に記載された発光素子はトリス(8
−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq)
を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料(アミン化合
物)と積層させることにより、従来の単層型素子に比べ
て発光特性を大幅に向上させている。
2. Description of the Related Art At present, research and development on various display elements are active, and among them, an organic electroluminescent element has attracted attention as a promising display element because it can obtain high-luminance light emission at a low voltage. For example, a light emitting device that forms an organic thin film by vapor deposition of an organic compound is known (Applied Physics Letters, vol. 51, p. 913, 19).
1987). The light emitting element described in this document is Tris (8
-Hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq)
Is used as an electron transporting material, and is laminated with a hole transporting material (amine compound), whereby the light emitting characteristics are greatly improved as compared with the conventional single-layer type device.

【0003】近年、有機EL素子をフルカラーディスプ
レイへと適用することが活発に検討されているが、高性
能フルカラーディスプレイを開発する為には 青・緑・
赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要がある。
例えば、青色発光素子においては、「有機EL素子とそ
の工業化最前線」 (エヌ・ティー・エス社) p38に
記載のジスチリルアリーレン化合物(DPVBi) な
どが広範に検討されているが、色純度、耐久性、発光輝
度、効率の点で問題があり、改良が望まれていた。
In recent years, the application of organic EL elements to full-color displays has been actively studied, but in order to develop high-performance full-color displays, blue, green, and
Red, it is necessary to improve the characteristics of each light emitting element.
For example, in the case of blue light-emitting devices, distyrylarylene compounds (DPVBi) described in “Organic EL Devices and the Forefront of Industrialization” (NTS Corp.) p. There are problems in durability, light emission luminance, and efficiency, and improvements have been desired.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
特性、耐久性が良好な発光素子の提供にある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device having good light emitting characteristics and durability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
について検討の結果、下記手段により本発明に到達した
ものである。 1. 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物層を形成した発光素子において、発光層中
に下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種
と、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲ
ン原子のみで構成されたスチリル誘導体を少なくとも1
種とを含むことを特徴とする発光素子。
Means for Solving the Problems The present inventors have studied the above problems and as a result have reached the present invention by the following means. 1. In a light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes, at least one compound represented by the following general formula (1) is contained in the light-emitting layer, and a carbon atom and a hydrogen atom At least one styryl derivative composed of only oxygen, sulfur, and halogen atoms
And a seed.

【0006】[0006]

【化5】 Embedded image

【0007】(式中、Ar11,Ar21,Ar31 はアリ
ーレン基を表し、Ar12,Ar22,Ar32 は置換基ま
たは水素原子を表す。Ar11,Ar21,Ar31,A
12,Ar2 2,Ar32 の少なくとも一つは縮環アリー
ル構造または縮環ヘテロアリール構造である。Arはア
リーレン基またはヘテロアリーレン基を表す。) 2. 前記一般式(1)で表される化合物の少なくとも
1種が下記一般式(2)で表される化合物であることを
特徴とする前記1に記載の発光素子。
(Wherein, Ar 11 , Ar 21 , and Ar 31 represent an arylene group, Ar 12 , Ar 22 , and Ar 32 represent a substituent or a hydrogen atom. Ar 11 , Ar 21 , Ar 31 , A
At least one of the r 12, Ar 2 2, Ar 32 is a condensed ring aryl structure or a condensed ring heteroaryl structure. Ar represents an arylene group or a heteroarylene group. ) 2. 2. The light-emitting device according to item 1, wherein at least one of the compounds represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (2).

【0008】[0008]

【化6】 Embedded image

【0009】(式中、Ar11,Ar21,Ar31 はアリ
ーレン基を表し、Ar12,Ar22,Ar32 は置換基ま
たは水素原子を表す。Ar11,Ar21,Ar31,A
12,Ar2 2,Ar32 の少なくとも一つは縮環アリー
ル構造または縮環ヘテロアリール構造である。R1
2,R3は水素原子または置換基を表す。) 3. 前記一般式(1)で表される化合物の少なくとも
1種が下記一般式(3)で表される化合物であることを
特徴とする前記1に記載の発光素子。
(In the formula, Ar 11 , Ar 21 , and Ar 31 represent an arylene group, Ar 12 , Ar 22 , and Ar 32 represent a substituent or a hydrogen atom. Ar 11 , Ar 21 , Ar 31 , A
At least one of the r 12, Ar 2 2, Ar 32 is a condensed ring aryl structure or a condensed ring heteroaryl structure. R 1 ,
R 2 and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent. ) 3. 2. The light-emitting device according to item 1, wherein at least one of the compounds represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (3).

【0010】[0010]

【化7】 Embedded image

【0011】(式中、R11,R12,R13は置換基を表
す。R14,R15,R16は水素原子または置換基を表す。
11,q12,q13 は0〜9の整数を表す。) 4. 炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロ
ゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体が一般式(S
T−1)であることを特徴とする前記1〜3に記載の発
光素子。
(Wherein, R 11 , R 12 and R 13 each represent a substituent. R 14 , R 15 and R 16 each represent a hydrogen atom or a substituent.
q 11, q 12, q 13 represents an integer of 0-9. ) 4. A styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a halogen atom has a general formula (S
T-1). The light-emitting device according to any one of 1 to 3 above,

【0012】[0012]

【化8】 Embedded image

【0013】(一般式(ST−1)式中、Ar101は置
換あるいは無置換の炭素数12〜50のアリーレン基を
表す。R101,R102はそれぞれ水素原子、アルキル基、
アリール基を表す。R103,R104,R105,R106はそれ
ぞれ水素原子、置換または無置換のアリール基、置換ま
たは無置換のアルキル基を表す。) 5. 炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロ
ゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体のガラス転移
点が80℃以上であることを特徴とする前記1〜4に記
載の発光素子。
(In the general formula (ST-1), Ar 101 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 12 to 50 carbon atoms. R 101 and R 102 represent a hydrogen atom, an alkyl group,
Represents an aryl group. R 103 , R 104 , R 105 and R 106 each represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group. ) 5. 5. The light emitting device according to any one of the above items 1 to 4, wherein the glass transition point of the styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a halogen atom is 80 ° C. or higher.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本明細書において「〜」はその前後に記載される
数値を、それぞれ最小値および最大値として含む範囲を
示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. In this specification, “to” indicates a range including the numerical values described before and after it as the minimum value and the maximum value, respectively.

【0015】本発明は、一対の電極間に発光層もしくは
発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光素子に
おいて、発光層中に一般式(1)で表される化合物を少
なくとも1種と、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄
原子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体を
少なくとも1種含むことを特徴とする発光素子に関す
る。
The present invention provides a light-emitting element having a light-emitting layer or a plurality of organic compound layers including the light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein the light-emitting layer contains at least one compound represented by the general formula (1). And a styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.

【0016】一般式(1)で表される化合物の発光層中
の濃度は、それぞれ1質量%以上99質量%以下である
ことが好ましく、5質量%以上90質量%以下であるこ
とがより好ましく、10質量%以上80質量%以下であ
ることがさらに好ましい。
The concentration of the compound represented by the general formula (1) in the light-emitting layer is preferably 1% by mass to 99% by mass, more preferably 5% by mass to 90% by mass. More preferably, the content is 10% by mass or more and 80% by mass or less.

【0017】本発明の炭素原子、水素原子、酸素原子、
硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導
体の発光層中の濃度は、それぞれ1質量%以上99質量
%以下であることが好ましく、5質量%以上90質量%
以下であることがより好ましく、10質量%以上80質
量%以下であることがさらに好ましい。
In the present invention, a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom,
The concentration of the styryl derivative composed of only a sulfur atom and a halogen atom in the light emitting layer is preferably 1% by mass to 99% by mass, and more preferably 5% by mass to 90% by mass.
The content is more preferably not more than 10% by mass and more preferably not more than 80% by mass.

【0018】一般式(1)で表される化合物と炭素原
子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみ
で構成されたスチリル誘導体の発光層中の比率は1:1
0〜10:1が好ましく、1:5〜5:1がより好まし
く、1:2〜2:1がさらに好ましい。
The ratio of the compound represented by the general formula (1) to the styryl derivative composed of only carbon atom, hydrogen atom, oxygen atom, sulfur atom and halogen atom in the light emitting layer is 1: 1.
It is preferably 0 to 10: 1, more preferably 1: 5 to 5: 1, and still more preferably 1: 2 to 2: 1.

【0019】本発明の発光素子は、一般式(1)で表さ
れる化合物の少なくとも1種が、一般式(2)で表され
る化合物であることが好ましく、一般式(1)で表され
る化合物の少なくとも1種が、一般式(3)で表される
化合物であることがより好ましい。
In the light emitting device of the present invention, at least one of the compounds represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the general formula (2), and represented by the general formula (1). It is more preferable that at least one of the compounds is a compound represented by the general formula (3).

【0020】一般式(1)について説明する。Ar11
Ar21,Ar31 はアリーレン基を表す。アリーレン基
の炭素数は6〜30が好ましく、6〜20がより好まし
く、6〜16がさらに好ましい。アリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレ
ン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニ
レン基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ターフェ
ニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェ
ニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナン
トレニレン基、ジフェニルアンスリレン基 などが挙げ
られ、これらのアリーレン基はさらに置換基を有してい
ても良い。
The general formula (1) will be described. Ar 11 ,
Ar 21 and Ar 31 represent an arylene group. The carbon number of the arylene group is preferably from 6 to 30, more preferably from 6 to 20, and even more preferably from 6 to 16. Examples of the arylene group include, for example, a phenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrylene group, a pyrenylene group, a perylenylene group, a fluorenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a rubrenylene group, a chrysenylene group, a triphenylenylene group, and benzo. Examples include anthrylene group, benzophenanthrylene group, diphenylanthrylene group and the like, and these arylene groups may further have a substituent.

【0021】アリーレン基上の置換基としては、例え
ば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ま
しくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10
であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、t
ert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキ
サデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘ
キシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましく
は炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特
に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、ア
リル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられ
る。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、よ
り好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2
〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルな
どが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6
〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましく
は炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチル
フェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられ
る。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好
ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜1
0であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキ
シ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素
数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例
えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシ
ロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ま
しくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜2
0、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェ
ニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ
などが挙げられる。)、ヘテロアリールオキシ基(好ま
しくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリ
ジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノ
リルオキシなどが挙げられる。)、
As the substituent on the arylene group, for example, an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms)
For example, methyl, ethyl, iso-propyl, t
tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like. ), An alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include vinyl, allyl, 2-butenyl, and 3-pentenyl. ), An alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably having 2 carbon atoms.
To 10, for example, propargyl, 3-pentynyl and the like. ), An aryl group (preferably having 6 carbon atoms)
-30, more preferably 6-20 carbon atoms, particularly preferably 6-12 carbon atoms, for example, phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl and the like. ), An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 0 to 1 carbon atoms).
0, for example, amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino and the like. ), An alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 1 to 10 carbon atoms, and examples include methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy and the like. ), An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably having 6 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy and the like. ), A heteroaryloxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy and the like. ),

【0022】アシル基(好ましくは炭素数1〜30、よ
り好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1
〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミ
ル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカル
ボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは
炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であ
り、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルな
どが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好
ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜2
0、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオ
キシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭
素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、
例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられ
る。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、
より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数
2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルア
ミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミ
ノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素
数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例
えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、
アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数
7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好まし
くは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカル
ボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ
基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数
1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例え
ばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ
などが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは
炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に
好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイ
ル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、
フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバ
モイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは
炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチ
ルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられ
る。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、
より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが
挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6
〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましく
は炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙
げられる。)、
An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably having 1 carbon atom;
To 12, for example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl and the like. ), An alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl), and aryloxycarbonyl Group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably having 7 to 2 carbon atoms)
0, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl. ), An acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 10 carbon atoms,
For example, acetoxy, benzoyloxy and the like can be mentioned. ), An acylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms,
More preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and includes, for example, acetylamino, benzoylamino and the like. ), An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably having 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonylamino).
An aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably having 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino, etc.), and a sulfonylamino group ( It preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino.), A sulfamoyl group (preferably carbon number) 0-30, more preferably 0-20 carbon atoms, particularly preferably 0-12 carbon atoms, for example, sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl,
Phenylsulfamoyl and the like. ), A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, and phenylcarbamoyl). An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms,
More preferably, it has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methylthio and ethylthio. ), An arylthio group (preferably having 6 carbon atoms)
-30, more preferably 6-20 carbon atoms, particularly preferably 6-12 carbon atoms, such as phenylthio. ),

【0023】ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数
1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−
ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、
2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スル
ホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは
炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スル
フィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましく
は炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル
などが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数
1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウ
レイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン
酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましく
は炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミ
ドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト
基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒ
ドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数
1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテ
ロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原
子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリ
ル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベン
ズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリ
ル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられ
る。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好
ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜2
4であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリ
ルなどが挙げられる。)などが挙げられる。これらの置
換基は更に置換されてもよい。
A heteroarylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, pyridylthio, 2-
Benzimizolylthio, 2-benzoxazolylthio,
2-benzthiazolylthio and the like. ), A sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably having 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include mesyl and tosyl). 1 to 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl and benzenesulfinyl, and a ureido group (preferably 1 to 30 carbon atoms) It preferably has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and includes, for example, ureide, methyl ureide, phenyl ureide and the like, and a phosphoric amide group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably It has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethylphosphoramide, phenylphosphoramide and the like. ), Hydroxy group, mercapto group, halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino Group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 12 carbon atoms, and examples of the hetero atom include a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl , Furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzothiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc.), silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms). , Particularly preferably 3 to 2 carbon atoms
4, for example, trimethylsilyl, triphenylsilyl and the like. ). These substituents may be further substituted.

【0024】前記Ar11,Ar21,Ar31は、好ましく
はフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェ
ナントレニレン基、ビフェニレン基、4環以上のアリー
レン基(例えばピレニレン基、ペリレニレン基)であ
り、より好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基、フ
ェナントレン基、4環以上のアリーレン基であり、さら
に好ましくは、フェニレン基、フェナントリレン基、ピ
レニレン基であり、特に好ましくは、ピレニレン基であ
る。
Ar 11 , Ar 21 , and Ar 31 are preferably a phenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrenylene group, a biphenylene group, an arylene group having four or more rings (eg, a pyrenylene group, a peryleneylene group). And more preferably a phenylene group, a naphthylene group, a phenanthrene group, an arylene group having four or more rings, still more preferably a phenylene group, a phenanthrylene group or a pyrenylene group, and particularly preferably a pyrenylene group.

【0025】前記Ar12,Ar22,Ar32 は、置換基
または水素原子を表す。置換基としては、前記Ar11
の置換基で説明した基が挙げられる。Ar12,Ar22
Ar 32 として好ましくは水素原子、アリール基、ヘテ
ロアリール基、アルキル基、アルケニル基であり、より
好ましくは、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基
であり、さらに好ましくは水素原子、アリール基であ
り、特に好ましくは、水素原子、ピレニル基である。
The above Ar12, Artwenty two, Ar32 Is a substituent
Or represents a hydrogen atom. As the substituent, the aforementioned Ar11Up
And the groups described for the substituent. Ar12, Artwenty two,
Ar 32 Is preferably a hydrogen atom, an aryl group,
Loaryl group, alkyl group, alkenyl group, and more
Preferably, a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group
And more preferably a hydrogen atom or an aryl group.
And particularly preferably a hydrogen atom and a pyrenyl group.

【0026】前記Ar11,Ar21,Ar31,Ar12,A
22,Ar32 の少なくとも一つは縮環アリール構造、
または縮環ヘテロアリール構造である。Ar11,A
21,Ar31,Ar12,Ar22,Ar32 の少なくとも
一つが縮環アリール構造であることが好ましい。
The above Ar 11 , Ar 21 , Ar 31 , Ar 12 , A
at least one of r 22 and Ar 32 is a condensed aryl structure;
Or a condensed heteroaryl structure. Ar 11 , A
It is preferable that at least one of r 21 , Ar 31 , Ar 12 , Ar 22 and Ar 32 has a condensed aryl structure.

【0027】前記縮環アリール構造としては、好ましく
は、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレ
ン構造、ピレン構造、ペリレン構造、より好ましくは、
ナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェ
ナントレン構造であり、さらに好ましくは、フェナント
レン構造、4環以上のアリール構造であり、特に好まし
くは、ピレン構造である。
The condensed aryl structure is preferably a naphthalene structure, an anthracene structure, a phenanthrene structure, a pyrene structure, a perylene structure, more preferably
It is a naphthalene structure, an anthracene structure, a pyrene structure, or a phenanthrene structure, more preferably a phenanthrene structure, an aryl structure having four or more rings, and particularly preferably a pyrene structure.

【0028】前記縮環ヘテロアリール構造としては、好
ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリ
ン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタ
ラジン構造、フェナントロリン構造であり、より好まし
くは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構
造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
The condensed heteroaryl structure is preferably a quinoline structure, a quinoxaline structure, a quinazoline structure, an acridine structure, a phenanthridine structure, a phthalazine structure, or a phenanthroline structure, more preferably a quinoline structure, a quinoxaline structure, They have a quinazoline structure, a phthalazine structure and a phenanthroline structure.

【0029】前記Arは、3価の基であるアリーレン基
(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは6〜2
0、さらに好ましくは炭素数6〜16、例えばフェニレ
ン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナント
レン基、ピレニレン基、トリフェニレン基などが挙げら
れる。)、ヘテロアリーレン基(ヘテロ原子として好ま
しくは窒素原子、硫黄原子、酸素原子、より好ましくは
窒素原子、好ましくは炭素数2〜30より好ましくは炭
素数3〜20、さらに好ましくは炭素数3〜16、例え
ばピリジレン基、ピラジレン基、チオフェニレン基、キ
ノリレン基、キノキサリレン基、トリアジレン基などが
挙げられる)を表し、これらの基は置換基を有していて
も良い。置換基としては例えば、前記Ar11上の置換基
で説明した基が挙げられる。Arは、各々3価の基であ
る、フェニレン基(ベンゼントリイル)、ナフチレン基
(ナフタレントリイル)、アントラセニレン基(アント
ラセントリイル)、ピレニレン基(ピレントリイル)、
トリフェニレン基であることが好ましく、フェニレン基
であることがより好ましく、無置換(Ar11,Ar21
Ar31は置換されている)フェニレン基、アルキル置換
フェニレン基であることがさらに好ましい。
Ar is a trivalent arylene group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 2 carbon atoms).
0, more preferably 6 to 16 carbon atoms, for example, phenylene group, naphthylene group, anthracenylene group, phenanthrene group, pyrenylene group, triphenylene group and the like. ), A heteroarylene group (preferably a nitrogen atom, a sulfur atom, an oxygen atom as a hetero atom, more preferably a nitrogen atom, preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 20 carbon atoms, and still more preferably 3 to 16 carbon atoms. For example, a pyridylene group, a pyrazylene group, a thiophenylene group, a quinolylene group, a quinoxalylene group, a triazylene group and the like), and these groups may have a substituent. Examples of the substituent include the groups described above for the substituent on Ar 11 . Ar is a trivalent group, each of which is a phenylene group (benzenetriyl), a naphthylene group (naphthalenetriyl), an anthracenylene group (anthracentriyl), a pyrenylene group (pyrentriyl),
It is preferably a triphenylene group, more preferably a phenylene group, and is unsubstituted (Ar 11 , Ar 21 ,
Ar 31 is more preferably a phenylene group or an alkyl-substituted phenylene group.

【0030】一般式(1)で表される化合物の好ましい
形態は、一般式(2)で表される化合物、下記一般式
(6)で表される化合物であり、より好ましい形態は、
一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表
される化合物、下記一般式(5)で表される化合物、下
記一般式(7)で表される化合物、下記一般式(8)で
表される化合物であり、さらに好ましい形態は一般式
(3)で表される化合物である。また、本発明の化合物
は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物
が好ましい。
Preferred forms of the compound represented by the general formula (1) are a compound represented by the following general formula (2) and a compound represented by the following general formula (6).
A compound represented by the following general formula (3), a compound represented by the following general formula (4), a compound represented by the following general formula (5), a compound represented by the following general formula (7), A compound represented by the formula (8), and a more preferred embodiment is a compound represented by the formula (3). Further, the compound of the present invention is preferably a compound composed of only carbon atoms and hydrogen atoms.

【0031】[0031]

【化9】 Embedded image

【0032】[0032]

【化10】 Embedded image

【0033】[0033]

【化11】 Embedded image

【0034】[0034]

【化12】 Embedded image

【0035】[0035]

【化13】 Embedded image

【0036】一般式(2)について説明する。一般式
(2)のAr11,Ar21,Ar31,Ar12,Ar22,A
32 は一般式(1)で説明したAr11,Ar21,Ar
31,Ar12,Ar22,Ar32 とそれぞれ同義であり、
好ましい範囲も同じである。R1,R2,R3は水素原子
または置換基を表す。置換基としては、前記Ar11上の
置換基で説明した基が挙げられる。R1,R2,R3は好
ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、よ
り好ましくは水素原子、アルキル基である。
The general formula (2) will be described. Ar 11 , Ar 21 , Ar 31 , Ar 12 , Ar 22 , A of the general formula (2)
r 32 is Ar 11 , Ar 21 , Ar described in the general formula (1).
31 , Ar 12 , Ar 22 , and Ar 32 have the same meanings,
The preferred range is also the same. R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent include the groups described above for the substituent on Ar 11 . R 1 , R 2 and R 3 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

【0037】一般式(1),(2)で表される化合物は
Ar11,Ar21,Ar31,Ar12,Ar22,Ar32
少なくとも一つがフェナントレン構造、4環以上の縮環
アリール構造または3環以上の縮環ヘテロアリール構造
の化合物が好ましく、フェナントレン構造、ピレン構造
がより好ましい。また、一般式(1),(2)で表され
る化合物は Ar12,Ar22,Ar32 が縮環アリール基
または水素原子である化合物が好ましく、Ar12,Ar
22,Ar 32 が3環以上の縮環アリール基または水素原
子であることがより好ましく、Ar12,Ar22,Ar32
がフェナントレン構造、4環以上の縮環アリール構
造、水素原子であることが更に好ましい。また、一般式
(1),(2)で表される化合物は Ar11,Ar21
Ar31 がフェナントリレン基または4環以上の縮環ア
リーレン基である化合物が好ましい。
The compounds represented by the general formulas (1) and (2)
 Ar11, Artwenty one, Ar31, Ar12, Artwenty two, Ar32 of
At least one of which has a phenanthrene structure and four or more condensed rings
Aryl structure or condensed heteroaryl structure having three or more rings
Are preferable, and a phenanthrene structure and a pyrene structure
Is more preferred. Also, represented by general formulas (1) and (2)
Compound is Ar12, Artwenty two, Ar32 Is a fused aryl group
Or a compound which is a hydrogen atom,12, Ar
twenty two, Ar 32 Is a fused aryl group having three or more rings or a hydrogen atom
And more preferably Ar,12, Artwenty two, Ar32
 Is a phenanthrene structure, a condensed aryl structure having four or more rings
And more preferably a hydrogen atom. Also, the general formula
The compound represented by (1) or (2) is Ar11, Artwenty one,
Ar31 Is a phenanthrylene group or a condensed ring of 4 or more rings
Compounds that are a arylene group are preferred.

【0038】一般式(1),(2)で表される化合物
は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物
が好ましい。
The compounds represented by the general formulas (1) and (2) are preferably compounds composed of only carbon atoms and hydrogen atoms.

【0039】一般式(3)について説明する。R11,R
12,R13は置換基を表す。置換基としては、前記Ar11
上の置換基で説明した基が挙げられる。R11,R12,R
13は好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基であり、より好ま
しくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好まし
くは、アリール基である。
The general formula (3) will be described. R 11 , R
12 and R 13 represent a substituent. As the substituent, the aforementioned Ar 11
Examples include the groups described for the above substituents. R 11 , R 12 , R
13 is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or an alkoxy group, more preferably an alkyl group or an aryl group, and further preferably an aryl group.

【0040】q11,q12,q13 は0〜9の整数を表
す。q11,q12,q13 は好ましくは0〜3の整数であ
り、より好ましくは0〜2の整数であり、さらに好まし
くは0、1である。
Q 11 , q 12 and q 13 each represent an integer of 0-9. q 11, q 12, q 13 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0, 1.

【0041】R14,R15,R16 は前記R1と同義であ
り、好ましい範囲も同じである。
R 14 , R 15 and R 16 have the same meanings as R 1 described above, and the preferred ranges are also the same.

【0042】一般式(4)について説明する。R41,R
42,R43は前記R1と同義であり、好ましい範囲も同じ
である。R44,R45,R46は前記R11と同義であり、好
ましい範囲も同じである。q41,q42,q43 は0〜9
の整数を表し、好ましくは0〜3の整数であり、より好
ましくは0〜2の整数であり、さらに好ましくは0、1
である。
The general formula (4) will be described. R 41 , R
42 and R 43 have the same meanings as R 1 described above, and the preferred ranges are also the same. R 44 , R 45 and R 46 have the same meanings as R 11 described above, and the preferred ranges are also the same. q 41 , q 42 and q 43 are 0-9
And preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and still more preferably 0 or 1.
It is.

【0043】一般式(5)について説明する。R51は前
記R11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
54,R55,R56 は前記R1と同義であり、好ましい範
囲も同じである。Ar51はアンスリル基、フェナントリ
ル基、ピレニル基を表し、Ar52はフェナントリル基、
ピレニル基を表す。Ar51はフェナントリル基、ピレニ
ル基が好ましく、ピレニル基がより好ましい。Ar52
ピレニル基が好ましい。q 51 は0〜9の整数を表し、
好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0〜2
の整数であり、さらに好ましくは0、1である。
The general formula (5) will be described. R51Is before
Note R11And the preferred range is also the same.
R54, R55, R56 Is R1Is synonymous with
The box is the same. Ar51Is an anthryl group, phenantry
And a pyrenyl group; Ar52Is a phenanthryl group,
Represents a pyrenyl group. Ar51Is a phenanthryl group, pyreni
And a pyrenyl group is more preferred. Ar52Is
A pyrenyl group is preferred. q 51 Represents an integer of 0 to 9,
It is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 to 2.
And more preferably 0 or 1.

【0044】一般式(6)について説明する。R61,R
62 は前記R1と同義であり、好ましい範囲も同じであ
る。Ar61,Ar62,Ar63,Ar64 は縮環アリール
基を表し、好ましくはフェナントリル基、4環以上のア
リール基であり、より好ましくは、フェナントリル基、
ピレニル基である。
The general formula (6) will be described. R 61 , R
62 has the same meaning as R 1 , and the preferred range is also the same. Ar 61 , Ar 62 , Ar 63 and Ar 64 each represent a condensed aryl group, preferably a phenanthryl group, an aryl group having 4 or more rings, more preferably a phenanthryl group;
A pyrenyl group.

【0045】一般式(7)について説明する。R71,R
72,R73,R74は前記R11と同義であり、好ましい範囲
も同じである。R75,R76 は前記R1と同じであり、好
ましい範囲も同じである。q71,q72,q73,q74
0〜9の整数を表し、好ましくは0〜3の整数であり、
より好ましくは0〜2の整数であり、さらに好ましくは
0、1である。
The general formula (7) will be described. R 71 , R
72 , R 73 and R 74 have the same meanings as R 11 described above, and the preferred ranges are also the same. R 75 and R 76 are the same as R 1 , and the preferred range is also the same. q 71 , q 72 , q 73 , and q 74 represent an integer of 0 to 9, preferably an integer of 0 to 3,
It is more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.

【0046】一般式(8)について説明する。R81,R
82,R83,R84は前記R11と同義であり、好ましい範囲
も同じである。R85,R86 は前記R1と同じであり、好
ましい範囲も同じである。q81,q82,q83,q84
0〜9の整数を表し、好ましくは0〜3の整数であり、
より好ましくは0〜2の整数であり、さらに好ましくは
0、1である。
The general formula (8) will be described. R 81 , R
82 , R 83 and R 84 have the same meanings as R 11 described above, and the preferred ranges are also the same. R 85 and R 86 are the same as R 1 , and the preferred range is also the same. q 81 , q 82 , q 83 and q 84 each represent an integer of 0 to 9, preferably 0 to 3;
It is more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.

【0047】本発明の発光素子は、フェナンスレン構造
を有する一般式(1)で表される化合物、およびピレン
構造を有する一般式(1)で表される化合物を有する形
態が好ましく、そのうちの少なくとも1種は、一般式
(3)で表される化合物、および一般式(4)で表され
る化合物を含む形態がより好ましい。
The light-emitting device of the present invention preferably has a form having a compound represented by the general formula (1) having a phenanthrene structure and a compound represented by the general formula (1) having a pyrene structure. The species is more preferably a form containing the compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (4).

【0048】本発明では、発光層中に一般式(1)で表
される化合物を少なくとも1種含むが、そのうちの少な
くとも1種は一般式(2)〜(8)で表される化合物を
含有してよい。一般式(2)〜(8)で表される化合物
の発光層中の濃度はそれぞれ1質量%以上99質量%以
下であることが好ましく、3質量%以上97質量%以下
であることがより好ましく、5質量%以上95質量%以
下であることがさらに好ましい。
In the present invention, at least one compound represented by the general formula (1) is contained in the light emitting layer, and at least one of them contains the compound represented by the general formula (2) to (8). May do it. The concentration of the compound represented by any one of formulas (2) to (8) in the light-emitting layer is preferably from 1% by mass to 99% by mass, more preferably from 3% by mass to 97% by mass. More preferably, the content is 5% by mass or more and 95% by mass or less.

【0049】本発明の一般式(1)〜(8)で表される
化合物は低分子化合物であっも良く、また、オリゴマー
化合物、ポリマー化合物(重量平均分子量(ポリスチレ
ン換算)は好ましくは1000〜5000000、より
好ましくは2000〜1000000、さらに好ましく
は3000〜100000である。)であっても良い。
ポリマー化合物の場合、一般式(1)〜(8)で表され
る構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリ
マー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物
の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体
であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ま
しい。
The compounds represented by the general formulas (1) to (8) of the present invention may be low molecular weight compounds, and oligomer compounds and polymer compounds (the weight average molecular weight (in terms of polystyrene) is preferably 1,000 to 5,000,000). , More preferably 2,000 to 1,000,000, and still more preferably 3,000 to 100,000.)
In the case of a polymer compound, the structures represented by the general formulas (1) to (8) may be contained in the polymer main chain, or may be contained in the polymer side chain. In the case of a polymer compound, it may be a homopolymer compound or a copolymer. The compound of the present invention is preferably a low molecular compound.

【0050】本発明の一般式(1)〜(8)で表される
化合物は、その蛍光スペクトルのλmax(最大発光波
長)が400〜500nmであることが好ましく、40
0〜480nmであることがより好ましく、400〜4
60nmであることがさらに好ましい。
The compounds represented by the general formulas (1) to (8) of the present invention preferably have a λmax (maximum emission wavelength) of the fluorescence spectrum of from 400 to 500 nm.
0 to 480 nm, more preferably 400 to 4 nm.
More preferably, it is 60 nm.

【0051】次に本発明の一般式(1)〜(8)で表さ
れる化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定さ
れない。
Next, examples of the compounds represented by formulas (1) to (8) of the present invention will be shown, but the present invention is not limited thereto.

【0052】[0052]

【化14】 Embedded image

【0053】[0053]

【化15】 Embedded image

【0054】[0054]

【化16】 Embedded image

【0055】[0055]

【化17】 Embedded image

【0056】[0056]

【化18】 Embedded image

【0057】[0057]

【化19】 Embedded image

【0058】[0058]

【化20】 Embedded image

【0059】[0059]

【化21】 Embedded image

【0060】[0060]

【化22】 Embedded image

【0061】本発明の発光素子に含まれる炭素原子、水
素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成
されたスチリル誘導体について説明する。スチリル誘導
体とは、スチレン骨格を基本骨格に有する誘導体のこと
である。スチリル誘導体としては炭素原子、水素原子、
酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成されてい
れば特に限定しないが、例えば、日本国公開特許 特開
平7−147189,特開平8−333283,特開平
10−261488 及び 米国特許US 5,503,
910 などに記載されている炭素原子、水素原子、酸
素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成されている
スチリル誘導体が挙げられる。
A styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a halogen atom contained in the light emitting device of the present invention will be described. The styryl derivative is a derivative having a styrene skeleton as a basic skeleton. As styryl derivatives, carbon atom, hydrogen atom,
There is no particular limitation as long as it is composed of only oxygen, sulfur and halogen atoms. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 7-147189, Hei 8-333283, Hei 10-261488 and U.S. Pat. ,
910 and the like, and a styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.

【0062】炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体とし
て好ましくは、炭素原子、水素原子のみで構成されたス
チリル誘導体である。
The styryl derivative composed of only carbon, hydrogen, oxygen, sulfur and halogen atoms is preferably a styryl derivative composed of only carbon and hydrogen.

【0063】本発明の発光素子に含まれる炭素原子、水
素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成
されたスチリル誘導体として、より好ましくは下記一般
式(ST−1)で表される化合物である。
As a styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a halogen atom contained in the light emitting device of the present invention, more preferably a compound represented by the following general formula (ST-1) It is.

【0064】[0064]

【化23】 Embedded image

【0065】一般式(ST−1)について説明する。A
101は置換あるいは無置換の炭素数12〜50のアリ
ーレン基を表す。Ar101のアリーレン基は、ベンゼ
ン、ビフェニル、ナフタレン、フェナンスレン、アント
ラセン、ピレン、ペリレン及びこれらの誘導体などから
誘導される2価の基が挙げられる。またアリール基の置
換基同士が結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環
又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよ
い。
The general formula (ST-1) will be described. A
r 101 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 12 to 50 carbon atoms. Examples of the arylene group of Ar 101 include divalent groups derived from benzene, biphenyl, naphthalene, phenanthrene, anthracene, pyrene, perylene, and derivatives thereof. Further, the substituents of the aryl group may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring.

【0066】Ar101の炭素数は12〜50が好まし
く、14〜40がより好ましく、18〜36がさらに好
ましい。Ar101は三環以上のベンゼン環を有する基
(例えばターフェニレン基、アンスリレン基、ジフェニ
ルアンスリレン基など)が好ましい。Ar101上の置換
基は、アルキル基、アリール基、スチレン基、置換アル
キル基、置換アリール基、置換スチレン基が好ましい。
該置換基としては、後述するR103,R104,R105,R
106のアリール基およびアルキル基の置換基の具体例と
同様である。
The carbon number of Ar 101 is preferably from 12 to 50, more preferably from 14 to 40, even more preferably from 18 to 36. Ar 101 is preferably a group having three or more benzene rings (eg, a terphenylene group, an anthrylene group, a diphenylanthrylene group, and the like). The substituent on Ar 101 is preferably an alkyl group, an aryl group, a styrene group, a substituted alkyl group, a substituted aryl group, or a substituted styrene group.
Examples of the substituent include R 103 , R 104 , R 105 , R
This is the same as the specific examples of the substituent of the aryl group and the alkyl group of 106 .

【0067】ここで、一般式(ST−1)におけるAr
101のアリーレン基は以下に示す基が挙げられる。
Here, Ar in the general formula (ST-1)
Examples of the arylene group 101 include the following groups.

【0068】[0068]

【化24】 Embedded image

【0069】R101,R102はそれぞれ水素原子、アルキ
ル基、アリール基を表し、水素原子が好ましい。
103,R104,R105,R106はそれぞれ水素原子、置換
または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキ
ル基を表し、置換または無置換のアリール基が好まし
い。
R 101 and R 102 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and a hydrogen atom is preferable.
R 103 , R 104 , R 105 , and R 106 each represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group is preferable.

【0070】前記R103,R104,R105,R106のアリー
ル基およびアルキル基の置換基の具体例としては、炭素
数1〜6のアルキル基(メチル基,エチル基,n−プロ
ピル基,i−プロピル基,n−ブチル基,i−ブチル
基,sec −ブチル基,tert−ブチル基,イソペンチル
基,tert-ペンチル基,ネオペンチル基,イソヘキシル
基),炭素数1〜6のアルコキシ基(メトキシ基,エト
キシ基,プロポキシ基,i−プロポキシ基,ブチルオキ
シ基,i−ブチルオキシ基,sec −ブチルオキシ基,t
−ブチルオキシ基,イソペンチルオキシ基,t−ペンチ
ルオキシ基),アリールオキシ基,アリールチオ基,フ
ェニル基,ハロゲン原子が挙げられ、置換基は単数であ
っても、複数であってもよい。
Specific examples of the substituent of the aryl group and the alkyl group of R 103 , R 104 , R 105 , and R 106 include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms (a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, isohexyl group), alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms (methoxy) Group, ethoxy group, propoxy group, i-propoxy group, butyloxy group, i-butyloxy group, sec-butyloxy group, t
-Butyloxy group, isopentyloxy group, t-pentyloxy group), an aryloxy group, an arylthio group, a phenyl group, and a halogen atom, and the substituent may be singular or plural.

【0071】本発明の発光素子に含まれる炭素原子、水
素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子のみで構成
されたスチリル誘導体のガラス転移点は、好ましくは8
0℃以上であり、より好ましくは100℃以上であり、
さらに好ましくは120℃以上である。
The glass transition point of the styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a halogen atom contained in the light emitting device of the present invention is preferably 8
0 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher,
More preferably, it is 120 ° C. or higher.

【0072】以下に、本発明の発光素子に含まれる炭素
原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子の
みで構成されたスチリル誘導体の具体的化合物例を示す
が、本発明はこれに限定されない。
The following are specific examples of styryl derivatives comprising only carbon, hydrogen, oxygen, sulfur and halogen atoms contained in the light emitting device of the present invention, but the present invention is not limited to these. Not done.

【0073】[0073]

【化25】 Embedded image

【0074】[0074]

【化26】 Embedded image

【0075】本発明の化合物(一般式(1)〜(8)で
表される化合物)の製造方法について述べる。本発明の
化合物は、種々の公知の芳香族炭素炭素結合生成反応を
利用して合成可能であり、例えば、Organic S
ynthesis Reaction Guide (J
ohn Wiley & Sons,Inc.社) p.6
17〜p.643、及び、Comprehensive
Organic Transformation(VC
H社) p.5〜p.103 などに記載されている手法
を利用して合成することができる。パラジウム触媒存在
下炭素炭素結合を生成する合成法が好ましく、ホウ酸誘
導体とアリールハライド誘導体をパラジウム触媒存在下
合成する手法がさらに好ましい。
A method for producing the compound of the present invention (compounds represented by formulas (1) to (8)) will be described. The compound of the present invention can be synthesized using various known aromatic carbon-carbon bond formation reactions.
synthesis Reaction Guide (J
ohn Wiley & Sons, Inc. Company) p. 6
17 to p. 643 and Comprehensive
Organic Transformation (VC
H) p. 5-p. 103 can be synthesized. A synthesis method of generating a carbon-carbon bond in the presence of a palladium catalyst is preferable, and a method of synthesizing a boric acid derivative and an aryl halide derivative in the presence of a palladium catalyst is more preferable.

【0076】ホウ酸誘導体としては、置換または無置換
のアリールホウ酸誘導体(例えば、1,4−フェニルジ
ホウ酸、4,4′−ビフェニルジホウ酸、ピレンホウ酸
誘導体、フェナントレンホウ酸誘導体等が挙げられ
る)、ヘテロアリールホウ酸誘導体(例えばピリジルジ
ホウ酸などが挙げられる)などが挙げられる。
Examples of the boric acid derivative include substituted or unsubstituted arylboric acid derivatives (for example, 1,4-phenyldiboric acid, 4,4'-biphenyldiboric acid, pyreneboric acid derivatives, phenanthreneboric acid derivatives and the like). And heteroarylboric acid derivatives (for example, pyridyldiboric acid and the like).

【0077】アリールハライド誘導体のハロゲン原子
は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であ
り、より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子であり、特
に好ましくは臭素原子である。
The halogen atom of the aryl halide derivative is preferably a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, more preferably a bromine atom and an iodine atom, and particularly preferably a bromine atom.

【0078】パラジウム触媒としては、特に限定しない
が、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフ
ィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウ
ムジクロライド(dppf)(dppf:1,1’−ビ
スジフェニルホスフィノフェロセン)などが挙げられ
る。トリフェニルホスフィンなどの配位子を同時に添加
しても良い。
The palladium catalyst is not particularly restricted but includes, for example, palladium tetrakistriphenylphosphine, palladium carbon, palladium acetate, palladium dichloride (dppf) (dppf: 1,1′-bisdiphenylphosphinoferrocene) and the like. . A ligand such as triphenylphosphine may be added at the same time.

【0079】本反応は、塩基を用いた方が好ましい。用
いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナト
リウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙げ
られる。用いる塩基の量は特に限定しないが、ホウ酸
(エステル)部位に対して、好ましくは0.1〜20当
量、特に好ましくは1〜10当量である。
In this reaction, it is preferable to use a base. The type of the base used is not particularly limited, and examples thereof include sodium carbonate, sodium acetate, and triethylamine. The amount of the base used is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20 equivalents, particularly preferably 1 to 10 equivalents, to the boric acid (ester) site.

【0080】本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用い
る溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トル
エン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用い
ることができる。
This reaction preferably uses a solvent. The solvent used is not particularly limited, for example, ethanol, water,
Ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, dimethylformamide, toluene, tetrahydrofuran, and a mixed solvent thereof can be used.

【0081】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合
物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形
態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利
用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用
する物が好ましい。代表的な発光素子として有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子を挙げることができ
る。
Next, a light emitting device containing the compound of the present invention will be described. The light emitting device of the present invention is not particularly limited as long as it is a device using the compound of the present invention, such as a system, a driving method, and a use form. The thing used as is preferred. Organic EL as a typical light emitting element
(Electroluminescence) elements.

【0082】本発明の化合物を含有する発光素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法
が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティ
ング法、転写法が好ましい。
The method of forming the organic layer of the light emitting device containing the compound of the present invention is not particularly limited, but includes resistance heating evaporation, electron beam, sputtering, molecular lamination,
Methods such as a coating method, an ink jet method, and a printing method are used, and resistance heating evaporation, a coating method, and a transfer method are preferable in terms of characteristics and production.

【0083】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層
を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔
輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有して
もよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えた
ものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の適
宜材料を用いることができる。
The light-emitting device of the present invention is a device in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound layers including the light-emitting layer are formed between a pair of anode and cathode electrodes. , An electron injection layer, an electron transport layer, a protective layer, and the like, and each of these layers may have another function. Various appropriate materials can be used for forming each layer.

【0084】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
The anode supplies holes to the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, etc., and may be made of a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof. It is possible to use a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO), or metals such as gold, silver, chromium, and nickel, and those metals and conductive metal oxides. Mixtures or laminates, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, and the like. Oxides,
In particular, ITO is preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and still more preferably 100 nm to 500 nm.

【0085】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げて、発
光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。
As the anode, a layer formed on a soda lime glass, an alkali-free glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass in order to reduce ions eluted from the glass. Further, when soda lime glass is used, it is preferable to use a glass coated with a barrier coat such as silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength. When glass is used, the thickness is usually 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more. Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), and a coating of a dispersion of indium tin oxide are used. The film is formed by the method described above. The anode can be washed or otherwise treated to lower the driving voltage of the element and increase the luminous efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment and the like are effective.

【0086】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばL
i、Na、K等)及びそのフッ化物または酸化物、アル
カリ土類金属(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物
または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム
−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−ア
ルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテ
リビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事
関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミ
ニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混
合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属
等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だ
けでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取る
こともできる。例えば、アルミニウム/フッ化リチウ
ム、アルミニウム/酸化リチウム の積層構造が好まし
い。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通
常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ま
しくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100
nm〜1μmである。
The cathode supplies electrons to the electron injecting layer, the electron transporting layer, the light emitting layer and the like. The cathode has good adhesion and ionization potential between the negative electrode such as the electron injecting layer, the electron transporting layer and the light emitting layer. It is selected in consideration of stability and the like. As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include an alkali metal (for example, L
i, Na, K, etc.) and their fluorides or oxides, alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.) and their fluorides or oxides, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or mixtures thereof Metal, a lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof, indium, rare earth metals such as ytterbium and the like, preferably a material having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum , A lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof or the like. The cathode can have not only a single-layer structure of the compound and the mixture, but also a stacked structure including the compound and the mixture. For example, a laminated structure of aluminum / lithium fluoride and aluminum / lithium oxide is preferable. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and further preferably 100 nm.
nm to 1 μm.

【0087】陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリ
ング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が
用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を
同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同
時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、ま
たあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及
び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以
下が好ましい。
The cathode is manufactured by a method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, a coating method and the like. The metal can be evaporated alone or two or more components can be evaporated simultaneously. Further, an alloy electrode can be formed by depositing a plurality of metals at the same time, or an alloy prepared in advance may be deposited. The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

【0088】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよく、また、一重項励起子、または、三重項励起
子のいずれから発光する物であっても良い。例えばベン
ゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリ
フェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、ク
マリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘
導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアント
ラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディ
ン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類
錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポ
リフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化
合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられ
る。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通
常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好まし
くは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜
500nmである。
The material of the light emitting layer is capable of injecting holes from the anode, the hole injection layer, and the hole transport layer and applying electrons from the cathode, the electron injection layer, and the electron transport layer when an electric field is applied. Any function can be used as long as it can form a layer having a function of transferring injected charges, providing a field for recombination of holes and electrons and emitting light, and a singlet exciton. Or a substance that emits light from any of triplet excitons. For example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives , Metal complexes and rare earth complexes of pyrrolidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidin compounds, 8-quinolinol derivatives Polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, and polyphenylenevinylene, such as various metal complexes, Machine silane derivatives, the compounds of the present invention, and the like. The thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 1 μm.
500 nm.

【0089】発光層の形成方法は、特に限定されるもの
ではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリン
グ、分子積層法、コーティング法(スピンコート法、キ
ャスト法、ディップコート法など)、インクジェット
法、印刷法、LB法、転写法などの方法が用いられ、好
ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
The method for forming the light emitting layer is not particularly limited, but includes resistance heating evaporation, electron beam, sputtering, molecular lamination, coating (spin coating, casting, dip coating, etc.), and ink jet method. , A printing method, an LB method, a transfer method, and the like, and preferably a resistance heating evaporation and a coating method.

【0090】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン
膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔
輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1
nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは
5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜50
0nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料
の1種または2種以上からなる単層構造であってもよい
し、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造
であってもよい。
The material of the hole injection layer and the hole transport layer has one of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, and a function of blocking electrons injected from the cathode. Should be fine. Specific examples thereof include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, and styryl anthracene derivatives , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds,
Examples thereof include poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline-based copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silane derivatives, carbon films, and the compounds of the present invention. The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 1
It is preferably in the range of nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 50 μm.
0 nm. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

【0091】正孔注入層、正孔輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒
に溶解または分散させてコーティングする方法(スピン
コート法、キャスト法、ディップコート法など)、イン
クジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティ
ング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散すること
ができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリ
スルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケト
ン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
The hole injecting layer and the hole transporting layer may be formed by a vacuum deposition method, an LB method, or a method in which the hole injecting and transporting material is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating, casting, Dip coating method), an ink jet method, a printing method, and a transfer method. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component.Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene,
Poly (N-vinylcarbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, etc. .

【0092】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テト
ラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノ
リノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベ
ンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金
属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、
本発明の化合物等が挙げられる。電子注入層、電子輸送
層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm
〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5n
m〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500n
mである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1
種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、
同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であ
ってもよい。
The material of the electron injecting layer and the electron transporting layer is not limited as long as it has a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode. Good. Specific examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives,
Aromatic tetracarboxylic anhydrides such as imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, naphthalenes and perylenes Phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, various metal complexes represented by metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as ligands, organic silane derivatives,
Examples include the compounds of the present invention. The thickness of the electron injection layer and the electron transport layer is not particularly limited, but is usually 1 nm.
~ 5 μm, more preferably 5n
m to 1 μm, more preferably 10 nm to 500 n
m. The electron injection layer and the electron transport layer are made of one of the materials described above.
It may be a single layer structure composed of two or more kinds,
It may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

【0093】電子注入層、電子輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送材料を溶媒
に溶解または分散させてコーティングする方法(スピン
コート法、キャスト法、ディップコート法など)、イン
クジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コー
ティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散する
ことができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層
の場合に例示したものが適用できる。
The electron injecting layer and the electron transporting layer may be formed by a vacuum deposition method, an LB method, or a method in which the electron injecting and transporting material is dissolved or dispersed in a solvent and coated (spin coating, casting, dip coating, etc.). Etc.), an ink jet method, a printing method, a transfer method, and the like. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.

【0094】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、G
eO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、T
iO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、C
aF2等の金属フッ化物、SiOxy、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミ
ド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリク
ロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエ
チレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフル
オロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと
少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を
共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造
を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物
質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
As the material of the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing a substance such as moisture or oxygen which promotes element deterioration from entering the element. As a specific example,
In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, N
metal such as i, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , G
eO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y 2 O 3, T
metal oxides such as iO 2 , MgF 2 , LiF, AlF 3 , C
metal fluorides such as aF 2 , SiO x N y , polyethylene,
Polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer A copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof property having a water absorption of 0.1% or less Substances and the like.

【0095】保護層の形成方法についても特に限定はな
く、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパ
ッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラス
ターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズ
マ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラ
ズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソ
ースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用
できる。
The method for forming the protective layer is not particularly limited. For example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an MBE (molecular beam epitaxy) method, a cluster ion beam method, an ion plating method, a plasma polymerization method ( High-frequency excitation ion plating), plasma CVD, laser CVD, thermal CVD, gas source CVD, coating, printing, and transfer are applicable.

【0096】[0096]

【実施例】以下に本発明の実施例について説明するが、
本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
Embodiments of the present invention are not limited to these.

【0097】(1−1)の合成 ピレンホウ酸エステル(下記a) 1.0 g、1,3,
5−トリブロモベンゼン 0.29g、炭酸ナトリウム
0.6g、トリフェニルホスフィン 0.05g、パラ
ジウムカーボン 0.05gにジエチレングリコールジ
メチルエーテル20ml、水 20ml を加え還流攪拌
した。6時間後、反応溶液をクロロホルム200ml、
水200mlで希釈し、セライト(和光純薬)ろ過し
た。有機層を水100mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラ
フィー(クロロホルム)で精製した後、再結晶(クロロ
ホルム/メタノール)で精製し (1−1) 0.5g
を得た。(1−1)の蒸着膜(膜厚100nm)を作製
し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λm
axは 480nmであった。化合物のガラス転移点
(Tg)を測定したところ、164℃であった。
Synthesis of (1-1) Pyrene borate ester (a) 1.0 g, 1,3
0.29 g of 5-tribromobenzene, sodium carbonate
To 0.6 g, 0.05 g of triphenylphosphine and 0.05 g of palladium carbon, 20 ml of diethylene glycol dimethyl ether and 20 ml of water were added, and the mixture was stirred under reflux. Six hours later, 200 ml of chloroform was added to the reaction solution,
The mixture was diluted with 200 ml of water and filtered through Celite (Wako Pure Chemical Industries). The organic layer was washed twice with 100 ml of water, dried over sodium sulfate, and concentrated. After purification by column chromatography (chloroform), purification by recrystallization (chloroform / methanol) (1-1) 0.5 g
I got A vapor-deposited film (film thickness: 100 nm) of (1-1) was prepared and its film fluorescence was measured.
ax was 480 nm. The measured glass transition point (Tg) of the compound was 164 ° C.

【0098】[0098]

【化27】 Embedded image

【0099】(1−2)の合成 フェナントレンホウ酸エステル 1.5 g、1,3,5
−トリブロモベンゼン0.47g、炭酸ナトリウム
1.6g、トリフェニルホスフィン 0.07g、パラ
ジウムカーボン 0.07gにジエチレングリコールジ
メチルエーテル 30ml、水 30ml を加え還流攪
拌した。6時間後、反応溶液をクロロホルム200m
l、1M塩酸水200mlで希釈し、セライトろ過し
た。有機層を水100mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラ
フィー(ヘキサン/酢酸エチル系)で精製した後、再結
晶(クロロホルム/メタノール)で精製し (1−2)
1.0g を得た。MSスペクトルを測定し、(1−
2)の構造を確認した。(1−2)の蒸着膜を作製し、
その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λmax
は 380nmであった。
Synthesis of (1-2) Phenanthrene borate 1.5 g, 1,3,5
0.47 g of tribromobenzene, sodium carbonate
To 1.6 g, 0.07 g of triphenylphosphine and 0.07 g of palladium carbon, 30 ml of diethylene glycol dimethyl ether and 30 ml of water were added, and the mixture was stirred under reflux. After 6 hours, the reaction solution was chloroform 200m
The mixture was diluted with 200 ml of 1M aqueous hydrochloric acid and filtered through celite. The organic layer was washed twice with 100 ml of water, dried over sodium sulfate, and concentrated. After purifying by column chromatography (hexane / ethyl acetate system), purifying by recrystallization (chloroform / methanol) (1-2)
1.0 g was obtained. The MS spectrum was measured and (1-
The structure of 2) was confirmed. (1-2) producing a deposited film,
When the membrane fluorescence was measured, the maximum wavelength of the membrane fluorescence was λmax.
Was 380 nm.

【0100】[0100]

【化28】 Embedded image

【0101】(1−39)の合成 ピレンホウ酸エステル 1.0 g、1,2,4,5−テ
トラブロモベンゼン0.28g、炭酸ナトリウム 0.
88g、トリフェニルホスフィン 0.05g、パラジ
ウムカーボン 0.05gにジエチレングリコールジメ
チルエーテル 30ml、水 30ml を加え還流攪拌
した。6時間後、反応溶液をクロロホルム200ml、
1M塩酸水200mlで希釈し、セライトろ過した。有
機層を水100mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾
燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー
(クロロホルム)で精製した後、再結晶(クロロホルム
/メタノール)で精製し (1−39) 0.4g を得
た。MS スペクトルを測定し(1−39)の構造を確
認した。
Synthesis of (1-39) Pyrene borate ester 1.0 g, 1,2,4,5-tetrabromobenzene 0.28 g, sodium carbonate 0.1 g
To 88 g, 0.05 g of triphenylphosphine and 0.05 g of palladium carbon, 30 ml of diethylene glycol dimethyl ether and 30 ml of water were added and stirred under reflux. Six hours later, 200 ml of chloroform was added to the reaction solution,
The mixture was diluted with 200 ml of 1M hydrochloric acid and filtered through celite. The organic layer was washed twice with 100 ml of water, dried over sodium sulfate, and concentrated. After purification by column chromatography (chloroform), purification was performed by recrystallization (chloroform / methanol) to obtain 0.4 g of (1-39). The MS spectrum was measured to confirm the structure of (1-39).

【0102】[0102]

【化29】 Embedded image

【0103】(1−40)の合成 フェナントレンホウ酸エステル 1.15 g、1,2,
4,5−テトラブロモベンゼン 0.35g、炭酸ナト
リウム 0.96g、トリフェニルホスフィン0.07
g、パラジウムカーボン 0.07gにジエチレングリ
コールジメチルエーテル 30ml、水 30ml を加
え還流攪拌した。6時間後、室温に冷却し、セライトろ
過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライ
トろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロ
マトグラフィー(クロロホルム)で精製した後、再結晶
(クロロホルム/メタノール) で精製し(1−40)
0.5g を得た。MSスペクトル測定により(1−4
0)の構造を確認した。(1−40)の蒸着膜を作製
し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λm
axは 440nmであった。
Synthesis of (1-40) Phenanthrene borate 1.15 g, 1,2,2
0.35 g of 4,5-tetrabromobenzene, 0.96 g of sodium carbonate, 0.07 of triphenylphosphine
g, 0.07 g of palladium carbon, 30 ml of diethylene glycol dimethyl ether and 30 ml of water were added, and the mixture was stirred under reflux. After 6 hours, the mixture was cooled to room temperature and filtered through celite. The filtered solid was dissolved in chloroform and filtered through celite to remove palladium carbon. After purification by column chromatography (chloroform), purification by recrystallization (chloroform / methanol) (1-40)
0.5 g was obtained. According to MS spectrum measurement, (1-4
The structure of 0) was confirmed. When the deposited film of (1-40) was prepared and the film fluorescence was measured, the film fluorescence maximum wavelength λm
ax was 440 nm.

【0104】[0104]

【化30】 Embedded image

【0105】(1−35)の合成 1,3,5−トリブロモベンゼン25gにジエチルエー
テル250mlを加え、窒素気流下 −78℃に冷却し
た。n−ブチルリチウム(1.6M ヘキサン溶液)5
2mlを滴下し、室温に昇温した。アンスロン15.4
gを分割添加し、加熱還流下3時間攪拌した。室温に冷
却した溶液に酢酸エチル500ml、1M塩酸水300
mlを加え、有機層を分取した。有機層を飽和食塩水3
00mlで洗浄した後、濃縮した。カラムクロマトグラ
フィー(クロロホルム)で精製し化合物Aを1.5g得
た。ピレンホウ酸エステル 0.84 g、化合物A
0.5g、炭酸ナトリウム 0.51g、トリフェニル
ホスフィン 0.05g、パラジウムカーボン 0.05
gにジエチレングリコールジメチルエーテル 30m
l、水 30ml を加え還流攪拌した。6時間後、室温
に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホ
ルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを
除去した。カラムクロマトグラフィー(クロロホルム)
で精製した後、再結晶(クロロホルム/メタノール)で
精製し (1−35) 0.3g を得た。MSスペクト
ル測定により(1−35)の構造を確認した。(1−3
5)の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、
膜蛍光極大波長λmaxは 470nmであった。
Synthesis of (1-35) To 25 g of 1,3,5-tribromobenzene was added 250 ml of diethyl ether, and the mixture was cooled to −78 ° C. under a nitrogen stream. n-butyllithium (1.6 M hexane solution) 5
2 ml was added dropwise, and the temperature was raised to room temperature. Anthrone 15.4
g was added in portions, and the mixture was stirred for 3 hours while heating under reflux. 500 ml of ethyl acetate and 300 ml of 1M aqueous hydrochloric acid were added to the solution cooled to room temperature.
ml was added, and the organic layer was separated. Organic layer was washed with saturated saline 3
After washing with 00 ml, it was concentrated. Purification by column chromatography (chloroform) gave 1.5 g of compound A. 0.84 g of pyrene borate, compound A
0.5 g, sodium carbonate 0.51 g, triphenylphosphine 0.05 g, palladium carbon 0.05
g to diethylene glycol dimethyl ether 30m
1 and 30 ml of water were added and stirred under reflux. After 6 hours, the mixture was cooled to room temperature and filtered through celite. The filtered solid was dissolved in chloroform and filtered through celite to remove palladium carbon. Column chromatography (chloroform)
After purification by recrystallization, purification was performed by recrystallization (chloroform / methanol) to obtain 0.3 g of (1-35). The structure of (1-35) was confirmed by MS spectrum measurement. (1-3
5) A vapor-deposited film was prepared and the film fluorescence was measured.
The membrane fluorescence maximum wavelength λmax was 470 nm.

【0106】[0106]

【化31】 Embedded image

【0107】(1−37)の合成 1,3,5−トリブロモベンゼン10gにジエチルエー
テル150mlを加え、窒素気流下 −78℃に冷却し
た。n−ブチルリチウム(1.6M ヘキサン溶液)4
1.7mlを滴下し、室温に昇温した。アンスロン1
3.0gを分割添加し、加熱還流下3時間攪拌した。ジ
エチルエーテルを蒸留除去し、トルエン200ml、パ
ラトルエンスルホン酸 0.1gを加え加熱還流下3時
間攪拌した。室温に冷却した溶液にクロロホルム300
ml、水300mlを加え、有機層を分取、濃縮した。
カラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製した
後、晶析し(クロロホルム/ヘキサン)、化合物B
2.0gを得た。ピレンホウ酸エステル 0.27 g、
化合物B 0.4g、炭酸ナトリウム 0.17g、トリ
フェニルホスフィン 0.05g、パラジウムカーボン
0.05gにジエチレングリコールジメチルエーテル
30ml、水 30ml を加え還流攪拌した。6時間
後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体を
クロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカ
ーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン/酢酸エチル系 で溶出し、そのあとクロロホルム系
で溶出)で精製した後、再結晶で精製し(クロロホルム
/メタノール) (1−37) 0.1g を得た。MS
スペクトル測定により(1−37)の構造を確認した。
(1−37)の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定した
ところ、膜蛍光極大波長λmaxは 467nmであっ
た。
Synthesis of (1-37) To 10 g of 1,3,5-tribromobenzene was added 150 ml of diethyl ether, and the mixture was cooled to −78 ° C. under a nitrogen stream. n-butyllithium (1.6 M hexane solution) 4
1.7 ml was added dropwise, and the temperature was raised to room temperature. Anthrone 1
3.0 g was added in portions, and the mixture was stirred for 3 hours while heating under reflux. Diethyl ether was removed by distillation, 200 ml of toluene and 0.1 g of paratoluenesulfonic acid were added, and the mixture was stirred with heating under reflux for 3 hours. Chloroform 300 is added to the solution cooled to room temperature.
ml and 300 ml of water were added, and the organic layer was separated and concentrated.
After purification by column chromatography (chloroform), crystallization (chloroform / hexane) was carried out to give Compound B
2.0 g were obtained. 0.27 g of pyrene borate,
Compound B 0.4 g, sodium carbonate 0.17 g, triphenylphosphine 0.05 g, palladium carbon
0.05 g to diethylene glycol dimethyl ether
30 ml and 30 ml of water were added and the mixture was stirred under reflux. After 6 hours, the mixture was cooled to room temperature and filtered through celite. The filtered solid was dissolved in chloroform and filtered through celite to remove palladium carbon. The residue was purified by column chromatography (eluted with hexane / ethyl acetate, then eluted with chloroform) and then recrystallized to obtain 0.1 g of (chloroform / methanol) (1-37). MS
The structure (1-37) was confirmed by spectrum measurement.
When a vapor-deposited film of (1-37) was prepared and the film fluorescence was measured, the film fluorescence maximum wavelength λmax was 467 nm.

【0108】[0108]

【化32】 Embedded image

【0109】比較例1 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、ジス
チリル化合物 b を20nm蒸着し、この上にアゾール
化合物 c を40nm蒸着した。有機薄膜上にパターニ
ングしたマスク(発光面積が4mm×5mmとなるマス
ク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウム:銀=10:
1を50nm共蒸着した後、銀50nmを蒸着し、素子
を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2
400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光
させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM−8、発光波
長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーPM
A−11を用いて測定した。その結果、色度値(0.1
5,0.20)の青緑色発光が得られ、最高輝度113
0cd/m2の輝度が得られた。窒素雰囲気下1日放置
したところ、膜面の白濁が観察された。
Comparative Example 1 A cleaned ITO substrate was placed in a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was evaporated to a thickness of 40 nm, a distyryl compound b was evaporated to a thickness of 20 nm, and an azole compound c was evaporated to a thickness of 40 nm. A mask (a mask having a light-emitting area of 4 mm × 5 mm) patterned on the organic thin film is provided, and magnesium: silver = 10:
1 was co-evaporated to 50 nm, and then 50 nm of silver was evaporated to produce a device. Toyo Technica Source Measure Unit 2
Using a 400 type, a DC constant voltage is applied to the EL element to emit light, and the luminance is measured by a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation, and the emission wavelength is measured by a spectrum analyzer PM manufactured by Hamamatsu Photonics.
It measured using A-11. As a result, the chromaticity value (0.1
5, 0.20) blue-green emission was obtained, and the maximum luminance was 113.
A luminance of 0 cd / m 2 was obtained. When left in a nitrogen atmosphere for one day, cloudiness of the film surface was observed.

【0110】比較例2 化合物bの替わりに、本発明の化合物(1−1)を用
い、比較例1と同様に素子作製評価した。その結果、
(0.17,0.31)の青緑色発光を得、最高輝度1
2740cd/m2を得た。素子の外部量子効率を算出
したところ(発光輝度、発光スペクトル、電流密度、比
視感度曲線より算出)、φEL=1.8% であった。窒
素雰囲気下1日放置したが、膜面は透明であった。ま
た、 100 cd/m2 で2時間連続発光させたとこ
ろ、駆動電圧が 1.0V上昇した。
Comparative Example 2 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the compound (1-1) of the present invention was used instead of the compound b. as a result,
A blue-green emission of (0.17, 0.31) was obtained, and the maximum luminance was 1
2740 cd / m 2 were obtained. When the external quantum efficiency of the device was calculated (calculated from the light emission luminance, light emission spectrum, current density, and relative luminous efficiency curve), φ EL = 1.8%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. In addition, when light was continuously emitted at 100 cd / m 2 for 2 hours, the driving voltage increased by 1.0 V.

【0111】[0111]

【化33】 Embedded image

【0112】実施例1 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、化合
物(1−1)と化合物(2−1)を1対1の比で共蒸着
し、この上にアゾール化合物 c を40nm蒸着した。
比較例1と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、(0.
16,0.20)の青色発光で、最高輝度3700cd
/m2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、
φEL=1.8% であった。窒素雰囲気下1日放置した
が、膜面は透明であった。また、 100 cd/m2
2時間連続発光させたところ、駆動電圧が0.5V上昇
した。
Example 1 A cleaned ITO substrate was put into a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was deposited to a thickness of 40 nm, and the compound (1-1) and the compound (2-1) were further deposited thereon at a ratio of 1: 1. And the azole compound c was deposited thereon by 40 nm.
As a result of performing cathode deposition and device evaluation in the same manner as in Comparative Example 1, (0.
16,0.20) blue light emission, maximum brightness 3700cd
/ M 2 . When the external quantum efficiency of the device was calculated,
φ EL = 1.8%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. In addition, when light was continuously emitted at 100 cd / m 2 for 2 hours, the driving voltage increased by 0.5 V.

【0113】実施例2 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、化合
物(1−1)と(2−5)を1対1の比で共蒸着し、こ
の上にアゾール化合物c を40nm蒸着した。比較例
1と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、(0.16,
0.19)の青色発光で、最高輝度4900cd/m2
を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL
1.8% であった。窒素雰囲気下1日放置したが、膜
面は透明であった。また100 cd/m2 で2時間連
続発光させたところ、駆動電圧が0.3V上昇した。
Example 2 A cleaned ITO substrate was put into a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was deposited to a thickness of 40 nm, and compound (1-1) and (2-5) were added thereon in a ratio of 1: 1. Co-deposition was performed, and an azole compound c was deposited thereon by 40 nm. As a result of cathode deposition and device evaluation in the same manner as in Comparative Example 1, (0.16
0.19) blue light emission, maximum luminance 4900 cd / m 2
I got When the external quantum efficiency of the device was calculated, φ EL =
It was 1.8%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. When light emission was performed continuously at 100 cd / m 2 for 2 hours, the driving voltage increased by 0.3 V.

【0114】実施例3 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、化合
物(1−1)と化合物(2−8)を1対1の比で共蒸着
し、この上にアゾール化合物 c を40nm蒸着した。
比較例1と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、(0.
16,0.20)の青緑色発光で、最高輝度3800c
d/m2を得た。素子の外部量子効率を算出したとこ
ろ、φEL=1.9% であった。窒素雰囲気下1日放置
したが、膜面は透明であった。また100 cd/m2
で2時間連続発光させたところ、駆動電圧が0.2V上
昇した。
Example 3 A cleaned ITO substrate was put into a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was deposited to a thickness of 40 nm, and a compound (1-1) and a compound (2-8) were added thereon in a ratio of 1: 1. And the azole compound c was deposited thereon by 40 nm.
As a result of performing cathode deposition and device evaluation in the same manner as in Comparative Example 1, (0.
16,0.20) blue-green light emission, maximum brightness 3800c
d / m 2 was obtained. When the external quantum efficiency of the device was calculated, φ EL = 1.9%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. 100 cd / m 2
When the light emission was continued for 2 hours, the driving voltage increased by 0.2 V.

【0115】実施例4 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、化合
物(1−1)と化合物(2−15)を1対1の比で共蒸
着し、この上にアゾール化合物 c を40nm蒸着し
た。比較例1と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、
(0.16,0.22)の青緑色発光で、最高輝度33
00cd/m2を得た。素子の外部量子効率を算出した
ところ、φEL=1.7% であった。窒素雰囲気下1日
放置したが、膜面は透明であった。また100 cd/
2 で2時間連続発光させたところ、駆動電圧が0.2
V上昇した。
Example 4 A cleaned ITO substrate was placed in a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was deposited to a thickness of 40 nm, and the compound (1-1) and the compound (2-15) were further deposited thereon at a ratio of 1: 1. And the azole compound c was deposited thereon by 40 nm. As a result of cathode deposition and device evaluation as in Comparative Example 1,
(0.16, 0.22) blue-green light emission, maximum brightness 33
00 cd / m 2 was obtained. When the external quantum efficiency of the device was calculated, φ EL = 1.7%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. 100 cd /
When light was continuously emitted for 2 hours at m 2 , the driving voltage was 0.2
V rose.

【0116】実施例5 洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、α−NPD
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチ
ル)−ベンジジン)を40nm蒸着し、この上に、化合
物(1−2)と化合物(2−8)を1対1の比で共蒸着
し、この上にアゾール化合物 c を40nm蒸着した。
比較例1と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、(0.
16,0.15)の青色発光で、最高輝度2700cd
/m2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、
φEL=1.9% であった。窒素雰囲気下1日放置した
が、膜面は透明であった。また100 cd/m2 で2
時間連続発光させたところ、駆動電圧が0.4V上昇し
た。
Example 5 A cleaned ITO substrate was placed in a vapor deposition apparatus, and α-NPD
(N, N′-diphenyl-N, N′-di (α-naphthyl) -benzidine) was deposited to a thickness of 40 nm, and a compound (1-2) and a compound (2-8) were added thereon in a ratio of 1: 1. And the azole compound c was deposited thereon by 40 nm.
As a result of performing cathode deposition and device evaluation in the same manner as in Comparative Example 1, (0.
16,0.15) blue light emission, maximum brightness 2700cd
/ M 2 . When the external quantum efficiency of the device was calculated,
φ EL = 1.9%. When left in a nitrogen atmosphere for one day, the film surface was transparent. It is 2 at 100 cd / m 2
When the light was continuously emitted for a time, the driving voltage increased by 0.4 V.

【0117】実施例6 ポリビニルカルバゾール 40mg、2−(4−t−ブ
チルフェニル)−5−(4−ビフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾール 12mg、(1−1) 1mg、
(2−2)1mg をジクロロエタン 2.5ml に溶
解し、洗浄したITO基板上にスピンコートした(15
00rpm,20sec)。有機層の膜厚は120nm
であった。比較例1と同様に陰極蒸着、素子評価した結
果、(0.16,0.20)の青色発光で、最高輝度2
200cd/m2を得た。
Example 6 40 mg of polyvinylcarbazole, 2- (4-t-butylphenyl) -5- (4-biphenyl) -1,3,4
-Oxadiazole 12 mg, (1-1) 1 mg,
(2-2) 1 mg was dissolved in 2.5 ml of dichloroethane and spin-coated on a washed ITO substrate (15).
00 rpm, 20 sec). The thickness of the organic layer is 120 nm
Met. As a result of cathode deposition and device evaluation in the same manner as in Comparative Example 1, (0.16, 0.20) blue light emission and a maximum luminance of 2 were obtained.
200 cd / m 2 was obtained.

【0118】同様に本発明の化合物を含有することによ
り、高効率・高耐久性の青色発光EL素子が作製でき
る。また橙〜赤色の発光色素 (例えば DCM (7,4-
(Dicyanomethlene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyry
l)-4H-pyran)に代表されるピラン誘導体、Ir(ac
ac)(phq)2 (acac=アセチルアセトン,p
hq=フェニルキノリン) 錯体に代表される遷移金属
錯体など) を発光層に含有させることにより、高効率
・高耐久白色発光素子が作製できる。
Similarly, by containing the compound of the present invention, a blue light emitting EL device having high efficiency and high durability can be produced. In addition, orange to red luminescent dyes (for example, DCM (7,4-
(Dicyanomethlene) -2-methyl-6- (4-dimethylaminostyry
l) Pyran derivatives represented by -4H-pyran), Ir (ac
ac) (phq) 2 (acac = acetylacetone, p
hq = phenylquinoline) in the light-emitting layer, whereby a highly efficient and highly durable white light-emitting device can be manufactured.

【0119】[0119]

【発明の効果】本発明の発光素子は発光特性(色純度や
外部量子効率(φEL))、耐久性(膜面の白濁がなく、
駆動電圧の経時的上昇が小さい)に優れ、表示素子、デ
ィスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録
光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリ
ア、光通信等の分野に好適に使用できる。
Light-emitting element of the present invention exhibits emission characteristics (color purity, external quantum efficiency (phi EL)), no clouding durability (film surface,
Excellent in display elements, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signs, interiors, optical communications, etc. it can.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、
発光層中に下記一般式(1)で表される化合物を少なく
とも1種と、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体を少
なくとも1種とを含むことを特徴とする発光素子。 【化1】 (式中、Ar11,Ar21,Ar31 はアリーレン基を表
し、Ar12,Ar22,Ar32 は置換基または水素原子
を表す。Ar11,Ar21,Ar31,Ar12,Ar2 2,A
32 の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環
ヘテロアリール構造である。Arはアリーレン基または
ヘテロアリーレン基を表す。)
1. A light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes,
The light-emitting layer contains at least one compound represented by the following general formula (1) and at least one styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a halogen atom. A light emitting element characterized by the above-mentioned. Embedded image (Wherein, Ar 11, Ar 21, Ar 31 represents an arylene group, Ar 12, Ar 22, Ar 32 .Ar 11 that represents a substituent group or a hydrogen atom, Ar 21, Ar 31, Ar 12, Ar 2 2 , A
At least one of r 32 has a condensed aryl structure or a condensed heteroaryl structure. Ar represents an arylene group or a heteroarylene group. )
【請求項2】 前記一般式(1)で表される化合物の少
なくとも1種が下記一般式(2)で表される化合物であ
ることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 【化2】 (式中、Ar11,Ar21,Ar31 はアリーレン基を表
し、Ar12,Ar22,Ar32 は置換基または水素原子
を表す。Ar11,Ar21,Ar31,Ar12,Ar2 2,A
32 の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環
ヘテロアリール構造である。R1,R2,R3は水素原子
または置換基を表す。)
2. The light emitting device according to claim 1, wherein at least one of the compounds represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (2). Embedded image (Wherein, Ar 11, Ar 21, Ar 31 represents an arylene group, Ar 12, Ar 22, Ar 32 .Ar 11 that represents a substituent group or a hydrogen atom, Ar 21, Ar 31, Ar 12, Ar 2 2 , A
At least one of r 32 has a condensed aryl structure or a condensed heteroaryl structure. R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent. )
【請求項3】 前記一般式(1)で表される化合物の少
なくとも1種が下記一般式(3)で表される化合物であ
ることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 【化3】 (式中、R11,R12,R13は置換基を表す。R14
15,R16は水素原子または置換基を表す。q11
12,q13 は0〜9の整数を表す。)
3. The light emitting device according to claim 1, wherein at least one of the compounds represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (3). Embedded image (Wherein, R 11, R 12, R 13 represents a substituent .R 14,
R 15 and R 16 represent a hydrogen atom or a substituent. q 11 ,
q 12, q 13 represents an integer of 0-9. )
【請求項4】 炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体が一
般式(ST−1)であることを特徴とする請求項1〜3
に記載の発光素子。 【化4】 (一般式(ST−1)式中、Ar101は置換あるいは無
置換の炭素数12〜50のアリーレン基を表す。
101,R102はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリー
ル基を表す。R103,R104,R105,R106はそれぞれ水
素原子、置換または無置換のアリール基、置換または無
置換のアルキル基を表す。)
4. A styryl derivative composed of only a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a halogen atom is represented by the general formula (ST-1).
The light-emitting device according to item 1. Embedded image (In the formula (ST-1), Ar 101 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 12 to 50 carbon atoms.
R 101 and R 102 represent a hydrogen atom, an alkyl group, and an aryl group, respectively. R 103 , R 104 , R 105 and R 106 each represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group. )
【請求項5】 炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子のみで構成されたスチリル誘導体のガ
ラス転移点が80℃以上であることを特徴とする請求項
1〜4に記載の発光素子。
5. The light emission according to claim 1, wherein a glass transition point of a styryl derivative composed of only carbon atom, hydrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, and halogen atom is 80 ° C. or higher. element.
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