JP2001334675A - インクジェットヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッドおよびその製造方法Info
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- JP2001334675A JP2001334675A JP2001063543A JP2001063543A JP2001334675A JP 2001334675 A JP2001334675 A JP 2001334675A JP 2001063543 A JP2001063543 A JP 2001063543A JP 2001063543 A JP2001063543 A JP 2001063543A JP 2001334675 A JP2001334675 A JP 2001334675A
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14419—Manifold
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 占有平面積が小さく、気泡排出性に優れ、イ
ンク淀みを生じずに、均一性の高いチャンバを得る。 【解決手段】 チャンバは、その断面積がノズル開口か
ら漸増し、ある地点から漸減する形状とする。
ンク淀みを生じずに、均一性の高いチャンバを得る。 【解決手段】 チャンバは、その断面積がノズル開口か
ら漸増し、ある地点から漸減する形状とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインク液滴を記録媒
体へ飛翔させ、画像記録等を行うインクジェットヘッド
とその製造方法に関する。
体へ飛翔させ、画像記録等を行うインクジェットヘッド
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のインクジェットヘッドで、基板に
ノズルを形成したものは、図１０および図１１に示すよ
うに、例えば、特開平９−５７９８１号公報、特開平９
−７６４９２号公報で開示されている。これらはいずれ
も結晶板の一面にノズルが設けられ、ノズル下部に例え
ばテーパ形状や釣り鐘形状の空間を持つものである。
ノズルを形成したものは、図１０および図１１に示すよ
うに、例えば、特開平９−５７９８１号公報、特開平９
−７６４９２号公報で開示されている。これらはいずれ
も結晶板の一面にノズルが設けられ、ノズル下部に例え
ばテーパ形状や釣り鐘形状の空間を持つものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術において、ノズル下部に釣り鐘形状の空間を配
したものは等方性エッチング等によって形成されるた
め、均一な形状を得ることが困難であり、また、ノズル
下部にテーパ形状の空間を配したものは、圧力を伝達す
る薄膜との間に鋭角が形成されてしまい、インク淀みや
気泡排出性悪化等の課題が生じる。
従来技術において、ノズル下部に釣り鐘形状の空間を配
したものは等方性エッチング等によって形成されるた
め、均一な形状を得ることが困難であり、また、ノズル
下部にテーパ形状の空間を配したものは、圧力を伝達す
る薄膜との間に鋭角が形成されてしまい、インク淀みや
気泡排出性悪化等の課題が生じる。
【０００４】本発明の目的は、チャンバを、断面積がノ
ズル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状
とすることにより、占有平面積が小さく、気泡排出性に
優れ、インク淀みを生じずに、均一性の高いチャンバが
得られるインクジェットヘッドおよびその製造方法を提
供することにある。本発明は、ノズル開口部の静電気に
よる帯電を回避することができるインクジェットヘッド
を提供することにある。
ズル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状
とすることにより、占有平面積が小さく、気泡排出性に
優れ、インク淀みを生じずに、均一性の高いチャンバが
得られるインクジェットヘッドおよびその製造方法を提
供することにある。本発明は、ノズル開口部の静電気に
よる帯電を回避することができるインクジェットヘッド
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の観点は、
インクジェットヘッドであって、本発明の構造の全般に
ついての特徴としては、基板に、インクが吐出するノズ
ル開口部と、このノズル開口部に連通して形成され充填
されたインクに圧力が与えられるインクチャンバとが設
けられ、このインクチャンバは、ノズル開口部から深さ
方向にその断面積が漸増し途中から漸減する断面に形成
されたところにある。
インクジェットヘッドであって、本発明の構造の全般に
ついての特徴としては、基板に、インクが吐出するノズ
ル開口部と、このノズル開口部に連通して形成され充填
されたインクに圧力が与えられるインクチャンバとが設
けられ、このインクチャンバは、ノズル開口部から深さ
方向にその断面積が漸増し途中から漸減する断面に形成
されたところにある。
【０００６】具体的構造としては、シリコン基板の一面
から｛１００｝面に対して垂直方向にノズル開口部が形
成され、このノズル開口部に連通して充填したインクに
圧力が与えられるインクチャンバが設けられ、このイン
クチャンバの断面は異方性エッチングによりその壁面に
｛１１１｝面が現れ前記ノズル開口部から深さ方向にそ
の断面積が漸増し途中から漸減する断面に形成されたこ
とを特徴とする。
から｛１００｝面に対して垂直方向にノズル開口部が形
成され、このノズル開口部に連通して充填したインクに
圧力が与えられるインクチャンバが設けられ、このイン
クチャンバの断面は異方性エッチングによりその壁面に
｛１１１｝面が現れ前記ノズル開口部から深さ方向にそ
の断面積が漸増し途中から漸減する断面に形成されたこ
とを特徴とする。
【０００７】前記インクチャンバ底面は、エッチングに
抵抗して残った薄膜により覆われることが望ましい。
抵抗して残った薄膜により覆われることが望ましい。
【０００８】インクチャンバに隣接しインク供給孔で連
通し、インクチャンバにインクを供給するインクプール
が設けられることが望ましい。
通し、インクチャンバにインクを供給するインクプール
が設けられることが望ましい。
【０００９】このような構造とすることにより、完全な
末広がり形状と比較して占有平面積が小さく、また、イ
ンク流路と連結していない頂角は全て鈍角で形成されて
いるため気泡排出性に優れ、インク淀みが生じない、さ
らに異方性エッチングにより自ずと面方位に起因した形
状となるため、均一性の高いチャンバが得られる。
末広がり形状と比較して占有平面積が小さく、また、イ
ンク流路と連結していない頂角は全て鈍角で形成されて
いるため気泡排出性に優れ、インク淀みが生じない、さ
らに異方性エッチングにより自ずと面方位に起因した形
状となるため、均一性の高いチャンバが得られる。
【００１０】さらに、インクチャンバ内のインクに圧力
を伝達する薄膜として、エッチングに抵抗して残った薄
膜を用いることにより、圧力伝達板の接合が不要となる
ため、接着剤のはみ出し等がない高精度なインクチャン
バを形成できる。
を伝達する薄膜として、エッチングに抵抗して残った薄
膜を用いることにより、圧力伝達板の接合が不要となる
ため、接着剤のはみ出し等がない高精度なインクチャン
バを形成できる。
【００１１】例えば、必要とする底面積が例えば４００
μｍであった場合に、完全な逆テーパ形状では基板厚さ
を０．３ｍｍまで薄くしなければならず、ハンドリング
が困難である。対して本発明の形状の場合は基板を厚く
することが可能で、作業性に優れる。
μｍであった場合に、完全な逆テーパ形状では基板厚さ
を０．３ｍｍまで薄くしなければならず、ハンドリング
が困難である。対して本発明の形状の場合は基板を厚く
することが可能で、作業性に優れる。
【００１２】本発明の第二の観点は、インクジェットヘ
ッドの製造方法であって、本発明の特徴とするところ
は、シリコン基板の少なくともノズル開口部を形成しな
い側の面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記
シリコン基板表面に耐エッチングマスク膜を形成する工
程と、前記シリコン基板の前記高濃度不純物拡散層が形
成されていない側の面のノズル開口部を形成する箇所に
インクチャンバの深さ方向のほぼ底面近くまでドライエ
ッチングを行う工程と、ノズル開口部を通して異方性エ
ッチングを施すことによりインクチャンバを形成する工
程とを含むところにある。
ッドの製造方法であって、本発明の特徴とするところ
は、シリコン基板の少なくともノズル開口部を形成しな
い側の面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記
シリコン基板表面に耐エッチングマスク膜を形成する工
程と、前記シリコン基板の前記高濃度不純物拡散層が形
成されていない側の面のノズル開口部を形成する箇所に
インクチャンバの深さ方向のほぼ底面近くまでドライエ
ッチングを行う工程と、ノズル開口部を通して異方性エ
ッチングを施すことによりインクチャンバを形成する工
程とを含むところにある。
【００１３】さらに、前記シリコン基板の前記ノズル開
口部が形成される面に高濃度不純物拡散層を形成する工
程を含むこともできる。
口部が形成される面に高濃度不純物拡散層を形成する工
程を含むこともできる。
【００１４】あるいは、シリコン基板表面に耐エッチン
グマスク膜を形成する行程と、前記シリコン基板の一面
のノズル開口部を形成する箇所に開口を形成するととも
にこの一面に対向する他面のインクチャンバを形成する
箇所にこのノズル開口部より大きい開口を形成する工程
と、この二つの開口を通して異方性エッチングを施すこ
とによりインクチャンバを形成する工程とを含むところ
にある。
グマスク膜を形成する行程と、前記シリコン基板の一面
のノズル開口部を形成する箇所に開口を形成するととも
にこの一面に対向する他面のインクチャンバを形成する
箇所にこのノズル開口部より大きい開口を形成する工程
と、この二つの開口を通して異方性エッチングを施すこ
とによりインクチャンバを形成する工程とを含むところ
にある。
【００１５】さらに、前記シリコン基板の少なくとも前
記ノズル開口部が形成される面に高濃度不純物拡散層を
形成する工程を含むこともできる。
記ノズル開口部が形成される面に高濃度不純物拡散層を
形成する工程を含むこともできる。
【００１６】シリコン基板表面は｛１００｝面方位であ
り、異方性エッチングは、インクチャンバの壁面が｛１
１１｝面となるように行われることが望ましい。
り、異方性エッチングは、インクチャンバの壁面が｛１
１１｝面となるように行われることが望ましい。
【００１７】高濃度不純物拡散層は、高濃度ボロン拡散
層であることが望ましい。特に、ノズル開口部に高濃度
不純物拡散層による導電体層が形成されることにより、
ワイピングなどによる摩擦に対して静電気による帯電を
回避する効果が生じる。
層であることが望ましい。特に、ノズル開口部に高濃度
不純物拡散層による導電体層が形成されることにより、
ワイピングなどによる摩擦に対して静電気による帯電を
回避する効果が生じる。
【００１８】
【発明の実施の形態】（第一実施例）本発明第一実施例
を図１ないし図７を参照して説明する。図１は本発明実
施例のインクジェットヘッドの断面図である。図２は本
発明実施例のインクジェットヘッドの全体を示す概略図
である。図３は本発明実施例のインクジェットヘッドの
部分拡大図である。図４は通常の異方性ウェットエッチ
ングの工程を示す図である。図５はドライエッチングと
異方性ウェットエッチングとを合わせて用いる工程を示
す図である。図６および図７は本発明第一実施例のイン
クジェットヘッドの製造工程を示す図である。
を図１ないし図７を参照して説明する。図１は本発明実
施例のインクジェットヘッドの断面図である。図２は本
発明実施例のインクジェットヘッドの全体を示す概略図
である。図３は本発明実施例のインクジェットヘッドの
部分拡大図である。図４は通常の異方性ウェットエッチ
ングの工程を示す図である。図５はドライエッチングと
異方性ウェットエッチングとを合わせて用いる工程を示
す図である。図６および図７は本発明第一実施例のイン
クジェットヘッドの製造工程を示す図である。
【００１９】本発明実施例のインクジェットヘッドは、
図１に示すように、基板にノズル開口が配設されてお
り、ノズル下部には、断面積がノズル開口から漸増し、
ある地点から漸減するような形状のチャンバが配され、
圧力を伝達するための薄膜によって塞がれている。薄膜
には圧力発生機構が設けられている。
図１に示すように、基板にノズル開口が配設されてお
り、ノズル下部には、断面積がノズル開口から漸増し、
ある地点から漸減するような形状のチャンバが配され、
圧力を伝達するための薄膜によって塞がれている。薄膜
には圧力発生機構が設けられている。
【００２０】図２および図３に示すように、チャンバに
隣接するようにインクプールが配置され、インクプール
とチャンバとは供給孔で接続されている。
隣接するようにインクプールが配置され、インクプール
とチャンバとは供給孔で接続されている。
【００２１】ヘッド外部に設けられたインクカートリッ
ジ（図示せず）より、インクプール〜供給孔〜チャンバ
にインクを充填した後、圧力発生機構によりチャンバ内
に圧力を発生させる。チャンバ内のインクが加圧され、
ノズル開口より微小滴となって飛翔する。チャンバ内の
圧力が常圧に戻る際には、飛翔した微小滴の体積分だ
け、インクプール内のインクが供給孔を経由してチャン
バに再充填（リフィル）される。
ジ（図示せず）より、インクプール〜供給孔〜チャンバ
にインクを充填した後、圧力発生機構によりチャンバ内
に圧力を発生させる。チャンバ内のインクが加圧され、
ノズル開口より微小滴となって飛翔する。チャンバ内の
圧力が常圧に戻る際には、飛翔した微小滴の体積分だ
け、インクプール内のインクが供給孔を経由してチャン
バに再充填（リフィル）される。
【００２２】次に、本発明第一実施例のインクジェット
ヘッドの製造方法を説明する。図４に示すように、通常
の異方性ウェットエッチングでは、Ｓｉ基板（図４
（１））の表面に、耐エッチングマスク膜を部分的に除
去することにより開口パターンを作成し（図４
（２））、異方性ウェットエッチングを開始すると（図
４（３））、開口から徐々に末窄まりになるようなエッ
チングが行われる（図４（４））。
ヘッドの製造方法を説明する。図４に示すように、通常
の異方性ウェットエッチングでは、Ｓｉ基板（図４
（１））の表面に、耐エッチングマスク膜を部分的に除
去することにより開口パターンを作成し（図４
（２））、異方性ウェットエッチングを開始すると（図
４（３））、開口から徐々に末窄まりになるようなエッ
チングが行われる（図４（４））。
【００２３】これに対し、図５に示すように、Ｓｉ基板
（図５（１））の表面に、耐エッチングマスク膜を部分
的に除去することにより開口パターンを作成し（図５
（２））、さらに、ドライエッチングによりＳｉ基板の
表面に対して垂直な壁面２０１を設け（図５（３））、
異方性ウェットエッチングを開始すると（図５
（４））、基板表面に対して平行な方向にも異方性エッ
チングが行われ、｛１１１｝面で囲まれた菱形形状が得
られる（図５（５））。本発明第一実施例では、この性
質を利用して樽型のチャンバを作成する。
（図５（１））の表面に、耐エッチングマスク膜を部分
的に除去することにより開口パターンを作成し（図５
（２））、さらに、ドライエッチングによりＳｉ基板の
表面に対して垂直な壁面２０１を設け（図５（３））、
異方性ウェットエッチングを開始すると（図５
（４））、基板表面に対して平行な方向にも異方性エッ
チングが行われ、｛１１１｝面で囲まれた菱形形状が得
られる（図５（５））。本発明第一実施例では、この性
質を利用して樽型のチャンバを作成する。
【００２４】まず、図６に示すように、Ｓｉ基板（図６
（１））の裏面に、高濃度ボロン拡散層による薄膜を形
成する（図６（２））。さらに、Ｓｉ基板の表面に耐エ
ッチング膜を形成し、この耐エッチングマスク膜を部分
的に除去することにより開口パターンを作成する（図６
（３））。薄膜（高濃度ボロン拡散層）を残す深さのド
ライエッチングを行った後（図６（４））、異方性ウェ
ットエッチングを行うと（図６（５））、斜面と底面の
なす角が１２５．３゜、斜面と斜面がなす角が１０９．
４゜の空間が得られる（図６（６））。
（１））の裏面に、高濃度ボロン拡散層による薄膜を形
成する（図６（２））。さらに、Ｓｉ基板の表面に耐エ
ッチング膜を形成し、この耐エッチングマスク膜を部分
的に除去することにより開口パターンを作成する（図６
（３））。薄膜（高濃度ボロン拡散層）を残す深さのド
ライエッチングを行った後（図６（４））、異方性ウェ
ットエッチングを行うと（図６（５））、斜面と底面の
なす角が１２５．３゜、斜面と斜面がなす角が１０９．
４゜の空間が得られる（図６（６））。
【００２５】この場合、底面積はノズル開口と概ね同寸
法である。この後、基板を傾けた状態でドライエッチン
グを行い（図６（７））、薄膜と接している斜面３０１
の結晶方位を崩し、再度異方性ウェットエッチングを行
うことにより、｛１１１｝面で囲まれた、断面積がノズ
ル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状の
チャンバが得られる（図６（８））。この後、耐エッチ
ング膜を除去する（図６（９））。
法である。この後、基板を傾けた状態でドライエッチン
グを行い（図６（７））、薄膜と接している斜面３０１
の結晶方位を崩し、再度異方性ウェットエッチングを行
うことにより、｛１１１｝面で囲まれた、断面積がノズ
ル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状の
チャンバが得られる（図６（８））。この後、耐エッチ
ング膜を除去する（図６（９））。
【００２６】なお、図６（２）の状態で、Ｓｉ基板の両
面に高濃度ボロン拡散層を形成してもよい。この場合に
は、異方性ウェットエッチング終了後におけるノズル開
口部は、図７に示すように、高濃度ボロン拡散層すなわ
ち導電体層によって形成される。高濃度ボロン拡散層に
は導電性があり、ノズル開口のワイピングなどの際に、
静電気による帯電が回避できる。
面に高濃度ボロン拡散層を形成してもよい。この場合に
は、異方性ウェットエッチング終了後におけるノズル開
口部は、図７に示すように、高濃度ボロン拡散層すなわ
ち導電体層によって形成される。高濃度ボロン拡散層に
は導電性があり、ノズル開口のワイピングなどの際に、
静電気による帯電が回避できる。
【００２７】（第二実施例）次に、本発明第二実施例の
インクジェットヘッドの製造方法を、図８および図９を
参照して説明する。図８および図９は本発明第二実施例
のインクジェットヘッドの製造工程を示す図である。イ
ンクジェットヘッドの構成は本発明第一実施例と同様で
ある。まず、Ｓｉ基板（図８（１））の両面に耐エッチ
ング膜を形成し、この耐エッチングマスク膜を部分的に
除去することにより開口パターンを作成する（図８
（２））。このときに、一面にノズル開口を、この一面
に対応するもう一方の面にノズル開口より大きな開口を
それぞれドライエッチングで形成する（図８（３））。
この後、異方性ウェットエッチングを行うと、ノズル開
口の底面４０１は基板表面に対して垂直方向（紙面下方
向）にエッチングされ、ノズル開口より大きな開口の底
面４０２は基板表面に対して垂直方向（紙面上方向）に
エッチングされる（図８（４））。エッチングを続ける
と２つの開口は連通する（図８（５））。さらにエッチ
ングを続けると、｛１１１｝面で囲まれた、断面積がノ
ズル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状
のチャンバが得られる（図８（６））。この後、耐エッ
チング膜を除去する（図８（７））。
インクジェットヘッドの製造方法を、図８および図９を
参照して説明する。図８および図９は本発明第二実施例
のインクジェットヘッドの製造工程を示す図である。イ
ンクジェットヘッドの構成は本発明第一実施例と同様で
ある。まず、Ｓｉ基板（図８（１））の両面に耐エッチ
ング膜を形成し、この耐エッチングマスク膜を部分的に
除去することにより開口パターンを作成する（図８
（２））。このときに、一面にノズル開口を、この一面
に対応するもう一方の面にノズル開口より大きな開口を
それぞれドライエッチングで形成する（図８（３））。
この後、異方性ウェットエッチングを行うと、ノズル開
口の底面４０１は基板表面に対して垂直方向（紙面下方
向）にエッチングされ、ノズル開口より大きな開口の底
面４０２は基板表面に対して垂直方向（紙面上方向）に
エッチングされる（図８（４））。エッチングを続ける
と２つの開口は連通する（図８（５））。さらにエッチ
ングを続けると、｛１１１｝面で囲まれた、断面積がノ
ズル開口から漸増し、ある地点から漸減するような形状
のチャンバが得られる（図８（６））。この後、耐エッ
チング膜を除去する（図８（７））。
【００２８】なお、図８（２）の状態で、耐エッチング
マスク膜に開口パターンを作成する前に、Ｓｉ基板の表
面に高濃度ボロン拡散層を形成してもよい。この場合に
は、異方性ウェットエッチング終了後におけるノズル開
口部は、図９に示すように、高濃度ボロン拡散層すなわ
ち導電体層によって形成される。高濃度ボロン拡散層に
は導電性があり、ノズル開口のワイピングなどの際に、
静電気による帯電が回避できる。
マスク膜に開口パターンを作成する前に、Ｓｉ基板の表
面に高濃度ボロン拡散層を形成してもよい。この場合に
は、異方性ウェットエッチング終了後におけるノズル開
口部は、図９に示すように、高濃度ボロン拡散層すなわ
ち導電体層によって形成される。高濃度ボロン拡散層に
は導電性があり、ノズル開口のワイピングなどの際に、
静電気による帯電が回避できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チャンバを、断面積がノズル開口から漸増し、ある地点
から漸減するような形状とすることにより、占有平面積
が小さく、気泡排出性に優れ、インク淀みを生じずに、
均一性の高いチャンバが得られる。ノズル開口部の静電
気による帯電を回避することができる。
チャンバを、断面積がノズル開口から漸増し、ある地点
から漸減するような形状とすることにより、占有平面積
が小さく、気泡排出性に優れ、インク淀みを生じずに、
均一性の高いチャンバが得られる。ノズル開口部の静電
気による帯電を回避することができる。
【図１】本発明実施例のインクジェットヘッドの断面
図。
図。
【図２】本発明実施例のインクジェットヘッドの全体を
示す概略図。
示す概略図。
【図３】本発明実施例のインクジェットヘッドの部分拡
大図。
大図。
【図４】通常の異方性ウェットエッチングの工程を示す
図。
図。
【図５】ドライエッチングとウェットエッチングとを合
わせて用いる工程を示す図。
わせて用いる工程を示す図。
【図６】本発明第一実施例のインクジェットヘッドの製
造工程を示す図。
造工程を示す図。
【図７】本発明第一実施例のインクジェットヘッドの製
造工程を示す図。
造工程を示す図。
【図８】本発明第二実施例のインクジェットヘッドの製
造工程を示す図。
造工程を示す図。
【図９】本発明第二実施例のインクジェットヘッドの製
造工程を示す図。
造工程を示す図。
【図１０】従来のインクジェットヘッドの構成を示す
図。
図。
【図１１】従来のインクジェットヘッドの構成を示す
図。
図。
１０１ 高濃度不純物拡散層 ２０１ 壁面 ３０１ 斜面 ４０１、４０２ 底面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋本 裕二 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 神田 虎彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 大塚 泰弘 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF34 AF93 AG32 AG40 AP02 AP32 AP34 AP56 AP73 AQ02 BA04 BA14
Claims (10)
- 【請求項１】 基板に、インクが吐出するノズル開口部
と、このノズル開口部に連通して形成され充填されたイ
ンクに圧力が与えられるインクチャンバとが設けられ、
このインクチャンバは、ノズル開口部から深さ方向にそ
の断面積が漸増し途中から漸減する断面に形成されたこ
とを特徴とするインクジェットヘッド。 - 【請求項２】 シリコン基板の一面から｛１００｝面に
対して垂直方向にノズル開口部が形成され、このノズル
開口部に連通して充填したインクに圧力が与えられるイ
ンクチャンバが設けられ、このインクチャンバの断面は
異方性エッチングによりその壁面に｛１１１｝面が現れ
前記ノズル開口部から深さ方向にその断面積が漸増し途
中から漸減する断面に形成されたことを特徴とするイン
クジェットヘッド。 - 【請求項３】 前記インクチャンバ底面は、エッチング
に抵抗して残った薄膜により覆われた請求項２記載のイ
ンクジェットヘッド。 - 【請求項４】 インクチャンバに隣接しインク供給孔で
連通し、インクチャンバにインクを供給するインクプー
ルが設けられた請求項１または２記載のインクジェット
ヘッド。 - 【請求項５】 シリコン基板の少なくともノズル開口部
を形成しない側の面に高濃度不純物拡散層を形成する工
程と、 前記シリコン基板表面に耐エッチングマスク膜を形成す
る工程と、 前記シリコン基板の前記高濃度不純物拡散層が形成され
ていない側の面のノズル開口部を形成する箇所にインク
チャンバの深さ方向のほぼ底面近くまでドライエッチン
グを行う工程と、 ノズル開口部を通して異方性エッチングを施すことによ
りインクチャンバを形成する工程とを含むことを特徴と
するインクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記シリコン基板の前記ノズル開口部が
形成される面に高濃度不純物拡散層を形成する工程を含
む請求項５記載のインクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 シリコン基板表面に耐エッチングマスク
膜を形成する工程と、前記シリコン基板の一面のノズル
開口部を形成する箇所に開口を形成するとともにこの一
面に対向する他面のインクチャンバを形成する箇所にこ
のノズル開口部より大きい開口を形成する工程と、 この二つの開口を通して異方性エッチングを施すことに
よりインクチャンバを形成する工程とを含むことを特徴
とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記シリコン基板の少なくとも前記ノズ
ル開口部が形成される面に高濃度不純物拡散層を形成す
る工程を含む請求項７記載のインクジェットヘッドの製
造方法。 - 【請求項９】 シリコン基板表面は｛１００｝面方位で
あり、異方性エッチングは、インクチャンバの壁面が
｛１１１｝面となるように行われる請求項５ないし８の
いずれかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 高濃度不純物拡散層は、高濃度ボロン
拡散層である請求項５、６、８のいずれかに記載のイン
クジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001063543A JP2001334675A (ja) | 2000-03-21 | 2001-03-07 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000078900 | 2000-03-21 | ||
| JP2000-78900 | 2000-03-21 | ||
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|---|---|
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ID=26587992
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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