JP2001332521A - チップ状半導体装置の移載方法及び移載装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、チップ状半導体装置の薄型加工の
際に、チップ状半導体装置を適切に移載することが可能
なチップ状半導体装置の移載方法及び移載装置を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 吸着ヘッド２０及び搬送手段を用いて、
トレイ供給された厚さ２００〜３００μｍ程度のチップ
状半導体装置１０をトレイ１２上からＢＧＲのウェーハ
リング１４上のＢＧＲ保護テープ１６上に移載して貼り
付ける。このとき、制御手段を用いて、吸着ヘッド２０
の位置及び回転方向並びに貼付け時の圧力を制御する。
続いて、ＢＧＲを用いて、チップ状半導体装置１０の裏
面研削を行って厚さ５０〜１００μｍ程度にまで薄型加
工する。その後、再び吸着ヘッド２０及び搬送手段を用
いて、薄型加工されたチップ状半導体装置１０をウェー
ハリング１４上のＢＧＲ保護テープ１６上からトレイ１
２上に移載し、規則正しく収納する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はチップ状半導体装置
の移載方法及び移載装置に係り、特にチップ状態の半導
体装置（以下、単に「チップ状半導体装置」という）の
薄型加工工程において用いるチップ状半導体装置の移載
方法及び移載装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の薄型加工は、ウェーハレベ
ルにおいては以前から行われており、チップ状半導体装
置が実装された実装基板の薄型化や、積層実装工法の応
用による実装基板の薄型化や、回路基板への半導体装置
内層化による実装基板の薄型化などの要素技術として開
発され、現在及び将来の３次元高密度実装技術にとって
なくてはならない技術となっている。このようなウェー
ハレベルにおける半導体装置の薄型加工においては、例
えば特公昭６４−３６２０号公報に記載の研磨装置等を
使用することが可能であり、特公平３−１１６０１号公
報に記載のダイシング装置等を使用することが可能であ
る。

【０００３】以下、従来のウェーハレベルにおける半導
体装置の薄型加工を、図４に示すフローチャートを用い
て説明する。先ず、半導体ウェーハ表面層に例えばＬＳ
Ｉ（大規模集積回路）を形成するウェーハプロセスが完
了したウェーハ状態の半導体装置（以下、単に「ウェー
ハ状半導体装置」という）が供給される。なお、このと
きのウェーハ状半導体装置の厚さは例えば６００〜７０
０μｍ程度とする（ステップＳ１１）。

【０００４】次いで、このウェーハ状半導体装置の表面
に保護テープを貼り付け、その表面側に形成されている
ＬＳＩを保護する（ステップＳ１２）。続いて、ＢＧＲ
（Backside Grinder；裏面研削装置）を用いて、表面に
保護テープを貼り付けたウェーハ状半導体装置をステー
ジ上に真空吸着させ、このウェーハ状半導体装置の裏面
を例えばダイヤモンド砥石によって研削する。こうし
て、ウェーハ状半導体装置を６００〜７００μｍの元厚
から用途に応じて２００〜３００μｍ程度の厚さにまで
薄型加工する（ステップＳ１３）。

【０００５】次いで、この２００〜３００μｍ程度の厚
さにまで薄型加工したウェーハ状半導体装置をＢＧＲか
らダイシング装置のウェーハリング上に移載する。より
具体的にいえば、このウェーハ状半導体装置の裏面をウ
ェーハリング上に設けられているダイシング用テープに
貼り付けて、固定する（ステップＳ１４）。続いて、例
えばＵＶ光（Ultra Violet Rays ；紫外光）照射により
保護テープの粘着力を低下させて、ウェーハ状半導体装
置の表面から保護テープを剥離する（ステップＳ１
５）。

【０００６】次いで、ダイシング装置を用いて、ウェー
ハリング上に固定されたウェーハ状半導体装置をダイシ
ングして、ＬＳＩが各個に形成されているチップ状半導
体装置に個片化する（ステップＳ１６）。続いて、加熱
又はＵＶ光照射によりダイシング用テープの粘着力を低
下させ、個片化されたチップ状半導体装置をピックアッ
プする際に、互いに隣接しているチップエッジ同士が接
触したりしないように、チップ状半導体装置間のピッチ
の延伸を行う（ステップＳ１７）。

【０００７】次いで、吸着ヘッド等を用いて、ダイシン
グ装置のウェーハリング上に載置されているチップ状半
導体装置を吸着し、ウェーハリング上からトレイ上に移
載して収納する（ステップＳ１８）。以上のようにし
て、ウェーハ状半導体装置の裏面研削を行って所望の厚
さにまで薄型加工した後、ダイシングしてチップ状半導
体装置に個片化する。その後、このチップ状半導体装置
を回路基板に実装して所定の電子部品を組み立てる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の種類は多岐に渡り、１企業であらゆる半導体装置を量
産している半導体メーカは極少数に限られる。このた
め、通常は、ある企業で製造される電子機器の回路基板
に実装されているチップ状半導体装置は複数の他の企業
において製造されたものであることが多い。つまり、多
くの半導体メーカにおいては、複数の他の半導体メーカ
から供給されたチップ状半導体装置を回路基板に実装し
て、自社製品を組み立てているわけである。

【０００９】このように他の半導体メーカに半導体装置
を供給する際には、ウェーハ状態において供給するとそ
の製造歩留まりが判明してしまう恐れがあることから、
ウェーハ状半導体装置の供給は行われず、電気検査によ
って良品と判定されたチップ状半導体装置がトレイに収
納されて供給（以下、「トレイ供給」という）されるの
が通例である。このため、各半導体メーカにおいては、
上記図４のフローチャートを用いて説明したように、ウ
ェーハレベルにおいて薄型加工した後にダイシングした
薄型のチップ状半導体装置を供給することが注目されて
きている。

【００１０】しかし、現在のところ、多くの半導体メー
カにおいては、薄型のチップ状半導体装置を供給する際
にも、厚さ２００μｍ以下程度の薄型対応をとることは
困難な状況である。これは、薄型のチップ状半導体装置
のハンドリングの困難さや、ウェーハ状半導体装置の薄
型加工時に発生する割れや欠けによる歩留まりの低下等
が原因と想像される。

【００１１】このため、他の半導体メーカからトレイ供
給された薄型のチップ状半導体装置を自社の規格に従っ
て更に薄型化する必要性が生じている。特に近年におい
ては例えば携帯型の電子機器の急速な小型化の進展に伴
って、このようなチップ状半導体装置の更なる薄型化の
必要性が強くなっている。

【００１２】なお、チップ状半導体装置を薄型加工する
方法としては、特開平６−２２４２９９号公報に記載の
「半導体ウェーハの分割方法」が提案されており、ウェ
ーハ状半導体装置を先にダイシングし、ウェーハリング
上においてチップ状半導体装置に個片化した後、薄型加
工することにより、チッピング等の不良を低減させるこ
とが報告されている。

【００１３】しかし、ここでは、トレイ供給されたチッ
プ状半導体装置を薄型加工する場合が想定されていない
ため、トレイ詰めされたチップ状半導体装置を薄型加工
する工程において、そのチップ状半導体装置をトレイか
ら薄型加工装置に移載する移載方法やその際に使用する
移載装置については何ら言及されていない。

【００１４】また、チップ状半導体装置の研削方法に関
するものとしては、上記公報の他にも次のようなものが
挙げられる。例えば、主にストッパとなるチップを用い
て指定の研削量に仕上げる方法（特開昭６２−７４５６
９号公報、特開昭６３−２４６８０号公報、特開昭６３
−３１３８２２号公報、特開平９−１８１０２３号公報
参照）、固定部材或いはフレームに粘着テープを使用し
て、ウェーハ状半導体装置又はチップ状半導体装置を固
定し、研削を行うもの（特開平５−２９４５５号公報、
特開平７−２８３１７９号公報参照）、ハーフカットダ
イシングを先に行った上で裏面研削を行う先ダイシング
法に関するもの（特開平５−２９１３９７号公報、特開
平９−２１３６６２号公報参照）などが見受けられる。

【００１５】しかし、いずれの場合においても、半導体
装置の移載方法に関してはウェーハ状態についてのみで
あり、トレー詰めされたチップ状半導体装置を薄型加工
する際の移載方法について報告されたものはなかった。

【００１６】また、チップ状半導体装置の薄型加工に係
る既存の半導体製造装置としては、チップソータ、チッ
プマウンタ、ボンディングマシン等があるが、市販され
ている装置はウェーハリング上からトレイ上にチップ状
半導体装置を移載し収納する機能のみを有するものだけ
であり、トレイ上からウェーハリング上にチップ状半導
体装置を移載する装置は見当たらなかった。

【００１７】このようにチップ状半導体装置の薄型加工
に関する多くの提案において、チップ状半導体装置をト
レイ上からウェーハリング上に移載する移載方法や移載
装置についての記述がないのは、そもそも量産ラインに
おけるチップ状半導体装置の薄型加工の必要性が近年ま
でなかったこと、最近においてトレイ供給されたチップ
状半導体装置の更なる薄型化の要求が強くなり、チップ
状半導体装置をウェーハリングを用いて薄型加工するこ
とが可能になったこと等に起因すると考えられる。

【００１８】有体にいえば、現在のところ、トレイ供給
されたチップ状半導体装置を薄型加工する際に、チップ
状半導体装置をトレイ上からＢＧＲのウェーハリング上
に移載したり、ウェーハリング上からトレイ上に移載し
たりする移載方法や移載装置は存在していない。

【００１９】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、チップ状半導体装置の薄型加工の際に、
トレイ供給されたチップ状半導体装置を適切に移載する
ことが可能なチップ状半導体装置の移載方法及び移載装
置を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係るチップ状半導体装置の移載方法及び移載
装置によって達成される。即ち、請求項１に係るチップ
状半導体装置の移載方法は、チップ状半導体装置の薄型
加工工程において用いられる、チップ状半導体装置を移
載する移載方法であって、トレイに収納されている裏面
研削前のチップ状半導体装置を吸着し、裏面研削装置に
搬送して、この裏面研削装置のウェーハリング上にフェ
ースダウンに載置すると共に、このウェーハリング上に
載置されている裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着
し、トレイに搬送して収納することを特徴とする。

【００２１】このように請求項１に係るチップ状半導体
装置の移載方法においては、チップ状半導体装置の薄型
加工工程において、トレイに収納されている裏面研削前
のチップ状半導体装置をそのトレイ上から裏面研削装置
のウェーハリング上にフェースダウンに移載すると共
に、ウェーハリング上に載置されている裏面研削後のチ
ップ状半導体装置をウェーハリング上からトレイ上に移
載することにより、トレイ供給されたチップ状半導体装
置を容易に裏面研削可能な状態にセットすることが可能
になると共に、裏面研削により所望の厚さに薄型加工し
たチップ状半導体装置を容易に元のトレイに戻して収納
することが可能になるため、チップ状半導体装置の薄型
加工の作業が飛躍的に効率化される。

【００２２】また、請求項２に係るチップ状半導体装置
の移載方法は、上記請求項１に係るチップ状半導体装置
の移載方法において、チップ状半導体装置をウェーハリ
ング上にフェースダウンに載置する際に、チップ状半導
体装置表面をウェーハリング上に設けられている保護テ
ープに貼り付ける構成とすることにより、裏面研削の際
にはチップ状半導体装置表面が保護テープによって被覆
された状態となるため、チップ状半導体装置の表面側に
形成されているＬＳＩ等が傷付けられたり汚染されたり
することから保護される。

【００２３】また、請求項３に係るチップ状半導体装置
の移載方法は、上記請求項１に係るチップ状半導体装置
の移載方法において、チップ状半導体装置をウェーハリ
ング上に載置する際に、ウェーハリング上におけるチッ
プ状半導体装置の位置及び方向並びに載置時の圧力を制
御する構成とすることにより、例えば裏面研削する際の
研磨砥石による研削痕に合わせた最適な位置及び方向に
チップ状半導体装置を配列することが可能になると共
に、常に一定の圧力で載置される（ウェーハリング上に
保護テープが設けられている場合には、常に一定の圧力
で貼り付ける）ことが可能になるため、薄型加工後のチ
ップ状半導体装置の反り量の最小化と均一化、反り傾向
と反り方向の統一化が実現される。

【００２４】また、請求項４に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
いて用いられる、チップ状半導体装置を移載する移載装
置であって、トレイに収納されている裏面研削前のチッ
プ状半導体装置を吸着すると共に、この吸着したチップ
状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリング上にフェ
ースダウンに載置する吸着ヘッドと、このチップ状半導
体装置を吸着した吸着ヘッドをトレイ上方からウェーハ
リング上方に移動させる搬送手段と、を有することを特
徴とする。

【００２５】このように請求項４に係るチップ状半導体
装置の移載装置においては、トレイに収納されている裏
面研削前のチップ状半導体装置を吸着し、この吸着した
チップ状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリング上
にフェースダウンに載置する吸着ヘッドと、この吸着ヘ
ッドをトレイ上方からウェーハリング上方に移動させる
搬送手段とを有することにより、チップ状半導体装置を
裏面研削する際に、吸着ヘッド及び搬送手段を用いて、
トレイに収納されている裏面研削前のチップ状半導体装
置を吸着し、このチップ状半導体装置を吸着した吸着ヘ
ッドをトレイ上方からウェーハリング上方に移動させ
て、吸着したチップ状半導体装置を裏面研削装置のウェ
ーハリング上にフェースダウンに載置することが可能に
なり、トレイ供給されたチップ状半導体装置が容易に裏
面研削可能な状態にセットされるため、従来のように手
作業によってトレイ供給されたチップ状半導体装置を１
個１個ウェーハリング上に配置する工程が改善され、チ
ップ状半導体装置の薄型加工工程の作業が大幅に効率化
される。

【００２６】また、請求項５に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
いて用いられる、チップ状半導体装置を移載する移載装
置であって、裏面研削装置のウェーハリング上に載置さ
れている裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着すると
共に、この吸着したチップ状半導体装置をトレイ上に載
置する吸着ヘッドと、このチップ状半導体装置を吸着し
た吸着ヘッドをウェーハリング上方からトレイ上方に移
動させる搬送手段と、を有することを特徴とする。

【００２７】このように請求項５に係るチップ状半導体
装置の移載装置においては、裏面研削装置のウェーハリ
ング上に載置されている裏面研削後のチップ状半導体装
置を吸着し、この吸着したチップ状半導体装置をトレイ
上に載置する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをウェーハ
リング上方からトレイ上方に移動させる搬送手段とを有
することにより、チップ状半導体装置を裏面研削する際
に、吸着ヘッド及び搬送手段を用いて、ウェーハリング
上の裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着し、このチ
ップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッドをウェーハリン
グ上方からトレイ上方に移動させて、吸着したチップ状
半導体装置をトレイ上に載置することが可能になり、裏
面研削が終了したチップ状半導体装置が容易にトレイに
収納されるため、従来のように手作業によってウェーハ
リング上の裏面研削が終了したチップ状半導体装置を１
個１個トレイに収納する工程が改善され、チップ状半導
体装置の薄型加工工程の作業が大幅に効率化される。

【００２８】また、請求項６に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
いて用いられる、チップ状半導体装置を移載する移載装
置であって、トレイに収納されている裏面研削前のチッ
プ状半導体装置又は裏面研削装置のウェーハリング上に
載置されている裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着
すると共に、この吸着したチップ状半導体装置をウェー
ハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上に載置
する吸着ヘッドと、このチップ状半導体装置を吸着した
吸着ヘッドをトレイ上方とウェーハリング上方との間の
双方向に移動させる移動手段と、を有することを特徴と
する。

【００２９】このように請求項６に係るチップ状半導体
装置の移載装置においては、トレイに収納されている裏
面研削前のチップ状半導体装置又は裏面研削装置のウェ
ーハリング上に載置されている裏面研削後のチップ状半
導体装置を吸着し、この吸着したチップ状半導体装置を
ウェーハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上
に載置する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをトレイ上方
とウェーハリング上方との間の双方向に移動させる搬送
手段とを有することにより、チップ状半導体装置を裏面
研削する際に、吸着ヘッド及び搬送手段を用いて、トレ
イに収納されている裏面研削前のチップ状半導体装置を
吸着し、このチップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッド
をトレイ上方からウェーハリング上方に移動させて、吸
着したチップ状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリ
ング上にフェースダウンに載置すると共に、ウェーハリ
ング上の裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着し、こ
のチップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッドをウェーハ
リング上方からトレイ上方に移動させて、吸着したチッ
プ状半導体装置をトレイ上に載置することが可能にな
り、トレイ供給されたチップ状半導体装置が容易に裏面
研削可能な状態にセットされると共に、裏面研削が終了
したチップ状半導体装置が容易にトレイに収納されるた
め、従来のように手作業によってトレイ供給されたチッ
プ状半導体装置を１個１個ウェーハリング上に配置した
り、ウェーハリング上の裏面研削が終了したチップ状半
導体装置を１個１個トレイに収納したりする工程が改善
され、チップ状半導体装置の薄型加工工程の作業が飛躍
的に効率化される。

【００３０】また、請求項７に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
いて用いられる、チップ状半導体装置を移載する移載装
置であって、トレイに収納されている裏面研削前のチッ
プ状半導体装置又は裏面研削装置のウェーハリング上に
載置されている裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着
すると共に、この吸着したチップ状半導体装置をウェー
ハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上に載置
する吸着ヘッドと、このチップ状半導体装置を吸着した
吸着ヘッドをトレイ上方とウェーハリング上方との間の
いずれか一方向に移動させる移動手段と、トレイをウェ
ーハリングの設置位置に移動し、ウェーハリングをトレ
イの設置位置に移動するトレイ／ウェーハリング位置入
替え手段と、を有することを特徴とする。

【００３１】このように請求項７に係るチップ状半導体
装置の移載装置においては、トレイに収納されている裏
面研削前のチップ状半導体装置又は裏面研削装置のウェ
ーハリング上に載置されている裏面研削後のチップ状半
導体装置を吸着し、この吸着したチップ状半導体装置を
ウェーハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上
に載置する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをトレイ上方
とウェーハリング上方との間のいずれか一方向に移動さ
せる搬送手段と、トレイ及びウェーハリングの設置位置
を互いに入れ換えるトレイ／ウェーハリング位置入替え
手段とを有することにより、搬送手段が吸着ヘッドをト
レイ上方とウェーハリング上方との間のいずれか一方向
に移動させる機能しか持っていなくとも、トレイ／ウェ
ーハリング位置入替え手段によってトレイ及びウェーハ
リングの設置位置を互いに入れ換えることが可能なた
め、一方向への搬送手段によって吸着ヘッドをトレイ上
方とウェーハリング上方との間の双方向に移動させる機
能が疑似的に実現され、上記請求項６に係るチップ状半
導体装置の移載装置と同様の作用が発揮される。

【００３２】また、請求項８に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、上記請求項４、６、及び７のいずれかに
係るチップ状半導体装置の移載装置において、チップ状
半導体装置をウェーハリング上にフェースダウンに載置
する際に、チップ状半導体装置表面を貼り付ける保護テ
ープがウェーハリング上に設けられている構成とするこ
とにより、裏面研削の際にはチップ状半導体装置表面が
保護テープによって被覆された状態となるため、チップ
状半導体装置の表面側に形成されているＬＳＩ等が傷付
けられたり汚染されたりすることから保護される。

【００３３】また、請求項９に係るチップ状半導体装置
の移載装置は、上記請求項４、６、及び７のいずれかに
係るチップ状半導体装置の移載装置において、チップ状
半導体装置をウェーハリング上に載置する際に、吸着ヘ
ッドの位置及び回転方向並びに載置時の圧力を制御する
制御手段を有する構成とすることにより、例えば裏面研
削する際の研磨砥石による研削痕に合わせた最適な位置
及び方向にチップ状半導体装置を配列することが可能に
なると共に、常に一定の圧力で載置される（ウェーハリ
ング上に保護テープが設けられている場合には、常に一
定の圧力で貼り付ける）ことが可能になるため、薄型加
工後のチップ状半導体装置の反り量の最小化と均一化、
反り傾向と反り方向の統一化が実現される。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るチップ状半導体装置の移載装置及びそれを用
いたチップ状半導体装置の移載方法を説明するための概
略図であり、図２は図１のチップ状半導体装置の移載装
置を用いてウェーハリング上に載置したチップ状半導体
装置の裏面研削を行うＢＧＲを示す概略断面図である。

【００３５】図１に示されるように、本実施形態に係る
チップ状半導体装置の移載装置においては、その一端に
チップ状半導体装置１０を収納するトレイ１２が設置さ
れ、その設置位置が位置決め装置（図示せず）によって
固定されている。また、その他端には、ＢＧＲのウェー
ハリング１４が設置されている。そして、このウェーハ
リング１４上には、チップ状半導体装置１０をウェーハ
リング１４上にフェースダウンに載置する際に、チップ
状半導体装置１０表面を貼り付けるためのＢＧＲ保護テ
ープ１６が設けられている。更に、このウェーハリング
１４は、図２に示されるように、図中の矢印方向に回転
可能なチャックテーブル１８上に真空吸着系統（図示せ
ず）によって真空吸着されるようになっている。

【００３６】また、トレイ１２に収納されているチップ
状半導体装置１０又はＢＧＲのウェーハリング１４上に
載置されているチップ状半導体装置１０を吸着する吸着
ヘッド２０が設置されている。そして、この吸着ヘッド
２０を、図中の矢印に模式的に表されるようにトレイ１
２上方とウェーハリング１４上方との間の双方向に移動
させるための移動手段（図示せず）と、チップ状半導体
装置１０をウェーハリング１４上に載置する際に、吸着
ヘッド２０の位置及び回転方向並びに載置時の圧力を制
御するための制御手段（図示せず）が設置されている。

【００３７】また、図２に示されるように、ＢＧＲにお
いては、円形の研磨砥石２２が、図中の矢印方向に回転
可能な保持部材２４の底面に設けられている。そして、
回転する研磨砥石２２を下降させることにより、同じく
回転するチャックテーブル１８上のウェーハリング１４
上にＢＧＲ保護テープ１６を介して配置されているチッ
プ状半導体装置１０を裏面研削するようになっている。

【００３８】次に、図１及び図２のチップ状半導体装置
の移載装置及びＢＧＲを使用してチップ状半導体装置を
薄型加工する方法を、図３のフローチャートを用いて説
明する。先ず、ウェーハ状半導体装置をダイシングして
個片化したチップ状半導体装置１０がトレイ供給され
る。即ち、トレイ１２に配列されて収納されたチップ状
半導体装置１０が供給される。なお、このときの裏面研
削前のチップ状半導体装置１０の厚さは例えば２００〜
３００μｍ程度とする（ステップＳ１）。

【００３９】次いで、吸着ヘッド２０及び搬送手段（図
示せず）を用いて、トレイ１２に収納されている裏面研
削前のチップ状半導体装置１０を吸着し、そのチップ状
半導体装置１０を吸着した吸着ヘッド２０をトレイ１２
上方からＢＧＲのウェーハリング１４上方に移動させ、
吸着したチップ状半導体装置１０をウェーハリング１４
上にフェースダウンに載置する。より正確にいえば、ウ
ェーハリング１４上に設けられているＢＧＲ保護テープ
１６にチップ状半導体装置１０をフェースダウンに貼り
付ける。

【００４０】そして、このＢＧＲ保護テープ１６にチッ
プ状半導体装置１０をフェースダウンに貼り付ける際に
は、制御手段（図示せず）を用いて、吸着ヘッド２０の
位置及び回転方向並びに貼付け時の圧力を制御すること
により、チップ状半導体装置１０をＢＧＲ保護テープ１
６上に最適な位置及び方向に精度よく配列すると共に、
常に一定の圧力でＢＧＲ保護テープ１６に貼り付けるよ
うにする。

【００４１】ここでは、図１に示されるように、チップ
状半導体装置１０をＢＧＲ保護テープ１６上に格子状に
配列しているが、制御手段（図示せず）により、例えば
ＢＧＲの研磨砥石２２による研削痕に合わせて同心円状
又はスパイラル状に配列することも可能である（ステッ
プＳ２）。

【００４２】次いで、ＢＧＲを用いて、チップ状半導体
装置１０の裏面研削を行う。即ち、回転しているチャッ
クテーブル１８上のウェーハリング１４上にＢＧＲ保護
テープ１６を介して配置されているチップ状半導体装置
１０上に、ＢＧＲの回転する研磨砥石２２を下降させ
て、チップ状半導体装置１０の裏面を研削する。こうし
てチップ状半導体装置１０の厚さを２００〜３００μｍ
の元厚から用途に応じて５０〜１００μｍ程度の厚さに
まで薄型加工する（ステップＳ３）。

【００４３】次いで、加熱又はＵＶ光照射によりＢＧＲ
保護テープ１６の粘着力を低下させた後、吸着ヘッド２
０を用いて、ウェーハリング１４上のＢＧＲ保護テープ
１６上に貼り付けられている裏面研削後のチップ状半導
体装置１０を吸着する。このとき、チップ状半導体装置
１０の寸法、貼り付けピッチ、貼り付け角度等によって
は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラなどによ
る画像処理装置が必要となることもある。

【００４４】そして、搬送手段（図示せず）を用いて、
チップ状半導体装置１０を吸着した吸着ヘッド２０をウ
ェーハリング１４上方からトレイ１２上方に移動させ、
吸着したチップ状半導体装置１０をトレイ１２上に順次
規則正しく載置して収納する（ステップＳ４）。

【００４５】このようにして、本実施形態に係るチップ
状半導体装置の移載装置を用いて、トレイ供給された厚
さ２００〜３００μｍ程度の裏面研削前のチップ状半導
体装置１０をトレイ１２上からＢＧＲのウェーハリング
１４上のＢＧＲ保護テープ１６上に移載して貼り付け、
ＢＧＲにより、チップ状半導体装置１０の裏面研削を行
って厚さ５０〜１００μｍ程度にまで薄型加工した後、
再び本実施形態に係るチップ状半導体装置の移載装置を
用いて、裏面研削後のチップ状半導体装置１０をウェー
ハリング１４上のＢＧＲ保護テープ１６上からトレイ１
２上に移載し、規則正しく収納する。その後、この厚さ
５０〜１００μｍ程度にまで薄型加工されたチップ状半
導体装置１０を回路基板に実装して、所定の電子部品を
組み立てる。

【００４６】以上のように本実施形態によれば、チップ
状半導体装置の移載装置に、トレイ１２に収納されてい
るチップ状半導体装置１０又はＢＧＲのウェーハリング
１４上に載置されているチップ状半導体装置１０を吸着
する吸着ヘッド２０と、この吸着ヘッド２０をトレイ１
２上方とウェーハリング１４上方との間の双方向に移動
させるための移動手段（図示せず）とが設置されている
ことにより、チップ状半導体装置１０を裏面研削する際
に、裏面研削前のトレイ１２に収納されているチップ状
半導体装置１０をウェーハリング１４上のＢＧＲ保護テ
ープ１６上に移載してフェースダウンに貼り付けること
が容易に可能になると共に、裏面研削後のＢＧＲ保護テ
ープ１６に貼り付けられているチップ状半導体装置１０
をトレイ１２上に移載して収納することが容易に可能に
なるため、従来のように手作業によってトレイ供給され
たチップ状半導体装置１０を１個１個ウェーハリング１
４上のＢＧＲ保護テープ１６に貼り付けたり、ウェーハ
リング１４上の裏面研削が終了したチップ状半導体装置
１０を１個１個トレイ１２に収納したりする工程が改善
され、チップ状半導体装置の薄型加工の作業を飛躍的に
効率化することができる。

【００４７】また、チップ状半導体装置１０をウェーハ
リング１４上のＢＧＲ保護テープ１６に貼り付ける際
に、吸着ヘッド２０の位置及び回転方向並びに貼付け時
の圧力を制御する制御手段（図示せず）が設置されてい
ることにより、裏面研削する際の研磨砥石２２による研
削痕に合わせた最適な位置及び方向にチップ状半導体装
置１０を配列すると共に、常に一定の圧力でＢＧＲ保護
テープ１６に貼り付けるため、薄型加工後のチップ状半
導体装置１０の反り量の最小化と均一化、反り傾向と反
り方向の統一化を実現することができる。

【００４８】なお、上記実施形態においては、吸着ヘッ
ド２０をトレイ１２上方とウェーハリング１４上方との
間の双方向に移動させるための移動手段（図示せず）が
設置されている場合について説明したが、このような吸
着ヘッド２０を双方向に移動させる機能を持っている双
方向移動手段の代わりに、吸着ヘッド２０をトレイ１２
上方からウェーハリング１４上方に一方向に移動させる
第１の一方向移動手段とウェーハリング１４上方からト
レイ１２上方に一方向に移動させる第２の一方向移動手
段とを組合せてもよい。

【００４９】即ち、吸着ヘッド２０をトレイ１２上方と
ウェーハリング１４上方との間の一方向に移動させる機
能しか持っていない一方向移動手段を２台組合せること
により、上記実施形態のように双方向移動手段を有して
いる場合と同様の作用効果を奏することが可能である。
これは、製造ラインのレイアウトにより、一方のトレイ
１２上からチップ状半導体装置１０をウェーハリング１
４上のＢＧＲ保護テープ１６上に移載した後、裏面研削
後のチップ状半導体装置１０を当初のトレイ１２とは異
なる場所に設置されている異なるトレイ上に移載して収
納し、次の工程に流していく場合などに好適である。

【００５０】また、吸着ヘッド２０をトレイ１２上方と
ウェーハリング１４上方との間の一方向に移動させる機
能しか持っていない１台の一方向移動手段と、トレイ１
２をウェーハリング１４の設置位置に移動し、ウェーハ
リング１４をトレイ１２の設置位置に移動するトレイ／
ウェーハリング位置入替え手段と組合せてもよい。

【００５１】この場合、１台の一方向移動手段を用い
て、チップ状半導体装置１０をトレイ１２上からウェー
ハリング１４上のＢＧＲ保護テープ１６上に移載し裏面
研削を行った後、トレイ／ウェーハリング位置入替え手
段を用いて、トレイ１２及びウェーハリング１４の設置
位置を互いに入れ換え、再び同一の一方向移動手段を用
いて、裏面研削後のチップ状半導体装置１０をＢＧＲ保
護テープ１６上からトレイ１２上に移載して収納するこ
とが可能になる。即ち、１台の一方向移動手段を用いて
擬似的に双方向の移載が可能になるため、上記実施形態
のように双方向移動手段を有している場合と同様の作用
効果を奏することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
るチップ状半導体装置の移載方法及び移載装置によれ
ば、次のような効果を奏することができる。即ち、請求
項１に係るチップ状半導体装置の移載方法によれば、チ
ップ状半導体装置の薄型加工工程において、トレイに収
納されている裏面研削前のチップ状半導体装置をそのト
レイ上から裏面研削装置のウェーハリング上にフェース
ダウンに移載すると共に、ウェーハリング上に載置され
ている裏面研削後のチップ状半導体装置をウェーハリン
グ上からトレイ上に移載することにより、トレイ供給さ
れたチップ状半導体装置を容易に裏面研削可能な状態に
セットすることが可能になると共に、裏面研削により所
望の厚さに薄型加工したチップ状半導体装置を容易に元
のトレイに戻して収納することが可能になるため、チッ
プ状半導体装置の薄型加工の作業を飛躍的に効率化する
ことができる。

【００５３】また、請求項２に係るチップ状半導体装置
の移載方法によれば、上記請求項１に係るチップ状半導
体装置の移載方法において、チップ状半導体装置をウェ
ーハリング上にフェースダウンに載置する際に、チップ
状半導体装置表面をウェーハリング上に設けられている
保護テープに貼り付けることにより、裏面研削の際には
チップ状半導体装置表面が保護テープによって被覆され
た状態となるため、チップ状半導体装置の表面側に形成
されているＬＳＩ等が傷付けられたり汚染されたりする
ことから保護することができる。

【００５４】また、請求項３に係るチップ状半導体装置
の移載方法によれば、上記請求項１に係るチップ状半導
体装置の移載方法において、チップ状半導体装置をウェ
ーハリング上に載置する際に、ウェーハリング上におけ
るチップ状半導体装置の位置及び方向並びに載置時の圧
力を制御することにより、裏面研削する際の研磨砥石に
よる研削痕に合わせた最適な位置及び方向にチップ状半
導体装置を配列することが可能になると共に、常に一定
の圧力で載置される（ウェーハリング上に保護テープが
設けられている場合には、常に一定の圧力で貼り付け
る）ことが可能になるため、薄型加工後のチップ状半導
体装置の反り量の最小化と均一化、反り傾向と反り方向
の統一化を実現することができる。

【００５５】また、請求項４に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、トレイに収納されている裏面研削
前のチップ状半導体装置を吸着し、この吸着したチップ
状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリング上にフェ
ースダウンに載置する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドを
トレイ上方からウェーハリング上方に移動させる搬送手
段とを有することにより、チップ状半導体装置を裏面研
削する際に、吸着ヘッド及び搬送手段を用いて、トレイ
に収納されている裏面研削前のチップ状半導体装置を吸
着し、このチップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッドを
トレイ上方からウェーハリング上方に移動させて、吸着
したチップ状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリン
グ上にフェースダウンに載置することが可能になり、ト
レイ供給されたチップ状半導体装置が容易に裏面研削可
能な状態にセットされるため、チップ状半導体装置の薄
型加工工程の作業を大幅に効率化することができる。

【００５６】また、請求項５に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、裏面研削装置のウェーハリング上
に載置されている裏面研削後のチップ状半導体装置を吸
着し、この吸着したチップ状半導体装置をトレイ上に載
置する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをウェーハリング
上方からトレイ上方に移動させる搬送手段とを有するこ
とにより、チップ状半導体装置を裏面研削する際に、吸
着ヘッド及び搬送手段を用いて、ウェーハリング上の裏
面研削後のチップ状半導体装置を吸着し、このチップ状
半導体装置を吸着した吸着ヘッドをウェーハリング上方
からトレイ上方に移動させて、吸着したチップ状半導体
装置をトレイ上に載置することが可能になり、裏面研削
が終了したチップ状半導体装置が容易にトレイに収納さ
れるため、チップ状半導体装置の薄型加工工程の作業を
大幅に効率化することができる。

【００５７】また、請求項６に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、トレイに収納されている裏面研削
前のチップ状半導体装置又は裏面研削装置のウェーハリ
ング上に載置されている裏面研削後のチップ状半導体装
置を吸着し、この吸着したチップ状半導体装置をウェー
ハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上に載置
する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをトレイ上方とウェ
ーハリング上方との間の双方向に移動させる搬送手段と
を有することにより、チップ状半導体装置を裏面研削す
る際に、吸着ヘッド及び搬送手段を用いて、トレイに収
納されている裏面研削前のチップ状半導体装置を吸着
し、このチップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッドをト
レイ上方からウェーハリング上方に移動させて、吸着し
たチップ状半導体装置を裏面研削装置のウェーハリング
上にフェースダウンに載置すると共に、ウェーハリング
上の裏面研削後のチップ状半導体装置を吸着し、このチ
ップ状半導体装置を吸着した吸着ヘッドをウェーハリン
グ上方からトレイ上方に移動させて、吸着したチップ状
半導体装置をトレイ上に載置することが可能になり、ト
レイ供給されたチップ状半導体装置が容易に裏面研削可
能な状態にセットされると共に、裏面研削が終了したチ
ップ状半導体装置が容易にトレイに収納されるため、チ
ップ状半導体装置の薄型加工工程の作業を飛躍的に効率
化することができる。

【００５８】また、請求項７に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、トレイに収納されている裏面研削
前のチップ状半導体装置又は裏面研削装置のウェーハリ
ング上に載置されている裏面研削後のチップ状半導体装
置を吸着し、この吸着したチップ状半導体装置をウェー
ハリング上にフェースダウンに載置又はトレイ上に載置
する吸着ヘッドと、この吸着ヘッドをトレイ上方とウェ
ーハリング上方との間のいずれか一方向に移動させる搬
送手段と、トレイ及びウェーハリングの設置位置を互い
に入れ換えるトレイ／ウェーハリング位置入替え手段と
を有することにより、搬送手段が吸着ヘッドをトレイ上
方とウェーハリング上方との間のいずれか一方向に移動
させる機能しか持っていなくとも、トレイ／ウェーハリ
ング位置入替え手段によってトレイ及びウェーハリング
の設置位置を互いに入れ換えることが可能なため、一方
向への搬送手段によって搬送手段によって吸着ヘッドを
トレイ上方とウェーハリング上方との間の双方向に移動
させる機能を疑似的に実現して、上記請求項６に係るチ
ップ状半導体装置の移載装置と同様の効果を奏すること
ができる。

【００５９】また、請求項８に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、上記請求項４、６、及び７のいず
れかに係るチップ状半導体装置の移載装置において、チ
ップ状半導体装置をウェーハリング上にフェースダウン
に載置する際に、チップ状半導体装置表面を貼り付ける
保護テープがウェーハリング上に設けられていることに
より、裏面研削の際にはチップ状半導体装置表面が保護
テープによって被覆された状態となるため、チップ状半
導体装置の表面側に形成されているＬＳＩ等が傷付けら
れたり汚染されたりすることから保護することができ
る。

【００６０】また、請求項９に係るチップ状半導体装置
の移載装置によれば、上記請求項４、６、及び７のいず
れかに係るチップ状半導体装置の移載装置において、チ
ップ状半導体装置をウェーハリング上に載置する際に、
吸着ヘッドの位置及び回転方向並びに載置時の圧力を制
御する制御手段を有することにより、裏面研削する際の
研磨砥石による研削痕に合わせた最適な位置及び方向に
チップ状半導体装置を配列することが可能になると共
に、常に一定の圧力で載置される（ウェーハリング上に
保護テープが設けられている場合には、常に一定の圧力
で貼り付ける）ことが可能になるため、薄型加工後のチ
ップ状半導体装置の反り量の最小化と均一化、反り傾向
と反り方向の統一化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】チップ状半導体装置の移載装置及びそれを用い
たチップ状半導体装置の移載方法を説明するための概略
図である。

【図２】図１のチップ状半導体装置の移載装置を用いて
ウェーハリング上に載置したチップ状半導体装置の裏面
研削を行うＢＧＲを示す概略断面図である。

【図３】図１及び図２のチップ状半導体装置の移載装置
及びＢＧＲを使用してチップ状半導体装置を薄型加工す
る方法を説明するためのフローチャートである。

【図４】従来のウェーハレベルにおける半導体装置の薄
型加工を説明するためのフローチャートである。

【符号の説明】

１０……チップ状半導体装置、１２……トレイ、１４…
…ウェーハリング、１６……ＢＧＲ保護テープ、１８…
…チャックテーブル、２０……吸着ヘッド、２２……研
磨砥石、２４……保持部材。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
   いて用いられる、前記チップ状半導体装置を移載する移
   載方法であって、 トレイに収納されている裏面研削前の前記チップ状半導
   体装置を吸着し、裏面研削装置に搬送して、前記裏面研
   削装置のウェーハリング上にフェースダウンに載置する
   と共に、前記ウェーハリング上に載置されている裏面研
   削後の前記チップ状半導体装置を吸着し、前記トレイに
   搬送して収納することを特徴とするチップ状半導体装置
   の移載方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のチップ状半導体装置の移
   載方法において、 前記チップ状半導体装置を前記ウェーハリング上にフェ
   ースダウンに載置する際に、前記チップ状半導体装置表
   面を前記ウェーハリング上に設けられている保護テープ
   に貼り付けることを特徴とするチップ状半導体装置の移
   載方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載のチップ状半導体装置の移
   載方法において、 前記チップ状半導体装置を前記ウェーハリング上に載置
   する際に、前記ウェーハリング上における前記チップ状
   半導体装置の位置及び方向並びに載置時の圧力を制御す
   ることを特徴とするチップ状半導体装置の移載方法。
4. 【請求項４】 チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
   いて用いられる、前記チップ状半導体装置を移載する移
   載装置であって、 トレイに収納されている裏面研削前の前記チップ状半導
   体装置を吸着すると共に、吸着した前記チップ状半導体
   装置を裏面研削装置のウェーハリング上にフェースダウ
   ンに載置する吸着ヘッドと、 前記チップ状半導体装置を吸着した前記吸着ヘッドを前
   記トレイ上方から前記ウェーハリング上方に移動させる
   搬送手段と、 を有することを特徴とするチップ状半導体装置の移載装
   置。
5. 【請求項５】 チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
   いて用いられる、前記チップ状半導体装置を移載する移
   載装置であって、 裏面研削装置のウェーハリング上に載置されている裏面
   研削後の前記チップ状半導体装置を吸着すると共に、吸
   着した前記チップ状半導体装置をトレイ上に載置する吸
   着ヘッドと、 前記チップ状半導体装置を吸着した前記吸着ヘッドを前
   記ウェーハリング上方から前記トレイ上方に移動させる
   搬送手段と、 を有することを特徴とするチップ状半導体装置の移載装
   置。
6. 【請求項６】 チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
   いて用いられる、前記チップ状半導体装置を移載する移
   載装置であって、 トレイに収納されている裏面研削前の前記チップ状半導
   体装置又は裏面研削装置のウェーハリング上に載置され
   ている裏面研削後の前記チップ状半導体装置を吸着する
   と共に、吸着した前記チップ状半導体装置を前記ウェー
   ハリング上にフェースダウンに載置又は前記トレイ上に
   載置する吸着ヘッドと、 前記チップ状半導体装置を吸着した前記吸着ヘッドを前
   記トレイ上方と前記ウェーハリング上方との間の双方向
   に移動させる移動手段と、 を有することを特徴とするチップ状半導体装置の移載装
   置。
7. 【請求項７】 チップ状半導体装置の薄型加工工程にお
   いて用いられる、前記チップ状半導体装置を移載する移
   載装置であって、 トレイに収納されている裏面研削前の前記チップ状半導
   体装置又は裏面研削装置のウェーハリング上に載置され
   ている裏面研削後の前記チップ状半導体装置を吸着する
   と共に、吸着した前記チップ状半導体装置を前記ウェー
   ハリング上にフェースダウンに載置又は前記トレイ上に
   載置する吸着ヘッドと、 前記チップ状半導体装置を吸着した前記吸着ヘッドを前
   記トレイ上方と前記ウェーハリング上方との間のいずれ
   か一方向に移動させる移動手段と、 前記トレイを前記ウェーハリングの設置位置に移動し、
   前記ウェーハリングを前記トレイの設置位置に移動する
   トレイ／ウェーハリング位置入替え手段と、 を有することを特徴とするチップ状半導体装置の移載装
   置。
8. 【請求項８】 請求項４、６、及び７のいずれかに記載
   のチップ状半導体装置の移載装置において、 前記チップ状半導体装置を前記ウェーハリング上にフェ
   ースダウンに載置する際に、前記チップ状半導体装置表
   面を貼り付ける保護テープが前記ウェーハリング上に設
   けられていることを特徴とするチップ状半導体装置の移
   載装置。
9. 【請求項９】 請求項４、６、及び７のいずれかに記載
   のチップ状半導体装置の移載装置において、 前記チップ状半導体装置を前記ウェーハリング上に載置
   する際に、前記吸着ヘッドの位置及び回転方向並びに載
   置時の圧力を制御する制御手段を有することを特徴とす
   るチップ状半導体装置の移載装置。