JP2003109768A - Light emitting element - Google Patents

Light emitting element

Info

Publication number
JP2003109768A
JP2003109768A JP2002214876A JP2002214876A JP2003109768A JP 2003109768 A JP2003109768 A JP 2003109768A JP 2002214876 A JP2002214876 A JP 2002214876A JP 2002214876 A JP2002214876 A JP 2002214876A JP 2003109768 A JP2003109768 A JP 2003109768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chain
light emitting
alkyl
aryl
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002214876A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003109768A5 (en
Inventor
Takeshi Tominaga
剛 富永
Akira Makiyama
暁 槇山
Toru Kohama
亨 小濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2002214876A priority Critical patent/JP2003109768A/en
Publication of JP2003109768A publication Critical patent/JP2003109768A/en
Publication of JP2003109768A5 publication Critical patent/JP2003109768A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element with high light emitting efficacy high brightness and excellent color purity. SOLUTION: The light emitting element emits light by electric energy with a light emitting matter existing between a positive electrode and a negative electrode, and contains organic materials and triplet light emitting materials with sublimation property and molecular weight of 600 or more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device capable of converting electric energy into light, such as a display device, a flat panel display, a backlight, a lighting, an interior, a sign, a signboard, an electrophotographic machine and an optical signal generator. The present invention relates to a light emitting element that can be used in the field of.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
2. Description of the Related Art In recent years, active research has been carried out on organic laminated thin-film light emitting devices in which electrons injected from a cathode and holes injected from an anode emit light when recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes. ing. This element has attracted attention because it is thin, has high-luminance light emission under a low driving voltage, and has multicolor light emission by selecting a fluorescent material.

【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜発光素子が高輝度に発光することを
示して以来(Appl.Phys.Lett.51(1
2)21,p.913,1987)、多くの研究機関が
検討を行っている。コダック社の研究グループが提示し
た有機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、酸化錫イン
ジウム(以下ITO)ガラス基板上に正孔輸送性のジア
ミン化合物、発光層であるトリス(8−キノリノラト)
アルミニウム、そして陰極としてMg:Agを順次設け
たものであり、10V程度の駆動電圧で1000cd/
2の緑色発光が可能であった。現在の有機積層薄膜発
光素子は、上記の素子構成要素の他に電子輸送層を設け
ているものなど構成を変えているものもあるが、基本的
にはコダック社の構成を踏襲している。
This work was carried out by Kodak Corp. W. Tan
Since g. et al. showed that the organic laminated thin film light emitting device emits light with high brightness (Appl. Phys. Lett. 51 (1
2) 21, p. 913, 1987), many research institutes are investigating. A typical structure of an organic laminated thin film light emitting device presented by a Kodak research group is a diamine compound having a hole-transporting property on a tin indium oxide (ITO) glass substrate and tris (8-quinolinolato) which is a light emitting layer.
Aluminum and Mg: Ag are sequentially provided as a cathode, and the drive voltage of about 10 V is 1000 cd /
A green light emission of m 2 was possible. Some of the current organic laminated thin-film light-emitting elements have different configurations such as an element having an electron transport layer in addition to the above-mentioned element components, but basically follow the configuration of Kodak Corporation.

【0004】上記発光層を構成する発光材料としては、
ホスト材料のみ、または、ホスト材料にドーパント材料
をドーピングしたものが使用される。発光材料は、フル
カラーディスプレイ用として赤色、緑色、青色の三原色
揃うことが求められている。
As the light emitting material constituting the above light emitting layer,
A host material alone or a host material doped with a dopant material is used. It is required that the light emitting material has three primary colors of red, green and blue for full color display.

【0005】発光材料としては、従来から一般的には蛍
光性(一重項発光)材料が用いられているが、電子と正
孔が再結合して分子が励起する際のスピン多重度の違い
により、一重項励起子が25%、三重項励起子が75%
の割合で生成することから、発光効率を向上させるため
に、燐光性(三重項発光)材料を用いることが以前より
試みられており、プリンストン大学のグループが、従来
の蛍光性材料に比べて発光効率が大幅に上回ることを示
している(Appl.Phys.Lett.75,4
(1999))。
Conventionally, a fluorescent (singlet emission) material has been generally used as a light emitting material. However, due to a difference in spin multiplicity when electrons and holes are recombined to excite molecules. , Singlet excitons 25%, triplet excitons 75%
It has been attempted to use phosphorescent (triplet emission) materials in order to improve the emission efficiency, and the group at Princeton University emits light more than conventional fluorescent materials. It shows that the efficiency is significantly higher (Appl. Phys. Lett. 75, 4
(1999)).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術で作製された発光素子は耐久性が充分でなく、燐光性
材料自身の改良や、正孔輸送材料、ホスト材料、電子輸
送材料等の改良が望まれている。
However, the light emitting device manufactured by the above-mentioned conventional technique is not sufficiently durable, and the phosphorescent material itself is improved, and the hole transport material, host material, electron transport material, etc. Improvement is desired.

【0007】そこで本発明は、かかる従来技術の問題点
を解決し、発光効率と色純度が高く、耐久性に優れた発
光素子を提供することを目的とするものである。
[0007] Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art and to provide a light emitting device having high luminous efficiency, high color purity and excellent durability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、陽極
と陰極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより
発光する素子であって、昇華性を有し、かつ分子量が6
00以上の有機材料と三重項発光材料を含むことを特徴
とする発光素子である。
That is, the present invention is an element in which a light-emitting substance is present between an anode and a cathode, and which emits light by electric energy, has sublimability, and has a molecular weight of 6
It is a light emitting device comprising an organic material of 00 or more and a triplet light emitting material.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、IT
Oなどの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムな
どの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポ
リチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電
性ポリマなど特に限定されるものでないが、ITOガラ
スやネサガラスを用いることが特に好ましい。電極の抵
抗は発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいの
で限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低
抵抗であることが好ましい。例えば300Ω/□以下の
ITOガラスであれば素子電極として機能するが、現在
では10Ω/□程度の基板の供給も可能になっており、
低抵抗品を使用することが特に好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the anode is tin oxide, indium oxide, IT if transparent to take out light.
Conductive metal oxides such as O, metals such as gold, silver and chromium, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole and polyaniline are not particularly limited. It is particularly preferable to use ITO glass or Nesa glass. The resistance of the electrode is not limited as long as it can supply a sufficient current for light emission of the light emitting element, but is preferably low resistance from the viewpoint of power consumption of the light emitting element. For example, if ITO glass of 300Ω / □ or less functions as an element electrode, it is now possible to supply a substrate of about 10Ω / □.
It is particularly preferable to use a low resistance product.

【0010】ITOガラスを用いた場合のITO膜の厚
みは抵抗値に合わせて任意に選ぶことができるが、通常
は100〜300nmの間とすることが好ましい。ま
た、ガラス基板の厚みは機械的強度を保つのに十分な厚
みがあればよく、具体的には、0.5mm以上が好まし
い。ガラス基板の材質については、ガラスからの溶出イ
オンが少ない方がよいので無アルカリガラスが好ましい
が、市販されているSiO2 などのバリアコートを施し
たソーダライムガラスも使用できる。また、プラスチッ
ク基板が用いられても良い。
When the ITO glass is used, the thickness of the ITO film can be arbitrarily selected according to the resistance value, but it is usually preferable to set it to be 100 to 300 nm. Further, the thickness of the glass substrate may be any thickness sufficient to maintain the mechanical strength, and specifically, it is preferably 0.5 mm or more. As for the material of the glass substrate, non-alkali glass is preferable because it is preferable that the amount of ions eluted from the glass is small, but soda lime glass having a barrier coat such as commercially available SiO 2 can also be used. Also, a plastic substrate may be used.

【0011】ITO膜形成方法は、電子線ビーム法、ス
パッタリング法、化学反応法など特に制限を受けるもの
ではない。
The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method and a chemical reaction method.

【0012】本発明において陰極は、電子を発光物質に
効率良く注入できる物質からなるものであれば特に限定
されないが、具体的には白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜
鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、セ
シウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシ
ウムなどが挙げられる。特に、電子注入効率を上げて素
子特性を向上させるためにはリチウム、セシウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。
In the present invention, the cathode is not particularly limited as long as it is made of a substance capable of efficiently injecting electrons into the light emitting substance, and specifically, platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, Examples thereof include indium, chromium, lithium, cesium, sodium, potassium, calcium and magnesium. In particular, lithium, cesium, sodium, potassium, calcium, magnesium or alloys containing these low work function metals are effective for increasing electron injection efficiency and improving device characteristics.

【0013】しかし、これらの低仕事関数金属は、一般
に大気中で不安定であることが多いので、例えば、有機
層に微量のリチウムやセシウム、マグネシウム(真空蒸
着の膜厚計表示で1nm以下)をドーピングした安定性
の高い電極を使用することが好ましいが、フッ化リチウ
ムのような無機塩の使用も可能であり、特にこれらに限
定されるものではない。更に電極保護のために白金、
金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの
金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、
チタニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコ
ール、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層するこ
とが好ましい例として挙げられる。
However, since these low work function metals are often unstable in the atmosphere, for example, trace amounts of lithium, cesium, and magnesium (1 nm or less in a vacuum evaporation film thickness meter display) are present in the organic layer. It is preferable to use a highly stable electrode doped with, but it is also possible to use an inorganic salt such as lithium fluoride, and it is not particularly limited thereto. Furthermore, platinum for electrode protection,
Metals such as gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, and silica,
Preferred examples include laminating inorganic materials such as titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, and hydrocarbon polymers.

【0014】上記陰極の作製方法も抵抗加熱法、電子線
ビーム法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、コーティング法など、導通を取ることができれば特
に制限されない。
The method for producing the above-mentioned cathode is not particularly limited as long as conduction can be established, such as a resistance heating method, an electron beam method, a sputtering method, an ion plating method and a coating method.

【0015】本発明において発光物質とは自ら発光する
もの、その発光を助けるもののいずれにも該当し、発光
に関与している化合物を指すものである。具体的には発
光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔阻止材料な
どが該当する。
In the present invention, the luminescent substance refers to a compound that is involved in light emission, which corresponds to both a substance which emits light by itself and a substance which assists the light emission. Specifically, it corresponds to a light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, a hole blocking material and the like.

【0016】本発明の発光素子は、陽極、陰極以外の構
成として種々の構成を取り得、例えば1)正孔輸送層/
発光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、3)発
光層/電子輸送層、4)正孔輸送層/発光層/正孔阻止
層、5)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送
層、6)発光層/正孔阻止層/電子輸送層そして、7)
発光層の場合などが挙げられる。
The light-emitting device of the present invention may have various constitutions other than the anode and the cathode, for example, 1) hole transport layer /
Light-emitting layer, 2) hole-transporting layer / light-emitting layer / electron-transporting layer, 3) light-emitting layer / electron-transporting layer, 4) hole-transporting layer / light-emitting layer / hole-blocking layer, 5) hole-transporting layer / light-emitting layer / Hole blocking layer / electron transporting layer, 6) light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer, and 7)
Examples include the case of a light emitting layer.

【0017】本発明において発光物質は、分子量が60
0以上の有機材料と三重項発光材料を含む必要があり、
三重項発光材料はそれ自身が発光する役割を担う場合が
多いので、特に発光層を構成する発光材料に含まれるこ
とが好ましく、中でも後述するドーパント材料として用
いられることが好ましい。
In the present invention, the luminescent material has a molecular weight of 60.
It is necessary to include zero or more organic materials and triplet light emitting materials,
Since the triplet light emitting material often plays a role of emitting light by itself, it is particularly preferably contained in the light emitting material forming the light emitting layer, and particularly preferably used as a dopant material described later.

【0018】三重項発光材料は従来の一重項発光材料に
比べて発光効率が高く、三重項発光材料を用いた発光素
子は応用範囲がより広がり、耐久性がより高いものが望
まれる。
A triplet light emitting material has higher luminous efficiency than a conventional singlet light emitting material, and a light emitting device using the triplet light emitting material is desired to have a wider range of applications and higher durability.

【0019】発光を効率よく得るには、電子と正孔の再
結合を発光層で行わせる必要があるが、再結合エネルギ
ーの内で発光に用いられなかったものは熱となるので、
発光層が最もダメージを受け易い。それ故、分子量が6
00以上の有機材料は、耐熱性に優れることから、発光
層で用いられることが好ましい。分子量は803以上で
あることがより好ましく、900以上であることが更に
好ましい。
In order to obtain light emission efficiently, it is necessary to cause the recombination of electrons and holes in the light emitting layer. However, of the recombination energies, those not used for light emission become heat.
The light emitting layer is most susceptible to damage. Therefore, the molecular weight is 6
Organic materials of 00 or more have excellent heat resistance, and are therefore preferably used in the light emitting layer. The molecular weight is more preferably 803 or more, further preferably 900 or more.

【0020】三重項発光材料の分子量については、膜中
に微量含まれるに過ぎないので、その耐久性に与える影
響は僅かである。
Regarding the molecular weight of the triplet light emitting material, since it is contained only in a trace amount in the film, its influence on its durability is slight.

【0021】発光素子は各材料を積層して作製すること
が好ましいが、基板には陽極であるITO基板が一般的
に用いられることから、正孔輸送層が最も下地の影響を
受け易い。それ故、分子量が600以上の有機材料は、
薄膜安定性に優れることから、正孔輸送層で用いられる
ことが好ましい。
The light emitting device is preferably manufactured by laminating each material, but since the ITO substrate which is an anode is generally used as the substrate, the hole transport layer is most likely to be affected by the base. Therefore, an organic material with a molecular weight of 600 or more
Since it is excellent in thin film stability, it is preferably used in the hole transport layer.

【0022】陰極である金属層は最後に製膜されるのが
一般的であるが、製膜には蒸着法が用いられ、その際の
輻射熱によって、既に積層されていた有機物層は悪影響
を受けやすい。それ故、分子量が600以上の有機材料
は、耐熱性に優れることから、電子輸送層で用いられる
ことが好ましい。
The metal layer as the cathode is generally formed last, but the vapor deposition method is used for the film formation, and the radiant heat at that time adversely affects the organic layer already laminated. Cheap. Therefore, an organic material having a molecular weight of 600 or more is preferably used in the electron transport layer because it has excellent heat resistance.

【0023】三重項発光材料は従来の蛍光材料(一重項
発光)と異なるメカニズムによる発光であることから、
従来の蛍光材料とともに用いていた材料群がそのまま三
重項発光材料との組み合わせに適用できるとは限らな
い。特に同一層内で用いる際に適用できない場合が多
い。従って、三重項材料との組み合わせを考えた場合
に、分子量が600以上の有機材料として下記一般式
(1)〜(5)で表される化合物を好適な例として挙げ
ることができる。
Since the triplet light emitting material emits light by a mechanism different from that of the conventional fluorescent material (singlet light emission),
The material group used together with the conventional fluorescent material is not always applicable to the combination with the triplet light emitting material as it is. In many cases, it cannot be applied especially when used in the same layer. Therefore, when considering a combination with a triplet material, compounds represented by the following general formulas (1) to (5) can be given as preferable examples as the organic material having a molecular weight of 600 or more.

【0024】[0024]

【化6】 [Chemical 6]

【0025】(ここで、R1〜R10はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、隣接する置換基との間に形成される縮合
芳香族炭化水素環構造から選ばれる。X1は単結合、ア
ルキル鎖、シクロアルキル鎖、アルキレン鎖、アリール
鎖、複素環鎖、シリル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖
のいずれかより単独または組み合わせたものより選ばれ
る。nは2以上の自然数を表す。)
(Here, R 1 to R 10, which may be the same or different, are each hydrogen, an alkyl group, an aryl group,
It is selected from an alkoxy group and a condensed aromatic hydrocarbon ring structure formed between adjacent alkoxy groups. X 1 is selected from a single bond, an alkyl chain, a cycloalkyl chain, an alkylene chain, an aryl chain, a heterocyclic chain, a silyl chain, an ether chain and a thioether chain, alone or in combination. n represents a natural number of 2 or more. )

【0026】[0026]

【化7】 [Chemical 7]

【0027】(ここで、R11は水素、アルキル、アリー
ル基から選ばれる。nは4以上の自然数を表す。)
(Here, R 11 is selected from hydrogen, alkyl, and aryl groups. N represents a natural number of 4 or more.)

【0028】[0028]

【化8】 [Chemical 8]

【0029】(ここで、R12〜R21はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、隣接する置換基との間に形成される縮合
芳香族炭化水素環構造から選ばれる。また、R16−R17
間が連結されていても良い。X 2は単結合、アルキル
鎖、シクロアルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複
素環鎖、シリル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいず
れかより単独または組み合わせたものより選ばれる。n
は2以上の自然数を表す。)
(Where R12~ Rtwenty oneAre the same
May be different, hydrogen, an alkyl group, an aryl group,
Condensation formed between an alkoxy group and an adjacent substituent
It is selected from aromatic hydrocarbon ring structures. Also, R16-R17
The spaces may be connected. X 2Is a single bond, alkyl
Chain, cycloalkyl chain, alkylene chain, aryl chain, compound
Any of elementary chain, silyl chain, ether chain, thioether chain
Selected from them alone or in combination. n
Represents a natural number of 2 or more. )

【0030】[0030]

【化9】 [Chemical 9]

【0031】(ここで、R22〜R29はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基から選ばれる。但し、R22〜R29のうち1
つはX 3との結合に使われる。X3は単結合、アルキル
鎖、シクロアルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複
素環鎖、シリル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいず
れかより単独または組み合わせたものより選ばれる。n
は2以上の自然数を表す。)
(Where Rtwenty two~ R29Are the same
May be different, hydrogen, an alkyl group, an aryl group,
Selected from alkoxy groups. However, Rtwenty two~ R29Out of 1
One is X 3Used to combine with. X3Is a single bond, alkyl
Chain, cycloalkyl chain, alkylene chain, aryl chain, compound
Any of elementary chain, silyl chain, ether chain, thioether chain
Selected from them alone or in combination. n
Represents a natural number of 2 or more. )

【0032】[0032]

【化10】 [Chemical 10]

【0033】(ここで、R30は任意の位置に修飾される
置換基を表し、水素、アルキル基、アリール基、アルコ
キシ基から選ばれる。X4は単結合、アルキル鎖、シク
ロアルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複素環鎖、
シリル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいずれかより
単独または組み合わせたものより選ばれる。Yは酸素ま
たは窒素から選ばれ、窒素の場合には水素、アルキル
基、アリール基のいずれかが修飾される。nは2以上の
自然数を表す。)これらの置換基の説明の内、アルキル
基とは例えばメチル基、エチル基等の飽和脂肪族炭化水
素基を示し、これらは無置換でも置換されていても良
い。アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル基、ビ
フェニル基、フルオレニル基などの芳香族炭化水素基を
示し、これらは無置換でも置換されていても良い。アル
コキシ基とは例えばメトキシ基等のエーテル結合を介し
た脂肪族炭化水素基を示し、これらは無置換でも置換さ
れていてもよい。これらの置換基は本発明の効果に照ら
して各化合物上の水素とそれに等価の特性を有する置換
基を列挙したものである。
(Wherein R 30 represents a substituent which is modified at any position and is selected from hydrogen, an alkyl group, an aryl group and an alkoxy group. X 4 is a single bond, an alkyl chain, a cycloalkyl chain or an alkylene. Chain, aryl chain, heterocyclic chain,
It is selected from a silyl chain, an ether chain and a thioether chain, alone or in combination. Y is selected from oxygen and nitrogen, and in the case of nitrogen, hydrogen, an alkyl group or an aryl group is modified. n represents a natural number of 2 or more. In the description of these substituents, the alkyl group represents a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group and an ethyl group, which may be unsubstituted or substituted. The aryl group represents, for example, an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group and a fluorenyl group, which may be unsubstituted or substituted. The alkoxy group refers to an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, which may be unsubstituted or substituted. In the light of the effect of the present invention, these substituents are the hydrogens on each compound and the substituents having equivalent properties.

【0034】X1〜X5は連結のための結合鎖であり、結
合鎖により連結されることで、従来の単独化合物では得
ることができなかった、耐熱性および薄膜形成能を付与
することができ、更に、素子としての耐久性を付与する
ことができ、有用な発光素子を得ることができる。結合
鎖としては単結合、アルキル鎖、アルキレン鎖、シクロ
アルキル鎖、アリール鎖、複素環鎖、シリル鎖、エーテ
ル鎖、あるいはチオエーテル鎖があげられるが、熱的安
定性や電子および/あるいは正孔輸送能を高めるための
好ましい結合鎖として単結合やアルキレン鎖、アリール
鎖、複素環鎖が挙げられる。更に、一層の耐熱性や薄膜
形成性には剛直でかつかさ高い構造のものが望ましく、
具体的には複数のアリール鎖からなる結合鎖が一層好ま
しい。
X 1 to X 5 are connecting chains for connection, and by connecting with the connecting chains, it is possible to impart heat resistance and thin film forming ability which cannot be obtained by conventional single compounds. Further, durability as an element can be imparted, and a useful light emitting element can be obtained. Examples of the bonding chain include a single bond, an alkyl chain, an alkylene chain, a cycloalkyl chain, an aryl chain, a heterocyclic chain, a silyl chain, an ether chain, or a thioether chain, but thermal stability and electron and / or hole transport As a preferable bonding chain for enhancing the activity, a single bond, an alkylene chain, an aryl chain and a heterocyclic chain can be mentioned. Furthermore, a rigid and bulky structure is desirable for further heat resistance and thin film formation,
Specifically, a binding chain composed of a plurality of aryl chains is more preferable.

【0035】分子量が600以上の一般式(1)〜
(5)で表される有機材料化合物の具体例を以下に示す
が、これに限定されるものではない。
General formula (1) having a molecular weight of 600 or more
Specific examples of the organic material compound represented by (5) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0036】[0036]

【化11】 [Chemical 11]

【0037】[0037]

【化12】 [Chemical 12]

【0038】発光物質は分子量が600以上の一般式
(1)〜(5)で表される有機材料と三重項材料のみで
構成されても、それ以外の従来から用いられている各種
材料と組み合わされても構わない。
Even if the luminescent substance is composed only of the organic material represented by the general formulas (1) to (5) having a molecular weight of 600 or more and the triplet material, it is combined with various other conventionally used materials. It doesn't matter.

【0039】本発明の分子量が600以上の有機材料は
昇華性を有する。ここでいう昇華性とは、固体が液体を
経ずに気化するという厳密な意味ではなく、真空中で加
熱したときに分解することなく揮発し、薄膜形成が可能
であるという広義の意味で用いている。本発明における
発光素子は積層構造を有することが好ましいが、昇華性
を有する有機化合物であれば真空蒸着法などのドライプ
ロセスにより積層構造の形成が容易である。また、発光
層内にドーピング層を形成する場合においても、ホスト
材料との共蒸着法やホスト材料と予め混合してから同時
に蒸着する方法を用いることにより制御性に優れたドー
ピング層が形成できる。さらに、マトリクスやセグメン
ト方式で表示するディスプレイなどを構成する際に所望
のパターン化された発光を得る必要があるが、昇華性を
有する有機化合物であればドライプロセスでのパターニ
ング形成により容易にパターニングできる。
The organic material having a molecular weight of 600 or more according to the present invention has sublimability. The sublimability used here does not mean that a solid is vaporized without passing through a liquid, but is used in a broad sense that it volatilizes without decomposition when heated in a vacuum and a thin film can be formed. ing. The light emitting device of the present invention preferably has a laminated structure, but if it is an organic compound having a sublimation property, the laminated structure can be easily formed by a dry process such as a vacuum deposition method. Also, when forming a doping layer in the light emitting layer, a doping layer excellent in controllability can be formed by using a co-evaporation method with a host material or a method of pre-mixing with a host material and then performing vapor deposition at the same time. Furthermore, it is necessary to obtain desired patterned light emission when forming a display that uses a matrix or segment system, but an organic compound having a sublimation property can be easily patterned by patterning by a dry process. .

【0040】上記正孔輸送層は陽極から正孔が注入さ
れ、さらに正孔を輸送することを司る層であり、正孔輸
送層に用いる材料(以下、正孔輸送材料という)は単独
もしくは異なる正孔輸送材料と積層または混合して使用
しても構わない。
The hole-transporting layer is a layer for injecting holes from the anode and for further transporting holes, and the material used for the hole-transporting layer (hereinafter referred to as the hole-transporting material) is either alone or different. It may be laminated or mixed with the hole transport material.

【0041】上記発光層は発光を陽極および陰極より注
入された電気エネルギーを発光のためのエネルギーとし
て蓄積して、実際に発光を司る層である。該発光層に用
いる材料(以下、発光材料という。)としては、好まし
くは蛍光性あるいはリン光性を有する化合物である。
The light emitting layer is a layer which actually controls light emission by accumulating the electric energy injected from the anode and the cathode as energy for light emission. The material used for the light emitting layer (hereinafter referred to as the light emitting material) is preferably a compound having fluorescence or phosphorescence.

【0042】また、発光材料を用いて発光を得る場合
に、エネルギーの蓄積、実際の発光を単独の発光材料で
行う場合とエネルギー遷移を利用し、機能を分離して複
数の発光材料の組み合わせて用いる場合とがある。後者
の場合には、電気エネルギーの蓄積を担う発光材料(以
下、ホスト材料という)と、蓄積されたエネルギーを受
け取り、実際に発光を司る発光材料(以下、ドーパント
材料)とに分類される。このような機能分離の手法はド
ーピング法と呼ばれ、該手法により高効率、高色純度、
高耐久性の発光素子が得ることができる。
Further, when light emission is obtained by using a light emitting material, energy is accumulated, a case where a single light emitting material is used for actual light emission and energy transition are utilized to separate functions and combine a plurality of light emitting materials. It may be used. In the latter case, it is classified into a light emitting material (hereinafter, referred to as a host material) that is responsible for storing electric energy and a light emitting material (hereinafter, a dopant material) that receives the stored energy and actually controls light emission. Such a method of functional separation is called a doping method, and by this method, high efficiency, high color purity,
A highly durable light emitting element can be obtained.

【0043】こうした発光材料は単独でもあるいは複数
種組み合わせて用いることができるし、また、発光層は
多層にして用いることもできる。
These light-emitting materials can be used alone or in combination of two or more kinds, and the light-emitting layer can be used in multiple layers.

【0044】ドーピング法においては、ドーパント材料
はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれ
ていても、いずれであってもよく、ホスト材料からなる
層に対しドーパント材料からなる層が積層されていても
よい。ホスト材料は単独もしくは複数を混合して用いて
もよい。
In the doping method, the dopant material may be contained in the entire host material, may be partially contained, or may be contained in any part. May be laminated. The host materials may be used alone or in combination of two or more.

【0045】発光材料のドーパント材料は上記三重項発
光材料一種のみ、もしくは、複数の三重項発光材料を混
合して用いてもよく、さらには、既知の一重項ドーパン
ト材料の一種類以上と三重項発光材料と混合して用いて
もよい。
As the dopant material of the light emitting material, only one of the above triplet light emitting materials may be used, or a plurality of triplet light emitting materials may be mixed and used. Furthermore, one or more kinds of known singlet dopant materials and triplet light emitting materials may be used. You may mix and use with a light emitting material.

【0046】上記電子輸送層は陰極から電子が注入さ
れ、さらに電子を輸送することを司る層であり、電子輸
送層に用いる材料(以下、電子輸送材料という)は単独
もしくは異なる電子輸送性材料と積層または混合して使
用しても構わない。
The above-mentioned electron transport layer is a layer for injecting electrons from the cathode and further for transporting electrons, and the material used for the electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport material) is a single or different electron transport material. They may be laminated or mixed and used.

【0047】上記正孔阻止層は陽極からの正孔が再結合
せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止する層であり、
正孔阻止層に用いる材料(以下、正孔阻止材料という)
は単独もしくは異なる正孔阻止材料と積層または混合し
て使用しても構わない。
The hole blocking layer is a layer which efficiently blocks holes from the anode from flowing to the cathode side without recombination.
Material used for hole blocking layer (hereinafter referred to as hole blocking material)
These may be used alone or in a laminate or a mixture with different hole blocking materials.

【0048】正孔輸送性材料は、電界を与えられた電極
間において陽極からの正孔を効率良く輸送するものであ
り、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率良く輸
送するものであることが好ましい。そのためにはイオン
化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、
さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時お
よび使用時に発生しにくい材料で構成されることが要求
される。このような条件を満たすものとして、本発明の
分子量が600以上の有機材料が挙げられるが、その中
でも特に前記一般式(1)〜(3)で表される有機材料
が好ましい。その他にも、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジフェニ
ル−1,1’−ジアミン、N,N’−ジナフチル−N,
N’−ジフェニル−4,4’−ジフェニル−1,1’−
ジアミンなどのトリフェニルアミン類、ビス(N−アリ
ルカルバゾール)またはビス(N−アルキルカルバゾー
ル)類などのカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、
スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジア
ゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘
導体に代表される複素環化合物、ポリマー系では前記単
量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが好まし
く挙げられるが、発光素子作製に必要な薄膜を形成し、
陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化
合物であれば特に限定されるものではない。
The hole transporting material is a material that efficiently transports holes from the anode between the electrodes to which an electric field is applied, has a high hole injection efficiency, and efficiently transports the injected holes. Is preferred. For that purpose, the ionization potential is small and the hole mobility is large,
Further, it is required to be made of a material that is excellent in stability and in which impurities that become traps are hard to be generated during manufacturing and use. The organic material having a molecular weight of 600 or more according to the present invention can be mentioned as a material satisfying such a condition. Among them, the organic materials represented by the general formulas (1) to (3) are particularly preferable. In addition, N, N'-diphenyl-N,
N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N, N'-dinaphthyl-N,
N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1,1'-
Triphenylamines such as diamine, carbazole derivatives such as bis (N-allylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole) s, pyrazoline derivatives,
Stilbene compounds, hydrazone compounds, heterocyclic compounds typified by oxadiazole derivatives and phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and in polymer systems, polycarbonates or styrene derivatives having the above monomer in the side chain, polyvinylcarbazole, polysilane and the like are preferable. For example, forming a thin film necessary for manufacturing a light emitting device,
The compound is not particularly limited as long as it is a compound capable of injecting holes from the anode and further transporting holes.

【0049】ホスト材料としては本発明の分子量が60
0以上の有機材料が挙げられるが、その中でも特に一般
式(1)〜(5)で表される有機材料が好ましい例とし
て挙げられる。その他にも特に限定されるものではない
が、以前から発光体として知られていたアントラセン、
フェナンスレン、ピレン、ペリレン、クリセンなどの縮
合環誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
を始めとするキノリノール誘導体の金属錯体、ベンズオ
キサゾール誘導体、スチルベン誘導体、ベンズチアゾー
ル誘導体、チアジアゾール誘導体、チオフェン誘導体、
テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン
誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルアント
ラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビスス
チリル誘導体、ビス(N−カルバゾリル)ビフェニルな
どのカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナ
ントロリン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、キノリ
ノール誘導体と異なる配位子を組み合わせた金属錯体、
オキサジアゾール誘導体金属錯体、ベンズアゾール誘導
体金属錯体、クマリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、
ペリノン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマ
ー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフ
ェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが
使用できる。
The host material has a molecular weight of 60 according to the present invention.
There are 0 or more organic materials, and among them, the organic materials represented by the general formulas (1) to (5) are particularly preferred. In addition, although not particularly limited, anthracene, which has been known as a luminous body for a long time,
Fused ring derivatives such as phenanthrene, pyrene, perylene, chrysene, metal complexes of quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinolato) aluminum, benzoxazole derivatives, stilbene derivatives, benzthiazole derivatives, thiadiazole derivatives, thiophene derivatives,
Tetraphenyl butadiene derivative, cyclopentadiene derivative, oxadiazole derivative, bisstyryl derivative such as bisstyrylanthracene derivative and distyrylbenzene derivative, carbazole derivative such as bis (N-carbazolyl) biphenyl, triazole derivative, phenanthroline derivative, triphenylamine derivative , A metal complex combining a quinolinol derivative and a different ligand,
Oxadiazole derivative metal complex, benzazole derivative metal complex, coumarin derivative, pyrrolopyridine derivative,
For the perinone derivative, the thiadiazolopyridine derivative, and the polymer system, a polyphenylene vinylene derivative, a polyparaphenylene derivative, and a polythiophene derivative can be used.

【0050】三重項発光材料として、具体的には、トリ
ス(2−フェニルピリジル)イリジウム錯体、トリス
{2−(2−チオフェニル)ピリジル}イリジウム錯
体、トリス{2−(2−ベンゾチオフェニル)ピリジ
ル}イリジウム錯体、トリス(2−フェニルベンゾチア
ゾール)イリジウム錯体、トリス(2−フェニルベンゾ
オキサゾール)イリジウム錯体、トリスベンゾキノリン
イリジウム錯体、ビス(2−フェニルピリジル)(アセ
チルアセトナート)イリジウム錯体、ビス{2−(2−
チオフェニル)ピリジル}イリジウム錯体、ビス{2−
(2−ベンゾチオフェニル)ピリジル}(アセチルアセ
トナート)イリジウム錯体、ビス(2−フェニルベンゾ
チアゾール)(アセチルアセトナート)イリジウム錯
体、ビス(2−フェニルベンゾオキサゾール)(アセチ
ルアセトナート)イリジウム錯体、ビスベンゾキノリン
(アセチルアセトナート)イリジウム錯体、ビス{2−
(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジル}(アセチル
アセトナート)イリジウム錯体、テトラエチルポルフィ
リン白金錯体、{トリス(セノイルトリフルオロアセト
ン)モノ(1,10−フェナントロリン)}ユーロピウ
ム錯体、{トリス(セノイルトリフルオロアセトン)モ
ノ(4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリ
ン)}ユーロピウム錯体、{トリス(1,3−ジフェニ
ル−1,3−プロパンジオン)モノ(1,10−フェナ
ントロリン)}ユーロピウム錯体、トリスアセチルアセ
トンテルビウム錯体などが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。燐光性(三重項発光)材料の中で
は、発光特性が良好なことから、イリジウム錯体または
白金錯体が好ましく用いられる。
Specific examples of the triplet light emitting material include tris (2-phenylpyridyl) iridium complex, tris {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium complex, and tris {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl. } Iridium complex, tris (2-phenylbenzothiazole) iridium complex, tris (2-phenylbenzoxazole) iridium complex, trisbenzoquinolineiridium complex, bis (2-phenylpyridyl) (acetylacetonato) iridium complex, bis {2 -(2-
Thiophenyl) pyridyl} iridium complex, bis {2-
(2-benzothiophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzothiazole) (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzoxazole) (acetylacetonato) iridium complex, bis Benzoquinoline (acetylacetonato) iridium complex, bis {2-
(2,4-Difluorophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, tetraethylporphyrin platinum complex, {tris (cenoyltrifluoroacetone) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (cenoyltrifluoroacetone) ) Mono (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedione) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, trisacetylacetoneterbium Examples thereof include, but are not limited to, complexes. Among the phosphorescent (triplet emission) materials, an iridium complex or a platinum complex is preferably used because it has good emission characteristics.

【0051】既知の一重項ドーパント材料としては、特
に限定されるものではないが、具体的には従来から知ら
れている、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テ
トラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベ
ンゾピレン、ルブレンなどの縮合環誘導体、ベンズオキ
サゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、ベンズイミ
ダゾール誘導体、ベンズトリアゾール誘導体、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリ
アゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、チオフェン誘導
体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジ
エン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチ
リルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、ピロメ
テン誘導体およびその金属錯体、フラン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチル
イソベンゾフラン、ジ(2−メチルフェニル)イソベン
ゾフラン、ジ(2−トリフルオロメチルフェニル)イソ
ベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベ
ンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、7−ジアル
キルアミノクマリン誘導体、7−ピペリジノクマリン誘
導体、7−ヒドロキシクマリン誘導体、7−メトキシク
マリン誘導体、7−アセトキシクマリン誘導体、3−ベ
ンズチアゾリルクマリン誘導体、3−ベンズイミダゾリ
ルクマリン誘導体、3−ベンズオキサゾリルクマリン誘
導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘
導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン
誘導体、シアニン誘導体、オキソベンズアンスラセン誘
導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレ
セイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導
体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレン
オキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘
導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、
1,2,5−チアジアゾロピレン誘導体、ペリノン誘導
体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビ
オラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘
導体、ジアザフラビン誘導体などが使用できる。
The known singlet dopant material is not particularly limited, but specifically, conventionally known phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene. Such as condensed ring derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benztriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, thiophene derivatives, tetraphenyl Butadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyryl anthracene derivatives, bisstyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives, pyrromethene derivatives and Metal complex, furan derivative, benzofuran derivative, phenylisobenzofuran, dimesitylisobenzofuran, di (2-methylphenyl) isobenzofuran, di (2-trifluoromethylphenyl) isobenzofuran, isobenzofuran derivative such as phenylisobenzofuran, Dibenzofuran derivative, 7-dialkylaminocoumarin derivative, 7-piperidinocoumarin derivative, 7-hydroxycoumarin derivative, 7-methoxycoumarin derivative, 7-acetoxycoumarin derivative, 3-benzthiazolylcoumarin derivative, 3-benzimidazolylcoumarin Derivative, coumarin derivative such as 3-benzoxazolyl coumarin derivative, dicyanomethylenepyran derivative, dicyanomethylenethiopyran derivative, polymethine derivative, cyanine derivative, oxoben Anthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyril derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, polyphenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives,
1,2,5-thiadiazolopylene derivative, perinone derivative, pyrrolopyrrole derivative, squarylium derivative, violanthrone derivative, phenazine derivative, acridone derivative, diazaflavin derivative and the like can be used.

【0052】電子輸送材料は電界を与えられた電極間に
おいて陰極からの電子を効率良く輸送することが必要
で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸
送することが好ましい。そのためには電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、
トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しに
くい材料であることが要求される。このような条件を満
たす電子輸送性材料として、本発明の分子量が600以
上の有機材料が挙げられるが、その中でも特に前記一般
式(4)および(5)で表される有機材料が好ましい。
その他にも、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
に代表されるキノリノール誘導体金属錯体、トロポロン
金属錯体、フラボノール金属錯体、ペリレン誘導体、ペ
リノン誘導体、ナフタレン、クマリン誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビススチリル誘導
体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体などが挙
げられるが特に限定されるものではない。
The electron transport material needs to efficiently transport the electrons from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied, and the electron injection efficiency is high, and it is preferable that the injected electrons are efficiently transported. For that purpose, the electron affinity is large, the electron mobility is large, and the stability is excellent.
It is required that impurities that become traps are materials that do not easily generate during manufacturing and use. Examples of the electron-transporting material satisfying such conditions include organic materials having a molecular weight of 600 or more according to the present invention. Among them, the organic materials represented by the general formulas (4) and (5) are particularly preferable.
In addition, quinolinol derivative metal complex represented by tris (8-quinolinolato) aluminum, tropolone metal complex, flavonol metal complex, perylene derivative, perinone derivative, naphthalene, coumarin derivative, oxadiazole derivative, aldazine derivative, bisstyryl derivative, Examples thereof include pyrazine derivatives and phenanthroline derivatives, but are not particularly limited.

【0053】正孔阻止材料は、正孔と電子の輸送バラン
スを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極
側へ流れるのを効率よく阻止できることが必要で、正孔
注入効率が低いことが好ましい。そのためにはイオン化
ポテンシャルが大きく、しかも正孔移動度が小さく、さ
らに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時およ
び使用時に発生しにくい材料であることが要求される。
このような条件を満たす正孔阻止性材料としては、上記
電子輸送性材料を用いることができるが、電子輸送能力
が低いものであってもよい。これらの正孔阻止性材料は
単独もしくは異なる正孔阻止性材料と積層または混合し
て使用しても構わない。
In consideration of the transport balance of holes and electrons, the hole blocking material needs to be able to efficiently block holes from the anode from flowing to the cathode side without recombining. It is preferable that the efficiency is low. For that purpose, it is required that the material has a large ionization potential, a small hole mobility, an excellent stability, and an impurity that becomes a trap is hard to be generated at the time of production and use.
As the hole blocking material satisfying such a condition, the above electron transporting material can be used, but a material having a low electron transporting ability may be used. These hole blocking materials may be used alone or in a laminated or mixed with different hole blocking materials.

【0054】本発明において発光物質を構成する各層は
真空蒸着により形成され、中でも、抵抗加熱法、電子線
ビーム法、スパッタリング法、分子積層法が好ましい。
各層の厚みは、抵抗値にもよるので限定することはでき
ないが、通常1〜1000nmの間が好ましい。
In the present invention, each layer constituting the light emitting substance is formed by vacuum vapor deposition, and among them, resistance heating method, electron beam method, sputtering method and molecular lamination method are preferable.
The thickness of each layer cannot be limited because it depends on the resistance value, but it is usually preferably 1 to 1000 nm.

【0055】本発明において電気エネルギーとは主に直
流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも
可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、
発光素子の消費電力、寿命を考慮するとできるだけ低い
エネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきであ
る。
In the present invention, the electric energy mainly means a direct current, but it is also possible to use a pulse current or an alternating current. The current value and voltage value are not particularly limited,
Considering the power consumption and life of the light emitting device, the maximum brightness should be obtained with the lowest possible energy.

【0056】本発明の発光素子は、マトリクスおよび/
またはセグメント方式によって表示するディスプレイで
あることが好ましい。
The light emitting device of the present invention comprises a matrix and / or
Alternatively, the display is preferably a segment type display.

【0057】なお、マトリクスとは、表示のための画素
が格子状に配置されたものをいい、画素の集合で文字や
画像を表示する。画素の形状、サイズは用途によって決
まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画像および
文字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画
素が用いられるし、表示パネルのような大型ディスプレ
イの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることに
なる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すれ
ばよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を
並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプ
とストライプタイプがある。このマトリクスの駆動方法
としては、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのど
ちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるとい
う利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブ
マトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途に
よって使い分けることが必要である。
The matrix means a matrix in which pixels for display are arranged, and a character or an image is displayed by a set of pixels. The shape and size of the pixel depend on the application. For example, a quadrangular pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, a monitor, a television, and in the case of a large display such as a display panel, a pixel with a side of mm is used. . In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The driving method of this matrix may be either a line-sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has an advantage that the structure is simple, but in consideration of the operation characteristics, the active matrix may be superior in some cases. Therefore, it is necessary to use the active matrix depending on the application.

【0058】また、セグメント方式とは、予め決められ
た情報を表示するようにパターンを形成し、決められた
領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や
温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁
調理器などの動作状態表示、自動車のパネル表示などが
挙げられる。そして、上記マトリクス表示とセグメント
表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
In the segment system, a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined area is made to emit light. For example, a time and temperature display on a digital clock or a thermometer, an operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, a panel display of an automobile, and the like can be given. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

【0059】[0059]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。なお実施例中、膜厚は水晶発振式膜厚モニ
ター表示値とする。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples, the film thickness is the crystal oscillation type film thickness monitor display value.

【0060】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子線ビーム法品)を
30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた
基板を”セミコクリン56”(フルウチ化学(株)製)
と超純水で各々15分間超音波洗浄して乾燥させた。こ
の基板を発光素子を作製する直前に1時間UV−オゾン
処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が
5×10-5Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法に
よって、まず正孔輸送性材料として4,4’−ビス(N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル
(αNPD:分子量589)を60nm蒸着した。次に
発光材料のホスト材料として2,2’−ビス(4−
(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)スピロ−
9,9’−ビフルオレン(分子量:803)を、ドーパ
ント材料としてトリス(2−フェニルピリジル)イリジ
ウム錯体(Ir(ppy)3:分子量655)を用い
て、ドーパントが8wt%になるように30nmの厚さ
に共蒸着した。次に正孔阻止材料として2,9−ジメチ
ル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン
(BTCPN:分子量360)を10nm蒸着した。次
に電子輸送性材料として、トリス(8−キノリノール)
アルミニウム錯体(分子量459)を50nmの厚さに
蒸着した。次にリチウムを0.5nm有機層にドーピン
グした後、アルミニウムを200nm蒸着して陰極と
し、5×5mm角の発光素子を作製した。この発光素子
からはドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光ス
ペクトルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が
得られた。
Example 1 A glass substrate (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., 15 Ω / □, electron beam method product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm was cut into 30 × 40 mm and etched. The obtained substrate is "Semicoclin 56" (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.)
And ultrasonic cleaning with ultrapure water for 15 minutes and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing a light emitting device, placed in a vacuum vapor deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 −5 Pa or less. According to the resistance heating method, first, 4,4'-bis (N
60 nm of-(1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (αNPD: molecular weight 589) was deposited. Next, 2,2'-bis (4-
(N, N'-diphenylamino) phenyl) spiro-
9,9'-bifluorene (molecular weight: 803) was used as a dopant material using a tris (2-phenylpyridyl) iridium complex (Ir (ppy) 3 : molecular weight 655) to obtain a dopant of 8 wt% and a thickness of 30 nm. It was co-deposited. Next, 10 nm of 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BTCPN: molecular weight 360) was vapor-deposited as a hole blocking material. Next, as an electron transporting material, tris (8-quinolinol) was used.
Aluminum complex (molecular weight 459) was evaporated to a thickness of 50 nm. Next, after doping the organic layer with 0.5 nm of lithium, aluminum was vapor-deposited with 200 nm to serve as a cathode, and a 5 × 5 mm square light emitting device was produced. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting device, and high-luminance green emission with favorable color purity was obtained.

【0061】また、上記発光素子を真空セル内で1mA
パルス駆動(Duty比1/60、パルス時の電流値6
0mA)させたところ、ドーパント材料の燐光スペクト
ルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度の良好な
高輝度緑色発光が確認された。
In addition, the above light emitting device was
Pulse drive (Duty ratio 1/60, pulse current value 6)
0 mA), an emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed, and high-brightness green emission with good color purity was confirmed.

【0062】さらに、20mA/平方センチメートルの
直流駆動で耐久性を評価したところ、100時間後でも
色純度の良好な高輝度緑色発光が得られた。
Further, when the durability was evaluated by driving with a direct current of 20 mA / square centimeter, high-brightness green light emission with good color purity was obtained even after 100 hours.

【0063】比較例1 発光材料のホスト材料として4,4’−ビス(N−カル
バゾリル)ビフェニル(CBP:分子量484)を用い
た以外は実施例1と全く同様にして発光素子を作製し
た。この発光素子からはドーパント材料の燐光スペクト
ルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度の良好な
高輝度緑色発光が得られたが、20mA/平方センチメ
ートルの直流駆動で耐久性を評価したところ、100時
間後には著しい輝度の低下が見られた。
Comparative Example 1 A light emitting device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (CBP: molecular weight 484) was used as the host material of the light emitting material. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting element, and high-intensity green light emission with favorable color purity was obtained. The durability was evaluated at a DC drive of 20 mA / square centimeter for 100 hours. After that, a remarkable decrease in brightness was observed.

【0064】実施例2 発光材料のホスト材料として2,2’−ビス{5−(4
−t−ブチルフェニル)1,3,4−オキサジアゾール
−2−イル}スピロ−9,9’−ビフルオレン(分子
量:717)を用いた以外は実施例1と同様にして発光
素子を作製した。
Example 2 As a host material of a light emitting material, 2,2'-bis {5- (4
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that -t-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazol-2-yl} spiro-9,9'-bifluorene (molecular weight: 717) was used. .

【0065】この発光素子からはドーパント材料の燐光
スペクトルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度
の良好な高輝度緑色発光が得られた。さらに、20mA
/平方センチメートルの直流駆動で耐久性を評価したと
ころ、100時間後でも色純度の良好な高輝度緑色発光
が得られた。
From this light emitting device, an emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed, and high-brightness green light emission with good color purity was obtained. Furthermore, 20mA
When the durability was evaluated by driving with a direct current of / cm2, a high-brightness green light emission with good color purity was obtained even after 100 hours.

【0066】実施例3 発光材料のホスト材料として4,4’−ビス(N−カル
バゾリル)ビフェニル(CBP:分子量484)を用
い、正孔輸送材料として、N,N’−ビス(4−ジフェ
ニルアミノ−4−ビフェニル)−N,N’−ジフェニル
ベンジジン(分子量975)を用いた以外は実施例1と
全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子から
はドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光スペク
トルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が得ら
れたが、20mA/平方センチメートルの直流駆動で耐
久性を評価したところ、100時間後でも色純度の良好
な高輝度緑色発光が得られた。
Example 3 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (CBP: molecular weight 484) was used as the host material of the light emitting material, and N, N′-bis (4-diphenylamino) was used as the hole transport material. A light emitting device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that -4-biphenyl) -N, N'-diphenylbenzidine (molecular weight 975) was used. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting element, and high-intensity green light emission with favorable color purity was obtained. The durability was evaluated at a DC drive of 20 mA / square centimeter for 100 hours. Even after that, high-brightness green light emission with good color purity was obtained.

【0067】実施例4 正孔輸送材料として3,6位で連結されたエチルカルバ
ゾール4量体を用いた以外は実施例3と同様にして発光
素子を作製した。この発光素子からはドーパント材料の
燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察され、色
純度の良好な高輝度緑色発光が得られたが、20mA/
平方センチメートルの直流駆動で耐久性を評価したとこ
ろ、100時間後でも色純度の良好な高輝度緑色発光が
得られた。
Example 4 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 3 except that ethylcarbazole tetramer linked at the 3 and 6 positions was used as a hole transport material. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light emitting device, and high-intensity green light emission with good color purity was obtained.
When the durability was evaluated by direct-current driving of a square centimeter, high-intensity green light emission with good color purity was obtained even after 100 hours.

【0068】実施例5 発光材料のホスト材料として4,4’−ビス(N−カル
バゾリル)ビフェニル(CBP:分子量484)を用
い、正孔阻止材料として、2,2’,7,7’−テトラ
キス(2−フェナントロリル)スピロ−9,9’−ビフ
ルオレン(分子量1029)を用いた以外は実施例1と
全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子から
はドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光スペク
トルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が得ら
れたが、20mA/平方センチメートルの直流駆動で耐
久性を評価したところ、100時間後でも色純度の良好
な高輝度緑色発光が得られた。
Example 5 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (CBP: molecular weight 484) was used as the host material of the light emitting material, and 2,2 ′, 7,7′-tetrakis was used as the hole blocking material. A light emitting device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that (2-phenanthrolyl) spiro-9,9′-bifluorene (molecular weight 1029) was used. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting element, and high-intensity green light emission with favorable color purity was obtained. The durability was evaluated at a DC drive of 20 mA / square centimeter for 100 hours. Even after that, high-brightness green light emission with good color purity was obtained.

【0069】実施例6 発光材料のホスト材料として4,4’−ビス(N−カル
バゾリル)ビフェニル(CBP:分子量484)を用
い、電子輸送材料として、2,2’,7,7’−テトラ
キス(2,2−ジフェニルビニル)スピロ−9,9’−
ビフルオレン(分子量1029)を用いた以外は実施例
1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子
からはドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光ス
ペクトルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が
得られたが、20mA/平方センチメートルの直流駆動
で耐久性を評価したところ、100時間後でも色純度の
良好な高輝度緑色発光が得られた。
Example 6 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (CBP: molecular weight 484) was used as the host material of the light emitting material, and 2,2 ′, 7,7′-tetrakis (as the electron transport material. 2,2-diphenylvinyl) spiro-9,9'-
A light emitting device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that bifluorene (molecular weight 1029) was used. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting element, and high-intensity green light emission with favorable color purity was obtained. The durability was evaluated at a DC drive of 20 mA / square centimeter for 100 hours. Even after that, high-brightness green light emission with good color purity was obtained.

【0070】実施例7 電子輸送材料として2,2’−ビス(2,2−ジフェニ
ルエテン−1−イル)スピロ−9,9’−ビフルオレン
(分子量:673)を用いる以外は実施例4と同様にし
て発光素子を作製した。この発光素子からはドーパント
材料の燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察さ
れ、色純度の良好な高輝度緑色発光が得られた。
Example 7 Same as Example 4 except that 2,2′-bis (2,2-diphenylethen-1-yl) spiro-9,9′-bifluorene (molecular weight: 673) was used as the electron transport material. Then, a light emitting device was produced. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light-emitting device, and high-luminance green emission with favorable color purity was obtained.

【0071】実施例8 発光材料のドーパント材料としてビス{2−(2−ベン
ゾチオフェニル)ピリジル}(アセチルアセトナート)
イリジウム錯体を用いた以外は実施例1と全く同様にし
て発光素子を作製した。この発光素子からはドーパント
材料の燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察さ
れ、色純度の良好な高輝度赤色発光が得られたが、20
mA/平方センチメートルの直流駆動で耐久性を評価し
たところ、100時間後でも色純度の良好な高輝度赤色
発光が得られた。
Example 8 Bis {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} (acetylacetonate) as a dopant material for a light emitting material
A light emitting device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that the iridium complex was used. An emission spectrum similar to the phosphorescence spectrum of the dopant material was observed from this light emitting device, and high-luminance red light emission with good color purity was obtained.
When the durability was evaluated by direct current drive of mA / square centimeter, high-luminance red light emission with good color purity was obtained even after 100 hours.

【0072】実施例9 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子線ビーム法品)を
30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって
300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のスト
ライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.
27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてあ
る。得られた基板を”セミコクリン56”、超純水で各
々15分間超音波洗浄してから乾燥させた。この基板を
発光素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、
真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10
-4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、
まず正孔輸送性材料として4,4’−ビス(N−(1−
ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(αNP
D)を60nm蒸着した。次に発光材料のホスト材料と
して2,2’−ビス(4−(N,N’−ジフェニルアミ
ノ)フェニル)スピロ−9,9’−ビフルオレンを、ド
ーパント材料としてトリス(2−フェニルピリジル)イ
リジウム錯体(Ir(ppy)3)を用いて、ドーパン
トが8wt%になるように30nmの厚さに共蒸着し
た。次に正孔阻止層として2,9−ジメチル−4,7−
ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BTCP
N)を10nm蒸着した。次に電子輸送性材料として、
トリス(8−キノリノール)アルミニウム錯体を50n
mの厚さに蒸着した。次に厚さ50μmのコバール板に
ウエットエッチングによって16本の250μmの開口
部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)を設け
たマスクを、真空中でITOストライプに直交するよう
にマスク交換し、マスクとITO基板が密着するように
裏面から磁石で固定した。そしてリチウムを0.5nm
有機層にドーピングした後、アルミニウムを200nm
蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作製した。
本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークな
く文字表示できた。
Example 9 A glass substrate (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., 15Ω / □, electron beam method) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm was cut into 30 × 40 mm, and a 300 μm pitch (remaining width was obtained by a photolithography method. 270 μm) × 32 stripes were patterned. In order to facilitate electrical connection to the outside, one side of the ITO stripe in the long side direction is 1.
It is widened to a pitch of 27 mm (opening width 800 μm). The obtained substrate was ultrasonically cleaned for 15 minutes each with "Semicoclin 56" and ultrapure water, and then dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing a light emitting device,
Installed in a vacuum evaporation system, the degree of vacuum in the system is 5 x 10
It was evacuated to -4 Pa or less. By the resistance heating method,
First, 4,4'-bis (N- (1-
Naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (αNP
D) was vapor-deposited at 60 nm. Next, 2,2'-bis (4- (N, N'-diphenylamino) phenyl) spiro-9,9'-bifluorene was used as the host material of the light emitting material, and the tris (2-phenylpyridyl) iridium complex was used as the dopant material. (Ir (ppy) 3 ) was used to co-evaporate to a thickness of 30 nm so that the dopant was 8 wt%. Next, as a hole blocking layer, 2,9-dimethyl-4,7-
Diphenyl-1,10-phenanthroline (BTCP
N) was deposited by 10 nm. Next, as an electron-transporting material,
50n of tris (8-quinolinol) aluminum complex
It was vapor-deposited to a thickness of m. Next, a mask provided with 16 250 μm openings (remaining width 50 μm, corresponding to 300 μm pitch) on a Kovar plate having a thickness of 50 μm by wet etching was exchanged with the mask in a vacuum so as to be orthogonal to the ITO stripes. It was fixed with a magnet from the back so that the ITO substrate and the ITO substrate were in close contact. And 0.5 nm of lithium
200 nm of aluminum after doping the organic layer
A 32 × 16 dot matrix device was produced by vapor deposition.
When this device was matrix-driven, characters could be displayed without crosstalk.

【0073】[0073]

【発明の効果】本発明の発光素子は、発光効率が高く、
高輝度で色純度に優れたものであり、耐久性が向上した
ものである。
The light emitting device of the present invention has high luminous efficiency,
It has high brightness, excellent color purity, and improved durability.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/06 655 C09K 11/06 655 660 660 690 690 H05B 33/22 H05B 33/22 B D ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C09K 11/06 655 C09K 11/06 655 660 660 690 690 H05B 33/22 H05B 33/22 B D

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子であって、昇華性を有
し、かつ分子量が600以上の有機材料と三重項発光材
料とを含むことを特徴とする発光素子。
1. An element which has a luminescent substance between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and which contains a sublimable organic material having a molecular weight of 600 or more and a triplet luminescent material. A light emitting element characterized by.
【請求項2】前記の有機材料が下記一般式(1)〜
(5)で表された化合物からなる群から選ばれる少なく
とも一種であることを特徴とする発光素子。 【化1】 (ここで、R1〜R10はそれぞれ同じでも異なっていて
もよく、水素、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、隣接する置換基との間に形成される縮合芳香族炭化
水素環構造から選ばれる。X1は単結合、アルキル鎖、
シクロアルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複素環
鎖、シリル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいずれか
より単独または組み合わせたものより選ばれる。nは2
以上の自然数を表す。) 【化2】 (ここで、R11は水素、アルキル、アリール基から選ば
れる。nは4以上の自然数を表す。) 【化3】 (ここで、R12〜R21はそれぞれ同じでも異なっていて
もよく、水素、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、隣接する置換基との間に形成される縮合芳香族炭化
水素環構造から選ばれる。また、R16−R17間が連結さ
れていても良い。X 2は単結合、アルキル鎖、シクロア
ルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複素環鎖、シリ
ル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいずれかより単独
または組み合わせたものより選ばれる。nは2以上の自
然数を表す。) 【化4】 (ここで、R22〜R29はそれぞれ同じでも異なっていて
もよく、水素、アルキル基、アリール基、アルコキシ基
から選ばれる。但し、R22〜R29のうち1つはX 3との
結合に使われる。X3は単結合、アルキル鎖、シクロア
ルキル鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複素環鎖、シリ
ル鎖、エーテル鎖、チオエーテル鎖のいずれかより単独
または組み合わせたものより選ばれる。nは2以上の自
然数を表す。) 【化5】 (ここで、R30は任意の位置に修飾される置換基を表
し、水素、アルキル基、アリール基、アルコキシ基から
選ばれる。X4は単結合、アルキル鎖、シクロアルキル
鎖、アルキレン鎖、アリール鎖、複素環鎖、シリル鎖、
エーテル鎖、チオエーテル鎖のいずれかより単独または
組み合わせたものより選ばれる。Yは酸素または窒素か
ら選ばれ、窒素の場合には水素、アルキル基、アリール
基のいずれかが修飾される。nは2以上の自然数を表
す。)
2. The organic material according to the following general formula (1)
At least one selected from the group consisting of the compounds represented by (5)
A light-emitting element characterized by being a kind of both. [Chemical 1] (Where R1~ RTenAre the same or different
Also, hydrogen, alkyl group, aryl group, alkoxy
Group, condensed aromatic carbonization formed between adjacent substituents
It is selected from hydrogen ring structures. X1Is a single bond, alkyl chain,
Cycloalkyl chain, alkylene chain, aryl chain, heterocycle
Chain, silyl chain, ether chain, thioether chain
More individually or in combination. n is 2
Represents the above natural numbers. ) [Chemical 2] (Where R11Is selected from hydrogen, alkyl and aryl groups
Be done. n represents a natural number of 4 or more. ) [Chemical 3] (Where R12~ Rtwenty oneAre the same or different
Also, hydrogen, alkyl group, aryl group, alkoxy
Group, condensed aromatic carbonization formed between adjacent substituents
It is selected from hydrogen ring structures. Also, R16-R17The spaces are connected
It may be. X 2Is a single bond, alkyl chain,
Alkyl chain, alkylene chain, aryl chain, heterocyclic chain, silyl
Single chain from any of the following chains: ether chain, ether chain, thioether chain
Or selected from a combination. n is 2 or more
Represents a natural number. ) [Chemical 4] (Where Rtwenty two~ R29Are the same or different
Also, hydrogen, alkyl group, aryl group, alkoxy group
Chosen from. However, Rtwenty two~ R29One of them is X 3With
Used for joining. X3Is a single bond, alkyl chain,
Alkyl chain, alkylene chain, aryl chain, heterocyclic chain, silyl
Single chain from any of the following chains: ether chain, ether chain, thioether chain
Or selected from a combination. n is 2 or more
Represents a natural number. ) [Chemical 5] (Where R30Is a substituent that can be modified at any position
From hydrogen, alkyl groups, aryl groups, and alkoxy groups
To be elected. XFourIs a single bond, alkyl chain, cycloalkyl
Chain, alkylene chain, aryl chain, heterocyclic chain, silyl chain,
Alone or from either ether chain or thioether chain
Selected from a combination. Y is oxygen or nitrogen
Hydrogen, alkyl group, aryl in the case of nitrogen
Any of the groups are modified. n is a natural number of 2 or more
You )
【請求項3】三重項発光材料がイリジウム錯体または白
金錯体であることを特徴とする請求項1記載の発光素
子。
3. The light emitting device according to claim 1, wherein the triplet light emitting material is an iridium complex or a platinum complex.
【請求項4】有機材料と三重項発光材料が同一層内に含
まれていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the organic material and the triplet light emitting material are contained in the same layer.
【請求項5】マトリクスおよび/またはセグメント方式
によって表示するディスプレイであることを特徴とする
請求項1記載の発光素子。
5. The light emitting device according to claim 1, which is a display for displaying by a matrix and / or segment system.
JP2002214876A 2001-07-25 2002-07-24 Light emitting element Pending JP2003109768A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002214876A JP2003109768A (en) 2001-07-25 2002-07-24 Light emitting element

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-224359 2001-07-25
JP2001224359 2001-07-25
JP2002214876A JP2003109768A (en) 2001-07-25 2002-07-24 Light emitting element

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008005399A Division JP4798138B2 (en) 2001-07-25 2008-01-15 Light emitting element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003109768A true JP2003109768A (en) 2003-04-11
JP2003109768A5 JP2003109768A5 (en) 2005-10-27

Family

ID=26619232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002214876A Pending JP2003109768A (en) 2001-07-25 2002-07-24 Light emitting element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003109768A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004083483A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Canon Inc Spiro compound and organic light emitting element using the compound
WO2006021982A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Toray Industries, Inc. Material for luminescent element and luminescent element
JP2006528836A (en) * 2003-07-21 2006-12-21 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescence device
WO2009116456A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 東レ株式会社 Luminescent element material and luminescent element
JP2010056581A (en) * 2001-11-27 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting element
US20110121274A1 (en) * 2008-08-08 2011-05-26 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescence device
JP2013065863A (en) * 2012-10-31 2013-04-11 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element, display device and lighting system
JP5381719B2 (en) * 2008-02-20 2014-01-08 コニカミノルタ株式会社 White light emitting organic electroluminescence device
WO2015064432A1 (en) * 2013-10-30 2015-05-07 シャープ株式会社 Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display panel
CN110872261A (en) * 2018-08-30 2020-03-10 上海和辉光电有限公司 Organic semiconductor material substituted by oxadiazole containing spirofluorene, preparation method and OLED device

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259934A (en) * 1995-03-20 1996-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent element
JPH11307255A (en) * 1998-04-22 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic electroluminecence element
WO2000070655A2 (en) * 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001046335A1 (en) * 1999-12-20 2001-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film el device
JP2001181617A (en) * 1999-12-27 2001-07-03 Fuji Photo Film Co Ltd Light emitting element material composed of orthometalated palladium complex and light emitting element
WO2001072927A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2002319491A (en) * 2000-08-24 2002-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd Light-emitting element and novel polymer organic electroluminescent element
JP2002334785A (en) * 2001-05-08 2002-11-22 Fuji Photo Film Co Ltd Luminescent element
WO2002094965A1 (en) * 2001-05-24 2002-11-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
JP2003109758A (en) * 2001-09-27 2003-04-11 Konica Corp Organic electroluminescent element
JP2003197374A (en) * 2001-12-25 2003-07-11 Konica Corp Organic electroluminescent element and display device
JP2003308978A (en) * 2002-04-12 2003-10-31 Canon Inc Organic light-emitting element
JP2004014378A (en) * 2002-06-10 2004-01-15 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device
JP2004047442A (en) * 2002-05-14 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device
JP2004047443A (en) * 2002-05-15 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and color display device
JP2004047329A (en) * 2002-07-12 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259934A (en) * 1995-03-20 1996-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent element
JPH11307255A (en) * 1998-04-22 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic electroluminecence element
WO2000070655A2 (en) * 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001046335A1 (en) * 1999-12-20 2001-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film el device
JP2001181617A (en) * 1999-12-27 2001-07-03 Fuji Photo Film Co Ltd Light emitting element material composed of orthometalated palladium complex and light emitting element
WO2001072927A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2002319491A (en) * 2000-08-24 2002-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd Light-emitting element and novel polymer organic electroluminescent element
JP2002334785A (en) * 2001-05-08 2002-11-22 Fuji Photo Film Co Ltd Luminescent element
WO2002094965A1 (en) * 2001-05-24 2002-11-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
JP2003109758A (en) * 2001-09-27 2003-04-11 Konica Corp Organic electroluminescent element
JP2003197374A (en) * 2001-12-25 2003-07-11 Konica Corp Organic electroluminescent element and display device
JP2003308978A (en) * 2002-04-12 2003-10-31 Canon Inc Organic light-emitting element
JP2004047442A (en) * 2002-05-14 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device
JP2004047443A (en) * 2002-05-15 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and color display device
JP2004014378A (en) * 2002-06-10 2004-01-15 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device
JP2004047329A (en) * 2002-07-12 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element and display device

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9263691B2 (en) 2001-11-27 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
JP2015130526A (en) * 2001-11-27 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting element
JP2010056581A (en) * 2001-11-27 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting element
US8994017B2 (en) 2001-11-27 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
US8610109B2 (en) 2001-11-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2004083483A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Canon Inc Spiro compound and organic light emitting element using the compound
JP4865551B2 (en) * 2003-07-21 2012-02-01 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescence device
JP2006528836A (en) * 2003-07-21 2006-12-21 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescence device
KR101148460B1 (en) 2004-08-23 2012-05-23 도레이 카부시키가이샤 Material for Luminescent Element and Luminescent Element
US8114529B2 (en) 2004-08-23 2012-02-14 Daisuke Kitazawa Material for lighting emitting device and light emitting device
WO2006021982A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Toray Industries, Inc. Material for luminescent element and luminescent element
JP5381719B2 (en) * 2008-02-20 2014-01-08 コニカミノルタ株式会社 White light emitting organic electroluminescence device
JPWO2009116456A1 (en) * 2008-03-19 2011-07-21 東レ株式会社 Light emitting device material and light emitting device
WO2009116456A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 東レ株式会社 Luminescent element material and luminescent element
US8951647B2 (en) 2008-08-08 2015-02-10 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescence device
US20110121274A1 (en) * 2008-08-08 2011-05-26 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescence device
JP2011530802A (en) * 2008-08-08 2011-12-22 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescent device
JP2013065863A (en) * 2012-10-31 2013-04-11 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent element, display device and lighting system
WO2015064432A1 (en) * 2013-10-30 2015-05-07 シャープ株式会社 Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display panel
US20160254475A1 (en) * 2013-10-30 2016-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display panel
US9768403B2 (en) * 2013-10-30 2017-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display panel
CN110872261A (en) * 2018-08-30 2020-03-10 上海和辉光电有限公司 Organic semiconductor material substituted by oxadiazole containing spirofluorene, preparation method and OLED device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4876333B2 (en) Light emitting element
JP4876311B2 (en) Light emitting element
EP2365735B1 (en) Luminescent element material and luminescent element comprising the same
JP2003133075A (en) Luminescent element
JP4810687B2 (en) Organic electroluminescence element and display device
JP4254231B2 (en) Light emitting device material and light emitting device using the same
JP2008135498A (en) Light emitting element
JP2001023777A (en) Luminescent element
JP2002063988A (en) Light emitting element
JP2000208265A (en) Light emitting element
JP2003336043A (en) Material for light-emitting device and light-emitting device using it
JP4089331B2 (en) Light emitting element
JP2004146368A (en) Organic electroluminescent element and display device
JP2003234192A (en) Organic electroluminescent element and display device
JP2001332384A (en) Light emitting element
JP2003109768A (en) Light emitting element
JP2001307884A (en) Electoluminiscent element
JP2001297881A (en) Light emission element
JP2001257077A (en) Luminous element
JP2003151774A (en) Light emitting element
JP2004055258A (en) Light emitting element
JP2002222697A (en) Luminescent element
JP2002289351A (en) Light emitting element
JP4798138B2 (en) Light emitting element
JP2002134275A (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050714

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071002

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071213